TW202234166A - 感光性元件、及光阻圖案之形成方法 - Google Patents

感光性元件、及光阻圖案之形成方法 Download PDF

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Abstract

本發明係一種依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)之感光性元件，其ISO 25178所規定之、前述支撐膜(A)中與前述感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之界面的展開面積比Sdr A2(%)、及相反側之界面的展開面積比Sdr A1(%)滿足式(1)：Sdr A1/Sdr A2＜0.75 (1)。

Description

感光性元件、及光阻圖案之形成方法
本發明係關於一種感光性元件、及光阻圖案之形成方法。
個人電腦或行動電話等電子機器中，印刷配線板等被用於安裝零件或半導體等。印刷配線板等之製造用之光阻，一直以來係使用於支撐膜上積層感光性樹脂組成物層，並進一步視需要於該感光性樹脂組成物層上積層保護膜而成之感光性元件(感光性樹脂積層體)，即所謂之乾膜光阻。
此種感光性元件中，由於使感光層硬化之曝光步驟係經由支撐膜進行，故支撐膜之特性對解析度之影響甚鉅。因此，支撐膜，理想使用會遮蔽曝光之光之潤滑劑或內部異物較少的膜(例如，參照專利文獻1~4)。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本發明專利第4014872號公報 ［專利文獻2］國際公開第2018/100730號 ［專利文獻3］日本發明專利第5814667號公報 ［專利文獻4］國際公開第2018/105620號
［發明所欲解決之技術問題］
印刷基板配線之高解析化持續發展，對於感光性樹脂組成物中之化合物之組成及配合量等亦不斷有所研究。近年來理想使用一種組成，其含有大量苯乙烯作為形成感光性樹脂層之鹼可溶性高分子體中之共聚單體成分。苯乙烯系鹼可溶性高分子體，由於鹼性顯影時不易膨潤而為高解析化不可或缺之成分，然而其與支撐膜之接著強度低，容易自感光性樹脂層脫落，存在低黏性之課題。若為低黏之感光性元件，於積層後搬送過程中以裝置拿起基板時，支撐膜可能會剝離而影響生產。於高黏化中，支撐膜之與感光性樹脂層接觸之面之表面粗度較粗者，其接著表面積增加，錨固效果(感光性樹脂層進入支撐膜微細之凹凸中而接著性提升)提高，故而有利。
另一方面，近年來對高解析的要求進一步提高，要求顯影後光阻之解析度為L/S=5/5μm以下。於精細光阻圖案中，光阻圖案側面平坦且無鬆動(日文：ガタツキ)而不與相鄰的圖案接觸，亦即側壁之筆直性良好，此有利於高解析。 對於提升側壁之筆直性，過去亦有對感光性樹脂組成物中之化合物之組成及配合量等進行研究，雖已有一定程度減輕1μm以上之鬆動，但仍未克服未滿1μm之鬆動。
側壁之鬆動有許多種原因，其中之一可列舉支撐膜之影響。由於通常對感光性元件進行曝光時是經由支撐膜對感光性樹脂層照射活性光線，因此若支撐膜中發生光的折射或散射，便會導致感光性樹脂層產生鬆動。對於此問題，作為不需改良感光性元件便提升側壁之筆直性之手法，已知一種以使用數值孔徑高之透鏡之曝光機進行曝光之方法。數值孔徑高之透鏡，由於景深較淺，故可藉由僅對焦在感光性樹脂層而最小化支撐膜之折射及散射之影響。此種方法雖在晶圓及玻璃基板等平坦的基材上有效，但在一般用於印刷配線板之覆銅積層板等中，源自有機基材之起伏及凹凸較大，存在基板整體易發生散焦之課題。發生散焦之處，光阻圖案之解析度及側壁筆直性會顯著惡化，因此，一般認為使用數值孔徑高之透鏡之曝光機(尤其是投影曝光機)難以應用於起伏較大之有機基材。
因此，理想係從材料側解決，為了達成近年要求之高度的高解析要求，尋求一種不僅無1μm以上之鬆動且亦無未滿1μm之側壁之鬆動的感光性元件。
本發明係有鑒於此種過往實情而提案者，本發明之目的在於提供一種實現高黏性及高解析度之感光性元件及光阻圖案之形成方法。 ［技術手段］
[1] 一種感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)，其特徵係 ISO 25178所規定之、前述支撐膜(A)中與前述感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之相反側之界面的展開面積比Sdr A1(%)為： Sdr A1＜0.005(%)。 [2] 一種感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)，其特徵係 ISO 25178所規定之、前述支撐膜(A)中與前述感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之界面的展開面積比Sdr A2(%)、及相反側之界面的展開面積比Sdr A1(%)滿足下述式(1)： Sdr A1/Sdr A2＜0.75   (1)。 [3] 一種感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)，其特徵係 前述支撐膜(A)中與前述感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之面在258μm×260μm面積中所含之1.0μm以上之表面粒子數P A2(個)、及相反側之面之表面粒子數P A1(個)滿足下述式(2)： P A1/P A2＜0.75   (2)。 [4] 一種感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)，其特徵係 前述支撐膜(A)中與前述感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之面的最大表面粒徑尺寸S A2(μm)、及相反側之面的最大表面粒徑尺寸S A1(μm)滿足下述式(3)： S A1/S A2＜0.75   (3)。 [5] 如[1]至[4]中任一項所述之感光性元件，其中，前述感光性樹脂組成物層(B)中，黏合劑中具芳香環之結構之共聚單體比率為50%以上。 [6] 如[5]所述之感光性元件，其中，前述具芳香環之結構為苯乙烯。 [7] 一種光阻圖案之形成方法，其特徵係包含以下步驟： 積層步驟，將如[1]至[6]中任一項所述之感光性元件積層於基板上； 曝光步驟，對前述感光性元件之感光性樹脂層進行曝光；及 顯影步驟，將前述感光性樹脂層之未曝光部顯影除去；且 前述曝光步驟係藉由投影曝光方法進行。 [8] 一種光阻圖案之形成方法，其特徵係包含以下步驟： 積層步驟，將如[1]至[6]中任一項所述之感光性元件積層於基板上； 曝光步驟，對前述感光性元件之感光性樹脂層進行曝光；及 顯影步驟，將前述感光性樹脂層之未曝光部顯影除去；且 前述曝光步驟係以曝光波長為405nm以下進行。 [9] 如[1]至[6]中任一項所述之感光性元件，其中，前述感光性元件係可積層於具平均厚度為1um以下之銅晶種層之銅基板上； 當對積層於前述銅基板上之前述感光性元件進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈10μm節距(pitch)之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由前述曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成時， 平均間距寬D W1、及最小間距寬D W2滿足 1.00＜D W1/D W2＜1.10之關係。 [10] 如[1]至[6]中任一項所述之感光性元件，其中，前述感光性元件係可積層於具平均厚度為1um以下之銅晶種層之銅基板上； 當進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈10μm節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由前述曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成、 (3)藉由對前述間距進行鍍處理之鍍圖案之形成、 (4)自前述基板之前述感光性樹脂層之剝離時， 鍍平均圖案寬P W1、及鍍最小圖案寬P W2滿足 1.00＜P W1/P W2＜1.10之關係。 [11] 如[1]至[6]中任一項所述之感光性元件，其中，前述感光性元件係可積層於具平均厚度為1um以下之銅晶種層之銅基板上； 當進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈10μm節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由前述曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成、 (3)藉由對前述間距進行鍍處理之鍍圖案之形成、 (4)自前述基板之前述感光性樹脂層之剝離、 (5)前述鍍圖案中，在前述剝離後之對前述基板之銅晶種層之蝕刻下殘存之蝕刻後鍍圖案之形成時， 蝕刻後鍍平均圖案寬F W1、及蝕刻後鍍最小圖案寬F W2滿足 1.00＜F W1/F W2＜1.10之關係。 [12] 一種導體圖案之形成方法，其係使用如[1]至[6]中任一項所述之感光性元件形成導體圖案之方法，其特徵係 前述感光性元件係可積層於具厚度t(um)之銅晶種層之銅基板上； 當對積層於前述銅基板上之前述感光性元件進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈X(μm)節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由前述曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成時， 其平均間距寬D W1為{((X/2)之±10%)+t}以上時， 進行： (3)藉由對前述間距進行鍍處理之鍍圖案之形成、 (4)自前述基板之前述感光性樹脂層之剝離時， 其鍍平均圖案寬P W1為前述平均間距寬D W1之±10%以內。 [13] 一種配線圖案之形成方法，其特徵係於如[12]所述之導體圖案之形成方法後，進行： (5)前述鍍圖案中，在前述剝離後之對前述基板之銅晶種層之蝕刻下殘存之蝕刻後鍍圖案之形成時， 其蝕刻後鍍平均圖案寬F W1小於前述鍍平均圖案寬P W1。 ［發明之效果］
本發明可提供一種實現高黏性及高解析度之感光性元件及光阻圖案之形成方法。
以下詳細說明實施本發明之實施型態。 又，以下之說明中以「~」表示之數字範圍皆包含上限及下限之數值。 [實施型態1] [感光性元件] 圖1為示意性表示本發明之感光性元件之一構成例的剖面圖。 本發明之感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)及保護膜(C)，其特徵係 ISO 25178所規定之、支撐膜(A)中與感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之相反側之界面(A1)的展開面積比Sdr A1(%)為： Sdr A1＜0.005(%)。
此外，本發明之感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)及保護膜(C)，其特徵係 ISO 25178所規定之、支撐膜(A)中與感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之界面(A2)的展開面積比Sdr A2(%)、及相反側之界面(A1)的展開面積比Sdr A1(%)滿足下述式(1)： Sdr A1/Sdr A2＜0.75   (1)。
此外，本發明之感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)及保護膜(C)，其特徵係 支撐膜(A)中與感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之面(A2)在258μm×260μm面積中所含之1.0μm以上之表面粒子數P A2(個)、及相反側之面(A1)之表面粒子數P A1(個)滿足下述式(2)： P A1/P A2＜0.75   (2)。
又，本說明書中，表面粒子數P係雷射顯微鏡下，支撐膜(A)在258μm×260μm面積中所含之1.0μm以上之粒子數。
此外，本發明之感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)及保護膜(C)，其特徵係 支撐膜(A)中與感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之面(A2)的最大表面粒徑尺寸S A2(μm)、及相反側之面(A1)的最大表面粒徑尺寸S A1(μm)滿足下述式(3)： S A1/S A2＜0.75   (3)。
又，本說明書中，最大表面粒徑尺寸S係使用雷射顯微鏡所測得之值。於粒子非完美球體之情形，以粒子之最長之寬為該粒子之徑。
本發明人對於支撐膜(A)之表面形狀對黏性及解析度之影響進行研究後，發現欲改善側壁之鬆動，亦即欲提高所形成之圖案之筆直性，於支撐膜(A)中，塗敷並形成有感光性樹脂組成物層(B)之側之面(塗敷面)A2的表面粗度或表面粒子數幾乎無影響，而相反側之面(非塗敷面)A1的表面粗度或表面粒子數則很重要。
本發明人推測：其原因應是相較於由大氣中入射至支撐膜(A)之光，由支撐膜(A)入射至感光性樹脂層(B)之光的折射率較小；如圖2所示，若支撐膜(A)之非塗敷面(A1)之表面粗度大，則由大氣中進入支撐膜(A)之入射光會發生大的折射(左側箭頭)，然而，若非塗敷面(A1)之表面粗度小，則由大氣中進入支撐膜(A)之入射光幾乎不會發生折射(右側箭頭)，可形成遮罩再現性高之圖案，側壁之鬆動變小。
藉由減小支撐膜(A)之非塗敷面A1之表面粗度，可減小側壁之鬆動，可實現高解析度。另一方面，藉由增大塗敷面A2之表面粗度，可增大支撐膜(A)與感光性樹脂層(B)之接觸面積而錨固效果提高，可實現高黏性。
亦即，本發明之感光性元件中，藉由使支撐膜(A)之展開面積比Sdr為非塗敷面(Sdr A1)＜塗敷面(Sdr A2)，或使支撐膜(A)之表面粒子數P為非塗敷面(P A1)＜塗敷面(P A2)，或使支撐膜(A)之最大表面粒徑尺寸S為非塗敷面(S A1)＜塗敷面(S A2)，可實現高黏性及高解析度。
又，若支撐膜(A)塗敷面之展開面積比Sdr、表面粒子數P或最大表面粒徑尺寸S大，則其轉印至感光性樹脂層(B)而表面凹凸變大，但此並不影響解析度及側壁之筆直性。
一直以來，係認知為了改善光阻形狀之外觀，或為了不使起因於支撐膜(A)之表面粗度之凹凸轉印至感光性樹脂層，理想為塗敷面(單面)平滑，近年來，許多僅單面平滑化之支撐膜(A)被應用在乾膜用途，但係將平滑面應用於與感光性樹脂層接觸之面，並無使用其相反面之前例。 亦即，本發明中，藉由於與通常相反之面進行塗敷，可提供實現高黏性及高解析度之感光性元件。
