JP2002151776A

JP2002151776A - 真空紫外レーザ装置

Info

Publication number: JP2002151776A
Application number: JP2000344668A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Ariga; 達也有我; Osamu Wakabayashi; 理若林; Takahito Kumazaki; 貴仁熊崎
Original assignee: Gigaphoton Inc
Current assignee: Gigaphoton Inc
Priority date: 2000-11-13
Filing date: 2000-11-13
Publication date: 2002-05-24

Abstract

(57)【要約】【課題】エタロンに入射させる光の量とその光の発散
角とを共に抑えることができる真空紫外レーザ装置を提
供する。【解決手段】レーザチャンバ１１と、入射する光の一
部を下方向へ反射する複数の微小な面積の反射部２１、
及び、残りの光を出力用のレーザ光として右方向へ透過
する透過部２２を含むビームスプリッタ１７と、反射部
２１から反射された光のスペクトル幅を狭帯域化するエ
タロン３４等を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空紫外域の光を
増幅しながらそのスペクトル幅を狭帯域化することによ
り、出力用のレーザ光を生成する真空紫外レーザ装置に
関する。尚、本願においては、２００ｎｍ以下の波長域
を真空紫外域と称している。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体装置の製造工程において、
ＫｒＦ（krypton fluoride）エキシマレーザ装置を搭載
したステッパ（露光装置）が導入されている。ＫｒＦエ
キシマレーザ装置の発振波長（２４８ｎｍ）以下の短い
波長域の光に対しては、その色収差を様々な材料のレン
ズの組み合わせによって補正することが難しい。そこ
で、従来より、色収差の補正が不要な狭帯域レーザ光を
出力できるＫｒＦエキシマレーザ装置が実現されてい
る。

【０００３】狭帯域化の一例として、Jouni P. Partane
nの「Multipass grating interferometer applied to l
ine narrowing in excimer lasers」（APPLIED OPTICS
Vol.25, No.21, 1986年11月1日）には、レーザチャンバ
内に発生した光の中から所定の波長成分をグレーティン
グによって選択し、さらに、その波長成分を２枚の平面
鏡の間で往復させながらそのスペクトル幅をエタロンに
よって狭帯域化することにより、出力用のレーザ光を生
成するＫｒＦエキシマレーザ装置が開示されている。

【０００４】また、別の一例として、日本国特許出願公
開（特開）平３−２０９８８８号公報には、レーザ媒質
を貫く共振器光路を作る第１及び第２の反射鏡から成る
光共振器と、共振器光路中に設けられた波長位相器及び
偏光分離プリズムと、レーザ媒質から偏光分離プリズム
を通り、出力光が出力される出力光路以外の共振器光路
中に設けられ、波長を選択するグレーティングと、出力
光路以外の共振器光路中に設けられたエタロンを備えた
狭帯域化レーザ装置が開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る半導体装置の高集積化に伴い、ステッパの光源として
ＫｒＦエキシマレーザ装置の発振波長より更に短い真空
紫外域において発振する真空紫外レーザ装置が注目され
ている。特に、その中でも、フッ素とヘリウムの混合ガ
スをレーザ媒質とするフッ素分子レーザ装置が最有力候
補に挙げられる。ここで、真空紫外レーザ装置が出力す
るレーザ光のスペクトル幅としては、従来よりも更に狭
帯域化された値（例えば、０．２ｐｍ〜０．６ｐｍ）が
求められている。

【０００６】しかしながら、Jouni P. Partanenによっ
て開示された構成に従って真空紫外レーザ装置を構成す
ると、２枚の平面鏡の間を往復する光が全てエタロンを
通過してしまう。このような大光量の光をエタロンに通
過させると、その部分反射膜の劣化や変形を招いてしま
う。このため、部分反射膜が無い、即ち、フィネスが低
いエタロンしか用いることができない。また、エタロン
を通過させる光の発散角（divergence）を低減させる措
置が採られていない。このため、エタロンによっても狭
帯域化できないような光のスペクトル幅の広がりを招い
てしまう。従って、この構成では、真空紫外レーザ装置
が出力するレーザ光のスペクトル幅として求められてい
る値を達成することができない。

【０００７】また、特開平３−２０９８８８号公報に開
示された構成に従って真空紫外レーザ装置を構成する
と、エタロンを通過する光の量と、その発散角とを共に
低減できる可能性があるものの、光をＰ偏光とＳ偏光に
分けるための偏光分離膜の材料として、真空紫外域（特
に、１５７ｎｍ付近の波長域）の光に対して有効な物質
が存在しない。従って、この構成では、真空紫外レーザ
装置が出力するレーザ光のスペクトル幅として求められ
ている値を達成することができない。

【０００８】そこで、この解決策の一例として、特開平
９−１９９７７５号公報には、レーザ管の一端側に配置
された第１の反射鏡と、レーザ管の他端側において、第
１の反射鏡から反射された光の一部を別の方向へ分割す
るプリズムと、プリズムによって分割された一部の光の
スペクトル幅を狭帯域化するエタロンと、エタロンに入
射する光の発散角を０．５ミリラジアン未満にする光学
素子と、第１の反射鏡との間において、エタロンを通過
した光を共振させながら増幅する光共振器を形成する第
２の反射鏡等を備えた狭帯域レーザ装置が開示されてい
る。

【０００９】また、別の一例として、国際公開ＷＯ９６
／３１９２９号には、レーザ発生部の一端側に配置さ
れ、発生したレーザビームのスペクトル幅をエタロンに
よって狭帯域化した後、そのレーザビームをレーザ発生
部に向けて折り返させる狭帯域化手段と、レーザ発生部
の他端側に配置され、入射されたレーザビームをレーザ
発生部に向けて折り返させるビーム折返手段と、レーザ
発生部と狭帯域化手段の間に配置され、レーザ発生部か
ら入射されたレーザビームの一部を透過して狭帯域化手
段に入射させる一方、残りのレーザビームを偏向して出
力光として取り出すレーザ分岐光学ユニット等を備え、
レーザ分岐光学ユニットがスリット状の開口を有する反
射鏡、又は、一部を反射部とし残りの部分を透過部とす
る光透過性の基板を含む狭帯域レーザ装置が開示されて
いる。

