JPS60194081A - 改良された無電解銅めつき浴及び方法 - Google Patents

改良された無電解銅めつき浴及び方法

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JPS60194081A
JPS60194081A JP2811385A JP2811385A JPS60194081A JP S60194081 A JPS60194081 A JP S60194081A JP 2811385 A JP2811385 A JP 2811385A JP 2811385 A JP2811385 A JP 2811385A JP S60194081 A JPS60194081 A JP S60194081A
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents
    • C23C18/405Formaldehyde

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 広義にいえば本発明は素地上に、特に種々の前処理を受
けて銅めっきされ易くなっている非y#電性素地である
各種プラスチック上に無電解銅めっき股を生成させるた
めの改良組成物及びその使用方法に関する。従来知られ
ている無電解銅めっき浴は通常、銅イオン、銅イオンの
沈殿防止用錯化剤、銅イオンの金属イオンへの還元剤、
pl−1制御剤、安定剤、速度制御剤及び任意成分であ
るが好ましい成分として銅皮膜の被覆ツノと分布状態を
改良するための湿潤剤から成っている。
[技術的背景] 自動車に装飾めりきトリムが多用されるようになったこ
とが原因して、従来の無電解銅めっき溶液の原価を低減
さゼ、維持・管理を簡素化し、安定性を向上させ工業的
に満足できるめっき速度で均一な密着性の良い銅めっき
を生成させるための一層の研究努力がなされるようにな
った。
[発明の目的] 本発明の目的は、錯化剤を一定に組み合わせて共動的に
作用させる結果、必要とされる錯化剤の量を著しく低減
できるために、かかる無電解銅めっき浴の新しい調製と
補充とに要する原価を著しく低減できて、前記したよう
な利益と目的とが達成できるような浴組成と、その使用
方法とを提供することにある。
[発明による利益] そのほか本発明は、従来よりも低いl)Hでの工業運転
が可能なので、これによってアルカリ性p H制御剤の
必要偵を低減させ、一方では苛性アルカリのようなアル
カリ剤とホルマリンのような還元剤の劣化反応を減少さ
せて還元剤の消費量を大幅に減少さけることを可能にづ
るものである。
本発明浴のその他の利点は、室温より高い浴温における
運転がI11能なので約66℃(150丁)以下での浴
温にすることができ自動触媒的な銅の析出に刻して必要
な好ましい浴活性を確保することができることである。
かかる高温での運転が可能ということは、換言1れは数
週間に亘って運休Jる際に浴を室温まで冷却できること
を意味し、この冷却によって浴の活性を低下させて連体
間の浴の安定性を向上させると共に自動触媒的な分解を
阻止させつるという効用があることを意味する。
またかかる高温で運転すると通常は浴の蒸発が起こるの
で、めつき槽中に空間が生じ、この空間を利用して必要
に応じて補給薬品の添加を行なうことができるという利
点がある。従来の無電解めっき浴は室温で運転するため
に、補給薬品添加のための空間を創るために運転浴の若
干を取り除く必要がたびたび生じ、貴重なめつき液の損
失となった許りでなく廃液処理の問題が生じていた。本
発明の改良浴組成では従来の無電解銅浴中に通常使用さ
れてきたシアナイドや沃化物のような速度制御剤の添加
の必要性が著しく減少するか、もしくはある場合には完
全に必要性がなくなるので、浴の制御と補給がさらに簡
素化され、必要材料のコスト低下に寄与する。
[発明の構成] 本発明による利益と利点とは、自動触媒的に銅を析出さ
せるのに十分な旦、すなわち通常は約0.5〜約30ゾ
/j!淵瓜範囲の銅イオンと、銅イオンを金属状態に還
元づるのに十分なωの還元剤、づなわち好ましくは約0
.1〜約409/1の闇のホルムアルデヒドと、浴中の
