JP5162139B2 - 露光装置用狭帯域レーザ装置 - Google Patents
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本発明は狭帯域発振段レーザと増幅段レーザとからなる露光装置用の注入同期式放電励起レーザ装置に関し、特に、狭帯域発振段レーザからのシード光を増幅段レーザへ高い効率で注入することができる露光装置用狭帯域レーザ装置に関するものである。
近年、半導体露光装置用光源としてはエキシマレーザが使用されている。特に、６０ｎｍ以下のテクノロジーノードにおいては、高出力（４０Ｗ以上）でかつ超狭帯域化（半値全幅０．２ｐｍ以下、または、全エネルギーの９５％が入る線幅０．５ｐｍ以下）にされたＡｒＦレーザ光源が採用されている
露光装置用光源のＡｒＦレーザ光源の要求を以下に示す。
１．高ドーズ安定性の確保と、高スループット化に伴い４０Ｗ以上の出力が要求されている。
２．投影レンズの高解像度化のために投影レンズの高ＮＡ化が進められている。高ＮＡ化にともなって、色収差が発生し、超狭帯域化（半値全幅０．２ｐｍ以下、または、全エネルギーの９５％が入る線幅０．５ｐｍ以下）が要求される。
３．レーザ光源の長寿命化が要求されている。
上記光源の要求を満たすために、ダブルチャンバ方式（２ステージ方式）のＡｒＦレーザが実用化されている。ダブルチャンバ方式のレーザ装置の形態としては、アンプ側に共振器ミラーを設けないＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amprifier ）方式と共振器ミラーを設けるＭＯＰＯ（Master Oscillator Power Oscillator）方式とに大別される。
しかし、出力９０Ｗのような高出力化のために、増幅器（ＰＡ）または増幅段レーザ（ＰＯ）の光学素子（特にチャンバウインドやＯＣ）負荷が大きくなり、これら光学素子の寿命が課題となっており、レーザ光源の長寿命化が要求されるようになってきている。
露光装置用光源のＡｒＦレーザ光源の要求を以下に示す。
１．高ドーズ安定性の確保と、高スループット化に伴い４０Ｗ以上の出力が要求されている。
２．投影レンズの高解像度化のために投影レンズの高ＮＡ化が進められている。高ＮＡ化にともなって、色収差が発生し、超狭帯域化（半値全幅０．２ｐｍ以下、または、全エネルギーの９５％が入る線幅０．５ｐｍ以下）が要求される。
３．レーザ光源の長寿命化が要求されている。
上記光源の要求を満たすために、ダブルチャンバ方式（２ステージ方式）のＡｒＦレーザが実用化されている。ダブルチャンバ方式のレーザ装置の形態としては、アンプ側に共振器ミラーを設けないＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amprifier ）方式と共振器ミラーを設けるＭＯＰＯ（Master Oscillator Power Oscillator）方式とに大別される。
しかし、出力９０Ｗのような高出力化のために、増幅器（ＰＡ）または増幅段レーザ（ＰＯ）の光学素子（特にチャンバウインドやＯＣ）負荷が大きくなり、これら光学素子の寿命が課題となっており、レーザ光源の長寿命化が要求されるようになってきている。
特許文献１には、ＭＯＰＡ方式のレーザ装置が開示されている。
特許文献１に記載のものは、発振段レーザ（ＭＯ）に狭帯域化するための狭帯域化モジュールを搭載し、スペクトル幅が非常に狭いレーザ光を出力し、このシード光を増幅器（ＰＡ）のチャンバの放電領域に注入してパワーを増幅することにより、超狭帯域かつ高出力を実現している。
また、特許文献２には、発振段レーザ（ＭＯ）からのシード光を、増幅段レーザ（ＰＯ）の低コヒーレンス共振器に注入するＭＯＰＯ方式のレーザ装置が提案されている。
低空間コヒーレンスのＭＯＰＯ方式を採用することにより、ＭＯＰＡ方式に比べて、ビーム品位をＭＯＰＡと同等に維持した状態で、高い増幅効率と長いパルス幅を実現している。
米国特許出願公開第２００２／０１５４６６８号明細書
国際公開第２００４／０９５６６１号パンフレット
特許文献１に記載のものは、発振段レーザ（ＭＯ）に狭帯域化するための狭帯域化モジュールを搭載し、スペクトル幅が非常に狭いレーザ光を出力し、このシード光を増幅器（ＰＡ）のチャンバの放電領域に注入してパワーを増幅することにより、超狭帯域かつ高出力を実現している。
また、特許文献２には、発振段レーザ（ＭＯ）からのシード光を、増幅段レーザ（ＰＯ）の低コヒーレンス共振器に注入するＭＯＰＯ方式のレーザ装置が提案されている。
低空間コヒーレンスのＭＯＰＯ方式を採用することにより、ＭＯＰＡ方式に比べて、ビーム品位をＭＯＰＡと同等に維持した状態で、高い増幅効率と長いパルス幅を実現している。
図７に、上述したＭＯＰＯ方式のレーザ装置の構成例を示す。同図は増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器として、ファブリペロ型の安定共振器を設置した例を示している。
同図において、発振段レーザ（ＭＯ）１０から放出されるレーザビームはシードレーザビームとして機能し、増幅段レーザ（ＰＯ）２０はそのシードレーザ光を増幅する機能を有する。発振段レーザ（ＭＯ）１０、増幅段レーザ（ＰＯ）２０は各々レーザチャンバ１１，２１を有し、それぞれ内部には対向し、かつ所定距離だけ離間した一対の電極１ａ、２ａが設置される。
また、発振段レーザ１０と増幅段レーザ２０のチャンバ１１，２１には、レーザ発振光に対して透過性がある材料によって作られたウィンドウ部材１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂがそれぞれ設置されている。
発振段レーザ（ＭＯ）１０はスペクトル線幅を狭くするため、拡大プリズム３ａとグレーティング（回折格子）３ｂによって構成された狭帯域化モジュール（ＬＮＭ）３を有し、この狭帯域化モジュール３内の光学素子と出力結合ミラー（ＯＣ）１４とでレーザ共振器を構成する。
同図において、発振段レーザ（ＭＯ）１０から放出されるレーザビームはシードレーザビームとして機能し、増幅段レーザ（ＰＯ）２０はそのシードレーザ光を増幅する機能を有する。発振段レーザ（ＭＯ）１０、増幅段レーザ（ＰＯ）２０は各々レーザチャンバ１１，２１を有し、それぞれ内部には対向し、かつ所定距離だけ離間した一対の電極１ａ、２ａが設置される。
また、発振段レーザ１０と増幅段レーザ２０のチャンバ１１，２１には、レーザ発振光に対して透過性がある材料によって作られたウィンドウ部材１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂがそれぞれ設置されている。
発振段レーザ（ＭＯ）１０はスペクトル線幅を狭くするため、拡大プリズム３ａとグレーティング（回折格子）３ｂによって構成された狭帯域化モジュール（ＬＮＭ）３を有し、この狭帯域化モジュール３内の光学素子と出力結合ミラー（ＯＣ）１４とでレーザ共振器を構成する。
ＬＮＭ３に配置されているグレーティング（回折格子）３ｂの分散方向（プリズムのビーム拡大方向）は電極１ａの放電方向に対して垂直方向になるように配置されている。
レーザチャンバ１１内にはバッファガスとＡｒガスとＦ2 ガスが満たされており、図示しない電源から電極１ａ間に電圧を印加することで放電し、この放電により励起されＡｒＦエキシマが形成される。
このＡｒＦエキシマからＡｒガスとＦに分離する時に１９３ｎｍの波長の光を発光する。１９３ｎｍの光をＬＮＭ３で波長選択することにより、スペクトル幅（半値全幅）約４００ｐｍ→０．２ｐｍまで狭帯域化して、発振段レーザ（ＭＯ）１０のＯＣ１４から出力される。
