JP5437072B2 - 感光性樹脂組成物及びその積層体 - Google Patents
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Description
まず、ドライフィルムレジストがポリエチレンフィルム等の保護層を有する場合には、感光性樹脂層からこれを剥離する。次いで、ラミネーターを用いて銅張り積層板等の基板上に、該基板、感光性樹脂層、支持体の順序になるよう、感光性樹脂層及び支持体(通常、ポリエチレンテレフタレート等からなる。)を積層する。次いで、配線パターンを有するフォトマスクを介して、該感光性樹脂層を超高圧水銀灯が発するi線(365nm)を含む紫外線で露光することによって、露光部分を重合硬化させる。次いで支持体を剥離する。次いで、弱アルカリ性を有する水溶液等の現像液により感光性樹脂層の未露光部分を溶解又は分散除去して、基板上にレジストパターンを形成させる。
さらに、現像後において硬化レジストと基板との境界部分にスソ(硬化レジストフット部)(図1参照)と呼ばれる半硬化レジストが発生することがあり、このスソが大きくなると、レジストライン同士のスソが接し解像不足となり、エッチング工程後の導体パターンのガタツキを生じるという問題につながる。このため、現像後の硬化レジストのスソが極めて小さいドライフィルムレジストが求められている。
また、最近では、狭ピッチのパターンを歩留り良く製造する点からめっき法の重要性が増してきている。めっき法においては、レジストのめっき液耐性が重要であり、めっき液耐性が十分でないとめっきの前処理の際に処理液がレジストと基板の間に浸透し、硬化したレジストのアンダーカットが起こり、レジストが基板から浮き上がるような現象が発生しやすくなる。このような現象が起こるとめっきもぐり(めっきがレジストの下部にまで及ぶ現象)が生じることから、めっき液耐性に優れるフォトレジストが望まれている。
1.(a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600であり、共重合成分として下記一般式(I)及び(II)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の化合物単位を含有し、かつ、重量平均分子量が5,000〜500,000であるバインダー用樹脂 20〜90質量%、
(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー 5〜75質量%、及び
(c)光重合開始剤 0.01〜30質量%、
を含有する感光性樹脂組成物であって、該付加重合性モノマー(b)が下記一般式(III)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の付加重合性モノマーを含有する、上記感光性樹脂組成物:
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表し、R2は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、カルボキシル基、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる一種の基を表す。)
(式中、R3は、水素原子又はメチル基を表し、R4は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、カルボキシル基、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる一種の基を表す。)
(R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。A及びBは炭素数2〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なっている場合、−(A−O)−及び−(B−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m1、m2、m3及びm4は、0又は正の整数であり、これらの合計は0〜40である。R7は、ハロゲン原子又は炭素数1〜3のアルキル基であり、nは0〜14の整数である。)。
3.前記光重合開始剤(c)が、下記一般式(IV)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体を含有する前記1.又は2.に記載の感光性樹脂組成物:
(式中、X、Y及びZは、それぞれ独立に、水素、炭素数1から5のアルキル基及びアルコキシ基、並びにハロゲン基からなる群から選ばれる一種の基を表し、p、q及びrは、それぞれ独立に、1〜5の整数である。)。
6.支持体及びその上に積層された前記1.〜5.のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂積層体。
7.前記6.記載の感光性樹脂積層体を用いて基板上に感光性樹脂層を形成するラミネート工程、露光工程、及び現像工程を含む、レジストパターンの形成方法。
9.前記7.又は8.に記載の方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチングするか又はめっきする工程を含むプリント配線板の製造方法。
10.前記7.又は8.に記載の方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチングする工程を含むリードフレームの製造方法。
12.前記7.又は8.に記載の方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチングするか又はめっきする工程を含むバンプの製造方法。
13.前記7.又は8.に記載の方法によってレジストパターンが形成された基板を、サンドブラストによって加工する工程を含む凹凸パターンを有する基材の製造方法。
(a)バインダー用樹脂
本発明に用いられるバインダー用樹脂(a)は、カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600であり、共重合成分として下記一般式(I)及び(II)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有し、かつ、重量平均分子量が5,000〜500,000であるバインダー用樹脂である。
