JP3431599B2 - 化学的機械的研磨用の多層の止め輪を有するキャリア・ヘッド - Google Patents
化学的機械的研磨用の多層の止め輪を有するキャリア・ヘッドInfo
- Publication number
- JP3431599B2 JP3431599B2 JP2000551919A JP2000551919A JP3431599B2 JP 3431599 B2 JP3431599 B2 JP 3431599B2 JP 2000551919 A JP2000551919 A JP 2000551919A JP 2000551919 A JP2000551919 A JP 2000551919A JP 3431599 B2 JP3431599 B2 JP 3431599B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- retaining ring
- base
- substrate
- carrier head
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
に関し、特に化学的機械的研磨装置用のキャリア・ヘッ
ドに関する。
縁層の連続的な堆積により基板、特にシリコンウェー
ハ、の上に通常形成される。各層が堆積された後に、各
層は回路フィーチャーを作るためにエッチングされる。
一連の層が順次堆積されエッチングされるにつれて、基
板の外部すなわち最上部の表面、すなわち基板の露出し
た表面は、ますます非平坦になる。この非平坦な表面
は、集積回路製造プロセスの光露光段階で問題を生ず
る。したがって、周期的に基板の表面を平坦化する必要
がある。
認された平坦化の1つの方法である。この平坦化方法
は、基板がキャリアあるいはポリシング・ヘッドの上に
搭載されていることを通常必要とする。基板の露出した
表面は、回転しているポリシング・パッドに対して設置
される。ポリシング・パッドは、「標準の」あるいは固
定研磨パッドのいずれであってもよい。標準のポリシン
グ・パッドが耐久性のある粗い表面を有するのに対し
て、固定研磨パッドは収納媒体 (containment media)
に含まれる研磨粒子を有する。キャリア・ヘッドは、ポ
リシング・パッドに基板を押し付けるために、制御可能
な負荷すなわち圧力を基板に加える。少なくとも1つの
化学反応剤を有する研磨スラリーと、標準のパッドが使
用される場合には研磨粒子が、ポリシング・パッドの表
面に供給される。
により、また基板表面の仕上げ(小規模な粗さがないこ
と)と平面度(大規模なトポグラフィーがないこと)の
結果により、測定することができる。研磨速度、仕上げ
及び平面度は、パッドとスラリーの組み合わせ、基板と
パッドの間の相対速度、及びパッドに対して基板を押し
付ける力により決定される。
ゆる「端部効果」、すなわち、研磨される基板の端縁が
基板の中心とは異なる速度になる傾向である。端部効果
は、基板外辺部、たとえば、200ミリ・ウェーハの最
外部の5から10ミリメートルにおいて、オーバーポリ
シング(基板からの材料の除去が多すぎる)を通常もた
らす。オーバーポリシングは、基板の総合的な平面度を
減少させ、基板の端縁を集積回路製造用には不適当にし
て、プロセス歩留りを減少させる。
磨用のキャリア・ヘッドに重点を置いている。キャリア
・ヘッドは、基板マウンティング面及び研磨の間にマウ
ンティング面の下に基板を維持するための止め輪を有す
る。止め輪は、研磨の間にポリシング・パッドと接触
し、第一の材料で作られている底部表面を有する下部の
部分、ならびに、第一の材料より剛性である第二の材料
で作られている上部の部分を有する。
である。第一の材料は、化学的機械的研磨プロセスに対
してほぼ不活性であるプラスチック、たとえば、硫化ポ
リフェニレン、ポリエチレン・テレフタレート、ポリエ
ーテル・エーテル・ケトン、あるいは、ポリブチレン・
テレフタレートとすることができる。第二の材料は金
属、たとえば、スチール、アルミニウム、またはモリブ
デン、あるいはセラミックスとすることができる。下部
の部分は、研磨される基板より厚く、たとえば、約10
0から400ミルの間にすることができる。第一の材料
は、ショアーDスケールで約80から95の間のデュロ
メーター測定値を与えることができる。第二の材料は、
第一の材料の弾性率の約10倍から100倍、たとえ
ば、50倍を有することができる。下部の部分は、上部
の部分に対して、たとえば緩硬性エポキシを使用して接
着して取り付けられてもよく、あるいは圧入されてもよ
い。
下部の部分は第一の弾性率を有する第一の材料で作ら
れ、上部の部分は第二の弾性率を有する第二の材料で作
られており、また第二の弾性率は、研磨の間に止め輪の
下部表面の偏向を実質的に防止するように、第一の弾性
率より十分に大きいように選択されている。
下部の部分は第一の弾性率を有する第一の材料で作ら
れ、上部の部分は第二の弾性率を有する第二の材料で作
られており、また第二の弾性率は、止め輪がキャリア・
ヘッドに係合される止め輪の下部表面の変形を実質的に
防止するように、第一の弾性率より十分に大きいように
選択されている。
ウンティング面を有するキャリア・ヘッドのための止め
輪に重点を置いている。止め輪は、研磨の間にポリシン
グ・パッドと接触するための底部表面を有し、化学的機
械的研磨プロセスにおいて不活性である第一の材料で作
られている全体として環状の下部の部分、ならびに、下
部の部分に係合されており、第一の材料より剛性である
第二の材料で作られている全体として環状の上部の部分
を有する。
・パッドと、ポリシング・パッドの上にスラリーを分配
するためのスラリー供給源と、基板マウンティング面及
び研磨の間にマウンティング面の下に基板を維持するた
めの止め輪を有するキャリア・ヘッドを有する化学的機
械的研磨装置に、本発明は重点を置いている。止め輪
は、研磨の間にポリシング・パッドと接触し、第一の材
料で作られた下部の部分、ならびに、第一の材料より剛
性である第二の材料で作られた上部の部分を有する。
ある。端部効果は減少し、結果として基板の平面度及び
仕上げは改良される。
許請求の範囲を含む以下の説明から明白であろう。
化学的機械的研磨(CMP)装置20により研磨され
る。同種のCMP装置の記述は、米国特許第5,73
8,574号に見ることができ、その開示の全体は参考
文献として本明細書に含まれる。
ーブル・トップ23及び除去可能な上部外側カバー(図
示せず)を有する下部機械ベース22を有する。テーブ
ル・トップ23は、一連のポリシング・ステーション2
