JP4169187B2 - 2ステージレーザシステム - Google Patents

2ステージレーザシステム Download PDF

Info

Publication number
JP4169187B2
JP4169187B2 JP2002142728A JP2002142728A JP4169187B2 JP 4169187 B2 JP4169187 B2 JP 4169187B2 JP 2002142728 A JP2002142728 A JP 2002142728A JP 2002142728 A JP2002142728 A JP 2002142728A JP 4169187 B2 JP4169187 B2 JP 4169187B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
gas
pulse
time
laser pulse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002142728A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003332661A (ja
Inventor
達也 有我
匡平 関
理 若林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Gigaphoton Inc
Ushio Denki KK
Original Assignee
Komatsu Ltd
Gigaphoton Inc
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd, Gigaphoton Inc, Ushio Denki KK filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP2002142728A priority Critical patent/JP4169187B2/ja
Priority to US10/438,737 priority patent/US6879617B2/en
Publication of JP2003332661A publication Critical patent/JP2003332661A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4169187B2 publication Critical patent/JP4169187B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10084Frequency control by seeding
    • H01S3/10092Coherent seed, e.g. injection locking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/036Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08059Constructional details of the reflector, e.g. shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/134Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2258F2, i.e. molecular fluoride is comprised for lasing around 157 nm
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2316Cascaded amplifiers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発振段と増幅段の2台以上のレーザを用いる2ステージレーザシステムに関し、例えば、インジェクションロックレーザ、MOPAにおいて、発振段レーザの積分スペクトル特性が所望のスペクトル線幅又はスペクトル純度でなくても、所望のスペクトル線幅又はスペクトル純度を所望の高出力で得られるレーザシステムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、その製造用の露光装置においては解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される露光光の短波長化が進められており、半導体露光用光源として、従来の水銀ランプから波長248nmのKrFレーザ装置や更なる短波長光源として、波長193nmのArFレーザ装置が用いられ始めている。
【0003】
また、70nm以下のライン幅の半導体集積回路を半導体上に実現するための露光技術において、波長160nm以下の露光用光源が要求されている。そして、現在、波長157nm付近の紫外線を放出するF2 (フッ素分子)レーザ装置がその光源とし有力視されている。
【0004】
2 レーザ装置(λ1 =157.6299nm、λ2 =157.5233nm:Sov.J.Quantum Electron.16(5),May 1986 )には、、そのスペクトルの半値全幅(FWHM)は約1pm程度である。上記2つの発振線の強度比I(λ1 )/I(λ2 )は約7である。通常、露光には強度の強い波長λ1 (=157.6299nm)の発振ラインが用いられる。
【0005】
露光技術には大きく分けて以下の2種類ある。
【0006】
1)屈折系(dioptric system)
2)反射屈折系(catadioptric system)
この中、反射屈折系に関して、反射光学系を露光技術に用いると色収差の発生が抑えられる。そのために、反射屈折系を用いた露光装置が、現状157nm付近の波長域では有望視されている。ただし、反射屈折系は従来の屈折系と比較して露光機の光軸調整が困難である。
【0007】
一方、屈折系は、従来の露光装置に一般的に用いられていた投影光学系である。露光技術では、光学系内での色収差補正方法が1つの大きな問題である。屈折系では、種類の違う屈折率を有するレンズ等の光学素子を組み合わせることによって、色収差補正を実現してきた。ただし、157nm付近の波長域において透過性を有する使用可能な光学材料の種類に制限があり、現状ではCaF2 (蛍石)以外は使用できない状況にある。
【0008】
したがって、屈折系の露光装置の光源としてのF2 レーザ装置には、狭帯域化が要請される。具体的には、レーザビームのスペクトルの半値全幅を0.2pm以下に狭帯域化することが要求される。また、KrFレーザ装置、ArFレーザ装置においても、狭帯域化を行わないフリーランニング動作時のレーザビームのスペクトルの半値全幅(FWHM)が数100nmと広帯域であるので、やはり狭帯域化することが要求される。
【0009】
一方、露光用光源として、F2 レーザ装置に要求される平均出力は、例えば20Wである。すなわち、F2 レーザ装置の繰り返し周波数が2kHzのとき、1パルス当たりのパルスエネルギーは10mJであり、繰り返し周波数が4kHzのとき、1パルス当たりのパルスエネルギーは5mJとなる。
【0010】
しかしながら、例えば狭帯域化手段としてレーザ共振器内にエタロンを配置するとき、出力5〜10mJ のレーザ出力を得ようとすると、エタロンのコーティングにダメージが発生するので、エタロンとしては、コーティングなしのものを使用せざるを得なかった。そのため、スペクトル線幅も狭くすることができなかった。また、ASE(Amplified Spontaneous Emission)成分が多いため、線幅も0.4〜0.6pmと余り狭くならない。すなわち、パルスエネルギー5〜10mJで狭帯域化を行うことは困難である。
【0011】
また、KrFレーザ装置、ArFレーザ装置においても、高出力化が求められる場合には、上記と同様な問題が発生する。
【0012】
以上のような状況により、F2 レーザ装置において、スペクトル線幅が0.2pm以下で、かつ、パルスエネルギーが5mJ以上のレーザビームを得るには、例えば、発振段(Oscillator laser)と増幅段(amplifier laser )とからなる2ステージレーザシステムを採用すればよい。
【0013】
すなわち、発振段で、低出力ではあるがスペクトル線幅が0.2pm以下であるレーザビームを発生させ、このレーザビームを増幅段で増幅して、スペクトル線幅が0.2pm以下で、かつ、パルスエネルギーが5mJ以上のレーザビームを得る。高出力狭帯域化KrFレーザ装置、ArFレーザ装置においても、同様の構成を採用すればよい。
【0014】
2ステージレーザシステムの構成例には、インジェクションロック(Injection Locking )方式、及び、MOPA(Master Oscillator Power Amplifier )方式がある。インジェクションロック方式は、発振段にレーザ共振器を備える構成であり、増幅段には不安定共振器を用いる。MOPA方式は、増幅段にレーザ共振器を持たない構成である。MOPA方式では、増幅段はレーザ共振器を持たないため、発振段からのレーザビームの1パス増幅器として機能する。
【0015】
発振段の狭帯域素子としては、1 個又はそれ以上の拡大兼分散プリズム群とグレーティングの組み合わせ、又は、エタロンと全反射鏡の組み合わせ等を用いる。
【0016】
図20、図21に従来技術の2ステージレーザシステムの構成図を示す。図20はMOPA方式の場合の構成例、図21はインジェクションロック方式の場合の増幅段レーザ(アンプ)の構成例を示す。図21の発振段レーザ(オシレーター)には、図20と同様のものが用いられる。
【0017】
図20は装置を上方から見た場合の概要を示す図である。発振段レーザ(オシレーター)10から放出されるレーザビームは、レーザシステムのシードレーザビーム(種レーザビーム)としての機能を有する。増幅段レーザ(アンプ)20、20’は、そのシードレーザ光を増幅する機能を有する。すなわち、発振段レーザ10のスペクトル特性によりレーザシステムの全体のスペクトル特性が決定される。そして、増幅段レーザ20、20’によってレーザシステムからのレーザ出力(エネルギー又はパワー)が決定される。
【0018】
2ステージレーザシステムがF2 レーザ装置のとき、発振段レーザ10、増幅段レーザ20、20’共に、チャンバー1は、フッ素(F2 )ガスと、ヘリウム(He)やネオン(Ne)等からなるバッファーガスとからなるレーザガスが充填される。2ステージレーザシステムがKrFレーザ装置のときには、発振段レーザ10、増幅段レーザ20、20’共に、チャンバー1は、クリプトン(Kr)ガス、フッ素(F2 )ガスと、ヘリウム(He)やネオン(Ne)等からなるバッファーガスとからなるレーザガスが充填され、2ステージレーザシステムがArFレーザ装置のときには、発振段レーザ10、増幅段レーザ20、20’共に、チャンバー1は、アルゴン(Ar)ガス、フッ素(F2 )ガスと、ヘリウム(He)やネオン(Ne)等からなるバッファーガスとからなるレーザガスが充填される。
【0019】
レーザチャンバー1は内部に放電部を有している。放電部は紙面と垂直方向に上下に設置されている一対のカソード、アノード電極2からなる。これらの一対の電極2に、電源7、7’から高電圧パルスが印加されることにより、電極2間で放電が発生する。なお、図20、図21では、上部電極2のみが図示されている。
【0020】
チャンバー1内に設置された一対の電極2間の光軸延長上両端に、CaF2 等のレーザ発振光に対して透過性がある材料によって作られたウィンドー部材11がそれぞれ設置されている。ここでは、両ウィンドー部材11のチャンバー1と反対側の面(外側の面)は互いに平行に、そして、レーザ光に対して反射損失を低減するためにブリュースター角で設置されている。
【0021】
また、図20、図21では図示されていないシリンドリカルファン(クロスフローファン)がチャンバー1内に設置されており、レーザガスをチャンバー1内で循環させ、放電部にレーザガスを送り込んでいる。また、図示を省略したが、発振段レーザ10、増幅段レーザ20、20’共に、チャンバー1へF2 ガス、バッファーガスを供給するF2 ガス供給系、バッファーガス供給系、及び、チャンバー内のレーザガスを排気するガス排気系が図20、図21の装置に備わっている。なお、KrFレーザ装置、ArFレーザ装置の場合は、各々Krガス供給系、Arガス供給系も備えている。
【0022】
発振段レーザ10は、拡大プリズム4とグレーティング(回折格子)5によって構成された狭帯域化モジュール3を有し、この狭帯域化モジュール3内の光学素子とフロントミラー6とでレーザ共振器を構成する。又は、図示していないが拡大プリズム、グレーティングの代わりに、エタロンと全反射ミラーを用いた狭帯域化モジュールを用いてもよい。また、図22に示すように、波長選択素子であるエタロン12、グレーティング5を用いた複合構成の狭帯域化モジュール3を用いることもできる。
【0023】
発振段レーザ10からのレーザビーム(シードレーザビーム)は、図示を省略した反射ミラー等を含むビーム伝播系により増幅段レーザ20、20’へ導かれ、注入される。図21に示すインジェクションロック方式では、小入力でも増幅できるように、増幅段レーザ20’には、例えば倍率が3倍以上の不安定型共振器が採用される。
【0024】
インジェクションロック方式の増幅段レーザ20’の不安定共振器のリアミラー8には穴13が開いており、この穴13を通過したレーザが図21の矢印のように反射し、また、注入されたシードレーザビームは拡大され、放電部を有効に通過してレーザビームのパワーが増大する。そして、フロントミラー9よりレーザが出射される。リアミラー8の凹面ミラーの中心部には、上記のような空間的穴13が施してあり、周囲にはHR(High Reflection )コートが施されている。フロントミラー9の凸面ミラーの中心部にはHRコートが施され、周囲のレーザ出射部にはAR(Anti Reflection )コートが施されている。
【0025】
凹面ミラー8の穴13は、空間的に開いているのではなく、穴部のみARコートが施されたミラー基板を用いてもよい。また、ミラーに透過部を持たせない不安定共振器を用いてもよい。
【0026】
2 レーザ装置のときには、発振段10、増幅段20、20’共、バッファガスとして、He又はNe又はそれらの混合ガスを用いる。また、必要に応じてXeも添加する。
【0027】
同期コントローラ21は、発振段レーザ10、増幅段レーザ20、20’の放電タイミングを制御する。まず、電源7から発振段レーザ10の一対の電極2に高電圧パルスを印加させるON指令として、発振段レーザ10の電源2にトリガ信号を送信する。そして、所定時間後、増幅段レーザ20、20’の電源7’にON指令としてのトリガ信号を送信する。
【0028】
上記所定時間とは、発振段レーザ10からシードレーザ光が増幅段レーザ20、20’内に入射するタイミングと増幅段レーザ20、20’が放電するタイミングを同期させるための時間である。
【0029】
【発明が解決しようとする課題】
先に述べたように、上記したような2ステージレーザシステムにおいては、発振段レーザのスペクトル特性により、2ステージレーザシステムの全体のスペクトル特性が決定される。スペクトル線幅が例えば0.2pmであるような超狭帯域化発振段レーザのスペクトル特性(線幅、純度等)は、従来、積分スペクトル特性で所望の特性を得るように装置が構成されてきた。
【0030】
以下、積分スペクトル特性について概略を説明する。発振段レーザから放出されるレーザビームは、フロントミラーと狭帯域化モジュールを含むレーザ共振器内を往復し、その一部がフロントミラーから取り出される。よって、レーザパルス前半部より後半部がレーザ共振器内を往復する回数が多くなり、狭帯域化モジュールを通過する回数も後半部が多くなるので、レーザパルス後半部の方が前半部より狭帯域化される。すなわち、レーザパルス内の各時点でスペクトル波形が異なることになるので、従来、スペクトル特性を評価するに当たっては、レーザパルス内各時点での各スペクトル波形の時間的積分波形を用いて、積分スペクトル特性を評価してきた。
【0031】
上記のような状況の下で、F2 レーザ装置の場合、発振段レーザのレーザガスに含有されるバッファーガスとしてはNeやNeリッチなNeとHeの混合ガスが採用されていた。これは、以下の理由による。
【0032】
発振段レーザのレーザガス中のバッファーガスにHeガスを用いた場合、レーザ利得がNeガスの場合と比較し大きいので、ASEが発生しやすく、発振段レーザから放出されるレーザパルスの積分スペクトル波形にはこのASE成分が含まれてしまう。ASE成分のスペクトル幅(FWHM)は、レーザガス全圧に依存するが、0.8pm以上である。ASEは、レーザ共振器を往復せず、1パス(pass)で放出される光であるので、狭帯域化モジュールを通過しない。よって、発振段レーザから放出されるレーザビームをレーザ共振器内の狭帯域化モジュールを用いて狭帯域化しても、このASEのために、レーザパルスの積分スペクトル波形のスペクトル線幅(FWHM)を0.8pm以下にすることは不可能であった。
【0033】
そのために、発振段レーザのレーザガス中のバッファーガスとしては、レーザ利得がHeガスと比較して小さく、ASEが発生し難いNeガスが主に用いられてきた。
【0034】
ただし、Neバッファーガスを用いると、高繰り返しが困難という問題点があった。すなわち、Neガスは、放電抵抗等のガス特性の違いにより、Heガスと比べて放電時に電界集中が起こりやすく、特に高繰り返し時に放電が不安定になりやすい。また、質量がHeガスより重いので、レーザチャンバー内でのクロスフローファンによるガス循環速度を高速度にすることが困難である。そのため、高繰り返し時に放電と放電の間にガス循環により行われる放電領域のガス交換が不十分となり、やはり放電が不安定となってしまう。
【0035】
特に、4kHz以上の高繰り返しを実現しようとすると、ガス循環系、放電回路、電源等の現状の放電技術では、達成が困難である。
【0036】
ところで、本発明者等は、一対の電極間で発生する放電により励起されたレーザガスにより発生する光と、その後に立ち上がってくるとレーザパルスとの間に、以下の関係があることを発見した(特願2002−46328)。
【0037】
図23に、レーザパルス波形、サイドライト波形、レーザパルス中のスペクトル線幅の時間的推移を示す。図の(a)と(b)は、サイドライト波形が異なる。図23(a)、(b)両者において、狭帯域化モジュール及びレーザ共振器の構成は同じである。ここで、一対の電極間で発生する放電により励起されたレーザガスにより発生する光を「サイドライト」と称することにする。サイドライトの観測は、レーザ共振器上にない位置(例えば、電極の長手方向と略垂直方向の電極サイド側に設けた観測窓)からなされる。
【0038】
図23(a)、(b)両者の比較より、サイドライトの立ち上がり(すなわち、レーザ利得の立ち上がり)が遅いと、ASE成分がレーザパルス波形に存在しないことが明らかになった。
【0039】
サイドライトの立ち上がり(レーザ利得の立ち上がり)が遅いと、ASE成分が抑制されるのは、以下の理由によるものと考えられる。図23(b)の場合、サイドライトの立ち上がり(レーザ利得の立ち上がり)が速く、放電により発生した光は急速に増幅され、レーザビームとして所定のしきい値を超えてレーザ共振器から取り出される前に、レーザ共振器を往復しないまま増幅された光がASEとして取り出される。
【0040】
一方、図23(a)の場合、サイドライトの立ち上がり(レーザ利得の立ちあがり)が遅いので、放電により発生した光は緩やかに増幅される。そして、ASEとしてレーザ共振器から取り出される程急激に光が増幅されずにレーザ共振器内を往復して、やがてしきい値を超えてレーザ共振器よりレーザビームとして取り出される。すなわち、レーザ装置から放出される光にASEは存在しない。
【0041】
図23(a)、(b)両者の比較より、サイドライトの立ち上がり(すなわち、レーザ利得の立ち上がり)が遅いと、ASE成分がレーザパルス波形に存在しないことが明らかになった。
【0042】
ここで、図23(a)と(b)のスペクトル線幅の時間的推移とレーザパルス波形をまとめると図24のようになった。
【0043】
図24から、図23(a)と(b)のスペクトル線幅の時間的推移は、略同一曲線上に乗っており、図23(a)のレーザパルス波形が立ち上がった時点で、スペクトル線は、同時点の図23(b)でのスペクトル線幅と略同じである。
【0044】
すなわち、放電開始後に発生した光がレーザビームとしてレーザ共振器から取り出されるまで(レーザパルスが立ち上がるまで)にレーザ共振器内を往復する光は、狭帯域化モジュールを何回か通過するので、ある程度狭帯域化されていると考えられる。
【0045】
したがって、放電が開始して発生した光は、レーザパルスとして立ち上がる前から狭帯域化されて徐々にスペクトル線幅が狭くなり、レーザパルスが立ち上がってレーザパルスが消滅するまで引き続き徐々にスペクトル線幅が狭くなっているものと考えられる。この現象は以後、線幅特性と呼ぶことにする。なお、スペクトル純度の時間的推移(純度特性)も線幅特性と同様の特性を有し、時間の経過と共に徐々に狭くなっていくものと考えられる。
【0046】
この線幅特性や純度特性は、本発明者等の実験により、主にレーザ共振器長、狭帯域化モジュールの狭帯域化性能に依存していることが分かった。したがって、サイドライトの立ち上がり(レーザ利得の立ち上がり)を制御して、レーザ共振器内の光が所定のスペクトル線幅まで狭帯域化された後に、レーザパルスが立ち上がるようにすることにより、スペクトル線幅(積分値)を所定値までに狭くし、スペクトル純度も向上させることが可能となることが明らかになった。
【0047】
また、図23(a)、(b)から明らかなように、サイドライトの立ち上がりを制御することにより、ASEの発生を抑制することが可能であることも明らかになった。
【0048】
上記のような新規の知見により、従来例について考える。
【0049】
図25は、従来技術の発振段レーザにおけるサイドライドの立ち上がりを起点(原点)としたときの、狭帯域化レーザパルス波形と、放電開始後(サイドライト発光開始後)に発生した光のスペクトル線幅変化(線幅特性)との関係を示す説明図である。上記したように、サイドライトの起点から時間が経過するに従いスペクトル線幅が細くなって行くのは、上記のように、レーザパルスが立ち上がっていなくともレーザ閾値以下の利得が何回も狭帯域化モジュールで反射して狭帯域化が進行するために起こると考えられる。
【0050】
サイドライトの発生以降、所望の線幅A以下になる時刻をT1とする。従来技術では、積分スペクトル波形を用いて評価していたので、レーザパルス全体を通してスペクトル線幅がA以下になる(時刻T1以降に発生する)レーザパルスをシードレーザビームとして、2ステージレーザシステムにおいて用いていたことになる。その結果、所望のスペクトル特性(線幅、純度等)が達成されていたものである。
【0051】
時刻T1は、線幅特性によりサイドライトの起点を原点として定められるので、発振段レーザの放電タイミング(サイドライトの起点)によって、T1は決定される。積分スペクトル波形を用いた従来技術においては、レーザパルスは必ずT1以降に発生するようにレーザガス条件、放電回路等が調整されていたことになる。また、従来、上記したように、サイドライトの立ち上がりを遅らせてASE発生を抑制するといった知見は得られていなかったので、バッファーガスとして、NeやNeリッチな希ガスが用いられてきた。
【0052】
同期コントローラは、発振段レーザの電源にトリガ信号を送信後、レーザパルスが立ち上がるまでの時間と、レーザパルス幅を予め記憶しておき、発振段レーザパルスが持続している期間(TSYC 時間間隔)内に、増幅段レーザのサイドライト立ち上がりが発生するように(放電が発生するように)、増幅段レーザの電源にトリガ信号を送信して増幅段レーザの放電タイミングを制御していた。
ここで、発振段レーザの電源にトリガ信号を送信後、レーザパルスが立ち上がるまでの時間と、レーザパルス幅の値は、事前にレーザガスの状態や狭帯域化モジュール、放電回路の条件等から求められる。
【0053】
ここで、発振段レーザの電源にトリガ信号を送信後、レーザパルスが立ち上がるまでの時間と、レーザパルス幅の値は、事前にレーザガスの状態や狭帯域化モジュール、放電回路の条件等から求められる。
【0054】
なお、上記では、レーザパルス幅とTSYC が略同じであるとして説明したが、実際は発振段レーザパルス内の瞬時のレーザパワーは、2ステージレーザにおいて十分なレーザ増幅が行えるパワーである必要があるので、図25に示す例においては、TSYC の起点はレーザパルスの立ち上がり時点よりも遅く、TSYC の終点はレーザパルスの終点よりも早い。
【0055】
以上のように、従来は、サイドライトの立ち上がりを遅らせてASE発生を遅らせるといった知見もなく、また、積分スペクトル波形を評価していたので、バッファーガスとして、NeやNeリッチな希ガスを用いざるを得ず、先に述べたように、高繰り返しパルス発振の実現が困難であった。
【0056】
本発明は従来技術のこのような現状に鑑みてなされたものであり、その目的は、発振段と増幅段の2台以上のレーザを用いる2ステージレーザシステムにおいて、発振段レーザの積分スペクトル特性が所望のスペクトル線幅又はスペクトル純度でなくても、所望のスペクトル線幅又はスペクトル純度を所望の高出力で得られるF2 レーザ装置等の2ステージレーザシステムを提供することである。
【0057】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の2ステージレーザシステムは、F2 を含むレーザガスが封入されたレーザチャンバー内に放電電極を有し、レーザ共振器内に設置した波長選択素子を含む狭帯域化モジュールにより狭帯域化されたレーザビームを放出する発振段レーザ装置と、F2 を含むレーザガスが封入されたレーザチャンバー内に放電電極を有し、前記発振段レーザ装置から注入されるレーザパルスを増幅する増幅段装置とからなる2ステージレーザシステムにおいて、
前記発振段レーザ装置は、放電発光計測器とレーザビームの時間的パルス波形を計測するレーザパルス計測器と前記発振段レーザ装置の放電電極への印加電圧、レーザガス中のフッ素濃度、レーザガス圧力の中の少なくとも1つを制御可能なレーザパルスコントローラとを有し、
前記増幅段装置は、前記増幅段装置の放電発生を制御する同期コントローラを有し、
前記レーザパルスコントローラは、前記放電発光計測器からのデータ並びに前記レーザパルス計測器からのデータより、前記発振段レーザ装置からのレーザパルス内あるいはそれ以前に所望のスペクトル線幅及び/又はスペクトル純度まで挟帯域化された時点が存在するように、前記発振段レーザ装置の放電電極への印加電圧、レーザガス中のフッ素濃度、レーザガス圧力の中の少なくとも1つを制御して放電により発光する時点からレーザパルスが発生する時刻を設定し、次いで、前記レーザパルスコントローラは、前記設定されたレーザパルス内における所望のスペクトル線幅及び/又はスペクトル純度まで挟帯域化された時点以降であって前記レーザパルス内に存在する同期期間を求め、その同期期間データを前記同期コントローラに送信し、
前記同期コントローラは、前記レーザパルスコントローラからの同期期間データに基づき、前記同期期間に前記増幅段装置において放電が発生するよう制御することを特徴とするものである。
【0074】
本発明においては、発振段と増幅段の2台以上のレーザを用いる2ステージレーザシステム、例えば、インジェクションロック方式、MOPA方式のレーザシステムにおいて、発振段レーザ装置からのレーザパルス内に所定のスペクトル線幅及び/又はスペクトル純度を有する同期期間が存在し、その同期期間内に増幅段レーザ装置において放電が発生するように設定されているので、発振段レーザの積分スペクトル特性が所望のスペクトル線幅又はスペクトル純度でなくても、所望のスペクトル線幅又はスペクトル純度を所望の高出力で得られる。特に、F2 レーザ装置においては、超狭帯域化発振段レーザにHeバッファーガスを用いることが可能となる。
【0075】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の基本原理とそれに基づく実施例について説明する。
【0076】
本発明においては、先に見出した上記知見、すなわち、サイドライトの立ち上がり(レーザ利得の立ち上がり)を制御して、レーザ共振器内の光が所定のスペクトル線幅まで狭帯域化された後に、レーザパルスが立ち上がるようにすることにより、スペクトル線幅(積分値)を所定値までに狭くし、スペクトル純度も向上させることが可能となり、また、サイドライトの立ち上がりを制御することにより、ASEの発生を抑制することが可能であるとの知見に基づき、以下のように2ステージレーザシステムを制御するものである。
【0077】
本発明者等は、線幅特性に関してさらに詳細に検討したところ、以下の知見を得た。線幅特性は、発振段レーザに使用されているバッファーガスの状態と使用されている狭帯域化モジュールの特性及びレーザ共振器長によって略決定されることが、試験により初めて明らかになった。すなわち、レーザガス中のF2 濃度、レーザガス全圧、そして、一対の主電極に印加する印加電圧を変化させてレーザの立ち上がり時間を変えても、線幅特性の変化は起こらない。これは、スペクトル純度の時間的推移である純度特性にも当てはまった。
【0078】
この線幅特性から、図26に示すような所望のスペクトル線幅A(例えば、0.2pm)が得られる時刻T1を予め求めることが可能であることが分かる。したがって、発振段レーザパルスが時刻T1以降に存在するように制御し、時刻T1以降の発振段レーザからのシードレーザ光が注入されたときに、増幅段レーザの放電を開始させることにより、所定のスペクトル線幅のレーザビームを得ることが可能となる。なお、図26には、発振段レーザのF2 レーザ装置のバッファーガスとしてNeを用いる場合と、Heガスを用いる場合のそれぞれの線幅特性を示しており、スペクトル線幅Aが得られる時刻T1はバッファーガスの違いによって変わる。
【0079】
以下、図27に示す説明図を用いて、このことを詳細を説明する。図27(a)、(b)は、サイドライトが立ち上がる時点を原点としたときの、発振段線幅特性、発振段レーザパルス波形、増幅段サイドライト波形、増幅段レーザパルス波形の関係を示す図である。図27(a)はMOPA方式の場合であり、図27(b)はインジェクションロック方式の場合であり、MOPA方式の場合は増幅段レーザパルスは発振段レーザパルスの終点近傍で終了し、インジェクションロック方式の場合は発振段レーザパルスの終点以降も増幅段レーザパルスは発振していることが可能である点で若干異なる。なお、各波形は規格化してあり、実際の光強度を相対的に示すものではない。
【0080】
上記したように、発振段レーザに使用されているバッファーガス、狭帯域化モジュールの特性によって決定される発振段線幅特性により、所望のスペクトル線幅Aが得られるサイドライトの起点(放電の立ち上がり)からの時間T1が定められる。
【0081】
発振段レーザパルスの立ち上がりの時刻は、従来例のようにT1より後にある必要はなく、発振段レーザパルスの持続時間内に時刻T1が存在するように発振段レーザパルスを発生させる。
【0082】
同期コントローラは、時刻T1から発振段レーザパルスが終了するまでの期間(TSYC )内に増幅段レーザのサイドライト立ち上がりが発生するように(放電が発生するように)増幅段レーザの電源にトリガ信号を送信して、増幅段レーザの放電タイミングを制御する。TSYC 内のある時点でのスペクトル線幅が増幅段レーザの出力スペクトルに反映されるため、2ステージレーザシステムから放出されるスペクトル線幅は所望(例えば、0.2pm以下)のスペクトル線幅となる。
【0083】
なお、従来例において説明したように、実際は、発振段レーザパルス内の瞬時のレーザパワーは2ステージレーザにおいて十分なレーザ増幅が行えるパワーである必要があるので、この点も考慮すれば、図27(a)、(b)に示す例においては、TSYC の起点は時刻T1よりも遅く、TSYC の終点は発振段レーザパルスの終点よりも早い。
【0084】
本発明は、従来例のように、積分スペクトル波形を評価して増幅段レーザを制御するのではなく、発振段レーザからのシードレーザパルスにおいて、所望のスペクトル線幅となる時点を基準にして、増幅段レーザを制御するものである。すなわち、発振段レーザパルスの持続時間内に上記時刻T1が存在するように発振段レーザパルスを発生させればよく、時刻T1以前のある時点において発振段レーザパルスにASE成分が存在しても構わない。
【0085】
したがって、発振段レーザに用いるレーザガス中のバッファーガスとしてHeガスを用いることが可能となる。Heガスは放電抵抗のガス特性の違いにより、Neガスと比べて放電時に電界集中が起こり難く、高繰り返し時においても安定な放電を実現させやすい。また、質量がNeガスより軽いので、レーザチャンバー内でのクロスフローファンによるガス循環速度を高速度にすることも容易である。そのため、高繰り返し時に放電と放電の間にガス循環により行われる放電領域のガス交換も十分行うことができ、安定な放電を実現できる。よって、4kHz以上の高繰り返しの実現も達成可能となる。
【0086】
なお、所望のスペクトル純度を得る場合は、線幅特性の代りに純度特性を用いて、所望のスペクトル純度となる時点を基準にして増幅段レーザを制御すればよい。
【0087】
以下、具体的な実施例に基づいて本発明を説明する。
【0088】
図1に、本発明の2ステージレーザシステムの1つの構成例を示す。図1は、増幅段レーザ20にMOPA方式を採用した例である。増幅段レーザにインジェクションロック方式を採用する場合は、増幅段レーザとしては、例えば図21に示す増幅段レーザ20’の構成となる。
【0089】
図20に示す従来例と異なる点は、以下の通りである。本発明では、上記したように、固有の線幅特性に基づき、発振段レーザ10においてサイドライトの起点(放電開始時)から所望のスペクトル線幅Aとなるまでの時間T1を基準にして、概略2つの制御を行う。すなわち、時刻T1において発振段レーザ10から放出されるシードレーザパルスを存在させる制御、及び、時刻T1以降に増幅段レーザ20を放電させる制御である。
【0090】
サイドライトの起点を検出するために、本発明の構成例では、発振段レーザ10のチャンバー1の側面にCaF2 等のレーザ光に対して透過性のある材料によって作られた窓材を備えた窓部31が設置されている。この窓部31からサイドライトセンサー32により発振段レーザ10のサイドライトが検出される。
【0091】
発振段レーザ10のフロントミラー6より取り出されたレーザ光は、一部ビームスプリッター33によって取り出され、レーザパルスセンサー34へ導光される。残りの光はシードレーザビームとして増幅段レーザ20へ注入される。
【0092】
発振段レーザ10のレーザチャンバー1には、レーザチャンバー1内にF2 ガスや希ガス等のバッファーガスを供給するためのガス供給ライン35と、レーザチャンバー内のガスを排気するための排気ライン36とが接続されている。ガス供給ライン35は、F2 ガスを供給するためのライン352 と、希ガス等のバッファーガスを供給するためのライン351 とからなる。希ガス等のバッファーガスを供給するためのライン351 は、バルブV1を介して不図示のバッファーガス供給源と接続され、F2 ガスを供給するためのライン352 は、バルブV2を介して不図示のF2 ガス供給源と接続されている。F2 ガスは反応性が極めて高いので、通常、F2 ガス供給源からはF2 ガスを希ガス等で希釈した希釈F2 ガスが供給される。バルブV1、バルブV2の下流側で上記2ライン351 、352 は統合されてレーザチャンバー1と接続される。また、排気ライン36は、バルブV3を介して不図示の排気手段に接続されている。なお、KrFレーザ装置、ArFレーザ装置の場合は、各々、不図示のKrガス供給ライン、Arガス供給ラインも備え、これらはバルブを介してKrガス供給源、Arガス供給源と接続されている。また、バルブの下流側で上記2ラインと統合される。
【0093】
ガスコントローラ37は、バルブV1、V2、V3の開閉を制御して、レーザチャンバー1内へのガスの供給・排気を行う。KrFレーザ装置、ArFレーザ装置の場合は、さらにKrガス供給ライン、Arガス供給ラインのバルブの開閉も制御する。
【0094】
サイドライトセンサー32及びレーザパルスセンサー34からの出力はレーザパルスコントローラ38に送信される。レーザパルスコントローラ38は、予め線幅特性と発振段レーザ10においてサイドライトの起点(放電開始時)から所望のスペクトル線幅Aとなるまでの時間T1を記憶している。
【0095】
レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7から発振段レーザ10の一対の電極2に高電圧パルスを印加させるON指令として、発振段レーザ10の電源(1)7にトリガ信号を送信し、放電を発生させる。
【0096】
放電後に生じるサイドライトセンサー32及びレーザパルスセンサー34からの出力信号を基に、レーザパルスコントローラ38は、時刻T1において発振段レーザ10から放出されるシードレーザパルスが存在しているかどうかを判断し、存在しない場合は、発振段レーザ10のレーザチャンバー内のF2 濃度、レーザガス全圧そして印加電圧等を変化させて、時刻T1において、シードレーザパルスが存在するように調整する。
【0097】
2 濃度、レーザガス全圧を制御する場合、レーザパルスコントローラ38は、ガスコントローラ37に制御指令を送出し、ガスコントローラ37は、バルブV1、V2、V3の開閉を制御して、F2 濃度、レーザガス全圧がレーザパルスコントローラ38からの制御指令に基づく値になるように制御する。なお、KrFレーザ装置、ArFレーザ装置の場合は、さらにKrガス供給ライン、Arガス供給ラインのバルブの開閉も制御する。また、印加電圧を制御する場合、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7に制御指令を送出し、印加電圧が所定の値になるように電源(1)7に設定させる
また、レーザパルスコントローラ38は、上記時刻T1以降に増幅段レーザ20の放電が発生するよう、サイドライトセンサー32からの信号を基に、増幅段レーザ20の放電タイミング信号を同期コントローラ39に送信する。同期コントローラ39は、放電タイミング信号を受信後、増幅段レーザ20の電源(2)7’から増幅段レーザ20の一対の電極2に高電圧パルスを印加させるON指令として、増幅段レーザ20の電源(2)7’にトリガ信号を送信して、増幅段レーザ20において放電を発生させる。
【0098】
なお、スペクトル純度を制御する場合は、線幅特性の代りに純度特性を用い、所望のスペクトル線幅Aとなるまでの時間T1の代りに所望のスペクトル純度A’となるまでの時間Tpを用いて、上記と同様の制御を行う。
【0099】
以下に、本発明による制御アルゴリズムを説明する。まず、概要を説明する。
【0100】
先にのべたように、本発明による制御は、基本的に以下の通りである。
・サイドライトセンサー32及びレーザパルスセンサー34の出力より、レーザパルスコントローラ38がサイドライトの立ち上がり(起点)を時間原点とした発振段レーザ10のレーザパルスの存在時間を検出する。
・レーザパルスコントローラ38は、サイドライト立ち上がり(起点)を時間原点とした線幅特性において所望の線幅となる時刻T1以降の時間に、発振段レーザ10からのレーザパルス(シードレーザパルス)が存在するようにする。
・具体的には、レーザパルスコントローラ38は、ガスコントローラ37及び/又は電源(1)7に指令を出し、発振段レーザ10のレーザチャンバー1内のF2 濃度、レーザガス全圧、そして、一対の電極2に印加する印可電圧を、単一で又は複数組み合わせて制御する。
・上記T1以降の時間において増幅段レーザ20の放電が開始するよう(サイドライトが立ち上がるよう)放電を制御する。
・具体的には、レーザパルスコントローラ38から受信した増幅段レーザ20の放電タイミング信号に基づき、同期コントローラ39が電源(2)7’にトリガ信号を送信して、増幅段レーザ20の放電を制御する。
【0101】
ここで、サイドライト立ち上がりを原点として、放電により発生した光のスペクトル線幅の時間変化である線幅特性は、上記したように、発振段レーザ10に使用されているバッファーガスの状態と使用されている狭帯域化モジュール3の特性によって略決定されるので、予めデータベースとしてレーザパルスコントローラ38内又は外部に保存されており、必要に応じてデータベースは読み込まれる。以下、制御の概要を図2を用いて説明する。
【0102】
図2において、線幅特性は時刻T1以降において所望のスペクトル線幅A以下となる。また、実線で示す発振段レーザ10のレーザパルスの持続時間内に時刻T1は存在している(t1<T1<t2:t1はレーザパルスの始点、t2はレーザパルスの終点)。よって、増幅段レーザ20の放電を開始させる期間(増幅段レーザ20の放電開始タイミングTAが存在する期間)TSYC は、時刻T1以降に設定される。
【0103】
すなわち、
T1≦TSYC ≦t2 ・・・(1)
ここで、図25の場合は、
t1≦TSYC ≦t2 ・・・(2)
である。なお、(1)式、2(式)の意味は、同期期間TSYC が時刻T1とt2の間、あるいは、時刻t1とt2の間にあることを意味する。以下、同じ。
【0104】
レーザパルスが図2に示す一点鎖線のような場合、時刻T1以降の時間に発振段レーザ10からのレーザパルス(シードレーザパルス)が存在しないので、所望のスペクトル線幅のレーザパルスを増幅することは不可能となる。
【0105】
したがって、その場合は、例えば図2に示すように、サイドライトの起点からのレーザパルスの立ち上がり開始時間を遅らせて、図2に実線で示したレーザパルス波形のように時刻T1が時刻t1とt2の間に存在するように制御する。
【0106】
本発明者等の実験により、レーザパルスの立ち上がり開始時間を遅くするためには、発振段レーザ10の利得を低減することが有用であることが分かった。すなわち、発振段レーザ10の利得を低減させるために、レーザチャンバー1内に充填されたレーザガス中のF2 濃度の低減、レーザガス全圧の低減、発振段レーザ10のレーザチャンバー1内に設置されている一対の電極2へ印加する印加電圧の低減等を実施することにより、レーザ発振利得を低減させる。
【0107】
具体的には、レーザパルスコントローラ38がガスコントローラ37及び/又は電源(1)7に制御指令を送出し、上記パラメータの少なくとも1つを制御する。
【0108】
なお、スペクトル純度を制御する場合は、線幅特性の代りに純度特性を用い、所望のスペクトル線幅Aとなるまでの時間T1の代りに、所望のスペクトル純度A’となるまでの時間Tpを用いて、上記と同様の制御を行う。
【0109】
以下、制御アルゴリズムを示す。なお、以下に示すアルゴリズムは所望のスペクトル線幅を得るためのものである。所望のスペクトル純度を得る制御においては、上記したように、所望のスペクトル線幅Aとなるまでの時間T1の代りに、所望のスペクトル純度A’となるまでの時間Tpを用いればよい。
【0110】
まず、第1例のアルゴリズムについて説明する。
【0111】
図3に、全体の流れを示すフローチャートを示す。
【0112】
まず、ステップS101で、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7にトリガ信号を送信して、電源(1)7から発振段レーザ10の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて、発振段レーザ10のレーザ発振を開始する。
【0113】
次いで、ステップS102で、レーザパルスコントローラ38は、サイドライトセンサー32からのサイドライトの立ち上がり(起点)データ、及び、レーザパルスセンサー34からのレーザパルスの時間的パルス波形データ、並びに、予め記憶しておいた線幅特性データに基づき、サイドライト立ち上がり(起点)を時間原点とした線幅特性において所望の線幅となる時刻T1以降の時間に発振段レーザ10からのレーザパルス(シードレーザパルス)が存在するように制御する。
【0114】
具体的には、サイドライトの立ち上がり(起点)を時間原点とした発振段レーザ10のレーザパルス波形の始点及び終点の時刻(t1、t2)が所定値若しくは所定の範囲内となるように、発振段レーザ10のレーザチャンバー1内に封入されたレーザガス中のF2 濃度、レーザガス全圧、又は、一対の電極2に印加する印加電圧の少なくとも1つを調整する。ここで、時刻t1、t2は、時刻T1との関係が、
T1<t1 ・・・(3)
又は、
t1≦T1≦t2 ・・・(4)
となるように設定される。
【0115】
なお、ステップS102については、後に詳細を記述する。
【0116】
発振段レーザパルス波形の発生時間が固定されたので、線幅特性からの上記時刻T1のデータより、同期期間TSYC の幅、サイドライト起点という時間原点からの開始時刻が略一定に固定される。
【0117】
すなわち、
t1≦TSYC ≦t2 ・・・(2)
若しくは、
T1≦TSYC ≦t2 ・・・(1)
という時間範囲が固定される。
【0118】
そして、次いで、ステップS103で、同期コントローラ39は、固定された同期期間TSYC 内に存在する増幅段レーザ20の放電開始タイミングTAにて増幅段レーザ20の放電が開始するように電源(2)7’にトリガ信号を送出し、次のステップS104で、電源(2)7’から増幅段レーザ20の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて放電を発生させ、増幅段レーザ20での増幅動作を開始させる。
【0119】
次に、上記ステップS102の発振段レーザパルス発生時間の固定制御について、図4にその詳細なフローチャートを示す。
【0120】
ステップS102の発振段レーザパルス発生時間の固定制御は、以下の工程から構成される。
【0121】
まず、サイドライトセンサー32、レーザパルスセンサー34により、サイドライトの立ち上がり(起点)及びレーザパルスの時間的パルス波形を検出し(ステップS1021)、両検出データをレーザパルスコントローラ38に送出する。また、サイドライトの立ち上がり(起点)データを同期コントローラ39に送出する(ステップS1022)。
【0122】
レーザパルスコントローラ38は、受信したサイドライトの立ち上がり(起点)及びレーザパルスの時間的パルス波形データから、サイドライトの起点を時間原点として発振段レーザのレーザパルス波形の始点及び終点の時刻(t1、t2)を特定する(ステップS1023)。
【0123】
レーザパルスコントローラ38は、ステップS1023で特定した発振段レーザ10のレーザパルス波形の始点及び終点の時刻(t1、t2)のデータ、並びに、レーザパルスコントローラ38内又は外部に記憶しておいた線幅特性のデータベースから呼び出した所望のスペクトル線幅となる時刻T1のデータを用いて、レーザパルスがサイドライトの起点を時間原点としたときに予め定めておいた所定時間に発生しているかどうかを判断する(ステップS1024)。
【0124】
すなわち、以下の条件を満たすt10 、t20 にt1、t2が略一致しているかどうかを判断する。ここで、t10 、t20 は、図5に示すように、所定の時間幅[t10 ][t20 ]であってもよい。
【0125】
T1<t10 ・・・(5)
又は、
t10 ≦T1≦t20 ・・・(6)
ここで、t1、t2が予め定めておいたt10 、t20 に略一致しないと判断された場合、又は、t1、t2が予め定めておいた時間範囲[t10 ][t20 ]内に存在しないと判断された場合(例えば、図5の発振段レーザパルス▲2▼)、発振段レーザパルスをシードレーザパルスとして増幅段レーザ20に注入しても、増幅されたレーザビームのスペクトル線幅は所望のスペクトル線幅Aを実現することはできない。よって、発振段レーザパルスの立ち上がり時間t1を遅らせる必要がある。そのために、発振段レーザ10のレーザチャンバー1内に封入されたレーザガス中のF2 濃度、レーザガス全圧、又は、一対の電極2に印加する印加電圧の少なくとも1つを調整する(ステップS1025)。
【0126】
ステップS1025において、印加電圧を制御する場合、印加電圧の減少によりレーザの利得が減少しレーザパルスの立ち上がりの起点が遅くなるので、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7に電極2への印加電圧の値を所定量減少させるように指示して、印加電圧を減少させる。
【0127】
ステップS1025において、F2 濃度を制御する場合、F2 濃度の減少によりレーザの利得が減少しレーザパルスの立ち上がりの起点が遅くなるので、レーザパルスコントローラ38は、ガスコントローラ37にF2 濃度を減少させるよう指示する。指示を受けたガスコントローラ37は、圧力計40からの圧力データを観測しながらバルブV3を開けてレーザチャンバー1内のレーザガスを排気し、レーザガス圧力が所定圧力になったら、バルブV3を閉じる。その後、ガスコントローラ37は圧力計40からの圧力データを観測しながらバルブV1を開け(このとき、バルブV2は閉状態)、バッファーガスをレーザチャンバー1内に充填し、レーザガス圧力が所定圧力になったら、バルブV1を閉じる。すなわち、レーザガスを所定量排気し、同量のバッファーガスを充填することにより、レーザガス中のF2 濃度を減少させる。
【0128】
ステップS1025において、レーザガス圧力を制御する場合、全圧の減少によりF2 濃度が減少してレーザの利得が減少しレーザパルスの立ち上がりの起点が遅くなるので、レーザパルスコントローラ38はガスコントローラ37にレーザガス圧力を減少させるよう指示する。指示を受けたガスコントローラ37は、圧力計40からの圧力データを観測しながらバルブV3を開けてレーザチャンバー1内のレーザガスを排気し、レーザガス圧力が所定圧力になったら、バルブV3を閉じる。
【0129】
ステップS1025が終了後、ステップS1021〜S1024の動作を繰り返す。
【0130】
なお、図4では図示は省略したが、チャンバー1内のガス劣化等によりステップS1025での制御が不能となった場合は、発振段レーザ10の動作を停止し、チャンバー1内のレーザガスを全交換して、ステップS101に戻り、レーザ動作を再開する。
【0131】
ステップS102の制御は、図5に示すように、同期期間TSYC の幅、サイドライト起点という時間原点からの開始時刻が略一定となるように、発振段レーザパルスの発生時間が固定されるように制御するものである。
【0132】
同期期間TSYC の幅、サイドライト起点という時間原点からの開始時刻が略一定となっているので、増幅段レーザ放電開始タイミングTAも所定時刻に予め定められる。同期コントローラ39は、サイドライトセンサー32からのデータに基づいたサイドライトの立ち上がり(起点)を時間原点として、予め定めておいた増幅段レーザ20の放電開始タイミングTAにて増幅段レーザ20の放電が開始するように、電源(2)7’にトリガ信号を送出(ステップS103)し、電源(2)7’から増幅段レーザ20の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて放電を発生させ、増幅段レーザ20での増幅動作を開始させる(ステップS104)。
【0133】
ところで、同期コントローラ39から電源(2)7’にトリガ信号が送信されてから放電が開始するタイミングには、バラツキがある。例えば、電源(2)7’には磁気パルス圧縮回路が搭載されていて、磁気スイッチに印加される電圧が変われば、放電が開始するタイミングも変化する。通常、図1では図示を省略したエネルギーモニターの結果を基に、印加電圧を制御するエネルギー一定制御が行われるため、増幅段レーザ20の一対の電極2に高電圧パルスに印加される電圧も変化する。このような現象をジッターと呼ぶことにする。また、印加電圧が一定でも、電源(2)7’稼動時の発熱により、回路定数が変化し、それに伴い、放電が開始するタイミングが変化する。このような現象をドリフトと呼ぶことにする。
【0134】
このようなジッターやドリフトといった現象により、電源(2)7’にトリガ信号が入力されて実際に放電が開始するまでの時間にはバラツキが存在する。よって、場合によっては同期時間TSYC 内で増幅段レーザ放電開始タイミングTAを取るように制御しても、増幅段レーザ20の放電が同期時間TSYC 外で発生してしまう場合もある。このようなバラツキの幅は事前に実験等で求めることが可能なので、同期時間TSYC 内での増幅段レーザ放電開始タイミングTAは、このようなバラツキ幅を考慮して定めるのが望ましい。
【0135】
例えば、同期コントローラ39は同期時間TSYC の略1/2の時点で放電が発生するように、電源(2)7’にトリガ信号を送信し、バラツキの幅が同期時間TSYC 内に納まるようにする。
【0136】
ところで、図6に示したタイミング例では、同期時間TSYC はレーザパルス持続時間t1〜t2と等しくなっている。従来例において説明したように、実際は、発振段レーザパルス内の瞬時レーザエネルギーは2ステージレーザにおいて十分なレーザ増幅が行える強度である必要がある。前記したように、レーザパルスの開始点近傍や終点近傍では、瞬時のレーザパワーが小さすぎる可能性が有る。この点を考慮すれば、同期時間TSYC 内での同期タイミングは、時刻t1よりも遅く、TSYC の終点は時刻t2よりも早く設定する方が望ましい。
【0137】
例えば、上記バラツキ幅を考慮したときと同様、同期コントローラ39は、レーザパルスの開始点近傍や終点近傍ではなく、同期時間TSYC の略1/2の時点で放電が発生するように、電源(2)7’にトリガ信号を送信する。
【0138】
上記の第1例のアルゴリズムの変形例について説明する。
【0139】
上記の第1例のアルゴリズムでは、ステップS102で、同期期間TSYC を固定して、その後、ステップS103で、増幅段レーザ20の動作を同期していたが、レーザの繰り返し周波数が、例えば数kHzと高繰り返し動作になってくると、毎パルス毎、ステップS101〜ステップS104を繰り返すのが困難になる場合がある。
【0140】
このような場合は、発振段レーザ10におけるレーザパルス発生時間の固定制御(図3のステップS102)と、増幅段レーザ20の同期制御(図3のステップS103以降)を並行して行う。
【0141】
以下、図7を用いてこの変形例を説明する。ステップS102の発振段レーザパルス発生時間の固定制御におけるデータ転送ステップ(ステップS1022)の後、サイドライトの起点を時間原点として発振段レーザ10のレーザパルス波形の始点及び終点の時刻(t1、t2)を特定するステップS1023に進むと同時に、電源(2)7’へのトリガ信号送出ステップS103に進む。
【0142】
すなわち、発振段レーザ10のサイドライトの起点を検出したら、ステップS102とステップS103を並行して行うので、ステップS103はステップS102を経ずに行われ、高繰り返し動作にも対応可能となる。
【0143】
なお、発振段レーザ10稼動直後からこのような並行動作を行うと、所望のスペクトル線幅が得られない条件で増幅段レーザ20からレーザビームが出射される場合もあるので、当初はステップS102までのみを行い、所定時間経過後、このような並行動作を行うことが好ましい。
【0144】
また、図示は省略したが、チャンバー1内のガス劣化等によりステップS1025での制御が不能となった場合は、発振段レーザ10の動作を停止して増幅段レーザ20の同期も中止し、発振段レーザ10のチャンバー1内のレーザガスを全交換して、ステップS101に戻り、発振段レーザ10の動作を再開して、上記並行動作を行う。なお、上記したように、最初はステップS102の単独動作が望ましい。
【0145】
次に、第2例のアルゴリズムについて説明する。
【0146】
この例のフローチャートを図8に示す。
【0147】
上記第1例のアルゴリズムでは、同期期間TSYC を固定制御して、その後、所定のタイミングで増幅段レーザ20の動作を同期していた。本アルゴリズムでは、同期期間TSYC を設定後は、固定制御せずに、増幅段レーザ20の動作を行う。同時に、増幅段レーザ20からのレーザビームの一部を取り出してレーザスペクトルセンサー41でスペクトル線幅を測定し、測定値が所定範囲外のときは、発振段レーザ10、増幅段レーザ20の動作を停止し、同期期間TSYC を設定しなおす。
【0148】
以下、図8を用いて説明する。ステップS201で、発振段レーザパルスの発生時間を設定する。すなわち、発振段レーザ10のサイドライトの立ち上がり(起点)を時間原点とした発振段レーザパルスの発生時間を所定の時間に設定する。上記設定方法は、例えば、図4のステップS102の手順を採用する。なお、ステップS1022で、同期コントローラ39にレーザサイドライトの立ち上がり(起点)データを送出する必要はない。
【0149】
ステップS201で時間設定終了後、ステップS202において、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7にトリガ信号を送信して、電源(1)7から発振段レーザ10の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて、発振段レーザ10のレーザ発振を開始する。
【0150】
次いで、ステップS203で、サイドライトセンサー32でサイドライトの立ち上がり(起点)を検出し、次のステップS204で、サイドライトの立ち上がり(起点)データを同期コントローラ39に送出する。
【0151】
発振段レーザパルス波形の発生時間(サイドライトの立ち上がり起点を原点とした発生開始時間、終了時間)を所定時間に設定することにより、同期期間TSYC の幅、サイドライト起点という時間原点からの開始時刻が設定される。
【0152】
次いで、ステップS205で、同期コントローラ39は、上記同期期間TSYC 内に存在するように定められた増幅段レーザ20の放電開始タイミングTAにて増幅段レーザ20の放電が開始するように、電源(2)7’にトリガ信号を送出し、電源(2)7’から増幅段レーザ20の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて放電を発生させ、増幅段レーザ20での増幅動作を開始させる。
【0153】
ここで、この第2例のアルゴリズムでは、ステップS201で同期期間TSYC を設定後は、固定制御は行っていない。よって、発振段レーザ10の動作条件の変化(レーザガスの劣化等)が発生すると、発振段レーザパルス波形の発生時間(サイドライトの立ち上がり起点を原点とした発生開始時間、終了時間)も変化し、同期期間TSYC の幅、サイドライト起点という時間原点からの開始時刻も変わってくることになる。すなわち、予め定められた増幅段レーザ20の放電開始タイミングTAが同期期間TSYC から外れる可能性も出てくる。
【0154】
そこで、ステップS206で、増幅段レーザ20のレーザビーム出射側にビームスプリッター42を配置してレーザビームの一部分を取り出し、レーザスペクトルセンサー41でスペクトル線幅を検出する。検出データは、レーザパルスコントローラ38で、スペクトル線幅が所定範囲内あるかどうか判断され、Noの場合は、ステップS207で、発振段レーザ10のレーザ動作が停止され、再びステップS201で、発振段レーザパルスの発生時間を設定しなおす。
【0155】
一方、ステップS206で判断がYesの場合は、パルス毎にステップS203〜S206の手順を繰り返す。
【0156】
この例のアルゴリズムは、同期期間TSYC を設定後は、固定制御せずに、増幅段レーザ20の動作を行うので、制御システムが簡単になる。また、第1例のアルゴリズムの変形例(図7)と同様、高繰り返し動作にも対応可能となる。
【0157】
なお、この例において、検出データからスペクトル線幅が所定範囲外にあると判断されたとき、レーザパルスコントローラ38は外部に異常信号を発信するようにしてもよい。
【0158】
次に、第3例のアルゴリズムについて説明する。
【0159】
上記第1例のアルゴリズム、第2例のアルゴリズムでは、同期期間TSYC の幅、サイドライト起点という時間原点からの開始時刻を固定して制御していたが、第3例のアルゴリズムのように、線幅特性から所望のスペクトル線幅Aとなる時刻T1以降に発振段レーザ10からのレーザパルスが存在するようにして、その都度、同期期間TSYC の幅、サイドライト起点という時間原点からの開始時刻を算出後、算出した同期期間TSYC に基づき所定のタイミングで増幅段レーザ20の動作を同期させるようにしてもよい。
【0160】
以下、第3例のアルゴリズムを図9を用いて説明する。
【0161】
まず、ステップS301で、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7にトリガ信号を送信して電源(1)7から発振段レーザ10の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて、発振段レーザ10のレーザ発振を開始する。
【0162】
次いで、ステップS302で、サイドライトセンサー32、レーザパルスセンサー34により、サイドライトの立ち上がり(起点)及びレーザパルスの時間的パルス波形を検出し、次のステップS303で、検出データをレーザパルスコントローラ38に送出する。
【0163】
次いで、ステップS304で、レーザパルスコントローラ38は、受信したサイドライトの立ち上がり(起点)及びレーザパルスの時間的パルス波形データから、サイドライトの起点を原点として発振段レーザ10のレーザパルス波形の始点及び終点の時刻(t1、t2)を特定する。
【0164】
次いで、ステップS305で、レーザパルスコントローラ38は、ステップS304で特定した発振段レーザ10のレーザパルス波形の始点及び終点の時刻(t1、t2)のデータ、並びに、レーザパルスコントローラ38内又は外部に記憶しておいた線幅特性のデータベースから呼び出した所望のスペクトル線幅となる時刻T1のデータを用いて、時刻T1以降に発振段レーザパルスが存在するかどうかを判定する。すなわち、
T1<t1 ・・・(3)
又は、
t1≦T1≦t2 ・・・(4)
となるかどうかを判定する。
【0165】
ここで、(3)式又は(4)式が成立しないと判断された場合、発振段レーザパルスをシードレーザパルスとして増幅段レーザ20に注入しても、増幅されたレーザビームのスペクトル線幅は所望のスペクトル線幅Aを実現することはできない。したがって、発振段レーザパルスの立ち上がり時間t1を遅らせる必要がある。そのために、ステップS306で、発振段レーザ10のレーザチャンバー1内に封入されたレーザガス中のF2 濃度、レーザガス全圧又は一対の電極2に印加する印加電圧の少なくとも1つを調整する。
【0166】
ステップS306において、印加電圧を制御する場合、印加電圧の減少によりレーザの利得が減少しレーザパルスの立ち上がりの起点が遅くなるので、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7に電極2への印加電圧の値を所定量減少させるように指示して、印加電圧を減少させる。
【0167】
ステップS306において、F2 濃度を制御する場合、F2 濃度の減少によりレーザの利得が減少しレーザパルスの立ち上がりの起点が遅くなるので、レーザパルスコントローラ38は、ガスコントローラ37にF2 濃度を減少させるよう指示する。指示を受けたガスコントローラ37は、圧力計40からの圧力データを観測しながらバルブV3を開けてレーザチャンバー1内のレーザガスを排気し、レーザガス圧力が所定圧力になったら、バルブV3を閉じる。その後、ガスコントローラ37は圧力計40からの圧力データを観測しながらバルブV1を開け(このとき、バルブV2は閉状態)、バッファーガスをレーザチャンバー1内に充填し、レーザガス圧力が所定圧力になったら、バルブV1を閉じる。すなわち、レーザガスを所定量排気し、同量のバッファーガスを充填することにより、レーザガス中のF2 濃度を減少させる。
【0168】
ステップS306において、レーザガス圧力を制御する場合、全圧の減少によりF2 濃度が減少してレーザの利得が減少しレーザパルスの立ち上がりの起点が遅くなるので、レーザパルスコントローラ38はガスコントローラ37にレーザガス圧力を減少させるよう指示する。指示を受けたガスコントローラ37は、圧力計40からの圧力データを観測しながらバルブV3を開けてレーザチャンバー1内のレーザガスを排気し、レーザガス圧力が所定圧力になったら、バルブV3を閉じる。
【0169】
ステップS306の終了後、ステップS302〜S305の動作を繰り返す。
【0170】
ステップS306において、時刻T1以降に発振段レーザパルスが存在する、すなわち、(3)式又は(4)式が成立すると判断された場合、ステップS307において、レーザコントローラ38は、増幅段レーザ20を同期発振させる同期期間TSYC を算出し、そのデータを同期コントローラ39に送信する。
【0171】
すなわち、
t1≦TSYC ≦t2 ・・・(2)
若しくは、
T1≦TSYC ≦t2 ・・・(1)
という時間範囲が算出される。
【0172】
次いで、ステップS308で、同期コントローラ39は、同期期間TSYC 内に増幅段レーザ20の放電を開始させるように、電源(2)7’にトリガ信号を送信し、次のステップS309で、電源(2)7’から増幅段レーザ20の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて放電を発生させ、増幅段レーザ20での増幅動作を開始させる。
【0173】
この第3例のアルゴリズムは、その都度、同期期間TSYC の幅、サイドライト起点という時間原点からの開始時刻を算出しているので、発振段レーザパルスのレーザパルス幅が変化しても対応可能である。なお、上記算出後、増幅段レーザ20の動作を同期させているので、高繰り返し条件になってくると、本アルゴリズムを行うことが困難になる可能性もある。
【0174】
次に、第4例のアルゴリズムについて説明する。
【0175】
発振段レーザパルス内の瞬時レーザエネルギー(増幅段レーザ20と同期を取るときの瞬時エネルギー)は、2ステージレーザにおいて十分なレーザ増幅が行える強度である必要がある。第4例のアルゴリズムでは、発振段レーザ10のパルスエネルギーを測定し、それが所定値B以上になるように制御する。増幅段レーザ20は、発振段レーザ10のパルスエネルギー、充電電圧、ガス条件、ショット数等のパラメータと同期時間との関係を示すテーブルを持ち、そのテーブルに基づき同期を取るように制御する。
【0176】
以下、図10のフローチャートを用いて説明する。
【0177】
まず、ステップS401で、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7にトリガ信号を送信して電源(1)7から発振段レーザ10の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて、発振段レーザ10のレーザ発振を開始する。
【0178】
次いで、ステップS402で、サイドライトセンサー32より、発振段レーザ10のサイドライトの立ち上がり(起点)を検出すると共に、レーザパルスセンサー34で発振段レーザ10のレーザパルスエネルギーEを検出し、次のステップS403で、サイドライトの立ち上がり(起点)データを同期コントローラ39に送出すると共に、レーザパルスエネルギーEのデータをレーザパルスコントローラ38に送出する。なお、この第4例のアルゴリズムにおけるレーザパルスセンサー34は、レーザパルスエネルギーを測定する機能を有するものである。
【0179】
次いで、ステップS404において、レーザパルスコントローラ38は、受信したレーザパルスエネルギーEのデータ(測定値をEとする。)と、予め記憶しておいた2ステージレーザにおいて十分なレーザ増幅が行えるエネルギー値Bと比較する。
【0180】
ステップS404でE<Bと判断されたときは、ステップS405で、E≧Bとなるように発振段レーザ10のレーザチャンバー1内に封入されたレーザガス中のF2 濃度、レーザガス全圧又は一対の電極2に印加する印加電圧の少なくとも1つを調整後、ステップS402に戻る。
【0181】
ステップS404でE≧Bと判断された場合、ステップS406で、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7の充電電圧データ、チャンバー1内ガス圧データ、パルス数等の発振段レーザ10の動作パラメータデータを同期コントローラ39に送出する。
【0182】
同期コントローラ39は、発振段レーザ10の動作パラメータデータに対応する同期期間TSYC データのテーブルを持っている。次のステップS407で、受信した発振段レーザ10の動作パラメータデータより対応する同期期間TSYC データを呼び出し、サイドライトの立ち上がり(起点)データと用いて、サイドライト起点という時間原点からの同期期間TSYC の開始時刻を算出し、上記同期期間TSYC 内に存在するように定められた増幅段レーザ20の放電開始タイミングTAにて増幅段レーザ20の放電が開始するように電源(2)7’にトリガ信号を送出し、電源(2)7’から増幅段レーザ20の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて放電を発生させ、増幅段レーザ20での増幅動作を開始させる。
【0183】
なお、本アルゴリズムにおいては、レーザパルスエネルギーが所定値B以上であれば、必ず増幅段レーザ20の放電開始タイミングTAにおける発振段レーザパルス内の瞬時エネルギーが同期に必要な最小限のエネルギー以上であることを前提としたものである。
【0184】
この第4例のアルゴリズムは、発振段レーザ10の動作パラメータに対応した同期期間TSYC データを用いて増幅段レーザ20の動作を行うので、制御システムが簡単になる。また、第1例のアルゴリズムの変形例と同様、同期期間TSYC を算出するものではないので、高繰り返し動作にも対応可能となる。
【0185】
次に、第5例のアルゴリズムについて説明する。
【0186】
上記第4例のアルゴリズムでは、レーザパルスエネルギーが所定値B以上であれば、必ず増幅段レーザ20の放電開始タイミングTAにおける発振段レーザパルス内の瞬時エネルギーが同期に必要な最小限のエネルギー以上であることを前提としていた。第5例のアルゴリズムでは、同期に必要な必要最小エネルギーをEmin 、T1の時間以降でEmin 以上であるレーザパルス時間をT’としたとき、この時間T’時間内で2台のレーザの同期を行い、所望の線幅以下で2台のレーザの同期を実現させるようにしたものである。以下に図を用いて詳細に説明する。
【0187】
図11において、線幅特性は時刻T1以降において所望のスペクトル線幅A以下となる。また、発振段レーザ10のレーザパルスの持続時間内に時刻T1は存在している(t1<T1<t2:t1はレーザパルスの始点、t2はレーザパルスの終点)。よって、増幅段レーザ20の放電を開始させる時間の存在する期間TSYC は上記した式(1)のように設定される。すなわち、
T1≦TSYC ≦t2 ・・・(1)
一方、シードレーザパルス内の瞬時エネルギーの観点から、増幅段レーザ20の放電を開始させる時間の存在する期間TSYC は、時間T1’〜T2’内に設定される。
【0188】
T1’≦TSYC ≦T2’ ・・・(7)
図11の場合、T1’<T1であるので、増幅段レーザ20の放電を開始させる時間の存在する期間TSYC は時間T1〜T2’内に設定される。
【0189】
T1≦TSYC ≦T2’ ・・・(8)
図12に示すような場合、T1<T1’であるので、増幅段レーザ20の放電を開始させる時間の存在する期間TSYC は時間T1’〜T2’内に設定される。
【0190】
T1’≦TSYC ≦T2’ ・・・(7)
レーザパルスが図13に示す実線のような場合、時刻T1以降の時間に発振段レーザ10からのレーザパルス(シードレーザパルス)は存在しているが、その時間内においてシードレーザパルス内の瞬時エネルギーは、必要最小エネルギーEmin を下回っている。このような状態では、同期を取ることは不可能となる。したがって、その場合は、例えば図13に示すように、サイドライトの起点からのレーザパルスの立ち上がり開始時間を遅らせて(図13の一点鎖線で示したレーザパルス)、時刻T1が時刻T2’よりも前に存在するように制御する。
【0191】
本発明者等の実験により、レーザパルスの立ち上がり開始時間を遅くするためには、発振段レーザ10の利得を低減することが有用であることが分かっている。すなわち、発振段レーザ10の利得を低減させるために、レーザチャンバー1内に充填されたレーザガス中のF2 濃度の低減、レーザガス全圧の低減、発振段レーザ10のレーザチャンバー1内に設置されている一対の電極2へ印加する印加電圧の低減等を実施することにより、レーザ発振利得を低減させることができる。
【0192】
具体的には、レーザパルスコントローラ38がガスコントローラ37及び/又は電源(1)7に制御指令を送出し、上記パラメータの少なくとも1つを制御する。
【0193】
なお、図13では、時刻T1が時刻T1’〜T2’の間に存在するようにレーザパルスの立ち上がり開始時間を遅らせたが、図12のように、時刻T1が時刻T1’の前に存在するように遅らせてもよい。
【0194】
レーザ発振条件によっては、シードレーザパルス内の瞬時エネルギーが必要最小エネルギーEmin を上回っている時間領域が複数ある場合も想定され得る。図14に、上記時間領域が2つ存在する場合を示す。この場合は、時刻T1と上記複数の時間領域との関係を判断する。
【0195】
T1<T1’の場合、
T1’≦TSYC ≦T2’ or T3’≦TSYC ≦T4’ ・・・(9)
T1’<T1<T2’の場合、
T1≦TSYC ≦T2’ or T3’≦TSYC ≦T4’ ・・・(10)
T2’<T1<T3’の場合、
T3’≦TSYC ≦T4’ ・・・(11)
T3’<T1<T4’の場合、
T1≦TSYC ≦T4’ ・・・(12)
T4’<T1の場合、同期不可能。この場合、サイドライトの起点からのレーザパルスの立ち上がり開始時間を遅らせて、時刻T1が式(9)、(10)、(11)、(12)の何れかの条件を満たすように制御する。
【0196】
ここで、式(9)、(10)の場合、TSYC が存在しうる範囲が複数あるが、その中の任意の1つを選択すればよい。選択基準としては、例えば、上記複数の選択範囲の中、発振段レーザ10のサイドライトの起点から一番遅く存在する範囲であってもよい。また、上記複数の選択範囲の中、一番時間幅が長い範囲であってもよい。
【0197】
図15にこの第5例のアルゴリズムを示す。
【0198】
まず、ステップS501で、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7にトリガ信号を送信して電源(1)7から発振段レーザ10の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて、発振段レーザ10のレーザ発振を開始する。
【0199】
次いで、ステップS502で、サイドライトセンサー32、レーザパルスセンサー34により、サイドライトの立ち上がり(起点)及びレーザパルスの時間的パルス波形を検出し、次のステップS503で、検出データをレーザパルスコントローラ38に送出する。
【0200】
次いで、ステップS504で、レーザパルスコントローラ38は、受信したサイドライトの立ち上がり(起点)及びレーザパルスの時間的パルス波形データから、サイドライトの起点を原点として発振段レーザ10のレーザパルス波形の始点及び終点の時刻(t1、t2)を特定する。t1、t2については、例えば図16を参照。
【0201】
そして、ステップS505で、レーザパルスコントローラ38は、上記受信データ並びにレーザパルスコントローラ38内又は外部に記憶しておいた必要最小エネルギーEmin のデータを用いて、発振段レーザ10のレーザパルス波形において必要エネルギー存在範囲(T1’〜T2’)を特定できるかどうか判定する。T1’,T2’については、例えば、図16を参照。
【0202】
ステップS505において、サイドライトの起点を原点とした上記レーザパルス波形に必要エネルギー存在範囲(T1’〜T2’)が存在しないと判断された場合(図16のレーザパルス▲2▼)、発振段レーザパルスをシードレーザパルスとして増幅段レーザ20に注入しても増幅されたレーザビームを取り出せないので、発振段レーザパルスの光強度を上昇させる。そのために、ステップS506で、発振段レーザ10のレーザチャンバー1内に封入されたレーザガス中のF2 濃度、レーザガス全圧又は一対の電極2に印加する印加電圧の少なくとも1つを調整する。
【0203】
ステップS506において、印加電圧を制御する場合、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7に電極2への印加電圧の値を所定量上昇させるように指示して、印加電圧を上昇させる。
【0204】
ステップS506において、F2 濃度を制御する場合、レーザパルスコントローラ38はガスコントローラ37にF2 濃度を増加させるよう指示する。指示を受けたガスコントローラ37は、バルブV2を開き、圧力計40からの圧力データを観測しながら希釈F2 ガスを所定量レーザチャンバー1に充填後、バルブV2を閉じる。この状態では、レーザガス圧力は希釈F2 ガスを充填した分増加することになるので、バルブV3を開け、圧力計40からの圧力データを観測しながら所定量レーザガスを排気してレーザガス圧を調整後、バルブV3を閉める。
【0205】
ステップS506において、レーザガス圧力を制御する場合、レーザパルスコントローラ38はガスコントローラ37にレーザガス圧力を増加させるよう指示する。指示を受けたガスコントローラ37は、バルブV1を開き、圧力計40からの圧力データを観測しながらバッファーガスを所定量レーザチャンバー1に充填後、バルブV1を閉じる。この状態では、レーザガス中のF2 ガス濃度はバッファーガスを充填した分減少することになるので、F2 ガス濃度を維持するのであれば、バルブV2を開け、圧力計40からの圧力データを観測しながら所定量希釈F2 ガスを充填後、バルブ2を閉める。なお、F2 ガス濃度を維持する必要がない場合は、バルブV2の開閉動作は省略可能となる。
【0206】
ステップS506が終了後、ステップS502〜S505の動作を繰り返す。
【0207】
ステップS505において、サイドライトの起点を原点とした上記レーザパルス波形に必要エネルギー存在範囲(T1’〜T2’)が存在すると判断された場合(図16のレーザパルス▲1▼)、ステップS507において、レーザパルスコントローラ38は、ステップS504で特定した発振段レーザ10のレーザパルス波形の始点及び終点の時刻(t1、t2)のデータ、並びに、レーザパルスコントローラ38内又は外部に記憶しておいた線幅特性のデータベースから呼び出した所望のスペクトル線幅となる時刻T1のデータを用いて、時刻T1以降に発振段レーザパルスが存在するかどうかを判定する。すなわち、
T1<t1 ・・・(3)
又は、
t1≦T1≦t2 ・・・(4)
となるかどうかを判定する。
【0208】
ここで、(3)式又は(4)式が成立しないと判断された場合(図17のレーザパルス▲3▼)、発振段レーザパルスには必要エネルギー存在範囲(T1’〜T2’)が存在するものの、発振段レーザパルスをシードレーザパルスとして増幅段レーザ20に注入しても増幅されたレーザビームのスペクトル線幅は所望のスペクトル線幅Aを実現することはできない。よって、発振段レーザパルスの立ち上がり時間t1を遅らせる必要がある。そのために、ステップS508において、発振段レーザ10のレーザチャンバー1内に封入されたレーザガス中のF2 濃度、レーザガス全圧又は一対の電極2に印加する印加電圧の少なくとも1つを調整する。
【0209】
ステップS508において、印加電圧を制御する場合、印加電圧の減少によりレーザの利得が減少しレーザパルスの立ち上がりの起点が遅くなるので、レーザパルスコントローラ38は、電源(1)7に電極2への印加電圧の値を所定量減少させるように指示して、印加電圧を減少させる。
【0210】
ステップS508において、F2 濃度を制御する場合、F2 濃度の減少によりレーザの利得が減少しレーザパルスの立ち上がりの起点が遅くなるので、レーザパルスコントローラ38は、ガスコントローラ37にF2 濃度を減少させるよう指示する。指示を受けたガスコントローラ37は、圧力計40からの圧力データを観測しながらバルブV3を開けてレーザチャンバー1内のレーザガスを排気し、レーザガス圧力が所定圧力になったら、バルブV3を閉じる。その後、ガスコントローラ37は圧力計40からの圧力データを観測しながらバルブV1を開け(このとき、バルブV2は閉状態)、バッファーガスをレーザチャンバー1内に充填し、レーザガス圧力が所定圧力になったら、バルブV1を閉じる。すなわち、レーザガスを所定量排気し、同量のバッファーガスを充填することにより、レーザガス中のF2 濃度を減少させる。
【0211】
ステップS508において、レーザガス圧力を制御する場合、全圧の減少によりF2 濃度の減少によりレーザの利得が減少しレーザパルスの立ち上がりの起点が遅くなるので、レーザパルスコントローラ38はガスコントローラ37にレーザガス圧力を減少させるよう指示する。指示を受けたガスコントローラ37は、圧力計40からの圧力データを観測しながらバルブV3を開けてレーザチャンバー1内のレーザガスを排気し、レーザガス圧力が所定圧力になったら、バルブV3を閉じる。
【0212】
ステップS508が終了後、ステップS502〜S507の動作を繰り返す。
【0213】
ステップS507において、時刻T1以降に発振段レーザパルスが存在する、すなわち、(9)式又は(10)式が成立すると判断された場合(例えば、図17のレーザパルス▲4▼)、ステップS509において、レーザコントローラ38は、上記必要エネルギー存在範囲(T1’〜T2’)並びにレーザパルスコントローラ38内又は外部に記憶しておいた線幅特性のデータベースから呼び出した所望のスペクトル線幅となる時刻T1のデータを用いて、発振段レーザ10のレーザパルス波形において時刻T1以降に瞬時エネルギー≧Emin となる時間領域が存在するかを判定する。すなわち、図11や図12のように、
T1’<T1<T2’ ・・・(13)
又は
T1<T1’<T2’ ・・・(14)
となるかどうかを判定する。
【0214】
ここで、(13)式又は(14)式が成立しないと判断された場合(図17のレーザパルス▲3▼)、発振段レーザパルスには必要エネルギー存在範囲(T1’〜T2’)が存在し、かつ、時刻T1以降に発振段レーザパルスが存在するするものの、発振段レーザパルスをシードレーザパルスとして増幅段レーザ20に注入しても、増幅されたレーザビームのスペクトル線幅は所望のスペクトル線幅Aを実現することはできない。よって、発振段レーザパルスの立ち上がり時間t1を遅らせる必要がある。そのために、ステップS510で、発振段レーザ10のレーザチャンバー1内に封入されたレーザガス中のF2 濃度、レーザガス全圧又は一対の電極2に印加する印加電圧の少なくとも1つを調整する。
【0215】
ステップS510は、ステップS508と同等の制御であり、ステップS510が終了後、ステップS502〜S509の動作を繰り返す。
【0216】
ステップS509において、発振段レーザ10のレーザパルス波形において時刻T1以降に瞬時エネルギー≧Emin となる時間領域が存在すると判断された場合(例えば、図11、図12)、ステップS511において、レーザパルスコントローラ38は、増幅段レーザ20を同期発振させる同期期間TSYC を算出し、そのデータを同期コントローラ39に送信する。
【0217】
なお、ステップS509において、瞬時エネルギー≧Emin となる時間領域が図14に示すように複数存在する場合には、上記したように、その中の任意の1つを選択する。選択基準としては、例えば、上記複数の選択範囲の中、発振段レーザ10のサイドライトの起点から一番遅く存在する範囲とする。あるいは、一番時間幅が長い範囲とする。
【0218】
次いで、ステップS512において、同期コントローラ39は同期期間TSYC 内に増幅段レーザ20の放電を開始させるように、電源(2)7’にトリガ信号を送信し、次のステップS513で、電源(2)7’から増幅段レーザ20の一対の電極2に高電圧パルスを印加させて放電を発生させ、増幅段レーザ20での増幅動作を開始させる。
【0219】
この第5例のアルゴリズムにおいては、同期に必要な必要最小エネルギーEmin が存在する時間も考慮しているので、確実に同期を取ることが可能となる。
【0220】
さて、以下に上記の本発明に基づく具体的なF2 レーザ動作例を説明する。
【0221】
本発明の上記の第1例のアルゴリズムの変形例(図3、図7)を用いて、発振段レーザ10のバッファーガスをHe、Neとして、F2 レーザ装置を動作させた。その結果を図18に示す。
【0222】
ここで、発振段レーザ10、増幅段レーザ20の何れもF2 濃度は0.05〜0.1%であり、増幅段レーザ20のバッファーガスはHe、レーザガス圧力は3000hpaであった。第1例のアルゴリズムの変形例の採用により、増幅段レーザ20から放出されるレーザパルスのスペクトル線幅は、所望のスペクトル線幅(0.2pm)以下に維持することができた。
【0223】
しかしながら、繰り返し周波数が2kHzを超えると、発振段レーザ10のバッファーガスがNeガスのときには、増幅段レーザ20から取り出されるレーザビームの出力は所望値(5mJ)以下となった。
【0224】
これは、前記したように、Neガスは放電抵抗等のガス特性の違いにより、Heガスと比べて放電時に電界集中が起こりやすく、特に高繰り返し時に放電が不安定になりやすいこと、また、質量がHeガスより重いのでレーザチャンバー1内でのクロスフローファンによるガス循環速度を高速度にすることが困難で、高繰り返し時に放電と放電の間にガス循環により行われる放電領域のガス交換が不十分となり、やはり放電が不安定となってしまうことにより、発振段レーザ10からのシードレーザビームの出力が低下したためと考えられる。
【0225】
一方、発振段レーザ10のバッファーガスがHeガスのときには、少なくとも繰り返し周波数が5kHzまで、増幅段レーザ20から取り出されるレーザビームの出力が所望値以上となった。
【0226】
次に、増幅段レーザ20のレーザガス圧力特性をみるために、上記の第1例のアルゴリズムの変形例を用いて、発振段レーザ10のバッファーガスをHeとしてF2 レーザ装置を動作させた。その結果を図19に示す。
【0227】
ここで、発振段レーザ10、増幅段レーザ20の何れもF2 濃度は0.05〜0.1%であり、バッファーガスはHeガスである。図示は省略したが、各条件における増幅段レーザ20から放出されるレーザパルスのスペクトル線幅は、何れも所望のスペクトル線幅(0.2pm)以下に維持することができた。
【0228】
増幅段レーザ20の主電極2への印加電圧Vs=20kV以上であって、増幅段レーザ20のレーザガス圧力が2500〜4000hPaのとき、レーザビームの出力は所望値(5mJ)以上となった。
【0229】
しかしながら、レーザガス圧力が2500hPa未満(図19の2000hPa)のときには、増幅段レーザ20から取り出されるレーザビームの出力は所望値(5mJ)以下となった。
【0230】
このように、増幅段レーザ20の主電極2への印加電圧Vs=20kV以上であっても、レーザガス圧力が2500hPa未満(図19の2000hPa)のときに所望出力が得られないのは、レーザガスにレーザ発振を起こす誘導放出のために必要な分子等が十分存在しないためである。
【0231】
一方、増幅段レーザ20の主電極2への印加電圧Vs=20kV以上であっても、レーザガス圧力が4000hPa以上(図19の4500hPa)のとき、所望出力が得られないのは、放電時に電界集中が起こりやすくなって放電が不安定になり、レーザガス中へのエネルギー注入が不十分になるためである。
【0232】
なお、上記した本発明を適用した2ステージレーザシステムは、F2 レーザ装置に限定されず、KrFレーザ装置、ArFレーザ装置にも適用可能であり、スペクトル線幅が露光装置からの要求線幅以下で、かつ、パルスエネルギーが5mJ以上のレーザビームを得ることができるようになる。
【0233】
以上、本発明の2ステージレーザシステムをその原理と実施例の説明に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例に限定されず種々の変形が可能である。
【0234】
【発明の効果】
以上の本発明により、発振段と増幅段の2台以上のレーザを用いる2ステージレーザシステム、例えば、インジェクションロック方式、MOPA方式のレーザシステムにおいて、発振段レーザの積分スペクトル特性が所望のスペクトル線幅又はスペクトル純度でなくても、所望のスペクトル線幅又はスペクトル純度を所望の高出力で得られる。特に、F2 レーザ装置においては、超狭帯域化発振段レーザにHeバッファーガスを用いることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の2ステージレーザシステムの1つの構成例を示す図である。
【図2】本発明の2ステージレーザシステムの制御の概要を説明するための図である。
【図3】本発明の第1例のアルゴリズムの全体の流れを示すフローチャートである。
【図4】第1例のアルゴリズムの発振段レーザパルス発生時間の固定制御のフローチャートである。
【図5】第1例のアルゴリズムにおけるレーザパルスの始点と終点について説明するための図である。
【図6】同期時間がレーザパルス持続時間と等しくなるタイミング例を示す図である。
【図7】第1例のアルゴリズムの変形例のフローチャートである。
【図8】第2例のアルゴリズムのフローチャートである。
【図9】第3例のアルゴリズムのフローチャートである。
【図10】第4例のアルゴリズムのフローチャートである。
【図11】線幅特性が時刻T1以降において所望のスペクトル線幅A以下となるレーザパルスの例を示す図である。
【図12】同期に必要な必要最小エネルギーEmin になる時刻T1’が時刻T1より後となるレーザパルスの例を示す図である。
【図13】時刻T1以降の時間に存在するレーザパルスの瞬時エネルギーが必要最小エネルギーEmin を下回っている場合のレーザパルスの例を示す図である。
【図14】レーザパルス内の瞬時エネルギーが必要最小エネルギーEmin を上回っている時間領域が複数ある場合のレーザパルスの例を示す図である。
【図15】第5例のアルゴリズムのフローチャートである。
【図16】レーザパルス波形において必要エネルギー存在範囲(T1’〜T2’)を特定できる場合とできない場合を示す図である。
【図17】時刻T1以降に発振段レーザパルスが存在する場合と存在しない場合を示す図である。
【図18】第1例のアルゴリズムの変形例を用いて発振段レーザのバッファーガスをHe、NeとしてF2 レーザ装置を動作させた結果を示す図である。
【図19】増幅段レーザのレーザガス圧力特性をみるために、第1例のアルゴリズムの変形例を用いて発振段レーザのバッファーガスをHeとしてF2 レーザ装置を動作させた結果を示す図である。
【図20】従来技術のMOPA方式の2ステージレーザシステムの構成図を示す図である。
【図21】インジェクションロック方式の場合の増幅段レーザの構成例を示す図である。
【図22】波長選択素子としてエタロンとグレーティング5を用いた複合構成の狭帯域化モジュールの構成を示す図である。
【図23】サイドライトとその後に立ち上がってくるとレーザパルスとの間の関係を示すレーザパルス波形、サイドライト波形、レーザパルス中のスペクトル線幅の時間的推移を示す図である。
【図24】図23(a)と(b)のスペクトル線幅の時間的推移とレーザパルス波形をまとめた図である。
【図25】従来技術の発振段レーザにおけるサイドライドの立ち上がりを起点としたときの狭帯域化レーザパルス波形と放電開始後に発生した光のスペクトル線幅変化との関係を示す説明図である。
【図26】スペクトル線幅特性から所望のスペクトル線幅Aが得られる時刻T1を求めることが可能であることを説明するための図である。
【図27】サイドライトが立ち上がる時点を原点としたときの発振段線幅特性、発振段レーザパルス波形、増幅段サイドライト波形、増幅段レーザパルス波形の関係を示す図である。
【符号の説明】
1…レーザチャンバー
2…電極
3…狭帯域化モジュール
4…拡大プリズム
5…グレーティング(回折格子)
6…フロントミラー
7…電源(1)
7’…電源(2)
8…リアミラー
9…フロントミラー
10…発振段レーザ(オシレーター)
11…ウィンドー部材
12…エタロン
13…穴
20、20’…増幅段レーザ(アンプ)
21…同期コントローラ
31…窓部
32…サイドライトセンサー
33…ビームスプリッター
34…レーザパルスセンサー
35…ガス供給ライン
351 …バッファーガスを供給するためのライン
352 …F2 ガスを供給するためのライン
36…排気ライン
37…ガスコントローラ
38…レーザパルスコントローラ
39…同期コントローラ
40…圧力計
41…レーザスペクトルセンサー
42…ビームスプリッター
V1、V2、V3…バルブ