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表し、R2は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、カルボキシル基、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる一種の基を表す。)
(式中、R3は、水素原子又はメチル基を表し、R4は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、カルボキシル基、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる一種の基を表す。)
バインダー用樹脂中のカルボキシル基は、光重合性樹脂層にアルカリ水溶液に対する現像性や剥離性を与えるために必要である。該酸当量は、現像耐性が向上し、解像度及び密着性が向上する点から100以上であり、現像性及び剥離性が向上する点から600以下である。酸当量の測定は、平沼産業(株)製平沼自動滴定装置(COM−555)を使用し、0.1mol/Lの水酸化ナトリウムを用いて電位差滴定法により行われる。
第一の単量体は、分子中に重合性不飽和基を一個有するカルボン酸又は酸無水物である。例えば、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステルが挙げられる。
第二の単量体は、非酸性で、分子中に重合性不飽和基を一個有する化合物である。該化合物は、感光性樹脂層の現像性、エッチング及びめっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれ、上記一般式(I)及び(II)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の化合物を必須成分として含む。
上記一般式(II)で示される化合物としては、例えばベンジル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、4−メトキシベンジル(メタ)アクリレート、4−メチルベンジル(メタ)アクリレート、4−クロロベンジル(メタ)アクリレートが挙げられる。
バインダー用樹脂(a)1分子中に共重合させる、上記一般式(I)及び(II)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の化合物の量は、バインダー用樹脂(a)に対して、10質量%以上95質量%以下が好ましい。該量は、解像性及び密着性、めっき液耐性、スソ発生性の観点から10質量%以上が好ましく、現像性の観点から95質量%以下が好ましい。より好ましくは20質量%以上90質量%以下であり、さらに好ましくは25質量%以上80質量%以下である。
本発明に用いられるバインダー用樹脂(a)の、感光性樹脂組成物(固形分、以下同じ)の総和に対する割合は、20〜90質量%の範囲であり、好ましくは30〜70質量%である。露光、現像によって形成されるレジストパターンが、レジストとしての特性、例えば、テンティング、エッチング及び各種めっき工程において十分な耐性等を有するという観点から、該割合は20質量%以上90質量%以下が好ましい。
本発明に用いられる付加重合性モノマー(b)は、少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマーである。付加重合性モノマー(b)は、下記一般式(III)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の付加重合性モノマーを必須成分として含む。
(R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。A及びBは炭素数2〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なっている場合、−(A−O)−及び−(B−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m1、m2、m3及びm4は、0又は正の整数であり、これらの合計は0〜40である。R7は、ハロゲン原子又は炭素数1〜3のアルキル基であり、nは0〜14の整数である。)
上記一般式(III)で表される少なくとも一種の付加重合性モノマーの具体例としては、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学工業(株)製NKエステルA−DCP)及びトリシクロデカンジメタノールジメタクリレート(新中村化学工業(株)製NKエステルDCP)がある。
例えば、4−ノニルフェニルヘプタエチレングリコールジプロピレングリコールアクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコールアクリレート、無水フタル酸と2−ヒドロキシプロピルアクリレートとの半エステル化合物とプロピレンオキシドとの反応物(日本触媒化学製、商品名OE−A 200)、4−ノルマルオクチルフェノキシペンタプロピレングリコールアクリレート、2,2−ビス[{4−(メタ)アクリロキシポリエトキシ}フェニル]プロパン、2,2−ビス{(4−アクリロキシポリエトキシ)シクロヘキシル}プロパン、2,2−ビス{(4−メタクリロキシポリエトキシ)シクロヘキシル}プロパン、1,6−ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ(メタ)アクリレート、2−ジ(p−ヒドロキシフェニル)プロパンジ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、ウレタン基を含有する多官能基(メタ)アクリレート(例えば、ヘキサメチレンジイソシアネートとペンタプロピレングリコールモノメタクリレートとのウレタン化合物)、及びイソシアヌル酸エステル化合物の多官能(メタ)アクリレートが挙げられる。これらは、単独で使用しても、2種類以上併用しても構わない。
中でも、付加重合性モノマー(b)が、下記一般式(V)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の付加重合性モノマーを含有することは、現像性の観点から、本発明の好ましい実施形態である。
本発明の感光性樹脂組成物中に含有される付加重合性モノマー(b)の量は、感光性樹脂組成物全体に対して5〜75質量%の範囲であり、より好ましい範囲は15〜70質量%である。この量は、硬化不良、及び現像時間の遅延を抑えるという観点から5質量%以上であり、また、コールドフロー、及び硬化レジストの剥離遅延を抑えるという観点から75質量%以下である。
ここで、末端エチレン性不飽和基とは、付加重合性モノマーの構造中で光重合性開始剤によって光重合を起こす活性基であり、アクリル基及びメタクリル基を示す。
この値は、露光後の架橋密度を高く保ち、現像時の膨潤を抑え、解像性や密着性を保ち、エッチング時にエッチング液がレジストライン底面から染込んで銅ラインのガタツキ等の問題を発生しないように0.10以上であり、架橋密度を適度な高さに保ち、硬化膜の柔軟性が低下しないように0.40以下であることが好ましい。上記値のより好ましい範囲は0.12〜0.35であり、さらに好ましい範囲は0.15〜0.30である。
本発明に用いられる光重合開始剤(c)としては、下記一般式(IV)で表される少なくとも一種の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体を含むことは高解像度の観点から好ましい実施態様である。
本発明の感光性樹脂組成物において、上記一般式(IV)で表される少なくとも一種の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体を含有する場合の割合は、0.1〜20質量%が好ましい。解像性及び密着性の観点から、0.1質量%以上であり、現像凝集性の観点から、20質量%以下である。より好ましい範囲は0.5〜15質量%であり、さらに好ましい範囲は1〜10質量%である。
また、ピラゾリン化合物、例えば、1−フェニル−3−(4−tert−ブチル−スチリル)−5−(4−tert−ブチル−フェニル)−ピラゾリンとの併用も好ましい実施形態である。
他の光重合開始剤としては、キノン類、例えば、2−エチルアントラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、芳香族ケトン類、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、アクリジン化合物、例えば、9−フェニルアクリジン、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタールがある。
また、オキシムエステル類、例えば、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−O−ベンゾイルオキシム、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシムがある。また、N−アリール−α−アミノ酸化合物も用いることも可能であり、これらの中では、N−フェニルグリシンが特に好ましい。
本発明における光重合開始剤(c)の割合は、0.01〜30質量%である。この割合が0.01質量%未満であると十分な感度が得られない。また、この割合が30質量%を超えると、露光時にフォトマスクを通した光の回折によるかぶりが発生しやすくなり、その結果として解像性が悪化する。含有量は、0.1〜15質量%がより好ましく、0.1〜10質量%はさらに好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物中には、露光後のコントラスト(露光部と未露光部の識別)を発現させる目的で、ロイコ染料を含有させることができる。ロイコ染料を含有させる場合の含有量は、0.1〜10質量%が好ましい。このようなロイコ染料としては、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン(別名:ロイコクリスタルバイオレット)、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)メタン(別名:ロイコマラカイトグリーン)、フルオラン染料が挙げられる。中でも、ロイコクリスタルバイオレットを用いた場合、コントラストが良好であり好ましい。
ハロゲン化合物としては、例えば、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンザル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルホン、四臭化炭素、トリス(2,3−ジブロモプロピル)ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、1,1,1−トリクロロ−2,2−ビス(p−クロロフェニル)エタン、ヘキサクロロエタン、ハロゲン化トリアジン化合物が挙げられる。該ハロゲン化トリアジン化合物としては、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジンが挙げられる。
ハロゲン化合物を含有する場合、感光性樹脂組成物中のハロゲン化合物の含有量は、0.01〜10質量%が好ましい。
上記着色物質を含有する場合の添加量は、感光性樹脂組成物中に0.001〜1質量%が好ましい。0.001質量%以上の含量では、取扱い性向上という効果があり、1質量%以下の含量では、保存安定性を維持するという効果がある。
中でも、トリブロモメチルフェニルスルホンとロイコ染料との組み合わせや、トリアジン化合物とロイコ染料との組み合わせが有用である。
このようなラジカル重合禁止剤としては、例えば、p−メトキシフェノール、ヒドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、tert−ブチルカテコール、塩化第一銅、2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−tert−ブチルフェノール)、ニトロソフェニルヒドロキシアミンアルミニウム塩、及びジフェニルニトロソアミンが挙げられる。
また、カルボキシベンゾトリアゾール類としては、例えば、4−カルボキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール、5−カルボキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール、N−(N,N−ジ−2−エチルヘキシル)アミノメチレンカルボキシベンゾトリアゾール、N−(N,N−ジ−2−ヒドロキシエチル)アミノメチレンカルボキシベンゾトリアゾール、及びN−(N,N−ジ−2−エチルヘキシル)アミノエチレンカルボキシベンゾトリアゾールが挙げられる。
ラジカル重合禁止剤、ベンゾトリアゾール類、及びカルボキシベンゾトリアゾール類の合計添加量は、好ましくは0.01〜3質量%であり、より好ましくは0.05〜1質量%である。この量は、感光性樹脂組成物に保存安定性を付与するという観点から0.01質量%以上が好ましく、また、感度を維持するという観点から3質量%以下がより好ましい。
可塑剤を含有する場合の量としては、感光性樹脂組成物中、5〜50質量%が好ましく、より好ましくは、5〜30質量%である。現像時間の遅延を抑えたり、硬化膜に柔軟性を付与するという観点から5質量%以上が好ましく、また、硬化不足やコールドフローを抑えるという観点から50質量%以下が好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、溶媒を添加した感光性樹脂組成物調合液としてもよい。好適な溶媒としては、メチルエチルケトン(MEK)に代表されるケトン類、メタノール、エタノール、及びイソプロピルアルコールなどのアルコール類が挙げられる。感光性樹脂組成物調合液の粘度が25℃で500〜4000mPa・secとなるように、溶媒を感光性樹脂組成物に添加することが好ましい。
本発明の感光性樹脂積層体は、感光性樹脂層とその層を支持する支持体からなるが、必要により、感光性樹脂層の支持体と反対側の表面に保護層を有していてもよい。
ここで用いられる支持体としては、露光光源から放射される光を透過する透明なものが望ましい。このような支持体としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、及びセルロース誘導体フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムは、必要に応じ延伸されたものも使用可能である。ヘーズは5以下のものが好ましい。フィルムの厚みは、薄い方が画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する必要等から、10〜30μmが好ましい。
支持体、感光性樹脂層、及び必要により、保護層を順次積層して、本発明の感光性樹脂積層体を作成する方法は、従来知られている方法を採用することができる。例えば、感光性樹脂層に用いる感光性樹脂組成物を、前述の感光性樹脂組成物調合液にしておき、まず支持体上にバーコーターやロールコーターを用いて塗布して乾燥させ、支持体上に該感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する。次いで、必要により、該感光性樹脂層上に保護層を積層することにより感光性樹脂積層体を作成することができる。
本発明の感光性樹脂積層体を用いたレジストパターンは、ラミネート工程、露光工程、及び現像工程を含む工程によって形成することができる。具体的な方法の一例を示す。
まず、ラミネーターを用いてラミネート工程を行う。感光性樹脂積層体が保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターで感光性樹脂層を基板表面に加熱圧着しラミネートする。この場合、感光性樹脂層は基板表面の片面だけにラミネートしてもよいし、必要に応じて両面にラミネートしてもよい。この時の加熱温度は一般的に40〜160℃である。また、該加熱圧着を二回以上行うことにより、得られるレジストパターンの基板に対する密着性が向上する。この時、圧着は二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用してもよいし、何回か繰り返してロールに通し圧着してもよい。
露光工程においては、マスクレス露光方法を用いてもよい。マスクレス露光はフォトマスクを使用せず基板上に直接描画装置によって露光を行う。光源としては波長350〜410nmの半導体レーザーや超高圧水銀灯などが用いられる。描画パターンはコンピューターによって制御され、この場合の露光量は、露光光源の照度及び基板の移動速度によって決定される。
上述の工程によってレジストパターンが得られるが、場合によっては、さらに100〜300℃の加熱工程を行うこともできる。この加熱工程を実施することにより、更なる耐薬品性向上が可能となる。加熱には、熱風、赤外線、又は遠赤外線等の方式の加熱炉を用いることができる。
本発明のプリント配線板の製造方法は、基板として銅張り積層板又はフレキシブル基板に上述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることで行われる。
まず、現像により露出した基板の銅面にエッチング法、又はめっき法等の既知の方法を用いて導体パターンを形成する工程を行う。
その後、レジストパターンを、現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離する剥離工程を行って、所望のプリント配線板を得る。剥離用のアルカリ水溶液(以下、「剥離液」ともいう。)についても特に制限はないが、2〜5質量%の濃度のNaOH、又はKOHの水溶液が一般的に用いられる。剥離液にも、少量の水溶性溶媒を加えることは可能である。なお、剥離工程における該剥離液の温度は、40〜70℃の範囲であることが好ましい。
本発明のリードフレームの製造方法は、基板として銅、銅合金、又は鉄系合金等の金属板に前述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることにより行われる。
まず、現像により露出した基板をエッチングして導体パターンを形成する工程を行う。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離する剥離工程を行って、所望のリードフレームを得る。
本発明の半導体パッケージは、LSIとしての回路形成が終了したチップを以下の工程により実装することにより製造する。
まず、現像により得られるレジストパターン付着基材における基材の金属が露出した部分に硫酸銅めっきを施して、導体パターンを形成する。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法により剥離する剥離工程を行って、更に、柱状めっき以外の部分については薄い金属層を除去するためにエッチングを行い、上記チップを実装し、所望の半導体パッケージを得る。
本発明のバンプは、LSIとしての回路形成が終了したチップを実装するために用いられ、下記工程により製造する。
まず、現像により得られるレジストパターン付着基材における基材の金属が露出した部分に硫酸銅めっきを施して、導体パターンを形成する。その後、レジストパターンを上述のプリント配線板の製造方法と同様の方法により剥離する剥離工程を行って、更に、柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去する工程を行うことにより、所望のバンプを得る。
前述のレジストパターン形成方法によって形成されたレジストパターンを、サンドブラスト工法により基板に加工を施す時の保護マスク部材として使用することができる。
基板としては、ガラス、シリコンウエハー、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、セラミック、サファイア、金属材料などが挙げられる。これらガラス等の基板上に、前述のレジストパターン形成方法と同様の方法によって、レジストパターンを形成する。その後、形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付け目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、基板上に残存したレジストパターン部分をアルカリ剥離液等で基板から除去する剥離工程を経て、基板上に微細な凹凸パターンを有する基材とすることができる。上記サンドブラスト処理工程に用いるブラスト材は公知のものが用いられ、例えばSiC、SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO、ガラス、ステンレス等の粒径2〜100μm程度の微粒子が用いられる。
上述のサンドブラスト工法による凹凸パターンを有する基材の製造方法は、フラットパネルディスプレイの隔壁の製造、有機ELのガラスキャップ加工、シリコンウエハーの穴開け加工、及びセラミックのピン立て加工等に使用することができる。また、強誘電体膜、並びに貴金属、貴金属合金、高融点金属、及び高融点金属化合物からなる群から選ばれる金属材料層の電極の製造に利用することができる。
(実施例1〜8、比較例1〜3)
最初に実施例及び比較例の評価用サンプルの作製方法を説明し、次いで、得られたサンプルについての評価方法及びその評価結果を示す。
1.評価用サンプルの作製
実施例及び比較例における評価用サンプルは次のようにして作製した。
下記表1に示す組成(但し、各成分の数字は固形分としての配合量(質量部)を示す。)の感光性樹脂組成物及び溶媒をよく攪拌、混合して感光性樹脂組成物調合液とし、支持体として16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの表面にバーコーターを用いて均一に塗布し、95℃の乾燥機中で2.5分間乾燥して感光性樹脂層を形成した。感光性樹脂層の厚みは25μmであった。
次いで、感光性樹脂層のポリエチレンテレフタレートフィルムを積層していない表面上に、保護層として21μm厚のポリエチレンフィルムを張り合わせて感光性樹脂積層体を得た。
表1における略号で表わした感光性樹脂組成物調合液中の材料成分B−1〜D−2の名称を下記表2に示す。
解像度、密着性、スソ発生性及びめっき液耐性評価用基板として、35μm圧延銅箔を積層した0.4mm厚の銅張積層板表面をスプレー圧0.20MPaでジェットスクラブ研磨(日本カーリット(株)製、サクランダムR(登録商標)#220)したものを用意した。
<ラミネート>
感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、整面して60℃に予熱した銅張積層板にホットロールラミネーター(旭化成エレクトロニクス(株)製、AL−70)により、ロール温度105℃で、感光性樹脂積層体をラミネートした。エアー圧力は0.35MPaとし、ラミネート速度は1.5m/minとした。
クロムガラスフォトマスクを用いて、超高圧水銀ランプ(ウシオ電機株式会社製、プロジェクション露光装置 UX2003SM−MS04)により120mJ/cm2の露光量でi線単色露光を行った。
<現像>
ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、30℃の1質量%Na2CO3水溶液を所定時間スプレーし、感光性樹脂層の未露光部分を溶解除去した。この際、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間とした。
<めっき前処理>
現像後の耐めっき性評価基板を、酸性脱脂FRX(10%水溶液、アトテックジャパン(株)製)浴に、40℃で4分浸せきした。水洗した後10%硫酸水溶液に室温下2分浸せきした。
硫酸銅コンク(メルテックス(株)製)を19wt%硫酸で3.6倍に希釈し、濃塩酸を200ppm添加した。次いで光沢剤としてカパラシッドHLとカパラシッドGSをそれぞれ0.4ml/l、20ml/l添加した。めっき前処理後の耐めっき性評価基板(6cm×12.5cm)を、作成された硫酸銅めっき液を用いてハーリングセル均一めっき装置(株式会社 山本鍍金試験器社製)により、引加電流0.4Aで65分間めっきした。このときの銅めっき被膜の厚みは21μm厚であった。
<剥離>
めっき処理を施した評価基板を、50℃、3wt%の苛性ソーダ水溶液にてスプレーして、レジスト膜を剥離除去した。
各評価手法は、以下の通りである。
(1)解像度
ラミネート後15分経過した解像度評価用基板を、露光部と未露光部の幅が1:1の比率のラインパターンマスク(クロムガラスフォトマスク)を通して露光した。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、硬化レジストラインが正常に形成されている最小マスクライン幅を解像度の値として以下のようにランク分けした。
◎(優):解像度の値が7.5μm以下。
○(良):解像度の値が7.5μmを超え、8.5μm以下。
×(不可):解像度の値が8.5μmを超える。
ラミネート後15分経過した密着性評価用基板を、露光部と未露光部の幅が1:100の比率のラインパターンマスク(クロムガラスフォトマスク)を通して露光した。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、硬化レジストラインが正常に形成されている最小マスクライン幅を密着性の値として以下のようにランク分けした。
◎(優):密着性の値が13μm以下。
○(良):密着性の値が13μmを超え、14μm以下。
×(不可):密着性の値が14μmを超える。
ラミネート後15分経過したスソ発生性評価用基板を、露光部と未露光部の幅が1:100の比率のラインパターンマスク(クロムガラスフォトマスク)を通して露光し、最小現像時間の2倍の現像時間で現像した。得られた15μmレジストラインのフット部に発生したスソを観察し、スソ発生性を以下のようにランク分けした。
◎(優):スソが全く発生していない。
○(良):スソの幅がライン片側で1μm未満発生している。
×(不可):スソの幅がライン片側で1μm以上発生している。
ラミネート後15分経過した耐めっき性評価用基板を、露光部と未露光部の幅が1:100の比率のラインパターンマスク(クロムガラスフォトマスク)を通して露光した。最小現像時間の2倍の現像時間で現像した後、硫酸銅めっきを行い、さらに硬化レジストを剥離した。レジスト剥離後15μm部分の硫酸銅めっきラインを観察し、めっき液耐性を以下のようにランク分けした。
○(良):硫酸銅めっきのもぐりが全くない。
△(可):硫酸銅めっきのもぐり幅がライン片側で1μm未満である。
×(不可):硫酸銅めっきのもぐり幅がライン片側で1μm以上である。
3.評価結果
実施例1〜8及び比較例1〜3の評価結果は表1に示す。
比較例1は、バインダー用樹脂が、共重合成分として上記一般式(I)及び(II)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有しておらず、比較例2及び3は、付加重合性モノマー(b)として上記一般式(III)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の付加重合性モノマーを含有していない。このため、解像度、密着性、スソ発生性、及びめっき液耐性が共にバランスして優れていないことがわかる。
Claims (12)
- (a)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600であり、共重合成分として下記一般式(I)及び(II)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の化合物単位を含有し、かつ、重量平均分子量が5,000〜500,000であるバインダー用樹脂 30〜90質量%、
(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー 5〜75質量%、及び
(c)光重合開始剤 0.01〜30質量%、
を含有する感光性樹脂組成物であって、該付加重合性モノマー(b)が下記一般式(III)で表される化合物群から選ばれる少なくとも一種の付加重合性モノマーを含有する、上記感光性樹脂組成物で形成される膜厚5μm以上の感光性樹脂層を支持体上に積層した感光性樹脂積層体:
(式中、R1は、水素原子又はメチル基を表し、R2は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、カルボキシル基、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる一種の基を表す。)
(式中、R3は、水素原子又はメチル基を表し、R4は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、カルボキシル基、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる一種の基を表す。)
(R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。A及びBは炭素数2〜6のアルキレン基を示し、これらは同一であっても相違していてもよく、異なっている場合、−(A−O)−及び−(B−O)−の繰り返し単位は、ブロック構造でもランダム構造でもよい。m1、m2、m3及びm4は、0又は正の整数であり、これらの合計は0〜40である。R7は、ハロゲン原子又は炭素数1〜3のアルキル基であり、nは0〜14の整数である。)。 - 前記一般式(III)で表される少なくとも一種の付加重合性モノマーの含有率が、感光性樹脂組成物全体に対して5〜35質量%である請求項1記載の感光性樹脂積層体。
- 前記付加重合性モノマー(b)の末端エチレン性不飽和基が、感光性樹脂組成物100gあたり0.10〜0.40モルである請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂積層体。
- 請求項1〜5のいずれか一項記載の感光性樹脂積層体を用いて基板上に感光性樹脂層を形成するラミネート工程、露光工程、及び現像工程を含む、レジストパターンの形成方法。
- 前記露光工程において、直接描画が行われる請求項6に記載のレジストパターン形成方法。
- 請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチングするか又はめっきする工程を含むプリント配線板の製造方法。
- 請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチングする工程を含むリードフレームの製造方法。
- 請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチングするか又はめっきする工程を含む半導体パッケージの製造方法。
- 請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンが形成された基板を、エッチングするか又はめっきする工程を含むバンプの製造方法。
- 請求項6又は7に記載の方法によってレジストパターンが形成された基板を、サンドブラストによって加工する工程を含む凹凸パターンを有する基材の製造方法。
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WO2010116868A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
WO2010134549A1 (ja) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
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KR101860155B1 (ko) * | 2010-06-08 | 2018-05-21 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 감광성 수지 조성물 |
WO2012131912A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
KR102394595B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2022-05-04 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 투영 노광용 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법, 프린트 배선판의 제조 방법 및 리드 프레임의 제조 방법 |
WO2022181485A1 (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 | 富士フイルム株式会社 | 積層体の製造方法、回路配線の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02105155A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-17 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 感光性樹脂組成物 |
JPH10282656A (ja) * | 1997-02-06 | 1998-10-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光重合性組成物 |
JP2001125264A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Toagosei Co Ltd | 硬化型組成物 |
JP2004085781A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Toagosei Co Ltd | 架橋硬化型樹脂組成物 |
JP2004219660A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびその用途 |
JP2004302389A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Jsr Corp | 感光性樹脂膜およびこれからなる硬化膜 |
JP2005274920A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
JP2006234995A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 光重合性樹脂組成物 |
JP2006259716A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Toray Ind Inc | 感光性着色組成物およびカラーフィルター |
Family Cites Families (3)
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JP3196269B2 (ja) * | 1991-12-16 | 2001-08-06 | ジェイエスアール株式会社 | 液状硬化性樹脂組成物 |
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JPH10282656A (ja) * | 1997-02-06 | 1998-10-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光重合性組成物 |
JP2001125264A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Toagosei Co Ltd | 硬化型組成物 |
JP2004085781A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Toagosei Co Ltd | 架橋硬化型樹脂組成物 |
JP2004219660A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびその用途 |
JP2004302389A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Jsr Corp | 感光性樹脂膜およびこれからなる硬化膜 |
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