5a、25b及び25c、ならびに基板のローディング
及びアンローディングのためのトランスファー・ステー
ション27を支持している。トランスファー・ステーシ
ョン27は、3つのポリシング・ステーション25a、
25b及び25cと共に、全体として正方形の配置を形
成してもよい。
cは、その上にポリシング・パッド32を設置した回転
可能なプラテン30を有する。基板10が8インチ(2
00ミリ)あるいは12インチ(300ミリ)の直径の
ディスクであれば、プラテン30及びポリシング・パッ
ド32は、それぞれ約20インチあるいは30インチの
直径である。プラテン30は、機械ベース22の中に配
置されたプラテン駆動モータ(図示せず)に接続される
ことができる。多くの研磨プロセスに対して、プラテン
駆動モータは、毎分30から200回転でプラテン30
を回転させるが、より低速あるいは高速の回転速度が使
用されてもよい。各ポリシング・ステーション25a−
25cは、ポリシング・パッドの研磨条件を維持するた
めに、対応するパッド・コンディショナー装置40をさ
らに有してもよい。
ン水)及び化学反応触媒(たとえば、酸化物研磨用の水
酸化カリウム)を含むスラリー50は、スラリー/リン
ス共用アーム52により、ポリシング・パッド32の表
面に供給されてもよい。ポリシング・パッド32が標準
のパッドであれば、スラリー50は研磨粒子(たとえ
ば、酸化物研磨用の二酸化珪素)をさらに含んでもよ
い。通常、ポリシング・パッド32の全体をカバーし、
濡らすために十分なスラリーが供給される。スラリー/
リンスアーム52は、各ポリシング・コンディショニン
グ・サイクルの終了と共に、ポリシング・パッド32に
高圧リンスを供給するいくつかのスプレーノズル(図示
せず)を有する。
8を有する回転可能なマルチヘッド・カルーセル60
は、下部機械ベース22の上に設置されている。カルー
セル支持プレート66は、センター・ポスト62により
支持され、センター・ポスト62の上で、機械ベース2
2の中に配置されたカルーセル・モータ組立体により、
カルーセル軸64の周りに回転される。マルチヘッド・
カルーセル60は、カルーセル支持プレート66の上に
カルーセル軸64の周囲に等角度で搭載された4つのキ
ャリア・ヘッド装置70a、70b、70c及び70d
を有する。キャリア・ヘッド装置の3つは、基板を受
け、保持し、ポリシング・ステーション25a−25c
のポリシング・パッドに基板を押し付けることにより基
板を研磨する。キャリア・ヘッド装置の1つは、トラン
スファー・ステーション27から基板を受け取り、トラ
ンスファー・ステーション27へ基板を送出する。カル
ーセル・モータは、キャリア・ヘッド装置70a−70
dとそれに取り付けられた基板を、ポリシング・ステー
ションとトランスファー・ステーションの間で、カルー
セル軸64の周囲に旋回させることができる。
は、研磨あるいはキャリア・ヘッド100を有する。各
キャリア・ヘッド100は、それ自身の軸の周囲を独立
して回転し、カルーセル支持プレート66の中に形成さ
れたラジアル・スロット72の中を独立して横に往復す
る。キャリア駆動軸74は、キャリア・ヘッド回転モー
タ76(カバー68の4分の1を取り除いて示す)をキ
ャリア・ヘッド100に接続するために、スロット72
を通して延びている。各ヘッドに対して、1つのキャリ
ア駆動軸とモータがある。各モータ及び駆動シャフト
は、キャリア・ヘッドを横に往復させるために、半径方
向駆動モータによりスロットに沿って直線的に駆動され
るスライダ(図示せず)の上に支持されていてもよい。
の3個、たとえば、キャリア・ヘッド装置70a−70
cは、各ポリシング・ステーション25a−25cの上
に位置している。各キャリア・ヘッド100は、基板を
下降させてポリシング・パッド32に接触させる。一般
的には、キャリア・ヘッド100は、ポリシング・パッ
ドに対して所定の位置に基板を保持し、基板の裏面にわ
たって力を分散させる。キャリア・ヘッドは、駆動シャ
フトから基板へのトルクも伝達する。
は、ハウジング102、ベース104、ジンバル機構1
06、ローディング・チャンバ108、止め輪110、
及び基板裏当て組立体112を有する。同種のキャリア
・ヘッドの記述は、Zuniga他による、1996年
11月8日出願の、本発明の被譲渡人に譲渡された、化
学的機械的研磨装置用の可撓膜を有するキャリア・ヘッ
ドと題する、米国特許出願番号第08/745,670
号に見ることができ、その開示の全体は参考文献として
本明細書に含まれる。
・パッドの表面にほぼ垂直の回転軸107の周囲に回転
軸107と共に研磨中に回転するように、駆動シャフト
74に接続することができる。ローディング・チャンバ
108は、負荷すなわち下方への圧力をベース104に
加えるように、ハウジング102とベース104の間に
配置されている。ポリシング・パッド32に対するベー
ス104の垂直の位置も、ローディング・チャンバ10
8により制御される。
4、支持構造114をベース104に接続している撓み
ダイアフラム116、及び支持構造114に接続された
可撓性の部材あるいは膜118を有する。可撓膜118
は、基板に対してマウンティング面120を用意するた
めに、支持構造114の下に延びている。ベース104
と基板裏当て組立体112の間に位置するチャンバ19
0の加圧は、基板をポリシング・パッドに対して押し付
けるように、可撓膜118を下向きに押す。
板の円形の輪郭に対応するために、通常円形である。円
筒状のブシュ122をハウジングを介して垂直の導孔1
24に適合させることができ、キャリア・ヘッドの空気
制御のために、2つの流路126及び128がハウジン
グを介して延びることができる。
位置する全体として環状の胴部である。ベース104
は、アルミニウム、ステンレス鋼あるいは繊維により強
化されたプラスチックのような剛性の材料で形成するこ
とができる。流路130はベースを介して延びることが
可能であり、2つの取付具132及び134は、流路1
28を流路130に流体的に結合するために、ハウジン
グ102とベース104の間に可撓管を接続するための
取付点を用意することができる。
る可撓膜140をクランプ・リング142によってベー
ス104の下部表面に取り付けることができる。クラン
プ・リング142は、ねじ、あるいはボルト(図示せ
ず)によって、ベース104に固定することができる。
流体たとえば空気のようなガスをブラダーの中にあるい
はブラダーから導き、それによって支持構造114及び
可撓膜118に対する下方への圧力を制御するために、