Claims (1)

  1. 2 を含むレーザガスが封入されたレーザチャンバー内に放電電極を有し、レーザ共振器内に設置した波長選択素子を含む狭帯域化モジュールにより狭帯域化されたレーザビームを放出する発振段レーザ装置と、F2 を含むレーザガスが封入されたレーザチャンバー内に放電電極を有し、前記発振段レーザ装置から注入されるレーザパルスを増幅する増幅段装置とからなる2ステージレーザシステムにおいて、
    前記発振段レーザ装置は、放電発光計測器とレーザビームの時間的パルス波形を計測するレーザパルス計測器と前記発振段レーザ装置の放電電極への印加電圧、レーザガス中のフッ素濃度、レーザガス圧力の中の少なくとも1つを制御可能なレーザパルスコントローラとを有し、
    前記増幅段装置は、前記増幅段装置の放電発生を制御する同期コントローラを有し、
    前記レーザパルスコントローラは、前記放電発光計測器からのデータ並びに前記レーザパルス計測器からのデータより、前記発振段レーザ装置からのレーザパルス内あるいはそれ以前に所望のスペクトル線幅及び/又はスペクトル純度まで挟帯域化された時点が存在するように、前記発振段レーザ装置の放電電極への印加電圧、レーザガス中のフッ素濃度、レーザガス圧力の中の少なくとも1つを制御して放電により発光する時点からレーザパルスが発生する時刻を設定し、次いで、前記レーザパルスコントローラは、前記設定されたレーザパルス内における所望のスペクトル線幅及び/又はスペクトル純度まで挟帯域化された時点以降であって前記レーザパルス内に存在する同期期間を求め、その同期期間データを前記同期コントローラに送信し、
    前記同期コントローラは、前記レーザパルスコントローラからの同期期間データに基づき、前記同期期間に前記増幅段装置において放電が発生するよう制御することを特徴とする2ステージレーザシステム。
JP2002142728A 2002-05-17 2002-05-17 2ステージレーザシステム Expired - Fee Related JP4169187B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002142728A JP4169187B2 (ja) 2002-05-17 2002-05-17 2ステージレーザシステム
US10/438,737 US6879617B2 (en) 2002-05-17 2003-05-14 Two stage laser system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002142728A JP4169187B2 (ja) 2002-05-17 2002-05-17 2ステージレーザシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003332661A JP2003332661A (ja) 2003-11-21
JP4169187B2 true JP4169187B2 (ja) 2008-10-22