【００１０】しかしながら、これらの狭帯域レーザ装置
においては、エタロンに入射させる光の量とその発散角
とを共に抑えることができるものの、エタロンに入射さ
せる光に波面収差を発生させるという新たな不具合を招
いてしまう。そこで、本発明は、エタロンに入射させる
光の量とその発散角とを共に抑えることができる真空紫
外レーザ装置を提供することを第１の目的とする。ま
た、本発明は、エタロンに入射させる光の波面収差を解
消することができる真空紫外レーザ装置を提供すること
を第２の目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の観点に係る真空紫外レーザ装置は、
真空紫外域のレーザ光を発生させるためのエネルギーを
供給するレーザ発生手段と、レーザ発生手段の一端側に
配置され、レーザ発生手段から入射した光をレーザ発生
手段に向けて反射する第１の反射鏡と、レーザ発生手段
の他端側に配置され、レーザ発生手段から入射した光の
一部を第１の方向へ反射する複数の反射部、及び、残り
の光を出力用のレーザ光として第２の方向へ透過する透
過部を含むビームスプリッタと、ビームスプリッタによ
って第１の方向へ反射された光のスペクトル幅を狭帯域
化するエタロンと、第１の反射鏡との間において、エタ
ロンを通過した光を共振させながら増幅するために用い
る第２の反射鏡とを具備する。

【００１２】本発明の第１の観点によれば、ビームスプ
リッタに達した光の一部だけをエタロンに入射させるた
め、エタロンに入射する光の量を抑えることができる。
従って、エタロンの部分反射膜の劣化や変形を未然に防
ぐことができ、フィネスの高いエタロンを用いることが
できる。また、ビームスプリッタの反射部の面積を小さ
く設定することによって、反射光を点光源化させてい
る。点光源から出力される光の発散角は非常に小さい。
従って、エタロンに入射させる光の発散角を小さくする
ことができ、出力するレーザ光のスペクトル幅を所定の
値（例えば、０．２ｐｍ〜０．６ｐｍ）まで狭帯域化す
ることができる。

【００１３】また、本発明の第２の観点に係る真空紫外
レーザ装置は、真空紫外域のレーザ光を発生させるため
のエネルギーを供給するレーザ発生手段と、レーザ発生
手段の一端側に配置され、レーザ発生手段から入射した
光をレーザ発生手段に向けて反射する第１の反射鏡と、
レーザ発生手段の他端側に配置され、レーザ発生手段か
ら入射した光の一部を第１の方向へ透過する複数の透過
部、及び、残りの光を出力用のレーザ光として第２の方
向へ反射する反射部を含むビームスプリッタと、ビーム
スプリッタによって第１の方向へ透過された光のスペク
トル幅を狭帯域化するエタロンと、第１の反射鏡との間
において、エタロンを通過した光を共振させながら増幅
するために用いる第２の反射鏡とを具備する。

【００１４】本発明の第２の観点によれば、ビームスプ
リッタに達した光の一部だけをエタロンに入射させるた
め、エタロンに入射する光の量を抑えることができる。
従って、エタロンの部分反射膜の劣化や変形を未然に防
ぐことができ、フィネスの高いエタロンを用いることが
できる。また、ビームスプリッタの透過部の面積を小さ
く設定することによって、透過光を点光源化させてい
る。点光源から出力される光の発散角は非常に小さい。
従って、エタロンに入射させる光の発散角を小さくする
ことができ、出力するレーザ光のスペクトル幅を所定の
値（例えば、０．２ｐｍ〜０．６ｐｍ）まで狭帯域化す
ることができる。

【００１５】また、本発明の第３の観点に係る真空紫外
レーザ装置は、真空紫外域のレーザ光を発生させるため
のエネルギーを供給するレーザ発生手段と、レーザ発生
手段の一端側に配置され、レーザ発生手段から入射した
光をレーザ発生手段に向けて反射する第１の反射鏡と、
レーザ発生手段の他端側に配置され、レーザ発生手段か
ら入射した光の一部を中央部において第１の方向へ反射
し、残りの光を中央部の周囲において出力用のレーザ光
として第２の方向へ透過するビームスプリッタと、ビー
ムスプリッタによって第１の方向へ反射された光のスペ
クトル幅を狭帯域化するエタロンと、第１の反射鏡との
間において、エタロンを通過した光を共振させながら増
幅するために用いる第２の反射鏡とを具備し、第１及び
第２の反射鏡の内の少なくとも一方の曲率が可変であ
る。

【００１６】本発明の第３の観点によれば、ビームスプ
リッタに達した光の一部だけをエタロンに入射させるた
め、エタロンに入射する光の量を抑えることができる。
従って、エタロンの部分反射膜の劣化や変形を未然に防
ぐことができ、フィネスの高いエタロンを用いることが
できる。また、ビームスプリッタから反射される光の発
散角が抑えられ、さらに、その光の波面収差が解消され
るように第１及び第２の反射鏡の内の少なくとも一方の
曲率を変えることにより、これらの不具合を解決するこ
とができる。従って、出力するレーザ光のスペクトル幅
を所定の値（例えば、０．２ｐｍ〜０．６ｐｍ）まで狭
帯域化することができる。

【００１７】また、本発明の第４の観点に係る真空紫外
レーザ装置は、真空紫外域のレーザ光を発生させるため
のエネルギーを供給するレーザ発生手段と、レーザ発生
手段の一端側に配置され、レーザ発生手段から入射した
光をレーザ発生手段に向けて反射する第１の反射鏡と、
レーザ発生手段の他端側に配置され、レーザ発生手段か
ら入射した光の一部を中央部において第１の方向へ透過
し、残りの光を中央部の周囲において出力用のレーザ光
として第２の方向へ反射するビームスプリッタと、ビー
ムスプリッタによって第１の方向へ透過された光のスペ
クトル幅を狭帯域化するエタロンと、第１の反射鏡との
間において、エタロンを通過した光を共振させながら増
幅するために用いる第２の反射鏡とを具備し、第１及び
第２の反射鏡の内の少なくとも一方の曲率が可変であ
る。

【００１８】本発明の第４の観点によれば、ビームスプ
リッタに達した光の一部だけをエタロンに入射させるた
め、エタロンに入射する光の量を抑えることができる。
従って、エタロンの部分反射膜の劣化や変形を未然に防
ぐことができ、フィネスの高いエタロンを用いることが
できる。また、ビームスプリッタを透過する光の発散角
が抑えられ、さらに、その光の波面収差が解消されるよ
うに第１及び第２の反射鏡の内の少なくとも一方の曲率
を変えることにより、これらの不具合を解決することが
できる。従って、出力するレーザ光のスペクトル幅を所
定の値（例えば、０．２ｐｍ〜０．６ｐｍ）まで狭帯域
化することができる。