発振段レーザ１０からのＭＯレーザ光（シード光）は高反射ミラー４ａ，４ｂで反射され、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のリアミラー２６から注入される。このシード光に同期して、図示しない電源から放電電極２ａ間に電圧が印加され放電する。そして放電空間を透過したシード光は増幅され、増幅した光の一部は出力結合ミラー（ＯＣ）２４を透過してレーザとして出力し、ＯＣ２４の反射光は再びチャンバ２１内にフィードバックされ共振する。
レーザチャンバ１１内にはバッファガスとＡｒガスとＦ2 ガスが満たされており、図示しない電源から電極１ａ間に電圧を印加することで放電し、この放電により励起されＡｒＦエキシマが形成される。
このＡｒＦエキシマからＡｒガスとＦに分離する時に１９３ｎｍの波長の光を発光する。１９３ｎｍの光をＬＮＭ３で波長選択することにより、スペクトル幅（半値全幅）約４００ｐｍ→０．２ｐｍまで狭帯域化して、発振段レーザ（ＭＯ）１０のＯＣ１４から出力される。
発振段レーザ１０からのＭＯレーザ光（シード光）は高反射ミラー４ａ，４ｂで反射され、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のリアミラー２６から注入される。このシード光に同期して、図示しない電源から放電電極２ａ間に電圧が印加され放電する。そして放電空間を透過したシード光は増幅され、増幅した光の一部は出力結合ミラー（ＯＣ）２４を透過してレーザとして出力し、ＯＣ２４の反射光は再びチャンバ２１内にフィードバックされ共振する。
図７のレーザ装置において、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のレーザ出力を維持するために、リアミラー２６の表面に反射率が６０から９０％の膜がコートされている。このため、発振段レーザ（ＭＯ）１０が出力する出力の１０％から４０％しか、シード光として有効に増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器内に注入することができなかった。
以上のように図７に示した従来のＭＯＰＯ方式のレーザ装置は、ＭＯレーザ光の注入効率は、比較的低かった。
以上のように図７に示した従来のＭＯＰＯ方式のレーザ装置は、ＭＯレーザ光の注入効率は、比較的低かった。
図８に、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器として、リング共振器の安定共振器を設置し、ＭＯレーザ光をリング共振器内に注入するように構成したＭＯＰＯ方式のレーザ装置の構成例を示し、同図（ａ）は側面図を示し、同図（ｂ）は増幅段レーザ（ＰＯ）の上面図を示す。
発振段レーザ（ＭＯ）１０の構成及び動作は上記図７で説明したのと同様であり、発振段レーザ（ＭＯ）１０のＯＣ１４からは、狭帯域化されたＭＯレーザ光が出力される。 発振段レーザ１０からのＭＯレーザ光（シードレーザビーム）は高反射ミラー４ａ，４ｂ，４ｃを介して増幅段レーザ（ＰＯ）２０へ導かれ注入される。
増幅段レーザ（ＰＯ）２０は図８（ｂ）に示すように、光入射側に反射防止（ＡＲ）膜が施された部分反射（ＰＲ）ミラーであるＯＣ２４と、高反射ミラー５ａ，５ｂ，５ｃで構成されるリング共振器を有する。
発振段レーザ（ＭＯ）１０の構成及び動作は上記図７で説明したのと同様であり、発振段レーザ（ＭＯ）１０のＯＣ１４からは、狭帯域化されたＭＯレーザ光が出力される。 発振段レーザ１０からのＭＯレーザ光（シードレーザビーム）は高反射ミラー４ａ，４ｂ，４ｃを介して増幅段レーザ（ＰＯ）２０へ導かれ注入される。
増幅段レーザ（ＰＯ）２０は図８（ｂ）に示すように、光入射側に反射防止（ＡＲ）膜が施された部分反射（ＰＲ）ミラーであるＯＣ２４と、高反射ミラー５ａ，５ｂ，５ｃで構成されるリング共振器を有する。
発振段レーザ（ＭＯ）１０から出力されたビームは高反射ミラー４ａ，４ｂ，４ｃにより増幅段レーザ（ＰＯ）２０のリング共振器のＯＣ２４から注入され、高反射ミラー５ａ、５ｂ及び５ｃにより放電電極空間内で折り返される。このシード光に同期して、放電電極２ａ間に電圧が印加され放電する。そして放電空間を透過したシード光は増幅され、増幅した光の一部はＯＣ２４を透過してレーザとして出力し、ＯＣ２４の反射光は再びリング共振器の中にフィードバックされ共振する。また、レーザパルスとして出力される。ＯＣ２４の反射率が例えば２０〜３０％とするとＭＯから出力されたビームの８０〜７０％がリング共振器内に注入されることになり高い注入効率を得ることができる。
上記のようにリング共振器を用いることにより、高い注入効率を得ることができるものの、リング共振器を用いることにより以下のような問題点が生ずる。
（１）増幅段レーザ（ＰＯ）２０のリング共振器を構成するミラーのアライメント調整が困難である。
（２）リング共振器の往路と復路でレーザウインドを通過する光路が異なるため、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のレーザチャンバ２１のウインドを大きくする必要があり高価となっていた。
（３）ミラーの端部まで有効な研磨及びコートを必要としていた。
本発明は上述した従来の問題点を解決するためになされたものであって、高い注入効率でＭＯレーザ光を増幅段レーザ（ＰＯ）に注入することができ、ミラーのアライメントが容易な露光装置用レーザ装置を提供することを目的とする。
（１）増幅段レーザ（ＰＯ）２０のリング共振器を構成するミラーのアライメント調整が困難である。
（２）リング共振器の往路と復路でレーザウインドを通過する光路が異なるため、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のレーザチャンバ２１のウインドを大きくする必要があり高価となっていた。
（３）ミラーの端部まで有効な研磨及びコートを必要としていた。
本発明は上述した従来の問題点を解決するためになされたものであって、高い注入効率でＭＯレーザ光を増幅段レーザ（ＰＯ）に注入することができ、ミラーのアライメントが容易な露光装置用レーザ装置を提供することを目的とする。
上記課題を本発明においては、以下のように解決する。
（１）実施形態の一態様による露光装置用狭帯域レーザ装置は、狭帯域発振段レーザと共振器を配置した増幅段レーザとからなる注入同期式放電励起レーザ装置であって、前記増幅段レーザのレーザチャンバの出力側に、Ｐ偏光を部分反射し且つＳ偏光を高反射する反射膜でコートされた出力結合ミラーと、直線偏光を円偏光に及び円偏光を直線偏光に変換する第１のλ／４板と、第１の高反射ミラーとが配置され、前記増幅段レーザのレーザチャンバのリア側に、直線偏光を円偏光に及び円偏光を直線偏光に変換する第２のλ／４板と、第２の高反射ミラーとが配置され、前記発振段レーザからのレーザ光は、当該発振段レーザから直線偏光で出力され、該レーザ光は、前記出力結合ミラーにＳ偏光またはＰ偏光で導かれ、上記出力結合ミラーを介して上記第１のλ／４板および前記第１の高反射ミラーに順に入射し、前記第１の高反射ミラーで反射した前記レーザ光は、前記第１のλ／４板及び前記出力結合ミラーを介して上記共振器内に注入されてもよい。