＜支撐膜(A)＞ 本實施型態之支撐膜(A)，係用於支撐感光性樹脂組成物層(B)之層或膜，理想為透明、可使自曝光光源放射之活性光線透射之基材膜。
此種支撐膜，可列舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯醇膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚偏二氯乙烯膜、偏二氯乙烯共聚膜、聚甲基丙烯酸甲酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚丙烯腈膜、苯乙烯共聚物膜、聚醯胺膜、纖維素衍生物膜等。此等膜，視需要亦可使用經延伸者。通常，理想使用具有適度之可撓性及強度之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
此等中，理想係使用內部異物較少之高品質膜。具體而言，高品質膜更理想係使用：使用Ge系觸媒合成之PET膜、使用Ti系觸媒合成之PET膜、潤滑劑之直徑小且含量少之PET膜、僅膜之單面含有潤滑劑之PET膜、薄膜PET膜、至少於單面施有平滑化處理之PET膜、至少於單面施有電漿處理等粗化處理之PET膜等。 藉此，可對感光性樹脂組成物層(B)照射曝光之光而不被內部異物遮蔽，可提升感光性元件之解析度。
作為內部異物，支撐膜(A)中所含之直徑2μm以上5μm以下之粒子之個數，理想為30個/30mm 2以下，更理想為15個/30mm 2以下，更加理想為10個/30mm 2以下。
支撐膜(A)中所含之鈦元素(Ti)含量，理想為1ppm以上20ppm以下，更理想為2ppm以上12ppm以下。若鈦元素之含量為20ppm以下，則可減少源自含鈦元素之凝集體之內部異物的個數，可防止解析度降低。
支撐膜(A)之膜厚，理想為5μm以上16μm以下，更理想為6μm以上12μm以下。支撐膜之膜厚越薄，內部異物之個數越少，越可防止解析度降低，但若膜厚未滿5μm，則會於塗敷、捲取之製造步驟中產生張力所致之往捲取方向之伸長變形或微小損傷所致之破裂，或者因膜之強度不足而於積層時產生皺褶。
理想係於支撐膜(A)之至少單面使用壓延裝置等施有平滑化處理。藉此，可減小支撐膜(A)之單面，尤其是不與感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之面A2的表面粗度，而使本發明之效果更加優異。
支撐膜(A)之霧度，從提升往感光性樹脂組成物層(B)照射之光線之平行度，並於感光性元件之曝光顯影後獲得更高之解析度之觀點而言，理想為0.01%~1.5%，更理想為0.01%~1.0%，更加理想為0.01~0.5%。
並且，本實施型態之感光性元件中，ISO 25178所規定之、支撐膜(A)中與感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之面(A2)的展開面積比Sdr A2(%)、及相反側之面(A1)的展開面積比Sdr A1(%)滿足下述式(1)。 Sdr A1/Sdr A2＜0.75   (1)
感光性元件，藉由使支撐膜(A)之展開面積比Sdr為非塗敷面(Sdr A1)＜塗敷面(Sdr A2)，實現高黏性及高解析度。
又，展開面積比Sdr之具體測定方法記載於後述之實施例中。 從理想地發揮本發明之效果之觀點而言，Sdr A1/Sdr A2理想為未滿0.60，更理想為未滿0.55，更加理想為未滿0.50。Sdr A1/Sdr A2可超過0。
Sdr A1及Sdr A2只要滿足上述式(1)則無特別限定，具體而言，Sdr A1為Sdr A1＜0.005(%)，理想為0.0005%~0.004%，更理想為0.0005%~0.003%，極度理想為0.0005%~0.002%，至極理想為0.0005%~0.001%。 Sdr A2理想為0.006%~0.03%，更理想為0.006%~0.02%，非常理想為0.006%~0.01%，至極理想為0.006%~0.008%。
或者，本實施型態之感光性元件，其支撐膜(A)中與前述感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之面(A2)在258μm×260μm面積中所含之1.0μm以上之表面粒子數P A2(個)、及相反側之面(A1)之表面粒子數P A1(個)滿足以下式(2)。 P A1/P A2＜0.75   (2)
感光性元件，藉由使支撐膜(A)之表面粒子數P為非塗敷面(P A1)＜塗敷面(P A2)，實現高黏性及高解析度。
又，表面粒子數P之具體測定方法記載於後述之實施例中。
P A1及P A2只要滿足上述式(1)則無特別限定，具體而言，P A1理想為1個~200個，更理想為1個~150個。非常理想為1個~100個，至極理想為1個~50個。 P A2理想為300個~1500個，更理想為300個~1000個，非常理想為300個~800個，至極理想為300個~500個。 此外，P A1/P A2更理想為0.001~0.5，非常理想為0.001~0.4，至極理想為0.001~0.3。
或者，本實施型態之感光性元件，其支撐膜(A)中與感光性樹脂組成物層接觸之側之面(A2)的最大表面粒徑尺寸S A2(μm)、及相反側之面(A1)的最大表面粒徑尺寸S A1(μm)滿足以下式(3)。 S A1/S A2＜0.75   (3)
感光性元件，藉由使支撐膜(A)之最大表面粒徑尺寸S為非塗敷面(S A1)＜塗敷面(S A2)，實現高黏性及高解析度。 從理想地發揮本發明之效果之觀點而言，S A1/S A2理想為未滿0.70，更理想為未滿0.60，更加理想為未滿0.58。S A1/S A2可超過0。
又，最大表面粒徑尺寸S之具體測定方法記載於後述之實施例中。
S A1及S A2只要滿足上述式(3)則無特別限定，具體而言，S A1理想為0.01μm~1.0μm，更理想為0.01μm~0.5μm，非常理想為0.01μm~0.3μm，至極理想為0.01μm~0.2μm。 S A2理想為1.0μm~10μm，更理想為1.0μm~8μm，非常理想為1.0μm~5μm，至極理想為1.0μm~3μm。
又，支撐膜(A)中測定展開面積比Sdr、表面粒子數P及最大表面粒徑尺寸S中任一者時，只要有滿足本實施型態之特定態樣所規定之式(1)~(3)中任一條件之處，則感光性元件包含於該特定態樣之感光性元件中。亦即，即使測定某處時其未滿足規定之條件(式(1)~(3)中任一者)，若測定其他處時其滿足規定之條件，則該感光性元件係包含於該特定態樣之感光性元件中。
＜感光性樹脂組成物層(B)＞ 感光性樹脂組成物層(B)係積層於支撐膜(A)上。本實施型態之感光性樹脂組成物層(B)，可使用習知之感光性樹脂組成物層。通常，感光性樹脂組成物層係由含有下述成分之感光性樹脂組成物形成：(i)鹼可溶性高分子、(ii)含乙烯性不飽和雙鍵之成分(例如：乙烯性不飽和加成聚合性單體)、及(iii)光聚合起始劑。
(i)成分之鹼可溶性高分子，從鹼可溶性之觀點而言，理想為具有羧基；且從硬化膜之強度及感光性樹脂組成物之塗敷性之觀點而言，理想為於其側鏈具有芳香族基。
本實施型態之感光性元件中，感光性樹脂層(B)中，(i)鹼可溶性高分子之具芳香環之結構之共聚單體比率理想為50%以上，更理想為60%以上。 如上所述，於感光性樹脂層(B)中含有大量含芳香環之鹼可溶性高分子成分之情形，易有低黏性之問題，因此本發明之效果更高。具芳香環之結構，理想為苯乙烯。