【００１９】また、本発明の第５の観点に係る真空紫外
レーザ装置は、真空紫外域のレーザ光を発生させるため
のエネルギーを供給するレーザ発生手段と、レーザ発生
手段の一端側に配置され、レーザ発生手段から入射した
光をレーザ発生手段に向けて反射する第１の反射鏡と、
レーザ発生手段の他端側に配置され、レーザ発生手段か
ら入射した光の一部を第１の方向へ回折し、残りの光の
一部を出力用のレーザ光として第２の方向へ回折するグ
レーティングと、グレーティングによって第１の方向へ
回折された光のスペクトル幅を狭帯域化するエタロン
と、第１の反射鏡との間において、エタロンを通過した
光を共振させながら増幅するために用いる第２の反射鏡
とを具備する。

【００２０】本発明の第５の観点によれば、グレーティ
ングに達した光の一部だけをエタロンに入射させるた
め、エタロンに入射する光の量を抑えることができる。
従って、エタロンの部分反射膜の劣化や変形を未然に防
ぐことができ、フィネスの高いエタロンを用いることが
できる。また、レーザ発生手段から入射した光の一部が
グレーティングによって第１の方向へ回折されるとき、
そのビーム断面がエキスパンドされる。従って、エタロ
ンに入射する光の発散角を小さくすることができ、出力
するレーザ光のスペクトル幅を所定の値（例えば、０．
２ｐｍ〜０．６ｐｍ）まで狭帯域化することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施形態について説明する。尚、以下の各実施
形態においては、フッ素分子レーザ装置を例に挙げて説
明する。先ず、本発明の第１の実施形態について説明す
る。図１は、本発明の第１の実施形態に係るフッ素分子
レーザ装置の構成を示す図である。図１に示すように、
フッ素分子レーザ装置１０は、フッ素とヘリウムの混合
ガスを収容するレーザチャンバ１１を含んでいる。レー
ザチャンバ１１の内部には、電極１２及び１３が上下に
対面するように配置されている。本実施形態において
は、電極１２及び１３の間で放電を行うことにより、こ
れらの間に、例えば、図２に示すようにあらゆる方向へ
発散した蛍光を発生させる。この蛍光には、大きく分類
すると第１の波長成分群（波長：１５７．５２３ｎｍを
中心とする）と、第２の波長成分群（波長１５７．６２
９ｎｍを中心とする）等とが含まれている。従って、フ
ッ素分子レーザ装置１０においては、光路内でのレーザ
光の吸収を低減させるために少なくとも光路が真空に引
かれているか、あるいは、窒素パージされている。以下
の各実施形態についても同様である。

【００２２】再び図１を参照すると、レーザチャンバ１
１の左側の壁には、窓１４がレーザチャンバ１１を貫く
光軸と所定のブリュスタ角を為すように取り付けられて
いる。同様にして、レーザチャンバ１１の右側の壁に
は、窓１５が取り付けられている。このブリュスタ角に
より、窓１４及び１５の各表面における光の反射損失を
抑えることができる。尚、このようなブリュスタ配置を
採用する替わりに、窓１４及び１５の各表面に無反射膜
をコーティングすることによっても、これらの表面にお
ける光の反射損失を抑えることができる。しかしなが
ら、無反射膜は一般的に大光量の光に弱いことから、大
光量の光に強いブリュスタ配置を採用する方が好まし
い。

【００２３】レーザチャンバ１１の左側には、高い反射
率を有する平面鏡１６が配置されている。平面鏡１６
は、レーザチャンバ１１から入射した光をレーザチャン
バ１１に向けて反射する。尚、平面鏡１６の替わりに、
所定の曲率を有する凹面鏡や凸面鏡を用いても良い。レ
ーザチャンバ１１の右側には、入射した光を下方向と右
方向とに分けるビームスプリッタ１７が配置されてい
る。

【００２４】図３は、ビームスプリッタ１７の構成の一
例を示す図である。図３に示すように、ビームスプリッ
タ１７は、フッ素がドープされた合成石英、ＣａＦ₂、
ＭｇＦ₂の内のいずれかを材料とする円柱状の基板１８
を含んでいる。尚、基板１８は他の形状（例えば、角柱
状）であっても良い。基板１８の一方の面１９は、レー
ザチャンバ１１から伝播した光の一部を下方向へ反射す
る複数の微小な面積の反射部２１と、残りの光を出力用
のレーザ光として右方向へ透過する透過部２２とに分か
れている。従って、反射部２１の密度を変えることによ
り、ビームスプリッタ１７の反射率が調整される。本実
施形態においては、例えば、ビームスプリッタ１７の反
射率が３０％〜７０％に設定されている。

【００２５】反射部２１は、基板１８の面１９に微小面
積の高反射膜（例えば、アルミ膜や誘電体多層膜）をコ
ーティングすることによって形成される。尚、反射部２
１を形成する高反射膜に、ＭｇＦ₂等を含んだ保護膜を
コーティングしても良い。この場合には、反射部２１
に、レーザチャンバ１１からの入射光に対する耐久性を
持たせることができる。一方、基板１８の面１９におい
て、反射部２１を除いた部分が透過部２２を形成する。
尚、透過部２２に無反射膜をコーティングしても良い。
この場合には、透過部２２における光の反射損失を減ら
すことができる。また、基板１８の他方の面２０に無反
射膜をコーティングしても良い。この場合には、基板１
８の面２０における光の反射損失を減らすことができ
る。以上において、反射部２１をライン状に設けても良
い。

【００２６】再び図１を参照すると、ビームスプリッタ
１７の下側には、例えば窒素が封入された圧力チャンバ
２３が配置されており、その内部にエタロン２４が収納
されている。エタロン２４は、２枚のエタロン板２５及
び２６と、これらの間に挟持された２個のスペーサ２７
及び２８とを含んでいる。エタロン板２５におけるエタ
ロン板２６との対面には、部分反射膜２９がコーティン
グされている。また、エタロン板２６におけるエタロン
板２５との対面には、部分反射膜３０がコーティングさ
れている。さらに、エタロン板２５における部分反射膜
２９と反対側の面に無反射コーティングを施し、エタロ
ン板２６における部分反射膜３０と反対側の面に無反射
コーティングを施しても良い。エタロン板２５及び２６
の材料としては、フッ素がドープされた合成石英や、Ｃ
ａＦ₂、ＭｇＦ₂等が用いられる。一方、スペーサ２７及
び２８の材料としては、合成石英や、熱膨張係数の小さ
いセラミックスガラス等が用いられる。

