JPH03157917A - レーザ露光装置 - Google Patents

レーザ露光装置

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JPH03157917A
JPH03157917A JP1296947A JP29694789A JPH03157917A JP H03157917 A JPH03157917 A JP H03157917A JP 1296947 A JP1296947 A JP 1296947A JP 29694789 A JP29694789 A JP 29694789A JP H03157917 A JPH03157917 A JP H03157917A
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JP
Japan
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wavelength
laser
oxygen
absorption
band
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JP1296947A
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English (en)
Inventor
Shinichiro Kawamura
信一郎 河村
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、例えば半導体集積回路においてマスクのパタ
ーンを半導体ウェハ上に焼き付ける半導体製造用露光装
置、特にエキシマレーザを利用した露光装置に関するも
のである。
[従来の技術] 近年半導体集積回路の集積度はますます高くなり、これ
に伴い必要とされる回路の最小線幅はサブミクロン程度
となる。
このような超微細リソグラフィー用光源として遠紫外域
に発振線を持つ高輝度で高出力を特徴とするエキシマレ
ーザが注目されている。
エキシマレーザを光源とする遠紫外線(Deep U■
)領域の露光装置では、レーザ波長が短くなる程、色消
しレンズを製造することが難しくなるため、縮小投影レ
ンズには石英ガラスのみから成る単色レンズが用いられ
る場合が多い。
従って、この場合、レーザのスペクトルを狭帯化するこ
とが必要であり、例えば、クリプトンフロライド(Kr
F)エキシマレーザではスペクトル幅δλを約3 [p
m1以下にしなければならない。
し発明が解決しようとする問題点] より微細なパターンを形成するためにはできるだけ短波
長のエキシマレーザを使うことが有利であり、波長が2
48 [nm]のKrFエキシマレーザよりも、波長が
193 [nm]のArFエキシマレ−ザを光源として
使ったエキシマレーザ露光機が現在量も期待されている
従来のKrFエキシマレーザ露光機では、レーザビーム
が空気中を伝わる際、空気中の酸素にょるレーザエネル
ギーの吸収が無視できる程小さいため、光路を窒素ガス
などの高透過率媒体で満たす必要はなかった。
ところが、A、rFエキシマレーザを露光光源として使
おうとする場合は、酸素による吸収がKrFと比べると
著しく大きく光路内に空気があると■レーザエネルギー
の損失、 ■酸素の光分解による有害なオゾンガスの発生■レーザ
ビーム光路中の透過率の経時変化、揺らぎ等の問題点が
あった。
これを避けるには、レーザビーム光路を大気より遮断し
、その中を真空にするか窒素ガスなどで置換することが
考えられたが、装置が複雑化、大型化するという新たな
欠点を持っていた。
[課題を解決するための手段] かかる問題点を解決するため本発明においては、エキシ
マレーザ装置から発振されたエキシマレーザ光により、
マスク上の回路パターンをウェハ上に露光する露光装置
において、狭帯化したスペクトルを酸素の吸収帯を避け
た、酸素の分光吸収係数が小さい波長領域に設定するこ
とにより、簡略化、小型化した露光装置を得るようにし
たものである。
[作用コ この発明によって、酸素の吸収による弊害のない簡易化
、小型化された露光装置を得ることができる。
[実施例] 以下本発明の実施例を図面を参照にしながら説明する。
第1図はエキシマレーザを利用した露光装置の構成を示
す図である。
エキシマレーザ装置lから発振されたレーザ光2は、ビ
ームスプリッタ−3に入射し、ビームスプリッタ−3を
透過したレーザ光は、反射鏡4を介して照明系5に入射
する。
3− この照明系5から出射されたレーザ光2はレチクル6を
一様の照度分布で照射し、レチクル6上の回路パターン
は投影レンズ7を介してウェハステージ9上に載置され
たウェハ8上に縮小投影される。
又、ビームスプリッタ−3によって分離されたレーザ光
2の一部は波長安定化装置l°にょって波長が常に一定
値となる様フィードバック制御されている。
次に第2図を使って本発明に最適なエキシマレーザ装置
を説明する。
エキシマレーザ装置lにはレーザ共振部1oを有し、フ
ロントミラー11.  リヤミラー12.波長選択素子
(エタロン、プリズム、回折格子等)13が各々設けら
れている。
フロントミラー11とりアミラー12との間でレーザ光
が反射往復し、両ミラーの間に配置された波長選択素子
(エタロン、プリズム、回折格子等)13の作用により
狭帯化が行われる。
この狭帯化されたレーザ光はフロントミラー1一 1を介して出力されるように構成されている。
狭帯化するスペクトルは例えばエタロンを使った場合エ
タロン内部のエアギャップ等によって機械的に決まり、
このエアギャップを変えることによってエタロンの波長
選択特性を変えることができ、酸素が持つ吸収帯域を避
けるように波長を選択することが可能である。
ここで酸素が持つ吸収帯域について第3図を参照にして
詳述する。
第3図は、横軸を波長λ、左側の縦軸を常温酸素の分光
吸収係数η、及び右側の縦軸をレーザ発振スペクトル強
度■として表わしたものである。
(図中矢印にて参照軸の方向を示す) 実線で示した酸素の吸収を表すピーク値曲線■は酸素の
分光吸収係数を表し、スペクトル発振線■は狭帯化され
た発振スペクトルを表し、破線■は中心波長を193.
 40 (nm)に選んだレーザの狭帯化以前の発振広
帯域スペクトルを表す。
(但し、狭帯化スペクトルと狭帯化以前の広帯域スペク
トルの強度スケールは一致していないものとする) この波長帯域では縮小投影レンズには石英ガラスのみか
ら成る単色レンズが用いられることが多く、色収差を補
正出来ないため、レーザのスペクトルを狭帯化する必要
がある。
ここで、波長175 [nm]〜250 [nm]にお
ける酸素の吸収はSchumann−Runge帯(B
’Σ、4− X ”Σイ)の吸収遷移によるもので、振
動バンドV=4の基底状態X3Σ、と励起状態BsΣ。
とのエネルギー差は6.4 [eV]であり、193 
[nm]付近に振動バンドを持っていて、各々の回転準
位に関してブランチP(11)、 R(13)、 P(
13)、 R(15)、 P(15)。
R(17)、 P(17)、 R(19)、 P(19
)、 R(21)、 P(21)、 R(23)、 P
(23)、 R(25)で表される吸収特性を持ってい
る。
ここにおいて酸素が持つ吸収帯とは、上記各P。
Rブランチで表される吸収特性を含むピーク曲線におい
てボトムからの立ち上がりのカーブが急に太き(なる部
分の間、つまり実質的に酸素の吸収による弊害を生じる
ような領域を意味するものとする。(中心波長を例えば
193.8nmに選んだときはR(25)、 P(23
)間の谷間も実質的に吸収による弊害を避けた範囲と言
える。) 従って、中心波長を193.40 (nm)に選んだレ
ーザは上記特性を持っており、このレーザの狭帯化レー
ザ発振スペクトル幅δλを1 [pm]とし、狭帯化ス
ペクトルの中心がブランチP(17)とR(21)との
ほぼ中間になるように設定すると(第3図スペクトル発
振線■参照)、酸素が持つ吸収帯を避けることができ、
空気中酸素による吸収が殆どなく、従来のようにレーザ
ビーム光路を真空にしたり、窒素ガス等の酸素高透過率
媒体で置換する必要がなくなる。
また、自然界には酸素”Oの他に同位体17Qおよび同
位体180も存在するので、厳密にはv’−4における
遷移160→170と160→I80により各々約0.
1[nm]と0.2[口m1シフトした吸収ラインもあ
るが、天然酸素中のl 60 、 l 70 、 + 
80の存在比は約99.762:0.038:0.20
4であり、高々コンマ数%にすぎないので、一般の露光
条件を想定すると、これらを無視することが=7− 8− できる。
この他にも、第3図にスペクトル発振線■として示した
以外に、狭帯化レーザ発振スペクトルをブランチP(1
1)−R(15)間またはP(13)−R(17)間ま
たはP(15)−R(19)間またはP(19)−R(
23)間またはP(21)−R(25)間の各々の区間
において酸素吸収帯を避けた酸素分光吸収係数が比較的
小さな値である波長領域に設定してもよいことは言うま
でもない。
しかし、狭帯化しない場合のArFエキシマレーザの発
振広帯域スペクトルの中心波長λ。は約193、4 [
nm]、半値全幅δλは約0 、5 [nnr]である
から、発振効率を考慮すると狭帯化する時の中心波長を
ブランチP(15)−R(19)間またはP(IT)R
(21)間またはP(19)−R(23)間に設定する
のがより好ましい。
ここで、レーザの発振器内での酸素による吸収は、発振
器内の酸素に触れる光路長が極短い為、無視することが
できるが発振器内を真空にしたり、窒素ガスで置換すれ
ば僅かな吸収による影響を最小にすることができる。
又、laQが持つ吸収波長帯からも避け、且つ、?Q、
  I80が持つ吸収波長帯からもさけた波長領域に狭
帯化したスペクトルを設定すれば、さらに精密な露光が
実現される。
次に第4図を参照して波長安定化について説明する。
エキシマレーザ用の投影レンズはある特定の波長(この
場合は酸素吸収帯を避けた波長)のみに収差補正されて
いるために、波長がわずかにシフトすると、投影倍率変
動、焦点位置変動、像面内デイストージョン、像面湾曲
等が生しる。
そこでこの不都合を防止するために第4図に示す様な波
長安定化装置l゛を持っている。
波長安定化装置1′は波長モニタ一部14と制御部15
および波長選択素子(エタロン等)駆動部16より構成
される。
波長選択素子駆動部16は例えばエタロンを使った場合
エタロンの傾きを変えたり、エアギャップを変えたりす
ることによりエタロンの波長選択特性を変えることがで
きる。
波長モニター装置14を使い、検出されたレーザ光2の
スペクトルと予め制御部15に入力されている設定波長
とから求めた波長変動量に基づいて波長選択素子駆動部
16をフィードバック制御により制御する。
このフィードバック制御によりエキシマレーザ装置lか
ら発振されたレーザ光2の波長が設定波長と一致すると
ともに波長変動量を所定の値以内に抑えることができる
レーザ装置lから発振されたレーザ光2は、ビームスプ
リッタ3に入射し、ビームスプリッタ3を透過したエキ
シマレーザ光2は反射鏡4を介して照明光学系5に入射
する。
ここで狭帯化されたビームは強度分布が均一でなく照明
光学系5においてフライアイ等のオプチカルインテグレ
ータとコンデンサーレンズ等によって均一化が行われて
いる。
次に第5図を参照にして照明光学系5について説明する
反射ミラー4により反射されたビーム光2は、ビームエ
キスパンダー17a、17bを通ってフライアイ18に
入射し、射出側にはフライアイ18のエレメントレンズ
の数だけ2次光源群が形成され、コンデンサーレンズ1
9によってレチクル6上で重ね合わされ照度の均一化が
行われる。
このとき2次光源群の夫々からレチクル6に進んだ光は
同時にレチクル6上で互いに干渉し合うことになり有害
な干渉パターンを発生させる。
干渉パターンはフライアイ18のエレメントレンズの間
隔に対応した周期的な構造を持っておりフライアイ18
に入射する光束を反射ミラー4で少なくとも一次元に移
動させることにより、光の位相が変化すると干渉パター
ンは移動し照明中に位相を2π変化させると一定時間の
照明が終了した時点で干渉パターンは平滑化されてしま
うことになる。
ビームの振動はレーザビームの発振に同期させて行うこ
とが好ましく、反射ミラー4の移動はミラー鵬動部20
により行われ、その移動はレーザll− のパルスに基づいて制御部15により制御される。
以上により干渉パターンのない均一な照明によって露光
が行われる。
この照明光学系5から射出されたレー・ザ光2はレチク
ル6を照射し、レチクル6上の回路パターンを投影レン
ズ7を介してウェハステージ9上に載置されたウェハ8
上に縮小投影する。
以上実施例では投影露光装置について述べてきたが本発
明は反射投影式の露光機にも応用することができる。更
に、この種の露光装置でレチクルやウェハをアライメン
トする系で、露光光と同じレーザ光をアライメント光と
する場合でも同様に実施でき、特に吸収揺らぎの影響を
受けないといった利点がある。
又、上記実施例ではエキシマレーザについて述べてきた
がこれに限定されるものではなく、他のレーザ方式にお
いても酸素吸収帯を避けた波長領域に発振スペクトルを
持つようにすれば酸素吸収による弊害を避けることが可
能である。
更に、酸素吸収帯を避けた波長を光源としたア2− ライメント機構を持たない単なる焼付は機や加工機、計
測機に応用することも考えられる。
これら全て石英の投影レンズのような色収差の問題を考
えなくてもよい場合(例えばプロキシミティ露光機等)
において波長選択素子を用いるときには、吸収のない波
長帯内で比較的幅の広い狭帯化や極狭帯化したスペクト
ルを2本作るといったことにより強度を上げることも可
能である。
[効果] 本発明によれば、レーザのスペクトルを空気中酸素によ
る吸収が低いスペクトル領域に設定しであるので、光路
中の空気を真空に引いたり、窒素などのガスで置換しな
くても、レーザビームエネルギーの吸収による損失が殆
どな(、有害なオゾンガスの発生や、光路中の透過率経
時変化、揺らぎによる影響のない光源を得ることができ
、装置の大型化、複雑化を招くことのない、理想的な波
長が設定された光源を利用した露光装置を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図はエキシマレーザ装置の概要図 第2図はレーザ装置図 第3図は酸素の分光吸収特性、狭帯化発振スペクトル、
狭帯化以前のスペクトルを表す図第4図は波長安定′化
装置を表す図 第5図は照明光学系を表す図 である。 [主要部分の符号の説明コ ト・・レーザ光源 lo・・・波長安定化装置 2・・・レーザ光 3・・・ビームスプリッタ− 4・・・反射ミラー 5・・・照明光学系 6・・・レチクル 7・・・投影レンズ 8・・・ウェハ 9・・・ウェハステージ 10・・・レーザ共振部 11・・・フロントミラー 12・・・リヤミラー 13・・・波長選択素子 14・・・波長モニタ一部 15・・・制御部 16・・・波長選択素子駆動部 17a、17b・・・ビームエキスパンダー18・・・
フライアイ 19・・・コンデンサーレンズ 20・・・反射ミラー駆動部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザ装置から出力されたレーザ光によりマスク
    のパターンを基板上に露光する露光装置において、 狭帯化以前のスペクトルの中に酸素の吸収帯を持つレー
    ザ光を出力するレーザ光源と; 狭帯化したスペクトルを酸素が持つ吸収帯を避けた波長
    領域内に設定する波長設定手段と;を有することを特徴
    とするレーザ露光装置
JP1296947A 1989-11-15 1989-11-15 レーザ露光装置 Pending JPH03157917A (ja)

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