TW202243095A - 晶圓載置台及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的靜電夾頭10具備：第1陶瓷基體11，在上表面具有晶圓載置面11a；第2陶瓷基體12，配置於第1陶瓷基體11的下表面側；金屬接合層13，接合第1陶瓷基體11的下表面與第2陶瓷基體12的接合面；和上底20a與下底20b，且具備：連接構件20，在上底20a與金屬接合層13接觸的狀態下埋設於第2陶瓷基體12；和供電端子30，電性連接到連接構件20的下底20b。連接構件30具有在與上底20a平行的面切斷連接構件30時的截面積從上底20a側往下底20b側變大的部分。

Description

晶圓載置台及其製造方法
本發明是有關於晶圓載置台及其製造方法。
先前，已知有將陶瓷基體彼此接合的金屬接合層用作電極的晶圓載置台。舉例而言，在專利文獻1，揭示了將金屬接合層用作RF電極的靜電夾頭（chuck）。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018－006737號公報
[發明所欲解決的問題]
這樣的靜電夾頭，舉例而言，係如下所述地被製造。也就是，首先，製作具有晶圓載置面的第1陶瓷基體、和埋設有連接構件的第2陶瓷基體。接著，研磨加工第2陶瓷基體的一面以使連接構件的一面露出，並形成研磨面。然後，透過金屬接合層以接合與第1陶瓷基體的晶圓載置面為相反側的面和第2陶瓷基體的研磨面。因此，如果第2陶瓷基體與連接構件的黏著性較低，因為研磨加工時的負荷，有裂痕（crack）在第2陶瓷基體產生之虞。此外，因為研磨加工時的負荷，有連接構件從第2陶瓷基體脫落之虞。
本發明是用於解決這樣的問題，以在製造時防止裂痕在陶瓷基體產生且使連接構件難以脫落為主要目的。 [用以解決問題的手段]
本發明的晶圓載置台，具備： 第1陶瓷基體，在上表面具有晶圓載置面； 第2陶瓷基體，配置於前述第1陶瓷基體的下表面側； 金屬接合層，接合前述第1陶瓷基體的下表面與前述第2陶瓷基體的上表面； 連接構件，具備上底與下底，且在前述上底與前述金屬接合層接觸的狀態下埋設於前述第2陶瓷基體；和 供電端子，電性連接到前述連接構件的前述下底， 其中前述連接構件具有在與前述上底平行的面切斷前述連接構件時的截面積從前述上底側往前述下底側變大的部分。
在上述晶圓載置台中，埋設於第2陶瓷基體的連接構件具有在與上底平行的面切斷上述連接構件時的截面積從上底往下底變大的部分。因此，舉例而言，與連接構件的形狀是圓柱的情況相比，由於連接構件的側面的面積變大，第2陶瓷基體與連接構件的接觸面積變大，第2陶瓷基體與連接構件的黏著性提高。因此，在製造晶圓載置台時，即使包含研磨埋設有連接構件的第2陶瓷基體之形成金屬接合層的面以使連接構件的上底露出的步驟，裂痕也難以在第2陶瓷基體產生。此外，在上述步驟中即使負荷施加在連接構件，由於連接構件的側面被第2陶瓷基體卡住，會難以脫落。
另外，在本說明書中「上」「下」並非表示絕對的位置關係，而是表示相對的位置關係。因此，根據晶圓載置台的方向，「上」「下」可以變成「下」「上」、「左」「右」、「前」「後」等。
在本發明的晶圓載置台中，前述第2陶瓷基體也可以具備用於將前述供電端子插入前述第2陶瓷基體的下表面的孔，前述供電端子的側面也可以接合到前述孔的側面。如此一來，由於供電端子的側面被固定到第2陶瓷基體的孔的側面，能夠防止連接構件與供電端子一起從第2陶瓷基體脫落。
在本發明的晶圓載置台中，前述連接構件也可以是金屬網格（mesh）多級堆疊的構件。如此一來，即使晶圓載置台被加熱、冷卻等，由於連接構件是金屬網格製而容易伸縮，且由於陶瓷進入網格的間隙，熱膨脹係數會接近第2陶瓷基體。因此，裂痕變得難以在第2陶瓷基體產生。
在本發明的晶圓載置台中，前述連接構件的形狀也可以設為在與前述上底平行的面切斷前述連接構件時的截面積從前述上底往前述下底變大的形狀。如此一來，由於連接構件為相對簡單的形狀，能夠相對容易地製作連接構件。在這個情況下，前述連接構件的形狀也可以是圓錐台形、半球台形或與前述圓錐台形相比側面進入內側的形狀。如此一來，由於連接構件為簡單的形狀，能夠容易地製作連接構件。
本發明的晶圓載置台的製造方法，包含以下步驟： （a）準備在上表面具有晶圓載置面的第1陶瓷基體、和埋設有具備上底與下底的連接構件的第2陶瓷基體； （b）研磨前述第2陶瓷基體以使前述連接構件的前述上底露出，並形成接合面；和 （c）金屬接合前述第1陶瓷基體的下表面與前述第2陶瓷基體的前述接合面， 其中埋設於在前述步驟（a）中準備的前述第2陶瓷基體的前述連接構件具有在與前述上底平行的面切斷前述連接構件時的截面積從前述上底側往前述下底側變大的部分。
在上述晶圓載置台的製造方法中，埋設於在步驟（a）中準備的第2陶瓷基體的連接構件具有在與上底平行的面切斷連接構件時的截面積從上底側往下底側變大的部分。因此，舉例而言，與連接構件的形狀為圓柱時相比，由於連接構件的側面的面積變大，第2陶瓷基體與連接構件的接觸面積變大，第2陶瓷基體與連接構件的黏著性提高。因此，在步驟（b）中研磨第2陶瓷基體以使連接構件的上底露出並形成接合面時，裂痕變得難以在第2陶瓷基體產生。此外，在上述步驟（b）中即使負荷施加在連接構件，由於連接構件的側面被第2陶瓷基體卡住，會難以脫落。
[用以實施發明之形態]
以下參照圖式以說明本發明的優選實施形態。第1圖為靜電夾頭10的斜視圖，第2圖為第1圖的A－A剖面圖，第3圖為第2圖的B部分的擴大圖。
靜電夾頭10為本發明的晶圓載置台的一範例，具備第1陶瓷基體11、第2陶瓷基體12、金屬接合層13、連接構件20、和供電端子30。
第1陶瓷基體11是與施加電漿處理的矽製的晶圓W同直徑的圓盤狀之陶瓷（例如氧化鋁、氮化鋁等）製的板。儘管第1陶瓷基體11的直徑並未特別限定，但可以是例如250~350mm。第1陶瓷基體11的上表面為晶圓載置面11a。第1陶瓷基體11埋設有電阻發熱體14。電阻發熱體14係由以下材料所構成：以W、Mo、Ti、Si、Ni的單體或化合物（碳化物等）作為主成分的材料、組合上述成分的材料、或上述成分與第1陶瓷基體11的原料的混合材料等。電阻發熱體14係以不間斷且不交叉為要領形成圖案以配線在第1陶瓷基體11的整個表面。電阻發熱體14如果施加電壓就會發熱以加熱晶圓W。配線有電阻發熱體14的區域在平面圖中是圓形且設置在平行於晶圓載置面11a的面上。另外，「平行」除了完全平行的情況以外，即使不是完全平行，只要在公差的範圍內就視為平行。
第2陶瓷基體12係配置於第1陶瓷基體11的晶圓載置面11a的相反側的面（下表面）側。第2陶瓷基體12係以與第1陶瓷基體11相同的形狀、與第1陶瓷基體11相同材料的陶瓷所形成。第2陶瓷基體12埋設有連接構件20。
金屬接合層13接合第1陶瓷基體11的下表面與第2陶瓷基體12的上表面。因此，將第1陶瓷基體11的下表面稱為接合面11b，將第2陶瓷基體12的上表面稱為接合面12a。金屬接合層13係由例如Al-Si-Mg系或Al-Mg系材料等的含有Al的材料所構成。金屬接合層13的厚度並未特別限定，優選為1~300μm，更優選為50~150μm。此外，金屬接合層13的外周優選為不從第1陶瓷基體11的外周突出。金屬接合層13是藉由例如TCB（Thermal compression bonding）所形成。在此，TCB是指將金屬接合材夾在接合對象的2個構件之間，且在加熱至金屬接合材的固相線溫度以下的溫度的狀態下加壓接合2個構件的習知的方法。金屬接合層13在本實施形態中係用作靜電電極。從第1陶瓷基體11的接合面11b到晶圓載置面11a的區域（第1陶瓷基體11的全體）係用作介電層28。如果直流電壓被施加到上述金屬接合層13，則載置於晶圓載置面11a的晶圓W被吸附固定於晶圓載置面11a，如果解除直流電壓的施加，則晶圓W的對晶圓載置面11a的吸附固定解除。
連接構件20具備上底20a與下底20b，上底20a在與金屬接合層13接觸的狀態下埋設於第2陶瓷基體12。連接構件20的形狀具有在與上底20a平行的面切斷連接構件20時的截面積從上底20a側往下底20b側變大的部分。在本實施形態中，連接構件20的形狀為截面積從上底20a往下底20b變大的形狀，具體而言為圓錐台形。連接構件20係例如由將釕合金（例如RuAl）添加到碳化鎢的混合材料、Mo等的金屬所製作的塊（bulk）體（塊狀體）。連接構件20的上底20a的表面積優選為下底20b的表面積的50%以上98%以下。
供電端子30之一端面30t電性連接到連接構件20的下底20b，另一端面連接到未圖示的外部的直流電源。供電端子30係由例如Ni、Mo等的金屬所形成，且插入形成於第2陶瓷基體12的下表面12b的孔33（參照第4圖）。供電端子30的端面30t藉由端子端面接合層31接合到連接構件20的下底20b。端子端面接合層31係包含陶瓷粒子與金屬焊材的層，且為金屬焊材進入陶瓷粒子彼此的間隙的層。作為陶瓷粒子，優選為氧化鋁陶瓷粒子、氮化鋁陶瓷粒子等。端子端面接合層31由於在陶瓷粒子彼此的間隙填充有金屬焊材，電性連接供電端子30與連接構件20。供電端子30的側面30s藉由端子側面接合層32接合到孔33的側面33s。端子側面接合層32是以金屬焊材形成的層。作為金屬焊材，優選為例如Au-Ni焊材、Al焊材、Ag焊材等。
接著，用第4圖說明有關靜電夾頭10的製造方法。第4圖為顯示靜電夾頭10的製造方法的一範例的說明圖。
首先，準備具有晶圓載置面11a且埋設有電阻發熱體14的第1陶瓷基體11與埋設有連接構件20的第2陶瓷基體12。具體而言，如第4(a)圖所示，製作埋設有電阻發熱體14的圓盤狀的第1陶瓷成形體51（第1陶瓷基體11的前驅體）以及埋設有連接構件20的圓盤狀的第2陶瓷成形體52（第2陶瓷基體12的前驅體）。將這個步驟稱為步驟（1）。在步驟（1）中，第1陶瓷成形體51及第2陶瓷成形體52是藉由模鑄法所製作。在此，「模鑄法」是指將包含陶瓷原料粉末與成形劑的陶瓷漿注入成形模具內，且在上述成形模具內使成形劑進行化學反應以藉由將陶瓷漿成形以得到成形體的方法。作為成形劑，可以是例如包含異氰酸酯（isocyanate）及多元醇且藉由胺甲酸乙酯（urethane）反應來成形之物。接著，如第4(b)圖所示，分別在第1陶瓷成形體51及第2陶瓷成形體52的厚度方向施加壓力的同時進行熱壓燒成，並製作第1陶瓷基體11及第2陶瓷基體12。這個步驟稱為步驟（2）。上述步驟（1）及步驟（2）相當於本發明的晶圓載置台的製造方法中的步驟（a）。
接著，如第4(c)圖所示，在第2陶瓷基體12的下表面12b形成孔33以使埋設於第2陶瓷基體12的連接構件20的下底20b露出。這個步驟稱為步驟（3）。在步驟（3）中，孔33係藉由研磨加工、切削加工、噴砂（blast）加工等所形成。另外，在步驟（3）中，由於在第2陶瓷基體12形成孔33時施加於連接構件20的負荷較小，連接構件20難以從第2陶瓷基體12脫離。
接著，將供電端子30插入孔33。具體而言，如第4(d)圖所示，在配置第2陶瓷基體12以使孔33朝上且將由複數個陶瓷粒子構成的陶瓷粉末41及金屬焊材42配置於連接構件20的下底20b的狀態下，將供電端子30插入孔33。這個步驟稱為步驟（4）。在步驟（4）中，作為陶瓷粉末41，可以使用例如氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷等。此外，在步驟（4）中，作為金屬焊材42，可以使用Au-Ni焊材、Al焊材、Ag焊材等。
接著，連接供電端子30與連接構件20。具體而言，首先，加熱第2陶瓷基體12以使金屬焊材42的溫度成為熔點以上並使金屬焊材42熔解。熔解的金屬焊材42在浸透於陶瓷粉末41以填充陶瓷粉末41的陶瓷粒子彼此的間隙的同時，進入供電端子30的側面30s與孔33的側面33s之間。然後，冷卻以使金屬焊材42固化。接著，如第4(e)圖所示，形成金屬焊材42進入陶瓷粒子彼此的間隙的端子端面接合層31，藉由金屬焊材42形成端子側面接合層32。藉此，在供電端子30的側面30t被接合到連接構件20的下底20b的同時，供電端子30的側面30s被接合到孔33的側面33s。這個步驟稱為步驟（5）。在步驟（5）中，供電端子30的側面30s被固定在第2陶瓷基體12的孔33的側面33s。因此，能夠防止連接構件20與供電端子30一起從第2陶瓷基體12脫落。
接著，在配置第2陶瓷基體12以使孔33朝下後，如第4(f)圖所示，研磨加工第2陶瓷基體12的上表面12c以露出連接構件20的上底20a並形成接合面12a。這個步驟稱為步驟（6）。此外，步驟（6）相當於本發明的晶圓載置台的製造方法中的步驟（b）。連接構件20具有在與上底20a平行的面切斷連接構件20時的截面積從上底20a側往下底20b側變大的部分。在本實施形態中，連接構件20的形狀為截面積從上底20a側往下底20b側變大的形狀，具體而言為圓錐台形。因此，與連接構件20的形狀為圓柱的情況相比，第2陶瓷基體12與連接構件20的接觸面積變大，第2陶瓷基體12與連接構件20的黏著性提高。因此，在步驟（6）中裂痕難以在第2陶瓷基體12產生。此外，在步驟（6）中，即使負荷施加於連接構件20，由於連接構件20的側面被第2陶瓷基體12卡住，會難以脫落。
然後，金屬接合與第1陶瓷基體11的晶圓載置面11a為相反側的接合面11b與第2陶瓷基體12的接合面12a。具體而言，首先，如第4(g)圖所示，在第2陶瓷基體12的接合面12a，承載與第2陶瓷基體12同直徑的平板狀的金屬接合材53，且在其上方承載第1陶瓷基體11以使第1陶瓷基體11的接合面11b與金屬接合材53接觸。如此一來，製作出在第1陶瓷基體11與第2陶瓷基體12之間夾著金屬接合材53的狀態的積層體70。這個步驟稱為步驟（7）。在步驟（7）中，作為金屬接合材53，可以使用Al-Mg系接合材、Al-Si-Mg系接合材。接著，在金屬接合材53的固相線溫度以下（舉例而言，從固相線溫度減去20℃的溫度以上且固相線溫度以下）的溫度加壓積層體70，TCB接合第1陶瓷基體11與第2陶瓷基體12，之後回到室溫。藉此，金屬接合材53成為金屬接合層13，得到靜電夾頭10。這個步驟稱為步驟（8）。上述步驟（7）及步驟（8）相當於本發明的晶圓載置台的製造方法中的步驟（c）。
接著，說明有關本實施形態的靜電夾頭10的使用例。在這個靜電夾頭10的晶圓載置面11a載置晶圓W，藉由在金屬接合層13與晶圓W之間施加電壓，以靜電力在晶圓載置面11a吸附晶圓W。在這個狀態下，對晶圓W施加電漿CVD成膜、電漿蝕刻等。此外，藉由對電阻發熱體14施加電壓以加熱晶圓W、在接合到靜電夾頭10之未圖示的冷卻板的冷媒通路循環冷媒以冷卻晶圓W等，控制晶圓W的溫度恆定。
根據以上說明的本實施形態的靜電夾頭10，埋設於第2陶瓷基體12的連接構件20具有在與上底20a平行的面切斷連接構件20時的截面積從上底20a側往下底20b側變大的部分。因此，舉例而言，與連接構件20的形狀為圓柱的情況相比，由於連接構件20的側面的面積變大，第2陶瓷基體12與連接構件20的接觸面積變大，第2陶瓷基體12與連接構件20的黏著性提高。因此，在製造靜電夾頭10時，即使包含研磨埋設有連接構件20的第2陶瓷基體12中的形成金屬接合層13的面以使連接構件20的上底20a露出的步驟，裂痕也難以在第2陶瓷基體12產生。此外，在上述步驟中即使負荷施加於連接構件20，由於連接構件20的側面被第2陶瓷基體12卡住，會難以脫落。
此外，第2陶瓷基體12具備用於將供電端子30插入第2陶瓷基體12的下表面的孔33，供電端子30的側面30s被接合到孔33的側面33s。如此一來，由於供電端子30的側面30s被固定在第2陶瓷基體12的孔33的側面33s，能夠防止連接構件20與供電端子30一起從第2陶瓷基體12脫離。
再者，連接構件20的形狀由於是在與上底20a平行的面切斷連接構件20時的截面積從上底20a往下底20b變大的形狀（在此為圓錐台形），能夠容易地製作連接構件20。
另外，本發明並非限定於上述實施形態，更不用說，只要屬於本發明的技術範圍就可以用各種態樣實施。
舉例而言，在上述實施形態中，儘管利用以金屬製的塊體（塊狀體）製作的連接構件20以連接供電端子30與金屬接合層13，並非限定於此。舉例而言，如第5圖所示，也可以使用將直徑相互不同的金屬網格M1~M6從供電端子30側以直徑的大小順序多級（在此為6級）積層所形成的連接構件120以連接供電端子30與金屬接合層13。如此一來，即使靜電夾頭10被加熱、被冷卻等，連接構件20由於是金屬網格製的而容易伸縮，且由於陶瓷進入金屬網格M1~M6的間隙，連接構件20的熱膨脹係數會接近第2陶瓷基體12。因此，裂痕難以在第2陶瓷基體12產生。另外，在第5圖中，有關與上述實施形態同樣的元件，標記相同的符號並省略說明。
在上述實施形態的靜電夾頭10中，儘管採用了圓錐台形的連接構件20，並非限定於此。舉例而言，如第6圖所示，也可以將連接構件220的形狀設為在與上底220a平行的面切斷連接構件220時的截面積從上底220a側往下底220b側變大的半球台形（或以與底面平行的2個面切斷半球的形狀）。或者，如第7圖所示，也可以將連接構件320的形狀設為在與上底320a平行的面切斷連接構件320時的截面積從上底320a側往下底320b側變大的錐形（konide）（圓錐台的側面進入內側的形狀）。或者，如第8圖所示，也可以設為具有在與上底420a平行的面切斷連接構件420時的截面積從上底420a側往下底420b側變大的部分420c的桶形。或者，如第9圖所示，也可以設為具有在與上底520a平行的面切斷連接構件520時的截面積從上底520a側往下底520b側變大的部分520c的形狀（圓柱的側面進入內側的形狀）。或者，如第10圖所示，也可以設為具有在與上底620a平行的面切斷連接構件620時的截面積從上底620a側往下底620b側變大的部分620c的形狀（桶形的側面下方膨脹的形狀）。在第6圖～第10圖中，有關與上述實施形態相同的元件，標記相同的符號並省略說明。連接構件220、320、420、520、620與連接構件的形狀為圓柱的情況相比，由於側面的面積變大，即使包含研磨第2陶瓷機體12的下表面12b以使上底220a、320a、420a、520a、620a露出的步驟，裂痕也難以在第2陶瓷基體12產生。此外，即使在上述步驟中負荷施加在連接構件220、320、420、520、620，由於連結構件220、320、420、520、620的側面被第2陶瓷基體12卡住，會難以脫落。
在上述實施形態中，儘管將金屬接合層13用作靜電電極，並非限定於此。舉例而言，也可以用作接地電極。在這個情況下，金屬接合層13也可以接地，且埋設於第1陶瓷基體11以使靜電電極與電阻發熱體14平行。
在上述實施形態中，透過由陶瓷粉末41與金屬焊材42所構成的端子側面接合層32，儘管接合了供電端子30的端子30t與連接構件20的下底20b，並非限定於此。舉例而言，端子側面接合層32也可以不包含陶瓷粉末41並由金屬焊材42所構成。在這個情況下，在步驟（4）中，在連接構件20的下底20b不配置陶瓷粉末41，在配置有金屬焊材42的狀態下將供電端子30插入孔33，且與上述實施形態同樣地，在使金屬焊材42熔解後，冷卻以使其固化即可。
在上述實施形態中，在製造靜電夾頭10時，在將供電端子30連接到連接構件20後，研磨第2陶瓷基體12的上表面12c，形成接合面12a且接合第1陶瓷基體11與第2陶瓷基體12，但是並非限定於此。舉例而言，也可以在研磨第2陶瓷基體12的上面12c以形成接合面12a後，在下表面12b設置孔33，將供電端子30連接到連接構件20且金屬接合第1陶瓷基體11與第2陶瓷基體12。或者，也可以在研磨第2陶瓷基體12的上表面12c以形成接合面12a且金屬接合第1陶瓷基體11與第2陶瓷基體12後，在下表面12b形成孔33並將供電端子30連接到連接構件20。
在上述實施形態中，也可以在第1陶瓷基體11或第2陶瓷基體12埋設RF電極。RF電極是在產生電漿時利用的電極。
本申請係以2021年1月20日申請的日本國專利申請第2021－007360號作為優先權主張的基礎，藉由引用以將其所有內容包含在本說明書。
10:靜電夾頭 11:第1陶瓷基體 11a:晶圓載置面 11b,12a:接合面 12:第2陶瓷基體 12b:下表面 12c:上表面 13:金屬接合層 14:電阻發熱體 20,120,220,320,420,520,620:連接構件 20a,220a,320a,420a,520a,620a:上底 20b,220b,320b,420b,520b,620b:下底 28:介電層 30:供電端子 30s,33s:側面 30t:端面 31:端子端面接合層 32:端子側面接合層 33:孔 41:陶瓷粉末 42:金屬焊材 51:第1陶瓷成形體 52:第2陶瓷成形體 53:金屬接合材 70:積層體 420c,520c,620c,B:部分 M1,M2,M3,M4,M5,M6:金屬網格 W:晶圓
第1圖為靜電夾頭10的斜視圖。 第2圖為第1圖的A－A剖面圖。 第3圖為第2圖的B部分的擴大圖。 第4圖為顯示靜電夾頭10的製造方法的一範例的說明圖。 第5圖為連接構件120的剖面圖。 第6圖為連接構件220的剖面圖。 第7圖為連接構件320的剖面圖。 第8圖為連接構件420的剖面圖。 第9圖為連接構件520的剖面圖。 第10圖為連接構件620的剖面圖。
10:靜電夾頭
11:第1陶瓷基體
11a:晶圓載置面
11b,12a:接合面
12:第2陶瓷基體
12b:下表面
13:金屬接合層
14:電阻發熱體
20:連接構件
28:介電層
30:供電端子
31:端子端面接合層
32:端子側面接合層
B:部分
W:晶圓

Claims (6)

  1. 一種晶圓載置台，具備： 第1陶瓷基體，在上表面具有晶圓載置面； 第2陶瓷基體，配置於前述第1陶瓷基體的下表面側； 金屬接合層，接合前述第1陶瓷基體的下表面與前述第2陶瓷基體的上表面； 連接構件，具備上底與下底，且在前述上底與前述金屬接合層接觸的狀態下埋設於前述第2陶瓷基體；和 供電端子，電性連接到前述連接構件的前述下底， 其中前述連接構件具有在與前述上底平行的面切斷前述連接構件時的截面積從前述上底側往前述下底側變大的部分。
  2. 如請求項1之晶圓載置台，其中 前述第2陶瓷基體具備用於將前述供電端子插入前述第2陶瓷基體的下表面的孔， 前述供電端子的側面接合到前述孔的側面。
  3. 如請求項1或2之晶圓載置台，其中前述連接構件是金屬網格（mesh）多級堆疊的構件。
  4. 如請求項1~3中任一項之晶圓載置台，其中前述連接構件的形狀是在與前述上底平行的面切斷前述連接構件時的截面積從前述上底往前述下底變大的形狀。
  5. 如請求項4之晶圓載置台，其中前述連接構件的形狀是圓錐台形、半球台形或與前述圓錐台形相比側面進入內側的形狀。
  6. 一種晶圓載置台的製造方法，包含以下步驟： （a）準備在上表面具有晶圓載置面的第1陶瓷基體、和埋設有具備上底與下底的連接構件的第2陶瓷基體； （b）研磨前述第2陶瓷基體以使前述連接構件的前述上底露出，並形成接合面；和 （c）金屬接合前述第1陶瓷基體的下表面與前述第2陶瓷基體的前述接合面， 其中埋設於在前述步驟（a）中準備的前述第2陶瓷基體的前述連接構件具有在與前述上底平行的面切斷前述連接構件時的截面積從前述上底側往前述下底側變大的部分。
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