TW202219320A

TW202219320A - 無電解銅鍍液

Info

Publication number: TW202219320A
Application number: TW110133195A
Authority: TW
Inventors: 原義人; 中田優希
Original assignee: 日商梅爾帝克斯股份有限公司
Priority date: 2020-11-10
Filing date: 2021-09-07
Publication date: 2022-05-16
Also published as: KR102587691B1; KR20230011434A; WO2022102226A1; JPWO2022102226A1; JP7111410B1; US20230323541A1; CN116194618A; DE112021005992T5

Abstract

本發明的目的是提供一種即使用於中性區域，也具有優異的溶液穩定性和易於組成管理的無電解銅鍍液。為達到此目的，採用用於中性區域的還原型的無電解銅鍍液，其特徵在於，含有作為銅離子供給源的銅鹽、為了螯合銅離子的錯合劑、還原劑、界面活性劑、以及含氮芳香族化合物；並且，含有作為析出穩定劑的碲化合物，溶液的pH值為6～9。

Description

無電解銅鍍液

本發明是關於一種無電解銅鍍液。特別是關於一種用於中性區域的還原型的無電解銅鍍液。

以往的無電解銅鍍液中，採用甲醛用作為銅離子的還原劑。但是，甲醛具有刺鼻的臭味，使作業環境惡化，對人體造成不良影響。進一步地，使用甲醛的無電解銅鍍液呈強鹼性，特別是被鍍物為鋁或鋁合金等的情況下，使用上很困難。

對此，已檢討使用硼烷化合物來代替甲醛作為還原劑，但由於還原力過大，存在金屬被還原析出在鍍槽的壁面等，金屬成分經時沉澱而使鍍液的穩定性降低的問題。

為了解決這樣的問題，提出專利文獻1中所揭示的無電解銅鍍液。此專利文獻1揭示「一種無電解銅鍍浴，含有水溶性銅鹽、以及作為還原劑的氨基硼烷或其取代衍生物，pH值為4～9且不含甲醛，其特徵在於，含有作為錯合劑的聚氨基聚膦酸、陰離子界面活性劑、銻化合物、以及含氮芳香族化合物。」 [先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2013-234343號公報

[發明所欲解決的問題]

然而，專利文獻1中所揭示的無電解銅鍍浴，被指出存在有以下的問題點。第一的問題點是，專利文獻1中所揭示的無電解銅鍍浴，如果使用後長時間放置在電鍍槽中，銅會有析出在槽底、攪拌夾具等的傾向，作為鍍液會有缺乏溶液穩定性的高度傾向。第二的問題點是，使用專利文獻1中所揭示的無電解銅鍍浴，形成的無電解鍍銅膜的外觀會有容易成為不均勻的傾向。第三的問題點是，當使用專利文獻1中所揭示的無電解銅鍍浴，在鋁材上進行鍍製時，即使鋁本身沒有損壞，看得到鍍銅膜會產生膨脹，會有容易出現凹坑的發生的傾向。

市場中已經指出了以上的問題點，但在使用專利文獻1中所揭示的無電解銅鍍浴的時候，認為由於適當組成的管理範圍狹窄，缺乏溶液穩定性，可能難以獲得鍍製的操作穩定性。

因此，在本申請中，本發明的目的在於提供一種不會引起上述問題，且具有優異的溶液穩定性和易於組成管理的無電解銅鍍液。 [用以解決問題的手段]

對此，本申請的發明人等致力研究的結果，想出了採用以下的無甲醛的無電解銅鍍液。以下，對本申請關於無電解銅鍍液的發明概要進行說明。

本申請的無電解銅鍍液是用於中性區域的還原型的無電解銅鍍液，其特徵在於，含有作為銅離子供給源的銅鹽、為了螯合銅離子的錯合劑、還原劑、界面活性劑、以及含氮芳香族化合物；並且，含有作為析出穩定劑的碲化合物，溶液的pH值為6～9。

較佳地，作為析出穩定劑的碲化合物，以碲計使用0.1 mg/L～100 mg/L的濃度範圍。

較佳地，作為為了螯合銅離子的錯合劑，相對於此無電解銅鍍液中銅的莫耳數，使用0.1倍～10倍的濃度範圍的膦酸系螯合劑。

較佳地，還原劑為胺硼烷或其衍生物。

較佳地，界面活性劑是使用濃度範圍為0.01 mg/L～1500 mg/L的陰離子界面活性劑。

較佳地，含氮芳香族化合物使用的濃度範圍為0.01 mg/L～1000 mg/L。 [發明功效]

本申請的無電解銅鍍液通過含有碲化合物作為無電解銅鍍液的析出穩定劑，雖然在不含甲醛的中性區域使用，但作為鍍液的溶液穩定性顯著提高。其結果為，電鍍操作過程中的鍍液組成變動少，即使有些微的組成變動，仍可形成穩定的鍍銅膜，鍍銅膜可獲得均勻的膜厚和均勻的外觀品質。以及，在電鍍操作後，即使將無電解銅鍍液放置在鍍槽內，也不會發生不必要的銅析出，作為鍍液的劣化減少，可使溶液的壽命延長。進一步地，通過採用本申請的中性區域的無電解銅鍍液，在鋁材上進行鍍製時，鋁本身不會產生損壞，也可以有效地消除鍍膜中的膨脹、凹坑等的鍍製缺陷。

[用以實施發明的形態]

以下說明關於本申請的無電解銅鍍液的形態、和使用其的無電解鍍銅的方法。

A.無電解銅鍍液的形態本申請的無電解銅鍍液是用於中性區域的還原型的無電解銅鍍液。並且，此無電解銅鍍液的特徵在於，含有作為析出穩定劑的碲化合物作為構成成分，並且溶液的pH值為6～9。以下，對關於此無電解銅鍍液的溶液pH值進行說明，然後對每個構成成分進行說明。

溶液pH值：溶液pH值較佳為6.0～9.0。如果溶液pH值未滿6.0時，由於成為酸性區域，以下說明的還原劑等構成成分的效果容易降低，將難以延長無電解銅鍍液的壽命而不佳。另一方面，如果溶液pH值大於9.0時，成為鹼性區域，很可能會損壞作為被鍍物的鋁材、陶瓷材料等的表面而不佳。在此，更佳的是，若pH值成為更靠近中性的6.5～8.5時，可更加確實地防止被鍍物的損壞。

本申請的無電解銅鍍液的溶液pH值需要調整時的pH調整劑，可使用為了調整至酸性的鹽酸、硫酸等，為了調整至鹼性的氫氧化鈉、氫氧化鉀等。

析出穩定劑：本申請的無電解銅鍍液中，使用作為析出穩定劑的碲化合物。作為此碲化合物可列舉，例如，碲酸及其鹽、亞碲酸及其鹽、二氧化碲、三氧化碲、氯化碲和二甲基碲等中的任一種以上。通過使用這些碲化合物，可以全部解決過去無法解決的諸多問題。亦即，通過在無電解銅鍍液中使用作為析出穩定劑的碲化合物，溶液穩定性顯著提高，並且作為鍍液的管理變得容易。同時，形成鍍銅膜時的析出狀態也穩定，可以形成良好的鍍銅膜。

作為此析出穩定劑的碲化合物，在無電解銅鍍液中，較佳為包含碲的濃度範圍為0.1 mg/L～100 mg/L，當碲化合物的含量以碲計濃度未滿0.1 mg/L時，無電解銅鍍液的溶液穩定性無法改善，作為鍍液無法達成長壽命化，由於鍍液特性因組成變動而跟者變動，作為無電解銅鍍液也難以長時間使用而不佳。另一方面，當碲化合物的含量以碲計濃度超過100 mg/L時，因看見銅的析出顯著減低的現象，由於難以迅速形成銅鍍膜而不佳。因此，從確實地確保銅的析出速度的穩定性的觀點考慮，碲化合物的含量以碲計濃度更佳為0.3 mg/L～70 mg/L的濃度範圍。以及，為了使碲化合物的添加效果與鍍銅膜的形成速度的偏差達到最小化，碲化合物再更佳為包含碲的濃度範圍為0.5 mg/L～50 mg/L。

銅離子供給源：在本申請的無電解銅鍍液中，使用銅鹽作為銅離子供給源。作為此銅鹽可列舉，例如，硫酸銅、硝酸銅、氯化銅、醋酸銅、檸檬酸銅、酒石酸銅、以及葡萄糖酸銅等為代表的水溶性的銅鹽及其水合物中的至少一種以上。如此，本申請的銅鹽可以同時併用兩種以上，只要銅離子的量在以下的範圍內，對兩種以上的銅鹽的混合比例沒有特別限定。考慮到原料成本和排水負荷等的條件，較佳為可在最廣泛的範圍內使用的硫酸銅（硫酸銅-五水合物）、或併用硫酸銅和鹽酸銅。

本申請的無電解銅鍍液中，銅鹽的含量以銅計濃度較佳為0.01 mol/L～1 mol/L的濃度範圍。當本申請的無電解銅鍍液的銅鹽的含量以銅計濃度未滿0.01 mol/L時，銅的析出速度顯著降低，操作所需時間變長，無法獲得工業上所必要的生產率而不佳。另一方面，此銅鹽的含量以銅計濃度超過1 mol/L時，銅的析出速度沒有提高，反而形成的鍍銅膜增加成為外觀不良的傾向而不佳。因此，從確實地確保形成的鍍銅膜的外觀品質的觀點，銅鹽的含量以銅計濃度較佳為0.02 mol/L～0.5 mol/L的濃度範圍。

錯合劑：本申請的無電解銅鍍液是在中性區域使用，作為錯合劑較佳為使用膦酸系螯合劑。因為此膦酸系螯合劑在中性區域中容易形成銅離子的錯合物。此膦酸系螯合劑中包含：1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、N,N,N',N'-乙二胺肆（亞甲基膦酸）、氮基參（亞甲基膦酸）、二乙二胺五（亞甲基膦酸）、二乙三胺五（亞甲基膦酸）、雙（六亞甲基三胺五（亞甲基膦酸））以及甘胺酸-N,N-雙（亞甲基膦酸）及其鹽等，這些的一種或兩種以上也可同時使用。

由於此錯合劑螯合銅離子，此錯合劑的含量依據無電解銅鍍液中的銅含量來決定其添加量。本申請的無電解銅鍍液中，作為此錯合劑的膦酸系螯合劑，相對於此無電解銅鍍液中銅的莫耳數，較佳為以0.1倍～10倍的濃度範圍來使用。相對於此銅的莫耳數，當膦酸系螯合劑的濃度未滿0.1倍時，則銅離子無法充分錯合，不能確保作為無電解銅鍍液的溶液穩定性而不佳。另一方面，相對於此銅的莫耳數，當膦酸系螯合劑的濃度超過10倍時，由於超過銅離子的錯合所必需的量，浪費資源的同時，成為使鍍銅膜的外觀品質低下的因素而不佳。

還原劑：作為銅離子的還原劑，可以使用各種銅離子的還原劑。然而，在本申請的無電解銅鍍液的情況下，由於其用於中性區域，作為在中性區域可以使用的還原劑，為了確保溶液穩定性，較佳為使用胺硼烷或其衍生物。更具體來說，可使用二甲胺硼烷、二乙胺硼烷、第三丁胺硼烷、三乙胺硼烷、以及三甲胺硼烷等中的至少一種以上。此還原劑的濃度沒有特別限定，但在0.01 mol/L～0.5 mol/L的範圍較為妥當。還原劑的濃度未滿0.01 mol/L時，由於銅的析出速度變慢而不佳。另一方面，即使還原劑的濃度超過0.5 mol/L，銅的析出速度也不會增加，純粹是資源的浪費而不佳。

界面活性劑：在本申請的無電解銅鍍液中，以提高溶液穩定性、形成的鍍膜的膜厚均勻性、以及提高外觀品質為目的，較佳為使用界面活性劑。特別是，在中性區域中使用無電解銅鍍液的情況下，較佳為使用陰離子界面活性劑。

此陰離子界面活性劑，可以使用市場上稱為「陰離子界面活性劑」、「陰離子系界面活性劑」的全部商品。例如，可列舉烷基羧酸系界面活性劑、β-萘磺酸甲醛縮合物的鈉鹽等的萘磺酸鹽甲醛縮合物、聚氧伸乙基月桂基醚硫酸鈉與聚氧伸乙基烷基醚硫酸三乙醇胺等的聚氧伸烷基醚硫酸鹽、以及十二烷基硫酸鈉等的至少一種以上，不作特別限定。

此界面活性劑的濃度沒有特別限定，但在0.01 mg/L～1500 mg/L的範圍較為妥當。當界面活性劑的濃度未滿0.01 mg/L的情況下，無電解銅鍍液的溶液穩定性沒有提高，作為鍍液的壽命難以延長，所得到的銅鍍膜的外觀品質也有低下的傾向而不佳。另一方面，即使界面活性劑的濃度超過1500 mg/L時，雖然沒有特別的問題，但不會進一步地提高溶液穩定性，也不會提高外觀品質，反而因電鍍操作時的浴管理變得煩雜而不佳。

含氮芳香族化合物：在本申請的無電解銅鍍液中，含氮芳香族化合物（即所謂的含氮雜環式的芳香族化合物），是為了在無電解鍍銅中使銅的析出穩定化而使用。作為此含氮芳香族化合物，可列舉咪唑或其取代衍生物、吡唑或其取代衍生物、噁唑或其取代衍生物、噻唑或其取代衍生物、吡𠯤或其取代衍生物、嗒𠯤或其取代衍生物、三嗪或其取代衍生物、苯并噻唑或其取代衍生物、吡啶、2,2'-聯吡啶、4,4'-聯吡啶、菸鹼酸、菸鹼醯胺、甲基吡啶類、二甲吡啶類等的吡啶類或其取代衍生物、喹啉、羥基喹啉等的喹啉類或其取代衍生物、吖啶、3,6-二甲基胺基吖啶、普羅黃素、吖啶酸、喹啉-1,2-二羧酸等的吖啶類或其取代衍生物、嘧啶、尿嘧啶、尿核苷、胸腺嘧碇、2-硫尿嘧啶、6-甲基-2-硫尿嘧啶、6-丙基-2-硫尿嘧啶等的嘧啶類或其取代衍生物、1,10-啡啉、二甲基菲繞啉（neocuproine）、菲啡啉等的啡啉類或其取代衍生物、嘌呤、胺基嘌呤、腺嘌呤、腺核苷、鳥糞嘌呤、尿囊素、黃嘌呤、次黃嘌呤、咖啡因、茶鹼、可可鹼、胺茶鹼等的嘌呤類或其取代衍生物等中的至少一種以上。

並且，本申請的無電解銅鍍液中所含的含氮芳香族化合物的濃度較佳為0.01 mg/L～1000 mg/L。當含氮芳香族化合物的濃度未滿0.01 mg/L時，無法發揮作為銅的析出穩定劑的效果，並且也損害所形成的銅鍍膜的外觀而不佳。另一方面，當含氮芳香族化合物的濃度超過1000 mg/L時，由於無電解銅鍍液的溶液穩定性變得過大，銅的析出速度降低，甚至發生鍍層不析出的情況而不佳。

B.無電解鍍銅的方法關於無電解鍍銅的方法，使用上述的無電解銅鍍液，可以適用常規習知的無電解電鍍的方法及條件。因此，詳細的無電解鍍銅的方法不必在此說明，無電解電鍍的方法和條件將在實施例中說明。

以上已說明關於本申請的無電解銅鍍液，以下將示出本申請的實施例與比較例，並且將更詳細地說明本申請。然而，本申請不限於以下的示例。 [實施例1]

實施例1中含有作為銅離子供給源的銅鹽、為了螯合銅離子的錯合劑、還原劑、界面活性劑和含氮芳香族化合物，並且，含有作為析出穩定劑的碲化合物。使用溶液pH值為7.7、液溫為60°C的無電解銅鍍液進行無電解鍍銅後，確認作為鍍液的溶液穩定性的良否。在此，作為鍍液的溶液穩定性的評價，是將無電解銅鍍液加熱並在保持液體溫度恆定的情況下進行鍍製處理，然後將此無電解銅鍍液放置12小時後，當無法確認被處理物以外的析出時以「○」表示，當可確認有輕微的此析出時以「△」表示，當顯著地確認有此析出、或鍍製過程中發生鍍液的分解時以「×」表示。此確認的結果如下述的表3所示。

實施例1中，對於被鍍物的帶鋁電路的基板（以下，簡稱為基板），依照下述的表1所示的條件（順序從表中頂部開始）實施預處理後，在無電解銅鍍液中浸漬120分鐘進行無電解鍍銅，使鋁電路圖案表面形成鍍銅膜。

[表1]

處理步驟	浴名	處理條件
脫脂	Merukuri-na- SC-7001	70°C，30秒
蝕刻	Merupure-to E-7121	70°C，30秒
調節（conditioning）	Merupure-to conditioner 7230	22°C，20秒
第1次鋅置換	Merupure-to FZ-7350	22°C，20秒
鋅剝離	20wt%硝酸	22°C，10秒
第2次鋅置換	Merupure-to FBZ	22°C，30秒

並且，在實施例1中，調製具有下述所示的組成的無電解銅鍍液。（無電解銅鍍液的組成）銅鹽（硫酸銅五水合物）：0.06 mol/L（以銅計的濃度為4g/L）錯合劑（乙二胺四（亞甲基膦酸））：0.08 mol/L 還原劑（二甲胺硼烷）：0.09 mol/L 界面活性劑（十二烷基硫酸鈉）：20 mg/L 含氮芳香族化合物（1,10-啡啉）：4 mg/L 析出穩定劑（碲酸鈉）：1 mg/L（以碲計的濃度）

以及，實施例1中，執行關於下述的確認：無電解鍍銅膜的析出速度、鍍層外觀、在基板上的鋁電路圖案（以下，也簡稱為圖案）表面形成銅鍍膜後，鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。其中，上述的「圖案未析出的有無」表示在鋁電路圖案的表面上，是否產生銅鍍膜的未析出部分。在此，無電解鍍銅膜的析出速度，藉由通過螢光X射線膜厚計的測定來求出。並且，鍍層外觀通過目視來進行評價（均勻的鍍層外觀為「○」，不均勻的鍍層外觀為「×」）。執行這些確認的結果也顯示在表3中。 [實施例2]

實施例2中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，實施例2是將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「2 mg/L」，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略實施例2中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [實施例3]

實施例3中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，實施例3是將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「10 mg/L」，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略實施例3中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [實施例4]

實施例4中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，實施例4是將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「20 mg/L」，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略實施例4中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [實施例5]

實施例5中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，實施例5是將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「50 mg/L」，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略實施例5中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [實施例6]

實施例6中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，實施例6是將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「5 mg/L」，同時將溶液的pH值變更為「6.5」，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略實施例6中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [實施例7]

實施例7中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，實施例7是將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「5 mg/L」，同時將溶液的pH值變更為「7.0」，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略實施例7中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [實施例8]

實施例8中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，實施例8是將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「5 mg/L」，同時將溶液的pH值變更為「8.0」，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略實施例8中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [實施例9]

實施例9中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，實施例9是將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「5 mg/L」，同時將溶液的pH值變更為「8.5」，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略實施例9中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [比較例1]

比較例1中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，為了使比較例1與實施例1～實施例9進行對比，將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉替換成使用「氧化銻」，其含量以銻計的濃度為4 mg/L，同時將還原劑的濃度調為0.14 mol/L，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略比較例1中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [比較例2]

比較例2中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，為了使比較例2與實施例1～實施例9進行對比，將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「0 mg/L」（即，不包含碲酸鈉），其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略比較例2中進行無電解鍍銅時的條件說明。 [比較例3]

比較例3中，與實施例1相同，執行關於下述的確認：鍍液的溶液穩定性、無電解鍍銅膜的析出速度、鍍膜的圖案外析出的有無、以及圖案未析出的有無。執行此確認的結果顯示在表3中。其中，為了使比較例3與實施例1～實施例9進行對比，將無電解銅鍍液組成中作為析出穩定劑的碲酸鈉的含量以碲計的濃度變更為「200 mg/L」，其他條件與實施例1相同並進行無電解鍍銅。因此，省略比較例3中進行無電解鍍銅時的條件說明。

在此，為了容易理解，實施例和比較例中所使用的無電解銅鍍液的組成顯示在表2中。

[表2]

以及，作為實施例與比較例而執行上述的試驗的確認結果顯示在表3中。

[表3]

（結果與評價）由表3所示的確認結果可知，實施例1～實施例9的「鍍層外觀」、「圖案外析出」、「圖案未析出」、「溶液穩定性」均得到良好的結果。另一方面，如比較例1般，當無電解銅鍍液中含有銻代替碲作為析出穩定劑時，觀察到溶液穩定性的降低。進一步地，在比較例1中，無法在基板上的鋁電路圖案的表面充分地形成鍍膜，鍍層外觀也不均勻。另外，如比較例2般，析出穩定劑中的碲濃度未滿0.5 mg/L時，觀察到鍍層外觀的惡化和溶液穩定性的降低。進一步地，在比較例2中，確認到從圖案的突出。並且，如比較例3般，當析出穩定劑中碲的濃度超過100 mg/L時，鍍層幾乎不析出，無法在基板上的鋁電路圖案表面形成鍍膜。

綜上所述，本申請經由滿足「含有作為銅離子供給源的銅鹽、為了螯合銅離子的錯合劑、還原劑、界面活性劑、以及含氮芳香族化合物；並且，含有作為析出穩定劑的碲化合物，溶液的pH值為6～9」的條件，儘管是一種用於不含甲醛的中性區域的還原型的無電解銅鍍液，發現在電鍍操作過程中的鍍液組成變動少，可以形成穩定的銅鍍膜。 [產業上的可利用性]

本申請的無電解銅鍍液用於中性區域，不會損壞被鍍物。因此，它成為一種可使用於鋁材料、陶瓷材料等的容易被無電解銅鍍液損壞的被鍍物的無電解銅鍍液。此外，作為無電解銅鍍液，由於其壽命長且溶液穩定性優異，因此可以降低作為無電解鍍銅的運行成本。

無。

Claims

一種無電解銅鍍液，其是用於中性區域的還原型的無電解銅鍍液，其特徵在於，含有作為銅離子供給源的銅鹽、為了螯合銅離子的錯合劑、還原劑、界面活性劑、以及含氮芳香族化合物；並且，含有作為析出穩定劑的碲化合物，溶液的pH值為6～9。
如請求項1所述的無電解銅鍍液，其中，所述作為析出穩定劑的碲化合物，以碲計使用0.1 mg/L～100 mg/L的濃度範圍。
如請求項1或請求項2所述的無電解銅鍍液，其中，所述為了螯合銅離子的錯合劑，相對於所述無電解銅鍍液中銅的莫耳數，使用0.1倍～10倍的濃度範圍的膦酸系螯合劑。
如請求項1至請求項3中任一項所述的無電解銅鍍液，其中所述還原劑為胺硼烷或其衍生物。
如請求項1至請求項4中任一項所述的無電解銅鍍液，其中所述界面活性劑是使用濃度範圍為0.01 mg/L～1500 mg/L的陰離子界面活性劑。
如請求項1至請求項5中任一項所述的無電解銅鍍液，其中所述含氮芳香族化合物使用的濃度範圍為0.01 mg/L～1000 mg/L。