CN114829681B - 板、镀敷装置和板的制造方法 - Google Patents
板、镀敷装置和板的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114829681B CN114829681B CN202080016383.5A CN202080016383A CN114829681B CN 114829681 B CN114829681 B CN 114829681B CN 202080016383 A CN202080016383 A CN 202080016383A CN 114829681 B CN114829681 B CN 114829681B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- holes
- hole
- region
- plate
- divided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/008—Current shielding devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
- B26F1/00—Perforating; Punching; Cutting-out; Stamping-out; Apparatus therefor
- B26F1/02—Perforating by punching, e.g. with relatively-reciprocating punch and bed
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
Abstract
提高板的各部的气孔率的精度和/或者气孔率的调整的自由度。一种板,在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,上述板具备:形成有多个孔的孔形成区域,上述孔形成区域具有:中心部和处于中心部外侧的中间部、处于中间部外侧的外周部,上述孔形成区域的中心部和外周部具有多个长孔,上述孔形成区域的上述中间部具有多个圆形的孔。
Description
技术领域
本发明涉及板、镀敷装置和板的制造方法。
背景技术
以往,实施在半导体晶圆、印刷基板等基板的表面形成布线、凸块(突起状电极)等的处理。作为形成该布线和凸块等的方法,公知有电镀法。
在用于电镀法的镀敷装置中,公知有在晶圆等圆形基板与阳极之间配置具有许多孔的电场调整用的板(电阻体)(例如参照专利文献1、2)。另外,为了抑制因孔的配置位置引起的对镀敷膜厚分布负面的影响,以使形成于板的孔的分布密度(或者气孔率)在板上的各区域均匀的方式决定孔的配置(专利文献3)。
专利文献1:日本特开2004-225129号公报
专利文献2:国际公开第2004/009879号公报
专利文献3:日本特愿2020-083568号说明书
在以目标气孔率为基础开设相同尺寸的孔时,由于板的中心附近的区域中孔的密度低,所以存在基于实际形成的孔数的气孔率与目标气孔率之间产生误差这样的问题。这是由于在将基于目标气孔率的理论的总孔面积除以孔径来决定孔数时需要取整数。在误差大至规定值以上的情况下,恐怕对镀敷的膜厚分布带来负面影响。因此,为了减少误差而使孔数增加,从而减少气孔率的误差。但是,在为了减少误差而使孔数增加的情况下,无法确保在周向上或者径向上邻接的孔之间的孔间空间,可产生孔的加工变困难、或者没有与所需要的孔径对应的直径的钻头这样的问题。
另外,当在晶圆与板之间设置用于搅拌镀敷液的叶桨的情况下,为了确保设置叶桨的空间和运动空间,需要使晶圆与板的距离和镀敷槽的水平面方向的尺寸变大,恐怕电场环绕的影响变大,基板的边缘部分的膜厚变厚,对镀敷膜厚的面内均匀性带来负面影响。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的。其目的之一在于提高板的各区域中的气孔率的精度和/或者气孔率的调整的自由度。另外,本发明的目的之一在于提高镀敷膜厚的面内均匀性。
根据本发明的一方面,提供一种板,在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,上述板具备:形成有多个孔的孔形成区域,上述孔形成区域具有:中心部、处于中心部的外侧的中间部、处于中间部的外侧的外周部,上述孔形成区域的中心部和外周部具有多个长孔,上述孔形成区域的上述中间部具有多个圆形的孔。
附图说明
图1是表示本实施方式的镀敷装置的整体结构的立体图。
图2是表示本实施方式的镀敷装置的整体结构的俯视图。
图3是表示具备本实施方式所涉及的板的镀敷模块的一个例子的概略图。
图4是板的主视图。
图5A是表示板的制造工艺的流程图。
图5B是表示板的制造工艺的流程图。
图6是表示形成通过板的区域半径划分的孔的区域的概略图。
图7是对周向的孔间空间与径向的孔间空间的关系进行说明的概略图。
图8是对周向的孔间空间和径向的孔间空间的计算方法进行说明的概略图。
图9是对长孔的加工方法进行说明的概略图。
图10是对圆形的孔与长孔的关系进行说明的概略图。
图11是对长孔的配置方法进行说明概略图。
图12是对计算长孔的面积的方法进行说明的概略图。
图13是对改善镀敷的膜厚分布的方法进行说明的概略图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下说明的附图中,对相同或者相当的构成要素标注相同的附图标记并省略重复的说明。
图1是表示本实施方式的镀敷装置的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀敷装置的整体结构的俯视图。如图1、图2所示,镀敷装置1000具备装载口100、搬运机器人110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀敷模块400、清洗模块500、旋转清洗干燥器600、搬运装置700和控制模块800。
装载口100是用于向镀敷装置1000中搬入收纳于未图示的FOUP等盒的基板、或者从镀敷装置1000中将基板搬出至盒的模块。在本实施方式中四台装载口100沿水平方向排列配置,但装载口100的数量和配置方式是任意的。搬运机器人110是用于搬运基板的机器人,且构成为在装载口100、对准器120和搬运装置700之间交接基板。搬运机器人110和搬运装置700在搬运机器人110与搬运装置700之间交接基板时,能够经由未图示的临时放置台进行基板的交接。
对准器120是用于使基板的定向平面、凹口等位置对准于规定方向的模块。在本实施方式中,两台对准器120在水平方向上排列配置,但对准器120的数量和配置方式是任意的。预湿模块200通过使镀敷处理前的基板的被镀敷面以纯水或者脱气水等处理液湿润,从而将形成于基板表面的图案内部的空气置换为处理液。预湿模块200构成为,通过在镀敷时将图案内部的处理液置换为镀敷液,从而实施容易对图案内部供给镀敷液的预湿式处理。在本实施方式中,两台预湿模块200在上下方向上排列配置,但预湿模块200的数量和配置方式是任意的。
预浸模块300构成为实施预浸处理,上述预浸处理例如利用硫酸、盐酸等处理液蚀刻除去形成于镀敷处理前的基板的被镀敷面上的种子层表面等所存在的电阻大的氧化膜而清洗或者活化镀敷基底表面。在本实施方式中,两台预浸模块300在上下方向上排列配置,但预浸模块300的数量和配置方式是任意的。镀敷模块400在基板上实施镀敷处理。在本实施方式中,存在两组在上下方向上排列三台并且在水平方向上排列四台配置的12台镀敷模块400,设置有合计24台镀敷模块400,但镀敷模块400的数量和配置方式是任意的。
清洗模块500构成为为了除去残留于镀敷处理后的基板的镀敷液等而对基板实施清洗处理。在本实施方式中,两台清洗模块500在上下方向上排列配置,但清洗模块500的数量和配置方式是任意的。旋转清洗干燥器600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而使基板干燥的模块。在本实施方式中,两台旋转清洗干燥器在上下方向上排列配置,但旋转清洗干燥器的数量和配置方式是任意的。搬运装置700是用于在镀敷装置1000内的多个模块间搬运基板的装置。控制模块800构成为控制镀敷装置1000的多个模块,能够通过例如具备与操作人员之间之间进行输入输出的输入输出接口的通常的计算机或者专用计算机构成。
