TW202213445A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種基板處理裝置及基板處理方法，該基板處理裝置包括：旋轉卡盤部，以能夠旋轉的方式設置於驅動部；真空卡盤部，配置於旋轉卡盤部，供晶片放置；卡緊模組，設置於旋轉卡盤部，使得晶片固定於真空卡盤部；以及移動模組，使真空卡盤部或卡緊模組移動，以在晶片上擴大相鄰模具之間的間隔。因此，能夠顯著提高晶片的清洗性能並且能夠顯著降低晶片的不合格率。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明涉及一種基板處理裝置及基板處理方法，更詳細而言，涉及一種能夠提高基板的處理性能、縮短基板的處理時間的基板處理裝置及基板處理方法。
一般而言，在半導體工序中，進行蝕刻晶片的蝕刻工序、將晶片切割成多個模具的分離工序、清洗晶片的清洗工序等。在晶片蝕刻工序或清洗工序中，使用基板處理裝置。
基板處理裝置以可旋轉的方式設置，由上部放置有晶片的旋轉台和以環狀結合於旋轉台的邊緣區域的密封環等構成。在旋轉台旋轉的狀態下，向放置於旋轉台的晶片供應處理液。
然而，現有的基板處理裝置在清洗被切割成多個模具的晶片時，難以去除多個模具之間的間隙上殘存的異物。另外，為了去除多個模具之間的間隙中的異物，需要充分延長清洗時間，因此會增加清洗時間。
另外，將密封環結合到旋轉台的上部的過程複雜，結合時密封環的結合完成狀態不確定，可能產生結合誤差（歪扭等）。進一步地，產生密封環的結合誤差的情況下，隨著處理液向密封環的外側浸入，可能損傷台的周邊的結構件。
另外，為防止晶片位置變動而設置晶片固定模組，並設置用於固定密封環的密封環固定模組。因此，基板處理裝置的結構變得複雜，可能會增加製造費用。
本發明的背景技術記載於韓國公開專利公報第10-2016-0122067號（2016年10月21日公開，發明名稱：晶片處理設備以及用於晶片處理設備的密封環）。
要解決的技術問題：
本發明的目的在於提供一種能夠提高基板的處理性能、縮短基板的處理時間的基板處理裝置及基板處理方法。
解決技術問題的手段：
根據本發明的基板處理裝置，其中，包括：旋轉卡盤部，以能夠旋轉的方式設置於驅動部；真空卡盤部，配置於所述旋轉卡盤部並且供晶片放置；卡緊模組，設置於所述旋轉卡盤部，以使得所述晶片固定於所述真空卡盤部；以及移動模組，使所述真空卡盤部或所述卡緊模組移動，以在所述晶片上擴大相鄰模具之間的間隔。
所述移動模組可以設置於所述旋轉卡盤部，以使得所述真空卡盤部移動。
所述移動模組可以設置於所述旋轉卡盤部，以使得所述卡緊模組移動。
所述移動模組可以包括：介質流道部，形成於所述驅動部，以供應移動介質；以及移動桿部，設置於所述介質流道部，以便隨著通過所述介質流道部的壓力而移動，從而使所述真空卡盤部移動。
所述移動模組還可以包括：缸部，使所述真空卡盤部或所述卡緊模組移動。
所述移動模組還可以包括：電磁線圈部，使所述真空卡盤部或所述卡緊模組移動。
所述真空卡盤部可以包括：第一真空卡盤，以與所述旋轉卡盤部一起旋轉的方式設置於所述旋轉卡盤部，並且所述第一真空卡盤形成真空壓以吸附所述晶片；以及第二真空卡盤，搭載於所述第一真空卡盤並且供所述晶片搭載，所述第二真空卡盤設置為通過所述移動模組而升降，以擴大所述模具之間的間隔。
所述卡緊模組可以包括：卡緊基座，設置於所述旋轉卡盤部；卡緊旋轉部，連接於所述卡緊基座，以使得所述卡緊基座旋轉；多個第一卡緊連桿部，以徑向的方式分別連接於所述卡緊基座，並且在所述卡緊基座旋轉時移動；以及多個晶片限制部，分別連接於所述第一卡緊連桿部，以在所述第一卡緊連桿部移動時將所述晶片的擋圈部固定於所述真空卡盤部。
所述卡緊基座可以包括：基座本體部，以與所述旋轉卡盤部的旋轉軸形成同心的方式形成為環形；多個引導部，形成於所述基座本體部，以便所述第一卡緊連桿部以能夠移動的方式結合於多個引導部；以及基座齒輪部，形成於所述基座本體部並連接於所述卡緊旋轉部。
所述引導部可以以相對於所述基座本體部的半徑傾斜的方式形成。
所述第一卡緊連桿部可以包括：第一引導滑塊，以能夠移動的方式結合於所述引導部；第一連桿部件，連接於所述第一引導滑塊，並且在所述第一引導滑塊移動時沿著所述基座本體部的半徑方向直線移動；以及第一連桿齒輪部，以與所述基座齒輪部嚙合移動的方式形成於所述第一連桿部件。
所述第一卡緊連桿部還可以包括：第一啟動區，所述第一連桿部件以能夠直線移動的方式結合於所述第一啟動區。
所述晶片限制部可以包括：夾具軸部，以能夠旋轉的方式設置於所述旋轉卡盤部；夾具齒輪部，以與所述第一連桿齒輪部嚙合的方式形成於所述夾具軸部；夾具連桿部，連接於所述夾具軸部；夾具支承部，固定於所述旋轉卡盤部；以及加壓夾具部，以能夠旋轉的方式設置於所述夾具支承部，並且在所述夾具連桿部移動時，所述加壓夾具部進行旋轉以加壓和釋放所述晶片的所述擋圈部。
所述加壓夾具部可以包括：夾具迴旋部，鉸接結合於所述夾具支承部並連接於所述夾具連桿部；以及加壓指部，形成於所述夾具迴旋部，以加壓和釋放所述晶片的所述擋圈部。
所述基板處理裝置還可以包括：環蓋部，沿著所述真空卡盤部的周邊部配置，以加壓所述晶片的貼合片，從而密封所述真空卡盤部的周邊部側，並且所述環蓋部通過所述卡緊模組固定於所述旋轉卡盤部。
所述卡緊模組還可以包括：多個第二卡緊連桿部，以徑向的方式連接於所述卡緊基座，並且在所述卡緊基座旋轉時移動；以及多個蓋限制部，連接於所述第二卡緊連桿部，以在所述第二卡緊連桿部移動時使所述環蓋部固定於所述旋轉卡盤部。
在所述卡緊基座旋轉時，多個所述第一卡緊連桿部和多個所述第二卡緊連桿部可以同時移動。
所述第二卡緊連桿部可以包括：第二引導滑塊，以能夠移動的方式結合於所述卡緊基座；第二連桿部件，連接於所述第二引導滑塊，在所述第二引導滑塊移動時沿著所述基座本體部的半徑方向直線移動；以及第二連桿齒輪部，以與所述蓋限制部嚙合移動的方式形成於所述第二連桿部件。
所述第二卡緊連桿部還可以包括第二啟動區，所述第二連桿部件以能夠直線移動的方式結合於所述第二啟動區。
根據本發明的基板處理方法，其中，包括下列步驟：將晶片搭載於真空卡盤部的步驟；卡緊模組使所述晶片固定於所述真空卡盤部的步驟；移動模組使所述真空卡盤部或所述卡緊模組移動，以在所述晶片上擴大相鄰模具之間的間隔的步驟；以及所述旋轉卡盤部和所述真空卡盤部旋轉，並向所述晶片噴射清洗液，以去除所述晶片上的異物的步驟。
所述移動模組還可以包括：介質流道部，形成於驅動部，以供應移動介質；以及移動桿部，設置於所述介質流道部，以隨著通過所述介質流道部的壓力而移動，從而使所述真空卡盤部移動。
所述移動模組還可以包括：缸部，使所述真空卡盤部或所述卡緊模組移動。
所述移動模組還可以包括：電磁線圈部，使所述真空卡盤部或所述卡緊模組移動。
所述移動模組使所述真空卡盤部或所述卡緊模組移動，以在所述晶片上擴大所述模具之間的間隔的步驟可以包括：第一真空卡盤形成真空壓以吸附所述晶片的步驟；以及所述移動模組使第二真空卡盤或所述卡緊模組移動的步驟。
所述卡緊模組將所述晶片固定於所述真空卡盤部的步驟可以包括：卡緊旋轉部使卡緊基座旋轉的步驟；隨著所述卡緊基座的旋轉，多個第一卡緊連桿部進行移動的步驟；以及隨著多個所述第一卡緊連桿部的移動，多個晶片限制部使所述晶片的所述擋圈部加壓固定於所述真空卡盤部的步驟。
根據本發明的基板處理方法，可以包括：將晶片搭載於真空卡盤部上的步驟；環蓋部配置於所述真空卡盤部的周邊部的步驟；隨著卡緊模組的移動，所述晶片固定於所述真空卡盤部，並且所述環蓋部固定於旋轉卡盤部的步驟；以及所述旋轉卡盤部和所述真空卡盤部旋轉，向所述晶片噴射供應液以蝕刻所述晶片的步驟。
隨著所述卡緊模組的移動，所述晶片固定於所述真空卡盤部，並且所述環蓋部固定於所述旋轉卡盤部的步驟可以包括：所述卡緊旋轉部使卡緊基座旋轉的步驟；隨著所述卡緊基座的旋轉，多個第一卡緊連桿部和多個第二卡緊連桿部移動的步驟；以及多個晶片限制部使所述晶片的擋圈部固定於所述真空卡盤部，多個蓋限制部使所述環蓋部固定於所述旋轉卡盤部的步驟。
所述環蓋部可以隨著對所述晶片的貼合片加壓，從而防止供應液浸入所述晶片的所述擋圈部側。
在隨著所述卡緊基座的旋轉，多個所述第一卡緊連桿部和多個所述第二卡緊連桿部移動的步驟中，在所述卡緊基座旋轉時，多個所述第一卡緊連桿部和多個所述第二卡緊連桿部可以同時移動。
技術效果：
根據本發明，移動模組使真空卡盤部或卡緊模組移動，以在晶片上擴大相鄰模具之間的間隔，因此能夠通過清洗液容易地去除附著於模具表面的異物以及位於多個模具之間的間隙的異物。因此，能夠顯著提高晶片的清洗性能，並且能夠顯著降低晶片的不良率。
另外，根據本發明，隨著卡緊基座的旋轉，多個第一卡緊連桿部和多個晶片限制部同時移動，因此可以利用一個卡緊旋轉部將晶片限制在真空卡盤部。因此，能夠減少設置於卡緊模組的卡緊旋轉部的個數。
另外，根據本發明，環蓋部加壓晶片的貼合片，從而密封真空卡盤的周邊部，因此減少由供應液造成的貼合片損傷，能夠防止由供應液造成的旋轉卡盤部和真空卡盤部的污染或破損。
另外，根據本發明，利用一個卡緊基座和一個卡緊旋轉部同時使晶片和環蓋部固定於真空卡盤部和旋轉卡盤部，因此能夠簡化基板處理裝置的結構。
以下，參考附圖說明根據本發明的基板處理裝置及基板處理方法的實施例。在說明基板處理裝置及基板處理方法過程中，圖中示出的線的粗細或構成元素的尺寸等可能出於說明的清楚和便利而誇張地示出。另外，後文的術語是考慮在本發明中的功能而定義的術語，可能根據使用者、運用者的意圖或慣例而不同。因此，應當基於本發明整體內容定義這些術語。
圖1為簡要示出在根據本發明第一實施例的基板處理裝置中處理的晶片的平面圖，圖2為簡要示出在根據本發明第一實施例的基板處理裝置中處理的晶片的側面圖，圖3為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置的側面圖，圖4為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中隨著真空卡盤部上升多個模具之間的間隔擴大的狀態的側面圖。
參考圖1至圖4，根據本發明第一實施例的基板處理裝置包括旋轉卡盤部120、真空卡盤部130、卡緊模組150及移動模組200。
基板處理裝置蝕刻並清洗晶片10。在蝕刻工序中，向晶片10噴射蝕刻液。蝕刻的晶片10在分離工序中隨著切割而以矩陣形狀形成多個模具11。在清洗工序中，隨著向晶片10噴射清洗液而去除附著於多個晶片10的異物。清洗液可以採用去離子水（Deionized water；DI-water）等多種。將蝕刻工序和清洗工序中供應的蝕刻液和清洗液稱為供應液。
晶片10包括以矩陣形狀排列的多個模具11、附著有多個模具11的貼合片12以及連接於貼合片12的外周以緊緊支承貼合片12的擋圈部13。貼合片12沿水平方向以可伸縮的材料形成。隨著貼合片12通過擋圈部13緊繃，多個模具11位置固定，使得薄板的模具11保持平板狀態。
旋轉卡盤部120以可旋轉的方式設置於驅動部110。旋轉卡盤部120整體可形成為圓板形狀。
驅動部110包括連接於旋轉卡盤部120的旋轉中心的旋轉軸111和設置於旋轉軸111的電機部113。電機部113包括設置於外殼（未圖示）的內部的定子（未圖示）和配置於定子的內部並以圍繞旋轉軸111的方式設置的轉子（未圖示）。另外，驅動部110可以採用以帶為媒介使旋轉軸111旋轉的帶驅動方式或以鏈為媒介使旋轉軸111旋轉的鏈驅動方式。只要能使旋轉卡盤部120旋轉，驅動部110可以採用多種形狀。
旋轉軸111上形成有真空流道部115（參考圖7及圖9），以使真空卡盤部130真空化。真空流道部115沿旋轉軸111的長度方向形成。真空卡盤部130以與真空流道部115連接的方式形成有真空腔135。
真空卡盤部130配置於旋轉卡盤部120，並且供晶片10放置。在驅動部110驅動時真空卡盤部130與旋轉卡盤部120一起旋轉。此時，在基板處理裝置中進行蝕刻工序的情況下，真空卡盤部130上放置未被切割成多個模具11的狀態的晶片10。在基板處理裝置中進行清洗工序的情況下，真空卡盤部130上放置被切割成多個模具11的狀態的晶片10。從晶片10切割成模具11的情況下，模具11的表面與模具11之間的間隙可能殘存異物。
卡緊模組150（參考圖7）設置於真空卡盤部130，以使晶片10的擋圈部13固定於真空卡盤部130。卡緊模組150通過向下側壓緊擋圈部13使擋圈部13固定於真空卡盤部130的周邊部。因此，旋轉卡盤部120和真空卡盤部130旋轉時，卡緊模組150防止晶片10的位置變化，使得晶片10保持平坦的狀態。
移動模組200以使真空卡盤部130或卡緊模組150移動的方式設置，以在晶片10上擴大模具11的間隔G1。在卡緊模組150使晶片10的擋圈部13固定於真空卡盤部130的周邊部的狀態下，若移動模組200移動，則晶片10通過移動模組200的移動被加壓。此時，隨著晶片10的貼合片12沿半徑方向繃緊，貼合片12沿半徑方向增長，隨著貼合片12沿半徑方向增長，多個模具11之間的間隔G2擴大。在多個模具11之間的間隔G2擴大的狀態下，向多個模具11噴射清洗液時，通過清洗液可以容易地去除附著於模具11表面的異物以及位於多個模具11之間的間隙的異物。因此，能夠顯著提高晶片10上異物的清洗性能。另外，隨著晶片10的清洗性能顯著提高，能夠顯著降低晶片10的不良率。
在晶片10的擋圈部13位置固定的狀態下，隨著多個模具11的移動，從而擴大模具11之間的間隔G2，或在多個模具11位置固定的狀態下隨著擋圈部13的移動而擴大模具11之間的間隔G2。對此，下文將詳細說明。
移動模組200設置於旋轉卡盤部120以使真空卡盤部130移動。例如，移動模組200使真空卡盤部130向上側移動，旋轉卡盤部120保持位置固定。此時，真空卡盤部130的周邊部支承晶片10的貼合片12。隨著移動模組200的驅動真空卡盤部130向上側移動，並且旋轉卡盤部120不上升，因此在晶片10的擋圈部13位置固定的狀態下，貼合片12上升並沿半徑方向增長。隨著貼合片12沿半徑方向增長，多個模具11之間的間隔擴大。
圖5為簡要示出根據本發明第二實施例的基板處理裝置的側面圖。
參考圖5，移動模組200設置於旋轉卡盤部120，以使卡緊模組150移動。例如，移動模組200使卡緊模組150向下側移動。此時，真空卡盤部130的周邊部支承晶片10的貼合片12。隨著移動模組200驅動，卡緊模組150向下側移動，旋轉卡盤部120和真空卡盤部130不上升，因此，晶片10的多個模具11在真空卡盤部130上的位置固定的狀態下，隨著擋圈部13下降，貼合片12沿半徑方向增長。隨著貼合片12沿半徑方向增長，多個模具11之間的間隔擴大。
圖6為簡要示出根據本發明第三實施例的基板處理裝置的側面圖。
參考圖6，移動模組200設置於旋轉卡盤部120，以使卡緊模組150向上側移動。旋轉卡盤部120的周邊部設置有用於以可升降的方式支承卡緊模組150的結構件（未圖示）。旋轉卡盤部120的周邊部上側設置有可以加壓位於擋圈部13的內側的貼合片12部分的環蓋部140等結構件。此時，晶片10的貼合片12被環蓋部140等結構件支承以不上升。隨著移動模組200驅動，卡緊模組150向上側移動，旋轉卡盤部120和真空卡盤部130不上升，因此，晶片10的多個模具11在真空卡盤部130上的位置固定的狀態下，隨著擋圈部13上升，貼合片12沿半徑方向增長。隨著貼合片12沿半徑方向增長，多個模具11之間的間隔擴大。
只要能使真空卡盤部130或卡緊模組150移動，移動模組200可以採用多種形狀。下文將說明移動模組200的實施例。
圖7為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置的剖面圖，圖8為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中真空卡盤部上升一定高度的狀態的剖面圖，圖9為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中移動模組的一例的剖面圖，圖10為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中移動模組的另一例的剖面圖，圖11為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中移動模組的又一例的剖面圖。
參考圖7至圖9，移動模組200包括介質流道部201和移動桿部203。介質流道部201可以沿著旋轉軸111的長度方向配置於旋轉軸111的內部。移動介質可以是空氣或氣體。移動桿部203通過移動介質的壓力升降，並且以接觸真空卡盤部130的下部的方式設置。移動桿部203可以設置有復位彈簧，以在釋放移動介質的壓力時使移動介質復位到原位置。移動桿部203和介質流道部201可以沿旋轉軸111的圓周方向設置多個。多個移動桿部203使真空卡盤部130升降的情況下，真空卡盤部130可以保持水平狀態的同時升降。
參考圖10，移動模組200可以包括使真空卡盤部130或卡緊模組150移動的缸部205。缸部205可以設置於旋轉卡盤部120以使真空卡盤部130升降，或設置於旋轉卡盤部120以使卡緊模組150移動。隨著流體供應至缸部205或從缸部排出，缸部205驅動，因此真空卡盤部130或卡緊模組150可以移動。使用缸部205作為移動模組200的情況下，驅動部110上無需設置另外的介質流道部201，因此驅動部110可以以簡單的結構形成。
參考圖11，移動模組200可以包括使真空卡盤部130或卡緊模組150移動的電磁線圈部207。電磁線圈部207可以設置於旋轉卡盤部120以使真空卡盤部130升降，或設置於旋轉卡盤部120以使卡緊模組150移動。隨著向電磁線圈部207供應電源或者切斷電源，電磁線圈部207驅動，因此真空卡盤部130或卡緊模組150可以移動。使用缸部205作為移動模組200的情況下，驅動部110上無需設置另外的介質流道部201，因此驅動部110可以以簡單的結構形成。
上述的移動模組200可以採用多種形狀，但下文將詳細說明關於移動模組200使真空卡盤部130升降的形狀。
圖12為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中卡緊模組的平面圖，圖13為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中卡緊模組的卡緊基座旋轉一定角度的狀態的平面圖，圖14為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中卡緊模組的卡緊連桿部和晶片限制部設置於旋轉卡盤部的狀態的側面圖，圖15為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中卡緊模組的第一卡緊連桿部和晶片限制部的立體圖。
參考圖12至圖15，真空卡盤部130包括第一真空卡盤131及第二真空卡盤133。第一真空卡盤131以與旋轉卡盤部120一起旋轉的方式設置於旋轉卡盤部120，並且第一真空卡盤131形成真空壓以吸附晶片10。第二真空卡盤133搭載於第一真空卡盤131並且供晶片10搭載，並且第二真空卡盤133設置為通過移動模組200而升降，以擴大模具11的間隔。第一真空卡盤131和第二真空卡盤133可以整體以圓板形狀形成。
旋轉軸111上形成有介質流道部201，以向第一真空卡盤131供應空氣。介質流道部201沿旋轉軸111的長度方向形成於旋轉軸111的內部。第二真空卡盤133上形成有多個吸附孔部（未圖示），該吸附孔部連通於第一真空卡盤131的介質流道部201，以吸附晶片10。多個吸附孔部可以沿第二真空卡盤133的圓周方向以同心圓形狀排列。介質流道部201上形成真空壓時，晶片10通過吸附孔部的真空吸附力緊密附著於第二真空卡盤133的上表面，因此在基板處理裝置中，在進行晶片10的蝕刻工序或清洗工序期間，可以保持晶片10平坦度。
卡緊模組150包括卡緊基座151、卡緊旋轉部155、多個第一卡緊連桿部160及多個晶片限制部170。
卡緊基座151設置於旋轉卡盤部120。卡緊旋轉部155連接於卡緊基座151，以使卡緊基座151旋轉。多個第一卡緊連桿部160以徑向的方式分別連接於卡緊基座151，在卡緊基座151旋轉時移動。多個晶片限制部170分別連接於第一卡緊連桿部160，以在第一卡緊連桿部160移動時將晶片10的擋圈部13固定於真空卡盤部130。卡緊基座151以與旋轉卡盤部120形成同心的方式設置。卡緊基座151、卡緊旋轉部155、第一卡緊連桿部160配置於旋轉卡盤部120的內部，晶片限制部170配置於旋轉卡盤部120和真空卡盤部130的外周。
卡緊旋轉部155驅動時，隨著卡緊基座151旋轉一定角度，多個第一卡緊連桿部160沿卡緊基座151的半徑方向移動。隨著多個第一卡緊連桿部160同時移動，多個晶片限制部170使晶片10的擋圈部13壓緊固定於第一真空卡盤131的周邊部。隨著卡緊基座151旋轉，多個第一卡緊連桿部160和多個晶片限制部170被同時驅動，因此可以利用一個卡緊旋轉部155將晶片10限制於真空卡盤部130。因此，能夠減少設置於卡緊模組150的卡緊旋轉部155的數量。
卡緊基座151包括基座本體部152、多個引導部153及基座齒輪部154。
基座本體部152以與旋轉卡盤部120的旋轉軸111形成同心的方式形成為環形。基座本體部152配置於旋轉卡盤部120的內部。多個引導部153形成於基座本體部152，以便第一卡緊連桿部160以可移動的方式結合於多個引導部153。多個引導部153的數量是第一卡緊連桿部160的數量的兩倍，沿著基座本體部152的圓周方向以等間距形成。多個引導部153的每一個結合有一個第一卡緊連桿部160。基座齒輪部154形成於基座本體部152並連接於卡緊旋轉部155。基座齒輪部154以圓弧形狀配置於基座本體部152的內周面。隨著卡緊旋轉部155驅動，基座齒輪部154旋轉，隨著基座本體部152與基座齒輪部154一起旋轉，第一卡緊連桿部160沿基座本體部152的半徑方向移動。
引導部153以相對於基座本體部152的半徑傾斜的方式形成。引導部153可以為引導孔部。引導部153可以為引導槽或引導凸起部。引導部153以相對於基座本體部152的半徑傾斜的方式形成，因此隨著基座本體部152旋轉一定角度，第一卡緊連桿部160沿基座本體部152的半徑方向直線運動。
第一卡緊連桿部160包括第一引導滑塊161、第一連桿部件162及第一連桿齒輪部163。第一引導滑塊161以可移動的方式結合於引導部153。第一連桿部件162連接於第一引導滑塊161，並且在第一引導滑塊161移動時沿基座本體部152的半徑方向直線移動。第一連桿部件162形成為直線條形狀。第一連桿齒輪部163以與晶片限制部170嚙合移動的方式形成於第一連桿部件162。第一連桿齒輪部163以與第一連桿部件162的長度方向平行的齒條形狀形成。
第一卡緊連桿部160還包括第一啟動區164，第一連桿部件162以可以直線移動的方式結合於第一啟動區164。第一啟動區164防止在基座本體部152旋轉時第一連桿部件162沿基座本體部152的圓周方向旋轉。第一啟動區164可以設置有第一引導輥165，以在第一連桿部件162直線運動時滾動接觸第一連桿部件162的兩側。因此，在基座本體部152旋轉時第一引導滑塊161隨著引導部153移動時，第一連桿部件162可以不旋轉而是直線移動。
晶片限制部170包括：夾具軸部171，以可旋轉的方式設置於旋轉卡盤部120；夾具齒輪部172，以與第一連桿齒輪部163嚙合的方式形成於夾具軸部171；夾具連桿部173，連接於夾具軸部171；夾具支承部174，固定於旋轉卡盤部120；以及加壓夾具部175，以可旋轉的方式設置於夾具支承部174並在夾具連桿部173移動時，進行旋轉以加壓和釋放晶片10的擋圈部13。夾具軸部171以相對於第一連桿部件162的長度方向垂直的方式配置。夾具齒輪部172以小齒輪形狀形成。夾具連桿部173通過多個連桿（未圖示）連接夾具軸部171與夾具支承部174。加壓夾具部175形成為圓弧形狀，以沿圓周方向加壓固定晶片10的擋圈部13。