【００２７】エタロン２４は、窓３１を介して圧力チャ
ンバ２３内に入射した光（第１の波長成分（波長：１５
７．５２３ｎｍ）と、第２の波長成分（波長：１５７．
６２９ｎｍ）とを含んでいる）の中から第２の波長成分
だけを選択する機能（波長選択機能）を有している。本
実施形態においては、コントローラ４６が圧力チャンバ
２３の内部圧力を制御することにより、エタロン２４の
波長選択機能が調整される。あるいは、エタロン２４が
圧力チャンバ２３を貫く光軸と為す角度や、エタロン板
２５及び２６の間隔を制御することによって、エタロン
２４の波長選択機能を調整しても良い。エタロン２４を
下方向へ通過した光は、窓３２を介して圧力チャンバ２
３外へ出射される。

【００２８】圧力チャンバ２３の下側には別の圧力チャ
ンバ３３が配置されており、その内部にエタロン３４が
収納されている。エタロン３４は、２枚のエタロン板３
５及び３６と、これらの間に挟持された２個のスペーサ
３７及び３８とを含んでいる。エタロン板３５における
エタロン板３６との対面には、部分反射膜３９がコーテ
ィングされている。また、エタロン板３６におけるエタ
ロン板３５との対面には、部分反射膜４０がコーティン
グされている。さらに、エタロン板３５における部分反
射膜３９と反対側の面に無反射コーティングを施し、エ
タロン板３６における部分反射膜４０と反対側の面に無
反射コーティングを施しても良い。エタロン板３５及び
３６の材料としては、フッ素がドープされた合成石英
や、ＣａＦ ₂、ＭｇＦ₂等が用いられる。一方、スペーサ
３７及び３８の材料としては、合成石英や、熱膨張係数
の小さいセラミックスガラス等が用いられる。

【００２９】エタロン３４は、窓４１を介して圧力チャ
ンバ３３内に入射した光（波長：１５７．６２９ｎｍ）
のスペクトル幅を所定の値（例えば、０．２ｐｍ〜０．
６ｐｍ）まで狭帯域化する機能（狭帯域化機能）を有し
ている。本実施形態においては、コントローラ４６が圧
力チャンバ３３の内部圧力を制御することにより、エタ
ロン３４の狭帯域化機能が調整される。あるいは、エタ
ロン３４が圧力チャンバ３３を貫く光軸と為す角度や、
エタロン板３５及び３６の間隔を制御することによっ
て、エタロン３４の狭帯域化機能を調整しても良い。エ
タロン３４を下方向へ通過した光は、窓４２を介して圧
力チャンバ４３外へ出射される。

【００３０】圧力チャンバ３３の下側には、高い反射率
を有する平面鏡４３が配置されている。平面鏡４３は、
圧力チャンバ３３から伝播した光を圧力チャンバ３３に
向けて反射する。平面鏡４３は、平面鏡１６との間にお
いて、エタロン２４と３４を通過した光を共振させなが
ら増幅する。尚、平面鏡４３の代わりに、所定の曲率を
有する凹面鏡や凸面鏡を用いても良い。

【００３１】ビームスプリッタ１７の右側には、入射し
た光を下方向と右方向とに分ける別のビームスプリッタ
４４が配置されており、さらに、ビームスプリッタ４４
の下側にはモニタモジュール４５が配置されている。モ
ニタモジュール４５は、ビームスプリッタ４４から入射
した光の強度、スペクトル幅、中心波長等をモニタする
機能を有しており、これらのモニタ結果をコントローラ
４６に向けて出力する。コントローラ４６は、モニタモ
ジュール４５のモニタ結果に基づいて、圧力チャンバ２
３及び３３の各内部圧力を制御する。

【００３２】図４（ａ）〜（ｅ）は、フッ素分子レーザ
装置１０において、出力用のレーザ光を生成するプロセ
スを示す図である。図４（ａ）に示すように、レーザチ
ャンバ１１内に発生する蛍光は、第１の波長成分（波
長：１５７．５２３ｎｍ）と、第２の波長成分（波長：
１５７．６２９ｎｍ）とを含んでいる。

【００３３】図４（ｂ）は、エタロン２４を通過する光
の波長と、その透過強度との関係を示す図である。図４
（ｂ）に示すように、エタロン２４は、１５７．５２３
ｎｍにおいて光の透過強度を極小とし、また、１５７．
６２９ｎｍにおいて光の透過強度を極大とする。このた
め、図４（ｃ）に示すように、エタロン２４に達した光
の中から第２の波長成分（波長：１５７．６２９ｎｍ）
だけが選択され、エタロン２４を通過する。尚、エタロ
ン２４を通過した光は、１ｐｍ程度のスペクトル幅を有
している。

【００３４】ところで、エタロン２４と同様の構成のエ
タロンにおいて、２枚のエタロン板の間隔ｄは、以下の
式（１）によって求められる。ｄ＝λ²／（２ｎ・ＦＳＲ）…（１）ここで、 λ：エタロンを通過させる光の波長ｎ：２枚のエタロン板の間における屈折率ＦＳＲ：エタロンのフリースぺクトラルレンジを表している。

【００３５】図４（ａ）に示すように、第１の波長成分
（波長：１５７．５２３ｎｍ）と第２の波長成分（波
長：１５７．６２９ｎｍ）との間には、１００ｐｍ程度
の間隔がある。このため、エタロン２４に達した光の中
から第２の波長成分だけを選択するには、エタロン２４
のＦＳＲが２００ｐｍ程度であれば良い。また、エタロ
ン２４のフィネスは、例えば、５〜８程度であれば良
い。従って、エタロン板２５及び２６の間における屈折
率を１と仮定すると、式（１）によって、これらの間の
間隔ｄは、約０．０６ｍｍと求められる。

【００３６】図４（ｄ）は、エタロン３４を通過する光
の波長と、その透過強度との関係を示す図である。図４
（ｄ）に示すように、エタロン３４の透過光は、１５
７．６２９ｎｍにおいて、所定の値（例えば、０．２ｐ
ｍ〜０．６ｐｍ）の半値幅（full width half maximu
m）を有する。このため、図４（ｅ）に示すように、エ
タロン３４に達した光（波長：１５７．６２９ｎｍ）の
スペクトル幅が、所定の値（例えば、０．２ｐｍ〜０．
６ｐｍ）まで狭帯域化される。

