JP7414751B2 - 半導体製造装置用部材及びその製法 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体製造装置用部材及びその製法に関する。
従来、半導体製造装置用部材として、静電電極及びヒータ電極を内蔵するセラミック製の上部プレートと、上部プレートのウエハ載置面とは反対側の面に第１金属接合層を介して接合された金属マトリクス材料製の中間プレートと、中間プレートの上部プレートと接合された面とは反対側の面に第２金属接合層を介して接合されたセラミック製の下部プレートと、を備えたものが知られている（例えば特許文献１）。特許文献１では、上部パックプレートが上部プレートに相当し、下部パックプレートが中間プレートに相当し、バッキングプレートが下部プレートに相当する。
ところで、上述した半導体製造装置用部材では、静電電極及びヒータ電極の両方が上部プレートに内蔵されているが、静電電極を上部プレートに内蔵し、ヒータ電極を下部プレートに内蔵したい場合があった。その場合、静電電極は上部プレートのうちウエハ載置面に近い位置に内蔵され、ヒータ電極は下部プレートのうち接合面に近い位置に内蔵される。また、そうした半導体製造装置用部材を製造するには、上部プレートと中間プレートと下部プレートとをそれぞれ作製し、その後、それらのプレートを金属接合する。
しかしながら、静電電極を上部プレートのウエハ載置面に近い位置に内蔵すると、上部プレートを焼結により作製した後に静電電極と上部プレートを構成するセラミックとの熱膨張係数差により上部プレートが変形することがあった。ヒータ電極を下部プレートの接合面に近い位置に内蔵すると、下部プレートを焼結により作製した後にヒータ電極と下部プレートを構成するセラミックとの熱膨張係数差により下部プレートが変形することがあった。変形した上部プレートや変形した下部プレートを中間プレートと金属接合すると、偏荷重が生じて接合性が悪化したり、反りの戻り力により残留応力が発生してプレートが破損したりするおそれがあった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、上部プレートと中間プレートと下部プレートとを金属接合した半導体製造装置用部材において、接合性が良好で破損しにくいものを提供することを主目的とする。
本発明の半導体製造装置用部材は、
ウエハ載置面を有し、互いに平行な静電電極及び上部補助電極を内蔵するセラミック製の上部プレートと、
前記上部プレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に第１金属接合層を介して接合された中間プレートと、
前記中間プレートの前記上部プレートと接合された面とは反対側の面に第２金属接合層を介して接合され、互いに平行なヒータ電極及び下部補助電極を内蔵する下部プレートと、
を備えたものである。
ウエハ載置面を有し、互いに平行な静電電極及び上部補助電極を内蔵するセラミック製の上部プレートと、
前記上部プレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に第１金属接合層を介して接合された中間プレートと、
前記中間プレートの前記上部プレートと接合された面とは反対側の面に第２金属接合層を介して接合され、互いに平行なヒータ電極及び下部補助電極を内蔵する下部プレートと、
を備えたものである。
この半導体製造装置用部材では、セラミック製の上部プレートは、互いに平行な静電電極及び上部補助電極を内蔵しているため、静電電極のみを内蔵している場合に比べてフラットになりやすい。また、下部プレートは、互いに平行なヒータ電極及び下部補助電極を内蔵しているため、ヒータ電極のみを内蔵している場合に比べてフラットになりやすい。その結果、上部プレートと中間プレートと下部プレートとを金属接合する際に偏荷重が生じにくくなり、接合性が良好になる。また、上部プレートや下部プレートは反りがないかほとんどないため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができ、破損しにくい。
なお、「平行」とは、完全に平行な場合のほか、完全に平行でなくても公差の範囲内であれば平行とみなす（以下同じ）。また、「上」「下」は、絶対的な位置関係を表すものではなく、相対的な位置関係を表すものである。そのため、半導体製造装置用部材の向きによって「上」「下」は「左」「右」になったり「前」「後」になったり「下」「上」になったりする（以下同じ）。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記上部補助電極は、前記上部プレートに内蔵されたビアを介して前記静電電極に電気的に接続された電極であってもよいし、前記中間プレートに電気的に接続された電極であってもよいし、前記静電電極にも前記中間プレートにも電気的に接続されていない独立した電極であってもよい。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記下部補助電極は、前記下部プレートに内蔵されたビアを介して前記ヒータ電極に電気的に接続された電極であってもよいし、前記ヒータ電極にも前記中間プレートにも電気的に接続されていない独立した電極であってもよい。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記静電電極の厚みと、前記上部補助電極の厚みと、前記静電電極の前記上部プレート内での配置位置と、前記上部補助電極の前記上部プレートでの配置位置とは、前記上部プレートがフラットになるように設定されていてもよく、前記ヒータ電極の厚みと、前記下部補助電極の厚みと、前記ヒータ電極の前記下部プレート内での配置位置と、前記下部補助電極の前記下部プレートでの配置位置とは、前記下部プレートがフラットになるように設定されていてもよい。なお、「フラット」とは、完全にフラットな場合のほか、完全にフラットでなくても公差の範囲内であればフラットとみなす（以下同じ）。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記静電電極と前記上部補助電極とは、材質及び厚さが同じであってもよく、前記上部プレートの前記ウエハ載置面から前記静電電極までの距離は、前記ウエハ載置面とは反対側の面から前記上部補助電極までの距離と同じであってもよく、前記ヒータ電極と前記下部補助電極とは、材質及び厚さが同じであってもよく、前記下部プレートの接合面から前記ヒータ電極までの距離は、前記接合面とは反対側の面から前記下部補助電極までの距離と同じであってもよい。こうすれば、上部プレートや下部プレートがフラットになりやすい。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記静電電極の外径と前記上部補助電極の外径とは同じであってもよく、前記ヒータ電極の外径と前記下部補助電極の外径とは同じであってもよい。なお、「同じ」とは、完全に同じ場合のほか、完全に同じでなくても公差の範囲内であれば同じとみなす（以下同じ）。
本発明の半導体製造装置用部材において、前記中間プレートは、金属とセラミックとの複合材料製又は金属製であってもよく、前記下部プレートは、前記上部プレートと同じセラミック製であってもよい。
本発明の半導体製造装置用部材の製法は、
（ａ）ウエハ載置面を有し、互いに平行な静電電極及び上部補助電極を内蔵するセラミック製の上部プレートと、互いに平行なヒータ電極及び下部補助電極を内蔵する下部プレートと、中間プレートとを用意する工程と、
（ｂ）前記中間プレートの上面と前記上部プレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面との間に第１金属接合材を配置すると共に、前記中間プレートの下面と前記下部プレートの上面との間に第２金属接合材を配置し、その状態で加圧加熱したあと室温に戻すことにより接合体を得る工程と、
を含むものである。
（ａ）ウエハ載置面を有し、互いに平行な静電電極及び上部補助電極を内蔵するセラミック製の上部プレートと、互いに平行なヒータ電極及び下部補助電極を内蔵する下部プレートと、中間プレートとを用意する工程と、
（ｂ）前記中間プレートの上面と前記上部プレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面との間に第１金属接合材を配置すると共に、前記中間プレートの下面と前記下部プレートの上面との間に第２金属接合材を配置し、その状態で加圧加熱したあと室温に戻すことにより接合体を得る工程と、
を含むものである。
この半導体製造装置用部材の製法は、上述した半導体製造装置用部材を製造するのに適している。
本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１は半導体製造装置用部材１０の断面図（部材１０の中心を通る垂直面で切断したときの断面図）、図２はウエハ載置面２２の平面図、図３は静電電極２４の一例を示す平面図、図４～６は上部補助電極２６の一例を示す平面図、図７はヒータ電極４４の一例を示す平面図である。
半導体製造装置用部材１０は、図１に示すように、上部プレート２０と、中間プレート３０と、下部プレート４０と、第１及び第２金属接合層３１，３２とを備えている。
上部プレート２０は、プラズマ処理を施すシリコン製のウエハＷと同径の円盤状でセラミック（例えばアルミナや窒化アルミニウム）製のプレートであり、静電電極２４と上部補助電極２６とを内蔵している。そのため、上部プレート２０は、静電チャックとして機能する。上部プレート２０の直径は特に限定するものではないが、例えば２５０～３５０ｍｍとしてもよい。上部プレート２０の上面は、ウエハ載置面２２となっている。ウエハ載置面２２には、図２に示すように、外縁に沿ってシールバンド２２ａが形成され、全面に複数の円形突起２２ｂが形成されている。シールバンド２２ａ及び円形突起２２ｂは同じ高さであり、その高さは例えば数μｍ～数１０μｍである。
静電電極２４は、図３に示すように上部プレート２０と同心円状の円形の面電極であり、その直径は上部プレート２０の直径よりも僅かに小さい。静電電極２４は、図示しない給電端子を介して外部電源により直流電圧を印加可能となっている。上部プレート２０のうちウエハ載置面２２と静電電極２４との間の部分が誘電体層２７（図１参照）として機能する。誘電体層２７の厚みは、ウエハＷを吸着する力を考慮して所定の厚み（例えば５０～５００μｍ）に調整されている。この静電電極２４に直流電圧が印加されるとウエハ載置面２２に載置されたウエハＷはウエハ載置面２２に吸着固定され、直流電圧の印加を解除するとウエハのウエハ載置面２２への吸着固定が解除される。ウエハ載置面２２に吸着されたウエハＷの裏面は、シールバンド２２ａの上面及び円形突起２２ｂの上面に接触する。また、ウエハＷの裏面とウエハ載置面２２のうちシールバンド２２ａや円形突起２２ｂが設けられていない部分との間には空間が生じる。この空間には、半導体製造装置用部材１０を上下方向に貫通する図示しないガス供給路を通じて伝熱ガス（例えばＨｅガス）が供給される。この伝熱ガスによって上部プレート２０とウエハＷとの熱交換が効率よく行われる。
上部補助電極２６は、平面視で静電電極２４と同じ（又はほぼ同じ）形状の電極である。例えば、上部補助電極２６は平面視で静電電極２４と同じ円形の面電極であってもよいし、その円形の面電極を同心円状の１以上の円周によって分割した形状（例えば図４の同心リング形状）であってもよいし、その円形の面電極を１以上の半径によって等分又は不等分に分割した複数の扇形（例えば図５のケーキカット形状）であってもよいし、渦巻き形状（例えば図６）であってもよい。上部補助電極２６は、本実施形態では、静電電極２４にも中間プレート３０にも電気的に接続されていない独立した電極である。上部補助電極２６は、グランドに接続されていてもよい。
静電電極２４及び上部補助電極２６は、ウエハ載置面２２に平行に設けられている。静電電極２４及び上部補助電極２６は、異なる材質であっても同じ材質であってもよいが、同じ材質であることが好ましい。材質としては、例えばタングステン、モリブデン、タンタル、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの合金などの高融点金属、炭化タングステンや炭化モリブデンなどの高融点金属炭化物、高融点金属とセラミックとの混合物、高融点金属炭化物とセラミックとの混合物などが挙げられる。静電電極２４及び上部補助電極２６は、導電性ペーストを印刷して形成してもよいし、導電板を利用して形成してもよい。上部プレート２０の厚みをｔ１［ｍｍ］、ウエハ載置面２２から静電電極２４までの距離をａ１［ｍｍ］、ウエハ載置面２２とは反対側の面２３から上部補助電極２６までの距離をｂ１［ｍｍ］、静電電極２４の厚みをｘ１［μｍ］、上部補助電極２６の厚みをｙ１［μｍ］としたとき、以下の関係式（１）～（４）を満たすことが好ましい。
４＊ａ１≧ｂ１≧ａ１ …（１）
０．５＊ｔ１≧ａ１ …（２）
０．７５＊ｔ１≧ｂ１ …（３）
５＊ｘ１≧ｙ１≧ｘ１ …（４）
４＊ａ１≧ｂ１≧ａ１ …（１）
０．５＊ｔ１≧ａ１ …（２）
０．７５＊ｔ１≧ｂ１ …（３）
５＊ｘ１≧ｙ１≧ｘ１ …（４）
中間プレート３０は、円盤状のプレートであり、その直径は、上部プレート２０及び下部プレート４０の直径よりも大きい。中間プレート３０は、上部プレート２０のウエハ載置面２２とは反対側の面２３に第１金属接合層３１を介して接合されている。中間プレート３０の材料としては、複合材料や金属などが挙げられる。複合材料としては、金属複合材料（メタル・マトリックス・コンポジット（ＭＭＣ）ともいう）などが挙げられる。ＭＭＣとしては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料（ＳｉＳｉＣＴｉともいう）やＳｉＣ多孔質体にＡｌ及び／又はＳｉを含浸させた材料などが挙げられる。金属としては、ＴｉやＭｏなどが挙げられる。
下部プレート４０は、上部プレート２０と同径の円板状でセラミック製のプレートであり、ヒータ電極４４と下部補助電極４６とを内蔵している。下部プレート４０は、中間プレート３０のうち上部プレート２０と接合された面とは反対側の面に第２金属接合層３２を介して接合されている。
ヒータ電極４４は、図７に示すように、下部プレート４０を平面視したときの領域のほぼ全面にわたって一端４４ａから他端４４ｂまで一筆書きの要領でパターン形成され、電圧を印加すると発熱してウエハＷを加熱する。ヒータ電極４４が配線された領域は、平面視で円形領域である。ヒータ電極４４は、一端４４ａ及び他端４４ｂに接続された図示しない給電端子を介してヒータ電源により電圧を印加可能となっている。
下部補助電極４６は、平面視でヒータ電極４４と同じ（又はほぼ同じ）形状である。例えば、下部補助電極４６は、平面視でヒータ電極４４が配線された円形領域と同じ円形の面電極であってもよいし、上部補助電極２６の一例として示した同心リング形状（図４）、ケーキカット形状（図５）又は渦巻き形状（図６）であってもよい。下部補助電極４６は、本実施形態では、ヒータ電極４４にも中間プレート３０にも電気的に接続されていない独立した電極である。下部補助電極４６は、グランドに接続されていてもよい。その場合、下部補助電極４６を、ヒータ電極４４をプラズマから遮蔽する電極として用いることができる。
ヒータ電極４４及び下部補助電極４６は、下部プレート４０の上面４２に平行に設けられている。ヒータ電極４４及び下部補助電極４６は、異なる材質であっても同じ材質であってもよいが、同じ材質であることが好ましい。材質としては、例えばタングステン、モリブデン、タンタル、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの合金などの高融点金属、炭化タングステンや炭化モリブデンなどの高融点金属炭化物、高融点金属とセラミックとの混合物、高融点金属炭化物とセラミックとの混合物などが挙げられる。ヒータ電極４４及び下部補助電極４６は、導電性ペーストを印刷して形成したものが好ましい。下部プレート４０の厚みをｔ２［ｍｍ］、上面４２からヒータ電極４４までの距離をａ２［ｍｍ］、下面４３から下部補助電極４６までの距離をｂ２［ｍｍ］、ヒータ電極４４の厚みをｘ２［μｍ］、下部補助電極４６の厚みをｙ２［μｍ］としたとき、以下の関係式（５）～（８）を満たすことが好ましい。
４＊ａ２≧ｂ２≧ａ２ …（５）
０．５＊ｔ２≧ａ２ …（６）
０．７５＊ｔ２≧ｂ２ …（７）
５＊ｘ２≧ｙ２≧ｘ２ …（８）
４＊ａ２≧ｂ２≧ａ２ …（５）
０．５＊ｔ２≧ａ２ …（６）
０．７５＊ｔ２≧ｂ２ …（７）
５＊ｘ２≧ｙ２≧ｘ２ …（８）
上部プレート２０及び下部プレート４０の材料がアルミナの場合、中間プレート３０の材料はＳｉＳｉＣＴｉか金属Ｔｉが好ましい。上部プレート２０及び下部プレート４０の材料が窒化アルミニウムの場合、中間プレート３０の材料はＳｉＣ多孔質体にＳｉを含浸させた材料か金属Ｍｏが好ましい。
第１及び第２金属接合層３１，３２は、例えばＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系又はＡｌ－Ｍｇ系材料などのＡｌ含有材料で構成されている。第１及び第２金属接合層３１，３２の厚みは、特に限定するものではないが、１～３００μｍが好ましく、５０～１５０μｍがより好ましい。また、第１金属接合層３１の外周は上部プレート２０の外周からはみ出していないことが好ましく、第２金属接合層３２の外周は下部プレート４０の外周からはみ出していないことが好ましい。第１及び第２金属接合層３１，３２は、例えばＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。
次に、半導体製造装置用部材１０の使用例について説明する。図８は半導体製造装置用部材１０を冷却装置５０に取り付けた様子を示す断面図である。まず、半導体製造装置用部材１０を、図示しない真空チャンバ内に設置された冷却装置５０に取り付ける。冷却装置５０は、アルミニウムなどの金属製の円盤部材であり、内部に冷媒を循環可能な冷媒通路５２を有している。冷却装置５０の上面の中央には、円形溝５４が設けられている。円形溝５４には、下部プレート４０が挿入される。冷却装置５０は、円形溝５４の周囲を取り囲む環状面５６を有している。半導体製造装置用部材１０は、中間プレート３０の下面の外周部と環状面５６との間にリング状のシール部材５７を配置して円形溝５４に下部プレート４０を挿入した状態で、クランプリング６０によって冷却装置５０に固定される。シール部材５７の外径は、円形溝５４の直径よりも大きく中間プレート３０の直径よりも小さい。シール部材５７としては、例えば金属ガスケットなどが挙げられる。クランプリング６０は、冷却装置５０の環状面５６に配置される。クランプリング６０の内周面には段差６２が設けられ、この段差６２が中間プレート３０の外周部の上面を上から押さえる。また、クランプリング６０は、ネジ６５を挿通可能な縦穴６４やネジ６７と螺合可能なネジ穴６６を有する。ネジ６５は、縦穴６４に上方から挿入されて冷却装置５０の環状面５６に設けられたネジ穴５８に螺合される。ネジ６７は、冷却装置５０を上下方向に貫通するネジ挿入穴５９に下方から挿入されてクランプリング６０の裏面に設けられたネジ穴６６に螺合される。こうしたネジ６５，６７は、クランプリング６０の周方向に等間隔に複数（例えば８個）設けられている。これにより、円形溝５４と下部プレート４０とシール部材５７によって囲まれた空間Ｓは密閉される。密閉された空間Ｓには、伝熱シート又は伝熱ガスが充填される。このように、半導体製造装置用部材１０の中間プレート３０のうち上部プレート２０や下部プレート４０から外側にはみ出した部分は、冷却装置５０に装着するためのフランジとして用いられる。
冷却装置５０に半導体製造装置用部材１０を取り付けた後、ウエハＷをウエハ載置面２２に載置する。そして、真空チャンバ内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、静電電極２４に直流電圧をかけてウエハＷをウエハ載置面２２に吸着固定する。ウエハＷは隙間なくウエハ載置面２２のシールバンド２２ａや円形突起２２ｂ（図２参照）に密着する。これにより、ウエハＷの裏面とウエハ載置面２２のうちシールバンド２２ａや円形突起２２ｂが設けられていない部分との間の空間は、密閉される。この空間には伝熱ガスが供給される。伝熱ガスは封入されるため、上部プレート２０とウエハＷとの間で効率よく熱伝導が行われる。次に、真空チャンバ内を所定圧力（例えば数１０～数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、プラズマを発生させる。そして、発生したプラズマによってウエハＷの表面のエッチングを行う。図示しないコントローラは、ウエハＷの温度が予め設定された目標温度となるように、ヒータ電極４４へ供給する電力を制御する。
次に、半導体製造装置用部材１０の製造例について説明する。図９は上部プレート２０の製造工程図、図１０は半導体製造装置用部材１０の製造工程図である。以下には、上部プレート２０及び下部プレート４０の材料がアルミナで、中間プレート３０の材料がＳｉＳｉＣＴｉの場合を例に挙げて説明する。
まず、上部プレート２０と、中間プレート３０と、下部プレート４０とを用意する（図１０Ａ参照）。この工程を工程（ａ）と称する。
上部プレート２０は、以下のようにして製造することができる。ここでは、アルミナ製の上部プレート２０の製造例について、図９を用いて説明する。まず、円盤状のアルミナ製の第１～第３ＭＣシート７１～７３を準備する。ＭＣとは、モールドキャストの略であり、セラミック原料粉末（ここではアルミナ原料粉末）とモールド化剤とを含むセラミックスラリーを成形型内に注入し、その成形型内でモールド化剤を化学反応させてセラミックスラリーをモールド化させることにより成形体を得る周知の方法をいう。モールド化剤としては、例えば、イソシアネート及びポリオールを含み、ウレタン反応によりモールド化するものとしてもよい。次に、第２ＭＣシート７２の表面に静電電極２４を形成し、第３ＭＣシート７３の表面に上部補助電極２６を形成する（図９Ａ参照）。静電電極２４や上部補助電極２６の形成方法としては、例えばスクリーン印刷、ＰＶＤ、ＣＶＤ、メッキなどを用いることができる。次に、第３ＭＣシート７３の上部補助電極２６が形成された面に、第２ＭＣシート７２を静電電極２４が上になるように積層し、その上に第１ＭＣシート７１を積層して積層体７０とする（図９Ｂ参照）。次に、積層体７０をホットプレス法により焼成することにより静電電極２４及び上部補助電極２６が埋設されたアルミナ焼結体７６を得る（図９Ｃ参照）。得られたアルミナ焼結体７６の両面に研削加工又はブラスト加工等を施すことにより形状や厚みを調整し、平板状の上部プレート２０を得る（図９Ｄ及び図１０Ａ参照）。この時点では、誘電体層２７の厚みは予め定められた所定の厚みになるように加工されるが、ウエハ載置面２２にシールバンド２２ａや円形突起２２ｂは形成しない。なお、アルミナ製のＭＣシートの代わりに、グリーンシートを用いてもよい。
中間プレート３０は、以下のようにして製造することができる。ここでは、ＳｉＳｉＣＴｉ製の中間プレート３０の製造例について説明する。まず、ＳｉＳｉＣＴｉ製の円盤部材を作製する。例えば、平均粒径が１０μｍ以上２５μｍ以下の炭化珪素原料粒子を３９～５１質量％含有すると共に、Ｔｉ及びＳｉが含まれるように選択された１種以上の原料を含有し、炭化珪素を除く原料に由来するＳｉ及びＴｉについてＳｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）の質量比が０．２６～０．５４である粉体混合物を作製する。原料としては、例えば炭化珪素と金属Ｓｉと金属Ｔｉとを用いることができる。その場合、炭化珪素を３９～５１質量％、金属Ｓｉを１６～２４質量％、金属Ｔｉを２６～４３質量％となるように混合するのが好ましい。次に、得られた粉体混合物を一軸加圧成形により円盤状の成形体を作製し、その成形体を不活性雰囲気下でホットプレスにより１３７０～１４６０℃で焼結させることにより、ＳｉＳｉＣＴｉ製の円盤部材を得る。なお、ホットプレス時のプレス圧は、例えば５０～３００ｋｇｆ／ｃｍ2に設定する。次に、得られた円盤部材を研削加工等により形状や厚みを調整し、中間プレート３０を得る（図１０Ａ参照）。中間プレート３０の具体的な製造条件については、例えば特許第５６６６７４８号公報に記載されている条件を参考にして設定すればよい。
下部プレート４０は、以下のようにして製造することができる。ここでは、アルミナ製の下部プレート４０の製造例について説明する。まず、上部プレート２０を製造する場合と同様に、円盤状のアルミナ製の第１～第３ＭＣシートを準備する。次に、第２ＭＣシートの表面にヒータ電極４４を形成し、第３ＭＣシートの表面に下部補助電極４６を形成する。ヒータ電極４４や下部補助電極４６の形成方法としては、例えばスクリーン印刷、ＰＶＤ、ＣＶＤ、メッキなどを用いることができる。次に、第３ＭＣシートの下部補助電極４６が形成された面に、第２ＭＣシートをヒータ電極４４が上になるように積層し、その上に第１ＭＣシートを積層して積層体とする。次に、積層体をホットプレス法により焼成することによりヒータ電極４４及び下部補助電極４６が埋設されたアルミナ焼結体を得る。得られたアルミナ焼結体の両面に研削加工又はブラスト加工等を施すことにより形状や厚みを調整し、平板状の下部プレート４０を得る（図１０Ａ参照）。なお、アルミナ製のＭＣシートの代わりに、グリーンシートを用いてもよい。
次に、下部プレート４０の上面に、下部プレート４０と同径の平板状の第２金属接合材３０２を載せ、その上に中間プレート３０を載せ、更に中間プレート３０の上面に上部プレート２０と同径の平板状の第１金属接合材３０１を載せ、上部プレート２０の下面が第１金属接合材３０１と接触するように載せる。これにより、上部プレート２０と下部プレート４０との間に、中間プレート３０が各金属接合材３０１，３０２を介して挟まれた状態のサンドイッチ積層体が得られる。次に、第１及び第２金属接合材３０１，３０２の固
相線温度以下（例えば、固相線温度から２０℃引いた温度以上固相線温度以下）の温度でサンドイッチ積層体を加圧して、上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とをＴＣＢ接合し（図１０Ｂ参照）、その後室温に戻す。これにより、第１金属接合材３０１が第１金属接合層３１になり、第２金属接合材３０２が第２金属接合層３２になった接合体８０が得られる（図１０Ｃ参照）。この工程を工程（ｂ）と称する。第１及び第２金属接合材３０１，３０２としては、Ａｌ－Ｍｇ系接合材やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用することができる。例えば、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材（８８．５重量％のＡｌ、１０重量％のＳｉ、１．５重量％のＭｇを含有し、固相線温度が約５６０℃）を用いてＴＣＢ接合する場合、真空雰囲気下、５４０～５６０℃（例えば５５０℃）に加熱した状態で上部プレート２０を０．５～２．０ｋｇ／ｍｍ2 （例えば１．５ｋｇ／ｍｍ2）の圧力
で数時間かけて加圧する。第１及び第２金属接合材３０１，３０２は厚みが１００μｍ前後のものを用いるのが好ましい。
相線温度以下（例えば、固相線温度から２０℃引いた温度以上固相線温度以下）の温度でサンドイッチ積層体を加圧して、上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とをＴＣＢ接合し（図１０Ｂ参照）、その後室温に戻す。これにより、第１金属接合材３０１が第１金属接合層３１になり、第２金属接合材３０２が第２金属接合層３２になった接合体８０が得られる（図１０Ｃ参照）。この工程を工程（ｂ）と称する。第１及び第２金属接合材３０１，３０２としては、Ａｌ－Ｍｇ系接合材やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用することができる。例えば、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材（８８．５重量％のＡｌ、１０重量％のＳｉ、１．５重量％のＭｇを含有し、固相線温度が約５６０℃）を用いてＴＣＢ接合する場合、真空雰囲気下、５４０～５６０℃（例えば５５０℃）に加熱した状態で上部プレート２０を０．５～２．０ｋｇ／ｍｍ2 （例えば１．５ｋｇ／ｍｍ2）の圧力
で数時間かけて加圧する。第１及び第２金属接合材３０１，３０２は厚みが１００μｍ前後のものを用いるのが好ましい。
次に、接合体８０の上部プレート２０のウエハ載置面２２に、シールバンド２２ａ及び円形突起２２ｂを形成しない部分に穴を開けたパターンマスクを貼り付け、ブラストメディアを噴射してブラスト加工を行う。ブラスト加工によりウエハ載置面２２にはシールバンド２２ａや円形突起２２ｂが形成される。この工程を工程（ｃ）と称する。その後、マスクを外し、半導体製造装置用部材１０を得る（図１０Ｄ参照）。
以上詳述した半導体製造装置用部材１０では、セラミック製の上部プレート２０は、互いに平行な静電電極２４及び上部補助電極２６を内蔵しているため、静電電極のみを内蔵している場合に比べてフラットになりやすい。また、セラミック製の下部プレート４０は、互いに平行なヒータ電極４４及び下部補助電極４６を内蔵しているため、ヒータ電極のみを内蔵している場合に比べてフラットになりやすい。その結果、上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とを金属接合する際に偏荷重が生じにくくなり、接合性が良好になる。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがないかほとんどないため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができ、破損しにくい。
また、中間プレート３０は、金属とセラミックとの複合材料製であり、上部プレート２０と下部プレート４０とは、同じセラミック製であるため、半導体製造装置用部材１０に反りが発生しにくい。
更に、半導体製造装置用部材１０の製法は、（ａ）上部プレート２０と、下部プレート４０と、中間プレート３０とを用意する工程と、（ｂ）中間プレート３０の上面と上部プレート２０のウエハ載置面２２とは反対側の面２３との間に第１金属接合材３０１を配置すると共に、中間プレート３０の下面と下部プレート４０の上面との間に第２金属接合材３０２を配置し、その状態で加圧加熱したあと室温に戻すことにより接合体８０を得る工程と、を含む。この製法は、上述した半導体製造装置用部材１０を製造するのに適している。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
上述した実施形態では、上部補助電極２６は、静電電極２４にも中間プレート３０にも電気的に接続されていない独立した電極としたが、特にこれに限定されない。例えば、図１１に示すように、上部補助電極２６を、上部プレート２０に内蔵されたビア２８を介して静電電極２４に電気的に接続してもよい。この場合、上部補助電極２６を静電電極２４のジャンパ線として用いてもよい。あるいは、図１２に示すように、上部補助電極２６を、ビア２９を介して中間プレート３０に電気的に接続してもよい。この場合、中間プレート３０にＲＦ電力を供給することで上部補助電極２６をＲＦ電極として用いてもよい。なお、図１１及び図１２では上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。
上述した実施形態では、下部補助電極４６は、ヒータ電極４４にも中間プレート３０にも電気的に接続されていない独立した電極としたが、特にこれに限定されない。例えば、図１３に示すように、下部補助電極４６を、下部プレート４０に内蔵されたビア４８を介してヒータ電極４４に電気的に接続してもよい。この場合、下部補助電極４６をヒータ電極４４のジャンパ線として用いてもよい。なお、図１３では上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。
上述した実施形態では、静電電極２４の厚みｘ１［μｍ］と、上部補助電極２６の厚みｙ１［μｍ］と、静電電極２４の上部プレート２０内での配置位置（距離ａ１［ｍｍ］）と、上部補助電極２６の上部プレート２０での配置位置（距離ｂ１［ｍｍ］）とは、上部プレート２０がフラットになるように設定されていることが好ましい。また、ヒータ電極４４の厚みｘ２［μｍ］と、下部補助電極４６の厚みｙ２［μｍ］と、ヒータ電極４４の下部プレート４０内での配置位置（距離ａ２［ｍｍ］）と、下部補助電極４６の下部プレート４０での配置位置（距離ｂ２［ｍｍ］）とは、下部プレート４０がフラットになるように設定されていることが好ましい。
上述した実施形態では、静電電極２４と上部補助電極２６とは、材質及び厚さが同じであることが好ましく、距離ａ１は距離ｂ１と同じであることが好ましい。また、ヒータ電極４４と下部補助電極４６とは、材質及び厚さが同じであることが好ましく、距離ａ２は距離ｂ２と同じであることが好ましい。こうすれば、上部プレート２０や下部プレート４０がフラットになりやすい。
上述した実施形態では、工程（ａ）で用意した上部プレート２０にはシールバンド２２ａ及び円形突起２２ｂを形成しなかったが、この段階で上部プレート２０にシールバンド２２ａ及び円形突起２２ｂをブラスト加工により形成してもよい。その場合、工程（ｃ）は不要となる。
上述した実施形態では、上部プレート２０の直径をウエハＷの直径と同じにしたが、上部プレート２０の直径をウエハＷの直径よりも大きくしてもよいし、上部プレート２０の直径をウエハＷの直径よりも小さくしてもよい。
上述した実施形態では、ヒータ電極４４は下部プレート４０を平面視した領域のほぼ全面を覆うように設けたが、下部プレート４０を平面視した領域を中央の円形ゾーンとその外側の環状ゾーンとに分け、ゾーンごとにヒータ電極を設けてもよい。また、環状ゾーンを更に複数のゾーンに分割し、分割したゾーンごとにヒータ電極を設けてもよい。
上述した実施形態では、上部プレート２０を平面視したときに静電電極２４と上部補助電極２６とは重なり合う形状であってもよい。また、下部プレート４０を平面視したときにヒータ電極４４と下部補助電極４６とは重なり合う形状であってもよい。
上述した実施形態において、第１及び第２金属接合層３１，３２の側面や、中間プレート３０のうち外部に露出している部分や、中間プレート３０のうち半導体製造装置用部材１０を上下方向に貫通する貫通穴（例えばリフトピン穴やガス穴など）に露出している部分などに、環境雰囲気による腐食を防止するために、耐食保護膜を設けてもよい。耐食保護膜としては、例えばセラミック溶射膜などが挙げられる。
上述した実施形態では、下部プレート４０のうち上面に近い側にヒータ電極４４を埋設し、下面に近い側に下部補助電極４６を埋設したが、特にこれに限定されない。例えば、下部プレート４０のうち上面に近い側に下部補助電極を埋設し、下面に近い側にヒータ電極を埋設してもよい。その場合、中間プレート３０をＲＦ電源に接続し（つまり中間プレート３０をＲＦ電極として使用し）、下部補助電極をグランドに接続してもよい。こうすれば、下部補助電極はＲＦ電流が中間プレート３０からヒータ電極へ流れ込むのを防止するため、ＲＦ電流がヒータ電極に流れ込んでヒータ電極の温度制御に悪影響を及ぼすことを回避することができる。
以下に本発明の好適な実施例について説明する。本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。実験例１～５，７～９が本発明の実施例に相当し、実験例６が比較例に相当する。それらの結果を表１に示す。
［実験例１］
上述した実施形態の半導体製造装置用部材１０を、上述した製法により製造した。上部プレート２０及び下部プレート４０はＡｌ2Ｏ3製、各電極２４，２６，４４，４６はＷＣ（タングステンカーバイド）製とし、中間プレート３０はＳｉＳｉＣＴｉＣ製とした。各材料の熱膨張係数ＣＴＥ（４０～５７０℃）は表１に示した通りである。
上述した実施形態の半導体製造装置用部材１０を、上述した製法により製造した。上部プレート２０及び下部プレート４０はＡｌ2Ｏ3製、各電極２４，２６，４４，４６はＷＣ（タングステンカーバイド）製とし、中間プレート３０はＳｉＳｉＣＴｉＣ製とした。各材料の熱膨張係数ＣＴＥ（４０～５７０℃）は表１に示した通りである。
上部プレート２０については、第１～第３ＭＣシート７１～７３を用いて積層体７０を作製するにあたり、上面から静電電極２４までの距離と下面から上部補助電極２６までの距離とが同じになるようにした。そのため、積層体７０を焼成して得られたアルミナ焼結体７６においても、上面から静電電極２４までの距離と下面から上部補助電極２６までの距離とが同じになった。また、そのアルミナ焼結体７６の上面及び下面を切削加工する際、上面から静電電極２４までの距離ａ１と下面から上部補助電極２６までの距離ｂ１とが同じになるようにした。上部プレート２０の具体的な寸法や電極形状は表１に示した通りである。得られた上部プレート２０の形状はフラットであった。なお、上部プレート２０の外径は３００ｍｍ、静電電極２４の外径及び上部補助電極２６の外径はいずれも２９６ｍｍであった。
下部プレート４０についても、上部プレート２０と同様にして作製した。第１～第３ＭＣシートを用いて積層体を作製するにあたり、上面からヒータ電極４４までの距離と下面から下部補助電極４６までの距離とが同じになるようにした。そのため、積層体を焼成して得られたアルミナ焼結体においても、上面からヒータ電極４４までの距離と下面から下部補助電極４６までの距離とが同じになった。また、そのアルミナ焼結体の上面及び下面を切削加工する際、上面からヒータ電極４４までの距離ａ２と下面から下部補助電極４６までの距離ｂ２とが同じになるようにした。下部プレート４０の具体的な寸法や電極形状は表１に示した通りである。得られた下部プレート４０の形状はフラットであった。なお、下部プレート４０の外径は３００ｍｍ、ヒータ電極４４の外径及び下部補助電極４６の外径はいずれも２９６ｍｍであった。
上部プレート２０と中間プレート３０との間に第１金属接合材３０１を配置すると共に下部プレート４０と中間プレート３０との間に第２金属接合材３０２を配置し、ＴＣＢにより上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とを接合した。第１及び第２金属接合材３０１，３０２としてはＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を用いた。
上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
［実験例２］
表１の実験例２に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。なお、実験例２において、上部補助電極２６の形状を同心リング形状（図４参照）に変更した場合も、実験例２と同様の結果が得られた。
表１の実験例２に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。なお、実験例２において、上部補助電極２６の形状を同心リング形状（図４参照）に変更した場合も、実験例２と同様の結果が得られた。
［実験例３］
表１の実験例３に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。なお、実験例３において、上部補助電極２６の形状を円板から同心リング形状（図４参照）及び渦巻き形状（図６参照）に変更した場合も、実験例３と同様の結果が得られた。
表１の実験例３に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。なお、実験例３において、上部補助電極２６の形状を円板から同心リング形状（図４参照）及び渦巻き形状（図６参照）に変更した場合も、実験例３と同様の結果が得られた。
［実験例４］
表１の実験例４に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０は凸形状（最大高さと最小高さとの差Δｈ１は０．１ｍｍ）、下部プレート４０も凸形状（最大高さと最小高さとの差Δｈ２は０．１ｍｍ）であったが、Δｈ１，Δｈ２が許容範囲内（０．１ｍｍ以内）だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、Δｈ１，Δｈ２が許容範囲内だったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
表１の実験例４に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０は凸形状（最大高さと最小高さとの差Δｈ１は０．１ｍｍ）、下部プレート４０も凸形状（最大高さと最小高さとの差Δｈ２は０．１ｍｍ）であったが、Δｈ１，Δｈ２が許容範囲内（０．１ｍｍ以内）だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、Δｈ１，Δｈ２が許容範囲内だったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
［実験例５］
表１の実験例５に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
表１の実験例５に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
［実験例６］
表１の実験例６に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０も下部プレート４０も凹形状で、Δｈ１，Δｈ２はいずれも０．２ｍｍで許容範囲外だったため、金属接合する際に偏荷重が生じ、良好に接合することができなかった。また、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができなかった。
表１の実験例６に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０も下部プレート４０も凹形状で、Δｈ１，Δｈ２はいずれも０．２ｍｍで許容範囲外だったため、金属接合する際に偏荷重が生じ、良好に接合することができなかった。また、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができなかった。
［実験例７］
表１の実験例７に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０も下部プレート４０も凹形状であったが、Δｈ１，Δｈ２はいずれも０．１ｍｍで許容範囲内（０．１ｍｍ以内）だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、Δｈ１，Δｈ２が許容範囲内だったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
表１の実験例７に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０も下部プレート４０も凹形状であったが、Δｈ１，Δｈ２はいずれも０．１ｍｍで許容範囲内（０．１ｍｍ以内）だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、Δｈ１，Δｈ２が許容範囲内だったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
［実験例８］
表１の実験例８に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
表１の実験例８に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
［実験例９］
表１の実験例９に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
表１の実験例９に示した条件を採用して、実験例１と同様にして半導体製造装置用部材１０を製造した。上部プレート２０と中間プレート３０と下部プレート４０とはいずれもフラットな形状だったため、金属接合する際に偏荷重が生じにくく、良好に接合することができた。また、上部プレート２０や下部プレート４０は反りがなかったため、反りの戻り力による残留応力の発生を防止することができた。
１０ 半導体製造装置用部材、２０ 上部プレート、２２ ウエハ載置面、２２ａ シールバンド、２２ｂ 円形突起、２４ 静電電極、２６ 上部補助電極、２７ 誘電体層、２８，２９ ビア、３０ 中間プレート、３１ 第１金属接合層、３２ 第２金属接合層、４０ 下部プレート、４２ 上面、４３ 下面、４４ ヒータ電極、４４ａ 一端、４４ｂ 他端、４６ 下部補助電極、４８ ビア、５０ 冷却装置、５２ 冷媒通路、５４ 円形溝、５６ 環状面、５７ シール部材、５８ ネジ穴、５９ ネジ挿入穴、６０ クランプリング、６２ 段差、６４ 縦穴、６５，６７ ネジ、６６ ネジ穴、７０ 積層体、７１ 第１ＭＣシート、７２ 第２ＭＣシート、７３ 第３ＭＣシート、７３ 積層体、７６ アルミナ焼結体、８０ 接合体、３０１ 第１金属接合材、３０２ 第２金属接合材。
Claims (8)
- ウエハ載置面を有し、互いに平行な静電電極及び上部補助電極を内蔵するセラミック製の上部プレートと、
前記上部プレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に第１金属接合層を介して接合された中間プレートと、
前記中間プレートの前記上部プレートと接合された面とは反対側の面に第２金属接合層を介して接合され、互いに平行なヒータ電極及び下部補助電極を内蔵する下部プレートと、
を備え、
前記中間プレートの直径は、前記上部プレート及び下部プレートの直径よりも大きい、
半導体製造装置用部材。 - 前記上部補助電極は、前記上部プレートに内蔵されたビアを介して前記静電電極に電気的に接続された電極であるか、前記中間プレートに電気的に接続された電極であるか、又は、前記静電電極にも前記中間プレートにも電気的に接続されていない独立した電極である、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記下部補助電極は、前記下部プレートに内蔵されたビアを介して前記ヒータ電極に電気的に接続された電極であるか、又は、前記ヒータ電極にも前記中間プレートにも電気的に接続されていない独立した電極である、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記静電電極の厚みと、前記上部補助電極の厚みと、前記静電電極の前記上部プレート内での配置位置と、前記上部補助電極の前記上部プレートでの配置位置とは、前記上部プレートがフラットになるように設定され、
前記ヒータ電極の厚みと、前記下部補助電極の厚みと、前記ヒータ電極の前記下部プレート内での配置位置と、前記下部補助電極の前記下部プレートでの配置位置とは、前記下部プレートがフラットになるように設定されている、
請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記静電電極と前記上部補助電極とは、材質及び厚さが同じであり、前記上部プレートの前記ウエハ載置面から前記静電電極までの距離は、前記ウエハ載置面とは反対側の面から前記上部補助電極までの距離と同じであり、
前記ヒータ電極と前記下部補助電極とは、材質及び厚さが同じであり、前記下部プレートの接合面から前記ヒータ電極までの距離は、前記接合面とは反対側の面から前記下部補助電極までの距離と同じである、
請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記静電電極の外径と前記上部補助電極の外径とは同じであり、
前記ヒータ電極の外径と前記下部補助電極の外径とは同じである、
請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記中間プレートは、金属とセラミックとの複合材料製又は金属製であり、前記下部プレートは、前記上部プレートと同じセラミック製である、
請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。 - （ａ）ウエハ載置面を有し、互いに平行な静電電極及び上部補助電極を内蔵するセラミック製の上部プレートと、互いに平行なヒータ電極及び下部補助電極を内蔵する下部プレートと、中間プレートとを用意する工程と、
（ｂ）前記中間プレートの上面と前記上部プレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面との間に第１金属接合材を配置すると共に、前記中間プレートの下面と前記下部プレートの上面との間に第２金属接合材を配置し、その状態で加圧加熱したあと室温に戻すことにより接合体を得る工程と、
を含み、
前記中間プレートの直径は、前記上部プレート及び下部プレートの直径よりも大きい、
半導体製造装置用部材の製法。
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