加壓夾具部175包括：夾具迴旋部175a，鉸接結合於夾具支承部174並連接於夾具連桿部173；以及加壓指部175b，形成於夾具迴旋部175a以加壓和釋放晶片10的擋圈部13。在第一卡緊連桿部160直線移動時夾具齒輪部172與第一連桿齒輪部163嚙合旋轉時，夾具迴旋部175a在夾具支承部174迴旋。隨著夾具迴旋部175a迴旋，加壓指部175b加壓和釋放晶片10的擋圈部13。
圖16為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中旋轉卡盤部和真空卡盤部的周邊部設置有環蓋部的狀態的剖面圖，圖17為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中旋轉卡盤部設置有第二卡緊連桿部和蓋限制部的狀態的剖面圖，圖18為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中設置有第二卡緊連桿部和蓋限制部的狀態的立體圖，圖19為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中蓋限制部的剖面圖。
參考圖16至圖19，基板處理裝置還包括環蓋部140，該環蓋部沿著真空卡盤部130的周邊部配置，以加壓晶片10的貼合片12，從而密封真空卡盤部130的周邊部側，並通過卡緊模組150固定於旋轉卡盤部120。環蓋部140以圓環形狀形成，以加壓晶片10的貼合片12，從而密封真空卡盤部130的周邊部側，因此能夠最小化蝕刻液對貼合片12造成的損傷，並防止由蝕刻液造成的旋轉卡盤部120和真空卡盤部130的污染或破損。
環蓋部140包括：蓋本體部141，以包圍真空卡盤部130的外周的方式形成；限制坎部142，以從蓋本體部141的下側向內側突出的方式形成；蓋加壓部143，從蓋本體部141的上側向內側延長並加壓晶片10的貼合片12。蓋加壓部143以在貼合片12上對與模具11的最外輪廓間隔約1mm的貼合片12部分進行加壓的方式形成。蓋加壓部143可以以向端部厚度逐漸變薄的方式形成。除去蓋約1mm的寬度，擋圈部13與模具11之間的貼合片12部分被蓋加壓部143密封，因此能夠最小化蝕刻液對貼合片12造成的損傷。
還包括以突出的方式設置於旋轉卡盤部120的周邊部的鎖緊銷145，環蓋部140的周邊部形成有供鎖緊銷145插入的鎖緊槽部147。因此，在環蓋部140設置於旋轉卡盤部120的周邊部時，隨著將環蓋部140的鎖緊槽部147插在鎖緊銷145上，可以準確地匹配環蓋部140的設置位置。
卡緊模組150包括多個第二卡緊連桿部180及多個蓋限制部190。
多個第二卡緊連桿部180以徑向的方式連接於卡緊基座151，在卡緊基座151旋轉時移動。多個蓋限制部190連接於第二卡緊連桿部180，以在第二卡緊連桿部180移動時使環蓋部140固定於旋轉卡盤部120。隨著卡緊旋轉部155驅動，基座齒輪部154旋轉，隨著基座本體部152與基座齒輪部154一起旋轉，第二卡緊連桿部180沿基座本體部152的半徑方向移動。此時，卡緊基座151的基座本體部152旋轉時，多個第一卡緊連桿部160和多個第二卡緊連桿部180同時移動。隨著第一卡緊連桿部160移動，晶片10的擋圈部13固定於真空卡盤部130，隨著第二卡緊連桿部180移動，環蓋部140固定於旋轉卡盤部120。因此，利用一個卡緊基座151和一個卡緊旋轉部155可以同時將晶片10和環蓋部140固定於真空卡盤部130和旋轉卡盤部120，因此能夠簡化基板處理裝置的結構。
第二卡緊連桿部180包括第二引導滑塊181、第二連桿部件182及第二連桿齒輪部183。
第二引導滑塊181以可移動的方式結合於引導部153。第二連桿部件182連接於第二引導滑塊181，在第二引導滑塊181移動時沿著基座本體部152的半徑方向直線移動。第二連桿齒輪部183以與蓋限制部190嚙合移動的方式形成於第二連桿部件182。第二連桿部件182形成為直線條狀。第二連桿齒輪部183以與第二連桿部件182的長度方向平行的齒條形狀形成。
第二卡緊連桿部180還包括第二啟動區184，第二連桿部件182以可以直線移動的方式結合於第二啟動區184。第二啟動區184防止在基座本體部152旋轉時第二連桿部件182沿基座本體部152的圓周方向旋轉。第二啟動區184可以設置有第二引導輥185，以在第二連桿部件182直線運動時滾動接觸第二連桿部件182的兩側。因此，在基座本體部152旋轉時第二引導滑塊181隨著引導部153移動時，第二連桿部件182可以不旋轉而是直線移動。
蓋限制部190包括：蓋限制軸部191，以可旋轉的方式設置於旋轉卡盤部120；限制齒輪部192，形成於蓋限制軸部191以與第二連桿齒輪部183嚙合；蓋限制條197，連接於蓋限制軸部191以加壓和釋放環蓋部140；以及限制輥部198，以可旋轉的方式設置於蓋限制條197以與環蓋部140滾動接觸。
隨著第二連桿部件182直線移動，第二連桿齒輪部183與限制齒輪部192嚙合驅動。隨著限制齒輪部192旋轉，蓋限制軸部191和蓋限制條197旋轉，限制輥部198在環蓋部140的限制坎部142滾動接觸的同時移動。因此，限制輥部198與環蓋部140的限制坎部142滾動接觸，因此能防止環蓋部140的限制坎部142由於磨損或劃傷而產生異物。因此，能夠抑制異物進入位於環蓋部140內側的晶片10，降低不合格率。
蓋限制軸部191包括：限制齒輪部192，以與第二連桿齒輪部183嚙合的方式形成；軸結合部193，軸結合於限制齒輪部192；彈性部件194，夾在軸結合部193與限制齒輪部192之間；以及高度調節部195，螺紋結合於軸結合部193和限制齒輪部192以調節軸結合部193的高度。限制齒輪部192和軸結合部193以同軸方式設置。彈性部件194可以採用盤簧。高度調節部195採用外側面形成有螺紋部的高度調節螺栓，限制齒輪部192的內部以螺紋結合有高度調節部195的方式形成有螺紋部。
彈性部件194夾在軸結合部193與限制齒輪部192之間，因此能夠防止軸結合部193和限制齒輪部192的組裝空間造成的遊隙噪音。另外，高度調節部195螺紋結合於軸結合部193和限制齒輪部192，因此能夠調節環蓋部140組裝時軸結合部193的高度，防止產生組裝公差。
限制齒輪部192的中心部形成有多邊形狀的旋轉防止部192a，軸結合部193的內部可以形成供旋轉防止部192a插入的多邊形形狀的旋轉防止槽部193a。旋轉防止部192a和旋轉防止槽部193a以多邊形形狀形成，因此能夠減少限制齒輪部192和軸結合部193的軸向及旋轉方向的組裝誤差。另外，通過提高旋轉防止部192a和旋轉防止槽部193a的表面粗糙度能夠進一步減少組裝誤差。
蓋限制軸部191還包括位置固定部196，該位置固定部螺紋結合於軸結合部193的外側，以將高度調節部195限制於軸結合部193。高度調節部195螺紋固定於軸結合部193並調節軸結合部193的高度後，位置固定部196隨著螺紋結合於軸結合部193加壓高度調節部195，從而使高度調節部195位置固定。因此，能夠防止軸結合部193的高度通過位置固定部196變化。
還包括以突出方式設置於旋轉卡盤部120的周邊部的鎖緊銷145，環蓋部140的周邊部形成有供鎖緊銷145插入的鎖緊槽部147。鎖緊銷145的上側形成有減縮部145a，以引導鎖緊槽部147插入。環蓋部140放置於旋轉卡盤部120時，鎖緊銷145插入鎖緊槽部147，將環蓋部140引導至正確的設置位置。因此，能夠提高環蓋部140的設置便利性。另外，能夠防止旋轉卡盤部120旋轉時環蓋部140沿圓周方向滑動。
圖20為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中擋圈部的上表面以比真空卡盤部的上表面低的方式設置的狀態的剖面圖，圖21為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中吸附墊部設置於真空卡盤部的狀態的剖面圖。
參考圖20至圖21，晶片10的擋圈部13的高度與真空卡盤部130的上表面的高度相同或比真空卡盤部的上表面的高度底。因此，旋轉卡盤部120使晶片10旋轉並向晶片10噴射處理液時，晶片10上側的處理液可以通過圓心力沿晶片10的半徑方向順暢地噴出。另外，防止沿晶片10的半徑方向排出的處理液撞上擋圈部13而向晶片10的旋轉中心反射或反彈（rebound），因此能夠防止反彈的處理液在晶片10的表面產生痕跡。因此，能夠提高晶片10的清洗效率。
真空卡盤部130還包括多個吸附墊部210（參考圖22及圖23），該吸附墊部設置於真空卡盤部130的真空口部，以吸附晶片10的擋圈部13。多個吸附墊部210沿真空卡盤部130的圓周方向排列。多個吸附墊部210配置於第一真空卡盤131的外周。吸附墊部210以橡膠材料、聚氨酯材料等緩衝材料形成。吸附墊部210吸附晶片10的擋圈部13使其固定於真空卡盤部130，因此能夠防止真空卡盤部130旋轉時晶片10位置變化。
吸附墊部210包括吸附本體部211、平坦度管理部213及壓入固定部215。
吸附本體部211配置於真空口部136的上側，以吸附晶片10。吸附本體部211以平坦的形狀形成，以將晶片10的下表面放置及緊貼。平坦度管理部213以從吸附本體部211的下側周邊部向中心部側傾斜的方式形成，以供真空口部136插入。真空口部136的傾斜面與相鄰的平坦度管理部213的傾斜面保持約0.02mm以下的間隔，並以傾斜的方式形成。平坦度管理部213的上側起到晶片10的擋圈部13的接觸基準面的作用，隨著晶片10吸附時平坦度管理部213沿圓周方向均勻收縮，保持吸附本體部211的平坦度，減少震動。壓入固定部215形成於平坦度管理部213，以便被壓入真空卡盤部130的固定槽部137。固定槽部137以凹陷的方式形成，以包圍真空口部136，壓入固定部215以厚度比平坦度管理部213的厚度大的方式形成，以便被壓入固定槽部137。壓入固定部215和固定槽部137以環形形成。
圖22為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中環蓋部加壓密封環部的狀態的剖面圖。
參考圖22，真空卡盤部130緊貼有晶片10的貼合片12，還包括通過環蓋部140加壓的密封環部220。密封環部220以緩衝材料形成。此時，密封環部220沿著第二真空卡盤133的周邊形成為環形。晶片10的擋圈部13放置於吸附墊部210時，晶片10的模具11與擋圈部13之間的貼合片12部分對應於密封環部220。環蓋部140被卡緊模組150的蓋限制部190限制，環蓋部140加壓貼合片12使其緊貼密封環部220。密封環部220通過環蓋部140的加壓力彈性變形，因此通過環蓋部140的加壓力和密封環部220的復原力更能夠壓緊貼合片12。因此，能夠切斷處理液向環蓋部140與貼合片12之間浸入。
密封環部220的內部形成有變形空間部221，供環蓋部140加壓時密封環部220變形。此時，第二真空卡盤133的周邊部形成有容許空間部222，以容許密封環部220的變形，容許空間部222的外側形成有供密封環部220的兩側端部壓入的掛接部135。變形空間部221的高度可以考慮環蓋部140的蓋加壓部143的加壓量而適當變化。變形空間部221沿環蓋部140的蓋加壓部143的外周形成。掛接部135限制密封環部220的下側，因此能夠防止密封環部220從第二真空卡盤133分離。
圖23為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中環蓋部的另一例的剖面圖。
參考圖23，環蓋部140形成有密封凸起部144，以緊貼密封環部220。密封凸起部144沿環蓋部140的蓋加壓部143的外周形成為環形。密封凸起部144以與環蓋部140的蓋加壓部143形成同心的方式形成。密封凸起部144以與密封環部220的寬度方向中心部或其附近相對的方式形成。密封環部220沿環蓋部140的外周形成，因此蓋加壓部143和密封凸起部144可以雙重加壓密封環部220。因此，晶片10中模具11的最外輪廓與擋圈部13之間的貼合片12部分可以雙重緊貼，因此能夠提高貼合片12和環蓋部140的密封性能。進一步地，環蓋部140的蓋加壓部143加壓密封環部220的內側邊緣部，密封凸起部144加壓密封環部220的中心部或其周邊，因此能夠增加環蓋部140與密封環部220之間的重合量。因此，能夠減少環蓋部140的重合量增加的程度的環蓋部140的壓緊力，能夠相對降低用於增加環蓋部140的壓緊力的結構件的精密度及規格。
圖24為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中密封環部連接有流體供應部的狀態的剖面圖。
參考圖24，真空卡盤部130還包括流體供應部223，該流體供應部連接於密封環部220，以向變形空間部221供應流體並從變形空間部221排出流體。可以向變形空間部221供應空氣、氮氣等流體。流體供應部223包括連接於變形空間部221以向變形空間部221供應流體的流體供應管線223a和連接於變形空間部221以從變形空間部221排出流體的流體排出管線223b。環蓋部140加壓晶片10的貼合片12使其緊貼密封環部220的狀態下，流體供應部223向變形空間部221供應流體時，隨著密封環部220通過流體供應部223的壓力體積膨脹，環蓋部140的蓋加壓部143和密封環部220的壓緊力可以進一步增加。因此，能夠進一步提高環蓋部140和密封環部220的密封性能。
圖25為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中設置密封力加強部以加壓密封環部的狀態的剖面圖。
參考圖25，真空卡盤部130還包括密封力加強部225，該密封力加強部225設置於變形空間部221，以彈性支承密封環部220。密封力加強部225包括以支承密封環部220的方式設置於變形空間部221的內部的加強桿部225a和設置於加強桿部225a以向密封環部220側推入加強桿部225a的加強彈簧225b。因此，在環蓋部140壓緊密封環部220的狀態下，密封環部220自身的復原力和密封力加強部225的彈力施加於晶片10的貼合片12，因此能夠進一步提高環蓋部140和密封環部220的密封性能。
圖26為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中密封環部的內側嵌入第二真空卡盤的內部的狀態的剖面圖。
參考圖26，密封環部220的內側以嵌入的方式配置在真空卡盤部130的外周面的下側。此時，密封環部220的寬度方向中心部更接近真空卡盤部130的外周面。因此，與晶片10的模具11的最外輪廓約1mm間隔的貼合片12部分與密封環部220的寬度方向中心部或其附近相對，因此環蓋部140的蓋加壓部143的端部可以加壓密封環部220的寬度方向中心部或其附近。因此，環蓋部140加壓時密封環部220的變形量增加，因此能夠相對減少環蓋部140的加壓力。
圖27為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中環蓋部加壓貼合墊，從而密封的狀態的剖面圖。
參考圖27，在真空卡盤部130的外周面的周邊上形成有密封槽部134，以便配置密封環部220，環蓋部140加壓與密封槽部134相對的貼合片12部分，從而通過貼合片12的張力密封。環蓋部140加壓與密封槽部134相對的貼合片12部分時，隨著貼合片12膨脹，貼合片12的張力施加於環蓋部140的蓋加壓部143。因此，利用貼合片12的張力和環蓋部140的加壓力能夠防止處理液浸入環蓋部140與貼合片12之間。
下文將說明上述構成的根據本發明一實施例的基板處理裝置的基板處理方法。
基板處理裝置的基板處理方法包括利用蝕刻液蝕刻晶片10的基板蝕刻方法和利用清洗液清洗晶片10的基板清洗方法。下文中將依次說明基板蝕刻方法和基板清洗方法。
首先，將說明基板處理方法中的基板蝕刻方法。
圖28為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理方法中基板蝕刻方法的流程圖。
參考圖28，移送部（未圖示）向真空卡盤部130移送晶片10（S11）。此時，移送部拾取晶片10使其向真空卡盤部130的上側移動。
移送部將晶片10搭載到真空卡盤部130上（S12）。此時，隨著移送部下降，晶片10被搭載到真空卡盤部130的搭載位置上。
