CN114121758A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置包括：旋转卡盘部，以能够旋转的方式设置于驱动部；真空卡盘部，配置于旋转卡盘部，供晶片放置；卡紧模块，设置于旋转卡盘部，使得晶片固定于真空卡盘部；以及移动模块，使真空卡盘部或卡紧模块移动，以在晶片上扩大相邻模具之间的间隔。因此，能够显著提高晶片的清洗性能并且能够显著降低晶片的不合格率。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，更详细而言，涉及一种能够提高基板的处理性能、缩短基板的处理时间的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
一般而言，在半导体工序中，进行蚀刻晶片的蚀刻工序、将晶片切割成多个模具的分离工序、清洗晶片的清洗工序等。在晶片蚀刻工序或清洗工序中，使用基板处理装置。
基板处理装置以可旋转的方式设置，由上部放置有晶片的旋转台和以环状结合于旋转台的边缘区域的密封环等构成。在旋转台旋转的状态下，向放置于旋转台的晶片供应处理液。
然而，现有的基板处理装置在清洗被切割成多个模具的晶片时，难以去除多个模具之间的间隙上残存的异物。另外，为了去除多个模具之间的间隙中的异物，需要充分延长清洗时间，因此会增加清洗时间。
另外，将密封环结合到旋转台的上部的过程复杂，结合时密封环的结合完成状态不确定，可能产生结合误差(歪扭等)。进一步地，产生密封环的结合误差的情况下，随着处理液向密封环的外侧浸入，可能损伤台的周边的结构件。
另外，为防止晶片位置变动而设置晶片固定模块，并设置用于固定密封环的密封环固定模块。因此，基板处理装置的结构变得复杂，可能会增加制造费用。
本发明的背景技术记载于韩国公开专利公报第10-2016-0122067号(2016年10月21日公开，发明名称：晶片处理设备以及用于晶片处理设备的密封环)。
发明内容
要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种能够提高基板的处理性能、缩短基板的处理时间的基板处理装置及基板处理方法。
解决技术问题的手段
根据本发明的基板处理装置，其特征在于，包括：旋转卡盘部，以能够旋转的方式设置于驱动部；真空卡盘部，配置于所述旋转卡盘部并且供晶片放置；卡紧模块，设置于所述旋转卡盘部，以使得所述晶片固定于所述真空卡盘部；以及移动模块，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动，以在所述晶片上扩大相邻模具之间的间隔。
所述移动模块可以设置于所述旋转卡盘部，以使得所述真空卡盘部移动。
所述移动模块可以设置于所述旋转卡盘部，以使得所述卡紧模块移动。
所述移动模块可以包括：介质流道部，形成于所述驱动部，以供应移动介质；以及移动杆部，设置于所述介质流道部，以便随着通过所述介质流道部的压力而移动从而使所述真空卡盘部移动。
所述移动模块还可以包括：缸部，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动。
所述移动模块还可以包括：电磁线圈部，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动。
所述真空卡盘部可以包括：第一真空卡盘，以与所述旋转卡盘部一起旋转的方式设置于所述旋转卡盘部，并且所述第一真空卡盘形成真空压以吸附所述晶片；以及第二真空卡盘，搭载于所述第一真空卡盘并且供所述晶片搭载，所述第二真空卡盘设置为通过所述移动模块而升降，以扩大所述模具之间的间隔。
所述卡紧模块可以包括：卡紧基座，设置于所述旋转卡盘部；卡紧旋转部，连接于所述卡紧基座，以使得所述卡紧基座旋转；多个第一卡紧连杆部，以径向的方式分别连接于所述卡紧基座，并且在所述卡紧基座旋转时移动；以及多个晶片限制部，分别连接于所述第一卡紧连杆部，以在所述第一卡紧连杆部移动时将所述晶片的挡圈部固定于所述真空卡盘部。
所述卡紧基座可以包括：基座本体部，以与所述旋转卡盘部的旋转轴形成同心的方式形成为环形；多个引导部，形成于所述基座本体部，以便所述第一卡紧连杆部以能够移动的方式结合于多个引导部；以及基座齿轮部，形成于所述基座本体部并连接于所述卡紧旋转部。
所述引导部可以以相对于所述基座本体部的半径倾斜的方式形成。
所述第一卡紧连杆部可以包括：第一引导滑块，以能够移动的方式结合于所述引导部；第一连杆部件，连接于所述第一引导滑块，并且在所述第一引导滑块移动时沿着所述基座本体部的半径方向直线移动；以及第一连杆齿轮部，以与所述基座齿轮部啮合移动的方式形成于所述第一连杆部件。
所述第一卡紧连杆部还可以包括：第一引导块，所述第一连杆部件以能够直线移动的方式结合于所述第一引导块。
所述晶片限制部可以包括：夹具轴部，以能够旋转的方式设置于所述旋转卡盘部；夹具齿轮部，以与所述第一连杆齿轮部啮合的方式形成于所述夹具轴部；夹具连杆部，连接于所述夹具轴部；夹具支承部，固定于所述旋转卡盘部；以及加压夹具部，以能够旋转的方式设置于所述夹具支承部，并且在所述夹具连杆部移动时，所述加压夹具部进行旋转以加压和释放所述晶片的所述挡圈部。
所述加压夹具部可以包括：夹具回旋部，铰接结合于所述夹具支承部并连接于所述夹具连杆部；以及加压指部，形成于所述夹具回旋部，以加压和释放所述晶片的所述挡圈部。
所述基板处理装置还可以包括：环盖部，沿着所述真空卡盘部的外围部配置，以加压所述晶片的贴合片从而密封所述真空卡盘部的外围部侧，并且所述环盖部通过所述卡紧模块固定于所述旋转卡盘部。
所述卡紧模块还可以包括：多个第二卡紧连杆部，以径向的方式连接于所述卡紧基座，并且在所述卡紧基座旋转时移动；以及多个盖限制部，连接于所述第二卡紧连杆部，以在所述第二卡紧连杆部移动时使所述环盖部固定于所述旋转卡盘部。
在所述卡紧基座旋转时，多个所述第一卡紧连杆部和多个所述第二卡紧连杆部可以同时移动。
所述第二卡紧连杆部可以包括：第二引导滑块，以能够移动的方式结合于所述卡紧基座部；第二连杆部件，连接于所述第二引导滑块，在所述第二引导滑块移动时沿着所述基座本体部的半径方向直线移动；以及第二连杆齿轮部，以与所述盖限制部啮合移动的方式形成于所述第二连杆部件。
所述第二卡紧连杆部还可以包括第二引导块，所述第二连杆部件以能够直线移动的方式结合于所述第二引导块。
根据本发明的基板处理方法，其特征在于，包括：将晶片搭载于真空卡盘部的步骤；卡紧模块使所述晶片固定于所述真空卡盘部的步骤；移动模块使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动，以在所述晶片上扩大相邻模具之间的间隔的步骤；以及所述旋转卡盘部和所述真空卡盘部旋转，并向所述晶片喷射清洗液，以去除所述晶片上的异物的步骤。
所述移动模块还可以包括：介质流道部，形成于驱动部，以供应移动介质；以及移动杆部，设置于所述介质流道部，以随着通过所述介质流道部的压力而移动从而使所述真空卡盘部移动。
所述移动模块还可以包括：缸部，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动。
所述移动模块还可以包括：电磁线圈部，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动。
所述移动模块使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动，以在所述晶片上扩大所述模具之间的间隔的步骤可以包括：第一真空卡盘形成真空压以吸附所述晶片的步骤；以及所述移动模块使第二真空卡盘或所述卡紧模块移动的步骤。
所述卡紧模块将所述晶片固定于所述真空卡盘部的步骤可以包括：卡紧旋转部使卡紧基座旋转的步骤；随着所述卡紧基座的旋转，多个第一卡紧连杆部进行移动的步骤；以及随着多个所述第一卡紧连杆部的移动，多个晶片限制部使所述晶片的所述挡圈部加压固定于所述真空卡盘部的步骤。
根据本发明的基板处理方法，可以包括：将晶片搭载于真空卡盘部上的步骤；环盖部配置于所述真空卡盘部的外围部的步骤；随着卡紧模块的移动，所述晶片固定于所述真空卡盘部，并且所述环盖部固定于旋转卡盘部的步骤；以及所述旋转卡盘部和所述真空卡盘部旋转，向所述晶片喷射供应液以蚀刻所述晶片的步骤。
随着所述卡紧模块的移动，所述晶片固定于所述真空卡盘部，并且所述环盖部固定于所述旋转卡盘部的步骤可以包括：所述卡紧旋转部使卡紧基座旋转的步骤；随着所述卡紧基座的旋转，多个第一卡紧连杆部和多个第二卡紧连杆部移动的步骤；以及多个晶片限制部使所述晶片的挡圈部固定于所述真空卡盘部，多个盖限制部使所述环盖部固定于所述旋转卡盘部的步骤。
所述环盖部可以随着对所述晶片的贴合片加压从而防止供应液浸入所述晶片的所述挡圈部侧。
在随着所述卡紧基座的旋转，多个所述第一卡紧连杆部和多个所述第二卡紧连杆部移动的步骤中，在所述卡紧基座旋转时，多个所述第一卡紧连杆部和多个所述第二卡紧连杆部可以同时移动。
技术效果
根据本发明，移动模块使真空卡盘部或卡紧模块移动，以在晶片上扩大相邻模具之间的间隔，因此能够通过清洗液容易地去除附着于模具表面的异物以及位于多个模具之间的间隙的异物。因此，能够显著提高晶片的清洗性能，并且能够显著降低晶片的不良率。
另外，根据本发明，随着卡紧基座的旋转，多个第一卡紧连杆部和多个晶片限制部同时移动，因此可以利用一个卡紧旋转部将晶片限制在真空卡盘部。因此，能够减少设置于卡紧模块的卡紧旋转部的个数。
另外，根据本发明，环盖部加压晶片的贴合片，从而密封真空卡盘的外围部，因此减少由供应液造成的贴合片损伤，能够防止由供应液造成的旋转卡盘部和真空卡盘部的污染或破损。
另外，根据本发明，利用一个卡紧基座和一个卡紧旋转部同时使晶片和环盖部固定于真空卡盘部和旋转卡盘部，因此能够简化基板处理装置的结构。
附图说明
图1为简要示出在根据本发明第一实施例的基板处理装置中处理的晶片的平面图。
图2为简要示出在根据本发明第一实施例的基板处理装置中处理的晶片的侧面图。
图3为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置的侧面图。
图4为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中随着真空卡盘部上升多个模具之间的间隔扩大的状态的侧面图。
图5为简要示出根据本发明第二实施例的基板处理装置的侧面图。
图6为简要示出根据本发明第三实施例的基板处理装置的侧面图。
图7为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置的剖面图。
图8为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中真空卡盘部通过移动模块上升一定高度的状态的剖面图。
图9为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中移动模块的一例的剖面图。
图10为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中移动模块的另一例的剖面图。
图11为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中移动模块的又一例的剖面图。
图12为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中卡紧模块的平面图。
图13为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中卡紧模块的卡紧基座旋转一定角度的状态的平面图。
图14为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中卡紧模块的卡紧连杆部和晶片限制部设置于旋转卡盘部的状态的侧面图。
图15为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中卡紧模块的第一卡紧连杆部和晶片限制部的立体图。
图16为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中旋转卡盘部和真空卡盘部的外围部设置有环盖部的状态的剖面图。
图17为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中旋转卡盘部设置有第二卡紧连杆部和盖限制部的状态的剖面图。
图18为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中设置有第二卡紧连杆部和盖限制部的状态的立体图。
图19为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中盖限制部的剖面图。
图20为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中挡圈部(retainerring portion)的上表面以比模具的上表面低的方式设置的状态的剖面图。
图21为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中吸附垫部设置于真空卡盘部的状态的剖面图。
图22为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中环盖部加压密封环部的状态的剖面图。
图23为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中环盖部的另一例的剖面图。
图24为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中密封环部连接有流体供应部的状态的剖面图。
图25为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中设置密封力加强部以加压密封环部的状态的剖面图。
图26为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中密封环部的内侧嵌入第二真空卡盘的内部的状态的剖面图。
图27为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中环盖部加压贴合垫从而密封的状态的剖面图。
图28为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理方法中基板蚀刻方法的流程图。
图29为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理方法中基板清洗方法的流程图。
【附图标记说明】
10：晶片；11：模具；12：贴合片；13：挡圈部；110：驱动部；111：旋转轴；113：电机部；120：旋转卡盘部；130：真空卡盘部；131：第一真空卡盘；133：第二真空卡盘；134：密封槽部；135：挂接部；135：真空腔；136：真空口部；137：固定槽部；140：环盖部；141：盖本体部；142：限制坎部；143：盖加压部；144：密封凸起部；145：锁紧销；145a：减缩部；147：锁紧槽部；150：卡紧模块；151：卡紧基座；152：基座本体部；153：引导部；154：基座齿轮部；155：卡紧旋转部；160：第一卡紧连杆部；161：第一引导滑块；162：第一连杆部件；163：第一连杆齿轮部；164：第一引导块；165：第一引导辊；170：晶片限制部；171：夹具轴部；172：夹具齿轮部；173：夹具连杆部；174：夹具支承部；175：加压夹具部；175a：夹具回旋部；175b：加压指部；180：第二卡紧连杆部；181：第二引导滑块；182：第二连杆部件；183：第二连杆齿轮部；184：第二引导块；185：第二引导辊；190：盖限制部；191：盖限制轴部；192：限制齿轮部；192a：旋转防止部；193：第二轴结合部；193a：旋转防止槽部；194：弹性部件；195：高度调节部；196：位置固定部；197：盖限制条；198：限制辊部；200：移动模块；201：介质流道部；203：移动杆部；205：缸部；207：电磁线圈部(solenoid unit)；210：吸附垫部；211：吸附本体部；213：平坦度管理部；215：压入固定部；220：密封环部；221：变形空间部；222：容许空间部；223：流体供应部；223a：供应管线；223b：排出管线；225：密封力加强部；225a：加强杆部；225b：加强弹簧。
具体实施方式
以下，参考附图说明根据本发明的基板处理装置及基板处理方法的实施例。在说明基板处理装置及基板处理方法过程中，图中示出的线的粗细或构成元素的尺寸等可能出于说明的清楚和便利而夸张地示出。另外，后文的术语是考虑在本发明中的功能而定义的术语，可能根据使用者、运用者的意图或惯例而不同。因此，应当基于本发明整体内容定义这些术语。
图1为简要示出在根据本发明第一实施例的基板处理装置中处理的晶片的平面图，图2为简要示出在根据本发明第一实施例的基板处理装置中处理的晶片的侧面图，图3为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置的侧面图，图4为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中随着真空卡盘部上升多个模具之间的间隔扩大的状态的侧面图。
参考图1至图4，根据本发明第一实施例的基板处理装置包括旋转卡盘部120、真空卡盘部130、卡紧模块150及移动模块200。
基板处理装置蚀刻并清洗晶片10。在蚀刻工序中，向晶片10喷射蚀刻液。蚀刻的晶片10在分离工序中随着切割而以矩阵形状形成多个模具11。在清洗工序中，随着向晶片10喷射清洗液而去除附着于多个晶片10的异物。清洗液可以采用去离子水(Deionizedwater:DI-water)等多种。将蚀刻工序和清洗工序中供应的蚀刻液和清洗液称为供应液。
晶片10包括以矩阵形状排列的多个模具11、附着有多个模具11的贴合片12以及连接于贴合片12的外周以紧紧支承贴合片12的挡圈部13。贴合片12沿水平方向以可伸缩的材料形成。随着贴合片12通过挡圈部13紧绷，多个模具11位置固定，使得薄板的模具11保持平板状态。
旋转卡盘部120以可旋转的方式设置于驱动部110。旋转卡盘部120整体可形成为圆板形状。
驱动部110包括连接于旋转卡盘部120的旋转中心的旋转轴111和设置于旋转轴111的电机部113。电机部113包括设置于外壳(未图示)的内部的定子(未图示)和配置于定子的内部并以围绕旋转轴111的方式设置的转子(未图示)。另外，驱动部110可以采用以带为媒介使旋转轴111旋转的带驱动方式或以链为媒介使旋转轴111旋转的链驱动方式。只要能使旋转卡盘部120旋转，驱动部110可以采用多种形状。
旋转轴111上形成有真空流道部115(参考图7及图9)，以使真空卡盘部130真空化。真空流道部115沿旋转轴111的长度方向形成。真空卡盘部以与真空流道部连接的方式形成有真空腔135。
真空卡盘部130配置于旋转卡盘部120，并且供晶片10放置。在驱动部110驱动时真空卡盘部130与旋转卡盘部120一起旋转。此时，在基板处理装置中进行蚀刻工序的情况下，真空卡盘部130上放置未被切割成多个模具11的状态的晶片10。在基板处理装置中进行清洗工序的情况下，真空卡盘部130上放置被切割成多个模具11的状态的晶片10。从晶片10切割成模具11的情况下，模具11的表面与模具11之间的间隙可能残存异物。
卡紧模块150(参考图7)设置于真空卡盘部130，以使晶片10的挡圈部13固定于真空卡盘部130。卡紧模块150通过向下侧压紧挡圈部13使挡圈部13固定于真空卡盘部130的外围部。因此，旋转卡盘部120和真空卡盘部130旋转时，卡紧模块150防止晶片10的位置变化，使得晶片10保持平坦的状态。
移动模块200以使真空卡盘部130或卡紧模块150移动的方式设置，以在晶片10上扩大模具11的间隔。在卡紧模块150使晶片10的挡圈部13固定于真空卡盘部130的外围部的状态下，若移动模块200移动，则晶片10通过移动模块200的移动被加压。此时，随着晶片10的贴合片12沿半径方向绷紧，贴合片12沿半径方向增长，随着贴合片12沿半径方向增长，多个模具11之间的间隔扩大。在多个模具11之间的间隔扩大的状态下，向多个模具11喷射清洗液时，通过清洗液可以容易地去除附着于模具11表面的异物以及位于多个模具11之间的间隙的异物。因此，能够显著提高晶片10上异物的清洗性能。另外，随着晶片10的清洗性能显著提高，能够显著降低晶片10的不良率。
在晶片10的挡圈部13位置固定的状态下，随着多个模具11的移动从而扩大模具11之间的间隔，或在多个模具11位置固定的状态下随着挡圈部13的移动而扩大模具11之间的间隔。对此，下文将详细说明。
移动模块200设置于旋转卡盘部120以使真空卡盘部130移动。例如，移动模块200使真空卡盘部130向上侧移动，旋转卡盘部120保持位置固定。此时，真空卡盘部130的外围部支承晶片10的贴合片12。随着移动模块200的驱动真空卡盘部130向上侧移动，并且旋转卡盘部120不上升，因此在晶片10的挡圈部13位置固定的状态下，贴合片12上升并沿半径方向增长。随着贴合片12沿半径方向增长，多个模具11之间的间隔扩大。
图5为简要示出根据本发明第二实施例的基板处理装置的侧面图。
参考图5，移动模块200设置于旋转卡盘部120，以使卡紧模块150移动。例如，移动模块200使卡紧模块150向下侧移动。此时，真空卡盘部130的外围部支承晶片10的贴合片12。随着移动模块200驱动，卡紧模块150向下侧移动，旋转卡盘部120和真空卡盘部130不上升，因此，晶片10的多个模具11在真空卡盘部130上的位置固定的状态下，随着挡圈部13下降，贴合片12沿半径方向增长。随着贴合片12沿半径方向增长，多个模具11之间的间隔扩大。
图6为简要示出根据本发明第三实施例的基板处理装置的侧面图。
参考图6，移动模块200设置于旋转卡盘部120，以使卡紧模块150向上侧移动。旋转卡盘部120的外围部设置有用于以可升降的方式支承卡紧模块150的结构件(未图示)。旋转卡盘部120的外围部上侧设置有可以加压位于挡圈部13的内侧的贴合片12部分的环盖部140等结构件。此时，晶片10的贴合片12被环盖部140等结构件支承以不上升。随着移动模块200驱动，卡紧模块150向上侧移动，旋转卡盘部120和真空卡盘部130不上升，因此，晶片10的多个模具11在真空卡盘部130上的位置固定的状态下，随着挡圈部13上升，贴合片12沿半径方向增长。随着贴合片12沿半径方向增长，多个模具11之间的间隔扩大。
只要能使真空卡盘部130或卡紧模块150移动，移动模块200可以采用多种形状。下文将说明移动模块200的实施例。
图7为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置的剖面图，图8为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中真空卡盘部上升一定高度的状态的剖面图，图9为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中移动模块的一例的剖面图，图10为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中移动模块的另一例的剖面图，图11为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中移动模块的又一例的剖面图。
参考图7至图9，移动模块200包括介质流道部201和移动杆部203。介质流道部201可以沿着旋转轴111的长度方向配置于旋转轴111的内部。移动介质可以是空气或气体。移动杆部203通过移动介质的压力升降，并且以接触真空卡盘部130的下部的方式设置。移动杆部203可以设置有复位弹簧，以在释放移动介质的压力时使移动介质复位到原位置。移动杆部203和介质流道部201可以沿旋转轴111的圆周方向设置多个。多个移动杆部203使真空卡盘部130升降的情况下，真空卡盘部130可以保持水平状态的同时升降。
参考图10，移动模块200可以包括使真空卡盘部130或卡紧模块150移动的缸部205。缸部205可以设置于旋转卡盘部120以使真空卡盘部130升降，或设置于旋转卡盘部120以使卡紧模块150移动。随着流体供应至缸部205或从缸部排出，缸部205驱动，因此真空卡盘部130或卡紧模块150可以移动。使用缸部205作为移动模块200的情况下，驱动部110上无需设置另外的介质流道部201，因此驱动部110可以以简单的结构形成。
参考图11，移动模块200可以包括使真空卡盘部130或卡紧模块150移动的电磁线圈部207。电磁线圈部207可以设置于旋转卡盘部120以使真空卡盘部130升降，或设置于旋转卡盘部120以使卡紧模块150移动。随着向电磁线圈部207供应电源或者切断电源，电磁线圈部207驱动，因此真空卡盘部130或卡紧模块150可以移动。使用缸部205作为移动模块200的情况下，驱动部110上无需设置另外的介质流道部201，因此驱动部110可以以简单的结构形成。
上述的移动模块200可以采用多种形状，但下文将详细说明关于移动模块200使真空卡盘部130升降的形状。
图12为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中卡紧模块的平面图，图13为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中卡紧模块的卡紧基座旋转一定角度的状态的平面图，图14为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中卡紧模块的卡紧连杆部和晶片限制部设置于旋转卡盘部的状态的侧面图，图15为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中卡紧模块的第一卡紧连杆部和晶片限制部的立体图。
参考图12至图15，真空卡盘部130包括第一真空卡盘131及第二真空卡盘133。第一真空卡盘131以与旋转卡盘部120一起旋转的方式设置于旋转卡盘部120，并且第一真空卡盘131形成真空压以吸附晶片10。第二真空卡盘133搭载于第一真空卡盘131并且供晶片10搭载，并且第二真空卡盘133设置为通过移动模块200而升降，以扩大模具11的间隔。第一真空卡盘131和第二真空卡盘133可以整体以圆板形状形成。
旋转轴111上形成有介质流道部201，以向第一真空卡盘131供应空气。介质流道部201沿旋转轴111的长度方向形成于旋转轴111的内部。第二真空卡盘133上形成有多个吸附孔部(未图示)，该吸附孔部连通于第一真空卡盘131的介质流道部201，以吸附晶片10。多个吸附孔部可以沿第二真空卡盘133的圆周方向以同心圆形状排列。介质流道部201上形成真空压时，晶片10通过吸附孔部的真空吸附力紧密附着于第二真空卡盘133的上表面，因此在基板处理装置中，在进行晶片10的蚀刻工序或清洗工序期间，可以保持晶片10平坦度。
卡紧模块150包括卡紧基座151、卡紧旋转部155、多个第一卡紧连杆部160及多个晶片限制部170。
卡紧基座151设置于旋转卡盘部120。卡紧旋转部155连接于卡紧基座151，以使卡紧基座151旋转。多个第一卡紧连杆部160以径向的方式分别连接于卡紧基座151，在卡紧基座151旋转时移动。多个晶片限制部170分别连接于第一卡紧连杆部160，以在第一卡紧连杆部160移动时将晶片10的挡圈部13固定于真空卡盘部130。卡紧基座151以与旋转卡盘部120形成同心的方式设置。卡紧基座151、卡紧旋转部155、第一卡紧连杆部160配置于旋转卡盘部120的内部，晶片限制部170配置于旋转卡盘部120和真空卡盘部130的外周。
卡紧旋转部155驱动时，随着卡紧基座151旋转一定角度，多个第一卡紧连杆部160沿卡紧基座151的半径方向移动。随着多个第一卡紧连杆部160同时移动，多个晶片限制部170使晶片10的挡圈部13压紧固定于第一真空卡盘131的外围部。随着卡紧基座151旋转，多个第一卡紧连杆部160和多个晶片限制部170被同时驱动，因此可以利用一个卡紧旋转部155将晶片10限制于真空卡盘部130。因此，能够减少设置于卡紧模块150的卡紧旋转部155的数量。
卡紧基座151包括基座本体部152、多个引导部153及基座齿轮部154。
基座本体部152以与旋转卡盘部120的旋转轴111形成同心的方式形成为环形。基座本体部152配置于旋转卡盘部120的内部。多个引导部153形成于基座本体部152，以便第一卡紧连杆部160以可移动的方式结合于多个引导部153。多个引导部153的数量是第一卡紧连杆部160的数量的两倍，沿着基座本体部152的圆周方向以等间距形成。多个引导部153的每一个结合有一个第一卡紧连杆部160。基座齿轮部154形成于基座本体部152并连接于卡紧旋转部155。基座齿轮部154以圆弧形状配置于基座本体部152的内周面。随着卡紧旋转部155驱动，基座齿轮部154旋转，随着基座本体部152与基座齿轮部154一起旋转，第一卡紧连杆部160沿基座本体部152的半径方向移动。
引导部153以相对于基座本体部152的半径倾斜的方式形成。引导部153可以为引导孔部。引导部153可以为引导槽或引导凸起部。引导部153以相对于基座本体部152的半径倾斜的方式形成，因此随着基座本体部152旋转一定角度，第一卡紧连杆部160沿基座本体部152的半径方向直线运动。
第一卡紧连杆部160包括第一引导滑块161、第一连杆部件162及第一连杆齿轮部163。第一引导滑块161以可移动的方式结合于引导部153。第一连杆部件162连接于第一引导滑块161，并且在第一引导滑块161移动时沿基座本体部152的半径方向直线移动。第一连杆部件162形成为直线条形状。第一连杆齿轮部163以与晶片限制部170啮合移动的方式形成于第一连杆部件162。第一连杆齿轮部163以与第一连杆部件162的长度方向平行的齿条形状形成。
第一卡紧连杆部160还包括第一引导块164，第一连杆部件162以可以直线移动的方式结合于第一引导块164。第一引导块164防止在基座本体部152旋转时第一连杆部件162沿基座本体部152的圆周方向旋转。第一引导块164可以设置有第一引导辊165，以在第一连杆部件162直线运动时滚动接触第一连杆部件162的两侧。因此，在基座本体部152旋转时第一引导滑块161随着引导部153移动时，第一连杆部件162可以不旋转而是直线移动。
晶片限制部170包括：夹具轴部171，以可旋转的方式设置于旋转卡盘部120；夹具齿轮部172，以与第一连杆齿轮部163啮合的方式形成于夹具轴部171；夹具连杆部173，连接于夹具轴部171；夹具支承部174，固定于旋转卡盘部120；以及加压夹具部175，以可旋转的方式设置于夹具支承部174并在夹具连杆部173移动时，进行旋转以加压和释放晶片10的挡圈部13。夹具轴部171以相对于第一连杆部件162的长度方向垂直的方式配置。夹具齿轮部172以小齿轮形状形成。夹具连杆部173通过多个连杆(未图示)连接夹具轴部171与夹具支承部174。加压夹具部175形成为圆弧形状，以沿圆周方向加压固定晶片10的挡圈部13。
加压夹具部175包括：夹具回旋部175a，铰接结合于夹具支承部174并连接于夹具连杆部173；以及加压指部175b，形成于夹具回旋部175a以加压和释放晶片10的挡圈部13。在第一卡紧连杆部160直线移动时夹具齿轮部172与第一连杆齿轮部163啮合旋转时，夹具回旋部175a在夹具支承部174回旋。随着夹具回旋部175a回旋，加压指部175b加压和释放晶片10的挡圈部13。
图16为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中旋转卡盘部和真空卡盘部的外围部设置有环盖部的状态的剖面图，图17为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中旋转卡盘部设置有第二卡紧连杆部和盖限制部的状态的剖面图，图18为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中设置有第二卡紧连杆部和盖限制部的状态的立体图，图19为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中盖限制部的剖面图。
参考图16至图19，基板处理装置还包括环盖部140，该环盖部沿着真空卡盘部130的外围部配置，以加压晶片10的贴合片12从而密封真空卡盘部130的外围部侧，并通过卡紧模块150固定于旋转卡盘部120。环盖部140以圆环形状形成，以加压晶片10的贴合片12从而密封真空卡盘部130的外围部侧，因此能够最小化蚀刻液对贴合片12造成的损伤，并防止由蚀刻液造成的旋转卡盘部120和真空卡盘部130的污染或破损.
环盖部140包括：盖本体部141，以包围真空卡盘部130的外周的方式形成；限制坎部142，以从盖本体部141的下侧向内侧突出的方式形成；盖加压部143，从盖本体部141的上侧向内侧延长并加压晶片10的贴合片12。盖加压部143以在贴合片12上对与模具11的最外轮廓间隔约1mm的贴合片12部分进行加压的方式形成。盖加压部143可以以向端部厚度逐渐变薄的方式形成。除去盖约1mm的宽度，挡圈部13与模具11之间的贴合片12部分被盖加压部143密封，因此能够最小化蚀刻液对贴合片12造成的损伤。
还包括以突出的方式设置于旋转卡盘部120的外围部的锁紧销145，环盖部140的外围部形成有供锁紧销145插入的锁紧槽部147。因此，在环盖部140设置于旋转卡盘部120的外围部时，随着将环盖部140的锁紧槽部147插在锁紧销145上，可以准确地匹配环盖部140的设置位置。
卡紧模块150包括多个第二卡紧连杆部180及多个盖限制部190。
多个第二卡紧连杆部180以径向的方式连接于卡紧基座151，在卡紧基座151旋转时移动。多个盖限制部190连接于第二卡紧连杆部180，以在第二卡紧连杆部180移动时使环盖部140固定于旋转卡盘部120。随着卡紧旋转部155驱动，基座齿轮部154旋转，随着基座本体部152与基座齿轮部154一起旋转，第二卡紧连杆部180沿基座本体部152的半径方向移动。此时，卡紧基座151的基座本体部152旋转时，多个第一卡紧连杆部160和多个第二卡紧连杆部180同时移动。随着第一卡紧连杆部160移动，晶片10的挡圈部13固定于真空卡盘部130，随着第二卡紧连杆部180移动，环盖部140固定于旋转卡盘部120。因此，利用一个卡紧基座151和一个卡紧旋转部155可以同时将晶片10和环盖部140固定于真空卡盘部130和旋转卡盘部120，因此能够简化基板处理装置的结构。
第二卡紧连杆部180包括第二引导滑块181、第二连杆部件182及第二连杆齿轮部183。
第二引导滑块181以可移动的方式结合于引导部153。第二连杆部件182连接于第二引导滑块181，在第二引导滑块181移动时沿着基座本体部152的半径方向直线移动。第二连杆齿轮部183以与盖限制部190啮合移动的方式形成于第二连杆部件182。第二连杆部件182形成为直线条状。第二连杆齿轮部183以与第二连杆部件182的长度方向平行的齿条形状形成。
第二卡紧连杆部180还包括第二引导块184，第二连杆部件182以可以直线移动的方式结合于第二引导块184。第二引导块184防止在基座本体部152旋转时第二连杆部件182沿基座本体部152的圆周方向旋转。第二引导块184可以设置有第二引导辊185，以在第二连杆部件182直线运动时滚动接触第二连杆部件182的两侧。因此，在基座本体部152旋转时第二引导滑块181随着引导部153移动时，第二连杆部件182可以不旋转而是直线移动。
盖限制部190包括：盖限制轴部191，以可旋转的方式设置于旋转卡盘部120；限制齿轮部192，形成于盖限制轴部191以与第二连杆齿轮部183啮合；盖限制条197，连接于盖限制轴部191以加压和释放环盖部140；以及限制辊部198，以可旋转的方式设置于盖限制条197以与环盖部140滚动接触。
随着第二连杆部件182直线移动，第二连杆齿轮部183与限制齿轮部192啮合驱动。随着限制齿轮部192旋转，盖限制轴部191和盖限制条197旋转，限制辊部198在环盖部140的限制坎部142滚动接触的同时移动。因此，限制辊部198与环盖部140的限制坎部142滚动接触，因此能防止环盖部140的限制坎部142由于磨损或划伤而产生异物。因此，能够抑制异物进入位于环盖部140内侧的晶片10，降低不合格率。
盖限制轴部191包括：限制齿轮部192，以与第二连杆齿轮部183啮合的方式形成；轴结合部193，轴结合于限制齿轮部192；弹性部件194，夹在轴结合部193与限制齿轮部192之间；以及高度调节部195，螺纹结合于轴结合部193和限制齿轮部192以调节轴结合部193的高度。限制齿轮部192和轴结合部193以同轴方式设置。弹性部件194可以采用盘簧。高度调节部195采用外侧面形成有螺纹部的高度调节螺栓，限制齿轮部192的内部以螺纹结合有高度调节部195的方式形成有螺纹部。
弹性部件194夹在轴结合部193与限制齿轮部192之间，因此能够防止轴结合部193和限制齿轮部192的组装空间造成的游隙噪音。另外，高度调节部195螺纹结合于轴结合部193和限制齿轮部192，因此能够调节环盖部140组装时轴结合部193的高度，防止产生组装公差。
限制齿轮部192的中心部形成有多边形状的旋转防止部192a，轴结合部193的内部可以形成供旋转防止部192a插入的多边形形状的旋转防止槽部193a。旋转防止部192a和旋转防止槽部193a以多边形形状形成，因此能够减少限制齿轮部192和轴结合部193的轴向及旋转方向的组装误差。另外，通过提高旋转防止部192a和旋转防止槽部193a的表面粗糙度能够进一步减少组装误差。
盖限制轴部191还包括位置固定部196，该位置固定部螺纹结合于轴结合部193的外侧，以将高度调节部195限制于轴结合部193。高度调节部195螺纹固定于轴结合部193并调节轴结合部193的高度后，位置固定部196随着螺纹结合于轴结合部193加压高度调节部195从而使高度调节部195位置固定。因此，能够防止轴结合部193的高度通过位置固定部196变化。
还包括以突出方式设置于旋转卡盘部120的外围部的锁紧销145，环盖部140的外围部形成有供锁紧销145插入的锁紧槽部147。锁紧销145的上侧形成有减缩部145a，以引导锁紧槽部147插入。环盖部140放置于旋转卡盘部120时，锁紧销145插入锁紧槽部147，将环盖部140引导至正确的设置位置。因此，能够提高环盖部140的设置便利性。另外，能够防止旋转卡盘部120旋转时环盖部140沿圆周方向滑动。
图20为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中挡圈部的上表面以比真空卡盘部的上表面低的方式设置的状态的剖面图，图21为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中吸附垫部设置于真空卡盘部的状态的剖面图。
参考图20至图21，晶片10的挡圈部13的高度与真空卡盘部130的上表面的高度相同或比真空卡盘部的上表面的高度底。因此，旋转卡盘部120使晶片10旋转并向晶片10喷射处理液时，晶片10上侧的处理液可以通过圆心力沿晶片10的半径方向顺畅地喷出。另外，防止沿晶片10的半径方向排出的处理液撞上挡圈部13而向晶片10的旋转中心反射或反弹(rebound)，因此能够防止反弹的处理液在晶片10的表面产生痕迹。因此，能够提高晶片10的清洗效率。
真空卡盘部130还包括多个吸附垫部210(参考图22及图23)，该吸附垫部设置于真空卡盘部130的真空口部，以吸附晶片10的挡圈部13。多个吸附垫部210沿真空卡盘部130的圆周方向排列。多个吸附垫部210配置于第一真空卡盘131的外周。吸附垫部210以橡胶材料、聚氨酯材料等缓冲材料形成。吸附垫部210吸附晶片10的挡圈部13使其固定于真空卡盘部130，因此能够防止真空卡盘部130旋转时晶片10位置变化。
吸附垫部210包括吸附本体部211、平坦度管理部213及压入固定部215。
吸附本体部211配置于真空口部136的上侧，以吸附晶片10。吸附本体部211以平坦的形状形成，以将晶片10的下表面放置及紧贴。平坦度管理部213以从吸附本体部211的下侧外围部向中心部侧倾斜的方式形成，以供真空口部136插入。真空口部136的倾斜面与相邻的平坦度管理部213的倾斜面保持约0.02mm以下的间隔，并以倾斜的方式形成。平坦度管理部213的上侧起到晶片10的挡圈部13的接触基准面的作用，随着晶片10吸附时平坦度管理部213沿圆周方向均匀收缩，保持吸附本体部211的平坦度，减少震动。压入固定部215形成于平坦度管理部213，以便被压入真空卡盘部130的固定槽部137。固定槽部137以凹陷的方式形成，以包围真空口部136，压入固定部215以厚度比平坦度管理部213的厚度大的方式形成，以便被压入固定槽部137。压入固定部215和固定槽部137以环形形成。
图22为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中环盖部加压密封环部的状态的剖面图。
参考图22，真空卡盘部130紧贴有晶片10的贴合片12，还包括通过环盖部140加压的密封环部220。密封环部220以缓冲材料形成。此时，密封环部220沿着第二真空卡盘133的外围形成为环形。晶片10的挡圈部13放置于吸附垫部210时，晶片10的模具11与挡圈部13之间的贴合片12部分对应于密封环部220。环盖部140被夹紧模块150的盖限制部190限制，环盖部140加压贴合片12使其紧贴密封环部220。密封环部220通过环盖部140的加压力弹性变形，因此通过环盖部140的加压力和密封环部220的复原力更能够压紧贴合片12。因此，能够切断处理液向环盖部140与贴合片12之间浸入。
密封环部220的内部形成有变形空间部221，供环盖部140加压时密封环部220变形。此时，第二真空卡盘133的外围部形成有容许空间222，以容许密封环部220的变形，容许空间222的外侧形成有供密封环部220的两侧端部压入的挂接部135。变形空间部221的高度可以考虑环盖部140的盖加压部143的加压量而适当变化。变形空间部221沿环盖部140的盖加压部143的外周形成。挂接部135限制密封环部220的下侧，因此能够防止密封环部220从第二真空卡盘133分离。
图23为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中环盖部的另一例的剖面图。
参考图23，环盖部140形成有密封凸起部144，以紧贴密封环部220。密封凸起部144沿环盖部140的盖加压部143的外周形成为环形。密封凸起部144以与环盖部140的盖加压部143形成同心的方式形成。密封凸起部144以与密封环部220的宽度方向中心部或其附近相对的方式形成。密封环部220沿环盖部140的外周形成，因此盖加压部143和密封凸起部144可以双重加压密封环部220。因此，晶片10中模具11的最外轮廓与挡圈部13之间的贴合片12部分可以双重紧贴，因此能够提高贴合片12和环盖部140的密封性能。进一步地，环盖部140的盖加压部143加压密封环部220的内侧边缘部，密封凸起部144加压密封环部220的中心部或其周边，因此能够增加环盖部140与密封环部220之间的重合量。因此，能够减少环盖部140的重合量增加的程度的环盖部140的压紧力，能够相对降低用于增加环盖部140的压紧力的结构件的精密度及规格。
图24为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中密封环部连接有流体供应部的状态的剖面图。
参考图24，真空卡盘部130还包括流体供应部223，该流体供应部连接于密封环部220，以向变形空间部221供应流体并从变形空间部排出流体。可以向变形空间部221供应空气、氮气等流体。流体供应部223包括连接于变形空间部221以向变形空间部221供应流体的流体供应管线223a和连接于变形空间部221以从变形空间部221排出流体的流体排出管线223b。环盖部140加压晶片10的贴合片12使其紧贴密封环部220的状态下，流体供应部223向变形空间部221供应流体时，随着密封环部220通过流体供应部223的压力体积膨胀，环盖部140的盖加压部143和密封环部220的压紧力可以进一步增加。因此，能够进一步提高环盖部140和密封环部220的密封性能。
图25为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中设置密封力加强部以加压密封环部的状态的剖面图。
参考图25，真空卡盘部130还包括密封力加强部225a，该密封力加强部设置于变形空间部221，以弹性支承密封环部220。密封力加强部225a包括以支承密封环部220的方式设置于变形空间部221的内部的加强杆部225a和设置于加强杆部以向密封环部220侧推入加强杆部225a的加强弹簧225b。因此，在环盖部140压紧密封环部220的状态下，密封环部220自身的复原力和密封力加强部225a的弹力施加于晶片10的贴合片12，因此能够进一步提高环盖部140和密封环部220的密封性能。
图26为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中密封环部的内侧嵌入第二真空卡盘的内部的状态的剖面图。
参考图26，密封环部220的内侧以嵌入的方式配置在真空卡盘部130的外周面的下侧。此时，密封环部220的宽度方向中心部更接近真空卡盘部130的外周面。因此，与晶片10的模具11的最外轮廓约1mm间隔的贴合片12部分与密封环部220的宽度方向中心部或其附近相对，因此环盖部140的盖加压部143的端部可以加压密封环部220的宽度方向中心部或其附近。因此，环盖部140加压时密封环部220的变形量增加，因此能够相对减少环盖部140的加压力。
图27为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理装置中环盖部加压贴合垫从而密封的状态的剖面图。
参考图27，在真空卡盘部130的外周面的外围上形成有密封槽部134，以便配置密封环部220，环盖部140加压与密封槽部134相对的贴合片12部分从而通过贴合片12的张力密封。环盖部140加压与密封槽部134相对的贴合片12部分时，随着贴合片12膨胀，贴合片12的张力施加于环盖部140的盖加压部143。因此，利用贴合片12的张力和环盖部140的加压力能够防止处理液浸入环盖部140与贴合片12之间。
下文将说明上述构成的根据本发明一实施例的基板处理装置的基板处理方法。
基板处理装置的基板处理方法包括利用蚀刻液蚀刻晶片10的基板蚀刻方法和利用清洗液清洗晶片10的基板清洗方法。下文中将依次说明基板蚀刻方法和基板清洗方法。
首先，将说明基板处理方法中的基板蚀刻方法。
图28为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理方法中基板蚀刻方法的流程图。
参考图28，移送部(未图示)向真空卡盘部130移送晶片10(S11)。此时，移送部拾取晶片10使其向真空卡盘部130的上侧移动。
移送部将晶片10搭载到真空卡盘部130上(S12)。此时，随着移送部下降，晶片10被搭载到真空卡盘部130的搭载位置上。
环盖部140配置于真空卡盘部130的外围部(S13)。此时，随着旋转卡盘部120的锁紧销145插入环盖部140的锁紧槽部147，环盖部140被放置于真空卡盘部130的外围部。
随着卡紧模块150移动，晶片10固定于真空卡盘部130，环盖部140固定于旋转卡盘部120(S14)。此时，卡紧旋转部155以真空卡盘部130的旋转中心为中心使卡紧基座151旋转一定角度。随着卡紧基座151旋转，多个第一卡紧连杆部160和多个第二卡紧连杆部180向真空卡盘部130的中心部侧移动。多个晶片限制部170使晶片10的挡圈部13固定于真空卡盘部130，多个盖限制部190使环盖部140固定于旋转卡盘部120。因此，随着卡紧基座151旋转一定角度，晶片限制部170和盖限制部190同时移动，同时固定晶片10和环盖部140。
另外，在蚀刻工序中，保持移动模块200停止的状态，因此真空卡盘部130或卡紧模块150不移动。
旋转卡盘部120和真空卡盘部130旋转，并且向晶片10喷射蚀刻液，以蚀刻晶片10(S15)。向晶片10喷射蚀刻液通过真空卡盘部130的圆心力沿半径方向流动的同时蚀刻晶片10。另外，环盖部140随着加压晶片10的贴合片12，能够防止蚀刻液浸入晶片10的挡圈部13侧。因此，能够防止蚀刻液对挡圈部13的外侧结构件造成损伤。
控制部判断晶片10的蚀刻时间是否结束(S16)。若晶片10的蚀刻时间结束，旋转卡盘部120和真空卡盘部130停止旋转。
移动模块200返回原位置，卡紧模块150解除晶片10和环盖部140的限制(S17、S18)。此时，卡紧旋转部155以真空卡盘部130的旋转中心为中心使卡紧基座151旋转一定角度。随着卡紧基座151旋转，多个第一卡紧连杆部160和多个第二卡紧连杆部180向真空卡盘部130的外侧移动。多个晶片限制部170从真空卡盘部130释放晶片10的挡圈部13，多个盖限制部190从旋转卡盘部120释放环盖部140。因此，随着卡紧基座151旋转一定角度，晶片限制部170和盖限制部190同时移动，同时释放晶片10和环盖部140。
排出部(未图示)从真空卡盘部130排出晶片10(S19)。排出部拾取晶片10使其上升后，使晶片10向真空卡盘部130的外侧移动。
下面将说明基板处理方法中的基板清洗方法。
图29为简要示出根据本发明第一实施例的基板处理方法中基板清洗方法的流程图。
参考图29，移送部(未图示)向真空卡盘部130移送晶片10(S21)。此时，移送部取晶片10使其向真空卡盘部130的上侧移动。
移送部将晶片10搭载到真空卡盘部130上(S22)。此时，随着移送部下降，晶片10被搭载到真空卡盘部130的搭载位置上。另外，环盖部140可以不配置于真空卡盘部130的外围部上。
随着卡紧模块150移动，使晶片10固定于真空卡盘部130(S23)。此时，卡紧旋转部155以真空卡盘部130的旋转中心为中心使卡紧基座151旋转一定角度。随着卡紧基座151旋转，多个第一卡紧连杆部160向真空卡盘部130的中心部侧移动。多个晶片限制部170使晶片10的挡圈部13加压固定于真空卡盘部130。多个盖限制部190通过卡紧基座151的旋转与多个第一卡紧连杆部160同时移动。
移动模块200使真空卡盘部130或卡紧模块150移动，以在晶片10中扩大模具11的间隔(S24)。此时，第一真空卡盘131形成真空压以吸附晶片10，移动模块200使第二真空卡盘133或卡紧模块150移动。在卡紧模块150使晶片10的挡圈部13固定于真空卡盘部130的外围部的状态下，当移动模块200移动时，通过移动模块200的移动加压晶片10。此时，随着晶片10的贴合片12沿半径方向绷紧，贴合片12沿半径方向增长，随着贴合片12沿半径方向增长，多个模具11之间的间隔扩大。
下文将详细说明关于移动模块200使真空卡盘部130或卡紧模块150移动。
移动模块200使真空卡盘部130向上侧移动(参考图3及图4)。此时，移动模块200设置于旋转卡盘部120，以连接于第一真空卡盘131和第二真空卡盘133。另外，移动模块200使真空卡盘部130向上侧移动，旋转卡盘部120位置固定。随着移动模块200驱动，真空卡盘部130向上侧移动，旋转卡盘部120不上升，因此在晶片10的挡圈部13固定的状态下，贴合片12上升的同时沿半径方向增长。随着贴合片12沿半径方向增长，多个模具11之间的间隔扩大。
移动模块200使卡紧模块150向下侧移动(参考图5)。此时，移动模块200以可升降的方式设置于真空卡盘部130的外围部。另外，旋转卡盘部120的外围部可以设置以可升降的方式支承卡紧模块150的结构件(未图示)。随着移动模块200驱动，卡紧模块150向下侧移动，旋转卡盘部120和真空卡盘部130不上升，因此在晶片10的多个模具11位置固定于真空卡盘部130的状态下，随着挡圈部13下降，贴合片12沿半径方向增长。随着贴合片12沿半径方向增长，多个模具11之间的间隔扩大。
移动模块200使卡紧模块150向上侧移动(参考图6)。此时，移动模块200以可升降的方式设置于真空卡盘部130的外围部。另外，晶片10中模具11的最外轮廓与挡圈部13之间的贴合片12被支承体加压。支承体可采用环盖部140。旋转卡盘部120的外围部可以设置以可升降的方式支承卡紧模块150的结构件(未图示)。随着移动模块200驱动，卡紧模块150向下侧移动，旋转卡盘部120和真空卡盘部130不上升，因此在晶片10的多个模具11位置固定于真空卡盘部130的状态下，随着挡圈部13上升，贴合片12沿半径方向增长。随着贴合片12沿半径方向增长，多个模具11之间的间隔扩大。
移动模块200包括介质流道部201和移动杆部203(参考图8及图9)。介质流道部201形成于驱动部110，以供应移动介质。介质流道部201可以沿着旋转轴111的长度方向配置于旋转轴111的内部。移动介质可以是空气或气体。移动杆部203通过移动介质的压力升降，以接触真空卡盘部130的下部的方式设置。移动杆部203可以设置有复位弹簧，以在释放移动介质的压力时使移动介质复位到原位置。移动杆部203和介质流道部201可以沿旋转轴111的圆周方向设置多个。多个移动杆部203使真空卡盘部130升降的情况下，真空卡盘部130可以保持水平状态的同时升降。
移动模块200包括使真空卡盘部130或卡紧模块150移动的缸部205(参考图10)。缸部205可以配置于真空卡盘部130的下侧或真空卡盘部130的外围部。缸部205可以设置于旋转卡盘部120以使真空卡盘部130升降，或设置于旋转卡盘部120以使卡紧模块150移动。随着流体供应至缸部205或从缸部排出，缸部205驱动，因此真空卡盘部130或卡紧模块150可以移动。使用缸部205作为移动模块200的情况下，驱动部110上无需设置另外的介质流道部201，因此驱动部110可以以简单的结构形成。
移动模块200包括使真空卡盘部130或卡紧模块150移动的电磁线圈部207(参考图11)。电磁线圈部207可以配置于真空卡盘部130的下侧或真空卡盘部130的外围部。电磁线圈部207可以设置于旋转卡盘部120以使真空卡盘部130升降，或设置于旋转卡盘部120以使卡紧模块150移动。随着电源与电磁线圈部207接通从电磁线圈部断开，电磁线圈部207驱动，因此真空卡盘部130或卡紧模块150可以移动。使用缸部205作为移动模块200的情况下，驱动部110上无需设置另外的介质流道部201，因此驱动部110可以以简单的结构形成。
旋转卡盘部120和真空卡盘部130旋转，向晶片10喷射清洗液，以从晶片10去除异物(S25)。向晶片10喷射的清洗液通过真空卡盘部130的圆心力沿半径方向流动的同时清洗晶片10。此时，通过移动模块200的移动，贴合片12沿半径方向增长，因此多个模具11之间的间隔扩大。在多个模具11之间的间隔扩大的状态下，向多个模具11喷射清洗液时，可以通过清洗液容易地去除模具11表面附着的异物以及位于多个模具11之间的间隙的异物。因此，晶片10的异物清洗性能显著提高，能缩短异物去除时间。另外，随着晶片10的清洗显著提高，能够显著降低晶片10的不合格率。
控制部判断晶片10的清洗时间是否结束(S26)。若晶片10的清洗时间结束，旋转卡盘部120和真空卡盘部130停止旋转。
移动模块200返回原位置，卡紧模块150解除晶片10的限制(S27、S28)。此时，卡紧旋转部155以真空卡盘部130的旋转中心为中心使卡紧基座151旋转一定角度。随着卡紧基座151旋转，多个第一卡紧连杆部160向真空卡盘部130的外侧移动。多个晶片限制部170从真空卡盘部130释放晶片10的挡圈部13。
排出部从真空卡盘部130排出晶片10(S29)。排出部取晶片10使其上升后，使晶片10向真空卡盘部130的外侧移动。
参考附图所示实施例说明了本发明，但这只是示例，本领域技术人员可以理解由此可以进行多种变形及等同的其他实施例。

Claims (29)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
旋转卡盘部，以能够旋转的方式设置于驱动部；
真空卡盘部，配置于所述旋转卡盘部并且供晶片放置；
卡紧模块，设置于所述旋转卡盘部，以使得所述晶片固定于所述真空卡盘部；以及
移动模块，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动，以在所述晶片上扩大相邻模具之间的间隔。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述移动模块设置于所述旋转卡盘部，以使得所述真空卡盘部移动。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述移动模块设置于所述旋转卡盘部，以使得所述卡紧模块移动。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述移动模块包括：
介质流道部，形成于所述驱动部，以供应移动介质；以及
移动杆部，设置于所述介质流道部，以便随着通过所述介质流道部的压力而移动从而使所述真空卡盘部移动。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述移动模块包括：缸部，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述移动模块包括：电磁线圈部，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述真空卡盘部包括：
第一真空卡盘，以与所述旋转卡盘部一起旋转的方式设置于所述旋转卡盘部，并且所述第一真空卡盘形成真空压以吸附所述晶片；以及
第二真空卡盘，搭载于所述第一真空卡盘并且供所述晶片搭载，所述第二真空卡盘设置为通过所述移动模块而升降，以扩大所述模具之间的间隔。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述卡紧模块包括：
卡紧基座，设置于所述旋转卡盘部；
卡紧旋转部，连接于所述卡紧基座，以使得所述卡紧基座旋转；
多个第一卡紧连杆部，以径向的方式分别连接于所述卡紧基座，并且在所述卡紧基座旋转时移动；以及
多个晶片限制部，分别连接于所述第一卡紧连杆部，以在所述第一卡紧连杆部移动时将所述晶片的挡圈部固定于所述真空卡盘部。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述卡紧基座包括：
基座本体部，以与所述旋转卡盘部的旋转轴形成同心的方式形成为环形；
多个引导部，形成于所述基座本体部，以便所述第一卡紧连杆部以能够移动的方式结合于多个引导部；以及
基座齿轮部，形成于所述基座本体部并连接于所述卡紧旋转部。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述引导部以相对于所述基座本体部的半径倾斜的方式形成。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一卡紧连杆部包括：
第一引导滑块，以能够移动的方式结合于所述引导部；
第一连杆部件，连接于所述第一引导滑块，并且在所述第一引导滑块移动时沿着所述基座本体部的半径方向直线移动；以及
第一连杆齿轮部，以与所述基座齿轮部啮合移动的方式形成于所述第一连杆部件。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一卡紧连杆部还包括第一引导块，所述第一连杆部件以能够直线移动的方式结合于所述第一引导块。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述晶片限制部包括：
夹具轴部，以能够旋转的方式设置于所述旋转卡盘部；
夹具齿轮部，以与所述第一连杆齿轮部啮合的方式形成于所述夹具轴部；
夹具连杆部，连接于所述夹具轴部；
夹具支承部，固定于所述旋转卡盘部；以及
加压夹具部，以能够旋转的方式设置于所述夹具支承部，并且在所述夹具连杆部移动时，所述加压夹具部进行旋转以加压和释放所述晶片的所述挡圈部。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加压夹具部包括：
夹具回旋部，铰接结合于所述夹具支承部并连接于所述夹具连杆部；以及
加压指部，形成于所述夹具回旋部，以加压和释放所述晶片的所述挡圈部。
15.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
环盖部，沿着所述真空卡盘部的外围部配置，以加压所述晶片的贴合片从而密封所述真空卡盘部的外围部侧，并且所述环盖部通过所述卡紧模块固定于所述旋转卡盘部。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述卡紧模块包括：
多个第二卡紧连杆部，以径向的方式连接于所述卡紧基座，并且在所述卡紧基座旋转时移动；以及
多个盖限制部，连接于所述第二卡紧连杆部，以在所述第二卡紧连杆部移动时使所述环盖部固定于所述旋转卡盘部。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述卡紧基座旋转时，多个所述第一卡紧连杆部和多个所述第二卡紧连杆部同时移动。
18.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二卡紧连杆部包括：
第二引导滑块，以能够移动的方式结合于所述卡紧基座部；
第二连杆部件，连接于所述第二引导滑块，在所述第二引导滑块移动时沿着所述基座本体部的半径方向直线移动；以及
第二连杆齿轮部，以与所述盖限制部啮合移动的方式形成于所述第二连杆部件。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二卡紧连杆部还包括第二引导块，所述第二连杆部件以能够直线移动的方式结合于所述第二引导块。
20.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
将晶片搭载于真空卡盘部的步骤；
卡紧模块使所述晶片固定于所述真空卡盘部的步骤；
移动模块使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动，以在所述晶片上扩大相邻模具之间的间隔的步骤；以及
旋转卡盘部和所述真空卡盘部旋转，并向所述晶片喷射清洗液，以去除所述晶片上的异物的步骤。
21.根据权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
所述移动模块包括：
介质流道部，形成于驱动部，以供应移动介质；以及
移动杆部，设置于所述介质流道部，以随着通过所述介质流道部的压力而移动从而使所述真空卡盘部移动。
22.根据权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
所述移动模块包括：缸部，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动。
23.根据权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
所述移动模块包括：电磁线圈部，使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动。
24.根据权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
所述移动模块使所述真空卡盘部或所述卡紧模块移动，以在所述晶片上扩大所述模具之间的间隔的步骤包括：
第一真空卡盘形成真空压以吸附所述晶片的步骤；以及
所述移动模块使第二真空卡盘或所述卡紧模块移动的步骤。
25.根据权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
所述卡紧模块将所述晶片固定于所述真空卡盘部的步骤包括：
卡紧旋转部使卡紧基座旋转的步骤；
随着所述卡紧基座的旋转，多个第一卡紧连杆部进行移动的步骤；以及
随着多个所述第一卡紧连杆部的移动，多个晶片限制部使所述晶片的挡圈部加压固定于所述真空卡盘部的步骤。
26.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
将晶片搭载于真空卡盘部上的步骤；
环盖部配置于所述真空卡盘部的外围部的步骤；
随着卡紧模块的移动，所述晶片固定于所述真空卡盘部，并且所述环盖部固定于旋转卡盘部的步骤；以及
所述旋转卡盘部和所述真空卡盘部旋转，向所述晶片喷射供应液以蚀刻所述晶片的步骤。
27.根据权利要求26所述的基板处理方法，其特征在于，
随着所述卡紧模块的移动，所述晶片固定于所述真空卡盘部，并且所述环盖部固定于所述旋转卡盘部的步骤包括：
卡紧旋转部使卡紧基座旋转的步骤；
随着所述卡紧基座的旋转，多个第一卡紧连杆部和多个第二卡紧连杆部移动的步骤；以及
多个晶片限制部使所述晶片的挡圈部固定于所述真空卡盘部，多个盖限制部使所述环盖部固定于所述旋转卡盘部的步骤。
28.根据权利要求26所述的基板处理方法，其特征在于，
所述环盖部随着对所述晶片的贴合片加压从而防止供应液浸入所述晶片的挡圈部侧。
29.根据权利要求27所述的基板处理方法，其特征在于，
在随着所述卡紧基座的旋转，多个所述第一卡紧连杆部和多个所述第二卡紧连杆部移动的步骤中，
在所述卡紧基座旋转时，多个所述第一卡紧连杆部和多个所述第二卡紧连杆部同时移动。
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