对由镀敷装置1000进行的一系列的镀敷处理的一个例子进行说明。首先,在装载口100处搬入收纳于盒的基板。接着,搬运机器人110从装载口100的盒中取出基板,并向对准器120搬运基板。对准器120使基板的定向平面、凹口等位置对准于规定方向。搬运机器人110将通过对准器120对准了方向的基板向搬运装置700交接。
搬运装置700将从搬运机器人110接受到的基板向预湿模块200搬运。预湿模块200对基板实施预湿式处理。搬运装置700将实施了预湿式处理的基板向预浸模块300搬运。预浸模块300对基板实施预浸处理。搬运装置700将实施了预浸处理的基板向镀敷模块400搬运。镀敷模块400对基板实施镀敷处理。
搬运装置700将实施了镀敷处理的基板向清洗模块500搬运。清洗模块500对基板实施清洗处理。搬运装置700将实施了清洗处理的基板向旋转清洗干燥器600搬运。旋转清洗干燥器600对基板实施干燥处理。搬运装置700将实施了干燥处理的基板向搬运机器人110交接。搬运机器人110将从搬运装置700接受到的基板向装载口100的盒搬运。最后,从装载口100搬出收纳有基板的盒。
图3是表示具备本实施方式所涉及的板的镀敷模块的一个例子的概略图。如图3所示,本实施方式所涉及的镀敷模块400是所谓的面朝下式或者杯式的镀敷模块。镀敷模块400具备镀敷槽401、基板保持件403、镀敷液存积槽404。基板保持件403构成为,将晶圆等基板402保持为使其被镀敷面向下。镀敷模块400具有使基板保持件403沿周向旋转的马达411。在镀敷槽401中以与基板402对置的方式配置有阳极410。
镀敷模块400还具有镀敷液承接槽408。镀敷液存积槽404内的镀敷液通过泵405、过滤器406和镀敷液供给管407从镀敷槽401的底部向镀敷槽401内供给。从镀敷槽401溢出的镀敷液被镀敷液承接槽408接受,返回镀敷液存积槽404。
镀敷模块400还具有连接于基板402和阳极410的电源409。马达411使基板保持件403旋转,并且电源409对基板402与阳极410之间施加规定电压,由此,在阳极410与基板402之间流动有镀敷电流,在基板402的被镀敷面形成有镀敷膜。
在基板402与阳极410之间配置有电场调整用的板10。另外,在基板402与板10之间配置有叶桨412。叶桨412通过利用未图示的驱动机构与基板402平行地往复运动来搅拌镀敷液,在基板402的表面形成镀敷液的强流。
图4是板10的主视图。如图4所示,板10具有圆形(正圆)或者长孔的多个孔12。孔12在板10的表面与背面之间贯通,构成使镀敷液和镀敷液中的离子通过的路径。
在本实施方式所涉及的板10中,多个孔12配置于以板10的中心为基准同心且直径不同的多个(例如三个以上)假想的基准圆上。换言之,多个孔12配置为在板10的径向上分散。并且,在板10中,优选任意的基准圆的直径和与其邻接的基准圆的直径之差恒定。换言之,优选孔12在径向上以等间隔配置。由此,能够使孔12沿着基准圆的径向更分散地配置。另外,在板10中,优选多个孔12在基准圆上沿着周向以等间隔配置。由此,能够使孔12沿着基准圆的周向分散地配置。此外,此处的术语“等间隔”不局限于数学上完全的等间隔,也可包括因机械加工等的误差引起的少许偏差。此外,图4的例子中,多个孔12整体的轮廓(孔形成区域的外形、从外侧包围最外侧的多个孔12的包络线)为圆形,但也可以成为除圆形以外的任意形状。孔形成区域是从外侧包围距板10的中心最远的多个孔12的包络线的内部区域。
图4的例子中,板10的孔形成区域的中心部和外周部的孔12由长孔形成,中心部与外周部之间的中间部的孔12由圆形的孔形成。此外,也可以使中心部或者外周部中至少一者处的孔12为长孔。另外,也可以使包括中心部的最内周的基准圆上的一个或者多个基准圆上的孔12为长孔,也可以使包括外周部的最外周的基准圆是的一个或者多个基准圆上的孔12为长孔。在本实施方式中,对于圆形的孔12中难以实现接近目标气孔率P的气孔率(后述)的部分而言,通过使孔12成为长孔,能够在孔形成区域的各区域中实现接近目标气孔率P的气孔率或者与目标气孔率P一致的气孔率。
接下来,对板10的制造方法进行说明。图5A和图5B是表示板10的制造工艺的流程图。首先,准备成为板10的材料的没有开设孔12的板10(步骤S201)。没有开设孔12的板10由电绝缘性材料例如PVC(聚氯乙烯)等构成。
接下来,设定板10的目标气孔率P(步骤S202)。此处,气孔率能够通过“多个孔12的全部面积/形成孔12的区域的面积(区域面积)”来表示。在以下的说明中,存在将多个孔12的全部面积称为总孔面积的情况。另外,区域面积也有时被称为孔形成区域面积。图4中,孔形成区域与形成孔12的区域对应。另外,目标气孔率P是成为板10的制造工艺中使用的目标的气孔率。目标气孔率P能够预先通过试验或者模拟得到适当的数值。具体而言,目标气孔率P由于判断与基板402与板10之间的距离对应地存在适当的目标气孔率P,所以能够基于图3所示的镀敷模块400的基板402与板10的距离,通过试验或者模拟得到适当的目标气孔率P。
接下来,设定形成于板10的孔12的孔径Dpore和区域半径R(步骤S203)。孔径Dpore只要是能够机械加工的尺寸,则能够基于经验法则等任意设定。区域半径R是板上的形成有孔12的圆形的区域(孔形成区域)的半径,例如,能够基于图3所示的镀敷槽401、基板402和/或者阳极410的大小任意设定。此外,在本实施方式中,仅称为“径向”或者“周向”时是指“区域半径R的径向”或者“区域半径R的周向”。
在设定了目标气孔率P、孔径Dpore和区域半径R之后,计算分割区域数Div(步骤S204)。此处,如图6所示,分割区域是具有一定宽度的环状的区域,且是分别配置有同心且直径不同的多个基准圆的区域。因此,通过决定该分割区域数Div,来决定使孔12在区域半径R方向上以怎样的程度分散配置。
图6是表示形成通过板10的区域半径R划分的孔12的区域的概略图。图示的例子中,分割区域数Div为6,并从区域半径R的中心侧朝向外侧依次示出分割区域N1~分割区域N6。基准圆Crefk是表示配置有多个孔12(孔12的中心)的位置,并连接各分割区域Nk的宽度的中央点而形成的圆。此外,在本实施方式中,“k”是表示分割区域的编号(在本实施方式中1~6)的代数。分割区域N1包括区域半径R的中心,与其他分割区域N2~分割区域N6不同,且为圆形。基准圆半径Rrefk是以各基准圆Crefk的区域半径R的中心为基准的半径。
如图6所示,区域半径R相当于最大的分割区域Nk(图示的例子中分割区域N6)的外侧的直径。另外,分割出的区域半径R的差值AP是各分割区域Nk与邻接的分割区域Nk+1(或者分割区域Nk-1)之间的径向上的差值。换言之,分割出的区域半径R的差值AP也能够称为各分割区域Nk的宽度。
板10的孔12具有孔径Dpore。孔12各自的孔面积Spore能够通过π×(孔径Dpore/2)^2来表示。各分割区域Nk的基准圆Crefk上的孔12从任意直径配置于初始角度θint_k的位置,且从该孔12起按每角度间隔θpitch_k分离配置。针对初始角度θint_k和角度间隔θpitch_k,详情将后述。
图7是对多个孔12的周向空间与径向空间的关系进行说明的概略图。如图7所示,多个孔12的周向空间Sc相当于配置在各分割区域的基准圆Crefk上的多个孔12的周向的分离距离。另外,多个孔12的径向空间Sr相当于配置在各分割区域Nk的基准圆Crefk上的多个孔12的区域半径R方向上的分离距离。此处,为了使多个孔12均衡地分散配置于板10,优选配置在各分割区域Nk的基准圆Crefk上的多个孔12的周向间距Sc与径向间距Sr相同或者近似。
因此,通过相同地规定多个孔12的周向间距Sc和径向间距Sr,分割区域数Div能够根据目标气孔率P、孔径Dporee和区域半径R来计算。具体而言,分割区域数Div能够通过下式表示。
分割区域数Div=ROUND[SQRT{(4×区域半径R^2×目标气孔率P)/(孔径Dpore^2×π)}]
由此,能够计算周向间距Sc与径向间距Sr近似的分割区域数Div。此外,在本实施方式中,通过使用Round函数进行四舍五入而使分割区域数Div成为整数。不局限于此,也可以使用对计算结果取整数的任意函数。