第一のポンプ(図示せず)をブラダー144に接続する
ことができる。
ドの表面にベースがほぼ平行しているように、ベース1
04がハウジング102に対して枢動することを可能に
する。ジンバル機構106は、円筒状のブシュ122及
びベース104に固定されている撓みリング152を介
して流路154に適合しているジンバル・ロッド150
を有する。ジンバル・ロッド150は、ベース104に
垂直の動きを与えるために流路154に沿って垂直に滑
動することができるが、ハウジング102に対するベー
ス104のどのような横の動きも防止する。
は、インナー・クランプ・リング162によりハウジン
グ102にクランプされることができ、アウター・クラ
ンプ・リング164は、ローリング・ダイアフラム16
0の外縁をベース104にクランプすることができる。
したがって、ローリング・ダイアフラム160は、ロー
ディング・チャンバ108を定めるために、ハウジング
102とベース104の間のスペースを封止する。ロー
リング・ダイアフラム160は、全体として環状の厚さ
60ミルのシリコン薄板でもよい。第二のポンプ(図示
せず)は、ローディング・チャンバ内の圧力とベース1
04に印加される負荷を制御するために、ローディング
・チャンバ108に流体的に接続されることができる。
は、ベース104の下に配置されている。支持構造11
4は、サポート・プレート170、下部環状クランプ1
72及び上部環状クランプ174を有する。サポート・
プレート170は、それを通過する複数のアパーチャー
176を有する全体としてディスク形の剛性の部材とす
ることができる。さらに、サポート・プレート170
は、下向きに突出しているリップ178を、その外縁に
有してもよい。
ム116は、全体として平坦な環状の環である。撓みダ
イアフラム116の外縁は、ベース104と止め輪11
0の間にクランプされ、撓みダイアフラム116の内縁
は、下部クランプ172と上部クランプ174の間にク
ランプされている。撓みダイアフラム116は可撓性で
あり、弾性であるが、半径方向及び接線方向には剛性で
もよい。撓みダイアフラム116は、ネオプレンのよう
なゴム、ナイロン(商標名)あるいはノーメックス(商
標名)のようなエラストマーを塗布した織物、プラスチ
ック、あるいは、ガラスファィバーのような複合材で作
成することができる。
チレン・プロピレン・ゴムのような可撓性で弾性のある
材料で形成された全体として円形の薄板である。可撓膜
118の一部は、サポート・プレートと下部クランプ1
72の間にクランプされるように、サポート・プレート
170の端縁の周りに延びている。
アフラム116、ベース104、及びジンバル機構10
6の間の封止された容積は、加圧可能なチャンバ190
を定めている。第三のポンプ(図示せず)は、チャンバ
内の圧力したがって基板上の可撓膜の下方への力を制御
するために、チャンバ190に流体的に接続されること
ができる。
たとえば、ボルト194(図2の断面図に一方のみを示
す)によって固定された全体として環状の環とすること
ができる。流体がローディング・チャンバ108に送り
込まれ、ベース104が下向きに押されると、止め輪1
10も、ポリシング・パッド32に負荷を加えるように
下向きに押される。止め輪110の内部表面188は、
可撓膜118のマウンティング面120と連係して、基
板収容陥凹部192を定める。止め輪110は、基板が
基板収容陥凹部から逃れるのを防止する。
グ・パッドに接触することができる底部表面182を有
する環状の下部の部分180、及び、ベース104に接
続された環状の上部の部分184を含む複数の部分を有
する。下部の部分180は、接着層186を使用して上
部の部分184に接着されてもよい。
不活性な材料で形成される。さらに、止め輪に対する基
板端部の接触が基板の欠損あるいは亀裂を生じないよう
に、下部の部分180は十分に弾性であるべきである。
他方、下部の部分180は、止め輪に対する下方への圧
力が下部の部分180を基板収容陥凹部192の中に突
き出させるほど弾性であるべきではない。具体的にいう
と、下部の部分180の材料は、ショアーDスケールで
約80−95のデュロメーター測定値を有することがで
きる。一般に、下部の部分180の材料の弾性率は、約
0.3−1.0×10の6乗ポンド毎平方インチの範囲
とすることができる。下部の部分はさらに耐久性である
べきであり、低い摩耗率を有するべきである。しかし、
下部の部分180が徐々に摩耗することは、基板端部が
内部表面188の中に深いグルーブを切ることを防止す
ることが明らかなので、許容できる。たとえば、下部の
部分180は、米国インディアナ州、エヴァンズビルの
DSMエンジニアリング・プラスチックからテクトロン
(商標名)の商品名で入手できる硫化ポリフェニレン
(PPS)のようなプラスチックで作ることができる。
米国デラウエア州ウィルミントンのデュポンから入手で
きるデルリン(商標名)、ポリエチレン・テレフタレー
ト(PET)、ポリエーテル・エーテル・ケトン(PE
EK)あるいは、ポリブチレン・テレフタレート(PB
T)あるいは、やはりデュポンから入手できるZYMA
XX(商標名)のような複合材、のような他のプラスチ
ックも適当であるかもしれない。
の厚さTsより大きくあるべきである。具体的にいう
と、下部の部分は、基板がキャリア・ヘッドにより固定
されているときに、基板が接着層と擦れあわないほど
に、十分厚くあるべきである。他方、下部の部分が厚す
ぎれば、止め輪の底部表面は、下部の部分の可撓性の性
質による変形を受けやすいであろう。下部の部分180
の初期の厚さは、約200から400ミル(溝の深さが
100から300ミル)とすることができる。溝が摩耗
したときに、下部の部分は交換することが可能である。
したがって、下部の部分は約100から400ミルの間
の厚さT1を有することになる。止め輪が溝を有しなけ
れば、残りの厚さが基板の厚さとほぼ等しくなったとき
に、下部の部分は交換することができる。
であってもよく、あるいは、止め輪の外側から基板への
スラリーの搬送を容易にするために、複数のチャネルを
有してもよい。
属、たとえば、ステンレス鋼、モリブデン、あるいはア
ルミニウム、あるいはセラミックス、たとえば、アルミ
ナ、あるいは他の代表的な材料のような、剛性の材料で
作られている。上部の部分の材料は、約10−50×1
0の6乗ポンド毎平方インチの弾性率、すなわち下部の
部分の材料の弾性率の約10倍から100倍、を有する
ことができる。たとえば、下部の部分の弾性率は約0.
6×10の6乗ポンド毎平方インチであってもよく、上
部の部分の弾性率は約30×10の6乗ポンド毎平方イ
ンチであってもよく、したがって比率は約50対1であ
る。上部の部分184の厚さTsは、下部の部分182
の厚さT1より大きくあるべきである。具体的にいう
と、上部の部分は、約300−500ミルの厚さT2を
有することができる。
でもよい。緩硬性とは、エポキシが接着するまでに数時
間から数日程度かかることを通常示す。エポキシは、米
国ジョージア州、シャンブリーのマグノリア・プラスチ
ックから入手できるマグノボンド6375(商標名)で
もよい。あるいは、上部の部分にねじを使用して接着し
て取り付けられる、あるいは圧入される代わりに。
連していることは明白である。具体的にいうと、底部表
面が非常に平坦であれば、端部効果は減少する。止め輪
が比較的可撓性であれば、たとえばボルト194により
止め輪がベースに係合される所で、止め輪は変形する恐
れがある。この変形は、非平坦な底部表面を作り、その
結果端部効果を増加させる。止め輪はキャリア・ヘッド
上に設置後にラップ仕上げまたは機械加工することがで
きるが、ラッピングは、基板を損傷しあるいはCMPプ
ロセスを汚染する恐れがある破片を底部表面に埋め込む
傾向があり、機械加工は多くの時間を必要として不便で
ある。他方、ステンレス鋼の環のような完全に剛性の止
め輪は、亀裂に基板を生じ、あるいはCMPプロセスを
汚染するおそれがある。
110の上部の部分184の剛性は、全体がPPSのよ
うな可撓性の材料で作られた止め輪と比較して、止め輪
の全体の曲げ剛性を、たとえば30−40倍増加させ
る。剛性の上部の部分によって与えられる増加した剛性
は、ベースに止め輪を取り付けることによるこの変形を
減少あるいは除去し、その結果端部効果を減少させる。
さらに、止め輪は、キャリア・ヘッドに固定された後
に、ラップ仕上げされる必要がない。さらに、PPSの
下部の部分はCMPプロセスで不活性であり、基板端部
の欠損あるいは亀裂を防止するために十分に弾性であ
る。
利点は、パッドの圧縮性に対する研磨プロセスの感度を
減少させることである。どのような特定の理論にも限定
されずに、特に可撓性の止め輪について、端部効果に対
する1つの実現可能な寄与は、止め輪の「偏向」と呼ぶ
ことができるものである。具体的にいうと、キャリア・
ヘッドの立ち下がり区間における止め輪の内部表面上の
基板端部の力は、止め輪を偏向させる、すなわち、ポリ
シング・パッドの表面に平行な軸の周りに僅かに局部的
にねじる恐れがある。これは止め輪の内径をポリシング
・パッドの中に、より深く押し付け、ポリシング・パッ
ドの上に生じる圧力を増加させ、ポリシング・パッドの
材料を「流出させ」、基板の端縁に向かって排出させ
る。ポリシング・パッドの材料の排出は、ポリシング・
パッドの弾性特性に依存する。したがって、パッドの中
に偏向することができる比較的可撓性の止め輪は、パッ
ド材料の弾性特性に対して研磨プロセスを非常に高感度
にする。しかし、剛性の上部の部分により与えられる増
加した剛性は、止め輪の偏向を減少させ、その結果、パ
ッドの変形、パッドの圧縮性に対する感度、及び端部効
果を減少させる。
しかし、本発明は図に示し説明した実施例に制限される
ものではない。より正確に言えば、本発明の範囲は添付
した特許請求の範囲により定められる。 [図面の簡単な説明]
ある。
である。
置 100 キャリア・ヘッド 110 止め輪 180 下部の部分 187 上部の部分。
Claims (25)
- 【請求項1】 化学的機械的研磨のためのキャリア・ヘ
ッドの止め輪であって、 研磨の間にポリシング・パッドと接触し、第一の材料で
作られている、底部表面を有する下部の部分と、 前記第一の材料より剛性である第二の材料で作られてい
る、上部の部分と、を有する、 ボルトによってキャリア・ヘッドのベースの外縁に固定
されるようになっている全体として環状の止め輪。 - 【請求項2】 化学的機械的研磨のためのキャリア・ヘ
ッドの止め輪であって、 前記キャリヤヘッドが、ベースと、止め輪と、基板裏当
て組立体とを含み、 前記基板裏当て組立体が、支持構造、該支持構造をベー
スに接続している撓みダイアフラム、及び該支持構造に
接続された可撓膜を有し、 前記撓みダイアフラムの外縁が前記ベースと前記止め輪
との間にクランプされ、前記撓みダイアフラムの内縁が
前記支持構造の上部クランプと下部クランプとの間にク
ランプされ、 前記ベースと、前記基板裏当て組立体との間にチャンバ
が形成され、該チャンバの加圧が、基板をポリシング・
パッドに対して押し付けるように、可撓膜を下向きに押
すようになっており、 前記撓みダイアフラムを前記ベースと前記止め輪との間
に加圧可能に封止してクランプするために、前記止め輪
の前記上部の部分に、断面形状にして凹凸になっている
部分が設けられており、 前記止め輪が、研磨の間にポリシング・パッドと接触
し、第一の材料で作られている、底部表面を有する環状
の下部の部分と、 前記第一の材料より剛性である第二の材料で作られてい
る、キャリア・ヘッドのベースに接続される環状の上部
の部分と、を有する止め輪。 - 【請求項3】 キャリア・ヘッドが、ベースと、止め輪
と、基板裏当て組立体とを含み、 前記基板裏当て組立体が、支持構造、該支持構造をベー
スに接続している撓みダイアフラム、及び該支持構造に
接続された可撓膜を有し、 前記撓みダイアフラムの外縁が前記ベースと前記止め輪
との間にクランプされ、前記撓みダイアフラムの内縁が
前記支持構造の上部クランプと下部クランプとの間にク
ランプされ、 前記ベースと、前記基板裏当て組立体との間にチャンバ
が形成され、該チャンバの加圧が、基板をポリシング・
パッドに対して押し付けるように、可撓膜を下向きに押
すようになっており、 前記撓みダイアフラムを前記ベースと前記止め輪との間
に加圧可能に封止してクランプするために、前記止め輪
の前記上部の部分に、断面形状にして凹凸になっている
部分が設けられている、請求項1記載の止め輪。 - 【請求項4】 該底部表面に複数のチャネルを有する、
請求項1〜3の何れか1項記載の止め輪。 - 【請求項5】 前記止め輪の上部の部分の外周部に、前
記ベース下部と相補的関係にある、断面形状にしたとき
に段差状になる部分が設けられ、前記止め輪とベースと
が嵌合するようになっている請求項1〜4の何れか1項
記載の止め輪。 - 【請求項6】 前記第一の材料が、化学的機械的研磨プ
ロセスに対して不活性である請求項1〜5の何れか1項
記載の止め輪。 - 【請求項7】 前記第一の材料が、プラスチックである
請求項1〜6の何れか1項記載の止め輪。 - 【請求項8】 前記第一の材料が、硫化ポリフェニレ
ン、ポリエチレン・テレフタート、ポリエーテル・エー
テル・ケトン及びポリブチレン・テレフタートからなる
群から選択される請求項1〜7の何れか1項記載の止め
輪。 - 【請求項9】 前記第一の材料が、硫化ポリフェニレン
である請求項1〜8の何れか1項記載の止め輪。 - 【請求項10】 前記第一の材料が、ショアーDスケー
ルで約80から95の間のデュロメータ測定値を与える
請求項1〜9の何れか1項記載の止め輪。 - 【請求項11】 第一の材料は、0.3〜1.6×10
6ポンド/インチ2の弾性率を有する請求項1〜10の何
れか1項載の止め輪。 - 【請求項12】 前記下部の部分は、厚さが研磨される
基板より厚い請求項1〜11の何れか1項記載の止め
輪。 - 【請求項13】 前記下部の部分は、厚さが約100ミ
ルから400ミルの間である請求項1〜12の何れか1
項記載の止め輪。 - 【請求項14】 前記第二の材料は、金属である請求項
1〜13の何れか1項記載の止め輪。 - 【請求項15】 前記第二の材料は、ステンレス、アル
ミニウム、モリブデンからなる群から選択される金属で
ある請求項1〜14の何れか1項記載の止め輪。 - 【請求項16】 前記第二の材料は、セラミックスであ
る請求項1〜13の何れか1項記載の止め輪。 - 【請求項17】 前記第二の材料は、10〜50×10
6ポンド/インチ2の弾性率を有する請求項1〜16の何
れか1項記載の止め輪。 - 【請求項18】 前記第二の材料は、前記第一の材料の
弾性率の約10倍から100倍の弾性率を有する請求項
1〜17の何れか1項記載の止め輪。 - 【請求項19】 前記第二の材料は、前記第一の材料の
弾性率の約50倍の弾性率を有する請求項1〜18の何
れか1項記載の止め輪。 - 【請求項20】 前記上部の部分は、厚さが約300ミ
ルから500ミルの間である請求項1〜19の何れか1
項記載の止め輪。 - 【請求項21】 前記下部の部分は第一の弾性率を有
し、前記上部の部分は第二の弾性率を有し、前記第二の
弾性率は前記第一の弾性率より十分に大きいように選択
されている請求項1〜20の何れか1項記載の止め輪。 - 【請求項22】 前記下部の部分は、前記上部の部分に
接着して取り付けられている請求項1〜21の何れか1
項記載の止め輪。 - 【請求項23】 前記接着は、緩硬性(slow curing)
エポキシである接着剤でなされている請求項22記載の
止め輪。 - 【請求項24】 前記下部の部分は、前記上部の部分に
圧入されている請求項1〜23の何れか1項記載の止め
輪。 - 【請求項25】 前記下部の部分は、前記上部の部分に
ねじを使用して接着して取り付けられている請求項1〜
24の何れか1項記載の止め輪。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/090,679 US6251215B1 (en) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
US09/090,679 | 1998-06-03 | ||
PCT/US1999/009916 WO1999062672A1 (en) | 1998-06-03 | 1999-05-07 | A carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002299473A Division JP4718750B2 (ja) | 1998-06-03 | 2002-10-11 | 化学的機械的研磨用の多層の止め輪を有するキャリア・ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002516763A JP2002516763A (ja) | 2002-06-11 |
JP3431599B2 true JP3431599B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=22223820
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000551919A Expired - Fee Related JP3431599B2 (ja) | 1998-06-03 | 1999-05-07 | 化学的機械的研磨用の多層の止め輪を有するキャリア・ヘッド |
JP2002299473A Expired - Lifetime JP4718750B2 (ja) | 1998-06-03 | 2002-10-11 | 化学的機械的研磨用の多層の止め輪を有するキャリア・ヘッド |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002299473A Expired - Lifetime JP4718750B2 (ja) | 1998-06-03 | 2002-10-11 | 化学的機械的研磨用の多層の止め輪を有するキャリア・ヘッド |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US6251215B1 (ja) |
JP (2) | JP3431599B2 (ja) |
TW (1) | TW383254B (ja) |
WO (1) | WO1999062672A1 (ja) |
Families Citing this family (121)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6024630A (en) | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
US6436228B1 (en) * | 1998-05-15 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate retainer |
US6251215B1 (en) * | 1998-06-03 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
US6447853B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-09-10 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Method and apparatus for processing semiconductor substrates |
JP2001121411A (ja) | 1999-10-29 | 2001-05-08 | Applied Materials Inc | ウェハー研磨装置 |
