TW305047B - - Google Patents
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Description
、發明説明( 有關申請案之前後參照_ 本申請案係關於1994年8月1日申請之"無鎘無鉛厚膜導 電體組合物"第08/284,〇21號申請案(代理人檔案號碼El. 0373 ) 〇 本發明係關於厚膜糊狀组合物,特別是使用無鎮無錯玻 璃料作爲粘合劑及釕基化合物作爲導電相之組合物。本發 明組合物可用於製造厚膜電阻器及熱變電阻器。 發明之背署 厚膜材料爲金屬、玻璃及/或陶瓷粉末分散於有機載劑 中之混合物。這些材料塗於非導電性基底以形成導電、電 阻或絕緣膜。厚膜材料用於廣泛種類之電子及光電成份中 〇 各组合物之性質視構成組合物之特定成份而定。所有組 合物含有三種主要成份。導電相決定電性質,並影響最欲 薄膜之機械性質。在導電體組合物中,導電相—般爲貴金 屬或貴金屬之混合物。在電阻器組合物中,導電相—般爲 金屬氧化物。在介電組合物中,砝处, T功此相一般爲破璃或陶瓷 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ .裝. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 组合物之粘合劑一般爲玻璃、結晶氧化物或 。粘合劑使膜保持在一起’並使膜附著於基底 影響最終膜之機械性質。 ' 組合物之載劑爲聚合物於有機溶劑中之溶液 组合物之應用特性。 h者之組合 。枯合劑亦 。載劑決定 線----;--;
-4 - I 本紙依尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2l·) ----—__
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3G5〇47 -五、發明説明(2 ) 在’.’且σ物中’功能相及枯合劑一般爲粉末形式,並完全 分散於載劑中。 厚膜材料塗於基底。基底用作最終膜之載體,亦可具有 電功能,如電容器介電體。基底材料一般不導電。 最普通之基底材料爲陶瓷。高純度(一般9 6 °/〇 )氧化鋁爲 瑕廣泛使用者。對於特殊應用,使用各種鈦酸鹽陶瓷、雲 母、氧化鈹及其他基底。使用這些基底一般是因爲應用所 需之特殊電或機械性質。 在一些基底必需透明之應用(如展示)中,使用玻璃。 厚膜技術以方法定義,如同以材料或用途定義一樣多。 基本与·膜加工步裸爲絲網印刷(screen prin.ting)、乾燥及 加熱。厚膜組合物一般比絲網印刷塗於基底。浸、縛 (banding)、刷或噴常用於不規則形狀基底。厚膜(TF)電 阻器及熱變電阻器糊料已用於陶瓷電路板之製造。熱變電 阻器爲熱敏感電阻器,具有大溫度電阻係數。有二種。第 —種顯示溫度増加電阻正變化(PTC),第二種顯示溫度増 加電阻負變化(NTC)。NTC熱變電阻器一般由燒結之半導 體材料所组成,可用以製造在室溫具有電阻値1 〇至 1,000,000歐姆之零件。該熱變電阻器之操作範圍由75 κ 延長至1275 Κ。因此,彼等可廣泛用作溫度感測器 (sensors) ° 然而,熱變電阻器係廣泛用於如電子延時(time deUy) 用途,低頻振盪器中電容器感應器,脈衝(surge)抑制器 ,伏特或電流限制器,氣壓感測器,導熱偵測器,液體或 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 、·ιτ 表紙張尺度返用中國國家標準(CNS )· A7 A7 經濟部中央標準局員.T-消费合作社印製 r五、發明説明(3 ) ----- 氣體流感應器,及固體或液趙量指示器。各種组合物已述 於又獻中,在空氣(氧化)氣壓中加工處理。這些组合物大 多數係以釕化合物作爲導電相,及錯_鎮玻璃用作枯合劑 ,需要空氣(氧化)氣壓。 尸導電相,如1^6及捧雜之氧化錫,已揭示在惰性及還原 氣壓中加工處理。這些組合物含有無鉛及鎘之玻璃。然而 ,這些組合物不可於空氣中加工處理,因爲導電相會於空 氣中氧化。在空氣中氧化使得這些導電相成絕緣體(La」 及不適合(摻雜tSn〇2)用於電阻器,因爲電性發生本質 (intrinsic)變化。 先前技藝之電阻糊料傾向在低電阻具有高正電阻溫度係 數(TCR);通常在g 1〇 Ω /[:]/mii。爲降低這些電阻糊料 之TCR,通常於其中加入TCR激發物(dHvers)。然而,降 低TCR之TCR激發物如氧化鎂、Nb2〇5及Ti〇2亦可使電阻 增加。爲補償電阻之增加,通常加入較多導電相。tcr及 電阻最佳化之結果,先前技藝之低電阻糊料傾向具有高體 積份數之導電相及較少玻璃相。此方法影響低電阻糊料之 安定性’較中間範圍100 Ω/[=]_1〇〇1ίΩ/□電阻糊料不安 定0 TF熱變電阻器組合物,特別是NTC (負電阻溫度係數) 型’在低電阻具有較大TCR。此外,很難製造低電阻 糊料;J. Hormadaly之美國專利5,122,302揭〒NTC型厚膜 熱變電阻器糊料,其顯示當R減小時,TCR増加,且僅揭 示 1 k Ω /□ - 1 μ Ω /□範圍。 -6- ^紙張又度適用中國國家榡準5ns )'Α4规格—(21 v) X π 7公~— ------ —------「ί襄-------ΪΤ----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
發明説明(4 ,然:,提供極佳濕潤性之低熔點、中度膨脹性及耐久性 I無母j然鉛無鎘玻璃料系統使用於上述組合物中並未揭 π於先則技藝中。因此,爲減少或去除廣泛種類含玻璃料 (產物中鉛及鎘而努力,本發明係關於無鉛無鎘玻璃料, 2顯示可用於調配厚膜糊狀組合物。本發明組合物成爲目 前所用之電阻器及熱變電阻器組合物之無毒性無鎘/無鉛 厚膜替代物。 發明之摘要 本發明係關於一種適合在基底上形成電阻器或熱變電阻 器圖型之厚膜糊狀組合物,包含固體物重量%(a)5_95重 量%釕之導電材料;(b) 95-35重量%玻璃組合物,以莫耳 % ’ 5-70% Bi2〇3,18-35% Si02,0.1-40% CuO,5-25% ZnO,0.5-40% CoO > 〇. 5-40% Fe2 03 及 〇. 5 _4〇%
MnO ’其中玻璃組合物不含鉛及鎘;及均分散於有 機介質中。 ^ 先前技藝 就申請人所知,在本案申請時之最相關先前技藝爲:】 Hormadaly 之美國專利 4,707,346 及 4,6 1 3,53 9 及 p Donohue之美國專利4 966 926揭示導電相如LaB6,及基 於燒綠石(pyro chi ore)相之纽及/或姐摻雜之氧化踢導電材 料之組合物,例如Sn2 x Ta2 y_z Nby Snz 〇7 χ ζ/2 (其 中χ = 0- 0·55 ; y = 〇_2 ; ζ = 0- 0.5) °這些材料可用於廣泛種 類之電子及光電成份中以製備厚膜電阻器組合物。這些材 料含有無C d及p b之玻璃,係在惰性或還原氣壓中加工處 I ^ϋ· · n h n - n .—--’--1 n I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 305047 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(5 ) 理。彼等不可於空氣中加工處理,因爲導電相會氧化。在 空氣中氧化使這些導電相成爲絕緣體(LaB6 )及不適合(摻 雜之Sn〇2)電阻器使用,因爲電性質發生本質變化。 圖式之簡單説明 圖式包含9個圖,爲樣品之低TCR及間隙(gap)或電阻揀 質對[實例1 1玻璃/(實例1 1玻璃+實例2玻璃)]比例之圖形 關連。 圖1 -在實例1 1 -實例2-BiGdRu207,導電濃度常數30重 量%系統中,電阻爲玻璃比例[實例1 1 /(實例1 1 +實例2 )] 之函數。 圖2 -在實例;[i _實例2 - BiGdRu2 07,恒定導電濃度(3 〇 重量 %)系統中,HTCR,CTCR 及 GAP (HTCR-CTCR)爲 玻璃比例[實例1 1 /(實例1 1 +實例2 )]之函數。 •圖3 -在實例1 1 -實例2 - BiGdRu2 07,恒定導電濃度(2 〇 重量%)系統中,電阻爲玻璃比例[實例1 1 /(實例1 1 +實例 2)]之函數。 圖4 -在實例2 -實例1 1 - BiGdRu2 07,恒定導電濃度(2 〇 重量%)系統中,HTCR,CTCR及GAP爲玻璃比例[實例 1 1 / (實例1 1 +實例2 )]之函數。 圖5 -在實例2 -實例1 1 - Ru 02,恒定導電濃度(2〇重量%) 系統中,電阻爲玻璃比例[實例1 1 /(實例1 1 +實例2 )]之函 數。 圖6 -在實例2 -實例1〗,固定導電濃度(2 0重量% ) 系統中,HTCR,CTCR及GAP爲玻璃比例[實例1 1 (實例 -3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) V _—. „ --- ___ I ι—ρΟ11 II " j------1—裝---------,ιτ-----(-線 (请先閲该背希之注意事項存4寫本 —五 、發明説明(6 Μ Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 1 1 +實例2 )]之函數。 圖7 -在實例3 -實例1 1 - Bi2 Ru2 〇7,恒定導電濃度(3 0重 量% )系統中,電阻爲玻璃比例[實例1 1 /(實例1 1 +實例3 )] 之函數。 圖8 -在實例3 -實例1 1 - Bi2 Ru2 〇7,恒定導電濃度(3 0重 量%)系統中,HTCR,CTCR及GAP爲玻璃比例[實例 1 1 / (實例1 1 +實例3 )]之函數。 圖9-HTCR爲燃燒(Hrings)次數[實例1 1 / (實例3 +實例 1 1)]之函數。 發明之詳細説明 本發明之目的爲: •提供無鎘及鉛之電阻糊料; •提供一種降低低電阻組合物.之TCR之方法,不使用習知 之 TCR 激發物(drivers); •提供低電阻NTC熱變電阻器; •以降低電阻及不使用TCR激發器提升現有技術。 A _無機合劑 玻璃料爲結合燒結之活性相(如金屬、電阻器及介電體) 粉末所需’因此玻璃料在燃燒(firing)期間之軟化點及粘 度以及對於金屬粉末及基底之濕潤特性爲重要特徵。玻璃 料之粒子大小並無嚴格苛求,可用於本發明之玻璃料典型 具有平均粒子大小約〇 5至4 5微米,較佳約1至約3微米 -枯合劑之量典型爲導電體组合物(排除有機介質)之約1 至9 5重量%,較佳約5至8 5重量% ,更佳约】0至7 〇重量 -9- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 本紙張尺度適用t_ii^7cNS ) Α4» B7 Γ五、發明説明( %。固體表面以液體濕潤係以液體.固體界面間形成 觸角及在接觸點對液體表面之正切線之—般意義定義 觸角愈小,則濕潤愈佳,完全濕潤固體之一定表面積所+ 之玻璃愈小。較佳燃燒溫度爲在600。至ι〇〇〇τ之間。而 玻璃料爲組合物之重要成份,有助於厚膜導電體及基底 間之應力達最小。此最小化作用依其熱膨脹性彈性及相 對厚度之各別模數而定。 先前技藝用於電阻器及熱變電阻器組合物之玻璃係基於 鎘或鉛玻璃料。由該組合物去除鉛及鎘以符合目前毒性及 環境之要求,限制發現適合低軟化及流動性質而亦符合濕 潤性、熱膨脹及性能要件之玻璃之選擇。本發明係關於一 系列基於 Bi2〇3、Si02、CuO、ZnO、CoO、Fe2〇3& MnO成份之玻璃之非可預期之優越性能β 在組成上,上述玻璃可與第二種玻璃摻合。在本發明中 用作第二種玻璃之玻璃爲硼矽酸鹽玻璃,其含有莫耳%, 65-85%形成玻璃之氧化物及35-15%修飾玻璃之氧化物。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 主要之形成玻璃之氧化物爲Β2 03,使用濃度爲玻璃之 25-5 5%,及Si02,使用濃度爲玻璃之40-10%。玻璃應含 有至少2 5 % B2 03以使玻璃之粘度在然燒期間不會過高。 然而,若B 2 0 3含量大於約5 5 %,玻璃之耐久性可能降低 至不可接受之程度。 玻璃亦可含有條件(conditional)玻璃形成之氧化物達 3 0 %濃度。條件玻璃形成之氧化物包括Al2 03、Bi2 03、 Zr02及其混合物。雖然這些條件玻璃形成之氧化物不被 -10 本纸張尺度適用中㈡國家揉準(CNS ) A4規格(2!〇/<297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 3G5047 A7 ____ B7 7五、發明説明(8 ) 認爲本發明所有用途必要者,但是玻璃較佳含有至少約 1 0 %,更佳爲1 5 %,該次要之形成玻璃之氧化物。特別 是,:Bb 〇3可以降低玻璃之粘度’增加玻璃之燃燒範圍。 另一方面’ Al2〇3不僅可增加形成玻璃之範圍,而且可增 加耐久性。 本發明之選擇性第二種玻璃中所用之主要玻璃修飾物爲 驗土金屬氧化物,使用量可多達玻璃之35 %。鹼土金屬 氧化物可各自或混合使用。然而,較佳使用不大於1 〇 % MgO ’以免玻璃在厚膜加工處理條件下容易結晶。多達 8 0 °/。之主要驗土金屬氧化物玻璃修飾物可以次要或代用 之玻璃修飾物如ZnO、Cux0(Cu20或CuO)或Zr02取代。 然而’玻璃粘合劑應含有不大於1 5 %任一種代用破璃形 成物’以免玻璃之粘度在燃燒溫度變得太高。 本發明不限於上述説明。其可進一步擴大至單一無鎘無 鉛玻璃具有二或多種表j實例丨_丨〇之玻璃與該表實例1丨混 合所獲得之範圍,以獲得所揭示之组成範圍。此外,本發 明之祖成範圍亦可由混合二或多種適合玻璃,或由製造一 種玻璃’或由混合玻璃與適合結晶相而獲得。 B電功能材料 本發明係關於電阻器組合物,其中主要導電相以氧化釕 馬基本。在以氧化釕爲基本之電阻器技藝之目前狀況,已 知包括Ru02及下式之釕化合物: (McBi2-c)(^'dRU2.d)〇7_e 式中: 11 本紙依尺度適财關家縣(CNS 7Χ»規格(2丨0X29~^J_ --------^--^------,玎----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 r五、發明説明(9 ) Μ爲至少一種選自釔、銦及原子數57_71之稀土金屬; Μ·爲至少一種選自鉑、鈀、鉻、鍺及銻; c爲在0至2範圍内之數; d爲在0至約0.5範圍内之數,當Μι爲铑或多於一個之銘 及钽時,d爲在〇至丨範園内之數;及 e爲在0至1範圍内之數。 這些化θ物及其製備揭示於Bouchard之美國專利 3,583,931及德國專利申請案〇s 1,816,105,併入本文中 供參考。 上述含釕材料之粒子大小並不嚴格苛求,由其在本發明 中技術功效之觀點來看。然而,其大小當然應適合所使用 之方式(通$爲絲網印刷)及加熱條件。因此,金屬材料粒 子應不大於1 0微米,較佳應小於約5微米。在實際上,金 屬之可得粒予大小係低至〇 · 1微米。釕成份較佳具有平均 表面積至少5平方米/克,更佳爲至少8平方米/克。 較佳之奶化合物包括B i 2 RU2 〇 7及Ru〇 2。本發明中特佳 爲使用釘之氧化物如Ru〇2,及類似燒綠石之R u之多元 (polynary )氧化物如釕酸姑及釕酸錢此。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 穷酸鍺材料一般以組合物固體之大於1 5重量%濃度使用 。濃度3 0至6 〇 %,特別是3 〇至5 〇 %較佳。 釘酸姑較佳具有大表面積,因爲該材料在功能較有效。 表面積較佳爲至少05平方米/克。本發明中所用之 C〇2Ru〇4材料典型具有表面積約0.8平方米/克。 釕酸鈷之製造極簡單,由⑴形成c〇3〇4&Ru〇2之水分 -12- 本紙張尺度適财關cNS),+城 A7 B7 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 -/五、發明説明(10 ) 散液,(2)乾燥該分散液,及然後(3)乾燥之分散液在空氣 中於至少約8 5 0 C之溫度燃燒以形成釘酸始。 —般較佳爲使用約化學計算量之c〇3 〇4及Ru〇2。然而 ,稍過量之Ru〇2對於釕酸鈷材料之功效並不全然有堂。 應/主意’當反應於藤土管中進行時,可能形成少量 CoAl2 Ο*。然而,此可輕易由使用鉑或其他較惰性材料所 製造之反應管而避免。 就本發明之釕酸鹽成份而言,釕酸姑之粒子大小並不嚴 格苛求,但大小應適合組合物所使用之方式。 此外,Ru〇2之前驅物,即在加熱時會形成Ru〇2之釕化 合物’適合用於本發明中’如這些材料任一混合物一般。 適合之非燒綠石Ru〇2前驅物之實例爲釕金屬,樹脂酸釕 ,BaRu03 , Ba2Ru04 , CaRu03 , Co2Ru04 , LaRu03及
