TW202209464A - 快速切削裝置 - Google Patents

快速切削裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202209464A
TW202209464A TW110114841A TW110114841A TW202209464A TW 202209464 A TW202209464 A TW 202209464A TW 110114841 A TW110114841 A TW 110114841A TW 110114841 A TW110114841 A TW 110114841A TW 202209464 A TW202209464 A TW 202209464A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
rapid cutting
chuck
tool
film
Prior art date
Application number
TW110114841A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI766659B (zh
Inventor
石川一政
Original Assignee
日商日本東京精密股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日本東京精密股份有限公司 filed Critical 日商日本東京精密股份有限公司
Publication of TW202209464A publication Critical patent/TW202209464A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI766659B publication Critical patent/TWI766659B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D5/00—Planing or slotting machines cutting otherwise than by relative movement of the tool and workpiece in a straight line
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q11/00—Accessories fitted to machine tools for keeping tools or parts of the machine in good working condition or for cooling work; Safety devices specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, machine tools
    • B23Q11/10—Arrangements for cooling or lubricating tools or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q17/00—Arrangements for observing, indicating or measuring on machine tools
    • B23Q17/20—Arrangements for observing, indicating or measuring on machine tools for indicating or measuring workpiece characteristics, e.g. contour, dimension, hardness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • B24B55/03—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant designed as a complete equipment for feeding or clarifying coolant
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Abstract

提供一種用以將表面形成有凸塊的工件安全加工之快速切削裝置。

快速切削裝置1係對貼附於工件7上的BG薄膜75的上面進行切削，該工件7包含在表面72形成有凸塊71的凸塊區域73及凸塊區域73的周圍的外周區域74，其具備：快速切削工具21；工具主軸22，其下端安裝有快速切削工具21，且可在使快速切削工具21旋轉的狀態下升降；及夾盤3，其可將工件7旋轉地保持；且快速切削工具21將BG薄膜75的上面75c從中心朝外周切削。

Description

快速切削裝置
本發明係有關一種切削被貼附於表面形成有凸塊的工件之保護薄膜的快速切削裝置。
在半導體製造領域中，有關將矽晶圓等之半導體晶圓(以下，稱為「工件」)薄且平坦地研磨方面，係將旋轉的研磨砂輪之研磨面推抵於工件，研磨工件的背面。在研磨工件的背面之際，為保護形成於工件表面的晶片及凸塊而將保護表面的薄膜貼附於工件。
當工件的背面研磨結束時，於切割薄膜貼附裝置中，切割薄膜被貼附在工件的背面，工件及切割架被一體化。其次，在貼附於工件的表面之保護薄膜被剝離後，工件被切割成切丁狀。藉切割所形成的晶片被拾取並安裝在導線架(例如，參照專利文獻1)。
具體言之，依圖9所示之程序加工工件100。亦即，工件100係於表面101形成凸塊102，並且以覆蓋凸塊102之方式貼附BG薄膜103(BG薄膜貼附工序)。其後，工件100係以背面104朝上方之方式被吸附保持於夾盤台105的狀態下，被研磨砂輪106研磨背面104(工件研磨工序)。之後，使雷射聚光於工件100的內部，將改質線107形成在離背面104既定深度處(雷射切割(ML)工序)。之後，將工件100的背面104以搬送臂的夾盤108吸附，使工件100被搬送到DC帶貼附裝置(工件搬送工序)。然後，在工件 100保持於被轉放的夾盤109之狀態下，滾動輥110將DC帶111按壓並貼附於工件100的背面104，在工件100被保持在切割架112之後，透過剝離帶113使BG薄膜103被剝離(DC帶貼附、BG薄膜剝離工序)。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2009-206475號公報
然而，在以圖9所示之程序加工工件100之情況，由於BG薄膜103中的工件100中央比外周還隆起凸塊102的份量，故從BG薄膜103的外周與夾盤台105之間的間隙產生漏洩易使工件100的吸附保持不充分，工件100在研磨時容易顫動，有對工件100帶來損傷之虞。再者，由於工件100的外周側容易被研磨成比中央側還厚，故在之後的ML工序中，改質線107在工件100的深度方向形成大的偏移，在搬送工序中使夾盤108與工件100之間產生負壓，在剝離工序中超過BG薄膜103的黏著力之剝離力作用於工件100時，會有在工件100內產生就算影像檢查亦無法檢測出之程度的微小裂縫(crack)之虞。
於是，為了將表面形成有凸塊的工件安全地加工而衍生應解決之技術的課題，本發明之目的在於解決該課題。
為達成上述目的，本發明的快速切削裝置係對貼附於工件上的保護薄膜的上面進行切削，該工件包含在表面形成有凸塊的凸塊區域及前述凸塊區域的周圍的外周區域，其中具備：快速切削工具；工具主軸， 其下端安裝有前述快速切削工具，且可在使前述快速切削工具旋轉的狀態下升降；及夾盤，其可將前述工件旋轉地保持；前述快速切削工具將前述保護薄膜的上面從中心朝外周切削。
依據此構成，透過將保護薄膜中的中央區域被切削成比外周區域還薄，在將保護薄膜的上面側以夾盤吸附保持的情況，由於保護薄膜整面可吸附保持於夾盤，故可將工件安全地研磨，並且在ML工序中，由於改質線被形成在離工件的背面大致一定的深度，故可抑制在搬送工序和剝離工序中，於工件內產生微小的裂縫的情況。
本發明因為是將帶有凸塊的工件整面形成大致均一的厚度，故保護薄膜整面被吸附保持於夾盤，可安全地研磨工件，並且在ML工序中，改質線被形成在離工件背面大致一定的深度，故可在搬送工序和剝離工序中，抑制在工件內產生微小的裂縫之情況。
1:快速切削裝置
2:切削手段
21:快速切削工具
21a:環框
21b:刀刃
22:工具主軸
22a:旋轉軸
23:主軸進給機構
24:機柱
3:夾盤
3a:保持面
31:夾盤主軸
31a:旋轉軸
32:吸附體
4:冷卻水噴嘴
5:厚度感測器
51，52:測定頭
6:控制部
7，100:工件
71，102:凸塊
72，101:表面
73:凸塊區域
74:外周區域
75，103:BG薄膜
75a；基材
75b:黏著劑
75c:上面
76，104:背面
77:階差
78，107:改質線
L:快速切削線
81，106:研磨砂輪
82:研磨夾盤
83:ML夾盤
84，85，108，109:夾盤
86，111:DC帶
87，112:切割架
88，110:滾動輥
89，113:剝離帶
105:夾盤台
圖1係顯示本發明一實施形態的快速切削裝置的概要之示意圖。
圖2(a)係快速切削工具的立體圖。圖2(b)係快速切削工具的要部放大圖。
圖3係顯示快速切削線的位置、厚度感測器的測定位置之上視圖。
圖4(a)係工件的上視圖。圖4(b)係工件的縱剖視圖。圖4(c)係工件的要部放大圖。
圖5係顯示加工帶有凸塊的工件之程序的示意圖。
圖6係顯示切削BG薄膜之程序的示意圖。
圖7係示意地顯示相鄰的快速切削線的位置關係之上視圖。
圖8係示意地顯示快速切削工具及夾盤的位置關係之側視圖。
圖9係顯示以往加工帶有凸塊的工件之程序的示意圖。
依據圖示就本發明一實施形態作說明。此外，在以下提及構成要素之數、數值、量、範圍等之情況，除非特別明示的情況及原理上明顯限定之特定數的情況，否則並未受限於其特定數，即便便為特定數以上或以下皆無妨。
又，在提及構成要素等的形狀、位置關係時，除非特別明示的情況及原理上及認為原理上明顯不會如此的情況等，否則實質上包含與其形狀等近似或類似者等。
又，為使特徵易於了解，有將圖示中特徵的部分予以誇張放大等之情況，構成要素的尺寸比率等未必與實際相同。又，在剖視圖中，為使構成要素的剖面構造易於了解，會有省略一部分構成要素之剖面線的情況。
圖1所示之快速切削裝置1會被供給稍後提及之矽製的工件7。快速切削裝置1具備切削手段2及夾盤3。
切削手段2具備快速切削工具21、工具主軸22、及主軸進給機構23。
如圖2(a)、(b)所示，快速切削工具21具備：安裝於工具主軸22下端的環框21a；及裝設在環框21a外周的刀刃21b。環框21a，例如透過螺栓等安裝於工具主軸22。又，由於刀刃21b係透過螺栓裝設在環框21a，故在刀刃21b損耗的情況，可僅交換刀刃21b。刀刃21b，例如為金剛石磨塊(single-point diamond)。
工具主軸22係構成為繞旋轉軸22a往圖1中的箭頭A方向旋轉驅動。工具主軸22的旋轉驅動是使用感應電動機(induction motor)。此外，工具主軸22的旋轉方向未受限於圖1中的箭頭A的朝向，是相反朝向亦無妨。
主軸進給機構23係使工具主軸22在上下方向升降。主軸進給機構23，例如是由引導工具主軸22的移動方向之複數個線性引導件(linear guide)，及使工具主軸22升降的滾珠螺桿滑動機構所構成。主軸進給機構23係介設在工具主軸22與機柱(column)24之間。
夾盤3具備夾盤主軸31。夾盤主軸31係構成為繞旋轉軸31a在圖1中箭頭B方向旋轉驅動。此外，夾盤主軸31的旋轉方向未限定為圖1中的箭頭B的朝向，是相反朝向亦無妨。
夾盤3係上面埋設著由氧化鋁等之多孔質材料構成的吸附體32。吸附體32的氣孔之粗度為例如號數#400或#800等。夾盤3具備通過內部往表面延伸的未圖示之管路。管路係透過未圖示之旋轉接頭(rotary joint)連接於真空源、壓縮空氣源或給水源。當真空源起動時，載置於吸附體32的工件7被吸附保持於夾盤3的保持面3a。又，當壓縮空氣源或給水源起動時，工件7與保持面3a的吸附被解除。
快速切削裝置1具備冷卻水噴嘴4。冷卻水噴嘴4係向刀刃21b切削後述的BG薄膜75之快速切削線L供給純水等之冷卻水。
快速切削裝置1具備厚度感測器5。厚度感測器5係測定工件7的厚度之製程量規(in-process gauge)，具體言之，如圖3所示，一測定頭51測 定工件7的高度，另一測定頭52測定夾盤3的高度，從其等的差分可在加工中就相對於夾盤3的工件7進行測定。
快速切削裝置1的動作係受控制部6所控制。控制部6係分別控制構成快速切削裝置1的構成要素。控制部6例如係利用CPU、記憶體等所構成。此外，控制部6的功能可藉由使用軟體作控制而實現，亦可使用硬體作動而實現。
又，控制部6亦作為切削時間預測部發揮功能，其依據厚度感測器5的測定值、工具主軸22的旋轉數、夾盤主軸31的旋轉數及主軸進給機構23的降下速度，演算BG薄膜75達到完工厚度的時間。
如圖4(a)、(b)所示，工件7係在表面72形成有具備凸塊71的未圖示之複數個晶片。具體言之，工件7係複數個晶片僅形成在工件7的表面72中的中央區域73，在各晶片形成有作為電氣接點的凸塊71。亦即，晶片及凸塊71未形成在工件7的外周區域74。以下，將中央區域73稱為凸塊區域73。凸塊71的高度，例如為100μm以下。
在工件7的表面72側，以覆蓋整面之方式貼附BG薄膜75。BG薄膜75係在後述的切削時和研磨背面76時，保護晶片及凸塊71。如圖4(b)、(c)所示，BG薄膜75係凸塊區域73因應於凸塊71的高度成為比外周區域74還高。
其次，依據圖5針對加工工件7的一連串程序作說明。
[BG薄膜貼附]
首先，使用公知的薄膜貼附裝置，在工件7的表面72貼附BG薄膜75。BG薄膜75係由基材75a及黏著劑75b所構成，例如，基材75a為聚烯製，黏著劑75b為丙烯酸製。
[BG薄膜切削]
其次，使用快速切削裝置1對BG薄膜75的上面75c進行切削。具體言之，首先，工件7的背面76被吸附保持於夾盤3。其次，在分別使工具主軸22及夾盤主軸31旋轉的狀態下，一邊從冷卻水噴嘴4供給冷卻水，一邊使主軸進給機構23的刀刃21b切入BG薄膜75。
如圖6(a)~(c)及圖7(a)所示，刀刃21b將BG薄膜75的上面75c從中心朝外周切削。在刀刃21b從BG薄膜75的外周朝中心切削的情況，會有刀刃21b所接觸的BG薄膜75的周緣彈性變形而無法切削成所期望的形狀之虞，對此，透過刀刃21b從BG薄膜75的中心朝外周切削，可穩定地切削BG薄膜75。各種切削條件為，例如，工具主軸22的旋轉量為3000rpm，夾盤主軸31的旋轉量為1rpm，主軸進給機構23的降下速度為0.2μm/s等。
又，刀刃21b一次的切削所除去之BG薄膜75的除去量(快速切削線L的尺寸)，在上述的切削條件之情況，厚度(深度)為12μm。再者，如圖7(a)~(c)所示，刀刃21b切削BG薄膜75後，刀刃21b旋轉一次的期間之BG薄膜75的旋轉量(0.3mm)係相當於相鄰的快速切削線L之間距間隔。
又，如圖8所示，夾盤3係旋轉軸31a對工具主軸22的旋轉軸22a傾斜，夾盤3的保持面3a被形成為中央比外周高的中凸形狀。亦即，在刀刃21b切削BG薄膜75的範圍中，夾盤3與工具主軸22大致平行，另一方面，於包夾著夾盤3的旋轉中心而在刀刃21b切削BG薄膜75的範圍之相反側中，形成夾盤3與工具主軸22分離。藉此，在刀刃21b從BG薄膜75的外周 切穿到外部後直到回到BG薄膜75中心為止的期間，可在BG薄膜75與刀刃21b之間確保間隙，故可抑制刀刃21b在意外的位置與BG薄膜75接觸的情況。此外，圖7中，將從保持面3a的下端到夾盤3的旋轉中心為止的距離、也就是脫離量(escape)設定成60μm。
BG薄膜75之切削終了的時刻係依以下的程序而決定。亦即，厚度感測器5是在加工中測定工件7相對於夾盤3之厚度。控制部6係依據厚度感測器5的測定值、工具主軸22的旋轉數、夾盤主軸31的旋轉數及主軸進給機構23的降下速度，演算厚度感測器5的測定值迄達預設的工件7之完工厚度之時間，當一經過該時間時，如圖6(d)所示，控制部6係以加工中的工件7之厚度達到完工厚度，停止利用主軸進給機構23的進給。
此外，如圖3所示，由於厚度感測器5係在與近處的快速切削線L不同的地點測定工件7的高度，故有必要考慮厚度感測器5的測定位置與近處的快速切削線L之位置關係。例如，由於圖3的在厚度感測器5之測定位置上的工件7之厚度係比在近處的快速切削線L的工件7之厚度還厚約12μm左右，故亦可由厚度感測器5的測定值減去約12μm，以厚度感測器5的測定值與近處的快速切削線L上的工件7的厚度概略一致的方式作修正。此外，快速切削後的BG薄膜75之形狀(亦即，利用快速切削的總除去量)係可因應於凸塊71的高度任意變更。
當工件7達到完工厚度時，BG薄膜75的上面75c係呈螺旋狀的曲面，而且，如圖6(d)所示般，形成有在近處的快速切削線L上的階差77。於是，如圖6(e)所示，透過在主軸進給機構23停止的狀態下進行分別使工具主軸22及夾盤主軸31旋轉的無火花研磨(spark-out)，使BG薄膜75的上面75c被順利地加工。
如此一來，透過將在BG薄膜75的上面75c中之形成比外周區域74還厚的中央區域73以刀刃21b除去，可將包含BG薄膜75在內之工件7的厚度整面形成大致均一。
[工件研磨]
其次，工件7被搬送到公知的研磨裝置，以研磨砂輪81進行工件7的背面研磨。此時，透過快速切削BG薄膜75的上面75c，由於BG薄膜75的上面75c係與凸塊71無關地整面大致平坦地被吸附保持於研磨夾盤82，故在工件7的外周發生真空漏洩和研磨時，工件7之顫動受到抑制，使研磨後之工件7的背面76形成大致平坦。
[雷射切割]
其次，工件7被搬送到公知的雷射切割裝置，使透射工件7的波長之雷射聚光於工件7內並進行雷射切割(ML)，在工件7上形成在上視圖下呈格子狀的改質線78。改質線78係為在將工件7單片化時成為工件7的分割起點。透過BG薄膜75的上面75c被進行快速切削，BG薄膜75係與凸塊71無關地而被大致平坦地吸附保持於ML夾盤83，並且由於工件7的背面76被研磨成大致平坦，故可將改質線78穩定地形成在離工件7的背面76既定深度處。
[工件搬送]
其次，工件7的背面76被吸附保持於公知的搬送臂的夾盤84，使工件7被搬送到切割(DC)帶貼附裝置。此時，由於改質線78被均一地形成在離工件7的背面76既定深度處，故即使將工件7以負壓吸引，亦可在工件7內不生裂縫之下安全地搬送工件7。
[DC帶貼附、BG薄膜剝離]
其次，使用公知的DC帶貼附裝置，將被轉放在夾盤85的工件7隔介著DC帶86黏貼於切割架87。DC帶86的貼附係藉由滾動輥88將DC帶86按壓於工件7的背面76而進行。此時，由於改質線78被均一地形成在離工件7的背面76既定深度處，故即便是滾動輥88推壓工件7，亦可在工件7內不生裂縫之下安全地貼附DC帶86。
之後，使用公知的剝離裝置，從工件7剝離BG薄膜75。BG薄膜75的剝離為，透過將壓接於BG薄膜75的剝離帶89捲起，使BG薄膜75從工件7的表面72剝離。此時，由於改質線78被均一地形成在離工件7的背面76既定深度處，故在BG薄膜75從工件7剝離之際，可在工件7內不生裂縫之下安全地貼附DC帶86。
如以上所說明，本發明實施形態的快速切削裝置1係對貼附於工件7上的BG薄膜75之上面75c進行切削之快速切削裝置1，該工件7包含在表面72形成有凸塊71的凸塊區域73及凸塊區域73的周圍的外周區域74，且構成為具備：快速切削工具21；下端安裝有快速切削工具21，且可在使快速切削工具21旋轉的狀態下升降的工具主軸22；及可將工件7旋轉地保持的夾盤3，且快速切削工具21將BG薄膜75的上面75c從中心朝外周切削。
依據此構成，透過將BG薄膜75中的中央區域73切削成比外周區域74還薄，在將BG薄膜75的上面75c側以夾盤3吸附保持的情況，由於BG薄膜75整面可吸附保持於夾盤3，故可將工件7安全地研磨，並且在ML工序中，由於改質線78形成在離工件7的背面76大致一定的深度處，故可在搬送工件7之際、貼附DC帶86之際或剝離BG薄膜75之際抑制在工件7內產生微小的裂縫之情況。
又，快速切削裝置1係構成為：快速切削工具21具備安裝於工具主軸22的環框21a、及裝設於環框21a的外周且可切削BG薄膜75的刀刃21b。
依據此構成，可在工具主軸22上隔介著環框21a裝設刀刃21b。
又，快速切削裝置1係構成為：夾盤3的旋轉軸31a係以傾斜既定角度的程度作設定，夾盤3的保持工件7之保持面3a係形成中央比外周高的中凸形狀。
依據此構成，在刀刃21b從BG薄膜75的外周切穿到外部後再回到BG薄膜75的中心為止的期間，確保在BG薄膜75與刀刃21b之間存在有間隙，故可抑制刀刃21b在意外的位置與BG薄膜75接觸的情況。
又，快速切削裝置1係作成具備向BG薄膜75的上面75c供給冷卻水之冷卻水噴嘴4之構成。
依據此構成，可抑制在切削BG薄膜75之際，BG薄膜75過度升溫的情況。
又，快速切削裝置1係構成為具備：厚度感測器5，其利用快速切削工具21在切削中測定BG薄膜75的厚度；及控制部6，其依據厚度感測器5的測定值、快速切削工具21的旋轉數、夾盤3的旋轉數及工具主軸22的降下速度，演算BG薄膜75達到完工厚度的時間。
依據此構成，可適當管理BG薄膜75的完工厚度。
又，本發明係可在未悖離本發明精神之下進行上述以外的各種改變，而且本發明當然可及於該改變者。
21a:環框
21b:刀刃
3:夾盤
32:吸附體
7:工件
71:凸塊
75:BG薄膜
75c:上面
77:階差

Claims (5)

  1. 一種快速切削裝置，係對貼附於工件上的保護薄膜的上面進行切削，該工件包含在表面形成有凸塊的凸塊區域及前述凸塊區域的周圍的外周區域，其特徵為具備：
    快速切削工具；工具主軸，其下端安裝有前述快速切削工具，且可在使前述快速切削工具旋轉的狀態下升降；及
    夾盤，其可將前述工件旋轉地保持，
    前述快速切削工具將前述保護薄膜的上面從中心朝外周切削。
  2. 如請求項1之快速切削裝置，其中前述快速切削工具具備：
    環框，其安裝於前述工具主軸；及
    刀刃，其裝設於前述環框的外周且可切削前述保護薄膜。
  3. 如請求項1或2之快速切削裝置，其中前述夾盤的旋轉軸係以傾斜既定角度的程度作設定，
    前述夾盤的保持前述工件的保持面係形成為中央比外周高的中凸形狀。
  4. 如請求項1之快速切削裝置，其更具備：向前述保護薄膜的上面供給冷卻水之冷卻水噴嘴。
  5. 如請求項1之快速切削裝置，其更具備：厚度感測器，其在利用前述快速切削工具進行切削當中測定前述保護薄膜的厚度；及
    切削時間預測部，其依據前述厚度感測器的測定值、前述快速切削工具的旋轉數、及前述夾盤的旋轉數及前述工具主軸的降下速度，演算前述保護薄膜達到完工厚度的時間。
TW110114841A 2020-08-20 2021-04-22 快速切削裝置 TWI766659B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020139473A JP2022035272A (ja) 2020-08-20 2020-08-20 フライカット装置
JP2020-139473 2020-08-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202209464A true TW202209464A (zh) 2022-03-01
TWI766659B TWI766659B (zh) 2022-06-01

Family

ID=80322617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110114841A TWI766659B (zh) 2020-08-20 2021-04-22 快速切削裝置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2022035272A (zh)
KR (1) KR102613641B1 (zh)
CN (1) CN114846586A (zh)
TW (1) TWI766659B (zh)
WO (1) WO2022038829A1 (zh)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006132126A1 (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Nidec Sankyo Corporation 光学素子の製造方法および光学素子
JP5348976B2 (ja) 2008-01-30 2013-11-20 株式会社東京精密 バンプが形成されたウェーハを処理するウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置
JP5877663B2 (ja) * 2011-07-07 2016-03-08 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法
JP2015107535A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社ディスコ バイト切削装置のセットアップ方法
JP2015208796A (ja) * 2014-04-24 2015-11-24 株式会社ディスコ バイト切削装置
DE102015216619B4 (de) * 2015-08-31 2017-08-10 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
KR102214510B1 (ko) * 2016-01-18 2021-02-09 삼성전자 주식회사 기판 씨닝 장치, 이를 이용한 기판의 씨닝 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법
JP6824583B2 (ja) * 2017-04-17 2021-02-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6999322B2 (ja) * 2017-07-31 2022-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法
JP7171140B2 (ja) * 2018-12-11 2022-11-15 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法および樹脂シートユニット

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220024047A (ko) 2022-03-03
TWI766659B (zh) 2022-06-01
WO2022038829A1 (ja) 2022-02-24
JP2022035272A (ja) 2022-03-04
KR102613641B1 (ko) 2023-12-13
CN114846586A (zh) 2022-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102505700B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP4913517B2 (ja) ウエーハの研削加工方法
JP5064102B2 (ja) 基板の研削加工方法および研削加工装置
JP6920063B2 (ja) 板状ワークの保持方法
JP2008155292A (ja) 基板の加工方法および加工装置
JP2018060961A (ja) フレーム固定治具
TWI719250B (zh) 晶圓的加工方法
TW201123286A (en) Wafer processing method without occurrence of damage to device area
JP6792408B2 (ja) チャックテーブルの整形方法
JP5335245B2 (ja) ウェーハの研削方法および研削加工装置
JP2009023057A (ja) 研削部材のドレス方法および研削装置
JP2008062353A (ja) 研削加工方法および研削加工装置
JP2012121096A (ja) 研削装置
JP6879807B2 (ja) 加工装置
TWI766659B (zh) 快速切削裝置
JP2017127936A (ja) 研削装置
JP2009072851A (ja) 板状物の研削方法
TW201615344A (zh) 被加工物之磨削方法
JP7127994B2 (ja) ドレッシングボード及びドレッシング方法
JP2017204606A (ja) ウエーハ製造方法
JP2008130808A (ja) 研削加工方法
JP2017022162A (ja) ウエーハの加工方法
JP7413103B2 (ja) ウェーハの研削方法
JP7152882B2 (ja) 被加工物ユニットの保持方法
JP2017103387A (ja) ウェーハ分割方法及びウェーハ分割装置