【００３７】図４（ｃ）に示すように、第２の波長成分
（波長：１５７．６２９ｎｍ）のスペクトル幅は１．０
ｐｍ程度である。このため、エタロン３４に達した光の
スペクトル幅を狭帯域化するには、エタロン３４のＦＳ
Ｒが１ｐｍ程度であれば良い。また、エタロン３４を２
回通過した際のフィネスが５程度であれば良いことか
ら、エタロン３４のフィネスを高く設定する必要がな
い。このため、部分反射膜３９及び４０の各反射率は、
これらの膜の吸収による影響を少なくするために、６０
％以下に設定すれば十分である。従って、エタロン板３
５及び３６の間における屈折率を１と仮定すると、式
（１）によって、これらの間の間隔ｄは、約１２．３ｍ
ｍと求められる。

【００３８】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、レーザチャンバ１１からビームスプリッタ１７に伝
播した光の一部を反射部２１によって下方向へ反射し、
エタロン２４に入射させる。一方、残りの光は、ビーム
スプリッタ１７の透過部２２を右方向へ透過させる。こ
のため、エタロン２４に入射させる光の量を抑えること
ができる。従って、エタロン２４の部分反射膜２９や部
分反射膜３０の劣化や変形を防ぐことができ、エタロン
２４としてフィネスが高いものを用いることができる。
また、エタロン２４を通過した光をエタロン３４に入射
させることから、同様に、エタロン３４としてフィネス
が高いものを用いることができる。

【００３９】また、本実施形態によれば、ビームスプリ
ッタ１７の反射部２１の面積を小さく設定することによ
って、反射光を点光源化させている。点光源から出力さ
れる光の発散角は非常に小さい。従って、エタロン３４
に入射させる光の発散角を小さくすることができ、出力
するレーザ光のスペクトル幅を所定の値（例えば、０．
２ｐｍ〜０．６ｐｍ）まで狭帯域化することができる。

【００４０】さらに、本実施形態によれば、平面鏡１６
と平面鏡４３の間において、エタロン３４を通過した光
を共振させながら増幅する自己増幅共振器を形成してい
る。従って、従来より用いられることが多い共振器、即
ち、２枚の反射鏡の間において光を共振させ増幅しなが
ら、その光のスペクトル幅をエタロンによって狭帯域化
する共振器に比べて、狭帯域化効率を向上させることが
できる。

【００４１】本実施形態においては、ビームスプリッタ
１７の替わりに、例えば、図５（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うなビームスプリッタを用いることもできる。図５
（ａ）及び（ｂ）に示すように、ビームスプリッタ５０
は、フッ素がドープされた合成石英、ＣａＦ₂、ＭｇＦ₂
の内のいずれかを材料とする円柱状の基板５１を含んで
いる。尚、基板５１は他の形状（例えば、角柱状）であ
っても良い。基板５１の一方の面５２には、複数の溝部
５４が形成されており、溝部５４は、反射部５５と反射
部５６とに分かれている。従って、図５（ｃ）に示すよ
うに、反射部５５の幅ａや透過部５６の幅ｂを変えて溝
部５４の密度を変えることにより、ビームスプリッタ５
０の反射率が調整される。

【００４２】ビームスプリッタ５０は、レーザチャンバ
１１の右側において、溝部５４が図１の紙面に垂直な方
向に延びるように配置される。このとき、反射部５５が
光軸と為す角度が所定の値（例えば、４５゜）に設定さ
れる。尚、反射部５５に高反射膜をコーティングしても
良い。この場合には、反射部５５の反射効率を向上させ
ることができる。また、透過部５６に無反射膜をコーテ
ィングしても良い。この場合には、透過部５６における
光の反射損失を減らすことができる。また、基板５１の
面５３に無反射膜をコーティングしても良い。この場合
には、基板５１の面５３における光の反射損失を減らす
ことができる。

【００４３】レーザチャンバ１１の右側において、基板
５１の面５２がレーザチャンバ１１に対面するようにビ
ームスプリッタ５０を配置した場合には、レーザチャン
バ１１から伝播した光の一部が反射部５５によって下方
向へ反射され、エタロン２４に入射する。そして、残り
の光が透過部５６を右方向へ透過する。一方、基板５１
の他方の面５３がレーザチャンバ１１に対面するように
ビームスプリッタ５０を配置した場合には、レーザチャ
ンバ１１から伝播し、基板５１の面５２を透過した光の
一部が反射部５５によって下方向へ反射され、エタロン
２４に入射する。そして、残りの光が透過部５６を右方
向へ透過する。反射部５５の幅ａを狭くすると、溝部５
４の長手方向に垂直な方向に対して、反射部５５を点
（線）光源化することができる。従って、図２に示すよ
うな蛍光を用いる場合に、エタロン２４やエタロン３４
に入射させる光の光量とその発散角とを共に抑えること
ができる。

【００４４】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係るフッ素
分子レーザ装置の構成を示す図である。以下、図１と共
通する要素に同じ参照符号を付して、これらの説明を省
略する。図６に示すように、フッ素分子レーザ装置６０
においては、レーザチャンバ１１の右側に、そこから入
射した光を下方向と右方向とに分けるビームスプリッタ
６１が配置されている。ビームスプリッタ６１の右側に
は、圧力チャンバ２３及び３３、平面鏡４３が順に配置
されている。また、ビームスプリッタ６１の下側にはビ
ームスプリッタ４４が配置されており、さらに、ビーム
スプリッタ４４の左側にはモニタモジュール４５が配置
されている。

【００４５】図７は、ビームスプリッタ６１の構成の一
例を示す図である。図７に示すように、ビームスプリッ
タ６１は、フッ素がドープされた合成石英、ＣａＦ₂、
ＭｇＦ₂の内のいずれかを材料とする円柱状の基板６２
を含んでいる。尚、基板６２は他の形状（例えば、角柱
状）であっても良い。基板６２の一方の面６３は、レー
ザチャンバ１１から伝播した光の一部を右方向へ透過す
る複数の微小な面積の透過部６５と、残りの光を出力用
のレーザ光として下方向へ反射する反射部６６とに分か
れている。従って、透過部６５の密度を変えることによ
り、ビームスプリッタ６１の透過率が調整される。本実
施形態においては、例えば、ビームスプリッタ６１の透
過率が３０％〜７０％に設定されている。

