JP4904888B2 - 導電性ペースト及びMn系半導体サーミスタ - Google Patents
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Description
Ai=Z i ・Z 02− /(R i +R 02− ) 2 =Z i ・2/(R i +1.40) 2
Z i :陽イオンの価数、酸素イオンは2
R i :陽イオンのイオン半径(Å)、酸素イオンは1.40Å)、ガラスフリットの塩基度はΣCiXi(但しCiは陽イオン分率を表すものとする)であり、ガラスフリットの前記塩基度が0.39以上であり、前記ガラスフリット全体に占めるビスマス含有比率が25.2〜59.5原子%であり、Pb成分を含有しないことを特徴とする。
Zi:陽イオンの価数、酸素イオンは2
Ri:陽イオンのイオン半径(Å)、酸素イオンは1.40Å
このAiの逆数Xi(1/Ai)を単成分酸化物MiOの酸素供与能力とする。
このXiをXCaO=1、XSiO2=0と規格化した値は、各単成分酸化物のB指標(CaO当量塩基度)と定義され、相対的な塩基度の強さを表わす。
Ci:陽イオン分率
なお、表1に単成分酸化物の塩基度(B指標)を示す。
出発原料として、下記表2に示す組成に従って、SiO2、B(OH)3、Al2O3などの酸化物を秤量し、混合し、Pt製のるつぼに入れ、900〜1100℃の温度に保持し、完全に溶融させた。溶融物を取り出し、急冷し、ガラスカレットを得た。得られたガラスカレットをボールミルで湿式粉砕し、下記の表3に示す試料No.1〜10のガラス組成のガラス粉末を得た。
25℃の恒温槽中で、各負特性サーミスタの一対のリード線間の抵抗値を測定した。また、目視により、半田付けに際しての半田濡れ性を確認した。結果を下記の表3に併せて示す。なお、試料No.11については、Pb入り導電性ペーストであるため、評価試験は行っていない。
2…外部電極
3…外部電極
4…負特性サーミスタ
Claims (3)
- 内部電極を有しない単板型のセラミック素体と、前記セラミック素体の表面に形成される外部電極とを備えるMn系半導体サーミスタの前記外部電極を形成するのに用いられる導電性ペーストであって、
導電性成分と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有しており、複数の単成分酸化物を含むガラスフリットにおいて、各単成分酸化物MiOの酸素許容能力Xiを、Xi=1/Aiとしたときに(但し、Ai=Z i ・Z 02− /(R i +R 02− ) 2 =Z i ・2/(R i +1.40) 2
Z i :陽イオンの価数、酸素イオンは2
R i :陽イオンのイオン半径(Å)、酸素イオンは1.40Å)、ガラスフリットの塩基度はΣCiXi(但しCiは陽イオン分率を表すものとする)であり、
ガラスフリットの前記塩基度が0.39以上であり、前記ガラスフリット全体に占めるビスマス含有比率が25.2〜59.5原子%であり、Pb成分を含有しないことを特徴とする、導電性ペースト。 - 前記ガラスフリットの塩基度が0.41以上である、請求項1に記載の導電性ペースト。
- 内部電極を有しない単板型のセラミック素体と、
前記セラミック素体の表面に形成された複数の外部電極とを備え、複数の単成分酸化物を含むガラスフリットにおいて、各単成分酸化物MiOの酸素許容能力Xiを、Xi=1/Aiとしたときに(但し、Ai=Z i ・Z 02− /(R i +R 02− ) 2 =Z i ・2/(R i +1.40) 2
Z i :陽イオンの価数、酸素イオンは2
R i :陽イオンのイオン半径(Å)、酸素イオンは1.40Å)、ガラスフリットの塩基度はΣCiXi(但しCiは陽イオン分率を表すものとする)であり、
前記外部電極が、導電性成分と、前記塩基度が0.39以上であるガラスフリットと、有機ビヒクルとを含み導電性ペーストの焼付けにより形成された導電膜により構成されている、Mn系半導体サーミスタ。
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