CN116895503A - 晶片载放台 - Google Patents

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CN116895503A CN202310005569.6A CN202310005569A CN116895503A CN 116895503 A CN116895503 A CN 116895503A CN 202310005569 A CN202310005569 A CN 202310005569A CN 116895503 A CN116895503 A CN 116895503A
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久野达也
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NGK Insulators Ltd
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Abstract

本发明提供一种晶片载放台，能够进一步改善晶片的均热性。晶片载放台(10)构成为：在内置有电极(22)的陶瓷板(20)的下表面侧设置有具有制冷剂流路(32)的冷却板(30)。作为水平空间的气体中间通路(50)与晶片载放面(21)平行地设置于晶片载放台(10)的内部的比制冷剂流路(32)靠近晶片载放面(21)的位置，且具有俯视时沿着制冷剂流路(32)与制冷剂流路重复的重复部。

Description

晶片载放台
技术领域
本发明涉及晶片载放台。
背景技术
以往，已知有如下晶片载放台，该晶片载放台具备：内置有电极的陶瓷板，其上表面具有晶片载放面；以及金属制的冷却板，该冷却板接合于陶瓷板的下表面。专利文献1公开了如下内容，即、这样的晶片载放台中，在陶瓷板的内部具备：气体中间通路，其与晶片载放面平行；多个气体供给通路，它们从气体中间通路到达晶片载放面；以及气体导入通路，其沿着上下方向贯穿冷却板而与气体中间通路连通。在气体中间通路所设置的气体导入通路的数量比气体供给通路的数量少。据此，在制冷剂流路彼此之间沿着上下方向通过的气体导入通路的数量比气体供给通路的数量少，因此，晶片的均热性得到改善。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-188247号公报
发明内容
然而，专利文献1中存在如下问题，即、晶片中的制冷剂流路的正上方部分与除此以外的部分相比，由制冷剂带来的冷却效果较高，因此，容易成为低温。
本发明是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，进一步改善晶片的均热性。
本发明的晶片载放台是在上表面具有晶片载放面且内置有电极的陶瓷板的下表面侧设置有具有制冷剂流路的冷却板的晶片载放台，
具备水平空间，该水平空间与所述晶片载放面平行地设置于所述晶片载放台的内部的比所述制冷剂流路靠近所述晶片载放面的位置，且具有俯视时沿着所述制冷剂流路与所述制冷剂流路重复的重复部。
该晶片载放台中设置有水平空间。水平空间与晶片载放面平行地设置于晶片载放台的内部的比制冷剂流路靠近晶片载放面的位置，且具有俯视时沿着制冷剂流路与制冷剂流路重复的重复部。由于水平空间为空洞，所以，形成有水平空间的部分与未形成水平空间的部分相比，难以进行热传导。晶片中的制冷剂流路的正上方部分容易因制冷剂而成为低温，不过，通过难以进行热传导的水平空间的重复部而使得低温化得以抑制。结果，晶片的均热性提高。
应予说明，“水平空间”在晶片载放台的内部的比制冷剂流路靠近晶片载放面的位置即可，可以设置于任何部位，例如，可以设置于陶瓷板的内部，也可以设置于冷却板的内部，还可以设置于陶瓷板与冷却板之间。另外，所谓“平行”，除了完全平行的情形以外，即便不完全平行，如果在被容许的误差(例如公差)的范围内，也视为平行。
上述晶片载放台(上述[1]所述的晶片载放台)中，所述制冷剂流路可以设置成：基于以俯视时不相互重叠的方式配置直径不同的多个虚拟圆而得到的多重圆，从一端至另一端按一笔画的要领迂回，所述水平空间可以按俯视时与所述多个虚拟圆中的任一者重复的方式呈圆环状设置。据此，容易使水平空间的重复部变大。
上述晶片载放台(上述[2]所述的晶片载放台)中，所述水平空间可以不与所述多个虚拟圆中的最外周的虚拟圆重复。在利用等离子体对晶片进行处理时，晶片的最外周区域容易成为比较高的温度。因此，制冷剂流路的最外周区域的正上方部分优选不设置水平空间，从而积极地进行晶片的外周区域的排热。
上述晶片载放台(上述[1]～[3]中的任一项所述的晶片载放台)中，所述水平空间可以为供气体通过的气体中间通路。该晶片载放台可以具备：多个气体供给通路，该多个气体供给通路从所述气体中间通路到达所述晶片载放面；以及气体导入通路，该气体导入通路设置成在所述冷却板的所述制冷剂流路彼此之间沿着上下方向贯通而与所述气体中间通路连通，且该气体导入通路的数量比与所述气体中间通路连通的所述气体供给通路的数量少。当从在冷却板的下表面呈开口的气体导入通路导入气体时，该气体从气体中间通路通过而被分配给多个气体供给通路，从而向晶片的下表面供给。该晶片载放台中，贯穿冷却板的气体导入通路的数量比气体供给通路的数量少。因此，与贯穿冷却板的气体导入通路的数量和气体供给通路的数量相同的情况相比，晶片的均热性提高。
上述晶片载放台(上述[4]所述的晶片载放台)中，所述冷却板可以为导电性板，或至少在上层具备导电性板，所述导电性板可以借助导电性接合层而接合于所述陶瓷板的下表面，所述气体中间通路可以设置于所述导电性接合层与所述导电性板的界面。据此，形成气体中间通路的上表面的导电性接合层和形成气体中间通路的下表面的导电性板抵接而成为相同电位。因此，在气体中间通路的上下不会产生电位梯度，能够防止气体中间通路内的放电。
上述晶片载放台(上述[5]所述的晶片载放台)中，所述气体供给通路可以具有电绝缘性的多孔质插塞，所述多孔质插塞的下端可以与所述导电性接合层及所述导电性板的至少一者接触。据此，多孔质插塞的下端与导电性接合层或导电性板成为相同电位。因此，在多孔质插塞的下端与导电性接合层之间、多孔质插塞的下端与导电性板之间不会产生电位梯度。因此，能够抑制在多孔质插塞的下端周边发生放电。
附图说明
图1是晶片载放台10的俯视图。
图2是图1的A-A截面图。
图3是从上方观察沿从气体中间通路50通过的水平面将晶片载放台10切断的剖切面时的截面图。
图4是从上方观察沿从制冷剂流路32通过的水平面将晶片载放台10切断的剖切面时的截面图。
图5是在晶片载放台10的俯视图中标上制冷剂流路32等的说明图。
图6是晶片载放台10的制造工序图。
图7是将气体中间通路50设置于陶瓷板20的内部的例子的纵向截面图。
图8是不使气体中间通路50与制冷剂流路32的最外周重复的例子的说明图。
图9是表示接合层贯通部52a的另一例的局部放大截面图。
图10是表示接合层贯通部52a的另一例的局部放大截面图。
图11是晶片载放台110的纵向截面图。
图12是晶片载放台210的纵向截面图。
附图标记说明
10…晶片载放台，20…陶瓷板，21…晶片载放面，21a…密封带，21b…圆形小突起，21c…基准面，22…电极，30…冷却板，31…凹沟，32…制冷剂流路，32a…凹沟，34、35…制冷剂流路沟，36…圆形板，40…导电性接合层，40a…小孔，50…气体中间通路，50p…重复部，52…气体供给通路，52a…接合层贯通部，52b…陶瓷板贯通部，53…气体辅助通路，54…气体导入通路，54a…贯通孔，54b…贯通孔，55…多孔质插塞，81、82…MMC圆板部件，83、90…金属接合材料。
具体实施方式
接下来，采用附图，对本发明的优选实施方式进行说明。图1是晶片载放台10的俯视图，图2是图1的A－A截面图，图3是从上方观察沿从气体中间通路50通过的水平面将晶片载放台10切断的剖切面时的截面图，图4是从上方观察沿从制冷剂流路32通过的水平面将晶片载放台10切断的剖切面时的截面图，图5是在晶片载放台10的俯视图中标上制冷剂流路32等的说明图。应予说明，本说明书中，“上”“下”不是表示绝对的位置关系，而是表示相对的位置关系。因此，根据晶片载放台10的朝向的不同，“上”“下”会变成“下”“上”，或者变成“左”“右”，或者变成“前”“后”。
如图2所示，晶片载放台10具备：陶瓷板20、冷却板30、导电性接合层40、气体中间通路50、气体供给通路52、以及气体导入通路54。
陶瓷板20是氧化铝烧结体、氮化铝烧结体等陶瓷制的圆板(例如直径300mm、厚度5mm)。陶瓷板20的上表面为供晶片W载放的晶片载放面21。陶瓷板20内置有电极22。如图1所示，在陶瓷板20的晶片载放面21沿着外缘而形成有环状的密封带21a，在密封带21a的内侧的整面形成有多个圆形小突起21b。密封带21a及圆形小突起21b为相同高度，其高度为例如几μm～几十μm。电极22为用作静电电极的平面状的网状电极，借助未图示的供电部件而与外部的直流电源连接。在供电部件的中途可以配置有低通滤波器。供电部件与导电性接合层40及冷却板30电绝缘。当向该电极22施加直流电压时，晶片W利用静电吸附力而吸附固定于晶片载放面21(具体地为密封带的上表面及圆形小突起的上表面)；当解除直流电压的施加时，晶片W向晶片载放面21的吸附固定得以解除。应予说明，将晶片载放面21的未设置密封带21a、圆形小突起21b的部分称为基准面21c。
冷却板30是热传导率良好的导电性的圆板(为直径在陶瓷板20的直径以上的圆板)。在冷却板30的内部形成有供制冷剂循环的制冷剂流路32。流通于制冷剂流路32的制冷剂优选为液体，且优选为电绝缘性。作为电绝缘性的液体，例如可以举出氟系非活性液体等。制冷剂流路32俯视时在整个冷却板30中从一端(入口)至另一端(出口)按一笔画的要领形成。如图4所示，制冷剂流路32设置成：基于以俯视时不相互重叠的方式配置直径不同的多个虚拟圆(单点划线的圆C1～C4，此处，圆C1～C4为同心圆)得到的多重圆，从一端至另一端按一笔画的要领迂回。具体而言，在从一端至另一端按一笔画的要领迂回设置制冷剂流路32时，以一边将多重圆中的处于内外关系的2个虚拟圆连结一边描绘虚拟圆的方式迂回。在制冷剂流路32的一端及另一端分别连接有未图示的外部制冷剂装置的供给口及回收口。从外部制冷剂装置的供给口供给到制冷剂流路32的一端的制冷剂从制冷剂流路32通过后，从制冷剂流路32的另一端返回外部制冷剂装置的回收口，进行温度调整后，再次从供给口向制冷剂流路32的一端供给。冷却板30与高频(RF)电源连接，还用作RF电极。
冷却板30的材料可以举出例如金属材料、金属与陶瓷的复合材料等。作为金属材料，可以举出：Al、Ti、Mo或它们的合金等。作为金属与陶瓷的复合材料，可以举出：金属基复合材料(MMC)、陶瓷基复合材料(CMC)等。作为上述复合材料的具体例，可以举出：包含Si、SiC及Ti的材料(也称为SiSiCTi)、使Al和/或Si含浸于SiC多孔质体而得到的材料、Al2O3与TiC的复合材料等。作为冷却板30的材料，优选热膨胀系数与陶瓷板20的材料接近的材料。
导电性接合层40为例如金属接合层，将陶瓷板20的下表面和冷却板30的上表面接合。例如，利用TCB(Thermal compression bonding)形成导电性接合层40。TCB是指：将金属接合材料夹入于待接合的2个部件之间，在加热到金属接合材料的固相线温度以下的温度的状态下，将2个部件进行加压接合的公知的方法。
气体中间通路50为水平空间，与晶片载放面21平行地设置于晶片载放台10的内部的比制冷剂流路32靠近晶片载放面21的位置(此处为导电性接合层40与冷却板30的界面)。应予说明，所谓“平行”，除了完全平行的情形以外，即便不完全平行，如果在被容许的误差(例如公差)的范围内，也视为平行。气体中间通路50具有凹沟31，该凹沟31设置于冷却板30的上表面，通过利用导电性接合层40将凹沟31的上表面覆盖而形成气体中间通路50。如图5所示，气体中间通路50以俯视时与多个虚拟圆C1～C4中的任一者重复的方式呈圆环状设置。具体而言，3个气体中间通路50中，自晶片载放台10的外周缘起算，第一个气体中间通路50与最大径的虚拟圆C1重复，第二个气体中间通路50与第二大径的虚拟圆C2重复，第三个气体中间通路与第三大径的虚拟圆C3重复。各气体中间通路50具有俯视时沿着制冷剂流路32与制冷剂流路32重复的重复部50p(图5的网格部分)。应予说明，所谓沿着制冷剂流路32与制冷剂流路32重复，并不需要制冷剂流路32的长度方向上的中心线和气体中间通路50的长度方向上的中心线一定平行。另外，不需要在整个制冷剂流路32完全重复。
如图2所示，气体供给通路52是：从气体中间通路50沿着上下方向贯穿导电性接合层40及陶瓷板20并到达晶片载放面21的基准面21c(图1)的通路。气体供给通路52具有：贯穿导电性接合层40的接合层贯通部52a、以及贯穿陶瓷板20的陶瓷板贯通部52b。本实施方式中，接合层贯通部52a的直径为陶瓷板贯通部52b的直径以上。气体供给通路52相对于1个气体中间通路50而设置有多个(此处为12个)。气体供给通路52具有容许气体流通的电绝缘性的多孔质插塞55。此处，多孔质插塞55以填充于气体供给通路52中的陶瓷板贯通部52b的状态固定。具体而言，可以为多孔质插塞55的外周面和陶瓷板贯通部52b的内周面粘接，也可以为在多孔质插塞55的外周面所设置的外螺纹部旋合于在陶瓷板贯通部52b的内周面所设置的内螺纹部。多孔质插塞55的上表面为与晶片载放面21的基准面21c相同的高度，多孔质插塞55的下表面为与陶瓷板20的下表面相同的高度。作为多孔质插塞55，可以采用将陶瓷粉末烧结而得到的多孔质块体。作为陶瓷，可以采用例如氧化铝、氮化铝等。多孔质插塞55的气孔率优选为30％以上，平均气孔径优选为20μm以上。
气体导入通路54设置成：沿着上下方向贯穿冷却板30，借助气体辅助通路53(图3)而与气体中间通路50连通。气体辅助通路53为将气体导入通路54和气体中间通路50连结的通路，与晶片载放面21平行地设置于导电性接合层40与冷却板30的界面。气体供给通路52相对于1个气体中间通路50而设置有多个，气体导入通路54设置有比气体供给通路52的数量少的数量(此处为1个)。气体导入通路54在冷却板30的制冷剂流路32彼此之间沿着上下方向贯通。
接下来，对上述构成的晶片载放台10的使用例进行说明。首先，在未图示的腔室内设置有晶片载放台10的状态下，将晶片W载放于晶片载放面21。然后，利用真空泵将腔室内减压，调整为规定的真空度，向陶瓷板20的电极22施加直流电压，使其产生静电吸附力，将晶片W吸附固定于晶片载放面21(具体地为密封带21a的上表面、圆形小突起21b的上表面)。接下来，将腔室内设为规定压力(例如几十～几百Pa)的反应气体气氛，在该状态下，向在腔室内的顶部所设置的未图示的上部电极与晶片载放台10的冷却板30之间施加RF电压，使其产生等离子体。利用产生的等离子体，对晶片W的表面进行处理。制冷剂在冷却板30的制冷剂流路32中循环。从未图示的气瓶向气体导入通路54导入背侧气体。作为背侧气体，采用热传导气体(例如He气体等)。导入至气体导入通路54的背侧气体从气体中间通路50通过而分配给多个气体供给通路52，从而向晶片W的背面与晶片载放面21的基准面21c之间的空间供给并封入。因该背侧气体的存在而使得效率良好地进行晶片W和陶瓷板20的热传导。
接下来，基于图6，对晶片载放台10的制造例进行说明。图6是晶片载放台10的制造工序图。此处，例示用MMC制作冷却板30的情形。首先，准备内置有电极22的陶瓷板20(图6(A))。例如，制作内置有电极22的陶瓷粉末的成型体，对该成型体进行热压烧成，由此得到陶瓷板20。在该陶瓷板20形成最终成为气体供给通路52的一部分的陶瓷板贯通部52b(图6(B))。陶瓷板贯通部52b形成为：避开电极22地沿着上下方向贯穿陶瓷板20。
与此同时，准备2个MMC圆板部件81、82(图6(C))。然后，通过机械加工，在上述MMC圆板部件81、82适当形成沟、孔(图6(D))。具体而言，在上侧的MMC圆板部件81的下表面形成最终成为制冷剂流路32的凹沟32a，并在MMC圆板部件81的上表面形成最终成为气体中间通路50的凹沟31。另外，按从凹沟31到达MMC圆板部件81的下表面的方式形成最终成为气体导入通路54的一部分的贯通孔54a。此外，在下侧的MMC圆板部件82上形成最终成为气体导入通路54的一部分的贯通孔54b。陶瓷板20为氧化铝制的情况下，MMC圆板部件81、82优选为SiSiCTi制或AlSiC制。这是因为：氧化铝的热膨胀系数和SiSiCTi、AlSiC的热膨胀系数可以大致相同。
例如，SiSiCTi制的圆板部件可以如下制作。首先，将碳化硅、金属Si以及金属Ti混合，制作粉体混合物。接下来，将得到的粉体混合物进行单轴加压成型，制作圆板状的成型体，使该成型体在非活性气氛下热压烧结，由此得到SiSiCTi制的圆板部件。
接下来，将陶瓷板20、MMC圆板部件81以及MMC圆板部件82进行TCB接合，之后，调整整体的形状，安装多孔质插塞55，由此得到晶片载放台10(图6(E)、(F))。具体而言，将金属接合材料83夹入于下侧的MMC圆板部件82的上表面与上侧的MMC圆板部件81的下表面之间，并将金属接合材料90夹入于上侧的MMC圆板部件81的上表面与陶瓷板20的下表面之间，由此得到层叠体。在金属接合材料83预先形成最终成为气体导入通路54的一部分的贯通孔，并在金属接合材料90预先形成最终成为气体供给通路52的一部分(接合层贯通部52a)的贯通孔。接下来，于金属接合材料83、90的固相线温度以下(例如、固相线温度减去20℃得到的温度以上且固相线温度以下)的温度，对层叠体进行加压而接合，之后，返回室温。据此，2个MMC圆板部件81、82通过金属接合材料83进行接合而成为冷却板30。另外，陶瓷板20和冷却板30通过金属接合材料90进行接合。金属接合材料90成为导电性接合层40。作为金属接合材料83、90，可以使用Al－Mg系接合材料、Al－Si－Mg系接合材料。例如，使用Al－Si－Mg系接合材料进行TCB的情况下，在真空气氛下以加热状态对层叠体进行加压。金属接合材料83、90优选使用厚度为100μm左右的材料。
在以上详细说明的晶片载放台10设置有作为水平空间的气体中间通路50。气体中间通路50与晶片载放面平行地设置于晶片载放台10的内部的比制冷剂流路32靠近晶片载放面21的位置，且具有俯视时沿着制冷剂流路32与制冷剂流路32重复的重复部50p(图5)。由于气体中间通路50为空洞，所以，形成有气体中间通路50的部分与未形成有气体中间通路50的部分相比，难以进行热传导。晶片W中的制冷剂流路32的正上方部分容易因制冷剂而成为低温，不过，通过难以进行热传导的气体中间通路50的重复部50p可抑制低温化。结果，晶片W的均热性提高。
另外，制冷剂流路32设置成：基于以俯视时不相互重叠的方式配置直径不同的多个虚拟圆C1～C4而得到的多重圆，从一端至另一端按一笔画的要领迂回，气体中间通路50可以按俯视时与多个虚拟圆C1～C4中的任一者重复的方式呈圆环状设置。因此，容易使气体中间通路50的重复部50p变大。
进而，当从在冷却板30的下表面呈开口的气体导入通路54导入气体时，该气体从气体中间通路50通过而分配给多个气体供给通路52，从而向晶片W的下表面供给。该晶片载放台10中，贯穿冷却板30的气体导入通路54的数量比气体供给通路52的数量少。因此，与贯穿冷却板30的气体导入通路54的数量和气体供给通路52的数量相同的情况相比，晶片W的均热性提高。
此外，冷却板30为导电性板，借助导电性接合层40而接合于陶瓷板20的下表面，气体中间通路50设置于导电性接合层40与冷却板30的界面。因此，形成气体中间通路50的上表面的导电性接合层40和形成气体中间通路50的下表面的冷却板30抵接而成为相同电位。所以，在气体中间通路50的上下不会产生电位梯度，能够防止气体中间通路50内的放电。
另外，气体供给通路52具有电绝缘性的多孔质插塞55。因此，能够抑制气体供给通路52内的放电。例如，如果没有多孔质插塞55，则随着气体分子电离而产生的电子加速，并撞击其他气体分子，由此发生电弧放电，不过，如果具有多孔质插塞55，则电子撞击其他气体分子之前，撞到多孔质插塞55，因此，电弧放电得以抑制。
并且，气体中间通路50的宽度优选为1mm以上，气体中间通路50的深度优选为0.1mm以上。如果气体中间通路50的宽度为1mm以上，则形成凹沟31时使用的磨石的直径无需过小，因此，加工时间变短，能够降低加工成本。如果气体中间通路50的深度为0.1mm以上，则气体容易流通于气体中间通路50。另外，冷却板30中，制冷剂流路32的上侧的部分的厚度优选为3mm以下。据此，冷却板30中，在制冷剂流路32的上侧的部分不易沿着上下方向产生较大的温度差，不易在该部分产生应力，因此，能够防止该部分因应力而发生破损。这种情况下，气体中间通路50的深度优选为0.1mm以上且2mm以下。
应予说明，本发明不受上述实施方式的任何限定，当然只要属于本发明的技术范围就可以以各种方案进行实施。
上述实施方式中，设置有与作为水平空间的气体中间通路50连通的气体供给通路52及气体导入通路54，但不特别限定于此。例如，上述实施方式中，虽然设置与气体中间通路50连通的气体导入通路54，不过，也可以不设置气体供给通路52。这种情况下，从气体导入通路54向气体中间通路50导入气体之后，将气体封入于气体中间通路50内，通过控制气体压力，也可以调整晶片的均热。或者，上述实施方式中，虽然设置气体中间通路50，不过，也可以不设置气体供给通路52及气体导入通路54。这种情况下，气体中间通路50成为封闭空间。
上述实施方式中，将气体中间通路50设置于导电性接合层40与冷却板30的界面，不过，可以将气体中间通路50设置于陶瓷板20的内部(静电电极22的下方)。将其一例示于图7。图7中，对与上述实施方式相同的构成要素标记相同的附图标记。或者，可以将气体中间通路50设置于冷却板30中的制冷剂流路32的上侧的部分。
上述实施方式中，气体中间通路50可以形成为：如图8所示，不与多个虚拟圆C1～C4中的最外周的虚拟圆C1重复。图8中，对与上述实施方式相同的构成要素标记相同的附图标记。在利用等离子体对晶片W进行处理时，晶片W的最外周区域容易成为比较高的温度。因此，制冷剂流路32的最外周区域的正上方部分优选不设置气体中间通路50，从而积极地进行晶片W的外周区域的排热。
上述实施方式中，俯视时，各气体中间通路50的中心线与制冷剂流路32重复的区域的长度的合计优选为各气体中间通路50的中心线的长度的合计的75％的以上。
上述实施方式中，多孔质插塞55的下端可以与导电性接合层40接触。例如，如图9所示，可以使气体供给通路52中的接合层贯通部52a的孔径小于陶瓷板贯通部52b的孔径，使得多孔质插塞55的下端与导电性接合层40接触。接合层贯通部52a的孔径优选为5mm以下。或者，如图10所示，可以将气体供给通路52中的接合层贯通部52a以孔径小于陶瓷板贯通部52b的孔径的多个小孔40a构成，使得多孔质插塞55的下端与导电性接合层40接触。小孔40a的孔径优选为5mm以下。图9及图10中，对与上述实施方式相同的构成要素标记相同的附图标记。图9及图10中，均不会在多孔质插塞55的下端与导电性接合层40之间、多孔质插塞55的下端与冷却板30之间产生电位梯度。因此，能够抑制在多孔质插塞55的下端周边发生放电。另外，将多孔质插塞55插入于气体供给通路52时，只要插入至撞到导电性接合层40的接合层贯通部52a的周边，就能够使多孔质插塞55的下端和导电性接合层40接触。
上述实施方式中，将多孔质插塞55填充于气体供给通路52中的陶瓷板贯通部52b，但不特别限定于此。例如，可以将多孔质插塞55填充于气体供给通路52的整体(接合层贯通部52a及陶瓷板贯通部52b)，也可以使多孔质插塞55的下端到达气体中间通路50的下表面。即便如此，也与图7及图8同样地不会在多孔质插塞55的下端与导电性接合层40之间、多孔质插塞55的下端与冷却板30之间产生电位梯度。因此，能够抑制在多孔质插塞55的下端周边发生放电。
上述实施方式中，作为冷却板30，例示了导电性板，但不特别限定于此。例如，像图11所示的晶片载放台110那样，冷却板130可以为：作为上层，具有导电性板131，作为下层，具有圆形板136。图11中，对与上述实施方式相同的构成要素标记相同的附图标记。导电性板131在下表面具有制冷剂流路沟134。通过在导电性板131的下表面所配置的圆形板136，将制冷剂流路沟134的下部开口封闭，形成制冷剂流路32。导电性板131和圆形板136在以使得制冷剂不从制冷剂流路32向外周侧漏出的方式液密性密封的状态下通过设置于外周侧的未图示的夹紧机构而实现一体化。气体导入通路54由从导电性板131通过的部分和从圆形板136通过的部分构成，不过，两个部分的接缝(导电性板131与圆形板136之间)被气密性密封。导电性板131和圆形板136可以由相同的材料(例如MMC)形成，不过，也可以为，将导电性板131以高价的材料(例如MMC)形成，并将圆形板136以比其便宜的材料(例如铝、铝合金等金属、氧化铝等陶瓷等)形成。
或者，像图12所示的晶片载放台210那样，冷却板230也可以为：作为上层，具有导电性板231，作为下层，具有圆形板236。图12中，对与上述实施方式相同的构成要素标记相同的附图标记。导电性板231既不具有制冷剂流路也不具有制冷剂流路沟。圆形板236在上表面具有制冷剂流路沟234。制冷剂流路沟234的上部开口由导电性板231封闭，由此形成制冷剂流路32。导电性板231和圆形板236在以使得制冷剂不会从制冷剂流路32向外周侧漏出的方式液密性密封的状态下通过设置于外周侧的未图示的夹紧机构而实现一体化。气体导入通路54由从导电性板231通过的部分和从圆形板236通过的部分构成，不过，两个部分的接缝(导电性板231与圆形板236之间)被气密性密封。导电性板231和圆形板236可以由相同材料(例如MMC)形成，不过，也可以为：将导电性板231以高价的材料(例如MMC)形成，并将圆形板236以比其便宜的材料(例如铝、铝合金等金属、氧化铝等陶瓷等)形成。
上述实施方式中，将多孔质插塞55配置于气体供给通路52，不过，也可以不将多孔质插塞55配置于气体供给通路52。
上述实施方式中，气体中间通路50具有设置于冷却板30的上表面的凹沟31(第一凹部)，通过在该凹沟31之上配置导电性接合层40的下表面(平坦面)而形成气体中间通路50，但不特别限定于此。例如，气体中间通路50也可以具有设置于导电性接合层40的下表面的凹沟(第二凹部)，通过在该凹沟之下配置冷却板30的上表面(平坦面)而形成气体中间通路50。这种情况下，可以将导电性接合层40设为上下2层结构，在下层设置最终成为气体中间通路50的沟(沿着上下方向贯通的沟)，并在上层设置上述的接合层贯通部52a。即便如此，也能够比较容易地制造晶片载放台10。
上述实施方式中，多孔质插塞55的上表面设为与晶片载放面21的基准面21c相同的高度，但不特别限定于此。例如，晶片载放面21的基准面21c的高度减去多孔质插塞55的上表面的高度而得到的差值可以为0.5mm以下(优选为0.2mm以下，更优选为0.1mm以下)的范围。换言之，可以将多孔质插塞55的上表面配置于比晶片载放面21的基准面21c低0.5mm以下(优选为0.2mm以下，更优选为0.1mm以下)的范围的位置。即便如此，晶片W的下表面与多孔质插塞55的上表面之间的空间的高度也被抑制得比较低。因此，能够防止在该空间发生电弧放电。
上述实施方式中，在陶瓷板20内置有作为电极22的静电电极，不过，也可以取而代之或除此以外，内置有加热器电极(电阻发热体)。这种情况下，将加热器电源与加热器电极连接。陶瓷板20可以内置有1层电极，也可以空开间隔地内置有2层以上。
上述实施方式中，可以设置有贯穿晶片载放台10的升降销孔。升降销孔是供使晶片W相对于晶片载放面21上下的升降销穿通的孔。将晶片W以例如3根升降销支撑的情况下，升降销孔设置于3处。存在像升降销孔这样的贯通孔的情况下，在该贯通孔的周围呈现出温度升高的趋势，因此，可以使气体中间通路50和制冷剂流路32不重复。
上述实施方式中，可以为：在制冷剂流路32中的制冷剂温度较低的入口附近与气体中间通路50重复，且在制冷剂温度较高的出口附近不与气体中间通路50重复。
上述实施方式中，陶瓷板20是通过对陶瓷粉末的成型体进行热压烧成而制作的，不过，对于此时的成型体，也可以将多块流延成型体进行层叠来制作，也可以通过模铸法来制作，还可以通过将陶瓷粉末压固来制作。
上述实施方式中，将陶瓷板20和冷却板30利用导电性接合层40进行接合，不过，并不特别限定于导电性接合层40。例如，也可以采用树脂接合层来代替导电性接合层40。采用树脂接合层的情况下，为了提高热传导率，可以在树脂中添加导电性填料(例如金属填料)。
上述实施方式中，示出了按一笔画的要领形成制冷剂流路32的例子，但不特别限定于此。例如，制冷剂流路32也可以在中途具有分支。或者，也可以从制冷剂流路32的一端朝向另一端而具有多个并列流路。另外，设置制冷剂流路32时利用的虚拟圆可以在避开特异点(例如端子等)的部位发生变形。

Claims (6)

1.一种晶片载放台，在上表面具有晶片载放面且内置有电极的陶瓷板的下表面侧设置有具有制冷剂流路的冷却板，
具备水平空间，该水平空间与所述晶片载放面平行地设置于所述晶片载放台的内部的比所述制冷剂流路靠近所述晶片载放面的位置，且具有俯视时沿着所述制冷剂流路而与所述制冷剂流路重复的重复部。
2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其特征在于，
所述制冷剂流路设置成：基于以俯视时不相互重叠的方式配置直径不同的多个虚拟圆而得到的多重圆，从一端至另一端按一笔画的要领迂回，
所述水平空间按俯视时与所述多个虚拟圆中的任一者重复的方式呈圆环状设置。
3.根据权利要求2所述的晶片载放台，其特征在于，
所述水平空间不与所述多个虚拟圆中的最外周的虚拟圆重复。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，
所述水平空间为供气体通过的气体中间通路，
所述晶片载放台具备：
多个气体供给通路，该多个气体供给通路从所述气体中间通路到达所述晶片载放面；以及
气体导入通路，该气体导入通路设置成在所述冷却板的所述制冷剂流路彼此之间沿着上下方向贯通而与所述气体中间通路连通，且该气体导入通路的数量比与所述气体中间通路连通的所述气体供给通路的数量少。
5.根据权利要求4所述的晶片载放台，其特征在于，
所述冷却板为导电性板，或至少在上层具备导电性板，
所述导电性板借助导电性接合层而接合于所述陶瓷板的下表面，
所述气体中间通路设置于所述导电性接合层与所述导电性板的界面。
6.根据权利要求5所述的晶片载放台，其特征在于，
所述气体供给通路具有电绝缘性的多孔质插塞，所述多孔质插塞的下端与所述导电性接合层及所述导电性板的至少一者接触。
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