JP4993458B2 - 感光性樹脂組成物及びその用途 - Google Patents
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Description
ここで用いられる感光性樹脂層としては、現在、現像液として弱アルカリ水溶液を用いるアルカリ現像型のものが一般的である。
DFRを用いてプリント配線板等を作成するには、まず保護層を剥離した後、銅張積層板やフレキシブル基板等の永久回路作成用基板上にラミネーター等を用いDFRを積層し、必要に応じて支持体を剥離し、配線パターンマスクフィルム等を通し露光を行う。次に支持体がある場合にはこれを剥離し、現像液により未露光部分の感光性樹脂層を溶解、もしくは分散除去し、基板上にレジストパターンを形成させる。
また、最近のプリント配線板においては、配線の更なる高集積化のため、ビルドアップ工法等によるプリント配線板の多層化が進んでいる。多層化が進むと、内層の配線やバイアホールの影響から基板上に凹凸が現れる。このような基板では、DFRをラミネートしたときに、感光性樹脂組成物層が基板上の凹凸を充分に埋めることができず、空隙を生じ
ることがある。エッチング時にはこの空隙にエッチング液が侵入し、断線、欠け等の不良が起きてしまう。この凹凸を埋める性能を追従性と呼ぶ。
従って、現像工程での現像液分散安定性に優れ凝集物を発生せず、良好なエッジフューズ性と追従性、テンティング性を有する感光性樹脂組成物が求められてきた。
現像凝集物を低減する目的で、特許文献1には光重合性不飽和化合物として、現像液分散性の良い、アルキルフェノール型単官能モノマーを用いる試み、特許文献2にはフェノキシ型単官能モノマーを用いる試みがあるが、いずれも満足するものではなかった。
特許文献5、特許文献6には、ベンジルメタクリレートと2−エチルヘキシルアクリレートを共重合体成分として含むバインダー用樹脂を用いた、テンティング性に優れた感光性樹脂組成物が開示されているが、光重合性不飽和化合物としてウレタン化合物を用い、かつ凝集性、追従性に優れたDFRについては開示がなかった。
また、特許文献7、特許文献8、特許文献9には、ベンジルメタクリレートと2−エチルヘキシルアクリレートを共重合体成分として含むバインダー用樹脂を用いた感光性樹脂組成物が開示されているが、凝集性、テンティング性、追従性にすぐれたDFRについては開示がなかった。
エッジフューズ性と追従性を有する感光性樹脂組成物、及び該組成物からなる感光性樹脂層を有する感光性樹脂積層体を提供すること、ならびに、該積層体を用いたレジストパターンの形成方法、及び導体パターンの製造方法を提供することを目的とする。
即ち、本発明は、以下の通りである。
1.感光性樹脂組成物の総和に対して、(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜550であり、ベンジル(メタ)アクリレートを共重合成分として20〜75質量%、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートを共重合成分として5〜55質量%含有し、かつ、重量平均分子量が5000〜500000であるバインダー用樹脂:20〜90質量%、(b−1)下記一般式(I)で表される光重合可能な不飽和化合物:3〜70質量%、(b−2)下記一般式(II)で表される光重合可能な不飽和化合物:3〜50質量%、ならびに(c)光重合開始剤:0.1〜20質量%、を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
(R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。A及びBは炭素数2〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なっている場合、−(A−O)−及び−(B−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m1、m2、m3及びm4は、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
(R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。D及びEは炭素数2
〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なっている場合、−(O−D)−及び−(O−E)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。n1、n2、n3及びn4 は、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。W は炭素数2 〜20 の炭化水素基を示す。)
(式中、X、Y、及びZはそれぞれ独立に水素、炭素数1から5のアルキル基及びアルコキシ基、並びにハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基を表し、p、q、及びrはそれぞれ独立に1〜5の整数である。)
4.上記3記載の感光性樹脂積層体を、基板に積層し、紫外線露光した後、現像により未露光部を除去することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
5.上記露光工程において、フォトマスクを介さずに露光する事を特徴とする上記4に記載のレジストパターン形成方法。
6.基板として金属板又は金属被膜絶縁板を用い、上記4又は5に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングまたはめっきすることを特徴とする導体パターンの製造方法。
8.基板として金属板を用い、上記4又は5に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングし、レジストパターンを剥離することを特徴とするリードフレームの製造方法。
9.基板としてLSIとしての回路形成が終了したウェハを用い、上記4又は5に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、めっきし、レジストパターンを剥離することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
10.基板としてガラス又はリブペーストを塗布したガラスを用い、上記4又は5に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、サンドブラスト工法によって加工し、レジストパターンを剥離することを特徴とする凹凸パターンを有する基材の製造方法。
本発明に用いられる(a)バインダー用樹脂とは、カルボキシル基含有量が酸当量で100〜550であり、ベンジル(メタ)アクリレートを共重合成分として5〜80質量%、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートを共重合成分として3〜60質量%含有し、かつ、重量平均分子量が5000〜500000であるバインダ−用樹脂である。
(a)バインダー用樹脂に含まれるカルボキシル基の含有量は、酸当量で100〜550が好ましく、より好ましくは300〜450である。酸当量とは、その中に1当量のカルボキシル基を有する線状重合体の質量を言う。バインダー用樹脂中のカルボキシル基は、感光性樹脂層にアルカリ水溶液に対する現像性や剥離性を与えるために必要である。酸当量は、現像耐性、解像性および密着性の観点から100以上が好ましく、現像性および剥離性の観点から550以下が好ましい。酸当量の測定は、平沼産業(株)製平沼自動滴定装置(COM−555)を使用し、0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いて電位差滴定法により行われる。
(分散度)=(重量平均分子量)/(数平均分子量)
本発明において、(メタ)アクリレートとは、アクリレート又はメタクリレートを示す。
バインダー樹脂中のベンジル(メタ)アクリレートの共重合体成分としての含有率は5〜80質量%が好ましい。現像性の観点から80質量%以下が好ましく、凝集性の観点から5質量%以上が好ましい。より好ましくは10〜75質量%であり、さらに好ましくは20〜75質量%である。
性の観点から3質量%以上が好ましい。より好ましくは5〜55質量%であり、さらに好ましくは5〜50質量%である。
本発明に用いられるバインダー樹脂においては、特に2−エチルヘキシルアクリレートの使用が好ましい。
第一の単量体は、分子中に重合性不飽和基を一個有するカルボン酸又は酸無水物である。例えば、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル等が挙げられる。
(R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。A及びBは炭素数2〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なっている場合、−(A−O)−及び−(B−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m1、m2、m3及びm4は、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。)
(R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。D及びEは炭素数2〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なっている場合、−(O−D)−及び−(O−E)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。n1、n2、n3及びn4 は、0又は正の整数であり、これらの合計は2〜40である。W は炭素数2 〜20 の炭化水素基を示す。)
(b−1)上記一般式(I)で表される化合物の具体例としては、ビスフェノ−ルAの両端にそれぞれ平均2モルずつのプロピレンオキサイドと平均6モルずつのエチレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコ−ルのジメタクリレ−トや、ビスフェノ−ルAの両端にそれぞれ平均5モルずつのエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコ−ルのジメタクリレ−ト(新中村化学工業(株)製NKエステルBPE−500)及びビスフェノ−ルAの両端にそれぞれ平均2モルのエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコ−ルのジメタクリレ−ト(新中村化学工業(株)製NKエステルBPE−200)、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均15モルのエチレンオキサイドと平均2モルのプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレートがある。
(b−2)上記一般式(II)で表されるウレタン化合物の具体例としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネ−ト、トリレンジイソシアネ−ト、又は2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネ−ト等のジイソシアネ−ト化合物と、一分子中にヒドロキシル基と(メタ)アクリル基を有する化合物(2−ヒドロキシプロピルアクリレート、オリゴプロピレングリコ−ルモノメタクリレ−ト等)との反応で得られるウレタン化合物等が挙げられる。具体的には、ヘキサメチレンジイソシアネ−トとオリゴプロピレングリコ−ルモノメタクリレート(日本油脂(株)製、ブレンマ−PP1000)との反応物、ヘキサメチレンジイソシアネ−トとオリゴエチレングリコ−ルモノメタクリレートの反応物(新中村化学工業(株)製商品名、UA−11)、ヘキサメチレンジイソシアネ−トとオリゴ(エチレングリコ−ル−プロピレングリコール)モノメタクリレートの反応物(新中村化学工業(株)製商品名、UA−13)とがある。
例えば、1,6−ヘキサンジオ−ルジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオ−ルジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコ−ルジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコ−ルジ(メタ)アクリレート、2−ジ(p−ヒドロキシフェニル)プロパンジ(メタ)アクリレート、グリセロ−ルトリ(メタ)アクリレート、トリメチロ−ルプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロ−ルプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチルトリメチロ−ルプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリト−ルペンタ(メタ)アクリレート、トリメチロ−ルプロパントリグリシジルエ−テルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノ−ルAジグリシジルエ−テルジ(メタ)アクリレート、β−ヒドロキシプロピル−β’−(アクリロイルキシ)プロピルフタレート、フェノキシポリエチレングリコ−ル(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、2,2−ビス{( 4−(メタ)アクリロキシポリエトキシ) シクロヘキシル}プロパンが挙げられる。またプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコールにエチレンオキサイドをさらに両端付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレート等が挙げられる。具体的には、平均12モルのプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコ−ルの両端にエチレンオキサイドをそれぞれ平均3モルずつ付加したグリコ−ルのジメタクリレ−トが好ましいものとして挙げられる。
本発明で用いられる(b−1)前記一般式(I)で表される光重合可能な不飽和化合物の、感光性樹脂組成物全体に対する割合は、3〜70質量%の範囲である。解像度の観点から3質量%以上であり、レジストパターンの可とう性の観点から70質量%以下である。より好ましくは5質量%以上、40質量%以下である。
本発明で用いられる(b−2)前記一般式(II)で表される光重合可能な不飽和化合
物の、感光性樹脂組成物全体に対する割合は、3〜50質量%の範囲である。テンティング性の観点から3質量%以上であり、感度の観点から50質量%以下である。より好ましくは5質量%以上、30質量%以下である。
(式中、X、Y、及びZはそれぞれ独立に水素、炭素数1から5のアルキル基及びアルコキシ基、並びにハロゲン基からなる群より選ばれる一種の基を表し、p、q、及びrはそれぞれ独立に1〜5の整数である。)
また、上記で示された化合物以外に、他の光重合開始剤との併用も可能である。ここでの光重合開始剤とは、各種の活性光線、例えば紫外線等により活性化され、重合を開始する化合物である。
他の光重合開始剤としては、例えば、2−エチルアントラキノン、2−tert−ブチ
ルアントラキノン等のキノン類、ベンゾフェノン等の芳香族ケトン類、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル等のベンゾインエーテル類、9−フェニルアクリジン等のアクリジン化合物、ベンジルジメチルケタ−ル、ベンジルジエチルケタ−ル等がある。
また、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−O−ベンゾイルオキシム、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム等のオキシムエステル類等がある。また、N−アリ−ル−α−アミノ酸化合物も用いることも可能であり、これらの中では、N−フェニルグリシンが特に好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物において、上記一般式(III)で表される2,4,5−トリアリ−ルイミダゾ−ル二量体を含有する場合の割合は、0.1〜20質量%が好ましい。感度の観点から、0.1質量%以上であり、解像性の観点から、20質量%である。
本発明における感光性樹脂組成物には、染料、顔料等の着色物質を含有させることもできる。用いられる着色物質としては、例えば、フクシン、フタロシアニングリ−ン、オ−ラミン塩基、カルコキシドグリ−ンS,パラマジエンタ、クリスタルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブル−2B、ビクトリアブル−、マラカイトグリ−ン(保土ヶ谷化学(株)製 アイゼン(登録商標) MALACHITE GREEN)、ベイシックブル−20、ダイアモンドグリ−ン(保土ヶ谷化学(株)製 アイゼン(登録商標) DIAMOND GREEN GH)等が挙げられる。
このような発色系染料の中でも、トリブロモメチルフェニルスルフォンとロイコ染料との組み合わせや、トリアジン化合物とロイコ染料との組み合わせが有用である。
着色物質及び発色剤の量は、これらを含有する場合には、感光性樹脂組成物中において、夫々0.01〜10質量%が好ましい。充分な着色性(発色性)が認識できる点から0.01質量%以上、露光部と未露光部のコントラストを有する点と、保存安定性維持の観点から10質量%以下が好ましい。
上記添加剤を含有する場合の合計添加量は、好ましくは0.01〜3質量%であり、より好ましくは0.05〜1質量%である。感光性樹脂組成物に保存安定性を付与するという観点から0.01質量%以上が好ましく、また、感度を維持するという観点から3質量%以下がより好ましい。
可塑剤等を含有する場合の含有量としては、感光性樹脂組成物中に、5〜50質量%含むことが好ましく、より好ましくは、5〜30質量%である。現像時間の遅延を抑えたり、硬化膜に柔軟性を付与するという観点から5質量%以上が好ましく、また、硬化不足やコールドフローを抑えるという観点から50質量%以下が好ましい。
本発明の感光性樹脂積層体は、感光性樹脂層とその層を支持する支持体からなるが、必要により、感光性樹脂層の支持体と反対側の表面に保護層を有していても良い。 ここで用いられる支持体としては、露光光源から放射される光を透過する透明なものが望ましい。このような支持体としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムは、必要に応じ延伸されたものも使用可能である。ヘーズは5以下のものが好ましい。フィルムの厚みは、薄い方が画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する必要等から、10〜30μmのものが好ましく用いられる。
保護層の膜厚は10〜100μmが好ましく、10〜50μmがより好ましい。
本発明の感光性樹脂積層体における感光性樹脂層の厚みは、用途において異なるが、好
ましくは、5〜100μm、より好ましくは、7〜60μmであり、薄いほど解像度は向上し、また、厚いほど膜強度が向上する。
上記溶剤としては、メチルエチルケトン(MEK)に代表されるケトン類、並びにメタノール、エタノール及びイソプロパノールに代表されるアルコール類が挙げられる。支持体上に塗布する感光性樹脂組成物の溶液の粘度が、25℃で500〜4000mPaとなるように感光性樹脂組成物に添加することが好ましい。
本発明の感光性樹脂積層体を用いたレジストパターンは、積層工程、露光工程、及び現像工程を含む工程によって形成することができる。具体的な方法の一例を示す。
まず、ラミネーターを用いて積層工程を行う。感光性樹脂積層体が保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターで感光性樹脂層を基板表面に加熱圧着し積層する。この場合、感光性樹脂層は基板表面の片面だけに積層しても良いし、両面に積層しても良い。この時の加熱温度は一般的に40〜160℃である。また、該加熱圧着は二回以上行うことにより密着性及び耐薬品性が向上する。この時、圧着は二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用しても良いし、何回か繰り返してロールに通し圧着しても良い。
露光工程において、マスクレス露光方法を用いてもよい。マスクレス露光はフォトマスクを使用せず基板上に直接描画して露光する。光源としては波長350〜410nmの半導体レーザーや超高圧水銀灯などが用いられる。描画パターンはコンピューターによって制御され、この場合の露光量は、光源照度および基板の移動速度によって決定される。
上述の工程によってレジストパターンが得られるが、場合によっては、さらに100〜300℃の加熱工程を行うこともできる。この加熱工程を実施することにより、更なる耐薬品性向上が可能となる。加熱には、熱風、赤外線、遠赤外線等の方式の加熱炉を用いる。
本発明のプリント配線板の製造方法は、基板として銅張り積層板やフレキシブル基板を用いた上述のレジストパターン形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。まず、現像により露出した基板の銅面をエッチング法、またはめっき法等の既知の方法をもちいて導体パターンを形成する。
その後、レジストパターンを、現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離して所望のプリント配線板を得る。剥離用のアルカリ水溶液(以下、「剥離液」ともいう。)についても特に制限はないが、2〜5質量%の濃度、40〜70℃のNaOH、KOHの水溶液が一般的に用いられる。剥離液にも、少量の水溶性溶媒を加える事は可能である。
本発明のリードフレームの製造方法は、基板として銅、銅合金、鉄系合金等の金属板を用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した基板をエッチングして導体パターンを形成する。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離して、所望のリードフレームを得る。
本発明の半導体パッケージを製造方法は、基板としてLSIとしての回路形成が終了したウェハを用いた上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで行われる。 現像により露出した開口部に銅、はんだ等の柱状のめっきを施して、導体パターンを形成する。 その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離し、更に、柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去することにより、所望の半導体パッケージを得る。
本発明の感光性樹脂積層体をドライフィルムレジストとして用いてサンドブラスト工法により基材に加工を施す場合には、基材としてガラス又はリブペーストを塗布したガラスを用い、基材上に前記した方法と同様な方法で、感光性樹脂積層体をラミネートし、露光、現像を施す。更に形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付け目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、基材上に残存した樹脂部分をアルカリ剥離液等で基材から除去する剥離工程を経て、基材上に微細なパターンを加工することができる。上前記サンドブラスト処理工程に用いるブラスト材は公知のものが用いられ、例えばSiC,SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO、ガラス、ステンレス等の2〜100μm程度の微粒子が用いられる。
以下、実施例により本発明の実施の形態の例をさらに詳しく説明する。
1.評価用サンプルの作製
実施例及び比較例における感光性樹脂積層体は次の様にして作製した。
<感光性樹脂積層体の作製>
表1に示す化合物を用意し、表2に示す組成割合の感光性樹脂組成物をよく攪拌、混合し、支持体として20μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの表面にバーコーターを用いて均一に塗布し、95℃の乾燥機中で4分間乾燥して感光性樹脂層を形成した。感光性樹脂層の厚みは40μmであった。
表1及び表2において、MEKとはメチルエチルケトンを示し、表2におけるP−1〜P−5の質量部は、MEKを含んだ値である。
次いで、感光性樹脂層のポリエチレンテレフタレートフィルムを積層していない表面上に、保護層として25μm厚のポリエチレンフィルムを張り合わせて感光性樹脂積層体を得た。
下記2.(2)、(4)評価用基板は、35μm圧延銅箔を積層した1.6mm厚の銅張積層板を用い、表面を湿式バフロール研磨(スリーエム(株)製、スコッチブライト(登録商標)HD#600、2回通し)した。
<ラミネート>
感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、整面して60℃に予熱した銅張積層板にホットロールラミネーター(旭化成(株)社製、AL−70)により、ロール温度105℃でラミネートした。エアー圧力は0.35MPaとし、ラミネート速度は1.5m/minとした。
感光性樹脂層に、評価に必要なマスクフィルムを支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルム上におき、超高圧水銀ランプ(オーク製作所製、HMW−201KB)により、ストーファー製21段ステップタブレットが7段となる露光量で露光した。
<現像>
ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、アルカリ現像機(フジ機工製、ドライフィルム用現像機)を用いて30℃の1質量%Na2CO3水溶液を所定時間スプレーし、感光性樹脂層の未露光部分を最小限像時間の2倍の時間で溶解除去した。この際、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間とした。
現像した基板を塩銅エッチング装置(東京化工機製)により塩酸3mol/l、塩化第二銅250g/l、50℃において最小エッチング時間の1.3倍の時間でエッチングした。この際、基板上の銅箔が完全に溶解除去されるときの時間を最小エッチング時間とした。
<レジスト剥離>
現像後の評価基板に、50℃に加温した3質量%の水酸化ナトリウム水溶液をスプレーして硬化したレジストを剥離した。
(1)凝集性評価
感光性樹脂積層体中の厚さ40μm、面積0.16m2の感光層(レジスト層)を、200mlの1質量%Na2CO3水溶液に溶解させ、循環式スプレー装置を用いてスプレー圧0.1MPa、3時間スプレーを行った。その後、現像液を1日放置し、凝集物の発生を観察した。凝集物が多量に発生するとスプレー装置の底部及び側面に粉状のもの又は油状のものが観察される。また、現像液に凝集物が浮遊することもある。現像液凝集性が良好な組成はこれら凝集物が全く発生しないか、もしくは発生しても極微量で水洗により簡単に洗い流すことが可能である。凝集物の発生状態については目視観察により以下のようにランク分けした。
◎:凝集物が全く発生しない
○:スプレー装置の底部もしくは側面には凝集物はないが現像液に目視で確認可能な極微量の凝集物の浮遊が観察されるが水洗すると簡単に洗い流される。
×:スプレー装置の底部もしくは側面の一部及び現像液に凝集物が浮遊している。
水洗してもすべてを洗い流すことはできない。
××:スプレー装置全体に凝集物が見られ且つ現像液に凝集物が浮遊している。
水洗でもすべてを洗い流すことは不可能でほとんどが残留する。
銅張積層板に、市販のDFRを使ってラミネート、露光、現像、エッチング、剥離を行ない、直径310μm、深さ約10μmの円形窪み(ピット)を作った。
このピット基板に光重合性樹脂層をラミネートし、光重合性樹脂層が追従しきれずにピット内部に残ったエアーの直径を測定し、以下の通りランク付けした。エアー径が小さいほど追従性に優れると判定される。
◎:エアー径120μm未満
○:エアー径120μm以上140μm未満
×:エアー径140μm以上160μm未満
××:エアー径160μm以上
感光性樹脂積層体を20℃、湿度50%でロール状で保管し、ロール端面からの感光性樹脂組成物の染み出しの有無により、以下のランク付けにより評価した。
◎:30日以上端面からの染み出しなしで保存可能
○:20日以上30日未満端面からの染み出しなしで保存可能
×:15日以上20日未満端面からの染み出しなしで保存可能
××:15日未満端面からの染み出しなしで保存可能
半径6mmのスルーホールが等間隔で存在する(1008穴)テンティング評価用基板に感光性樹脂をラミネートし、HMW−201KBによりストーファー製21段ステップタブレットが7段となる露光量で全面露光し、最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、さらに水洗槽において0.3MPaのスプレー圧で水洗した後の膜破れ率を測定した。
膜破れ率によって下記のようなランク付けを行った。
◎:膜破れ率が0.5%未満
○:膜破れ率が0.5〜1%未満
×:膜破れ率が1〜5%未満
××:膜破れ率が5%以上
Claims (10)
- 感光性樹脂組成物の総和に対して、(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜550であり、ベンジル(メタ)アクリレートを共重合成分として20〜75質量%、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートを共重合成分として5〜55質量%含有し、かつ、重量平均分子量が5000〜500000であるバインダー用樹脂:20〜90質量%、(b−1)下記一般式(I)で表される光重合可能な不飽和化合物:3〜70質量%、(b−2)下記一般式(II)で表される光重合可能な不飽和化合物:3〜50質量%、ならびに(c)光重合開始剤:0.1〜20質量%、を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
- 請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物を感光性樹脂組成層として、支持体上に積層して得られる感光性樹脂積層体。
- 請求項3記載の感光性樹脂積層体を、基板に積層し、紫外線露光した後、現像により未露光部を除去することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
- 上記露光工程において、フォトマスクを介さずに露光する事を特徴とする請求項4に記載のレジストパターン形成方法。
- 基板として金属板又は金属被膜絶縁板を用い、請求項4又は5に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングまたはめっきすることを特徴とする導体パターンの製造方法。
- 基板として金属被覆絶縁板を用い、請求項4又は5に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングまたはめっきし、レジストパターンを剥離することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
- 基板として金属板を用い、請求項4又は5に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、エッチングし、レジストパターンを剥離することを特徴とするリードフレームの製造方法。
- 基板としてLSIとしての回路形成が終了したウェハを用い、請求項4又は5に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、めっきし、レジストパターンを剥離することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
- 基板としてガラス又はリブペーストを塗布したガラスを用い、請求項4又は5に記載の方法によってレジストパターンを形成した基板を、サンドブラスト工法によって加工し、レジストパターンを剥離することを特徴とする凹凸パターンを有する基材の製造方法。
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