銅イオンを錯化するに足る堕であって錯化剤対銅イオン
のモル比が約1:1〜約5=1になる量の錯化剤とを含
有するアルカリ性水溶液から成る無電解銅めっき浴を用
いることによって達成される。この錯化剤はエチレンジ
アミンテトラ酢酸(EDI’A)及びN、N、N’ 、
N’−テトラキス−(2−ヒドロキシプロピル)エチレ
ンジアミン(T HP E D A )から成る群から
選択されIC一種類のアミン化合物と、グルコン酸、グ
ルコヘプトン酸及びこれらの浴可溶性・相溶性塩類並び
にこれらの混合物から成る群から選択されたヒドロキシ
酸との混合物から成っている。該混合物中でのヒドロキ
シ酸はアミン化合物に対して0.1〜3:1のモル比に
なる聞で含まれる。該浴はさらに、安定剤、好ましくは
約2.59/41以下の異部環状有機硫化物化合物、浴
のpHを約9〜14にするRのヒドロキシルイオン、任
意成分としての約1g/I以下のシアナイド、沃化物及
びこれらの誘導体のような速度制御剤並びに約1(1/
j)以下の任意成分としての浴可溶性・相溶性湿潤剤を
含みつる。
本発明の方法についての提案によれば、銅めっきをすべ
き素地を、かくはん下に浴温21℃(70丁)ないし約
66℃(150下)に維持したこの無電解銅溶液中に浸
漬して、その表面上に所望膜厚の均一で密着性の良好な
、かつ緻密な銅皮膜が析出するのに十分な時間に亘って
めっきを行なう。所望であれば無電解銅めっきを行なっ
た該素地にさらに通常の電気めっきを施こして、1〜数
回の電気めっき膜をその表面に析出させて所望の物性と
外観とを有するようにすることができる。
[好ましい実施態様] 本発明の組成に関する提案によれば、本発明のめっき浴
中には必須成分として素地上に金属銅を析出させるのに
十分な間の銅イオンと、銅イオンを金属状態に還元する
ための還元剤と、銅イオンをアルカリ性媒体中に維持せ
しめるのに十分な囲の錯化剤と、DHをアルカリ側にす
るだめのヒドロキシルイオンと、並びに浴を安定化さ一
μ、適切なめつき活性を提供させ、かつ生成鋼皮膜の良
好な湿潤性・均一性を達成させるのに十分なmにおいて
含まれる任意成分としての安定剤、速度制御剤及び湿潤
剤とを含有している。
銅イオンは浴可溶性・相溶性銅塩であればいかなる形態
のものとしても浴中に導入しうるが、この際投入される
アニオンは本発明方法のめっき特性に対してなんらの悪
影響も及ぼさない。銅イオン源として典型的なものは塩
化第2銅・2水和物及び硫酸銅・5水和物である。銅イ
オンm度は一般には約0.5g/j1ないし約30g/
J)、好ましくは約5g/lである。浴が室温において
運転されるときには銅析出速度を適切にJるために、よ
り高い濃度の銅イオンが必要であるが、約60〜66℃
(140°〜150下)のような高温運転の際には約0
.517/IIのような低all良が使用できる。
銅イオンに加えて該アルカリ性水溶液は、銅イオンを還
元して被めっき物品上に金属銅を析出さけるのに十分な
吊の還元剤を含有している。この目的には、ホルムアル
デヒドが好ましく用いられ、当然ながらバラホルムアル
デヒドも使用可能である。これ以外に、亜りん酸塩、ヒ
ドラジン及びこれらの誘導体もまた還元剤として使用さ
れるか、又は使用の提案がなされているが、一般的には
ホルムアルデヒドはどの効力がないa還元剤濃度は浴中
の銅イAンll!度との関連で変わるが、ホルムアルデ
ヒドとして重M当暑にて1算して約0.1〜約40g/
jl、好ましくは約1〜約5g/fJの範囲である。
銅イオン及び還元剤に加えて、このアルカリ性水溶液は
さらに、銅イオンを溶液中に維持させるための一定量の
有B!I錯化剤混合物を含んでいて、アルカリ性媒体中
に水酸化銅が沈殿しないように工夫されている。全錯化
剤11度は銅イオンのモル当り少なくとも約1モル、錯
化剤対銅イオンのモル比は約5=1が好ましい。この錯
化剤モル比は約1.3:1〜約3.5:1、典型的に番
よ約1.7:1に制御する。
錯化剤が、エチレンジアミンテトラ酢ffi (EDT
A)及びN、N、N’ 、N’ −テトラ−キス−(2
−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン(T HP 
E D A >から成る群から選択されたアミン化合物
と、グルコン酸、グルコヘプトン酸及びこれらの浴可溶
性・相溶性塩並びにこれらの混合物から成る群から選択
された有機ヒドロキシ酸との一定の混合物から成る場合
には、錯化特性並びに浴の活性及び安定性において一種
の共働効果があることがこの度び発見された。ヒドロキ
シ酸対EDTAのモル比は0.1〜約3=1である。そ
の際のモル比はヒドロキシ酸に対して使用したその時の
アミン化合物のタイプに依存性がある。例えば、アミン
化合物としてTHPEDAを用いた場合には、グルコン
酸及び/又はグルコヘプトン酸はアミン化合物に対する
モル比が約0.11:1ないし約2.45:1の範囲、
好ましくは約0.2:1ないし約1:10モル比であり
、最も好ましくは約0.26:1のモル比である。他方
、アミン化合物がE D T Aである一■−合−には
、グルコン酸及び/又はグルコヘプトン酸は約0.25
:1〜約3:1、好ましくは約0.6:1〜約2=1、
最も好ましくは1.3:1のモル比で含まれる。錯化剤
混合物はアルカリ金属塩として導入づ゛ると浴が酸性化
するのが防止できて都合がよい。
この目的にはナトリウム塩が好ましい。
前記割合での二種の錯化剤の混合物を用いると錯化剤の
添加量を著しく低減できるが、この場合二様の錯化剤は
それぞれ個別には浴中のすべての銅イオンを錯化するに
は不充分なmで存在している。
この無電解銅めっき溶液はアルカリ性であってpHが約
9〜約14になるような量のヒドロキシルイオンを含ん
でいる。このpH範囲は10.5〜約12.5であるこ
とがより好ましい。典型的には11.5のp Hが特に
好ましい結果を与え、このpl」水準では工業的に満足
のできる銅めっきが生成すると同時に、ヒドロ4−シル
イオンl1llaを低減できるので、その結果としてホ
ルムアルデヒドの反応と劣化傾向が少なくなって補給量
が軽減し経済的になる。浴のp ifはアルカリ金属水
酸化物、好ましくは水酸化ナトリウムを添加することに
よって維持することができる。
前記の諸成分に加えて、該無電解銅めっき浴はよl〔、
公知の各種の安定剤が含まれていてもよく、これによっ
て浴中に形成される触媒粒子上へ銅が同時析出して浴中
の銅イオンが急速に失なわれるのを防止づることができ
る。各種の化合物が使用又は提案されているが、該目的
のために汎く用いられているのは2−メルカプトベンゾ
チアゾールである。この代替として使用又は提案されて
いる他の安定剤には2.5−ジメルカプト−1,3゜4
−ヂオダゾール、8−メルカプトプリン、0−7エナン
スロリン、1−フェニルー5−メルカプトチ1−ラゾー
ル、2.2−ジピリジル、2−(2−ピリジル)−ベン
ズイミダゾール、ペンゾチアゾールーチAエーテルポリ
エチレングリコール、チアゾール、イソチアゾール、チ
オジン、ベンゾトリアゾール、ジアゾール、イミダゾー
ル、グアニジン、ピリミジン、2.2′−ビキノリン、
2.9−ジメチルフェナンスロリン及び4.7−ジフェ
ニル−1,10−フェナンスロリンである。
かかる安定剤は任意ではあるが、約2.5g/j!以下
、好ましくは約0.0001〜約0.5g/lの濃度で
使用できる。
かくのごとく錯化剤を上手に組み合わせると通常必要と
される速度制御剤が不要になることが判明したが、ある
種の環境下ではシアナイド、沃化物又はこれらの化合物
のような速度制御剤を約1g/!J以下の量において、
該無電解銅めっき浴中に使用することができる。かかる
速度ilJ御剤は浴のめつぎ速度を低減させることによ
って安定剤と同調する。また、かかる速度制御剤を比較
的少量使用舊ると銅皮膜のつやと延性が改善されること
も判った。使用に際しては約1g/l以下、好ましくは
I Ill)1m〜約20011111のmで使用する
該無電解銅めっき浴にはさらに、任意成分ではあるが好
ましい成分として一定制御1fflの浴可溶性・相溶性
湿潤剤を含有させて素地上により均一な銅皮膜を生成さ
せるようにする。満足して使用できる一般タイブの湿潤
剤は通常の無電解銅めっき浴中に使用されるタイプのも
のでよく、例えばBASF社のrPluronic P
85J (103名)トして市販されるエチレンオキサ
イドとプロピレンオキザイドとの非イオン性ブロック共
重合体=GAF社のfGafac RE610J (商
標名)として市販される非イオン性ホスフェートエステ
ルその他が典型的である。使用に際しては約10g/l
以下、典型的には約0.1〜約3g/j!が好ましい使
用量である。
本発明の方法に関する提案では、前記のような組成のア
ルカリ性水溶液を調製してから、これを約室温(16℃
、60下)から約71℃(160下)以下に加熱し、で
きれば約27〜66℃(80〜約150°F)の浴温に
する。銅めっきすべき素地は、必要に応じて表面の汚染
物を除くために清浄比重る。プラスチック類のような非
導電性素地の場合には、例えば先ずスズーパラジウム錯
化物処理溶液で処理してその表面上に活性点を形成させ
、次いで促進化処理を施こして自動触媒的な銅皮膜が生
成し易くなるようにする。一般的に、溶液のめっき速度
は銅イオン濃度疫、還元剤濃度、浴温、pH及び錯化剤
濃度を調節することによって所望の速度が得られるよう
にする。銅イオン濃度の増加、還元剤濃度の増加、浴温
やpHの増加並びに錯化剤濃度の減少はすべて銅析出速
度の増加に寄与する。一般に、10分間における少なく
とも0.508μ(20マイクロインチ)の銅皮膜析出
速度が工業的に好ましいといえる。また、かくはんはめ
つき速度をはやめ、空気かくはん、カソードロッドかく
はん又は他の機械的かくはん手段が採用できる。
[実施例] 本発明をさらに説明するために次に実施例を述べる。こ
れらの実施例は単に説明の目的のものであって、ここに
記載し、かつ前記した特許請求の範囲がこれらによって
制限さることを意図するものではない。
大1」し−ユ 銅イオン濃度が約2fJ/1 (0,032モル)にな
る間の塩化第2銅、約9g/j (0,023モル)の
EDTAテトラナトリウム塩、約9g/j! (0,0
32モル)のすI−リウムグルコへプトネイト・2水和
物、約3g/j!のホルムアルデヒド濃度を提供しうる
吊の還元剤としてのホルムアルデヒド、溶液のpHを約
11.6に調整するための水酸化す]・リウム及び約0
.05〜約10ppm17)mの2−メルカプトベンゾ
チアゾールのような硫黄含有安定剤を水中に溶解するこ
とによってアルカリ性の無電解銅めっき水溶液を調製し
た。
初期の銅濃痕及び他の浴成分を補充して銅イオン濃度が
約5〜10回の回転率に相当するように浴を熟成させた
。この熟成浴はグルコヘプトネイト対E D T Aモ
ル比約1.4:1、全錯化剤対銅イオンモル比的1.7
:1であった。
空気かくはん下、浴温的60’C(140’F)におい
てテストパネル上に銅を析出させたところ、10分間に
約1.143μ(45マイクロインチ)のめつき速度で
光沢性で平滑で均一なピンク色の銅めっきが析出した。
浴は安定であった。
実施例 2 錯化剤を全然加えなかった以外は実施例1と同様にして
アルカリ性の熟成した無電解銅めっき水溶液を調製した
。この錯化剤なしの熟成溶液の一部分画部分に対してE
 D T Aとグルコヘプトネイトの各々の一定量並び
に両者を91せた一定量を加えた場合について、典型的
な運動条件下で浴の安定性を観察した。試料Aに対して
0.032モルのEDTAを添加したところ、浴は不安
定であることが観察された。他の分画試料Bに対して0
.023モルのEDTAと0.014モルのグルコヘブ
トネイトとを91用して加えグルコヘブトネイト対ED
TAのモル比を約0.6:1にした。
析出した銅皮膜は半光沢であってめっき速度は10分間
で約0.152μ(6マイクロインチ)であった。試料
Cに対して0.021モルのグルコヘプトネイト及び0
.016モルのEDTAを添加してグルコヘプトネイト
対E D −r Aが約1.3:1の相対モル比になる
ようにした。この無電解銅めっき浴からは、10分間で
約1.42μ(56マイクロインチ)の析出−速度でピ
ンク色の銅皮膜が析出した。
試料りに対して、0.028モルのグルコヘプI−ネイ
1〜とo、oos七ルのEDTAの混合物を加えて、グ
ルコヘプトネイト対EDTAのモル比が約3.5:1に
なるようにした。浴は不安定であって10分間に約0.
863μ(34マイクロインチ)の銅析出速度であった
試料Eに対して、E D T Aを加えずに0.035
モルのグルコヘプトネイトを添加した。銅析出速度は1
0分間に約0.405μ(16マイクロインチ)であっ
た。浴は不安定であって分解の傾向を示した。
これらの結果は、実質的等モル聞のIDTA単独又はグ
ルコヘブトネイト単独を用いた場合には安定したアルノ
jり性態電解銅めっき水溶液を与えないことが判る。前
記のモル比以内でグルコヘブトネイトとEDTAが併用
されると浴の安定性が比較的良好で、かつ満足すべき銅
皮膜が得られるが、グルコヘプトネイト対EDTAのモ
ル比は約0.1:1〜約3=1、好ましくは約0.6:
1〜約2:1である。
釆11L−立 約2SF/J (0,032モル)銅イオン、約9g/
l (0,023モル) E D −T−A 、約5.
3g/j1 (0,021モル)グルコネイトを含む熟
成したアルカリ性無電解銅めっき水溶液を調製したが、
グルコネイト対E D 1” Aのモル比は約0.9:
1、ホルムアルデヒド濃度は約3び/1であり約11.
6のpH@提供するのに十分量の水酸化ナトリウムを含
Iνでいた。該浴はさらに約0.25ppm以下の2−
メルカプトチアゾールを硫黄含有安定剤化合物として含
有していた。
該溶液の浴温を60℃とし、空気かくはん下でテストパ
ネル上にめっきしたところ、10分間で約0.939μ
(37マイクロインチ)のめつき速度で明色ピンク調の
銅皮膜が析出した。
実施例 4 2g/ρ (0,032モル)銅イオン、約8g/Jl
 (0,027モル)1−HPEDA、約2g/j (
0,007モル)ナトリウムグルコヘプトネイト・2水
和物から成り、グルコヘプトネイト対T’ HP E 
D Aのモル比的0.26:1、ホルムアルデヒド約3
9/I及び約12.2のp Hを提供するのに十分量の
水酸化ナトリウムから成る熟成したアルカリ性無電解銅
めっき水溶液を調製した。
浴温を約60℃とし、空気かく1よんを行なった。
テストパネル上には10分間で約3.556μ(140
マイクロインチ)のめっき速度で明色、平滑でピンク調
の銅めつぎ皮膜が生成し1〔。
友直盟−五 約5g/41 (0,08モル)銅イオン、約15g/
11 (0,05モル)THPEDA、約7.5g/f
J (0,02モル)ED−1−A、約3.759、!
(0,013モル)すトリウムグルコヘブトネイト・2
水和物から成り、グルコヘプトネイト対2種のアミン化
合物のモル比が約0.18:1、ホルムアルデヒド濃度
的5’J/1、約12.2のp H′するのに十分なm
の水酸化ナトリウムを含む熟成したアルカリ性無電解銅
めっき水溶液を調製した。浴温を約60℃とし、空気か
くはんし1〔。
テストパネル上には10分間で約3.124μ(123
マイクロインチ)のめっきで速度で明色のピンク温調め
っき皮膜が生成した。
(外1名)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) 銅を析出させるのに十分な閣の銅イオン、還元
    剤、アルカリ側のpHにするのに十分な吊のヒドロキシ
    ルイオンを含有するアルカリ性無電解銅めっき水溶液に
    おいて、エチレンジアミンテトラ酢酸及びN、N、N’
     、N’ −テトラキス−(2−ヒドロキシルプロピル
    )エチレンジアミンのいずれかから選択された一種類の
    アミン化合物と、グルコン酸、グルコヘプトン酸及びこ
    れらの浴可溶性・相溶性塩類並びにこれらの混合物から
    成る群から選択されたヒドロキシ酸との混合物から成る
    錯化剤であって浴中の銅イオンを錯化するのに十分なけ
    の該錯化剤を含有する改良めっき水溶液であって該ヒド
    ロキシ酸と該アミン化合物がモル比0.1〜3:1の混
    合物として存在するような改良アルカリ性無電解銅めっ
    き水溶液。 (2) 該ヒドロキシルイオンが浴のpHを9〜14に
    するような量において含まれることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項に記載のアルカリ性無電解銅めっき水溶
    液。 (3) 該ヒドロキシルイオンが浴のpHを10.5〜
    12.5にするような吊において含まれることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項に記載のアルカリ性無電解銅
    めっき水溶液。 (4) 該アミン化合物がエチレンジアミンテトラ酢酸
    から成り、該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキシ酸化合
    物対アミン化合物のモル比として0.25:1〜3:1
    になるような宿で存在することを特徴とする特許請求の
    範囲第1項に記載のアルカリ性無電解銅めっき水溶液。 。 (5) 該アミン化合物がエチレンジアミンテトラ酢酸
    から成り、かつ該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキシ酸
    化合物対アミン化合物のモル比として0.6:1〜2:
    1になるような間で存在することを特徴とする特許請求
    の範囲第1項に記載のアルカリ性無電解銅めっき水溶液
    。 (6) 該アミン化合物がエチレンジアミンテトラ酢酸
    から成り、かつ該ヒドロキシ酸化合物がモル比1.3:
    1になるような遣で存在することを特徴とする特V[請
    求の範゛囲第1項に記載のアルカリ性態?U解銅めっき
    水溶液。 (7) 該アミン化合物がN、N、N’ 、N’ −テ
    トラキス−(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミ
    ンから成り、かつ該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキシ
    酸化合物対アミン化合物のモル比が0.11:1〜2.
    45:1になるような同で存在することを特徴とする特
    許請求の範1lII第1項に記載のアルカリ性無電解銅
    めっき水溶液。 (8ン 該アミン化合物がN、N、N’ 、N’ −テ
    トラ4−スー(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジア
    ミンから成り、かつ該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキ
    シ酸化合物対アミン化合物のモル比が0.2:1〜1:
    1になるような間で存在することを特徴とする特許請求
    の範囲第1項に記載のアルカリ性無電解銅めっき水溶液
    。 (9) 該アミン化合物がN、N、N’ 、N’ −テ
    トラキス−(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミ
    ンから成り、かつ該ヒドロキシ酸化合物が0.26:1
    のモル比になるような量で存在することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項に記載のアルカリ性無電解銅めっき
    水溶液。 (10) 錯化剤対銅イオンのモル比が1:1〜5:1
    になるように該錯化剤と該銅イオンとが存在することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のアルカリ性無
    電解銅めっき水溶液。 (11) 、A錯化剤と該銅イオンとが、錯化剤対銅イ
    オンモル比1:1〜51:1になるような聞で存在する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のアルカ
    リ性無電解銅めっき水溶液。 (12) さらに1g/Jlの速度制御剤を含むことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のアルカリ性無
    電解銅めっき水溶液。 (13) さらに10g/J)の湿潤剤を含むことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載のアルカリ性無電
    解銅めっき水溶液。 (14) 銅を析出させるのに十分な量の銅イオン、還
    元剤、アルカリ側のpl−1にするのに十分なmのヒド
    ロ4:シルイオンを含有するアルカリ性無電解銅めっき
    水溶液において、エチレンジアミンテトラ酢酸及びN、
    N、N’ 、N’ −テトラキス−(2−ヒト0キシル
    プロピル)エチレンジアミンのいずれかから選択された
    一種類のアミン化合物と、グルコン酸、グルコヘプトン
    酸及びこれらの浴可溶性・相溶性塩類並びにこれらの混
    合物から成る群から選択されたヒドロキシ酸との混合物
    から成る錯化剤であって浴中の銅イオンを錯化するのに
    十分な間の該錯化剤を含イIJる改良めっき水溶液であ
    って該ヒドロキシ酸と該アミン化合物がモル比0.1〜
    3:1の混合物として存在するような改良アルカリ性無
    電解銅めっき水溶液中に素地を浸漬づる1稈、該浴の温
    度を15〜71℃(60”〜160丁〉に1iIJil
    Iする工程、及び所望の膜厚の銅めっきが析出するまで
    素地の浸漬を続ける工程とから成る素地上への銅めっき
    の析出方法。
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