環蓋部140配置於真空卡盤部130的周邊部（S13）。此時，隨著旋轉卡盤部120的鎖緊銷145插入環蓋部140的鎖緊槽部147，環蓋部140被放置於真空卡盤部130的周邊部。
隨著卡緊模組150移動，晶片10固定於真空卡盤部130，環蓋部140固定於旋轉卡盤部120（S14）。此時，卡緊旋轉部155以真空卡盤部130的旋轉中心為中心使卡緊基座151旋轉一定角度。隨著卡緊基座151旋轉，多個第一卡緊連桿部160和多個第二卡緊連桿部180向真空卡盤部130的中心部側移動。多個晶片限制部170使晶片10的擋圈部13固定於真空卡盤部130，多個蓋限制部190使環蓋部140固定於旋轉卡盤部120。因此，隨著卡緊基座151旋轉一定角度，晶片限制部170和蓋限制部190同時移動，同時固定晶片10和環蓋部140。
另外，在蝕刻工序中，保持移動模組200停止的狀態，因此真空卡盤部130或卡緊模組150不移動。
旋轉卡盤部120和真空卡盤部130旋轉，並且向晶片10噴射蝕刻液，以蝕刻晶片10（S15）。向晶片10噴射蝕刻液通過真空卡盤部130的圓心力沿半徑方向流動的同時蝕刻晶片10。另外，環蓋部140隨著加壓晶片10的貼合片12，能夠防止蝕刻液浸入晶片10的擋圈部13側。因此，能夠防止蝕刻液對擋圈部13的外側結構件造成損傷。
控制部判斷晶片10的蝕刻時間是否結束（S16）。若晶片10的蝕刻時間結束，旋轉卡盤部120和真空卡盤部130停止旋轉。
移動模組200返回原位置，卡緊模組150解除晶片10和環蓋部140的限制（S17、S18）。此時，卡緊旋轉部155以真空卡盤部130的旋轉中心為中心使卡緊基座151旋轉一定角度。隨著卡緊基座151旋轉，多個第一卡緊連桿部160和多個第二卡緊連桿部180向真空卡盤部130的外側移動。多個晶片限制部170從真空卡盤部130釋放晶片10的擋圈部13，多個蓋限制部190從旋轉卡盤部120釋放環蓋部140。因此，隨著卡緊基座151旋轉一定角度，晶片限制部170和蓋限制部190同時移動，同時釋放晶片10和環蓋部140。
排出部（未圖示）從真空卡盤部130排出晶片10（S19）。排出部拾取晶片10使其上升後，使晶片10向真空卡盤部130的外側移動。
下面將說明基板處理方法中的基板清洗方法。
圖29為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理方法中基板清洗方法的流程圖。
參考圖29，移送部（未圖示）向真空卡盤部130移送晶片10（S21）。此時，移送部取晶片10使其向真空卡盤部130的上側移動。
移送部將晶片10搭載到真空卡盤部130上（S22）。此時，隨著移送部下降，晶片10被搭載到真空卡盤部130的搭載位置上。另外，環蓋部140可以不配置於真空卡盤部130的周邊部上。
隨著卡緊模組150移動，使晶片10固定於真空卡盤部130（S23）。此時，卡緊旋轉部155以真空卡盤部130的旋轉中心為中心使卡緊基座151旋轉一定角度。隨著卡緊基座151旋轉，多個第一卡緊連桿部160向真空卡盤部130的中心部側移動。多個晶片限制部170使晶片10的擋圈部13加壓固定於真空卡盤部130。多個蓋限制部190通過卡緊基座151的旋轉與多個第一卡緊連桿部160同時移動。
移動模組200使真空卡盤部130或卡緊模組150移動，以在晶片10中擴大模具11的間隔（S24）。此時，第一真空卡盤131形成真空壓以吸附晶片10，移動模組200使第二真空卡盤133或卡緊模組150移動。在卡緊模組150使晶片10的擋圈部13固定於真空卡盤部130的周邊部的狀態下，當移動模組200移動時，通過移動模組200的移動加壓晶片10。此時，隨著晶片10的貼合片12沿半徑方向繃緊，貼合片12沿半徑方向增長，隨著貼合片12沿半徑方向增長，多個模具11之間的間隔擴大。
下文將詳細說明關於移動模組200使真空卡盤部130或卡緊模組150移動。
移動模組200使真空卡盤部130向上側移動（參考圖3及圖4）。此時，移動模組200設置於旋轉卡盤部120，以連接於第一真空卡盤131和第二真空卡盤133。另外，移動模組200使真空卡盤部130向上側移動，旋轉卡盤部120位置固定。隨著移動模組200驅動，真空卡盤部130向上側移動，旋轉卡盤部120不上升，因此在晶片10的擋圈部13固定的狀態下，貼合片12上升的同時沿半徑方向增長。隨著貼合片12沿半徑方向增長，多個模具11之間的間隔擴大。
移動模組200使卡緊模組150向下側移動（參考圖5）。此時，移動模組200以可升降的方式設置於真空卡盤部130的周邊部。另外，旋轉卡盤部120的周邊部可以設置以可升降的方式支承卡緊模組150的結構件（未圖示）。隨著移動模組200驅動，卡緊模組150向下側移動，旋轉卡盤部120和真空卡盤部130不上升，因此在晶片10的多個模具11位置固定於真空卡盤部130的狀態下，隨著擋圈部13下降，貼合片12沿半徑方向增長。隨著貼合片12沿半徑方向增長，多個模具11之間的間隔擴大。
移動模組200使卡緊模組150向上側移動（參考圖6）。此時，移動模組200以可升降的方式設置於真空卡盤部130的周邊部。另外，晶片10中模具11的最外輪廓與擋圈部13之間的貼合片12被支承體加壓。支承體可採用環蓋部140。旋轉卡盤部120的周邊部可以設置以可升降的方式支承卡緊模組150的結構件（未圖示）。隨著移動模組200驅動，卡緊模組150向下側移動，旋轉卡盤部120和真空卡盤部130不上升，因此在晶片10的多個模具11位置固定於真空卡盤部130的狀態下，隨著擋圈部13上升，貼合片12沿半徑方向增長。隨著貼合片12沿半徑方向增長，多個模具11之間的間隔擴大。
移動模組200包括介質流道部201和移動桿部203（參考圖8及圖9）。介質流道部201形成於驅動部110，以供應移動介質。介質流道部201可以沿著旋轉軸111的長度方向配置於旋轉軸111的內部。移動介質可以是空氣或氣體。移動桿部203通過移動介質的壓力升降，以接觸真空卡盤部130的下部的方式設置。移動桿部203可以設置有復位彈簧，以在釋放移動介質的壓力時使移動介質復位到原位置。移動桿部203和介質流道部201可以沿旋轉軸111的圓周方向設置多個。多個移動桿部203使真空卡盤部130升降的情況下，真空卡盤部130可以保持水平狀態的同時升降。
移動模組200包括使真空卡盤部130或卡緊模組150移動的缸部205（參考圖10）。缸部205可以配置於真空卡盤部130的下側或真空卡盤部130的周邊部。缸部205可以設置於旋轉卡盤部120以使真空卡盤部130升降，或設置於旋轉卡盤部120以使卡緊模組150移動。隨著流體供應至缸部205或從缸部205排出，缸部205驅動，因此真空卡盤部130或卡緊模組150可以移動。使用缸部205作為移動模組200的情況下，驅動部110上無需設置另外的介質流道部201，因此驅動部110可以以簡單的結構形成。
移動模組200包括使真空卡盤部130或卡緊模組150移動的電磁線圈部207（參考圖11）。電磁線圈部207可以配置於真空卡盤部130的下側或真空卡盤部130的周邊部。電磁線圈部207可以設置於旋轉卡盤部120以使真空卡盤部130升降，或設置於旋轉卡盤部120以使卡緊模組150移動。隨著電源與電磁線圈部207接通從電磁線圈部207斷開，電磁線圈部207驅動，因此真空卡盤部130或卡緊模組150可以移動。使用缸部205作為移動模組200的情況下，驅動部110上無需設置另外的介質流道部201，因此驅動部110可以以簡單的結構形成。
旋轉卡盤部120和真空卡盤部130旋轉，向晶片10噴射清洗液，以從晶片10去除異物（S25）。向晶片10噴射的清洗液通過真空卡盤部130的圓心力沿半徑方向流動的同時清洗晶片10。此時，通過移動模組200的移動，貼合片12沿半徑方向增長，因此多個模具11之間的間隔擴大。在多個模具11之間的間隔擴大的狀態下，向多個模具11噴射清洗液時，可以通過清洗液容易地去除模具11表面附著的異物以及位於多個模具11之間的間隙的異物。因此，晶片10的異物清洗性能顯著提高，能縮短異物去除時間。另外，隨著晶片10的清洗顯著提高，能夠顯著降低晶片10的不合格率。
控制部判斷晶片10的清洗時間是否結束（S26）。若晶片10的清洗時間結束，旋轉卡盤部120和真空卡盤部130停止旋轉。
移動模組200返回原位置，卡緊模組150解除晶片10的限制（S27、S28）。此時，卡緊旋轉部155以真空卡盤部130的旋轉中心為中心使卡緊基座151旋轉一定角度。隨著卡緊基座151旋轉，多個第一卡緊連桿部160向真空卡盤部130的外側移動。多個晶片限制部170從真空卡盤部130釋放晶片10的擋圈部13。
排出部從真空卡盤部130排出晶片10（S29）。排出部取晶片10使其上升後，使晶片10向真空卡盤部130的外側移動。
參考附圖所示實施例說明了本發明，但這只是示例，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以理解由此可以進行多種變形及等同的其他實施例。
10:晶片 11:模具 12:貼合片 13:擋圈部 110:驅動部 111:旋轉軸 113:電機部 115:真空流道部 120:旋轉卡盤部 130:真空卡盤部 131:第一真空卡盤 133:第二真空卡盤 134:密封槽部 135:掛接部 135:真空腔 136:真空口部 137:固定槽部 140:環蓋部 141:蓋本體部 142:限制坎部 143:蓋加壓部 144:密封凸起部 145:鎖緊銷 145a:減縮部 147:鎖緊槽部 150:卡緊模組 151:卡緊基座 152:基座本體部 153:引導部 154:基座齒輪部 155:卡緊旋轉部 160:第一卡緊連桿部 161:第一引導滑塊 162:第一連桿部件 163:第一連桿齒輪部 164:第一啟動區 165:第一引導輥 170:晶片限制部 171:夾具軸部 172:夾具齒輪部 173:夾具連桿部 174:夾具支承部 175:加壓夾具部 175a:夾具迴旋部 175b:加壓指部 180:第二卡緊連桿部 181:第二引導滑塊 182:第二連桿部件 183:第二連桿齒輪部 184:第二啟動區 185:第二引導輥 190:蓋限制部 191:蓋限制軸部 192:限制齒輪部 192a:旋轉防止部 193:軸結合部 193a:旋轉防止槽部 194:彈性部件 195:高度調節部 196:位置固定部 197:蓋限制條 198:限制輥部 200:移動模組 201:介質流道部 203:移動桿部 205:缸部 207:電磁線圈部（solenoid unit） 210:吸附墊部 211:吸附本體部 213:平坦度管理部 215:壓入固定部 220:密封環部 221:變形空間部 222:容許空間部 223:流體供應部 223a:供應管線 223b:排出管線 225:密封力加強部 225a:加強桿部 225b:加強彈簧 G1,G2:間隔 S11～S19,S21～S29:步驟
圖1為簡要示出在根據本發明第一實施例的基板處理裝置中處理的晶片的平面圖。 圖2為簡要示出在根據本發明第一實施例的基板處理裝置中處理的晶片的側面圖。 圖3為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置的側面圖。 圖4為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中隨著真空卡盤部上升多個模具之間的間隔擴大的狀態的側面圖。 圖5為簡要示出根據本發明第二實施例的基板處理裝置的側面圖。 圖6為簡要示出根據本發明第三實施例的基板處理裝置的側面圖。 圖7為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置的剖面圖。 圖8為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中真空卡盤部通過移動模組上升一定高度的狀態的剖面圖。 圖9為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中移動模組的一例的剖面圖。 圖10為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中移動模組的另一例的剖面圖。 圖11為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中移動模組的又一例的剖面圖。 圖12為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中卡緊模組的平面圖。 圖13為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中卡緊模組的卡緊基座旋轉一定角度的狀態的平面圖。 圖14為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中卡緊模組的卡緊連桿部和晶片限制部設置於旋轉卡盤部的狀態的側面圖。 圖15為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中卡緊模組的第一卡緊連桿部和晶片限制部的立體圖。 圖16為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中旋轉卡盤部和真空卡盤部的周邊部設置有環蓋部的狀態的剖面圖。 圖17為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中旋轉卡盤部設置有第二卡緊連桿部和蓋限制部的狀態的剖面圖。 圖18為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中設置有第二卡緊連桿部和蓋限制部的狀態的立體圖。 圖19為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中蓋限制部的剖面圖。 圖20為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中擋圈部（retainer ring portion）的上表面以比模具的上表面低的方式設置的狀態的剖面圖。 圖21為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中吸附墊部設置於真空卡盤部的狀態的剖面圖。 圖22為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中環蓋部加壓密封環部的狀態的剖面圖。 圖23為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中環蓋部的另一例的剖面圖。 圖24為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中密封環部連接有流體供應部的狀態的剖面圖。 圖25為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中設置密封力加強部以加壓密封環部的狀態的剖面圖。 圖26為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中密封環部的內側嵌入第二真空卡盤的內部的狀態的剖面圖。 圖27為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理裝置中環蓋部加壓貼合墊從而密封的狀態的剖面圖。 圖28為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理方法中基板蝕刻方法的流程圖。 圖29為簡要示出根據本發明第一實施例的基板處理方法中基板清洗方法的流程圖。
10:晶片
11:模具
12:貼合片
13:擋圈部
111:旋轉軸
120:旋轉卡盤部
130:真空卡盤部
131:第一真空卡盤
133:第二真空卡盤
170:晶片限制部
200:移動模組
201:介質流道部
203:移動桿部

Claims (29)

  1. 一種基板處理裝置，其中，包括： 一旋轉卡盤部，以能夠旋轉的方式設置於一驅動部； 一真空卡盤部，配置於該旋轉卡盤部並且供一晶片放置； 一卡緊模組，設置於該旋轉卡盤部，以使得該晶片固定於該真空卡盤部；以及 一移動模組，使該真空卡盤部或該卡緊模組移動，以在該晶片上擴大相鄰模具之間的間隔。
  2. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 該移動模組設置於該旋轉卡盤部，以使得該真空卡盤部移動。
  3. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 該移動模組設置於該旋轉卡盤部，以使得該卡緊模組移動。
  4. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 該移動模組包括： 一介質流道部，形成於該驅動部，以供應一移動介質；以及 一移動桿部，設置於該介質流道部，以便隨著通過該介質流道部的壓力而移動，從而使該真空卡盤部移動。
  5. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 該移動模組包括：一缸部，使該真空卡盤部或該卡緊模組移動。
  6. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 該移動模組包括：一電磁線圈部，使該真空卡盤部或該卡緊模組移動。
  7. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 該真空卡盤部包括： 一第一真空卡盤，以與該旋轉卡盤部一起旋轉的方式設置於該旋轉卡盤部，並且該第一真空卡盤形成真空壓以吸附該晶片；以及 一第二真空卡盤，搭載於該第一真空卡盤並且供該晶片搭載，該第二真空卡盤設置為通過該移動模組而升降，以擴大該模具之間的間隔。
  8. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中， 該卡緊模組包括： 一卡緊基座，設置於該旋轉卡盤部； 一卡緊旋轉部，連接於該卡緊基座，以使得該卡緊基座旋轉； 多個第一卡緊連桿部，以徑向的方式分別連接於該卡緊基座，並且在該卡緊基座旋轉時移動；以及 多個晶片限制部，分別連接於該第一卡緊連桿部，以在該第一卡緊連桿部移動時將該晶片的一擋圈部固定於該真空卡盤部。
  9. 根據請求項8所述的基板處理裝置，其中， 該卡緊基座包括： 一基座本體部，以與該旋轉卡盤部的旋轉軸形成同心的方式形成為環形； 多個引導部，形成於該基座本體部，以便該第一卡緊連桿部以能夠移動的方式結合於該多個引導部；以及 一基座齒輪部，形成於該基座本體部並連接於該卡緊旋轉部。
  10. 根據請求項9所述的基板處理裝置，其中， 該引導部以相對於該基座本體部的半徑傾斜的方式形成。
  11. 根據請求項9所述的基板處理裝置，其中， 該第一卡緊連桿部包括： 一第一引導滑塊，以能夠移動的方式結合於該引導部； 一第一連桿部件，連接於該第一引導滑塊，並且在該第一引導滑塊移動時沿著該基座本體部的半徑方向直線移動；以及 一第一連桿齒輪部，以與該基座齒輪部嚙合移動的方式形成於該第一連桿部件。
  12. 根據請求項11所述的基板處理裝置，其中， 該第一卡緊連桿部還包括一第一啟動區，該第一連桿部件以能夠直線移動的方式結合於該第一啟動區。
  13. 根據請求項11所述的基板處理裝置，其中， 該晶片限制部包括： 一夾具軸部，以能夠旋轉的方式設置於該旋轉卡盤部； 一夾具齒輪部，以與該第一連桿齒輪部嚙合的方式形成於該夾具軸部； 一夾具連桿部，連接於該夾具軸部； 一夾具支承部，固定於該旋轉卡盤部；以及 一加壓夾具部，以能夠旋轉的方式設置於該夾具支承部，並且在該夾具連桿部移動時，該加壓夾具部進行旋轉以加壓和釋放該晶片的該擋圈部。
  14. 根據請求項13所述的基板處理裝置，其中， 該加壓夾具部包括： 一夾具迴旋部，鉸接結合於該夾具支承部並連接於該夾具連桿部；以及 一加壓指部，形成於該夾具迴旋部，以加壓和釋放該晶片的該擋圈部。
  15. 根據請求項11所述的基板處理裝置，其中，還包括： 一環蓋部，沿著該真空卡盤部的一周邊部配置，以加壓該晶片的一貼合片，從而密封該真空卡盤部的該周邊部側，並且該環蓋部通過該卡緊模組固定於該旋轉卡盤部。
  16. 根據請求項15所述的基板處理裝置，其中， 該卡緊模組包括： 多個第二卡緊連桿部，以徑向的方式連接於該卡緊基座，並且在該卡緊基座旋轉時移動；以及 多個蓋限制部，連接於該第二卡緊連桿部，以在該第二卡緊連桿部移動時使該環蓋部固定於該旋轉卡盤部。
  17. 根據請求項16所述的基板處理裝置，其中， 在該卡緊基座旋轉時，該多個第一卡緊連桿部和該多個第二卡緊連桿部同時移動。
  18. 根據請求項16所述的基板處理裝置，其中， 該第二卡緊連桿部包括： 一第二引導滑塊，以能夠移動的方式結合於該卡緊基座； 一第二連桿部件，連接於該第二引導滑塊，在該第二引導滑塊移動時沿著該基座本體部的半徑方向直線移動；以及 一第二連桿齒輪部，以與該蓋限制部嚙合移動的方式形成於該第二連桿部件。
  19. 根據請求項18所述的基板處理裝置，其中， 該第二卡緊連桿部還包括一第二啟動區，該第二連桿部件以能夠直線移動的方式結合於該第二啟動區。
  20. 一種基板處理方法，其中，包括下列步驟： 將一晶片搭載於一真空卡盤部的步驟； 一卡緊模組使該晶片固定於該真空卡盤部的步驟； 一移動模組使該真空卡盤部或該卡緊模組移動，以在該晶片上擴大相鄰模具之間的間隔的步驟；以及 一旋轉卡盤部和該真空卡盤部旋轉，並向該晶片噴射清洗液，以去除該晶片上的異物的步驟。
  21. 根據請求項20所述的基板處理方法，其中， 該移動模組包括： 一介質流道部，形成於一驅動部，以供應一移動介質；以及 一移動桿部，設置於該介質流道部，以隨著通過該介質流道部的壓力而移動，從而使該真空卡盤部移動。
  22. 根據請求項20所述的基板處理方法，其中， 該移動模組包括：一缸部，使該真空卡盤部或該卡緊模組移動。
  23. 根據請求項20所述的基板處理方法，其中， 該移動模組包括：一電磁線圈部，使該真空卡盤部或該卡緊模組移動。
  24. 根據請求項20所述的基板處理方法，其中， 該移動模組使該真空卡盤部或該卡緊模組移動，以在該晶片上擴大所述模具之間的間隔的步驟包括下列步驟： 一第一真空卡盤形成真空壓以吸附該晶片的步驟；以及 該移動模組使一第二真空卡盤或該卡緊模組移動的步驟。
  25. 根據請求項20所述的基板處理方法，其中， 該卡緊模組將該晶片固定於該真空卡盤部的步驟包括下列步驟： 一卡緊旋轉部使一卡緊基座旋轉的步驟； 隨著該卡緊基座的旋轉，多個第一卡緊連桿部進行移動的步驟；以及 隨著該多個第一卡緊連桿部的移動，多個晶片限制部使該晶片的一擋圈部加壓固定於該真空卡盤部的步驟。
  26. 一種基板處理方法，其中，包括下列步驟： 將一晶片搭載於一真空卡盤部上的步驟； 一環蓋部配置於該真空卡盤部的一周邊部的步驟； 隨著一卡緊模組的移動，該晶片固定於該真空卡盤部，並且該環蓋部固定於一旋轉卡盤部的步驟；以及 該旋轉卡盤部和該真空卡盤部旋轉，向該晶片噴射供應液以蝕刻該晶片的步驟。
  27. 根據請求項26所述的基板處理方法，其中， 隨著該卡緊模組的移動，該晶片固定於該真空卡盤部，並且該環蓋部固定於該旋轉卡盤部的步驟包括下列步驟： 一卡緊旋轉部使一卡緊基座旋轉的步驟； 隨著該卡緊基座的旋轉，多個第一卡緊連桿部和多個第二卡緊連桿部移動的步驟；以及 多個晶片限制部使該晶片的一擋圈部固定於該真空卡盤部，多個蓋限制部使該環蓋部固定於該旋轉卡盤部的步驟。
  28. 根據請求項26所述的基板處理方法，其中， 該環蓋部隨著對該晶片的一貼合片加壓，從而防止供應液浸入該晶片的一擋圈部側。
  29. 根據請求項27所述的基板處理方法，其中， 在隨著該卡緊基座的旋轉，該多個第一卡緊連桿部和該多個第二卡緊連桿部移動的步驟中， 在該卡緊基座旋轉時，該個第一卡緊連桿部和該多個第二卡緊連桿部同時移動。
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