【００４６】反射部６６は、基板６２の面６３に、複数
の微小な開口が形成された高反射膜（例えば、アルミ膜
や誘電体多層膜）をコーティングすることによって形成
される。尚、反射部６６を形成する高反射膜に、ＭｇＦ
₂等を含んだ保護膜をコーティングしても良い。この場
合には、反射部６６に、レーザチャンバ１１からの入射
光に対する耐久性を持たせることができる。一方、反射
部６６を形成する高反射膜の開口に該当する部分が透過
部６５を形成する。尚、透過部６５に無反射膜をコーテ
ィングしても良い。この場合には、透過部６５における
光の反射損失を減らすことができる。また、基板６２の
他方の面６４に無反射膜をコーティングしても良い。こ
の場合には、基板６２の面６４における光の反射損失を
減らすことができる。以上において、透過部６５をライ
ン状に設けても良い。

【００４７】本実施形態によれば、レーザチャンバ１１
からビームスプリッタ１７に伝播した光の一部を透過部
６５によって右方向へ透過し、エタロン２４に入射す
る。一方、残りの光は、ビームスプリッタ６１の反射部
６６によって下方向へ反射する。また、ビームスプリッ
タ６１の透過部６５の面積を小さく設定することによっ
て、透過光を点光源化させている。従って、本実施形態
によっても第１の実施形態と同様の効果を達成すること
ができる。

【００４８】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。図８は、本発明の第３の実施形態に係るフッ素
分子レーザ装置の構成を示す図である。図８に示すよう
に、フッ素分子レーザ装置７０においては、レーザチャ
ンバ１１の右側に、そこから入射した光を下方向と右方
向とに分けるビームスプリッタ７１が配置されている。
ビームスプリッタ７１の右側にはビームスプリッタ４４
が配置されている。

【００４９】図９（ａ）及び（ｂ）は、ビームスプリッ
タ７１の構成の一例を示す図である。図９（ａ）及び
（ｂ）に示すように、ビームスプリッタ７１は、フッ素
がドープされた合成石英、ＣａＦ₂、ＭｇＦ₂の内のいず
れかを材料とする円柱状の基板７２を含んでいる。尚、
基板７２は他の形状（例えば、角柱状）であっても良
い。基板７２の一方の面７３は、レーザチャンバ１１か
ら伝播した光の一部を下方向へ反射する反射部７５と、
残りの光を出力用のレーザ光として右方向へ透過する透
過部７６とに分かれている。従って、反射部７５の面積
を変えることにより、ビームスプリッタ７１の反射率が
調整される。本実施形態においては、例えば、ビームス
プリッタ７１の反射率が３０％〜７０％に設定されてい
る。

【００５０】反射部７５は、基板７２の面７３の中央部
に円状の高反射膜（例えば、アルミ膜、誘電体多層膜）
をコーティングすることによって形成される。尚、反射
部７５を形成する高反射膜に、ＭｇＦ₂等を含んだ保護
膜をコーティングしても良い。この場合には、反射部７
５に、レーザチャンバ１１からの入射光に対する耐久性
を持たせることができる。一方、反射部７５の周囲が透
過部７６となる。尚、透過部７６に、中空円状の無反射
膜をコーティングしても良い。また、基板７２の他方の
面７４に無反射膜をコーティングしても良い。この場合
には、基板７２の面７４における光の反射損失を減らす
ことができる。

【００５１】再び図８を参照すると、レーザチャンバ１
１の左側には、高い反射率を有すると共に、紙面に平行
な方向の曲率が可変である反射鏡７７が配置されてい
る。反射鏡７７は、レーザチャンバ１１から伝播した光
をレーザチャンバ１１に向けて反射する。反射鏡７７の
曲率は曲率変更機構７８によって調整される。曲率変更
機構７８は、コントローラ４６の制御の下、ビームスプ
リッタ７１の反射部７５から反射された光の発散角が抑
えられ、また、その光の波面収差が解消されるように反
射鏡７７の曲率を変える。

【００５２】本実施形態によれば、レーザチャンバ１１
からビームスプリッタ７１に伝播した光の一部を反射部
７５によって下方向へ反射し、エタロン２４に入射させ
る。一方、残りの光は、ビームスプリッタ７１の透過部
７６を右方向へ透過させる。また、反射部７５から反射
された光の発散角が抑えられ、また、その光の波面収差
が解消されるように反射鏡７７の曲率を変える。従っ
て、第１の実施形態と同様の効果を達成することができ
ると共に、エタロン２４及び３４に入射させる光の波面
収差を解消することができる。尚、本実施形態において
は、平面鏡４３の替わりに、反射鏡７７のような鏡を用
いても良い。

【００５３】次に、本発明の第４の実施形態について説
明する。図１０は、本発明の第４の実施形態に係るフッ
素分子レーザ装置の構成を示す図である。図１０に示す
ように、フッ素分子レーザ装置８０においては、レーザ
チャンバ１１の右側に、そこから入射した光を下方向と
右方向とに分けるビームスプリッタ８１が配置されてい
る。ビームスプリッタ８１の右側には、圧力チャンバ２
３及び３３、平面鏡４３が順に配置されている。また、
ビームスプリッタ８１の下側にはビームスプリッタ４４
が配置されており、さらに、ビームスプリッタ４４の左
側にはモニタモジュール４５が配置されている。

【００５４】図１１（ａ）及び（ｃ）は、ビームスプリ
ッタ８１の構成の一例を示す図である。図１１（ａ）及
び（ｂ）に示すように、ビームスプリッタ８１は、フッ
素がドープされた合成石英、ＣａＦ₂、ＭｇＦ₂の内のい
ずれかを材料とする円柱状の基板８２を含んでいる。
尚、基板８２は他の形状（例えば、角柱状）であっても
良い。基板８２の一方の面８３は、レーザチャンバ１１
から伝播した光の一部を右方向へ透過する透過部８５
と、残りの光を出力用のレーザ光として下方向へ反射す
る反射部８６とに分かれている。従って、透過部８５の
面積を変えることにより、ビームスプリッタ８１の透過
率が調整される。本実施形態においては、例えば、ビー
ムスプリッタ８１の透過率が３０％〜７０％に設定され
ている。

