KR20230096046A - 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법 - Google Patents

감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230096046A
KR20230096046A KR1020237017676A KR20237017676A KR20230096046A KR 20230096046 A KR20230096046 A KR 20230096046A KR 1020237017676 A KR1020237017676 A KR 1020237017676A KR 20237017676 A KR20237017676 A KR 20237017676A KR 20230096046 A KR20230096046 A KR 20230096046A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photosensitive element
photosensitive resin
exposure
photosensitive
plating
Prior art date
Application number
KR1020237017676A
Other languages
English (en)
Inventor
쇼타 야나기
Original Assignee
아사히 가세이 가부시키가이샤
아사히 가세이 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아사히 가세이 가부시키가이샤, 아사히 가세이 가부시키가이샤 filed Critical 아사히 가세이 가부시키가이샤
Publication of KR20230096046A publication Critical patent/KR20230096046A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L25/00—Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L25/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C08L25/04—Homopolymers or copolymers of styrene
    • C08L25/08—Copolymers of styrene
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1377—Protective layers
    • H05K2203/1383—Temporary protective insulating layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서, ISO 25178 에서 규정되는, 상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 계면의 전개 면적비 SdrA2 (％), 반대측의 계면의 전개 면적비 SdrA1 (％) 이, 식 (1) : SdrA1/SdrA2 ＜ 0.75 (1) 를 만족한다.

Description

감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법
본 발명은 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
퍼스널 컴퓨터 또는 휴대 전화 등의 전자 기기에는, 부품 또는 반도체 등의 실장용으로서 프린트 배선판 등이 사용된다. 프린트 배선판 등의 제조용의 레지스트로는, 종래, 지지 필름 상에 감광성 수지 조성물층을 적층하고, 추가로 그 감광성 수지 조성물층 상에 필요에 따라서 보호 필름을 적층하여 이루어지는 감광성 엘리먼트 (감광성 수지 적층체), 이른바 드라이 필름 레지스트가 사용되고 있다.
이와 같은 감광성 엘리먼트에 있어서, 감광층을 경화시키는 노광 공정은 지지 필름을 개재하여 행해지기 때문에, 지지 필름의 특성이 해상성에 주는 영향은 크다. 그 때문에, 지지 필름으로는, 노광하는 광을 차단하는 활제 혹은 내부 이물질이 적은 필름이 바람직하게 사용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 4 참조).
일본 특허공보 제4014872호 국제 공개 제2018/100730호 일본 특허공보 제5814667호 국제 공개 제2018/105620호
프린트 기판 배선의 고해상화가 진행되고, 감광성 수지 조성물 중의 화합물의 조성이나 배합량 등에 대해서도 검토가 이루어져 왔다. 최근에는, 감광성 수지층을 형성하는 알칼리 가용성 고분자체 중의 코모노머 성분으로서 스티렌을 많이 함유하는 조성이 바람직하게 사용되도록 되고 있다. 스티렌계 알칼리 가용성 고분자체는, 알칼리 현상시에 잘 팽윤되지 않기 때문에, 고해상화에는 불가결한 성분이지만, 지지 필름과의 접착 강도가 작아, 감광성 수지층으로부터 탈락하기 쉬운 저택성이 과제이다. 저택의 감광성 엘리먼트에서는, 라미네이트 후 기판을 반송시에 장치로 들어 올렸을 때에, 지지 필름이 박리되어 버려 생산에 지장을 초래할 가능성이 있다. 고택화에 있어서는, 지지 필름의 감광성 수지층과 접하는 면의 표면 조도가 거칠은 편이, 접착 표면적이 증가되어, 앵커 효과 (지지 필름의 미세한 요철에 감광성 수지층이 들어가 접착성이 향상된다) 가 높아지기 때문에 유리하다.
한편, 최근에는 고해상 요구가 더욱 높아져, 현상 후 레지스트의 해상성으로서 L/S = 5/5 ㎛ 이하가 요구되게 되었다. 세밀 레지스트 패턴에서는, 이웃하는 패턴과 접촉하지 않도록, 레지스트 패턴 측면이 평탄하고 비뚤거림이 없는 것, 즉 사이드 월의 직진성이 양호한 것이 고해상에 유리하다.
사이드 월의 직진성 향상에 대해서는 과거에도 감광성 수지 조성물 중의 화합물의 조성이나 배합량 등에 대해서 검토되었고, 1 ㎛ 이상의 비뚤거림은 어느 정도 경감되었기는 하지만, 1 ㎛ 미만의 비뚤거림은 여전히 해소되지 않고 있다.
사이드 월의 비뚤거림에는 여러 가지 요인이 있지만, 그 중의 하나로서 지지 필름의 영향을 들 수 있다. 통상적으로 감광성 엘리먼트를 노광할 때, 지지 필름을 개재하여 감광성 수지층에 활성 광선을 조사하고 있기 때문에, 지지 필름에서 광의 굴절이나 산란이 일어나면, 감광성 수지층에서 비뚤거림이 발생되어 버린다. 이 문제에 대해서, 감광성 엘리먼트의 개량에 의하지 않고 사이드 월의 직진성을 향상시키는 수법으로서, 개구수가 높은 렌즈를 사용한 노광기로 노광하는 방법이 알려져 있다. 개구수가 높은 렌즈는, 피사계 심도가 얕기 때문에, 초점을 감광성 수지층에만 맞춤으로써 지지 필름의 굴절이나 산란의 영향을 최소화할 수 있다. 이와 같은 방법은, 웨이퍼나 유리 기판 등의 평탄한 기재 상에서는 유효하지만, 일반적으로 프린트 배선판에 사용되는 구리 피복 적층판 등에서는, 유기 기재 유래의 굴곡이나 요철이 커서, 기판 전체로서 디포커스가 발생되기 쉽다는 과제가 있다. 디포커스가 발생된 장소에서는, 레지스트 패턴의 해상성이나 사이드 월의 직진성이 현저하게 악화되어 버리기 때문에, 개구수가 높은 렌즈를 사용한 노광기 (특히 투영 노광기) 에서는, 굴곡이 큰 유기 기재에 적용하기가 곤란하다고 되어 있다.
그 때문에, 재료측에서의 해결이 바람직하고, 최근 요구되고 있는 고도의 고해상 요구를 달성하기 위해서는, 1 ㎛ 이상의 비뚤거림뿐만 아니라, 1 ㎛ 미만의 사이드 월의 비뚤거림도 없는 감광성 엘리먼트가 요구되고 있다.
본 발명은, 이와 같은 종래의 실정을 감안하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은, 고택성과 고해상도를 실현한 감광성 엘리먼트 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것에 있다.
[1] 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
ISO 25178 에서 규정되는, 상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측과 반대측의 계면의 전개 면적비 SdrA1 (％) 이,
SdrA1 ＜ 0.005 (％)
인 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
[2] 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
ISO 25178 에서 규정되는, 상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 계면의 전개 면적비 SdrA2 (％), 반대측의 계면의 전개 면적비 SdrA1 (％) 이, 하기 식 (1) :
SdrA1/SdrA2 ＜ 0.75 (1)
을 만족하는 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
[3] 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 258 ㎛ × 260 ㎛ 의 면적에 포함되는 1.0 ㎛ 이상의 표면 입자수 PA2 (개), 반대측의 면의 표면 입자수 PA1 (개) 이, 하기 식 (2) :
PA1/PA2 ＜ 0.75 (2)
를 만족하는 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
[4] 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 최대 표면 입자경 사이즈 SA2 (㎛), 반대측의 면의 최대 표면 입자경 사이즈 SA1 (㎛) 이, 하기 식 (3) :
SA1/SA2 ＜ 0.75 (3)
을 만족하는 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
[5] 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 에 있어서, 바인더 중의 방향 고리를 갖는 구조의 코모노머 비율이 50 ％ 이상인, [1] ∼ [4] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트.
[6] 상기 방향 고리를 갖는 구조가 스티렌인, [5] 에 기재된 감광성 엘리먼트.
[7] 이하의 공정 :
[1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트를 기판에 적층하는 적층 공정 ;
상기 감광성 엘리먼트의 감광성 수지층을 노광하는 노광 공정 ; 및
상기 감광성 수지층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정 ; 을 포함하고,
상기 노광 공정을, 투영 노광 방법에 의해서 행하는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
[8] 이하의 공정 :
[1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트를 기판에 적층하는 적층 공정 ;
상기 감광성 엘리먼트의 감광성 수지층을 노광하는 노광 공정 ; 및
상기 감광성 수지층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정 ; 을 포함하고,
상기 노광 공정을, 노광 파장 405 ㎚ 이하에 의해서 행하는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
[9] 평균 두께 1 ㎛ 이하의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능한, 상기 감광성 엘리먼트로서,
상기 구리 기판에 적층한 상기 감광성 엘리먼트에 대해서,
(1) 노광부와 미노광부가 10 ㎛ 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
(2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
을 행했을 때,
평균 스페이스 폭 DW1 과, 최소 스페이스 폭 DW 2 가
1.00 ＜ DW1/DW2 ＜ 1.10
의 관계를 만족하는, [1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트.
[10] 평균 두께 1 ㎛ 이하의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능한, 상기 감광성 엘리먼트로서,
(1) 노광부와 미노광부가 10 ㎛ 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
(2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
(3) 상기 스페이스에의 도금 처리에 의한, 도금 패턴의 형성
(4) 상기 기판으로부터의 상기 감광성 수지층의 박리
를 행했을 때,
도금 평균 패턴 폭 PW1 과, 도금 최소 패턴 폭 PW2 가
1.00 ＜ PW1/PW2 ＜ 1.10
의 관계를 만족하는, [1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트.
[11] 평균 두께 1 ㎛ 이하의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능한, 상기 감광성 엘리먼트로서,
(1) 노광부와 미노광부가 10 ㎛ 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
(2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
(3) 상기 스페이스에의 도금 처리에 의한, 도금 패턴의 형성
(4) 상기 기판으로부터의 상기 감광성 수지층의 박리
(5) 상기 도금 패턴 중, 상기 박리 후의 상기 기판에 대한 구리 시드층의 에칭으로 잔존하는 에칭 후 도금 패턴의 형성
을 행했을 때,
에칭 후 도금 평균 패턴 폭 FW1 과, 에칭 후 도금 최소 패턴 폭 FW2 가
1.00 ＜ FW1/FW2 ＜ 1.10
의 관계를 만족하는, [1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트.