Li2Ru03。 组合物可含有5-75重量%之釕基成份,較佳含有ι〇_ 6 0%。 C ,有機介皙 無機粒子與實質惰性液體介質(載劑)以機械混合(例如 於輥式研磨機上)以形成具有適合絲網印刷粘性及流變性 之糊狀组合物。後者係以習知方式於習知之介電基底上印 成''厚膜π。 可使用任何惰性液體作爲載劑。·各種有機液體,含或不 含增稠劑及/或安定劑及/或其他普通添加劑,可用作載劑 。可用之有機液體之實例爲脂族醇,該醇之酯例如醋酸酯 -13- 本纸張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(21GX297公釐) ^1. - - I 1SI I In I^…H— I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· A7 B7 五、發明説明(11 ) 及丙酸酯,萜烯如松油、萜品醇(terpineol)等,街沪如低 醇之聚甲基丙烯酸酯之溶液’乙基纖維素於溶劑如令^中 之溶液’及乙二醇單醋酸酯之單丁基醚。較佳之載^係基 於乙基纖維素及Θ -萜品醇。載劑可含有揮發性液體i以 促進施於基底後迅速凝結(setting)。 分散液中載劑對固體之比例可有相當大變化,依分散液 施用之方式及所用載劑之種類而定。一般爲獲得良好覆蓋 ,分散液含有6 0 - 9 0 %固體及4 0 - 1 〇 %載劑。當然,本發 明組合物可以加入不會影響有利特性之其他材料而修飾。 該調配係在此技藝之技術内。 糊料方便於三輥磨機上製備。糊料之粘度典型在下列範 圍内’在Brookfield HBT粘度計上以低、中及高剪切速率 測量: 剪切速率(秒- 来占度(Pa-s) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本育) 装_ 订 0.2 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 384 100-5000 300-2000 較佳 600-1500 最佳 40-400 100-250 較佳 140-200 最佳 7-40 10-25較佳 12-18最佳 -14 本纸張尺度通用中國國家橾準(CNS ^如^格(210X297公蝥) Α7 Β7 V五、發明説明(l2 ) 所用載劑之量係以最終所欲之調配物粘度而決定 測試程序 電阻之冷及熱溫度係數(TCR)係如下計算:
熱 rcj? = £l25°C - Sggf0!- X (10,000 ppm/°C r25°C
冷 TCR = E-55°c - Ep»^°r χ (-12,500) ppm/°C r25°C ^25°c及熱及冷TCR之値平均,値正規化(normalized) 至2 5微米乾印刷厚度,電阻率(resistivity)係以在2 5微米 乾印刷厚度每平方之歐姆報告。多測試値之正規化係以下 列關係計算: —1 n^f i^ll m n^i n Γ榮 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 正规化電阳=土与測量之電阻χ平均乾印刷厚度(微米) 25微米 變異係數(CV)爲所測試電阻器之平均及各自電阻之函數 以Rav關係表示,其中 ‘線 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印袈 Q* Σ (Ri - Rav)2 -1
Ri =所測得之各樣品之電 阻 15- 太紙沲尺度適用中國國家標準( 一
S 公 / 9 J ’使之平衡,然後再測量及 ’使之平衡,測量及記錄冷 例如包括玻璃成份之氧化物 305047 -五、發明説明(π
Rav=:所計算之所有樣品之平均電阻(Σ iRi/n) n =樣品之數目 1
C V = ( σ /R) χ 100 〇/0 复里之測量及訃I 測試基底置㈣溫室中末端柱上,並電連於數位歐姆計 二至中溫度調節至25Χ:,使之平衡,’然後測量並記錄各 基底之電阻。 然後室内溫度提升至i 25°C 記錄基底之電阻。
然後室内溫度冷卻至_55°C 電阻。 玻璃製備 玻璃料之製備爲眾所周知, 形式溶化在一起及熔融組合物倒入水中以形成玻璃料。當 然,孩批成份可爲任何在玻璃料製造條件下會產生所欲氧 化物之化合物。例如,氧化硼可得自硼酸;二氧化矽可得 自燧石;氧化鋇可得自碳酸鋇;等。玻璃較佳於球磨機中 與水研磨,以減小玻璃料之粒子大小及獲得實質上均勻大 小之玻璃料。.玻璃係以習知玻璃製造技術製備,由混合所 欲比例之所欲成份及加熱混合物以形成熔解物。如此技蔽 中眾所周知者,加熱達最高溫度歷一段時間,以使炫解物 完全變爲液體及均勻。在本發明中,各成份預先混合,於 聚乙烯瓶中以塑膠球搖動,然後於銷掛瑪中在所欲溫廣炫 解。熔解物在尖峰溫度ll〇〇°C - l4〇〇°C加熱1 - 1 %小時。然 16 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4规格(210X2〇?公釐) „ ^ 裝 訂-----『·線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 —五、發明説明(μ) 後溶解物倒入冷水中。在淬火期間水之最大溫度由增加水 體積至熔解比例而保持盡可能低。粗玻璃料由水中分離後 於空氣中乾燥或用甲醇沖洗以置換水而去除殘餘水。伙後 粗玻璃料於礬土容器中使用礬土球而球磨3_15小時。礬土 所拾取之材料(若有)不在可測得之限度内,如以X光繞射 分析測量。在研磨之破璃料襞液由研磨機中卸出後,過量 溶劑以傾析移除,玻璃料粉末在室溫以空氣乾燥。然後已 乾燥之粉末經325網目篩篩選以移除較大粒子。 玻璃料之--^種主要性督ΐΑΡπΐίΛ ZvWAt ' ^爲在厚膜組合物製備之加熱-冷 卻循環(燃燒循環)期間,幫助無機結晶粒子材料之液相燒 結,及以反玻璃化作用形成非結晶(不定形)或結晶材料。 此反玻璃化方法可產味且古& 士- h m , 座玍八有組成相同於前驅物非結晶(玻 璃狀)材料組成之單-結晶相,或具有組成不同於前驅物 玻璃材料組成之多結晶相。 组合物製備 在本發明组合物之製備中,粒狀無機固體與有機載劑混 合’以適當裝置(如三報研磨機)分散以形成懸浮液,產生 枯度^剪切速率4秒-丄下在約1〇〇_15〇帕斯卡(㈣叫秒 範圍内之組合物。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 在下列實例中,調配係以下列方式進行:實例中所用之 有機物包括二乙二醇二丁基醚、格品醇、乙基纖維辛及大 豆印磷醋之混合物。糊料之成份,去除相當於約5重量% 之約·,%有機成份,於容器中一起稱重。然後各成份劇列 混合以形成均句捧合物;然後摻合物通過分散裝置(如三 -17- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 。五、發明説明(15 ) 擦研磨機)以使粒子達到良好分散。使用Hegman規(gauge) 以測定糊料中粒子之分散狀況。此裝置包括一溝槽於一鋼 塊中’在一端爲2 5微米深’在另—端傾斜達〇 "深度。使 用一刀片沿溝槽之長度拉下糊料。刮痕(scratches)出現於 溝槽中’若凝結物之直徑大於溝槽深度。滿意分散典型會 產生第四刮點10-18。溝槽之一半未覆蓋完全分散糊料之 點典型在3至8之間。第四刮測量 > 丨〇微米顯示爲不良分 散之懸浮液。 然後加入剩餘之5 %有機成份,在完全調配時,調節樹 脂含量以使枯度於剪切速率4秒下在140至200 Pa.s之 間。然後組合物塗於基底(如礬土陶瓷),一般以絲網印刷 法,達濕厚度爲約30-80微米,較佳35_7〇微米,最佳4〇_ 50微米。本發明組合物可使用自動印刷機或手動印刷機 ,以習知方式印刷於基底上,較佳使用自動篩板(screen stencU)技術,使用200_325網目篩。然後所印圖型在燃燒 前在低於200 C,約1 5(TC,乾燥約5-1 5分鐘。燒結無機粘 合劑及金屬之細分粒子之燃燒較佳於充分通氣之帶式運輸 機溶爐中進行’溫度圖形爲有機物質在約3〇〇。_6〇(rc繞 光,最大溫度约700。_ 1 οοοχ:之期間持續約5 _丨5分鐘,接 著爲經控制疋冷卻循環以防止過度燒結、中間溫度之不欲 化學反應或太迅速冷卻可能發生之基底破碎。整個燃燒程 序較佳延長約1小時’以2〇_25分鐘達燃燒溫度,在燃繞 溫度約1 〇分鐘,及冷卻約20·25分鐘。在一些情況,可使 用總循環時間短至3 〇分鐘。 __ -18- 本紙張 -----------^--裝-----1訂-----「線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 _____________ B7 -„ - — -.... ... - ·/五、發明説明(16 ) 實例 實例1 - 1 1 以上述方法製備玻璃,研磨,以X光繞射(XRD)及差示 熱分析(DTA)表現特徵。由DTA及膨脹計測量所獲得之玻 璃轉化溫度(Tg)係在300。_55<rc範圍内,較佳35〇_5〇〇χ: 。根據本發明之10種玻璃示於表I。實例η爲商業上可得 之產品’由 Ε_Ι· du Pont de Nemours and Co., Wilmington, DE所製造。 各组合物(莫耳%),連同商業上可得之無鎘及鉛之玻璃 (實例11),示於表i。所有實驗之破璃含有3〇〇莫耳% Si02,其他70莫耳%僅爲別2〇3 (表工中實例2)或爲過渡金 屬氧化物及Bi2〇3之組合。Bi2〇3_Si〇2系統爲過渡金屬氧 化物之極有效溶劑;在3 〇莫耳%之固定Si〇2濃度,這些 玻璃可溶解大量過渡金屬氧化物。 -------------^丨裝------訂------S線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -19- 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2ι〇χ297公釐) 3G5G47
A B7 \—/7 11 /-\ 明 説 明 發 五
ττ OH s,0 0Δ·9 00“ 00,S ςε·3 寸 οε-寸 --0.0^0.03 0·0》 0·03 0·0 寸 0·03
CTOS 0·0^ ! 0·5 丨丨0.03 ο·οτ ο·οε ο·οε ο·οε ο·οε ο·οε ο·οε ο·οε ο·οε 0.0ε ο·οε 0.0ε o*os 0.0ε 0·05 ο·οε O.SO.SO.GC o.o^crsi: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製
αοτ叻η0-Η ηο^τν η%θΓ^ cds οου Ορο OUZ 〇5ς OS 20- 本紙浓適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公犛) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(18) 實例1 2 -1 6 下列樣品例示新穎鉍酸鹽玻璃對於T F電阻器之可利用 性。進一步增進性質及電阻器範圍擴大可以加入填料及 TCR激發物而達成。 表Π组合物暑%) 實例號碼 12 1λ 11 15. 1&. (BiiGd) Ru2〇7 30.0 30.0 30.0 30.0 30.0 實例11玻璃 - 40.0 10.0 20.0 30.0 實例2玻璃 40.0 - 30.0 20.0 10.0 有機物加入達100%
RiO/O/mil) 265.3 1318.2 868.4 585.7 2441.1 CV(%) 4.34 9.00 5.12 8.17 7.14 HTCR (ppm/°c) -1128 287.7 -814.2 -403.5 -364.2 CTCR (ppm/°c) -2199 198.3 -1483.0 -747.3 -646.9 *實例1 4、1 5及1 6係由摻合適量實例1 2及1 3而製備。( 實例1 2及1 3係以輥式研磨製備)。 實例1 2-1 6之性質示於表Π及圖1及2。表Π顯示實例2破 璃(70 m/o Bi203 ; 30 m/o Si02)造成極負TCR及相當低 之電阻。與實例1 1摻合,則使電阻及HTCR増加及間隙 u 實例1 1 (HTCR-CTCR)減小。圖2顯示當^ΤΤΤ^Τ比例於 〇, 9-1 · 〇範圍内時,在此比例範圍之電阻(圖1 )爲1 · 5 k Ω / □ /mil,可獲得具低TCR及間隙之組合物。 -21 - ^紙張尺度適闲中阈妾家橾準(CNS ) A4規格(210:<297公釐) ----------^丨裂-----·一訂-----叫線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) r五、發明説明(I9 ) A7 B7 焱瓜组合物(重量%、 實例號碼 12 13. ϋ 2SL 2JL (Bl^Gd) R〇2〇*7 20.0 20,0 20.0 2〇*〇 20.0 實例11玻璃 - 50.0 12.5 25.0 37 · 5 12.5 實例2玻璃 50.0 37.5 25.0 有機物加入達100% R(krn/Q/mil 0*744 30.809 11.786 15.485 CV (%) 4.05 27.4 10.6 25-0 HTCR (ρρτι/β〇 -1025 414. θ -945.8 -55S·7 CTCR (ppm/eC) -1944 29S.2 '1728.0 -1017·° 太高 80 μΩ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 *實例1 9、2 0及2 1係由摻合適量實例i 7及1 8而製備。( 實例1 7及1 8係以輥式研磨製備)。 實例1 7 · 2 1 (Bi/d) Ru207爲20重量%之實例17-2 1之數據示於表 III及圖3及4中。 重要主題爲鉍酸鹽玻璃造成低TCR,添加實例1 1玻璃造 成TCR及R增加。同時,添加實例1 1玻璃造成間隙 (HTCR-CTCR)減小。低TCR、低間隙及較高電阻(圖3及4) 實例1 1 ; 可能在實例1 1 +實例2玻璃Λ例於0·9-1. 〇範圍内。 使用其他導電體如Ru02與相同鉍酸鹽破壤 性質示於表IV及圖5及6。 所獲得 之電 --Ί I ---1 I----I I I 4— -- 線—--- -22- 本紙悵尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 305047 A7 B7 7五、發明説明(20) 實例2 2 - 2 6 表IV组合物(重量%) 實例號碼 22. 23 24 25. 2£ Ru〇2 20.0 20.0 20.0 20.0 20.0 實例11玻璃 - 50.0 12.5 25.0 37.5 實例2玻璃 50.0 - 37.5 25.0 12.5 有機物加入達100% R (Ω/Ο/mil) > 32.46 41:84 25.71 31.679 . 35.10 CV(%) 6.47 7.52 4.38 3.04 3.78 HTCR (ppm/°C) -844.9 647.9 370.2 719.9 654.4 CTCR (ppm/°C) -1022.0 656.5 263.6 718.5 652.2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 *實例2 4 ' 2 5及2 6係由摻合適量實例2 2及2 3而製備。( 實例:2 2及2 3係以輥式研磨製備)。 表I V及圖5及6例示下列:Ru02 /鉍酸鹽玻璃(22)具低電 阻,同時極低TCR。這些是獨特性質,一般TCR随電阻減 小而增加。此獨特性質可用以擴大現有產物;由這些新穎 鉍酸鹽玻璃加入現有低電阻組合物中,可預期低TCR及現 有之TCR激發物(Nb2 05,MnOx)可去除,進而降低電阻 及可能增加安定性。此系統中低TCR及間隙之組合物係在 實例1 1 (圖6) f例列2ϋ.比例於L6-2·4範圍内。以實例 1 1玻璃濃度使HTCR增加,可在高R使用;一般TCR以R 降低,HTCR增加則可加入TCR激發物(在高R ),其會降 低TCR及改良在高R之處理及噪音(Ru02之電阻器之一般 -23- 本紙張尺度適用中iil家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 __B7 r五、發明説明(21 ) 問題)。 實例2 7 - 3 1 表V及圖7及8例示使用另一種導電體Bi2Ru207(釕酸鉍) 及含銅鉍酸鹽玻璃,實例3玻璃具有30 Bi203 4 0 CuOx 3 0 Si02。 表V组合物(重量 實例號碼 21 2SL 23. 11 Bi2RU2〇7 30.0 30.0 30.0 30.0 30.0 實例11玻璃 - 40.0 10.0 20.0 30.0 實例3玻璃 40.0 麵 30.0 20.0 10.0 有機物加入達100% > R (Ω/0/mil) 226.1 12165.0 1991.9 1080.1 1184 CV (%| 9.32 14.0 12.7 8.49 6. HTCR (ppm/°C) -239.9 -371.7 274 ·4 -97.7 -137 CTCR (ppm/°C) -520.9 -760.1 -498.7 -272.9 -350 *實例2 9、3 0及3 1係由摻合適量實例2 7及2 8而製備。( 實例2 7及2 8係以輥式研磨製備)。 實例2 7至3 1中所用之Bi2 Ru2 Ο?爲相當低表面積之釕酸 姐'。然而,其亦例示無C d及P b系統之性質。表v及圖7及 8例示鉍酸鹽玻璃(實例3)甚至具有高濃度〇^〇者仍造成低 T C R。此系統中之間隙太大,使得组合物無用。然而,一 些具有較高表面積之釕酸鉍之玻璃(實例3)可能有不同性 -24- 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -------------叫—裝-----—訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 r五、發明説明(22 ) 實例:3 2 - 3 4 下列三個實例(3 2 - 3 4 )係設計以測試Co2 Ru04 (熱變電 阻器材料)之原位形成。二種含Co之鉍酸鹽玻璃(實例5及 6 )與Ru02合併。目的係製造低電阻NTC熱變電阻器,爲 此技藝中之一項挑戰。一般當電阻減小時,NTC熱變電阻 器之TCR增加,故低電阻NTC熱變電阻器具有極負TCR極 爲有用。 用以測試Co2 Ru04之原位形成之組合物示於表V I。 _表VI组合物(重量%) 實例號碼 Μ 34 Ru〇2 實例5玻璃 實例6玻璃 實例2玻璃 有機物加入達100% 20.0 50.0 20.0 50.0 > 20. 50. 第一次燃燒 R (Ω/0/mil) 11.118 -12.984 32.46 CV (%) 10.6 7.40 6.47 HTCR (ppm/°C) -599.0 -392.3 -844.9 CTCR (ppm/°C) -1019.0 -678.1 -1022.0 第二次燃燒 R (Ω/D/mil) 25.569 26.924 42.417 CV (%) 11.8 9.26 7.81 HTCR (ppm/°C) -832.3 -530.4 - -607.6 CTCR (ppm/°C) -1333.0 —877 · 0 --L137.0 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(Ci\s ) Α·4規格(210X297公釐) . 裝 訂 『 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 r五、發明説明(23) 第三次燃燒 R (Ω/σ/mil) 40.508 49.757 54.617 CV (%) ΙΟ. 2 H.5 ll.6 HTCR (ppm/°C) -962.4 -706.5 -650.0 CTCR (ppm/°C) -1463.0 -1091.0 -1265.0 第四次燃燒 R (Ω/α/mil) 51.757 90.803 63.352 CV (%) 8.71 16.0 12.5 HTCR (ppm/°C) -1008.0 -918.3 -670.0 CTCR (ppm/°C) -1474.0 -1299.0 -1322 表VI數據顯示含Co玻璃/1111〇2組合物造成低電阻及極 負TCR。TCR以再燃燒降低,電阻則增加。 此外,實例3 2及3 3顯示TCR之異常現象爲燃燒次數之 函數。這些實例與實例3 4 (含有相同濃度之Ru02,但含簡 單矽酸鉍玻璃70 Bi2 03,3 0 Si02)比較,實例3 2、3 3及 3 4之比較電性質對燃燒次數之函數示於表V I,對應之 HTCR示於圖9。二種含姑玻璃(實例32及33)具有低電阻 及負TCR,對於本發明玻璃爲獨特者。在第一次燃燒後, 實例3 4之HTCR小於實例3 2及3 3之HTCR。當燃燒次數增 加時,實例3 2及3 3顯示HTCR單調(monotonic)降低,而 實例3 4顯示在第二次燃燒後HTCR增加,第三及第四燃燒 時HTCR極小變化= 無任何理論或解釋之限制,咸信含鈷玻璃之獨特性能可 有效地用於低電阻NTC熱變電阻器。可推測Co2 Ru04在實 例3 2及3 3中係在原位形成。 -26- 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4» ( 210X297公釐) —«I HJ— nn flu 1^1^1 mj m n In n^i n^i 11 fn· m I— ^m— J— 1 i y 韵 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 .-五、發明説明(24) 實例3 5 - 4 7 一系列1 2種厚膜組合物係由實例4、5及9之玻璃混合物 與(Bii Gd)Ru207及Co2Ru04混合及有機物加入達95重量 %而製備。數據示於表VII。表VII例示下列系統之各種組 合之R及TCR :
Ru02 -Co2 Ru04 -祕酸鹽玻璃 實例3 5作爲參考,爲簡單系統Ru〇2 -實例5玻璃(鈷玻璃) 〇 這些實例證明低電阻具小負TCR。實例36、37及46顯 示簡單系統Co2Ru04-玻璃5之R及TCR。 這些實例亦證明極負TCR。實例3 6、4 4及4 5例示在 Co2 Ru04 - B i -玻璃系統,固定濃度Co2 Ru04,玻璃组合 物之功效。 鋅玻璃(實例44)之TCR大於含Co及Fe玻璃之組合物(實 例3 6及4 5 )之TCR。實例3 6、4 4及4 5顯示在降低TCR中 ,Co及Fe玻璃優於鋅玻璃。實例46及47例示極負TCR在 νΩ範圍,這些負TCR對於本發明之Co2Ru〇4-鉍酸鈷及鐵 玻璃爲獨特者。實例3 8至4 3關於Ru02 - C 〇 2 Ru04 -玻璃5 之系統。電阻可由使用Ru02對C o 2 Ru04之不同比例而改 變,而TCR仍然低,適合低電阻NTC熱變電阻器。 -27- 本紙張^度適用中國國家標準(C、NS ) AKt格(210X297公嫠) ---------^—裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 A7 B7 r五、發明説明(25) 05·6τ-o-m- Ί ο·οε 0,s 0·0Μ. 0,0s ο·ον 0·0" 5-8卜- H8- s〆 o'sas 8^^^-35- Γ^-^Γ 6Μ·6εε 0·5 ο·οε
0·5 ο·1" 0*s TF 0*s ο,οτ ο·οτrr
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SI-U 5- «·" 經濟部中央標準局員工消費合作社印$,- 0-0^ -%οοι?ίν4#餐柃 - ,- , 镩焚寸ί每舡 0.0ε 0.S 赞部-4^ 0·Ζ5 55“ετ s*d fs 9T.9S S9-3 prsΜτ·ττ
SJ 3VV s,9 ΟΝ ε·5 S63- 8SS- Z.SS- 26τ- S61C、 93ε- 08τ7 2S* sz.ti- 06ττ* υττ- εετ- Β5τ* ιαοε- PCS- ζρτ- ΒΰΤ sot· {uo/edc} ΰΗυ {°ο/Εααϊ udln •οτ u> ·Λ_:> i/D/s --.-------^ —裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -δ Τ龈 28- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)
Claims (1)
- 3G5C47 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 * - 1. 一種適合在基底上形成電阻器或熱變電阻器圖型之厚膜 糊狀組合物,包含固體物重量%(a)5-65重量%釕之導電 材料;(b) 95-35重量°/〇玻璃組合物,以莫耳%,5_70〇/〇 Bi203,18-35% Si02,0.1-40% CuO,5-25% ZnO, 0.5-40% CoO,0.5-40% Fe203 及 0.5-40% MnO,其中玻 璃組合物不含錯及鎮;(a)及(b)均分散於有機介質中。 2. 根據申請專利範圍第1項之組合物,其中釕之導電材料選 自 Ru02、對應於式(McBi2_c)(M,dRu2.d)〇7_e之化合物 及其混合物 式中: Μ爲至少一種選自釔、銦及原子數57-71之稀土金屬; Μ'爲至少一種選自銘、輕、路、铑及銻; c爲在0至2範圍内之數; d爲在0至約0.5範圍内之數,但當Μ·爲铑或多於一個之 鉑及钽時,d爲在0至1範圍内之數;及 e爲在0至1範圍内之數。 3_根據申請專利範圍第1項之厚膜糊狀組合物,其另含第二 種玻璃組合物,包含莫耳%(1) 65-85%形成玻璃之氧化物 ,含有 2 5-55% B203,40-10% Si02,及30-0%其他形成 玻璃之氧化物選自Al2〇3、Bi203、Zr02及其混合物, 及(2)35-15%修飾玻璃之氧化物,實質上含有3_35%鹼土 金屬氧化物,其中不大於約1 0 %爲MgO,及0·28%替代氣 化物選自CuO、Cu20、ZnO及其混合物,其中無一者超 過1 0 °/。,全部不超過修飾玻璃之氧化物之8 0 %,其中第 -29 - 張尺度適用F國國家柘準(CNS ) A4& ( 210XP7公嫠) ~、. (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁j 裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製A8 B8 C8 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 二種玻璃組合物不含鉛及鎘。 4·根據申請專利範圍第1項之厚膜糊狀组合物,其中玻璃组 合物包含莫耳 % 0.5-2% MgO,0-20% BaO,0-6% Al2〇3,0-45%B2O3,0-5%ZrO2,18-35%SiO2,5-7〇% Bi203,0-25% ZnO,0,2-40% CuO,0.1-40% CoO ’ 0.5-40% Fe2〇3,及 0.5-40% MnO,其中玻璃組合物 不含鉛及鎘。 5.根據申請專利範圍第1項之厚膜糊狀組合物,其中導電材 料爲 Bi2 Ru2 07。 6·根據申請專利範圍第1項之厚膜糊狀組合物,其中導電材 料爲 BiGdRu207。 7·根據申請專利範圍第1項之厚膜糊狀組合物,其中導電材料爲 Bi! 5 Cu〇 5 Ru2 〇6 1。 8·根據申請專利範園第1項之厚膜糊狀組合物,其中導電材 料爲Ru02。 9.根據申請專利範圍第1項之厚膜糊狀組合物,其中導電材 料爲 C 〇 2 Ru04。 10-—種電阻器,包含一薄層根據申請專利範圍第1項之組合 物於陶瓷基底上,已經燃燒以揮發有機介質及進行破璃 之液相燒結。 U·—種形成電阻器之方法,包括(a)形成根據申請專利範圍 第1項之分散液之圖型薄層’(b)乾燥該層,及(c)燃燒該 乾燥層,以使有機介質揮發及進行玻璃之液相燒結。 __ -30- ^逋用中^國^?乂叫八4胁(21〇>^7公« ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂
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