TW297900B - - Google Patents

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2972^ ΑΊ Β7 五、發明説明(,) 畺 背 明 發
9 一 成 圖用形 考採而 參分元 部單 億型 記乏 之空 體成 晶形 Β ί 效佈 場子 個離 η 用 接統 連条 隘l,J 串規 ,式 構程 結種 錄 記 來 體 晶 電 型 強 增 以 而 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 出 輸 器 碼 解 。列 的以 論壓 討電 而極 法閘 方元 πο種單 錄這億 記對記 來針之 體是選 晶業所 電作 取 謓 到 路 ! 準 億 liif位 己 擇il高 之 { 選 ΗM準 结未έ 元豸彳 字 — 為 作 出一 輸¾設 一)o出 中準輸 其位之 面 方 為 定 為 定 設 而 器晶 ({5碼電 準解元 位列單 J 以億 rL壓記 電選 極所 閛當 元 〇 單丨 經濟部中央標準扃員工消費合作社印製 農 晶 電 型 ·*°τ 強 增 為 為 壓 電 極 閘 於 由 準 位 垂 過 流 會 流 。 電列 何序 任元 有單 沒型 此ND 因ΝΑ 。之 態成 狀形 的所 掉元 關單 在億 是記 Εη個 體 η 晶接 Ε ΝΡ IpHT HIT 以直 億 晶 記電 的 , 擇值 選壓 要電 所極 當閘 ,論 面不 方於 一 由 另 , 時 0 ΑΗ 晶 電 型 乏 空 為 元 單 態 狀 通 導 在 是 總 • X D 體 單 型 D Ν A N 的 聯 串 由 經 流 電 股 流 電 測 檢 由 經 以 可 就 料 資 的 一 入 有寫 將是 此於 因 0 線出 元謓 字而 過無 通有 元的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) A7 __B7 五、發明説明(> ) 可是,依照因應大容量需求而將記億單元小型化的這 個發展,閘極氧化層變得越來越薄。因此未選字元線在 待命狀態和正常讀出狀態必須維持在「Η」位準,造成 閘極氣化層的崩潰,使記億單元中的資料無法謓出或是 使待命狀態的漏電流增加。 另一方面,日本未審專利公開案(Kokai)平成第1-112589 號發表了 一種方法:為了提供避免雙重選擇的邊限,其 中字元線經由和位址信號輸入同步的外部時脈而強迫置 於一未選狀態。然而在這個方法中,由於所選擇的字元 線信號被外部時脈強迫切換到未選狀態,所以假如這個 方法應用到唯讀半導體記億元件的讀取上,在字元線上 寄生的記億單元之負載電容瞬間快速充電,在電源産生 雜訊下可能導致蓮作失常。 S —方面,由於所選的字元線信號由電源電壓位準上 升,在高電壓下選擇速度變慢,所以在較高電壓下,不 可能精確地提供作業的邊限。此外,對於需求為高容量 、多位元輸出需要增加新的位址輸入端和多接腳封裝之 唯讀半導體記億元件中,其缺點是需要更高的成本及更 1^1 —^n - --·HI -I tui ί—··/*£// Hi ! ί-... n I rlsl. ^ . ·. ( < 'V'口 ^ (請先閱讀背*之注意事.項真¾¾本頁) 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 的明 大發 1 - ryt 有< 具 •’ 件列 元陣 億體 記億 體記 導的 半成 一 形 ,所 C ϋ 式歹 型排 種元 一 單 。 之億 積明記 面發値 裝1 *乡 安 Im-B 根個 億 記 的 定 指 所 號 信 址 位 列 行 由 經 測 !£} 來(3 用 ·’ ,料 器資 大的 放中 測元 0 單 質 出 輸 的 端 出 輸 至 料 資 億 記 送 傳 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明(4 ) 路;(4 ) 一位址轉移檢測電路,用來檢測行列位址信號 礬化以産生脈衝信號,其中該半導體記億元件包含: Π) —延遲控制電路,使位址轉移檢測電路的輸出脈 衝信號的後緣産生一段延遲,並輸出一有較大脈衝寬度 的控制信號; (2) —列解碼器,回應於址信號,選擇記億體陣列 中的字元線,且只在控制信號的脈衝寬度期間内才啓動 所選擇的字元線。 (3) —値鎖存電路,在使列解碼器的輸出成為非主動 狀態之前,經由控制信號的控制輸入並保持感測放大器 的輸出,並將相同的資料傳送至輸出電路。 在此優選結構中,記億單元陣列分成許多區塊,而列 解碼器中包含了 一値區塊選擇前置解碼電路,用來解出 列位址信號中一位址信號群的一部分,而産生一區塊選 擇前置解碼信號以選擇其中一區塊,一字元選擇前置解 碼電路解出列位址信號中該位址信號群的其餘部分,而 産生一字元選擇前置解碼信號以選擇記億單元中之字元 ,對應於各區塊設置許多解碼區塊電路,根據區塊選擇 前詈解碼信號、控制信號以及字元選擇前置解碼信號選 擇記億體陣列其中一字元線,而且只在控制信號的脈衝 寬度期間内t辟動所選擇的字元線。最好是,每個解碼 區塊電路含有AND裝置輸入一區塊選擇前置解碼信號和 控制信號的邏輯組合信號,以産生一字元選擇控制信號 及其反相信號,及多値解碼裝置,根據字元選擇前置解 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210'X 297公釐〉 一 裝 “ 訂^ 一 J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央坎.準局員工消費合作社印裝 五、發明説明 ( 4 ) 1 1 碼 信 PJa m 選 擇 記 億 體 陣 列 其 中 一 字 元 線 1 而 且 只 在 控 制 信 1 1 號 的 脈 衝 寬 度 内 才 激 發 所 選 擇 的 字 元 線 Ο 在 另 一 優 選 結 1 1 構 中 AND裝置包含- -個連接在字元選擇控制信號輸出 請 1 I 線 及 第 參 考 電 位 點 之 間 的 第 —. 傳 導 型 的 電 晶 體 » 並 輸 先 閱 1 I 讀 1 | 入 控 制 信 pffc m 於 其 閘 極 9 及 一 第 二 傳 導 型 之 第 一 電 晶 體 和 背 Λ 1 | 之 1 多 値 第 二 傳 導 型 電 晶 體 串 聯 設 置 在 字 元 選 擇 控 制 信 號 輸 1 1 出 線 及 第 二 參 考 電 位 之 間 » 控 制 信 號 供 至 第 —. 電 晶 體 的 事 項 1 I 再 閛 極 * 區 塊 選 擇 前 置 WJ 碼 信 號 則 供 至 多 個 電 晶 體 各 閘 極。 填 寫 本 裝 半 導 體 記 億 元 件 可 另 含 反 相 器 » 用 以 將 字 元 選 擇 控 頁 1 I 制 信 號 反 相 〇 1 在 另 一 種 結 構 中 I 解 碼 器 包 含 (1 )- -個連接在字元選 1 I 擇 前 置 解 碼 信 號 輸 出 線 及 記 億 體 陣 列 中 字 元 線 之 間 的 第 1 導 信 號 訂 _* 傳 型 電 晶 體 , 而 由 其 閘 極 輸 入 字 元 選 擇 控 制 9 (2)- -第二傳導型電晶體設置在字元選擇前置解碼信號 1 I 輸 出 線 及 記 億 體 陣 列 中 字 元 線 之 間 * 而 由 其 閘 極 輸 入 輸 1 1 I 入 反 相 信 號 還 有 (3)- -第二傳導型電晶體設置在字元 1 -1 線 及 第 二 參 考 電 位 點 之 間 1 而 由 閘 極 輸 入 字 元 選 擇 控 制 小 I 信 號 〇 1 1 最 好 是 AH D裝置包含( 1 ) 一 値 連 接 在 字 元 選 擇 控 制 倍 號 1 1 輸 出 線 及 第 一 參 考 電 位 點 之 間 的 第 __- 傳 導 型 電 晶 體 9 而 1 I 由 其 閛 極 輸 入 控 制 信 號 f (2 )- -個連接在字元選擇控制 1 1 信 號 輸 出 線 及 第 一 參 考 電 位 點 之 間 的 第 一 傳 導 型 電 晶 體 1 I » 而 由 其 閘 極 輸 入 區 塊 選 擇 控 制 信 號 » (3 )- -第二傳導 I I m 之 第 一 電 晶 體 和 多 個 第 二 傳 導 型 電 晶 體 串 聯 在 一 起 9 1 1 6 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 五、發明説明(^ A7B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 前 傳 ,解 列制前路字多 信信,置號PB在 號而二出輸 間置 而控擇電値置1JS碼制是前信 g 只。信,第輸刖 之前 -出選碼一設is解控好擇制 且線制體個號號 位擇 塊解塊解生 置在最選控 而元控晶多信信 電選 區來區置産元_前只。塊擇 ,字擇電}制碼 考塊 値用一前而字 擇且線區選 線的選型(2控解 參區 多,生擇進之}選而元一元 元擇元導,擇置 二,。成路産選,中(1元,字入字—字選字傳號選前 置 第極極分電而元分元據字線的輸一 的所在一信元擇 及閘閛列碼進字部單根3)元擇置生5S需動聯第碼字選 線的各陣解,一他億 ,&(字選裝産 所啓並的解在塊 出體之元置分塊’其記塊丨的所ND以目中才痼間置接區 Λ^»n^ .~ΓΙ1 輸晶體單前部區的擇區 需動},多列内多之甜連 , 號電晶億擇一的群選各號所啓(1號}陣間m點擇,間 信艏電記選的需號以於g中才含信(2體期^(位選起之 制一個將塊群所倍號應|{列内包合及億度包電塊一點 控第多,區號擇址信對 U 陣間路組以記寬置考區在位 擇至至是一信選位碼路)}*體期電輯,擇衝裝參入聯電 選入入擇含址以中解電(2億度塊邏號選脈 D 一 輸串考 元輸輸選包位號址置塊-記寬區的信號的AH第極體參 。 字號刖種中及信位前區號擇衝碼號相信號是及閘晶二極 在信號 一 器以碼列擇碼倍選脈解信反碼信好線各電第閘 接制信又碼號解出選解碼,的値碼其解制最出其型及各 連控碼 解信冒解元値解號號每解及置梓 輸由導線入 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) ^ —^衣 ^ 訂J | 冰(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Β7 明説明發 、五 更 將 圖 附 的 例 實 選 優 明 發 本 及 以 說 解 細 詳 的 述下 簡以 圖由 附
制 限 的 明 發 本 為 視 能 不 並 些 C 這用 過之 不解 。瞭 明和 發明 本說 解成 瞭當 全能 完 R 億 記 體 導 半 明 發 本 : 是 中 1 圖圖 附 圖 塊 方 之 例 實 例 0 一 例 之一 圖之 序圖 時路 業電 作構 件結 元分 億部 記器 體碼 導解 半列 中中 11 11 圖圖 是是 2 3 圖圖 圖的 線壓 曲電 性源 恃電 關與 相期 c 的週 例源取 一 電存 之與號 圖形信 序波線 時出元 業輸字 作中中 例例子 實實例 3 3 3 圖圖圖 是 是 是 4 5 6 圖圖圖 例1 另 的 圖 路 Β 器 碼 解 C 列 圖中 線 1 曲圖 性 是 特 7 關圖 相 列 元 單 。億 例記 一 中 之件 的元 圖億 路記 電體 器導 碼半 解讀 列唯 中統 1 傳 圖値 為一 亦是 8 9 圖圖 例1 之 圖 路 IpST 器 碼 解 列 中 件 元 億 。記 圖體 路導 電半 效示 等顯 J ο 的 1 位圖 部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
*1T 丄 經濟部中央.f準局員工消費合作杜-製 本 圖 _ _ 圖的選 為 線 曝優 例曲 一 性 之特 圖關 序相 時的 業源 作電 件與 元形 億波 C 記出 構體輸 結導件 本半元 基讀憶 的唯記 引中中 指1010 所围圖 明是是 發1112 源 Ε 與 間 期 取 存 號 信 線 元 字 件 元 。 億圖 記線 中曲 10性明 圖特說 是關伊 13相實 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 397900五、發明説明(7 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 〇 元 〇 例將説明 前件 億切 案 圖有電目置 號施節來發 之元 記被丨i導S請 路路碼數前信 以 區成成 I 實細人本 例億 體,虎&半?申 電電解塊擇 址 佳多的掉 實記 導元gs«i讀)'利 。)'器器置區選産位 較許術糊 佳體 半單 Μ }唯ai專cai碼碼前元塊 値 論,技模 較導 的型 丨的 ο審 ο解解擇單區 兩 討中前免 的半 器ADCIi,子U待㈣U列列選億。A6 細明先避。件之fillNh準樣案本 W案個的元記4m@和 詳說悉了述元及 解位這請日^請整中斤據IJ4gA5 式的熟為¾億提 列wiij高。申的中件2)根1?H將 方下些,不記所 用Λ&選到準利及將利件元,(444位(2 的以那面並體中 使 拉位專提 4 專元億 1 路fli 圖在於方構導明 有7C1X被低審所49審億記1^43’電 2’ - 附,對一結半發 在ρπΜ將到待上20待記體電^4塊4XS9 合明,另的中本 重fiD万元拉本以-3本體導碼電區ΪΠΑ號 - 配發然在知明紹 著己)p單被曰 。7曰導半 器Α3Ϊ信 以本顯。周發介 是SSC2億將在及el述半讀 碼#A碼 將解。的所本單 上 i ,記號經提is前謓唯ϋ lu解))!解.¾ G ίΗ 一711 1 下瞭楚要眾論簡。本)!分的信已有Η在唯,擇字的1(置 以易清必於討先構基(1部擇擇件中 ο 示中103)起41前 明容明不對缅將架明中多選選元94)Ν顯94圖塊(3一路擇 發更說是以繼下本發其許要元億204»110204考區2,在電選 本了行這所在以基本,成所字記32“圖32參}42列碼塊為先,, ,的 件割及的體7-u7-(1路排解區 (請先閱讀背雨之注意事項具杧寫本百;) 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210Χ 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(斤) 解出,産生另一個區塊選擇前置解碼信號XS1。字元組 選擇前置解碼電路42。將A1和A2兩値位址信號解出,産 生X P 1到X Ρ η / 2的字元選擇前置解碼信號。位址信號A 0則 輸入到字元選擇電路43,用來産生字元選擇信號WS1。 在解碼區塊電路441中,有一個由雙輸入端的NAND電 路和一値反相器所組成選擇部分44S,用來輸出區塊選 擇信號S1。一個以區塊選擇信號S1及字元選擇信號 WS1或其反相信號為輸入的NAND電路以及一値反相器所 組成的字元選擇部分44W。字元選擇部分44W是用來産生 第一字元選擇控制信號WSC1及其反相信號WS1B與第二 字元選擇信號WSC2及其反相信號WS2B。解碼部分44D 由受控於字元選擇部分44W的N型電晶體Nil, N12, N21 及N22所組成。多個解碼部分44D根據記億單元中所需的 字元位址信號X 〇 〇到X η的數目被配置在一起,用來産生 列解碼輸出。 画10中唯讀半導體記憶元件的作業將以圖11的時序為 參考繼績討論下去。 在圖11的期間1之中,區塊選擇前置解碼信號X s 1和 X S 2是個別經由位址信號A 3 , A 4 , A 5和A 6被拉到高位準 。由於輸入區塊選擇前置解碼信號XS1和XS2,所以區塊 選擇信號S1變成高位準而使得只有解碼區塊電路441是 處於被選擇的狀態。 經由位址信號A1及A2,字元選擇前置解碼電路42的輸 出中,當信號XP1是低位準時,其他的字元選擇前置解 -1 0 - (請先閱讀背面之注意事項再in寫本頁 裝. Γ—訂 丄 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 經濟部中央準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(9 ) 碼信號XP2到XPn/2則為高位準。在另一方面,字元選擇 信號W S 1經由位址信號A 0而被雒持在低位準,所以第一 字元選擇控制信號WSC1及其反相信號WS1B分別變成高位 準及低位準。同時,第二字元選擇控制信號WSC2及其反 相信號W S 2 B則分別變成低位準及高位準。 以字元選擇前置解碼信號XP1為源極輸入的電晶體H11 ,經由第一字元選擇控制信號WSC1所控制的閛極電壓 箩到導通的狀態。在另一方面,以區塊選擇信號S 1為源 極輸入的電晶體N 1 2 ,經由倍號W S 1 B所控制的閘極電壓 變到截lh的狀態。因此,X P 1可經由電晶體N 1 1 ,將字元 位址信號X 0 0設為被選擇的狀態,即低位準。 以字元選擇前置解碼信號X P 1為源極輸入的電晶體N 2 1 ,經由第二字元選擇控制信號WSC2所控制的閘極電壓 -到截止的狀態。在另一方面,以區塊選擇信號S1為源 極輸人的電晶體N 2 2 .經由反相信號W S 2 B所控制的閘極 電暱變到導通的狀態。因此,區塊選擇信號S1可經由電 晶體N22.將字元位址信號X01設為不被選擇的狀態, 卽高位準。 相同地,其他的字元位址信號X02到ΧΟη變成不被選 擇的狀態,即高位準。只有相對於字元位址信號Χ00 的記億單元處於被選擇的狀態。 接下來在期間2中,字元選擇信號WS1經由位址信 號Α0被拉到高位準。同時,第一字元選擇控制信號 W S U及其反相信號W S 1 Β分別變成低位準及高位準。而第 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210Χ297公釐) (.‘裝 . 訂^ {冰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明( 號 〇 信準 制位 控低 擇及 選準 元位 字高 二成 A7 B7 號 信 相 反 其 及 變 別 分 則 號 信 碼 解 置 前 擇 選 元 字 以 第 由 經 體極 晶閘 && 勺 的制 入控 輸所 極C1 源WS 為號 P1信 ίι 制 控 擇 選 元 字 態體 狀晶 .勺ge til IpBT 止的 截入 成輸 變極 壓源 電為 號 信 擇 選 塊 區 以 面 方 一 另 在 號 信 相 反 由 經 的 制 控 所 態 狀 的 通 導 成1, 變 N 壓體 電晶 極電 閘由 此 因 號 信 址 位 元 字 將 經 可狀 S1的 號擇 信選 擇被 選不 塊為 區設 碼 解 置 0 前 準擇 位選 高元 卽字 ,以 態 號 言 體 晶 8 的 入 輸 極 源 為 號 信 制 控 擇 選 元 字 二 第 由 經 極 閘 的 制 控 所 號 信 擇 選 塊 區 以 面 方 另 在 0 態 狀 的 通 導 到 變 壓 電 2 態 N2狀 澧 灼 ΛΜΠ ^33 晶止 電截 的到 入變 輸壓 極電 源極 為閘 號 信 相 反 由 經 因 制解 置 所;P B )目 2 S 擇 彳選 元 字 ,裝 (請先閱讀背而之注意事項真祀寫本頁) 澧 MH 晶 電 由 經 可 11 P X 號 信 為 設 IX ο X 號 信 址 位 元 字 將 被 X 不號 成信 變址 也位 on元 rim 字 於 X 對 號相 信 有 。 址 只 準位 。 位元準 低字位 即的高 , 他 即 態其 , 狀,態 的的狀 擇同的 選相擇 被 選 到 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 維 都 •1 Y 線 元 字 及 以 體 晶 。電 態的 狀元 的單 擇億 選記 被到 於接 處連 元於 單由 億時 記此 的 出 生 輸 發 的 換 4m切 4 擇 到 I 21 4 勺 4 白 路 線 電 元 塊 字 區 , 碼 中 解 件 的 元 他 億 其 記 以 。體 所準導 ,位半 準低的 位在述 低持上 在維在 持都 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 明 説明發 、 五 間 期 中 il± f -i 圖 在 間 期
7 7 A B 在 ο C 的 3 間 期 及 業 作 致 導 能 可 擇 選 tgt1 S 雙 的 元 單 億 記 中 間 期 〇 業低 作降 的的 述度 前速 的 用 常 般1 為 0 壓業 電作 應的 供擇 的選 件重 元雙 億論 記 討 體來 導 , 半下 設形 假情 將的 下待 以伏 元 字 的 擇 選 被 不 0 與圖 擇線 選曲 被性 器特 碼關 解相 列的 的源 述電 前與 了形 示波 顯出 12輸 圖的 線 為 壓 電 限 臨 的 體 晶 電 中 元 單 億 記X0 設線 假元 字 電 應 供 著 隨 度 S 升 上 的 下 壓 S 應 供 由 的到 壓降 的是 擇但 選 。 被快 没加 ,而 tc升 上 為 壓 電 限 臨 的 體 晶 電 中 元 單 X0億 線 記 元 設 字 假 的是 擇。13 選低圖 被降 卻 度 .m、·- 透 的 壓 電 限 臨 下 字 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 號圖 信線 線曲 元性 特 接 0 相間 別時 個取 的存 壓的 電元 應 g早 供憶 與記 間為 時間 化時 變段 的這 1 S ο 稱 X t 丨般 號 信 線 元 字 中 子 例 在 的 榡 一 是 時 持 伏 5 2 為 不 壓 , 電時 應特 供伏 在5 度2 3低 的 B 1 壓 ο I X 霄 和應 00供 ( 當 訂 號 信 線 元 字 的 擇 選 被 慢 還 號電 信 應 線供 元當 字 -的時 擇此 選 。 被態 比狀 度的 速擇 的選 ο ο 3 (雙 成 造 此 因 經濟部中央找午局負工消費合作社印製 άΜ 路擇 電選 邊重 周雙 於此 定因 決 〇 度度 速長 的間 件期 元的 體擇 億選 己 6 il 口 S ,雙 時非 待而 伏 , 5 度 於速 低業 壓作 度號 速信 的線 01元 ρχί子 ίο > 度Χ0時 速號持 業信伏 作線 7 的元是 件字壓 元 ,電 億時應 記待供 到伏當 遒 3 而 影是 。 不壓大 並電較 度應的 長供變 間當距 期 差 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210 X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ^ ) 1 1 X0 0和X 0 1 的 速 度 差 距 變 的 更 大 〇 即 這 m 區 域 (t d 3 到 t d 7 ) 1 是 避 免 雙 重 選 擇 發 生 的 邊 限 期 間 〇 1 | 當 供 應 電 壓 大 於 或 等 於 5 伏 持 時 » 周 邊 電 路 的 作 業 速 請 1 I 度 變 得 較 快 而 雙 重 選 擇 的 邊 限 仍 然 維 持 著 〇 因 為 被 選 擇 先 閱 1 I 讀 1 I 的 字 元 線 信 號 的 速 度 變 慢 了 9 所 以 記 億 DCT 早 元 的 選 擇 速 度 背 1 I 之 1 降 低 » 因 而 降 低 外 部 輸 出 的 速 度 〇 因 此 在 高 電 壓 時 速 注 意 1 1 度 的 降 低 使 得 保 證 記 億 元 件 産 品 正 常 作 業 邊 限 變 窄 了 〇 事 項 1 I 再 1 本 發 明 著 重 在 省 略 在 提 昇 字 元 線 信 號 時 的 雙 重 選 擇 〇 填 寫 本 裝 關 於 本 發 明 可 以 達 成 前 述 功 用 的 較 佳 實 施 例 將 在 下 文 中 頁 S_·〆 1 I 討 論 0 1 圖 1 是 先 前 發 明 的 半 導 體 記 億 元 件 的 實 施 例 方 塊 圖 〇 1 I 參 考 圖 1 所 示 的 半 導 體 記 億 元 件 的 實 施 例 中 > 包 含 了 1 訂 (1 )- -個記憶單元陣列6 » 是 由 多 個 記 億 DD 早 元 排 列 而 成 > (2 )- -個感測放大器8 > 用 來 感 測 經 由 行 列 位 址 信 號 所 標 1 I 示 出 的 記 億 早 元 中 的 資 料 (3 )- -個傳送記億資料至輸出 1 1 端 的 輸 出 電 路 1 0 ; (4 )- -個位址轉移檢測電路2 > 用 來 檢 1 丄 測 行 列 位 址 信 號 變 化 妖 後 産 生 脈 衝 信 號 AT D〇 I 再 者 9 如 圖 示 的 半 導 體 記 億 元 件 還 包 含 1 1 (1 )- -値延遲控制電路3 1 使 得 位 址 轉 移 檢 測 電 路 2 的 1 1 輸 出 脈 衝 信 號 AT D的後緣有- -段延遲, 而使輸出的控制 1 I 信 號 Φ 1 , 0 2和 'Φ 3有較大的脈衝寬度。 1 1 (2 )- -個列解碼器4 9 根 據 列 位 址 信 號 T , 選擇記億 1 1 | 體 陣 列 6 中 所 需 的 字 元 線 t 且 只 有 在 控 制 信 號 3的脈 1 I 衝 寬 度 期 間 内 才 使 所 選 擇 的 字 元 線 啓 動 〇 1 1 -1 4 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(β ) (3)—個鎖存器9,在關掉列解碼器的輸出之前,經由 控制信號0 1的控制讀入並保持感測放大器8的輸出資 料,然後將相同的資料傳送至輸出電路1 〇。 圖中還有位址信號輸入電路1 ,行解碼器5以及行選 擇器7。 接下來,這個半導體記億元件的實例將參考画1和圖 2中作業時序的例子來討論。例子中的半導體記億元件 相對於外部輸入的行選擇位址信號A Y和列選擇位址信號 A X,分別産生一個内部的行選擇位址信號A Y T和一個内 部的列選擇位址信號A X T。行選擇位址信號A Y T和列選擇 位址信號A X T分別輸入到行解碼器5及列解碼器4。行解 碼器的輸出Y輸入到行選擇器7 ,用來使記億體陣列6中 所需的字元線處於被選擇的狀態。 在另一方面,AYT和AXT這兩個位址信號同時都輸入到 位址轉移檢測電路2 ,經由位址轉移檢測電路2來産生 位址轉移檢測脈衝信號A T D。然後將脈衝信號A T D輸入到 延遲控制電路3 ,使得控制信號0 1的脈衝後緣有t d 1的 延遲,控制信號0 2的脈衝後緣有t d 2的延遲,而控制 信號0 3的眤衝後緣有t d 3延遲。因而使得切1, 0 2和 0 3的脈衝寬度變成妒1 < 0 2 < 0 3。 在控制信號珍2上升的同時,感測放大器8被啓動, 而輸出電路1 〇則被關掉。而在控制信號% 1上升的同時 鎖存器9被啓動而允許資料的輸入。控制信號妒3輸入到 -1 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4规格(210X 297公釐) 裝 * 訂 {---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 14- ) 1 1 列 m 碼 器 4 t 和 位 址 信 m 輸 入 電 路 1 的 輸 出 AXT- -起使 1 1 列 解 碼 電 路 啓 動 〇 在 控 制 信 號 Φ 3 上 升 的 同 時 » 記 億 αο 早 1 I 元 陣 列 6 中 的 字 元 位 址 信 號 X 則 進 入 被 選 擇 的 狀 態 〇 請 1 | 被 字 元 位 址 信 Μ X 選 到 的 記 億 ασ 军 元 之 中 的 資 料 經 由 先 閱 1 1 讀 1 1 預 先 m 好 的 列 選 擇 器 7 傳 送 到 感 測 放 大 器 8 , 而比字元 背 1 I 之 1 位 址 信 號 X 延 遲 了 t d S之後産生放大資料DO。 放大資 注 意 1 料 1)0輸 入 到 鎖 存 器 9 , 然後输出DL0到 輸 出 電 路 10 〇 由 於 事 項 1 I 再 ——V 輪 出 電 路 10 處 於 被 關 掉 的 狀 態 所 以 輸 出 端 Do a t 處 於 高 填 裝 寫 本 Μ 抗 的 狀 態 〇 頁 '〆 1 當 控 制 信 號 Φ 1上升經過t dl 時 間 後 > 鎖 存 器 9 被 關 掉 1 1 而 使 得 感 測 放 大 器 的 輸 出 D0 處 於 被 維 持 的 狀 態 Ο 接 箸 當 1 I 控 制 信 號 Φ 2 下 降 時 * 感 測 放 大 器 8 被 關 掉 〇 輸 出 電 路 J 1 1 0在 同 時 被 啓 動 〇 經 由 鎖 存 器 9 所 雒 持 的 資 料 DO則 被 當 1 丁 1 成 輸 出 信 號 Do U t 輸 出 〇 當 控 制 信 m Φ 2 下 降 之 後 贅 上 升 1 I 的 控 制 信 號 Φ 3 刖 關 掉 列 解 碼 器 4〇 1 1 通 常 位 址 轉 移 檢 測 電 路 2 和 延 遲 控 制 電 路 3 是 當 成 (1) 1 JL 加 速 感 測 放 大 器 8 的 等 化 信 號 * (2 )作為- -輸出電路, 其 I 控 制 輸 出 電 路 1 0 之 電 源 / 接 地 雜 訊 功 率 之 量 度 訊 號 〇 1 1 在 本 發 明 中 » 列 解 嗎 器 4 是 由 控 制 信 號 Φ 3所控制, 以 1 I 便 確 定 在 位 址 信 號 變 動 後 • 下 値 讀 取 作 業 初 始 化 刖 將 列 1 | 解 碼 器 4 輸 出 的 所 有 字 元 位 址 信 號 X 關 掉 » 避 免 讀 出 1 1 時 發 生 字 兀 位 址 信 號 雙 重 選 擇 的 情 形 發 生 〇 因 此 < 經 1 | 由 將 感 測 放 大 器 8 的 輸 出 輸 入 到 鎖 存 器 9 , 然後再輸出 1 到 輸 出 電 路 10 , 所 以 與 _ 1 先 6- JL 4.. 刖 的 技 術 的 相 容 問 題 可 以 由 控 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(H ) 制輸出信號D 〇 u t的輸出時間來解決。 _ 3是一種圖1中列解碼器4的電路結構圖。值得注 意的是,圖1中的記億單元陣列1就像画1 〇中記億單元 陣列那樣子的被分成多値區塊。 在圖3中,區塊選擇前置解碼電路4 1將A G到A 6這個列 位址信號群的一部分(上半位址群A 3到A 6 )解出來,輸出 區塊選擇前置解碼信號XS1和XS2。 字元選擇前置解碼電路42將剩下的位址群(下半位址 群A 0到A 2 )解出來,輸出字元選擇前置解碼信號X P 1到 ΧΡη 0 相對於每値記億單元陣列都有一個對應的解碼區塊電 路,編號由441到44m。每個解碼區塊電路根據(1)字元 選擇前置解碼信號XP1到ΧΡη, (2)區塊選擇前置解碼 信號X S 1和X S 2 ( 3 )控制信號矽3的A N D邏輯組合信號來選 擇記億體陣列中所需的字元線,且只有在控制信號於3 的脈衝寬度期間内才使所選擇的字元線啓動。 在相對於記億單元區塊數量提供的解碼區塊電路中, select portion 44S是由AND邏輯蘭構成,輸人區塊選 擇前置解碼信號X S 1和X S 2以及控制信號0 3,然後輸出 字元選擇控制信號S1及其反相信號S1B。而解碼部分 4 4 D根據字元選擇控制信號S 1及其反相信號S 1 B以及位 元組選擇前置解碼信號X P 1到X Ρ η來選擇記憶體陣列中所 需的字元線,並且只有在控制信號0 3的脈衝寛度期間 内才使所選擇的字元線啓動。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4规格(210Χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- Ί訂
五、發明説明(A 分及 部 Ρ 仅g 選晶 電 A7 B7 型 P 在 聯 串 2 N 及 1X N 體 晶 gml 型 N 個 兩 將 是 言 /1 碼 解 置 前 擇 選 塊 區 而 間 之 3 N 體 晶 ε Ι^ΟΓ 型 則 3 點 ίώ節 號聯 信串 制的 控Ρ1 , 體 極晶 HW ΙΪΛϋ ΙΡΒΓ 的型 2 Ν ρ 和由 Ν1經 到 〇 入極 輸閘 別的 3 分 Ν 2 □ S ί X 1 Ρ Ρ *, Mu 1 妾 XS人 號輸 處反 號 信 制 控 擇 選 元 字IV 出器 輸 相 出 輸 分 部 碼 解 由 經 則 B S 號 信 相 反 其 而 到 X 成 號構 信件 碼元 解列 置下 前的 擇線 選一兀 元字 字的 於中 行列 平陣 由元 是單 4D億 1X 記 及 以
0 1 B 信 S 制號 控信 擇相 選反 元入 字输 入則 輸極 極閘 閘其 其 , i—x > 5 1 N P2體 體晶 晶電 電型 型 N 體 晶 電 型 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 極 閘 其 間 之 線 地 及 線 元 字 。 在S1 接號 , 信 41制 控 擇 選 元 字 入 **-^ 列 論 討 來 例 圖 序 時 業 作 的 中 4 圖 及 3 圖 考 0 參業 將作 來的 下器 接碼 解 圖 在 號 信 碼 解 置 前 擇 選 塊 區 當 中 之 H 間 期 有 只 時 準 位 高 到 拉 被 6 A 到 3 A 號 信 址 位 由 經 別 分 號 信 碼 解 置 前 擇 選44 塊路 區電 以塊 區 碼 解 的 號 信 入 輸 為 2 S X 0 和態 S1狀 的 擇 選 可 於 處 是 訂 i 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 X 時 號動 信啓 碼被 解 即 置 , 前時 擇準 選位 元低 字到 當拉 被 號 信 址 位 由 經 置 前 擇 選 元 字 的 他 其 變 的 號D,有 信AT緣 址號後 位信衝 入衝脈 輸脈的 。生TD 準産\ 位 , 高後 於 2 處路 是電 P 測 IJX檢 3’ P2i肖冑 XP轉電 號址制 信位控 碼由遲 解經延 號 信 衝 脈 得 使 ΓΓ7 勺 3 經 d 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 297900 A7 五、發明説明(7 ) 延遲。而根據ATD脈衝後緣的延遲,使得控制信號43有 一致的脈衝寬度。 當控制信號4 3從低位準變到高位準時,P型電晶體P 1 被關掉,而N型電晶體N 1 , N 2和N 3則被打開。這使得位 元組選擇控制信號S1變成低位準,而其經由反相器IV1産 生的反相信號S B 1變成高位準,使得選取部分4 4 s啓動。 而在解碼部分44D中,以字元選擇控制信號S1為輸入 的P型電晶體P 2 1和H型電晶體N 4 1分別變成開和關。因 I比,猙由字元選擇前置解碼信號XP1供給其電位的字元 位址信號X00就變成在被選擇的狀態,即低位準。 在另一方而,以字元選擇控制信號S1為輸入的P型 雷晶體P 2 2到P 2 η和N型電晶體N 4 2到Μ 4 η分別變成開和關 。而以其反相信號S 1 Β為輸入的電晶體Ν 5 2到Ρ 5 η刖被打 開。因比在解碼區塊部分441中,由字元選擇前置解 碼信號ΧΡ2到ΧΡη供應給其輸出位準的字元位址信號Χ01 到ΧΟη就變成在不被選擇的狀態,即高位準。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當資料由記億單元中讀出,且控制信號43由高位準 降為低位準時,Ρ型電晶體Ρ 1和Ν型電晶體Ν 3分別變成 開和關,而字元選擇控制信號S 1就變成高位準,其經 由反相器IV1産生的反相信號SB1就變成低位準。因此選 取部分44S就被關掉了。 同時,因為Ρ型電晶體Ρ 2 1到Ρ 2 η和Ν型電晶體Ν 5 1到 N η被閼掉,而電晶體Ν 4 1到Ρ 4 η都被打開。所以解碼部 分44D所有輸出的字元位址信號Χ00到ΧΟη都變成在低 -1 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 五、發明説明(β ) A7 B7 號 信 碼 解 置 前 擇 選 元 字 當 中 之 2 間 期 在 。著 準接 位 時 準 位 P 低 X 於到 處P3 而X 2 > A 1 J P 到 X A0號 號信 信碼 址解 位置 因 前 擇 選 元 字 的 他 其 間 期 跟 〇 準 位 高 於 處 則 到 元 字 擇於 選對 元相 字以 由所 經 。 是的 on位 電 .其 XO給 號供 信pn 址IJX 位li 元XP 字號 , 信 地碼 似解 類置 很前 號M、 g其 彳由 址 輸 經 ® ^ S 元 給 字ic供 .Γ-,準 η 的 i Ρ 2 ^ X XP低到 號即 P 信 ,X 碼態1’ 解狀XP 置的號 前擇信 擇選碼 選被解 置 在前 成擇 變選 就一兀 ο 字 他 址 位 元 字 的 準 位 出 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· ο 間 X 期 號和 言 到樣 態 狀 的 擇 選 被 不 在 成 變 就 的 有 所 前 以 化 變 號 信 址 位 次 一 下 在 0 號 3 信 間 制 期 控 在 在 來 線。下 元準接 字位 低 到 拉 都 時 準 位 低 為 降 準 位 高 由 3 號 信 碾 解 置 前 擇 選 塊 區 當 中 時 準 位 低 到 降 準 位 高 由 而 6 A 到 3 A 號 信 址 位 由 經 和不 、11 號 信 制 控 擇 選 元 字 何 為 電 SB型 號 N 信和 百 η +Τ 2 Ρ 反ϋ 实 i 其 1 2 而 P , 體 準晶 位電 高型 在 P 0持, 號維此 信而因 制應 。 控效準 論容位 因固 會 則 體 低到 電在51 為定彳
I 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 掉 被 Ν ΑΗΡ 晶 gml-¾ 而 電 塊 區 碼 解 當 著 接 變 都 C ο X 到 ο ο X 號 信 址 位 準 位 到44低 4 路菊 元 字 的 有 所 0 » 開時 打關 被變 則開 η 5 4 由 路 電 塊 區 碼 解 而 到 列 執中 就 4 η I 1 圖 和 序 XI時 號。構 信述架 址赘業 位再作 元不本 字此基 的因的 有,器 所作碼 後動解 然的列 。樣中 IX 動 一 1 啓面画 被前較 始和比 開行 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(, 9 ) 1 1 解 碼 器 實 施 例 的 作 業 例 中 » 期 間 2 中 的 a 部分, 期間3 1 1 中 的 b 部 分 和 期 間 4 中 的 C 部 分 > 可 以 發 現到在 此實 1 1 例 中 避 免 掉 了 字 元 位 址 信 號 在 被 選 擇 與 不被選 擇之 '—^ 請 1 1 間 的 切 換 i 而 只 有 不 被 選 擇 的 字 元 位 址 信 號可由 低位 先 閱 1 I 讀 1 1 準 變 到 局 位 準 0 背 面 1 I 之 1 圖 5 是 實 例 列 解 碼 器 中 不 被 選 擇 的 字 元 線的輸 出波 意 1 形 與 供 應 電 源 的 相 關 特 性 曲 線 圖 0 比 較 圖 5和圖 12 事 項 1 I 再 1 中 的 待 性 曲 線 j 被 選 擇 的 字 元 位 址 信 號 X0 1不論供應 缚 裝 電 壓 為 何 ί 都 —* 直 維 持 在 0 伏 待 1 而 不 被 選擇的 字元 頁 1 位 址 信 號 X 0 ί)的上升速度根據供應電壓的升高而加速。 1 1 圖 6 是 假 設 記 億 DD 早 元 中 電 晶 體 的 臨 限 電 壓為Vtc下, 1 I 字 元 線 信 號 X 0 (]横斷時間和實例中列解碼器的存取期間 1 訂 與 供 應 電 源 的 相 關 特 性 曲 線 圖 〇 就 本 發 明 所 針 對 的 部 分 比 較 画 6 和 圖 1 3的持性曲線 1 I 1 圖 中 是 在 假 設 記 億 uct 早 元 中 電 晶 體 的 臨 限 電壓為 V t c下 1 1 I 字 元 線 信 號 X 0 0橫斷時間和基本架構中的存取期間與 1 Λ 供 應 電 源 的 相 關 恃 性 曲 線 圖 〇 因 為 在 根 據 外部位 址信號 1 變 動 而 做 讀 取 初 始 化 時 » 被 選 擇 的 字 元 位 址信號 X 0 1早 1 1 就 維 持 在 被 選 擇 的 低 位 準 5 因 此 在 實 例 中 期時間 為零。 1 I 此 外 j 在 實 施 例 中 > 供 應 電 壓 並 不 影 m 讀 出的速 度。而 1 I 不 被 選 擇 的 字 元 位 址 信 號 X 0 0的上升速度, 如圖1 3 —樣 1 1 » 根 據 供 應 電 壓 的 升 高 而 加 快 〇 1 1 | 如 前 所 述 因 為 謓 出 的 速 度 決 定 於 不 被 選擇的 字元 1 位 址 信 號 X 0 0的速度 所以外部輸出速度並不受到電壓升 I 1 -2 1 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4现格(210X 297公f ) A7 B7 經濟部中央:释準局員工消費合作社印製 五、發明説明( 1 1 高 的 影 m 1 1 國 7 是 本 發 明 中 半導體記億 元件 較 佳實例 之 中 列解碼 1 | 器 的 另 一 種 例 子 的 電路圖。參 考圖 7 . 例 子中的列解碼器 /--V 請 1 1 和 -X 4. 刖 例 不 同 之 處 在 於選取部分 44S 是- -個 完整的NAND結 先 閱 1 I 讀 1 | 構 而 解 碼 部 分 44D和前例的結構是- -樣 的。 背 1 | 之 1 在 例 子 中 由 於 選取部分44S是- -個完 整的H AND結構, 意 1 1 所 以 當 區 塊 選 擇 前 置解媽信號 XS1和XS2或控 制 信 號Φ 3 事 項 1 I 再 一 1 在 低 位 準 時 字 元 選擇控制信 號S1 及 其反相 信 號 S 1 B 寫 本 裝 分 別 為 髙 位 準 及 低 位準,而N 型電 晶 體N4變 成 導 通狀態 頁 1 1 1 因 此 字 元 位 址 信 號X0變成低 位準 〇 1 1 Ψ, 一 方 而 在 當 區塊選擇前 置解 碼 信號XS 1和X S 2及控 1 I 制 信 號 φ 3都在高位準的期間中,字元選 擇控制信號 訂 S 1 及 其 反 相 信 號 S 1 B分別為低位準及高位 準, 而P 型電 晶 m P2和 m 電 晶 體 N5變成導通 狀態 〇 因此經 由 字 元選 1 I 擇 前 冒 解 碼 信 號 XP供給其輸出 位準 的 字元位 址 信 號X0 1 1 I 就 和 控 制 信 號 Φ 3同步變化。 1 X 圖 8 顯 示 本 發 明 中半導體記 億元 件 較佳實 例 之 中列解 I 碼 器 的 另 一 個 例 子 的電路圖。 例子 中 的列解 碼 器 和上例 1 1 不 同 之 處 在 於 選 取 部分44S是- -個只輸入 區塊選擇前置 1 1 解 碼 信 號 XS 1和X S 2 P雙端輸入 N AND 結 構, 而 非 三 端輸入 1 I η 而 控 制 信 號 Φ 3是另外輸入到區塊選擇 前置解.碼電路 1 1 41 經 由 解 出 位 址 信號産生區 塊選 擇 前置解 碼 信 號XS 1 1 和 XS來 控 制 字 元 選 擇控制信號 S 1 〇 I 電 路 其 他 的 作 業 方式和圖7 都很 像 ,經由 字 元 選擇 1 1 -22- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 297900 A7 B7 五、發明説明(Μ ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 和避 碼選的可擇 邊 輸記解記配熟之在 控 以,性解被擇號選 上業 的體來體裝億明應 和 箸器關列在選信被 的作 器導間導來記發而 就 藉碼相將號被址不 壓, 大半時半式此本, XO以解的,信定位於 電外 放的出的方對颶例 號 可列間前址固元決 應此 測存輸明的但仍實 信 件制之化位,字取 供。 感現的發同,加述 址 元控壓始元中的金 箸了 到和號本相明添上 位 憶來電初字間擇完 隨快 接 ,信 ,件説及於 元 記號應業免期選度 度加 是號出號元來略限 字 體信供作避取被速 速度 入信輸訊億例省只 的 導制與取以讀不取 的速 輸的制的記實、不 準 半控號讀,在有選 號的 的樣控新體性化並 位 的的信個掉。只的。信取 器一由何導例變圍 其to中步址下關換,元度址存。存出可任半範種範 。 給 Μ 明同位後線切準單速位部點鎖輸。入行據種之内 供 Μ 發號元動元間位億的元外'優於並題輸現依之明圍 ΧΡ# 本信字變字之的記號字此其由住問要和傜例發範 同 號3Γ,測的號有擇號此信的因為,持的需由明實本利 信 0 述檢擇信所選信因址擇。亦面維容不經發對此專 碼號所移選址的被址。位選快加方後相為可本知因請 解信前轉被位出不位化元被加增一然件因件然應。申 置制如址掉在輸與元變字不而的另,元。元雖者圍加 前控 位免,器擇字以的 升限 出億決億 知範附 一装 ^ —訂^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210Χ 297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中央.:,:準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種半導體記億元件,具有:(1) 一個由多個記億單 元排列所形成的記億體陣列;(2 ) —感測放大器,用 來感測猙由行列位址信號所指定的記億單元中的資料 ;(3) —輸出該記億資料至輸出端的輸出電路;(4) 一 位址轉移檢測雷路,用來檢測行列位址信號變化然後 産生脈衝信號,其中該半導體記憶元件包含: (1 ) 一延遲控制電路,使該位址轉移檢測電路的輸 出脈衝信號的後緣有一段延遲,並輸出具有較大脈衝 寬度的控制信號; (2 ) —列解碼器,根據列位址信號,選擇該記憶體 陣列其中一字元線,且只在該控制信號的脈衝寬度期 間内才啓動所選擇的字元線;以及 (3 ) —個鎖存電路,在使該列解碼器的輸出成為非 主動狀態之前,由該控制信號的控制讀入並保持該戚測 放大器的輸出資料,將後將相同的資料輸出至該輸出 雷路。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體記億元件,其中該記 ' 億單元陣列分成多値區塊,該列解碼器包含一區塊選 擇前冒解碼電路,用來解出該列位址信號中一位址信 號群的一部分,而産生一區塊選擇前置解碼信號以選 擇所需的區塊,一字元選擇前置解碼電路解出該列位 址之位址信號群的其餘部分,而産生一字元選擇前置 冒解碼信號以選擇該記億單元之字元,設置多個解碼 區塊電路對應於各該區塊,根據該區塊選擇前置解碼 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) n^i n-^v m^i ^—^1* .nn Bm a^ilt B^ilf ^^^^1 nn 1 i ^^1 〆 穿 .Ί -(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央柄準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 信號.該控制信號以及該字元選擇前置解碼信號選擇 該記億體陣列中所需的字元線,而且只在控制信號的 脈衝寬度期間内才啓動所選擇的字元線。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體記億元件,其中各該 解碼區塊電路含有AND裝置輸入該區塊選擇前置解碼 信號和該控制信號的邏輯組合信號而産生字元選擇控 制信號及其反相信號,及多値解碼裝置,根據該字元 選擇前置解碼信號選擇該記億體陣列中所需的字元線作業 ,而目.只在該控制信號的脈衝寬度期間内才啓動所選 擇的字元線。 4. 如申請專利範圍第3項之半導體記億元件,其中該AND 裝詈包含(1) 一連接在該字元選擇控制信號輸出線及 第一參考電位點之間的第一傳導型電晶體,而在其閘 極輸入該控制信號,(2) —第二傳導型之第一電晶體和 多値第二傳導型電晶體串聯在一起,連接在該字元選 擇控制信號輸出線及第二參考電位之間,該控制信號 輸入至該第一値電晶體的閛極,該區塊選擇前置解碼 信號刖輸入至該多値電晶體之各閛極。 5. 如由請專利範圍第4項之半導體記億元件,並含一反 相器,用以將該字元選擇控制信號反相。 6. 如申請專利範圍第4項之半導體記億元件,其中該解 碼器包含(1) 一個連接在該字元選擇前置解碼信號輸出 線及該記億體陣列中字元線之間的第一傳導型電晶體 ,而由其閛極輸入該字元選擇控制信號,(2)—第二 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) nn nn ^^^^1 u^il — . mol nn ^ 1 nf ^ > 、va· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 傳 導 型 雷 晶 體 連 接 在 該 字 元 選 擇 前 置 解 碼 信 號 輸 出 線 1 1 及 該 記 億 體 陣 列 之 字 元 線 之 間 而 由 其 閘 極 輸 入 反 相 1 1 信 號 (3 )— -第二傳導型電晶體連接在該字元線及第 '·—、 請 1 先 1 二 參 考 電 位 點 之 間 * 而 由 其 閘 極 輸 入 該 字 元 選 擇 控 制 閱 1 信 號 Ο <·η 背 ώ 1 I 之 1 7 .如 Φ 請 專 利 範 圍 第 3 項 之 半 導 體 記 億 元 件 9 其 中 該 AND 注 意 1 I 裝 詈 包 含 (1 )- -連接在該字元選擇控制信號輸出線及 項 1 I 再 1 \ 第 一 參 考 電 位 點 之 間 的 第 一 傳 導 型 電 晶 體 而 由 其 閘 填 寫 V 本 衣 m 輸 入 該 控 制 信 號 < (2 )- -連接在該字元選擇控制信 頁 | 輸 出 線 及 第 —- 參 考 電 位 點 之 間 的 第 一 傳 導 型 電 晶 體 1 * 而 由 其 閘 極 輸 入 該 區 塊 選 擇 控 制 信 號 * (3 )- -第二 1 I 傳 導 型 之 第 一 電 晶 體 和 多 個 第 二 傳 導 型 電 晶 體 串 聯 在 訂 一 起 * 連 接 在 該 字 元 選 擇 控 制 信 號 輸 出 線 及 第 二 參 考 電 位 之 間 » 該 控 制 信 號 輸 入 至 該 第 一 電 晶 體 之 閘 極 t 1 | 該 區 塊 m 擇 前 置 解 碼 信 號 輸 入 至 該 多 個 電 晶 體 之 各 閘 1 | 極 〇 1 !、 8 .如 請 專 利 範 圍 第 7 項 之 半 導 體 記 億 元 件 » 並 含 一 反 缘 1 相 器 用 以 將 該 字 元 選 擇 控 制 信 號 反 相 〇 1 I 9 .如 Φ 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 半 導 體 記 億 元 件 • 其 中 該 記 1 1 憶 aa 里 元 陣 列 分 成 多 値 區 塊 9 該 列 解 碼 器 包 含 一 區 塊 選 1 I 擇 前 置 解 碼 電 路 以 解 出 該 控 制 信 號 以 及 -_- 位 址 信 號 群 1 1 之 一 部 分 1 而 産 生 一 區 塊 選 擇 前 置 解 碼 信 號 以 選 擇 所 ! 1 需 區 塊 • 一 字 元 選 擇 前 置 解 碼 電 路 解 出 該 列 位 址 之 位 f 1 址 信 號 群 的 其 餘 部 分 « 而 産 生 一 字 元 選 擇 J 4. 刖 置 解 碼 信 1 1 -26- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 號以瓖擇該記億單元之字元,設置多個解碼區塊電路 對應於各該區塊,根據該區塊選擇前置解碼信號、該 控制信號以及該字元選擇前置解碼信號。選擇該記億 體陣列其中一字元線,而且只在控制信號的脈衝寬度 期間内才啓動所選擇的字元線。 10. 如由諳專利範圍第9項之半導體記億元件,其中各 該解碼區塊電路含有AND裝置輸入該區塊選擇前置解 碼信號的邏輯組合信號,以産生字元選擇前置解碼信 號及其反相信號.及多値解碼裝置,根據該字元選擇 前詈解碼信號選擇該記億體陣列其中一字元線,而且 R在該控制信號的脈衝寬度期間内才啓動所選擇的字 元線,、 11. 如申請專利範圍第10項之半導體記億元件,其中該 AND裝置包含了(1)多値並聯在該字元選擇控制信號輸 出線及第一參考電位點之間的第一傳導型電晶體,而 由其各閛極輸入該區塊選擇前置解碼信號,(2)多値 第二傳導型電晶體串聯在一起,連接在該字元選擇控 制信號輸出線及第二參考電位點之間,而該區塊選擇 前詈解碼信號刖輸入至各閛極。 ]2.如申請專利範圍第11項之半導體記億元件,其中並 含一反相器,用以將該字元選擇控制信號反相。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) --------ΧΊ^-ί I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\\β 線
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5715208A (en) * 1995-09-29 1998-02-03 Micron Technology, Inc. Memory device and method for reading data therefrom
DE69627350D1 (de) * 1996-11-27 2003-05-15 St Microelectronics Srl Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Addressenübergangssynchronisationsignals (ATD)
US5970022A (en) * 1997-03-21 1999-10-19 Winbond Electronics Corporation Semiconductor memory device with reduced read disturbance
KR100318439B1 (ko) * 1999-06-30 2001-12-24 박종섭 워드라인 억세스 타임을 개선하기 위한 방법 및 그를 위한 반도체 메모리 장치
US6788614B2 (en) * 2001-06-14 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory with wordline timing
ITMI20021185A1 (it) * 2002-05-31 2003-12-01 St Microelectronics Srl Dispositivo e metodo di lettura per memorie non volatili dotate di almeno un'interfaccia di comunicazione pseudo parallela
JP4856965B2 (ja) * 2006-01-27 2012-01-18 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド メモリ
KR100889311B1 (ko) * 2007-02-23 2009-03-18 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 감지증폭기를 포함하는 반도체메모리소자

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58199496A (ja) * 1982-05-14 1983-11-19 Hitachi Ltd 欠陥救済回路を有する半導体メモリ
JPH0636319B2 (ja) * 1984-11-26 1994-05-11 株式会社日立製作所 半導体集積回路
JPS61150194A (ja) * 1984-12-25 1986-07-08 Nec Corp リ−ド・オンリ・メモリ
JPS62293597A (ja) * 1986-06-12 1987-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
JPH0812756B2 (ja) * 1987-06-22 1996-02-07 松下電子工業株式会社 スタチックram回路
JP2753705B2 (ja) * 1987-10-26 1998-05-20 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JPH065100A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH07220487A (ja) * 1994-01-27 1995-08-18 Toshiba Corp 不揮発性メモリ回路

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