TW202307089A - 樹脂組合物、樹脂膜及顯示器件 - Google Patents

樹脂組合物、樹脂膜及顯示器件 Download PDF

Info

Publication number
TW202307089A
TW202307089A TW111123483A TW111123483A TW202307089A TW 202307089 A TW202307089 A TW 202307089A TW 111123483 A TW111123483 A TW 111123483A TW 111123483 A TW111123483 A TW 111123483A TW 202307089 A TW202307089 A TW 202307089A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
thermal crosslinking
resin composition
crosslinking agent
formula
composition according
Prior art date
Application number
TW111123483A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI844874B (zh
Inventor
王輝
李建行
Original Assignee
中國大陸商吉林奧來德光電材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 中國大陸商吉林奧來德光電材料股份有限公司 filed Critical 中國大陸商吉林奧來德光電材料股份有限公司
Publication of TW202307089A publication Critical patent/TW202307089A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI844874B publication Critical patent/TWI844874B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

根據本發明,可提供一種樹脂組合物,至少含有(a)、(b)及(c)三種組分;其中(a)組分為具有下述式(1)所表示之結構之聚合物,(b)組分包含熱交聯劑(b1)及熱交聯劑(b2),(c)組分為感光劑,其中,R 1、R 2獨立地選自至少含有1種除氫以外之其他原子;R 3、R 4獨立地選自氫原子或碳原子為1至20個之有機基團,n係選自1至10之整數。採用本發明之樹脂組合物可得到更佳平坦性及彎曲回復特性。

Description

樹脂組合物、樹脂膜及顯示器件
本發明係關於一種樹脂組合物,以及由該樹脂組合物形成之樹脂膜,還包括由樹脂組合物及/或樹脂膜形成之顯示器件。
近年來,有機電致發光(以下稱為「有機EL」)顯示裝置廣泛應用於許多電子設備中。一般而言,有機EL顯示裝置在基板上具有驅動電路、平坦化層、第一電極、絕緣層、發光層及第二電極,藉由在相對設置之第一電極與第二電極之間施加電壓,或者藉由電流流動而發光。其中,作為平坦化層用材料及絕緣層用材料,通常使用能夠藉由紫外線照射進行圖案化之感光性樹脂組合物。
伴隨著電子設備之小型化、高功能化、高整合化,對於此等電子設備中使用之電子元件之特性需求亦在不斷提高。聚醯亞胺、聚苯并㗁唑、聚醯胺醯亞胺等樹脂由於具有耐熱性、電絕緣性等方面優良特性,含有此類樹脂之感光性樹脂組合物適合作為有機EL顯示裝置之絕緣層或平坦化層用材料。
另一方面,在包括彎曲部分之可撓性有機EL顯示裝置中,要求絕緣層或平坦化層用材料具有較佳平坦性及彎折特性,因此,提昇感光性樹脂組合物之平坦性及彎折特性亦具有重要意義。
目前,已知可在聚醯亞胺前驅物中引入酚羥基化合物,以解決短時間內不能顯影之問題,進而提高微細圖案之解析度,但是在固化過程中存在化合物飛散、發生熱收縮等問題(專利文獻1)。另外,已知在感光性樹脂前驅物組合物中引入熱交聯劑,可以減小熱縮率,但是得到之感光性樹脂前驅物組合物存在抗彎特性差、容易形成印折痕等問題(專利文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:CN1246389C 專利文獻2:CN100362429C
將上述專利文獻中記載之感光性樹脂前驅物組合物用於有機EL顯示裝置中時,會存在長期可靠性不足、可撓性差、平坦性差等諸多問題。因此,本發明之技術方案主要旨在解決上述提到之問題。
根據本發明之一種實施方式,可提供一種樹脂組合物,至少含有(a)、(b)及(c)三種組分;其中,上述(a)組分為具有下述式(1)所表示之結構之聚合物,上述(b)組分包含熱交聯劑(b1)及熱交聯劑(b2),上述(c)組分為感光劑,
Figure 02_image003
式(1) 其中,R 1、R 2獨立地選自至少含有1種除氫以外之其他原子;R 3、R 4獨立地選自氫原子或碳原子為1至20個之有機基團,n係選自1至10之整數。
在本發明之另一種實施方式中,其中,上述熱交聯劑(b1)為芳族酯類熱交聯劑上述該熱交聯劑(b2)為含有不飽和鍵之熱交聯劑。
在本發明之另一種實施方式中,其中,上述熱交聯劑(b1)係選自熱交聯溫度在120至180℃之低溫熱交聯化合物,更具體地選自下述式(2)所表示之結構,
Figure 02_image005
式(2) 其中,R 8係選自含有2至30個碳原子之有機基團;R 9係選自含有1至10個碳原子之有機基團;s係選自1至4之整數,p係選自1至16之整數,且s+p>2。
在本發明之另一種實施方式中,其中,上述熱交聯劑(b2)係選自熱交聯溫度在180至400℃之熱交聯化合物,更具體地選自下述式(3)及/或式(4)所表示之結構中之一種或多種,
Figure 02_image007
式(3)
Figure 02_image009
式(4) 其中,R 6、R 7獨立地選自至少含有2至30個碳原子之有機基團;y、q獨立地選自1至10之整數。
在本發明之另一種實施方式中,其中,上述式(3)所表示之結構為含丙烯酸結構,更具體地選自下述式(5)所表示之結構中之一種或多種,
Figure 02_image011
式(5) 其中,R 10係選自含有2至25碳原子之有機基團,z選自1至10之整數。
在本發明之另一種實施方式中,其中,上述(a)組分為具有下述式(6)所表示之結構之聚合物,
Figure 02_image013
式(6) 其中,R 1、R 2獨立地選自至少含有1種氫以外之其他原子;R 3、R 4獨立地選自氫原子或碳原子為1至20個之有機基團,R 5係選自鹵素及/或鹵代烴基及/或1至10個碳原子之有機基團;n、m獨立地選自1至10之整數。
在本發明之另一種實施方式中,還可包含有聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物、聚苯并㗁唑、聚苯并㗁唑前驅物、或其共聚物中之一種或多種。
在本發明之另一種實施方式中,其中,上述(c)組分之感光劑為光酸產生劑。
在本發明之另一種實施方式中,其中,還含有酚羥基化合物。
根據本發明之另一種實施方式,可提供一種樹脂膜,由本發明之感光性樹脂組合物製備而得。
根據本發明之另一種實施方式,可提供一種顯示器件,由本發明之樹脂組合物製備而得,或包含有本發明之樹脂膜。
在本發明之另一種實施方式中,其中,亦可進一步包含有(a1)組分,上述(a1)組分含有矽氧烷結構之脂族基團;較佳地,上述(a1)組分為含有式(7)所表示之結構,
Figure 02_image015
及/或
Figure 02_image017
式(7) 其中,R 11為至少含有1至20個Si-O重複單元之有機基團,還含有脂族基團。
在本發明之另一種實施方式中,其中,R 11係選自以下所表示之結構中之一種或多種:
Figure 02_image019
Figure 02_image021
在本發明之另一種實施方式中,其中,上述(a1)組分占上述(a)組分之重量比為0.01至10wt%。
在本發明之另一種實施方式中,其中,包含R 1之殘基可選自以下所表示之結構中之一種或多種:
Figure 02_image023
Figure 02_image025
Figure 02_image027
在本發明之另一種實施方式中,其中,包含R 1之殘基可進一步選自以下所表示之結構中之一種或多種:
Figure 02_image029
Figure 02_image031
在本發明之另一種實施方式中,其中,包含R 2之殘基可選自以下所表示之結構中之一種或多種:
Figure 02_image033
Figure 02_image035
自圖形精細化程度考慮,包含R 2之殘基較佳具有以下所表示之結構:
Figure 02_image037
在本發明之另一種實施方式中,其中,上述熱交聯劑(b1)可具體地選自下述化合物中之一種或多種:
Figure 02_image039
Figure 02_image041
在本發明之另一種實施方式中,其中,上述熱交聯劑(b1)可更具體地選自下述化合物中之一種或多種:
Figure 02_image043
Figure 02_image045
在本發明之另一種實施方式中,其中,所述熱交聯劑(b2)可具體選自下述化合物中之一種或多種:
Figure 02_image047
Figure 02_image049
Figure 02_image051
本發明人深入研究後發現,藉由使用本發明之樹脂組合物,能夠獲得更佳平坦性及彎曲回復特性,獲得良好發光效率及可撓性特性之有機EL顯示器件。
為了使本發明之目的及優點更加清楚明白,下面將結合本發明之實施例,對本發明之技術方案進一步清楚、完整地描述,顯然,所描述之實施例僅為本發明之一部分實施例,係幫助熟習此項技術者進一步理解本發明,但不以任何形式限制本發明。基於本發明中之實施例,一般熟習此項技術者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得之所有其他實施例,皆屬於本發明之保護之範圍。
<樹脂組合物> 本發明之樹脂組合物至少可含有(a)、(b)、(c)三種組分,其中(a)組分為具有式(1)所表示之結構之聚合物,(b)組分包含熱交聯劑(b1)及熱交聯劑(b2),(c)組分為感光劑。
上述(a)組分為具有式(1)所表示之結構之聚合物,含有羥基等具有鹼可溶性之基團,可稱之為鹼溶性聚合物。
Figure 02_image053
式(1) 其中,R 1、R 2獨立地選自至少含有1種除氫以外之其他原子;R 3、R 4獨立地選自氫原子或碳原子為1至20個之有機基團,n係選自1至10之整數。
對於R 1、R 2中含有之除氫以外之其他原子,獨立地較佳為O、S、N、P、B、Si1至Si20、C1~30中之一種或多種;自聚合物之可撓性方面考慮,R 1進一步較佳為不含有芳族烴基團,而含有O、S、N、C原子中之一種或多種之基團。自聚合物之耐熱性方面考慮,R 2進一步較佳為含有芳基及/或雜環芳基之基團,更進一步較佳為R 2中之芳基及/或雜環芳基在聚合物主鏈上;自聚合物之溶解性方面考慮,R 2再進一步較佳為羥基基團直接與芳基及/或雜環芳基相鍵聯;上述(a)聚合物亦可包含有式(6)所表示結構之聚合物,其中,R 2上亦可連接有R 5;其中,R 5可選自鹵素及/或鹵代烴基及/或1至10個碳原子之有機基團;自形成之圖形精細化程度考慮,R 5較佳為具有吸電子基團之鹵素及/或鹵代烴基基團;n、m獨立地選自1至10之整數。
Figure 02_image055
式(6)
本發明所提供之式(1)及/或式(6)所表示之結構之聚合物可以以例如酸二酐及二胺為原料聚合來得到,例如可例舉使酸二酐與二胺化合物在溶劑中反應之方法。
作為(a)聚合物中使用的包含有R 1之酸二酐之殘基,可具體地列舉為以下所表示之結構:
Figure 02_image057
Figure 02_image059
自獲得聚合物之可撓性方面考慮,R 1較佳具有以下空間阻較小之基團結構:
Figure 02_image061
Figure 02_image063
作為包含有R 1之酸二酐,可具體地列舉為以下所表示之化合物:
Figure 02_image065
Figure 02_image067
作為(a)聚合物中使用的包含有R 2之二胺之殘基,可以具體地列舉為以下所表示之結構:
Figure 02_image069
Figure 02_image071
自圖形精細化程度考慮,包含之R 2結構之二胺殘基較佳具有以下所表示之結構:
Figure 02_image073
作為包含有R 2之二胺,可具體地列舉為以下所表示之化合物:
Figure 02_image075
Figure 02_image077
在本發明之另一種實施方式中,自控制聚合物之分子量及其分佈方面考慮,酸二酐與二胺之莫耳比較佳為35:65至65:35,進一步較佳為40:60至60:40,更進一步較佳為45:55至55:45。
在本發明之另一種實施方式中,樹脂組合物中亦可包含有聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物、聚苯并㗁唑、聚苯并㗁唑前驅物、或其共聚物中之一種或多種。
本發明中酸二酐及二胺可單獨使用或組合使用,如無特別說明,均可應用已知之方法合成。
另外,出於進一步增加樹脂組合物可撓性之目的,亦可在樹脂組合物中引入包含矽氧烷結構之脂族基團之(a1)組分,其中,使用之包含矽氧烷結構之脂族基團之化合物沒有特別限定;自添加後之分散性效果以及改良可撓性效果方面考慮,較佳為含有式(7)所表示之結構:
Figure 02_image079
及/或
Figure 02_image081
式(7) 其中,R 11為至少含有1至20個Si-O重複單元之有機基團;另外,R 11中亦可含有脂族基團,脂族基團與矽氧烷共聚相連;較佳地,脂族基團之碳原子數為C1至C30。自聚合物之翹曲特性考慮,R 11之重量分子量範圍在10至5000。
具體地,R 11可列舉為以下所表示之結構中之一種或多種:
Figure 02_image083
。 其中,R 11較佳地具有
Figure 02_image085
Figure 02_image087
所表示之結構。
(a1)組分中包含式(7)所表示之結構可來源於末端為二胺之化合物,具體地可列舉為以下化合物:
Figure 02_image089
Figure 02_image091
(a1)組分中包含式(7)所表示之結構可來源於末端為二胺之化合物,其添加方法亦無特別限制,可直接混入(a)聚合物中,亦可藉由聚合反應引入至(a)聚合物之主鏈及/或分支鏈中,亦即作為一種二胺之原料參與至聚合反應中,從而引入至(a)聚合物之大分子鏈中。
出於進一步增加樹脂組合物之可撓性之目的,較佳地,包含矽氧烷結構之脂族基團之化合物之添加量占總聚合物之重量比為0.01至10wt%。
(b)熱交聯劑 本發明之樹脂組合物含有之(b)組分為(b1)芳族酯類熱交聯劑及(b2)含有不飽和鍵 類之熱交聯劑。通常,交聯劑能夠增強由樹脂組合物形成之固化膜之耐熱性及耐化學藥品性;在本發明中所要指出的是,使用熱交聯劑來提高固化膜之平坦特性,以在製備器件時獲得更優特性以及更好良率。
本發明中使用熱交聯劑(b1)之芳族酯類熱交聯劑,較佳為熱交聯溫度在120至180℃之低溫熱交聯化合物,具體地,可為如下述式(2)所表示之化合物。
Figure 02_image093
式(2)
式(2)中,R 8係選自含有2至30個碳原子之有機基團;R 9係選自含有1至10個碳原子之有機基團;s係選自1至4之整數,p係選自1至16之整數,且s+p>2。為了達成更佳熱交聯效果,可對式(2)作進一步較佳限定,較佳地,s為2至4之整數;較佳地p為2至6之整數;較佳地,R 8為含芳基、雜環芳基結構。另外,式(2)所提及之酚羥基,可經酯化保護,不影響熱交聯之特性,亦屬於本發明之一部分。
具體地,熱交聯劑(b1)之芳族酯類熱交聯劑可列舉為以下所示之化合物中之一種或多種:
Figure 02_image095
其中,熱交聯劑(b1)之芳族酯類熱交聯劑較佳為以下結構之化合物中之一種或多種:
Figure 02_image097
Figure 02_image099
本發明中使用熱交聯劑(b2)不飽和鍵類熱交聯劑,較佳為熱交聯溫度在180至400℃之熱交聯化合物,具體地,可選自下述式(3)及/或式(4)所表示之化合物中之一種或多種:
Figure 02_image101
式(3)
Figure 02_image103
式(4) 其中,R 6、R 7獨立地選自含有2至30個碳原子之有機基團;y、q獨立地選自1至10之整數。其中,R 6中,除碳原子以外,亦可含有其他雜原子,例如O、N等雜原子;較佳地,式(3)所表示之化合物含丙烯酸結構,具體地表示為下述式(5)所表示之化合物中之一種或多種:
Figure 02_image105
式(5) 其中,R 10係選自含有2至25個碳原子之有機基團,z係選自1至10之整數。自熱交聯效果考慮,z進一步較佳為2至8之整數;另外,R 10中可含有芳基結構,亦可不含有芳基結構,均具有良好熱交聯特性。
自熱交聯效果考慮,式(4)所表示之化合物中,q較佳為1至6之整數,R 7較佳地含有芳環結構。
具體地,熱交聯劑(b2)含有不飽和鍵 類之熱交聯劑中,式(3)及/或式(4)所表示之化合物可具體地列舉為以下化合物中之一種或多種:
Figure 02_image107
Figure 02_image109
Figure 02_image111
本發明對於熱交聯劑之合成方法沒有特別限定,如無特別說明,可應用已知之方法合成。
熱交聯劑之含量沒有特別限定,相對於樹脂組合物中(a)組分總量100質量份而言,熱交聯劑較佳為10至40質量份,更佳地為12至35質量份,進一步較佳地為14至30質量份,特別較佳地為16至26質量份。(b1)與(b2)之質量份之比較佳地為25:1至5:1,更佳地為22:1至8:1,進一步較佳地為20:1至10:1。
(c)感光劑 本發明之樹脂組合物所含有之(c)感光劑,沒有特別限定。感光劑可使用藉由吸收特定波長且分解而產生自由基之光聚合引發劑及/或光酸產生劑。在本發明中,較佳地為光酸產生劑。
作為樹脂組合物感光劑之光酸產生劑,可列舉出醌二疊氮化合物、鋶鹽、鏻鹽、重氮鎓鹽、碘鎓鹽等。自有機EL裝置之長期可靠性等方面出發,較佳為含有醌二疊氮化合物之光酸產生劑。
作為醌二疊氮化合物,可列舉出二疊氮基醌之磺酸以酯方式鍵合於聚羥基化合物而得到之化合物;二疊氮基醌之磺酸以磺醯胺方式鍵合於多胺化合物而得到之化合物;二疊氮基醌之磺酸以酯方式及/或磺醯胺方式鍵合於聚羥基多胺化合物而得到之化合物等。此等聚羥基化合物、聚胺基化合物、聚羥基聚胺基化合物之全部之官能基可不完全經二疊氮基醌取代,但較佳平均地官能基全體之40莫耳%以上經二疊氮基醌取代。藉由含有此類醌二疊氮化合物,從而使醌二疊氮化合物對鹼性水溶液之親和性降低,組合物曝光部與未曝光部之溶解速度之比增大,能夠以高解析度得到圖案,且能夠得到對作為通常之紫外線的汞燈之i射線(波長365 nm)、h射線(波長405 nm)、g射線(波長436 nm)具有感光性之正型感光性樹脂前驅物組合物。
本發明對作為感光劑之醌二疊氮化合物之種類及合成方法沒有特別限定,如無特別說明,可採用已知之醌二疊氮化合物及合成方法。醌二疊氮化合物可單獨使用,亦可多種組合使用,由此,能夠進一步增大曝光部與未曝光部之溶解速度之比,能夠得到高敏感度之感光性樹脂前驅物組合物。
感光劑之含量沒有特別限定,相對於樹脂組合物中(a)組分總量100質量份而言,較佳地為10至50質量份,更佳地為20至40質量份。藉由將感光劑之含量設定在該範圍,能夠實現高敏感度化,亦可根據需要進一步含有敏化劑等。
本發明之樹脂組合物除了(a)聚合物、(b)熱交聯劑及(c)感光劑以外,亦可含有下述添加劑。
(d)溶劑 本發明之樹脂組合物亦可包括有機溶劑。藉由添加溶劑,可更好地將(a)、(b)、(c)三種組分充分分散均勻,並將各成分溶解於溶劑中,並製成清漆狀,進一步提高樹脂組合物之塗佈性等特性。
作為樹脂組合物之有機溶劑,沒有特別限定,可列舉出醚類、乙酸酯類、酯類、酮類、芳族烴類、醯胺類或醇類之化合物。更具體而言,可列舉出γ-丁內酯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單正丙醚、乙二醇單正丁醚、二甘醇單甲醚、二甘醇、單乙醚、二甘醇單正丙醚、二甘醇單正丁醚、三甘醇單甲醚、三甘醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單正丙醚醚、丙二醇單正丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單正丙醚、二丙二醇單正丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙烯醚、四氫呋喃、二㗁烷、丙酮、甲乙酮、二異丁基酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮、雙丙酮醇、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-乙酸甲氧基丁酯、丙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、甲酸正戊酯、乙酸異戊酯戊酸丙酯正丁酯、丁酸乙酯、丁酸正丙酯、丁酸酯異丁酸、丁酸正丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸正丙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2-側氧基丁酸乙酯、芳族化合物(如甲苯及/或二甲苯)、醯胺(例如烴基、N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺及N,N-二甲基乙醯胺中之一種或幾種)。可含有其中之一種或幾種。
溶劑之含量沒有特別限定,為了使組合物溶解,相對於除溶劑外的樹脂組合物中(a)組分總量100質量份而言,較佳為100至2000質量份,更佳地為300至1700質量份,進一步較佳地為400至1200質量份,特別較佳地為600至1100質量份。亦可根據塗佈製程之需要,調節聚合物之含量製成黏度不同之樹脂組合物溶液,可更好地獲得特性優異之樹脂膜;較佳地,樹脂組合物溶液之黏度範圍為0.1至12000cP,進一步較佳0.5至10000cP,更進一步較佳1至8000cP。
(e)封端劑 對於樹脂組合物而言,為了將分子量調節至較佳範圍,可利用封端劑將兩末端封端。作為與酸二酐化合物反應之封端劑,可舉出單胺、一元醇等。另外,作為與二胺化合物反應之封端劑,可舉出酸酐、單羧酸、單醯氯化合物(monoacid chloride compounds)、單活性酯化合物、二碳酸酯化合物、乙烯醚化合物等。自封端效果以及耐熱性考慮,較佳地,封端劑中含有芳基官能基。另外,藉由獲得其他良好之效果,亦可在封端劑導入各種功能性有機基團作為末端基團存在。例如,引入羥基、羧基等鹼溶性官能基,可提高其鹼可溶特性;引入不飽和鍵,可提高其熱交聯特性等。進一步較佳地,導入之各種功能性有機基團與封端劑中之芳環相連接,以獲得更優之特性。
封端劑之含量沒有特別限定,相對於樹脂組合物中(a)組分總量100質量份而言,較佳地為0.1至20質量份,更佳地為0.8至15質量份,更進一步較佳地為1.0至10。藉由將封端劑之含量設定在該範圍,能夠獲得良好之封端效果,同時亦不會有過多之有機質殘留於樹脂組合物中。
(f)酚羥基化合物 作為本發明之樹脂組合物之添加劑,亦可含有具有酚羥基之化合物。藉由含有具有酚羥基之化合物,可更好地提高聚合物之鹼溶特性,從而能夠縮短顯影時間。詳言之,藉由含有酚羥基之化合物,得到之樹脂組合物在曝光前基本不溶解於鹼性顯影液中,若曝光則容易地溶解於鹼性顯影液中,並且容易在短時間內進行顯影,因此由顯影導致之膜減損少。因此,可獲得更精細之凹凸圖形。
作為此等酚羥基化合物,除上述提及之含有酚羥基之化合物之種類以外,亦可列舉出Bis-Z、BisOC-Z、BisOPP-Z、BisP-CP、Bis26X-Z、BisOTPB-Z、BisOCHP-Z、BisOCR-CP、BisP-MZ、BisP-EZ、Bis26X-CP、BisP-PZ、BisP-IPZ、BisCR-IPZ、BisOCP-IPZ、BisOIPP-CP、Bis26X-IPZ、BisOTPB-CP、TekP-4HBPA、TrisP-HAP、TrisP-PA、BisOFP-Z、BisRS-2P、BisPG-26X、BisRS-3P、BisOC-OCHP、BisPG-26X、BisPC-OCHP、Bis26X-OCHP、BisPG-26X、BisOCHP-OC、Bis236T-OCHP、BisRS-26X、BIR-OC、BIP-PC、BIR-PC、BIR-PTBP、BIR-PCHP、BIP-BIOC-F、BIR-BIPC-F、TEP-BIP-A等;較佳為Bis-Z、BisP-EZ、TekP-4HBPA、TrisP-HAP、TrisP-PA、BisOCHP-Z、BisP-MZ、BisP-PZ、BisP-IPZ、BisOCP-IPZ、BisP-CP、BisRS-2P、BisRS-3P、BisP-OCHP、BisRS-26X、BIP-PC、BIR-PC、BIR-PTBP及BIR-BIPC-F。可含有其中之一種或幾種。本發明中,提及之其他帶有酚羥基之結構或物質,亦可作為一種酚羥基化合物存在。
自酚羥基化合物之耐熱性之觀點考慮,較佳為雙酚類。酚羥基化合物之含量相對於樹脂組合物總量100質量份而言,較佳地為1至50質量份。由此,能夠在維持高耐熱性之同時提高感光性樹脂前驅物組合物之鹼顯影性。
本發明之樹脂組合物中,亦可包括聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物、聚苯并㗁唑、聚苯并㗁唑前驅物、或其共聚物中之至少一兩種或更多種。
<樹脂組合物之製備> 第一步為聚合物之合成,先將本發明所需要之二胺及酸二酐分別投入至溶劑中,並在-20至150℃之條件下,攪拌反應1至10小時,進行聚合反應,在反應中途加入封端劑,形成目標分子量之(a)聚合物。然後再將酯化劑加入至溶液體系中反應1分鐘至3小時,最後將聚合物投入至水中,即得到目標聚合物。
自溶解均一性考慮,(a)聚合物之分子量範圍較佳為5000至500000,進一步較佳為8000至350000,更進一步較佳為10000至250000。
作為本發明之二胺及/或酸二酐,除上述提及之二胺及/或酸二酐以外,亦可配合其他普通常見二胺及/或酸二酐共同使用,其目的在於調節聚合物之特性,以獲得特性更優異之樹脂膜。
作為酯化劑,沒有特別限定,如無特別說明,可應用已知之方法合成。可具體地列舉例為:
Figure 02_image113
自酯化效果以及形成樹脂膜之特性方面考慮,較佳為分子量較小之酯化劑,以形成小分子量之酯化保護基團。其中,酯化劑較佳為以下結構之化合物:
Figure 02_image115
作為聚合過程中所使用之溶劑,沒有特別限定,只要能夠溶解作為原料單體之酸二酐類及二胺類即可。具體而言,可列舉出N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、N,N′-二甲基丙烯基脲、N,N-二甲基異丁醯胺、甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺等醯胺類;γ-丁內酯、γ-戊內酯、δ-戊內酯、γ-己內酯、ε-己內酯、α-甲基-γ-丁內酯等環狀酯類;碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等碳酸酯類;三乙二醇等二醇類;間甲酚、對甲酚等酚類;苯乙酮、環丁碸、二甲亞碸、四氫呋喃、二甲亞碸、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯等。
第二步為清漆之配製,先將所得目標聚合物加入至溶劑中溶解,然後再將(b)熱交聯劑、(c)感光劑加入至溶液體系中;根據其他功能性需求,亦可加入一些其他添加劑,例如加入酚羥基化合物以提高鹼溶性等,最終得到清漆,亦稱之為一種樹脂組合物。自清漆之穩定性考慮,較佳地含量為5至55%,進一步較佳6至35%,更進一步較佳7至25%,再進一步較佳8至15%。自塗佈特性考慮,較佳地,樹脂組合物溶液之黏度範圍為0.1至12000cP,進一步較佳0.5至10000cP,更進一步較佳1至8000cP。
<樹脂膜> 本發明之樹脂膜可由上述樹脂組合物製備得到。具體而言,可在基板上塗佈樹脂組合物,並乾燥、曝光、顯影、熱處理固化,得到賦有固定圖形之樹脂膜,稱之為感光性樹脂膜。亦可不進行曝光、顯影工序,而直接獲得普通之樹脂膜,若此普通之樹脂膜再進一步層疊可形成保護膜。
作為基板,可使用矽晶圓、陶瓷類、砷化鎵、有機系電路基板、無機系電路基板、及在此等基板上組態電路之構成材料而得到的基板等,但並不限定於此等。
塗佈方法可包括旋塗法、狹縫塗佈法、浸塗法、噴塗法、印刷法等;較佳為狹縫塗佈法。
乾燥之方法可為採用烘箱、加熱板或紅外線方法中之一種或多種組合使用,加熱溫度較佳為50℃至180℃,加熱時間較佳大於30秒。
曝光方法為,將乾燥好之樹脂組合物上覆蓋具有所希望之圖形之光罩,照射化學線進行曝光。作為曝光使用之化學線,有紫外線、可見光線、電子射線、X射線等,本發明較佳使用水銀燈之i線(365 nm)、h線(405 nm)、g線(436 nm)。為了形成耐熱性樹脂之圖形,曝光後用顯影液除去曝光部分。顯影後,藉由加熱固化可得到感光性樹脂膜。顯影液可用一般公知之顯影液,顯影方法亦可用一般之公知方法。
熱處理固化方法可為可使用烘箱、加熱板、紅外線中之一種及/或多種組合之方法;自平坦化程度方面考慮,熱處理階段分為第一階段及第二階段;在第一階段之熱處理固化時,固化溫度為120至180℃,固化時間為2分鐘至4小時;在此熱處理固化階段,熱交聯劑(b1)芳族酯類熱交聯劑開始起主要交聯反應;藉由第一階段熱處理固化,可將樹脂膜進行可控程度之預交聯,減少樹脂膜因交聯反應而產生之形變;然後,在第二段之熱處理固化時,固化溫度為180至400℃,固化時間為2分鐘至4小時;在此熱處理固化階段,熱交聯劑(b2)含有不飽和鍵 類之熱交聯劑開始起主要交聯反應;藉由第二階段熱處理固化,可將樹脂膜進一步交聯固化,形成穩定之樹脂膜;因為第一階段之交聯反應,使得第二階段之交聯反應不會很劇烈,從而有效控制了顯影後之樹脂膜因熱處理固化而產生巨大形變,因此更好地控制了熱處理固化後感光性樹脂膜之平坦化程度。自所得感光性樹脂膜之平坦化程度考慮,第二階段之熱處理固化條件中,最高溫度較佳在380℃以下,進一步較佳在350℃以下;亦較佳地,在升溫程序中,較佳為多段平緩地升溫。
本發明之樹脂膜,包括感光性樹脂膜、普通樹脂膜、保護膜,不僅可應用於有機EL顯示器件,亦可應用於半導體器件、多層佈線板等電子部件。為得到良好之器件特性,樹脂膜之厚度較佳為0.4至25 µm,更佳為1.0-18 µm,進一步較佳為1.5至12 µm。
<顯示器件> 本發明亦提供了一種顯示器件;具體而言,包含由本發明所涉及之樹脂組合物獲得的普通樹脂膜及/或感光性樹脂膜及/或保護膜,可用於在基板上具有驅動電路、平坦化層、第一電極、絕緣層、發光層及第二電極之有機EL顯示裝置中之平坦化層及/或絕緣層。以得到長期可靠且彎曲回復特性優秀之有機EL顯示裝置。
本發明之顯示器件能夠以合適之方式實現彎曲摺疊。例如,可諸如在感光器件之中央部分彎曲,亦可在感光器件之端部彎曲;根據具體用途以及基本組態,可在顯示器件之特定部分實現多次彎曲,並保持長期有效之顯示特性。
<實施例> 以下列舉出實施例對本發明進行說明,但本發明並不限於此等例子。首先,對實施例中涉及之部分單體對應之簡稱進行說明。 化合物1:二胺5 (3,3′-二羥基聯苯胺,CAS號:2373-98-0)
Figure 02_image117
化合物2:酸二酐1 (4,4′-氧雙鄰苯二甲酸酐,CAS號:1823-59-2)
Figure 02_image119
化合物3:酸二酐2 (六氟二酐,CAS號:1107-00-2)
Figure 02_image121
化合物4:酸二酐3 (對-伸苯基-雙苯偏三酸酯二酐,CAS號:2770-49-2)
Figure 02_image123
化合物5:酸二酐4 (3,3,4,4-二苯基碸四甲酸二酐,CAS號:2540-99-0)
Figure 02_image125
化合物6:酸二酐5 (4,4′-對苯二氧雙鄰苯二甲酸酐,CAS號:17828-53-4)
Figure 02_image127
化合物7:酸二酐6 (3,3′,4,4′-聯苯四甲酸二酐,CAS號:2420-87-3)
Figure 02_image129
化合物8:熱交聯劑(b1)-1 (4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚),CAS號:672926-26-0)
Figure 02_image131
化合物9:熱交聯劑(b2)-1 (聚二季戊四醇六丙烯酸酯,CAS號:29570-58-9)
Figure 02_image133
化合物10:熱交聯劑(b2)-2 ((甲基-1,3-伸苯基)二[亞胺基甲醯氧基[2,2-二[[(1-側氧基烯丙基)氧基]甲基]]-3,1-丙烷二基]二丙烯酸酯,CAS號:51160-64-6)
Figure 02_image135
化合物11:熱交聯劑(b2)-3 (4-(三異丙矽乙炔基)苯乙炔,CAS號:75345-90-1)
Figure 02_image137
化合物12:矽氧烷化合物1 (SiDA,CAS號:2469-55-8)
Figure 02_image139
化合物13:矽氧烷化合物2 (2,2′-(1,1-二乙基-3,3-二甲基二矽氧烷-1,3-二基)雙(乙烷-1-胺),CAS號:2152657-68-4)
Figure 02_image141
化合物14:酯化劑1 (N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛,CAS號:1188-33-6)
Figure 02_image143
化合物15:封端劑1 (MAP,CAS號:591-27-5)
Figure 02_image145
化合物16:封端劑2 (4-乙炔基苯胺,CAS號:14235-81-5)
Figure 02_image147
化合物17:溶劑1 (NMP,CAS號:872-50-4) 化合物18:溶劑2 (GBL,CAS號:96-48-0)
合成實例 1二胺1:N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(6-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)
Figure 02_image149
步驟一:1L反應瓶內,向其中加入2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷22g (0.06mol)、環氧丙烷20.91g (0.36mol)及丙酮120mL,常溫下攪拌至完全溶解,將反應體系降溫至-15℃。然後,向其中加入間硝基苯甲醯氯之24.49g (0.132mol)丙酮溶液120ml,滴加完畢後在-15℃下保持攪拌5小時,然後自然升至室溫。將得到之反應液減壓過濾,得到類白色固體,將固體在真空烘箱內60℃乾燥20小時。
步驟二:將得到之類白色固體20g (0.03mol)、5%鈀碳2.58g及乙二醇甲醚170mL加入至500mL高壓反應釜中,並置換氫氣,用氫氣加壓,使釜內壓達至10kgf/cm 2,在35℃下攪拌2小時。然後,緩慢釋放壓力,將反應液減壓過濾,得到透明溶液。向溶液中加入乙醇及石油醚,攪拌6小時後過濾,得到白色固體,將固體在真空烘箱中50℃乾燥20小時,得到二胺1,亦即N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(6-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)。
合成實例 2二胺2:N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(5-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)
Figure 02_image151
步驟一:1L反應瓶內,向其中加入2,2-雙(3-胺基-5-羥基苯基)六氟丙烷22g (0.06mol)、環氧丙烷20.91g (0.36mol)及120ml丙酮,常溫下攪拌至完全溶解,將反應體系降溫至-15℃。然後,向其中緩慢滴加3-硝基苯甲醯氯24.49g (0.132mol)之丙酮(120ml)溶液,滴加完畢後在-15℃下保持攪拌5小時,然後自然升至室溫。將得到之反應液減壓過濾,得到類白色固體,將固體在真空烘箱內60℃乾燥20小時。
步驟二:將得到之類白色固體20g (0.03mol)、5%鈀碳2.58g及170ml乙二醇甲醚加入至500ml高壓反應釜中,並置換氫氣,用氫氣加壓,使釜內壓力達至10kgf/cm2,在35℃下攪拌2小時。然後,緩慢釋放壓力,將反應液減壓過濾,得到透明溶液。向此溶液中加入乙醇及石油醚,攪拌6小時析出固體沈澱物,過濾,得到白色固體,將固體在真空烘箱中50℃乾燥20小時,得到二胺2,亦即N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(5-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)。
合成實例 3二胺3:N,N′-(氧基雙(6-羥基-5-(三氟甲基)-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)
Figure 02_image153
步驟一:1L反應瓶內,向其中加入二(3-三氟甲基-4-羥基-5胺基)苯醚22.1g (0.06mol)、環氧丙烷20.91g (0.36mol)及120ml丙酮,常溫下攪拌至完全溶解,將反應體系降溫至-15℃。然後,向其中緩慢滴加3-硝基苯甲醯氯24.49g (0.132mol)之丙酮(120ml)溶液,滴加完畢後在-15℃下保持攪拌5小時,然後自然升至室溫。將得到之反應液減壓過濾,得到類白色固體,將固體在真空烘箱內60℃乾燥20小時。
步驟二:將得到之類白色固體20g (0.03mol)、5%鈀碳2.58g及170ml乙二醇甲醚加入至500ml高壓反應釜中,並置換氫氣,用氫氣加壓,使釜內壓力達至10kgf/cm2,在35℃下攪拌2小時。然後,緩慢釋放壓力,將反應液減壓過濾,得到透明溶液。向此溶液中加入乙醇及石油醚,攪拌6小時析出固體沈澱物,過濾,得到白色固體,將固體在真空烘箱中50℃乾燥20小時,獲得二胺3,亦即N,N′-(氧基雙(6-羥基-5-(三氟甲基)-3,1-伸苯基))雙(3-胺基苯甲醯胺)。
合成實例 4二胺4:5,5′-(全氟丙烷-2,2-二基)雙(2-(4-胺基苯氧基)苯酚)
Figure 02_image155
步驟一:1L反應瓶內,向其中加入2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)-二甲基丙烷15.5g (0.06mol)、環氧丙烷20.91g (0.36mol)及140ml丙酮,常溫下攪拌至完全溶解,使反應體系降溫至-15℃。然後,向其中緩慢滴加間硝基苯甲醯氯之24.49g (0.132mol)丙酮140ml溶液,滴加完畢後在-15℃下保持攪拌5小時,然後自然升至室溫。將得到之反應液減壓過濾,得到白色固體,將固體在真空烘箱內60℃乾燥20小時。
步驟二:將得到之白色固體14.9g (0.03mol)、5%鈀碳2.58g及170ml乙二醇甲醚加入至500ml高壓反應釜中,並置換氫氣,用氫氣加壓,使釜內壓達至10kgf/cm2,在40℃下攪拌2小時。然後,緩慢釋放壓力,將反應液減壓過濾,得到透明溶液。向溶液中加入乙醇及石油醚,攪拌6小時析出固體,過濾,得到白色固體,將固體在真空烘箱中50℃乾燥20小時,獲得二胺4,亦即5,5′-(全氟丙烷-2,2-二基)雙(2-(4-胺基苯氧基)苯酚)。
合成實例 5感光劑1:二疊氮萘醌類化合物
Figure 02_image157
在氮氣保護體系下,將30.6g之1,1,1-三(4-羥基苯基)乙烷及80.5g之5-二疊氮萘醌磺醯氯溶解於1,4-二氧六環中,將反應體系升溫至30℃,滴加100g之1,4-二氧六環及13.3g之三乙胺之混合溶液,保持體系溫度30℃,攪拌3小時,將反應液過濾,除去三乙胺鹽,將濾液滴加入純淨水中,有固體析出,過濾溶液,收集析出沈澱物,用真空烘箱乾燥,製得感光劑1,亦即二疊氮萘醌類化合物。
合成實例 6 樹脂 (a-1) 之合成在氮氣保護體系下,將合成實例4中得到之5,5′-(全氟丙烷-2,2-二基)雙(2-(4-胺基苯氧基)苯酚)(二胺4) 0.09mol及MAP (封端劑1) 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液油浴中加入4,4′-氧雙鄰苯二甲酸酐(酸二酐1) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-1)。
合成實例 7 樹脂 (a-2) 之合成在氮氣保護體系下,將合成實例1中得到之N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(6-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)(二胺1) 0.085mol、SiDA 0.005mol及MAP (封端劑1) 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液中加入4,4′-氧雙鄰苯二甲酸酐(酸二酐1) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-2)。
合成實例 8 樹脂 (a-3) 之合成在氮氣保護體系下,將合成實例1中得到之N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(6-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)(二胺1) 0.085mol、SiDA 0.005mol及MAP (封端劑1) 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液中加入六氟二酐(酸二酐2) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-3)。
合成實例 9 樹脂 (a-4) 之合成在氮氣保護體系下,將合成實例1中得到之N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(6-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)(二胺1) 0.085mol、SiDA 0.005mol及MAP (封端劑1) 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液中加入對-伸苯基-雙苯偏三酸酯二酐(酸二酐3) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-4)。
合成實例 10 樹脂 (a-5) 之合成在氮氣保護體系下,將合成實例2中之N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(5-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)(二胺2) 0.085mol、SiDA 0.005mol及封端劑MAP (封端劑1) 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液中加入3,3,4,4-二苯基碸四羧酸二酐(酸二酐4) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-5)。
合成實例 11 樹脂 (a-6) 之合成在氮氣保護體系下,將合成實例3得到之N,N′-(氧基雙(6-羥基-5-(三氟甲基)-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)(二胺3) 0.085mol、SiDA 0.005mol及封端劑MAP 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液中加入4,4′-對苯二氧雙鄰苯二甲酸酐(酸二酐5) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-6)。
合成實例 12 樹脂 (a-7) 之合成在氮氣保護體系下,將合成實例4得到之5,5′-(全氟丙烷-2,2-二基)雙(2-(4-胺基苯氧基)苯酚)(二胺4) 0.085mol、SiDA 0.005mol及封端劑MAP 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液中加入4,4′-對苯二氧雙鄰苯二甲酸酐(酸二酐5) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-7)。
合成實例 13 樹脂 (a-8) 之合成在氮氣保護體系下,將合成實例1中得到之N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(6-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)(二胺1) 0.085mol、SiDA 0.005mol及4-乙炔基苯胺(封端劑2) 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液中加入4,4′-氧雙鄰苯二甲酸酐(酸二酐1) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-8)。
合成實例 14 樹脂 (a-9) 之合成在氮氣保護體系下,將合成實例1中得到之N,N′-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(6-羥基-3,1-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)(二胺1) 0.085mol、2,2′-(1,1-二乙基-3,3-二甲基二矽氧烷-1,3-二基)雙(乙烷-1-胺)(矽氧烷化合物2) 0.005mol及封端劑MAP 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液中加入4,4′-氧雙鄰苯二甲酸酐(酸二酐1) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-9)。
合成實例 15 樹脂 (a-10) 之合成在氮氣保護體系下,將3,3′-二羥基聯苯胺(二胺5) 0.085mol及封端劑MAP 0.05mol溶解在NMP 500mL中,攪拌溶解後,進行60℃油浴加熱。在反應液中加入3,3′,4,4′-聯苯四羧酸二酐(酸二酐6) 0.1mol,反應2小時。隨後,加入酯化劑N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛5.0mol,攪拌3小時,投入水2L中,過濾,洗滌3次。使用真空乾燥機於50℃乾燥72小時,得到樹脂(a-10)。
合成實例6至15中(a)聚合物之合成配比如表1所示。 [表1]
   二胺 酸二酐 矽氧烷化合物 封端劑 酯化劑 溶劑 鹼溶性樹脂編號
合成實例6 二胺4 0.09mol 酸二酐1 0.1mol MAP 0.05mol 酯化劑1 5mol NMP 500mL (a-1)
合成實例7 二胺1 0.085mol 酸二酐1 0.1mol SiDA 0.005mol MAP 0.05mol (a-2)
合成實例8 二胺1 0.085mol 酸二酐2 0.1mol SiDA 0.005mol MAP 0.05mol (a-3)
合成實例9 二胺1 0.085mol 酸二酐3 0.1mol SiDA 0.005mol MAP 0.05mol (a-4)
合成實例10 二胺2 0.085mol 酸二酐4 0.1mol SiDA 0.005mol MAP 0.05mol (a-5)
合成實例11 二胺3 0.085mol 酸二酐5 0.1mol SiDA 0.005mol MAP 0.05mol (a-6)
合成實例12 二胺4 0.085mol 酸二酐5 0.1mol SiDA 0.005mol MAP 0.05mol (a-7)
合成實例13 二胺1 0.085mol 酸二酐1 0.1mol SiDA 0.005mol 封端劑2 0.05mol (a-8)
合成實例14 二胺1 0.085mol 酸二酐1 0.1mol 矽氧烷化合物2 0.005mol MAP 0.05mol (a-9)
合成實例15 二胺5 0.085mol 酸二酐6 0.1mol MAP 0.05mol (a-10)
實施例 1稱取上述合成實例6中得到之樹脂(a-1) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及聚二季戊四醇六丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-1) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料1。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 2稱取上述合成實例7中得到之樹脂(a-2) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及聚二季戊四醇六丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-1) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料2。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 3稱取上述合成實例7中得到之鹼溶性樹脂(a-2) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及(甲基-1,3-伸苯基)二[亞胺基甲醯氧基[2,2-二[[(1-側氧基烯丙基)氧基]甲基]]-3,1-丙烷二基]二丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-2) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料3。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 4稱取上述合成實例8中得到之樹脂(a-3) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及聚二季戊四醇六丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-1) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料4。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 5稱取上述合成實例9中得到之樹脂(a-4) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及聚二季戊四醇六丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-1) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料5。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 6稱取上述合成實例10中得到之樹脂(a-5) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及(甲基-1,3-伸苯基)二[亞胺基甲醯氧基[2,2-二[[(1-側氧基烯丙基)氧基]甲基]]-3,1-丙烷二基]二丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-2) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料6。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 7稱取上述合成實例11中得到之樹脂(a-6) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及聚二季戊四醇六丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-1) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料7。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 8稱取上述合成實例12中得到之樹脂(a-7) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及(甲基-1,3-伸苯基)二[亞胺基甲醯氧基[2,2-二[[(1-側氧基烯丙基)氧基]甲基]]-3,1-丙烷二基]二丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-2) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料8。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 9稱取上述合成實例12中得到之樹脂(a-7) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及聚二季戊四醇六丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-1) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料9。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 10稱取上述合成實例13中得到之樹脂(a-8) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚)(熱交聯劑(b1)-1) 2g及4-(三異丙矽乙炔基)苯乙炔(熱交聯劑(b2)-3) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料10。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例 11稱取上述合成實例14中得到之樹脂(a-9) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及4-(三異丙矽乙炔基)苯乙炔(熱交聯劑(b2)-3) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料11。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
比較實例 1稱取上述合成實例15中得到之樹脂(a-10) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再分別加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2g及聚二季戊四醇六丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-1) 0.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料12。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
比較實例 2稱取上述合成實例7中得到之樹脂(a-2) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再加入4,4′,4′′-(乙烷-1,1,1-三基)三(2,6-雙(甲氧基甲基)苯酚) (熱交聯劑(b1)-1) 2.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料13。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
比較實例 3稱取上述合成實例7中得到之鹼溶性樹脂(a-2) 10g,加入至GBL溶劑150g中,再聚二季戊四醇六丙烯酸酯(熱交聯劑(b2)-1) 2.11g,以及醌二疊氮化合物感光劑3g,攪拌1小時,得到漿料14。對所得之漿料進行效果評價,結果如表3所示。
實施例1至11、比較實例1至3中漿料之合成配比如表2所示。 [表2]
   聚合物(a) 熱交聯劑(b1) 熱交聯劑(b2) 感光劑(c) 溶劑
實施例1 (a-1) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-1 0.11g 醌二疊氮化合物 3g GBL 150g
實施例2 (a-2) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-1 0.11g
實施例3 (a-2) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-2 0.11g
實施例4 (a-3) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-1 0.11g
實施例5 (a-4) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-1 0.11g
實施例6 (a-5) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-2 0.11g
實施例7 (a-6) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-1 0.11g
實施例8 (a-7) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-2 0.11g
實施例9 (a-7) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-1 0.11g
實施例10 (a-8) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-3 0.11g
實施例11 (a-9) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-3 0.11g
比較實例1 (a-10) 10g (b1)-1 2.0g (b2)-1 0.11g
比較實例2 (a-2) 10g (b1)-1 2.11g
比較實例3 (a-2) 10g (b2)-1 2.11g
特性測試方法 實施例中樹脂組合物之分子量可用普通GPC測試,黏度可用E型黏度儀測試,膜厚可用普通之膜厚儀測試;對於由樹脂組合物形成之樹脂膜之評價按照以下之方法進行。
1、熱交聯等組評定方法: 本發明使用熱機械分析法(Thermal mechanical analysis;TMA)測試玻璃化轉變溫度T g (耐馳公司之設備型號:DSC3500);除此以外,亦可使用動態熱機械分析法(Dynamic mechanical analysis;DMA)、差示掃描量熱儀法(Differential scanning calorimeter;DSC)等方法進行測試。具體方法如下:對調配好之清漆進行旋塗、烘乾、曝光、顯影、熱處理固化製程後,得到感光性樹脂膜,其膜厚度為5μm±0.1μm;然後將感光性樹脂膜製備成熱機械分析法測試用樣品,進行測試,即可得T g數值。T g代表分子鏈片斷之運動特性,T g值越大,說明分子鏈片斷之運動特性越小,亦即說明熱交聯程度越優。T g≧335℃時,熱交聯程度優良,評定為○;T g為325至335℃時,熱交聯程度良好,評定為Δ;T g≦325℃時,熱交聯程度較差,評定為×。
2、平坦性指數之評價方法: 本發明使用CD-SEM (Hitachi-Hightechnology公司之設備型號:SU3500)測試平坦性指數。具體方法如下:對調配好之清漆進行旋塗、預烘,使得膜厚度為4μm±0.1μm;然後進行曝光、顯影製程後,測試其膜厚度為h 1,再進行熱處理固化製程後測試其膜厚度為h 2;使用CD-SEM進行h 1、h 2測試。按照以下公式(1)計算平坦性指數(%),平坦性指數越大,說明膜在熱處理固化時收縮變形大,則平坦化程度越差;平坦性指數越小,說明膜在熱處理固化時收縮變形越小,則平坦化程度越好,平坦化程度最終影響器件之效率、良率、壽命等特性。平坦性指數≦25%時,評定為優良,標記為○;平坦性指數在25%至35%時,評定為良好,標記為Δ;平坦性指數≧35%時,評定為較差,標記為×。 平坦化指數(%)=(h 1-h 2)/h 1×100%   公式(1)
3、可撓性指數評價: 本發明使用拉伸試驗機(Tensilon公司之設備型號:RTG1210)測試膜之機械特性。具體方法如下:對調配好之清漆進行旋塗、烘乾、熱處理固化製程後,得到普通之樹脂膜,其膜厚度為5μm±0.1μm;再將普通之樹脂膜製備成樣條進行拉伸試驗,得到抗拉強度、伸度及楊氏模量之資料。抗拉強度,表徵在發生應力變形時,容易破斷之程度,因此抗拉強度越大越好;伸度,表徵在發生應力變形時,分子鏈伸長運動之程度,伸度太小時,分子鏈伸長運動極小/極困難,亦即難以發生彈性形變,伸度太大時,容易產生塑性形變,發生應力變形時,則難以回復,所以伸度在一定範圍內才有利於彎曲回復;楊氏模量,表徵材料之剛性,亦即剛性太大時,難以發生應力形變,剛性太小時,容易發生塑性形變,造成形變後難以回復,所以楊氏模量在一定範圍內才有利於彎曲回復;亦即可撓性指數之好壞亦反應了彎曲回復特性之好壞。當在抗拉強度≧120 MPa,伸度範圍在5至28%,楊氏模量範圍在0.5至9.0GPa時,可撓性指數優越,評定為◎;當抗拉強度範圍在90至120 MPa,伸度範圍在5至28%,楊氏模量範圍在0.5至9.0GPa時,可撓性指數良好,評定為○;當抗拉強度在≧90MPa,伸度≧28%或伸度≦2%,楊氏模量≧9.0GPa或楊氏模量≦0.5GPa時,可撓性指數一般,評定為Δ;當抗拉強度≦90 MPa時,可撓性指數較差,評定為×。
實施例1至11、比較實例1至3之評價結果如表3所示。 [表3]
   評價結果
玻璃化轉變溫度T g/ 熱交聯程度等級 平坦性指數等級 可撓性指數
實施例1 336.0 Δ ~○
實施例2 337.0
Figure 02_image159
實施例3 336.0
Figure 02_image159
實施例4 338.0
Figure 02_image159
實施例5 341.0 Δ ~○
實施例6 340.0
Figure 02_image159
實施例7 339.0 Δ ~○
實施例8 338.0 Δ
實施例9 342.0 Δ
實施例10 336.0 Δ
Figure 02_image159
實施例11 335.0 Δ
Figure 02_image159
比較實例1 335.0 Δ × Δ
比較實例2 326.0 Δ ×~△ Δ
比較實例3 318.0 × × Δ
根據上述表3中實施例1至11、比較實例1至3之評價結果,實施例2至4、實施例6具有優秀之熱交聯程度等級、平坦性指數等級及可撓性指數。換言之,上述實施例2至4、實施例6中之樹脂組合物能夠獲得更佳平坦性及彎曲回復特性,為理想的。
實施例1、5、7至9之熱交聯程度等級為優良、平坦性指數等級為優良或良好、可撓性指數評價為良好,在平坦性指數等級特性及可撓性指數兩方面略差於理想之實施例2至4、實施例6。實施例10、實施例11之熱交聯程度等級為良好、平坦性指數等級為優良、可撓性指數評價為優越,在熱交聯程度等級上差於理想之實施例1至9,但保持了優越之可撓性指數。因此,相較於實施例2至4及實施例6,實施例1、5、7至11為次理想的。
比較實例1至3之熱交聯程度等級評價為良好或較差、平彈性指數等級評價為良好或較差、可撓性指數評價為一般,相較於實施例1至11,綜合特性較差,為不理想的。
Figure 111123483-A0101-11-0001-1

Claims (11)

  1. 一種樹脂組合物,至少含有(a)、(b)及(c)三種組分;其中,上述(a)組分為具有下述式(1)所表示之結構之聚合物,上述(b)組分包含熱交聯劑(b1)及熱交聯劑(b2),上述(c)組分為感光劑,
    Figure 03_image165
    式(1) 其中,R 1、R 2獨立地選自至少含有1種除氫以外之其他原子;R 3、R 4獨立地選自氫原子或碳原子為1至20個之有機基團,n係選自1至10之整數。
  2. 如請求項1之樹脂組合物,其中,上述熱交聯劑(b1)為芳族酯類熱交聯劑,上述熱交聯劑(b2)為含有不飽和鍵之熱交聯劑。
  3. 如請求項2之樹脂組合物,其中,上述熱交聯劑(b1)係選自熱交聯溫度在120至180℃之低溫熱交聯化合物,更具體地選自下述式(2)所表示之結構,
    Figure 03_image167
    式(2) 其中,R 8係選自含有2至30個碳原子之有機基團;R 9係選自含有1至10個碳原子之有機基團;s係選自1至4之整數,p係選自1至16之整數,且s+p>2。
  4. 如請求項2之樹脂組合物,其中,上述熱交聯劑(b2)係選自熱交聯溫度在180至400℃之熱交聯化合物,更具體地選自下述式(3)及/或式(4)所表示之結構中之一種或多種,
    Figure 03_image169
    式(3)
    Figure 03_image171
    式(4) 其中,R 6、R 7獨立地選自至少含有2至30個碳原子之有機基團;y、q獨立地選自1至10之整數。
  5. 如請求項4之樹脂組合物,其中,上述式(3)所表示之結構為含丙烯酸結構,更具體地選自下述式(5)所表示之結構中之一種或多種,
    Figure 03_image173
    式(5) 其中,R 10係選自含有2至25個碳原子之有機基團,z係選自1至10之整數。
  6. 如請求項1至5中任一項之樹脂組合物,其中,上述(a)組分為具有下述式(6)所表示之結構之聚合物,
    Figure 03_image175
    式(6) 其中,R 1、R 2獨立地選自至少含有1種氫以外之其他原子;R 3、R 4獨立地選自氫原子或碳原子為1至20個之有機基團,R 5係選自鹵素及/或鹵代烴基及/或1至10個碳原子之有機基團;n、m獨立地選自1至10之整數。
  7. 如請求項1至6中任一項之樹脂組合物,其中,還包含有聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物、聚苯并㗁唑、聚苯并㗁唑前驅物、或其共聚物中之一種或多種。
  8. 如請求項1至7中任一項之樹脂組合物,其中,上述(c)組分之感光劑為光酸產生劑。
  9. 如請求項1至8中任一項之樹脂組合物,其中,還含有酚羥基化合物。
  10. 一種感光性樹脂膜,係由如請求項1至9中任一項之樹脂組合物製備而得。
  11. 一種顯示器件,係由如請求項1至9中任一項之樹脂組合物製備而得,或包含有如請求項10之感光性樹脂膜。
TW111123483A 2021-07-27 2022-06-23 樹脂組合物、樹脂膜及顯示器件 TWI844874B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110851447.X 2021-07-27
CN202110851447.XA CN113467187B (zh) 2021-07-27 2021-07-27 树脂组合物、树脂膜及显示器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202307089A true TW202307089A (zh) 2023-02-16
TWI844874B TWI844874B (zh) 2024-06-11

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
US20230104913A1 (en) 2023-04-06
CN113467187A (zh) 2021-10-01
KR20230018355A (ko) 2023-02-07
CN113467187B (zh) 2022-05-10
WO2023005263A1 (zh) 2023-02-02
DE112022000006T5 (de) 2023-03-23
CN115685681A (zh) 2023-02-03
JP2023538470A (ja) 2023-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9012595B2 (en) Polyimide and photoresist resin composition comprising thereof
US9454078B2 (en) Positive-type photosensitive resin composition, method for producing semiconductor device including cured film using the same
KR100532590B1 (ko) 감광성 폴리이미드 전구체용 가용성 폴리이미드 및, 이를포함하는 감광성 폴리이드 전구체 조성물
JP5742376B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
CN114315686B (zh) 含炔基的二胺及其制备方法和在制备感光树脂组合物中的应用
TWI413865B (zh) 正型光敏樹脂組成物
JPWO2010134207A1 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子
CN111812943A (zh) 一种感光性树脂组合物、感光性树脂膜及图案形成方法
KR20120009899A (ko) 폴리이미드 공중합체 및 이를 포함하는 감광성 수지 조성물
JP6102736B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP5054158B2 (ja) ポジティブ型感光性組成物
JP2012516374A (ja) 感光性ポリイミドおよびそれを含む感光性樹脂組成物
KR20200121253A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 경화 피막 형성 방법, 층간 절연막, 표면 보호막, 및 전자 부품
JP2011202059A (ja) 樹脂およびポジ型感光性樹脂組成物
KR101750463B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자
WO2023005263A1 (zh) 树脂组合物、树脂膜及显示器件
CN115010924B (zh) 光敏聚酰亚胺树脂组合物及包含其的聚酰亚胺树脂膜与应用
CN114836033B (zh) 一种树脂前体组合物及其树脂膜和制备方法与应用
JP2024510332A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、絶縁膜及びそれを含む表示装置
KR20190143715A (ko) 가지형 공중합체, 이를 이용한 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 필름 및 광학 장치
KR101113037B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
CN114755891A (zh) 一种正型感光性树脂组合物及其制备方法
JP2011053678A (ja) ポジ型感光性組成物
KR102275345B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR101333690B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물