鹼可溶性高分子之酸當量，從感光性樹脂組成物層之耐顯影性、以及光阻圖案之顯影耐性、解析度及密著性之觀點而言，理想為100以上；從感光性樹脂組成物層之顯影性及剝離性之觀點而言，理想為600以下；更理想為250~550，更加理想為300~500。
鹼可溶性高分子之重量平均分子量，從使乾膜光阻之厚度維持均一，並獲得對顯影液之耐性之觀點而言，理想為在5,000~500,000之範圍內，更理想為10,000~200,000，更加理想為18,000~100,000。本說明書中，重量平均分子量，係指藉由凝膠滲透層析法(GPC)使用標準聚苯乙烯之檢量線所測得之重量平均分子量。鹼可溶性高分子之分散度，理想為1.0~6.0。
鹼可溶性高分子，可列舉例如：含羧酸之乙烯基共聚物(vinyl copolymer)、含羧酸之纖維素等。
含羧酸之乙烯基共聚物，係使第一單體與第二單體進行乙烯基共聚而得之化合物；前述第一單體係選自α,β-不飽和羧酸中之至少一種；前述第二單體係選自(甲基)丙烯酸烷酯、(甲基)丙烯酸羥烷酯、(甲基)丙烯醯胺及以烷基或烷氧基取代其氮上之氫之化合物、苯乙烯及苯乙烯衍生物、(甲基)丙烯腈、以及(甲基)丙烯酸縮水甘油酯中之至少一種。
含羧酸之乙烯基共聚物所使用之第一單體，可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、富馬酸、桂皮酸、巴豆酸、伊康酸、馬來酸半酯等，可分別單獨使用，亦可組合兩種以上。
含羧酸之乙烯基共聚物中第一單體之構成單元之含有比例，以共聚物之質量為基準，為15質量%以上40質量%以下，理想為20質量%以上35質量%以下。若其比例未滿15質量%，則藉由鹼性水溶液之顯影變得困難。若其比例超過40質量%，則聚合中第一單體不溶於溶劑，因此共聚物之合成變得困難。
含羧酸之乙烯基共聚物所使用之第二單體之具體例，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、N-丁氧甲基丙烯醯胺、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、對氯苯乙烯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等，可分別單獨使用，亦可組合使用兩種以上。
含羧酸之乙烯基共聚物中第二單體之構成單元之含有比例，以共聚物之質量為基準，為60質量%以上85質量%以下，理想為65質量%以上80質量%以下。
從於側鏈導入芳香族基之觀點而言，更理想係使含羧酸之乙烯基共聚物含有苯乙烯、或α-甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、對氯苯乙烯等苯乙烯衍生物之構成單元作為第二單體。於此情形，含羧酸之乙烯基共聚物中苯乙烯或苯乙烯衍生物之構成單元之含有比例，以共聚物之質量為基準，理想為5質量%以上35質量%以下，更理想為15質量%以上30質量%以下。
含羧酸之乙烯基共聚物之重量平均分子量，係在10,000~200,000之範圍內，理想在18,000~100,000之範圍內。若此重量平均分子量未滿10,000，則硬化膜之強度變低。若此重量平均分子量超過200,000，則感光性樹脂組成物之黏度變得過高，其塗敷性降低。
含羧酸之乙烯基共聚物，理想係藉由下述方式合成：以丙酮、甲基乙基酮、異丙醇等溶劑稀釋各種單體之混合物，於所得之溶液中添加適量的過氧化苯甲醯、偶氮異丁腈等自由基聚合起始劑，並進行過熱攪拌。亦有一邊將混合物之一部分滴加至反應液中一邊進行合成之情形。亦有反應結束後進一步加入溶劑而調整至所期望之濃度之情形。其合成手段，除了溶液聚合以外，亦可使用塊狀聚合、懸浮聚合及乳化聚合。
含羧酸之纖維素，可列舉例如：鄰苯二甲酸醋酸纖維素、羥乙基･羧甲基纖維素等。鹼可溶性高分子(A)之含量，在感光性樹脂組成物之總質量基準下，理想在30質量%以上80質量%以下之範圍內，更理想在40質量%以上65質量%以下之範圍內。若此含量未滿30質量%，則對鹼性顯影液之分散性降低，顯影時間明顯變長。若此含量超過80質量%，則感光性樹脂組成物層之光硬化變得不充分，作為光阻之耐性降低。鹼可溶性高分子可單獨使用，亦可組合使用兩種以上。
本實施型態之感光性元件中，感光性樹脂層(B)中，鹼可溶性高分子之具芳香環之結構之共聚單體比率理想為50%以上，更理想為60%以上。 如上所述，於感光性樹脂層(B)中含有大量含芳香環之鹼可溶性高分子成分之情形，易有低黏性之問題，因此本發明之效果更高。
(ii)成分之乙烯性不飽和加成聚合性單體，可使用習知種類之化合物。乙烯性不飽和加成聚合性單體，可列舉例如：丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、苯氧基四乙二醇丙烯酸酯、鄰苯二甲酸β-羥丙-β’-(丙烯醯氧基)丙酯、1,4-四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-環己二醇二(甲基)丙烯酸酯、七丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甘油酯、2-二(對羥苯基)丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、聚氧丙基三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、聚氧乙基三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚三(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、4-正辛基苯氧基五丙二醇丙烯酸酯、雙(三乙二醇甲基丙烯酸酯)九丙二醇、雙(四乙二醇甲基丙烯酸酯)聚丙二醇、雙(三乙二醇甲基丙烯酸酯)聚丙二醇、雙(二乙二醇丙烯酸酯)聚丙二醇、4-正壬基苯氧基七乙二醇二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基四丙二醇四乙二醇(甲基)丙烯酸酯、雙酚A系(甲基)丙烯酸酯單體之分子中含有環氧乙烷鏈之化合物、雙酚A系(甲基)丙烯酸酯單體之分子中含有環氧丙烷鏈之化合物、雙酚A系(甲基)丙烯酸酯單體之分子中同時含有環氧乙烷鏈及環氧丙烷鏈之化合物等。
此外，乙烯性不飽和加成聚合性單體，亦可使用多元異氰酸酯化合物與羥基丙烯酸酯化合物之胺基甲酸酯化化合物等；前述多元異氰酸酯化合物如六亞甲基二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯等；前述羥基丙烯酸酯化合物如(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、低聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、低聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯等。此等乙烯性不飽和加成聚合性單體可分別單獨使用，亦可組合使用兩種以上。
乙烯性不飽和加成聚合性單體之含量，在感光性樹脂組成物之總質量基準下，理想為20質量%以上70質量%以下，更理想為30質量%以上60質量%以下。若此含量未滿20質量%，則感光性樹脂之硬化不充分，作為光阻之強度不足。另一方面，若此含量超過70質量%，則於以軋輥狀保存感光性元件之情形，易發生感光性樹脂組成物層或感光性樹脂組成物緩緩自軋輥端面溢出之現象，即邊緣熔融(edge fusion)。
(iii)成分之光聚合起始劑，可列舉例如：二苯乙二酮二甲基縮酮(benzil dimethyl ketal)、二苯乙二酮二乙基縮酮、二苯乙二酮二丙基縮酮、二苯乙二酮二苯基縮酮(benzil diphenyl ketal)、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻苯醚、噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、4-異丙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮、2-氟噻噸酮、4-氟噻噸酮、2-氯噻噸酮、4-氯噻噸酮、1-氯-4-丙氧基噻噸酮、二苯基酮、4,4’-雙(二甲胺基)二苯基酮[米其勒酮]、4,4’-雙(二乙胺基)二苯基酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等芳香族酮類；2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑基二聚物等聯咪唑化合物；9-苯基吖啶等吖啶類；9,10-二乙氧基蒽、9,10-二丁氧基蒽及9,10-二苯基蒽等蒽類；α,α-二甲氧基-α-(N-嗎啉基)-甲硫基苯基苯乙酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等芳香族系起始劑；苯基甘胺酸、N-苯基甘胺酸等N-芳基胺基酸類；1-苯基-1,2-丙二酮-2-o-苯甲醯基肟、2,3-二側氧-3-苯基丙酸乙酯-2-(o-苯甲醯基羰基)-肟等肟酯類；對二甲胺基安息香酸、對二乙胺基安息香酸及對二異丙胺基安息香酸及此等與醇之酯化物、對羥基安息香酸酯等。其中，理想為2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑基二聚物與米其勒酮或4,4’-雙(二乙胺基)二苯基酮之組合。
光聚合起始劑之含量，在感光性樹脂組成物之總質量基準下，理想為0.01質量%以上20質量%以下，更理想為1質量%以上10質量%以下。若此含量少於0.01質量%，則感度不充分。若此含量超過20質量%，則紫外線吸收率變高，感光性樹脂組成物層底部的硬化變得不充分。
為了提升本實施型態之感光性樹脂組成物層(B)之熱穩定性及/或保存穩定性，理想係使感光性樹脂組成物或感光性樹脂組成物層含有自由基聚合抑制劑。自由基聚合抑制劑，可列舉例如：對甲氧苯酚、對苯二酚、鄰苯三酚、萘胺、三級丁基鄰苯二酚、氯化亞銅、2,6-雙三級丁基對甲苯酚、2,2’亞甲基雙(4-乙基-6-三級丁基苯酚)、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-三級丁基苯酚)等。
本實施型態中，感光性樹脂組成物層(B)中亦可含有染料、顔料等著色物質。著色物質，可列舉例如：品紅、酞菁綠、金胺鹼、Calkoxide Green S、對品紅(paramagenta)、結晶紫、甲基橙、尼羅藍2B、維多利亞藍、孔雀綠、鹼性藍20、鑽石綠等。
本實施型態中，亦可使感光性樹脂組成物層(B)含有藉由光照射顯色之顯色系染料。顯色系染料，例如已知有隱色染料與鹵素化合物之組合。隱色染料，可列舉例如：參(4-二甲胺基-2-甲基苯基)甲烷[隱色結晶紫]、雙(4-二甲胺基苯基)苯基甲烷[隱色孔雀綠]等。鹵素化合物，可列舉例如：溴戊烷、溴異戊烷、1,2-二溴-2-甲基丙烷、1,2-二溴乙烷、二苯溴甲烷、α,α-二溴甲苯、二溴甲烷、三溴甲基苯基碸、四溴化碳、磷酸三(2,3-二溴丙)酯、三氯乙醯胺、碘戊烷、碘異丁烷、1,1,1-三氯-2,2-雙(對氯苯基)乙烷、六氯乙烷等。
本實施型態中，視需要亦可使感光性樹脂組成物層(B)含有可塑劑等添加劑。添加劑，可列舉例如：鄰苯二甲酸二乙酯等鄰苯二甲酸酯類、鄰甲苯磺醯胺、對甲苯磺醯胺、檸檬酸三丁酯、檸檬酸三乙酯、乙醯檸檬酸三乙酯、乙醯檸檬酸三正丙酯、乙醯檸檬酸三正丁酯、聚丙二醇、聚乙二醇、聚乙二醇烷基醚、聚丙二醇烷基醚等。
感光性樹脂組成物層(B)之厚度理想為3~400μm，更理想之上限為300、200、100、或50μm。感光性樹脂層之厚度越接近3μm解析度越高，越接近400μm膜強度越高，因此可視用途適宜選擇。
＜保護膜(C)＞ 保護膜(C)係積層於支撐膜(A)與感光性樹脂組成物層(B)之積層體之感光性樹脂組成物層(B)側，並作為保護層發揮功能。
在與感光性樹脂組成物層(B)之密著力方面，保護膜(C)充分小於支撐膜(A)，因此保護膜(C)可容易地剝離。例如，可理想地使用聚乙烯膜、及聚丙烯膜、延伸聚丙烯膜、聚酯膜等作為保護膜(C)，更理想係保護膜(C)中至少表面為由聚丙烯樹脂所成。 保護膜(C)之膜厚理想為10~100μm，更理想為10~50μm。可列舉例如：王子艾富特(股)製之EM-501、E-200、E-201F、FG-201、MA-411；東麗(股)製之KW37、2578、2548、2500、YM17S；塔瑪波里(股)(TAMAPOLY CO., LTD.)製之GF-18、GF-818、GF-858等。
＜光阻圖案之形成方法＞ 使用本實施型態之感光性元件的光阻圖案之形成方法，包含且理想係依序包含以下步驟： 積層步驟，將感光性元件積層於基板上； 曝光步驟，對感光性元件之感光性樹脂組成物層進行曝光；及 顯影步驟，將感光性樹脂組成物層之未曝光部顯影除去。
積層步驟中，具體而言，自感光性元件剝離保護膜(C)後，使用積層機將感光性樹脂組成物層加熱壓接於支撐體(例如基板)表面，進行一次或複數次積層。基板之材料，可列舉例如：銅、不鏽鋼(SUS)、玻璃、氧化銦錫(ITO)等。積層時之加熱溫度一般為40℃~160℃。加熱壓接，可藉由使用具備雙聯軋輥之二段式積層機，或藉由使基板與感光性樹脂組成物層之積層物重複通過軋輥數次而進行。
曝光步驟中，使用曝光機對感光性樹脂組層進行活性光曝光。曝光，依期望可於剝離支撐體後進行。於通過光罩進行曝光之情形，曝光量由光源照度及曝光時間決定，亦可使用光量計測定。曝光步驟中，亦可進行直接成像曝光。直接成像曝光中，在不使用光罩之情況下於基板上藉由直接描繪裝置進行曝光。光源係使用波長為350nm~410nm之半導體雷射或超高壓水銀燈，但理想為使用波長為405nm以下之光源進行。以電腦控制描繪圖案之情形，曝光量由曝光光源之照度及基板之移動速度決定。
曝光步驟所使用之光照射方法，理想係選自投影曝光法、接近式曝光法、接觸式曝光法、直接成像曝光法、電子束直接描繪法中之至少一種之方法，更理想係藉由投影曝光方法進行。為了提升密著性，亦可於曝光後實施加熱，加熱步驟中，對經曝光之感光性樹脂進行加熱(曝光後加熱)。加熱溫度，理想為30℃~150℃，更理想為60℃~120℃。藉由實施此加熱步驟，可提升解析度及密著性。加熱方法，可使用熱風、紅外線、遠紅外線、恆溫槽、加熱板、熱風乾燥機、紅外線乾燥機、或熱輥等。加熱方法若為熱輥則可在短時間內進行處理，故而理想；更理想為雙聯以上之熱輥。曝光後至加熱前所經過的時間，更嚴格來說，為從停止曝光之時間點至開始升溫之時間點所經過的時間，理想為15分鐘以內，或10分鐘以內。從停止曝光之時間點至開始升溫之時間點所經過的時間，可為10秒以上、20秒以上、30秒以上、1分鐘以上、2分鐘以上、3分鐘以上、4分鐘以上、或5分鐘以上。
顯影步驟中，使用顯影裝置以顯影液將曝光後之感光性樹脂組成物層中之未曝光部或曝光部除去。曝光後，於感光性樹脂組成物層上存在支撐膜之情形，將其去除。接著，使用由鹼性水溶液所成之顯影液將未曝光部或曝光部顯影除去，從而獲得光阻圖像。
鹼性水溶液，理想為Na 2CO 3、K 2CO 3等之水溶液。鹼性水溶液，可配合感光性樹脂組成物層之特性進行選擇，但一般使用濃度為0.2質量%~2質量%之Na 2CO 3水溶液。鹼性水溶液中，可混有表面活性劑、消泡劑、用於促進顯影之少量有機溶劑等。顯影步驟中顯影液之溫度，理想為在20℃~40℃之範圍內保持一定。
藉由上述步驟可獲得光阻圖案，但依期望亦可進一步在60℃~300℃下進行加熱步驟。藉由實施此加熱步驟，可提升光阻圖案之耐藥品性。加熱步驟，可使用利用熱風、紅外線、或遠紅外線之方式之加熱爐。
＜導體圖案(鍍圖案)之形成方法＞ 為了獲得導體圖案，可於顯影步驟或加熱步驟後進行導體圖案形成步驟，對形成有光阻圖案之基板進行蝕刻或鍍。
導體圖案之製造方法，例如，使用金屬板或金屬皮膜絕緣板作為基板，藉由上述之光阻圖案形成方法形成光阻圖案後，再藉由經過導體圖案形成步驟而進行。導體圖案形成步驟中，於因顯影而露出之基板表面(例如銅面)使用已知之蝕刻法或鍍法形成導體圖案。
於一態樣中，導體圖案(鍍圖案)可使用上述感光性元件形成。於一態樣中，上述感光性元件係可積層於具厚度t(um)之銅晶種層之銅基板上。銅基板，例如於其表面具有銅晶種層。 並且，於一態樣中，鍍圖案之形成方法中， 當對積層於銅基板上之感光性元件進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈X(μm)節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成時， 其平均間距寬D W1為{((X/2)之±10%)+t}以上時， 進行： (3)藉由對上述間距進行鍍處理之鍍圖案之形成、 (4)自上述基板之感光性樹脂層之剝離時， 其鍍平均圖案寬P W1為平均間距寬D W1之±10%以內。
銅基板，例如為於絕緣膜上形成有厚度t(um)之銅晶種層之無電鍍銅基板。 上述(1)曝光所使用之曝光遮罩之節距X，為曝光部與未曝光部之一組重複單位。因此，當曝光部與未曝光部之長度約略相同時，曝光部與未曝光部之寬分別約為(X/2)。考慮±10%左右之誤差並看準未來銅晶種層(厚度為t um)之蝕刻，上述(2)顯影後之平均間距寬D W1理想為{((X/2)之±10%)+t}以上。 其後，經過上述(3)及(4)而獲得之鍍平均圖案寬P W1，為顯影後平均間距寬D W1之±10%以內。於對感光性樹脂層之線/間距中之間距施予鍍之情形，理論上其間距寬與鍍圖案寬一致。另一方面，有因進行鍍時鍍圖案擠壓感光性樹脂層之線，或者，進行鍍時感光性樹脂層之線首次膨潤而間距部變窄等，使得鍍平均圖案寬P W1相對於平均間距寬D W1有所增減之情形。於此情形，理想係將鍍平均圖案寬P W1控制在平均間距寬D W1之±10%以內。如此之控制，藉由使用上述感光性元件而可容易地實現。
平均間距寬D W1、及鍍平均圖案寬P W1，例如可藉由於光學顯微鏡所拍攝之圖像上選擇任意複數處(例如50處、30處、或20處)，並算出該等複數處之寬之平均而得。
上述(3)中鍍處理，例如為電鍍銅之處理。於一態樣中，電鍍，可藉由將形成有感光性樹脂層之線/間距(例如L/S=5/5)之基板浸漬於硫酸銅、硫酸及濃鹽酸等混合而成之溶液中而進行。電鍍條件，例如為浴溫25℃、電流密度1.0A/dm 2，鍍時間為20分鐘。 銅厚度，可用習知之厚度計確認。進行電鍍後，於(4)中，可用鹼性強於顯影液之水溶液，例如用50℃3%氫氧化鈉溶液剝離乾膜。剝離用之鹼性水溶液(以下亦稱「剝離液」)無特別限制，一般使用濃度為2質量%~5質量%之NaOH或KOH之水溶液、或有機胺系剝離液。剝離液中可加入少量水溶性溶劑。水溶性溶劑，可列舉例如醇等。剝離步驟中剝離液之溫度，理想為在40℃~70℃之範圍內。
於一態樣中，配線圖案之形成方法中，於上述(4)後進行： (5)鍍圖案中，在感光性樹脂層之剝離後對基板之銅晶種層之蝕刻處理後殘存之蝕刻後鍍圖案之形成時， 其蝕刻後鍍平均圖案寬F W1小於鍍平均圖案寬P W1。 亦即，受到銅晶種層之蝕刻之影響，鍍平均圖案寬P W1會減少，但可預想如此之減少程度而設計蝕刻後鍍平均圖案寬F W1。藉此，最終獲得之蝕刻後鍍平均圖案寬F W1精度將更高。如此之手法，藉由使用上述感光性元件而可容易地實現。 鍍平均圖案寬P W1，例如可藉由於光學顯微鏡所拍攝之圖像上選擇任意複數處(例如50處、30處、或20處)，並算出該等複數處之寬之平均而得。
上述(5)之蝕刻(快速蝕刻(flush etching))中，可使用指定之蝕刻液除去銅晶種層。蝕刻液，可列舉例如硫酸及過氧化氫水之混合蝕刻液(荏原電產(股)製)，但不限於此。
本實施型態中，感光性元件或其軋輥可用於：印刷配線板之製造；IC晶片裝載用引線框架製造；金屬遮罩製造等金屬箔精密加工；球柵陣列(BGA)、晶片尺寸封裝體(CSP)等封裝體之製造；薄膜覆晶(COF)、帶式自動接合(TAB)等帶式基板之製造；半導體凸塊之製造；及ITO電極、定址電極、電磁波屏蔽罩等平板顯示器之隔牆之製造。 又，上述各參數之值，只要無特別聲明，係依照後述實施例中之測定方法進行測定。
[實施型態2] 於一態樣中，感光性元件係 可積層於具平均厚度為1um以下之銅晶種層之銅基板上的感光性元件； 當對積層於銅基板上之上述感光性元件進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈10μm節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由前述曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成時， 平均間距寬D W1、及最小間距寬D W2滿足 1.00＜D W1/D W2＜1.10之關係。 可滿足如此關係之感光性元件，由於感光性樹脂圖案中側壁之鬆動較少，因此容易製作精度高之配線圖案。 從與上述相同之觀點而言，D W1/D W2理想為1.09以下，更理想為1.08以下。 此處之感光性元件，可使用實施型態1所記載之感光性元件，藉此可容易地實現上述關係。
此外，於一態樣中，感光性元件係 可積層於具平均厚度為1um以下之銅晶種層之銅基板上的感光性元件； 當對積層於銅基板上之上述感光性元件進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈10μm節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由前述曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成、 (3)藉由對前述間距進行鍍處理之鍍圖案之形成、 (4)自前述基板之前述感光性樹脂層之剝離時， 鍍平均圖案寬P W1、及鍍最小圖案寬P W2滿足 1.00＜P W1/P W2＜1.10之關係。 可滿足如此關係之感光性元件，由於鍍圖案中側壁之鬆動較少，因此容易製作精度高之配線圖案。 從與上述相同之觀點而言，P W1/P W2理想為1.09以下，更理想為1.08以下。 此處之感光性元件，可使用實施型態1所記載之感光性元件，藉此可容易地實現上述關係。
進一步地，於一態樣中，感光性元件係 可積層於具平均厚度為1um以下之銅晶種層之銅基板上的感光性元件； 當對積層於銅基板上之上述感光性元件進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈10μm節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由前述曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成、 (3)藉由對前述間距進行鍍處理之鍍圖案之形成、 (4)自前述基板之前述感光性樹脂層之剝離、 (5)前述鍍圖案中，在前述剝離後對前述基板之蝕刻下殘存之蝕刻後鍍圖案之形成時， 蝕刻後鍍平均圖案寬F W1、及蝕刻後鍍最小圖案寬F W2滿足 1.00＜F W1/F W2＜1.10之關係。 可滿足如此關係之感光性元件，由於蝕刻後之鍍圖案中側壁之鬆動較少，因此容易製作精度高之配線圖案。 從與上述相同之觀點而言，F W1/F W2理想為1.09以下，更理想為1.08以下。 此處之感光性元件，可使用實施型態1所記載之感光性元件，藉此可容易地實現上述關係。
本實施型態之感光性元件亦可獲得實施型態1之感光性元件所獲得之效果，並且如上所述，容易製作精度高之配線圖案。 ［實施例］
接著，列舉實施例及比較例以更具體地說明本實施型態。然而，本實施型態只要不脫離其要旨，則不限於以下之實施例。
評價用樣品製作如下。 ＜感光性元件之製作＞ 將後揭表1所示之成分(但各成分之數字係表示作為固形物成分之配合量(質量份))、及使固形物成分濃度為55%進行計量之甲基乙基酮充分攪拌、混合，從而獲得感光性樹脂組成物調合液。表1中所示成分之細節示於表2。
支撐膜(A)，使用後揭表3~表5所示之寬300mm之表面形狀相異之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。PET膜，使用調整所添加之粒子種類、尺寸、濃度、粒度分布，並對任意的面施有塗布處理或電漿處理之材料。又，表3~表5中所示之膜之細節示於表6。 於支撐膜(A)之表面塗布表1及表2所示之感光性樹脂組成物調合液之溶液，並以90℃之熱風乾燥1.5分鐘，形成感光性樹脂組成物層(B)。此時，係使加熱後之感光性樹脂組成物層(B)之厚度為15μm。進一步地，於感光性樹脂組成物層中未積層支撐膜(A)之側之表面上貼合保護膜(C)，從而獲得感光性元件。
＜基板＞ 圖像性之評價基板，使用由濺鍍鍍銅法製作之S’PERFLEX(住友金屬礦山股份有限公司製)。 鍍性評價基板，使用在覆銅積層板上積層作為絕緣膜之ABF-GX92(味之素Fine-Techno公司製)並對其進行除膠渣(desmear)、無電鍍銅(形成銅厚度為1μm之銅晶種層)處理之基板。基材表面粗度，藉由調整除膠渣步驟之膨潤溫度，使Ra=0.4~0.3μm。
＜積層＞ 一邊剝離感光性元件之保護膜(C)，一邊藉由熱輥積層機(旭化成(股)製之AL-700)在軋輥溫度105℃下將感光性元件積層於預熱至50℃之評價基板上，從而獲得感光性元件積層體。將氣壓設為0.35MPa，將積層速度設為1.5m/min。
＜曝光＞ 對積層後經過2小時之感光性元件積層體之支撐膜表面側，藉由分割投影曝光裝置((股)優志旺電機製之UX2003 SM-MS04，使用i線帶通濾波器)以i線(365nm)單色光進行曝光。使用包含線/間距(L/S)=7/7、L/S=5/5之設計之鉻玻璃光罩，以可獲得各感光性元件之最小解析度之曝光量進行曝光。
實施例7係藉由直接描繪式曝光裝置(奧寶科技(股)製之Paragon-Ultra100，光源峰值波長：355nm)，使用包含L/S=7/7之圖案之曝光資料，以可獲得最小解析度之曝光量進行曝光。 實施例8係藉由直接描繪式曝光裝置(ADTEC Engineering製之IP-8 M8000H，光源峰值波長：405nm)，使用包含L/S=7/7之圖案之曝光資料，以可獲得最小解析度之曝光量進行曝光。 實施例9係藉由具超高壓水銀燈之曝光機(平行光曝光機((股)奧克製作所公司(ORC MANUFACTURING CO., LTD.)製之平行光EXM-1201)，使用包含L/S=7/7、L/S=5/5之設計之鉻玻璃光罩，以可獲得最小解析度之曝光量進行曝光。
＜PEB：曝光後烘烤(Post Exposure Bake)＞ 以預熱至60℃之熱風式烘箱對曝光後之基板進行加熱1分鐘。
＜顯影＞ 剝離感光性元件積層體之支撐膜(A)後，使用鹼性顯影機((股)富士機工(FUJI KIKOU CO.,LTD.)製之乾膜用顯影機)，歷經指定時間噴灑30℃之1質量%Na 2CO 3水溶液而進行顯影。將顯影噴灑的時間設為最短顯影時間的2倍時間，將顯影後水洗噴灑的時間設為最短顯影時間的2倍時間。此時，將未曝光部分之感光性樹脂層完全溶解所需之最短時間作為最短顯影時間。
［表1］
Figure 02_image001
［表2］
Figure 02_image003
對所得之樣品進行評價如下。 ＜表面粒子數P＞ 對自所製作之感光性元件剝離之支撐膜(A)的任意面，使用雷射顯微鏡(奧林巴斯製之OLS4100)，算出258μm×260μm視野中以下述設定取樣之粒子中，每4次測定中1.0μm以上之表面粒子數之平均值。 測定條件：物鏡×50 測定範圍：258μm×260μm 測定模式：粒子解析(閾值：13%，小粒子除去：5，填孔：20)
＜最大表面粒徑尺寸S＞ 對自所製作之感光性元件剝離之支撐膜(A)的任意面，使用雷射顯微鏡(奧林巴斯製之OLS4100)，算出258μm×260μm視野中以下述設定取樣之粒子中，每4次測定中最大表面粒徑尺寸之平均值。 測定條件：物鏡×50 測定範圍：258μm×260μm 測定模式：粒子解析(閾值：13%，小粒子除去：5，填孔：20)
＜展開面積比Sdr＞ 對自所製作之感光性元件剝離之支撐膜(A)的任意面，根據ISO 25178所規定之方法，使用掃描型白光干涉顯微鏡(日立先端科技製之VS1800)測定表面粗度。 測定條件：物鏡×50，中間透鏡×1，相機高畫素 測定範圍：112μm×112μm 測定模式：WAVE 面校正：4次面校正
＜膜接著強度＞ 對在1.2mmt覆銅積層板上積層感光性元件後進行濕度控制(23℃、50%RT)1日之樣品，以根據JIS Z 0237：2009之試驗方法，使用TENSILON在拉伸速度100mm/min下往180°方向自感光性樹脂層(B)剝離支撐膜(A)，並對5次測定中去除最大值、最小值之平均值，依照以下基準進行判定。 可：極大平均4.0gf以上 不可：極大平均未滿4.0gf
＜光阻側面突起數＞ 使用掃描電子顯微鏡(日立先端科技製之S-3400)，計算顯影後光阻圖案理論上L/S=7/7下90μm×70μm視野中光阻側面之突起及缺口(0.4μm以上)之數量，並依照以下基準進行判定。 優：0~10個 良：10~100個 可：100~300個 不可：300個以上
＜電鍍銅＞ 將形成有L/S=5/5之顯影後基板浸漬於電鍍銅浴(硫酸銅70g/L、硫酸270g/L、濃鹽酸50ppm、微少量添加劑)中，並在浴溫25℃、電流密度1.0A/dm 2下進行電鍍20分鐘。藉此形成鍍圖案。用厚度計確認鍍銅厚度為12μm，並以50℃3%氫氧化鈉溶液自基板剝離乾膜。
＜快速蝕刻＞ 用硫酸/過氧化氫水混合蝕刻液(荏原電產(股)製)藉由快速蝕刻除去銅晶種層(1μm厚)。藉此形成蝕刻後鍍圖案。
＜間距/圖案寬測長＞ 對顯影後光阻圖案(理論上L/S=5/5)，使用光學顯微鏡(Nikon製之Lv100Nd)於90μm×70μm視野中50點任意處進行測長，並算出平均間距寬D W1及最小間距寬D W2。 對電鍍銅後剝離乾膜之鍍圖案(理論上L/S=5/5)，以相同的方法算出鍍平均圖案寬P W1及鍍最小圖案寬P W2。 快速蝕刻後，對蝕刻後鍍圖案(理論上L/S=4/6)，以相同的測定方法算出蝕刻後鍍平均圖案寬F W1及蝕刻後鍍最小圖案寬F W2。
評價結果分別示於下表。
［表3］
Figure 02_image005
［表4］
Figure 02_image007
［表5］
Figure 02_image009
［表6］
Figure 02_image011
可知滿足上述式(1)~(3)之實施例，具有高的膜接著強度(高黏性)且光阻側面突起數少(優異解析度)。
相對於此，於不滿足式(1)~(3)中任一者之情形，亦即，於Sdr A1/Sdr A2≧0.75、P A1/P A2≧0.75、S A1/S A2≧0.75之情形，黏性、解析度降低。
以上說明本發明之實施型態，但本發明並不限於此，可在不脫離發明宗旨之範圍內適宜變更。 ［產業利用性］
藉由使用本發明之感光性元件，可兼顧高黏性及高解析度，可廣泛用作光阻圖案之形成中之乾膜光阻。
〔圖1〕為示意性表示本發明之感光性元件之一構成例的剖面圖。 〔圖2〕為示意性表示圖1所示之感光性元件中，曝光時入射至支撐膜之曝光時之活性光線在到達感光性樹脂層前折射的情況的圖。

Claims (13)

  1. 一種感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)，其特徵係 ISO 25178所規定之、該支撐膜(A)中與該感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之相反側之界面的展開面積比Sdr A1(%)為： Sdr A1＜0.005(%)。
  2. 一種感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)，其特徵係 ISO 25178所規定之、該支撐膜(A)中與該感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之界面的展開面積比Sdr A2(%)、及相反側之界面的展開面積比Sdr A1(%)滿足下述式(1)： Sdr A1/Sdr A2＜0.75   (1)。
  3. 一種感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)，其特徵係 該支撐膜(A)中與該感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之面在258μm×260μm面積中所含之1.0μm以上之表面粒子數P A2(個)、及相反側之面之表面粒子數P A1(個)滿足下述式(2)： P A1/P A2＜0.75   (2)。
  4. 一種感光性元件，其依序具有支撐膜(A)、感光性樹脂組成物層(B)，其特徵係 該支撐膜(A)中與該感光性樹脂組成物層(B)接觸之側之面的最大表面粒徑尺寸S A2(μm)、及相反側之面的最大表面粒徑尺寸S A1(μm)滿足下述式(3)： S A1/S A2＜0.75   (3)。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之感光性元件，其中，該感光性樹脂組成物層(B)中，黏合劑中具芳香環之結構之共聚單體比率為50%以上。
  6. 如請求項5所述之感光性元件，其中，該具芳香環之結構為苯乙烯。
  7. 一種光阻圖案之形成方法，其特徵係包含以下步驟： 積層步驟，將如請求項1至6中任一項所述之感光性元件積層於基板上； 曝光步驟，對該感光性元件之感光性樹脂層進行曝光；及 顯影步驟，將該感光性樹脂層之未曝光部顯影除去；且 該曝光步驟係藉由投影曝光方法進行。
  8. 一種光阻圖案之形成方法，其特徵係包含以下步驟： 積層步驟，將如請求項1至6中任一項所述之感光性元件積層於基板上； 曝光步驟，對該感光性元件之感光性樹脂層進行曝光；及 顯影步驟，將該感光性樹脂層之未曝光部顯影除去；且 該曝光步驟係以曝光波長為405nm以下進行。
  9. 如請求項1至6中任一項所述之感光性元件，其中，該感光性元件係可積層於具平均厚度為1um以下之銅晶種層之銅基板上； 當對積層於該銅基板上之該感光性元件進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈10μm節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由該曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成時， 平均間距寬D W1、及最小間距寬D W2滿足 1.00＜D W1/D W2＜1.10之關係。
  10. 如請求項1至6中任一項所述之感光性元件，其中，該感光性元件係可積層於具平均厚度為1um以下之銅晶種層之銅基板上； 當進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈10μm節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由該曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成、 (3)藉由對該間距進行鍍處理之鍍圖案之形成、 (4)自該基板之該感光性樹脂層之剝離時， 鍍平均圖案寬P W1、及鍍最小圖案寬P W2滿足 1.00＜P W1/P W2＜1.10之關係。
  11. 如請求項1至6中任一項所述之感光性元件，其中，該感光性元件係可積層於具平均厚度為1um以下之銅晶種層之銅基板上； 當進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈10μm節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由該曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成、 (3)藉由對該間距進行鍍處理之鍍圖案之形成、 (4)自該基板之該感光性樹脂層之剝離、 (5)該鍍圖案中，在該剝離後之對該基板之銅晶種層之蝕刻下殘存之蝕刻後鍍圖案之形成時， 蝕刻後鍍平均圖案寬F W1、及蝕刻後鍍最小圖案寬F W2滿足 1.00＜F W1/F W2＜1.10之關係。
  12. 一種導體圖案之形成方法，其係使用如請求項1至6中任一項所述之感光性元件形成導體圖案之方法，其特徵係 該感光性元件係可積層於具厚度t(um)之銅晶種層之銅基板上； 當對積層於該銅基板上之該感光性元件進行： (1)使用曝光部與未曝光部呈X(μm)節距之曝光遮罩之曝光、 (2)藉由該曝光後之顯影之感光性樹脂層之線/間距之形成時， 其平均間距寬D W1為{((X/2)之±10%)+t}以上時， 進行： (3)藉由對該間距進行鍍處理之鍍圖案之形成、 (4)自該基板之該感光性樹脂層之剝離時， 其鍍平均圖案寬P W1為該平均間距寬D W1之±10%以內。
  13. 一種配線圖案之形成方法，其特徵係於如請求項12所述之導體圖案之形成方法後，進行： (5)該鍍圖案中，在該剝離後之對該基板之銅晶種層之蝕刻下殘存之蝕刻後鍍圖案之形成時， 其蝕刻後鍍平均圖案寬F W1小於該鍍平均圖案寬P W1。
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