Family

ID=29702931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002142728A Expired - Fee Related JP4169187B2 (ja) 2002-05-17 2002-05-17 2ステージレーザシステム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6879617B2 (ja)
JP (1) JP4169187B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11804690B2 (en) * 2020-11-11 2023-10-31 Seno Medical Instruments, Inc. Laser assembly for an optoacoustic probe

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7061959B2 (en) * 2001-04-18 2006-06-13 Tcz Gmbh Laser thin film poly-silicon annealing system
US7830934B2 (en) * 2001-08-29 2010-11-09 Cymer, Inc. Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing
JP4169187B2 (ja) * 2002-05-17 2008-10-22 株式会社小松製作所 2ステージレーザシステム
US7209507B2 (en) * 2003-07-30 2007-04-24 Cymer, Inc. Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge MOPA laser system
US7282666B2 (en) * 2004-05-07 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to increase throughput of processing using pulsed radiation sources
JP4798687B2 (ja) 2004-07-09 2011-10-19 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
JP5202315B2 (ja) * 2005-08-09 2013-06-05 サイマー インコーポレイテッド 放電タイミングによる多室ガス放電レーザの帯域幅制御
US7679029B2 (en) * 2005-10-28 2010-03-16 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations
US7317179B2 (en) * 2005-10-28 2008-01-08 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate
KR101194231B1 (ko) * 2005-11-01 2012-10-29 사이머 인코포레이티드 레이저 시스템
US7885309B2 (en) 2005-11-01 2011-02-08 Cymer, Inc. Laser system
US7835414B2 (en) 2007-02-26 2010-11-16 Cymer, Inc. Laser gas injection system
US20110051761A1 (en) * 2009-08-27 2011-03-03 Jianzhong Lu Operating method of excimer laser system
US8767791B2 (en) * 2011-04-29 2014-07-01 Cymer, Llc System and method for controlling gas concentration in a two-chamber gas discharge laser system
JP5312567B2 (ja) * 2011-12-26 2013-10-09 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
JP6204363B2 (ja) * 2012-09-07 2017-09-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及びレーザ装置の制御方法
US9065248B2 (en) 2013-11-20 2015-06-23 Cymer, Llc Systems and methods to more accurately estimate a fluorine concentration in a source laser
WO2017158694A1 (ja) * 2016-03-14 2017-09-21 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び極端紫外光生成システム
US9997888B2 (en) * 2016-10-17 2018-06-12 Cymer, Llc Control of a spectral feature of a pulsed light beam

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3897150A (en) * 1972-04-03 1975-07-29 Hughes Aircraft Co Scanned laser imaging and ranging system
US4410992A (en) * 1980-03-26 1983-10-18 Laser Science, Inc. Generation of pulsed laser radiation at a finely controlled frequency by transient regerative amplification
US4881231A (en) * 1988-11-28 1989-11-14 Kantilal Jain Frequency-stabilized line-narrowed excimer laser source system for high resolution lithography
US5450436A (en) * 1992-11-20 1995-09-12 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Laser gas replenishing apparatus and method in excimer laser system
US5940418A (en) * 1996-06-13 1999-08-17 Jmar Technology Co. Solid-state laser system for ultra-violet micro-lithography
JP4102457B2 (ja) * 1997-05-09 2008-06-18 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
US6567450B2 (en) * 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6381257B1 (en) * 1999-09-27 2002-04-30 Cymer, Inc. Very narrow band injection seeded F2 lithography laser
JP2001024265A (ja) 1999-07-05 2001-01-26 Komatsu Ltd 超狭帯域化フッ素レーザ装置
JP3888673B2 (ja) * 2001-12-28 2007-03-07 ウシオ電機株式会社 露光用フッ素分子レーザシステム
JP4169187B2 (ja) * 2002-05-17 2008-10-22 株式会社小松製作所 2ステージレーザシステム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11804690B2 (en) * 2020-11-11 2023-10-31 Seno Medical Instruments, Inc. Laser assembly for an optoacoustic probe

Also Published As

Publication number Publication date
US20040042521A1 (en) 2004-03-04
US6879617B2 (en) 2005-04-12
JP2003332661A (ja) 2003-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4169187B2 (ja) 2ステージレーザシステム
JP3888673B2 (ja) 露光用フッ素分子レーザシステム
US7227881B2 (en) Master oscillator—power amplifier excimer laser system
US6563853B2 (en) Gas performance control system for gas discharge lasers
JP3830036B2 (ja) 狭帯域化ガスレーザ装置
US6577663B2 (en) Narrow bandwidth oscillator-amplifier system
US20020031160A1 (en) Delay compensation for magnetic compressors
KR20040111584A (ko) 가스 방전 레이저를 위한 자동 가스 제어 시스템
US6862307B2 (en) Electrical excitation circuit for a pulsed gas laser
US7366213B2 (en) MOPA excimer or molecular fluorine laser system with improved synchronization
US6987790B2 (en) Excimer or molecular fluorine laser with several discharge chambers
US6584131B1 (en) ArF excimer laser device for exposure
US6993052B2 (en) System and method for delay compensation for a pulsed laser
JP2007027624A (ja) 2ステージ狭帯域化レーザ装置
US6763048B2 (en) Line narrowing of molecular fluorine laser emission
JP2002094160A (ja) F2レーザ
JP4334261B2 (ja) 露光用2ステージレーザ装置
US6671302B2 (en) Device for self-initiated UV pre-ionization of a repetitively pulsed gas laser
US7720120B2 (en) Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
US20100098124A1 (en) Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
JP2005167082A (ja) Mopo方式2ステージレーザ装置
US20100098122A1 (en) Method and Apparatus for Laser Control in a Two Chamber Gas Discharge Laser
US20020001330A1 (en) Excimer or molecular fluorine laser having lengthened electrodes
US6785316B1 (en) Excimer or molecular laser with optimized spectral purity
US6690703B1 (en) Molecular fluorine laser system

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050414

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070627

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071128

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080611

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080708

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080730

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080731

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4169187

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees