DE2721567A1 - Loesung fuer die stromlose kupferplatierung - Google Patents

Loesung fuer die stromlose kupferplatierung

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DE2721567A1
DE2721567A1 DE19772721567 DE2721567A DE2721567A1 DE 2721567 A1 DE2721567 A1 DE 2721567A1 DE 19772721567 DE19772721567 DE 19772721567 DE 2721567 A DE2721567 A DE 2721567A DE 2721567 A1 DE2721567 A1 DE 2721567A1
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copper
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telluric
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DE19772721567
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Tony Eugene Such
Vaughan Gary Wilkinson
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents
    • C23C18/405Formaldehyde

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Description

  • Lösung für die stromlose Kupferplatierung
  • Die Erfindung betrifft den stromlosen Niederschlag von Kupfer aus einer wäßrigen, alkalischen Lösung und insbesondere die Stabilisierung der genannten Lösung.
  • Stromloser Niederschlag bezieht sich auf die chemische Reduktion von Kupferionen in Lösung zu metallischem Kupfer in Form einer auf einer geeigneten Oberfläche haftenden Schicht ohne jegliche Anwendung eines äußeren elektrischen Potentials. Die Bereiche, in denen dieses Verfahren angewendet wird, umfassen auch die Metallisierung von Kunststoffen, wie zum Beispiel von A. B. S. Polymeren vor: einer galvanischen Platierung mit anderen Metallen, wie Kupfer, Nickel und Chrom, um ein dekoratives Finish zu erhalten, besonders aber zur Metallisierung von gedruckten Leiterplatinen, vorzugsweise zur Durchkontaktierung (Lochplatierung).
  • Durchkontaktierung beinhaltet die Bildung eines galvanischen Kupferniederschlages aus einer Kupferpyrophosphatlösung oder aus einem Kupfersäurebad von hoher Streufähigkeit, wobei Streufähigkeit die Eigenschaft eines Bades bedeutet, auch dort Kupfer in genügender Menge abzuscheiden, wo Vertiefungen in der Oberfläche sind.
  • Es gibt natürlich schon eine ganze Reihe von Lösungen zur stromlosen Abscheidung von Kupfer. Diese Lösungen enthalten im allgemeinen Kupferionen des Kupfersulfats, ein alkalisches Metallhydroxid und einen Komplexbildner, der die Ausfällung von Kupferhydroxyd verhindert. Die Reduktion von Cu2+#Cu° auf einer Oberfläche wird durch Hinzufügen eines Reduktionsmittels, gewöhnlich Formaldehyd, bewirkt. Wenn die Ablagerung auf der Oberfläche einmal begonnen hat, findet die weitere Ablagerung von Kupfer an den Stellen statt, an denen die anfängliche Reaktion stattfand, das heißt, das System ist autokatalytisch. Es ist allerdings notwendig, die Kunststoffoberfläche durch bereits bekannte Techniken vorzubereiten, um einen stromlosen Kupferniederschlag zu erhalten.
  • Leider ist die Stabilität der bekannten Kupferlösungen gering, das heißt, sie besitzen die Tendenz zur spontanen Zersetzung und zur Ablagerung von Kupfer an den Wänden und dem Boden des Behälters oder sogar innerhalb der Lösung. Deshalb benötigt man dringend eine Kupferlösung mit zuverlässiger Stabilität, besonders bei Anwendung großer Mengen im kommerziellen Produktionsbetrieb. Lösungen ohne Stabilisatoren haben gesehr wöhnlich eine hohe Niederschlagsrate. Das Aussehen und die Struktur ihrer Niederschläge ist jedoch nicht zu akzeptieren.
  • Im allgemeinen tendieren diese Lösungen dazu, dunkle, grobkörnige Schichten mit geringer Verformbarkeit zu bilden. Deshalb ist ein Badzusatz notwendig, der die Ablagerung durch Stabilisierung des Bades verlangsamt, um metallisch glänzende zusammenhängende Schichten zu bilden. Es ist auch erwünscht, in sehr kleinen Vertiefungen genausoviel Kupfer ablagern zu können, z. B. in den Löchern einer gedruckten Leiterplatine, wie auf einer normal glatten Oberfläche, das heißt, daß das Ablagerungsverhältnis von Loch zu glatter Fläche 1 : 1 betragen sollte.
  • Es wurde nun gefunden, daß durch Einbeziehung gewisser Tellurverbindungen in das Bad eine deutliche Verbesserung der Stabilität der besagten Kupferlösung hervorgerufen wird. Es konnte gezeigt werden, daß Zusätze von nur 2 mg/l die Stabilität wesentlich steigern.
  • Es ist, wie bereits erwähnt, im Interesse eines hohen Glanzes erwünscht, den Platierungsfortschritt zu verlangsamen, aber nur bis zu dem Punkt, an dem die Rate noch akzeptabel für industriellen Betrieb ist und noch einen metallisch glänzenden Niederschlag ergibt. Der erfindungsgemäße Zusatz verbessert nicht nur die Badstabilität, sonder bewirkt auch eine Verbesserung des metallischen Glanzes.
  • Gemäß der Erfindung enthält die Lösung zur stromlosen Kupferablagerung Kupferionen, ein Hydroxid, einen Komplexbildner, Formaldehyd und Tellursäure (H2TeO4) oder tellurige Säure (H2TeO3) oder eines ihrer Salze in stabilisierender Menge.
  • Die Erfindung umfaßt weiterhin ein Verfahren zur Durchführung einer stromlosen Kupferplatierung unter Benutzung einer alkalischen Kupferlösung, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die Lösung eine stabilisierend wirkende Menge an Tellur- oder telluriger Säure oder eines ihrer Salze enthält.
  • Die Konzentration der Tellur- oder tellurigen Säure oder des Salzes liegt bei etwa 2 bis 400 ppm, insbesondere 50 bis 150 ppm und vorzugsweise bei 60 bis 100 ppm.
  • Um die Wirkung der Stabilisatoren in verschiedener Konzentration untersuchen zu können, wurde für alle Tests ein spezifischer Ansatz eines stromlosen Kupferbades erstellt, so daß die Ergebnisse in Abhängigkeit von der Konzentration der Tellursäure interpretiert werden konnten.
  • Der gewählte Ansatz war folgender: CuSO4 . 5 H2O 10 g/l EDTA (Äthylen-diamintetra-Essigsäure) = Dinatrium-Salz 17 g/l Formaldehyd 5 g/l Natriumhydroxid 12 g/l (um einen pH-Wert von 11,0 - 13,5 zu erhalten).
  • Um den Nutzen der Tellurverbindungen als Stabilisatoren quantitativ erfassen zu können, mußte eine Methode gefunden werden, die die künstliche Zersetzung der Lösung verursacht.
  • Folgende Methode wurde dafür verwendet: 10 ml einer colloidalen Suspension aus Palladium, wie sie bei der Vorbehandlung von Kunststoffplatierungen benutzt wird, wurde auf 100 ml verdünnt. Dann wurden 0,3 ml dieser Testsuspension in 25 ml der stromlosen Kupferlösung gegeben, welche in einem Wasserbad bei 400 C stand. Die Suspension wurde zu Lösungen gegeben, die verschiedene Konzentrationen der Tellurverbindungen enthielten. Bei jeder Lösung wurde ermittelt, wieviel Zeit sie benötigte, um zu zerfallen. Eine völlig unstabile Lösung begann sofort,sich zu zersetzen,indem sie heftig gaste, während sich metallisches Kupfer am Boden des Testbehälters absetzte. Die Zersetzung war nach 2 bis 3 Minuten abgeschlossen.
  • Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
  • Frühere Autoren führten eine spezifische Zeit für die Zersetzung der Lösung an. Die Zersetzung setzt jedoch nicht unmittelbar ein; es wird vielmehr eine bestimmte Zeit benötigt, bis der Prozeß der Zersetzung beginnt und dann wird in Abhängigkeit der Zersetzungsrate eine gewisse Zeit benötigt, um das Endstadium zu erreichen, d. h. die völlige Zersetzung.
  • Die Reaktionen, die während der Zersetzung eines stromlosen Kupferbades stattfinden, können wie folgt zusammengefaßt werden: In den Tests zur Untersuchung der Platierungsrate wurden zunächst A.B.S.-Platinen wie üblich vorbereitet und sodann in die Palladiumsuspension getaucht: 1. Säure-Ätzung 2. Spülen unter fließendem Wasser 3. Eintauchen in 20 Vol.-%ige Chlorwasserstofflösung 4. Spülen unter fließendem Wasser 5. Palladiumaktivierungsbehandlung (Eintauchen in eine colloidale Palladiumsuspension) 6. Spülen unter fließendem Wasser 7. Eintauchen in 20 Vol.-%ige Chlorwasserstoffsäurelösung 8. Spülen unter fließendem Wasser 9. Stromlose Kupferplatierung Tabelle 1 Die Stabilität der Lösung in Abhängigkeit von der Tellursäure (TA)-Konzentration.
    Zeit bis zum |, Ziet bis zur
    ppm TA Zersetzungs- völligen Zer- Bemerkungen
    beginn (Min) setzung (Min)
    0 sofort 3 sehr heftige Reaktionen
    4 7 15 schnelle Reaktion
    20 8 30 langsamere Reaktion
    als bei 4 ppm
    50 20 45 langsamere Reaktion
    als bei 20 ppm
    100 21 135 Durchweg nur mäßige
    Reaktion
    150 32 170 Sehr langsame Reaktion
    200 70 nicht gemessen schwach blaue Färbung
    nach einem Tag (blieb
    bestehen)
    400 120 nicht gemessen schwach blaue Färbung
    nach zwei Tagen (blieb
    bestehen)
    Aus diesen Ergebnissen ist klar ersichtlich, daß Tellursäure eine sehr deutliche Wirkung auf die Stabilität eines stromlosen Kupferbades hat, wobei im Bad die Ablagerungsrate merklich verlangsamt ist. Derselbe Effekt wurde auch bei Anwendung von telluriger Säure beobachtet.
  • Um die Ablagerungsrate beobachten zu können, wurde folgende Verfahrensweise benutzt: Platten von bekannter Oberflächengröße wurden, was Badansatz, Badtemperatur und Platierungszeit angeht, unter gleichen Bedingungen platiert, aber jeder Test wurde mit verschiedenen Konzentrationen an Tellursäure durchgeführt. Die Platten wurden einzeln in 20 Vol.-%ige Salpetersäure eingetaucht, um das Kupfer vom Kunststoff abzustreifen; diese Lösung wurde auf 1 1 aufgefüllt und die Kupfermenge in jeder Lösung wurde mittels Atom-Adsorptionstechnik (Ionenaustausch) bestimmt.
  • Diese Methode zeigte, wieviel Kupfer auf jeder Platte war, bevor es abgestreift wurde, und dann ergab eine einfache Rechnung die Dicke des Kupfers auf der Platte.
  • Tabelle 2 Ablagerungsrate in Abhängigkeit von der Konzentration (TA).
  • Temperatur: 400 C Basislösung: wie vorher Zeit: 30 Minuten
    Ablagerungsrate
    TA (ppm)
    (µm/h)
    0 3.2
    10 2.2
    50 1.8
    100 1.6
    150 1.2
    200 1.2
    Nachdem gezeigt worden ist, daß die Ablagerungsrate von der Konzentration der Tellursäure abhängig ist, soll eben gezeigt werden, daß die Ablagerungsrate auch von der Temperatur abhängig ist: Tabelle 3 Platierungsrate in Abhängigkeit von der Temperatur Tellursäure-Konzentration: 70 ppm Basislösung: wie vorher Zeit: 30 Minuten
    Temperatur (OC) Niederschlagsrate (m/h)
    19 (Zimmer-
    temperatur) 0,9
    30 1,3
    35 1,5
    40 1,5
    45 1,7
    50 1,9
    Der erfindungsgemäße Badzusatz hat im übrigen die Eigenschaft, sowohl das Bad zu stabilisieren und die Zersetzung zu verlangsamen als auch den Glanz des Niederschlages zu verändern.
  • Tabelle 4 Niederschlagsrate und Aussehen Basislösung: wie vorher Zeit: 30 Minuten Temperatur: 400 C
    Dicke d. Nieder- Aussehen d. Nieder-
    ppm TA Bemerkungen
    schlages (µm/h) schlages
    0 3,2 Grobkörning, dunkles Sehr schnelle Ablage-
    Ziegelrot rung, heftige Reaktion
    unter starkem Gasen -
    ähnlich wie Zer-
    setzungserscheinungen.
    Der Niederschlag zeigt
    sehr leicht Tastflecke
    10 2,2 Nicht so dunkel, Die Reaktion auf der
    nicht so grobkörnig Plattenoberfläche ist
    sichtbar weniger heftig
    50 1,8 Ziemlich glänzend;
    der Niederschlag ist
    lachsrot
    100 1,6 Sehr glänzender Nie-
    derschlag
    150 1,2 Weniger glänzend Es wurde nur eine un-
    als bei 100 ppm gefähr 90%ige Bedeckung
    erreicht. Langsame Pla-
    tierung.
    200 1,2 Starke Reduktion des Wieder nur ungefähr
    Glanzes im Vergleich 90%ige Bedeckung.
    mit dem bei 100 ppm
    In den Fällen, in denen nur 90 % Beschichtung erreicht wurde, kann die Beschichtung durch Erhöhung der Temperatur über 400C verbessert werden, verbunden mit einer gleichzeitigen Abnahme der Stabilität der lösung.
  • Die Eigenschaft der Lösung bei der Platierung von gedruckten Leiterplatinen wurde überprüft, in dem derselbe Basisansatu wie oben erwähnt unter Beifügung von 70 ppm Tellursäure und einer Arbeitstemperatur von 40°C benutzt wurde. Für diese Beispiel wurde eine nichtgalvanisch platierte Kupferplatine benutzt.
  • Die Vorbehandlung der Platinen war folgende: Sauberschmirgeln (mit Bimsstein oder Schlemmkreide) Spülen unter fließendem Wasser Eintauchen in nichtäzende und nichtkieselsaure alkalische Reinigungslösung Spülen unter fließendem Wasser Eintauchen in 20 Gew.-%ige Ammonium-Persulfat-Ldsung Spülen unter fließendem Wasser Eintauchen in 10 Vol.-%ige Schwefelsäure Spülen unter fließendem Wasser Eintauchen in 30 Vol.-%ige Chlorwasserstoffsäure Spülen unter fließendem Wasser Eintauchen in kolloidale Palladiumsuspension Spülen unter fließendem Wasser Eintauchen in 30 Vol.-%ige Chlorwasserstoffsäure Spülen unter fließendem Wasser Stromlose Kupferplatierung.
  • Anschließend wurden die Platinen mittels einer Kupferpyrophosphat-lösung galvanisch platiert. Von den so erhaltenen Platinen wurden Metallschliffe hergestellt, die unter einem metallurgischem Mikroskop untersucht wurden. Die Ergebnisse wurden fotografiert und es wurde festgestellt, daß bei der Platierung ein 1 : 1 - Verhältnis von Loch zu glatter Fläche durch das stromlos niedergeschlagene Kupfer erreicht worden war.
  • Obwohl die bisherigen Prüfungen mit einem speziellen Ansatz an Basis lösung durchgeführt wurden, wirken die Tellurverbindungen auch als Stabilisatoren in Bädern, die von diesen abweichen, wie z. B. solche, die Rochellesalz als Komplexbildner oder eine Kombination von Rochellesalz mit EDTA (Dinatrium-oder Tetranatriumsalz) oder einen anderen geeigneten Komplexbilder enthalten.
  • Bad zusammensetzungen nach Erfindung können auf jeden Untergrund unter allen normalen Bedingungen angewendet werden, unter denen "stromlose" Kupferbäder als brauchbar angesehen werden. Die Platierung kann auf leitenden Oberflächen wie z. B.
  • Kupfer, Nickel und Palladium durchgeführt werden und auch auf geeignet vorbereiteten isolierten Oberflächen. Für letztere sollten an sich bekannte Sensibilisierungs- und Aktivierungsschritte benutzt werden, wie z.B. diejenigen, die oben erwähnt wurden.
  • ZStromlosew Kupferplatierungen können erfindungsgemiß unter einer Vielzahl von Temperaturbedingungen innerhalb des Bereiches benutzt werden, in dem das «ad flüssig bleibt; jedoch muß daran erinnert werden, daß erhöhte Badtemperaturen im allgemeinen die Platierungsrate erhöhen, aber andererseits auch die Tendenz zum sponaten Verfall steigen.
  • "Stromlose" Kupferbäder und Lösungen gemäß der Erfindung können wunschgemäß dadurch hergestellt werden, daß die verschiedenen Komponenten in der genauen Menge Wasser gelöst und gemischt werden. Bequemer jedoch können die Lösungen hergestellt werden aus vorgemischten Konzentraten, die einfach zusammengefügt werden und für den Gebrauch verdünnt werden. Das Formaldehyd wird von den anderen Komponenten separat gehalten, aber der Rest kann in dem vorgemischten Konzentrat enthalten sein, welches z. B. für zwei- bis fünffache Verdünnung geeignet ist, vorzugsweise für drei- bis vierfache, unter Zusatz einer Formaldehydlösung geeigneter Stärke. Das vorgemischte Konzentrat enthält infolgedessen Kupferionen, ein Hydroxid, einen Komplexbildner und Tellur- oder tellurige Säure oder eines ihrer Salze.
  • Auch Konzentrate zur Aufrechterhaltung der Stabilität der L5-sung und zu ihrer Aufstärkung die dem Bad während der Strom losen" Kupferplatierung zugegeben werden, können Kupferionen und Tellur- oder tellurige Säure oder eines ihrer Salze enthalten, gegebenenfalls zusammen mit einem Komplexbildner.
  • Im folgenden werden Beispiele von erfindungsgemäßen Bädern gegeben: Beispiel 1 Kupfersulfat (CuSO4 5 H2O) 10 g/l Rochellesalz 17 g/l Formaldehyd 5 g/l Natriumhydroxid (ungebunden) 8 g/l Tellursäure (H2TeO4 2 2 H2O) 70 ppm Beispiel 2 Kupfersulfat (CuSO4 5 H20) 10 g/l Äthylendiamin-Tetraessigsäure EDTA) (Dinatriumsalz) 17 g/l Formaldehyd 5 g/l Natriumhydroxid (ungebunden) 8 g/l Tellursäure (H2TeO4 H2O) 100 ppa Beispiel 3 Kupfersulfat 10 g/l EDTA (Dinatriumsalz) 10 g/l Rechellesalz 35 g/l Formaldehyd 5 g/l Natriumhydroxid 8 g/l Natriumtellurat (Na2TeO4 2 H2O) 130 ppa Beispiel 4 Kupfersulfat 10 g/l Nitrilo-Triessigsäure (Trinatriumsalz) 16 gt/l Formaldehyd 5 g/l Natriumhydroxid (ungebunden) 8 g/l Ammoniumtellurat (NH4)2 TeO4 60 ppm Beispiel 5 Kupfersulfat 10 g/l EDTA (Dinatriumsalz) 17 g/l Formaldehyd 5 g/l Natriumhydroxid (ungebunden) 8 g/l Kaliumtellurat <K2TeO3) 50 ppm Die stromlosen Kupferbäder, so wie sie in den Beispielen angegeben sind, können entweder dadurch hergestellt werden, daß die Salze in der genauen Menge Wasser gelöst werden oder, bequemer, durch Benutzung vorgemischter Konzentratlösungen gemäß den folgenden Beispielen: Beispiel 6 Die Lösung in Beispiel 2 kann hergestellt werden aus zwei Konzentraten, A) und B), wie folgt: Konzentrat A) 40 g/l CuSO4 5 H20 68 g/l EDTA (Dinatriumsalz) 48 g/l Natriumhydroxid 0,4 g/l Tellursäure Konzentrat B) 400 g/l Formaldehyd Um nun das Bad aus Beispiel 2 herzustellen, werden folgende Volumina von A) und B) benutzt: Konzentrat A) 250 ml Konzentrat B) 12,5 ml Wasserauffüllen bis 1 000 ml Beispiel 7 Zur Aufrechterhaltung der Konzentrationen der Kupferionen und Stabilisatoren wird ein Konzentrat anderer Natur benutzt: Konzentrat C) 300 g/l Kupbersulfat 1 g/l Tellursäure Konzentration C) kann dem Bad zugegeben werden, sobald es die Analyse der lösung verlangt.
  • Beispiel 8 Konzentrat mit einem Komplexbildner: Konzentrat D) 100 g/l Kupfersulfat 66 g/l EDTA (Dinatriumsalz) o,l g/l Tellursäure Konzentrat D) kann dazu benutzt werden, die Konzentration der Kupferionen im Bad aufrecht zu erhalten.

Claims (5)

  1. Patentansprüche 1 Lösung für die stromlose Kupferplatierung enthaltend Kupferionen, Hydroxi-Ionen, einen Komplexbildner und Formaldehyd, dadurch gekennzeichnet, daß diese eine stabilisierend wirkende Menge vom Tellur- oder telluriger Säure oder eines ihrer Salze enthält.
  2. 2) lösung nach Anspruch 1, enthaltend Tellur- oder tellurige Säure oder eines ihrer Salze, in einer Menge von 60 bis 100 ppm.
  3. 3) Verfahren zur Durchführung einer stromlosen Kupferplatierung unter Benutzung einer alkalischen Kupferlösung, dadurch gekennzeichnet, daß die lösung eine stabilisierend wirkende Menge an Tellur- oder telluriger Säure oder eines ihrer Salze in der lösung enthält.
  4. 4) Konzentrierte Lösung enthaltend Kupferionen, Hydroxi-Ionen und einen Komplexbildner, der Formaldehyd zugefügt wird, dadurch gekennzeichnet, daß diese Tellur- oder tellurige Säure oder eines ihrer Salze enthält.
  5. 5) Konzentrierte lösung, die Kupferionen zur Aufstärkung eines stromlosen Kupferplatierungsbades, dadurch gekennzeichnet, daß diese Tellur- oder tellurige Säure oder eines ihrer Salze enthält.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116194618A (zh) * 2020-11-10 2023-05-30 美录德有限公司 无电解镀铜液

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