JPH03142979A - 狭帯域化レーザ装置 - Google Patents

狭帯域化レーザ装置

Info

Publication number
JPH03142979A
JPH03142979A JP1282102A JP28210289A JPH03142979A JP H03142979 A JPH03142979 A JP H03142979A JP 1282102 A JP1282102 A JP 1282102A JP 28210289 A JP28210289 A JP 28210289A JP H03142979 A JPH03142979 A JP H03142979A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mirror
laser
total reflection
semi
polarizing element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1282102A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Wani
浩一 和迩
Yasuhiro Shimada
恭博 嶋田
Hideto Kawahara
河原 英仁
Mutsumi Mimasu
三升 睦己
Tadaaki Miki
三木 忠明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1282102A priority Critical patent/JPH03142979A/ja
Priority to DE69012369T priority patent/DE69012369T2/de
Priority to US07/480,152 priority patent/US5050174A/en
Priority to EP90301598A priority patent/EP0383586B1/en
Priority to CA002010084A priority patent/CA2010084C/en
Publication of JPH03142979A publication Critical patent/JPH03142979A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566Polarisation control

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、投影露光装置の光源に用いる狭帯域化レーザ
装置に関するものである。
[従来の技術] 近年、半導体集積回路のパターン露光用光源として、エ
キシマレーザが従来の高圧水銀ランプに代わるものとし
て注目されている。
エキシマレーザはレーザ媒質としてクリプトン、キセノ
ンなどの希ガスと弗素、塩素などのハロゲンガスを組み
合わせることにより、353nmから193nmの間の
いくつかの波長で発振線を得ることができる紫外レーザ
の一つである。特にふり化クリプトンエキシマレーザは
波長248nmで発振し、水銀のg線(436nm)あ
るいはi線(365nm)の場合と比べて倍以上集積度
の高い、いわゆる超LSI製造への道を開くものとして
期待されている。これらエキシマレーザの利得バンド幅
は約1nmと広く、光共振器と組み合わせて発振させた
場合、発振線が0.5nm程度の帯域幅(半値全幅)を
持つ。
このように比較的広い帯域幅を持つレーザ光を露光用光
源として用いた場合、ランプ光源の場合と同様、露光光
学系に色収差を補正した結像光学系を採用する必要があ
る。
ところが、波長が350nm以下の紫外域では、結像光
学系に用いるレンズの光学材料の選択の幅が限られ、色
収差補正が困難となる。レーザ発振線の帯域幅を0.O
05nm程度にまで単色化し、かつ中心波長の変動を防
止できれば色収差補正しない結像光学系が利用可能とな
り、エキシマレーザを光源とした投影露光装置を実現す
ることができる。
広い帯域幅を持つレーザ光を単色化するには、狭い透過
帯域を持つ波長選択素子をレーザ共振器の外あるいは共
振器内に設置すればよい。共振器外に設置するとレーザ
出力が著しく低下するので、一般には共振器内に波長選
択素子を設置する方法が採用されてきた。
しかし、レーザ共振器内にはレーザの出力以上の強いエ
ネルギーが定在するため、波長選択素子が熱的変形を受
は選択波長が変動したり、あるいは永久的な損傷によっ
て所望の特性が得られなくなるという課題があった。
そこで発明者らは既に第3図に示すような、改良した狭
帯域化エキシマレーザ装置を提案した。
第3図において光共振器は全反射鏡2.3および半透過
鏡4から成る。全反射鏡3と半透過鏡4の間には放電管
1が設置され、光増幅器を構成している。放電管1には
希ガスとハロゲンガスを含む媒質ガスが封入されており
、放電励起によってレーザ光を発振する。全反射鏡2と
半透過鏡4の間には、波長選択素子であるエタロン5が
設置されている。エタロンは対向する平行平板間の光の
干渉を利用した波長選択素子であり、エタロン5によっ
ては波長選択された光は半透過鏡4を経て放電管1に戻
り、狭帯域化されたレーザビームとして、図の右方向に
取り出される。
第3図の狭帯域化エキシマレーザでは、エタロン5に入
射する光エネルギーはレーザ出力に半透過鏡4の反射率
を乗じた程度に低減されているため、エタロンの損傷を
大幅に減らすことができる。
しかも、エタロンによって選択された光は放電管1によ
って増幅を受けているので、レーザ共振器外に波長選択
素子を置く場合よりも高い出力が得られるという特徴は
従来通り保持している。
[発明が解決しようとする課題] しかしこのような狭帯域化レーザ装置では、単色化され
ていないレーザ光がかなり強く放射されるという課題が
あった。これは放電管1から放出された光の一部はエタ
ロン5を通過せずに出力されることによる。第3図に示
す従来の提案による装置では、放電管中の媒質から放射
された光のうち、全反射鏡2の方向へ進むものは波長選
択を受けずに媒質内を往復するため、広いバンド幅を持
ったままある程度の増幅作用を受ける。
このような光の一部は半透過鏡4を通過してそのまま出
力されるので、広いバンド幅を持っていることになり、
投影露光に利用する際パターンとして結像されないバッ
クグラウンドとなる。
このようなバックグラウンド光は投影パターンコントラ
ストを低下させ、製品の不良につながる。
本発明はこのような従来技術の課題を解決するためなさ
れたもので、バンド幅の広い成分を極力小さくした狭帯
域化レーザ装置を提供するものである。
[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するため、本発明は、レーザ発光媒質と
第1の全反射鏡からなる光増幅器と、波長選択素子と第
2の全反射鏡からなる波長選択器とを互いの光軸が直交
するように半透過鏡によって結合して光共振器を構成し
たレーザ装置において、前記第1の全反射鏡と半透過鏡
を結ぶ軸上に偏光素子を設置したことを特徴とする狭帯
域化レーザ装置である。
[作用] 前記本発明の構成によれば、第1の全反射鏡と半透過鏡
を結ぶ軸上に偏光素子を設置したことにより、光共振器
から出力されるレーザ光のうち、単色化した成分は光共
振器を含む面に垂直方向に偏光する一方、単色化してい
ない広いバンド幅を持つ成分はランダム偏光することに
なる。従って、この出力を偏光素子に導いてやることに
よって単色化成分だけを選択的に取り出すことができ、
パターンを投影した時のコントラストを飛躍的に改善で
きることとなる。
[実施例] 以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に説明する。
なお本発明は下記の実施例によって限定されるものでは
ない。
第1図は本発明の一実施例であるエキシマレーザの構成
図である。
第1図において本発明実施例のレーザ装置は、希ガスと
ハロゲンガスの混合気体をレーザ媒質とする放電管1と
、全反射鏡2から構成された光増幅器21と、ファブリ
ペローエタロン5と、全反射鏡3とからなる波長選択器
22を、半透過鏡4によって直角に結合した構造を持つ
波長選択器22で単色化された光は、半透過鏡4によっ
て光増幅器21に戻され、増幅を受けた後再び半透過鏡
4を経てレーザ光として出力される。
次に本実施例における狭帯域化レーザ装置の特徴につい
て説明する。まず本構成によれば、半透過鏡4と全反射
鏡2の間の空間では放電管方向から来た光の大半が半透
過鏡によって光共振器外へ放射されているため、定在す
る光エネルギーは低減され、ファブリペローエタロン5
が吸収する光エネルギーわずかである。このことから、
ファブリペローエタロンの変形や損傷による出力特性の
劣化を避けることができるという特徴が生まれる。
さらに共振器の光軸が半透過鏡4によって折曲げられて
いるため、出力光が強く偏光しているという特徴がある
。これは半透過鏡に45度の入射角で光が入射した場合
、光路を含む面に垂直方向の電場ベクトルを持ついわゆ
るS波の反射率が高く、S偏光した光が選択的に増幅さ
れることによる。
このような特徴を持っているので本発明による狭帯域化
レーザ装置は単色化されたエキシマレーザ光を安定に放
射することができる。
しかし前述したように、放電管1から放出され全反射鏡
2の方向に進光は波長選択を受けないまま増幅を受ける
ので、単色化光に何割かの広いバンド幅を持つ成分が混
じることになる。この広いバンド幅を持つ成分はA S
 E (Amplified !ilimu−1ate
d Emission)と呼ばれる。ASEは、投影露
光装置においてはパターンを結像しないバックグラウン
ド成分であり、取り除く必要がある。
第2図(a)に、半透過鏡から出た直後の、ASEを含
むレーザ光のスペクトル分布の一例を示す。
ASEはその発生原理から明らかなように偏光していな
い。そこで本発明においては半透過鏡から取り出したビ
ームを偏光素子6に導き、ASEを除去している。この
目的のため、′偏光素子6の方向は単色化成分が通過す
るように設置されている。
第2図(b)に、本発明の構成において偏光素子6を通
過後のレーザ光のスペクトル分布を示す。
本発明者らの実験によると、従来の構成ではレーザ媒質
の利得を高めレーザ出力を増加させるにつれASEも増
加する傾向があり、レーザ出力が2W以上の場合、AS
E成分の強度は全出力の10%以上となった。
一方、本発明による構成では、ASE成分を5%以内に
抑制することができた。また、露光実験の結果からAS
E成分が5%以内であれば十分なコントラストでパター
ンを投影できることもわかっている。
以上のような構成を有するので、本発明の狭帯域化レー
ザ装置は波長選択素子の変形や損傷が少なく、かつ単色
化成分の比率が高いビームを供給できるので、露光用光
源として最適の特性を備えたものとなる。
[発明の効果コ 以上説明したように、本発明は、第1の全反射鏡と半透
過鏡を結ぶ軸上に偏光素子を設置したことにより、光共
振器から出力されるレーザ光のうち、単色化した成分は
光共振器を含む面に垂直方向に偏光する一方、単色化し
ていない広いバンド幅を持つ成分はランダム偏光するこ
とになるので、この出力を偏光素子に導いてやることに
よって単色化成分だけを選択的に取り出すことができ、
パターンを投影した時のコントラストを飛躍的に改善で
きるようになった。
またASE(Ampl目ied Stimulated
 Emission)光に対する単色化光の割合が大き
く、露光用光源として用いた場合、品質のよいパターン
を形成できる狭帯域化レーザ装置を提供できるという顕
著な効果を達成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例である狭帯域化レーザ装置
の構成を説明する図、第2図は狭帯域化したレーザ光の
スペクトル分布を示す図で、(a)は本発明の偏光素子
に入る前のレーザ光のスペクトル分布、(b)は本発明
の偏光素子を通過した後のレーザ光のスペクトル分布を
示す。第3図は従来の狭帯域化レーザ装置の構成を示す
図である。 1:放電管      2.3:全反射鏡4:半透過鏡 5:ファブリペローエタロン 6:偏光素子 第1図 第3図 (G) (b ) 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザ発光媒質と第1の全反射鏡からなる光増幅
    器と、波長選択素子と第2の全反射鏡からなる波長選択
    器とを互いの光軸が直交するように半透過鏡によって結
    合して光共振器を構成したレーザ装置において、前記第
    1の全反射鏡と半透過鏡を結ぶ軸上に偏光素子を設置し
    たことを特徴とする狭帯域化レーザ装置。
JP1282102A 1989-02-14 1989-10-30 狭帯域化レーザ装置 Pending JPH03142979A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1282102A JPH03142979A (ja) 1989-10-30 1989-10-30 狭帯域化レーザ装置
DE69012369T DE69012369T2 (de) 1989-02-14 1990-02-14 Laservorrichtung.
US07/480,152 US5050174A (en) 1989-02-14 1990-02-14 Laser device
EP90301598A EP0383586B1 (en) 1989-02-14 1990-02-14 Laser device
CA002010084A CA2010084C (en) 1989-02-14 1990-02-14 Laser device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1282102A JPH03142979A (ja) 1989-10-30 1989-10-30 狭帯域化レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03142979A true JPH03142979A (ja) 1991-06-18

Family

ID=17648152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1282102A Pending JPH03142979A (ja) 1989-02-14 1989-10-30 狭帯域化レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03142979A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002151776A (ja) * 2000-11-13 2002-05-24 Gigaphoton Inc 真空紫外レーザ装置
WO2015137551A1 (ko) * 2014-03-10 2015-09-17 안상현 다기능 이동통신단말기 충전기

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002151776A (ja) * 2000-11-13 2002-05-24 Gigaphoton Inc 真空紫外レーザ装置
WO2015137551A1 (ko) * 2014-03-10 2015-09-17 안상현 다기능 이동통신단말기 충전기

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7227881B2 (en) Master oscillator—power amplifier excimer laser system
JP3888673B2 (ja) 露光用フッ素分子レーザシステム
US7245420B2 (en) Master-oscillator power-amplifier (MOPA) excimer or molecular fluorine laser system with long optics lifetime
US7072375B2 (en) Line-narrowed gas laser system
US6603788B1 (en) Resonator for single line selection
JP2820103B2 (ja) 注入同期レーザ装置
US5050174A (en) Laser device
JP7193808B2 (ja) 波長変換システム
JPH03142979A (ja) 狭帯域化レーザ装置
US20170149199A1 (en) Laser device
US10965087B2 (en) Laser device
JP2600364B2 (ja) 狭帯域化レーザ装置
JP4154003B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JPH03157917A (ja) レーザ露光装置
JP2586656B2 (ja) 波長安定化レーザ装置
JP2586655B2 (ja) 波長安定化レーザ装置
JPH0426174A (ja) 狭帯域レーザ装置
WO2023095219A1 (ja) パルス伸張器及び電子デバイスの製造方法
JPH02273981A (ja) 狭帯域化レーザ装置
JPH03250777A (ja) 狭帯域発振エキシマレーザ
JPH03200385A (ja) エキシマレーザ装置
JPH02273980A (ja) 狭帯域化レーザ装置
JPH0423480A (ja) 狭帯域レーザ装置
JPH03169089A (ja) 波長安定化レーザ装置
JP2688991B2 (ja) 狭帯域発振エキシマレーザ