接着,对分割出的区域半径R的差值AP、各分割区域面积Sk、各分割区域的孔数Prk和各分割区域的基准圆半径Rrefk进行计算(步骤S205)。在本实施方式中,各分割区域Nk的宽度相同,该宽度与差值AP相等。这样,差值AP能够通过(区域半径R/分割区域数Div)来表示,能够根据区域半径R和分割区域数Div来计算。
若决定差值AP则能够计算各分割区域面积Sk。具体而言,分割区域面积Sk能够通过(差值AP×k)^2×π-(差值AP×(k-1))^2×π来表示,能够根据差值AP来计算。
各分割区域的孔数Prk能够根据各分割区域面积Sk、目标气孔率P、孔径Dpore来计算。具体而言,各分割区域的孔数Prk能够通过下式来表示。
各分割区域的孔数Prk=ROUND((各分割区域面积Sk×目标气孔率P)/孔面积Spore)
此外,在本实施方式中,通过使用Round函数进行四舍五入,使各分割区域的孔数Prk成为整数。不局限于此,也可以使用对计算结果取整数的任意函数。
基准圆半径Rrefk能够根据分割出的区域半径R的差值AP来计算。具体而言,基准圆半径Rrefk能够通过(差值AP×(k-0.5))来表示。
如上述那样,通过步骤S205的处理,来计算形成于各分割区域Nk的孔12的孔数Prk。但是,分割区域Nk的孔数Prk在计算的中途取整数。另外,为了计算各分割区域Nk的孔数Prk而使用的各分割区域面积Sk根据取整数的分割区域数Div导出。因此,根据各分割区域的孔数Prk计算的总孔面积Sact(=各分割区域Nk的孔数Prk×孔面积Spore:与各分割区域的实际的气孔率对应)与根据目标气孔率P计算的成为目标的理论上的总孔面积Stheo(=目标气孔率P×分割区域面积Sk:与各分割区域的目标气孔率对应)可产生差值。此处,对基于分割区域Nk中的一个分割区域的孔数Prk计算的总孔面积Sact(孔12的合计面积)和基于相同的分割区域Nk的目标气孔率P计算的理论上的总孔面积Stheo(理论上的孔12的合计面积)的误差进行计算。具体而言,在本实施方式中,对于每个分割区域Nk计算根据取整数得到的孔数Prk计算的总孔面积Sact与理论上的总孔面积Stheo间的比率(步骤S206)。具体而言,该比率通过(总孔面积Sact/理论上的总孔面积Stheo×100)来表示。
接着,针对各分割区域中每个分割区域,基于计算出的总孔面积Sact与总孔面积Stheo之间的误差是否满足规定值,在为规定值以上的情况下,使该分割区域Nk的孔12的孔数Prk增加,使孔径Dpore减少。具体而言,在本实施方式中,在总孔面积Stheo与总孔面积Sact之间的误差不足2%的情况下(步骤S207,是),进入步骤S211(图5B)的处理。另一方面,在总孔面积Stheo与总孔面积Sact之间的误差为2%以上的情况下(步骤S207,否),使该分割区域Nk的孔数Prk成为2.25倍,并且使孔径Dpore减少至2/3(步骤S208)。在使孔数Prk成为2.25倍时其值成为小数的情况下,也可以使用任意函数取整数。由此,在该分割区域Nk中孔12变小且数量增加,从而能够使总孔面积Sact(基于孔数Prk×孔径Dpore的实际的气孔率)更接近总孔面积Stheo(目标气孔率)。此外,此时的孔数Prk的增加和孔径Dpore的减少能够在根据变更后的孔数Prk和孔径Dpore计算的总孔面积Sact的误差不足2%的范围内以任意倍率进行。
接着,求解根据调整后的孔数Prk、孔径Dpore计算的孔间空间Sc、Sr,判定孔间空间Sc和孔间空间Sr是否大于能够机械加工的最小孔间空间Ss(步骤S209)。步骤S209针对各分割区域实施。
图8中,外侧的多个孔12处于基准圆Crk(半径Rrefk)上,内侧的多个孔12处于基准圆Crk-1(半径Rrefk-1)上。孔间空间Sc是周向上孔12间的空间,如图8所示,能够通过从在基准圆Crk(半径Rrefk)上在周向上邻接的孔12的中心间的距离亦即周向的间距Pc减去在周向上邻接的孔12的各半径的合计来求解。具体而言,能够通过下式来计算。
孔间空间Sc=2π×Rrefk/Prk-Dpore……(式1)
另外,孔间空间Sr是在径向上邻接的孔12之间的空间,如图8所示,能够通过从在径向上邻接的孔12的中心间的距离亦即径向的间距Pr中减去在径向上邻接的孔12的各半径的合计来求解。具体而言,能够通过下式来计算。
孔间空间Sr=(Rrefk-Rrefk-1)-Dpore……(式2)
而且,判定计算出的孔间空间Sc和孔间空间Sr是否大于能够加工的最小孔间空间Ss即是否满足下式。
Sc≥Ss并且Sr≥Ss……(式3)
作为其结果,在孔间空间Sc和孔间空间Sr为最小孔间空间Ss以上的情况下,进入步骤S211(图5B)。
在孔间空间Sc或者孔间空间Sr不足最小孔间空间Ss的情况下,使该分割区域Nk的孔12成为长孔(步骤S210)。具体而言,将步骤S208中调整后的孔数Prk、孔径Dpore复原,如图9和图10所示,使圆形的孔12成为沿着基准圆的周向延伸的长孔12。例如,在铣刀加工的情况下,根据立铣刀加工的轨迹的长度来控制长孔的长度/面积。图9中,121表示立铣刀加工的起点处的与立铣刀末端的形状对应的圆形部分,122表示立铣刀加工的终点处的与立铣刀末端的形状对应的圆形部分。连接圆形部分121与圆形部分122之间(各圆形部分的中心C121、C122)的圆周状部分表示立铣刀的轨迹。
为了防止孔的花纹以晶圆上的膜厚分布的形式展示出来(防止长孔变得过长),优选将长孔12的孔数选择为保证最小孔间空间Sc,并且形成尽可能多的长孔。在本实施方式中,以确保最小孔间空间Sc并且实现最大孔数的方式求解长孔12的孔数Prk、与长孔12的轨迹的长度对应的基准圆的中心角θL(参照图11)。以下,参照图11和图12,对孔数Prk和中心角θL的计算方法进行说明。
此外,步骤S210中实施长孔化的区域是总孔面积的误差为规定值以上的分割区域(步骤S207中否),因此,在孔数少的孔形成区域的中心附近的中心部中,孔12从圆形变更为长孔。
如图11所示,基准圆Crefk中邻接的长孔12之间的孔间空间Sc的合计能够通过从配置有长孔12的基准圆Crefk的圆周的长度减去长孔12的长度的合计来计算。具体而言,能够通过下式来计算。
孔间空间Sc的合计=2π×Rrefk-(2π×Rrefk×θL/360+Dpore)×Prk……(式4)
为了使孔间空间Sc成为最小孔间空间Ss以上,需要满足下式。
2π×Rrefk-(2π×Rrefk×θL/360+Dpore)×Prk≥Ss×Prk……(式5)
在式5中,左边是基准圆Crefk的孔间空间Sc的合计,右边是基准圆Crefk的最小孔间空间Ss的合计,且对应于孔间空间Sc为最小孔间空间Ss以上的条件。
而且,为了使形成长孔12的分割区域Nk的气孔率与目标气孔率P相等,为了使长孔12的合计面积(总孔面积Sact)与根据分割区域Nk的目标气孔率计算的总孔面积Stheo相等,需要满足下式。
Stheo/Prk=π(Dpore/2)2+{π(Rrefk+Dpore/2)2-π(Rrefk-Dpore)2}×θL/360……(式6)
此处,左边是将对分割区域Nk的目标气孔率P乘以分割区域Nk的面积而计算出的总孔面积Stheo除以长孔12的孔数Prk得到的。右边是使用长孔12的中心角θL来表示一个长孔的面积。如图12所示,π(Dpore/2)2表示将长孔12的两端的半圆121-1、122-1的面积合并而得到的面积。{π(r+Dpore/2)2-π(r-Dpore)2}×θL/360表示长孔12的除去两端的半圆之外的圆环状部分123的面积。
根据式6,由Prk表示θL,并将其代入式5的θL,由此,求解满足式5的最大长孔的孔数Prk。另外,将求出的孔数Prk代入式6而求出θL。通过像这样决定长孔12的孔数Prk、中心角θL,能够确保孔间空间Sc,并且使分割区域Nk的长孔12的总孔面积(气孔率)与成为目标的总孔面积Stheo(目标气孔率P)一致或者接近。此外,长孔12使原来的圆形的孔12在周向上延伸而形成,因此,在使圆形的孔12长孔化的过程中,孔径Dpore没有变更。因此,针对径向的孔间空间Sr,不需要考虑。
接下来,在步骤S211中,从实验或者模拟结果,以使基板整体的膜厚分布平坦的方式调整孔形成区域的区域半径R、各分割区域Nk的气孔率Pk。在本实施方式中,不变更步骤S203中设定的区域半径R,以使包括最外周的分割区域Nk的一个或者多个分割区域Nk的孔径Dpore为0且实质形成有孔的区域的半径(实质的区域半径)减少的方式调整。由此,能够防止因区域半径R的再设定产生的重新计算。另外,在孔径Dpore=0的一个或者多个分割区域Nk的内侧的一个或者多个分割区域Nk中,使目标气孔率P增加。
在基板402的外周部(边缘部)中,由于电场的环绕而存在膜厚变大的倾向。特别是,如图3所示,当在基板402与板10之间设置了叶桨412的情况下,为了确保叶桨412的设置的空间和运动的空间,需要增大基板402与板10之间的距离和镀敷槽401的在水平面方向上的尺寸。因此,基板402的外周部处,电场的环绕的影响变大,如图13的(a)所示,基板的边缘部分的膜厚变厚的倾向提高。因此,为了抑制基板402的外周部的膜厚的增加,使孔形成区域的区域半径R最佳化(减少)(图13的(b)),并且使与膜厚低的部分对应的分割区域Nk的孔面积(气孔率Pk)最佳化(增加)(图13的(c))。图13中,省略叶桨412。
具体而言,如图13的(b)所示,使区域半径R减少来减弱到达基板402的外周部的电场。但是,若仅使区域半径R减少,则如该图所示,在基板外周部产生膜厚比中心部侧小的部分。因此,如图13的(c)所示,使与基板402的外周部对应的板10的孔形成区域的外周部的气孔率(目标气孔率P)增加,使基板402的外周部的膜厚增加,基板402整体的膜厚分布变得更加平坦。
接下来,在变更了区域半径R、目标气孔率P之后,以使各分割区域Nk的总孔面积Sact(π(Dpore/2)2)×Prk成为变更后的目标气孔率/变更前的目标气孔率倍的方式调整孔径Dpore(步骤S212)。具体而言,在孔径Dpore=0的一个或者多个分割区域Nk的内侧的一个或者多个分割区域Nk中,以使总孔面积Sact(π(Dpore/2)2)×Prk成为变更后的目标气孔率/变更前的目标气孔率倍的方式增大孔径Dpore。在图13的例子中,使包括最外周的分割区域的一个或者多个分割区域的孔径Dpore=0,在上述分割区域的内侧的一个或者多个分割区域中,以实现增加后的目标气孔率P的方式使孔径Dpore增加。
根据步骤S211、S212,能够使实质性的区域半径变小(图13的(b)),并且能够使与膜厚低的部分对应的分割区域Nk的孔面积(气孔率Pk)增加(图13的(c))。此外,也可以是,根据基板,为了使膜厚分布更加平坦,在最外周的分割区域的外侧追加分割区域而使实质性的区域半径增大。另外,也可以组合使一部分分割区域的孔面积(气孔率Pk)减少、一部分分割区域的孔面积(气孔率Pk)的增加和一部分分割区域的孔面积(气孔率Pk)的减少等,而使各分割区域的孔面积(气孔率Pk)根据需要来增减。
而且,使用变更后的Dpore,根据式1和式2,求解周向的孔间空间Sc、径向的孔间空间Sr,判定Sc和Sr是否为最小加工空间Ss以上(步骤S213)。作为其结果,在孔间空间Sc和孔间空间Sr为最小孔间空间Ss以上的情况下,进入步骤S215。
在孔间空间Sc或者孔间空间Sr不足最小孔间空间Ss的情况下,使步骤S212中变更后的孔径Dpore复原,与步骤S210中叙述的相同,将在步骤S211中变更后的孔12以实现变更后的目标气孔率P的方式长孔化(步骤S214)。其后,转移至步骤S215。此外,步骤S214中实施长孔化是针对变更了目标气孔率P的分割区域(步骤S211)的,因此,在孔形成区域的外周部(孔径Dpore=0的一个或者多个分割区域Nk的内侧的一个或者多个分割区域即包括变更后的实质的区域半径中最外周的分割区域的一个或者多个分割区域),孔12从圆形变更为长孔。此处,说明了如下例子:在步骤S211中,根据图13所示的膜厚分布,对板10的孔形成区域的外周部的目标气孔率P进行变更,但也可以根据基板402上的镀敷的膜厚分布,在板10的孔形成区域的任意分割区域中调整目标气孔率P。另外,步骤S211中的调整无论有无叶桨412均能够实施。
根据步骤S202~步骤S214的处理,决定分割区域数Div即径向的孔12的配置数、径向空间Sr和各分割区域的基准圆Crefk上的孔12的周向的配置数。接下来,能够决定各基准圆Crefk上的孔12的配置角度。具体而言,对配置于各分割区域Nk的孔12的角度间隔θpitch_k和初始角度θint_k进行计算(步骤S215)。首先,孔12的角度间隔θpitch_k通过(360°/各分割区域的孔数Prk)来表示。
接着对初始角度θint_k的计算方法进行说明。在本实施方式中,初始角度θint_k是成为基准的孔12的相对于基准圆Crefk任意半径的角度。形成于板10的多个孔12从成为该基准的孔12起以角度间隔θpitch_k配置在基准圆上。在本实施方式中,以使分别配置在邻接的三个基准圆Crefk上的三个孔12的中心不在任意半径上排列的方式计算初始角度θint_k。具体而言,例如以使分别配置于分割区域Nk的基准圆Crefk至分割区域Nk+2的基准圆Crefk+2的孔12不在相同的半径上排列的方式对分别配置于分割区域Nk至分割区域Nk+2的孔12的初始角度θint_k进行计算。此外,在长孔化的孔12的情况下,孔12的中心成为在长孔的两端的圆形部分121、122的中心通过的圆周的中央的位置(距两端的圆形部分的中心等距离的位置)。
在本实施方式中,作为一个例子,将分割区域N1的初始角度θ1设为角度间隔θpitch_1,将分割区域N2的初始角度θ2设为(角度间隔θpitch_1+初始角度θ1/2)。接着,将分割区域N3的初始角度θ3设为(角度间隔θpitch_1+(初始角度θ1+初始角度θ2)/2)。即,能够根据下式计算任意分割区域Nk的初始角度θi。
[数1]
另外,作为其他例子,将分割区域N1的初始角度θ1设为角度间隔θpitch_1,将分割区域N2的初始角度θ2设为角度间隔θpitch_2。将分割区域N3的初始角度θ3设为(角度间隔θpitch_3+(初始角度θ1+初始角度θ2)/2)。另外,将分割区域N4的初始角度θ4设为角度间隔θpitch_4。接下来,将分割区域N5的初始角度θ5设为(角度间隔θpitch_5+(初始角度θ1+初始角度θ2+初始角度θ3+初始角度θ4)/2)。即,任意分割区域Nk的初始角度θi在i=2n(n为1以上的整数)时,能够通过下式来计算。
[数2]
θi=θpitch_i
另外,在i=2n+1时,任意分割区域Nk的初始角度θi能够根据下式来计算。
[数3]
若孔12以通过以上举出的两个计算例计算的初始角度θint_k和角度间隔θpitch_k配置在各个分割区域Nk的基准圆Crefk上,则分别配置在邻接的三个基准圆Crefk上的三个孔12的中心没有在板10的任意半径上排列。此外,上述的数1~数3为例子,也可以采用分别配置在邻接的三个基准圆Crefk上的三个孔12的中心不在任意半径上排列的任意初始角度θint_k。另外,也可以根据各分割区域的孔12的图案,来计算初始角度θint_k。具体而言,在形成有长孔的孔12的分割区域中,也可以通过上述例子以外的方法,另外以抑制向邻接的分割区域的孔12接近的方式计算初始角度θint_k。
在计算出各分割区域Nk的初始角度θint_k和角度间隔θpitch_k之后,根据步骤S202至步骤S215中计算出的参数,从板10的中心侧的分割区域Nk即分割区域N1起依次形成孔12(步骤S216)。
如以上说明的那样,对于每个分割区域,在孔间空间不足最小加工孔间空间的情况下使孔长径化,因此,能够解决孔的加工变困难或者没有对应于所需的孔径的直径的钻头这样的问题,在各分割区域中,能够使实际形成的孔的总孔面积与根据目标气孔率P计算出的理论上的总孔面积Stheo更接近或者一致。即,能够使因实际形成的孔产生的气孔率与目标气孔率更加接近或者一致。此外,除了上述理由以外,还由于没有对应于所需的孔径的直径的钻头这样的问题或者加工成本的观点等其他理由而判断为长孔化较佳的情况下,无论图5A和图5B的步骤S209、S213的判定结果如何,均可以实施长孔化。
另外,通过调整各分割区域Nk的气孔率Pk,能够局部变更板10的气孔率。由此,能够改善基板上的镀敷的膜厚分布,提高面内均匀性。另外,为了调整基板外周部的膜厚,通过调整板10的孔形成区域的区域半径R,并且使孔形成区域的各分割区域的气孔率最佳化(例如图13),能够使基板整体的膜厚变平坦。另外,通过气孔率的调整,在孔间空间不足最小加工孔间空间的情况下,使孔长径化,由此,能够以实现调整后的气孔率的方式进行孔的加工。
分别配置在邻接的三个基准圆Crefk上的三个孔12的中心不在板10的任意半径上排列,因此,可抑制在任意半径上密集地配置有孔12的情况,因此,能够抑制孔12的分布的局部的各向异性。
另外,多个孔12在基准圆Crefk上沿着周向以等间隔配置于板10,因此,可抑制孔12密集地配置在基准圆Crefk上,能够抑制孔12的分布的局部的各向异性。
并且,板10中配置有孔12的任意基准圆Crefk的直径与邻接的基准圆Crefk+1的直径之差恒定。换言之,孔12在径向上以等间隔配置,因此,可抑制孔12在径向上密集地配置的情况,能够抑制孔12的分布的局部的各向异性。
以下记载本说明书公开的形式的几个。
根据第1形式,提供一种板,在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,上述板具备:形成有多个孔的孔形成区域,上述孔形成区域具有:中心部、处于中心部的外侧的中间部、处于中间部的外侧的外周部,上述孔形成区域的中心部和外周部具有多个长孔,上述孔形成区域的上述中间部具有多个圆形的孔。孔形成区域也可以是板的整个面,也可以是板的局部。例如,也可以是在孔形成区域的外周缘的外侧没有形成有孔的区域。
根据该形式,在孔形成区域的中心部或者外周部,容易使作为孔的分布密度的气孔率接近所希望的目标气孔率。例如,在圆形的孔的情况下,根据目标气孔率计算的孔数上产生小数,需要取整数来决定孔数。因此,以取整数的孔数形成的孔的气孔率特别是在孔数少的中心部,存在与目标气孔率产生误差的情况。另外,在为了接近目标气孔率而使孔数增加和/或者使孔径减少的情况下,存在邻接的孔的间隔亦即孔间空间低于能够加工的最小孔间空间的情况,存在机械加工变困难或者没有对应于所需的孔径的直径的钻头的情况。在这样的情况下,通过使该部分的孔成为长孔,能够以确保最小孔间空间并且接近目标气孔率的方式形成孔。
另外,存在如下情况:为了提高形成在基板上的镀敷膜的面内均匀性,优选将孔形成区域的特定的部分的目标气孔率变更为与其他部分不同。但是,若根据变更后的目标气孔率来变更孔径(和/或者孔数),则存在孔间空间变成不足最小孔间空间的情况。在这种情况下,也通过使该部分的孔成为长孔,能够以确保最小孔间空间并且接近目标气孔率的方式形成孔。
通过长孔能够确保最小孔间空间并且实现所希望的分布密度的理由是由于与圆形的孔不同,长孔抑制/防止板的径向的孔尺寸的变化以及抑制孔数的增大,并且能够在板的周向上调整孔的尺寸而高精度地调整孔面积。此外,由于除上述理由以外的理由(没有对应于所需的孔径的直径的钻头这样的问题、加工成本的观点等),判定为与变更孔径相比成为长孔更佳的情况下,也可以实施长孔化。另外,无论变更孔径的必要性如何,在由于其他任意理由判断为成为长孔更佳的情况下,也可以取代圆形的孔而形成长孔。
另外,在将孔以同心状配置的情况下,中间部比中心部孔数多,因上述的孔数的取整数引起的气孔率的误差减少,存在误差不足规定值的倾向。另外,存在如下情况:在基板的外周部存在镀敷膜变厚或者变薄的倾向,希望以提高镀敷膜厚的面内均匀性作为目的变更孔径而调整孔形成区域的外周部的目标气孔率。因此,在中心部和/或者外周部处形成长孔而实现所希望的目标气孔率,另一方面,在中间部,形成更容易加工的圆形的孔,由此,能够使板的制造更容易。
根据第2形式,在第1形式的板中,上述多个孔的一部分或者全部形成在同心的多个圆的圆周上,包括最内周的圆周的邻接的一个或者多个圆周上的孔为长孔,和/或者包括最外周的圆周的邻接的一个或者多个圆周上的孔为长孔。
根据该形式,通过使上述的孔数的取整数的影响大的最内周的圆周和与其邻接的一个或者多个圆周上的孔成为长孔,可抑制因孔数的取整数引起的误差。另外,通过使与具有镀敷膜不均匀的倾向的基板外周部对应的最外周的圆周和与其邻接的一个或者多个圆周上的多个孔成为长孔,可提高目标气孔率的调整的自由度,可提高基板上的镀敷膜的面内均匀性。也可以是,在孔形成区域的中心部处,仅使最内周的圆周上的孔成为长孔。另外,也可以是,在孔形成区域的外周部处,仅使最外周的圆周上的孔成为长孔。
根据第3形式,在第1或者2形式的板中,作为孔的分布密度的气孔率在上述外周部处与其他部分处不同。
根据该形式,通过将孔形成区域的外周部的目标气孔率调整为与其他部分不同,从而能够局部调整具有镀敷膜变厚的倾向的基板的外周部的镀敷膜厚,能够提高镀敷膜厚的面内均匀性。
根据第4形式,提供一种板,在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,上述板具备:形成有多个孔的孔形成区域,在上述孔形成区域的外周部处与其他部分处,作为孔的分布密度的气孔率不同,上述外周部具有长孔。
根据该形式,能够在与基板上镀敷的膜厚分布不均匀的部分对应的板的孔形成区域的部分局部地调整目标气孔率,能够提高镀敷膜厚的面内均匀性。另外,通过利用长孔调整气孔率,能够扩大气孔率的调整范围。例如,通过利用长孔调整孔形成区域的外周部的目标气孔率,能够局部高精度地调整具有镀敷膜变薄或者变厚的倾向的基板的外周部的镀敷膜厚,能够提高镀敷膜厚的面内均匀性。
根据第5形式,在第4形式的板中,处于上述外周部内侧的中间部具有多个圆形的孔,处于上述中间部的内侧的中心部具有多个长孔。
根据该形式,通过使因上述的取整数得到的孔数产生的影响大的中心部的孔成为长孔,并使中间部的孔成为容易加工的圆形的孔,能够实现所希望的气孔率,并且使板的制造变容易。
根据第6形式,在第4或者5形式的板中,上述中心部和上述中间部的气孔率相等。
根据该形式,通过使处于外周部的内侧的中心部与中间部的气孔率相等,能够提高基板的外周部的内侧的面内均匀性。
根据第7形式,在第1~6形式的任一个板中,上述长孔的长度方向沿着圆周,上述长孔具有:处于上述长孔的两端的半圆形的部分和处于上述半圆形的部分之间的圆环状部分的局部。
根据该形式,长孔通过使铣刀加工中的立铣刀沿着圆周移动而形成。通过控制立铣刀加工的轨迹的长度,能够控制长孔的长度/面积。能够防止在板径向上孔尺寸增大,并且能够抑制在周向上孔数增大,并且能够调整孔的尺寸,因此,能够确保孔间尺寸,并且实现所希望的气孔率。
根据第8形式,提供一种镀敷装置,具备:第1~7形式中任一项的板;和收容上述板的镀敷槽。根据该形式,能够提供与上述形式的任一种板相关地起到上述的作用效果的镀敷装置,可提高镀敷膜的面内均匀性。
根据第9形式,在第8形式的镀敷装置中,还具备:配置于上述基板与上述板之间的叶桨。
根据该形式,通过叶桨搅拌在基板表面形成镀敷液的强流,能够提高面内均匀性。另外,通过配置叶桨而增大基板与板之间的距离,能够缓和基板与板之间的轴错位灵敏度。另一方面,通常基板的外周部集中有电场,具有膜厚变厚的倾向。另外,在板与基板之间存在叶桨的情况下,为了确保叶桨的设置空间和运动空间,基板与板之间的距离和镀敷槽的平面方向的尺寸变大,电场向基板的外周部的环绕变大,基板外周部处膜厚变厚的倾向更加显著。在这样的情况下,也通过使用上述的板,来调整板的外周部的目标气孔率,可提高基板上的镀敷膜的面内均匀性。
根据第10形式,提供一种板的制造方法,上述板在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,并具有多个孔,上述板的制造方法包括:决定区域半径,上述区域半径为在上述板形成上述多个孔的区域的半径,决定上述多个孔的孔径,且决定上述区域半径内的上述区域的目标气孔率;基于上述区域半径、上述孔径和上述目标气孔率,将上述区域分割为包括上述区域的中心的圆形的分割区域和具有与上述圆形的分割区域相同的一定宽度的环状的多个分割区域;及在分别位于上述板的上述多个分割区域的基准圆上形成上述多个孔,在上述多个分割区域中的一个或者多个分割区域中,在上述基准圆上形成长孔。
根据该形式,在各分割区域中,容易使作为孔的分布密度的气孔率接近所希望的目标气孔率。即,通过在圆形的孔中难以实现目标气孔率的分割区域中使孔成为长孔,能够抑制板的径向的孔尺寸的变化,并且通过使板的周向的孔尺寸增大或者减少,能够确保孔间空间并且使孔面积增大或者减少。由此,在各分割区域中,能够提高气孔率的调整范围。