[12] [1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트를 사용하여, 도체 패턴을 형성하는 방법으로서,
상기 감광성 엘리먼트는, 두께 t (㎛) 의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능하고,
상기 구리 기판에 적층한 상기 감광성 엘리먼트에 대해서,
(1) 노광부와 미노광부가 X (㎛) 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
(2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
을 행했을 때의,
평균 스페이스 폭 DW1 이｛((X/2) 의 ±10 ％) ＋ t｝이상일 때,
(3) 상기 스페이스에의 도금 처리에 의한, 도금 패턴의 형성
(4) 상기 기판으로부터의 상기 감광성 수지층의 박리
를 행했을 때의,
도금 평균 패턴 폭 PW1 이, 상기 평균 스페이스 폭 DW1 의 ±10 ％ 이내인, 도체 패턴의 형성 방법.
[13] [12] 에 기재된 도체 패턴의 형성 방법의 후,
(5) 상기 도금 패턴 중, 상기 박리 후의 상기 기판에 대한 구리 시드층의 에칭으로 잔존하는 에칭 후 도금 패턴의 형성
을 행했을 때의,
에칭 후 도금 평균 패턴 폭 FW1 이, 상기 도금 평균 패턴 폭 PW1 보다 작은, 배선 패턴의 형성 방법.
본 발명에서는, 고택성과 고해상도를 실현한 감광성 엘리먼트 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 감광성 엘리먼트에 있어서, 노광시에 지지 필름에 입사된 노광시의 활성 광선이 감광성 수지층에 도달하기까지 굴절 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다.
또한, 이하의 설명에 있어서「∼」를 사용하여 나타나는 숫자 범위에는, 상한 및 하한의 수치도 포함된다.
[실시형태 1]
[감광성 엘리먼트]
도 1 은, 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
본 발명의 감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 및 보호 필름 (C) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
ISO 25178 에서 규정되는, 지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측과 반대측의 계면 (A1) 의 전개 면적비 SdrA1 (％) 이,
SdrA1 ＜ 0.005 (％)
인 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 및 보호 필름 (C) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
ISO 25178 에서 규정되는, 지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 계면 (A2) 의 전개 면적비 SdrA2 (％), 반대측의 계면 (A1) 의 전개 면적비 SdrA1 (％) 이, 하기 식 (1) :
SdrA1/SdrA2 ＜ 0.75 (1)
을 만족하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 및 보호 필름 (C) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면 (A2) 의 258 ㎛ × 260 ㎛ 의 면적에 포함되는 1.0 ㎛ 이상의 표면 입자수 PA2 (개), 반대측의 면 (A1) 의 표면 입자수 PA1 (개) 이, 하기 식 (2) :
PA1/PA2 ＜ 0.75 (2)
를 만족하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 표면 입자수 P 는, 레이저 현미경을 사용하여, 지지 필름 (A) 의 258 ㎛ × 260 ㎛ 의 면적에 포함되는 1.0 ㎛ 이상의 입자수이다.
또, 본 발명의 감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 및 보호 필름 (C) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면 (A2) 의 최대 표면 입자경 사이즈 SA2 (㎛), 반대측의 면 (A1) 의 최대 표면 입자경 사이즈 SA1 (㎛) 이, 하기 식 (3) :
SA1/SA2 ＜ 0.75 (3)
을 만족하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 최대 표면 입자경 사이즈 S 는, 레이저 현미경을 사용하여 측정된 값이다. 입자가 완전한 구체가 아닐 경우에는, 입자의 가장 긴 폭을 그 입자의 직경으로 한다.
본 발명자들은, 지지 필름 (A) 의 표면 형상이 택성과 해상도에 주는 영향에 대해서 검토한 결과, 사이드 월의 비뚤거림을 양호하게 하는, 즉, 형성되는 패턴의 직진성을 높이기 위해서는, 지지 필름 (A) 에 있어서 감광성 수지 조성물층 (B) 가 도공 형성되는 측의 면 (도공면) (A2) 의 표면 조도 또는 표면 입자수는 거의 영향이 없고, 반대측의 면 (비도공면) (A1) 의 표면 조도 또는 표면 입자수가 중요한 것을 알아내었다.
이것은, 대기 중으로부터 지지 필름 (A) 에 입사하는 광보다, 지지 필름 (A) 로부터 감광성 수지층 (B) 에 입사하는 광 쪽이, 굴절률이 작은 것에 의한 것으로 생각되고, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 지지 필름 (A) 의 비도공면 (A1) 의 표면 조도가 크면, 대기 중으로부터 지지 필름 (A) 으로의 입사광이 크게 굴절되어 버리지만 (좌측 화살표), 비도공면 (A1) 의 표면 조도가 작으면, 대기 중으로부터 지지 필름 (A) 으로의 입사광은 거의 굴절되지 않아 (우측 화살표), 마스크 재현성이 높은 패턴이 형성되고, 사이드 월의 비뚤거림이 작아진다고, 본 발명자들은 추찰하고 있다.
지지 필름 (A) 의 비도공면 (A1) 의 표면 조도를 작게 함으로써, 사이드 월의 비뚤거림을 작게 할 수 있어, 고해상도를 실현할 수 있다. 한편, 도공면 (A2) 의 표면 조도를 크게 함으로써, 지지 필름 (A) 와 감광성 수지층 (B) 의 접촉 면적이 증대되어 앵커 효과가 높아져, 고택성을 실현할 수 있다.
즉, 본 발명의 감광성 엘리먼트에서는, 지지 필름 (A) 의 전개 면적비 Sdr 에 대해서, 비도공면 (SdrA1) ＜ 도공면 (SdrA2) 인 것, 또는, 지지 필름 (A) 의 표면 입자수 P 에 대해서, 비도공면 (PA1) ＜ 도공면 (PA2) 인 것, 또는, 지지 필름 (A) 의 최대 표면 입자경 사이즈 S 에 대해서, 비도공면 (SA1) ＜ 도공면 (SA2) 임으로써, 고택성과 고해상성을 실현할 수 있다.
또한, 지지 필름 (A) 도공면의 전개 면적비 Sdr, 표면 입자수 P 또는 최대 표면 입자경 사이즈 S 가 크면, 감광성 수지층 (B) 에 전사되어 표면 요철이 커지지만, 이것은 해상도나 사이드 월의 직진성에는 영향을 주지 않는다.
종래, 레지스트 형상의 외관을 양호하게 하기 위해서, 또는 지지 필름 (A) 의 표면 조도에서 기인하는 요철이 감광성 수지층에 전사되지 않도록 하기 위해서, 도공면 (편면) 이 평활하면 된다는 인식이 있어, 최근 드라이 필름 용도에 편면만 평활화한 지지 필름 (A) 가 다수 적용되고 있지만, 평활한 면을 감광성 수지층과 접하는 면에 적용하고, 그 반대면에서 사용하는 것은 전례가 없다.
즉, 본 발명에서는, 통상과 반대면에 도공함으로써, 고택성과 고해상도를 실현한 감광성 엘리먼트를 제공할 수 있다.
＜지지 필름 (A)＞
본 실시형태에 관련된 지지 필름 (A) 는, 감광성 수지 조성물층 (B) 를 지지하기 위한 층 또는 필름으로서, 노광 광원으로부터 방사되는 활성 광선을 투과시키는 투명한 기재 필름인 것이 바람직하다.
이와 같은 지지 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리비닐알코올 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 염화비닐리덴 공중합 필름, 폴리메타크릴산메틸 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리아크릴로니트릴 필름, 스티렌 공중합체 필름, 폴리아미드 필름, 셀룰로오스 유도체 필름 등을 들 수 있다. 이들 필름은, 필요에 따라서 연신된 것도 사용 가능하다. 통상적으로는 적당한 가요성 및 강도를 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 가 바람직하게 사용된다.
이 중에서도, 내부 이물질이 적은 고품위 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 고품위 필름으로서, Ge 계 촉매를 사용하여 합성된 PET 필름, Ti 계 촉매를 사용하여 합성된 PET 필름, 활제의 직경이 작고 함유량이 적은 PET 필름, 필름의 편면만 활제를 함유하는 PET 필름, 박막 PET 필름, 적어도 편면에 평활화 처리가 실시된 PET 필름, 적어도 편면에 플라즈마 처리 등의 조화 처리가 실시된 PET 필름 등을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
이로써, 노광하는 광을, 내부 이물질에 의해서 차단되지 않고 감광성 수지 조성물층 (B) 에 조사할 수 있어, 감광성 엘리먼트의 해상성을 향상시킬 수 있다.
내부 이물질로서 지지 필름 (A) 에 포함되는 직경 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 입자의 개수는, 30 개/30 ㎟ 이하인 것이 바람직하고, 15 개/30 ㎟ 이하인 것이 보다 바람직하며, 10 개/30 ㎟ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
지지 필름 (A) 에 함유되는 티탄 원소 (Ti) 함유량은 1 ppm 이상 20 ppm 이하인 것이 바람직하고, 2 ppm 이상 12 ppm 이하인 것이 보다 바람직하다. 티탄 원소의 함유량이 20 ppm 이하이면, 티탄 원소 함유 응집체에서 유래하는 내부 이물질의 개수를 저감할 수 있어, 해상성의 저하를 방지할 수 있다.
지지 필름 (A) 의 막두께는, 5 ㎛ 이상 16 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 6 ㎛ 이상 12 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 지지 필름의 막두께가 얇을수록 내부 이물질의 개수가 적어져 해상성의 저하를 방지할 수 있지만, 막두께가 5 ㎛ 미만이 되면, 도공·권취의 제조 공정에 있어서의, 장력에 의한 권취 방향으로의 신장 변형이나 미소한 흠집에 의한 찢어짐을 발생시키거나, 필름의 강도가 부족하여 라미네이트시에 주름을 발생시키거나 한다.
지지 필름 (A) 의 적어도 편면에 캘린더 장치 등을 사용한 평활화 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 지지 필름 (A) 의 편면, 특히 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접촉하지 않는 측의 면 (A1) 의 표면 조도를 작게 하여, 본 발명의 효과를 보다 우수한 것으로 할 수 있다.
지지 필름 (A) 의 헤이즈는, 감광성 수지 조성물층 (B) 에 조사되는 광선의 평행도가 향상되어, 감광성 엘리먼트의 노광 현상 후에 보다 높은 해상성을 얻는다는 관점에서, 바람직하게는 0.01 ％ ∼ 1.5 ％ 이고, 보다 바람직하게는 0.01 ％ ∼ 1.0 ％ 이며, 더욱 바람직하게는 0.01 ∼ 0.5 ％ 이다.
그리고, 본 실시형태의 감광성 엘리먼트에 있어서, ISO 25178 에서 규정되는, 지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면 (A2) 의 전개 면적비 SdrA2 (％), 반대측의 면 (A1) 의 전개 면적비 SdrA1 (％) 이, 하기 식 (1) 을 만족한다.
SdrA1/SdrA2 ＜ 0.75 (1)
감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A) 의 전개 면적비 Sdr 에 대해서, 비도공면 (SdrA1) ＜ 도공면 (SdrA2) 임으로써, 고택성과 고해상성을 실현한 것이 된다.
또한, 전개 면적비 Sdr 의 구체적인 측정 방법에 대해서는, 후술하는 실시예에서 기재하고 있다.
본 발명의 효과를 바람직하게 얻는 관점에서, SdrA1/SdrA2 는, 0.60 미만이 바람직하고, 0.55 미만이 보다 바람직하며, 0.50 미만이 더욱 바람직하다. SdrA1/SdrA2 는, 0 초과이면 된다.
SdrA1 및 SdrA2 는, 상기 식 (1) 을 만족하면 특별히 한정되지 않는데, 구체적으로, SdrA1 은, SdrA1 ＜ 0.005 (％) 이고, 0.0005 ％ ∼ 0.004 ％ 인 것이 바람직하고, 0.0005 ％ ∼ 0.003 ％ 인 것이 보다 바람직하며, 0.0005 ％ ∼ 0.002 ％ 인 것이 매우 바람직하고, 0.0005 ％ ∼ 0.001 ％ 인 것이 매우 극히 바람직하다.
SdrA2 는, 0.006 ％ ∼ 0.03 ％ 인 것이 바람직하고, 0.006 ％ ∼ 0.02 ％ 인 것이 보다 바람직하며, 0.006 ％ ∼ 0.01 ％ 인 것이 매우 바람직하고, 0.006 ％ ∼ 0.008 ％ 인 것이 매우 극히 바람직하다.
또는, 본 실시형태의 감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면 (A2) 의 258 ㎛ × 260 ㎛ 의 면적에 포함되는 1.0 ㎛ 이상의 표면 입자수 PA2 (개), 반대측의 면 (A1) 의 표면 입자수 PA1 (개) 이, 아래의 식 (2) 를 만족한다.
PA1/PA2 ＜ 0.75 (2)
감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A) 의 표면 입자수 P 에 대해서, 비도공면 (PA1) ＜ 도공면 (PA2) 임으로써, 고택성과 고해상성을 실현한 것이 된다.
또한, 표면 입자수 P 의 구체적인 측정 방법에 대해서는, 후술하는 실시예에서 기재하고 있다.
PA1 및 PA2 는, 상기 식 (1) 을 만족하면 특별히 한정되지 않는데, 구체적으로, PA1 은, 1 개 ∼ 200 개인 것이 바람직하고, 1 개 ∼ 150 개인 것이 보다 바람직하다. 1 개 ∼ 100 개인 것이 매우 바람직하고, 1 개 ∼ 50 개인 것이 매우 극히 바람직하다.
PA2 는, 300 개 ∼ 1500 개인 것이 바람직하고, 300 개 ∼ 1000 개인 것이 보다 바람직하며, 300 개 ∼ 800 개인 것이 매우 바람직하고, 300 개 ∼ 500 개인 것이 매우 극히 바람직하다.
또, PA1/PA2 은, 0.001 ∼ 0.5 인 것이 보다 바람직하고, 0.001 ∼ 0.4 인 것이 매우 바람직하며, 0.001 ∼ 0.3 인 것이 매우 극히 바람직하다.
또는, 본 실시형태의 감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A) 의 감광성 수지 조성물층과 접하는 측의 면 (A2) 의 최대 표면 입자경 사이즈 SA2 (㎛), 반대측의 면 (A1) 의 최대 표면 입자경 사이즈 SA1 (㎛) 이, 아래의 식 (3) 을 만족한다.
SA1/SA2 ＜ 0.75 (3)
감광성 엘리먼트는, 지지 필름 (A) 의 최대 표면 입자경 사이즈 S 에 대해서, 비도공면 (SA1) ＜ 도공면 (SA2) 임으로써, 고택성과 고해상성을 실현한 것이 된다.
본 발명의 효과를 바람직하게 얻는 관점에서, SA1/SA2 는, 0.70 미만이 바람직하고, 0.60 미만이 보다 바람직하며, 0.58 미만이 더욱 바람직하다. SA1/SA2 는, 0 초과이면 된다.
또한, 최대 표면 입자경 사이즈 S 의 구체적인 측정 방법에 대해서는, 후술하는 실시예에서 기재하고 있다.
SA1 및 SA2 는, 상기 식 (3) 을 만족하면 특별히 한정되지 않는데, 구체적으로, SA1 은, 0.01 ㎛ ∼ 1.0 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.01 ㎛ ∼ 0.5 ㎛ 인 것이 보다 바람직하며, 0.01 ㎛ ∼ 0.3 ㎛ 인 것이 매우 바람직하고, 0.01 ㎛ ∼ 0.2 ㎛ 인 것이 매우 극히 바람직하다.
SA2 는, 1.0 ㎛ ∼ 10 ㎛ 인 것이 바람직하고, 1.0 ㎛ ∼ 8 ㎛ 인 것이 보다 바람직하며, 1.0 ㎛ ∼ 5 ㎛ 인 것이 매우 바람직하고, 1.0 ㎛ ∼ 3 ㎛ 인 것이 매우 극히 바람직하다.
또한, 지지 필름 (A) 중에서 전개 면적비 Sdr, 표면 입자수 P 및 최대 표면 입자경 사이즈 S 중 어느 것을 측정했을 때에, 본 실시형태의 특정한 양태에 규정된 식 (1) ∼ (3) 중 어느 조건을 만족하는 지점이 있으면, 감광성 엘리먼트는 당해 특정한 양태에 관련된 감광성 엘리먼트에 포함된다. 즉, 어느 지점에서 측정했을 때에는 규정된 조건 (식 (1) ∼ (3) 중 어느 것) 을 만족하지 않는다고 해도, 다른 지점에서 측정했을 때에 규정된 조건을 만족하는 경우에는, 그 감광성 엘리먼트는 당해 특정한 양태에 관련된 감광성 엘리먼트에 포함된다.
＜감광성 수지 조성물층 (B)＞
감광성 수지 조성물층 (B) 는, 지지 필름 (A) 상에 적층된다. 본 실시형태에 관련된 감광성 수지 조성물층 (B) 로는, 공지된 감광성 수지 조성물층을 사용하면 된다. 통상적으로 감광성 수지 조성물층은, 다음의 성분 : (i) 알칼리 가용성 고분자, (ii) 에틸렌성 불포화 이중 결합 함유 성분 (예를 들어, 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머), 및 (iii) 광 중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 형성된다.
(i) 성분인 알칼리 가용성 고분자는, 알칼리 가용성의 관점에서, 카르복실기를 갖는 것이 바람직하고, 경화막의 강도 및 감광성 수지 조성물의 도공성의 관점에서, 그 측사슬에 방향족기를 갖는 것도 바람직하다.
본 실시형태의 감광성 엘리먼트에 있어서, 감광성 수지층 (B) 에 있어서, (i) 알칼리 가용성 고분자의 방향 고리를 갖는 구조의 코모노머 비율이 50 ％ 이상인 것이 바람직하고, 60 ％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
상기 서술한 바와 같이, 감광성 수지층 (B) 에 방향 고리를 포함하는 알칼리 가용성 고분자 성분이 많이 함유되는 경우, 저택성이 문제가 되기 쉽기 때문에, 본 발명의 효과가 보다 높은 것이 된다. 방향 고리를 갖는 구조로는, 스티렌이 바람직하다.
알칼리 가용성 고분자의 산 당량은, 감광성 수지 조성물층의 내현상성, 그리고 레지스트 패턴의 현상 내성, 해상성 및 밀착성의 관점에서 100 이상인 것이 바람직하고, 감광성 수지 조성물층의 현상성 및 박리성의 관점에서 600 이하인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 250 ∼ 550 이고, 더욱 바람직하게는 300 ∼ 500 이다.
알칼리 가용성 고분자의 중량 평균 분자량은, 드라이 필름 레지스트의 두께를 균일하게 유지하여, 현상액에 대한 내성을 얻는다는 관점에서 5,000 ∼ 500,000 의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10,000 ∼ 200,000 이며, 더욱 바람직하게는 18,000 ∼ 100,000 이다. 본 명세서에서는, 중량 평균 분자량이란, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해서 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 측정한 중량 평균 분자량이다. 알칼리 가용성 고분자의 분산도는, 1.0 ∼ 6.0 인 것이 바람직하다.
알칼리 가용성 고분자로는, 예를 들어, 카르복실산 함유 비닐 공중합체, 카르복실산 함유 셀룰로오스 등을 들 수 있다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체는, α,β-불포화 카르복실산 중에서 선택되는 적어도 1 종의 제 1 단량체와, 알킬(메트)아크릴레이트, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴아미드와 그 질소 상의 수소를 알킬기 또는 알콕시기로 치환한 화합물, 스티렌 및 스티렌 유도체, (메트)아크릴로니트릴, 및 (메트)아크릴산글리시딜 중에서 선택되는 적어도 1 종의 제 2 단량체를 비닐 공중합하여 얻어지는 화합물이다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체에 사용되는 제 1 단량체로는, 아크릴산, 메타크릴산, 푸마르산, 신남산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산 반에스테르 등을 들 수 있고, 각각 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 조합해도 된다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체에 있어서의 제 1 단량체의 구성 단위의 함유 비율은, 공중합체의 질량을 기준으로하여, 15 질량％ 이상 40 질량％ 이하, 바람직하게는 20 질량％ 이상 35 질량％ 이하이다. 그 비율이 15 질량％ 미만이면 알칼리 수용액에 의한 현상이 곤란해진다. 그 비율이 40 질량％ 를 초과하면, 중합 중에 제 1 단량체가 용매에 불용이 되기 때문에, 공중합체의 합성이 곤란해진다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체에 사용되는 제 2 단량체의 구체예로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드, N-부톡시메틸아크릴아미드, 스티렌, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-클로로스티렌, (메트)아크릴로니트릴, (메트)아크릴산글리시딜 등을 들 수 있고, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체에 있어서의 제 2 단량체의 구성 단위의 함유 비율은, 공중합체의 질량을 기준으로 하여, 60 질량％ 이상 85 질량％ 이하, 바람직하게는 65 질량％ 이상 80 질량％ 이하이다.
측사슬에 방향족기를 도입한다는 관점에서, 제 2 단량체로서, 스티렌 또는, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-클로로스티렌 등의 스티렌 유도체의 구성 단위를 카르복실산 함유 비닐 공중합체에 함유시키는 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 카르복실산 함유 비닐 공중합체에 있어서의 스티렌 또는 스티렌 유도체의 구성 단위의 함유 비율은, 공중합체의 질량을 기준으로 하여, 바람직하게는 5 질량％ 이상 35 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15 질량％ 이상 30 질량％ 이하이다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체의 중량 평균 분자량은, 10,000 ∼ 200,000 의 범위 내이고, 바람직하게는 18,000 ∼ 100,000 의 범위 내이다. 이 중량 평균 분자량이 10,000 미만이면, 경화막의 강도가 작아진다. 이 중량 평균 분자량이 200,000 을 초과하면, 감광성 수지 조성물의 점도가 지나치게 높아져, 그 도공성이 저하된다.
카르복실산 함유 비닐 공중합체는, 각종 단량체의 혼합물을, 아세톤, 메틸에틸케톤, 이소프로판올 등의 용제로 희석한 용액에, 과산화벤조일, 아조이소부티로니트릴 등의 라디칼 중합 개시제를 적당량 첨가하고, 가열 교반함으로써 합성하는 것이 바람직하다. 혼합물의 일부를 반응액에 적하하면서 합성하는 경우도 있다. 반응 종료 후, 추가로 용제를 첨가하여, 원하는 농도로 조정하는 경우도 있다. 그 합성 수단으로는, 용액 중합 이외에도, 괴상 중합, 현탁 중합 및 유화 중합도 사용된다.
카르복실산 함유 셀룰로오스로는, 예를 들어, 셀룰로오스아세테이트프탈레이트, 하이드록시에틸·카르복시메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 알칼리 가용성 고분자 (A) 의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전체 질량 기준으로, 바람직하게는 30 질량％ 이상 80 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40 질량％ 이상 65 질량％ 이하의 범위 내이다. 이 함유량이 30 질량％ 미만이면, 알칼리 현상액에 대한 분산성이 저하되어 현상 시간이 현저하게 길어진다. 이 함유량이 80 질량％ 를 초과하면, 감광성 수지 조성물층의 광 경화가 불충분해져, 레지스트로서의 내성이 저하된다. 알칼리 가용성 고분자는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
본 실시형태의 감광성 엘리먼트에 있어서, 감광성 수지층 (B) 에 있어서, 알칼리 가용성 고분자의 방향 고리를 갖는 구조의 코모노머 비율이 50 ％ 이상인 것이 바람직하고, 60 ％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
상기 서술한 바와 같이, 감광성 수지층 (B) 에 방향 고리를 포함하는 알칼리 가용성 고분자 성분이 많이 함유되는 경우, 저택성이 문제가 되기 쉽기 때문에, 본 발명의 효과가 보다 높은 것이 된다.
(ii) 성분인 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머로는, 공지된 종류의 화합물을 사용할 수 있다. 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜아크릴레이트, β-하이드록시프로필-β'-(아크릴로일옥시)프로필프탈레이트, 1,4-테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디(메트)아크릴레이트, 헵타프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 2-디(p-하이드록시페닐)프로판디(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 폴리옥시프로필트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르트리(메트)아크릴레이트, 비스페놀A디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트, 디알릴프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 4-노르말옥틸페녹시펜타프로필렌글리콜아크릴레이트, 비스(트리에틸렌글리콜메타크릴레이트)노나프로필렌글리콜, 비스(테트라에틸렌글리콜메타크릴레이트)폴리프로필렌글리콜, 비스(트리에틸렌글리콜메타크릴레이트)폴리프로필렌글리콜, 비스(디에틸렌글리콜아크릴레이트)폴리프로필렌글리콜, 4-노르말노닐페녹시헵타에틸렌글리콜디 프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시테트라프로필렌글리콜테트라에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 비스페놀A계 (메트)아크릴산에스테르 모노머의 분자 중에 에틸렌옥사이드 사슬을 포함하는 화합물, 비스페놀A계 (메트)아크릴산에스테르 모노머의 분자 중에 프로필렌옥사이드 사슬을 포함하는 화합물, 비스페놀A계 (메트)아크릴산에스테르 모노머의 분자 중에 에틸렌옥사이드 사슬과 프로필렌옥사이드 사슬의 쌍방을 포함하는 화합물 등을 들 수 있다.
또, 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머로는, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 톨루일렌디이소시아네이트 등의 다가 이소시아네이트 화합물과, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 올리고에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 올리고프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시아크릴레이트 화합물의 우레탄화 화합물 등도 사용할 수 있다. 이들 에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머는 각각 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
에틸렌성 불포화 부가 중합성 모노머의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전체 질량 기준으로, 바람직하게는 20 질량％ 이상 70 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30 질량％ 이상 60 질량％ 이하이다. 이 함유량이 20 질량％ 미만이면, 감광성 수지의 경화가 충분하지 않아, 레지스트로서의 강도가 부족하다. 한편, 이 함유량이 70 질량％ 를 초과하면, 감광성 엘리먼트가 롤상으로 보존되었을 경우에, 롤 단면으로부터 감광성 수지 조성물층 또는 감광성 수지 조성물이 서서히 비어져 나오는 현상, 즉 에지 퓨전이 발생되기 쉬워진다.
(iii) 성분인 광 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤질디메틸케탈, 벤질디에틸케탈, 벤질디프로필케탈, 벤질디페닐케탈, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르, 벤조인페닐에테르, 티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 4-이소프로필티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 2-플루오로티오크산톤, 4-플루오로티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 4-클로로티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 [미힐러케톤], 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등의 방향족 케톤류 ; 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 이량체 등의 비이미다졸 화합물 ; 9-페닐아크리딘 등의 아크리딘류 ; 9,10-디에톡시안트라센, 9,10-디부톡시안트라센 및 9,10-디페닐안트라센 등의 안트라센류 ; α,α-디메톡시-α-모르폴리노-메틸티오페닐아세토페논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 방향족계 개시제 ; 페닐글리신, N-페닐글리신 등의 N-아릴아미노산류 ; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-o-벤조일옥심, 2,3-디옥소-3-페닐프로피온산에틸-2-(o-벤조일카르보닐)-옥심 등의 옥심에스테르류 ; p-디메틸아미노벤조산, p-디에틸아미노벤조산 및 p-디이소프로필아미노벤조산 및 이들 알코올과의 에스테르화물, p-하이드록시벤조산에스테르 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 이량체와 미힐러케톤 또는 4,4'-(디에틸아미노)벤조페논의 조합이 바람직하다.
광 중합 개시제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전체 질량 기준으로, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 20 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하이다. 이 함유량이 0.01 질량％ 보다 적으면, 감도가 충분하지 않다. 이 함유량이 20 질량％ 를 초과하면, 자외선 흡수율이 높아져, 감광성 수지 조성물층의 바닥의 부분 경화가 불충분해진다.
본 실시형태에 관련된 감광성 수지 조성물층 (B) 의 열안정성 및/또는 보존 안정성을 향상시키기 위해서, 감광성 수지 조성물 또는 감광성 수지 조성물층에 라디칼 중합 금지제를 함유시키는 것은 바람직하다. 라디칼 중합 금지제로는, 예를 들어, p-메톡시페놀, 하이드로퀴논, 피로갈롤, 나프틸아민, t-부틸카테콜, 염화제1구리, 2,6-디-t-부틸-p-크레졸, 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀) 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물층 (B) 에 염료, 안료 등의 착색 물질이 함유되어 있어도 된다. 착색 물질로는, 예를 들어, 푹신, 프탈로시아닌 그린, 아우라민 염기, 칼콕시드 그린 S, 파라 마젠타, 크리스탈 바이올렛, 메틸 오렌지, 나일 블루 2B, 빅토리아 블루, 말라카이트 그린, 베이식 블루 20, 다이아몬드 그린 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 광 조사에 의해서 발색하는 발색계 염료를 감광성 수지 조성물층 (B) 에 함유시켜도 된다. 발색계 염료로는, 예를 들어, 류코 염료와 할로겐 화합물의 조합이 알려져 있다. 류코 염료로는, 예를 들어, 트리스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)메탄 [류코크리스탈 바이올렛], 트리스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)메탄 [류코말라카이트 그린] 등을 들 수 있다. 할로겐 화합물로는, 예를 들어, 브롬화아밀, 브롬화이소아밀, 브롬화이소부틸렌, 브롬화에틸렌, 브롬화디페닐메틸, 브롬화벤잘, 브롬화메틸렌, 트리브로모메틸페닐술폰, 사브롬화탄소, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리클로로아세트아미드, 요오드화아밀, 요오드화이소부틸, 1,1,1-트리클로로-2,2-비스(p-클로로페닐)에탄, 헥사클로로에탄 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 필요에 따라서, 가소제 등의 첨가제를 감광성 수지 조성물층 (B) 에 함유시켜도 된다. 첨가제로는, 예를 들어, 디에틸프탈레이트 등의 프탈산에스테르류, o-톨루엔술폰산아미드, p-톨루엔술폰산아미드, 시트르산트리부틸, 시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리-n-프로필, 아세틸시트르산트리-n-부틸, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜알킬에테르, 폴리프로필렌글리콜알킬에테르 등을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물층 (B) 의 두께는, 바람직하게는, 3 ∼ 400 ㎛ 이고, 보다 바람직한 상한은 300, 200, 100, 또는 50 ㎛ 이다. 감광성 수지층의 두께가, 3 ㎛ 에 가까워질수록 해상성은 향상되고, 400 ㎛ 에 가까워수록 막 강도가 향상되기 때문에, 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
＜보호 필름 (C)＞
보호 필름 (C) 는, 지지 필름 (A) 와 감광성 수지 조성물층 (B) 의 적층체의 감광성 수지 조성물층 (B) 측에 적층되어, 커버로서 기능한다.
보호 필름 (C) 는, 감광성 수지 조성물층 (B) 와의 밀착력에 대해서, 지지 필름 (A) 보다 보호 필름 (C) 쪽이 충분히 작기 때문에 용이하게 박리할 수 있다. 예를 들어, 폴리에틸렌 필름, 및 폴리프로필렌 필름, 연신 폴리프로필렌 필름, 폴리에스테르 필름 등을 보호 필름 (C) 로서 바람직하게 사용할 수 있고, 보호 필름 (C) 의 적어도 표면이 폴리프로필렌 수지로 이루어지는 것이 보다 바람직하다.
보호 필름 (C) 의 막두께는 10 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 10 ∼ 50 ㎛ 가 보다 바람직하다. 예를 들어, 오지 에프텍스㈜ 제조 EM-501, E-200, E-201F, FG-201, MA-411, 토레이㈜ 제조 KW37, 2578, 2548, 2500, YM17S, 타마폴리㈜ 제조 GF-18, GF-818, GF-858 등을 들 수 있다.
＜레지스트 패턴의 형성 방법＞
본 실시형태에 관련된 감광성 엘리먼트를 사용하는 레지스트 패턴의 형성 방법은, 이하의 공정 :
감광성 엘리먼트를 기판에 적층하는 적층 공정 ;
감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층을 노광하는 노광 공정 ; 및
감광성 수지 조성물층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정 ;
을 바람직하게는 이 순서로 포함한다.
라미네이트 공정에서는, 구체적으로는, 감광성 엘리먼트로부터 보호 필름 (C) 를 박리한 후, 라미네이터로 감광성 수지 조성물층을 지지체 (예를 들어, 기판) 표면에 가열 압착하고, 1 회 또는 복수 회 라미네이트한다. 기판의 재료로는, 예를 들어, 구리, 스테인리스강 (SUS), 유리, 산화인듐주석 (ITO) 등을 들 수 있다. 라미네이트시의 가열 온도는 일반적으로 40 ℃∼ 160 ℃ 이다. 가열 압착은, 2 련의 롤을 구비한 2 단식 라미네이터를 사용하거나, 또는 기판과 감광성 수지 조성물층의 적층물을 수 회 반복하여 롤에 통과시킴으로써 행해질 수 있다.
노광 공정에서는, 노광기를 사용하여 감광성 수지 조성물층을 활성광에 노광한다. 노광은, 원하는 바에 따라서, 지지체를 박리한 후에 행할 수 있다. 포토 마스크를 통과시켜 노광하는 경우에는, 노광량은, 광원 조도 및 노광 시간에 의해서 결정되고, 광량계를 사용하여 측정해도 된다. 노광 공정에서는, 다이렉트 이미징 노광을 행해도 된다. 다이렉트 이미징 노광에 있어서는 포토 마스크를 사용하지 않고 기판 상에 직접 묘화 장치에 의해서 노광한다. 광원으로는, 파장 350 ㎚ ∼ 410 ㎚ 의 반도체 레이저 또는 초고압 수은등이 사용되지만, 파장 405 ㎚ 이하의 광원을 사용하여 행하는 것이 바람직하다. 묘화 패턴이 컴퓨터에 의해서 제어되는 경우, 노광량은, 노광 광원의 조도 및 기판의 이동 속도에 의해서 결정된다.
노광 공정에서 사용하는 광 조사 방법은, 투영 노광법, 프록시미티 노광법, 컨택트 노광법, 다이렉트 이미징 노광법, 전자선 직묘법에서 선택되는 적어도 1 종류의 방법인 것이 바람직하고, 투영 노광 방법에 의해서 행하는 것이 보다 바람직하다. 밀착성을 향상시키기 위해서, 노광 후에 가열을 실시해도 되고, 가열 공정에서는, 노광된 감광성 수지를 가열한다 (노광 후 가열). 가열 온도는, 바람직하게는 30 ℃∼ 150 ℃, 보다 바람직하게는 60 ℃∼ 120 ℃ 이다. 이 가열 공정을 실시함으로써, 해상성 및 밀착성이 향상된다. 가열 방법으로는, 열풍, 적외선, 원적외선, 항온조, 핫 플레이트, 열풍 건조기, 적외선 건조기, 또는 핫 롤 등을 사용할 수 있다. 가열 방법이 핫 롤이면 단시간에 처리할 수 있기 때문에 바람직하고, 2 련 이상의 핫 롤이 보다 바람직하다. 노광 후부터 가열까지의 경과 시간, 보다 엄밀하게는 노광을 정지한 시점부터 승온을 개시하는 시점까지의 경과 시간은, 바람직하게는 15 분 이내, 또는 10 분 이내이다. 노광을 정지한 시점부터 승온을 개시하는 시점까지의 경과 시간은, 10 초 이상, 20 초 이상, 30 초 이상, 1 분 이상, 2 분 이상, 3 분 이상, 4 분 이상, 또는 5 분 이상이어도 된다.
현상 공정에서는, 노광 후의 감광성 수지 조성물층에 있어서의 미노광부 또는 노광부를, 현상 장치를 사용하여 현상액에 의해서 제거한다. 노광 후, 감광성 수지 조성물층 상에 지지 필름이 있는 경우에는, 이것을 제외하다. 계속해서 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액을 사용하여, 미노광부 또는 노광부를 현상 제거하여, 레지스트 화상을 얻는다.
알칼리 수용액으로는, Na2CO3, K2CO3 등의 수용액이 바람직하다. 알칼리 수용액은, 감광성 수지 조성물층의 특성에 맞게 선택되지만, 0.2 질량％ ∼ 2 질량％ 의 농도의 Na2CO3 수용액이 일반적으로 사용된다. 알칼리 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기 용제 등을 혼합해도 된다. 현상 공정에 있어서의 현상액의 온도는, 20 ℃∼ 40 ℃ 의 범위 내에서 일정하게 유지되는 것이 바람직하다.
상기한 공정에 의해서 레지스트 패턴이 얻어지지만, 원하는 바에 따라서, 추가로 60 ℃∼ 300 ℃ 에서 가열 공정을 행할 수도 있다. 이 가열 공정을 행함으로써, 레지스트 패턴의 내약품성을 향상시킬 수 있다. 가열 공정에는, 열풍, 적외선, 또는 원적외선을 사용하는 방식의 가열로를 사용할 수 있다.
＜도체 패턴 (도금 패턴) 의 형성 방법＞
도체 패턴을 얻기 위해서, 현상 공정 또는 가열 공정 후, 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금하는 도체 패턴 형성 공정을 행해도 된다.
도체 패턴의 제조 방법은, 예를 들어, 기판으로서 금속판 또는 금속 피막 절연판을 사용하고, 상기 서술한 레지스트 패턴 형성 방법에 의해서 레지스트 패턴을 형성한 후에, 도체 패턴 형성 공정을 거침으로써 행해진다. 도체 패턴 형성 공정에 있어서는, 현상에 의해서 노출된 기판 표면 (예를 들어, 구리면) 에 이미 알려진 에칭법 또는 도금법을 이용하여 도체 패턴을 형성한다.
일 양태에 있어서, 도체 패턴 (도금 패턴) 은, 상기 감광성 엘리먼트를 사용하여 형성할 수 있다. 일 양태에 있어서, 상기 감광성 엘리먼트는, 두께 t (㎛) 의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능하다. 구리 기판은, 예를 들어, 그 표면에 구리 시드층을 갖는다.
그리고, 일 양태에 있어서, 도금 패턴의 형성 방법에서는,
구리 기판에 적층한 감광성 엘리먼트에 대해서,
(1) 노광부와 미노광부가 X (㎛) 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
(2) 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
을 행했을 때의,
평균 스페이스 폭 DW1 이｛((X/2) 의 ±10 ％) ＋ t｝이상일 때,
(3) 상기 스페이스에의 도금 처리에 의한, 도금 패턴의 형성
(4) 상기 기판으로부터의 감광성 수지층의 박리
를 행했을 때의,
도금 평균 패턴 폭 PW1 이, 평균 스페이스 폭 DW1 의 ±10 ％ 이내이다.
구리 기판은, 예를 들어, 절연 필름 상에, 두께 t (㎛) 의 구리 시드층이 형성된 무전해동 도금 기판이다.
상기 (1) 노광에서 사용하는 노광 마스크의 피치 X 는, 노광부와 미노광부의 1 세트의 반복 단위이다. 따라서, 노광부와 미노광부의 길이가 대략 동일할 때, 노광부와 미노광부의 폭은 각각, 대체로 (X/2) 가 된다. ±10 ％ 정도의 오차를 고려함과 함께, 장래적인 구리 시드층 (두께 t ㎛) 의 에칭까지 주시하면, 상기 (2) 현상 후의 평균 스페이스 폭 DW1 은,｛((X/2) 의 ±10 ％) ＋ t｝이상이 바람직하다.
그 후, 상기 (3) 및 (4) 를 거쳐 얻어지는, 도금 평균 패턴 폭 PW1 은, 현상 후 평균 스페이스 폭 DW1 의 ±10 ％ 이내이다. 감광성 수지층의 라인/스페이스에 있어서의 스페이스에 도금을 실시하는 경우, 이론상으로는, 그 스페이스 폭과 도금 패턴 폭은 일치한다. 한편, 도금시에 도금 패턴이 감광성 수지층의 라인을 가압하거나, 또는, 도금시에 감광성 수지층의 라인이 일차적으로 팽윤되어 스페이스부가 좁아지거나 함으로써, 도금 평균 패턴 폭 PW1 이, 평균 스페이스 폭 DW1 에 대해서 증감하는 경우가 있다. 이 경우, 도금 평균 패턴 폭 PW1 을, 평균 스페이스 폭 DW1 의 ±10 ％ 이내로 제어하는 것이 바람직하다. 이러한 제어는, 상기 감광성 엘리먼트를 사용함으로써 실현하기 쉽다.
