TW202223165A - 鍍覆裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種鍍覆裝置。本發明提供一種能夠抑制氣泡滯留在電場遮蔽板的下表面的技術。鍍覆裝置（1000）具備：鍍覆槽（10）；基板保持件（30）；以及電場遮蔽板（60），配置於鍍覆槽的內部的陽極（50）與基板（Wf）之間的部分，遮蔽在陽極與基板之間形成的電場的一部分，在俯視觀察電場遮蔽板時，在鍍覆槽的內部設置有未被電場遮蔽板遮蔽的非遮蔽區域（70），在電場遮蔽板的下表面（61a）設置有傾斜面，該傾斜面相對於水平方向傾斜，並且構成為將存在於該下表面的氣泡釋放到非遮蔽區域。

Description

鍍覆裝置

本發明涉及鍍覆裝置。本申請主張基於在2020年10月1日申請的日本專利申請編號第2020-166879號、以及2021年6月29日申請的日本專利申請編號第2021-107551號的優先權。日本專利申請編號第2020-166879號以及日本專利申請編號第2021-107551號的包括說明書、發明申請範圍、附圖以及摘要的全部的公開內容通過參照而整體被本申請引用。

以往，作為對基板實施鍍覆處理的鍍覆裝置，公知有所謂的杯式的鍍覆裝置（例如，參照專利文獻1）。這樣的鍍覆裝置具備：鍍覆槽，配置有陽極；和基板保持件，配置於比陽極靠上方的位置，將作為陰極的基板保持為基板的被鍍覆面與陽極對置。

另外，以往，公知有如下技術：為了抑制由於端子效應而鍍膜的外周部的膜厚變厚，將遮蔽在陽極與基板之間形成的電場的一部分的電場遮蔽板（在專利文獻2中，稱為調節板）配置在陽極與基板之間（例如，參照專利文獻2）。

[專利文獻1]：日本特開2008-19496號公報 [專利文獻2]：日本特開2019-218618號公報

考慮在專利文獻1所例示的現有的杯式的鍍覆裝置中，應用專利文獻2所例示的技術，將電場遮蔽板配置在鍍覆槽的內部的陽極與基板之間的部分。然而，在這樣的鍍覆裝置的情況下，存在鍍覆液中的氣泡滯留在電場遮蔽板的下表面的擔憂。這樣，在氣泡滯留在電場遮蔽板的下表面的情況下，存在由於該氣泡而導致電場遮蔽板的功能受到阻礙，基板的鍍覆品質變差的擔憂。

本發明是鑑於上述狀況而完成的，其目的之一在於提供一種能夠抑制氣泡滯留在電場遮蔽板的下表面的技術。

（方式1） 為了實現上述目的，本發明的一個方式所涉及的鍍覆裝置具備：鍍覆槽，存積有鍍覆液，並且配置有陽極；基板保持件，配置於比上述陽極靠上方的位置，將作為陰極的基板保持為上述基板的被鍍覆面與上述陽極對置；以及電場遮蔽板，配置於上述鍍覆槽的內部的上述陽極與上述基板之間的部分，遮蔽在上述陽極與上述基板之間形成的電場的一部分，在從比上述電場遮蔽板靠上方側觀察上述鍍覆槽的內部的俯視觀察時，在上述鍍覆槽的內部設置有未被上述電場遮蔽板遮蔽的非遮蔽區域，在上述電場遮蔽板的下表面設置有傾斜面，該傾斜面相對於水平方向傾斜，並且構成為將存在於上述電場遮蔽板的下表面的氣泡釋放到上述非遮蔽區域。

根據該方式，能夠通過傾斜面將存在於電場遮蔽板的下表面的氣泡有效地釋放到非遮蔽區域。由此，能夠抑制氣泡滯留在電場遮蔽板的下表面。其結果，能夠抑制由於滯留在電場遮蔽板的下表面的氣泡而導致電場遮蔽板的功能受到阻礙，由此能夠抑制基板的鍍覆品質變差。

（方式2） 在上述方式1中，上述電場遮蔽板可以從上述鍍覆槽的外周部朝向上述鍍覆槽的中心側延伸。

（方式3） 在上述方式2中，上述傾斜面可以以隨著趨向上述鍍覆槽的中心側，距上述鍍覆槽的底部的距離變大的方式傾斜。

（方式4） 在上述方式2或3中，上述傾斜面可以以隨著趨向上述鍍覆槽的周向上的一方側，距上述鍍覆槽的底部的距離變大的方式傾斜。

（方式5） 在上述方式4中，上述傾斜面可以以隨著趨向上述鍍覆槽的周向上的另一方側，距上述鍍覆槽的底部的距離變大的方式傾斜。

（方式6） 在上述方式2或3中，上述電場遮蔽板可以與上述鍍覆槽的外周部的周向的整體連接，並且在上述俯視觀察時具有環形形狀。

（方式7） 在上述方式2~5中的任一方式中，上述電場遮蔽板可以與上述鍍覆槽的外周部的周向的一部分連接，並且在上述俯視觀察時具有非環形形狀。

（方式8） 在上述方式2~5中的任一方式中，上述電場遮蔽板可以具有：環形形狀部，與上述鍍覆槽的外周部的周向的整體連接，並且在上述俯視觀察時具有環形形狀；和非環形形狀部，與上述環形形狀部的周向的一部分連接，在上述俯視觀察時具有非環形形狀。

（方式9） 上述方式1~8中的任一方式可以進一步具備多孔質電阻體，該多孔質電阻體配置在上述鍍覆槽的內部中上述陽極與上述基板之間，上述電場遮蔽板配置於比上述電阻體靠下方側，或者比上述電阻體靠上方側的位置。

（方式10） 上述方式1~5中的任一方式可以進一步具備多孔質電阻體，該多孔質電阻體配置在上述鍍覆槽的內部中上述陽極與上述基板之間，上述電場遮蔽板配置於比上述電阻體靠下方側的位置，或者比上述電阻體靠上方側的位置，上述電場遮蔽板與上述電阻體的外周緣的周向的整體連接，並且在上述俯視觀察時具有環形形狀。

（方式11） 上述方式1~5中的任一方式可以進一步具備多孔質電阻體，該多孔質電阻體配置在上述鍍覆槽的內部中上述陽極與上述基板之間，上述電場遮蔽板配置於比上述電阻體靠下方側，或者比上述電阻體靠上方側的位置，上述電場遮蔽板與上述電阻體的外周緣的周向的一部分連接，並且在上述俯視觀察時具有非環形形狀。

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。此外，在以下的實施方式、實施方式的變形例中，往往對相同或對應的結構標註相同的附圖標記並適當省略說明。另外，附圖是為了容易理解實施方式的特徵而示意性地圖示的，各構成要素的尺寸比率等不限於與實際的相同。另外，在幾個附圖中，作為參考用，圖示了X-Y-Z的正交坐標。該正交坐標中的，Z方向相當於上方，－Z方向相當於下方（重力作用的方向）。

圖1是表示本實施方式的鍍覆裝置1000的整體結構的立體圖。圖2是表示本實施方式的鍍覆裝置1000的整體結構的俯視圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000具備裝載口100、輸送機械臂110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、旋轉沖洗乾燥模組600、輸送裝置700以及控制模組800。

裝載口100是用於將收納於未圖示的FOUP等盒的基板搬入於鍍覆裝置1000或者從鍍覆裝置1000向盒搬出基板的模組。在本實施方式中，4台裝載口100沿水平方向排列配置，但裝載口100的數量及配置是任意的。輸送機械臂110是用於輸送基板的機械臂，構成為在裝載口100、對準器120以及輸送裝置700之間交接基板。輸送機械臂110及輸送裝置700能夠在輸送機械臂110與輸送裝置700之間交接基板時，經由未圖示的臨時放置台進行基板的交接。

對準器120是用於使基板的定向平面、凹口等的位置與規定的方向對準的模組。在本實施方式中，2台對準器120沿水平方向排列配置，但對準器120的數量及配置是任意的。預濕模組200是通過使純水或脫氣水等處理液潤濕鍍覆處理前的基板的被鍍覆面，將在基板表面形成的圖案內部的空氣置換為處理液。預濕模組200構成為實施通過在鍍覆時將圖案內部的處理液置換為鍍覆液而容易向圖案內部供給鍍覆液的預濕處理。在本實施方式中，2台預濕模組200沿上下方向排列配置，但預濕模組200的數量及配置是任意的。

預浸模組300例如構成為實施利用硫酸、鹽酸等處理液對在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面形成的種晶層表面等存在的電阻大的氧化膜進行蝕刻去除而對鍍覆基底表面進行清洗或活化的預浸處理。在本實施方式中，2台預浸模組300沿上下方向排列配置，但預浸模組300的數量及配置是任意的。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。在本實施方式中，沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台鍍覆模組400的組件為兩組，合計設置有24台鍍覆模組400，但鍍覆模組400的數量及配置是任意的。

清洗模組500構成為為了去除鍍覆處理後的基板上殘留的鍍覆液等而對基板實施清洗處理。在本實施方式中，2台清洗模組500沿上下方向排列配置，但清洗模組500的數量及配置是任意的。旋轉沖洗乾燥模組600是用於使清洗處理後的基板高速旋轉而使其乾燥的模組。在本實施方式中，2台旋轉沖洗乾燥模組沿上下方向排列配置，但旋轉沖洗乾燥模組的數量及配置是任意的。輸送裝置700是用於在鍍覆裝置1000內的多個模組之間輸送基板的裝置。控制模組800構成為控制鍍覆裝置1000的多個模組，例如能夠由具備與操作人員之間的輸入輸出接口的一般的計算機或專用計算機構成。

對鍍覆裝置1000進行的一系列鍍覆處理的一個例子進行說明。首先，將收納於盒的基板搬入於裝載口100。接著，輸送機械臂110從裝載口100的盒取出基板，並將基板輸送至對準器120。對準器120使基板的定向平面、凹口等的位置與規定的方向對準。輸送機械臂110將由對準器120對準了方向的基板交接給輸送裝置700。

輸送裝置700將從輸送機械臂110接收到的基板輸送給預濕模組200。預濕模組200對基板實施預濕處理。輸送裝置700將實施了預濕處理的基板輸送給預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。輸送裝置700將實施了預浸處理的基板輸送給鍍覆模組400。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。

輸送裝置700將實施了鍍覆處理的基板輸送給清洗模組500。清洗模組500對基板實施清洗處理。輸送裝置700將實施了清洗處理的基板輸送給旋轉沖洗乾燥模組600。旋轉沖洗乾燥模組600對基板實施乾燥處理。輸送裝置700將實施了乾燥處理的基板交接給輸送機械臂110。輸送機械臂110將從輸送裝置700接收到的基板輸送給裝載口100的盒。最後，將收納基板的盒從裝載口100搬出。

此外，在圖1、圖2中說明的鍍覆裝置1000的結構只不過是一個例子，鍍覆裝置1000的結構不限定於圖1、圖2的結構。

接著，對鍍覆模組400進行說明。此外，本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000所具有的多個鍍覆模組400具有相同的結構，因此對一個鍍覆模組400進行說明。

圖3是表示本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000中的一個鍍覆模組400的結構的示意性剖視圖。本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000是杯式的鍍覆裝置。鍍覆裝置1000的鍍覆模組400具備鍍覆槽10、溢流槽20、基板保持件30、旋轉機構40以及升降機構45。

本實施方式所涉及的鍍覆槽10由在上方具有開口的有底的容器構成。具體而言，鍍覆槽10具有底部11和從該底部11的外周緣向上方延伸的外周部12（換言之，外周側壁部），該外周部12的上部開口。此外，鍍覆槽10的外周部12的形狀沒有特別限定，本實施方式所涉及的外周部12作為一個例子，具有圓筒形狀。在鍍覆槽10的內部存積有鍍覆液Ps。

作為鍍覆液Ps，只要是含有構成鍍膜的金屬元素的離子的溶液即可，其具體例沒有特別限定。在本實施方式中，作為鍍覆處理的一個例子，使用鍍銅處理，作為鍍覆液Ps的一個例子，使用硫酸銅溶液。

在鍍覆槽10的內部配置有陽極50。具體而言，本實施方式所涉及的陽極50配置於鍍覆槽10的底部11。另外，本實施方式所涉及的陽極50配置為沿水平方向延伸。

陽極50的具體種類沒有特別限定，可以是不溶解陽極，也可以是溶解陽極。在本實施方式中，作為陽極50的一個例子，使用不溶解陽極。該不溶解陽極的具體種類沒有特別限定，能夠使用白金、氧化銥等。

溢流槽20配置於鍍覆槽10的外側，由有底的容器構成。溢流槽20是為了暫時存積超過鍍覆槽10的外周部12的上端的鍍覆液Ps（即，從鍍覆槽10溢出的鍍覆液Ps）而設置的槽。暫時存積於溢流槽20的鍍覆液Ps從溢流槽20用的排出口（未圖示）排出後，再次循環至鍍覆槽10。

基板保持件30將作為陰極的基板Wf保持為基板Wf的被鍍覆面Wfa與陽極50對置。換言之，基板保持件30將基板Wf保持為基板Wf的被鍍覆面Wfa朝向下方。旋轉機構40連接於基板保持件30。旋轉機構40是用於使基板保持件30旋轉的機構。另外，升降機構45連接於旋轉機構40。升降機構45由沿鉛垂方向（Z軸的方向）延伸的支柱46支承。升降機構45是用於使基板保持件30及旋轉機構40沿鉛垂方向升降的機構。此外，基板Wf及陽極50與通電裝置（未圖示）電連接。通電裝置是用於在執行鍍覆處理時，使電流在基板Wf與陽極50之間流動的裝置。

另外，鍍覆裝置1000在鍍覆槽10的內部的陽極50與基板Wf之間具備電場遮蔽板60。該電場遮蔽板60具有遮蔽在陽極50與基板Wf之間形成的電場的一部分的功能。電場遮蔽板60的具體材質沒有特別限定，若列舉具體例，則能夠使用聚醚醚酮、聚氯乙烯等樹脂。這樣，通過鍍覆裝置1000具備電場遮蔽板60，能夠抑制由於端子效應而鍍膜的外周部的膜厚變厚。該電場遮蔽板60的詳細內容在後面敘述。

在執行鍍覆處理時，首先，旋轉機構40使基板保持件30旋轉，並且升降機構45使基板保持件30向下方移動，使基板Wf浸漬於鍍覆槽10的鍍覆液Ps。接下來，通過通電裝置，使電流在陽極50與基板Wf之間流動。由此，在基板Wf的被鍍覆面Wfa形成鍍膜。

然而，存在在鍍覆液Ps的內部包含氣泡Bu（該附圖標記在後述的圖4B中圖示）的情況。具體而言，該氣泡Bu是在向鍍覆槽10供給鍍覆液Ps時鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu，或者是在鍍覆處理的執行中從陽極50產生的氣泡Bu。假設在該鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu滯留在電場遮蔽板60的下表面61a的情況下，存在電場遮蔽板60的功能受到阻礙，基板Wf的鍍覆品質變差的擔憂。因此，為了解決該問題，本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000具備以下說明的結構。

圖4A是電場遮蔽板60的示意性俯視圖。參照圖3及圖4A，電場遮蔽板60配置為從鍍覆槽10的外周部12朝向鍍覆槽10的徑向上中心側延伸。另外，本實施方式所涉及的電場遮蔽板60作為一個例子，與鍍覆槽10的外周部12的周向的整體連接，並在俯視觀察時具有環形形狀。具體而言，電場遮蔽板60的外周面61c（俯視觀察時圓形形狀的外周面61c）與鍍覆槽10的外周部12的內週面12a的周向的整體連接。另外，本實施方式所涉及的電場遮蔽板60的內週部61d在俯視觀察時具有圓形形狀。

此外，上述結構是電場遮蔽板60的一個例子，電場遮蔽板60不需要一定與鍍覆槽10的外周部12的周向的整體連接。例如，電場遮蔽板60也可以與鍍覆槽10的外周部12的周向的一部分連接（或者，與該外周部12的周向間歇地連接），在俯視觀察時具有非環形形狀。

另外，在從比電場遮蔽板60靠上方側觀察鍍覆槽10的內部的俯視觀察時，在鍍覆槽10的內部設置有未被電場遮蔽板60遮蔽的區域亦即非遮蔽區域70。在本實施方式中，環形形狀的電場遮蔽板60的內側的區域為該非遮蔽區域70。

圖4B是將電場遮蔽板60沿著沿鉛垂方向延伸且沿鍍覆槽10的徑向延伸的“徑向切斷面”切斷的示意性剖視圖。具體而言，圖4B示意性地表示圖4A的A1-A1線剖面。在電場遮蔽板60的下表面61a至少設置有一個相對於水平方向（X-Y方向）傾斜的傾斜面62。本實施方式所涉及的傾斜面62作為一個例子，僅設置一個。具體而言，本實施方式所涉及的電場遮蔽板60的下表面61a整體成為傾斜面62。

傾斜面62構成為將存在於電場遮蔽板60的下表面61a的氣泡Bu釋放到非遮蔽區域70。具體而言，本實施方式所涉及的傾斜面62以隨著趨向鍍覆槽10的中心側（徑向上中心側），距鍍覆槽10的底部11的距離（h）變大的方式傾斜。換言之，本實施方式所涉及的傾斜面62從電場遮蔽板60的下表面61a中的位於最下方側的部分（頂點63a）朝向非遮蔽區域70傾斜。

另外，本實施方式所涉及的電場遮蔽板60的上表面61b成為水平面。由此，本實施方式所涉及的電場遮蔽板60具有隨著趨向鍍覆槽10的中心側，厚度變薄的剖面形狀。另外，本實施方式所涉及的電場遮蔽板60在沿徑向切斷面切斷的剖面中，電場遮蔽板60的上表面61b、下表面61a（傾斜面62）以及外周面61c呈三角形的形狀。

根據以上說明的本實施方式，能夠通過傾斜面62將存在於電場遮蔽板60的下表面61a的氣泡Bu有效地釋放到非遮蔽區域70。由此，能夠抑制氣泡Bu滯留在電場遮蔽板60的下表面61a。其結果，能夠抑制由於滯留在電場遮蔽板60的下表面61a的氣泡Bu而導致電場遮蔽板60的功能受到阻礙。由此，能夠抑制基板Wf的鍍覆品質變差。

此外，上述的電場遮蔽板60是一個例子，電場遮蔽板只要具有構成為將存在於電場遮蔽板的下表面的氣泡釋放到非遮蔽區域的傾斜面即可，不限定於上述的例子。另外，鍍覆裝置也只要具備具有這樣的傾斜面的電場遮蔽板即可，不限定於上述的例子。因此，以下對電場遮蔽板、鍍覆裝置的各種變形例進行說明。此外，這些變形例也只不過是個例子，電場遮蔽板、鍍覆裝置的結構不限定於這些變形例。

（變形例1） 圖5是實施方式的變形例1所涉及的鍍覆裝置1000A的電場遮蔽板60A的示意性剖視圖。具體而言，圖5示意性地表示對本變形例所涉及的電場遮蔽板60A沿徑向切斷面切斷的剖面，更具體而言，與圖4B同樣地，示意性地表示A1-A1線剖面。

本變形例所涉及的電場遮蔽板60A由於傾斜面62的上方側的端部不與上表面61b的中心側的端部連接，因此在剖面中呈梯形的形狀。其結果，電場遮蔽板60A的內週部61d不是線，而是面（即，內週面）。在本變形例中，電場遮蔽板60A具有傾斜面62，由此也能夠起到與上述鍍覆裝置1000同樣的作用效果。

（變形例2） 圖6是實施方式的變形例2所涉及的鍍覆裝置1000B的電場遮蔽板60B的示意性俯視圖。本變形例所涉及的電場遮蔽板60B在俯視觀察時具有環形形狀這一點上，與圖4A所示的電場遮蔽板60相同，但在電場遮蔽板60B的內週部61d不是圓形形狀，而是具有次擺線形狀這一點上，與電場遮蔽板60不同。在本變形例中，電場遮蔽板60B具有傾斜面62，由此也能夠起到與上述鍍覆裝置1000同樣的作用效果。

此外，本變形例所涉及的電場遮蔽板60B也可以進一步具備上述變形例1所涉及的特徵。

（變形例3） 圖7A是實施方式的變形例3所涉及的鍍覆裝置1000C的電場遮蔽板60C的示意性俯視圖。本變形例所涉及的電場遮蔽板60C在與鍍覆槽10的外周部12的內週面12a的周向的一部分連接，並且在俯視觀察電場遮蔽板60C時具有非環形形狀這一點上，與圖4A所示的電場遮蔽板60不同。

電場遮蔽板60C的非環形形狀的具體例沒有特別限定，在本變形例中，作為一個例子，為扇形的形狀。即，電場遮蔽板60C構成為在俯視觀察時，僅遮蔽特定的方位。此外，在本變形例中，該扇形的中心沒有到達鍍覆槽10的中心。

圖7B是將電場遮蔽板60C沿徑向切斷面切斷的示意性剖視圖。具體而言，圖7B示意性地表示圖7A的A2-A2線剖面。電場遮蔽板60C的傾斜面62具有與上述圖4B的傾斜面62相同的結構。因此，省略電場遮蔽板60C的傾斜面62的說明。

圖7C是將電場遮蔽板60C沿著沿鉛垂方向延伸且沿鍍覆槽10的周向延伸的“周向切斷面”切斷的示意性剖視圖。具體而言，圖7C示意性地表示圖7A的A3-A3線剖面。本變形例所涉及的電場遮蔽板60C的下表面61a不朝向周向傾斜，而是成為水平。

在本變形例中，電場遮蔽板60C具有傾斜面62，由此也能夠起到與上述鍍覆裝置1000同樣的作用效果。

（變形例4） 圖8A是實施方式的變形例4所涉及的鍍覆裝置1000D的電場遮蔽板60D的示意性剖視圖。具體而言，圖8A示意性地表示對本變形例所涉及的電場遮蔽板60D沿徑向切斷面切斷的剖面，具體而言，與圖7B同樣地，示意性地表示A2-A2線剖面。

本變形例所涉及的電場遮蔽板60D與圖5中說明的變形例1所涉及的電場遮蔽板60A同樣地，傾斜面62的上方側的端部不與上表面61b的中心側的端部連接，由此在剖面中呈梯形的形狀。其結果，電場遮蔽板60D的內週部61d不是線，而是面（內週面）。在本變形例中，也能夠起到與上述變形例3所涉及的鍍覆裝置1000C同樣的作用效果。

（變形例5） 圖8B是實施方式的變形例5所涉及的鍍覆裝置1000E的電場遮蔽板60E的示意性剖視圖。具體而言，圖8B示意性地表示將電場遮蔽板60E沿周向切斷面切斷的剖面，更具體而言，示意性地表示A3-A3線剖面。

本變形例所涉及的電場遮蔽板60E在下表面61a設置有傾斜面62a及傾斜面62b這一點上，與電場遮蔽板60C、電場遮蔽板60D不同。

此外，雖然省略了圖示，但本變形例所涉及的電場遮蔽板60E如圖7B、圖8A那樣，下表面61a傾斜。但是，不限定於該結構，電場遮蔽板60E也可以在沿徑向切斷面切斷的剖面中，如圖7C那樣，下表面61a成為水平。

傾斜面62a及傾斜面62b是相對於水平方向傾斜，並且構成為將存在於電場遮蔽板60E的下表面61a的氣泡Bu釋放到非遮蔽區域70的傾斜面。具體而言，傾斜面62a及傾斜面62b以在沿周向切斷面切斷的剖面中，從電場遮蔽板60E的下表面61a中的位於最下方側的部分（頂點63b）朝向非遮蔽區域70延伸的方式傾斜。

更具體而言，傾斜面62a以隨著從頂點63b朝向“周向上的一方側”，距鍍覆槽10的底部11的距離（h）變大的方式傾斜。另一方面，傾斜面62b以隨著從頂點63b朝向“周向上的另一方側”，距鍍覆槽10的底部11的距離（h）變大的方式傾斜。

根據本變形例，電場遮蔽板60E具有傾斜面62a及傾斜面62b，因此能夠通過傾斜面62a及傾斜面62b將存在於電場遮蔽板60E的下表面61a的氣泡Bu有效地釋放到非遮蔽區域70。

此外，在本變形例中，電場遮蔽板60E也可以僅具備傾斜面62a及傾斜面62b中的任一方。

（變形例6） 圖8C是實施方式的變形例6所涉及的鍍覆裝置1000F的電場遮蔽板60F的示意性剖視圖。具體而言，圖8C示意性地表示將電場遮蔽板60F沿周向切斷面切斷的剖面，更具體而言，示意性地表示A3-A3線剖面。

本變形例所涉及的電場遮蔽板60F在還具備傾斜面62c這一點上，與圖8B所示的電場遮蔽板60E不同。該傾斜面62c在沿周向切斷面切斷的剖面（圖8C）中，不傾斜，但在沿徑向切斷面切斷的剖面中，與圖7B、圖8A的傾斜面62同樣地傾斜。即，該傾斜面62c以在沿徑向切斷面切斷的剖面中，隨著趨向鍍覆槽10的中心側，距鍍覆槽10的底部11的距離（h）變大的方式傾斜。

根據本變形例，具備傾斜面62a、傾斜面62b以及傾斜面62c，由此能夠通過傾斜面62a、傾斜面62b以及傾斜面62c，將存在於電場遮蔽板60F的下表面61a的氣泡Bu有效地釋放到非遮蔽區域70。

（變形例7） 圖9A是實施方式的變形例7所涉及的鍍覆裝置1000G的電場遮蔽板60G的示意性俯視圖。本變形例所涉及的電場遮蔽板60G在俯視觀察時，具有扇形的形狀這一點上，與圖7A所示的電場遮蔽板60C相同。另一方面，本變形例所涉及的電場遮蔽板60G在該扇形的中心進一步延伸到鍍覆槽10的中心側，具體而言，該扇形的中心到達鍍覆槽10的中心這一點上，與電場遮蔽板60C不同。

在本變形例中，也能夠起到與圖7A中說明的鍍覆裝置1000C同樣的作用效果。

此外，本變形例所涉及的電場遮蔽板60G也可以進一步具備上述變形例4~6所涉及的特徵。

（變形例8） 圖9B是實施方式的變形例8所涉及的鍍覆裝置1000H的電場遮蔽板60H的示意性俯視圖。本變形例所涉及的電場遮蔽板60H在電場遮蔽板60H的內週部61d成為沿鉛垂方向延伸的面（即，內週面）這一點上，與圖7A所示的電場遮蔽板60C不同。即，本變形例所涉及的電場遮蔽板60H在俯視觀察時具有截頂扇形（頂點被切斷的扇形）的形狀。此外，該內週部61d可以是平面（非曲面），也可以是曲面（例如圓筒狀的曲面）。

在本變形例中，也能夠起到與圖7A中說明的鍍覆裝置1000C同樣的作用效果。

此外，本變形例所涉及的電場遮蔽板60H也可以進一步具備上述變形例4~6所涉及的特徵。

（變形例9） 圖10是實施方式的變形例9所涉及的鍍覆裝置1000I的電場遮蔽板60I的示意性俯視圖。本變形例所涉及的電場遮蔽板60I在具備環形形狀部65和非環形形狀部66這一點上，與上述實施方式、變形例不同。環形形狀部65是與鍍覆槽10的外周部12的周向的整體連接，並且在俯視觀察電場遮蔽板60I時具有環形形狀的部位。非環形形狀部66是與環形形狀部65的周向的一部分連接，在俯視觀察時具有非環形形狀的部位。

具體而言，本變形例所涉及的環形形狀部65具有與圖4A所示的電場遮蔽板60相同的形狀。另外，本變形例所涉及的非環形形狀部66具有與圖7A所示的電場遮蔽板60C相同的形狀。即，本變形例所涉及的電場遮蔽板60I由電場遮蔽板60以及電場遮蔽板60C的組合構成。

此外，電場遮蔽板60I的具體的製造方法沒有特別限定，例如可以在分別製作了環形形狀部65和非環形形狀部66之後，使兩者接合。或者，也可以通過從塊狀的構件切出電場遮蔽板60I，一體地製作具有環形形狀部65和非環形形狀部66的電場遮蔽板60I。或者，也可以通過射出成型等塑性加工，一體地製作具有環形形狀部65和非環形形狀部66的電場遮蔽板60I。

根據本變形例，通過環形形狀部65的傾斜面62和非環形形狀部66的傾斜面62，能夠將存在於電場遮蔽板60I的下表面61a的氣泡Bu有效地釋放到非遮蔽區域70。

此外，本變形例所涉及的電場遮蔽板60I的環形形狀部65也可以進一步具備變形例1或變形例2所涉及的特徵。另外，非環形形狀部66也可以進一步具備變形例4~8所涉及的特徵。

另外，在上述本變形例中，環形形狀部65以及非環形形狀部66雙方都具備傾斜面62，但本變形例不限定於該結構。例如，也可以僅環形形狀部65以及非環形形狀部66中的任一方具備傾斜面62。

（變形例10） 圖11是表示實施方式的變形例10所涉及的鍍覆裝置1000J的鍍覆槽10的周邊結構的示意性剖視圖。此外，在圖11中，省略了旋轉機構40、升降機構45、支柱46等的圖示。本變形例所涉及的鍍覆裝置1000J在還具備電阻體80這一點上，與圖3中說明的鍍覆裝置1000不同。

電阻體80配置在鍍覆槽10的內部中陽極50與基板Wf之間。具體而言，本變形例所涉及的電阻體80配置於比電場遮蔽板60靠上方側且比基板Wf靠下方側的位置。其結果，本變形例所涉及的電場遮蔽板60配置於比電阻體80靠下方側的位置。具體而言，本變形例所涉及的電場遮蔽板60配置為電場遮蔽板60的上表面61b連接於電阻體80的下表面80a。

此外，電場遮蔽板60的具體的製造方法沒有特別限定，例如，能夠使用以下的方法。例如，可以在分別製作了電阻體80和電場遮蔽板60之後，使兩者接合。或者，也可以通過從塊狀的構件切出電阻體80及電場遮蔽板60，一體地製造電阻體80和電場遮蔽板60（即，也可以製造一體地連接的電阻體80及電場遮蔽板60）。或者，也可以通過射出成型等塑性加工，一體地製造電阻體80和電場遮蔽板60。

此外，通過如上述那樣將電場遮蔽板60與電阻體80一體地製造（即，通過將電場遮蔽板60與電阻體80一體化），同將電場遮蔽板60與電阻體80分體地製造的情況相比，能夠獲得以下的優點。具體而言，通過將電場遮蔽板60與電阻體80一體化，從而只要將電阻體80安裝於鍍覆槽10，則同時，電場遮蔽板60向鍍覆槽10的安裝完成，並且能夠確定電場遮蔽板60在鍍覆槽10的內部的安裝位置。其結果，在將電場遮蔽板60安裝到鍍覆槽10後，不需要調整電場遮蔽板60與電阻體80的位置關係。這樣，通過將電場遮蔽板60與電阻體80一體化，能夠使電場遮蔽板60向鍍覆槽10的安裝容易化。

另外，本變形例所涉及的電阻體80配置為與陽極50平行。另外，本變形例所涉及的電阻體80與鍍覆槽10的外周部12的周向的整體連接，在俯視觀察時具有圓板狀的形狀。

該電阻體80由具有多個孔81的多孔質構件構成。具體而言，本變形例所涉及的孔81形成為將比電阻體80靠上方側的區域與比電阻體80靠下方側的區域連通。此外，電阻體80的具體材質沒有特別限定，在本變形例中，作為一個例子，使用聚醚醚酮等樹脂。

另外，本變形例所涉及的電場遮蔽板60與電阻體80的下表面80a連接，以便電場遮蔽板60的上表面61b遮蔽在電阻體80的外周部附近區域（距外周端規定距離，到達中心側的區域）存在的孔81。

此外，本變形例所涉及的電場遮蔽板60與電阻體80的外周緣（具體而言電阻體80的下表面80a的外周緣）的周向的整體連接，在俯視觀察時具有環形形狀，但不一定限定於該結構。例如，本變形例所涉及的電場遮蔽板60也可以與電阻體80的外周緣的周向的一部分連接（或者，與該外周緣的周向間歇地連接），在俯視觀察時具有非環形形狀。

根據本變形例，由於具備電阻體80，因此該電阻體80成為在執行鍍覆處理時在陽極50與基板Wf之間產生的電場的電阻，能夠實現基板Wf的面內的電場的均勻化。由此，能夠實現鍍膜的膜厚的均勻化。

另外，在本變形例中，與實施方式所涉及的鍍覆裝置1000同樣地，電場遮蔽板60具有傾斜面62，由此也能夠起到與實施方式所涉及的鍍覆裝置1000同樣的作用效果。

此外，本變形例所涉及的鍍覆裝置1000J也可以具備變形例1~9所涉及的特徵。換言之，變形例1~9所涉及的鍍覆裝置也可以具備本變形例所涉及的特徵。

（變形例11） 圖12A是放大表示實施方式的變形例11所涉及的鍍覆裝置1000K的電場遮蔽板60的周邊結構的示意性剖視圖。具體而言，圖12A放大且示意性地圖示與圖11的B1相當的部位。本變形例所涉及的鍍覆裝置1000K在電場遮蔽板60的上表面61b經由密封構件85與電阻體80的下表面80a連接這一點上，與圖11所示的鍍覆裝置1000J不同。

本變形例所涉及的密封構件85配置於電阻體80的下表面80a，以遮蔽在電阻體80的外周部附近區域存在的孔81。

密封構件85的具體材質只要具有密封性則沒有特別限定，在本變形例中，使用具有一定程度的彈性的材質。具體而言，在本變形例中，作為密封構件85的材質的一個例子，使用彈性體。

在本變形例中，也能夠起到與變形例10同樣的作用效果。

此外，本變形例所涉及的鍍覆裝置1000K也可以具備變形例1~9所涉及的特徵。換言之，變形例1~9所涉及的鍍覆裝置也可以具備本變形例所涉及的特徵。

（變形例12） 圖12B是放大表示實施方式的變形例12所涉及的鍍覆裝置1000L的電場遮蔽板60的周邊結構的示意性剖視圖。具體而言，圖12B與圖12A同樣地，放大且示意性地圖示與B1相當的部位。本變形例所涉及的鍍覆裝置1000L具備電阻體80L來代替電阻體80。電阻體80L在其外周部附近區域具備沒有形成孔81的部分（稱為非開口部82）這一點上，與上述變形例10所涉及的電阻體80不同。本變形例所涉及的電場遮蔽板60配置於該非開口部82的下表面80a。

在本變形例中，也能夠起到與變形例10同樣的作用效果。

此外，本變形例所涉及的鍍覆裝置1000L也可以具備變形例1~9所涉及的特徵。換言之，變形例1~9所涉及的鍍覆裝置也可以具備本變形例所涉及的特徵。

（變形例13） 圖13是表示實施方式的變形例13所涉及的鍍覆裝置1000M的鍍覆槽10的周邊結構的示意性剖視圖。鍍覆裝置1000M在電場遮蔽板60配置於比電阻體80靠上方側的位置這一點上，與圖11所示的鍍覆裝置1000J不同。在本變形例中，電場遮蔽板60具有傾斜面62，由此也能夠起到與變形例10所涉及的鍍覆裝置1000J同樣的作用效果。

此外，本變形例所涉及的電場遮蔽板60可以與電阻體80的上表面80b的外周緣的周向的整體連接（在該情況下，電場遮蔽板60在俯視觀察時具有環形形狀）。或者，本變形例所涉及的電場遮蔽板60也可以與電阻體80的上表面80b的外周緣的周向的一部分連接（或者，與該外周緣的周向間歇地連接），在俯視觀察時具有非環形形狀。

此外，本變形例所涉及的鍍覆裝置1000M也可以具備變形例1~9所涉及的特徵。換言之，變形例1~9所涉及的鍍覆裝置也可以具備本變形例所涉及的特徵。

以上，對本發明的實施方式、變形例進行了詳細敘述，但本發明不限定於上述特定的實施方式、變形例，在發明申請範圍所記載的本發明的主旨的範圍內，能夠進行進一步的各種變形·變更。

10:鍍覆槽 11:底部 12:外周部 12a:內週面 20:溢流槽 30:基板保持件 40:旋轉機構 45:升降機構 46:支柱 50:陽極 60:電場遮蔽板 60A:電場遮蔽板 60B:電場遮蔽板 60C:電場遮蔽板 60D:電場遮蔽板 60E:電場遮蔽板 60F:電場遮蔽板 60G:電場遮蔽板 60I:電場遮蔽板 61a:下表面 61b:上表面 61c:外周面 61d:內週部 62:傾斜面 62a:傾斜面 62b:傾斜面 62c:傾斜面 63a:頂點 63b:頂點 65:環形形狀部 66:非環形形狀部 70:非遮蔽區域 80:電阻體 80L:電阻體 80a:下表面 80b:上表面 81:孔 82:非開口部 85:密封構件 100:裝載口 110:輸送機械臂 120:對準器 200:預濕模組 300:預浸模組 400:鍍覆模組 500:清洗模組 600:旋轉沖洗乾燥模組 700:輸送裝置 800:控制模組 1000:鍍覆裝置 1000A:鍍覆裝置 1000B:鍍覆裝置 1000C:鍍覆裝置 1000D:鍍覆裝置 1000E:鍍覆裝置 1000F:鍍覆裝置 1000G:鍍覆裝置 1000H:鍍覆裝置 1000I:鍍覆裝置 1000J:鍍覆裝置 1000K:鍍覆裝置 1000L:鍍覆裝置 1000M:鍍覆裝置 h:距離 Wf:基板 Wfa:被鍍覆面 Ps:鍍覆液 Bu:氣泡

圖1係表示實施方式所涉及的鍍覆裝置的整體結構的立體圖。 圖2係表示實施方式所涉及的鍍覆裝置的整體結構的俯視圖。 圖3係表示實施方式所涉及的鍍覆裝置中的一個鍍覆模組的結構的示意性剖視圖。 圖4A係實施方式所涉及的電場遮蔽板的示意性俯視圖。 圖4B係將實施方式所涉及的電場遮蔽板沿徑向切斷面切斷的示意性剖視圖。 圖5係實施方式的變形例1所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的示意性剖視圖。 圖6係實施方式的變形例2所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的示意性俯視圖。 圖7A係實施方式的變形例3所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的示意性俯視圖。 圖7B係將實施方式的變形例3所涉及的電場遮蔽板沿徑向切斷面切斷的示意性剖視圖。 圖7C係將實施方式的變形例3所涉及的電場遮蔽板沿周向切斷面切斷的示意性剖視圖。 圖8A係實施方式的變形例4所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的示意性剖視圖。 圖8B係實施方式的變形例5所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的示意性剖視圖。 圖8C係實施方式的變形例6所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的示意性剖視圖。 圖9A係實施方式的變形例7所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的示意性俯視圖。 圖9B係實施方式的變形例8所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的示意性俯視圖。 圖10係實施方式的變形例9所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的示意性俯視圖。 圖11係表示實施方式的變形例10所涉及的鍍覆裝置的鍍覆槽的周邊結構的示意性剖視圖。 圖12A係放大表示實施方式的變形例11所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的周邊結構的示意性剖視圖。 圖12B係放大表示實施方式的變形例12所涉及的鍍覆裝置的電場遮蔽板的周邊結構的示意性剖視圖。 圖13係表示實施方式的變形例13所涉及的鍍覆裝置的鍍覆槽的周邊結構的示意性剖視圖。

10:鍍覆槽

11:底部

12:外周部

12a:內週面

20:溢流槽

30:基板保持件

40:旋轉機構

45:升降機構

46:支柱

50:陽極

60:電場遮蔽板

61a:下表面

70:非遮蔽區域

400:鍍覆模組

1000:鍍覆裝置

h:距離

Ps:鍍覆液

Wf:基板

Wfa:被鍍覆面

Claims (11)

1. 一種鍍覆裝置，具備： 鍍覆槽，存積有鍍覆液，並且配置有陽極； 基板保持件，配置於比所述陽極靠上方的位置，將作為陰極的基板保持為所述基板的被鍍覆面與所述陽極對置；以及 電場遮蔽板，配置在所述鍍覆槽的內部的所述陽極與所述基板之間的部分，將在所述陽極與所述基板之間形成的電場的一部分遮蔽， 在從比所述電場遮蔽板靠上方側觀察所述鍍覆槽的內部的俯視觀察時，在所述鍍覆槽的內部設置有未被所述電場遮蔽板遮蔽的非遮蔽區域， 在所述電場遮蔽板的下表面設置有傾斜面，所述傾斜面相對於水平方向傾斜，並且構成為將存在於所述電場遮蔽板的下表面的氣泡釋放到所述非遮蔽區域。
2. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中所述電場遮蔽板從所述鍍覆槽的外周部朝向所述鍍覆槽的中心側延伸。
3. 如請求項2所述的鍍覆裝置，其中所述傾斜面以隨著趨向所述鍍覆槽的中心側，而與所述鍍覆槽的底部的距離變大的方式傾斜。
4. 如請求項2所述的鍍覆裝置，其中所述傾斜面以隨著趨向所述鍍覆槽的周向上的一方側，而與所述鍍覆槽的底部的距離變大的方式傾斜。
5. 如請求項4所述的鍍覆裝置，其中所述傾斜面以隨著趨向所述鍍覆槽的周向上的另一方側，而與所述鍍覆槽的底部的距離變大的方式傾斜。
6. 如請求項2所述的鍍覆裝置，其中所述電場遮蔽板與所述鍍覆槽的外周部的周向的整體連接，並且在所述俯視觀察時具有環形形狀。
7. 如請求項2所述的鍍覆裝置，其中所述電場遮蔽板與所述鍍覆槽的外周部的周向的一部分連接，並且在所述俯視觀察時具有非環形形狀。
8. 如請求項2所述的鍍覆裝置，其中所述電場遮蔽板具有：環形形狀部，與所述鍍覆槽的外周部的周向的整體連接，並且在所述俯視觀察時具有環形形狀；和非環形形狀部，與所述環形形狀部的周向的一部分連接，在所述俯視觀察時具有非環形形狀。
9. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中所述鍍覆裝置還具備多孔質電阻體，所述多孔質電阻體配置在所述鍍覆槽的內部中所述陽極與所述基板之間， 所述電場遮蔽板配置於比所述電阻體靠下方側的位置，或者比所述電阻體靠上方側的位置。
10. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中所述鍍覆裝置還具備多孔質電阻體，所述多孔質電阻體配置在所述鍍覆槽的內部中所述陽極與所述基板之間， 所述電場遮蔽板配置於比所述電阻體靠下方側的位置，或者比所述電阻體靠上方側的位置， 所述電場遮蔽板與所述電阻體的外周緣的周向的整體連接，並且在所述俯視觀察時具有環形形狀。
11. 如請求項1所述的鍍覆裝置，其中所述鍍覆裝置還具備多孔質電阻體，所述多孔質電阻體配置在所述鍍覆槽的內部中所述陽極與所述基板之間， 所述電場遮蔽板配置於比所述電阻體靠下方側的位置，或者比所述電阻體靠上方側的位置，       所述電場遮蔽板與所述電阻體的外周緣的周向的一部分連接，並且在所述俯視觀察時具有非環形形狀。

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