（２）実施形態の他の態様による露光装置用狭帯域レーザ装置は、狭帯域発振段レーザと共振器を配置した増幅段レーザとからなる注入同期式放電励起レーザ装置であって、前記増幅段レーザのレーザチャンバの出力側に、Ｐ偏光を部分反射する反射膜でコートされた出力結合ミラーと、直線偏光の偏波面を９０度回転させるλ／２板と、第１の高反射ミラーと、Ｐ偏光を透過し且つＳ偏光を高反射するビームスプリッタとが配置され、前記増幅段レーザのレーザチャンバのリア側に、直線偏光を円偏光に及び円偏光を直線偏光に変換するλ／４板と、第２の高反射ミラーとが配置され、前記発振段レーザからのレーザ光は、当該発振段レーザから直線偏光で出力され、該レーザ光は、前記出力結合ミラーにＳ偏光またはＰ偏光で導かれ、上記出力結合ミラーを介して上記λ／２板および前記第１の高反射ミラーに順に入射し、前記第１の高反射ミラーで反射した前記レーザ光は、上記ビームスプリッタを介して上記共振器内に注入されてもよい。
（１）実施形態の一態様による露光装置用狭帯域レーザ装置は、狭帯域発振段レーザと共振器を配置した増幅段レーザとからなる注入同期式放電励起レーザ装置であって、前記増幅段レーザのレーザチャンバの出力側に、Ｐ偏光を部分反射し且つＳ偏光を高反射する反射膜でコートされた出力結合ミラーと、直線偏光を円偏光に及び円偏光を直線偏光に変換する第１のλ／４板と、第１の高反射ミラーとが配置され、前記増幅段レーザのレーザチャンバのリア側に、直線偏光を円偏光に及び円偏光を直線偏光に変換する第２のλ／４板と、第２の高反射ミラーとが配置され、前記発振段レーザからのレーザ光は、当該発振段レーザから直線偏光で出力され、該レーザ光は、前記出力結合ミラーにＳ偏光またはＰ偏光で導かれ、上記出力結合ミラーを介して上記第１のλ／４板および前記第１の高反射ミラーに順に入射し、前記第１の高反射ミラーで反射した前記レーザ光は、前記第１のλ／４板及び前記出力結合ミラーを介して上記共振器内に注入されてもよい。
（２）実施形態の他の態様による露光装置用狭帯域レーザ装置は、狭帯域発振段レーザと共振器を配置した増幅段レーザとからなる注入同期式放電励起レーザ装置であって、前記増幅段レーザのレーザチャンバの出力側に、Ｐ偏光を部分反射する反射膜でコートされた出力結合ミラーと、直線偏光の偏波面を９０度回転させるλ／２板と、第１の高反射ミラーと、Ｐ偏光を透過し且つＳ偏光を高反射するビームスプリッタとが配置され、前記増幅段レーザのレーザチャンバのリア側に、直線偏光を円偏光に及び円偏光を直線偏光に変換するλ／４板と、第２の高反射ミラーとが配置され、前記発振段レーザからのレーザ光は、当該発振段レーザから直線偏光で出力され、該レーザ光は、前記出力結合ミラーにＳ偏光またはＰ偏光で導かれ、上記出力結合ミラーを介して上記λ／２板および前記第１の高反射ミラーに順に入射し、前記第１の高反射ミラーで反射した前記レーザ光は、上記ビームスプリッタを介して上記共振器内に注入されてもよい。
本発明においては、偏光光を利用して発振段レーザ（ＭＯ）から出力されるＭＯレーザ光を増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器内に注入しているので、リング共振器を用いることなくＯＣから共振器内にシード光を注入することができ、前記図７に示したリアミラーから注入する場合に比べ、高い注入効率でシード光を注入することができる。すなわち、増幅段レーザのＯＣの反射率を２０％から３０％とすることができ、７０％から８０％の高い注入効率を得ることができる。
また、前記図８に示したようなリング共振器を用いていないので、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のアライメントが容易であり、安定して動作させることができる。
また、前記図８に示したようなリング共振器を用いていないので、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のアライメントが容易であり、安定して動作させることができる。
図１は本発明の第１実施例の露光装置用レーザ装置の構成を示す図であり、本実施例は、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器として、ファブリペロ型安定共振器を設置し、シード光の注入に偏光素子と波長板を用いてＯＣから注入した例を示している。
図１（ａ）はレーザの側面図、図１（ｂ）は増幅段レーザ（ＰＯ）の上面図である。
図１（ａ）において、発振段レーザ（ＭＯ）１０は、スペクトル線幅を狭くするため、拡大プリズム３ａとグレーティング（回折格子）３ｂによって構成された狭帯域化モジュール（ＬＮＭ）３を有する。
ＬＮＭ３の拡大プリズム３ａ及び発振段レーザ（ＭＯ）のチャンバ１１のウインド１２ａ，１２ｂは、ブリュースタ角で設置されており、図１（ａ）の紙面に対して垂直な偏波面でレーザ発振する。
この発振段レーザ（ＭＯ）１０から出力されたレーザ光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａにより反射し、このレーザ光はシード光としてビームスプリッタ（以下、ＢＳという）２５に４５度で入射する。ＢＳ２５の片面（チャンバ２１側）には、入射角度４５度でＰ、Ｓ偏光を分離するＰＳ分離膜がコートされ、他の片面（出力側）には反射防止（ＡＲ）膜がコートされている。
図１（ａ）はレーザの側面図、図１（ｂ）は増幅段レーザ（ＰＯ）の上面図である。
図１（ａ）において、発振段レーザ（ＭＯ）１０は、スペクトル線幅を狭くするため、拡大プリズム３ａとグレーティング（回折格子）３ｂによって構成された狭帯域化モジュール（ＬＮＭ）３を有する。
ＬＮＭ３の拡大プリズム３ａ及び発振段レーザ（ＭＯ）のチャンバ１１のウインド１２ａ，１２ｂは、ブリュースタ角で設置されており、図１（ａ）の紙面に対して垂直な偏波面でレーザ発振する。
この発振段レーザ（ＭＯ）１０から出力されたレーザ光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａにより反射し、このレーザ光はシード光としてビームスプリッタ（以下、ＢＳという）２５に４５度で入射する。ＢＳ２５の片面（チャンバ２１側）には、入射角度４５度でＰ、Ｓ偏光を分離するＰＳ分離膜がコートされ、他の片面（出力側）には反射防止（ＡＲ）膜がコートされている。
このＢＳ２５では上記Ｓ偏光（図１（ａ）の紙面に対して垂直な偏波面）は全反射する。この反射光はλ／４板２７を透過し円偏光に変換される。この円偏光に変換された発振段レーザ（ＭＯ）の出力レーザ光は、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器のＯＣ２４に入射し、このＯＣ２４から増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器中に、シード光として注入される。
ＯＣ２４の共振器側の片面には部分反射（ＰＲ）膜がコートされ、他の片面（出力側）には反射防止（ＡＲ）膜がコートされている。
上記シード光は増幅段レーザ（ＰＯ）２０のチャンバ２１のウインド２２ａを介して、放電電極ギャップ間を透過して増幅される。
このレーザ光はチャンバ２１のウインド２２ｂを透過して高反射膜がコートされたリアミラー２６に入反射して再びチャンバ２１のウインド２２ｂを透過して、放電電極ギャップ間を透過して増幅される。そして、ＯＣ２４により一部が反射されて再び増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器内に戻される。円偏光でＯＣ２４から出力したレーザ光は再びλ／４板２７により、図１（ａ）の紙面を含む偏波面に変換される。この偏光状態の光はＢＳ２５に対してＰ偏光成分の光なのでほとんど全てＢＳ２５を透過し出力レーザ光として取り出される。
ＯＣ２４の共振器側の片面には部分反射（ＰＲ）膜がコートされ、他の片面（出力側）には反射防止（ＡＲ）膜がコートされている。
上記シード光は増幅段レーザ（ＰＯ）２０のチャンバ２１のウインド２２ａを介して、放電電極ギャップ間を透過して増幅される。
このレーザ光はチャンバ２１のウインド２２ｂを透過して高反射膜がコートされたリアミラー２６に入反射して再びチャンバ２１のウインド２２ｂを透過して、放電電極ギャップ間を透過して増幅される。そして、ＯＣ２４により一部が反射されて再び増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器内に戻される。円偏光でＯＣ２４から出力したレーザ光は再びλ／４板２７により、図１（ａ）の紙面を含む偏波面に変換される。この偏光状態の光はＢＳ２５に対してＰ偏光成分の光なのでほとんど全てＢＳ２５を透過し出力レーザ光として取り出される。
ここで、本実施例において、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器内は円偏光の状態で共振するのでチャンバ２１に設けられたウインド２２ａ，２２ｂの反射防止（ＡＲ）膜のコートはＰ及びＳ偏光に対する反射防止膜をコートする必要がある。
本実施例のメリットは、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができることである。また、前記図８に示したリング共振器を用いたもと比べ、共振器のアライメントが容易であり、動作も安定している。
本実施例のメリットは、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができることである。また、前記図８に示したリング共振器を用いたもと比べ、共振器のアライメントが容易であり、動作も安定している。
図２は本発明の第２の実施例の露光装置用レーザ装置の構成を示す図であり、図２（ａ）はレーザの側面図、図２（ｂ）は増幅段レーザ（ＰＯ）の上面図である。
図１に示した実施例と異なる点は、レーザの最終出力ビームの偏波面が図２（ａ）の側面図において紙面に対して垂直に出力されるように、発振段レーザ（ＭＯ）１０から出力されたビームの偏波面をλ／２板を透過させることにより、図２（ａ）の紙面を含む偏波面に変換して、ＢＳ２５のＰＳ分離膜に対してＳ偏光として入射させている点である。
図２（ａ）において、前述したように発振段レーザ（ＭＯ）１０のＬＮＭ３の拡大プリズム３ａ及びチャンバ１１のウインド１１ａ，１１ｂがブリュースタ角で設置されており、図２（ａ）の紙面に対して垂直な偏波面の直線偏光でレーザ発振する。
この発振段レーザ（ＭＯ）１０から出力されたレーザ光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａ及び４ｂを介して、λ／２板２８に入射する。
図１に示した実施例と異なる点は、レーザの最終出力ビームの偏波面が図２（ａ）の側面図において紙面に対して垂直に出力されるように、発振段レーザ（ＭＯ）１０から出力されたビームの偏波面をλ／２板を透過させることにより、図２（ａ）の紙面を含む偏波面に変換して、ＢＳ２５のＰＳ分離膜に対してＳ偏光として入射させている点である。
図２（ａ）において、前述したように発振段レーザ（ＭＯ）１０のＬＮＭ３の拡大プリズム３ａ及びチャンバ１１のウインド１１ａ，１１ｂがブリュースタ角で設置されており、図２（ａ）の紙面に対して垂直な偏波面の直線偏光でレーザ発振する。
この発振段レーザ（ＭＯ）１０から出力されたレーザ光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａ及び４ｂを介して、λ／２板２８に入射する。
このλ／２板２８を透過した光は、図２（ｂ）に示すように、偏波面を９０度まわした直線偏光（図２（ｂ）の紙面に対して垂直な直線偏光）に変換される。
そして、高入射角度で高反射ミラー４ｃを入射して反射し、前述した片面（チャンバ２１側）にＰＳ分離膜、他の片面（出力側）に反射防止（ＡＲ）膜をコートしたＢＳ２５に高入射角度で入射する。
このＢＳ２５のＰＳ分離膜に対してＳ偏光（図２（ｂ）の紙面に対して垂直な偏光）は全反射する。この反射光はλ／４板２７を透過し円偏光に変換される。この円偏光に変換されたレーザ光は、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器のＯＣ２４に入射する。ＯＣ２４の共振器側の片面には前述したように部分反射（ＰＲ）膜がコートされ、他の片面（出力側）には反射防止（ＡＲ）膜がコートされている。
そして、高入射角度で高反射ミラー４ｃを入射して反射し、前述した片面（チャンバ２１側）にＰＳ分離膜、他の片面（出力側）に反射防止（ＡＲ）膜をコートしたＢＳ２５に高入射角度で入射する。
このＢＳ２５のＰＳ分離膜に対してＳ偏光（図２（ｂ）の紙面に対して垂直な偏光）は全反射する。この反射光はλ／４板２７を透過し円偏光に変換される。この円偏光に変換されたレーザ光は、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器のＯＣ２４に入射する。ＯＣ２４の共振器側の片面には前述したように部分反射（ＰＲ）膜がコートされ、他の片面（出力側）には反射防止（ＡＲ）膜がコートされている。
そして、このＯＣ２４から増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器中にシード光として注入され、チャンバ２１のウインド２２ａを介して、放電電極ギャップ間を透過して増幅される。このレーザ光はウインド２２ｂを透過して高反射膜がコートされたリアミラー２６に入反射して再びチャンバ２１のウインド２２ｂを透過して、放電電極ギャップ間を透過して増幅される。また、ＯＣ２４により一部が反射されて再び増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器内に戻される。
円偏光でＯＣ２４から出力したレーザ光は再びλ／４板２７により、図２（ｂ）の紙面を含む偏波面の直線偏光に変換される。この直線偏光はＢＳ２５に対してＰ偏光成分の光であり、ほとんど全てＢＳ２５を透過し出力レーザ光として取り出される。
この場合の偏光方向は、前記図１に示した第１の実施例に対して、９０度変化した状態となっている。
円偏光でＯＣ２４から出力したレーザ光は再びλ／４板２７により、図２（ｂ）の紙面を含む偏波面の直線偏光に変換される。この直線偏光はＢＳ２５に対してＰ偏光成分の光であり、ほとんど全てＢＳ２５を透過し出力レーザ光として取り出される。
この場合の偏光方向は、前記図１に示した第１の実施例に対して、９０度変化した状態となっている。
ここで、本実施例において、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器内は円偏光の状態で共振するのでウインド２２ａ，２２ｂの反射防止（ＡＲ）膜のコートはＰ及びＳ偏光に対する反射防止膜をコートする必要がある。
本実施例のメリットは、前記実施例と同様、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができる。また、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のアライメントが容易であり、その動作は安定している。
また、上述した図１に示した実施例に対するメリットは、発振段レーザ（ＭＯ）と同じ偏波面の直線偏光を出力することが可能となることである。本実施例では、このような発振段レーザ（ＭＯ）と同じ偏波面の直線偏光を出力することが可能であるので、出力レーザ光の先の光路にλ／２板を配置して、偏光方向を元に戻す必要がなくなる。
また、一般に短波長域でのＰ、Ｓ偏光を分離する膜の入射角度は６０から７０度とすることで、耐久性及び効率（Ｐ偏光に対して高い透過率、Ｓ偏光に対して高い反射率）を維持することができる。図２の実施例では、高反射ミラー４ｃをＳ偏光に対して高反射角度の多層膜をコートして、この高反射ミラー４ｃにより反射させて、高入射角度６０から７０度でＢＳ２５に入射させることができるため、効率よく出力レーザ光を取り出すことが可能となるとともに、耐久性を高めることができる。
本実施例のメリットは、前記実施例と同様、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができる。また、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のアライメントが容易であり、その動作は安定している。
また、上述した図１に示した実施例に対するメリットは、発振段レーザ（ＭＯ）と同じ偏波面の直線偏光を出力することが可能となることである。本実施例では、このような発振段レーザ（ＭＯ）と同じ偏波面の直線偏光を出力することが可能であるので、出力レーザ光の先の光路にλ／２板を配置して、偏光方向を元に戻す必要がなくなる。
また、一般に短波長域でのＰ、Ｓ偏光を分離する膜の入射角度は６０から７０度とすることで、耐久性及び効率（Ｐ偏光に対して高い透過率、Ｓ偏光に対して高い反射率）を維持することができる。図２の実施例では、高反射ミラー４ｃをＳ偏光に対して高反射角度の多層膜をコートして、この高反射ミラー４ｃにより反射させて、高入射角度６０から７０度でＢＳ２５に入射させることができるため、効率よく出力レーザ光を取り出すことが可能となるとともに、耐久性を高めることができる。
図３に上記第２の実施例の変形例を示し、図２に示した実施例と異なる点は、発振段レーザ（ＭＯ）のレーザ光をλ／２板によりＰ偏光としてＢＳ２５のＰＳ分離膜を透過させて、λ／４及びＯＣ２４を介して、増幅段レーザに注入し、また、増幅段レーザ（ＰＯ）からＯＣ２４を介して出力されλ／４板２７によりＳ偏光に変換されたエネルギの大きなレーザ光をＢＳのＰＳ分離膜で高反射させて出力レーザ光として出力させている点である。
図３（ａ）にレーザの側面図を示し、図３（ｂ）に増幅段レーザ（ＰＯ）の上面図を示す。
図３（ａ）において、前述したように発振段レーザ（ＭＯ）１０はＬＮＭ３の拡大プリズム３ａ及びチャンバ１１のウインド１１ａ．１１ｂがブリュースタ角で設置されており、図３（ａ）の紙面に対して垂直な偏波面の直線偏光でレーザ発振する。この発振段レーザ（ＭＯ）１０から出力されたレーザ光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａ及び４ｂを介して、λ／２板２８に入射し、λ／２板２８を透過して、図３（ａ）の紙面に平行な直線偏光に変換される。
図３（ａ）にレーザの側面図を示し、図３（ｂ）に増幅段レーザ（ＰＯ）の上面図を示す。
図３（ａ）において、前述したように発振段レーザ（ＭＯ）１０はＬＮＭ３の拡大プリズム３ａ及びチャンバ１１のウインド１１ａ．１１ｂがブリュースタ角で設置されており、図３（ａ）の紙面に対して垂直な偏波面の直線偏光でレーザ発振する。この発振段レーザ（ＭＯ）１０から出力されたレーザ光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａ及び４ｂを介して、λ／２板２８に入射し、λ／２板２８を透過して、図３（ａ）の紙面に平行な直線偏光に変換される。
ＢＳ２５の片面（チャンバ側）には、ＰＳ分離膜がコートされ、ＰＳ分離膜は紙面に平行な直線偏光成分がＰ偏光で透過するように配置され、他方の片面には反射防止膜がコートされている。
ＢＳ２５のＰＳ分離膜を透過したＰ偏光のシード光は、λ／４板２７により円偏光に変換され、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のＯＣ２４に入射する。ＯＣ２４には前述したように共振器側の片面には部分反射（ＰＲ）膜がコートされ、他の片面（出力側）には反射防止（ＡＲ）膜がコートされている。
このＯＣ２４から増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器中にシード光が注入されチャンバ２１のウインド２２ａを介して、放電電極２ａのギャップ間を透過して増幅され、ウインド２２ｂを透過して高反射膜がコートされたリアミラー２６に入反射して再びチャンバ２１のウインド２２ｂを透過する。そして、放電電極２ａのギャップ間を透過して増幅され、ＯＣ２４により一部が反射されて、再び共振器内に戻される。
一方、円偏光でＯＣ２４から出力したレーザ光は再びλ／４板２７により、図３（ａ）の紙面に対して垂直な直線偏光に変換され、ＢＳ２５のＰＳ分離膜にＳ偏光として入射し、ＢＳ２５で高反射する。そして、高反射ミラー４ｃにより高反射されて、出力レーザ光として出力される。
ＢＳ２５のＰＳ分離膜を透過したＰ偏光のシード光は、λ／４板２７により円偏光に変換され、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のＯＣ２４に入射する。ＯＣ２４には前述したように共振器側の片面には部分反射（ＰＲ）膜がコートされ、他の片面（出力側）には反射防止（ＡＲ）膜がコートされている。
このＯＣ２４から増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器中にシード光が注入されチャンバ２１のウインド２２ａを介して、放電電極２ａのギャップ間を透過して増幅され、ウインド２２ｂを透過して高反射膜がコートされたリアミラー２６に入反射して再びチャンバ２１のウインド２２ｂを透過する。そして、放電電極２ａのギャップ間を透過して増幅され、ＯＣ２４により一部が反射されて、再び共振器内に戻される。
一方、円偏光でＯＣ２４から出力したレーザ光は再びλ／４板２７により、図３（ａ）の紙面に対して垂直な直線偏光に変換され、ＢＳ２５のＰＳ分離膜にＳ偏光として入射し、ＢＳ２５で高反射する。そして、高反射ミラー４ｃにより高反射されて、出力レーザ光として出力される。
本実施例の場合も、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器内は円偏光の状態で共振するので、チャンバ２１のウインド２２ａ，２２ｂの反射防止（ＡＲ）膜のコートはＰ及びＳ偏光に対する反射防止膜をコートする必要がある。
本実施例のメリットは、前記した実施例と同様、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができ、ＰＯ共振器のアライメントが容易で安定していることである。
また、図１の実施例に対するメリットは、図２の実施例と同様、発振段レーザ（ＭＯ）１０の出力と同じ偏波面の直線偏光を出力することが可能となることである。これにより、互換性を維持するために、出力レーザ光の先の光路にλ／２板を配置して、偏光方向を元に戻す必要がなくなる。
本実施例のメリットは、前記した実施例と同様、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができ、ＰＯ共振器のアライメントが容易で安定していることである。
また、図１の実施例に対するメリットは、図２の実施例と同様、発振段レーザ（ＭＯ）１０の出力と同じ偏波面の直線偏光を出力することが可能となることである。これにより、互換性を維持するために、出力レーザ光の先の光路にλ／２板を配置して、偏光方向を元に戻す必要がなくなる。
また、一般に、短波長域でのＰＳを分離する膜の入射角度は６０から７０度とすることで、耐久性及び効率を維持することができる。図３の実施例では、図２の実施例と同様、高反射ミラー４ｃにＳ偏光に対して高反射角度の多層膜をコートし、ＢＳ２５に高入射角度６０から７０度で出力レーザ光を入射させているので、効率よく出力レーザ光を取り出すことが可能となる。