【００５５】基板８２の面８３における透過部８５の周
囲に中空円状の高反射膜（例えば、アルミ膜、誘電体多
層膜）をコーティングすることにより、反射部８６が形
成される。尚、反射部８６を形成する高反射膜に、Ｍｇ
Ｆ₂等を含んだ保護膜をコーティングしても良い。この
場合には、反射部８６に、レーザチャンバ１１からの入
射光に対する耐久性を持たせることができる。一方、高
反射膜がコーティングされていない中央部が透過部８５
となる。尚、透過部８５に、円状の無反射膜をコーティ
ングしても良い。また、基板８２の他方の面８４に無反
射膜８９をコーティングしても良い。この場合には、基
板８２の面８４における光の反射損失を減らすことがで
きる。

【００５６】再び図１０を参照すると、レーザチャンバ
１１の左側には、高い反射率を有すると共に、紙面に平
行な方向の曲率が可変である反射鏡８７が配置されてい
る。反射鏡８７は、レーザチャンバ１１から伝播した光
をレーザチャンバ１１に向けて反射する。反射鏡８７の
曲率は曲率変更機構８８によって調整される。曲率変更
機構８８は、コントローラ４６の制御の下、ビームスプ
リッタ８１の透過部８５を透過した光の発散角が抑えら
れ、また、その光の波面収差が解消されるように反射鏡
８７の曲率を変える。

【００５７】本実施形態によれば、レーザチャンバ１１
からビームスプリッタ８１に伝播した光の一部を透過部
８５によって右方向へ透過し、エタロン２４に入射させ
る。一方、残りの光は、ビームスプリッタ８１の反射部
８６によって下方向へ反射させる。また、透過部８５を
透過した光の発散角が抑えられ、また、その光の波面収
差が解消されるように反射鏡８７の曲率を変える。従っ
て、本実施形態によっても第４の実施形態と同様の効果
を達成することができる。尚、平面鏡４３の替わりに、
反射鏡８７のような鏡を用いても良い。

【００５８】本実施形態においては、ビームスプリッタ
８１の替わりに、例えば、図１２（ａ）及び（ｂ）に示
すようなビームスプリッタを用いることもできる。図１
２（ａ）及び（ｂ）に示すように、ビームスプリッタ９
０は、フッ素がドープされた合成石英、ＣａＦ₂、Ｍｇ
Ｆ₂の内のいずれかを材料とする中空円柱状の基板９１
を含んでいる。尚、基板９１は他の形状（例えば、中空
角柱状）であっても良い。ビームスプリッタ９０におい
ては、基板９１の開口９２を、レーザチャンバ１１から
伝播した光の一部を右方向へ透過する透過部９４として
いる。また、基板９１の一方の面９３に中空円状の高反
射膜（例えば、アルミ膜、誘電体多層膜）をコーティン
グすることにより、反射部９５が形成されている。尚、
反射部９５を形成する高反射膜に、ＭｇＦ₂等を含んだ
保護膜をコーティングしても良い。この場合には、反射
部９５に、レーザチャンバ１１から伝播した光に対する
耐久性を持たせることができる。従って、開口９２の直
径を変えることにより、ビームスプリッタ９０の透過率
が調整される。本実施形態においては、例えば、ビーム
スプリッタ９０の透過率が３０％〜７０％に設定されて
いる。

【００５９】レーザチャンバ１１の右側にビームスプリ
ッタ９０を配置することにより、レーザチャンバ１１か
ら伝播した光の一部が透過部９４を右方向へ透過し、エ
タロン２４に入射する。そして、残りの光が反射部９５
によって下方向へ反射される。従って、この場合にも、
ビームスプリッタ８１を用いる場合と同様の効果を達成
することができる。

【００６０】次に、本発明の第５の実施形態について説
明する。図１３は、本発明の第５の実施形態に係るフッ
素分子レーザ装置の構成を示す図である。図１３に示す
ように、フッ素分子レーザ装置１００においては、レー
ザチャンバ１１の右側に、そこから入射した光を複数の
方向へ回折するグレーティング１０１が配置されてい
る。詳細には、グレーティング１０１は、レーザチャン
バ１１から入射した光の中から第２の波長成分（波長：
１５７．６２９ｎｍ）を下方向へ回折し、また、残りの
光の一部を出力用のレーザ光として右下の方向へ回折す
るように配置されている。

【００６１】図１４は、グレーティング１０１の構成の
一例を示す図である。図１４に示すように、グレーティ
ング１０１は、ゼロデュア（Zerodur：Schott社の商
標）やＵＬＥ（Corning社の商標）等の低膨張ガラスを
材料とする基板１０２を含んでいる。基板１０２の面１
０３には、所定の本数（例えば、１８００本／ｍｍ〜３
６００本／ｍｍ）の凸部１０４が等間隔に形成されてい
る。尚、図１３及び図１４においては、凸部１０４の本
数が省略されている。グレーティング１０１を製作する
方法には、例えば、以下の２つの方法が挙げられる。（１）ゼロデュア（Schott社の商標）若しくはＵＬＥ
（Corning社の商標）等の低膨張率の材料から成る基板
の上にエポキシ等の材料をコーティングして溝を形成し
た後、アルミニウムをコーティングする。また、耐久性
を上げるためにそのアルミニウムコーティングの上にＭ
ｇＦ₂を材料とする膜を蒸着させる。（２）ゼロデュア（Schott社の商標）若しくはＵＬＥ
（Corning社の商標）等の低膨張ガラスを材料とする基
板の一面にホログラム層を形成した後、その面にレジス
トを感光させてからエッチングを施し、ホログラム層に
溝を形成する。

【００６２】再び図１３を参照すると、グレーティング
１０１の下側には、圧力チャンバ３３、平面鏡４３が順
に配置されている。また、グレーティング１０１から右
下の方向には、そこから伝播してきた光を右方向へ反射
する平面鏡１０５が配置されている。平面鏡１０５の右
側にはビームスプリッタ４４が配置されており、その下
側にはモニタモジュール４５が配置されている。

【００６３】本実施形態によれば、グレーティング１０
１に達した光の一部だけをエタロン３４に入射させるた
め、エタロン３４に入射させる光の量を抑えることがで
きる。また、レーザチャンバ１１から伝播した光の内の
第２の波長成分（波長：１５７．６２９ｎｍ）がグレー
ティング１０１によって下方向へ回折されるとき、その
ビーム断面がエキスパンドされる。従って、本実施形態
によっても第１の実施形態と同様の効果を達成すること
ができる。尚、本実施形態においては、透過型のグレー
ティングを用いても良い。

【００６４】尚、第１の実施形態から第４の実施形態に
おいて、レーザチャンバ１１内に発生した蛍光の中から
第２の波長成分だけを選択する手段として、プリズムや
グレーティングを収容する波長選択モジュールを用いて
も良い。この場合にも、これらの実施形態の効果を達成
することができる。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空紫外レーザ装置において、エタロンに入射させる光
の量とその発散角とを共に抑えることができる。また、
本発明によれば、真空紫外レーザ装置において、エタロ
ンに入射させる光の波面収差を解消することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るフッ素分子レー
ザ装置の構成を示す図である。

【図２】図１に示すレーザチャンバ内において発生する
蛍光の一例を示す図である。

【図３】図１に示すレーザチャンバに隣接するように配
置させたビームスプリッタの構成の一例を示す図であ
る。

【図４】図１に示すフッ素分子レーザ装置において、出
力用のレーザ光を生成するプロセスを示す図である。

【図５】図１に示すレーザチャンバに隣接するように配
置させたビームスプリッタの構成の別の一例を示す図で
ある。

【図６】本発明の第２の実施形態に係るレーザ装置の構
成を示す図である。

【図７】図６に示すレーザチャンバに隣接するように配
置させたビームスプリッタの構成の一例を示す図であ
る。

【図８】本発明の第３の実施形態に係るレーザ装置の構
成を示す図である。

【図９】図８に示すレーザチャンバに隣接するように配
置させたビームスプリッタの構成の一例を示す図であ
る。

【図１０】本発明の第４の実施形態に係るレーザ装置の
構成を示す図である。

【図１１】図１０に示すレーザチャンバに隣接するよう
に配置させたビームスプリッタの構成の一例を示す図で
ある。

【図１２】図１０に示すレーザチャンバに隣接するよう
に配置させたビームスプリッタの構成の別の一例を示す
図である。

【図１３】本発明の第５の実施形態に係るレーザ装置の
構成を示す図である。

【図１４】図１３に示すグレーティングの構成の一例を
示す図である。

【符号の説明】

１０、６０、７０、８０、１００フッ素分子レーザ装
置１６平面鏡１７、５０、６１、７１、８１、９０ビームスプリッ
タ２１、５５、６６、７５、８６、９５反射部２２、５６、６５、７６、８５、９４透過部２４、３４エタロン２９、３０、３９、４０部分反射膜４５モニタモジュール４６コントローラ７７、８７反射鏡７８、８８曲率変更機構１０１グレーティング

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者熊崎貴仁神奈川県平塚市万田1200 技術研究組合超先端電子技術開発機構内Ｆターム(参考） 5F071 AA04 HH02 HH09 JJ05 5F072 AA04 JJ05 JJ20 KK07 KK08 KK15 MM16 MM20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空紫外域のレーザ光を発生させるため
のエネルギーを供給するレーザ発生手段と、前記レーザ発生手段の一端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光を前記レーザ発生手段に向けて反
射する第１の反射鏡と、前記レーザ発生手段の他端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光の一部を第１の方向へ反射する複
数の反射部、及び、残りの光を出力用のレーザ光として
第２の方向へ透過する透過部を含むビームスプリッタ
と、前記ビームスプリッタによって第１の方向へ反射された
光のスペクトル幅を狭帯域化するエタロンと、前記第１の反射鏡との間において、前記エタロンを通過
した光を共振させながら増幅するために用いる第２の反
射鏡と、を具備する真空紫外レーザ装置。
【請求項２】真空紫外域のレーザ光を発生させるため
のエネルギーを供給するレーザ発生手段と、前記レーザ発生手段の一端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光を前記レーザ発生手段に向けて反
射する第１の反射鏡と、前記レーザ発生手段の他端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光の一部を第１の方向へ透過する複
数の透過部、及び、残りの光を出力用のレーザ光として
第２の方向へ反射する反射部を含むビームスプリッタ
と、前記ビームスプリッタによって第１の方向へ透過された
光のスペクトル幅を狭帯域化するエタロンと、前記第１の反射鏡との間において、前記エタロンを通過
した光を共振させながら増幅するために用いる第２の反
射鏡と、を具備する真空紫外レーザ装置。
【請求項３】真空紫外域のレーザ光を発生させるた
めのエネルギーを供給するレーザ発生手段と、前記レーザ発生手段の一端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光を前記レーザ発生手段に向けて反
射する第１の反射鏡と、前記レーザ発生手段の他端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光の一部を中央部において第１の方
向へ反射し、残りの光を前記中央部の周囲において出力
用のレーザ光として第２の方向へ透過するビームスプリ
ッタと、前記ビームスプリッタによって第１の方向へ反射された
光のスペクトル幅を狭帯域化するエタロンと、前記第１の反射鏡との間において、前記エタロンを通過
した光を共振させながら増幅するために用いる第２の反
射鏡とを具備し、前記第１及び第２の反射鏡の内の少なくとも一方の曲率
が可変である真空紫外レーザ装置。
【請求項４】真空紫外域のレーザ光を発生させるため
のエネルギーを供給するレーザ発生手段と、前記レーザ発生手段の一端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光を前記レーザ発生手段に向けて反
射する第１の反射鏡と、前記レーザ発生手段の他端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光の一部を中央部において第１の方
向へ透過し、残りの光を前記中央部の周囲において出力
用のレーザ光として第２の方向へ反射するビームスプリ
ッタと、前記ビームスプリッタによって第１の方向へ透過された
光のスペクトル幅を狭帯域化するエタロンと、前記第１の反射鏡との間において、前記エタロンを通過
した光を共振させながら増幅するために用いる第２の反
射鏡とを具備し、前記第１及び第２の反射鏡の内の少なくとも一方の曲率
が可変である真空紫外レーザ装置。
【請求項５】真空紫外域のレーザ光を発生させるため
のエネルギーを供給するレーザ発生手段と、前記レーザ発生手段の一端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光を前記レーザ発生手段に向けて反
射する第１の反射鏡と、前記レーザ発生手段の他端側に配置され、前記レーザ発
生手段から入射した光の一部を第１の方向へ回折し、残
りの光の一部を出力用のレーザ光として第２の方向へ回
折するグレーティングと、前記グレーティングによって第１の方向へ回折された光
のスペクトル幅を狭帯域化するエタロンと、前記第１の反射鏡との間において、前記エタロンを通過
した光を共振させながら増幅するために用いる第２の反
射鏡と、を具備する真空紫外レーザ装置。