JP3888673B2 - 露光用フッ素分子レーザシステム - Google Patents
露光用フッ素分子レーザシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP3888673B2 JP3888673B2 JP2001398815A JP2001398815A JP3888673B2 JP 3888673 B2 JP3888673 B2 JP 3888673B2 JP 2001398815 A JP2001398815 A JP 2001398815A JP 2001398815 A JP2001398815 A JP 2001398815A JP 3888673 B2 JP3888673 B2 JP 3888673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- stage laser
- beam emitted
- amplification stage
- center wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2258—F2, i.e. molecular fluoride is comprised for lasing around 157 nm
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用フッ素分子レーザシステムに関し、特に、2ステージレーザ方式の露光用フッ素分子レーザシステムにおいて、発振段レーザの中心波長と増幅段レーザの中心波長とを合わせるようにしたものに関する。
【0002】
【従来の技術】
70nm以下の刻印幅の半導体集積回路を半導体上に実現するための露光技術において、波長160nm以下の露光用光源が要求されている。そして現在、波長157nm付近の紫外線を放出するF2 (フッ素分子)レーザ装置がその光源とし有力視されている。
【0003】
F2 レーザ装置には、図16に示すように、主な発振波長が2つあり(λ1 =157.6299nm,λ2 =157.5233nm:Sov.J.Quantum Electron.16(5),May 1986 )、そのスペクトル線幅(FWHM:半値全幅)は約1pm程度である。上記2つの発振線の強度比I(λ1 )/I(λ2 )は約7である。通常、露光には強度の強い波長λ1 (=157.6299nm)の発振ラインが用いられる。
【0004】
ところで、半導体露光技術には大きく分けて以下の2種類ある。
【0005】
1)屈折系(dioptric system) を用いるもの
2)反射屈折系(catadioptric system) を用いるもの
反射屈折光学系を露光技術に用いると、色収差の発生が抑えられる。そのために、反射屈折系を用いた露光装置が現状157nm付近の波長域では有望視されている。ただし、反射屈折系は従来の屈折系と比較して露光機の光軸調整が困難である。
【0006】
これに対して、屈折系は従来の半導体露光装置に一般的に用いられていた投影光学系である。半導体露光技術では、光学系内での色収差補正方法が1つの大きな問題である。屈折系では、種類の違う屈折率を有するレンズ等の光学素子を組み合わせることによって色収差補正を実現してきた。ただし、157nm付近の波長域において透過性を有する使用可能な光学材料の種類には制限があり、現状ではCaF2 以外は使用できない状況にある。
【0007】
したがって、屈折系の露光装置の光源としてのF2 レーザ装置には狭帯域化が要請される。具体的には、レーザビームのスペクトルの半値全幅を0.3pm以下に狭帯域化することが要求される。
【0008】
一方、露光用光源として、F2 レーザ装置に要求される平均出力は、例えば、20Wである。すなわち、F2 レーザ装置の繰り返し周波数が2kHzのとき、1パルス当たりのパルスエネルギーは10mJであり、繰り返し周波数が4kHzのとき、1パルス当たりのパルスエネルギーは5mJとなる。
【0009】
しかしながら、例えば狭帯域化手段としてレーザ共振器内にエタロンを配置するとき、出力5〜10mJ のレーザ出力を得ようとすると、エタロンのコーティングにダメージが発生するので、エタロンとしては、コーティングなしのものを使用せざるを得なかった。そのため、スペクトル線幅も狭くすることができなかった。また、ASE(Amplified Spontaneous Emission)成分が多いため、線幅も0.4〜0.6pmと余り狭くならない。すなわち、パルスエネルギー5〜10mJで狭帯域化を行うことは困難である。
【0010】
以上のような状況により、スペクトル線幅が0.3pm以下で、かつ、パルスエネルギーが5mJ以上のレーザビームを得るには、例えば、発振段レーザと増幅段レーザとからなる2ステージレーザシステムを採用すればよい。すなわち、発振段レーザで低出力ではあるがスペクトル線幅が0.3pm以下であるレーザビームを発生させ、このレーザビームを増幅段レーザで増幅して、スペクトル線幅が0.3pm以下で、かつ、パルスエネルギーが5mJ以上のレーザビームを得ることができる。
【0011】
2ステージレーザシステムの構成例には、インジェクション・ロック(Injection Locking )方式及びMOPA(Master Oscillator Power Amplifier)方式がある。インジェクション・ロック方式は、増幅段レーザにレーザ共振器を備える構成であり、増幅段レーザには不安定共振器を用いる。MOPA方式は、増幅段レーザにレーザ共振器を持たない構成である。MOPA方式ではこのように増幅段レーザにレーザ共振器を持たないため、発振段レーザからのレーザビームの1パス増幅器として機能する。
【0012】
発振段レーザの狭帯域化素子としては、1個又はそれ以上のビーム拡大兼分散プリズム群とグレーティングの組み合わせ、又は、エタロンと全反射鏡の組み合わせ等を用いる。以下に、インジェクション・ロック方式及びMOPA方式の2ステージレーザシステムの構成例を示す。
【0013】
図17(a)は、インジェクション・ロック方式の場合であって、狭帯域化素子としてプリズムと回折格子(グレーティング)を使用する場合、図17(b)は、インジェクション・ロック方式の場合であって、狭帯域化素子としてエタロンを使用する場合、図18(a)は、MOPA方式の場合であって、狭帯域化素子としてプリズムと回折格子(グレーティング)を使用する場合、図18(b)は、MOPA方式の場合であって、狭帯域化素子としてエタロンを使用する場合をそれぞれ示す。図中、符号10は発振段レーザ、20は増幅段レーザ、1は発振段レーザ10のレーザチェンバ、1’は増幅段レーザ20のレーザチェンバ、2は狭帯域化モジュール(狭帯域化素子)、3は発振段レーザ10の出力鏡、4は発振段レーザ10のレーザビームを制限するアパーチャ、5は狭帯域化モジュール2を構成する回折格子、6は狭帯域化モジュール2を構成するビーム拡大兼分散プリズム、7は増幅段レーザ20の不安定共振器を構成する凹面ミラー、8は増幅段レーザ20の不安定共振器を構成する凸面ミラー、9は発振段レーザ10と増幅段レーザ間に介在する反射ミラー、11は狭帯域化モジュール2を構成するエタロン、12は狭帯域化モジュール2を構成する全反射鏡である。
【0014】
ここでは、図17(a)のインジェクション・ロック方式の場合であって、狭帯域化素子2としてプリズム6と回折格子5を使用する場合の構成を例とって説明する。発振段レーザ10は、レーザシステムのシードレーザ(種レーザ光)発生部としての機能を有する。増幅段レーザ20は、そのシードレーザを増幅する機能を有する。すなわち、発振段レーザ10のスペクトル特性により、レーザシステムの全体のスペクトル特性が決定される。そして、増幅段レーザ20によってレーザシステムからのレーザ出力(エネルギー又はパワー)が決定される。発振段レーザ10には、拡大プリズム6、回折格子5を含む狭帯域化モジュール2が搭載されており、スペクトルが狭帯域化されたレーザが発振段レーザ10より出力される。
【0015】
なお、狭帯域化モジュール2を、図17(b)、図18(b)に示すように、エタロン11と全反射鏡12とから構成してもよい。
【0016】
発振段レーザ10からのレーザビーム(シードレーザビーム)は、反射ミラー9等を含むビーム伝播系により増幅段レーザ20へ導かれ、注入される。インジェクション・ロック方式(図17)では、小入力でも増幅できるように、増幅段には、凹面ミラー7と凸面ミラー8からなり、例えば倍率が3倍以上の不安定型共振器が採用される。
【0017】
増幅段レーザ10の不安定共振器の凹面ミラー7には穴が開いており、この穴を通して導入されたシードレーザビームは凸面ミラー8で矢印のように反射して拡大され、レーザチェンバ1’の放電部を有効に通過しレーザビームのパワーが増大する。そして、凸面ミラー8からレーザが出射される。凹面ミラー7の中心部には空間的穴が施してあり、周囲には高反射率ミラーコートが施されている。凸面ミラー8の中心部には高反射率ミラーコートが施され、周囲のレーザ出射部には反射防止コートが施されている。凹面ミラー7の穴は空間的に開いているのではなく、穴部のみ反射防止コートが施されたミラー基板を用いてもよい。また、ミラーに透過部を持たせない不安定共振器を用いてもよい。
【0018】
フッ素分子レーザの場合、発振段レーザ10、増幅段レーザ20共、バッファガスとして、He又はNe又はそれらの混合ガスを用いる。また、必要に応じてXeも添加する。
【0019】
図19に、2ステージレーザ方式のF2 レーザ装置のレーザパルス波形とスペクトル線幅の時間変化の関係の模式図を示す。図中、横軸のtは時間、縦軸のIは強度、Δλはスペクトル線幅を示す。この図19のパルス波形において、スペクトル線幅Δλは時間tの経過に伴なって(すなわち、共振器内のラウンドトリップの回数が多くなるにつれて)細くなる。従来の狭帯域化レーザでは、スペクトル線幅は積分値となるが、2ステージレーザ方式では、瞬時の線幅が狭くなったパルス後半部のものを取り出し、この線幅を維持したまま、出力のみ増幅することができ、ASE成分を低減させることができる。
【0020】
したがって、このような2ステージレーザ方式を用いることにより、高出力と超狭帯域を同時に達成することができる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】
F2 レーザ装置を露光用光源として用いる場合、スペクトル純度が重要となる。この「スペクトル純度」とは、スペクトルエネルギーの集中度に関する1つの指標であり、スペクトル波形の「ある面積比率」を含む線幅を言う。例えば、一般によく使われる「95%純度」とは、図20に示すように、そのスペクトル波形の全面積の中、中心側から95%の面積を含む線幅を意味する。
【0022】
ところで、F2 レーザ装置は、Heバッファー時とNeバッファー時では中心波長が異なるため、例えば発振段レーザをNeバッファー、増幅段レーザをHeバッファーとしてそのまま発振させると、図21(a)に示すように、発振段レーザの中心波長と増幅段レーザの中心波長とがずれた状態で同期されてしまう。F2 レーザは元々、ArFエキシマレーザやKrFエキシマレーザと比べて線幅が狭いため、図21(b)に示すように、この中心波長のずれは増幅後のレーザビームのスペクトル純度の悪化に繋がってしまう。
【0023】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、2ステージレーザ方式の露光用フッ素分子レーザシステムにおいて、発振段レーザの中心波長と増幅段レーザの中心波長とを合わせてスペクトル純度が小さく線幅の狭いレーザビームを発振させるようにすることである。
【0024】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の露光用フッ素分子レーザシステムは、発振段レーザと増幅段レーザとからなる2ステージ方式の露光用フッ素分子レーザシステムであって、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように構成したことを特徴とするものである。
【0025】
本発明においては、発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように構成したので、露光用フッ素分子レーザシステムの超狭帯域化が達成され、スペクトル純度も良好となる。
【0026】
なお、本発明において、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とは、インジェクション・ロックの場合は、文字通り増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を意味し、MOPA方式の場合は、増幅段レーザの何れかの主な発振波長(図16)近傍の最も利得の高い波長を意味する。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の露光用フッ素分子レーザシステムをいくつかの実施例に基づいて説明する。
【0028】
図1に、インジェクション・ロック方式を採用した場合の1つの実施例の露光用フッ素分子レーザシステムのシステム構成図を示す。
【0029】
図1の構成と作用を説明する前に、発振段レーザ10と増幅段レーザ20の波長ずれの原因について説明しておく。
【0030】
中心波長がずれる原因は、以下の通りである。
【0031】
第1の原因は、バッファーガスの相違である。発振段レーザ10と増幅段レーザ20のバッファーガスが異なること(例、発振段レーザ:Neバッファー、増幅段レーザ:Heバッファー)により、図21に示すような中心波長のずれが起こる。発振段レーザ10である狭帯域化レーザは、スペクトルの狭帯域化のためにはロングパルス化が可能で、狭帯域化素子をより多く利用できるNeバッファーの使用が有利である。また、増幅段レーザ20は高出力を得るためにHeバッファーの使用が有利である。バッファーガスがHeの場合とNeの場合では、封入圧力が等しいとき、中心波長は、図2に示すように約0.32〜0.36pmずれる。
【0032】
中心波長がずれる第2の原因は、封入ガス圧力の相違である。発振段レーザ10と増幅段レーザ20のバッファーガスが同じでも、ガス圧が異なることによって中心波長のずれが起こる。図3に示すように、圧力が高いと、中心波長は長くなる。
【0033】
中心波長がずれる第3の原因に、狭帯域化ユニットにおける波長選択のずれがある。例えば、インジェクションロック方式で、発振段レーザ10側を単独で発振させたときの中心波長に対して、増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの中心波長が狭帯域化素子の選択波長のずれに起因して中心波長がずれることになる。
【0034】
また、以上の第1から第3の原因が2つ以上複合して中心波長のずれが起こる。
【0035】
その他、(1)レーザガス中のフッ素分圧、(2)放電電圧(電極への印加電圧)、(3)ガス温度等が原因になり得るが、(1)、(2)による中心波長のずれはほとんど無視できるくらい小さかった。また、(3)の温度は、レーザチェンバの容積が一定なので、結局、圧力による中心波長のずれと同等となる。
【0036】
さて、図1に戻って、このインジェクション・ロック方式を採用した露光用フッ素分子レーザシステムにおいて、発振段レーザ10は、レーザチェンバ1と、その両端に配置されて共振器を構成する狭帯域化ユニット(モジュール)2及び出力鏡3と、レーザビームを制限するアパーチャ4、4とからなり、増幅段レーザ20は、レーザチェンバ1’と、その両端に配置されて共振器を構成する反射鏡13と、出力鏡14とからなる。ここで、増幅段レーザ20に不安定共振器を用いる場合には、反射鏡13には凹面ミラー、出力鏡14には凸面ミラーが採用される。また、発振段レーザ10の狭帯域化ユニット2としては、図17、図18に示したような、プリズム6と回折格子5を使用するもの、エタロン11と全反射鏡12を使用するもの何れであってもよい。
【0037】
そして、図1の場合、発振段レーザ10と増幅段レーザ20の間にビームスプリッタ15が配置され、また、そのビームスプリッタ15と反射鏡13の間にシャッター16が配置され、さらに、増幅段レーザ20の出力側に別のビームスプリッタ17が配置されている。
【0038】
ビームスプリッタ15で取り出された発振段レーザ10からのレーザビームはモニタ21に入射し、ビームスプリッタ17で取り出された増幅段レーザ20からのレーザビームはモニタ22に入射し、モニタ21、22からの出力信号は、コントローラ23に入力し、コントローラ23からの制御信号は狭帯域化ユニット2とガスユニット24に送られ、ガスユニット24はレーザチェンバ1とレーザチェンバ1’のガス圧を制御するようになっている。
【0039】
このような構成において、中心波長同調の制御方法について説明する。
【0040】
波長の調整には、以下の3つの方法がある。発振段レーザ10の中心波長をλ1、増幅段レーザ20の中心波長をλ2とするとき、
▲1▼λ1固定、λ2制御
▲2▼λ1制御、λ2固定
▲3▼λ1制御、λ2制御
まず、発振段レーザ10側の波長λ1を固定し、増幅段レーザ20側の波長を制御して同調する場合について説明する。そのためには、増幅段レーザ20のガス圧等を制御して波長を合わせる。
【0041】
まず、図1の構成において、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ15により取り出し、モニタ21に導光する。モニタ21により発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1を検出し、モニタ21はデータをコントローラ23に送信する。
【0042】
そして、発振段レーザ10と増幅段レーザ20の間のシャッター16を閉状態にし、増幅後ではない増幅段レーザ20単体から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ17により取り出し、モニタ22に導光する。モニタ22により増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの中心波長λ2を検出し、モニタ22はデータをコントローラ23に送信する。
【0043】
ここでのモニタ21、22は中心波長λ1、λ2を検出可能なモニタである。
【0044】
コントローラ23は受信したデータを基に、中心波長λ1、λ2を算出し、両者を比較する。
【0045】
コントローラ23はガスユニット24を制御して、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内圧力を一定にし、また、コントローラ23はモニタ21からの中心波長データに基づき、狭帯域化ユニット2を制御して、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長がλ1となるように固定する。
【0046】
続いて、λ2=λ1となるように、増幅段レーザ20単体から放出されるレーザビームの中心波長λ2を調整する。波長λ2の調整は、増幅段レーザ20のレーザチェンバー1’内ガスの圧力を制御することにより以下のように行う。
・λ2>λ1の場合
先に述べた通り、レーザチェンバ1’内のガス圧力が高いと、中心波長は長波長側にシフトするので、コントローラ23はガスユニット24を制御して、図4に示すように、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力P2を減らして、波長λ1に相当する増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力Paに一致させる。
・λ2<λ1の場合
コントローラ23はガスユニット24を制御して、図4に示すように、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力P2を増やして、波長λ1に相当する増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力Paに一致させる。
【0047】
ここで、発振段レーザ10と増幅段レーザ20において、バッファーガス種が同一である場合は、本制御の結果、発振段レーザ10と増幅段レーザ20のレーザチェンバ1、1’内圧力は略同じとなる。一方、バッファーガス種が異なる場合は、本制御の結果、発振段レーザ10と増幅段レーザ20のレーザチェンバ1、1’内圧力は相違することになる。
【0048】
上記制御方法は、シャッター16を用いて増幅段レーザ20単体から放出されるレーザビームの中心波長λ2を検出しているが、MOPA方式では、増幅段レーザ20にレーザ共振器がないので、波長λ2を検出することができない。すなわち、本制御方法は、インジェクション・ロック方式の2ステージレーザにのみ適用できる。
【0049】