さらに、図２の実施例に対するメリットとしては、エネルギの弱いＰ偏光の注入光をＢＳ２５のＰＳ分離膜を透過させて、エネルギの高いＳ偏光の出力光をＢＳ２５で反射させるように構成しているため、ＢＳ２５のＰＳ分離膜の耐久性が図２の実施例に比べて高くなることである。
さらに、図２の実施例に対するメリットとしては、エネルギの弱いＰ偏光の注入光をＢＳ２５のＰＳ分離膜を透過させて、エネルギの高いＳ偏光の出力光をＢＳ２５で反射させるように構成しているため、ＢＳ２５のＰＳ分離膜の耐久性が図２の実施例に比べて高くなることである。
図４は、本発明の第３実施例の露光装置用レーザ装置の構成を示す図であり、本実施例は、ＰＳ分離膜をつけた基板を増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器中に配置して、ＯＣとしての機能も兼用した場合の実施例を示す。
図４は、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の上面図を示し、発振段レーザ（ＭＯ）を含む側面図は図２、図３と同じである。
図４において、前述したように発振段レーザ（ＭＯ）の出力光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａおよび４ｂで反射し、高反射ミラー４ｃにより、図４の紙面を含む面と同一偏波面の直線偏光でＯＣ２４に入射する。
ここで、ＯＣ２４は、片面（チャンバ２１側）に入射角度４５度でＰ偏光透過、Ｓ偏光を高反射する膜がコートされており、もう一方の片面（出力側）には、Ｐ偏光を２０％から３０％反射する膜がコートされている。
図４は、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の上面図を示し、発振段レーザ（ＭＯ）を含む側面図は図２、図３と同じである。
図４において、前述したように発振段レーザ（ＭＯ）の出力光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａおよび４ｂで反射し、高反射ミラー４ｃにより、図４の紙面を含む面と同一偏波面の直線偏光でＯＣ２４に入射する。
ここで、ＯＣ２４は、片面（チャンバ２１側）に入射角度４５度でＰ偏光透過、Ｓ偏光を高反射する膜がコートされており、もう一方の片面（出力側）には、Ｐ偏光を２０％から３０％反射する膜がコートされている。
このＯＣ２４を透過したシード光はλ／４板２７ａを透過し、円偏光に変換され高反射ミラー４ｄにより戻され、再びλ／４板２７ａを透過して、紙面に対して垂直な偏波面の直線偏光に変換される。そして、ＯＣ２４にＳ偏光として入射する。
このＯＣ２４では、Ｓ偏光が高反射され、シード光はチャンバ２１のウインド２２ａを介して、放電電極２ａのギャップ間を透過して増幅され、ウインド２２ｂを透過して、λ／４板２７ｂを透過して円偏光に変換される。この光は高反射膜がコートされたリアミラー２６に入反射して再びλ／４板２７ｂを透過して、紙面を含む面の偏波面の直線偏光に変換される。
この直線偏光はチャンバ２１のウインド２２ｂを透過して、放電電極２ａのギャップ間を透過増幅してＯＣ２４にＰ偏光として入射し、ＰＳ分離膜を透過する。そして、ＯＣ２４のＰ偏光を部分反射する膜で一部が反射されてフィードバック光として再びλ／４板１に入射して共振する。
このＯＣ２４では、Ｓ偏光が高反射され、シード光はチャンバ２１のウインド２２ａを介して、放電電極２ａのギャップ間を透過して増幅され、ウインド２２ｂを透過して、λ／４板２７ｂを透過して円偏光に変換される。この光は高反射膜がコートされたリアミラー２６に入反射して再びλ／４板２７ｂを透過して、紙面を含む面の偏波面の直線偏光に変換される。
この直線偏光はチャンバ２１のウインド２２ｂを透過して、放電電極２ａのギャップ間を透過増幅してＯＣ２４にＰ偏光として入射し、ＰＳ分離膜を透過する。そして、ＯＣ２４のＰ偏光を部分反射する膜で一部が反射されてフィードバック光として再びλ／４板１に入射して共振する。
本実施例では、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器内ではＯＣ２４に対してＳ偏光（往路）とＰ偏光（復路）の状態で共振するのでレーザのウインドの反射防止（ＡＲ）膜のコートはＰ及びＳ偏光に対する反射防止膜をコートする必要がある。
また、この実施例ではＯＣ２４として、片面にＰＳ分離膜（Ｐ偏光透過、Ｓ偏光高反射）、もう片面はＰ偏光部分反射膜をコートしたがこれに限定されることなく、片面Ｐ偏光３０％反射、かつＳ偏光高反射膜をコートし、もう片面を反射防止（ＡＲ）膜のコートをしてもよい。
本実施例のメリットは、前述した実施例と同様、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができ、また、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のアライメントが容易で安定していることである。
また、この実施例ではＯＣ２４として、片面にＰＳ分離膜（Ｐ偏光透過、Ｓ偏光高反射）、もう片面はＰ偏光部分反射膜をコートしたがこれに限定されることなく、片面Ｐ偏光３０％反射、かつＳ偏光高反射膜をコートし、もう片面を反射防止（ＡＲ）膜のコートをしてもよい。
本実施例のメリットは、前述した実施例と同様、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができ、また、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のアライメントが容易で安定していることである。
図５に図４に示した第３の実施例の変形例を示す。
図５は、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の上面図を示し、発振段レーザ（ＭＯ）を含む側面図は図２、図３と同じである。
図５において、前述したように発振段レーザ（ＭＯ）の出力光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａおよび４ｂで反射し、高反射ミラー４ｃにより、図４の紙面を含む面と同一偏波面の直線偏光でＯＣ２４に入射する。
ここで、ＯＣ２４は、片面（チャンバ２１側）に入射角度３０度でＰ偏光に対する反射防止（ＡＲ）膜がコートされ、もう一方の片面（出力側）には、Ｐ偏光を２０％から３０％反射する膜がコートされている。
このＯＣ２４を透過したシード光はλ／２板２８を透過し、紙面に対して垂直な偏波面の直線偏光に変換され高反射ミラー４ｄにより、入射角度３０度で高反射される。そして、ＢＳ２５に入射角度６０度でＳ偏光として入射する。
図５は、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の上面図を示し、発振段レーザ（ＭＯ）を含む側面図は図２、図３と同じである。
図５において、前述したように発振段レーザ（ＭＯ）の出力光は偏波面を維持した状態で高反射ミラー４ａおよび４ｂで反射し、高反射ミラー４ｃにより、図４の紙面を含む面と同一偏波面の直線偏光でＯＣ２４に入射する。
ここで、ＯＣ２４は、片面（チャンバ２１側）に入射角度３０度でＰ偏光に対する反射防止（ＡＲ）膜がコートされ、もう一方の片面（出力側）には、Ｐ偏光を２０％から３０％反射する膜がコートされている。
