JPH0472782A - 狭帯域発振レーザ装置 - Google Patents

狭帯域発振レーザ装置

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JPH0472782A
JPH0472782A JP18570490A JP18570490A JPH0472782A JP H0472782 A JPH0472782 A JP H0472782A JP 18570490 A JP18570490 A JP 18570490A JP 18570490 A JP18570490 A JP 18570490A JP H0472782 A JPH0472782 A JP H0472782A
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light
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JP18570490A
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English (en)
Inventor
Osamu Wakabayashi
理 若林
Kazu Mizoguchi
計 溝口
Masahiko Kowaka
雅彦 小若
Yukio Kobayashi
小林 諭樹夫
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Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はステッパー用の光源として使用されるエキシマ
レーザなどの狭帯域発振レーザ装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置製造用の縮小投影露光装置(以下、ステッパ
ーという)の光源としてエキシマレーザの利用が注目さ
れている。これはエキシマレーザの波長が短い(KrF
の波長は約248.4nm)ことから光露光の限界を0
.3μm以下に延ばせる可能性があること、同じ解像度
なら従来用いていた水銀ランプのg線やi線に比較して
焦点深度が深いこと、レンズの開口数(NA)か小さく
て済み、露光領域を大きくてきること、大きなパワーが
得られること等の多くの優れた利点が期待できるからで
ある。
ところで、ステッパーの光源として利用されるエキシマ
レーザとしては線幅3pm以下の狭帯化か要求され、し
かも大きな出力パワーが要求される。
エキシマレーザの狭帯域化の技術として有望なものとし
ては以下の4つの技術がある。
・第18図(a)に示すように、レーザチャンバ1とリ
アミラー2との間に2枚の波長選択素子としてのエタロ
ン3を配置する。4はフロントミラーである。
・第18図(b)に示すように、グレーティング5とプ
リズムビームエキスパンダ6を用いるとともに、アパー
チャアを配設する。
・第18図(C)に示すように、エタロン3とグレーテ
ィング5とを用いる。
・第18図(d)に示すように、レーザチャンバ1の両
側にPS分離鏡(P波透過、S波反射)8と偏波面回転
プリズム(S波の大部分をP波に変換)9を配し、エタ
ロン3によって波長選択を行なう偏光結合型共振器によ
る構成である。10は全反射鏡である。すなわち、偏波
面回転プリズム9からはS波とP波が混じったレーザ光
が出力され、このレーザ光はチャンバ1で増幅された後
PS分離鏡に入射されることで、S波は外部に出力され
P波はエタロン3に入る。このP波は全反射鏡10で反
射し、再びエタロン3を透過してチャンバ1に入って増
幅される。このP波はさらに偏波面回転プリズム9に入
り、ここで大部分がS波に変換された後、PS分離鏡8
を経由して外部に出力される。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記第18図(a)、(c)に示す従来技術では、レー
ザ8力を5W以上に上げようとした場合、エタロン3を
透過するエネルギー密度が非常に大きくなってエタロン
3の反射膜の負荷が大きくなるため、少ないショツト数
で反射膜が劣化しまい、これによりエタロン3の透過率
が著しく減少したり、フィネスが小さくなったりするこ
とによって出力レーザ光のスペクトル純度、パワーおよ
び出力効率が大幅に低下するという問題がある。さらに
これらの方法では、エタロンを透過するエネルギー密度
が高いため、熱的なドリフトによってエタロンのギャッ
プが変化し、この結果エタロンの透過波長のシフトが大
きくなり、波長の制御性を著しく低下させるという不具
合があった。
また、第18図(b)に示した従来技術では、エタロン
のような繰り返し反射による波長選択素子と異なり、単
一反射によって狭帯域化をなし得るため、波長選択素子
の負荷による熱的ドリフトや耐久性の問題は少なく上述
のような問題はほとんど発生しないが、この場合は素子
の波長選択性がビームの広がり角に大きく依存するため
、波長線幅を細く維持するためにアパーチャアを配設す
る必要があり、高効率で発振させるためには放電のエネ
ルギー密度を高くした狭い放電幅の状態で発振させる必
要があり、放電電極の負荷が大きい上に放電電極の消耗
により放電幅が広がった場合出力効率やスペクトル純度
が低下するという問題があった。
また、第18図(d)に示した偏光結合型共振器による
構成では、エタロン3に入射される光はP波のみの一部
の光であるためエタロンの負荷を低減できて出力効率が
高い有効な手法であるが、10W以上の高出力となると
エタロンの負荷は数W程度に増加し、エタロンの透過波
長のシフト、エタロンの寿命、出力効率などの点で問題
が発生する。またこの手法では、弱い狭帯域化されたP
偏光で発振させてその光をS偏光に変換して出力として
取り出しているために、P偏光の発振は閾値が高く、低
出力でのパルス安定性は第18図(a)〜(C)に示し
た従来技術より悪くなっていた。また、波長選択素子と
してグレーティングのような波長線幅を狭くするために
アパーチャを配置する必要がある素子を用いて偏光結合
型共振器を構成した場合は、やはり放電幅を狭くせざる
を得ず、放電電極の耐久性等の点て問題が多い。
なお、エキシマレーザをステッパ用の光源として実用す
るためには、高出力と共に高解像度とすることが必須条
件であり、これらを考えると上述した従来方式では各種
の点で限界があった。
この発明はこのような事情に鑑かみてなされたもので、
狭帯域化素子の負荷低減、波長線幅の狭帯域化および高
効率化をを図る狭帯域発振レーザ装置を提供することを
[l的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明においては、レーザ媒質から出力されたレーザ
光の一部を切り出す切出し手段と、該切り出されたレー
ザ光を拡大するビーム拡大手段と。
該拡大されたレーザ光を狭帯域化する波長選択素子と、
該狭帯域化されたレーザ光をレーザ媒質に帰還させる帰
還手段とを具えるようにしている。
〔作用〕
かかる構成によれば、レーザ媒質から出力されたレーザ
光の一部を切り出し、その切り出した光を拡大した後狭
帯域化し、狭帯域化された光をレーザ媒質に帰還させる
かかる共振器は出力光の一部を切出しその光を拡大して
レーザ媒質中を透過させて出力することで一種の謂ゆる
不安定共振器を構成しているために、ビーム広がり角の
大きな光成分は共振器から失われ、出力光のビーム広が
り角も小さくなる。
さらに、その出力光の一部を切り出しているためにビー
ム広がり角はさらに小さくなり、この光をさらにビーム
エキスパンダによって拡大しているためにビーム広がり
角はさらに(1/拡大率)に小さくなる。そしてこの様
な光を波長選択素子に入射させるようにしているので、
光は理想的な平面波に近くなり、波長線幅が極限的に狭
い光を発生させることができるようになる。しかも、光
を拡大して波長選択素子に入射しているために波長選択
素子に加わるエネルギー密度を著しく低減できるために
波長選択素子の寿命が長くなるとともに、波長選択素子
のシフトもほとんど無くなる。
さらに、波長選択素子に入射される光のビーム広がり角
が小さいために狭帯域化効率も非常に高くなり、レーザ
発振器としての効率も高くなる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
第1図はこの発明を狭帯域発振エキシマレーザに適用し
た場合の原理を示した概念図である。この第1図の狭帯
域発振エキシマレーザでは、レーザ媒質11を出たレー
ザ光の一部を切出し部12で切り出して、該切り出した
光をビームエキスパンダ13に人力し、光を拡大する。
そして拡大した光を波長選択素子14に入射して狭帯域
化する。
狭帯域化した光は再びレーザ媒質に帰還されることで増
幅される。
かかる共振器は出力光の一部を切出しその光をビームエ
キスパンダ13により拡大してレーザ媒質中を透過させ
て出力することで一種の謂ゆる不安定共振器を構成して
いるために、ビーム広がり角の大きな光成分は共振器か
ら失われ、出力光のビーム塩がり角も小さくなる。さら
に、その出力光の一部を切り出しているためにビーム塩
がり角はさらに小さくなり、この光をさらにビームエキ
スパンダ13によって拡大しているためにビーム塩がり
角はさらに(1/拡大率)に小さくなる。
そしてこの様な光を波長選択素子14に入射させるよう
にしているので、光は理想的な平面波に近くなり、波長
線幅が極限的に狭い光を発生させることができるように
なる。しかも、ビームエキスパンダ13で光を拡大して
波長選択素子14に入射しているために波長選択素子1
4に加わるエネルギー密度を著しく低減できるために波
長選択素子の寿命が長くなるとともに、波長選択素子の
シフトもほとんど無くなる。さらに、波長選択素子に入
射される光のビーム塩がり角が小さいために狭帯域化効
率も非常に高くなり、レーザ発振器としての効率も高く
なる。
第2図は第1図の原理を用いて構成した具体例であり、
KrF等を含むレーザガスが循環可能に充填されたレー
ザチャンバ11と全反射ミラー15との間には波長板と
しての4分のラムダ板(λ/4板)16が配設されてい
る。切出し部12はレーザ光の一部を空間的に切り出し
てビームエキスパンダ13に入射させるものであり、そ
の具体例を第3図(a)〜(f)に示す。
第3図(a)は小型平面ミラー17で出力光の端部を長
方形状に切り出した例であり、同図(b)は小型平面ミ
ラー17で出力光の中央部を長方形状に切り出した例で
あり、同図(c)は出力光の端部を長方形状に切出しそ
の他の光をミラー17で反射させて出力している例であ
り、同図(d)は出力光の中央部を長方形状に切出しそ
の他の光をミラー17で反射させて出力している例であ
り、同図(e)は出力光を縮小した形で出力光の端部を
切り出した例であり、同図(f)は出力光を縮小した形
で出力光の中央部を切り出した例である。
ビームエキスパンダ13は切出し部12によって切り出
された光(フィードバック光)を1方向または全方向に
拡大するものであり、第4図(a)〜(c)にその具体
例を示す。第4図(a)は2個のプリズム18を組み合
わせたビームエキスパンダを示し、同図(b)はシリン
ドリカル状または球面状の凹レンズ19とシリンドリカ
ル状または球面状の凸レンズ20を組み合わせた例を示
し、同図(C)は2個のシリンドリカル状または球面状
の凹面ミラー21を組み合わせた例を示すものである。
波長選択素子14は発振レーザ光の波長を選択するもの
で、第5図(a)〜(d)に具体例を示す。第5図(a
)は2枚のエタロン3を並べたものであり、エタロン3
は透過型の波長選択素子である。同図(b)は全反射ミ
ラー22とグレーティング5によって斜入射配置したグ
レーティングの例である。なお、グレーティング5は、
光の回折を利用して特定波長の光を選択するもので、定
方向に配列された多数の溝が形成されており、全反射ミ
ラーとしても機能する。グレーティング5はエタロン3
に比べて耐久性が優れており、入射光に対するグレーテ
ィング5の角度θを可変させることにより、特定の波長
の光を選択する。同図(C)は2枚のプリズム18てビ
ームを拡大してグレーティング5に入射させたりドロー
配置の例であり、このリトロ−配置の場合はグレーティ
ング5のブレーズ角と回折光(入射光)の角度が一致す
る場合回折効率が非常に高くなり、グレーティング5に
ニジエールグレーティングを使用すれば、回折効率は6
0%以上となる。同図(d)はエタロン3とグレーティ
ング5とを組み合わせた例であり、グレーティング5を
リトロ−配置している。さらに、ここでは図示していな
いが斜入射配置のグレーティングとエタロンを組み合わ
せた波長選択素子としてもよい。
ここで、第3図に示した切出し部12のうち(a)、(
c)は出力光の端部を切り出しているので出力光の断面
は(b)、(d)に示したもののように分割されていな
いので、ビーム形状が良く、ステッパ用の光源としては
特に最適なものになる。そして、このような長方形状の
レーザ光を切り出す場合は、ビームエキスパンダ13に
よって短い辺の方向のみを拡大するようにすれば、ビ−
ムを拡大された一方向のみが不安定共振器になってこれ
に垂直な方向は安定共振器となるため、横モード数を減
らすことなく発振することができ、スペックルが出に<
<、ステッパ用の光源として最適なものとなる。
また、第3図(e)、(f)に示すような切出し部を採
用するときは、ビームエキスパンダ13として第4図(
b)、(e)に示したような球面状の凹レンズ19と凸
レンズ20の組み合わせまたは2個の球面状の凹面ミラ
ー21の組み合わせが好ましく、このようにすることに
よって非常にコヒーレンスの高い単一モード発振が可能
となり、出力レーザ光をその後レンズなどにより非常に
小さく絞り込めることができる。
また、波長選択素子14としてグレーティング5を用い
るときはビームエキスパンダ13のビーム拡大方向とグ
レーティング5の線引き方向を一致させるようにすれば
、グレーティング5に入射させるビームの広がり角が非
常に小さくなるので波長線幅を極限的に狭くすることが
できる。
さて、第2図において、ビームエキスパンダ13と波長
選択素子14との間にはPS分離膜30とλ/4板31
が配設されている。PS分離膜30にはこの場合P偏光
波を透過し、S偏光波を反射スる偏光コーティングが施
されている。また、共振器中に配設されたPS分離膜3
3もP偏光波を透過し、S偏光波を反射するものである
。32は全反射ミラーである。
かかる構成において、PS分離膜33によってP波成分
のみになって出力されたレーザ光の一部は切出し部12
で空間的に切り出された後、ビームエキスパンダ13に
入射され、ここで一方向または全方向に拡大される。拡
大された光はPS分離膜30を透過した後λ/4板31
に入射され、該λ/4板31によって円偏光となって波
長選択素子14に入射される。この波長選択素子14に
よって狭帯域化されたレーザ光は再度λ/4板31を透
過することでその偏光方向が90″回転されて、すなわ
ちP波からS波に変換されてPS分離rIIA30に再
入射される。すなわち、λ/4板31はレーザ光を往復
通過させることでλ/2板つまり偏波面回転器と同じ働
きをし、これによりP波をS波に変換する。
このようにしてS波に変換された狭帯域化光はPS分離
膜30で反射され、さらに全反射ミラー32、PS分離
膜33で反射された後レーザチャンバ11に入射されて
増幅される。このレーザ光はさらに全反射ミラー15に
よってλ/4板16を折り返すことでS波がP波に変換
された後、再びレーザチャンバ11内のレーザ媒質を通
過することで増幅され、この後PS分離膜33を透過し
て出力される。
なお、この第2図の実施例ではP偏光を出力光としてい
るが、S偏光を出力光としてもよい。その場合には、P
S分離膜30.33をS偏光透過、P偏光反射とするよ
うにすればよい。また、他の構成としてここでは図示し
ないが、レーザ媒質から出たS偏光をP偏光透過S偏光
反射するPS分離膜で反射させそのS偏光を出力光とす
るとともに、この光の一部を切り出してビームエキスパ
ンダに入射させて拡大し、さらにP偏光透過S偏光反射
するPS分離膜で反射させた後λ/4板を透過させ、さ
らに波長選択素子に入反射させた後λ/4板を再透過さ
せることでP偏光に変換し、さらにPS分離膜を透過さ
せた後この狭帯域化されたP偏光の光をレーザ媒質の出
力側に配しであるPS分離膜を透過させてレーザ媒質に
導入して増幅し、さらにλ/4板を往復させることでP
偏光をS偏光に変換して再びPS分離膜により反射させ
て出力として取り出すようにする構成も考えられる。ま
た、第2図の実施例では、偏光方向を90°回転してP
偏光をS偏光に、またはS偏光をP偏光に変換するのに
、λ/4板を使用しているが、他にプリズムリターダ、
ミラーによるリターダなどを用いるようにしてもよい。
さらに第2図の実施例におけるλ/4板16をレーザチ
ャンバ11とPS分離膜33との間に位置させるように
してもよい。
第6図は、第2図に示した実施例の切出し部12に第3
図(a)に示した平面ミラー17を用い、第2図のビー
ムエキスパンダ13として第4図(a)に示したプリズ
ムビームエキスパンダ18を用い、第2図の波長選択素
子14として第5図(a)に示したエタロン3を用いて
構成したものであり、プリズムビームエキスパンダ18
は切り出した長方形状のレーザ光の短い辺の方向のみを
拡大するようにしている。35は、レーザチャンバのウ
ィンドウであり、34は全反射ミラーである。なお、こ
の場合λ/4板31を2枚のエタロン3の間、あるいは
エタロン3と全反射ミラー34の間に配設するようにし
てもよい。
かかる第6図の構成によれば、ミラー17によるレーザ
光の切出し、およびプリズムビームエキスパンダ18に
よるレーザ光の拡大によりビーム広がりを小さくするこ
とができるとともに、レーザ光をエタロン3を往復させ
ているので、選択波長線幅をより狭くすることができる
。また、エタロン3は一般に入射光のビーム広がりが小
さくなると、透過波長線幅を狭くすることができかつス
ループットを高くすることができるので、この構成によ
れば従来の偏光結合型共振器よりも高効率で波長線幅を
狭くすることができる。
第7図は、第6図のエタロン3および全反射ミラー34
をグレーティング5に変更したものであり、この配置は
第5図(c)に示すようなりドロー配置となっている。
この場合にはグレーティング5の線引き方向とプリズム
ビームエキスパンダ18による光の拡大方向を略一致さ
せである。ここで採用するグレーティング5としては前
述したようにニジエールグレーティングが最適である。
ニジエールグレーティングは溝の頂角かほぼ垂直となっ
ており、また大きなブレーズ角のものを製作可能なため
高効率で高分解能である。したがって、エキシマレーザ
において狭帯域化する場合、レーザ光の入射角または回
折角がニジエールグレーティングのブレーズ角とほぼ一
致するようにリトロ−配置することによって高効率で狭
帯域化することができる。
一般に、グレーティングの場合は選択波長線幅は入射す
る光のビーム広がりに大きく依存する。
この第7図に示す構成では、グレーティングに入射する
光のビーム広がり角を従来に比べて大幅に小さくするこ
とができるので、選択波長線幅を従来に比べて狭くする
ことができるとともに、回折効率を高くすることができ
る。
第8図は、レーザ光のフィードバック経路におけるP波
からS波への変換を先の実施例のようなλ/4板へのレ
ーザ光の往復で行なうのではなく、λ/2板36によっ
て行うようにしたものであり、32.34は全反射ミラ
ー 364よλ/2板、16.33はP波透過S波反射
のPS分離膜である。
第9図はレーザチャンバ11中のレーザ光の往路と復路
を分割した例であり、切出し部12で空間的に切り出さ
れた光は、ビームエキスパンダ13で拡大された後、P
偏光透過S偏光反射するPS分離膜30に入射され、こ
こでP偏光成分のみが透過される。このP偏光成分は、
λ/4板31に入射された後波長選択素子14に入射さ
れ、ここで狭帯域化された後再度λ/4板31を透過す
ることでP波からS波に変換されてPS分離膜30に再
入射される。このS波はPS分離膜30で反射された後
、全反射ミラー32でさらに反射されてλ/2板36に
入射され、このλ/2板36を経ることでP波に変換さ
れる。P波に変換された光は全反射ミラー37で反射さ
れてレーザチャンバ11に入射されて増幅され、さらに
2枚の全反射ミラー38.39によって光軸を移動され
た後再びレーザ媒質中を通過することでさらに増幅され
た後出力される。
第10図は波長選択素子14にエタロンなどの透過型の
ものを用い、波長選択素子14を透過した光を全反射ミ
ラー34.32.37によってレーザチャンバ11に導
いたものであり、かつレーザチャンバ11中のレーザ光
は往路と復路に分割されている。
第11図は切出し部12で出力光の一部を切出してその
光を波長選択素子14を透過させて狭帯域化した後、そ
の光をビームエキスパンダ13に入射して拡大した後レ
ーザ媒質に導入するようにした他の原理を示す図である
。またここでは図示していないが、切出し部で切り出し
た光を一部ビームエキスパンダで拡大した後波長選択素
子14を透過させて狭帯域化した後、さらにビームエキ
スパンダで拡大した後レーザ媒質に導入するようにして
もよい。
第12図は、この原理を用いて構成した具体例を示すも
のであり、この場合は切り出した光に、拡大→狭帯域化
−縮小−拡大を施した後レーザチャンバ11に帰還させ
るようにしている。
すなわち、第12図において、P偏光で出力された光を
平面ミラー17により長方形状に切出し、該切り出した
長方形状の光の短い方向をプリズム40.41から成る
プリズムビームエキスパンダにより拡大することでビー
ム塩がり角を小さくしてグレーティング5に入射する。
この場合、グレーティング5は反射した回折角と入射角
とが多少異なるように配置しである。したがって、グレ
ーティング5で狭帯域化されて反射された回折光はプリ
ズム40.41によって今度は縮小される。
この縮小された回折光は全反射ミラー42によって反射
された後プリズム43に入射され、プリズム43によっ
て再拡大される。このようにして拡大された光は全反射
ミラー32を介してλ/2板36に入射され、このλ/
2板36を経ることでS波に変換される。このS偏光は
P透過8灰射のPS分離膜33で反射されてレーザチャ
ンバ11に入射されて増幅された後λ/4板16、全反
射ミラー15、λ/4板16を経ることでP波に変換さ
れてレーザチャンバ11に再入力され、レザチャンバ1
1で再び増幅された後PS分離膜33を介して出力され
る。
かかる構成では、グレーティング5の入射角と回折角を
多少異なるようにすることて、入射光と回折光を分離し
ているため、グレーティング5のブレーズ角と発振波長
が一致していない場合容易に補正することができる。な
お、この第12図の構成においても、先の第10図のよ
うに往路と復路を空間的に分離して増幅する変形が可能
である。
また、この第12図の構成において、グレーティング5
をエタロン3に変更するようにしてもよい。
ただし、エタロン3の場合は異なる角度で光を入射させ
ると選択波長が異なるため、エタロン3を透過した光を
ビームエキスパンダで拡大した後レーザ媒質に帰還させ
るようにしたほうがよい。
第13図はレーザ媒質(レーザチャンバ11)とビーム
エキスパンダ13とを組み合わせて構成した場合の原理
図を示すものであり、第14図はその具体構成例である
第14図においては、ビームエキスパンダ13をレーザ
チャンバ11と全反射ミラー39との間に配設している
。すなわち、この構成においては、切出し部12によっ
て出力光の一部を空間的に切出し、その光を波長選択素
子14を通過させることで狭帯域化し、さらに狭帯域化
した光を全反射ミラー34.32.37を介してレーザ
チャンバ11に入射させて増幅する。増幅された光は2
枚の全反射ミラー38.39により光軸を移動させて折
り返され、ビームエキスパンダ13によって拡大された
後、再びレーザチャンバ11で増幅されて出力される。
第15図は第13図の原理を用いた他の構成を示すもの
であり、この場合、レーザ出力光は先の第3図(C)に
示した切出し部の構成、すなわち全反射ミラー17によ
って切り出される。切り出された光は2枚のプリズム5
0.51から成るプリズムビームエキスパンダによって
切り出した光の断面の短い方向を拡大してビーム塩がり
角を小さくし、グレーティング5に入射される。グレー
ティング5は入射角と回折角が多少異なるようにその角
度が設定されている。グレーティング5によって狭帯域
化された回折光はプリズム50.51.52によって屈
折されることで光軸が曲げられてシリンドリカル状の凹
レンズ53に入射され、該凹レンズ53によってビーム
が広げられかつシリンドリカル状の球面波の状態でレー
ザチャンバ11に入射される。そして、レーザチャンバ
11で増幅されたレーザ光はシリンドリカル状の凹面ミ
ラー54によって平面波に変換されて折り返され、再び
レーザチャンバ11で増幅された後、全反射ミラー17
で反射されて出力される。
かかる構成においては、シリンドリカル状の凹レンズ5
3とシリンドリカル状の凹面ミラー54の焦点位置が略
一致するように配置することによってレーザチャンバ1
1中を光が往復するときビームを拡大するようにしてい
る。この場合は、プリズム52と凹レンズ53によって
光軸を曲げて球面波に変換するようにしているが、プリ
ズム52の代わりにミラーを用いるようにしてもよく、
あるいはプリズム52と凹レンズ53の代わりにシリン
ドリカル状の凸面ミラーを用いるようにしてもよい。
第16図は波長選択素子14とビームエキスパンダ13
との機能を一体化させた構成の原理図を示すものであり
、第17図はその具体構成例である。
すなわち、第17図においては、グレーティング5を入
射角と回折角が異なるように配置して狭帯域化された回
折光を拡大するようにすることで、グレーティング5に
波長選択素子とビームエキスパンダとの機能を共用させ
るようにしている。この場合グレーティング5の拡大方
向は前記同様切り出した光の断面の短い方向を拡大する
ようにしている。グレーティング5で反射された光は全
反射ミラー32.37で反射された後レーザチャンバ1
1に入射され増幅され、この後2枚の全反射ミラー38
.39によって光軸を移動されて折り返された後、レー
ザチャンバ11で再増幅されて出力される。
なお、この波長選択素子とビームエキスパンダとの機能
を共用させた構成においても、例えば先の第2図のよう
にPS分離膜によりP偏光とS偏光とを分離し、S偏光
をP偏光に完全に変換してレーザ媒質中に導入するよう
にしてもよい。ただし、この場合は第2図のようにP偏
光をS偏光に変換するλ/4板やλ/2板などのリター
ダを切出し部12からレーザ媒質11までの光路中に配
置する必要がある。
なおこの発明は、エキシマレーザ以外の他の狭帯域発振
レーザ装置にも適用することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、(1)田刃先の
一部を切出し、ビームエキスパンダにより拡大して波長
選択素子に入射した後レーザチャンバに帰還するように
しているため、エネルギー密度が非常に小さくなり、波
長選択素子の寿命が飛躍的に延びると其に、選択波長の
シフト量も非常に小さくなる。
(2)波長選択素子に入射する光のビーム広がり角を小
さくすることができるため、波長線幅を極限的に狭くす
ることができ、かつ狭帯域化効率も飛躍的に向上する。
(3)アパーチャなどで発振領域を狭く制限する必要が
ないので、レーザの放電幅を広くできかつエネルギー密
度を小さくしても効率よく発振ができるために、電極消
耗によりスペクトル特性が影響を受けに<<、放電電極
の寿命を実質的に延ばすことができる。
(4)ビームエキスパンダによって切り出したレーザ光
の一方向のみを拡大するようにすれば、横モード数をほ
とんど減らすこと無く発振させることができる。
等の優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一原理を示す概念図、第2図は第1
図の原理を用いた具体例を示す図、第3図は切出し部の
具体構成を示す図、第4図はビームエキスパンダの具体
構成例を示す図、第5図は波長選択素子の具体構成例を
示す図、第6図乃至第10図はそれぞれ第1図の原理を
用いた他の具体例を示す図、第11図はこの発明の他の
原理を示す概念図、第12図は第11図の原理を用いた
具体例を示す図、第13図はこの発明のさらに他の原理
を示す概念図、第14図および第15図は第13図の原
理を用いた具体例を示す図、第16図はこの発明のさら
に他の原理を示す概念図、第17図は第16図の原理を
用いた具体例を示す図、第18図は従来技術を示す図で
ある。 3・・・エタロン、  5・・・グレーティング、11
・・・レーザ媒質、 12・・・切出し部、13・・・
ビームエキスパンダ、 14・・・波長選択素子、 16゜ 1・・・λ/4板、 30゜ 3・・・ps分離膜、 6・・・λ/2板、 (C) 第3図 第1図 (a) (b) 第4図 (Q) (b) (C) (d) 第5図 第11図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)レーザ媒質から出力されたレーザ光の一部を切り
    出す切出し手段と、 該切り出されたレーザ光を拡大するビーム拡大手段と、 該拡大されたレーザ光を狭帯域化する波長選択素子と、 該狭帯域化されたレーザ光をレーザ媒質に帰還させる帰
    還手段と、 を具えるようにした狭帯域発振レーザ装置。 (2)前記帰還手段により帰還されるレーザ光の光軸と
    前記レーザ媒質から出力されるレーザ光の光軸を異なら
    せる手段を更に具える請求項(1)記載の狭帯域発振レ
    ーザ装置。(3)レーザ媒質から出力されたレーザ光の
    一部を切り出す切出し手段と、 該切り出されたレーザ光を狭帯域化する波長選択素子と
    、 該狭帯域化されたレーザ光を拡大するビーム拡大手段と
    、 該拡大されたレーザ光をレーザ媒質に帰還させる帰還手
    段と、 を具えるようにした狭帯域発振レーザ装置。 (4)レーザ媒質から出力されたレーザ光の一部を切り
    出す切出し手段と、 該切り出されたレーザ光を狭帯域化する波長選択素子と
    、 該狭帯域化されたレーザ光をレーザ媒質に帰還させる帰
    還手段と、 該帰還されたレーザ光が出力されるまでの光路中に配設
    されて狭帯域化されたレーザ光を拡大するビーム拡大手
    段と、 を具えるようにした狭帯域発振レーザ装置。 (5)前記帰還手段により帰還されるレーザ光の光軸と
    前記レーザ媒質から出力されるレーザ光の光軸を異なら
    せる手段を更に具え、前記ビーム拡大手段をこの手段と
    前記レーザ媒質との間に配設するようにしたことを特徴
    とする請求項(1)記載の狭帯域発振レーザ装置。 (6)レーザ媒質から出力されたレーザ光の一部を切り
    出す切出し手段と、 該切り出されたレーザ光を拡大すると同時に狭帯域化す
    るグレーティングと、 該グレーティングの回折光をレーザ媒質に帰還させる帰
    還手段と、 を具えるようにした狭帯域発振レーザ装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0738146U (ja) * 1993-12-16 1995-07-14 株式会社サンユニクス 高断熱複層ガラス
JP2002043666A (ja) * 2000-07-07 2002-02-08 Trumpf Lasertechnik Gmbh 材料加工用のレーザ装置
JP2002151776A (ja) * 2000-11-13 2002-05-24 Gigaphoton Inc 真空紫外レーザ装置
JP2013536469A (ja) * 2010-08-18 2013-09-19 アイピージー フォトニクス コーポレーション 体積ブラッグ回折格子の作製方法ならびに装置

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