JP2002323760A - 光重合性樹脂積層体 - Google Patents

光重合性樹脂積層体

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JP2002323760A
JP2002323760A JP2001128393A JP2001128393A JP2002323760A JP 2002323760 A JP2002323760 A JP 2002323760A JP 2001128393 A JP2001128393 A JP 2001128393A JP 2001128393 A JP2001128393 A JP 2001128393A JP 2002323760 A JP2002323760 A JP 2002323760A
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宏朗 富田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高解像性、高密着性であり耐めっき性、レジ
スト剥離性が良好であり、レジストパターン表面の凹凸
やサイドウオールのギザツキ、食われが少ない等の特性
を有する光重合性樹脂積層体を提供する。 【解決手段】 特定の線状重合体であるバインダー用樹
脂、光重合可能な不飽和化合物及び特定の光重合開始剤
を含む光重合性樹脂組成物を光重合性樹脂層とし、支持
体層として膜厚が10μm以上30μm以下、ヘーズを
0.01%以上1.5%以下であるものを用いて光重合
性樹脂積層体を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線板、リ
ードフレームや、BGA、CSP等のパッケージを製造
する際に、好適に用いられる光重合性樹脂積層体及びそ
の用途に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、パソコンや携帯電話等の電子機器
の軽薄短小化の流れが加速し、これに搭載されるプリン
ト配線板やリードフレームやBGA、CSP等のパッケ
ージには狭ピッチのパターンが要求されている。これら
のプリント配線板等の製造用のレジストとして、従来、
支持体層と光重合性樹脂層と保護層から成る、いわゆる
ドライフィルムレジスト(以下DFRと略称)が用いら
れている。DFRは、一般に支持体層上に光重合性樹脂
層を積層し、さらに該光重合性樹脂層上に保護層を積層
することにより調製される。ここで用いられる光重合性
樹脂層としては、現在、現像液として弱アルカリ水溶液
を用いるアルカリ現像型のものが一般的である。
【0003】また、支持体層としては活性光を透過する
透明なフィルムが用いられ、このようなフィルムとして
はポリビニルアルコールフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム、ポリスチレンフィルム、ポリエチレンテレフタ
レートフィルム等がある。一般的には、適度な可とう性
と強度を有するポリエチレンテレフタレートフィルムが
用いられるが、このポリエチレンテレフタレートフィル
ムには製造工程上、成形に必須な滑剤が含有されてお
り、滑剤は無機系のものが一般的である。
【0004】該滑剤はフィルム表面や内部に存在し、光
重合性樹脂層に転写して、レジストパタ−ン表面に凹凸
を生じさせる。また、活性光の透過を妨げたり、光の乱
反射を発生させ、レジストパターンの側面(サイドウオ
−ル)のギザツキ、食われを生じさせることになり、導
体の欠けや断線、ショートの原因となる。また、保護層
としては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィ
ルム等のポリオレフィンフィルムが用いられるが、これ
らのポリオレフィンフィルムは、製造工程において生じ
るフィッシュアイと呼ばれる未溶解物や熱劣化物や異物
を含んでいる。フィッシュアイはその大きさや形により
フィルムの表面に突き出し、光重合性樹脂層に窪みを生
じさせることがある。
【0005】フィッシュアイが大きい場合は該窪みはエ
ア−ボイドとなり、導体の欠けや断線、ショートの原因
となる。フィッシュアイを低減する手法として、ポリオ
レフィンフィルムの製造原料、混練方法、材料溶融後の
ろ過方法、成膜方法等を工夫することが提案されている
が、特にポリエチレンフィルムにおいては充分なレベル
に低減することが難しいか、低減するためには多大な労
力とコストを要する。DFRを用いてプリント配線板を
作成するには、まず保護層を剥離した後、銅張積層板や
フレキシブル基板等の永久回路作成用基板上にラミネー
ター等を用いDFRを積層し、配線パターンマスクフィ
ルム等を通し露光を行う。次に必要に応じて支持体層を
剥離し、現像液により未露光部分の光重合性樹脂層を溶
解、もしくは分散除去し、基板上にレジストパターンを
形成させる。
【0006】レジストパターン形成後、回路を形成させ
るプロセスは大きく2つの方法に分かれる。第一の方法
は、レジストパターンによって覆われていない銅張り積
層板等の銅面をエッチング除去した後、レジストパター
ン部分を現像液よりも強いアルカリ水溶液で除去するエ
ッチング法であり、第二の方法は同上の銅面に銅、半
田、ニッケルおよび錫等のめっき処理を行った後、同様
にレジストパターン部分の除去、さらに現れた銅張り積
層板等の銅面をエッチングするめっき法である。エッチ
ングには塩化第二銅、塩化第二鉄、銅アンモニア錯体溶
液等が用いられる。
【0007】最近のDFRには、上記した様な狭ピッチ
のパターンへの要求から高解像性が要求されてきてお
り、特に、BGAやCSPのようなパッケージ用途で
は、エッチング法を主工程とするサブトラクティブ法及
び、めっき法を主工程とするセミアディティブ法がある
が、ファインラインの形成性に有利なセミアディティブ
法が主流となっている。DFRの高解像性を発現するに
は光重合性樹脂層の膜厚を薄くすることがあるが、この
場合、基板上にDFRを積層すると、保護層のフィッシ
ュアイに由来する光重合性樹脂層の窪みによって基板と
光重合性樹脂層の間にエアーボイドを生じやすくなる。
このエアーボイドは、露光、現像工程においてレジスト
パターンの欠陥となり、続くエッチング工程またはめっ
き工程において形成される回路の欠けや断線、ショート
などの欠陥になる。
【0008】また、ファインラインになると支持体層の
滑剤に由来するレジストパターン表面の凹凸やサイドウ
オールのギザツキ、食われによって欠けや断線、ショー
トなどの欠陥になる。また、高解像性、高密着性を有す
るDFRは、特にセミアディティブ法におけるめっき工
程後のレジスト剥離性が不良であり剥離工程での製造歩
留まりが低いという問題点があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点を克服し、高解像性、高密着性であり耐めっき
性、レジスト剥離性が良好で支持体層の滑剤由来のレジ
ストパターン表面の凹凸やサイドウオールのギザツキ、
食われが少なく、また保護層のフィッシュアイ由来のエ
アーボイドの発生が少なく、形成された導体の欠けや断
線、ショート等の欠陥を低減可能である光重合性樹脂積
層体を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決すべく
鋭意検討した結果、特定の線状重合体であるバインダー
用樹脂、光重合可能な不飽和化合物及び特定の光重合開
始剤を含む光重合性樹脂組成物を光重合性樹脂層とし、
支持体層として膜厚が10μm以上30μm以下、ヘー
ズを0.01%以上1.5%以下であるものを用いた積
層体は、高解像性、高密着性であり耐めっき性、レジス
ト剥離性が良好であり、レジストパターン表面の凹凸や
サイドウオールのギザツキ、食われが少ない等の特性が
あることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0011】すなわち、本願は以下の発明を提供する。 (1)支持体層(A)、(a)カルボキシル基含有量が
酸当量で100以上600以下であり、かつ、重量平均
分子量が2万以上30万以下の線状重合体からなるバイ
ンダ−用樹脂、20重量%以上90重量%以下、(b)
光重合可能な不飽和化合物、5重量%以上60重量%以
下、(c)光重合開始剤、0.01重量%以上30重量
%以下を含有する光重合性樹脂層(B)、および保護層
(C)からなる光重合性樹脂積層体において、前記支持
体層(A)の膜厚が10μm以上30μm以下、ヘ−ズ
が0.01%以上1.5%以下であり、かつ前記光重合
性樹脂層(B)のバインダ−用樹脂(a)中に、(i)
非酸性であり、かつ分子中に重合性不飽和基及びフェニ
ル基を有する化合物、(ii)分子中に重合性不飽和基
を有するカルボン酸または酸無水物、及び(iii)炭
素数1以上6以下のアルキル基を有するアルキル(メ
タ)アクリレ−ト、炭素数2以上6以下のヒドロキシア
ルキル基を有するヒドロキシ(メタ)アクリレ−ト及び
シアノ基を有する(メタ)アクリレ−トからなる群から
選ばれる1種以上の化合物、を共重合してなるバインダ
−用樹脂Pが50重量%以上含有しており、さらに、光
重合性樹脂層(B)の(c)光重合開始剤として、2,
4,5−トリアリ−ルイミダゾリル二量体を含むことを
特徴とする光重合性樹脂積層体。
【0012】(2)支持体層(A)がポリエチレンテレ
フタレートフィルムである上記(1)記載の感光性樹脂
積層体。 (3)光重合性樹脂層(B)の光重合可能な不飽和化合
物(b)として下記一般式(I)または(II)で表さ
れる化合物のいずれか1種または双方が含有されている
ことを特徴とする上記(1)または(2)記載の光重合
性樹脂積層体。
【0013】
【化6】
【0014】(式中、R1、R2はHまたはCH3であり
これらは同一であっても相違してもよい。n1、n2、n
3は3以上20以下の整数である。)
【0015】
【化7】
【0016】(式中、R3、R4はHまたはCH3であ
り、これらは同一であっても相違してもよい。また、
D、EはC24またはC36でありこれらは相異なる。
4+n5及びn6+n7は2以上30以下の整数でありn
4、n5、n6、n7は正の整数である。)
【0017】(4)光重合性樹脂層(B)中に下記一般
式(III)、(IX)及び(X)からなる群から選ば
れる1種以上の化合物を0.005重量%以上1重量%
以下含有することを特徴とする上記(1)、(2)また
は(3)記載の光重合性樹脂積層体。
【0018】
【化8】
【0019】(式中、R5、R6はHまたは炭素数1以上
4以下のアルキル基でありこれらは同一であっても相違
してもよい。)
【0020】
【化9】
【0021】(式中、R7、R8はHまたは炭素数1以上
4以下のアルキル基でありこれらは同一であっても相違
してもよい。)
【0022】
【化10】
【0023】(式中、R9、R10はHまたは炭素数1以
上4以下のアルキル基でありこれらは同一であっても相
違してもよい。)
【0024】(5)保護層(C)において、膜厚が30
μm以上50μm以下であり、かつ中心線平均粗さ(R
a)が0.1μm未満であることを特徴とする上記
(1)、(2)、(3)または(4)に記載の光重合性
樹脂積層体。 (6)保護層(C)がポリエチレンフィルムである上記
(1)、(2)、(3)、(4)または(5)に記載の
光重合性樹脂積層体。 (7)基板上に、(1)、(2)、(3)、(4)、
(5)または(6)に記載の光重合性樹脂積層体を用い
て光重合性樹脂層を形成し、露光工程、現像工程により
レジストパターンを形成する方法。さらに、本願によれ
ば、上記(7)記載の方法によりレジストパターンを形
成された基板を、エッチングするかまたはめっきするこ
とによりプリント配線板、リードフレーム、パッケージ
を製造する方法も提供される。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の支持体層(A)は、本発明の光重合性樹脂層を
支持する為のフィルムであり、活性光線を透過させる透
明な基材フィルムである。このような基材フィルムとし
ては、厚み10μm以上30μm以下程度のポリビニル
アルコ−ルフィルム、ポリカ−ボネ−トフィルム、ポリ
スチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレ−トフィル
ムがあるが、通常適度な可とう性と強度を有するポリエ
チレンテレフタレ−トが好ましく用いられる。
【0026】解像性の観点から、より好ましい膜厚は1
0μm以上18μm以下である。これら支持体層フィル
ムには製造工程上、成形に必要な滑剤が含有されてお
り、滑剤を多く含むとフィルムのヘ−ズが高くなる。フ
ィルムのヘ−ズが高くなると光の散乱を生じ、マスクに
忠実なパターン形成が困難になる。また、滑剤は前述の
ごとく、レジストパターン表面の凹凸やサイドウオール
にギザツキ、食われを生じさせ、導体の欠けや断線、シ
ョートの原因にもなる。したがって、支持体層中に含ま
れる該滑剤の配合量を低減し、フィルムのヘーズを下げ
ることがファインパターン形成には必要である。ヘーズ
が0.01%未満の支持体層は製造が困難であり、1.
5%を超える支持体層は解像度、密着性、レジストパタ
ーン形状、レジスト剥離性が低下する。より好ましいヘ
ーズは0.01%以上0.5%以下である。
【0027】ここでいうヘーズ(Haze)とは濁度を
表す値であり、ランプにより照射され。試料中を透過し
た全透過率Tと、試料中で拡散され散乱した光の透過率
Dにより、ヘーズ値H=D/T×100として求められ
る。これらはJIS K 7105により規定されてお
り、市販の濁度計により容易に測定可能である。本発明
の光重合性樹脂層(B)の膜厚は、5μm以上30μm
以下である。5μmより薄い場合基板への充分な追従性
が得られないし、30μmより厚いと解像度の点から好
ましくない。より好ましい膜厚は6μm以上25μm以
下である。光重合性樹脂層(B)中のバインダー用樹脂
(a)の重量平均分子量は2万以上30万以下である。
この場合の重量平均分子量とはゲルパーミエーションク
ロマトグラフィー(GPC)により標準ポリスチレンの
検量線を用いて測定した重量平均分子量のことである。
【0028】この重量平均分子量が2万未満であると、
硬化膜の強度が小さくなり、30万を越えると、現像性
が低下する。本発明の効果をさらによく発揮するために
はバインダー用樹脂(a)の重量平均分子量は好ましく
は3万以上15万以下であり、さらに好ましくは3万以
上9万以下である。また、バインダー用樹脂(a)に含
まれるカルボキシル基の量は酸当量で100以上600
以下である必要がある。ここで酸当量とはその中に1当
量のカルボキシル基を含有するポリマーの重量を言う。
なお、酸当量の測定は電位差滴定法により行われる。カ
ルボキシル基はDFRにアルカリ水溶液に対する現像性
や剥離性を与えるために必要である。
【0029】酸当量が100未満では現像耐性が低下し
解像性、密着性に悪影響を及ぼし、600を超えると現
像性や剥離性が低下する。好ましくは酸当量は300以
上400以下である。バインダー用樹脂(a)として
は、カルボン酸含有ビニル共重合体やカルボン酸含有セ
ルロース等が挙げられる。カルボン酸含有ビニル共重合
体とは、α、β−不飽和カルボン酸の中から選ばれる少
なくとも1種の第1単量体と、アルキル(メタ)アクリ
レート、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、
(メタ)アクリルアミドとその窒素上の水素をアルキル
基またはアルコキシ基に置換した化合物、スチレン及び
スチレン誘導体、(メタ)アクリロニトリル、及び(メ
タ)アクリル酸グリシジルの中から選ばれる少なくとも
1種の第2単量体をビニル共重合して得られる化合物で
ある。
【0030】カルボン酸含有ビニル共重合体に用いられ
る第1単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、フ
マル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン
酸半エステル等が挙げられ、それぞれ単独で用いてもよ
いし2種以上を組み合わせてもよい。カルボン酸含有ビ
ニル共重合体に用いられる第2単量体としては、メチル
(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、
n−プロピル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル
(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレー
ト、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、2−ヒ
ドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ
プロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル
(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ
(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ
(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、N−
メチロールアクリルアミド、N−ブトキシメチルアクリ
ルアミド、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチル
スチレン、p−クロロスチレン、(メタ)アクリロニト
リル、(メタ)アクリル酸グリシジル等が挙げられ、そ
れぞれ単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて
用いてもよい。
【0031】カルボン酸含有ビニル共重合体は、単量体
の混合物を、アセトン、メチルエチルケトン、イソプロ
パノール等の溶剤で希釈した溶液に、過酸化ベンゾイ
ル、アゾイソブチロニトリル等のラジカル重合開始剤を
適量添加し、過熱攪拌することにより合成することが好
ましい。混合物の一部を反応液に滴下しながら合成する
場合もある。また、反応終了後さらに溶剤を加えて、所
望の濃度に調整する場合もある。
【0032】その合成手段としては、溶液重合以外に
も、塊状重合、懸濁重合及び乳化重合も用いられる。カ
ルボン酸含有セルロースとしては、セルロースアセテー
トフタレート、ヒドロキシエチル・カルボキシメチルセ
ルロース等が挙げられる。バインダー用樹脂の含有量は
光重合性樹脂組成物の全重量基準で20重量%以上90
重量%以下の範囲が好ましい。より好ましくは40重量
%以上65重量%以下である。この量が20重量%未満
であると、アルカリ現像液に対する分散性が低下し現像
時間が著しく長くなる。この量が90重量%を越える
と、光重合性樹脂層の光硬化が不十分となり、レジスト
としての耐性が低下する。
【0033】バインダー用樹脂は、単独で用いても、2
種以上を組み合わせて用いてもよい。また、バインダー
用樹脂Pの成分として用いられる線状重合体の共重合成
分(i)は、非酸性で分子中に重合性不飽和基を有し、
フェニル基を有する化合物を必須成分とする。このよう
な化合物としては、例えば、スチレン、メチルスチレ
ン、及びスチレン誘導体が挙げられ本発明においては特
にスチレンが好ましい。
【0034】バインダー用樹脂Pの成分として用いられ
る線状重合体の共重合成分(ii)は分子中に重合性不
飽和基を一個有するカルボン酸または酸無水物である。
このような化合物としては例えば、アクリル酸、メタク
リル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン
酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル等が挙げ
られ、それぞれ単独で用いてもよいし2種以上を組み合
わせてもよい。バインダー用樹脂Pの成分として用いら
れる線状重合体の共重合成分(iii)は炭素数1以上
6以下のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレ
−ト、炭素数2以上6以下のヒドロキシアルキル基を有
するヒドロキシ(メタ)アクリレ−ト及びシアノ基を有
する(メタ)アクリレ−トからなる群から選ばれる1種
以上の化合物である。
【0035】このような化合物としては、例えばメチル
(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、
n−プロピル(メタ)アクリレート、iso−プロピル
(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレー
ト、sec−ブチル(メタ)アクリレート、tert−
ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル
(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メ
タ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリ
レート、(メタ)アクリロニトリル等が挙げられる。
【0036】バインダー用樹脂Pの重量平均分子量は2
万以上30万以下である。この場合の重量平均分子量と
はゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)
により標準ポリスチレンの検量線を用いて測定した重量
平均分子量のことである。この重量平均分子量が2万未
満であると、硬化膜の強度が小さくなり、30万を越え
ると、現像性が低下する。本発明の効果をさらによく発
揮するためにはバインダー用樹脂Pの重量平均分子量は
好ましくは3万以上15万以下であり、さらに好ましく
は3万以上9万以下である。
【0037】また、バインダー用樹脂Pに含まれるカル
ボキシル基の量は酸当量で100以上600以下である
必要がある。ここで酸当量とはその中に1当量のカルボ
キシル基を含有するポリマーの重量を言う。なお、酸当
量の測定は電位差滴定法により行われる。カルボキシル
基はDFRにアルカリ水溶液に対する現像性や剥離性を
与えるために必要である。酸当量が100未満では現像
耐性が低下し解像性、密着性に悪影響を及ぼし、600
を超えると現像性や剥離性が低下する。好ましくは酸当
量は300以上400以下である。
【0038】バインダー用樹脂Pの成分として用いられ
る線状重合体の共重合成分(i)はバインダー用樹脂P
中に、5重量%以上50重量%以下が好ましく、15重
量%以上40重量%以下がより好ましい。また、バイン
ダー用樹脂(a)中に含有されるバインダー用樹脂Pは
50重量%以上である必要がある。50重量%未満であ
ると十分な解像性、密着性を発揮できない。好ましくは
75重量%以上である。
【0039】光重合性樹脂層(B)中の光重合可能な不
飽和化合物(b)としては公知の種類の化合物を使用で
きる。例えば、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピ
ルアクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール
アクリレート、β−ヒドロキシプロピル−β’−(アク
リロイルオキシ)プロピルフタレート、1,4−テトラ
メチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−
ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−シ
クロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ヘプタ
プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセ
ロール(メタ)アクリレート、2−ジ(p−ヒドロキシ
フェニル)プロパンジ(メタ)アクリレート、グリセロ
ールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパ
ントリ(メタ)アクリレート、ポリオキシプロピルトリ
メチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリオ
キシエチルトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリ
レート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリ
レート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリ
レート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテ
ルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリ
シジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ジアリルフタ
レート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、4−ノルマルオクチルフェノキシペンタプロピレン
グリコールアクリレート、4−ノルマルノニルフェノキ
シヘプタエチレングリコールジプロピレングリコール
(メタ)アクリレート、フェノキシテトラプロピレング
リコールテトラエチレングリコール(メタ)アクリレー
ト、ビスフェノールA系(メタ)アクリル酸エステルモ
ノマーの分子中にエチレンオキシド鎖を含む化合物、ビ
スフェノールA系(メタ)アクリル酸エステルモノマー
の分子中にプロピレンオキシド鎖を含む化合物等が挙げ
られる。
【0040】また、ヘキサメチレンジイソシアネート、
トルイレンジイソシアネートなどの多価イソシアネート
化合物と、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレー
ト、オリゴエチレングリコールモノ(メタ)アクリレー
ト、オリゴプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレ
ートなどのヒドロキシアクリレート化合物とのウレタン
化化合物なども用いることができる。これらの光重合可
能な不飽和化合物はそれぞれ単独で用いてもよいし、2
種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0041】また、このような光重合可能な不飽和化合
物のうち、特に好ましい化合物としては前記一般式
(I)、(II)の化合物が挙げられる。一般式(I)
で表される化合物においてn1,n2,n3が3より小
さいと当該化合物の沸点が低下して、レジストの臭気が
強くなり、使用が著しく困難になる。また、n1,n
2,n3が20を超えると実用的な感度が得られない。
また、一般式(II)で表される化合物においてD及び
Eがプロピレングリコール鎖のような疎水性基を持つ化
合物のみであるとベースポリマーとの相溶性が悪化した
り、現像時のスカム発生の原因となる。また、現像時間
も遅くなる。
【0042】D及びEがエチレングリコール鎖のような
親水性基を持つ化合物のみであると現像時の膨潤性が増
加し解像性が悪化する。現像性と解像性を両立させるに
はエチレングリコール鎖とプロピレングリコール鎖の双
方を分子中に有する事が有効である。また、n4+n5
びn6+n7が30を超えると二重結合濃度が減少し充分
な解像性、密着性を発現しなくなる。n4+n5及びn6
+n7は4以上12以下が好ましい。
【0043】一般式(I)及び(II)の化合物はそれ
ぞれ単独で用いてもよいし、双方を併用して用いてもよ
く、一般式(I)及び(II)の化合物以外の前記光重
合可能な不飽化合物と併用してもよい。光重合可能な不
飽化合物(b)の含有量は光重合性樹脂組成物の全重量
基準で5重量%以上60重量%以下である必要があり、
好ましくは30重量%以上60重量%以下である。その
割合が5重量%未満であると、光重合性樹脂の硬化が充
分でなく、レジストとしての強度が不足する。一方、そ
の割合が60重量%を越えると光重合性樹脂積層体がロ
−ル状で保存された場合に、端面から感光性樹脂層が次
第にはみだす現象、即ちエッジフュージョンが悪化す
る。
【0044】本発明に用いられる光重合性樹脂層(B)
中の光重合開始剤としては、高解像性の点で2,4,5
−トリアリ−ルイミダゾリル二量体を含むことが必須で
ある。2,4,5−トリアリ−ルイミダゾリル二量体は
下記一般式(XI)で表される。
【0045】
【化11】
【0046】(式中、X、Y、Zは水素、アルキル基、
アルコキシ基、ハロゲン基を表し、p、q、r、は1以
上5以下の整数である。)
【0047】2個のロフィン基を結合する共有結合は1
・1’−、1・2’−、1・4’−、2・2’−、2・
4’−又は4・4’−位についているが、1・2’−化
合物が好ましい。2,4,5−トリアリ−ルイミダゾリ
ル二量体には例えば2−(O−クロロフェニル)−4・
5−ジフェニルイミダゾリル二量体、2−(O−クロロ
フェニル)−4・5−ビス−(m−メトキシフェニル)
イミダゾリル二量体、2−(p−メトシキフェニル)−
4・5−ジフェニルイミダゾリル二量体等がある。2,
4,5−トリアリ−ルイミダゾリル二量体とp−アミノ
フェニルケトンを併用する系は好ましく、p−アミノフ
ェニルケトンとしては例えば、p−アミノベンゾフェノ
ン、p−ブチルアミノフェノン、p−ジメチルアミノア
セトフェノン、p−ジメチルアミノベンゾフェノン、p
・p’−ビス(エチルアミノ)ベンゾフェノン、p・
p’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン[ミヒラ
ーズケトン]、p・p’−ビス(ジエチルアミノ)ベン
ゾフェノン、p・p’−ビス(ジブチルアミノ)ベンゾ
フェノンなどがあげられる。
【0048】また、上記で示された化合物以外に他の光
重合開始剤との併用も可能である。ここでの光重合開始
剤とは、各種の活性光線、例えば紫外線などにより活性
化された重合を開始する公知の化合物である。例えば、
2−エチルアントラキノン、2−tert−ブチルアン
トラキノン等のキノン類、ベンゾフェノンなどの芳香族
ケトン類、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベ
ンゾインエチルエーテルなどのベンゾインエーテル類、
ベンジルジメチルケタ−ル、ベンジルジエチルケタ−ル
などがある。
【0049】また、例えばチオキサントン、2,4−ジ
エチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン等の
チオキサントン類と、ジメチルアミノ安息香酸アルキル
エステル化合物等の三級アミン化合物との組み合わせも
ある。また例えば9−フェニルアクリジン等のアクリジ
ン類、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−ο
−ベンゾイルオキシム、1−フェニル−1、2−プロパ
ンジオン−2−(ο−エトキシカルボニル)オキシム等
のオキシムエステル類等がある。
【0050】本発明の2,4,5−トリアリ−ルイミダ
ゾリル二量体を含む光重合開始剤(c)の含有量は光重
合性樹脂組成物の全重量基準で0.01重量%以上30
重量%以下含まれることが好ましい。より好ましくは
0.1重量%以上10重量%以下である。この量が0.
01重量%より少ないと感度が十分でない。またこの量
が30重量%より多いと紫外線吸収率が高くなり、光重
合性樹脂層の底の部分の硬化が不十分になる。
【0051】本発明の光重合性樹脂層(B)の熱安定
性、保存安定性を向上させる為にラジカル重合禁止剤を
含有させることは好ましい。このようなラジカル重合禁
止剤としては、例えばp−メトキシフェノール、ハイド
ロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、t−ブチル
カテコール、塩化第一銅、2,6−ジ−t−ブチル−p
−クレゾール、2,2’メチレンビス(4−エチル−6
−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス
(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)等が挙げら
れる。
【0052】また、このようなラジカル重合禁止剤化合
物のうち、特に好ましい化合物としては前記一般式(I
II)、(IX)及び(X)の化合物が挙げられる。こ
れらの化合物は光重合性樹脂組成物としてDFRとした
場合、解像性に対する露光ラチチュードが広いと言う特
徴を有する。一般式(III)で表される化合物におい
てR5またはR6の一方がメチル基であり他方がtert
−ブチル基であるトリエチレングリコール−ビス〔3−
(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)プロピオネート〕(チバガイギー社製IRGANO
X245)がある。
【0053】また、一般式(XI)で表される化合物に
おいてR7及びR8がtert−ブチル基である1,6−
ヘキサンジオール−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕(チバ
ガイギー社製IRGANOX259)がある。また、一
般式(X)で表される化合物においてR9及びR10がt
ert−ブチル基であるペンタエリスリチル−テトラキ
ス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート〕(チバガイギー社製IRGA
NOX1010)がある。一般式(III)、(XI)
及び(X)の化合物はそれぞれ単独で用いても良いし2
種以上併用しても良い。
【0054】また、一般式(III)、(XI)及び
(X)からなる群から選ばれる1種以上の化合物の含有
量は光重合性樹脂組成物の全重量基準で0.005重量
%以上1重量%以下である。この含有量が1重量%を超
えると充分な感度がでない。より好ましくはこの含有量
は0.01重量%以上0.1重量%以下である本発明の
光重合性樹脂層(B)には染料、顔料等の着色物質が含
有されていてもよい。このような着色物質としては、例
えばフクシン、フタロシアニングリーン、オーラミン塩
基、カルコキシドグリーンS、パラマジェンタ、クリス
タルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブルー2
B、ビクトリアブルー、マラカイトグリーン、ベイシッ
クブルー20、ダイヤモンドグリーン等が挙げられる。
【0055】また、本発明の光重合性樹脂層(B)に光
照射により発色する発色系染料を含有させてもよい。こ
のような発色系染料としては、ロイコ染料とハロゲン化
合物の組み合わせが良く知られている。ロイコ染料とし
ては、例えばトリス(4−ジメチルアミノ−2−メチル
フェニル)メタン[ロイコクリスタルバイオレット]、
トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メ
タン[ロイコマラカイトグリーン]等が挙げられる。一
方ハロゲン化合物としては臭化アミル、臭化イソアミ
ル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニル
メチル、臭化ベンザル、臭化メチレン、トリブロモメチ
ルフェニルスルホン、四臭化炭素、トリス(2,3−ジ
ブロモプロピル)ホスフェート、トリクロロアセトアミ
ド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、1,1,1−ト
リクロロ−2,2−ビス(p−クロロフェニル)エタ
ン、ヘキサクロロエタン等が挙げられる。
【0056】さらに本発明の光重合性樹脂層(B)に
は、必要に応じて可塑剤等の添加剤を含有させてもよ
い。このような添加剤としては、例えばジエチルフタレ
ート等のフタル酸エステル類、o−トルエンスルホン酸
アミド、p−トルエンスルホン酸アミド、クエン酸トリ
ブチル、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエ
チル、アセチルクエン酸トリ−n−プロピル、アセチル
クエン酸トリ−n−ブチル、ポリプロピレングリコー
ル、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール
アルキルエーテル、ポリプロピレングリコールアルキル
エーテル等が挙げられる。
【0057】本発明の保護層(C)は膜厚が30μm以
上50μm以下であり、かつ表面粗さにおいて中心線平
均粗さ(Ra)が0.1μm未満であることが必要であ
る。膜厚が30μmより薄いとエアーボイドが発生しや
すくなる。膜厚が50μmより厚いと光重合性樹脂積層
体をロール状に巻いた場合嵩張るし、保護層の値段も高
くなる。また膜厚が30μm以上であると、光重合性樹
脂積層体のエッジフュージョンが抑制される為好まし
い。より好ましい膜厚は、33μm以上45μm以下で
ある。
【0058】中心線平均粗さ(Ra)が0.1μm以上
であると光重合性樹脂層と保護層の充分な密着性が得ら
れないし、エアーボイドが発生しやすくなる。より好ま
しい中心線平均粗さ(Ra)は0.085μm以下であ
る。また、本発明の保護層(C)の表面粗さにおいて最
大高さ(Rmax)が1.0μm未満であることが好ま
しい。ここでいう表面粗さにおける、中心線平均粗さ
(Ra)及び最大高さ(Rmax)は、原子間力顕微鏡
(Atomic Force Microscope)
で測定される中心線平均粗さ及び最大高さをいう。
【0059】本発明の保護層(C)に用いられるフィル
ムとしては、ポリエチレンフィルムやポリプロピレンフ
ィルム等のポリオレフィンフィルムやポリエステルフィ
ルム等が挙げられる。フィルムの剛性が小さい為、フィ
ルムより突き出たフィッシュアイが感光性樹脂層の窪み
になりにくい点で、ポリエチレンフィルムがより好まし
い。光重合性樹脂層(B)との密着力において、光重合
性樹脂層(B)と支持体層(A)との密着力よりも光重
合性樹脂層(B)と保護層(C)の密着力が小さいこと
がこの保護層(C)に必要な特性であり、これにより保
護層(C)が容易に剥離できる。
【0060】支持体層(A)、光重合性樹脂層(B)、
及び保護層(C)を順次積層して光重合性樹脂積層体を
作成する方法は、従来知られている方法で行うことがで
きる。例えば光重合性樹脂層(B)に用いる光重合性樹
脂組成物を、これらを溶解する溶剤と混ぜ合わせ均一な
溶液にしておき、まず支持体層(A)上にバーコーター
やロールコーターを用いて塗布して乾燥し、支持体層
(A)上に光重合性樹脂組成物からなる光重合性樹脂層
(B)を積層する。次に光重合性樹脂層(B)上に保護
層(C)をラミネートすることにより光重合性樹脂積層
体を作成することができる。
【0061】次に、本発明の光重合性樹脂積層体を用い
てプリント配線板を製造する方法の一例を説明する。プ
リント配線板は、以下の各工程を経て製造される。 (1)光重合性樹脂積層体の保護層を剥がしながら銅張
積層板やフレキシブル基板等の基板上にホットロールラ
ミネーターを用いて密着させるラミネート工程。 (2)所望の配線パターンを有するマスクフィルムを支
持体上に密着させ活性光線源を用いて露光を施す露光工
程。 (3)支持体層を剥離した後アルカリ現像液を用いて光
重合性樹脂層の未露光部分を溶解または分散除去、レジ
ストパターンを基板上に形成する現像工程。 (4)形成されたレジストパターン上からエッチング液
を吹き付けレジストパターンによって覆われていない銅
面をエッチングするエッチング工程、またはレジストパ
ターンによって覆われていない銅面に銅、半田、ニッケ
ルおよび錫等のめっき処理を行うめっき工程。 (5)レジストパターンをアルカリ剥離液を用いて基板
から除去する剥離工程。上記の露光工程において用いら
れる活性光線源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、
紫外線蛍光灯、カーボンアーク灯、キセノンランプなど
が挙げられる。また、より微細なレジストパターンを得
るためには平行光光源を用いるのがより好ましい。ゴミ
や異物の影響を極力少なくしたい場合には、フォトマス
クを支持体層(A)上から数十μm以上数百μm以下浮
かせた状態で露光(プロキシミティー露光)する場合も
ある。
【0062】また、現像工程で用いられるアルカリ現像
液としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の水溶液
が挙げられる。これらのアルカリ水溶液は光重合性樹脂
層(B)の特性に合わせて選択されるが、一般的に0.
5%以上3%以下の炭酸ナトリウム水溶液が用いられ
る。エッチング工程は、酸性エッチング、アルカリエッ
チングなど、使用するDFRに適した方法で行われる。
剥離工程で用いられるアルカリ剥離液としては、一般的
に現像で用いたアルカリ水溶液よりも更に強いアルカリ
性の水溶液、例えば1%以上5%以下の水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムの水溶液が挙げられる。めっき工程
の場合には、レジストパターンを剥離後に、レジストパ
ターンの下に現れた銅面をエッチングする。
【0063】以下、実施例により本発明の実施の形態を
さらに詳しく説明する。実施例及び比較例における評価
は次の方法により行った。
【0064】
【実施例1〜10および比較例1〜6】(光重合性樹脂
積層体の作成)表1に示す組成の光重合性樹脂組成物
を、メチルエチルケトン溶媒で均一に溶解し、表1に示
す厚さ16μmのポリエチレンテレフタレートフィルム
にバーコーターを用いて均一に塗布し、90℃の乾燥機
中に3分間乾燥して光重合性樹脂層を形成した。光重合
性樹脂層の厚みは25μmであった。光重合性樹脂層の
ポリエチレンテレフタレートフィルムを積層していない
表面上に表1に示すポリエチレンフィルムを張り合わせ
て光重合性樹脂積層体を得た。 (基板の前処理)300mm×500mmの大きさで、
厚さ1.0mmの無電解銅めっき基板(絶縁樹脂層に無
電解銅めっきが厚み2μmのっている)を、10%硫酸
水溶液に室温で30秒浸漬した後、水洗・乾燥した。
【0065】(ラミネート)光重合性樹脂積層体のポリ
エチレンフィルムを剥がしながら、前処理した無電解銅
めっき基板にホットロールラミネーター(旭化成製AL
−70)によりロール温度105℃でラミネートした。
ラミネーターのロール圧力はエアーゲージ表示で0.3
5MPaとし、ラミネート速度は1.5m/min.と
した。 (露光)光重合性樹脂層に、マスクフィルム(ガラスク
ロムマスク)を通して、超高圧水銀ランプ(オーク製作
所製:HMW−801)により140mJ/cm2で露
光した。 (現像)ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し
た後、30℃の1%炭酸ナトリウム水溶液をスプレー
し、光重合性樹脂層の未露光部分を溶解除去し良好な硬
化画像を得た。この際、未露光部分の光重合性樹脂が完
全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間
とした。実際の現像時間は最小現像時間の2倍で行っ
た。
【0066】(1)レジストライン解像性 ラミネート後15分経過した無電解銅めっき基板を、露
光の際の露光部と未露光部の幅が1:1の比率のライン
パターンであるガラスマスクを通して、露光した。最小
現像時間の2.0倍の現像時間で現像し、硬化レジスト
ラインが正常に形成されている最小マスク幅をレジスト
ライン解像性の値とした。この解像性により以下のよう
ににランク付けした。 ◎:15μm以下 ○:15μm以上20μ未満 ×:20μm以上
【0067】(2)細線密着性 独立したラインがあるパターンマスク(ガラスクロムマ
スク)を通して露光し、最小現像時間の2.0倍の現像
時間で現像した後、得られた画像の密着する最小線幅を
細線密着性とした。細線密着性は以下のようにランク付
けした。 ◎:15μm以下 ○:15μm以上20μ未満 ×:20μm以上
【0068】(3)パターン形状観察 ライン:スペースが20μm:20μmであるパターン
マスク(ガラスクロムマスク)を通して露光し、炭酸ソ
ーダで最小現像時間の2倍でスプレー現像した後、得ら
れた画像を走査型電子顕微鏡で観察し(長さ20mm、
ライン10本)、その形状を以下のようにランク付けし
た。 ◎:硬化画像10本の上部表面に凹凸はほとんど無く、
サイドウオールも凹凸や食われがほとんどなく良好であ
る。 ○:硬化画像1〜2本に上部表面に凹凸が多少有り、サ
イドウオールの凹凸や食われが多少観察されるが総じて
良好である。 ×:硬化画像10本すべてに上部表面に凹凸が多数有
り、サイドウオールの凹凸や食われが多数観察される。
【0069】(4)耐めっき性 ライン:スペースが20μm:20μmであるパターン
マスク(ガラスクロムマスク)を通して全面露光し、炭
酸ソーダで最小現像時間の2倍でスプレー現像した後、
硬化画像が得られた積層体に下記に示す条件により硫酸
銅めっきを行い、50℃、3%苛性ソーダ水溶液をスプ
レーすることににより硬化レジストを剥離した。レジス
ト剥離後の硫酸銅めっきラインを光学顕微鏡で観察し、
耐めっき性を以下のようにランク付けした。 (めっき条件) 前処理:酸性脱脂FRX(10%水溶液、アトテックジ
ャパン製)浴に40℃で4分浸せきする。水洗後10%
硫酸水溶液に室温で2分浸せきする。 硫酸銅めっき:下記のめっき浴組成で1.5A/dm2
の電流密度で室温で50分間めっきを行った。
【0070】 <硫酸銅めっき浴組成> 純水 :58.9% 硫酸銅コンク(メルテックス社製) :30% 濃硫酸 :10% 濃塩酸 :0.1% カッパークリーム125(メルテックス社製):1% (耐めっき性ランク) ○:硫酸銅めっきのもぐりがなく良好なめっきラインを
形成している。 △:硫酸銅めっきのもぐり幅がライン片側で5μm未満
である。 ×:硫酸銅めっきのもぐり幅がライン片側で5μm以上
ある。
【0071】(5)レジスト剥離性試験 300mm×500mmの無電解銅めっき基板に光重合
性樹脂層をラミネートし、ライン:スペースが20μ
m:20μmであるパターンマスク(ガラスクロムマス
ク)を通して全面露光し、炭酸ソーダで最小現像時間の
2倍でスプレー現像した後、硬化画像が得られた積層体
に前記に示す条件により硫酸銅めっきを行った。50
℃、3%苛性ソーダ水溶液をスプレーすることににより
硬化レジストを剥離した。この時、剥離される程度を光
学顕微鏡で観察し、以下のようにランク付けした。
【0072】(剥離性ランク) ○:硬化レジストがすべて完全に剥離される。 △:硬化レジストが硬化レジスト面積の80%以上剥離
される。 ×:硬化レジストが剥離される面積は硬化レジスト面積
の80%未満である。
【0073】(6)エアーボイド発生数 ラミネート後5分経過した無電解銅めっき基板を、マス
クフィルム無しで全面露光した。露光後のエアーボイド
の個数を100倍の光学顕微鏡を用いて測定し、無電解
銅めっき基板1m2当たりのエアーボイド発生数を算出
した。エアーボイド数により以下のようにランク付けし
た。 ◎:エアーボイドが50個/m2未満である。 ○:エアーボイドが50個/m2以上100個/m2以下
である。 ×:エアーボイドが101個/m2以上である。
【0074】(7)支持体層のヘ−ズの測定 支持体層のヘーズは日本電色工業社製のCOLOR MEA
SURING SYSTEM Σ80を用いて測定し
た。
【0075】(8)保護層の中心線平均粗さ(Ra)の
測定 原子間力顕微鏡EXPLORER SPM(Therm
o Microscopes社製)を使用し、Si34
製コンタクトAFM用プローブで測定モードをCont
act AFMに設定した。75μm×75μmの測定
エリアをプローブで300回往復させて中心線平均粗さ
(Ra)を測定した。実施例及び比較例の結果を表1−
表3に示す。
【0076】なお、表1−表3に示す組成及び支持体
層、保護層の略号は、以下に示すものである。 P−1:メタクリル酸メチル/メタクリル酸/アクリル
酸n−ブチル(重量比が65/25/10)の組成を有
し、重量平均分子量が12万である共重合体の30%メ
チルエチルケトン溶液 P−2:メタクリル酸メチル/メタクリル酸/スチレン
(重量比が50/25/25)の組成を有し、重量平均
分子量が5万である共重合体の35%メチルエチルケト
ン溶液 P−3:メタクリル酸メチル/メタクリル酸/アクリル
酸n−ブチル(重量比が65/25/10)の組成を有
し、重量平均分子量が7万である共重合体の35%メチ
ルエチルケトン溶液 P−4:2−ヒドロキシエチルメタクリート/メタクリ
ル酸/スチレン/メタクリロニトリル(重量比が10/
25/40/20)の組成を有し、重量平均分子量が8
万である共重合体の40%メチルエチルケトン溶液
【0077】M−1:平均8モルのプロピレンオキサイ
ドを付加したポリプロピレングリコ−ルにエチレンオキ
サイドをさらに両端にそれぞれ平均3モル付加したグリ
コ−ルのジメタクリレ−ト M−2:4−ノルマルノニルフェノキシペンタエチレン
グリコールトリプロピレングリコールアクリレート M−3:ヘキサメチレンジイソシアネートとオリゴプロ
ピレングリコールモノメタクリレートとのウレタン化物 M−4:ノナエチレングリコールジアクリレート M−5:ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均2モル
のプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリ
コールと平均6モルのエチレンオキサイドを付加したポ
リエチレングリコールのジメタクリレート M−6:ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均4モル
のプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリ
コールと平均4モルのエチレンオキサイドを付加したポ
リエチレングリコールのジメタクリレート M−7:ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均2モル
のエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコー
ルのジメタクリレート M−8:トリオキシエチルトリメチロールプロパントリ
アクリレート M−9:β−ヒドロキシプロピル−β’−(アクリロイ
ルキシ)プロピルフタレ−ト M−10:平均9モルのプロピレンオキサイドを付加し
たグリコールとメタクリル酸とのハーフエステル。
【0078】I−1:ベンゾフェノン I−2:4,4‘−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェ
ノン I−3:2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェ
ニルイミダゾリル二量体 D−1:ダイヤモンドグリーン D−2:ロイコクリスタルバイオレット D−3:トリブロモメチルフェニルスルホン X−1:チバガイギー社製IRGANOX245 X−2:チバガイギー社製IRGANOX259 X−3:チバガイギー社製IRGANOX1010 C−1:ポリエチレンテレフタレートフィルム AT3
01 16μm厚み(帝人デュポンフィルム社製) C−2:ポリエチレンテレフタレートフィルム 20μ
m厚み S−1:ポリエチレンフィルム T1−A742A 3
5μm厚み(タマポリ社製) S−2:ポリエチレンフィルム 25μm厚み
【0079】
【表1】
【0080】
【表2】
【0081】
【表3】
【0082】
【発明の効果】本発明の光重合性樹脂積層体は、解像
性、密着性、耐めっき性、レジスト剥離性が良好でパタ
ーン形成においても形状が良好であり、かつ基板のラミ
ネート時にエアーボイドの発生が少なく、露光、現像工
程におけるレジスト画像パターンの欠陥や、続くエッチ
ング工程またはめっき工程において形成される回路の欠
けや断線、ショートなどの欠陥の低減が可能で、特にセ
ミアディティブ法等のファインライン形成用DFRとし
て有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08F 2/50 C08F 2/50 291/00 291/00 G03F 7/027 502 G03F 7/027 502 7/031 7/031 7/033 7/033 7/09 501 7/09 501 7/11 501 7/11 501 H05K 3/00 H05K 3/00 F Fターム(参考) 2H025 AA00 AA02 AA14 AB11 AB15 AB16 AB17 AD01 BC14 BC42 CA01 CA28 CB55 CC01 DA01 DA02 DA19 DA20 FA03 FA17 4F100 AK01B AK04C AK25B AK42A AL05B AS00B AS00C AT00A BA03 BA07 BA10A BA10C EH46 EH462 EJ86 EJ862 GB43 JK14C JL11 JN01A YY00A 4J011 PA33 PA65 PA69 SA21 SA78 4J026 AA17 AA45 AA56 BA22 BA27 BA39

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 支持体層(A)、(a)カルボキシル基
    含有量が酸当量で100以上600以下であり、かつ、
    重量平均分子量が2万以上30万以下の線状重合体から
    なるバインダ−用樹脂、20重量%以上90重量%以
    下、(b)光重合可能な不飽和化合物、5重量%以上6
    0重量%以下、(c)光重合開始剤、0.01重量%以
    上30重量%以下を含有する光重合性樹脂層(B)、お
    よび保護層(C)からなる光重合性樹脂積層体におい
    て、前記支持体層(A)の膜厚が10μm以上30μm
    以下、ヘ−ズが0.01%以上1.5%以下であり、か
    つ前記光重合性樹脂層(B)のバインダ−用樹脂(a)
    中に、(i)非酸性であり、かつ分子中に重合性不飽和
    基及びフェニル基を有する化合物、(ii)分子中に重
    合性不飽和基を有するカルボン酸または酸無水物、及び
    (iii)炭素数1以上6以下のアルキル基を有するア
    ルキル(メタ)アクリレ−ト、炭素数2以上6以下のヒ
    ドロキシアルキル基を有するヒドロキシ(メタ)アクリ
    レ−ト及びシアノ基を有する(メタ)アクリレ−トから
    なる群から選ばれる1種以上の化合物、を共重合してな
    るバインダ−用樹脂Pが50重量%以上含有しており、
    さらに、光重合性樹脂層(B)の(c)光重合開始剤と
    して、2,4,5−トリアリ−ルイミダゾリル二量体を
    含むことを特徴とする光重合性樹脂積層体。
  2. 【請求項2】 支持体層(A)がポリエチレンテレフタ
    レートフィルムである請求項1記載の光重合性樹脂積層
    体。
  3. 【請求項3】 光重合性樹脂層(B)の光重合可能な不
    飽和化合物(b)として下記一般式(I)または(I
    I)で表される化合物のいずれか1種または双方が含有
    されていることを特徴とする請求項1または2記載の光
    重合性樹脂積層体。 【化1】 (式中、R1、R2はHまたはCH3でありこれらは同一
    であっても相違してもよい。n1、n2、n3は3以上2
    0以下の整数である。) 【化2】 (式中、R3、R4はHまたはCH3であり、これらは同
    一であっても相違してもよい。また、D、EはC24
    たはC36でありこれらは相異なる。n4+n5及びn6
    +n7は2以上30以下の整数でありn4、n5、n6、n
    7は正の整数である。)
  4. 【請求項4】 光重合性樹脂層(B)中に下記一般式
    (III)、(IX)及び(X)からなる群から選ばれ
    る1種以上の化合物を0.005重量%以上1重量%以
    下含有することを特徴とする請求項1、2または3記載
    の光重合性樹脂積層体。 【化3】 (式中、R5、R6はHまたは炭素数1以上4以下のアル
    キル基でありこれらは同一であっても相違してもよ
    い。) 【化4】 (式中、R7、R8はHまたは炭素数1以上4以下のアル
    キル基でありこれらは同一であっても相違してもよ
    い。) 【化5】 (式中、R9、R10はHまたは炭素数1以上4以下のア
    ルキル基でありこれらは同一であっても相違してもよ
    い。)
  5. 【請求項5】 保護層(C)において、膜厚が30μm
    以上50μm以下であり、かつ中心線平均粗さ(Ra)
    が0.1μm未満であることを特徴とする請求項1、
    2、3または4記載の光重合性樹脂積層体。
  6. 【請求項6】 保護層(C)がポリエチレンフィルムで
    ある請求項1、2、3、4または5記載の光重合性樹脂
    積層体。
  7. 【請求項7】 基板上に、請求項1、2、3、4、5ま
    たは6に記載の光重合性樹脂積層体を用いて光重合性樹
    脂層を形成し、露光工程、現像工程によりレジストパタ
    ーンを形成する方法。
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