このＯＣ２４を透過したシード光はλ／２板２８を透過し、紙面に対して垂直な偏波面の直線偏光に変換され高反射ミラー４ｄにより、入射角度３０度で高反射される。そして、ＢＳ２５に入射角度６０度でＳ偏光として入射する。
このＢＳ２５の片面（チャンバ側）には６０度入射で、Ｓ偏光を高反射、Ｐ偏光を透過する膜ともう片面（出力側）にはＰ偏光に対して反射防止（ＡＲ）膜がコートがされている。このＢＳ２５では、Ｐ偏光（シード光）が高反射され、シード光はチャンバ２１のウインド２２ａを介して、放電電極２ａのギャップ間を透過して増幅され、ウインド２２ｂを透過して、λ／４板２７を透過して円偏光に変換される。
この光は高反射膜がコートされたリアミラー２６に入反射して再びλ／４板２７を透過して、紙面に平行な面の偏波面の直線偏光に変換される。この直線偏光はチャンバ２１のウインド２２ｂを透過して、放電電極ギャップ２ａ間を透過して増幅され、ウインド２２ａを介してＢＳ２５にＰ偏光として入射する。そしてＰＳ分離膜を透過する。そして、Ｐ偏光に対して部分反射するＯＣ２４で一部が反射されてフィードバック光として再びλ／２板２８に入射して共振する。
この光は高反射膜がコートされたリアミラー２６に入反射して再びλ／４板２７を透過して、紙面に平行な面の偏波面の直線偏光に変換される。この直線偏光はチャンバ２１のウインド２２ｂを透過して、放電電極ギャップ２ａ間を透過して増幅され、ウインド２２ａを介してＢＳ２５にＰ偏光として入射する。そしてＰＳ分離膜を透過する。そして、Ｐ偏光に対して部分反射するＯＣ２４で一部が反射されてフィードバック光として再びλ／２板２８に入射して共振する。
ここで、増幅段レーザ（ＰＯ）２０の共振器内ではＯＣ２４に対してＳ偏光（往路）とＰ偏光（復路）の状態で共振するのでウインド２２ａ，２２ｂの反射防止（ＡＲ）膜のコートはＰ及びＳ偏光に対する反射防止膜をコートする必要がある。
本実施例のメリットは、前述した実施例と同様、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができ、また、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のアライメントが容易で安定していることである。
また、前述した実施例に対するメリットは、リング共振器のように注入光軸と出力されるレーザ光軸がクロスしているので、増幅段レーザ（ＰＯ）２０で増幅された出力光が発振段レーザ（ＭＯ）１０まで戻ることがなく、発振段レーザ（ＭＯ）１０が安定に発振することができる点にある。
本実施例のメリットは、前述した実施例と同様、増幅段レーザ（ＰＯ）２０のＯＣ２４の反射率が２０％から３０％で動作するので、注入効率が７０％から８０％の高い効率を得ることができ、また、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器のアライメントが容易で安定していることである。
また、前述した実施例に対するメリットは、リング共振器のように注入光軸と出力されるレーザ光軸がクロスしているので、増幅段レーザ（ＰＯ）２０で増幅された出力光が発振段レーザ（ＭＯ）１０まで戻ることがなく、発振段レーザ（ＭＯ）１０が安定に発振することができる点にある。
ＡｒＦレーザのような真空紫外域で使用される上述したλ／４板、λ／２板のようなの波長板の具体例としては、複屈折結晶ＭｇＦ2 またはＳｉＯ2 の高純度で欠陥の少ない結晶からなる波長板（エアギャップ式の０次オーダーの波長板）が考えられる。
なお、高純度で欠陥の少ない低光吸収のＣａＦ2 結晶の１１０面の真性複屈折を利用した波長板、あるいは、ＭｇＦ2 とＧｄＦ3 等のようなフッ化物の誘電体多層膜による反射型の波長板でもよい。さらに、全反射によるフレネル反射を利用した波長板（ＣａＦ2 等）でもよい。
なお、高純度で欠陥の少ない低光吸収のＣａＦ2 結晶の１１０面の真性複屈折を利用した波長板、あるいは、ＭｇＦ2 とＧｄＦ3 等のようなフッ化物の誘電体多層膜による反射型の波長板でもよい。さらに、全反射によるフレネル反射を利用した波長板（ＣａＦ2 等）でもよい。
図６にＡｒＦレーザのような真空紫外域で使用される波長板の具体例を示す。
図６（ａ）に、エアギャップ式の０次オーダのλ／４板の例を示す。
例えば、同図（ａ−１）に示すようにＭｇＦ2 から形成される厚みをコントロールした基板３１ａ，３１ｂを２枚平行にホルダ３２に設置して、同図（ａ−２）に示すように直線偏光の光を光学軸に対して４５度の角度で、入射させる。これにより、波長板を透過した光は円偏光に変換される。
ＭｇＦ2 結晶は複屈折性をもつ結晶であり、例えば、屈折率の高い結晶軸方向の偏光成分の屈折率はｎe=１．４４８、低い結晶軸の方向偏光成分の屈折率はｎｏ= １．４３４である。ここで、ＭｇＦ2 の厚みをｄとすると、位相のずれの次数ｍは次式（１）であらわされる。
ｍ＝２（ｎｅ−ｎｏ）ｄ／λ…（１）
例えば、波長はＡｒＦレーザの波長１９３．４ｎｍ、結晶の厚みｄ= ９７．７１μｍで作成したとすると、位相のずれの次数はｍ＝２４．２５となり、一枚の基板で構成してもλ／４板として機能する。ただし、この場合マルチオーダの波長板となるため、高出力のＡｒＦレーザの場合ＭｇＦ2 材料の光の吸収により熱が発生し、熱応力により応力複屈折が発生して、波長板の位相差が変化し、λ／４板としての機能を果たさなくなる。
図６（ａ）に、エアギャップ式の０次オーダのλ／４板の例を示す。
例えば、同図（ａ−１）に示すようにＭｇＦ2 から形成される厚みをコントロールした基板３１ａ，３１ｂを２枚平行にホルダ３２に設置して、同図（ａ−２）に示すように直線偏光の光を光学軸に対して４５度の角度で、入射させる。これにより、波長板を透過した光は円偏光に変換される。
ＭｇＦ2 結晶は複屈折性をもつ結晶であり、例えば、屈折率の高い結晶軸方向の偏光成分の屈折率はｎe=１．４４８、低い結晶軸の方向偏光成分の屈折率はｎｏ= １．４３４である。ここで、ＭｇＦ2 の厚みをｄとすると、位相のずれの次数ｍは次式（１）であらわされる。
ｍ＝２（ｎｅ−ｎｏ）ｄ／λ…（１）
例えば、波長はＡｒＦレーザの波長１９３．４ｎｍ、結晶の厚みｄ= ９７．７１μｍで作成したとすると、位相のずれの次数はｍ＝２４．２５となり、一枚の基板で構成してもλ／４板として機能する。ただし、この場合マルチオーダの波長板となるため、高出力のＡｒＦレーザの場合ＭｇＦ2 材料の光の吸収により熱が発生し、熱応力により応力複屈折が発生して、波長板の位相差が変化し、λ／４板としての機能を果たさなくなる。
そこで、図６（ａ）に示すように、２枚のＭｇＦ2 板を厚みをコントロールして作成し、０次オーダの波長板を作成する方法が用いられる。
この例として例えば、１枚目のＭｇＦ2 基板の厚みｄ１= ９７．７１μｍとして、２枚目のＭｇＦ2 基板の厚みｄ２＝９６．７０μｍで製作する。２枚目の結晶の位相差の次数ｍは２４となる。
そして、１枚目のＭｇＦ2 基板と２枚目のＭｇＦ2 基板の光学軸を直交させて配置することにより、２枚のＭｇＦ2 基板を透過すると２４．２５−２４＝０．２５の位相差となり、０次オーダの波長板を製作できる。
この場合高出力のレーザ光を吸収して熱応力が発生して位相差の次数が多少変化したとしても、２枚のＭｇＦ2 板でキャンセルするので、高出力ＡｒＦレーザに使用できる。また、各ＭｇＦ2 基板の両面には反射防止（ＡＲ）膜がコートされており、フレネル反射によるロスを低減している。
この例として例えば、１枚目のＭｇＦ2 基板の厚みｄ１= ９７．７１μｍとして、２枚目のＭｇＦ2 基板の厚みｄ２＝９６．７０μｍで製作する。２枚目の結晶の位相差の次数ｍは２４となる。
そして、１枚目のＭｇＦ2 基板と２枚目のＭｇＦ2 基板の光学軸を直交させて配置することにより、２枚のＭｇＦ2 基板を透過すると２４．２５−２４＝０．２５の位相差となり、０次オーダの波長板を製作できる。
この場合高出力のレーザ光を吸収して熱応力が発生して位相差の次数が多少変化したとしても、２枚のＭｇＦ2 板でキャンセルするので、高出力ＡｒＦレーザに使用できる。また、各ＭｇＦ2 基板の両面には反射防止（ＡＲ）膜がコートされており、フレネル反射によるロスを低減している。
図６（ｂ）にＣａＦ2 結晶の真性複屈折性を利用したファーストオーダの波長板の例を示す。
ＣａＦ2 結晶の１９３．４ｎｍにおける真性複屈折Δｎは、［１１０］軸の屈折率ｎ［１１０］と［００１］軸の屈折率ｎ［００１］とすると次式（２）のようになる。
Δｎ＝ｎ［１１０］−ｎ［００１］＝３．４ｎｍ／ｃｍ…（２）
そこで、ファーストオーダのλ／４＝１９３．４／４＝４８．５ｎｍ、として機能するための結晶の厚みＬはＬ＝４８．３５／３．４＝１４．２２ｃｍとなる。
図６（ｂ−１）に示すようにＣａＦ2 結晶で、［１１０］軸方向長さＬの結晶３３を製作する。そして、図６（ｂ−２）に示すように、この結晶に［１１０］軸方向入射光とこの結晶に入射する直線偏光の偏光面の角度が４５度になるように入射させることにより、この結晶を透過した光は円偏光に変換されλ／４板として機能する。
近年ＣａＦ2 結晶の１９３ｎｍに対して低吸収の材料が開発されてきているので、結晶の厚みが厚くなっても熱応力による位相差の変化は小さくできる。
ＣａＦ2 結晶の１９３．４ｎｍにおける真性複屈折Δｎは、［１１０］軸の屈折率ｎ［１１０］と［００１］軸の屈折率ｎ［００１］とすると次式（２）のようになる。
Δｎ＝ｎ［１１０］−ｎ［００１］＝３．４ｎｍ／ｃｍ…（２）
そこで、ファーストオーダのλ／４＝１９３．４／４＝４８．５ｎｍ、として機能するための結晶の厚みＬはＬ＝４８．３５／３．４＝１４．２２ｃｍとなる。
図６（ｂ−１）に示すようにＣａＦ2 結晶で、［１１０］軸方向長さＬの結晶３３を製作する。そして、図６（ｂ−２）に示すように、この結晶に［１１０］軸方向入射光とこの結晶に入射する直線偏光の偏光面の角度が４５度になるように入射させることにより、この結晶を透過した光は円偏光に変換されλ／４板として機能する。
近年ＣａＦ2 結晶の１９３ｎｍに対して低吸収の材料が開発されてきているので、結晶の厚みが厚くなっても熱応力による位相差の変化は小さくできる。
図６（ｃ）に反射型の波長板の実施例を示す。
例えば、ＣａＦ2 基板上に４５度の入射角度で高反射し、λ／８位相を変化させる誘電帯多層膜を施す。このミラー３４に、同図に示すように、直線偏光で４５度の入射角度で入射反射させる。
このとき、このミラー３４を入反射する光を含む面と、入射した直線偏光の偏光方向が４５度の角度をつけて高反射する反射光はλ／８だけ位相がずれた楕円偏光となる。
そして、同様にもう一枚のＣａＦ2 基板３４上に４５度の入射角度で高反射し、λ／８位相を変化させる高反射膜で同様な入射角度で反射させることにより、さらにλ／８位相がずれて、円偏光に変換される。
このようにして、２枚のλ／８板を２枚使用することにより、トータルとしてλ／４板としての機能を果たしている。
例えば、ＣａＦ2 基板上に４５度の入射角度で高反射し、λ／８位相を変化させる誘電帯多層膜を施す。このミラー３４に、同図に示すように、直線偏光で４５度の入射角度で入射反射させる。
このとき、このミラー３４を入反射する光を含む面と、入射した直線偏光の偏光方向が４５度の角度をつけて高反射する反射光はλ／８だけ位相がずれた楕円偏光となる。
そして、同様にもう一枚のＣａＦ2 基板３４上に４５度の入射角度で高反射し、λ／８位相を変化させる高反射膜で同様な入射角度で反射させることにより、さらにλ／８位相がずれて、円偏光に変換される。
このようにして、２枚のλ／８板を２枚使用することにより、トータルとしてλ／４板としての機能を果たしている。
誘電帯多層膜による波長板は反射型の波長板であるため、熱応力による応力複屈折が発生せず、レーザ発振のデューティ変化（レーザ発振した時間／（レーザ発振した時間＋休止時間））による位相の変化が少ない。そして、誘電帯の多層膜で高反射膜を構成しているので、耐久性に優れている。この誘電帯多層膜はＭｇＦ2 とＧｄＦ3 の組合せやＭｇＦ2 とＬａＦ3 の組合せたフッ化物でよい。特に、ＭｇＦ2 とＧｄＦ3 の膜はＦ2 ガス雰囲気中でのビームスパッタやマグネトロンスパッタ装置で蒸着することにより、緻密で硬い膜が製膜でき、耐久性にも優れる。
また、この例では、誘電帯多層膜による波長板の例を示したが、これに限定されることなく、ＣａＦ2 結晶のフレネル反射を利用した光学素子で波長板を構成してもよい。
また、この例では、誘電帯多層膜による波長板の例を示したが、これに限定されることなく、ＣａＦ2 結晶のフレネル反射を利用した光学素子で波長板を構成してもよい。
１ａ，２ａ 放電電極
３ ＬＭＮ
４ａ〜４ｄ 高反射ミラー
１０ 発振段レーザ（ＭＯ）
１１，２１ チャンバ
１２ａ，１２ｂウィンドウ部材
２２ａ，２２ｂウィンドウ部材
１３，２３ スリット
１４ ＯＣ（出力結合ミラー）
２０ 増幅段レーザ（ＰＯ）
２４ ＯＣ（出力結合ミラー）
２５ ビームスプリッタ（ＢＳ）
２６ リアミラー
２７ λ／４板
２８ λ／２板
３ ＬＭＮ
４ａ〜４ｄ 高反射ミラー
１０ 発振段レーザ（ＭＯ）
１１，２１ チャンバ
１２ａ，１２ｂウィンドウ部材
２２ａ，２２ｂウィンドウ部材
１３，２３ スリット
１４ ＯＣ（出力結合ミラー）
２０ 増幅段レーザ（ＰＯ）
２４ ＯＣ（出力結合ミラー）
２５ ビームスプリッタ（ＢＳ）
２６ リアミラー
２７ λ／４板
２８ λ／２板
Claims (2)
- 狭帯域発振段レーザと共振器を配置した増幅段レーザとからなる注入同期式放電励起レーザ装置であって、
前記増幅段レーザのレーザチャンバの出力側に、Ｐ偏光を部分反射し且つＳ偏光を高反射する反射膜でコートされた出力結合ミラーと、直線偏光を円偏光に及び円偏光を直線偏光に変換する第１のλ／４板と、第１の高反射ミラーとが配置され、
前記増幅段レーザのレーザチャンバのリア側に、直線偏光を円偏光に及び円偏光を直線偏光に変換する第２のλ／４板と、第２の高反射ミラーとが配置され、
前記発振段レーザからのレーザ光は、当該発振段レーザから直線偏光で出力され、該レーザ光は、前記出力結合ミラーにＳ偏光またはＰ偏光で導かれ、上記出力結合ミラーを介して上記第１のλ／４板および前記第１の高反射ミラーに順に入射し、
前記第１の高反射ミラーで反射した前記レーザ光は、前記第１のλ／４板及び前記出力結合ミラーを介して上記共振器内に注入される
露光装置用狭帯域レーザ装置。 - 狭帯域発振段レーザと共振器を配置した増幅段レーザとからなる注入同期式放電励起レーザ装置であって、
前記増幅段レーザのレーザチャンバの出力側に、Ｐ偏光を部分反射する反射膜でコートされた出力結合ミラーと、直線偏光の偏波面を９０度回転させるλ／２板と、第１の高反射ミラーと、Ｐ偏光を透過し且つＳ偏光を高反射するビームスプリッタとが配置され、
前記増幅段レーザのレーザチャンバのリア側に、直線偏光を円偏光に及び円偏光を直線偏光に変換するλ／４板と、第２の高反射ミラーとが配置され、
前記発振段レーザからのレーザ光は、当該発振段レーザから直線偏光で出力され、該レーザ光は、前記出力結合ミラーにＳ偏光またはＰ偏光で導かれ、上記出力結合ミラーを介して上記λ／２板および前記第１の高反射ミラーに順に入射し、
前記第１の高反射ミラーで反射した前記レーザ光は、上記ビームスプリッタを介して上記共振器内に注入される
露光装置用狭帯域レーザ装置。
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