別の実施例を図5の露光用フッ素分子レーザシステムのシステム構成図を参照にして説明する。この実施例は、インジェクション・ロック方式を採用した露光用フッ素分子レーザシステムであるが、増幅段レーザ20の共振器を構成する反射鏡13と出力鏡14を省いてMOPA方式としてもよい。
【0050】
この図5の実施例においては、図1の構成と異なるのは、発振段レーザ10と増幅段レーザ20の間のシャッター16が省かれている点だけで、制御方法が異なる。すなわち、この実施例では、発振段スペクトル純度Δλp1と増幅後スペクトル純度Δλp3の比較を行うものである。
【0051】
発振段レーザ10から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ15により取り出し、モニタ21に導光する。モニタ21により発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル波形を検出し、モニタ21はデータをコントローラ23に送信する。
【0052】
一方、発振段レーザ10からのシードレーザビームを増幅して増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ17により取り出し、モニタ22に導光する。モニタ22により増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル波形を検出し、モニタ22はデータをコントローラに送信する。
【0053】
ここでのモニタ21、22はスペクトル波形を検出可能なモニタである。また、モニタ21は発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1も検出可能なモニタである。
【0054】
コントローラ23は受信したスペクトルデータを基に、発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp1と増幅後に増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3を算出し、両者を比較する。
【0055】
その結果に基づくガス圧の調整は、以下の2つの方法がある。
(1)発振段レーザ10側圧力固定、増幅段レーザ20側圧力制御
(2)発振段レーザ10側圧力制御、増幅段レーザ20側圧力固定
ここでは、増幅段レーザ20側圧力制御する場合について説明する。コントローラ23はガスユニット24を制御して発振段レーザ10のレーザチェンバ1内圧力を一定にし、また、コントローラ23はモニタ21からの中心波長データに基づき狭帯域化ユニット2を制御して、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長がλ1となるように固定する。
【0056】
続いて、コントローラ23は、Δλp3=A×Δλp1(A=1〜3程度)となるように、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧を制御する。通常、増幅段レーザ20から放出されるレーザビームには、増幅段レーザ20で発生するASE成分が含まれる。したがって、増幅後に増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3は、発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp1より大きくなることが多い。本発明者の実験により、増幅後に増幅段レーザ20から放出されるレーザビームが露光に十分使用可能なスペクトル線幅に狭帯域化されているとき、その純度Δλp3は、発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp1の1〜3倍程度の何れかの値であることが分った。
【0057】
この場合のガス圧制御の方法について説明する。図6に示すように、まず、コントローラ23はガスユニット24を制御して増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力P2を増やす。圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より小さくなった場合、以後、圧力P2を増やす方向に制御して、Δλp3=A×Δλp1となるようにする。
【0058】
一方、圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より大きくなった場合、以後、圧力P2を減らす方向に制御して、Δλp3=A×Δλp1となるようにする。
【0059】
なお、以下のような手順でもよい。すなわち、まず、コントローラ23はガスユニット24を制御して増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力P2を減らす。圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より小さくなった場合、以後、圧力P2を減らす方向に制御して、Δλp3=A×Δλp1となるようにする。
【0060】
一方、圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より大きくなった場合、以後、圧力P2を増やす方向に制御して、Δλp3=A×Δλp1となるようにする。
【0061】
上記したように、増幅後の増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3をモニタするので、発振段レーザ10と増幅段レーザ20との間に、図5に示すように、シャッターを設ける必要はない。
【0062】
すなわち、本制御方法は、インジェクション・ロック方式のみならず、MOPA方式(反射鏡13と出力鏡14を省いた構成)に対しても適用できる。
【0063】
なお、スペクトル純度Δλp1、Δλp3は、上記したような95%純度であるが、これに限るものではない。例えば、スペクトル10%線幅Δλ110%、Δλ310%であってもよい。ここで言う「スペクトル10%線幅」とは、図7に示すように、スペクトル波形のピーク強度の10%となる位置でのスペクトル線幅を言う。なお、スペクトル10%線幅の代わりに、スペクトルのピーク強度の5%、20%等の線幅を使用しても構わない。これらの場合には、上記係数Aは、前記のA=1〜3程度とは必ずしもならない。
【0064】
図5で説明した例では、発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp1(あるいは、Δλ110%等)と増幅後の増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3(あるいは、Δλ310%等)を算出し、両者を比較していたが、増幅後の増幅段レーザ20からから放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3(あるいは、Δλ310%等)のみを算出し、図8に示すように、これが最小となるように増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力P2を制御するようにしてもよい。
【0065】
次に、上記の発振段スペクトル純度Δλp1と増幅後スペクトル純度Δλp3の比較を行う実施例の変形例を説明する。この実施例は、理想スペクトル純度Δλo と増幅後スペクトル純度Δλp3の比較するものである。
【0066】
そのためには、増幅後に増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの理想純度を予め計算しておき、コントローラ23に記憶しておく。
【0067】
理想純度Δλo の導出の際には、スペクトル波形としてガウシアン関数、
I=exp(−x2 /kg )
又は、ローレンツ関数、
I=1/(1+x2 /kl )
を用いる。ここで、Iはスペクトル強度、xは波長、kg 、kl は定数である。例えばFWHMが0.2pmのスペクトル波形を考えると、kg =-1.443×10-26 、kl = 1×10-26 となる。
【0068】
図5において、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ15により取り出し、モニタ21に導光する。モニタ21により発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1を検出し、モニタ21はデータをコントローラ23に送信する。
【0069】
一方、発振段レーザ10からのシードレーザビームを増幅して、増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ17により取り出し、モニタ22に導光する。モニタ22により増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3を検出し、モニタ22はデータをコントローラ23に送信する。
【0070】
ここでのモニタ21は発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1が検出可能なモニタである。また、モニタ22はスペクトル純度Δλp3を検出可能なモニタである。
【0071】
コントローラ23はガスユニット24を制御して、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内圧力を一定にし、また、コントローラ23はモニタ21からの中心波長データに基づき狭帯域化ユニット2を制御して、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長がλ1となるように固定する。
【0072】
コントローラ23は、記憶しておいたデータと受信したデータを基に、理想純度Δλo と増幅後スペクトル純度Δλp3を比較する。
【0073】
続いて、コントローラ23は、Δλp3=Δλo となるように、増幅段レーザ20のレーザチェンバ内のガス圧を制御する。
【0074】
この場合のガス圧制御の方法について説明する。図9に示すように、まず、コントローラ23はガスユニット24を制御して、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力P2を増やす。圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より小さくなった場合、以後、圧力P2増やす方向に制御して、Δλp3=Δλo となるようにする。一方、圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より大きくなった場合、以後、圧力P2を減らす方向に制御して、Δλp3=Δλo となるようにする。
【0075】
なお、以下のような手順でもよい。すなわち、まず、コントローラ23はガスユニット24を制御して、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力P2を減らす。圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より小さくなった場合、以後、圧力P2を減らす方向に制御して、Δλp3=Δλo となるようにする。一方、圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より大きくなった場合、以後、圧力P2を増やす方向に制御して、Δλp3=Δλo となるようにする。
【0076】
以上のように、この実施例では、増幅後の増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3モニタするので、発振段レーザ10と増幅段レーザ20との間に、図1の場合のようなシャッター16は設ける必要がない。したがって、この場合の制御方法は、インジェクション・ロック方式のみならず、MOPA方式に対しても適用できる。また、モニタ21も必ずしも設ける必要がないので、構成がシンプルになる。
【0077】
次に、発振段スペクトル純度左右比率Δλp1short /Δλp1longと増幅後スペクトル純度左右比率Δλp3short /Δλp3longの比較を行う実施例について説明する。
【0078】
図5において、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ15により取り出し、モニタ21に導光する。モニタ21により発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル波形を検出し、モニタ21はデータをコントローラ23に送信する。
【0079】
一方、発振段レーザ10からのシードレーザビームを増幅して、増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ17により取り出し、モニタ22に導光する。モニタ22により増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル波形を検出し、モニタ22はデータをコントローラ23に送信する。
【0080】
ここでのモニタ21、22はスペクトル波形を検出可能なモニタである。また、モニタ21は発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1が検出可能なモニタである
コントローラ23は、受信したスペクトルデータを基に、発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp1の中の中心波長より短波長側(左側)の純度Δλp1short と長波長側(右側)の純度Δλp1longを算出する。また、増幅後の増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3の中の中心波長より短波長側(左側)の純度Δλp3short と長波長側(右側)の純度Δλp3longを算出する。
【0081】
ここで言う「中心波長」とは、スペクトル波形の強度がピークとなる波長、又は、半値強度における波長の中心値を言う。そして、短波長側(左側)の純度Δλp short と長波長側(右側)の純度Δλp longとは、図10に示すように、それぞれ中心波長より短波長側(左側)、長波長側(右側)のスペクトル波形の全面積の中、中心側から95%の面積を含む線幅を意味する。
【0082】
コントローラ23は、Δλp1short /Δλp1long、Δλp3short /Δλp3longの値を算出する。
【0083】
そして、コントローラ23はガスユニット24を制御して、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内圧力を一定にし、また、コントローラ23はモニタ21からの中心波長データに基づき、狭帯域化ユニット2を制御して発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長がλ1となるように固定する。
【0084】
この圧力一定化により、発振段レーザ10におけるΔλp1short /Δλp1longの値も固定される。
【0085】
続いて、コントローラ23は、Δλp3short /Δλp3long=Δλp1short /Δλp1longとなるように、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧を制御する。
【0086】
この場合のガス圧制御の方法を説明する。
・Δλp3short /Δλp3long>Δλp1short /Δλp1longの場合
この状態は、図11(a)に示すように、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長より、仮に増幅段レーザ20単体を発振させたときに増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの中心波長が短波長側に存在する状態である。したがって、コントローラ23はガスユニット24を制御して、図12に示すように、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力P2を増やして、Δλp1short /Δλp1longに相当するレーザチェンバ1’内のガス圧力Paに一致させる。
・Δλp3short /Δλp3long<Δλp1short /Δλp1longの場合
この状態は、図11(b)に示すように、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長より、仮に増幅段レーザ20単体を発振させたときに増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの中心波長が長波長側に存在する状態である。したがって、コントローラ23はガスユニット24を制御して、図12に示すように、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧力P2を減らして、Δλp1short /Δλp1longに相当するレーザチェンバ1’内のガス圧力Paに一致させる。
【0087】
この実施例においては、上記したように、増幅後の増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3の中の中心波長より短波長側(左側)の純度Δλp3short と長波長側(右側)の純度Δλp3longをモニタするので、発振段レーザ10と増幅段レーザ20との間に、図1の場合のようなシャッター16は設ける必要がない。したがって、この場合の制御方法は、インジェクション・ロック方式のみならず、MOPA方式に対しても適用できる。また、モニタ21も必ずしも設ける必要がないので、構成がシンプルになる。
【0088】
次に、図1の発振段レーザ10と増幅段レーザ20との間にシャッター16を設けた配置で、発振段レーザ10の中心波長λ1を制御する例と、発振段レーザ10の中心波長λ1、増幅段レーザ20の中心波長λ2を共に制御する例とを説明する。
【0089】
図1において、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ15により取り出し、モニタ21に導光する。モニタ21により発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1を検出し、モニタ21はデータをコントローラ23に送信する。
【0090】
発振段レーザ10と増幅段レーザ20との間のシャッター16を閉状態にし、増幅後ではない増幅段レーザ20単体から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ17により取り出し、モニタ22に導光する。モニタ22により増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの中心波長λ2を検出し、モニタ22はデータをコントローラ23に送信する。
【0091】
ここでのモニタ21、22は中心波長λ1、λ2を検出可能なモニタである。
【0092】
コントローラ23は受信したデータを基に、中心波長λ1、λ2を算出し、両者を比較する。
【0093】
コントローラ23は、λ2=λ1となるように、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1、増幅段レーザ20単体から放出されるレーザビームの波長中心λ2、又は、その両方を調整する。波長の調整は、それぞれのガス圧を制御することにより行う。
【0094】
波長の調整には、前記のように、
▲1▼λ1固定、λ2制御
▲2▼λ1制御、λ2固定
▲3▼λ1制御、λ2制御
の3つの方法があるが、▲1▼については、前記したので、▲2▼λ1制御、λ2固定と▲3▼λ1制御、λ2制御の場合のガス圧制御の方法を説明する。
【0095】
まず、▲2▼λ1制御、λ2固定の場合について、コントローラ23はガスユニット24を制御して、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内圧力を一定にし、シャッター16を閉状態で増幅段レーザ20単体から放出されるレーザビームの中心波長がλ2となるように固定する。
【0096】
続いて、λ1=λ2となるように、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1を調整する。波長λ1の調整は、発振段レーザ10のレーザチェンバー1内ガスの圧力を制御することにより行う。そのガス圧制御の方法は、
・λ1>λ2の場合
コントローラ23はガスユニット24を制御して、図13に示すように、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力P1を減らして、波長λ2に相当する発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力Paに一致させる。
・λ1<λ2の場合
コントローラ23はガスユニット24を制御して、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力P1を増やして、波長λ2に相当する発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力Paに一致させる。
【0097】
また、▲3▼λ1制御、λ2制御の場合は、コントローラ23は目標波長λ0を予め記憶しておく。
【0098】
続いて、λ1=λ2=λ0となるように、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1、増幅段レーザ20単体から放出されるレーザビームの中心波長λ2を調整する。波長λ1、λ2の調整は、発振段レーザ10のレーザチェンバー1内ガスの圧力、増幅段レーザ20のレーザチェンバー1’内ガスの圧力を制御することにより行う。なお、中心波長λ2を制御する際は、シャッター16を閉状態にする。そのガス圧制御の方法は、
・λ1>λ0の場合
コントローラ23はガスユニット24を制御して、図14に示すように、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力P1を減らして、目標波長λ0に相当する発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力Paに一致させる。・λ1>λ0の場合
コントローラ23はガスユニット24を制御して、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力P1を増やして、目標波長λ0に相当する発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力Paに一致させる。
・λ2>λ0の場合
コントローラ23はガスユニット24を制御して、図15に示すように、増幅段レーザ20のレーザチェンバー1’内のガス圧力P2を減らして、目標波長λ0に相当する増幅段レーザ20のレーザチェンバー1’内のガス圧力Paに一致させる。
・λ2<λ0の場合
コントローラ23はガスユニット24を制御して、増幅段レーザ20のレーザチェンバー1’内のガス圧力P2を増やして、目標波長λ0に相当する増幅段レーザ20のレーザチェンバー1’内のガス圧力Paに一致させる。
【0099】
上記制御方法は、シャッター16を用いて、増幅段レーザ20単体から放出されるレーザビームの中心波長λ2を検出しているが、MOPA方式では、増幅段レーザ20にレーザ共振器がないので、波長λ2を検出することができない。したがって、この実施例の制御方法は、インジェクション・ロック方式の2ステージレーザにのみ適用できる。
【0100】
ここで、発振段レーザ10と増幅段レーザ20において、バッファーガス種が同一である場合は、上記の制御の結果、発振段レーザ10、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1、1’内圧力は略同じとなる。一方、バッファーガス種が異なる場合は、上記制御の結果、発振段レーザ10、増幅段レーザ20のそれぞれレーザチェンバ1、1’内圧力は相違するのが一般的である。
【0101】
次に、発振段スペクトル純度Δλp1と増幅後スペクトル純度Δλp3の比較する別の実施例を説明する。
【0102】
図5において、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ15により取り出し、モニタ21に導光する。モニタ21により発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル波形を検出し、モニタ21はデータをコントローラ23に送信する。
【0103】
一方、発振段レーザ10からのシードレーザビームを増幅して、増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ17により取り出し、モニタ22に導光する。モニタ22により増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル波形を検出し、モニタ22はデータをコントローラ23に送信する。
【0104】
ここでのモニタ21、22はスペクトル波形を検出可能なモニタである。また、モニタ21は発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長λ1が検出可能なモニタである
コントローラ23は受信したスペクトルデータを基に、発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp1と増幅後の増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp3を算出し、両者を比較する。
【0105】
なお、スペクトル純度Δλp1、Δλp3は、前記したような95%純度であるが、これに限るものではない。例えば、スペクトル10%線幅Δλ110%、Δλ310%であってもよい。あるいは、スペクトルのピーク強度の5%、20%等の線幅を使用しても構わない。
【0106】
コントローラ23はガスユニット24を制御して、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内圧力を一定にし、また、コントローラ23はモニタ21からの中心波長データに基づき狭帯域化ユニット2を制御して、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの中心波長がλ1となるように固定する。
【0107】
続いて、コントローラ23は、Δλp3=A×Δλp1(あるいは、Δλ310%=A×Δλ110%等)(A=1 〜5程度)となるように、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内のガス圧を制御する。ここで、A=1〜3程度とした理由は、前記で説明したのと同様である。
【0108】
ガス圧の調整は、前記のように、
(1)発振段レーザ10側圧力固定、増幅段レーザ20側圧力制御
(2)発振段レーザ10側圧力制御、増幅段レーザ20側圧力固定
の2つの方法があるが、(1)はすでに説明したので、(2)について説明する。
【0109】
コントローラ23はガスユニット24を制御して、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内圧力を一定にする。
【0110】
続いて、Δλp3=A×Δλp1(あるいは、Δλ310%=A×Δλ110%等)(A=1 〜5程度)となるように、発振段レーザ10から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλp1(あるいは、Δλ110%等)を調整する。スペクトル純度の調整は、発振段レーザ10のレーザチェンバー1内ガスの圧力を制御することにより行う。
【0111】
そのガス圧制御の方法としては、まず、コントローラ23はガスユニット24を制御して、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力P1を増やす。
【0112】
圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より小さくなった場合、以後、圧力P1を増やす方向に制御して、Δλp3=A×Δλp1となるようにする。
【0113】
一方、圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より大きくなった場合、以後、圧力P1を減らす方向に制御して、Δλp3=A×Δλp1となるようにする。
【0114】
なお、以下のような手順でもよい。すなわち、まず、コントローラ23はガスユニット24を制御して、発振段レーザ10のレーザチェンバ1内のガス圧力P1を減らす。
【0115】
圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より小さくなった場合、以後、圧力P1を減らす方向に制御して、Δλp3=A×Δλp1となるようにする。
【0116】
一方、圧力変化後のスペクトル純度Δλp3’が、圧力変化前のスペクトル純度Δλp3より大きくなった場合、以後、圧力P1を増やす方向に制御して、Δλp3=A×Δλp1となるようにする。
【0117】
最後に、狭帯域化ユニット2における波長選択のずれがある場合に、発振段レーザ10側の波長、増幅段レーザ20側の波長を制御して同調する実施例を説明する。
【0118】
図5において、発振段レーザ10からのシードレーザビームを増幅して、増幅段レーザ20から放出されるレーザビームの一部をビームスプリッタ17により取り出し、モニタ22に導光する。モニタ22により増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル波形を検出し、モニタ22はデータをコントローラ23に送信する。
【0119】
ここでのモニタ22はスペクトル波形を検出可能なモニタである。
【0120】
コントローラ23はガスユニット24を制御して、増幅段レーザ20のレーザチェンバ1’内圧力を一定にする。
【0121】
発振段レーザ10の狭帯域化ユニット2中のレーザ狭帯域化素子(グレーティング等)の波長同調により、増幅後に増幅段レーザ20から放出されるレーザビームのスペクトル純度Δλ3 が最小になるように、発振段レーザ10から放出されるレーザビームの波長を調整する。これは、発振段レーザ10側の波長を増幅段レーザ20側の波長に合わせることを意味する。
【0122】
狭帯域化ユニット2での波長同調の方式として、プリズムと回折格子(グレーティング)を使用する場合(図17(a)、図18(a))は、グレーティングの回転にて行う。プリズムとグレーティングの狭帯域化モジュール内に反射ミラーが折り返しミラーとして設置されている場合は、そのミラーの回転で制御する。また、折り返しミラーとグレーティング両方を用いて中心波長制御を行ってもよい。
【0123】
狭帯域化ユニット2での波長同調の方式として、エタロンを用いる場合(図17(b)、図18(b))は、エタロンの回転、使用されるエタロンがエアギャップエタロンの場合はエタロンの回転又はエタロンの置かれている雰囲気圧力の変化(雰囲気屈折率変化)によって波長同調を行う。
【0124】
以上、本発明の露光用フッ素分子レーザシステムをいくつかの実施例に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例に限定されず種々の変形が可能である。
【0125】
【発明の効果】
本発明によると、露光用フッ素分子レーザシステムにおいて、発振段レーザと増幅段レーザとからなる2ステージ方式を採用するに際し、発振段レーザの中心波長と増幅段レーザの中心波長とが一致するよう制御するので、露光用フッ素分子レーザシステムの超狭帯域化が達成され、スペクトル純度も良好となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例の露光用フッ素分子レーザシステムのシステム構成図である。
【図2】フッ素分子レーザにおいてバッファーガスがHeの場合とNeの場合に中心波長がずれることを示すスペクトル図である。
【図3】フッ素分子レーザにおいて封入ガス圧力による中心波長のずれを示す図である。
【図4】発振段レーザの中心波長を固定し増幅段レーザの中心波長を制御する場合の増幅段レーザのガス圧力を制御して同調する方法を説明するための図である。
【図5】別の実施例の露光用フッ素分子レーザシステムのシステム構成図である。
【図6】発振段スペクトル純度に対して増幅後スペクトル純度の比較を行う場合の増幅段レーザのガス圧力を制御して同調する方法を説明するための図である。
【図7】スペクトル10%線幅を説明するための図である。
【図8】増幅後の増幅段レーザからから放出されるレーザビームのスペクトル純度が最小となるように増幅段レーザのガス圧力を制御して同調する方法を説明するための図である。
【図9】理想スペクトル純度と増幅後スペクトル純度を比較して増幅後スペクトル純度が最小となるように増幅段レーザのガス圧力を制御して同調する方法を説明するための図である。
【図10】短波長側の純度と長波長側の純度を説明するための図である。
【図11】発振段レーザから放出されるレーザビームに対して増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長がずれている場合に増幅後の増幅段レーザからから放出されるレーザビームのスペクトル波形を示す図である。
【図12】発振段スペクトル純度左右比率と増幅後スペクトル純度左右比率を比較して両者を一致させるように増幅段レーザのガス圧力を制御して同調する方法を説明するための図である。
【図13】増幅段レーザの中心波長を固定し発振段レーザの中心波長を制御する場合の発振段レーザのガス圧力を制御して同調する方法を説明するための図である。
【図14】発振段レーザ、増幅段レーザの中心波長を共に制御する場合の発振段レーザのガス圧力を制御して目標波長に同調する方法を説明するための図である。
【図15】発振段レーザ、増幅段レーザの中心波長を共に制御する場合の増幅段レーザのガス圧力を制御して目標波長に同調する方法を説明するための図である。
【図16】フッ素分子レーザの主な発振波長を示す図である。
【図17】インジェクション・ロック方式の2ステージレーザシステムの構成例を示す図である。
【図18】MOPA方式の2ステージレーザシステムの構成例を示す図である。
【図19】2ステージレーザ方式のフッ素分子レーザのレーザパルス波形とスペクトル線幅の時間変化の関係の模式図である。
【図20】95%純度を説明するための図である。
【図21】発振段レーザと増幅段レーザの中心波長がずれた状態での増幅後の増幅段レーザからから放出されるレーザビームのスペクトル波形を示す図である。
【符号の説明】
1…発振段レーザのレーザチェンバ
1’…増幅段レーザのレーザチェンバ
2…狭帯域化モジュール、狭帯域化素子、狭帯域化ユニット
3…発振段レーザの出力鏡
4…発振段レーザのアパーチャ
5…回折格子
6…ビーム拡大兼分散プリズム
7…増幅段レーザの不安定共振器を構成する凹面ミラー
8…増幅段レーザの不安定共振器を構成する凸面ミラー
9…反射ミラー
10…発振段レーザ
11…エタロン
12…全反射鏡
13…増幅段レーザの共振器を構成する反射鏡
14…増幅段レーザの共振器を構成する出力鏡
15…ビームスプリッタ
16…シャッター
17…ビームスプリッタ
20…増幅段レーザ
21…モニタ
22…モニタ
23…コントローラ
24…ガスユニット
Claims (11)
- フッ素分子レーザである発振段レーザとフッ素分子レーザである増幅段レーザとからなる2ステージ方式の露光用フッ素分子レーザシステムであって、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように、発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を固定し、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を増幅段レーザのレーザチェンバ内圧力を制御することにより制御して、発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長に同調させることを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。 - フッ素分子レーザである発振段レーザとフッ素分子レーザである増幅段レーザとからなる2ステージ方式の露光用フッ素分子レーザシステムであって、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を固定し、発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を制御して、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長に同調させることを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。 - 請求項2において、
発振段レーザの波長制御を発振段レーザのレーザチェンバ内圧力を制御することにより行うことを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。 - フッ素分子レーザである発振段レーザとフッ素分子レーザである増幅段レーザとからなる2ステージ方式の露光用フッ素分子レーザシステムであって、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように、目標波長を予め定めておき、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長、及び、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を、それぞれのレーザチェンバ内圧力を制御することにより制御して、両者を目標波長に同調させることを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。 - フッ素分子レーザである発振段レーザとフッ素分子レーザである増幅段レーザとからなる2ステージ方式の露光用フッ素分子レーザシステムであって、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように、発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を固定し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度を測定し、
このスペクトル純度が最小となるように、増幅段レーザのレーザチェンバ内圧力を制御することを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。 - フッ素分子レーザである発振段レーザとフッ素分子レーザである増幅段レーザとからなる2ステージ方式の露光用フッ素分子レーザシステムであって、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように、発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を固定し、
発振段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度を測定し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度を測定し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度が、発振段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度のA倍(A=1〜5)となるように、増幅段レーザのレーザチェンバ内圧力を制御することを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。 - フッ素分子レーザである発振段レーザとフッ素分子レーザである増幅段レーザとからなる2ステージ方式の露光用フッ素分子レーザシステムであって、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように、増幅段レーザのレーザチェンバ内圧力を固定し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度を測定し、
発振段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度を測定し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度が、発振段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度のA倍(A=1〜3)となるように、発振段レーザのレーザチェンバ内圧力を制御することを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。 - フッ素分子レーザである発振段レーザとフッ素分子レーザである増幅段レーザとからなる2ステージ方式の露光用フッ素分子レーザシステムであって、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように、発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を固定し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームの理想スペクトル純度を設定し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度を測定し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームのスペクトル純度が、理想スペクトル純度と略同一となるように、増幅段レーザのレーザチェンバ内圧力を制御することを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。 - フッ素分子レーザである発振段レーザとフッ素分子レーザである増幅段レーザとからなる2ステージ方式の露光用フッ素分子レーザシステムであって、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長と、増幅段レーザを単独でレーザ発振させた場合に増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長とを比較して、両波長を略一致させるように、発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長を固定し、
発振段レーザから放出されるレーザビームの中心波長より短波長側のスペクトル純度と長波長側のスペクトル純度とを測定し、両者の比を算出し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームの中心波長より短波長側のスペクトル純度と長波長側のスペクトル純度とを測定し、両者の比を算出し、
増幅段レーザから放出されるレーザビームの前記比が、発振段レーザから放出されるレーザビームの前記比と略同一となるように、増幅段レーザのレーザチェンバ内圧力を制御することを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。 - 請求項5〜8の何れか1項において、スペクトル純度が95%純度であることを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。
- 請求項6又は7において、スペクトル純度がスペクトル10%線幅であることを特徴とする露光用フッ素分子レーザシステム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001398815A JP3888673B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 露光用フッ素分子レーザシステム |
US10/330,966 US6741627B2 (en) | 2001-12-28 | 2002-12-27 | Photolithographic molecular fluorine laser system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001398815A JP3888673B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 露光用フッ素分子レーザシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003198020A JP2003198020A (ja) | 2003-07-11 |
JP3888673B2 true JP3888673B2 (ja) | 2007-03-07 |
Family
ID=27604097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001398815A Expired - Fee Related JP3888673B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 露光用フッ素分子レーザシステム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6741627B2 (ja) |
JP (1) | JP3888673B2 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7518787B2 (en) * | 2006-06-14 | 2009-04-14 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
JP3888673B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-03-07 | ウシオ電機株式会社 | 露光用フッ素分子レーザシステム |
JP4169187B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2008-10-22 | 株式会社小松製作所 | 2ステージレーザシステム |
US20040202220A1 (en) * | 2002-11-05 | 2004-10-14 | Gongxue Hua | Master oscillator-power amplifier excimer laser system |
US20040156414A1 (en) * | 2003-01-08 | 2004-08-12 | Govorkov Sergei V. | Excimer or molecular fluorine laser with bandwidth of less than 0.2 pm |
US7158553B2 (en) * | 2003-02-14 | 2007-01-02 | Lambda Physik Ag | Master oscillator/power amplifier excimer laser system with pulse energy and pointing control |
US6987790B2 (en) * | 2003-02-14 | 2006-01-17 | Lambda Physik Ag | Excimer or molecular fluorine laser with several discharge chambers |
WO2004095661A1 (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-04 | Komatsu Ltd. | 露光用2ステ-ジレ-ザ装置 |
US7366213B2 (en) * | 2003-05-19 | 2008-04-29 | Lambda Physik Ag | MOPA excimer or molecular fluorine laser system with improved synchronization |
US7184204B2 (en) * | 2003-07-01 | 2007-02-27 | Lambda Physik Ag | Master-oscillator power-amplifier (MOPA) excimer or molecular fluorine laser system with long optics lifetime |
US20050083984A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-21 | Igor Bragin | Laser system sealing |
JP5337848B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2013-11-06 | 株式会社小松製作所 | 高出力ガスレーザ装置 |
JP4798687B2 (ja) | 2004-07-09 | 2011-10-19 | 株式会社小松製作所 | 狭帯域化レーザ装置 |
JP2006203008A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Komatsu Ltd | 2ステージレーザシステム |
US20070030876A1 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-08 | Levatter Jeffrey I | Apparatus and method for purging and recharging excimer laser gases |
US7848378B2 (en) * | 2005-08-05 | 2010-12-07 | Photomedex, Inc. | Apparatus and method for monitoring power of a UV laser |
US20090296755A1 (en) * | 2005-11-01 | 2009-12-03 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7715459B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-05-11 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7885309B2 (en) | 2005-11-01 | 2011-02-08 | Cymer, Inc. | Laser system |
US20090296758A1 (en) * | 2005-11-01 | 2009-12-03 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7920616B2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-04-05 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7746913B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-06-29 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7643529B2 (en) | 2005-11-01 | 2010-01-05 | Cymer, Inc. | Laser system |
EP1952493A4 (en) * | 2005-11-01 | 2017-05-10 | Cymer, LLC | Laser system |
US7630424B2 (en) * | 2005-11-01 | 2009-12-08 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7999915B2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-08-16 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7778302B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-08-17 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7852889B2 (en) * | 2006-02-17 | 2010-12-14 | Cymer, Inc. | Active spectral control of DUV light source |
KR20100015929A (ko) * | 2007-03-27 | 2010-02-12 | 포토메덱스, 인크. | 가스 방전 엑시머 레이저를 효율적으로 동작시키기 위한 방법 및 장치 |
JP5359461B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2013-12-04 | 株式会社ニコン | レーザ装置、光源装置、これらの調整方法、光照射装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2011249818A (ja) * | 2011-07-04 | 2011-12-08 | Komatsu Ltd | 狭帯域化レーザ装置 |
JP5312567B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2013-10-09 | 株式会社小松製作所 | 狭帯域化レーザ装置 |
KR102083267B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2020-03-02 | 한국전자통신연구원 | 고출력 극초단 펄스 레이저 장치 |
WO2019111315A1 (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | ギガフォトン株式会社 | エキシマレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4881231A (en) * | 1988-11-28 | 1989-11-14 | Kantilal Jain | Frequency-stabilized line-narrowed excimer laser source system for high resolution lithography |
US6052393A (en) * | 1996-12-23 | 2000-04-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Broadband Sagnac Raman amplifiers and cascade lasers |
US6597493B2 (en) * | 2000-05-05 | 2003-07-22 | The Regents Of The University Of Michigan | Nonlinear fiber amplifiers used for a 1430-1530nm low-loss window in optical fibers |
US6590922B2 (en) * | 1999-09-27 | 2003-07-08 | Cymer, Inc. | Injection seeded F2 laser with line selection and discrimination |
US6556600B2 (en) * | 1999-09-27 | 2003-04-29 | Cymer, Inc. | Injection seeded F2 laser with centerline wavelength control |
US6577663B2 (en) * | 2000-06-19 | 2003-06-10 | Lambda Physik Ag | Narrow bandwidth oscillator-amplifier system |
US6924926B2 (en) * | 2001-08-03 | 2005-08-02 | Xtera Communications, Inc. | Laser diode pump sources |
JP3888673B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-03-07 | ウシオ電機株式会社 | 露光用フッ素分子レーザシステム |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001398815A patent/JP3888673B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-27 US US10/330,966 patent/US6741627B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6741627B2 (en) | 2004-05-25 |
JP2003198020A (ja) | 2003-07-11 |
US20030161373A1 (en) | 2003-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3888673B2 (ja) | 露光用フッ素分子レーザシステム | |
US7227881B2 (en) | Master oscillator—power amplifier excimer laser system | |
US7245420B2 (en) | Master-oscillator power-amplifier (MOPA) excimer or molecular fluorine laser system with long optics lifetime | |
US6560254B2 (en) | Line-narrowing module for high power laser | |
US6577663B2 (en) | Narrow bandwidth oscillator-amplifier system | |
US20020186741A1 (en) | Very narrow band excimer or molecular fluorine laser | |
US6490306B2 (en) | Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm | |
US6381256B1 (en) | Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm | |
US7072375B2 (en) | Line-narrowed gas laser system | |
US6717973B2 (en) | Wavelength and bandwidth monitor for excimer or molecular fluorine laser | |
US6603788B1 (en) | Resonator for single line selection | |
US6700915B2 (en) | Narrow band excimer laser with a resonator containing an optical element for making wavefront corrections | |
JP2820103B2 (ja) | 注入同期レーザ装置 | |
JP5337848B2 (ja) | 高出力ガスレーザ装置 | |
US6546037B2 (en) | Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm | |
US5050174A (en) | Laser device | |
US20040156414A1 (en) | Excimer or molecular fluorine laser with bandwidth of less than 0.2 pm | |
US6603789B1 (en) | Narrow band excimer or molecular fluorine laser with improved beam parameters | |
US6553050B1 (en) | Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer | |
JP2586656B2 (ja) | 波長安定化レーザ装置 | |
US20230375846A1 (en) | Optical isolator, ultraviolet laser apparatus, and electronic device manufacturing method | |
JP2586655B2 (ja) | 波長安定化レーザ装置 | |
US6690703B1 (en) | Molecular fluorine laser system | |
JP2003503860A (ja) | 1pm未満のスペクトル線幅を有するフッ素分子レーザ | |
JP2002118318A (ja) | 分子フッ素レーザシステム及びその帯域幅制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3888673 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101208 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111208 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111208 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121208 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121208 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131208 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |