JPH02273981A - 狭帯域化レーザ装置 - Google Patents

狭帯域化レーザ装置

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JPH02273981A
JPH02273981A JP1095757A JP9575789A JPH02273981A JP H02273981 A JPH02273981 A JP H02273981A JP 1095757 A JP1095757 A JP 1095757A JP 9575789 A JP9575789 A JP 9575789A JP H02273981 A JPH02273981 A JP H02273981A
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JP
Japan
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etalon
total reflection
etalons
laser
mirror
Prior art date
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Pending
Application number
JP1095757A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Wani
和邇 浩一
Yasuhiro Shimada
恭博 嶋田
Hideto Kawahara
河原 英仁
Mutsumi Mimasu
三升 睦己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPH02273981A publication Critical patent/JPH02273981A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は投影露光装置の光源に用いる狭帯域化レーザ装
置に関するものである。
従来の技術 半導体集積回路のパターン露光用光源としては、従来、
高圧水銀ランプが一般的であり、そのg線(436nm
)あるいはi線(365n m )がLSI製造工程で
用いられてきた。さらにパターンを微細化したいわゆる
超LSIについては、より短波長の光源が要求され、こ
の要求に応えるものとしてレーザ光源、たとえばエキシ
マレーザが注目されている。エキシマレーザはレーザ媒
質としてクリプトン、キセノンなどの希ガスとふっ素、
塩素などのハロゲンガスを組み合わせることにより、3
53nmから193nmの間のい(つかの波長でパター
ン露光に十分な出力を有する発振線を得ることができる
これらエキシマレーザの利得帯域幅は約1nmと広く、
光共振器と組み合わせて発振させた場合、発振線が0.
5nm程度の帯域幅(半値全幅)を持つ。このように比
較的広い帯域幅を持つレーザ光を露光用光源として用い
た場合、ランプ光源の場合と同様、露光光学系に色収差
を補正した結像光学系を採用する必要がある。ところが
、波長が350nm以下の紫外域では、結像光学系に用
いるレンズの光学材料の選択の幅が限られ、色収差補正
が困難となる。レーザ光wc411の帯域幅を0.O0
5nm程度にまで単色化し、かつ中心波長の変動を0.
001 nm以下にできれば色収差補正しない結像光学
系が利用可能となり、エキシマレーザを光源とした超L
SI製造用の投影露光装置が実現する。
広い帯域幅を持つレーザ光を単色化するには、狭い透過
帯域を持つ波長選択フィルターを通せばよい。しかしこ
の方法ではレーザの出力が著しく減衰し、露光用光源と
して実用に供することができない。そこで、波長選択素
子を共振器内に設置し、出力を減衰させずに単色化する
方法が採用されている。第3図はこのような従来の狭帯
域化エキシマレーザの構成を説明する図である。第3図
において全反射鏡2および半透過鏡4からなる光共振器
内に放電管1が置かれている。放電管1には希ガスとハ
ロゲンガスを含む媒質ガスが封入されており、放電励起
によってレーザ発振する。光共振器中には波長選択素子
であるファブリペローエタロン5.6が設置されている
。ファブリペロ−(以下、F−Pと略す)エタロンは対
向する平行平板間の光の干渉を利用した波長選択素子で
あり、エキシマレーザの発振波長域において非常に狭い
透過帯域幅を持つものが得られる。
一方、F−Pエタロンは第4図aに示すように同時に多
数の透過帯を持つ性質があるので、隣合う透過帯の波長
間隔をレーザ媒質の利得バンド幅より十分太き(とる必
要がある。ところが、エキシマレーザの発振波長域では
透過帯域幅に対する隣合う透過帯の間隔、すなわち、フ
ィネスの大きなF−Pエタロンを製作することは困難に
なる。
そこで、エキシマレーザにおいては第4図すのように、
狭い透過帯域幅を持っF−Pエタロン5に透過帯域幅が
広い第2のF−Pエタロン6を組み合わせて、実効的な
フィネスを大きくしている。
このような構成のエキシマレーザ装置では、F−Pエタ
ロン5,6で選択された特定の波長の光だけが増幅、発
振するので、高い出力の単色光を得ることができる。
発明が解決しようとする課題 しかし、このような従来の狭帯域化レーザ装置では、光
共振器内に定在する高いエネルギーの光が波長選択素子
を通過する。このため波長選択素子の変形を招き、選択
波長が変動する結果、露光パターンの焦点ずれを生じ、
製品の不良につながるなどの課題があった。本発明はこ
のような課題を解決するためなされたもので、波長選択
素子の変形による波長変動がない狭帯域Iヒレーザ装置
を提供するものである。
課題を解決するための手段 この課題を解決するため本発明は、レーザ媒質と、前記
レーザ媒質の両側に設置され光共振器を構成する第1.
第2の全反射鏡と、前記レーザ媒質と第1の全反射鏡、
との間に置いた半透過鏡と、前記半透過鏡と第1の全反
射鏡との間に設置した複数のファブリペローエタロンと
を具備し、前記ファブリペローエタロンの内、最も透過
帯域幅の狭いものを第1の全反射鏡に最も近く設置した
ものである。
作用 この構成により、F−Pエタロンが設置された空間に入
射する光エネルギーは、従来例の場合のそれに半透過鏡
の透過率を乗じた程度に低下する。さらに、レーザの発
振波長を決定する、最も透過帯域幅の狭いF−Pエタロ
ンには、他のF−Pエタロンによって減衰した光が入射
するので、F−Pエタロンの変形によるレーザ光の中心
波長の変化を著しく低減できることとなる。
実施例 第1図は本発明の一実施例であるエキシマレーザの構成
図である。第1図において本発明実施例のレーザ装置は
希ガスとハロゲンガスの混合気体をレーザ媒質とする放
電管1と、全反射鏡2,3および半透過鏡4によって光
共振器を構成し、紫外域でレーザ発振する。半透過鏡4
は、放電管1と全反射鏡3を結ぶ軸からはずれた位置に
設置された全反射鏡2の方向に共振器の光軸を折曲げる
とともに、放電管1と全反射鏡3を結ぶ軸の方向にレー
ザ出力を取り出す役割を果たす。半透過鏡4と全反射j
l!2との間の光共振器の光軸上には、波長選択素子で
あるF−Pエタロン5,6が置かれ、特定の狭い帯域の
波長だけを選択的に増幅する。なお、F−Pエタロン6
は同5より広い透過帯域幅を持つように設計されている
F−Pエタロンを2個使用するのは、従来例の場合と同
じ理由による。すなわちエキシマレーザの発振波長域に
おいては、フィネス約20を屈えるF−Pエタロンの製
作が困難なので透過帯域幅が0.005nmのエタロン
5だけでは約0.1 nm毎に隣合う透過帯が現われ、
複数の波長で発振してしまう。そこで、透過帯域幅が約
0.O5nm、フィネス20の第2のF−Pエタロン6
を追加し、レーザ媒質の利得帯域幅である約1nm内に
一本の透過帯しか現われないようにして単色発振を実現
している。
次に本実施例について、F−Pエタロンの変形が低減で
きることを説明する。F−Pエタロンは対向した平行平
板の間における光の多重反射を利用した干渉素子である
。光は多重反射する間にわずかずつではあるが反射面に
吸収され、結果的に表面温度の上昇を招き変形につなが
る。発明者らの測定では、F−Pエタロンに入射した光
の50%程度が吸収されていた。
そこで、F−Pエタロンに入射する光のエネルギーを極
力低下させてやればその変形を避けることができる。
本発明においては放電管1を含む全反射鏡3と半透過鏡
4の間の光共振器内には従来のレーザ装置の場合と同様
、大きな光エネルギーが定在するが、半透過鏡4と全反
射鏡2の間の空間では放電管方向から来た光の大半が半
透過鏡によって光共振器外へ放射されるため、定在する
光エネルギーはわずかである。発明者らが実測したとこ
ろによると、半透過鏡4の反射率が30%の場合、半透
過鏡4と全反射鏡2との間の空間にある光エネルギーは
、従来のレーザ共振器中の約115であった。
さらに、レーザ発振の波長を決定する、帯域幅0、O5
nmのF−Pエタロン5を全反射鏡2に近い側に設置す
ることによって、レーザの中心波長の変動を最小にして
いる。すなわち、F−Pエタロン5に入射する光エネル
ギーはF−Pエタロン6により吸収を受け、上述の値よ
りさらに減少しており、F−Pエタロン5の変形はほと
んど無視できる程度となる。
本発明者らの実験によれば、第4図に示したような従来
の狭帯域化エキシマレーザでIW程程度出力を取り出す
とF−Pエタロンの熱変形が顕著になった。その結果、
比較的短時間の間に選択波長が子分の数ナノメータ変動
し、投影露光装置の光源に供することができなかった。
一方、本発明による狭帯域化レーザ装置では、選択波長
の変化は0.001 nm以下となり、単色レンズを用
いた投影露光装置の光源として利用できるようになった
。さらに、F−Pエタロンの寿命を従来の共振器の場合
よりも大幅に延長するという効果も見られた。
エキシマレーザは媒質の利得が高いため、光共振器のカ
ップリング、すなわち本発明における半透過鏡の反射率
は10〜20%と低く取ることができる。したがって、
本発明は特にエキシマレーザにおいてその効果を発揮す
るものと言える。
第2図に本発明の第2の実施例を示す。第2図の実施例
では、直線の光軸上に全反射鏡2.3を設置し、光軸の
途中においた半透過鏡4によって、光軸と直角方向に出
力を取り出している。この場合、半透過鏡の反射率を7
0%程度にとれば、第1図の実施例と同様の効果が得ら
れる。2個のF−Pエタロン5,6は、透過帯域幅が狭
い5を全反射鏡2側に、透過帯域幅が広い6を半透過鏡
4側に置くことは第1図の実施例の場合と同様である。
以上のような構成を有するので、本発明の狭帯域化レー
ザ装置はF−Pエタロンの変形による波長の変動がほと
んどなく、単色化したレーザ光を一定の波長で安定に放
射することができる。
発明の詳細 な説明したように、本発明は共振器内に置いた波長選択
素子であるファブリペローエタロンを通過する光エネル
ギーを小さ(することによって、選択波長の変動が少な
く、投影露光装置の光源に最適な狭帯域化レーザ装置を
提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である狭帯域化レーザ装置の
構成を示す図、第2図は本発明の第2の実施例を示す図
、第3図は従来の狭帯域化レーザ装置の構成を示す図、
第4図はファブリペローエタロンによる波長選択の原理
を説明する図である。 ■・・・・・・放電管、2.3・・・・・・全反射鏡、
4・・・・・・半透過鏡、5,6・・・・・・ファブリ
ペローエタロン。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか1名第1図 / −族!雪 2、3−−一金反肘]免 4− 牟1迭鏡 5、Δ−ファプリペロー=ダロン 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ媒質と、前記レーザ媒質の両側に設置され光共振
    器を構成する第1、第2の全反射鏡と、前記レーザ媒質
    と第1の全反射鏡との間に置いた半透過鏡と、前記半透
    過鏡と第1の全反射鏡との間に設置した複数のファブリ
    ペローエタロンとを具備し、前記ファブリペローエタロ
    ンの内、最も透過帯域幅の狭いものを第1の全反射鏡に
    最も近く設置したことを特徴とする狭帯域化レーザ装置
JP1095757A 1989-04-14 1989-04-14 狭帯域化レーザ装置 Pending JPH02273981A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105470799A (zh) * 2015-12-30 2016-04-06 宁波中物激光与光电技术研究所 一种利用双f-p标准具调谐固体激光器输出波长的方法
WO2016084263A1 (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 ギガフォトン株式会社 狭帯域化レーザ装置

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