JP2001174629A - 反射光学素子及びファブリー・ペロー・エタロン及び光源レーザー装置及び露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

反射光学素子及びファブリー・ペロー・エタロン及び光源レーザー装置及び露光装置及びデバイス製造方法

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JP2001174629A
JP2001174629A JP2000292856A JP2000292856A JP2001174629A JP 2001174629 A JP2001174629 A JP 2001174629A JP 2000292856 A JP2000292856 A JP 2000292856A JP 2000292856 A JP2000292856 A JP 2000292856A JP 2001174629 A JP2001174629 A JP 2001174629A
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fabry
reflection
wavelength
reflective optical
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JP2000292856A
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English (en)
Inventor
匡夫 ▲鶴▼田
Tadao Tsuruta
Soichi Yamato
壮一 大和
Yutaka Ichihara
裕 市原
Giichi Hirayama
義一 平山
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】極めて狭帯域の波長において有効な反射光学素
子、ファブリー・ペロー・エタロン、出力波長が極めて
狭帯域の光源レーザー装置、高解像度の露光装置、高集
積度のデバイスを製造可能なデバイスの製造方法を提供
する。 【課題の解決手段】複数の基材を、それぞれの間に空隙
を設けて光軸に沿って配置し、狭い波長帯域において高
い反射率を持つミラーを形成する反射光学素子、該反射
光学素子を、それぞれの間に空隙からなる共振部を設け
て、光軸に沿って配置したファブリー・ペロー・エタロ
ン、該反射光学素子または該ファブリー・ペロー・エタ
ロンを、光源レーザー装置の内部または外部に配置した
光源レーザー装置、該光源レーザー装置を搭載した露光
装置、該露光装置を使用したデバイス製造方法を提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光源のス
ペクトル狭帯化に使用する反射光学素子、及び該反射光
学素子を搭載した光源、及び該光源を搭載した露光装
置、及び、この装置を用いたデバイスの製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、露光装置の光源としては、KrFエ
キシマレーザー(248.4nm)、ArFエキシマレーザー(19
3.4nm)などが用いられている。そしてこれらを光源とし
て使用する場合には、所望の解像力を得るために、結像
レンズでの色収差の影響を抑制する必要がある。そのた
め、光源レーザー装置の発振スペクトルを、所定の波長
範囲(1pm以下)に狭帯域化する必要がある。
【0003】このための技術として、レーザー発振管の
内部、あるいはこれの外部に、狭帯域なスペクトル反射
波長特性または透過波長特性をもつ素子を設置して、所
望のスペクトル帯域の光を取り出す方法が用いられてき
た。
【0004】これらの方法として、具体的には、プリズ
ムとグレーティングを用いる方法、ファブリー・ペロー
・エタロンを用いる方法などが提案されている。そし
て、このような技術を用いて狭帯域化されたレーザー光
源を搭載した露光装置が実用化され、この装置を用いた
デバイスの製造が行われてきた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一方、さらなる高解像
度を得るために、より短い波長による露光装置の検討が
進んでいる。
【0006】そしてこの目的のために、157nmでの発振
波長を持つF2レーザーを光源に搭載した露光装置によ
って、より微小なパターンのデバイスを作成することが
研究されている。
【0007】しかしながら、F2レーザーの波長におい
ては、良好な特性・耐久性を持つ光学薄膜が作り難い。
そのため、プリズム、グレーティング、エタロンなどの
光学素子を利用することが難しい。したがって、KrFエ
キシマレーザー・ArFエキシマレーザーで可能であっ
た、従来の狭帯域化技術を適用することが非常に困難で
ある。
【0008】本発明はこのような問題に鑑みて成された
もので、耐久性の低い光学薄膜を使用せず、光源波長の
スペクトルの狭帯域化を安定に達成可能な、耐久性の高
い反射光学素子を提供することを目的とする。
【0009】次に本発明は、該反射光学素子を組み合わ
せることで得られるファブリー・ペロー・エタロンを提
供することを目的とする。次に本発明は、これらのスペ
クトル狭帯域化素子によって、発振波長が狭帯域化され
た光源レーザー装置を提供することを目的とする。
【0010】次に本発明は、該光源レーザー装置を搭載
した、高解像度でパターンを露光することが可能な露光
装置を提供することを目的とする。次に本発明は、該露
光装置を使用することにより、より集積度の高いデバイ
スの製造を可能にするデバイスの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、請求項1においては、複数の基材を、それ
ぞれの間に空隙を設けて光軸に沿って配置し、狭い波長
帯域において高い反射率を持つミラーを形成することを
特徴とする反射光学素子を提供する。
【0012】請求項2においては、請求項1に記載の反
射光学素子の、前記複数の基材の光路長が、(m+1/
4)・λ、あるいは(m+3/4)・λのどちらかであ
り、前記複数の基材間の空隙の光路長が、(m+1/
4)・λ、あるいは(m+3/4)・λのどちらかであ
ることを特徴とする。ただし、mは次数(任意の整数)
を表わし、λは反射中心波長を表わす。
【0013】請求項3においては、請求項1乃至2に記
載の反射光学素子の、前記複数の基材が、それぞれ平行
平面板によって構成されることを特徴とする。さらに請
求項4においては、該平行平面板が、一枚の大きな平面
板の同一の厚みを有する部分から、それぞれ作成されて
いることを特徴とする。
【0014】請求項5においては、請求項1乃至2に記
載の反射光学素子の、前記複数の基材の、それぞれの表
面及び裏面が全て同一の球心を有する球面あるいは非球
面によって構成されることを特徴とする。
【0015】請求項6においては、請求項1乃至5に記
載の反射光学素子の、前記複数の基材それぞれが、フッ
化物結晶からなることを特徴とする。請求項7において
は、請求項1乃至6に記載の反射光学素子の、前記複数
の基材間の空隙のうち、少なくとも一つが真空であるこ
とを特徴とする。
【0016】請求項8においては、請求項1乃至6に記
載の反射光学素子の、前記複数の基材間の空隙のうち、
少なくとも一つが気体で満たされていることを特徴とす
る。さらに、請求項9においては、該気体が、不活性ガ
スであることを特徴とする。
【0017】請求項10においては、請求項1乃至9に
記載の反射光学素子の、前記複数の基材間の空隙のう
ち、少なくとも一つが、前記基材とは屈折率の異なる固
体によって満たされていることを特徴とする。そして請
求項11においては、該個体が、フッ化物結晶からなる
ことを特徴とする。さらに請求項12においては、前記
基材の表面と該個体とが光学密着されていることを特徴
とする。
【0018】請求項13においては、請求項1乃至12
に記載の反射光学素子の、前記複数の基材間の空隙に、
該空隙と等しい厚みを持つスぺ−サーを挿入し、該スぺ
−サーの端面を前記複数の基材の表面と光学密着させる
ことで、前記複数の基材間の空隙の厚みを確保すること
を特徴とする。さらに請求項14においては、該スぺ−
サーを複数使用する際に、一枚の大きな平面板の同一の
厚みを有する部分から、該スぺ−サーを複数作成して用
いることを特徴とする。
【0019】請求項15においては、請求項1乃至13
に記載の反射光学素子の反射中心波長が可変であること
を特徴とする。そして請求項16においては、前記反射
中心波長が、該空隙を満たす気体の温度・圧力の変化に
よって可変であることを特徴とする。また請求項17に
おいては、前記反射中心波長が、ピエゾ素子によって可
変であることを特徴とする。また請求項18において
は、前記反射中心波長が、前記複数の基材の一部あるい
は全てを、個別または一律に、光軸に対して微小角度回
転することで可変であることを特徴とする。
【0020】次に本発明は、請求項19において、複数
の、請求項1乃至18に記載の反射光学素子を、それぞ
れの間に空隙からなる共振部を設けて、光軸に沿って配
置したことを特徴とするファブリー・ペロー・エタロン
を提供する。
【0021】請求項20においては、請求項19に記載
のファブリー・ペロー・エタロンの、前記共振部の光路
長が、(m+1/2)・λ2であることを特徴とする。
ただし、 λ2:透過中心波長 である。
【0022】請求項21においては、請求項19乃至2
0に記載のファブリー・ペロー・エタロンが、前記共振
部を、複数有することを特徴とする。請求項22におい
ては、請求項19乃至21に記載のファブリー・ペロー
・エタロンの、前記共振部のうち、少なくとも一つが真
空であることを特徴とする。
【0023】請求項23においては、請求項19乃至2
2に記載のファブリー・ペロー・エタロンの、前記共振
部のうち、少なくとも一つが気体によって満たされてい
ることを特徴とする。さらに請求項24においては、該
気体が不活性ガスであることを特徴とする。
【0024】請求項25においては、請求項19乃至2
4に記載のファブリー・ペロー・エタロンの、前記共振
部のうち、少なくとも一つが、前記複数の反射光学素子
の端面を形成する基材とは屈折率の異なる個体によっ
て、満たされていることを特徴とする。そして請求項2
6においては、該個体が、フッ化物結晶であることを特
徴とする。さらに請求項27においては、複数の反射光
学素子の端面と、該個体とが、光学密着されていること
を特徴とする。
【0025】請求項28においては、請求項19乃至2
7に記載のファブリー・ペロー・エタロンの、前記共振
部に、前記共振部と等しい厚みを持つスぺ−サーを挿入
し、該スぺ−サーの端面を、前記複数の請求項1乃至1
8に記載の反射光学素子の端面と光学密着させること
で、前記共振部の厚みを確保することを特徴とする。さ
らに請求項29においては、該スぺ−サーを複数使用す
る際に、一枚の大きな平面板の同一の厚みを有する部分
から、該スぺ−サーを複数作成して用いることを特徴と
する。
【0026】請求項30においては、請求項19乃至2
9に記載のファブリー・ペロー・エタロンの、透過中心
波長がが可変であることを特徴とする。そして請求項3
1においては、前記共振部を満たす気体の温度、あるい
は圧力の変化によって、前記透過中心波長が可変である
ことを特徴とする。また請求項32においては、前記透
過中心波長が、ピエゾ素子によって可変であることを特
徴とする。さらに請求項33においては、前記複数の反
射光学素子の一部あるいは全てを、個別または一律に、
光軸に対して微小角度回転させることで、前記透過中心
波長が可変であることを特徴とする。
【0027】次に本発明は、請求項34において、請求
項1乃至18に記載の反射光学素子を、光源レーザー装
置の内部または外部に配置したことを特徴とする光源レ
ーザー装置を提供する。
【0028】請求項35は、請求項34に記載の光源レ
ーザー装置において、請求項1乃至18に記載の反射光
学素子を、光源レーザー装置のアウトプットカプラーま
たはエンドリフレクターに用いたことを特徴とする。
【0029】請求項36は、請求項34乃至35に記載
の光源レーザー装置において、レーザー発振管内のガス
圧力を低く抑えたことを特徴とする。次に本発明は、請
求項37において、請求項19乃至33に記載のファブ
リー・ペロー・エタロンを、光源レーザー装置の内部又
は外部に配置したことを特徴とする光源レーザー装置を
提供する。
【0030】次に本発明は、請求項38において、請求
項34乃至37に記載の光源レーザー装置を使用したこ
とを特徴とする露光装置を提供する。次に本発明は、請
求項39において、請求項38に記載の露光装置を使用
したことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る反射光学素子について説明する。図1は、本発明の
クレイム1に係る反射光学素子の概念図である。このと
き、透明な基材1に対して光軸の方向からレーザー光を
入射させれば、各基材1の表面、即ち基材1と空隙2と
の境界面それぞれの間で、それぞれの面の反射光による
繰り返し反射干渉が発生する。そしてこれを利用するこ
とで、複数の透明な基材1を、それぞれの間に空隙2を
設けて光軸に沿って配置することにより、狭い波長帯域
において高い反射率を持つミラーとして機能する、反射
光学素子を形成することができる。図1中及び以下全て
の図中において、INは光線が入射される方向を、OU
Tは光線が射出される方向を示す。
【0032】このとき、基材1と空隙2との境界面同士
の間で発生する繰り返し反射干渉によって、反射光同士
が強めあうようにするためには、基材1の光路長、及び
空隙2の光路長が、(m+1/4)・λ、あるいは、
(m+3/4)・λのどちらかであることが望ましい。
【0033】そして、基材1の厚み、および基材1の枚
数を変えることで、反射波長の帯域のスペクトル幅やピ
ーク反射率を、概ね任意に最適化することができる。一
般に、基材1の厚みの次数mが大きくなるほど反射波長
の帯域は狭くなる。
【0034】また、光源としてF2レーザーを使用する
場合、有効に機能する光学薄膜が作成し難いため、基材
1の表面に光学薄膜を設けることが難しい。従ってこの
ような場合、基材1の表面には光学薄膜を設けない。た
だしそうすると、基材1の表面においては、高い反射率
が得られない。このような場合、配置する基材1の枚数
を多くし、繰り返し反射干渉を発生させる基材1と空隙
2との境界面を多くする。このようにすれば、基材1の
表面に光学薄膜を設けなくても、反射光の強度を強めら
れる。そして、基材1の枚数を適宜選択することで、本
発明の反射光学素子の反射率を、ある程度任意に選択す
ることができる。
【0035】次に、入射光が平行光束であるとき、これ
を集光、あるいは散光させることなく、再び平行光束と
して反射させるためには、反射光学素子を形成する基材
1それぞれが、平行平面板によって構成されていること
が望ましい。そしてこのとき、有効な繰り返し反射干渉
を行わせるためには、それぞれの基材1の光路長が、正
確に一致していることが望ましい。このため、ほぼ厚み
の一定な大きな平面板上から、干渉計等を使用した計測
によって正確に厚みの等しい部分を探索し、この正確に
厚みの等しい部分から、それぞれの基材1を作成するこ
とが望ましい。
【0036】また、基材1の形状を、表面及び裏面が全
て同一の球心を有する球面によって構成することによ
り、入射光に対して、集光、あるいは散光特性を与える
ことが可能である。
【0037】次に、光源としてF2レーザーを使用する
場合、その波長において透過率が高く、また耐紫外線性
の高い光学材料を使用する必要がある。そして、このよ
うな材料として、CaF2、MgF2、BaF2、Sr
2、LiFなどの、フッ化物結晶が挙げられる。従っ
て、基材1を構成する材料として、上記したようなフッ
化物結晶を使用することが望ましい。
【0038】次に、本発明による反射光学素子において
は、基材1と空隙2との屈折率差が大きいほど、少ない
基材数で高い反射率が得られる。従って、空隙2は、少
なくとも一つが真空であることが望ましい。
【0039】ただし、空隙2を真空にすると、外界との
圧力差が発生する。このため、本発明の反射光学素子の
組立、及び空隙2の厚みの維持が困難になる場合があ
る。このような場合、外界との圧力差を解消するため
に、空隙2を気体で満たして構成することも可能であ
る。そしてこのとき、空隙2を満たす気体は、光源から
の光が吸収されるのを防ぐために、不活性ガスであるこ
とが望ましい。不活性ガスとしては、窒素、水素、ヘリ
ウム、アルゴン、キセノンなどが挙げられる。
【0040】さらに、空隙2は、基材1とは異なる屈折
率を持つ固体によって満たしてもよい。このような構成
にすると、特別な支持機構を設けなくても素子全体を一
体化できるため、組立、及び調整を容易に行うことがで
きる。このような固体としては、特に高い耐紫外線性が
要求される場合には、CaF2、MgF2、BaF2、S
rF2、LiFなどの、フッ化物結晶が適している。
【0041】ただし、大気中への暴露が考えられる場合
には、LiF、BaF2のように潮解性を有する結晶
は、反射光学素子の端面には用いないことが望ましい。
そしてこの場合、接着剤を使用すると、耐紫外線性にお
いて著しく劣るため、空隙2を満たす固体と基材1と
は、光学密着されていることが望ましい。
【0042】次に、本発明の反射光学素子においては、
空隙2の厚みを正確に確保する必要がある。このため
に、空隙2の厚みに等しい厚みを有するスぺ−サーを、
空隙2に挿入して、スぺ−サーの端面と基材1の表面と
を、光学密着することにより、空隙2の厚みを確保する
ことが望ましい。またこのとき、正確に厚みの等しいス
ぺ−サーを複数製作するために、基材1そのものと同様
に、ほぼ厚みの一定な大きな平面板上から、干渉計等を
使用した計測によって正確に厚みの等しい部分を探索
し、この正確に厚みの等しい部分から、それぞれのスぺ
−サーを作成することが望ましい。
【0043】次に、本発明の反射光学素子においては、
反射中心波長が目的とする波長から外れた場合、これを
補正して、反射中心波長を目的とする波長に戻す手段が
必要である。このため、空隙2の光路長、あるいは基材
1の光路長が可変であることが望ましい。そしてそのた
めの手段としては、 ・空隙2の厚みをピエゾ素子によって可変にする。 ・空隙2を満たす気体の温度を制御することによって、
基材1の温度を制御し、基材1の光路長を可変にする。 ・空隙2を満たす気体の圧力を制御することによって、
空隙2の光路長を可変にする。 という3つの手段が考えられる。またさらに、空隙2を
満たす気体を複数の種類とし、その混合比を調整するこ
とで、空隙2の光路長を可変にすることも可能である。
【0044】また、空隙2が固体によって満たされてい
る場合には、基材1と空隙2を満たす固体とをあわせ
て、光軸に対して微小角度傾けることにより、反射中心
波長を制御することも可能である。
【0045】以下に実施例1について説明する。図2
は、実施例1の構成図である。基材3はCaF2の平行
平面板で構成され、空隙4は真空である。ここで基材の
厚みをL、基材の屈折率をnL、空隙の厚みをD、空隙
の屈折率をnD、反射中心波長をλとすると、 L=15076002.0nm(m=149703、nL=1.559000) D=1570039.25nm(m=10000、nD=1.000000) λ=157.000nm である。ただし、L、Dは、光路長ではなく見かけの厚
みを表わす。また、上記した屈折率は、いずれも反射中
心波長におけるものである。
【0046】反射光学素子を構成する基材3は、6枚で
ある。そして、本実施例1は、たとえば、レーザー光源
内部あるいはレーザー光源外部の真空を保持した光路中
などの、真空中において使用される。
【0047】実施例1の反射波長特性を図3に示す。実
施例1が、中心波長に対して半値幅で0.2pm以下の狭帯
域に対してのみ高い反射率を示し、その外側の帯域に対
しては非常に低い反射率しか持たないことがわかる。
【0048】そして、実施例1の空隙4には、それぞれ
ピエゾ素子5が複数個配置されており、それぞれのピエ
ゾ素子5は、電圧印加装置6に接続されている。そし
て、電圧印加装置6は、外部に配置された波長モニタ装
置7に接続され、波長モニタ装置7から受け取る信号に
従って、それぞれのピエゾ素子5に適宜電圧を印加す
る。この電圧によって、それぞれのピエゾ素子5が、光
軸方向に対して伸長、あるいは収縮し、空隙4の厚みを
変化させることで、反射中心波長を変化させる。
【0049】このときの制御のフローチャートを図4に
示す。まず、101で、波長モニタ装置7によって、反
射中心波長の観測を行なう。そして、波長モニタ装置7
は、102において、反射中心波長の制御を行なう必要
があるかどうかを判断し、もし必要が無ければ、再び1
01に戻る。もし反射中心波長がずれはじめて、波長制
御を行なう必要が生じたと判断されれば、次に103に
おいて、波長が長いかどうかの判断を行なう。このと
き、波長が長くなければ、104において、電圧印加装
置6は、空隙4を広げる方向に電圧を印加する。また、
103において、波長が長いと判断されれば、105に
おいて、電圧印加装置6は、空隙4を狭める方向に電圧
を印加する。そして、104、105のいずれかの動作
が終了した後、すべての装置は、再び101の動作に戻
る。そして、これらの動作は常に繰り返される。
【0050】ここで、空隙4の厚みを制御した際の反射
中心波長の変化を、図5に示す。実線が基準位置であ
り、点線は、空隙4の厚みを+3nmとした場合の、反
射波長特性、一点鎖線は、空隙4の厚みを−3nmとし
た場合の反射波長特性を示す。図5から、空隙4の厚み
を制御することによって、反射中心波長をずらすことが
十分に可能であることがわかる。そして、この動作を利
用して、反射中心波長が目的の波長からずれた場合、再
び反射中心波長を目的の波長に調整することができる。
【0051】次に、実施例2について説明する。図6
は、実施例2の構成図である。基材11はCaF2の平
行平面板で構成され、空隙12は、アルゴンガスによっ
て満たされている。そしてここで、基材の厚みをL、基
材の屈折率をnL、空隙の厚みをD、空隙の屈折率をn
D、反射中心波長をλとすると、 L=15076002.0nm(m=149703、nL=1.559000) D=1569568.4nm(m=10000、nD=1.000300) λ=157.000nm である。ただし、L、Dは、光路長ではなく見かけの厚
みを表わす。また、上記した屈折率は、いずれも反射中
心波長における値である。
【0052】反射光学素子を構成する基材11は、6枚
である。それぞれの空隙12は、厚みの等しい複数のス
ぺ−サー13によって確保されている。また、それぞれ
のスぺ−サー13は、基材11に光学密着されている。
【0053】そして、反射光学素子全体は、ハウジング
14によって外部から遮断され、最も外側に位置する基
材11とハウジング14との間は、Oリング15によっ
てシールされている。ただし、図6において、基材11
と空隙12とが繰り返しの構成になる部分は、図示を省
略している。
【0054】実施例2の反射波長特性を図7に示す。実
施例2が、中心波長に対して半値幅で0.2pm以下の狭帯
域に対してのみ高い反射率を示し、その外側の帯域に対
しては非常に低い反射率しか持たないことがわかる。
【0055】そして、ハウジング14には、ガス温度調
整器19と、注入側電磁弁18とを介してアルゴンガス
を供給する手段と、圧力計16、排出側電磁弁17から
なるガス排出手段が備えられている。そして、ガス温度
調整器19、注入側電磁弁18、圧力計16、排出側電
磁弁17は、ガス制御装置20に接続されており、さら
にガス制御装置20には、外部に配置された波長モニタ
装置7が接続されている。
【0056】これらの装置により、実施例2は、ガス温
度を変化させることによる基材11の温度制御を行なう
ことで、反射中心波長を制御できる。基材11の温度制
御による反射中心波長の制御のフローチャートを、図8
に示す。
【0057】111で、波長モニタ装置7によって、反
射中心波長の観測を行なう。そして、波長モニタ装置7
は、112において、反射中心波長の制御を行なう必要
があるかどうかを判断し、もし必要が無ければ、再び1
11に戻る。もし反射中心波長がずれはじめて、波長制
御を行なう必要が生じたと判断されれば、次に113に
おいて、波長が長いかどうかの判断を行なう。このと
き、波長が長くなければ、114において、ガス制御装
置20は、ガス温度調整器にガス温度を上昇させるよう
に司令し、あわせて、注入側電磁弁18と排出側電磁弁
17を開き、圧力計16をモニタしながら、圧力が一定
になるように、温度の高いガスを、ハウジング14に注
入する。これにより、基材11の温度も上昇する。ま
た、113において、波長が長いと判断されれば、11
5において、ガス制御装置20は、ガス温度調整器にガ
ス温度を低下させるように司令し、あわせて、注入側電
磁弁18と排出側電磁弁17を開き、圧力計16をモニ
タしながら、圧力が一定になるように、温度の低いガス
を、ハウジング14に注入する。これにより、基材11
の温度も低下する。そして、114、115のいずれか
の動作が終了した後、すべての装置は、再び111の動
作に戻る。そして、これらの動作は常に繰り返される。
【0058】ここで、基材11の温度を制御した際の反
射中心波長の変化を、図9に示す。実線が基準位置であ
り、点線は、基材11の温度を−0.1℃下降させた場
合の反射波長特性、一点鎖線は、基材11の温度を+
0.1℃上昇させた場合の反射波長特性を示す。ただし
このとき、CaF2の温度が1℃変化したときの屈折率
の変化量Δnは、Δn=8.0×10-6である。
【0059】図9から、基材11の温度を制御すること
によって、反射中心波長をずらすことが十分に可能であ
ることがわかる。そして、この動作を利用して、反射中
心波長が目的の波長からずれた場合、再び反射中心波長
を目的の波長に調整することができる。
【0060】また、空隙12に充填されているアルゴン
ガスの圧力を変化させると、空隙12の屈折率が変化す
る。このとき、空隙12の圧力を上昇させると、空隙1
2の屈折率が上昇して、反射中心波長は長くなる。ま
た、空隙12の圧力を低下させると、空隙12の屈折率
が低下して、反射中心波長は短くなる。これにより、実
施例2の反射中心波長を制御することが可能である。
【0061】ガス圧力制御による反射中心波長の制御の
フローチャートを、図10に示す。121で、波長モニ
タ装置7によって、反射中心波長の観測を行なう。そし
て、波長モニタ装置7は、122において、反射中心波
長の制御を行なう必要があるかどうかを判断し、もし必
要が無ければ、再び121に戻る。もし反射中心波長が
ずれはじめて、波長制御を行なう必要が生じたと判断さ
れれば、次に123において、波長が長いかどうかの判
断を行なう。このとき、波長が長くなければ、124に
おいて、ガス制御装置20は、注入側電磁弁18を開
き、ガスを、ハウジング14に注入する。また、123
において、波長が長いと判断されれば、125におい
て、ガス制御装置20は、排出側電磁弁17を開き、ガ
スを、ハウジング14から排出する。そして、124、
125のいずれかの動作が終了した後、すべての装置
は、再び121の動作に戻る。そして、これらの動作は
常に繰り返される。またこのとき、ガス温度調整器19
は、常にガス温度を一定に保っている。
【0062】次に、実施例3について説明する。図11
は、実施例3の構成図である。基材21はMgF2の平
行平面板で構成され、空隙22はLiFで満たされてい
る。このとき、空隙22は固体で満たされているので、
実施例3の片側の端面はMgF2、反対側の端面はLi
Fで構成されており、基材21は8枚、空隙22も8枚
である。
【0063】そしてここで、基材の厚みをL、基材の屈
折率をnL、空隙の厚みをD、空隙の屈折率をnD、反
射中心波長をλとすると、 L=2500025.0nm(m=25000、nL=1.570000) D=10023876.0nm(m=83000、nD=1.300000) λ=157.000nm である。ただし、L、Dは、光路長ではなく見かけの厚
みを表わす。また、上記した屈折率は、いずれも反射中
心波長における値である。
【0064】それぞれの基材21と空隙22とは、光学
密着されている。ただし図11において、基材21と空
隙22とが繰り返しの構成になる部分は、図示を省略し
ている。
【0065】実施例3の反射波長特性を図12に示す。
実施例3が、中心波長に対して半値幅で0.2pm以下の狭
帯域に対してのみ高い反射率を示し、その外側の帯域に
対しては非常に低い反射率しか持たないことがわかる。
【0066】またこのとき、実施例3の反射光学素子
は、パルスモータ24によって駆動されるターンテーブ
ル23上に配置されている。パルスモータ24は、パル
スモータ制御装置25に接続されており、パルスモータ
制御装置25には、外部に配置された波長モニタ装置7
が接続されている。
【0067】そして、実施例3の反射光学素子を、光軸
に対して傾けることで、光軸に沿った光路長を調整する
ことができ、これを利用して反射中心波長を制御するこ
とができる。この場合、実施例3の反射光学素子を、光
軸に対して傾ける角度を大きくすると、反射中心波長を
短くすることができる。
【0068】図13に実施例3の反射光学素子を光軸に
対して傾けることによる、反射中心波長の制御のフロー
チャートを示す。まず、実施例3の反射光学素子は、光
軸に対して初期値θ=10′の傾きを与えられて配置さ
れている。
【0069】131で、波長モニタ装置7によって、反
射中心波長の観測を行なう。そして、波長モニタ装置7
は、132において、反射中心波長の制御を行なう必要
があるかどうかを判断し、もし必要が無ければ、再び1
31に戻る。もし反射中心波長がずれはじめて、波長制
御を行なう必要が生じたと判断されれば、次に133に
おいて、波長が長いかどうかの判断を行なう。このと
き、波長が長くなければ、134において、パルスモー
タ制御装置25は、θを小さくする方向にパルスモータ
を制御し、ターンテーブルを回転させる。また、133
において、波長が長いと判断されれば、135におい
て、パルスモータ制御装置25は、θを大きくする方向
にパルスモータを制御し、ターンテーブルを回転させ
る。そして、134、135のいずれかの動作が終了し
た後、すべての装置は、再び131の動作に戻る。そし
て、これらの動作は常に繰り返される。ただし、134
において、ターンテーブルをθが十分に大きくなるよう
に回転させることにより、次の次数のピーク波長を利用
することで、反射中心波長を長くすることも可能であ
る。
【0070】この、反射光学素子の光軸に対する傾きを
変化させることによる反射中心波長の制御は、素子全体
でなく、素子の一部のみを光軸に対して傾けることによ
っても可能である。
【0071】また、実施例3における反射中心波長の制
御手段は、実施例1乃至2に示したような構成の反射光
学素子にも適用可能である。次に、実施例4について説
明する。
【0072】実施例4の反射光学素子は、素子の構成自
体は実施例1のものと同一である。ただし、実施例4の
空隙は、ピエゾ素子ではなくスペーサーによって確保さ
れている。そして、図14に示すように、素子の外周
に、素子全体を密封するハウジング31と、加熱及び冷
却が可能なヒータ32と、ヒータ制御装置33と、温度
計34とを設け、それぞれを外部に配置した波長モニタ
装置7と接続して、素子全体の温度を制御することによ
って反射中心波長の制御を行う。この場合の制御のフロ
ーチャートを図15に示す。
【0073】141で、波長モニタ装置7によって、反
射中心波長の観測を行なう。そして、波長モニタ装置7
は、142において、反射中心波長の制御を行なう必要
があるかどうかを判断し、もし必要が無ければ、再び1
41に戻る。もし反射中心波長がずれはじめて、波長制
御を行なう必要が生じたと判断されれば、次に143に
おいて、波長が長いかどうかの判断を行なう。このと
き、波長が長くなければ、144において、ヒータ制御
装置33は、ヒータ32によって素子全体の温度を上昇
させる。また、143において、波長が長いと判断され
れば、145において、ヒータ制御装置33は、ヒータ
32によって素子全体の温度を低下させる。そして、1
44、145のいずれかの動作が終了した後、すべての
装置は、再び141の動作に戻る。そして、これらの動
作は常に繰り返される。
【0074】次に、本発明の反射光学素子に使用され
る、基材、空隙を満たす固体、スぺーサーなどの部材
は、それぞれの仕様に応じて、基材同士、空隙を満たす
固体同士、スぺ−サー同士の厚みが同一であることが望
ましい。このような場合、まずほぼ厚みの一定な大きな
平面板を用意する。そして、この平面板に、等厚の干渉
縞を生じさせ、厚みの等しい部分を観測した上で、図1
6に示すように、その同一の縞上から、必要な数量の前
記部材を製作する。このようにして製作した、基材、空
隙を満たす固体、スぺーサーを用いることで、高精度な
反射光学素子を実現できる。
【0075】次に、実施例5について説明する。図17
は、実施例5の構成図である。基材41乃至46は、表
面及び裏面が全て同一の球心Cを有するCaF2によっ
て構成されている。また、空隙47乃至51は真空であ
る。
【0076】そして、基材41乃至46の光軸上の厚み
は全て同一であり、これをLCとすると、LC=150760
02.0nm(m=149703)である。また、基材41乃至46
の屈折率をnLCとすると、nLC=1.559000である。
また、空隙47乃至51の厚みも全て同一であり、これ
をDCとすると、DC=1570939.25nm(m=10000)で
ある。また、空隙47乃至51の屈折率をnDCとする
と、nDC=1.000000である。さらに、反射中心波長λ
=157.000nmである。ただし、LC、DCはいずれも光
路長ではなく見かけの厚みを表わす。また、上記した屈
折率は、いずれも反射中心波長における値である。
【0077】また、実施例5において、基材41乃至4
6の各面の曲率半径を、基材41の曲率中心側の面から
順に、r1、r2、r3・・・・r12とすると、各面
は全て同一の球心Cを有するので、 r1=100000000.0nm r2=r1+LC=115076002.0nm r3=r1+LC+DC=116646941.25nm r4=r1+2・LC+DC=131722943.25nm r5=r1+2・LC+2・DC=133293882.5nm r6=r1+3・LC+2・DC=148369884.5nm r7=r1+3・LC+3・DC=149940823.75nm r8=r1+4・LC+3・DC=165016825.75nm r9=r1+4・LC+4・DC=166587765.0nm r10=r1+5・LC+4・DC=181663767.0nm r11=r1+5・LC+5・DC=183234706.25nm r12=r1+6・LC+5・DC=198310708.25nm である。
【0078】このとき、空隙47乃至51は、スぺーサ
ーによってその厚みが確保されている。実施例5は、た
とえばレーザー光源内部などの、真空中において使用さ
れる。
【0079】実施例5の反射波長特性は、図3に示した
実施例1のものと同じである。しかし、実施例5は、各
基材の面が同一の球心Cを持つ球面で構成されているた
め、各基材の面の球心Cから発した光のうち、実施例5
の反射波長の帯域に合致した光のみ、再び球心Cに向か
って反射することができる。したがって、実施例5を用
いれば、各基材の面の球心Cに、反射中心波長に対して
半値幅で0.2pm以下という極めて狭い帯域の光のみを集
光することが可能になる。
【0080】このような反射光学素子は、各基材の面が
全て同一の焦点を持つ放物面、楕円面、双曲面、トロイ
ダル面、その他の高次非球面などによっても構成が可能
である。
【0081】次に、本発明に係るファブリー・ペロー・
エタロンについて説明する。図18は、本発明のクレイ
ム19に係るファブリー・ペロー・エタロンの概念図で
ある。
【0082】このとき、反射光学素子61は、本発明の
クレイム1に係る反射光学素子である。反射光学素子6
1に対して光軸の方向からレーザー光を入射させれば、
それぞれの反射光学素子61の間に形成された空隙によ
る共振部62において、多光束干渉が発生する。そして
これを利用することで、複数の反射光学素子61を、そ
れぞれの間に共振部62を設けて光軸に沿って配置する
ことにより、狭い波長帯域においてのみ透過率を有す
る、ファブリー・ペロー・エタロンを形成することがで
きる。
【0083】このとき、共振部62において発生する多
光束干渉によって、透過光同士が強めあうようにするた
めには、共振部62の光路長が、(m+1/2)・λで
あることが望ましい。
【0084】また、共振部62の光路長の大きさによっ
て、本発明のファブリー・ペロー・エタロンの透過波長
帯域は調整可能であり、一般に、共振部62の次数mが
大きくなるほど、透過波長帯域は狭くなる。さらに、本
発明のファブリー・ペロー・エタロンの透過波長帯域
は、反射光学素子61を構成する基材の厚みによっても
調整可能であり、一般に、反射光学素子61を構成する
基材の厚みの次数mが大きくなるほど、透過波長帯域は
狭くなる。
【0085】また、本発明のファブリー・ペロー・エタ
ロンにおいては、共振部62を複数設けることも可能で
ある。次に、本発明によるファブリー・ペロー・エタロ
ンにおいては、反射光学素子61の基材と、共振部62
との屈折率差が大きいほど、高い効率で、透過波長を狭
帯域化することができる。従って、共振部62は、少な
くとも一つが真空であることが望ましい。
【0086】ただし、共振部62を真空にすると、外界
との圧力差が発生する。このため、本発明のファブリー
・ペロー・エタロンの組立、及び共振部62の厚みの維
持が困難になる場合がある。このような場合、外界との
圧力差を解消するために、共振部62を気体で満たして
構成することも可能である。そしてこのとき、共振部6
2を満たす気体は、光源からの光が吸収されるのを防ぐ
ために、不活性ガスであることが望ましい。不活性ガス
としては、窒素、水素、ヘリウム、アルゴン、キセノン
などが挙げられる。
【0087】さらに、共振部62は、反射光学素子61
の端面を構成する固体とは異なる屈折率を持つ固体によ
って満たしてもよい。このような構成にすると、特別な
支持機構を設けなくてもファブリー・ペロー・エタロン
全体を一体化できるため、組立、及び調整を容易に行う
ことができる。このような固体としては、特に高い耐紫
外線性が要求される場合には、CaF2、MgF2、Ba
2、SrF2、LiFなどの、フッ化物結晶が適してい
る。そしてこの場合、接着剤を使用すると、耐紫外線に
おいて著しく劣るため、共振部62を満たす固体と基板
とは、光学密着されていることが望ましい。
【0088】ただし、本発明のファブリー・ペロー・エ
タロンを大気中に曝露することが考えられる場合には、
LiF、BaF2などのように潮解性を有する結晶は、
本発明のファブリー・ペロー・エタロンの端面には用い
ないことが望ましい。
【0089】次に、本発明のファブリー・ペロー・エタ
ロンにおいては、共振部62の厚みを正確に確保する必
要がある。このために、共振部62の厚みに等しい厚み
を有するスぺ−サーを、共振部62に挿入して、スぺ−
サーの端面と反射光学素子61の表面とを、光学密着す
ることにより、該空隙の厚みを確保することが望まし
い。またこのとき、正確に厚みの等しいスぺ−サーを複
数製作するために、基材そのものと同様に、ほぼ厚みの
一定な大きな平面板上から、干渉計等を使用した計測に
よって正確に厚みの等しい部分を探索し、この正確に厚
みの等しい部分から、それぞれのスぺ−サーを作成する
ことが望ましい。この方法については、図16に示し
て、前述したとおりである。
【0090】次に、本発明のファブリー・ペロー・エタ
ロンにおいては、透過中心波長が目的とする波長から外
れた場合、これを補正して、透過中心波長を目的とする
波長に戻す手段が必要である。このため、共振部62、
あるいは反射光学素子61の光路長が可変であることが
望ましい。そしてそのための手段としては、・共振部6
2の厚みをピエゾ素子によって可変にする。・共振部6
2を満たす気体の温度を制御することによって、ファブ
リー・ペロー・エタロン全体の温度を制御し、反射光学
素子61の光路長を可変にする。・共振部62を満たす
気体の圧力を制御することによって、共振部62の光路
長を可変にする。という3つの手段が考えられる。また
さらに、共振部62を満たす気体を複数の種類とし、そ
の混合比を調整することで、共振部62の光路長を可変
にすることも可能である。
【0091】また、反射光学素子61を個別に、あるい
は本発明のファブリー・ペロー・エタロン全体を、光軸
に対して微小角度傾けることにより、反射中心波長を制
御することも可能である。
【0092】次に、本発明の実施例6について説明す
る。図19は、実施例6の構成図である。反射光学素子
63及び64は、基材がMgF2、空隙がLiFによっ
て構成されており、基材は8枚、空隙は8枚で、実施例
3の反射光学素子と同様の構成である。
【0093】ただし、反射光学素子63乃至64を構成
する基材の厚みL、基材の屈折率nL、空隙の厚みD、
空隙の屈折率nD、反射中心波長λは、 L=500025.0nm(m=5000、nL=1.570000) D=1002414.8nm(m=8300、nD=1.300000) λ=157.000nm である。
【0094】また、実施例6の透過中心波長λ2は、反
射光学素子63乃至64の反射中心波長λと等しく、 λ2=157.000nm である。
【0095】ただし、L、Dは、光路長ではなく見かけ
の厚みを表わす。また、上記した屈折率は、いずれも透
過中心波長における値である。そして、反射光学素子6
3及び反射光学素子64は、共振部65をはさんで、L
iFで構成される端面を互いに内側に向けて配置されて
いる。
【0096】また、共振部65は真空であり、共振部6
5の厚みをD2、共振部65の屈折率をnD2とする
と、 D2=1570000.0nm(m=10000、nD2=1.000000) である。
【0097】ただし、D2は、光路長ではなく見かけの
厚みを表わす。また、nD2は、透過中心波長における
値である。実施例6の透過波長特性を、図20に示す。
【0098】これにより、実施例6は、半値幅で0.1pm
以下という、非常に狭帯域の透過波長特性を有している
ことがわかる。また、実施例6は、レーザー光源内部な
どの真空中で使用される。
【0099】そして、共振部65には、複数のピエゾ素
子66が挿入されている。また、ピエゾ素子66は、電
圧印加装置6に接続されている。電圧印加装置6は、外
部に配置された波長モニタ装置7から受け取る信号に従
って、それぞれのピエゾ素子66に適宜電圧を印加す
る。この電圧によって、それぞれのピエゾ素子66が、
光軸方向に対して伸長、あるいは収縮し、共振部65の
厚みを変化させることで、透過中心波長を変化させる。
【0100】このときの制御のフローチャートを図21
に示す。まず、151で、波長モニタ装置7によって、
透過中心波長の観測を行なう。そして、波長モニタ装置
7は、152において、透過中心波長の制御を行なう必
要があるかどうかを判断し、もし必要が無ければ、再び
151に戻る。もし反射中心波長がずれはじめて、波長
制御を行なう必要が生じたと判断されれば、次に153
において、波長が長いかどうかの判断を行なう。このと
き、波長が長くなければ、154において、電圧印加装
置6は、共振部65を広げる方向に電圧を印加する。ま
た、153において、波長が長いと判断されれば、15
5において、電圧印加装置6は、共振部65を狭める方
向に電圧を印加する。そして、154、155のいずれ
かの動作が終了した後、すべての装置は、再び151の
動作に戻る。そして、これらの動作は常に繰り返され
る。
【0101】次に、本発明の実施例7について説明す
る。図22は、実施例7の構成図である。反射光学素子
71は、実施例6の反射光学素子63と、反射光学素子
72は、実施例6の反射光学素子64と同一である。た
だし、共振部73は、アルゴンガスで満たされており、
共振部73の厚みをD2、共振部73の屈折率をnD2
すると、 D2=1569529.1nm(m=10000、nD2=1.000300) である。また、実施例7の透過中心波長λ2は、 λ2=157.000nm である。
【0102】ただし、D2は、光路長ではなく見かけの
厚みを表わす。また、nD2は、透過中心波長における
値である。共振部73は、厚みの等しい複数のスぺ−サ
ー74によって確保されている。また、それぞれのスぺ
−サー74は、反射光学素子71及び72に光学密着さ
れている。
【0103】実施例7の透過波長特性を、図23に示
す。これにより、実施例7は、半値幅で0.1pm以下とい
う、非常に狭帯域の透過波長特性を有していることがわ
かる。
【0104】そして、ファブリー・ペロー・エタロン全
体は、ハウジング75によって外部から遮断され、反射
光学素子71乃至72とハウジング75との間は、Oリ
ング76によってシールされている。
【0105】そして、ハウジング75には、ガス温度調
整器80と、注入側電磁弁79とを介してアルゴンガス
を供給する手段と、圧力計77、排出側電磁弁78から
なるガス排出手段が備えられている。そして、ガス温度
調整器80、注入側電磁弁79、圧力計77、排出側電
磁弁78は、ガス制御装置20に接続されており、さら
にガス制御装置20には、外部に配置された波長モニタ
装置7が接続されている。
【0106】これらの装置により、実施例7は、反射光
学素子71乃至72の温度制御を行なうことで、透過中
心波長を制御できる。ガス温度変化による反射光学素子
71乃至72の温度制御の、透過中心波長の制御のフロ
ーチャートを、図24に示す。
【0107】161で、波長モニタ装置7によって、透
過中心波長の観測を行なう。そして、波長モニタ装置7
は、162において、透過中心波長の制御を行なう必要
があるかどうかを判断し、もし必要が無ければ、再び1
61に戻る。もし透過中心波長がずれはじめて、波長制
御を行なう必要が生じたと判断されれば、次に163に
おいて、波長が長いかどうかの判断を行なう。このと
き、波長が長くなければ、164において、ガス制御装
置20は、ガス温度調整器80にガス温度を上昇させる
ように司令し、あわせて、注入側電磁弁79と排出側電
磁弁78を開き、圧力計77をモニタしながら、圧力が
一定になるように、温度の高いガスを、ハウジング75
に注入する。これにより、反射光学素子71乃至72の
温度も上昇する。また、163において、波長が長いと
判断されれば、165において、ガス制御装置20は、
ガス温度調整器にガス温度を低下させるように司令し、
あわせて、注入側電磁弁79と排出側電磁弁78を開
き、圧力計77をモニタしながら、圧力が一定になるよ
うに、温度の低いガスを、ハウジング75に注入する。
これにより、反射光学素子71乃至72の温度も低下す
る。そして、164、165のいずれかの動作が終了し
た後、すべての装置は、再び161の動作に戻る。そし
て、これらの動作は常に繰り返される。
【0108】また、共振部73に充填されているアルゴ
ンガスの圧力を変化させると、共振部73の屈折率が変
化する。このとき、共振部73の圧力を上昇させると、
共振部73の屈折率が上昇して、透過中心波長は長くな
る。また、共振部73の圧力を低下させると、共振部7
3の屈折率が低下して、透過中心波長は短くなる。これ
により、実施例7の透過中心波長を制御することが可能
である。
【0109】実施例7の、共振部73のガス圧力制御に
よる透過中心波長の制御のフローチャートを、図25に
示す。171で、波長モニタ装置7によって、透過中心
波長の観測を行なう。そして、波長モニタ装置7は、1
72において、透過中心波長の制御を行なう必要がある
かどうかを判断し、もし必要が無ければ、再び171に
戻る。もし透過中心波長がずれはじめて、波長制御を行
なう必要が生じたと判断されれば、次に173におい
て、波長が長いかどうかの判断を行なう。このとき、波
長が長くなければ、174において、ガス制御装置20
は、注入側電磁弁79を開き、ガスを、ハウジング75
に注入する。また、173において、波長が長いと判断
されれば、175において、ガス制御装置20は、排出
側電磁弁78を開き、ガスを、ハウジング75から排出
する。そして、174、175のいずれかの動作が終了
した後、すべての装置は、再び171の動作に戻る。そ
して、これらの動作は常に繰り返される。またこのと
き、ガス温度調整器80は、常にガス温度を一定に保っ
ている。
【0110】次に、本発明の実施例8について説明す
る。図26は、実施例8の構成図である。反射光学素子
81は、実施例6の反射光学素子63と、反射光学素子
82は、実施例6の反射光学素子64と同一である。た
だし、共振部83は、MgF2によって満たされてお
り、共振部83の厚みをD2、共振部83の屈折率をn
2とすると、 D2=10000050.0nm(m=10000、nD2=1.570000) である。
【0111】また、実施例8の透過中心波長λ2は、 λ2=157.000nm である。
【0112】ただし、D2は、光路長ではなく見かけの
厚みを表わす。また、nD2は、透過中心波長における
値である。反射光学素子81乃至82と共振部83と
は、光学密着されている。
【0113】実施例8の透過波長特性を図27に示す。
実施例8が、透過中心波長に対して半値幅で0.1pm
以下の狭帯域に対してのみ高い透過率を示し、その外側
の帯域に対しては非常に低い透過率しか持たないことが
わかる。
【0114】またこのとき、実施例8の反射光学素子
は、パルスモータ85によって駆動されるターンテーブ
ル84上に配置されている。パルスモータ85は、パル
スモータ制御装置25に接続されており、パルスモータ
制御装置25には、外部に配置された波長モニタ装置7
が接続されている。
【0115】そして、実施例8のファブリー・ペロー・
エタロンを、光軸に対して傾けることで、光軸に沿った
光路長を調整することができ、これを利用して反射中心
波長を制御することができる。この場合、実施例8のフ
ァブリー・ペロー・エタロンを、光軸に対して傾ける角
度を大きくすると、透過中心波長を短くすることができ
る。
【0116】図28に実施例8のファブリー・ペロー・
エタロンを、光軸に対して傾けることによる、反射中心
波長の制御のフローチャートを示す。まず、実施例8の
ファブリー・ペロー・エタロンは、光軸に対して初期値
としてθ=10′の傾きを与えられて配置されている。
【0117】181で、波長モニタ装置7によって、透
過中心波長の観測を行なう。そして、波長モニタ装置7
は、182において、透過中心波長の制御を行なう必要
があるかどうかを判断し、もし必要が無ければ、再び1
81に戻る。もし透過中心波長がずれはじめて、波長制
御を行なう必要が生じたと判断されれば、次に183に
おいて、波長が長いかどうかの判断を行なう。このと
き、波長が長くなければ、184において、パルスモー
タ制御装置25は、θを小さくする方向にパルスモータ
を制御し、ターンテーブルを回転させる。また、183
において、波長が長いと判断されれば、185におい
て、パルスモータ制御装置25は、θを大きくする方向
にパルスモータを制御し、ターンテーブルを回転させ
る。そして、184、185のいずれかの動作が終了し
た後、すべての装置は、再び181の動作に戻る。そし
て、これらの動作は常に繰り返される。
【0118】また、このほか、本発明の反射光学素子の
反射中心波長制御に用いられる手法は、全て本発明のフ
ァブリー・ペロー・エタロンの透過中心波長制御に使用
可能である。
【0119】次に、本発明の実施例9について説明す
る。図29は、実施例9の構成図である。実施例9は、
反射光学素子91乃至93を光軸に沿って並列した構成
であり、共振部94乃至95をもつ。
【0120】このとき、反射光学素子91は、基材がC
aF2、空隙が真空で構成されており、基材の厚みL、
基材の屈折率nL、空隙の厚みD、空隙の屈折率nD、
反射中心波長λは、 L=604258.6nm(m=6000、nL=1.559000) D=39.25nm(m=0、nD=1.000000) λ=157.000nm である。ただし、L、Dは、光路長ではなく見かけの厚
みを表わす。また、上記した屈折率は、いずれも反射中
心波長における値である。
【0121】反射光学素子92は、反射光学素子91と
同一の基材及び空隙によって構成され、それぞれの厚み
も同一であるが、基材枚数が6枚である。反射光学素子
93は、反射光学素子91と同一の反射光学素子であ
る。
【0122】そして、共振部94乃至95は、それぞれ
真空で構成され、厚みも同一であって、共振部94乃至
95の厚みをD2、屈折率をnD2とすると、 D2=78.5nm(m=0、nD2=1.000000) である。
【0123】また、実施例9の透過中心波長λ2は、 λ2=157.000nm である。
【0124】ただし、D2は、光路長ではなく見かけの
厚みを表わす。また、nD2は、透過中心波長における
値である。そして、それぞれの空隙および共振部の厚み
は、それぞれの素子を構成する基材の、表面の一部に蒸
着膜96を形成することで、その厚みによって確保され
ている。ただしこの蒸着膜は、光学薄膜ではなく、単に
スぺーサーとしての役割しか果たしていない。
【0125】実施例9は、真空中において用いられる。
図30に、実施例9の透過率特性を示す。本発明のファ
ブリー・ペロー・エタロンを構成する反射光学素子は、
本発明のクレイム1の構成を備えていれば、それぞれの
実施例に限定されないことは言うまでもない。
【0126】また、本発明の各実施例は、反射光学素
子、及びファブリー・ペロー・エタロンを含めて、組み
合わせて用いても良いことは言うまでもない。たとえ
ば、まず実施例9のファブリー・ペロー・エタロンに対
して光線を透過させて狭帯域化し、次に実施例1の反射
光学素子にその光線を反射させて、さらに狭帯域化す
る、といった使用法が考えられる。
【0127】次に、本発明に係る反射光学素子及びファ
ブリー・ペロー・エタロンを使用することで、非常に狭
い波長帯域に発振波長が狭帯域化された、光源レーザー
装置を構成することができる。
【0128】以下にその実施例を示す。実施例10は、
本発明の実施例2の反射光学素子を光源レーザー装置の
外部に配置し、出力するレーザー光の波長の狭帯域化を
行なう光源レーザー装置である。出力するレーザー光
は、波長157nmのF2レーザーである。
【0129】図31に、実施例10の構成図を示す。光
源レーザー本体201から発振されたレーザー光は、ビ
ームスプリッター202を透過して反射光学素子203
に入射する。反射光学素子203は、実施例2の反射光
学素子である。そして、反射光学素子203は、図7に
示された反射光の特性に従って、入射したレーザー光の
うち、極めて狭帯域の波長のみを反射する。反射光学素
子203に反射されたレーザー光は、再びビームスプリ
ッター202に入射し、90°偏向されて、出力光とし
て取り出される。このようにして、実施例10の光源レ
ーザー装置は、出力波長が極めて狭帯域化されたレーザ
ー光を出力することができる。
【0130】また、実施例10に使用される反射光学素
子は、本発明のクレイム1の構成を備えていれば、実施
例2に限定されないことは言うまでもない。実施例11
は、光源レーザー装置の内部に、本発明の実施例1の反
射光学素子をエンドリフレクターとして配置し、実施例
3の反射光学素子をアウトプットカプラーとして配置し
て、出力するレーザー光の狭帯域化を行なう光源レーザ
ー装置である。出力するレーザー光は、波長157nmのF2
レーザーである。また、実施例11は、真空中で使用さ
れる。
【0131】図32に、実施例11の構成図を示す。レ
ーザー発振管211をはさんで、アウトプットカプラー
212、エンドリフレクター213が配置されている。
このとき、アウトプットカプラー212は実施例3の反
射光学素子であり、エンドリフレクター213は実施例
1の反射光学素子である。
【0132】レーザー発振管211から発振されたレー
ザー光は、アウトプットカプラー212と、エンドリフ
レクター213との間で複数回反射を繰り返す。このと
き、エンドリフレクター213は、図3に示したよう
に、95%以上の反射率を持つが、アウトプットカプラ
ー212の反射率は、図12に示したように、85%以
下である。アウトプットカプラー212によって反射さ
れない15%程度の光は、アウトプットカプラーの出力
側から、出力光として取り出される。アウトプットカプ
ラー212と、エンドリフレクター213は、図3及び
図12に示したように、極めて狭帯域の反射波長特性を
持つため、実施例11の光源レーザー装置は、極めて狭
帯域化されたレーザー光を出力することができる。
【0133】また、波長157nmのレーザー光を出力する
通常の光源レーザー装置においては、エンドリフレクタ
ーとアウトプットカプラーとして、CaF2の平面板の
表面反射が使用されることが多い。これらのエンドリフ
レクターとアウトプットカプラーは、4%から5%程度
の反射率しか持たないため、レーザーガスの圧力を4000
hpa程度まで高めなければ、十分な出力を持つレーザー
光を得ることが不可能であった。これにより、レーザー
発振管内の圧力が高くなり、ガス密度が高くなるため、
ガス分子同士の衝突頻度が増加してしまう。この現象
は、発振するレーザー光を狭帯域化するための障害とな
っていた。実施例11の光源レーザー装置においては、
アウトプットカプラー212とエンドリフレクター21
3の反射率を、従来のCaF2板に比べて飛躍的に高め
たため、レーザーガスの圧力を2000hpa程度にしても十
分なレーザー光の出力を確保できる。このことにより、
ガス分子同士の衝突頻度を下げて、レーザー発振管21
1自体からの発振波長を、半値幅で従来の1/2程度に
狭帯域化することができる。
【0134】実施例11のアウトプットカプラー21
2、あるいはエンドリフレクター213を構成する反射
光学素子は、本発明のクレイム1の構成を備えていれ
ば、実施例1あるいは実施例3に限定されないことは言
うまでもない。
【0135】また、実施例11において、アウトプット
カプラー212、あるいはエンドリフレクター213の
どちらかを、従来から使用されているCaF2板などの
反射光学素子によって構成したとしても、従来の光源レ
ーザー装置よりも狭帯域化されたレーザー光の出力を得
ることが可能である。
【0136】実施例12は、実施例8のファブリー・ペ
ロー・エタロンを、光源レーザー装置の外部に配置し、
出力するレーザー光の狭帯域化を行なう光源レーザー装
置である。出力するレーザー光は、波長157nmのF2レー
ザーである。
【0137】図33に、実施例12の構成図を示す。光
源レーザー本体221から発振されたレーザー光は、フ
ァブリー・ペロー・エタロン222に入射する。ファブ
リー・ペロー・エタロン222は、本発明の実施例8の
ファブリー・ペロー・エタロンであり、図27の透過波
長特性に従ってレーザー光を透過する。そして、実施例
12の光源レーザー装置は、極めて狭帯域化されたレー
ザー光を出力する。
【0138】ここで、実施例12に使用されるファブリ
ー・ペロー・エタロンは、本発明のクレイム19の構成
を備えていれば、実施例8のファブリー・ペロー・エタ
ロンに限定されないことは言うまでもない。
【0139】実施例13は、実施例6のファブリー・ペ
ロー・エタロンを、光源レーザー装置内部に配置し、出
力するレーザー光の波長の狭帯域化を行なう光源レーザ
ー装置である。出力するレーザー光は、157nmのF2レー
ザーである。また、実施例13は、真空中で使用され
る。
【0140】図34に、実施例13の構成図を示す。レ
ーザー発振管231と、アウトプットカプラー232
と、エンドリフレクター233とを備え、アウトプット
カプラー232とエンドリフレクター233との間に、
ファブリー・ペロー・エタロン234が配置されてい
る。ここで、ファブリー・ペロー・エタロン234は、
実施例7のファブリー・ペロー・エタロンである。レー
ザー発振管231から発振されたレーザー光は、アウト
プットカプラー232とエンドリフレクター233との
間で複数回反射を繰り返す際に、必ずファブリー・ペロ
ー・エタロン234を、図20の透過波長特性に従って
透過する。そして、実施例13の光源レーザー装置は、
極めて狭帯域化されたレーザー光を出力する。
【0141】ここで、実施例13に使用されるファブリ
ー・ペロー・エタロンは、本発明のクレイム19の構成
を備えていれば、実施例6のファブリー・ペロー・エタ
ロンに限定されないことは言うまでもない。
【0142】ただし、実施例12乃至13に記載したよ
うな光源レーザー装置を構成すると、狭帯化に伴ってレ
ーザー光の出力が低下し、十分な出力が得られない場合
がある。このような場合は、図35に示すように、実施
例12又は13の光源レーザー装置235から出力され
たレーザー光を、さらに、レーザー発振管を備えた増幅
用レーザー装置236に入射させ、いわゆるインジェク
ションロッキングを用いて、出力されるレーザー光を増
幅することが可能である。また、この増幅用レーザー装
置236を、直列に複数設けることも可能である。
【0143】次に本発明は、本発明に係る光源レーザー
装置を搭載した露光装置を提供する。露光装置に、上記
したような光源レーザー装置を搭載すれば、従来よりも
はるかに狭帯域化されたレーザー光を光源として使用で
きる。このため、たとえばF 2レーザーを光源として使
用する場合、従来の露光装置において、光源から発する
レーザー光の波長帯域が広いために発生していた色収差
の影響を、大きく低減することが可能である。
【0144】以下にその実施例を示す。実施例14は、
実施例11の光源レーザー装置を搭載した露光装置であ
る。図36に、実施例14の構成図を示す。
【0145】光源レーザ装置241から出力されたレー
ザー光は、ビームエキスパンダ242によってビーム形
状を整形された後、照明光学系243を介してレチクル
244を照明する。そして、レチクル244の像は、投
影光学系245によってウェハ246上に投影され、レ
チクル244上のパターンが、ウェハ246上に焼きつ
けられる。このとき、光源となるレーザー光はF2レー
ザーであって、実施例14の露光装置は、極めて高解像
度のパターンを、ウェハ246上に形成することができ
る。
【0146】ここで、実施例14に使用される光源レー
ザー装置は、本発明のクレイム34あるいはクレイム3
7の構成を備えていれば、実施例11の光源レーザ装置
に限定されないことは言うまでもない。
【0147】次に本発明は、実施例14の露光装置を使
用した、高集積度のデバイスを製造可能な、デバイスの
製造方法を提供する。実施例15は、本発明の実施例1
4の露光装置を使用したデバイスの製造方法である。
【0148】図37に、実施例15の製造方法フローチ
ャートを示す。先ず、図37のステップ251におい
て、1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のス
テップ252において、その1ロットのウェハ上の金属
膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ
253において、上述の実施形態の露光装置を用いて、
レチクル上のパターンが、その1ロットのウェハ上の各
ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ
254において、その1ロットのウェハ上のフォトレジ
ストの現像が行われた後、ステップ255において、そ
の1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとし
てエッチングを行うことによって、レチクル上のパター
ンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット
領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パタ
ーンの形成等を行うことによって、極めて微細な回路を
有する半導体素子等のデバイスが製造される。
【0149】以上のように実施例15によれば、実施例
14の露光装置を使用して、高集積度のデバイスを製造
することが可能である。
【0150】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光学薄膜
の使用が困難な波長においても、極めて狭帯域の波長に
おいて十分な反射率を有する反射光学素子を提供でき
る。また、該反射光学素子を用いて、極めて狭帯域の波
長において十分な透過率を有するファブリー・ペロー・
エタロンを提供できる。また、該反射光学素子および該
ファブリー・ペロー・エタロンをもちいて、出力波長が
極めて狭帯域の光源レーザー装置を提供できる。また、
該光源レーザー装置を搭載して、高解像度の露光装置を
提供できる。さらに、該露光装置を用いて、高集積度の
デバイスを製造可能なデバイスの製造方法を提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の反射光学素子の概念図。
【図2】実施例1の構成図。
【図3】実施例1の反射波長特性。
【図4】実施例1における、空隙4の厚み変化による反
射中心波長制御のフローチャート。
【図5】実施例1で、空隙4の厚みを変化させたときの
反射波長特性。
【図6】実施例2の構成図。
【図7】実施例2の反射波長特性。
【図8】実施例2の、空隙のガス温度変化による反射中
心波長制御のフローチャート。
【図9】実施例2の、空隙のガス温度を変化させて基材
温度を変化させたときの反射波長特性。
【図10】実施例2の、空隙のガス圧力変化による反射
中心波長制御のフローチャート。
【図11】実施例3の構成図。
【図12】実施例3の反射波長特性。
【図13】実施例3の、素子の光軸に対する傾きの変化
による反射中心波長制御のフローチャート。
【図14】実施例4の構成図。
【図15】実施例4の、素子全体の温度変化による反射
中心波長制御のフローチャート。
【図16】基材、空隙を構成する固体、スペーサーを平
面板上から採取する方法の図。
【図17】実施例5の構成図。
【図18】本発明のファブリー・ペロー・エタロンの概
念図。
【図19】実施例6の構成図。
【図20】実施例6の透過波長特性。
【図21】実施例6の、共振部の厚み変化による透過中
心波長制御のフローチャート。
【図22】実施例7の構成図。
【図23】実施例7の透過波長特性。
【図24】実施例7の、共振部のガス温度変化による透
過中心波長制御のフローチャート。
【図25】実施例7の、共振部のガス圧力制御による透
過中心波長制御のフローチャート。
【図26】実施例8の構成図。
【図27】実施例8の透過波長特性。
【図28】実施例8の、ファブリー・ペロー・エタロン
の光軸に対する傾きの変化による透過中心波長制御のフ
ローチャート。
【図29】実施例9の構成図。
【図30】実施例9の透過波長特性。
【図31】実施例10の構成図。
【図32】実施例11の構成図。
【図33】実施例12の構成図。
【図34】実施例13の構成図。
【図35】実施例12又は13と増幅用レーザー装置と
の組み合わせの図。
【図36】実施例14の構成図。
【図37】実施例15のフローチャート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平山 義一 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内 Fターム(参考) 2H048 GA04 GA09 GA13 GA26 GA34 GA35 GA52 GA57 GA60 GA61 2H097 AA03 CA13 LA10 5F046 AA22 BA03 CA04 CA08 CB01 CB02 CB22 DA01

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の透明な基材を、それぞれの間に空隙
    を設けて光軸に沿って配置し、前記複数の基材それぞれ
    の表面において生じる反射光の、繰り返し反射干渉を利
    用することにより、狭い波長帯域において高い反射率を
    持つミラーを形成することを特徴とする反射光学素子。
  2. 【請求項2】前記複数の基材の光路長が、 (m+1/4)・λあるいは(m+3/4)・λのどち
    らかであり、 前記複数の基材間の空隙の光路長が、 (m+1/4)・λあるいは(m+3/4)・λのどち
    らかであることを特徴とする請求項1に記載の反射光学
    素子。ただし、 m:次数(任意の整数) λ:使用中心波長
  3. 【請求項3】前記複数の基材が、それぞれ平行平面板に
    よって構成されることを特徴とする、請求項1乃至2に
    記載の反射光学素子。
  4. 【請求項4】前記複数の基材を構成する平行平面板が、
    一枚の大きな平面板の同一の厚みを有する部分からそれ
    ぞれ作成されていることを特徴とする、請求項3に記載
    の反射光学素子。
  5. 【請求項5】前記複数の基材の、それぞれの表面及び裏
    面が全て同一の球心を有する球面によって構成されるこ
    とを特徴とする、請求項1乃至2に記載の反射光学素
    子。
  6. 【請求項6】前記複数の基材それぞれが、フッ化物結晶
    からなることを特徴とする、請求項1乃至5に記載の反
    射光学素子。
  7. 【請求項7】前記複数の基材間の空隙のうち、少なくと
    も一つが真空であることを特徴とする、請求項1乃至6
    に記載の反射光学素子。
  8. 【請求項8】前記複数の基材間の空隙のうち、少なくと
    も一つが気体で満たされていることを特徴とする、請求
    項1乃至7に記載の反射光学素子。
  9. 【請求項9】前記複数の基材間の空隙を満たす気体が、
    不活性ガスであることを特徴とする、請求項8に記載の
    反射光学素子。
  10. 【請求項10】前記複数の基材間の空隙のうち、少なく
    とも一つが、前記複数の基材とは屈折率の異なる固体に
    よって満たされていることを特徴とする、請求項1乃至
    9に記載の反射光学素子。
  11. 【請求項11】前記複数の基材間の空隙を満たす個体
    が、フッ化物結晶からなることを特徴とする、請求項1
    0に記載の反射光学素子。
  12. 【請求項12】前記複数の基材と、前記複数の基材間の
    空隙を満たす個体とが、光学密着されていることを特徴
    とする、請求項10乃至11に記載の反射光学素子。
  13. 【請求項13】前記複数の基材間の空隙に、該空隙と等
    しい厚みを持つスぺ−サーを挿入し、該スぺ−サーの端
    面を前記複数の基材の表面と光学密着させることで、前
    記複数の基材間の空隙の厚みを確保することを特徴とす
    る、請求項1乃至12に記載の反射光学素子。
  14. 【請求項14】前記スぺ−サーを複数使用する際に、一
    枚の大きな平面板の、同一の厚みを有する部分から、前
    記スぺ−サーを複数作成して用いることを特徴とする、
    請求項13に記載の反射光学素子。
  15. 【請求項15】反射中心波長が可変であることを特徴と
    する、請求項1乃至14に記載の反射光学素子。
  16. 【請求項16】前記反射中心波長が、前記空隙を満たす
    気体の温度、あるいは圧力の変化によって可変であるこ
    とを特徴とする請求項15に記載の反射光学素子。
  17. 【請求項17】前記反射中心波長が、ピエゾ素子によっ
    て可変であることを特徴とする、請求項15乃至16に
    記載の反射光学素子。
  18. 【請求項18】前記反射中心波長が、前記複数の基材の
    一部あるいは全てを、個別または一律に、光軸に対して
    微小角度回転させることで可変であることを特徴とす
    る、請求項15乃至17に記載の反射光学素子。
  19. 【請求項19】複数の請求項1乃至18に記載の反射光
    学素子を、それぞれの間に空隙からなる共振部を設け
    て、光軸に沿って配置したことを特徴とするファブリー
    ・ペロー・エタロン。
  20. 【請求項20】前記共振部の光路長が、(m+1/2)
    ・λ2であることを特徴とする、請求項19に記載のフ
    ァブリー・ペロー・エタロン。ただし λ2:透過中心波長
  21. 【請求項21】前記共振部を、複数有することを特徴と
    する、請求項19乃至20に記載のファブリー・ペロー
    ・エタロン。
  22. 【請求項22】前記共振部のうち、少なくとも一つが真
    空であることを特徴とする、請求項19乃至21に記載
    のファブリー・ペロー・エタロン。
  23. 【請求項23】前記共振部のうち、少なくとも一つが気
    体によって満たされていることを特徴とする、請求項1
    9乃至22に記載のファブリー・ペロー・エタロン。
  24. 【請求項24】前記共振部を満たす気体が、不活性ガス
    であることを特徴とする、請求項23に記載のファブリ
    ー・ペロー・エタロン。
  25. 【請求項25】前記共振部のうち、少なくとも一つが、
    前記複数の反射光学素子の端面を形成する基材とは屈折
    率の異なる固体によって満たされていることを特徴とす
    る、請求項19乃至24に記載のファブリー・ペロー・
    エタロン。
  26. 【請求項26】前記共振部を満たす固体が、フッ化物結
    晶であることを特徴とする、請求項25に記載のファブ
    リー・ペロー・エタロン。
  27. 【請求項27】前記複数の反射光学素子の端面と、前記
    共振部を満たす固体とが、光学密着されていることを特
    徴とする、請求項25乃至26に記載のファブリー・ペ
    ロー・エタロン。
  28. 【請求項28】前記共振部に、前記共振部と等しい厚み
    を持つスぺ−サーを挿入し、該スぺ−サーの端面を、前
    記複数の請求項1乃至18に記載の反射光学素子の端面
    と光学密着させることで、前記共振部の厚みを確保する
    ことを特徴とする請求項19乃至27に記載のファブリ
    ー・ペロー・エタロン。
  29. 【請求項29】前記スぺ−サーを複数使用する際に、一
    枚の大きな平面板の同一の厚みを有する部分から、前記
    スぺ−サーを複数作成して用いることを特徴とする、請
    求項28に記載のファブリー・ペロー・エタロン。
  30. 【請求項30】透過中心波長が可変であることを特徴と
    する、請求項19乃至29に記載のファブリー・ペロー
    ・エタロン。
  31. 【請求項31】前記透過中心波長が、前記共振部を満た
    す気体の温度、あるいは圧力の変化によって可変である
    ことを特徴とする、請求項30に記載のファブリー・ペ
    ロー・エタロン。
  32. 【請求項32】前記透過中心波長が、ピエゾ素子によっ
    て可変であることを特徴とする、請求項30乃至31に
    記載のファブリー・ペロー・エタロン。
  33. 【請求項33】前記透過中心波長が、前記複数の反射光
    学素子の一部あるいは全てを、個別または一律に、光軸
    に対して微小角度回転させることで可変であることを特
    徴とする、請求項30乃至32に記載のファブリー・ペ
    ロー・エタロン。
  34. 【請求項34】請求項1乃至18に記載の反射光学素子
    を、光源レーザー装置の内部または外部に配置したこと
    を特徴とする、光源レーザー装置。
  35. 【請求項35】請求項1乃至18に記載の反射光学素子
    を、光源レーザー装置のアウトプットカプラーまたはエ
    ンドリフレクターに用いたことを特徴とする、請求項3
    4に記載の光源レーザー装置。
  36. 【請求項36】レーザー発振管内のガス圧力を低く抑え
    たことを特徴とする、請求項34乃至35に記載の光源
    レーザー装置。
  37. 【請求項37】請求項19乃至33に記載のファブリー
    ・ペロー・エタロンを、光源レーザー装置の内部又は外
    部に配置したことを特徴とする光源レーザー装置。
  38. 【請求項38】請求項34乃至37に記載の光源レーザ
    ー装置を搭載したことを特徴とする露光装置。
  39. 【請求項39】請求項38に記載の露光装置を使用した
    ことを特徴とするデバイスの製造方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004111717A1 (ja) * 2003-06-13 2004-12-23 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 波長可変光フィルタ
JP2006010719A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Nikon Corp 多層光学薄膜、多層光学薄膜の製造方法、光学素子の製造方法及び光学素子
JP2009244498A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Seiko Epson Corp 光学フィルタ装置
JP2010213032A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Nec Corp 光通信用光源
JP2013164421A (ja) * 2013-02-26 2013-08-22 Hitachi High-Technologies Corp 光学装置、空間フィルタ、遮光方法、及び空間フィルタの設定方法
JP2013238743A (ja) * 2012-05-15 2013-11-28 Kyocera Crystal Device Corp エタロン及びエタロンの製造方法
US9176075B2 (en) 2009-09-30 2015-11-03 Hitachi High-Technologies Corporation Contamination inspection method and contamination inspection device
EP3617674A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-04 Seiko Epson Corporation Optical device and electronic device
CN112213852A (zh) * 2019-07-10 2021-01-12 精工爱普生株式会社 光学滤波器及电子设备

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004111717A1 (ja) * 2003-06-13 2004-12-23 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 波長可変光フィルタ
JP2006010719A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Nikon Corp 多層光学薄膜、多層光学薄膜の製造方法、光学素子の製造方法及び光学素子
JP2009244498A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Seiko Epson Corp 光学フィルタ装置
JP2010213032A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Nec Corp 光通信用光源
US9176075B2 (en) 2009-09-30 2015-11-03 Hitachi High-Technologies Corporation Contamination inspection method and contamination inspection device
JP2013238743A (ja) * 2012-05-15 2013-11-28 Kyocera Crystal Device Corp エタロン及びエタロンの製造方法
JP2013164421A (ja) * 2013-02-26 2013-08-22 Hitachi High-Technologies Corp 光学装置、空間フィルタ、遮光方法、及び空間フィルタの設定方法
EP3617674A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-04 Seiko Epson Corporation Optical device and electronic device
JP2020034720A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 セイコーエプソン株式会社 光学装置、及び電子機器
CN110873913A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 精工爱普生株式会社 光学装置及电子设备
JP7127432B2 (ja) 2018-08-30 2022-08-30 セイコーエプソン株式会社 光学装置、及び電子機器
US11536884B2 (en) 2018-08-30 2022-12-27 Seiko Epson Corporation Optical device and electronic device
CN112213852A (zh) * 2019-07-10 2021-01-12 精工爱普生株式会社 光学滤波器及电子设备

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