평균 스페이스 폭 DW1, 및 도금 평균 패턴 폭 PW1 은, 예를 들어, 광학 현미경으로 촬영한 화상 상에서 임의의 복수 지점 (예를 들어 50 지점, 30 지점, 또는 20 지점) 을 선택하고, 그들 복수 지점에서의 폭의 평균을 산출함으로써 얻을 수 있다.
상기 (3) 에 있어서의 도금 처리는, 예를 들어, 전해 구리 도금에 의한 처리이다. 일 양태에 있어서, 전해 도금은, 황산구리, 황산 및 농염산 등을 혼합한 용액에, 감광성 수지층의 라인/스페이스 (예를 들어, L/S = 5/5) 가 형성된 기판을 침지함으로써 행할 수 있다. 전해 도금 조건은, 예를 들어, 욕온 25 ℃, 전류 밀도 1.0 A/dm2 이고, 도금 시간은 20 분간이다.
구리 두께는, 공지된 두께계로 확인할 수 있다. 전해 도금을 행한 후, (4) 에서는, 현상액보다 강한 알칼리성을 갖는 수용액, 예를 들어, 50 ℃ 3 ％ 수산화나트륨 용액으로, 드라이 필름을 박리할 수 있다. 박리용의 알칼리 수용액 (이하,「박리액」이라고도 한다) 에 대해서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 2 질량％ ∼ 5 질량％ 의 농도의 NaOH 또는 KOH 의 수용액, 혹은 유기 아민계 박리액이 일반적으로 사용된다. 박리액에는 소량의 수용성 용매를 첨가해도 된다. 수용성 용매로는, 예를 들어, 알코올 등을 들 수 있다. 박리 공정에 있어서의 박리액의 온도는, 40 ℃ ∼ 70 ℃ 의 범위 내인 것이 바람직하다.
일 양태에 있어서, 배선 패턴의 형성 방법에서는, 상기 (4) 의 후,
(5) 도금 패턴 중, 감광성 수지층의 박리 후의 기판에 대한 구리 시드층의 에칭 처리 후에 잔존하는, 에칭 후 도금 패턴의 형성
을 행했을 때의,
에칭 후 도금 평균 패턴 폭 FW1 이, 도금 평균 패턴 폭 PW1 보다 작다.
즉, 구리 시드층의 에칭의 영향을 받아, 도금 평균 패턴 폭 PW1 이 감소되지만, 이러한 감소 정도를 예측하여 에칭 후 도금 평균 패턴 폭 FW1 을 설계할 수 있다. 이로써, 최종적으로 얻어지는 에칭 후 도금 평균 패턴 폭 FW1 이, 보다 정밀도가 높은 것이 된다. 이러한 수법은, 상기 감광성 엘리먼트를 사용함으로써 실현하기 쉽다.
도금 평균 패턴 폭 PW1 은, 예를 들어, 광학 현미경으로 촬영한 화상 상에서 임의의 복수 지점 (예를 들어 50 지점, 30 지점, 또는 20 지점) 을 선택하고, 그들 복수 지점에서의 폭의 평균을 산출함으로써 얻을 수 있다.
상기 (5) 의 에칭 (플래시 에칭) 에서는, 소정의 에칭액으로 구리 시드층을 제거할 수 있다. 에칭액으로는, 예를 들어, 황산 및 과산화수소수의 혼합 에칭액 (에바라 전산㈜ 제조) 을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
본 실시형태에서는, 감광성 엘리먼트 또는 그 롤은, 프린트 배선판의 제조 ; IC 칩 탑재용 리드 프레임 제조 ; 메탈 마스크 제조 등의 금속박 정밀 가공 ; 볼·그리드·어레이 (BGA), 칩·사이즈·패키지 (CSP) 등의 패키지의 제조 ; 칩·온·필름 (COF), 테이프 오토메이티드 본딩 (TAB) 등의 테이프 기판의 제조 ; 반도체 범프의 제조 ; 및 ITO 전극, 어드레스 전극, 전자파 실드 등의 플랫 패널 디스플레이의 격벽의 제조에 이용될 수 있다.
또한, 상기 서술한 각 파라미터의 값에 대해서는 특별히 언급이 없는 한, 후술하는 실시예에서의 측정 방법에 준하여 측정된다.
[실시형태 2]
일 양태에 있어서, 감광성 엘리먼트는,
평균 두께 1 ㎛ 이하의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능한, 감광성 엘리먼트로서,
구리 기판에 적층한 상기 감광성 엘리먼트에 대해서,
(1) 노광부와 미노광부가 10 ㎛ 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
(2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
을 행했을 때,
평균 스페이스 폭 DW1 과, 최소 스페이스 폭 DW 2 가
1.00 ＜ DW1/DW2 ＜ 1.10
의 관계를 만족한다. 이러한 관계를 만족할 수 있는 감광성 엘리먼트는, 감광성 수지 패턴에 있어서의 사이드 월의 비뚤거림이 적기 때문에, 정밀도가 높은 배선 패턴을 제작하기 쉽다.
상기와 동일한 관점에서, DW1/DW2 는, 1.09 이하가 바람직하고, 1.08 이하가 보다 바람직하다.
여기에서의 감광성 엘리먼트는, 실시형태 1 에서 기재한 감광성 엘리먼트를 사용할 수 있고, 이것에 의하면, 상기 관계를 실현하기 쉽다.
또, 일 양태에 있어서, 감광성 엘리먼트는,
평균 두께 1 ㎛ 이하의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능한, 감광성 엘리먼트로서,
구리 기판에 적층한 상기 감광성 엘리먼트에 대해서,
(1) 노광부와 미노광부가 10 ㎛ 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
(2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
(3) 상기 스페이스에의 도금 처리에 의한, 도금 패턴의 형성
(4) 상기 기판으로부터의 상기 감광성 수지층의 박리
를 행했을 때,
도금 평균 패턴 폭 PW1 과, 도금 최소 패턴 폭 PW2 가
1.00 ＜ PW1/PW2 ＜ 1.10
의 관계를 만족한다. 이러한 관계를 만족할 수 있는 감광성 엘리먼트는, 도금 패턴에 있어서의 사이드 월의 비뚤거림이 적기 때문에, 정밀도가 높은 배선 패턴을 제작하기 쉽다.
상기와 동일한 관점에서, PW1/PW2 는, 1.09 이하가 바람직하고, 1.08 이하가 보다 바람직하다.
여기에서의 감광성 엘리먼트는, 실시형태 1 에서 기재한 감광성 엘리먼트를 사용할 수 있고, 이것에 의하면, 상기 관계를 실현하기 쉽다.
또한, 일 양태에 있어서, 감광성 엘리먼트는,
평균 두께 1 ㎛ 이하의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능한, 감광성 엘리먼트로서,
구리 기판에 적층한 상기 감광성 엘리먼트에 대해서,
(1) 노광부와 미노광부가 10 ㎛ 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
(2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
(3) 상기 스페이스에의 도금 처리에 의한, 도금 패턴의 형성
(4) 상기 기판으로부터의 상기 감광성 수지층의 박리
(5) 상기 도금 패턴 중, 상기 박리 후의 상기 기판에 대한 에칭으로 잔존하는 에칭 후 도금 패턴의 형성
을 행했을 때,
에칭 후 도금 평균 패턴 폭 FW1 과, 에칭 후 도금 최소 패턴 폭 FW2 가
1.00 ＜ FW1/FW2 ＜ 1.10
의 관계를 만족한다. 이러한 관계를 만족할 수 있는 감광성 엘리먼트는, 에칭 후의 도금 패턴에 있어서의 사이드 월의 비뚤거림이 적기 때문에, 정밀도가 높은 배선 패턴을 제작하기 쉽다.
상기와 동일한 관점에서, FW1/FW2 는, 1.09 이하가 바람직하고, 1.08 이하가 보다 바람직하다.
여기에서의 감광성 엘리먼트는, 실시형태 1 에서 기재한 감광성 엘리먼트를 사용할 수 있고, 이것에 의하면, 상기 관계를 실현하기 쉽다.
본 실시형태에 관련된 감광성 엘리먼트에 있어서도, 실시형태 1 에 관련된 감광성 엘리먼트에 의해서 얻어지는 효과를 얻을 수 있고, 또, 상기와 같이, 정밀도가 높은 배선 패턴을 제작하기 쉽다.
실시예
다음으로, 실시예 및 비교예를 들어 본 실시형태를 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 실시형태는, 그 요지로부터 일탈하지 않는 한, 아래의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
평가용 샘플은 아래와 같이 제작하였다.
＜감광성 엘리먼트의 제작＞
이후에 게재하는 표 1 에 나타내는 성분 (단, 각 성분의 숫자는 고형분으로서의 배합량 (질량부) 을 나타낸다.) 및, 고형분 농도 55 ％ 가 되도록 계량한 메틸에틸케톤을 충분히 교반, 혼합하여, 감광성 수지 조성물 조합액을 얻었다. 표 1 중에 나타낸 성분의 상세함을 표 2 에 나타내고 있다.
지지 필름 (A) 로는, 이후에 게재하는 표 3 ∼ 표 5 에 나타내는 폭 300 ㎜ 의 표면 형상이 상이한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름을 사용하였다. PET 필름은, 첨가하는 입자종, 사이즈, 농도, 입도 분포를 조정하여, 임의의 면에 코팅 처리나 플라즈마 처리를 실시한 재료를 사용하였다. 또한, 표 3 ∼ 표 5 중에 나타낸 필름의 상세함을 표 6 에 나타내고 있다.
지지 필름 (A) 의 표면에, 표 1 및 표 2 에 나타내는 감광성 수지 조성물 조합액의 용액을 도포하고, 90 ℃ 의 열풍으로 1.5 분간에 걸쳐 건조시켜, 감광성 수지 조성물층 (B) 를 형성하였다. 그 때, 가열 후의 감광성 수지 조성물층 (B) 의 두께가 15 ㎛ 가 되도록 하였다. 또한, 감광성 수지 조성물층의 지지 필름 (A) 를 적층하지 않은 쪽의 표면 상에, 보호 필름 (C) 를 첩합 (貼合) 하여, 감광성 엘리먼트를 얻었다.
＜기판＞
화상성의 평가 기판으로서, 스퍼터 구리 도금법에 의해서 제작된 S'PERFLEX (스미토모 금속 광산 주식회사 제조) 를 사용하였다.
도금성 평가 기판으로서, 구리 피복 적층판에, 절연 필름으로서의 ABF-GX92 (아지노모토 파인테크사 제조) 를 라미네이트한 것에, 디스미어·무전해동 도금 (구리 두께 1 ㎛ 의 구리 시드층을 형성) 처리를 행한 기판을 사용하였다. 기재 표면 조도는, 디스미어 공정의 팽윤 온도를 조정함으로써 Ra = 0.4 ∼ 0.3 ㎛ 로 하였다.
＜라미네이트＞
감광성 엘리먼트의 보호 필름 (C) 를 벗기면서, 50 ℃ 로 예열한 평가 기판에, 핫 롤 라미네이터 (아사히 화성㈜ 제조, AL-700) 에 의해서, 감광성 엘리먼트를 롤 온도 105 ℃ 에서 라미네이트함으로써, 감광성 엘리먼트 적층체를 얻었다. 에어압은 0.35 ㎫ 로 하고, 라미네이트 속도는 1.5 m/min 으로 하였다.
＜노광＞
라미네이트 후 2 시간 경과한 감광성 엘리먼트 적층체의 지지 필름 표면측에, 분할 투영 노광 장치 (㈜ 우시오 전기 제조 UX2003 SM-MS04, i 선 밴드 패스 필터 사용) 에 의해서 i 선 (365 ㎚) 단색광으로 노광하였다. 라인/스페이스 (L/S) = 7/7, L/S = 5/5 의 디자인을 포함하는 크롬 유리 포토 마스크를 사용하여, 각각의 감광성 엘리먼트의 최소 해상도가 얻어지는 노광량으로 노광하였다.
실시예 7 은, 직접 묘화식 노광 장치 (오로보테크㈜ 제조, Paragon-Ultra100, 광원 피크 파장 : 355 ㎚) 에 의해서, L/S = 7/7 의 패턴을 포함하는 노광 데이터를 사용하여, 최소 해상도가 얻어지는 노광량으로 노광하였다.
실시예 8 은, 직접 묘화식 노광 장치 (애드테크 엔지니어링 제조 IP-8 M8000H, 광원 피크 파장 : 405 ㎚) 에 의해서, L/S = 7/7 의 패턴을 포함하는 노광 데이터를 사용하여, 최소 해상도가 얻어지는 노광량으로 노광하였다.
실시예 9 는, 초고압 수은 램프를 갖는 노광기 (평행광 노광기 (㈜ 오크제작소사 제조, 평행광 EXM-1201) 에 의해서, L/S = 7/7, L/S = 5/5 의 디자인을 포함하는 크롬 유리 포토 마스크를 사용하여, 최소 해상도가 얻어지는 노광량으로 노광하였다.
＜PEB : Post Exposure Bake＞
노광 후의 기판을, 60 ℃ 로 예열한 열풍식 오븐에서 1 분간 가열을 행하였다.
＜현상＞
감광성 엘리먼트 적층체의 지지 필름 (A) 를 박리한 후, 알칼리 현상기 (㈜ 후지 기공 제조, 드라이 필름용 현상기) 를 사용하여, 30 ℃ 의 1 질량％ Na2CO3 수용액을 소정 시간에 걸쳐 스프레이하고 현상을 행하였다. 현상 스프레이의 시간은 최단 현상 시간의 2 배의 시간으로 하고, 현상 후의 수세 스프레이의 시간은 최단 현상 시간의 2 배의 시간으로 하였다. 이 때, 미노광 부분의 감광성 수지층이 완전히 용해되는 데 필요로 하는 가장 짧은 시간을 최단 현상 시간으로 하였다.
Figure pct00001
Figure pct00002
얻어진 샘플에 대한 평가는, 아래와 같이 하여 행하였다.
＜표면 입자수 P＞
제작된 감광성 엘리먼트로부터 박리된 지지 필름 (A) 의 임의의 면에 대해서, 레이저 현미경 (올림푸스 제조 OLS4100) 을 사용하여, 258 ㎛ × 260 ㎛ 의 시야에서의 하기의 설정으로 추출한 입자 중, 측정 횟수 4 회당 1.0 ㎛ 이상의 표면 입자수의 평균치를 산출하였다.
측정 조건 : 대물 렌즈 ×50
측정 범위 : 258 ㎛ × 260 ㎛
측정 모드 : 입자 해석 (임계값 : 13 ％, 소립자 제거 : 5, 구멍 매립 : 20)
＜최대 표면 입자경 사이즈 S＞
제작된 감광성 엘리먼트로부터 박리된 지지 필름 (A) 의 임의의 면에 대해서, 레이저 현미경 (올림푸스 제조 OLS4100) 을 사용하여, 258 ㎛ × 260 ㎛ 의 시야에서의 하기의 설정으로 추출한 입자 중, 측정 횟수 4 회당 최대 표면 입자경 사이즈의 평균치를 산출하였다.
측정 조건 : 대물 렌즈 ×50
측정 범위 : 258 ㎛ × 260 ㎛
측정 모드 : 입자 해석 (임계값 : 13 ％, 소립자 제거 : 5, 구멍 매립 : 20)
＜전개 면적비 Sdr＞
제작된 감광성 엘리먼트로부터 박리된 지지 필름 (A) 의 임의의 면에 대해서, ISO 25178 에서 규정되는 방법에 기초하여, 주사형 백색 간섭 현미경 (히타치 하이테크 제조 VS1800) 을 사용하여 표면 조도를 측정하였다.
측정 조건 : 대물 렌즈 ×50, 중간 렌즈 ×1, 카메라 고화소
측정 범위 : 112 ㎛ × 112 ㎛
측정 모드 : WAVE
면 보정 : 4 차 면 보정
＜필름 접착 강도＞
1.2 ㎜t 구리 피복 적층판에 감광성 엘리먼트를 라미네이트 후 1 일 조습 (23 ℃ 50 ％RT) 한 샘플에 대해서, JIS Z 0237 : 2009 에 기초한 시험 방법으로 텐실론을 사용하여 인장 속도 100 ㎜/min 으로 180°방향으로 감광성 수지층 (B) 로부터 지지 필름 (A) 를 박리하고, 5 회 측정 중 최대치·최소치를 제외한 평균치에 대해서, 아래의 기준을 따라서 판정하였다.
가능 : 극대 평균 4.0 gf 이상
불가 : 극대 평균 4.0 gf 미만
＜레지스트 측면 돌기수＞
주사 전자 현미경 (히타치 하이테크 제조 S-3400) 을 사용하여, 현상 후 레지스트 패턴 이론상 L/S = 7/7 에 있어서의 90 ㎛ × 70 ㎛ 의 시야에서의 레지스트 측면의 돌기 및 결손 (0.4 ㎛ 이상) 의 수를 카운트하고, 아래의 기준을 따라서 판정하였다.
우수 : 0 ∼ 10 개
양호 : 10 ∼ 100 개
가능 : 100 ∼ 300 개
불가 : 300 개 이상
＜전해 구리 도금＞
전해 구리 도금욕 (황산구리 70 g/L, 황산 270 g/L, 농염산 50 ppm, 첨가제 미소량) 에, L/S = 5/5 를 형성한 현상 후 기판을 침지하고, 욕온 25 ℃, 전류 밀도 1.0 A/dm2 로 20 분간 전해 도금을 행하였다. 이로써, 도금 패턴을 형성하였다. 구리 두께 12 ㎛ 로 도금되어 있는 것을 두께계로 확인하고, 50 ℃ 3 ％ 수산화나트륨 용액으로, 기판으로부터 드라이 필름을 박리하였다.
＜플래시 에칭＞
황산/과산화수소수 혼합 에칭액 (에바라 전산㈜ 제조) 으로 구리 시드층 (1 ㎛ 두께) 을 플래시 에칭에 의해서 제거하였다. 이로써, 에칭 후 도금 패턴을 형성하였다.
＜스페이스/패턴 폭 측장＞
현상 후 레지스트 패턴 (이론상 L/S = 5/5) 을, 광학 현미경 (Nikon 제조 Lv100Nd) 을 사용하여, 90 ㎛ × 70 ㎛ 의 시야에서 임의의 50 지점을 측장하고, 평균 스페이스 폭 DW1 과, 최소 스페이스 폭 DW 2 를 산출하였다.
전해 구리 도금 후에 드라이 필름을 박리한 도금 패턴 (이론상 L/S = 5/5) 을, 동일한 방법으로 도금 평균 패턴 폭 PW1 과, 도금 최소 패턴 폭 PW2 를 산출하였다.
플래시 에칭 후에, 에칭 후 도금 패턴 (이론상 L/S = 4/6) 을, 동일한 측정 방법에서 에칭 후 도금 평균 패턴 폭 FW1 과, 에칭 후 도금 최소 패턴 폭 FW2 를 산출하였다.
평가 결과를 아래의 표에 각각 나타낸다.
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
Figure pct00006
상기 서술한 식 (1) ∼ (3) 을 만족하는 실시예에서는, 높은 필름 접착 강도 (고택성) 와 함께, 적은 레지스트 측면 돌기수 (우수한 해상성) 를 갖는 것을 알 수 있었다.
이에 비해서, 식 (1) ∼ (3) 중 어느 것을 만족하지 않을 경우, 즉, SdrA1/SdrA2 ≥ 0.75, PA1/PA2 ≥ 0.75, SA1/SA2 ≥ 0.75 일 경우, 택성, 해상도가 저하되었다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명해 왔지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니고, 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.
산업상 이용가능성
본 발명에 의한 감광성 엘리먼트를 사용함으로써, 고택성과 고해상도가 양립된 것이 되어, 레지스트 패턴의 형성에 있어서의 드라이 필름 레지스트로서 널리 이용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
    ISO 25178 에서 규정되는, 상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측과 반대측의 계면의 전개 면적비 SdrA1 (％) 이,
    SdrA1 ＜ 0.005 (％)
    인 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
  2. 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
    ISO 25178 에서 규정되는, 상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 계면의 전개 면적비 SdrA2 (％), 반대측의 계면의 전개 면적비 SdrA1 (％) 이, 하기 식 (1) :
    SdrA1/SdrA2 ＜ 0.75 (1)
    을 만족하는 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
  3. 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
    상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 258 ㎛ × 260 ㎛ 의 면적에 포함되는 1.0 ㎛ 이상의 표면 입자수 PA2 (개), 반대측의 면의 표면 입자수 PA1 (개) 이, 하기 식 (2) :
    PA1/PA2 ＜ 0.75 (2)
    를 만족하는 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
  4. 지지 필름 (A), 감광성 수지 조성물층 (B) 를 이 순서로 갖는 감광성 엘리먼트로서,
    상기 지지 필름 (A) 의 상기 감광성 수지 조성물층 (B) 와 접하는 측의 면의 최대 표면 입자경 사이즈 SA2 (㎛), 반대측의 면의 최대 표면 입자경 사이즈 SA1 (㎛) 이, 하기 식 (3) :
    SA1/SA2 ＜ 0.75 (3)
    을 만족하는 것을 특징으로 하는, 감광성 엘리먼트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물층 (B) 에 있어서, 바인더 중의 방향 고리를 갖는 구조의 코모노머 비율이 50 ％ 이상인, 감광성 엘리먼트.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 방향 고리를 갖는 구조가 스티렌인, 감광성 엘리먼트.
  7. 이하의 공정 :
    제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트를 기판에 적층하는 적층 공정 ;
    상기 감광성 엘리먼트의 감광성 수지층을 노광하는 노광 공정 ; 및
    상기 감광성 수지층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정 ; 을 포함하고,
    상기 노광 공정을, 투영 노광 방법에 의해서 행하는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
  8. 이하의 공정 :
    제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트를 기판에 적층하는 적층 공정 ;
    상기 감광성 엘리먼트의 감광성 수지층을 노광하는 노광 공정 ; 및
    상기 감광성 수지층의 미노광부를 현상 제거하는 현상 공정 ; 을 포함하고,
    상기 노광 공정을, 노광 파장 405 ㎚ 이하에 의해서 행하는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    평균 두께 1 ㎛ 이하의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능한, 상기 감광성 엘리먼트로서,
    상기 구리 기판에 적층한 상기 감광성 엘리먼트에 대해서,
    (1) 노광부와 미노광부가 10 ㎛ 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
    (2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
    을 행했을 때,
    평균 스페이스 폭 DW1 과, 최소 스페이스 폭 DW 2 가
    1.00 ＜ DW1/DW2 ＜ 1.10
    의 관계를 만족하는, 감광성 엘리먼트.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    평균 두께 1 ㎛ 이하의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능한, 상기 감광성 엘리먼트로서,
    (1) 노광부와 미노광부가 10 ㎛ 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
    (2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
    (3) 상기 스페이스에의 도금 처리에 의한, 도금 패턴의 형성
    (4) 상기 기판으로부터의 상기 감광성 수지층의 박리
    를 행했을 때,
    도금 평균 패턴 폭 PW1 과, 도금 최소 패턴 폭 PW2 가
    1.00 ＜ PW1/PW2 ＜ 1.10
    의 관계를 만족하는, 감광성 엘리먼트.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    평균 두께 1 ㎛ 이하의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능한, 상기 감광성 엘리먼트로서,
    (1) 노광부와 미노광부가 10 ㎛ 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
    (2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
    (3) 상기 스페이스에의 도금 처리에 의한, 도금 패턴의 형성
    (4) 상기 기판으로부터의 상기 감광성 수지층의 박리
    (5) 상기 도금 패턴 중, 상기 박리 후의 상기 기판에 대한 구리 시드층의 에칭으로 잔존하는 에칭 후 도금 패턴의 형성
    을 행했을 때,
    에칭 후 도금 평균 패턴 폭 FW1 과, 에칭 후 도금 최소 패턴 폭 FW2 가
    1.00 ＜ FW1/FW2 ＜ 1.10
    의 관계를 만족하는, 감광성 엘리먼트.
  12. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 엘리먼트를 사용하여, 도체 패턴을 형성하는 방법으로서,
    상기 감광성 엘리먼트는, 두께 t (㎛) 의 구리 시드층을 갖는 구리 기판에 적층 가능하고,
    상기 구리 기판에 적층한 상기 감광성 엘리먼트에 대해서,
    (1) 노광부와 미노광부가 X (㎛) 피치인 노광 마스크를 사용한 노광
    (2) 상기 노광 후의 현상에 의해서, 감광성 수지층의 라인/스페이스의 형성
    을 행했을 때의,
    평균 스페이스 폭 DW1 이｛((X/2) 의 ±10 ％) ＋ t｝이상일 때,
    (3) 상기 스페이스에의 도금 처리에 의한, 도금 패턴의 형성
    (4) 상기 기판으로부터의 상기 감광성 수지층의 박리
    를 행했을 때의,
    도금 평균 패턴 폭 PW1 이, 상기 평균 스페이스 폭 DW1 의 ±10 ％ 이내인, 도체 패턴의 형성 방법.
  13. 제 12 항에 기재된 도체 패턴의 형성 방법의 후,
    (5) 상기 도금 패턴 중, 상기 박리 후의 상기 기판에 대한 구리 시드층의 에칭으로 잔존하는 에칭 후 도금 패턴의 형성
    을 행했을 때의,
    에칭 후 도금 평균 패턴 폭 FW1 이, 상기 도금 평균 패턴 폭 PW1 보다 작은, 배선 패턴의 형성 방법.
KR1020237017676A 2021-01-29 2022-01-25 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법 KR20230096046A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-012929 2021-01-29
JP2021012929 2021-01-29
PCT/JP2022/002691 WO2022163652A1 (ja) 2021-01-29 2022-01-25 感光性エレメント、およびレジストパターンの形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230096046A true KR20230096046A (ko) 2023-06-29

Family

ID=82653581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237017676A KR20230096046A (ko) 2021-01-29 2022-01-25 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20240012326A1 (ko)
JP (1) JPWO2022163652A1 (ko)
KR (1) KR20230096046A (ko)
CN (1) CN116830038A (ko)
TW (1) TWI793995B (ko)
WO (1) WO2022163652A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5814667U (ja) 1981-07-22 1983-01-29 株式会社日立製作所 荷電粒子線装置
JPS644872B2 (ko) 1985-08-29 1989-01-27 Shinnippon Seitetsu Kk
WO2018100730A1 (ja) 2016-12-02 2018-06-07 日立化成株式会社 感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、及び、プリント配線板の製造方法
WO2018105620A1 (ja) 2016-12-07 2018-06-14 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4724975B2 (ja) * 2001-07-31 2011-07-13 東レ株式会社 フォトレジスト用積層ポリエステルフィルム
JP4285089B2 (ja) * 2003-06-02 2009-06-24 東レ株式会社 フォトレジスト用ポリエステルフィルム
JP2007328331A (ja) * 2006-05-09 2007-12-20 Fujifilm Corp 感光性熱転写材料、画像形成方法、表示装置用部材、カラーフィルタ、及び表示装置
JP5411521B2 (ja) * 2009-02-09 2014-02-12 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂積層体
JP6432283B2 (ja) * 2014-10-31 2018-12-05 東レ株式会社 ドライフィルムレジスト支持体用二軸配向ポリエステルフィルム
KR101956661B1 (ko) * 2016-01-19 2019-03-11 고오 가가쿠고교 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 드라이 필름 및 프린트 배선판
JP7067010B2 (ja) * 2016-12-19 2022-05-16 東レ株式会社 二軸配向ポリエステルフィルムおよびその製造方法
TWI634003B (zh) * 2017-01-26 2018-09-01 長興材料工業股份有限公司 感光型乾膜及其應用
JP7113644B2 (ja) * 2018-03-30 2022-08-05 太陽インキ製造株式会社 ドライフィルム、硬化物およびプリント配線板
WO2019244724A1 (ja) * 2018-06-22 2019-12-26 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物およびレジストパターンの形成方法
KR102509152B1 (ko) * 2018-08-09 2023-03-10 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5814667U (ja) 1981-07-22 1983-01-29 株式会社日立製作所 荷電粒子線装置
JPS644872B2 (ko) 1985-08-29 1989-01-27 Shinnippon Seitetsu Kk
WO2018100730A1 (ja) 2016-12-02 2018-06-07 日立化成株式会社 感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、及び、プリント配線板の製造方法
WO2018105620A1 (ja) 2016-12-07 2018-06-14 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体

Also Published As

Publication number Publication date
US20240012326A1 (en) 2024-01-11
CN116830038A (zh) 2023-09-29
TW202234166A (zh) 2022-09-01
JPWO2022163652A1 (ko) 2022-08-04
TWI793995B (zh) 2023-02-21
WO2022163652A1 (ja) 2022-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106462068B (zh) 感光性树脂组合物以及电路图案的形成方法
KR20130098406A (ko) 감광성 수지 조성물
TW201947323A (zh) 感光性樹脂組合物
TWI763631B (zh) 感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法及印刷配線板的製造方法
JP4749270B2 (ja) 感光性樹脂組成物及び積層体
JP2010117545A (ja) 感光性樹脂組成物及びその用途
JP5768521B2 (ja) 感光性エレメント、それを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP2006234995A (ja) 光重合性樹脂組成物
JP4535851B2 (ja) 光重合性樹脂組成物
JP2012220686A (ja) 感光性樹脂組成物及びその積層体
JP5411521B2 (ja) 感光性樹脂積層体
JP4262917B2 (ja) 感光性樹脂層への露光方法
KR20230096046A (ko) 감광성 엘리먼트, 및 레지스트 패턴의 형성 방법
JP3883540B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びその用途
JP5465928B2 (ja) 光重合性樹脂組成物及びその用途
JP2004191648A (ja) 感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
KR101945588B1 (ko) 감광성 수지 조성물 및 그 적층체
JP4360769B2 (ja) 感光性樹脂積層体
KR101934164B1 (ko) 감광성 수지 적층체
JP2002323760A (ja) 光重合性樹脂積層体
JP3797332B2 (ja) 感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの製造法、プリント配線板の製造法及びリードフレームの製造法
JP7377343B2 (ja) 感光性エレメント、およびレジストパターンの形成方法
JP4316227B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びその用途
JP4477077B2 (ja) 感光性樹脂層への露光方法
JP4993458B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びその用途