JP3873557B2 (ja) * | 2000-01-07 | 2007-01-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
US6666756B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-12-23 | Lam Research Corporation | Wafer carrier head assembly |
WO2001087541A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Multi-Planar Technologies, Inc. | Pneumatic diaphragm head having an independent retaining ring and multi-region pressure control, and method to use the same |
US6506105B1 (en) | 2000-05-12 | 2003-01-14 | Multi-Planar Technologies, Inc. | System and method for pneumatic diaphragm CMP head having separate retaining ring and multi-region wafer pressure control |
US6623343B2 (en) | 2000-05-12 | 2003-09-23 | Multi Planar Technologies, Inc. | System and method for CMP head having multi-pressure annular zone subcarrier material removal control |
US6558232B1 (en) | 2000-05-12 | 2003-05-06 | Multi-Planar Technologies, Inc. | System and method for CMP having multi-pressure zone loading for improved edge and annular zone material removal control |
US6602114B1 (en) * | 2000-05-19 | 2003-08-05 | Applied Materials Inc. | Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
JP2001345297A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法及び研磨装置 |
US6540592B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-04-01 | Speedfam-Ipec Corporation | Carrier head with reduced moment wear ring |
US6468136B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Tungsten CMP with improved alignment mark integrity, reduced edge residue, and reduced retainer ring notching |
US6736713B2 (en) | 2000-08-08 | 2004-05-18 | Speedfam-Ipec Corporation | Workpiece carrier retaining element |
US7497767B2 (en) * | 2000-09-08 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Vibration damping during chemical mechanical polishing |
US6676497B1 (en) * | 2000-09-08 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Vibration damping in a chemical mechanical polishing system |
US6848980B2 (en) | 2001-10-10 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | Vibration damping in a carrier head |
US7255637B2 (en) * | 2000-09-08 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head vibration damping |
US6899610B2 (en) * | 2001-06-01 | 2005-05-31 | Raytech Innovative Solutions, Inc. | Retaining ring with wear pad for use in chemical mechanical planarization |
US6758939B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-07-06 | Speedfam-Ipec Corporation | Laminated wear ring |
US20030070757A1 (en) * | 2001-09-07 | 2003-04-17 | Demeyer Dale E. | Method and apparatus for two-part CMP retaining ring |
US6569771B2 (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-27 | United Microelectronics Corp. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
US6835125B1 (en) | 2001-12-27 | 2004-12-28 | Applied Materials Inc. | Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing |
US6739958B2 (en) | 2002-03-19 | 2004-05-25 | Applied Materials Inc. | Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system |
US20040040656A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-04 | Hengel Raymond J. | Method and apparatus for CMP retaining ring |
DE10247180A1 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Ensinger Kunststofftechnologie Gbr | Haltering zum Halten von Halbleiterwafern in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung |
US20040261945A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-12-30 | Ensinger Kunststofftechnoligie Gbr | Retaining ring for holding semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing apparatus |
US20040259485A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-12-23 | Ensinger Kunstsofftechnoligie Gbr | Retaining ring for holding semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing apparatus |
DE10247179A1 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Ensinger Kunststofftechnologie Gbr | Haltering zum Halten von Halbleiterwafern in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung |
AU2003300375A1 (en) * | 2002-10-11 | 2004-05-04 | Semplastics, L.L.C. | Retaining ring for use on a carrier of a polishing apparatus |
DE10261306B4 (de) * | 2002-12-27 | 2010-02-25 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Haltering mit reduzierter Abnutzungs- und Kontaminationsrate für einen Polierkopf einer CMP-Anlage und Polierkopf und CMP-Vorrichtung mit Haltering |
US7850174B2 (en) * | 2003-01-07 | 2010-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and focus ring |
US7089782B2 (en) * | 2003-01-09 | 2006-08-15 | Applied Materials, Inc. | Polishing head test station |
TWM255104U (en) * | 2003-02-05 | 2005-01-11 | Applied Materials Inc | Retaining ring with flange for chemical mechanical polishing |
DE10311830A1 (de) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Ensinger Kunststofftechnologie Gbr | Abstandhalterprofil für Isolierglasscheiben |
US6783437B1 (en) | 2003-05-08 | 2004-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Edge-sealed pad for CMP process |
JP4269259B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-05-27 | 株式会社ニコン | 加工装置、この加工装置を用いた半導体デバイスの製造方法 |
JP4465645B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2010-05-19 | 株式会社ニコン | 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法 |
US20050005416A1 (en) * | 2003-07-08 | 2005-01-13 | Sather Alvin William | Method for hardening the wear portion of a retaining ring |
JP2005034959A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Ebara Corp | 研磨装置及びリテーナリング |
DE602004027412D1 (de) | 2003-11-13 | 2010-07-08 | Applied Materials Inc | Haltering mit geformter fläche |
US11260500B2 (en) * | 2003-11-13 | 2022-03-01 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with shaped surface |
US20050126708A1 (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-16 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with slurry transport grooves |
US7244336B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-07-17 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift |
US7485028B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-02-03 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Chemical mechanical polishing retaining ring, apparatuses and methods incorporating same |
US7086939B2 (en) * | 2004-03-19 | 2006-08-08 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Chemical mechanical polishing retaining ring with integral polymer backing |
US7276743B2 (en) * | 2004-05-13 | 2007-10-02 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with conductive portion |
US7029386B2 (en) * | 2004-06-10 | 2006-04-18 | R & B Plastics, Inc. | Retaining ring assembly for use in chemical mechanical polishing |
US20080076253A1 (en) * | 2004-09-30 | 2008-03-27 | Hiroshi Fukada | Adhesive Sheet,Semiconductor Device,and Process for Producing Semiconductor Device |
US7048621B2 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-23 | Applied Materials Inc. | Retaining ring deflection control |
DE102004062799A1 (de) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Ensinger Kunststofftechnologie GbR (vertretungsberechtigter Gesellschafter Wilfried Ensinger, 71154 Nufringen) | Kunststoffmaterial zur Herstellung von Halteringen |
US7101272B2 (en) * | 2005-01-15 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for thermal drift compensation |
US7134948B2 (en) * | 2005-01-15 | 2006-11-14 | Applied Materials, Inc. | Magnetically secured retaining ring |
JP2007158201A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Nippon Seimitsu Denshi Co Ltd | Cmp装置のリテーナリング |
US7520795B2 (en) * | 2005-08-30 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Grooved retaining ring |
JP4814677B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置および研磨装置 |
US7597609B2 (en) * | 2006-10-12 | 2009-10-06 | Iv Technologies Co., Ltd. | Substrate retaining ring for CMP |
US7789736B2 (en) | 2006-10-13 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Stepped retaining ring |
JP4374370B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2009-12-02 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
US7727055B2 (en) | 2006-11-22 | 2010-06-01 | Applied Materials, Inc. | Flexible membrane for carrier head |
US7699688B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-04-20 | Applied Materials, Inc. | Carrier ring for carrier head |
US7575504B2 (en) * | 2006-11-22 | 2009-08-18 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring, flexible membrane for applying load to a retaining ring, and retaining ring assembly |
US7654888B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with retaining ring and carrier ring |
US7750657B2 (en) * | 2007-03-15 | 2010-07-06 | Applied Materials Inc. | Polishing head testing with movable pedestal |
US8033895B2 (en) * | 2007-07-19 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with shaped profile |
US7867060B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-01-11 | Tdk Corporation | Retainer ring used for polishing a structure for manufacturing magnetic head, and polishing method using the same |
US8740673B2 (en) * | 2010-10-05 | 2014-06-03 | Strasbaugh | CMP retaining ring with soft retaining ring insert |
KR20140054178A (ko) * | 2011-08-05 | 2014-05-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 두 부분으로 이루어진 플라스틱 리테이닝 링 |
KR102014492B1 (ko) * | 2011-09-12 | 2019-08-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 복합 플라스틱 부분들을 구비한 캐리어 헤드 |
US9050700B2 (en) * | 2012-01-27 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for an improved polishing head retaining ring |
US9067295B2 (en) * | 2012-07-25 | 2015-06-30 | Applied Materials, Inc. | Monitoring retaining ring thickness and pressure control |
US8998676B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with selected stiffness and thickness |
US9233452B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-01-12 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder |
US9604339B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-03-28 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder |
US9199354B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-12-01 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder |
US8998677B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
US9039488B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
US9011207B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
US8845394B2 (en) | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
US8998678B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
US9381613B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Reinforcement ring for carrier head |
JP5821883B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2015-11-24 | 信越半導体株式会社 | テンプレートアセンブリ及びテンプレートアセンブリの製造方法 |
GB201314321D0 (en) | 2013-08-09 | 2013-09-25 | Victrex Mfg Ltd | Polymeric materials |
WO2015051134A1 (en) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coated retaining ring |
TWI599447B (zh) * | 2013-10-18 | 2017-09-21 | 卡博特微電子公司 | 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的cmp拋光墊 |
US9849567B2 (en) | 2013-11-05 | 2017-12-26 | Seagate Technology Llc | Lapping assembly or process utilizing a bar stack extender |
JP2015188955A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
KR102323430B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2021-11-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
US9368371B2 (en) | 2014-04-22 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring having inner surfaces with facets |
KR101613153B1 (ko) * | 2014-05-09 | 2016-04-19 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드 |
US9878421B2 (en) * | 2014-06-16 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing retaining ring with integrated sensor |
US10252397B2 (en) * | 2014-10-30 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for profile and surface preparation of retaining rings utilized in chemical mechanical polishing processes |
CA2967291C (en) | 2015-05-07 | 2019-04-16 | Halliburton Energy Services, Inc. | Container bulk material delivery system |
US10500695B2 (en) | 2015-05-29 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring having inner surfaces with features |
CA2966614C (en) | 2015-07-22 | 2022-04-26 | Halliburton Energy Services, Inc. | Mobile support structure for bulk material containers |
US10569242B2 (en) | 2015-07-22 | 2020-02-25 | Halliburton Energy Services, Inc. | Blender unit with integrated container support frame |
CA2996055C (en) | 2015-11-25 | 2022-04-26 | Halliburton Energy Services, Inc. | Sequencing bulk material containers for continuous material usage |
US11047717B2 (en) | 2015-12-22 | 2021-06-29 | Halliburton Energy Services, Inc. | System and method for determining slurry sand concentration and continuous calibration of metering mechanisms for transferring same |
US11192074B2 (en) | 2016-03-15 | 2021-12-07 | Halliburton Energy Services, Inc. | Mulling device and method for treating bulk material released from portable containers |
US11273421B2 (en) * | 2016-03-24 | 2022-03-15 | Halliburton Energy Services, Inc. | Fluid management system for producing treatment fluid using containerized fluid additives |
US11311849B2 (en) | 2016-03-31 | 2022-04-26 | Halliburton Energy Services, Inc. | Loading and unloading of bulk material containers for on site blending |
CA3014878C (en) | 2016-05-24 | 2021-04-13 | Halliburton Energy Services, Inc. | Containerized system for mixing dry additives with bulk material |
WO2018017090A1 (en) | 2016-07-21 | 2018-01-25 | Haliburton Energy Services, Inc | Bulk material handling system for reduced dust, noise, and emissions |
WO2018022064A1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Halliburton Energy Services, Inc. | Modular bulk material container |
US11338260B2 (en) | 2016-08-15 | 2022-05-24 | Halliburton Energy Services, Inc. | Vacuum particulate recovery systems for bulk material containers |
US11186454B2 (en) | 2016-08-24 | 2021-11-30 | Halliburton Energy Services, Inc. | Dust control systems for discharge of bulk material |
WO2018038721A1 (en) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | Halliburton Energy Services, Inc. | Dust control systems for bulk material containers |
WO2018101959A1 (en) | 2016-12-02 | 2018-06-07 | Halliburton Energy Services, Inc. | Transportation trailer with space frame |
US10926378B2 (en) | 2017-07-08 | 2021-02-23 | Wayne O. Duescher | Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet |
US11400560B2 (en) | 2017-10-04 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring design |
US10710214B2 (en) * | 2018-01-11 | 2020-07-14 | Husqvarna Ab | Polishing or grinding pad with multilayer reinforcement |
WO2020176385A1 (en) | 2019-02-28 | 2020-09-03 | Applied Materials, Inc. | Retainer for chemical mechanical polishing carrier head |
US11691241B1 (en) * | 2019-08-05 | 2023-07-04 | Keltech Engineering, Inc. | Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier |
CN118163032A (zh) * | 2019-09-30 | 2024-06-11 | 清华大学 | 一种化学机械抛光保持环和化学机械抛光承载头 |
CN115151376B (zh) | 2020-07-08 | 2024-05-24 | 应用材料公司 | 多齿磁控保持环 |
US11724355B2 (en) | 2020-09-30 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate polish edge uniformity control with secondary fluid dispense |
KR20220116311A (ko) | 2020-10-13 | 2022-08-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 접촉 연장부 또는 조절가능한 정지부를 갖는 기판 연마 장치 |
US11623321B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Polishing head retaining ring tilting moment control |
JP2022073074A (ja) | 2020-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社荏原製作所 | 基板を保持するためのヘッドおよび基板処理装置 |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6250047A (ja) | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Kobe Steel Ltd | 連続鋳造方法 |
JPS6310057A (ja) | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Bridgestone Corp | タイヤ用加硫モ−ルドの製造方法 |
JPH0453896Y2 (ja) * | 1986-07-07 | 1992-12-17 | ||
US5205082A (en) * | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
JPH0639705A (ja) | 1992-07-27 | 1994-02-15 | Sharp Corp | 研磨装置 |
US5635083A (en) * | 1993-08-06 | 1997-06-03 | Intel Corporation | Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate |
JP3311116B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
JP2716653B2 (ja) | 1993-11-01 | 1998-02-18 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの研磨装置および研磨方法 |
US5643053A (en) | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
JPH07237120A (ja) | 1994-02-22 | 1995-09-12 | Nec Corp | ウェーハ研磨装置 |
US5423558A (en) * | 1994-03-24 | 1995-06-13 | Ipec/Westech Systems, Inc. | Semiconductor wafer carrier and method |
JP2933488B2 (ja) | 1994-08-10 | 1999-08-16 | 日本電気株式会社 | 研磨方法および研磨装置 |
US5533924A (en) | 1994-09-01 | 1996-07-09 | Micron Technology, Inc. | Polishing apparatus, a polishing wafer carrier apparatus, a replacable component for a particular polishing apparatus and a process of polishing wafers |
JP3257304B2 (ja) | 1994-11-24 | 2002-02-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 研磨装置 |
JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
JPH08229804A (ja) | 1995-02-28 | 1996-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨装置および研磨方法 |
US5597346A (en) | 1995-03-09 | 1997-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for holding a semiconductor wafer during a chemical mechanical polish (CMP) process |
JPH08257893A (ja) | 1995-03-29 | 1996-10-08 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨装置および研磨方法 |
US5908530A (en) * | 1995-05-18 | 1999-06-01 | Obsidian, Inc. | Apparatus for chemical mechanical polishing |
US6024630A (en) | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
US5795215A (en) | 1995-06-09 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for using a retaining ring to control the edge effect |
US5681215A (en) | 1995-10-27 | 1997-10-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus |
JPH0919683A (ja) | 1995-07-06 | 1997-01-21 | Toshiba Corp | 復水脱塩装置 |
US5643061A (en) * | 1995-07-20 | 1997-07-01 | Integrated Process Equipment Corporation | Pneumatic polishing head for CMP apparatus |
US5695392A (en) | 1995-08-09 | 1997-12-09 | Speedfam Corporation | Polishing device with improved handling of fluid polishing media |
US5762544A (en) | 1995-10-27 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus |
US5738574A (en) | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
JP3129172B2 (ja) | 1995-11-14 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及び研磨方法 |
JP3072962B2 (ja) | 1995-11-30 | 2000-08-07 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨のための被加工物の保持具及びその製法 |
US5961372A (en) | 1995-12-05 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate belt polisher |
EP0786310B1 (en) | 1996-01-24 | 2002-12-04 | Lam Research Corporation | Wafer polishing head |
KR100485002B1 (ko) | 1996-02-16 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 작업물폴리싱장치및방법 |
JP3045966B2 (ja) | 1996-02-16 | 2000-05-29 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置および方法 |
JP3106418B2 (ja) | 1996-07-30 | 2000-11-06 | 株式会社東京精密 | 研磨装置 |
US5897220A (en) * | 1996-08-30 | 1999-04-27 | American Alpha Inc. | Automatic photograph booth for forming sketches |
JP3663767B2 (ja) | 1996-09-04 | 2005-06-22 | 信越半導体株式会社 | 薄板の鏡面研磨装置 |
US6183354B1 (en) | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
US5948204A (en) | 1996-12-30 | 1999-09-07 | Intel Corporation | Wafer carrier ring method and apparatus for chemical-mechanical planarization |
US5851140A (en) * | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
US6019670A (en) | 1997-03-10 | 2000-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for conditioning a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
US6077385A (en) | 1997-04-08 | 2000-06-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US5957751A (en) * | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US6113479A (en) | 1997-07-25 | 2000-09-05 | Obsidian, Inc. | Wafer carrier for chemical mechanical planarization polishing |
US5944593A (en) * | 1997-09-01 | 1999-08-31 | United Microelectronics Corp. | Retainer ring for polishing head of chemical-mechanical polish machines |
US6068548A (en) * | 1997-12-17 | 2000-05-30 | Intel Corporation | Mechanically stabilized retaining ring for chemical mechanical polishing |
DE19801462A1 (de) * | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Basf Ag | Katalysator und Verfahren zur Herstellung von Polytetrahydrofuran |
JP2917992B1 (ja) | 1998-04-10 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 研磨装置 |
US6436228B1 (en) | 1998-05-15 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate retainer |
US6251215B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
JP2000084836A (ja) | 1998-09-08 | 2000-03-28 | Speedfam-Ipec Co Ltd | キャリア及び研磨装置 |
-
1998
- 1998-06-03 US US09/090,679 patent/US6251215B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-21 TW TW088100929A patent/TW383254B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-05-07 WO PCT/US1999/009916 patent/WO1999062672A1/en active Application Filing
- 1999-05-07 JP JP2000551919A patent/JP3431599B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-03 US US09/848,830 patent/US7520955B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-11 JP JP2002299473A patent/JP4718750B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-04-15 US US10/826,185 patent/US7534364B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-21 US US12/427,642 patent/US8029640B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-27 US US13/246,614 patent/US8470125B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-05 US US13/603,876 patent/US8486220B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-06-13 US US13/917,250 patent/US8771460B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7520955B1 (en) | 2009-04-21 |
US6251215B1 (en) | 2001-06-26 |
US8470125B2 (en) | 2013-06-25 |
US20120325395A1 (en) | 2012-12-27 |
JP2003179015A (ja) | 2003-06-27 |
US20120018093A1 (en) | 2012-01-26 |
US20090221223A1 (en) | 2009-09-03 |
US8029640B2 (en) | 2011-10-04 |
JP2002516763A (ja) | 2002-06-11 |
WO1999062672A1 (en) | 1999-12-09 |
US8771460B2 (en) | 2014-07-08 |
JP4718750B2 (ja) | 2011-07-06 |
US7534364B2 (en) | 2009-05-19 |
TW383254B (en) | 2000-03-01 |
US20040209556A1 (en) | 2004-10-21 |
US20130276979A1 (en) | 2013-10-24 |
US8486220B2 (en) | 2013-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3431599B2 (ja) | 化学的機械的研磨用の多層の止め輪を有するキャリア・ヘッド | |
JP4928043B2 (ja) | 化学機械研磨処理のための多層保持リング | |
US7331847B2 (en) | Vibration damping in chemical mechanical polishing system | |
US6036587A (en) | Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system | |
US6406361B1 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
US5964653A (en) | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system | |
US6277014B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane for chemical mechanical polishing | |
US5899801A (en) | Method and apparatus for removing a substrate from a polishing pad in a chemical mechanical polishing system | |
US6358121B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring | |
US6855043B1 (en) | Carrier head with a modified flexible membrane | |
US6739958B2 (en) | Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system | |
US6848980B2 (en) | Vibration damping in a carrier head |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030428 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080523 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080523 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090523 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100523 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100523 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 9 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |