TW202120602A - 表面處理劑 - Google Patents

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三橋尚志
野村孝史
松井元志
小澤香織
浩 沈
安東尼歐 查維斯
馬汀 伍斯考
艾米 華 麥考金斯特利
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日商大金工業股份有限公司
美商邁圖高新材料公司
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Abstract

本發明係提供一種包含(1)氟烷基矽烷寡聚物混合物、及(2)含有全氟烷基的矽烷化合物之表面處理劑。

Description

表面處理劑
本揭示係關於一種表面處理劑。
已知某種之含氟矽烷化合物若使用於基材之表面處理，可提供優異之撥水性、撥油性、防污性等。由包含含氟矽烷化合物之表面處理劑所得到之層(以下，亦稱為「表面處理層」)係作為所謂之功能性薄膜，例如被施用於玻璃、塑膠、纖維、衛生用品、建築資材等各式各樣之基材(專利文獻1及2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-218639號公報
[專利文獻2]日本特開2017-082194號公報
在專利文獻1或專利文獻2記載之含氟矽烷化合物係可獲得具有優異之功能的表面處理層，但仍要求具有更高的耐摩擦性之表面處理層。
本揭示之目的在於提供一種可獲得具有更高的耐摩擦性之表面處理層的表面處理劑。
本揭示係包含下列態樣。
[1]一種表面處理劑，係包含：
(1)氟烷基矽烷寡聚物混合物、及
(2)含有全氟烷基的矽烷化合物；
前述氟烷基矽烷寡聚物混合物係包含下述式(I)所示之氟烷基矽烷化合物之部分水解縮合物：
Rf1-Q1-SiR1 pX1 3-p (I)式中：
Rf1為CF2l+1，
l為1至10之整數，
Q1為單鍵或碳數1至6之2價的烴基，
R1係分別獨立地為碳數1至6之1價的烴基，
X1係分別獨立地為羥基或可水解的基，
p為0至2之整數；
前述含有全氟烷基的矽烷化合物為以下述式(II)所示之化合物：
[A]b1Q2[B]b2 (II)式中：
Q2為具有(b1+b2)之價數的鍵結基，
A為Rf3-O-Rf2-所示之基，
Rf2為聚(氧氟伸烷基)鏈，
Rf3為全氟烷基，
B為具有1個-R12-(SiR2 rX2 3-r)且不具有氟原子之1價的基，
R12為碳原子數2至10之烴基，該碳原子數2至10之烴基在碳-碳原子間、或於與Si所鍵結之末端為相反側之末端可具有醚性氧原子，或在碳-碳原子間可具有-NH-，
R2係分別獨立地為氫原子、或可具有取代基之碳數1至6的1價之烴基，
X2係分別獨立地為羥基或可水解的基，
r為0至2之整數，
Q2及B係不包含環狀矽氧烷結構，
b1為1至3之整數，
b2為2至9之整數，
其中，b1為2以上時，b1個之A可為相同，亦可為相異，b2個之B可為相同，亦可為相異。
[2]如上述[1]所述之表面處理劑，其中，式(II)中之Rf2為以-(CaF2aO)n-所示之基，
式中，a為1至6之整數，n為2以上之整數，各-CaF2aO-單元可為相同，亦可為相異。
[3]如上述[1]或[2]所述之表面處理劑，其中，式(II)中之Rf2為-(CF2CF2CF2CF2CF2CF2O)n1-(CF2CF2CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-(CF2CF2CF2O)n4-(CF(CF3)CF2O)n5-(CF2CF2O)n6-(CF2O)n7-所示之基， 式中，n1、n2、n3、n4、n5、n6及n7係分別獨立地為0以上之整數，n1、n2、n3、n4、n5、n6及n7之合計為2以上，各重複單元可以嵌段、交互、無規之任一形式存在。
[4]如上述[1]至[3]中任一項所述之表面處理劑，其中，式(I)所示之氟烷基矽烷化合物為以式(I-1)或(I-2)所示之化合物，
CF3(CF2)l-1-(CH2)t-SiX1 3 (I-1)
CF3(CF2)l-1-(CH2)t-SiR1X1 2 (I-2)式中，l為1至10之整數，t為1至6之整數，X1及R1係與上述[1]所述者為相同意義。
[5]一種表面處理劑，係包含：
(1)氟烷基矽烷寡聚物混合物、及
(2)含有全氟烷基的矽烷化合物；
前述氟烷基矽烷寡聚物混合物係包含下述式(I)所示之氟烷基矽烷化合物之部分水解縮合物：
Rf1-Q1-SiR1 pX1 3-p (I)式中：
Rf1為ClF2l+1，
l為1至10之整數，
Q1為單鍵或碳數1至6之2價的烴基，
R1係分別獨立地為碳數1至6之1價的烴基，
X1係分別獨立地為羥基或可水解的基，
p為0至2之整數；
前述含有全氟烷基的矽烷化合物為下述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)之任一者所示之化合物：
(Rf-PFPE)β’-X5-(SiR21 n1R22 3-n1)β…(A1)
(R22 3-n1R21 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR21 n1R22 3-n1)β…(A2)
(Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ…(B1)
(Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ…(B2)
(Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ…(C1)
(Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ…(C2)式中：
PFPE於每次出現時分別獨立地為下式所示之基：
-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及c係分別獨立地為0至200之整數，且a、b、c及d之和至少為1，標註下標a、b、c或d並以括弧括起之各重複單元之存在順序在式中為任意)；
Rf於每次出現時分別獨立地表示可被1個或多於1個之氟原子取代之碳數1至16之烷基；
R21於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
R22於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22之烷基；
n1係於每個(-SiR21 n1R22 3-n1)單元獨立地為0至3之整數；
惟在式(A1)及(A2)中，至少1個n1為1至3之整數；
X5係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基；
β係分別獨立地為1至9之整數；
β’係分別獨立地為1至9之整數；
X7係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基；
γ係分別獨立地為1至9之整數；
γ’係分別獨立地為1至9之整數；
Ra於每次出現時分別獨立地表示-Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1；
Z1於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價之有機基；
R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’；
Ra’係與Ra為相同意義；
Ra中，隔著Z1基而呈直鏈狀連結之Si係最大為5個；
R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；
p1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
q1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
r1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
惟式(B1)及(B2)中，至少1個q1為1至3之整數，
Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；
k1於每次出現時分別獨立地為1至3之整數；
l1於每次出現時分別獨立地為0至2之整數；
m1於每次出現時分別獨立地為0至2之整數；
惟標註γ並以括弧括起之單元中，k1、l1及m1之和為3；
X9係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基；
δ係分別獨立地為1至9之整數；
δ’係分別獨立地為1至9之整數；
Rd於每次出現時分別獨立地表示-Z2-CR81 p2R82 q2R83 r2；
Z2於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價之有機基；
R81於每次出現時分別獨立地表示Rd’；
Rd’係與Rd為相同意義；
Rd中，隔著Z2基而呈直鏈狀連結之C係最大為5個；
R82於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；
Y於每次出現時分別獨立地表示2價之有機基；
R85於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
R86於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；
n2係於每個(-Y-SiR85 n2R86 3-n2)單元獨立地表示0至3之整數；
惟式(C1)及(C2)中，至少1個n2係1至3之整數；
R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基；
p2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
q2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
r2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
Re於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；
Rf於每次出現時分別獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基；
k2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
l2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
m2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
惟在式(C1)及(C2)中，至少1個q2為2或3，或至少1個l2為2或3。
[6]如上述[5]所述之表面處理劑，其中，Rf為碳數1至16之全氟烷基。
[7]如上述[5]或[6]所述之表面處理劑，其中，
PFPE為下列之式(i)至(iv)之任一者所示之基：
-(OCF2CF2CF2)b- (i)式中，b為1至200之整數；
-(OCF(CF3)CF2)b- (ii)式中，b為1至200之整數；
-(OCF2CF2CF2CF2)a-(OCF2CF2CF2)b-(OCF2CF2)c-(OCF2)d- (iii)式中，a及b係分別獨立地為0或1至30之整數，c及d係分別獨立地為1至200之整數，標註下標a、b、c或d並以括弧括起之各重複單元之存在順序係在式中為任意；或
-(R7-R8)f- (iv)式中，R7於每次出現時分別獨立地為OCF2或OC2F4，R8於每次出現時分別獨立地為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之基，或由此等基獨立地選擇之2或3個基的組合；
f為2至100之整數。
[8]如上述[5]至[7]中任一項所述之表面處理劑，其中，k1為3，Ra中，q1為3。
[9]如上述[5]至[8]中任一項所述之表面處理劑，其中，l2為3，n2為3。
[10]如上述[5]至[9]中任一項所述之表面處理劑，其中，Y為C1-6伸烷基、-(CH2)g’-O-(CH2)h’-(式中，g’為0至6之整數，h’為0至6之整數)、或-伸苯基-(CH2)i’-(式中，i’為0至6之整數)。
[11]如上述[5]至[10]中任一項所述之表面處理劑，其中，X5、X7及X9分別獨立地為2至4價之有機基，β、γ及δ分別獨立地為1至3，β’、γ’及δ’為1。
[12]如上述[5]至[11]中任一項所述之表面處理劑，其中，X5、X7及X9為2價之有機基，β、γ及δ為1，β’、γ’及δ’為1。
[13]如上述[5]至[12]中任一項所述之表面處理劑，其中，
X5、X7及X9分別獨立地為以-(R31)p’-(Xa)q’-所示之基式中：
R31係分別獨立地表示單鍵、-(CH2)s’-(式中，s’為1至20之整數)或鄰、間或對伸苯基；
Xa係表示-(Xb)l’-(式中，l’為1至10之整數)；
Xb於每次出現時分別獨立地表示選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(式中，m’為1至100之整數)、-CONR34-、-O-CONR34-、-NR34-及-(CH2)n’-(式中，n’為1至20之整數)所組成之群組中的基；
R33於每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；
R34於每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基；
p’為0、1或2；
q’為0或1；
在此，p’及q’之至少一者為1，標註p’或q’並以括弧括起之各重複單元之存在順序在式中為任意；
R31及Xa係可被選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個之取代基取代。]
[14]如上述[5]至[13]中任一項所述之表面處理劑，其中，
X5、X7及X9分別獨立地為：
單鍵、或-Rf’-X10-，式中，X10係選自-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、 -CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2- -CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2- -CONH-(CH2)-、 -CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2- -C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、 -CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、-OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、
Figure 109136121-A0202-12-0013-1
 所組成之群組中的基，
Rf’為單鍵或-(Cl’F2l’)-，
l’為1至4之整數。
[15]如上述[5]至[10]中任一項所述之表面處理劑，其中，X5、X7及X9分別獨立地為3至10價之有機基。
[16]如上述[15]所述之表面處理劑，其中，X5、X7及X9分別獨立地為選自下列者所組成之群組：
Figure 109136121-A0202-12-0014-2
 式中，在各基中，T之中至少1個係在式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)中，鍵結於PFPE之如下的基：
單鍵或-Rf’-X11-式中，X11係選自下列者所組成之群組中的基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)-、 -CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、及
Figure 109136121-A0202-12-0015-3
Rf’為單鍵或-(Cl’F2l’)-，
l’為1至4之整數；
另外的T之中至少1個係在式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)中，鍵結於碳原子或Si原子之-(CH2)n-(n為2至6之整數)，有存在時，其餘之T係分別獨立地為甲基、苯基、碳數1至6之烷氧基或自由基捕捉基或紫外線吸收基，
R41係分別獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6之烷氧基或碳數1至6之烷基，
R42係分別獨立地表示氫原子、C1-6之烷基或C1-6之烷氧基。
[17]如上述[1]至[16]中任一項所述之表面處理劑，其中，氟烷基矽烷寡聚物混合物之數平均分子量為300以上。
[18]如上述[1]至[17]中任一項所述之表面處理劑，其中，氟烷基矽烷寡聚物混合物之數平均分子量為4500以下。
[19]如上述[1]至[18]中任一項所述之表面處理劑，其中，相對於表面處理劑之總重量，氟烷基矽烷寡聚物混合物之含量為20質量%以下。
[20]如上述[1]至[19]中任一項所述之表面處理劑，其中，相對於表面處理劑之總重量，氟烷基矽烷寡聚物混合物為0.1質量%以上。
[21]一種物品，係包含基材、及由上述[1]至[20]中任一項所述之表面處理劑形成在該基材之表面的層。
[22]如上述[21]所述之物品，其中，前述物品為光學構件。
若依據本揭示，可提供一種表面處理劑，其係可獲得具有更良好的耐摩擦性之表面處理層。
以下，說明有關本揭示之表面處理劑。
在本說明書中所使用之情形，所謂「烴基」係意指包含碳及氫之基，且從烴使1個之氫原子脫離的基。如此之烴基並無特別限定，但可列舉可被1個或多於1個之取代基取代之碳數1至20的烴基，例如，脂肪族烴基、芳香族烴基等。上述「脂肪族烴基」可為直鏈狀、支鏈狀或環狀之任一者，亦可為飽和或不飽和之任一者，又，烴基係可包含1個或多於1個之環結構。尚，如此之烴基係在其末端或分子鏈中可具有1個或多於1個之N、O、S、Si、醯胺、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰氧基等。
在本說明書中使用的情形，「烴基」之取代基並無特別限定，但例如，可列舉鹵素原子；選自可被1個或多於1個之鹵素原子取代之C1-6烷基、 C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員之雜環基、5至10員之不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員之雜芳基的1個或多於1個之基。
在本說明書中使用的情形，所謂「2至10價之有機基」係意指含有碳之2至10價的基。如此之2至10價的有機基並無特別限定，但可列舉從烴基更使1至9個之氫原子脫離的2至10價之基。例如，2價之有機基並無特別限定，但可列舉從烴基更使1個之氫原子脫離而成的2價之基。
本揭示之表面處理劑係含有(1)氟烷基矽烷寡聚物混合物、及(2)含有全氟烷基的矽烷化合物。
[氟烷基矽烷寡聚物混合物]
在本揭示之表面處理劑所含有的氟烷基矽烷寡聚物混合物係包含氟烷基矽烷化合物之部分水解縮合物，且可更包含氟烷基矽烷化合物本身。
上述氟烷基矽烷化合物係以下述式(I)所示之氟烷基矽烷化合物：
Rf1-Q1-SiR1 pX1 3-p (I)式中：
Rf1係ClF2l+1，
l係1至10之整數，
Q1係單鍵或碳數1至6之2價的烴基，
R1係分別獨立地為碳數1至6之1價的烴基，
X1係分別獨立地為羥基或可水解的基，
p係0至2之整數。
式(I)中、Rf1係ClF2l+1，l係1至10之整數，較佳係1至8之整數，更佳係1至6之整數，例如2至6之整數或3至6之整數。
式(I)中，Q1係單鍵或碳原子數1至6之2價的烴基，該烴基係可列舉直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳原子數2至6之直鏈狀或支鏈狀的伸烷基之在碳-碳原子間具有醯胺基或醚性氧原子之基等。其中，從耐候性優異之點而言，以碳原子數1至6之直鏈狀的伸烷基：-(CH2)t-(其中，t係1至6之整數)為較佳，更佳係-(CH2)2-、-(CH2)3-、或-(CH2)4-，尤其以-(CH2)2-為較佳。
式(I)中，R1係可列舉碳原子數1至6之1價之烴基、直鏈狀或支鏈狀之烷基。其中，從取得容易性之點而言，以碳原子數1至4之直鏈狀或支鏈狀烷基為較佳，更佳係甲基或乙基。複數存在時，R1可為相同，亦可為相異，但從取得容易性之點而言，以相同者為較佳。
式(I)中，X1係羥基或可水解的基。在此，所謂上述「可水解的基」係在本說明書中使用之情形，意指藉由水解反應，可從化合物之主骨架脫離之基。可水解的基之例係可列舉-OR、-OCOR、-O-N=CR2、-NR2、-NHR、鹵素(此等式中，R係表示取代或非取代之碳數1至4的烷基)等，較佳係-OR(亦即，烷氧基)。在R之例中，係包含甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等之非取代烷基；氯甲基等之取代烷基。其等之中，以烷基為佳，尤其以非取代烷基為較佳，以甲基或乙基為更佳。羥基並無特別限定，但可為可水解的基進行水解而生成者。
X1為氯原子時，反應性高，即使不添加酸觸媒，水解反應亦會充分進行。依照用途，較佳係使用X1為氯原子之化合物。
式(I)中，p係0至2之整數，從密著性、耐久性優異之點而言，以0或1為較佳，更佳為0。
以式(I)所示之化合物係例如，可列舉以下。式中，l、t、X1、R1之例示及較佳的態樣係如上述。
式(I-1)：CF3(CF2)l-1-(CH2)t-SiX1 3
式(I-2)：CF3(CF2)l-1-(CH2)t-SiR1X1 2
式(I)所示之氟烷基矽烷化合物係可單獨，亦可併用2種以上。式(I)所示之氟烷基矽烷化合物係可以一般的製造方法製造，又，商業上可取得。
上述氟烷基矽烷寡聚物係2個以上之上述式(I)所示之氟烷基矽烷化合物的(SiX1)部分會水解，並互相縮合者。氟烷基矽烷寡聚物通常主要可為包含2至14量體之多量體的混合體。
寡聚物化/縮合之程度係可藉由29Si-NMR進行測定，分別以T0種(29Si-NMR之40-48ppm)、T1種(48-54ppm)、T2種(54-63ppm)、及T3種(63-75ppm)之積分值所示。氟伸烷基寡聚物混合物之29Si-NMR係顯示0至10%，更佳係顯示0至5%，再更佳係顯示0至3%之T0種(40-48ppm)，顯示為0至40%，更佳係顯示1至30%，再更佳係顯示10至25%之T1種(48-54ppm)、及顯示20至80%，更佳係顯示25至75%，再更佳係顯示30至70%之T2種(54-63ppm)。又，「宮崎 達也、其他2名、“以29Si NMR法進行之含矽材料的結構解析”、[online]、旭硝子研究報告66(2016)、p.32-36、網際網路〈URL：https：//www.agc.com/innovation/library/pdf/66-07.pdf〉」中已記載T0、T1、T2、T3之說明。
寡聚物係藉由式(I)所示之化合物的水解來形成。寡聚物係可藉由相同或互相相異之式(I)所示的化合物之水解來形成。式(I)所示之化合物與水之 水解反應係可在觸媒之存在下實施，亦可在觸媒不存在下實施。適當的觸媒並無特別限定，但可列舉酸觸媒、鹼觸媒、有機胺觸媒、或金屬觸媒。在一具體例中，觸媒係選自鹽酸、硝酸、乙酸、硫酸、磷酸、磺酸、甲烷磺酸、對-甲苯磺酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、三乙胺、異丙氧基鈦、或二月桂酸二丁錫(dibutyltin dilaurate)。應當理解，水係可提供作為水性觸媒組成物之一部分。
寡聚物化之程度(依據29Si-NMR分析)及/或寡聚物之大小(依據數平均分子量)係可藉由調整在反應系中之水的量，藉由選擇適當的觸媒，及/或藉由選擇適當的反應條件進行調整。尤其，水與矽之莫耳比係提供有關本揭示之寡聚物時被控制。在一具體例中，水與矽之莫耳比(水：矽)可為約2.5以下：1，可為約2以下：1，可為約1.5以下：1，可為約1.25以下：1，可為約1以下：1，可為約0.75以下：1，或可為約0.5以下：1。在一具體例中，水與矽之莫耳比(水：矽)可為0.5：1至2.5：1，可為0.75：1至2：1，可為1：1至1.5：1，或可為1：1至1.25：1。又，即使在上述以外之範圍，亦可設為組合上述之各別的上限及下限之另外的範圍。
上述氟烷基矽烷寡聚物係可藉由1H-NMR、29Si-NMR、GC(氣體色層分析法)、LC(液體色層分析法)分析，進行結構分析及組成分析，並可測定包含2至14量體之多量體的混合物之組成或比率、可水解的基之比率或殘存率、縮合度等。
上述氟烷基矽烷寡聚物混合物之數平均分子量較佳係可為300以上，較佳係可為400以上，更佳係可為500以上，再更佳係可為800以上。
上述氟烷基矽烷寡聚物混合物之數平均分子量較佳係可為4500以下，更佳係可為4000以下，再更佳係可為3500以下，又再更佳係可為3000以下。
又，在本發明中，「數平均分子量」係藉由GPC(凝膠浸透色層分析)分析來測定。
在上述氟烷基矽烷寡聚物混合物中，甲氧基(OCH3)對矽(Si)之含有比(OCH3/Si，莫耳比)較佳係可為1.5以上，更佳係可為2.0以上，再更佳係可為2.2以上。藉由使如此之比為1.5以上，耐摩擦性會更提高。又，甲氧基對矽之含有比較佳係可為2.8以下，更佳係可為2.7以下，再更佳係可為2.5以下。藉由使如此之比設為2.8以下，摩耗耐久性會更提高。
上述甲氧基對矽之含有比係可使用29Si-NMR進行測定。
上述氟烷基矽烷寡聚物混合物係相對於上述氟烷基矽烷寡聚物混合物與含有全氟烷基的矽烷化合物之合計量，較佳係可為20質量%以下，更佳係可為10質量%以下。
相對於上述氟烷基矽烷寡聚物混合物與含有全氟烷基的矽烷化合物之合計量，上述氟烷基矽烷寡聚物混合物較佳係可為0.1質量%以上，更佳係可為0.5質量%以上。
[含有全氟烷基的矽烷化合物]
上述含有全氟烷基的矽烷化合物可為下述式(II)所示之化合物：
[A]b1Q2[B]b2 (II)式中：
Q2係具有(b1+b2)之價數的鍵結基，
A係以Rf3-O-Rf2-所示之基，
Rf2係聚(氧氟伸烷基)鏈，
Rf3係全氟烷基，
B係具有1個之-R12-(SiR2 rX2 3-r)，且不含有氟原子之1價之基，
R12係可於碳-碳原子間、或在與Si經鍵結之末端為相反側之末端具有醚性氧原子，或在碳-碳原子間可具有-NH-之碳原子數2至10的烴基，
R2係分別獨立地為氫原子、或可具有取代基之碳數1至6的1價之烴基，
X2係分別獨立地為羥基或可水解的基，
r係0至2之整數，
Q2及B係不含有環狀矽氧烷結構，
b1係1至3之整數，
b2係2至9之整數，
在此，b1為2以上時，b1個之A可為相同，亦可為相異，b2個之B可為相同，亦可為相異。
式(II)中，A係以Rf3-O-Rf2-所示之基。
Rf3係全氟烷基，碳原子數係以1至20為較佳，以1至6為更佳。Rf3可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。其中，從取得容易性之點而言，以直鏈狀之基：CF3(CF2)m3-1(在此，m3為1至20，以1至6為較佳)為較佳，更佳係CF3-、或CF3(CF2)2-，尤其以CF3(CF2)2-為較佳。
Rf2係聚(氧氟伸烷基)鏈。Rf2係例如，-(CXF2xO)y-(x係1至6之整數，y係2以上之整數，各-CxF2xO-單元可為相同，亦可為相異)。-CxF2xO-單元可為直鏈狀，亦可為支鏈狀，例如，可列舉-CF2CF2CF2CF2CF2CF2O-、- CF2CF2CF2CF2CF2O-、-CF2CF2CF2CF2O-、-CF2CF2CF2O-、-CF(CF3)CF2O-、-CF2CF2O-、-CF2O-。y係可依照所希望之數平均分子量而適當調整。y之較佳的上限值為200。
Rf2可為複數單元之組合，其時，各單元係可以嵌段、交互、無規之任一形式存在。例如，從耐光性優異之點而言，以包含-CF2CF2CF2CF2CF2CF2O-、-CF2CF2CF2CF2CF2O-、-CF2CF2CF2CF2O-為較佳，此等結構之存在比率係以大者為較佳，從合成容易性之點而言，更佳係組合-CF2CF2CF2CF2O-與-CF2CF2O-之單元的-CF2CF2O-CF2CF2CF2CF2O-。
具體而言，Rf2係可列舉-(CF2CF2CF2CF2CF2CF2O)n3-(CF2CF2CF2CF2CF2O)n4-(CF2CF2CF2CF2O)n5-(CF2CF2CF2O)n6-(CF(CF3)CF2O)n7-(CF2CF2O)n8-(CF2O)n9-(在此，n3、n4、n5、n6、n7、n8及n9係分別獨立地為0以上之整數，但n3、n4、n5、n6、n7、n8及n9之合計為2以上，各重複單元可為嵌段、交互、無規之任一形式存在)。
Rf2係以{(CF2O)n11(CF2CF2O)n12}、(CF2CF2O)n13、(CF2CF2CF2O)n14、(CF2CF2O-CF2CF2CF2CF2O)n15為較佳，更佳係{(CF2O)n11(CF2CF2O)n12}、(CF2CF2CF2O)n14。惟n11為1以上之整數，n12為1以上之整數，n11+n12為2至200之整數，n11個之CF2O及n12個之CF2CF2O的鍵結順序無限定。n13及n14為2至200之整數，n15為1至100之整數。
式(II)中，以Rf3-O-Rf2-所示之基A的數(b1)係1至3之整數。在式(II)中，存在複數之基A時，基A可為相同，亦可為相異。基A與氟烷基矽烷化合物中之全氟烷基係有助於所得到之表面處理層的撥水性之基。含有全氟烷 基的矽烷化合物具有複數之基A時，Rf3-O-Rf2-基之密度變高，就表面處理層之耐摩擦性優異之點而言，為較佳。
在式(II)中，基B係在末端具有1個之-R12-(SiR2 rX2 3-r)(以下，亦稱為「基(Ba)」。)，且不含有環狀矽氧烷結構及氟原子之1價的基。
具體而言，基B為-Ya-R12-(SiR2 rX2 3-r)所示之基。藉由-Ya-連結基(Ba)與Q2。Ya為單鍵，或不含有環狀矽氧烷結構及氟原子之2價有機基。Ya係例如，在末端含有碳原子數6至8之伸苯基等伸芳基的伸烷基(例如，碳原子數8至16之伸烷基或伸芳基等)、伸烷基(例如，碳原子數1至20)與矽伸烷基結構(例如，碳原子數1至10，Si原子數2至10)或矽伸芳基結構(例如，碳原子數1至10，Si原子數2至10)經鍵結之2價的基，且基(Ba)側之末端為伸烷基以外。Ya進行鍵結之Q2的原子係構成主鏈之原子，具體而言係可列舉Si、C、N。Ya係以單鍵為較佳。
R12係可在碳-碳原子間或在與Si所鍵結者為相反側之末端具有醚性氧原子，或可在碳-碳原子間具有-NH-之碳原子數2至10的烴基。具體而言，以選自由-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2OCH2CH2CH2-、-OCH2CH2CH2-所組成之群組中的基(惟右側鍵結於Si。)為較佳，從撥水膜之耐光性優異之點而言，以不具有醚性氧原子之-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-為特佳。在式(II)中複數存在之基B的R12係全部可為相同之基，亦可全部不為相同之基。
X2係羥基或可水解的基，可水解的基係適用在X1中之可水解的基的例示及較佳的態樣。r係0至2之整數，從密著性及耐久性優異之點而言，以0或1為較佳，更佳係0。X2複數存在時，X2可為相同，亦可為相異，但從取得容易性之點而言，以相同者為較佳。
R2係氫原子、或碳原子數1至6之1價的烴基，且該烴基係可含有取代基。烴基係可列舉直鏈狀或支鏈狀之烷基。其中，從取得容易性之點而言，以碳原子數1至4之直鏈狀或支鏈狀烷基為較佳，更佳係甲基或乙基。取代基係可列舉鹵素原子(例如氯原子)。Si進行鍵結之R2之數的r係0至2之整數。存在複數之R2時，R2可為相同，亦可為相異，但從取得容易性之點而言，以相同者為較佳。
在式(II)中，以b2所示之基B的數為2至9之整數。因而，含有全氟烷基的矽烷化合物中之基(Ba)的數為2至9。基(Ba)係有助於所得到之撥水膜的耐光/耐摩耗性之基。含有全氟烷基的矽烷化合物中之基B的數，亦即，基(Ba)之數係從所得到之撥水膜之耐光/耐摩耗性優異之點而言，以2至4為較佳。
又，含有全氟烷基的矽烷化合物具有之複數的基B可為相同，亦可為相異。有關基(Ba)可為相同，亦可為相異。
在式(II)中，Q2係(b1+b2)價之鍵結基。Q2係例如，為烴基，可在末端或碳原子-碳原子間具有酯鍵結、醚鍵結、醯胺鍵結、胺甲酸乙酯鍵結、伸苯基、-S-、2價胺基、矽伸烷基結構、矽伸芳基結構、矽氧烷結構(不含有環狀矽氧烷結構)，且烴基之氫原子可被氟原子取代。雖然烴基之氫原子可被羥基取代，但進行取代之羥基的個數係以1至5個為較佳。烴基可為直鏈狀，亦可為分枝狀。Q2中之碳原子數係以1至20為較佳，以1至10為更佳。
又，在Q2中，基A與基B係可鍵結於相同的原子，但以鍵結於相異之原子為較佳，以進行鍵結之原子彼此間在分子內儘可能地遠離為更佳。
又，Q2係可具有直接鍵結於分子鏈之末端以外的原子之-SiR0 r1X4 3-r1(R0、X4、及r1係分別與基(Ba)之R2、X2、及r為相同。)，但就含有全氟烷基 的矽烷化合物而言，以不具有基(Ba)以外之水解性矽基為較佳。又，含有全氟烷基的矽烷化合物為具有直接鍵結於分子鏈之末端以外的原子之-SiR0 r1X4 3-r1時，該-SiR0 r1X4 3-r1係算出化合物(1)之SiR1 pX1 3-p與含有全氟烷基的矽烷化合物之SiR2 rX2 3-r之莫耳比率時，在SiR2 rX2 3-r中係設為不含有者。
在一態樣中，上述含有全氟烷基的矽烷化合物可為下述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)之任一者所示的化合物：
(Rf-PFPE)β’-X5-(SiR21 n1R22 3-n1)β…(A1)
(R22 3-n1R21 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR21 n1R22 3-n1)β…(A2)
(Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ…(B1)
(Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ…(B2)
(Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ…(C1)
(Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ…(C2)式中：
PFPE於每次出現時分別獨立地為下式所示之基：
-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及c係分別獨立地為0至200之整數，且a、b、c及d之和至少為1，標註下標a、b、c或d並以括弧括起之各重複單元之存在順序係在式中為任意。)
Rf於每次出現時分別獨立地表示可被1個或多於1個之氟原子取代之碳數1至16之烷基；
R21於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
R22於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22之烷基；
n1係於每個(-SiR21 n1R22 3-n1)單元獨立地為0至3之整數；
惟式(A1)及(A2)中，至少1個n1為1至3之整數；
X5係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基；
β係分別獨立地為1至9之整數；
β’係分別獨立地為1至9之整數；
X7係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基；
γ係分別獨立地為1至9之整數；
γ’係分別獨立地為1至9之整數；
Ra於每次出現時分別獨立地表示-Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1；
Z1於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價之有機基；
R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’；
Ra’係與Ra為相同意義；
Ra中，隔著Z1基而呈直鏈狀連結之Si係最大為5個；
R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；
p1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
q1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
r1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
惟式(B1)及(B2)中，至少1個q1為1至3之整數；
Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；
k1於每次出現時分別獨立地為1至3之整數；
l1於每次出現時分別獨立地為0至2之整數；
m1於每次出現時分別獨立地為0至2之整數；
惟標註γ並以括弧括起之單元中，k1、l1及m1之和為3；
X9係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基；
δ係分別獨立地為1至9之整數；
δ’係分別獨立地為1至9之整數；
Rd於每次出現時分別獨立地表示-Z2-CR81 p2R82 q2R83 r2；
Z2於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價之有機基；
R81於每次出現時分別獨立地表示Rd’；
Rd’係與Rd為相同意義；
Rd中，隔著Z2基而呈直鏈狀連結之C係最大為5個；
R82於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；
Y於每次出現時分別獨立地表示2價之有機基；
R85於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
R86於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；
n2係於每個(-Y-SiR85 n2R86 3-n2)單元獨立地表示0至3之整數；
惟在式(C1)及(C2)中，至少1個n2係1至3之整數；
R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基；
p2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
q2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
r2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
Re於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；
Rf於每次出現時分別獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基；
k2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
l2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
m2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
惟在式(C1)及(C2)中，至少1個q2為2或3，或至少1個l2為2或3。
式(A1)及(A2)：
(Rf-PFPE)β’-X5-(SiR21 n1R22 3-n1)β…(A1)
(R22 3-n1R21 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR21 n1R22 3-n1)β…(A2)
上述式(A1)及(A2)中，PFPE係在各別出現中，分別獨立地為以
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)c-(OC2F4)e-(OCF2)f-、所示之基。式中，a、b、c、d、e及f係分別獨立地為0以上200以下之整數，且a、b、c、d、e及f之和至少為1。較佳係a、b、c、d、e及f之和為5以上，更佳係10以上。較佳係a、b、c、d、e及f之和為200以下，更佳係200以下，例如為10以上200以下，更具體而言，為10以上100以下。又，標註a、b、c、d、e及f並以括弧括起之各重複單元之存在順序係在式中為任意。
上述a及b較佳係分別獨立地為0以上30以下，可為0。
在一態樣中，上述a、b、c、及d分別獨立地較佳係0以上30以下之整數，更佳係20以下之整數，特別佳係10以下之整數，再更佳係5以下之整數，可為0。
在一態樣中，a、b、c及d之和較佳係30以下，更佳係20以下，再更佳係10以下，特別佳係5以下。
在一態樣中，e及f之和較佳係30以上，更佳係40以上，再更佳係50以上。
此等重複單元可為直鏈狀，亦可為支鏈狀，但較佳為直鏈狀。例如，-(OC6F12)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等，但較佳係-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-。-(OC5F10)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等，但較佳係-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-。-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-之任一者，但較佳係-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-之任一者，但較佳係-(OCF2CF2CF2)-。又，-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-之任一者，但較佳係-(OCF2CF2)-。
在一態樣中，上述PFPE係-(OC3F6)d-(式中，d係1以上200以下，較佳係5以上200以下，更佳係10以上200以下之整數)。較佳係PFPE為-(OCF2CF2CF2)d-(式中，d係1以上200以下，較佳係5以上200以下，更佳係10 以上200以下之整數)或-(OCF(CF3)CF2)d-(式中，d係1以上200以下，較佳係5以上200以下，更佳係10以上200以下之整數)。更佳係PFPE為-(OCF2CF2CF2)d-(式中，d係1以上200以下，較佳係5以上200以下，更佳係10以上200以下之整數)。
在另一態樣中，PFPE係-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-(式中，c及d係分別獨立地為0以上30以下之整數，e及f係分別獨立地為1以上200以下，較佳係5以上200以下，更佳係10以上200以下之整數，c、d、e及f之和至少為5以上，較佳係10以上，標註下標c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元的存在順序係在式中為任意)。較佳係PFPE為-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f-。
在一態樣中，PFPE可為-(OC2F4)e-(OCF2)f-(式中，e及f係分別獨立地為1以上200以下，較佳係5以上200以下，更佳係10以上200以下之整數，標註下標e或f並以括弧括起之各重複單元之存在順序係在式中為任意)。
在再另一態樣中，PFPE係以-(R6-R7)j-所示之基。式中，R6於每次出現時分別獨立地為OCF2或OC2F4，較佳係OC2F4。式中，R7於每次出現時分別獨立地為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或從此等基獨立地選擇之2或3個基之組合。較佳係R7係選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之基，或選自OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或從此等基獨立地選擇之2或3個基之組合。從OC2F4、OC3F6及OC4F8獨立地選擇之2或3個基之組合並無特別限定，但例如，可列舉-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、-OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、- OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-、及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。上述j為2以上，較佳係3以上，更佳係5以上且100以下，較佳係50以下之整數。在上述式中，OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12可為直鏈或支鏈之任一者，較佳係直鏈。在該態樣中，PFPE較佳係-(OC2F4-OC3F6)j-或-(OC2F4-OC4F8)j-。
在PFPE中，e對f之比(以下，所謂「e/f比」)係0.1以上10以下，較佳係0.2以上5以下，更佳係0.2以上2以下，再更佳係0.2以上1.5以下。藉由使e/f比設為上述範圍，從本揭示之表面處理劑所得到之表面處理層的撥水性、撥油性、及耐化學性(例如，對鹽水、酸或鹼性水溶液、丙酮、油酸或己烷之耐久性)可更提高。e/f比愈小，上述表面處理層之撥水性、撥油性、耐化學性愈提高。另一方面，藉由使e/f比設為0.1以上，可更提高化合物之安定性。e/f比愈大，化合物之安定性愈提高。
在上述式中，Rf係表示可被1個或多於1個之氟原子取代的碳數1至16之烷基。
可被上述1個或多於1個之氟原子取代之碳數1至16的烷基中之「碳數1至16之烷基」可為直鏈，亦可為支鏈，較佳係直鏈或支鏈之碳數1至6，尤其為碳數1至3之烷基，更佳係直鏈之碳數1至3的烷基。
上述Rf較佳係可被1個或多於1個之氟原子取代的碳數1至16之烷基，更佳係CF2H-C1-15氟伸烷基，再更佳係碳數1至16之全氟烷基。
該碳數1至16之全氟烷基可為直鏈，亦可為支鏈，較佳係直鏈或支鏈之碳數1至6，尤其，為碳數1至3之全氟烷基，更佳係直鏈之碳數1至3之全氟烷基，具體而言係-CF3、-CF2CF3、或-CF2CF2CF3。
在上述式中，R21於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基。
在上述式中，R22於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22之烷基、較佳係碳數1至4之烷基。
在上述式中，n1係於每個(-SiR21 n1R22 3-n1)單元獨立地為0至3之整數，較佳係1至3，更佳係3。惟在式中，全部之n1不同時為0。換言之，在式中，至少1個係存在R21。
在上述式中，X5係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基。可解釋為該X5係在式(A1)及(A2)所示之化合物中，將主要提供撥水性及表面平滑性等之全氟聚醚部(Rf-PFPE部或-PFPE-部)、與、提供與基材之鍵結能的矽烷部(具體而言，係-SiR21 n1R22 3-n1)進行連結之連接體。因此，該X5係只要式(A1)及(A2)所示之化合物可安定地存在者，可為任一有機基。
上述式中之β係1至9之整數，β’係1至9之整數。此等β及β’係依照X3之價數而決定，在式(A1)中，β及β’之和係與X5之價數為相同。例如，X5為10價之有機基時，β及β’之和為10，例如，β為9且β’為1，β為5且β’為5，或β為1且β’為9。又，X5為2價之有機基時，β及β’為1。在式(A2)中，β係從X5之價數的值減去1之值。
上述X5較佳係2至7價，更佳係2至4價，再更佳係2價之有機基。
在一態樣中，X5係2至4價之有機基，β為1至3，β’為1。
在另一態樣中，X5係2價之有機基，β為1，β’為1。此時，式(A1)及(A2)係下述式(A1’)及(A2’)所示。
Rf-PFPE-X5-SiR21 n1R22 3-n1…(A1’)
R22 3-n1R21 n1Si-X5-PFPE-X5-SiR21 n1R22 3-n1…(A2’)
上述X5之例並無特別限定，但例如，可列舉單鍵或下述式所示之2價的基：
-(R31)p’-(Xa)q’-式中：
R31於每次出現時分別獨立地表示單鍵、-(CH2)s’-或鄰、間或對伸苯基，較佳係-(CH2)s’-，
s’係1至20之整數，較佳係1至6之整數，更佳係1至3之整數，再更佳係1或2，
Xa於每次出現時分別獨立地表示-(Xb)l’-，
Xb於每次出現時分別獨立地表示選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-、-O-CONR34-、-NR34-及-(CH2)n’-所組成之群組中的基，
R33於每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳係苯基或C1-6烷基，更佳係甲基，
R34於每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳係甲基)，
m’於每次出現時分別獨立地為1至100之整數，較佳係1至20之整數，
n’於每次出現時分別獨立地為1至20之整數，較佳係1至6之整數，更佳係1至3之整數，
l’係1至10之整數，較佳係1至5之整數，更佳係1至3之整數，
p’係0、1或2，
q’係0或1，
在此，p’及q’之至少一者為1，標註p’或q’並以括弧括起之各重複單元的存在順序係任意。在此，R31及Xa(典型上係R31及Xa之氫原子)係可被選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個的取代基取代。
在一態樣中，l’為1。
較佳係上述X5為-(R31)p’-(Xa)q’-R32-。R32係表示單鍵、-(CH2)t’-或鄰、間或對伸苯基，較佳係-(CH2)t’-。t’係1至20之整數，較佳係2至6之整數，更佳係2至3之整數。在此，R32(典型上係R32之氫原子)係可被選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個的取代基取代。
較佳係上述X5可為
單鍵、或-Rf’-X12-所示之基。式中，X12係C1-20伸烷基、-R31-Xc-R32-、或-Xd-R32-基式中，R31及R32係與上述相同意義，
Rf’係單鍵或-(Cl’F2l’)-，
l’係1至4之整數。 又，所謂伸烷基可為具有-(CnH2n)-結構之基，可為取代或非取代，亦可為直鏈狀或支鏈狀。
再更佳係上述X5為-Xf-、-Xf-C1-20伸烷基、-Xf-(CH2)s’-Xc-、-Xf-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’- -Xf-Xd-、或-Xf-Xd-(CH2)t’-。式中，s’及t’係與上述相同意義。
上述式中，Xf係碳原子數1至6，較佳係碳原子數1至4，更佳係碳原子數1至2之伸烷基，例如為亞甲基。Xf中之氫原子係可被選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個的取代基取代，較佳係被取代。Xf可為直鏈狀或支鏈狀，較佳係直鏈狀。
更佳係上述X5可為
單鍵、或-Rf’-X13-所示之基。式中，X13係C1-20伸烷基、-(CH2)s’-Xc-、-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’- -Xd-、或 -Xd-(CH2)t’-基式中，s’及t’係與上述相同意義，
Rf’係單鍵或-(Cl’F2l’)-，
l’係1至4之整數。
在上述式中，Xc係表示-O-、-S-、-C(O)O-、-CONR34-、-O-CONR34-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-Si(R33)2-O-Si(R33)2-CH2CH2-Si(R33)2-O-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-Si(OCH3)2OSi(OCH3)2-、-CONR34-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-(CH2)u’-N(R34)-、或-CONR34-(鄰、間或對伸苯基)-Si(R33)2-式中，R33、R34及m’係與上述相同意義，
u’係1至20之整數，較佳係2至6之整數，更佳係2至3之整數。
Xc較佳係-O-。
在上述式中，Xd係表示 -S-、-C(O)O-、-CONR34-、-CONR34-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-(CH2)u’-N(R34)-、或-CONR34-(鄰、間或對伸苯基)-Si(R33)2-在式中，各記號係與上述相同意義。
特別佳係上述X5為-Xf-、-Xf-C1-20伸烷基、-Xf-(CH2)s’-Xc-、-Xf-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’- -Xf-Xd-、或-Xf-Xd-(CH2)t’-式中，Xf、s’及t’係與上述相同意義，
Xc為-O-、或-CONR34-所示之基、
Xd為-CONR34-所示之基、
R34於每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳係甲基)。
在一態樣中，上述X5係-Xf-(CH2)s’-Xc-、-Xf-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’- -Xf-Xd-、或-Xf-Xd-(CH2)t’-式中，Xf、s’及t’係與上述相同意義，
Xc為-CONR34-所示之基、
Xd為-CONR34-所示之基、
R34於每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳係甲基)。
在一態樣中，上述X5可為單鍵、C1-20伸烷基、-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’-、或-Xd-(CH2)t’-式中，各記號係與上述相同意義。
較佳係上述X5為單鍵、或-Rf’-X14-所示之基。式中，X14係C1-20伸烷基、-(CH2)s’-O-(CH2)t’-、-(CH2)s’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-、-(CH2)s’-O-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-、或-(CH2)s’-O-(CH2)t’-Si(R33)2-(CH2)u’-Si(R33)2-(CvH2v)-基式中，R33、m’、s’、t’及u’係與上述相同意義，v係1至20之整數，較佳係2至6之整數，更佳係2至3之整數，
Rf’係單鍵或-(Cl’F2l’)-，
l’係1至4之整數。
上述式中，-(CvH2v)-可為直鏈，亦可為支鏈，例如，可為-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH(CH3)-、-CH(CH3)CH2-。
上述X5基係可被選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基(較佳係C1-3全氟烷基)之1個或多於1個的取代基取代。
在另一態樣中，X5基係例如，可列舉下述之基：
Figure 109136121-A0202-12-0040-4
Figure 109136121-A0202-12-0041-5
 式中，R41係分別獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6之烷基、或C1-6烷氧基，較佳係甲基；
D係-Rf’-X15-所示之基式中，X15係選自-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、 -CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、及
Figure 109136121-A0202-12-0042-6
 (式中，R42係分別獨立地表示氫原子、C1-6之烷基或C1-6之烷氧基，較佳係表示甲基或甲氧基，更佳係表示甲基。)之基，
Rf’係單鍵或-(Cl’F2l’)-，
l’係1至4之整數，
E係-(CH2)n-(n係2至6之整數)，
D係鍵結於分子主鏈之PFPE，E係鍵結於與PFPE為相反之基。
上述X5之具體的例係例如：可列舉單鍵、或以-Rf’-X10-所示之基等。式中，X10係選自由-CH2OCH2-、-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、 -CF2-CH2-O-CH2-、-CF2-CH2-O-(CH2)2-、-CF2-CH2-O-(CH2)3-、-CF2-CH2-O-(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、 -CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-C(O)NH-CH2-、-CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-CF2-、-(CF2)2-、-CF2-CH2-、-CF2-(CH2)2-、-CF2-(CH2)3-、-CF2-(CH2)4-、 -CF2-(CH2)5-、-CF2-(CH2)6-、-CO- -CONH- -CONH-CH2-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CONH-(CH2)6-、-CF2CONH-、-CF2CONHCH2-、-CF2CONH(CH2)2-、-CF2CONH(CH2)3-、-CF2CONH(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph係意指苯基)、-CF2-CON(CH3)-(CH2)3-、-CF2-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、-CF2-CON(CH3)-(CH2)6-、-CF2-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、 -CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、-OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、
Figure 109136121-A0202-12-0047-8
 所組成之群組中的基，
Rf’係單鍵或-(Cl’F2l’)-，
l’係1至4之整數。
在更佳之態樣中，X5係表示Xe’。Xe’係單鍵、碳原子數1至6之伸烷基、-R51-C6H4-R52-、-R51-CONR4-R52-、-R51-CONR4-C6H4-R52-、-R51-CO-R52-、-R51-CO-C6H4-R52-、-R51-SO2NR4-R52-、-R51-SO2NR4-C6H4-R52-、-R51-SO2-R52-、或-R51-SO2-C6H4-R52-。R51及R52係分別獨立地表示單鍵或碳原子數1至6之伸烷基，較佳係單鍵或碳原子數1至3之伸烷基。R4係與上述相同意義。上述伸烷基係取代或非取代，較佳係非取代。上述伸烷基之取代基係例如，可列舉鹵素原子，較佳係氟原子。上述伸烷基係直鏈狀或支鏈狀，以直鏈狀為較佳。
在更佳的態樣中，Xe’可為單鍵、-Xf-、碳原子數1至6、較佳係碳原子數1至3之伸烷基、-Xf-C1-6伸烷基、較佳係-Xf-C1-3伸烷基、更佳係-Xf-C1-2伸烷基、-C6H4-R52’-、-CONR4’-R52’-、 -CONR4’-C6H4-R52’-、-Xf-CONR4’-R52’-、-Xf-CONR4’-C6H4-R52’-、-CO-R52’-、-CO-C6H4-R52’-、-SO2NR4’-R52’-、-SO2NR4’-C6H4-R52’-、-SO2-R52’-、-SO2-C6H4-R52’-、-R51’-C6H4-、-R51’-CONR4’-、-R51’-CONR4’-C6H4-、-R51’-CO-、-R51’-CO-C6H4-、-R51’-SO2NR4’-、-R51’-SO2NR4’-C6H4-、-R51’-SO2-、-R51’-SO2-C6H4-、-C6H4- -CONR4’-、-CONR4’-C6H4-、-Xf-CONR4’-、 -Xf-CONR4’-C6H4-、-CO-、-CO-C6H4-、-SO2NR4’-、-SO2NR4’-C6H4- -SO2-、或-SO2-C6H4-(式中，R51’及R52’係分別獨立地為碳原子數1至6，較佳係碳原子數1至3之直鏈之伸烷基，如上述，上述伸烷基係取代或非取代，上述伸烷基之取代基係例如，可列舉鹵素原子，較佳係氟原子。
R4’係氫原子或甲基。)。
在上述之中，Xe’較佳係可為-Xf-、碳原子數1至6、較佳係碳原子數1至3之伸烷基、-Xf-C1-6伸烷基、較佳係-Xf-C1-3伸烷基、更佳係-Xf-C1-2伸烷基、-CONR4’-R52’-、-CONR4’-C6H4-R52’-、-Xf-CONR4’-R52’-、-Xf-CONR4’-C6H4-R52’-、-R51’-CONR4’-、-R51’-CONR4’-C6H4-、 -CONR4’-、-CONR4’-C6H4-、-Xf-CONR4’-、-Xf-CONR4’-C6H4-、-R51’-CONR4’-、或-R51’-CONR4’-C6H4-。式中，Xf、R4’、R51’及R52’係分別與上述相同意義。
上述之中，Xe’更佳係可為-CONR4’-R52’-、-CONR4’-C6H4-R52’-、-Xf-CONR4’-R52’-、-Xf-CONR4’-C6H4-R52’-、-R51’-CONR4’-、-R51’-CONR4’-C6H4-、-CONR4’-、-CONR4’-C6H4-、-Xf-CONR4’-、或-Xf-CONR4’-C6H4-。
在本態樣中，Xe’之具體例係例如，可列舉單鍵、碳原子數1至6之全氟伸烷基(例如，-CF2-、-(CF2)2-等)、碳原子數1至6之伸烷基、 -CF2-C1-6伸烷基、-CONH-、-CONH-CH2-、-CONH-(CH2)2- -CONH-(CH2)3-、-CF2-CONH-、-CF2CONHCH2-、-CF2CONH(CH2)2-、-CF2CONH(CH2)3-、-CON(CH3)-、-CON(CH3)-CH2-、-CON(CH3)-(CH2)2-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CF2-CON(CH3)-、-CF2-CON(CH3)CH2-、-CF2-CON(CH3)-(CH2)2-、-CF2-CON(CH3)-(CH2)3-、-CH2-CONH-、-CH2-CONH-CH2-、-CH2-CONH-(CH2)2-、-CH2-CONH-(CH2)3-、-CF2-CH2-CONH-、 -CF2-CH2-CONH-CH2-、-CF2-CH2-CONH-(CH2)2-、-CF2-CH2-CONH-(CH2)3-、-CONH-C6H4-、-CON(CH3)-C6H4-、-CH2-CON(CH3)-CH2-、-CH2-CON(CH3)-(CH2)2-、-CH2-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(CH3)-C6H4-、-CF2-CONH-C6H4-、-CF2-CON(CH3)-C6H4-、-CF2-CH2-CON(CH3)-CH2-、-CF2-CH2-CON(CH3)-(CH2)2-、-CF2-CH2-CON(CH3)-(CH2)3-、-CF2-CON(CH3)-C6H4-、-CO-、-CO-C6H4-、-C6H4-、-SO2NH-、-SO2NH-CH2-、-SO2NH-(CH2)2-、-SO2NH-(CH2)3-、 -SO2NH-C6H4-、-SO2N(CH3)-、-SO2N(CH3)-CH2-、-SO2N(CH3)-(CH2)2-、-SO2N(CH3)-(CH2)3-、-SO2N(CH3)-C6H4-、-SO2-、-SO2-CH2-、-SO2-(CH2)2-、-SO2-(CH2)3-、或-SO2-C6H4-等。
上述列舉之中，較佳的Xe’係可列舉碳原子數1至6之伸烷基、碳原子數1至6之全氟伸烷基(例如，-CF2-、-(CF2)2-等)、-CF2-C1-6伸烷基、-CONH-、-CONH-CH2-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CF2CONH-、-CF2CONHCH2-、 -CF2CONH(CH2)2-、-CF2CONH(CH2)3-、-CON(CH3)-、-CON(CH3)-CH2-、-CON(CH3)-(CH2)2-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CF2-CON(CH3)-、-CF2-CON(CH3)CH2-、-CF2-CON(CH3)-(CH2)2-、-CF2-CON(CH3)-(CH2)3-、-CH2-CONH-、-CH2-CONH-CH2-、-CH2-CONH-(CH2)2-、-CH2-CONH-(CH2)3-、-CF2-CH2-CONH-、-CF2-CH2-CONH-CH2-、-CF2-CH2-CONH-(CH2)2-、-CF2-CH2-CONH-(CH2)3-、-CONH-C6H4-、-CON(CH3)-C6H4-、-CH2-CON(CH3)-CH2-、-CH2-CON(CH3)-(CH2)2-、 -CH2-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(CH3)-C6H4- -CF2-CONH-C6H4-、-CF2-CON(CH3)-C6H4-、-CF2-CH2-CON(CH3)-CH2-、-CF2-CH2-CON(CH3)-(CH2)2-、-CF2-CH2-CON(CH3)-(CH2)3-、-CF2-CON(CH3)-C6H4-、等。
上述列舉之中，更佳之Xe’係可列舉-CONH-、-CONH-CH2-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CF2CONH-、-CF2CONHCH2-、-CF2CONH(CH2)2-、-CF2CONH(CH2)3-、-CON(CH3)-、-CON(CH3)-CH2-、-CON(CH3)-(CH2)2-、-CON(CH3)-(CH2)3-、 -CF2-CON(CH3)-、-CF2-CON(CH3)CH2-、-CF2-CON(CH3)-(CH2)2-、-CF2-CON(CH3)-(CH2)3-、-CH2-CONH-、-CH2-CONH-CH2-、-CH2-CONH-(CH2)2-、-CH2-CONH-(CH2)3-、-CF2-CH2-CONH-、-CF2-CH2-CONH-CH2-、-CF2-CH2-CONH-(CH2)2-、-CF2-CH2-CONH-(CH2)3-、-CONH-C6H4-、-CON(CH3)-C6H4-、-CH2-CON(CH3)-CH2-、-CH2-CON(CH3)-(CH2)2-、-CH2-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(CH3)-C6H4- -CF2-CONH-C6H4-、-CF2-CON(CH3)-C6H4-、-CF2-CH2-CON(CH3)-CH2-、-CF2-CH2-CON(CH3)-(CH2)2-、 -CF2-CH2-CON(CH3)-(CH2)3-、或-CF2-CON(CH3)-C6H4-、等。
以上述式(A1)及(A2)所示之化合物係可藉由公知之方法，例如專利文獻1記載之方法或其改良方法來製造。
式(B1)及(B2)：
(Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ…(B1)
(Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ…(B2)
上述式(B1)及(B2)中，Rf及PFPE係與上述式(A1)及(A2)相關的記載為相同意義。
上述式中，X7係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基。可解釋為該X7係在式(B1)及(B2)所示之化合物中，為將主要提供撥水性及表面平滑性等之全氟聚醚部(Rf-PFPE部或-PFPE-部)、與、提供與基材之鍵結能的矽烷部(具體而言係-SiRa k1Rb l1Rc m1基)連結之連接體。因此，該X7係只要為式(B1)及(B2)所示之化合物可安定地存在者，可為任一有機基。
上述式中之γ係1至9之整數，γ’係1至9之整數。此等γ及γ’係依照X7之價數而決定，在式(B1)中，γ及γ’之和為與X7之價數相同。例如，X7為10價之有機基時，γ及γ’之和為10，例如，γ為9且γ’為1，γ為5且γ’為5，或γ為1且γ’為9。又，X7為2價之有機基時，γ及γ’為1。在式(B2)中，γ係從X7之價數的值減去1之值。
上述X7較佳係2至7價，更佳係2至4價，再更佳係2價之有機基。
在一態樣中，X7係2至4價之有機基，γ係1至3，γ’係1。
在另一態樣中，X7係2價之有機基，γ係1，γ’係1。此時，式(B1)及(B2)係下述式(B1’)及(B2’)所示。
Rf-PFPE-X7-SiRa k1Rb l1Rc m1…(B1’)
Rc m1Rb l1Ra k1Si-X7-PFPE-X7-SiRa k1Rb l1Rc m1…(B2’)
上述X7之例並無特別限定，但例如，可列舉與有關X5記載者為同樣者。
上述式中，Ra於每次出現時分別獨立地表示-Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1。
式中，Z1於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價之有機基。
上述Z1較佳係2價之有機基，且不包含在式(B1)或式(B2)中之形成分子主鏈的末端之Si原子(Ra進行鍵結之Si原子)與矽氧烷鍵結者。
上述Z1較佳係C1-6伸烷基、-(CH2)g-O-(CH2)h-(式中，g係1至6之整數，h係1至6之整數)或、-伸苯基-(CH2)i-(式中，i係0至6之整數)，更佳係C1-3伸烷基。此等基係例如，可被選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個或多於1個之取代基取代。
式中，R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’。Ra’係與Ra相同意義。
在Ra中，隔著Z1基而呈直鏈狀連結之Si係最大為5個。亦即，在上述Ra中，R71至少存在1個時，在Ra中隔著Z1基而呈直鏈狀連結之Si原子存在2個以上，但隔著如此之Z1基而呈直鏈狀連結之Si原子之數係最大為5個。又，「Ra中之隔著Z1基而呈直鏈狀連結之Si原子之數」係在Ra中，與呈直鏈狀連結之-Z1-Si-的重複數為相等。
例如，在下述，表示在Ra中隔著Z1基(在下述係僅表示為「Z」)而連結Si原子之一例。
Figure 109136121-A0202-12-0059-9
上述式中，＊係意指鍵結於主鏈之Si的部位，...係意指ZSi以外之預定的基進行鍵結，亦即，Si原子之3根鍵結對象全部為...時，ZSi之重複的終止處。又，Si之右上角的數字係意指從＊計算之隔著Z基而呈直鏈狀連結的Si之出現數。亦即，以Si2使ZSi重複終止之鏈係「Ra中之隔著Z1基而呈直鏈狀連結的Si原子之數」為2個，同樣地，以Si3、Si4及Si5使ZSi重複終止之鏈係「Ra中之隔著Z1基而呈直鏈狀連結之Si原子的數」分別為3、4及5個。又， 從上述之式明顯可知，在Ra中係存在複數之ZSi鏈，但此等係不需要全部為相同的長度，分別可為任意之長度。
在較佳的態樣中，如下述所示，「Ra中之隔著Z1基而呈直鏈狀連結之Si原子的數」係在全部之鏈中，為1個(左式)或2個(右式)。
Figure 109136121-A0202-12-0060-10
在一態樣中，Ra中之隔著Z基而呈直鏈狀連結之Si原子的數係1個或2個，較佳係1個。
式中，R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基。
上述所謂「可水解的基」係在本說明書中使用時，意指可受到水解反應之基。可水解的基之例係可列舉-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(此等式中，R係表示取代或非取代之碳數1至4之烷基)等，較佳係-OR(烷氧基)。R之例係包含甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等之非取代烷基；氯甲基等之取代烷基。其等之中，以烷基為佳，尤其以非取代烷基為較佳，以甲基或乙基為更佳。羥基並無特別限定，但可為可水解的基進行水解所產生者。
較佳係R72為-OR(式中，R係表示取代或非取代之C1-3烷基，更佳係表示甲基)。
式中，R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基較佳係碳數1至20之烷基，更佳係碳數1至6之烷基，再更佳係甲基。
式中，p1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；q1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；r1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數。惟p1、q1及r1之和為3。
較佳的態樣中，在Ra中之末端的Ra’(Ra’不存在時，Ra)中，上述q1較佳係2以上，例如為2或3，更佳係3。
在較佳的態樣中，Ra之末端部的至少1個可為-Si(-Z1-SiR72 qR73 r)2或-Si(-Z1-SiR72 qR73 r)3，較佳係可為-Si(-Z1-SiR72 qR73 r)3。式中，(-Z1-SiR72 qR73 r)之單元較佳係(-Z1-SiR72 3)。在更佳的態樣中，Ra之末端部係全部可為-Si(-Z1-SiR72 qR73 r)3，較佳係可為-Si(-Z1-SiR72 3)3。
上述式(B1)及(B2)中，係至少存在1個之R72。
上述式中，Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基。
上述Rb較佳係羥基、-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(此等式中，R係表示取代或非取代之碳數1至4之烷基)，較佳係-OR。R係包含甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等之非取代烷基；氯甲基等之取代烷基。其等之中，以烷基為佳，尤其以非取代烷基為較佳，以甲基或乙基為更佳。羥基並無特別限定，但可為可水解的基進行水解所產生者。更佳係Rb為-OR(式中，R係表示取代或非取代之C1-3烷基，更佳係表示甲基)。
上述式中，Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基較佳係碳數1至20之烷基，更佳係碳數1至6之烷基，再更佳係甲基。
式中，k1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；l1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；m1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數。惟k1、l1及m1之和為3。
在較佳的態樣中，k1於每次出現時分別獨立地為1至3之整數；l1於每次出現時分別獨立地為0至2之整數；m1於每次出現時分別獨立地為0至2之整數。
上述式(B1)及(B2)所示之化合物係例如，可藉由以對應於Rf-PFPE-部分之全氟聚醚衍生物作為原料，在末端導入羥基之後，在末端導入具有不飽和鍵結之基，使具有該不飽和鍵結之基與具有鹵素原子之矽基衍生物反應，再者，在該矽基在末端導入羥基，使具有經導入之不飽和鍵結的基與矽基衍生物反應而獲得。
式(C1)及(C2)：
(Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ…(C1)
(Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ…(C2)
上述式(C1)及(C2)中，Rf及PFPE係與有關上述式(A1)及(A2)之記載為相同意義。
上述式中，X9係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基。可解釋為該X係在式(C1)及(C2)所示之化合物中，使主要提供撥水性及表面平滑性等之全氟聚醚部(亦即，Rf-PFPE部或-PFPE-部)、與、提供與基材之鍵結能的部 分(亦即，標註δ並以括弧括起之基)進行連結之連接體。因此，該X係只要式(C1)及(C2)所示之化合物可安定地存在者即可，可為任一者之有機基。
上述式中，δ係1至9之整數，且δ’係1至9之整數。此等δ及δ’係可依照X之價數而變化。在式(C1)中，δ及δ’之和係與X之價數為相同。例如，X為10價之有機基時，δ及δ’之和為10，例如，δ為9且δ’為1，δ為5且δ’為5，或δ為1且δ’為9。又，X9為2價之有機基時，δ及δ’為1。在式(C2)中，δ係從X9之價數減去1之值。
上述X9較佳係2至7價，更佳係2至4價，再更佳係2價之有機基。
在一態樣中，X9係2至4價之有機基，δ為1至3，δ’為1。
在另一態樣中，X9係2價之有機基，δ為1，δ’為1。此時，式(C1)及(C2)係以下述式(C1’)及(C2’)所示。
Rf-PFPE-X9-CRd k2Re l2Rf m2…(C1’)
Rf m2Re l2Rd k2C-X9-PFPE-X9-CRd k2Re l2Rf m2…(C2’)
上述X9之例並無特別限定，但例如，可列舉與有關X5記載者為同樣者。
上述式中，Rd於每次出現時分別獨立地表示-Z2-CR81 p2R82 q2R83 r2。
式中，Z2於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價之有機基。
上述Z2較佳係C1-6伸烷基、-(CH2)g-O-(CH2)h-(式中，g係0至6之整數，例如1至6之整數，h係0至6之整數，例如1至6之整數)、或、-伸 苯基-(CH2)i-(式中，i係0至6之整數)，更佳係C1-3伸烷基。此等基係例如可被選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個或多於1個的取代基取代。
式中，R81於每次出現時分別獨立地表示Rd’。Rd’係與Rd為相同意義。
Rd中，隔著Z2基而呈直鏈狀連結之C係最大為5個。亦即，上述Rd中，R81至少存在1個時，在Rd中隔著Z2基而呈直鏈狀連結之C原子存在2個以上，但隔著如此之Z2基而呈直鏈狀連結之C原子的數係最大為5個。又，所謂「Rd中之隔著Z2基而呈直鏈狀連結的C原子之數」係在Rd中，與呈直鏈狀連結之-Z2-C-的重複數為相等。此係與有關在式(B1)及(B2)中之Ra的記載為同樣。
在較佳的態樣中，「在Rd中之隔著Z2基而呈直鏈狀連結的C原子之數」係在全部之鏈中，為1個(左式)或2個(右式)。
在一態樣中，在Rd中之隔著Z2基而呈直鏈狀連結的C原子之數係1個或2個，較佳為1個。
式中，R82係表示-Y-SiR85 n2R86 3-2n。
Y於每次出現時分別獨立地表示2價之有機基。
在較佳的態樣中，Y係C1-6伸烷基、-(CH2)g’-O-(CH2)h’-(式中，g’係0至6之整數，例如1至6之整數，h’係0至6之整數，例如為1至6之整數)、或-伸苯基-(CH2)i’-(式中，i’係0至6之整數)。此等基係例如，可被選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個或多於1個之取代基取代。
在一態樣中，Y可為C1-6伸烷基、-O-(CH2)H’-或-伸苯基-(CH2)i’-。Y為上述之基時，耐光性尤其耐紫外線性為可更提高。
上述R85於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基。
上述所謂「可水解的基」係在本說明書中使用時，意指可受到水解反應之基。可水解的基之例係可列舉-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(此等式中，R係表示取代或非取代之碳數1至4的烷基)等，較佳係-OR(烷氧基)。R之例係包含甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等之非取代烷基；氯甲基等之取代烷基。其等之中，以烷基為佳，尤其以非取代烷基為較佳，以甲基或乙基為更佳。羥基並無特別限定，但可為可水解的基進行水解所產生者。
較佳係R85為-OR(式中，R係表示取代或非取代之C1-3烷基，更佳係表示乙基或甲基，尤其表示甲基)。
上述R86於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基較佳係碳數1至20之烷基，更佳係碳數1至6之烷基，再更佳係甲基。
n2係於每個(-Y-SiR85 n2R86 3-n2)單元獨立地表示0至3之整數，較佳係1至3之整數，更佳係2或3，再更佳係3。
上述R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基。該低級烷基較佳係碳數1至20之烷基，更佳係碳數1至6之烷基，再更佳係甲基。在一態樣中，R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。
在式中，p2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；q2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；r2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數。惟p2、q2及r2之和為3。
在較佳的態樣中，Rd中之末端的Rd’(Rd’不存在時，Rd)中，上述q2較佳係2以上，例如為2或3，更佳係3。
在較佳的態樣中，Rd之末端部的至少1個可為-C(-Y-SiR85 q2R86 r2)2或-C(-Y-SiR85 q2R86 r2)3，較佳係可為-C(-Y-SiR85 q2R86 r2)3。式中，(-Y-SiR85 q2R86 r2)之單元較佳係(-Y-SiR85 3)。在再更佳的態樣中，Rd之末端部係全部可為-C(-Y-SiR85 q2R86 r2)3，較佳係可為-C(-Y-SiR85 3)3。
在上述式中，Re於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2。在此，Y、R85、R86及n2係與上述R82中之記載為相同意義。
上述式中，Rf於每次出現時分別獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基。該低級烷基較佳係碳數1至20之烷基，更佳係碳數1至6之烷基，再更佳係甲基。在一態樣中，Rf於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。
式中，k2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；l2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；m2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數。惟k2、l2及m2之和為3。
在一態樣中，至少1個k2為2或3，較佳係3。
在一態樣中，k2為2或3，較佳係3。
在一態樣中，l2為2或3，較佳係3。
在上述式(C1)及(C2)中，至少1個q2係2或3，或，至少1個l係2或3。亦即，式中，至少存在2個之-Y-SiR85 n2R86 3-n2基。
以式(C1)或式(C2)所示之含有全氟(聚)醚基的矽烷化合物係可藉由組合公知之方法來製造。例如，X為2價之式(C1’)所示的化合物並無限定，但可如以下之方式進行製造。
在一態樣中，上述之各態樣中的Rf’係在式(A1)、(B1)及(C1)中為單鍵，在式(A2)、(B2)及(C2)中，位於PFPE之左側的X5中為(Cl’F2l’)，位於PFPE之右側的X5中為(Cl’F2l’)。
在一態樣中，在上述之各態樣中的Rf’可為單鍵。
上述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)所示之含有全氟(聚)醚基的矽烷化合物並無特別限定，但可具有5×102至1×105之數平均分子量。上述數平均分子量較佳係可為2,000至30,000，更佳係可為3,000至10,000，再更佳係可為3,000至8,000。如此之「數平均分子量」係藉由GPC(凝膠滲透層析法)分析來測定。
在本揭示之表面處理劑中，相對於式(A1)、(B1)及(C1)(以下，亦稱為「單末端化合物」)所示之化合物、及分別以式(A2)、(B2)或(C2)(以下，亦稱為「兩末端化合物」)所示之化合物的合計，兩末端化合物較佳係0.1莫耳%以上35莫耳%以下。相對於單末端化合物與兩末端化合物之合計，兩末端化合物之含量的下限較佳係可為0.1莫耳%，更佳係可為0.2莫耳%，再更佳係可為0.5莫耳%，又再更佳係可為1莫耳%，特別佳係可為2莫耳%，特別係可為5莫耳%。相對於單末端化合物與兩末端化合物之合計，兩末端化合物之含量的上限較佳係可為35莫耳%，更佳係可為30莫耳%，再更佳係可為20莫耳%，又再更佳係可為15莫耳%或10莫耳%。相對於單末端化合物與兩末端化合物之合計，兩末端化合物較佳係0.1莫耳%以上30莫耳%以下，更佳係0.1莫耳%以上20莫耳%以下，再更佳係0.2莫耳%以上10莫耳%以下，又再更佳係0.5莫耳%以上10莫耳%以下，特別佳係1莫耳%以上10莫耳%以下，例如為2莫耳%以上10莫耳 %以下、或5莫耳%以上10莫耳%以下。藉由使兩末端化合物設為如此之範圍，可更提高耐摩擦性。
本揭示之表面處理劑係可包含溶劑、可理解作為含氟油之(非反應性之)氟聚醚化合物、較佳係全氟(聚)醚化合物(以下，彙整稱為「含氟油」)、可理解作為聚矽氧油之(非反應性之)聚矽氧化合物(以下，稱為「聚矽氧油」)、觸媒、界面活性劑、聚合抑制劑、增感劑等。
上述溶劑係例如，可列舉己烷、環己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、礦油精等之脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、萘、溶劑油等之芳香族烴類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸-正丁酯、乙酸異丙酯、乙酸異丁酯、乙酸賽璐蘇(cellosolve acetate)賽璐蘇、丙二醇甲基醚乙酸酯、乙酸卡必醇、草酸二乙酯、丙酮酸乙酯、2-羥基丁酸乙酯、乙醯基乙酸乙酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯等之酯類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、2-己酮、環己酮、甲基胺基酮、2-庚酮等之酮類；乙基賽璐蘇、甲基賽璐蘇、乙酸甲賽璐蘇、乙酸乙賽璐蘇、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丁基醚乙酸酯、二丙二醇二甲基醚、乙二醇單烷基醚等之甘醇醚類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、三級丁醇、二級丁醇、3-戊醇、辛醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、三級戊醇等之醇類；乙二醇、丙二醇等之二醇類；四氫呋喃、四氫吡喃、二惡烷等之環狀醚類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等之醯胺類；甲基賽璐蘇、賽璐蘇、異丙基賽璐蘇、丁基賽璐蘇、二乙二醇單甲基醚等之醚醇類；二乙二醇單乙基醚乙酸酯；1,1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷、1,2-二氯-1,1,2,2-四氟乙烷、二甲基亞碸、1,1- 二氯-1,2,2,3,3-五氟丙烷(HCFC225)、ZEORORAH、HFE7100、HFE7200、HFE7300等之含氟溶劑等。或此等之2種以上的混合溶劑等。
含氟油並無特別限定，但例如，可列舉以下之通式(3)所示的化合物(全氟(聚)醚化合物)。
Rf5-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-Rf6…(3)
式中，Rf5係表示可被1個或多於1個之氟原子取代的碳數1至16烷基(較佳係C1-16之全氟烷基)，Rf6係表示可被1個或多於1個之氟原子取代之碳數1至16烷基(較佳係C1-16全氟烷基)、氟原子或氫原子，Rf5及Rf6更佳係分別獨立地為C1-3全氟烷基。
a’、b’、c’及d’係分別表示構成聚合物之主骨架的全氟(聚)醚之4種重複單元數，互相獨立地為0以上300以下之整數，a’、b’、c’及d’之和係至少為1，較佳係1至300，更佳係20至300。標註下標a’、b’、c’或d’並以括弧括起之各重複單元的存在順序係在式中為任意。此等重複單元之中，-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及(OCF2CF(C2F5))-之任一者，但較佳係-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及(OCF2CF(CF3))-之任一者，較佳係-(OCF2CF2CF2)-。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及(OCF(CF3))-之任一者，但較佳係-(OCF2CF2)-。
上述通式(3)所示之全氟(聚)醚化合物之例，可列舉以下之通式(3a)及(3b)之任一者所示的化合物(可為1種或2種以上之混合物)。
Rf5-(OCF2CF2CF2)b”-Rf6…(3a)
Rf5-(OCF2CF2CF2CF2)a”-(OCF2CF2CF2)b”-(OCF2CF2)c”-(OCF2)d”-Rf6…(3b)
此等式中，Rf5及Rf6係如上述；在式(3a)中，b”為1以上100以下之整數；在式(3b)中，a”及b”係分別獨立地為0以上30以下之整數，c”及d”係分別獨立地為1以上300以下之整數。標註下標a”、b”、c”、d”並以括弧括起之各重複單元之存在順序係在式中為任意。
又，從另一觀點而言，含氟油可為以通式Rf3-F(式中，Rf3係C5-16全氟烷基。)所示之化合物。又，可為氯三氟乙烯寡聚物。
上述含氟油係可具有500至10000之平均分子量。含氟油之分子量係可使用GPC來測定。
含氟油係相對於本揭示之組成物，例如，可含有0至50質量%，較佳係可含有0至30質量%，更佳係可含有0至5質量%。在一態樣中，本揭示之組成物係實質上不含有含氟油。所謂實質上不含有含氟油係意指完全不含有含氟油、或可含有極微量之含氟油。
在一態樣中，與其增大含有氟聚醚基的化合物之平均分子量，不如可增大含氟油之平均分子量。藉由設為如此之平均分子量，尤其，藉由真空蒸鍍法形成表面處理層時，可獲得更優異之耐摩擦性與表面平滑性。
在一態樣中，與其減少含有氟聚醚基的化合物之平均分子量，不如減少含氟油之平均分子量。藉由設為如此之平均分子量，可抑制由如此之化合物所獲得之表面處理層的透明性之降低，同時並可形成具有高耐摩擦性及高表面平滑性之硬化物。
含氟油係有助於提高藉由本揭示之組成物所形成的層之表面平滑性。
上述聚矽氧油係例如，可使用矽氧烷鍵結為2,000以下之直鏈狀或環狀之聚矽氧油。直鏈狀之聚矽氧油可為所謂之直鏈聚矽氧油及改質聚矽氧油。直鏈聚矽氧油係可列舉二甲基聚矽氧油、甲基苯基聚矽氧油、甲基氫聚矽氧油。改質聚矽氧油係可列舉使直鏈聚矽氧油藉由烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等改質者。環狀之聚矽氧油係例如，可列舉環狀二甲基矽氧烷油等。
本揭示之組成物(例如，表面處理劑)中，如此之聚矽氧油係相對於上述本揭示之含有氟聚醚基的矽烷化合物之合計100質量份(2種以上時係此等之合計，以下亦相同)，例如可含有0至300質量份，較佳係可含有50至200質量份。
聚矽氧油係有助於提高表面處理層之表面平滑性。
上述觸媒係可列舉酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如氨、三乙基胺、二乙基胺等)、過渡金屬(例如Ti、Ni、SN等)等。
觸媒係促進本揭示之含有氟聚醚基的矽烷化合物之水解及脫水縮合，且促進藉由本揭示之組成物(例如表面處理劑)所形成的層之形成。
其他之成分係如上述以外，例如，亦可列舉四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷等。
本揭示之組成物係可使用來作為進行基材之表面處理的表面處理劑。
本揭示之表面處理劑係含浸於使多孔質物質例如多孔質之陶瓷材料、金屬纖維例如鋼絲絨硬化成綿狀者，而可形成為顆粒。該顆粒係例如可使用於真空蒸鍍。
以下，說明有關本揭示之物品。
本揭示之物品係包含基材、及於該基材表面由包含本揭示之氟烷基矽烷寡聚物混合物、及含有全氟烷基的矽烷化合物之表面處理劑所形成的層(表面處理層)。
在本揭示中，可使用之基材係例如可以玻璃、樹脂(可為天然或合成樹脂，例如一般的塑膠材料，亦可為板狀、膜、其他之形態)、金屬、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築構件等任意之適當的材料所構成。
例如，應製造之物品為光學構件時，構成基材之表面的材料可為光學構件用材料，例如玻璃或透明塑膠等。又，應製造之物品為光學構件時，在基材之表面(最外層)可形成一些層(或膜)例如硬塗層或抗反射層等。抗反射層係可使用單層抗反射層及多層抗反射層之任一者。可使用於抗反射層之無機物的例係可列舉SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。此等之無機物係可單獨、或組合此等之2種以上(例如作為混合物)而使用。設為多層抗反射層時，在其最外層係以使用SiO2及/或SiO為較佳。應製造之物品為觸控面板用之光學玻璃零件時，在基材(玻璃)表面之一部分可具有使用透明電極例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅等之薄膜。又，基材係依照其具體的規格等，而可具有絶緣層、黏著層、保護層、裝飾殼層(I-CON)、霧化膜層、硬塗膜層、偏光膜、相位差膜、及液晶顯示模組等。
基材之形狀並無特別限定。又，應形成表面處理層之基材的表面區域係只要為基材表面之至少一部分即可，可依照應製造之物品的用途及具體的規格等而適當決定。
如此之基材係至少其表面部分可為由原本具有羥基之材料所構成者。如此之材料係可列舉玻璃，又，可列舉在表面形成自然氧化膜或熱氧化膜之金屬(尤其卑金屬)、陶瓷、半導體等。或，如樹脂等，即使具有羥基，亦不充分時，或原本不具有羥基時，係可藉由對基材施予一些前處理，在基材之表面導入或增加羥基。如此之前處理之例係可列舉電漿處理(例如電暈放電)、或離子束照射。電漿處理係可在基材表面導入或增加羥基，同時亦可適宜利用於用以清潔基材表面(除去異物等)。又，如此之前處理之另一例係可列舉藉由LB法(朗謬-布洛傑(Langmuir-Blodgett法)或化學吸附法等，而在基材表面預先以單分子膜之形態形成具有碳-碳不飽和鍵結基之界面吸附劑，其後，在包含氧或氮等之環境下使不飽和鍵結進行裂開之方法。
又或，如此之基材係至少其表面部分可為由包含具有1個以上之另一反應性基例如Si-H基的聚矽氧化合物、或烷氧基矽烷的材料所構成者。
其次，在如此之基材的表面形成上述之本揭示的表面處理劑之層，依需要而進行後處理該層，藉此，由本揭示之表面處理劑形成層。
本揭示之表面處理劑之層形成係可藉由對於基材之表面以被覆該表面之方式應用上述之組成物來實施。被覆方法並無特別限定。例如，可使用潤濕被覆法及乾燥被覆法。
潤濕被覆法之例係可列舉浸漬塗佈、旋轉塗佈、流動塗佈、噴塗塗佈、輥塗佈、凹版塗佈及類似之方法。
乾燥被覆法之例係可列舉蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺鍍、CVD及類似之方法。蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)之具體例係可列舉電阻加熱、電子束、使用微波等之高頻加熱、離子束及類似之方法。CVD方法之具體例係可列舉電漿-CVD、光學CVD、熱CVD及類似之方法。
再者，亦可以常壓電漿法進行被覆。
使用潤濕被覆法時，本揭示之表面處理劑係可在以溶劑稀釋之後應用於基材表面。從本揭示之組成物的安定性及溶劑之揮發性之觀點而言，以使用下列之溶劑為較佳：碳數5至12之全氟脂肪族烴(例如，全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1,3-二甲基環己烷)；聚氟芳香族烴(例如，雙(三氟甲基)苯)；聚氟脂肪族烴(例如，C6F13CH2CH3(例如，旭硝子股份有限公司製之ASAHICLEAN(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如，日本ZEON股份有限公司製之ZEORORA(註冊商標)H)；氫氟醚(HFE)(例如，全氟丙基甲基醚(C3F7OCH3)(例如，住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7000)、全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)(例如，住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7100)、全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)(例如，住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7200)、全氟己基甲基醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如，住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7300)等之烷基全氟烷基醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或支狀)、或CF3CH2OCF2CHF2(例如，旭硝子股份有限公司製之ASAHICLEAN(註冊商標)AE-3000))等。此等之溶劑係可單獨、或作為2種以上之混合物而使用。其中，以氫氟醚為較佳，以全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)及/或全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)為特佳。
使用乾燥被覆法時，本揭示之表面處理劑係可直接賦予至乾燥被覆法，或以上述之溶劑稀釋後賦予至乾燥被覆法。
表面處理劑之層形成較佳係在層中，以本揭示之表面處理劑與用以水解及脫水縮合之觸媒一起存在之方式來實施。簡單而言，係以潤濕被覆法進行時，將本揭示之表面處理劑以溶劑稀釋之後，應用於基材表面之前，可在本揭示之表面處理劑之稀釋液中添加觸媒。以乾燥被覆法進行時，係可使用顆粒狀物質而進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，而該顆粒狀物質係將經添加觸媒之本揭示的表面處理劑直接進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)，或在鐵或酮等之金屬多孔體含浸已添加觸媒之本揭示的表面處理劑。
觸媒係可使用任意之適當的酸或鹼。酸觸媒係例如，可使用乙酸、甲酸、三氟乙酸等。又，鹼觸媒係例如，可使用氨、有機胺類等。
如上述，在基材之表面形成源自本揭示之表面處理劑的層，製造本揭示之物品。藉此所得到之上述層係具有高的表面平滑性與高的耐摩擦性之兩者。又，上述層係除了高的耐摩擦性以外，尚亦依使用之表面處理劑的組成而定，但可具有撥水性、撥油性、防污性(例如防止指紋等之污垢的附著)、防水性(防止水侵入電子零件等)、表面平滑性(或潤滑性，例如指紋等之污垢的擦拭性、或對手指之優異的觸感)等，可適宜應用於功能性薄膜。
亦即，本揭示係進一步亦有關在最外層具有上述表面處理層之光學材料。
光學材料係有關如後述般例示之顯示器等的光學材料之外，較佳尚可列舉各式各樣的光學材料：例如，陰極線管(CRT；例如，個人監視器)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點矩陣顯示器、背面投影型顯示器、螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器(FED；Field Emission Display)等顯示器或其等之顯示器的保護板、或在其等之表面經施予抗反射膜處理者。
具有藉由本揭示所得到之層的物品並無特別限定，但可為光學構件。光學構件之例係可列舉如下者：眼鏡等之透鏡；PDP、LCD等之顯示器的前面保護板、抗反射板、偏光板、抗眩板；行動電話、行動資訊終端機等機器的觸控面板片；藍光(Blu-Ray(註冊商標))光碟、DVD光碟、CD-R、MO等之光碟的碟面；光纖；時鐘之顯示面等。
又，具有藉由本揭示所得到之層的物品可為醫療機器或醫療材料。
上述層之厚度並無特別限定。光學構件之情形，上述層之厚度為1至50nm，為1至30nm，從光學性能、表面平滑性、耐摩擦性及防污性之點而言，較佳係1至15nm之範圍。
以上，詳述有關本揭示。又，本揭示係不限定於上述例示者。
[實施例]
以下，有關本揭示之表面處理劑，在實施例中，雖然進行說明，但本揭示係不受以下之實施例所限定者。又，在本實施例中，以下所示之化學式係全部表示平均組成。
NMR試驗方法
在以下之實施例中，如以下方式取得NMR。藉由以14.1T之磁場強度進行操作之29Si-29各磁性共振(NMR)分光器(Bruker AV III 600 Spectrometer)分析試料。將試料加入於10mm之NMR管中，以Novec 7100稀釋成濃度10至30%。以45°之脈衝寬度使用逆閘控去偶脈衝序列(gated decoupling pulse sequence)(29Si：25秒延遲，1.42秒之AQ)。
合成例1：氟烷基矽烷寡聚物(化合物1)之合成
合成例1-1(化合物1-1之合成)
將1H,1H,2H,2H-全氟辛基三甲氧基矽烷(15.0g，32mmol)溶解於丙酮(30.0g)中。一邊將0.05N之HCl水溶液(721.5mg)(莫耳比，矽烷/水=約1/1.25)加入於丙酮溶液中一邊在室溫下攪拌。將反應混合物藉由氣體色層分析法進行監視。藉由一邊使N2除氣，一邊使揮發成分在50mmHg下50℃蒸發來去除。從無色過濾帶有灰色之殘渣油。生成物係在汎用有機溶劑中為不溶性，在氟化溶劑為可溶性。所得到之化合物1-1之OCH3對Si的含有比為2.0(莫耳比)。
如下述藉由GPC測定來求得重量平均分子量(Mw)及數平均分子量(Mn)，結果，Mw為4217，Mn為2837。
(GPC測定)
使用將以下之管柱[昭和電工股份有限公司製]依序串聯配管而成者測定重量平均分子量(Mw)及數平均分子量(Mn)。又，使用全氟聚醚油A、B、C校正分子量。
‧校正用試樣
全氟聚醚油A：數平均分子量7250Mw/Mn 1.08
全氟聚醚油B：數平均分子量4180Mw/Mn 1.08
全氟聚醚油C：數平均分子量2725Mw/Mn 1.08
‧管柱
GPC KF-G(4.6mmI.D.×1cm)
GPC KF806L(8.0mmI.D.×30cm)
GPC KF806L(8.0mmI.D.×30cm)
‧裝置
Malvern Instruments公司製GPCmax(HPLC系統)及、TDA-302(檢測器)
‧溶析液
ASAHICLEAN AK225(HCFC-225)/1,1,1,3,3,3-七氟-2-丙醇[90/10(w/w)]
‧試樣濃度
20mg/mL
所得到之氟烷基矽烷寡聚物混合物的29Si-NMR：T0,0%(40-48ppm),T1,12.57%(48-54ppm),T2,63.74%(54-63ppm),T3,23.68%(63-75ppm).
合成例1-2(化合物1-2之合成)
將1H,1H,2H,2H-全氟辛基三甲氧基矽烷(23.42g，50mmol)溶解於丙酮(46.8g)中。一邊將0.05N之HCl水溶液(901mg)(莫耳比，矽烷/水=約1/1)加入於丙酮溶液中一邊在室溫下攪拌。將反應混合物藉由氣體色層分析法進行監視。藉由一邊使N2除氣，一邊使揮發成分在50mmHg下50℃蒸發來去除。過濾無色至帶有灰色之殘渣油。生成物係在汎用有機溶劑中為不溶性，在氟化溶劑為可溶性。所得到之化合物1-2之OCH3對Si的含有比為2.25(莫耳比)。
與上述同樣地，藉由GPC測定重量平均分子量(Mw)及數平均分子量(Mn)。Mw：3515、Mn：2416
所得到之氟烷基矽烷寡聚物混合物的29Si-NMR：T0,0.96%(40-48ppm),T1,15.09%(48-54ppm),T2,35.14%(54-63ppm),T3,49.31%(63-75ppm)
合成例2：含有全氟烷基的矽烷化合物(化合物2)之調製
就化合物2而言，係與日本特開2019-70098號之合成例6的化合物F同樣方式，而合成下述之化合物。具體而言，係在安裝有回流冷卻器、溫度計、攪拌機之50ml的4口燒瓶中，裝填 CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)30CF2CF2CONHCH2C(CH2CH=CH2)3(5.0g)、1,3-雙(三氟甲基)苯(8ml)及三氯矽烷(1.10g)，在氮氣流下，在5℃下攪拌30分鐘。繼而，加入含有1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷的Pt錯合物2%之二甲苯溶液(0.11ml)後，升溫至60℃，以該溫度攪拌4小時。其後，在減壓下餾去揮發成分。繼而，加入1,3-雙(三氟甲基)苯(8ml)，在55℃下攪拌10分鐘之後，加入甲醇(0.16g)與正甲酸三甲酯(5.36g)之混合溶液，在該溫度攪拌2小時。其後，藉由在減壓下餾去揮發成分，獲得下述化合物2。
化合物2：
CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)30CF2CF2CONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3
表面處理劑1至7之調製
將在合成例1-1及1-2所得到之化合物1-1及化合物1-2、以及在合成例2所得到之化合物2以表1所示之質量比進行混合，以成為濃度20質量%之方式，溶解於氫氟醚(3M日本股份有限公司、Novec HFE7200)，分別獲得表面處理劑1至7。具體而言，最初，係依序將化合物2及HFE7200加入至容器中，在25℃下攪拌30分鐘。然後，加入化合物1，在25℃下攪拌30分鐘。
實施例1至7
將上述所得到之表面處理劑1至7分別真空蒸鍍於化學強化玻璃(CORNING公司製、「GORILLA」玻璃、厚度0.7mm)上。真空蒸鍍之處理條件係壓力為3.0×10-3Pa。首先，在化學強化玻璃表面以電子束體積法，形成二氧化矽膜。繼而，每1片化學強化玻璃，蒸鍍表面處理劑2mg(亦即，含有表面處理劑0.4mg)。其後，將附有蒸鍍膜之化學強化玻璃在溫度20℃及濕度65%之環境下靜置24小時，在化學強化玻璃上形成實施例1至7之表面處理層。
比較例1
僅使用在合成例2所得到之化合物2取代表面處理劑1至7以外，其餘係與上述實施例同樣地形成表面處理層。
[表1]
Figure 109136121-A0202-12-0080-11
耐摩擦性試驗
對於在上述於基材表面由表面處理劑1至7所形成之表面處理層(實施例1至7)及由化合物2所形成之表面處理層(比較例1)，測定水之靜態接觸角。水之靜態接觸角係使用接觸角測定裝置(協和界面科學公司製)，而以水1μL實施。
首先，就初期評估而言，形成表面處理層後，在其表面以尚無任何接觸之狀態，測定水之靜態接觸角(摩擦次數 零次)。
其後，就耐摩擦性評估而言，實施鋼絲絨耐摩擦性評估。具體而言，係將形成有表面處理層之基材水平配置，使鋼絲絨(編號#0000、尺寸5mm×10mm×10mm)接觸表面處理層之露出上面，在其上賦予1,000gf之荷重，其後，以施加荷重之狀態使鋼絲絨以140mm/秒之速度往返。往返次數每1,000次測定水之靜態接觸角(度)。又，評估係至往返次數10,000為止，或，進行至接觸角之測定值未達80°為止。將結果表示於表2中(「-」係未測定)。
[表2]
Figure 109136121-A0202-12-0081-12
上述「實1」至「實7」係分別表示實施例1至7，「比1」係表示比較例1。
從上述之結果明顯可知，使用含有氟烷基矽烷寡聚物混合物與含有全氟烷基的矽烷化合物之表面處理劑的實施例1至7係相較於使用不含有氟烷基矽烷寡聚物混合物之表面處理劑的比較例1，顯示高的耐摩擦性。
[產業上之利用可能性]
本揭示之表面處理劑係可適宜利用於用以在各式各樣的基材尤其要求穿透性之光學構件之表面上形成表面處理層。

Claims (22)

  1. 一種表面處理劑，係包含：
    (1)氟烷基矽烷寡聚物混合物、及
    (2)含有全氟烷基的矽烷化合物，
    前述氟烷基矽烷寡聚物混合物係包含下述式(I)所示之氟烷基矽烷化合物之部分水解縮合物，
    Rf1-Q1-SiR1 pX1 3-p (I)式中：
    Rf1為ClF2l+1，
    l為1至10之整數，
    Q1為單鍵或碳數1至6之2價的烴基，
    R1係分別獨立地為碳數1至6之1價的烴基，
    X1係分別獨立地為羥基或可水解的基，
    p為0至2之整數；
    前述含有全氟烷基的矽烷化合物為以下述式(II)所示之化合物，
    [A]b1Q2[B]b2 (II)式中：
    Q2為具有(b1+b2)之價數的鍵結基，
    A為Rf3-O-Rf2-所示之基，
    Rf2為聚(氧氟伸烷基)鏈，
    Rf3為全氟烷基，
    B為具有1個-R12-(SiR2 rX2 3-r)且不含有氟原子之1價的基，
    R12為碳原子數2至10之烴基，該碳原子數2至10之烴基在碳-碳原子間、或於與Si所鍵結之末端為相反側之末端可具有醚性氧原子，或在碳-碳原子間可具有-NH-，
    R2係分別獨立地為氫原子、或可具有取代基之碳數1至6的1價之烴基，
    X2係分別獨立地為羥基或可水解的基，
    r為0至2之整數，
    Q2及B係不包含環狀矽氧烷結構，
    b1為1至3之整數，
    b2為2至9之整數，
    其中，b1為2以上時，b1個之A可為相同，亦可為相異，b2個之B可為相同，亦可為相異。
  2. 如請求項1所述之表面處理劑，其中，式(II)中之Rf2為以-(CaF2aO)n-所示之基，
    式中，a為1至6之整數，n為2以上之整數，各-CaF2aO-單元可為相同，亦可為相異。
  3. 如請求項1或2所述之表面處理劑，其中，
    式(II)中之Rf2為-(CF2CF2CF2CF2CF2CF2O)n1-(CF2CF2CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-(CF2CF2CF2O)n4-(CF(CF3)CF2O)n5-(CF2CF2O)n6-(CF2O)n7-所示之基，
    式中，n1、n2、n3、n4、n5、n6及n7係分別獨立地為0以上之整數，且n1、n2、n3、n4、n5、n6及n7之合計係2以上，各重複單元能以嵌段、交互、無規之任一形式存在。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之表面處理劑，其中，以式(I)所示之氟烷基矽烷化合物為以式(I-1)或(I-2)所示之化合物，
    CF3(CF2)l-1-(CH2)t-SiX1 3 (I-1)
    CF3(CF2)l-1-(CH2)t-SiR1X1 2 (I-2)
    式中，l為1至10之整數，t為1至6之整數，X1及R1係與請求項1所述者為相同意義。
  5. 一種表面處理劑，係包含
    (1)氟烷基矽烷寡聚物混合物、及
    (2)含有全氟烷基的矽烷化合物；
    前述氟烷基矽烷寡聚物混合物係包含下述式(I)所示之氟烷基矽烷化合物之部分水解縮合物，
    Rf1-Q1-SiR1 pX1 3-p (I)式中：
    Rf1為ClF2l+1，
    l為1至10之整數，
    Q1為單鍵或碳數1至6之2價的烴基，
    R1係分別獨立地為碳數1至6之1價的烴基，
    X1係分別獨立地為羥基或可水解的基，
    p為0至2之整數；
    前述含有全氟烷基的矽烷化合物為下述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)之任一者所示之化合物，
    (Rf-PFPE)β’-X5-(SiR21 n1R22 3-n1)β…(A1)
    (R22 3-n1R21 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR21 n1R22 3-n1)β…(A2)
    (Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ…(B1)
    (Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ…(B2)
    (Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ…(C1)
    (Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ…(C2)式中：
    PFPE於每次出現時分別獨立地為下式所示之基，
    -(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-式中，a、b、c及d係分別獨立地為0至200之整數，且a、b、c及d之和至少為1，標註下標a、b、c或d並以括弧括起之各重複單元之存在順序在式中為任意；
    Rf於每次出現時分別獨立地表示可被1個或多於1個之氟原子取代之碳數1至16之烷基；
    R21於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
    R22於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22之烷基；
    n1係於每個(-SiR21 n1R22 3-n1)單元獨立地為0至3之整數；
    惟在式(A1)及(A2)中，至少1個n1為1至3之整數；
    X5係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基；
    β係分別獨立地為1至9之整數；
    β’係分別獨立地為1至9之整數；
    X7係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基；
    γ係分別獨立地為1至9之整數；
    γ’係分別獨立地為1至9之整數；
    Ra於每次出現時分別獨立地表示-Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1；
    Z1於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價之有機基；
    R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’；
    Ra’係與Ra為相同意義；
    Ra中，隔著Z1基而呈直鏈狀連結之Si係最大為5個；
    R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
    R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；
    p1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
    q1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
    r1於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
    惟在式(B1)及(B2)中，至少1個q1為1至3之整數；
    Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
    Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；
    k1於每次出現時分別獨立地為1至3之整數；
    l1於每次出現時分別獨立地為0至2之整數；
    m1於每次出現時分別獨立地為0至2之整數；
    惟標註γ並以括弧括起之單元中，k1、l1及m1之和為3；
    X9係分別獨立地表示單鍵或2至10價之有機基；
    δ係分別獨立地為1至9之整數；
    δ’係分別獨立地為1至9之整數；
    Rd於每次出現時分別獨立地表示-Z2-CR81 p2R82 q2R83 r2；
    Z2於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價之有機基；
    R81於每次出現時分別獨立地表示Rd’；
    Rd’係與Rd為相同意義；
    Rd中，隔著Z2基而呈直鏈狀連結之C係最大為5個；
    R82於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；
    Y於每次出現時分別獨立地表示2價之有機基；
    R85於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；
    R86於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；
    n2係於每個(-Y-SiR85 n2R86 3-n2)單元獨立地表示0至3之整數；
    惟在式(C1)及(C2)中，至少1個n2係1至3之整數；
    R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基；
    p2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
    q2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
    r2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
    Re於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；
    Rf於每次出現時分別獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基；
    k2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
    l2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
    m2於每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
    惟在式(C1)及(C2)中，至少1個q2為2或3，或至少1個l2為2或3。
  6. 如請求項5所述之表面處理劑，其中，Rf為碳數1至16之全氟烷基。
  7. 如請求項5或6所述之表面處理劑，其中，
    PFPE為下列之式(i)至(iv)之任一者所示之基，
    -(OCF2CF2CF2)b- (i)
    式中，b為1至200之整數；
    -(OCF(CF3)CF2)b- (ii)
    式中，b為1至200之整數；
    -(OCF2CF2CF2CF2)a-(OCF2CF2CF2)b-(OCF2CF2)c-(OCF2)d- (iii)
    式中，a及b係分別獨立地為0或1至30之整數，c及d係分別獨立地為1至200之整數，標註下標a、b、c或d並以括弧括起之各重複單元的存在順序在式中為任意；
    或
    -(R7-R8)f- (iv)
    式中，R7於每次出現時分別獨立地為OCF2或OC2F4，R8於每次出現時分別獨立地為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之基，或由此等基獨立地選擇之2或3個基的組合；
    f為2至100之整數。
  8. 如請求項5至7中任一項所述之表面處理劑，其中，k1為3，Ra中，q1為3。
  9. 如請求項5至8中任一項所述之表面處理劑，其中，l2為3，n2為3。
  10. 如請求項5至9中任一項所述之表面處理劑，其中，Y為C1-6伸烷基、-(CH2)g’-O-(CH2)h’-(式中，g’為0至6之整數，h’為0至6之整數)、或-伸苯基-(CH2)i’-(式中，i’為0至6之整數)。
  11. 如請求項5至10中任一項所述之表面處理劑，其中，X5、X7及X9分別獨立地為2至4價之有機基，β、γ及δ分別獨立地為1至3，β’、γ’及δ’為1。
  12. 如請求項5至11中任一項所述之表面處理劑，其中，X5、X7及X9為2價之有機基，β、γ及δ為1，β’、γ’及δ’為1。
  13. 如請求項5至12中任一項所述之表面處理劑，其中，
    X5、X7及X9分別獨立地為以-(R31)p’-(Xa)q’-所示之基式中：
    R31係分別獨立地表示單鍵、-(CH2)s’-(式中，s’為1至20之整數)或鄰、間或對伸苯基；
    Xa係表示-(Xb)l’-(式中，l’為1至10之整數)；
    Xb於每次出現時分別獨立地表示選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(式中，m’為1至100之整數)、-CONR34-、-O-CONR34-、-NR34-及-(CH2)n’-(式中，n’為1至20之整數)所組成之群組中的基；
    R33於每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；
    R34於每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基；
    p’為0、1或2；
    q’為0或1；
    在此，p’及q’之至少一者為1，標註p’或q’並以括弧括起之各重複單元之存在順序在式中為任意；
    R31及Xa係可被選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個之取代基取代。
  14. 如請求項5至13中任一項所述之表面處理劑，其中，
    X5、X7及X9分別獨立地為單鍵、或-Rf’-X10-，
    式中，X10係選自-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、 -CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2- -CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2- -CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、 -CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph係意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2- -C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、 -OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、
    Figure 109136121-A0202-13-0012-14
     所組成之群組中的基，
    Rf’為單鍵或-(Cl’F2l’)-，
    l’為1至4之整數。
  15. 如請求項5至10中任一項所述之表面處理劑，其中，X5、X7及X9分別獨立地為3至10價之有機基。
  16. 如請求項15所述之表面處理劑，其中，
    X5、X7及X9分別獨立地選自下列者所組成之群組，
    Figure 109136121-A0202-13-0012-13
    Figure 109136121-A0202-13-0013-15
     式中，在各基中，T之中至少1個係在式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)中鍵結於PFPE之如下的基，
    -Rf’-X11-式中，X11為選自下列者所組成之群組中的基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph係意指苯基)、及
    Figure 109136121-A0202-13-0013-16
    Rf’為單鍵或-(Cl’F2l’)-，
    l’為1至4之整數；
    另外的T之中至少1個係在式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)及(C2)中鍵結於碳原子或Si原子之-(CH2)n-(n為2至6之整數)，有存在時，其餘之T係分別獨立地為甲基、苯基、碳數1至6之烷氧基或自由基捕捉基或紫外線吸收基，
    R41係分別獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6之烷氧基或碳數1至6之烷基，
    R42係分別獨立地表示氫原子、C1-6之烷基或C1-6之烷氧基。
  17. 如請求項1至16中任一項所述之表面處理劑，其中，氟烷基矽烷寡聚物混合物之數平均分子量為300以上。
  18. 如請求項1至17中任一項所述之表面處理劑，其中，氟烷基矽烷寡聚物混合物之數平均分子量為4500以下。
  19. 如請求項1至18中任一項所述之表面處理劑，其中，相對於氟烷基矽烷寡聚物混合物與含有全氟烷基的矽烷化合物之合計量，氟烷基矽烷寡聚物混合物之含量為20質量%以下。
  20. 如請求項1至19中任一項所述之表面處理劑，其中，相對於氟烷基矽烷寡聚物混合物與含有全氟烷基的矽烷化合物之合計量，氟烷基矽烷寡聚物混合物為0.1質量%以上。
  21. 一種物品，係包含基材、及由請求項1至20中任一項所述之表面處理劑形成在該基材之表面的層。
  22. 如請求項21所述之物品，其中，前述物品為光學構件。
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