根据第11形式,在第10形式的板的制造方法中,包括如下步骤:对于每个分割区域,将根据分割区域的面积和目标气孔率决定的目标的总孔面积除以与上述孔径对应的上述孔的面积并取整数而决定孔数;对于每个分割区域,判定上述取整数得到的孔数的总孔面积与上述目标的总孔面积之间的误差是否为规定值以上,若上述误差为规定值以上,则使上述孔数增加并且使上述孔径减少;以及作为变更上述孔数和孔径的结果,孔间空间不足能够加工上述孔的最小孔间空间的情况下,使该分割区域的孔成为长孔。
在圆形的孔的情况下,如上述那样,在圆形的孔的情况下,在为了缩小因根据目标气孔率计算并取整数的孔数引起的气孔率的误差而使孔数增加和/或者使孔径减少的情况下,存在孔间空间低于最小孔间空间的情况,存在机械加工变困难的情况。在这样的情况下,通过使该部分的孔成为长孔,能够确保最小孔间空间,并且接近目标气孔率。
根据第12形式,在第10或11形式的板的制造方法中,包括如下步骤:在至少一部分分割区域中变更上述目标气孔率,并以实现变更后的上述目标气孔率的方式变更上述孔径;和在作为变更上述孔径的结果而孔间空间不足能够加工上述孔的最小孔间空间的情况下,使对应的分割区域的上述多个孔成为长孔。
存在如下情况:为了提高形成在基板上的镀敷膜的面内均匀性等,优选将孔形成区域的特定部分的目标气孔率变更为与其他部分不同。但是,若根据变更后的目标气孔率来变更孔数和/或者孔径,则存在孔间空间不足最小孔间空间的情况。根据该形式,通过使这样的特定部分的孔成为长孔,能够以确保最小孔间空间并且接近目标气孔率的方式形成孔。
根据第13形式,在第10~12形式中任一项的板的制造方法中,上述孔间空间包括:作为将上述基准圆的圆周的长度除以上述孔数的值与上述孔径之差而决定的周向的孔间空间;和根据邻接的分割区域的基准圆的半径之差和上述孔径而决定的径向的孔间空间,在各分割区域中,在周向和径向的孔间空间的至少一者不足上述最小孔间空间的情况下,使上述多个孔成为长孔。
根据该形式,在各分割区域中,基于周向和径向这两个方向的孔间空间而进行长孔化,从而能够将周向和径向这两个方向的孔间空间确保为最小孔间空间以上。
根据第14形式,在第10~12形式中任一项的板的制造方法中,包括:设定用于在各分割区域配置上述多个孔的基准圆,上述长孔具有:处于上述长孔的两端的半圆状部分和处于上述半圆状部分之间的圆环状部分的局部,通过控制上述两端的半圆状部分的中心之间的上述基准圆的圆周的长度或者中心角的大小来形成上述多个长孔。
根据该形式,例如,通过使加工器具的末端沿着基准圆的圆周移动,能够容易控制长孔的面积。另外,能够使用基准圆的半径、圆形的孔的半径,高精度地计算长孔的面积。
根据第15形式,在第10~14形式中任一项所述的板的制造方法中,利用铣刀加工形成上述长孔,通过控制立铣刀加工的轨迹的长度,来控制上述长孔的面积。
根据该形式,通过立铣刀加工,可容易地形成所希望的长孔。另外,能够使用立铣刀的末端的圆形形状的半径计算长孔的长度/面积,因此,能够高精度地进行与目标气孔率对应的长孔的尺寸的设定。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但上述发明的实施方式是用于容易理解本发明的,不是对本发明进行限定。本发明能够不脱离其主旨地进行变更、改进,并且本发明包括其等效物是不言而喻的。另外,在能够解决上述课题的至少一部分的范围内或者在达到效果的至少一部分的范围内,权利要求书和说明书所述的各构成要素能够任意组合或者省略。
附图标记说明
Sc…周向间距;Prk…孔数;θint_k…初始角度;Rrefk…基准圆半径;Crefk…基准圆;AP…差值;Nk…分割区域;Dpore…孔径;P…目标气孔率;Sr…径向间距;R…区域半径;Div…分割区域数;10…板;400…镀敷模块;401…镀敷槽;402…基板;412…叶桨。
Claims (14)
1.一种板,在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,所述板的特征在于,
具备:形成有多个孔的孔形成区域,
所述孔形成区域具有:中心部、处于中心部的外侧的中间部、处于中间部的外侧的外周部,
所述孔形成区域的中心部和外周部具有多个长孔,以便具有第1目标气孔率,
所述孔形成区域的所述中间部具有多个圆形的孔,以便具有与所述孔形成区域的中心部以及外周部相同的所述第1目标气孔率。
2.根据权利要求1所述的板,其特征在于,
所述多个孔的一部分或者全部形成在同心的多个圆的圆周上,
包括最内周的圆周的邻接的一个或者多个圆周上的孔为长孔和/或者包括最外周的圆周的邻接的一个或者多个圆周上的孔为长孔。
3.根据权利要求1或2所述的板,其特征在于,
所述长孔的长度方向沿着圆周,所述长孔具有:处于所述长孔的两端的半圆形的部分和处于所述半圆形的部分之间的圆环状部分的局部。
4.一种镀敷装置,其特征在于,具备:
权利要求1或2所述的板;和
收容所述板的镀敷槽。
5.根据权利要求4所述的镀敷装置,其特征在于,
还具备:配置于所述基板与所述板之间的叶桨。
6.一种板的制造方法,所述板在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,并具有多个孔,所述板的制造方法的特征在于包括:
决定区域半径,所述区域半径为在所述板形成所述多个孔的区域的半径,决定所述多个孔的孔径,且决定所述区域半径内的所述区域的目标气孔率;
基于所述区域半径、所述孔径和所述目标气孔率,将所述区域分割为包括所述区域的中心的圆形的分割区域和具有与所述圆形的分割区域相同的一定宽度的环状的多个分割区域;及
在分别位于所述板的所述多个分割区域的基准圆上形成所述多个孔,
在所述多个分割区域中的一个或者多个分割区域中,在所述基准圆上形成长孔,
形成有多个孔的孔形成区域具有中心部、处于中心部的外侧的中间部、以及处于中间部的外侧的外周部,
所述孔形成区域的中心部以及外周部具有多个长孔,以便形成为第1目标气孔率,
所述孔形成区域的所述中间部具有多个圆形的孔,以便形成为与所述孔形成区域的中心部以及外周部相同的所述第1目标气孔率。
7.根据权利要求6所述的板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
对于每个分割区域,将根据分割区域的面积和目标气孔率决定的目标的总孔面积除以与所述孔径对应的所述孔的面积并取整数来决定孔数;
对于每个分割区域,判定所述取整数得到的孔数的总孔面积与所述目标的总孔面积之间的误差是否为规定值以上,若所述误差为规定值以上,则使所述孔数增加并且使所述孔径减少;以及
作为变更所述孔数和孔径的结果,孔间空间不足能够加工所述孔的最小孔间空间的情况下,使该分割区域的孔成为长孔。
8.根据权利要求6或7所述的板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
在至少一部分分割区域中变更所述目标气孔率,并以实现变更后的所述目标气孔率的方式变更所述孔径;和
在作为变更所述孔径的结果而孔间空间不足能够加工所述孔的最小孔间空间的情况下,使对应的分割区域的所述多个孔成为长孔。
9.根据权利要求7所述的板的制造方法,其特征在于,
所述孔间空间包括:作为将所述基准圆的圆周的长度除以所述基准圆上的所述多个孔的孔数得到的值与所述孔径之差而决定的周向的孔间空间;和根据邻接的分割区域的基准圆的半径之差和所述孔径而决定的径向的孔间空间,
在各分割区域中,在周向和径向的孔间空间中至少一者不足能够加工所述孔的最小孔间空间的情况下,使所述多个孔成为长孔。
10.根据权利要求6或7所述的板的制造方法,其特征在于,
所述长孔具有:处于所述长孔的两端的半圆状部分和处于所述半圆状部分之间的圆环状部分的局部,
该制造方法包括:通过控制所述两端的半圆状部分的中心之间的所述基准圆的圆周的长度或者中心角的大小来形成所述多个长孔。
11.根据权利要求6或7所述的板的制造方法,其特征在于,
包括:利用铣刀加工形成所述长孔,并通过控制立铣刀加工的轨迹的长度,来控制所述长孔的面积。
12.一种板的制造方法,所述板在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,并具有多个孔,所述板的制造方法的特征在于包括:
决定区域半径,所述区域半径为在所述板形成所述多个孔的区域的半径,决定所述多个孔的孔径,且决定所述区域半径内的所述区域的目标气孔率;
基于所述区域半径、所述孔径和所述目标气孔率,将所述区域分割为包括所述区域的中心的圆形的分割区域和具有与所述圆形的分割区域相同的一定宽度的环状的多个分割区域;及
在分别位于所述板的所述多个分割区域的基准圆上形成所述多个孔,
在所述多个分割区域中的一个或者多个分割区域中,在所述基准圆上形成长孔,
所述板的制造方法包括如下步骤:
在所述多个分割区域中的一个或者多个分割区域中,在所述基准圆上形成长孔,对于每个分割区域,将根据分割区域的面积和目标气孔率决定的目标的总孔面积除以与所述孔径对应的所述孔的面积并取整数来决定孔数;
对于每个分割区域,判定所述取整数得到的孔数的总孔面积与所述目标的总孔面积之间的误差是否为规定值以上,若所述误差为规定值以上,则使所述孔数增加并且使所述孔径减少;以及
作为变更所述孔数和孔径的结果,孔间空间不足能够加工所述孔的最小孔间空间的情况下,使该分割区域的孔成为长孔。
13.根据权利要求12所述的板的制造方法,其特征在于,
所述孔间空间包括:作为将所述基准圆的圆周的长度除以所述基准圆上的所述多个孔的孔数得到的值与所述孔径之差而决定的周向的孔间空间;和根据邻接的分割区域的基准圆的半径之差和所述孔径而决定的径向的孔间空间,
在各分割区域中,在周向和径向的孔间空间中至少一者不足能够加工所述孔的最小孔间空间的情况下,使所述多个孔成为长孔。
14.一种板的制造方法,所述板在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,并具有多个孔,所述板的制造方法的特征在于包括:
决定区域半径,所述区域半径为在所述板形成所述多个孔的区域的半径,决定所述多个孔的孔径,且决定所述区域半径内的所述区域的目标气孔率;
基于所述区域半径、所述孔径和所述目标气孔率,将所述区域分割为包括所述区域的中心的圆形的分割区域和具有与所述圆形的分割区域相同的一定宽度的环状的多个分割区域;及
在分别位于所述板的所述多个分割区域的基准圆上形成所述多个孔,
在所述多个分割区域中的一个或者多个分割区域中,在所述基准圆上形成长孔,
所述板的制造方法包括如下步骤:
在至少一部分分割区域中变更所述目标气孔率,并以实现变更后的所述目标气孔率的方式变更所述孔径;和
在作为变更所述孔径的结果而孔间空间不足能够加工所述孔的最小孔间空间的情况下,使对应的分割区域的所述多个孔成为长孔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310981105.9A CN117166027A (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 板以及镀敷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/042582 WO2022102119A1 (ja) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | プレート、めっき装置、及びプレートの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310981105.9A Division CN117166027A (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 板以及镀敷装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114829681A CN114829681A (zh) | 2022-07-29 |
CN114829681B true CN114829681B (zh) | 2023-09-05 |
Family
ID=76918288
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310981105.9A Pending CN117166027A (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 板以及镀敷装置 |
CN202080016383.5A Active CN114829681B (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 板、镀敷装置和板的制造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310981105.9A Pending CN117166027A (zh) | 2020-11-16 | 2020-11-16 | 板以及镀敷装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220356593A1 (zh) |
JP (1) | JP6906729B1 (zh) |
KR (2) | KR102388661B1 (zh) |
CN (2) | CN117166027A (zh) |
WO (1) | WO2022102119A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022264353A1 (ja) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | 株式会社荏原製作所 | 抵抗体、及び、めっき装置 |
JP7305075B1 (ja) | 2023-03-17 | 2023-07-07 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1610769A (zh) * | 2002-07-18 | 2005-04-27 | 株式会社荏原制作所 | 电镀装置 |
CN101136322A (zh) * | 2006-08-15 | 2008-03-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、气体供给装置、基板墀理方法和存储介质 |
CN106906454A (zh) * | 2015-10-28 | 2017-06-30 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3836588B2 (ja) * | 1997-11-19 | 2006-10-25 | 株式会社荏原製作所 | ウエハのメッキ装置 |
JP2008013851A (ja) * | 2000-04-27 | 2008-01-24 | Ebara Corp | 回転保持装置及び半導体基板処理装置 |
JP2002054000A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-19 | Nitto Denko Corp | 基板の電解めっき方法 |
JP2002235188A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法 |
JP2004225129A (ja) | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Ebara Corp | めっき方法及びめっき装置 |
US9045840B2 (en) * | 2011-11-29 | 2015-06-02 | Novellus Systems, Inc. | Dynamic current distribution control apparatus and method for wafer electroplating |
JP2010007153A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Ebara Corp | めっき装置及びめっき方法 |
JP2010138433A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置製造装置及び半導体装置製造方法 |
WO2013155229A1 (en) * | 2012-04-11 | 2013-10-17 | Tel Nexx, Inc. | Method and apparatus for fluid processing a workpiece |
KR101426373B1 (ko) * | 2012-09-14 | 2014-08-05 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 도금 장치 |
CN103866374B (zh) * | 2012-12-12 | 2017-06-06 | 诺发系统公司 | 电镀过程中用于高效传质的电解液流体动力的增强装置 |
EP2746432A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-25 | Atotech Deutschland GmbH | Device for vertical galvanic metal deposition on a substrate |
US9752248B2 (en) * | 2014-12-19 | 2017-09-05 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for dynamically tunable wafer-edge electroplating |
US10014170B2 (en) * | 2015-05-14 | 2018-07-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for electrodeposition of metals with the use of an ionically resistive ionically permeable element having spatially tailored resistivity |
US10240248B2 (en) * | 2015-08-18 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Adaptive electric field shielding in an electroplating processor using agitator geometry and motion control |
JP6538541B2 (ja) * | 2015-12-21 | 2019-07-03 | 株式会社荏原製作所 | レギュレーションプレート、これを備えためっき装置及びめっき方法 |
JP2017222905A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 富士通株式会社 | 電気めっき用遮蔽板 |
CN110892095B (zh) * | 2017-07-26 | 2022-08-16 | 住友电气工业株式会社 | 印刷配线板制造方法和印刷配线板制造装置 |
CN111032923B (zh) * | 2017-08-30 | 2021-12-28 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 电镀装置 |
CN111417741B (zh) | 2018-06-28 | 2022-05-10 | 株式会社爱发科 | 溅射成膜装置 |
JP7354020B2 (ja) * | 2020-03-04 | 2023-10-02 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置および抵抗体 |
-
2020
- 2020-11-16 WO PCT/JP2020/042582 patent/WO2022102119A1/ja active Application Filing
- 2020-11-16 KR KR1020217027515A patent/KR102388661B1/ko active IP Right Grant
- 2020-11-16 CN CN202310981105.9A patent/CN117166027A/zh active Pending
- 2020-11-16 JP JP2021512281A patent/JP6906729B1/ja active Active
- 2020-11-16 US US17/612,098 patent/US20220356593A1/en active Pending
- 2020-11-16 CN CN202080016383.5A patent/CN114829681B/zh active Active
- 2020-11-16 KR KR1020227012583A patent/KR102558727B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1610769A (zh) * | 2002-07-18 | 2005-04-27 | 株式会社荏原制作所 | 电镀装置 |
CN101136322A (zh) * | 2006-08-15 | 2008-03-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、气体供给装置、基板墀理方法和存储介质 |
CN106906454A (zh) * | 2015-10-28 | 2017-06-30 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220356593A1 (en) | 2022-11-10 |
KR102388661B1 (ko) | 2022-04-20 |
JPWO2022102119A1 (zh) | 2022-05-19 |
KR102558727B1 (ko) | 2023-07-24 |
JP6906729B1 (ja) | 2021-07-21 |
CN114829681A (zh) | 2022-07-29 |
KR20220067544A (ko) | 2022-05-24 |
WO2022102119A1 (ja) | 2022-05-19 |
CN117166027A (zh) | 2023-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102533812B1 (ko) | 균일한 전기도금을 위한 전해액 플로우 역학의 제어 | |
CN114829681B (zh) | 板、镀敷装置和板的制造方法 | |
CN110306224B (zh) | 利用离子阻性离子可穿透元件电镀金属的装置和方法 | |
CN111032927B (zh) | 用于在电镀期间流动隔离和聚焦的方法和装置 | |
KR102409022B1 (ko) | 이방성 고 저항 이온성 전류 소스 | |
KR102641119B1 (ko) | 전기도금 시 방위각 균일도를 조정하기 위한 장치 및 방법 | |
CN105177662A (zh) | 用于定制的均匀性分布的电镀设备 | |
TWI745172B (zh) | 板、鍍覆裝置、及板之製造方法 | |
US11725296B2 (en) | Plate, plating apparatus, and method of manufacturing plate | |
TWI778668B (zh) | 阻抗體及鍍覆裝置 | |
JP7027622B1 (ja) | 抵抗体、及び、めっき装置 | |
TWI839612B (zh) | 板、鍍覆裝置、及板之製造方法 | |
CN114787428B (zh) | 调整镀覆模块的方法 | |
KR102556683B1 (ko) | 도금 장치 | |
KR20230157852A (ko) | 기판 상의 다이-레벨 패턴들에 대해 공간적으로 맞춤된 (tailor) 차폐부 (shield) 또는 이온 저항성 (resistive) 이온 투과성 (permeable) 엘리먼트를 사용한 금속들의 전착 (electrodeposition) | |
KR102558706B1 (ko) | 도금 장치, 및 도금 방법 | |
JP7204060B1 (ja) | めっき装置用抵抗体、及び、めっき装置 | |
TW202248466A (zh) | 用於電鍍期間之特定流體動力學的空間及尺寸上非均勻之通道板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |