TW201731916A - 表面處理劑 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可形成具有撥水性、撥油性、防污性、防水性且具有高摩擦耐久性、高表面平滑性及高透明性之層之包含含全氟(聚)醚基的矽烷化合物之表面處理劑。本發明之表面處理劑，其特徵為：包含(1)下述一般式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)中任一者表示之至少1種的含全氟(聚)醚基的矽烷化合物，□□(Rf-PFPE)β’-X5-(SiR1n1R23-n1)β．．．(B1) (R23-n1R1n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR1n1R23-n1)β．．．(B2) (Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRak1Rbl1Rcm1)γ．．．(C1) (Rcm1Rbl1Rak1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRak1Rbl1Rcm1)γ．．．(C2) (Rf-PFPE)δ’-X9-(CRdk2Rel2Rfm2)δ．．．(D1) (Rfm2Rel2Rdk2C)δ-X9-PFPE-X-(CRdk2Rel2Rfm2)δ．．．(D2)[式中，各記號係與說明書內的記載相同意義]；以及(2)下述一般式(O)所示的含氟油，Rf1-PFPE’-Rf2…(O)[式中，各記號係與說明書內的記載相同意義]，上述一般式(O)所示的含氟油中，具有含氟油的數量平均分子量的2.0倍以上的分子量之含氟油的含量為10莫耳%以下。

Description

表面處理劑
本發明係關於一種表面處理劑，具體而言，係關於一種包含含全氟(聚)醚基的矽烷化合物及含氟油所成的表面處理劑。
已知一些含氟的矽烷化合物使用於基材的表面處理時，可提供良好的撥水性、撥油性、防污性等。由包含含氟的矽烷化合物之表面處理劑所得之層(以下亦稱為「表面處理層」)，作為所謂的功能性薄膜，例如被實施於玻璃、塑膠、纖維、建築材料等的各種基材。
作為如此的含氟的矽烷化合物，已知為分子主鏈具有全氟聚醚基、分子末端或末端部具有鍵結於Si原子的可水解的基之含全氟聚醚基的矽烷化合物。例如於專利文獻1及2，記載分子末端或末端部具有鍵結於Si原子的可水解的基之含全氟聚醚基的矽烷化合物。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第97/07155號
[專利文獻2]日本特表2008-534696號公報
[專利文獻3]國際公開第2014/163057號
由包含含全氟聚醚基的矽烷化合物之表面處理劑所得之層，由於可發揮撥水性、撥油性、防污性等的功能，適合利用於要求光穿透性及透明性之眼鏡、觸控面板等的光學構件。特別是於該等用途，即使附著指紋等的污垢也可容易地拭去，且使用者用手指觸摸顯示面板操作時，可提供良好的觸感，要求實現高的表面平滑性。再者，即使受到重覆摩擦，也可維持如此的功能地，要求摩擦耐久性。
為了賦予表面處理層良好的表面平滑性，已知使表面處理劑包含含氟油(專利文獻3)。但是，本發明人等，注意到包含含全氟聚醚基的矽烷化合物之表面處理劑，混合含氟油時，所得表面處理層的透明性有降低的情形。
本發明之目的係提供一種可形成具有撥水性、撥油性、防污性、防水性且具有高摩擦耐久性、高表面平滑性及高透明性的層之包含含全氟(聚)醚基的矽烷化合物之表面處理劑。
本發明人等，專心檢討的結果，發現於包含含全氟(聚)醚基的矽烷化合物及含氟油的表面處理劑中， 藉由降低包含於表面處理劑的含氟油的高分子量部分的含量，即可抑制透明性的降低且形成具有高摩擦耐久性及高表面平滑性的表面處理層，因而完成本發明。
亦即，根據本發明的第1要旨，提供一種表面處理劑，其包含：(1)下述一般式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)中任一者表示之至少1種的含全氟(聚)醚基的矽烷化合物，
(Rf-PFPE)β’-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B1)
(R2 3-n1R1 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B2)
(Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C1)
(Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C2)
(Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D1)
(Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D2)
[式中，PFPE於每次出現時分別獨立地為式： -(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d分別獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和至少為1，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意)所示的基；Rf於每次出現時分別獨立地表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R1於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R2於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基；R11於每次出現時分別獨立地表示氫原子或鹵原子；R12於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；n1於每一(-SiR1 n1R2 3-n1)單元係獨立地為0至3的整數；但是於式(A1)、(A2)、(B1)及(B2)，至少1個n1為1至3的整數；X1分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；X2於每次出現時分別獨立地表示單鍵或2價的有機基；t於每次出現時分別獨立地為1至10的整數；α分別獨立地為1至9的整數； α’分別獨立地為1至9的整數；X5分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；β分別獨立地為1至9的整數；β’分別獨立地為1至9的整數；X7分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；γ分別獨立地為1至9的整數；γ’分別獨立地為1至9的整數；Ra於每次出現時分別獨立地表示-Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1；Z1於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基；R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’；Ra’係與Ra相同意義；Ra中，隔著Z1基連結為直鏈狀之Si，最大為5個；R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；p1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；但是於式(C1)及(C2)，至少1個q1為1至3的整數；Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷 基；k1於每次出現時分別獨立地為1至3的整數；l1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數；m1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數；但是於附有下標γ而以括號括起來的單元，k1、l1及m1的和為3；X9分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；δ分別獨立地為1至9的整數；δ’分別獨立地為1至9的整數；Rd於每次出現時分別獨立地表示-Z2-CR81 p2R82 q2R83 r2；Z2於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基；R81於每次出現時分別獨立地表示Rd’；Rd’係與Rd相同意義；Rd中，隔著Z2基連結為直鏈狀之C，最大為5個；R82於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；Y於每次出現時分別獨立地表示2價的有機基；R85於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R86於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；n2於每一(-Y-SiR85 n2R86 3-n2)單元係獨立地表示1至3的整數；但是於式(D1)及(D2)，至少1個n2為1至3的整 數；R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；p2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；Re於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；Rf於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；k2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；l2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；m2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；但是於式(D1)及(D2)，至少1個q2為2或3，或至少1個l2為2或3]；以及(2)下述一般式(O)所示的含氟油，Rf1-PFPE’-Rf2…(O)
[式中，Rf1表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基；Rf2表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基、氟原子或氫原子；PFPE’為-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-；a’、b’、c’及d’分別獨立地為0以上300以下的整數，a’、b’、c’及d’的和至少為1，附有下 標a’、b’、c’或d’而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意]
其中，上述一般式(O)所示的含氟油中，具有含氟油的數量平均分子量的2.0倍以上的分子量之含氟油的含量為10莫耳%以下。
根據本發明的第2要旨，提供一種表面處理劑，其包含：(1)下述一般式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)中任一者表示之至少1種的含全氟(聚)醚基的矽烷化合物，
(Rf-PFPE)β’-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B1)
(R2 3-n1R1 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B2)
(Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C1)
(Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C2)
(Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D1)
(Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D2) [式中，PFPE於每次出現時分別獨立地為式：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d分別獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和至少為1，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意)所示的基；Rf於每次出現時分別獨立地表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R1於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R2於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基；R11於每次出現時分別獨立地表示氫原子或鹵原子；R12於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；n1於每一(-SiR1 n1R2 3-n1)單元係獨立地為0至3的整數；但是於式(A1)、(A2)、(B1)及(B2)，至少1個n1為1至3的整數；X1分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；X2於每次出現時分別獨立地表示單鍵或2價的有機基； t於每次出現時分別獨立地為1至10的整數；α分別獨立地為1至9的整數；α’分別獨立地為1至9的整數；X5分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；β分別獨立地為1至9的整數；β’分別獨立地為1至9的整數；X7分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；γ分別獨立地為1至9的整數；γ’分別獨立地為1至9的整數；Ra於每次出現時分別獨立地表示-Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1；Z1於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基；R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’；Ra’係與Ra相同意義；Ra中，隔著Z1基連結為直鏈狀之Si，最大為5個；R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；p1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；但是於式(C1)及(C2)，至少1個q1為1至3的整數； Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；k1於每次出現時分別獨立地為1至3的整數；l1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數；m1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數；但是於附有下標γ而以括號括起來的單元，k1、l1及m1的和為3；X9分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；δ分別獨立地為1至9的整數；δ’分別獨立地為1至9的整數；Rd於每次出現時分別獨立地表示-Z2-CR81 p2R82 q2R83 r2；Z2於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基；R81於每次出現時分別獨立地表示Rd’；Rd’係與Rd相同意義；Rd中，隔著Z2基連結為直鏈狀之C，最大為5個；R82於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；Y於每次出現時分別獨立地表示2價的有機基；R85於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R86於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基； n2於每一(-Y-SiR85 n2R86 3-n2)單元係獨立地表示1至3的整數；但是於式(D1)及(D2)，至少1個n2為1至3的整數；R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；p2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；Re於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；Rf於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；k2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；l2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；m2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；但是於式(D1)及(D2)，至少1個q2為2或3，或至少1個l2為2或3]；以及(2)下述一般式(O)所示的含氟油Rf1-PFPE’-Rf2…(O)[式中：Rf1表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基；Rf2表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基、氟原子或氫原子； PFPE’為-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-；a’、b’、c’及d’分別獨立地為0以上300以下的整數，a’、b’、c’及d’的和至少為1，附有下標a’、b’、c’或d’而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意]
其中，上述一般式(O)所示的含氟油中，具有5,000以上的分子量之含氟油的含量為10莫耳%以下。
根據本發明的第3要旨，提供一種含有上述表面處理劑之顆粒。
根據本發明的第4要旨，提供一種包含基材及於該基材的表面由上述表面處理劑所形成的層之物品。
根據本發明，提供一種包含含全氟(聚)醚基的矽烷化合物及含氟油之新穎表面處理劑。藉由使用該表面處理劑，可形成具有撥水性、撥油性及防污性且具有高透明性、高摩擦耐久性及高表面平滑性的表面處理層。
以下，說明關於本發明的化合物。
於本說明書使用的情況，所謂「烴基」係指包含碳及氫的基，使1個氫原子自碳化氫脫離後的基。作為如此的烴基，無特別限制，可經1個或多於1個的取代基取代之碳數1至20的烴基，例如脂肪族烴基、芳香族烴 基等。上述「脂肪族烴基」，可為直鏈狀、支鏈狀或環狀者，亦可為飽和或不飽和的任一種。而且，烴基，亦可包含1個或多於1個的環構造。而且，如此的烴基，其末端或分子鏈中，可具有1個或多於1個的N、O、S、Si、醯胺基、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰基氧基等。
於本說明書使用的情況，作為「烴基」的取代基，無特別限制，例如鹵原子；可經1個或多於1個的鹵原子取代之選自C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員的雜環基、5至10員的不飽和雜環基、C6-10芳香基及5至10員的C6-10雜芳香基的1個或多於1個的基。
於本說明書使用的情況，所謂「2至10價的有機基」係指含有碳的2至10價的基。作為如此的2至10價的有機基，無特別限制，例如進一步使1至9個氫原子自烴基脫離後的2至10價的基，例如作為2價有機基，無特別限制，例如進一步使1個氫原子自烴基脫離後的2價基。
本發明的表面處理劑係包含(1)含全氟(聚)醚基的矽烷化合物及(2)含氟油。
本發明所使用的上述含全氟(聚)醚基的矽烷化合物，係下述一般式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)中任一者表示之至少1種的矽烷化合物。
(Rf-PFPE)β’-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B1)
(R2 3-n1R1 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B2)
(Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C1)
(Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C2)
(Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D1)
(Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D2)以下，說明上述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)所示的含全氟(聚)醚基的矽烷化合物。
式(A1)以及(A2)：
上述式中，PFPE於每次出現時分別獨立地為式：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-，對應於全氟(聚) 醚基。此處，a、b、c及d分別獨立地為0或1以上的整數，a、b、c及d的和至少為1。較理想為a、b、c及d分別獨立地為0以上200以下的整數，例如為1至200的整數，更理想為分別獨立地為0以上100以下的整數。而且較理想為a、b、c及d的和為5以上，更理想為10以上，例如10以上100以下。而且，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意。該等重複單元中，-(OC4F8)-，可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-以及-(OCF2CF(C2F5))-之任一者，較理想為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-，可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-以及-(OCF2CF(CF3))-之任一者，更理想為-(OCF2CF2CF2)-。-(OC2F4)-，可為-(OCF2CF2)-以及-(OCF(CF3))-之任一者，較理想為-(OCF2CF2)-。
於一態樣，PFPE為-(OC3F6)b-(式中，b為1以上200以下，較理想為5以上200以下，更理想為10以上200以下的整數)，較理想為-(OCF2CF2CF2)b-(式中，b為1以上200以下，較理想為5以上200以下，更理想為10以上200以下的整數)或-(OCF(CF3)CF2)b-(式中，b為1以上200以下，較理想為5以上200以下，更理想為10以上200以下的整數)，更理想為-(OCF2CF2CF2)b-(式中，b為1以上200以下，較理想為5以上200以下，更理想為10以上200以下的整數)。
於其他態樣，PFPE為-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a及b分別獨立地為0以上30以下的整數，c及d分別獨立地為1以上200以下，較理想為5以上200以下，更加理想為10以上200以下的整數，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意)，較理想為-(OCF2CF2CF2CF2)a-(OCF2CF2CF2)b-(OCF2CF2)c-(OCF2)d-。於一態樣，PFPE為-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，c及d分別獨立地為1以上200以下，較理想為5以上200以下，更加理想為10以上200以下的整數，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意)。
再者，於其他態樣，PFPE為-(R7-R8)f-所示的基。式中，R7為OCF2或OC2F4，較理想為OC2F4。亦即，較理想的PFPE為-(OC2F4-R8)f-所示的基。式中，R8為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8的基，或者獨立地選自該等基的2個或3個的基之組合。作為獨立地選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之2個或3個的基之組合，無特別限制，例如-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、-OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、-OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。上述f為2至100的整數，較理想為2至50的整數。上述式中，OC2F4、OC3F6及OC4F8可為直鏈或支鏈的任一 種，較理想為直鏈。於該態樣，較理想之PFPE為-(OC2F4-OC3F6)f-或-(OC2F4-OC4F8)f-。
上述式中，Rf表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基。
上述可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基之「碳數1至16的烷基」，可為直鏈亦可為支鏈，較理想為直鏈或支鏈的碳數1至6，特別是碳數1至3的烷基，更理想為直鏈的碳數1至3的烷基。
上述Rf較理想為經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基，更理想為CF2H-C1-15氟伸烷基，更加理想為碳數1至16的全氟烷基。
該碳數1至16的全氟烷基，可為直鏈亦可為支鏈，較理想為直鏈或支鏈的碳數1至6，特別是碳數1至3的全氟烷基，更理想為直鏈的碳數1至3的全氟烷基，具體上為-CF3、-CF2CF3或-CF2CF2CF3。
上述式中，R1於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基。
上述式中，R2於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基，較理想為碳數1至4的烷基。
上述「可水解的基」，於本說明書使用的情況，係指可藉由水解反應而從化合物的主骨架脫離的基。作為可水解的基之例，例如-OR、-OCOR、-O-N=CR2、-NR2、-NHR、鹵素(該等式中R表示取代或無取代的碳數1至4的烷基)等，較理想為-OR(亦即烷氧基)。R的例，包括甲 基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等的無取代烷基；氯甲基等的取代烷基。該等之中，烷基，特別是無取代烷基較理想，更理想為甲基或乙基。羥基，無特別限制，可為可水解的基經水解而產生者。
上述式中，R11於每次出現時分別獨立地表示氫原子或鹵原子。鹵原子較理想為碘原子、氯原子或氟原子，更理想為氟原子。
上述式中，R12於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。低級烷基較理想為碳數1至20的烷基，更理想為碳數1至6的烷基，例如甲基、乙基、丙基等。
上述式中，n1於每一(-SiR1 n1R2 3-n1)單元獨立地為0至3的整數，較理想為1至3，更理想為3。但是，式中，全部的n1不會同時為0。換言之，式中，存在至少1個R1。
上述式中，X1分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基。該X1，於式(A1)及(A2)所示的化合物，被理解為主要提供撥水性及表面平滑性等的全氟聚醚部(亦即，Rf-PFPE部或-PFPE-部)與提供結合基材的能力之矽烷部(亦即附有下標α而以括號括起來的基)連結之鏈接子(linker)。所以，該X1，只要是可使式(A1)及(A2)所示的化合物安定存在者，可為任意有機基。
上述式中，α為1至9的整數，α’為1至9的整數。該等α及α’，可對應X1的價數而變化。於 式(A1)，α與α’的和係與X1的價數相同。例如於X1為10價的有機基的情況，α與α’的和為10，例如α為9且α’為1、α為5且α’為5或α為1且α’為9。而且，於X1為2價的有機基的情況，α及α’為1。於式(A2)，α為X1的價數減1後的值。
上述X1，較理想為2至7價，更理想為2至4價，更加理想為2價的有機基。
於一態樣，X1為2至4價的有機基，α為1至3，α’為1。
於其他態樣，X1為2價的有機基，α為1，α’為1。於該情況，式(A1)及(A2)係以下述式(A1’)及(A2’)表示。
作為上述X1之例，無特別限制，可列舉例如下述式所示之2價基，-(R31)p’-(Xa)q’-[式中：R31於每次出現時分別獨立地表示單鍵、-(CH2)s’-或o-、m-或p-伸苯基，較理想為-(CH2)s’-； s’為1至20的整數，較理想為1至6的整數，更理想為1至3的整數，更加理想為1或2；Xa於每次出現時分別獨立地表示-(Xb)l’-；Xb於每次出現時分別獨立地表示選自-O-、-S-、o-、m-或p-伸苯基、-C(O)O-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-、-O-CONR34-、-NR34-及-(CH2)n’-所成群組的基；R33於每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較理想為苯基或C1-6烷基，更理想為甲基；R34於每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較理想為甲基)；m’於每次出現時分別獨立地表示1至100的整數，較理想為1至20的整數；n’於每次出現時分別獨立地表示1至20的整數，較理想為1至6的整數，更加理想為1至3的整數；l’表示1至10的整數，較理想為1至5的整數，更加理想為1至3的整數；p’為0、1或2；q’為0或1；此處p’及q’之至少一者為1，附有p’或q’而以括號括起來的各重複單元的存在順序為任意]。此處，R31及Xa(典型上為R31及Xa的氫原子)，可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個的取代基取代。
較理想係上述X1為-(R31)p’-(Xa)q’-R32-。R32表示單鍵、-(CH2)t’-或o-、m-或p-伸苯基，較理想為 -(CH2)t’-。t’為1至20的整數，較理想為2至6的整數，更理想為2至3的整數。此處，R32(典型上為R32的氫原子)，可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個的取代基取代。
較理想係上述X1為C1-20伸烷基、-R31-Xc-R32-或-Xd-R32-
[式中，R31及R32係與上述相同意義。]。
更理想係上述X1為C1-20伸烷基、-(CH2)s’-Xc-、-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’--Xd-或-Xd-(CH2)t’-
[式中，s’及t’係與上述相同意義。]。
上述式中，Xc表示-O-、-S-、-C(O)O-、-CONR34-、-O-CONR34-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、 -O-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-Si(R33)2-O-Si(R33)2-CH2CH2-Si(R33)2-O-Si(R33)2-、-O-(CH2)u’-Si(OCH3)2OSi(OCH3)2-、-CONR34-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-(CH2)u’-N(R34)-或-CONR34-(o-、m-或p-伸苯基)-Si(R33)2-
[式中，R33、R34及m’係與上述相同意義，u’為1至20的整數，較理想為2至6的整數，更理想為2至3的整數。]。Xc較理想為-O-。
上述式中，Xd表示-S-、-C(O)O-、-CONR34-、-CONR34-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-、-CONR34-(CH2)u’-N(R34)-或-CONR34-(o-、m-或p-伸苯基)-Si(R33)2-
[式中，各記號係與上述相同意義]。
更理想係上述X1為C1-20伸烷基、-(CH2)s’-Xc-(CH2)t’-或-Xd-(CH2)t’-
[式中，各記號係與上述相同意義]。
更理想係上述X1為C1-20伸烷基、 -(CH2)s’-O-(CH2)t’-、-(CH2)s’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-、-(CH2)s’-O-(CH2)u’-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(CH2)t’-或-(CH2)s’-O-(CH2)t’-Si(R33)2-(CH2)u’-Si(R33)2-(CvH2v)-
[式中，R33、m’、s’、t’及u’係與上述相同意義，v為1至20的整數，較理想為2至6的整數，更理想為2至3的整數]。
上述式中，-(CvH2v)-可為直鏈，亦可為支鏈，例如為-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH(CH3)-、-CH(CH3)CH2-。
上述X1基可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基(較理想為C1-3全氟烷基)之1個或多於1個的取代基取代。
於其他態樣，作為X1基，例如可列舉下述的基。
[式中，R41分別獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6的烷基或C1-6烷氧基，較理想為甲基；D為選自-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、 -(CH2)4-、-CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中Ph係指苯基)以及 (式中，R42分別獨立地表示氫原子、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較理想為甲基或甲氧基，更理想為甲基)之基；E為-(CH2)n-(n為2至6的整數)；D鍵結於分子主鏈的PFPE，E鍵結於與PFPE對面的基。
作為上述X1的具體例，例如：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、 -CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-、CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、 -(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2--CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2- -C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、-OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、 等。
再者，於其他態樣，X1為式：-(R16)x-(CFR17)y-(CH2)z-所示的基。式中，x、y及z分別獨立地為0至10的整數，x、y及z的和為1以上，括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意。
上述式中，R16於每次出現時分別獨立地為氧原子、伸苯基、伸咔唑基、-NR26-(式中R26表示氫原子或有機基)或2價的有機基。較理想係R16為氧原子或2價的極性基。
作為上述「2價的極性基」，無特別限制，例如-C(O)-、-C(=NR27)-以及-C(O)NR27-(該等式中，R27表示氫 原子或低級烷基)。該「低級烷基」，例如碳數1至6的烷基，例如甲基、乙基、正丙基，該等可經1個或多於1個的氟原子取代。
上述式中，R17於每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或低級氟烷基，較理想為氟原子。該「低級氟烷基」，例如為碳數1至6，較理想為碳數1至3的氟烷基，較理想為碳數1至3的全氟烷基，更理想為三氟甲基、五氟乙基，更加理想為三氟甲基。
於該態樣，X1較理想為-(O)x-(CF2)y-(CH2)z-(式中x、y及z係與上述相同意義，括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意)所示的基。
作為上述式：-(O)x-(CF2)y-(CH2)z-所示的基，可列舉例如-(O)x’-(CH2)z”-O-[(CH2)z'''-O-]z””及-(O)x’-(CF2)y”-(CH2)z”-O-[(CH2)z'''-O-]z””(式中，x’為0或1，y”、z”及z'''分別獨立地為1至10的整數，z””為0或1)所示的基。再者，該等基之左端鍵結於PFPE側。
於其他較理想的態樣，X1為-O-CFR13-(CF2)e-。
上述R13分別獨立地表示氟原子或低級氟烷基。低級氟烷基係例如碳數1至3的氟烷基，較理想為碳數1至3的全氟烷基，更理想為三氟甲基、五氟乙基，更加理想為三氟甲基。
上述e分別獨立地為0或1。
於一具體例，R13為氟原子，e為1。
再者，於其他態樣，作為X1基之例，可列舉下述的基： [式中R41分別獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6的烷基或C1-6烷氧基，較理想為甲基；於各X1基，T中任意的某些個為鍵結於分子主鏈的PFPE之以下的基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、 -CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中Ph係指苯基)或 [式中R42分別獨立地表示氫原子、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較理想為甲基或甲氧基，更理想為甲基]，另外某些T為鍵結於分子主鏈的PFPE對面的基(亦即於(A1)、(A2)、(D1)及(D2)為碳原子或於下述的式(B1)、(B2)、(C1)及(C2)為Si原子)之-(CH2)n”-(n”為2至6的整數)，於存在的情況，其餘的T分別獨立可為甲基、苯基、C1-6烷氧基或自由基捕捉基或紫外線吸收基。
自由基捕捉基，只要是可捕捉因光照射而產生的自由基者，無特別限制，例如二苯甲酮類、苯并三唑類、安息香酸酯類、水楊酸苯酯類、巴豆酸(Crotonic acid)類、丙二酸酯類、有機丙烯酸酯類、受阻胺類、受阻酚類或三嗪類的殘基。
紫外線吸收基，只要是可吸收紫外線者，無特別限制，例如苯并三唑類、羥基二苯甲酮類、取代或無取代的安息香酸或水楊酸化合物的酯類、丙烯酸酯或烷氧 基肉桂酸酯類、草醯胺類、草醯苯胺(Oxanilide)類、苯并噁嗪酮(Benzoxazinone)類、苯并噁唑類的殘基。
於較理想的態樣，作為較理想的自由基捕捉基或紫外線吸收基，可列舉：
於該態樣，X1分別獨立地為3至10價的有機基。
上述式中，t分別獨立地為1至10的整數。於較理想的態樣，t為1至6的整數。於其他較理想的態樣，t為2至10的整數，較理想為2至6的整數。
上述式中，X3於每次出現時分別獨立地表示單鍵或2價有機基。X2較理想為碳數1至20的伸烷基，更理想為-(CH2)u-(式中，u為0至2的整數)。
較理想的式(A1)及(A2)所示的化合物為下述式(A1’)及(A2’)所示之化合物，
[式中：PFPE分別獨立地為式：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d分別獨立地表示0至200的整數，a、b、c及d的和至少為1，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意。)所示的基；Rf於每次出現時分別獨立地表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R1於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R2於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基；R11於每次出現時分別獨立地表示氫原子或鹵原子；R12於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；n1為1至3的整數，較理想為3；X1為-O-CFR13-(CF2)e-；R13為氟原子或低級氟烷基；e為0或1；X2為-(CH2)u-；u為0至2的整數(u為0的情況，X2為單鍵)；t為1至10的整數。]。
上述式(A1)及(A2)所示的化合物，可藉由例如以對應Rf-PFPE-部分的全氟聚醚衍生物為原料，於末端導入碘後，使對應-GH2CR12(X2-SiR1 n1R2 3-n1)-的乙烯基單體反應 而得。
式(B1)及(B2)：(Rf-PFPE)β’-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B1)
(R2 3-n1R1 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B2)
上述式(B1)及(B2)中，Rf、PFPE、R1、R2及n1，係與式(A1)及(A2)之相關記載相同意義。
上述式中，X5分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基。該X5，於式(B1)及(B2)所示的化合物，被理解為主要提供撥水性及表面平滑性等的全氟聚醚部(亦即，Rf-PFPE部或-PFPE-部)與提供結合基材的能力之矽烷部(具體上為-SiR1 n1R2 3-n1)連結之鏈接子(linker)。所以，該X5，只要是可使式(B1)及(B2)所示的化合物安定存在者，可為任一有機基。
上述式中的β為1至9的整數，β’為1至9的整數。該等β及β’係依據X5的價數決定，於式(B1)，β與β’的和係與X5的價數相同。例如於X5為10價的有機基的情況，β與β’的和為10，例如β為9且β’為1、β為5且β’為5、或β為1且β’為9。而且，於X5為2價的有機基的情況，β及β’為1。於式(B2)，β為X5的價數之值減1後的值。
X5為2至7價，更理想為2至4價，更加理想為2價的有機基。
於一態樣，X5為2至4價的有機基，β為1 至3，β’為1。
於其他態樣，X5為2價的有機基，β為1，β’為1。於該情況，式(B1)及(B2)為下述式(B1’)及(B2’)所示。
Rf-PFPE-X5-SiR1 n1R2 3-n1．．．(B1’)
R2 3-n1R1 n1Si-X5-PFPE-X5-SiR1 n1R2 3-n1．．．(B2’)
作為上述X5之例，無特別限制，例如與X1的相關記載相同者。
其中，較理想的具體X5例如為-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、 -CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CP3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2--CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、 -CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2--C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、 -OCH2-、-O(CH2)3--OCFHCF2-、 等。
較理想的式(B1)及(B2)所示的化合物為下述式(B1’)及(B2’)：Rf-PFPE-X5-SiR1 n1R2 3-n1．．．(B1’)
R2 3-n1R1 n1Si-X5-PFPE-X5-SiR1 n1R2 3-n1．．．(B2’)[式中：PFPE分別獨立地為式：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d分別獨立地表示0至200的整數，a、b、c及d的和至少為1，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意。)所示的基；Rf於每次出現時分別獨立地表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R1於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R2於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基； n1為1至3的整數，較理想為3；X5為-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-或-CH2O(CH2)6-]所示的化合物。
上述式(B1)及(B2)所示的化合物，可藉由習知的方法，例如專利文獻1記載的方法或其改良方法製造。例如式(B1)及(B2)所示的化合物，係下述式(B1-4)或(B2-4)：(Rf-PFPE)β’-X5’-(R92-CH=CH2)β．．．(B1-4)
(CH2=CH-R92)β-X5’-PFPE-X5’-(R92-CH=CH2)β．．．(B2-4)[式中：PFPE分別獨立地為式：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d分別獨立地表示0至200的整數，a、b、c及d的和至少為1，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意。)所示的基；Rf於每次出現時分別獨立地表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；X5’分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；β分別獨立地為1至9的整數；β’分別獨立地為1至9的整數；R92為單鍵或2價的有機基]所示的化合物，與HSiM3(式中，M分別獨立地為鹵原子、R1或R2，R1於每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的 基，R2於每次出現時分別獨立地為氫原子或碳數1至20的烷基)反應，依需要，可將上述鹵原子轉換為R1或R2，可得到式(B1”)或(B2”)：(Rf-PFPE)β’-X5’-(R92-CH2CH2-SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B1”)
(R1 n1R2 3-n1Si-CH2CH2-R92)β-X5’-PFPE-X5’-* *(R92-CH2CH2-SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B2”)[式中，PFPE、Rf、X5’、β、β’及R92與上述相同意義；n1為0至3的整數]所示的化合物。
於式(B1”)或(B2”)，從X5’至R92-CH2CH2-的部分，係對應式(B1)或(B2)之X5。
式(C1)及(C2)：(Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C1)
(Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C2)
上述式(C1)及(C2)中，Rf及PFPE，係與上述式(A1)及(A2)的相關記載相同意義。
上述式中，X7分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基。該X7，於式(C1)及(C2)所示的化合物，被理解為主要提供撥水性及表面平滑性等的全氟聚醚部(Rf-PFPE部或-PFPE-部)與提供結合基材的能力之矽烷部(具體上為-SiRa k1Rb l1Rc m1基)連結之鏈接子(linker)。所以，該X7，只要是可使式(C1)及(C2)所示的化合物安定存在 者，可為任一有機基。
上述式中的γ為1至9的整數，γ’為1至9的整數。該等γ及γ’係依據X7的價數決定，於式(C1)，γ與γ’的和係與X7的價數相同。例如於X7為10價的有機基的情況，γ與γ’的和為10，例如γ為9且γ’為1、γ為5且γ’為5，或γ為1且γ’為9。而且，於X7為2價的有機基的情況，γ及γ’為1。於式(C2)，γ為X7的價數之值減1後的值。
上述X7，較理想為2至7價，更理想為2至4價，更加理想為2價的有機基。
於一態樣，X7為2至4價的有機基，γ為1至3，γ’為1。
於其他態樣，X7為2價的有機基，γ為1，γ’為1。於該情況，式(C1)及(C2)為下述式(C1’)及(C2’)所示。
Rf-PFPE-X7-SiRa k1Rb l1Rc m1．．．(C1’)
Rc m1Rb l1Ra k1Si-X7-PFPE-X7-SiRa k1Rb l1Rc m1．．．(C2’)
作為上述X7之例，亦無特別限制，惟可列舉例如X1的相關記載相同者。
其中，較理想的具體X7例如為-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、 -CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、 -CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2--CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、 -CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2--C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、-OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、 等。
上述式中，Ra於每次出現時分別獨立地表示-Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1。
式中，Z1於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基。
上述Z1，較理想為2價的有機基，不包含形成式(C1)或式(C2)之分子主鏈的末端的Si原子(Ra鍵結的 Si原子)與矽氧烷鍵者。
上述Z1，較理想為C1-6伸烷基、-(CH2)g-O-(CH2)h-(式中，g為1至6的整數，h為1至6的整數)或-伸苯基-(CH2)i-(式中，i為0至6的整數)，更理想為C1-3伸烷基。該等基，可經選自例如氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中1個或多於1個的取代基取代。
式中，R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’。Ra’係與Ra相同意義。
Ra中，隔著Z1基連結為直鏈狀之Si，最大為5個。亦即，於上述Ra，於至少存在1個R71的情況，Ra中隔著Z1基連結為直鏈狀之Si原子存在2個以上，如此的隔著Z基連結為直鏈狀之Si原子的數，最大為5個。再者，所謂「Ra中隔著Z基連結為直鏈狀之Si原子的數」，係指與於Ra中連結為直鏈狀之-Z1-Si-的重複數目相等。
例如，下述於Ra中，隔著Z1基(下述僅以「Z」表示)連結Si之一例。
於上述式，*係指鍵結於主鏈的Si之部位，…係指鍵結ZSi以外的指定基，亦即Si原子的3根結合鍵全部…的情況，ZSi的重複之終點。而且，Si的右上標的數字，係指從*數來之隔著Z基連結為直鏈狀之Si的出現數目。亦即，在Si2，ZSi的重複截止之鏈係「Ra中隔著Z1基連結為直鏈狀之Si原子的數」為2個，同樣地在Si1、Si4及Si5，ZSi的重複截止之鏈係「Ra中隔著Z1基連結為直鏈狀之Si原子的數」分別為3、4及5個。再者，從上述式得知，於Ra中，ZSi鏈存在複數個，該等長度無需全部相同，分別可為任意長度。
於較理想的態樣，如下述所示，「Ra中隔著Z1基連結為直鏈狀之Si原子的數」，於全部的鏈為1個(左式)或2個(右式)。
於一態樣，Ra中隔著Z基連結為直鏈狀之Si原子的數」為1個或2個，較理想為1個。
式中，R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基。
上述所謂「可水解的基」，於本說明書使用 的情況，係指可接受水解反應的基。作為可水解的基之例，例如-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(該等式中R表示取代或無取代的碳數1至4的烷基)等，較理想為-OR(亦即烷氧基)。R的例，包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等的無取代的烷基；氯甲基等的取代烷基。該等之中，烷基，特別是無取代烷基較理想，更理想為甲基或乙基。羥基，無特別限制，可為可水解的基經水解而產生者。
較理想地，R72為-OR(式中R表示取代或無取代的C1-3烷基，更理想為甲基)。
式中，R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基較理想為碳數1至20的烷基，更理想為碳數1至6的烷基，更加理想為甲基。
式中，p1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數。但是，p1、q1及r1的和為3。
於較理想的態樣，於Ra的末端的Ra’(於Ra’不存在的情況為Ra)，上述q1較理想為2以上，例如2或3，更理想為3。
於較理想的態樣，Ra的末端部的至少1個為-Si(-Z1-SiR72 qR73 r)2或-Si(-Z1-SiR72 qR73 r)3，較理想為-Si(-Z1-SiR72 qR73 r)3。式中，(-Z1-SiR72 qR73 r)的單元，較理想為(-Z1-SiR72 3)。於更理想的態樣，Ra的末端部全部為 -Si(-Z1-SiR72 qR73 r)3，較理想為-Si(-Z1-SiR72 3)3。
於上述式(C1)及(C2)，存在至少1個R72。
上述式中，Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基。
上述Rb，較理想為羥基、-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(該等式中R表示取代或無取代的碳數1至4的烷基)等，較理想為-OR。R包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等的無取代烷基；氯甲基等的取代烷基。該等之中，烷基，特別是無取代烷基較理想，更理想為甲基或乙基。羥基，無特別限制，可為可水解的基經水解而產生者。更理想地，Rc為-OR(式中R表示取代或無取代的C1-3烷基，更理想為甲基)。
上述式中，Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基較理想為碳數1至20的烷基，更理想為碳數1至6的烷基，更加理想為甲基。
式中，k1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；l1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；m1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數。但是，k1、l1及m1的和為3。
上述式(C1)及(C2)所示的化合物，可藉由例如對應Rf-PFPE-部分的全氟聚醚衍生物為原料，於末端導入羥基後，於末端導入具有不飽和鍵的基，使該具有不飽和鍵的基與具有鹵原子的矽基衍生物反應，再於該矽基於末端導入羥基，使導入的具有不飽和鍵的基與矽基衍生物 反應而得。例如，可由以下方式得到。
較理想的式(C1)及(C2)所示的化合物為下述式(C1”)及(C2”)：Rf-PFPE-X7-SiRa 3．．．(C1”)
Ra 3Si-X7-PFPE-X7-SiRa 3．．．(C2”)[式中，PFPE分別獨立地表示式：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d分別獨立地表示0至200的整數，a、b、c及d的和至少為1，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意。)所示的基；Rf於每次出現時分別獨立地表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16-的烷基；X7表示-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-或-CH2O(CH2)6-；Ra於每次出現時分別獨立地表示-Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1；Z1表示C1-6伸烷基；R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’；Ra’係與Ra相同意義；Ra中隔著Z1基連結為直鏈狀之Si，最大為5個；R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；p1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數； q1於每次出現時分別獨立地為1至3的整數，較理想為3；r1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數；但是於一個Ra，p1、q1及r1的和為3]所示的化合物。
上述式(C1)及(C2)所示的化合物，例如可藉由以下方式製造。下述式(C1-4)或(C2-4)：(Rf-PFPE)γ’-X7’-(R92-CH=CH2)γ．．．(C1-4)
(CH2=CH-R92)γ-X7’-PFPE-X7’-(R92-CH=CH2)γ．．．(C2-4)[式中：PFPE分別獨立地為式：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d分別獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和至少為1，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意。)所示的基；Rf於每次出現時分別獨立地表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；X7’分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；γ分別獨立地為1至9的整數；γ’分別獨立地為1至9的整數；R92為單鍵或2價的有機基]所示的化合物，與HSiR93 k1Rb l1Rc m1(式中，R93為鹵原子，例 如氟原子、氯原子、溴原子或碘原子，較理想為氯原子，Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基，Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基，k1為1至3的整數，l1及m1分別獨立地為0至2的整數，k1、l1及m1的和為3)所示的化合物反應，得到式(C1-5)或(C2-5)：(Rf-PFPE)γ’-X7’-(R92-CH2CH2-SiR93 k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C1-5)
(Rc m1Rb l1R93 k1Si-CH2CH2-R92)γ-X7’-PFPE-* *X7’-(R92-CH2CH2-SiR93 k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C2-5)[式中，Rf、PFPE、R92、R93、Rb、Rc、γ、γ’、X7’、k1、l1及m1係與上述相同意義]所示的化合物。
所得之式(C1-5)或(C2-5)所示的化合物，與Hal-J-R94-CH=CH2(式中，Hal表示鹵原子(例如I、Br、Cl、F等)，J表示Mg、Cu、Pd或Zn，R94表示單鍵或2價的有機基)所示的化合物反應，得到式(C1-6)或(C2-6)：(Rf-PFPE)γ’-X7’-(R92-CH2CH2-SiRb l1Rc m1(R94-CH=CH2)k1)γ．．．(C1-6)
((CH=CH2-R94)k1Rc m1Rb l1Si-CH2CH2-R92)γ-X7’-PFPE-* *X7’-(R92-CH2CH2-SiRb l1Rc m1(R94-CH=CH2)k1)γ．．．(C2-6)[式中，Rf、PFPE、R92、R94、Rb、Rc、γ、γ’、X7’、k1、l1及m1係與上述相同意義]所示的化合物。
所得之式(C1-6)或(C2-6)所示的化合物，與 HSiM3(式中，M分別獨立地為鹵原子、R72或R73，R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基，R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基)反應，依需要，可將上述鹵原子轉換為R72或R73，得到式(C1''')或(C2''')：(Rf-PFPE)γ’-X7’-(R92-CH2CH2-SiRb l1Rc m1(R94-CH2CH2-SiR72 q1R73 r1)k1)γ ．．．(C1''')
((R72 q1R73 r1Si-CH2CH2-R94)k1Rc m1Rb l1Si-CH2CH2-R92)γ-X7’-PFPE-* *X7’-(R92-CH2CH2-SiRb l1Rc m1(R94-CH2CH2-SiR72 q1R73 r1)k1)γ．．．(C2''')[式中，Rf、PFPE、R72、R73、R92、R94、Rb、Rc、γ、γ’、X7’、k1、l1及m1係與上述相同意義；q1於每次出現時分別獨立地為1至3的整數；r1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數]所示的化合物。
於式(C1''')或(C2''')，從X7’至R92-CH2CH2-的部分，係對應式(C1)或(C2)之X7，-R94-CH2CH2-係對應式(C1)或(C2)之Z。
式(D1)及(D2)：(Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D1)
(Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D2)
上述式(D1)及(D2)中，Rf及PFPE係與上述式(A1)及(A2)的相關記載相同意義。
上述式中，X9分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基。該X9，於式(D1)及(D2)所示的化合物，被 理解為主要提供撥水性及表面平滑性等的全氟聚醚部(亦即，Rf-PFPE部或-PFPE-部)與提供結合基材的能力之部(亦即附有下標δ而以括號括起來的基)連結之鏈接子(linker)。所以，該X9，只要是可使式(D1)及(D2)所示的化合物安定存在者，可為任意有機基。
上述式中，δ為1至9的整數，δ’為1至9的整數。該等δ及δ’，可對應X9的價數而變化。於式(D1)，δ與δ’的和係與X9的價數相同。例如於X9為10價的有機基的情況，δ與δ’的和為10，例如δ為9且δ’為1、δ為5且δ’為5，或δ為1且δ’為9。而且，於X9為2價的有機基的情況，δ及δ’為1。於式(D2)，α為X9的價數減1後的值。
上述X9，較理想為2至7價，更理想為2至4價，更加理想為2價的有機基。
於一態樣，X9為2至4價的有機基，δ為1至3，δ’為1。
於其他態樣，X9為2價的有機基，δ為1，δ’為1。於該情況，式(D1)及(D2)為下述式(D1’)及(D2’)表示。
Rf-PFPE-X9-CRd k2Re l2Rf m2．．．(D1’)
Rf m2Re l2Rd k2C-X9-PFPE-X9-CRd k2Re l2Rf m2．．．(D2’)
作為上述X9之例，無特別限制，可列舉例如與X1的相關記載相同者。
其中，較理想的具體X9例如為-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、 -CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2--CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、 -CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2--C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、-OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、 等。
上述式中，Rd於每次出現時分別獨立地表 示-Z2-CR81 p2R82 q2R83 r2。
式中，Z2於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基。
上述Z2，較理想為C1-6伸烷基、-(CH2)g-O-(CH2)h-(式中，g為0至6的整數，例如1至6的整數，h為0至6的整數，例如1至6的整數)或-伸苯基-(CH2)i-(式中，i為0至6的整數)，更理想為C1-3伸烷基。該等基，可經選自例如氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中1個或多於1個的取代基取代。
式中，R81於每次出現時分別獨立地表示Rd’。Rd’係與Rd相同意義。
Rd中，隔著Z2基連結為直鏈狀之C，最大為5個。亦即，於上述Rd，於至少存在1個R81的情況，Rd中隔著Z2基連結為直鏈狀之C原子存在2個以上，如此的隔著Z2基連結為直鏈狀之C原子的數，最大為5個。再者，所謂「Rd中隔著Z2基連結為直鏈狀之C原子的數」，係指與於Rd中連結為直鏈狀之-Z2-C的重複數目相等。此係與式(C1)及(C2)之Ra的相關記載相同。
於較理想的態樣，「Rd中隔著Z2基連結為直鏈狀之C原子的數」，於全部的鏈為1個(左式)或2個(右式)。
於一態樣，Rd中隔著Z2基連結為直鏈狀之C原子的數為1個或2個，較理想為1個。
式中，R82表示-Y-SiR85 n2R86 3-2n。
Y於每次出現時分別獨立地表示2價的有機基。
於較理想的態樣，Y為C1-6伸烷基、-(CH2)g’-O-(CH2)h’-(式中，g’為0至6的整數，例如1至6的整數，h’為0至6的整數，例如1至6的整數)或-伸苯基-(CH2)i’-(式中，i’為0至6的整數)。該等基，可經選自例如氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中1個或多於1個的取代基取代。
於一態樣，Y為C1-6伸烷基、-O-(CH2)h’-或-伸苯基-(CH2)i’-。於Y為上述基的情況，可得到更高的光耐性，特別是紫外線耐性。
上述R5於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基。
上述所謂「可水解的基」，於本說明書使用的情況，係指可接受水解反應的基。作為可水解的基之例，例如-OR、-OCOR、-O-N=C(R)2、-N(R)2、-NHR、鹵素(該等式中R表示取代或無取代的碳數1至4的烷基)等，較理想為-OR(亦即烷氧基)。R的例，包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等的無取代烷基；氯甲基等的取代烷基。該等之中，烷基，特別是無取代烷基較理想，更理想為甲基或乙基。羥基，無特別限制，可為可水解的基經水解而產生者。
較理想地，R85為-OR(式中R表示取代或無取代的C1-3烷基，更理想為甲基或乙基，特別是甲基)。
上述R86於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基較理想為碳數1至20的烷基，更理想為碳數1至6的烷基，更加理想為甲基。
n2於每一(-Y-SiR85 n2R86 3-n2)單元獨立地表示1至3的整數，較理想為2或3，更理想為3。
上述R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基較理想為碳數1至20的烷基，更理想為碳數1至6的烷基，更加理想為甲基。
式中，p2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數。但是，p2、q2及r2的和為3。
於較理想的態樣，於Rd中的末端的Rd’(於Rd’不存在的情況為Rd)，上述q2較理想為2以上，例如2或3，更理想為3。
於較理想的態樣，Rd的末端部的至少1個為-C(-Y-SiR85 q2R86 r2)2或-C(-Y-SiR85 q2R86 r2)3，較理想為-C(-Y-SiR85 q2R86 r2)3。式中，(-Y-SiR85 q2R86 r2)的單元，較理想為(-Y-SiR85 3)。於更理想的態樣，Rd的末端部全部為-C(-Y-SiR85 q2R86 r2)3，較理想為-C(-Y-SiR85 3)3。
上述式中，Re於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2。此處，Y、R85、R86及n2係與上述R82的記載相同意義。
上述式中，Rf於每次出現時分別獨立地表示 氫原子或低級烷基。該低級烷基較理想為碳數1至20的烷基，更理想為碳數1至6的烷基，更加理想為甲基。
式中，k2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；l2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；m2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數。但是，k2、l2及m2的和為3。
於一態樣，至少一個k2為2或3，較理想為3。
於一態樣，k2為2或3，較理想為3。
於一態樣，l2為2或3，較理想為3。
上述式(D1)及(D2)中，至少1個q2為2或3，或者至少一個l2為2或3。亦即，式中存在至少2個-Y-SiR85 n2R86 3-n2基。
式(D1)或(D2)所示的含全氟(聚)醚基的矽烷化合物，可藉由組合習知的方法製造。例如，X為2價之式(D1’)所示的化合物，無特別限制，可用以下方式製造。
於HO-X-C(YOH)3(式中，X及Y分別獨立地為2價有機基)所示的多元醇，導入含有雙鍵的基(較理想為烯丙基)及鹵素(較理想為溴)，得到Hal-X-C(Y-O-R-CH=CH2)3(式中，Hal為鹵素，例如為Br，R為2價有機基，例如為伸烷基)所示的含有雙鍵的鹵化物。然後，末端的鹵素與RPFPE-OH(式中，RPFPE為含全氟聚醚基的基)所示的含全氟聚醚基的醇反應，得到RPFPE-O-X-C(Y-O-R-CH=CH2)3。然後，末端的-CH=CH2與HSiCl3及醇或HSiR85 3反應，得到 RPFPE-O-X-C(Y-O-R-CH2-CH2-SiR85 3)3。
上述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)所示的含全氟(聚)醚基的矽烷化合物，無特別限制，可具有5×102至1×105的數量平均分子量。上述數量平均分子量，較理想為2,000至30,000，更理想為3,000至10,000，更加理想為3,000至8,000。
再者，於本發明，「數量平均分子量」係藉由GPC(凝膠滲透層析法)分析測定。
包含於本發明的表面處理劑之含全氟(聚)醚基的矽烷化合物的PFPE部分的數量平均分子量，無特別限制，較理想為1,500至30,000，更理想為2,500至10,000，更加理想為3,000至8,000。
本發明所使用的含氟油，係下述一般式(O)：Rf1-PFPE’-Rf2…(O)之任一表示的至少1種氟聚醚化合物。以下，說明關於上述式(O)所示的含氟油。
上述式中，Rf1表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基。
Rf2表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基、氟原子或氫原子。
上述Rf1及Rf2之「可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基」，較理想為1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基，更理想為CF2H-C1-15氟伸烷基，更加理想為碳數1至16的全氟烷基。
該碳數1至16的全氟烷基，可為直鏈，亦可為支鏈，較理想為直鏈或支鏈的碳數1至6，特別是碳數1至3的全氟烷基，更理想為直鏈的碳數1至3的全氟烷基，具體上為-CF3、-CF2CF3或-CF2CF2CF3。
上述式中，PFPE’為-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-。此處，a’、b’、c’及d’分別獨立地為0或1以上的整數，a’、b’、c’及d’的和至少為1。較理想地，a’、b’、c’及d’分別獨立地為0以上300以下的整數，例如1至300的整數，更理想地分別獨立地為0以上100以下的整數。而且，較理想地，a’、b’、c’及d’的和為5以上，更理想為10以上，例如10以上100以下。而且，a’、b’、c’及d’表示之括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意。該等重複單元中，-(OC4F8)-，可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-以及-(OCF2CF(C2F5))-之任一者，較理想為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-，可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-以及-(OCF2CF(CF3))-之任一者，較理想為-(OCF2CF2CF2)-。而且，-(OC2F4)-，可為-(OCF2CF2)-以及-(OCF(CF3))-之任一者，較理想為-(OCF2CF2)-。
作為上述一般式(O)所示的含氟油之例，例如以下一般式(O1)及(O2)：R21-(OCF2CF2CF2)b’’-R22…(O1)
R21-(OCF2CF2CF2CF2)a’’-(OCF2CF2CF2)b’’-(OCF2CF2)c’’-(OCF2)d’’-R22…(O2)[式中：R21表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基；R22表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基、氟原子或氫原子；於式(O1)，b”為1以上100以下的整數；於式(O2)，a”及b”分別獨立地為0以上30以下，例如1以上30以下的整數，c”及d”分別獨立地為1以上300以下的整數；附有下標a”、b”、c”及d”而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意。]之任一者所示的化合物(可為1種或2種以上的混合物)。
包含於本發明的表面處理劑之上述一般式(O)所示的含氟油中，高分子量的含氟油之含量為10莫耳%以下，較理想為7莫耳%以下，更理想為5莫耳%以下，更加理想為3莫耳%以下，又更加理想為2莫耳%以下。又更加理想地，本發明的表面處理劑實質上不包含高分子量的含氟油。藉由減少高分子量的含氟油之含量，可得到更高透明度及高摩擦耐久性。
於一態樣，上述高分子量的含氟油，係包含於本發明的表面處理劑之上述一般式(O)所示的含氟油中，具有比含氟油全體的數量平均分子量3.0倍以上，較 理想為2.5倍以上，更理想為2.0倍以上，更加理想為1.8倍以上的分子量之含氟油。藉由減少至較低分子量以上的含氟油部分。可得到更高的透明度。
於較理想的態樣，包含於本發明的表面處理劑之上述一般式(O)所示的含氟油中，具有比含氟油全體的數量平均分子量2.0倍以上的分子量之含氟油的含量為10莫耳%以下，較理想為7莫耳%以下，更理想為5莫耳%以下，更加理想為3莫耳%以下，又更加理想為2莫耳%以下。
於更理想的態樣，包含於本發明的表面處理劑之上述一般式(O)所示的含氟油中，具有比含氟油全體的數量平均分子量1.8倍以上的分子量之含氟油的含量為10莫耳%以下，較理想為9莫耳%以下，更理想為8莫耳%以下，更加理想為7莫耳%以下，又更加理想為5莫耳%以下，特別理想為3莫耳%以下，又特別理想為2莫耳%以下。
於上述態樣，含氟油的數量平均分子量，較理想為1500以上30,000以下，更理想為2,000以上10,000以下，更加理想為2,000以上6,000以下，例如2,500以上或3,000以上、6,000以下或5,500以下。
於其他態樣，上述高分子量的含氟油，包含於本發明的表面處理劑之上述一般式(O)所示的含氟油中，係具有10,000以上，較理想為8,000以上，更理想為5,000以上的分子量之含氟油。藉由減少至較低分子量以上 的含氟油部分。可得到更高的透明度。
於較理想的態樣，包含於本發明的表面處理劑之上述一般式(O)所示的含氟油中，具有5,000以上的分子量之含氟油的含量為10莫耳%以下，較理想為7莫耳%以下，更理想為5莫耳%以下，更加理想為3莫耳%以下，又更加理想為2莫耳%以下。
於上述態樣，含氟油的數量平均分子量，較理想為1,500以上8,000以下，更理想為2,000以上7,000以下，更加理想為2,000以上5,500以下，例如2,000以上4,500以下。
再者，於其他態樣，包含於本發明的表面處理劑之上述一般式(O)所示的含氟油之分散度(重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn))為1.00以上1.30以下，較理想為1.00以上1.20以下，更理想為1.00以上1.10以下。藉由減少含氟油之分散度，可得到更高透明度及高摩擦耐久性。
於上述態樣，含氟油的數量平均分子量，較理想為1,500以上10,000以下，更理想為1,500以上8,000以下，更加理想為1,500以上5,500以下，例如2,000以上5,500以下。
於較理想的態樣，包含於本發明的表面處理劑之上述一般式(O)所示的含氟油，其數量平均分子量為1,500以上10,000以下，較理想為1,500以上8,000以下，更理想為1,500以上5,500以下，例如2,000以上5,500以 下，其分散度為1.00以上1.20以下，較理想為1.00以上1.10以下，更理想為1.00以上1.05以下，分子量10,000以上，較理想為8,000以上，更理想為5,000以上之含氟油的含量，相對於含氟油全體為10莫耳%以下，較理想為7莫耳%以下，更理想為5莫耳%以下，更加理想為3莫耳%以下，又更加理想為2莫耳%以下。
再者，表面處理劑中的含氟油之具有特定的分子量之含氟油的含量，可藉由GPC(凝膠滲透層析法)分析測定。如此的GPC測定，例如可使用具備TDA-302作為感測器之GPCmax(HPLC系統：Malvern Instruments公司製)進行。
本發明的表面處理劑所使用的含氟油，可從市售的含氟油取得，或者藉由蒸餾市售的含氟油而得。而且，本發明的表面處理劑所使用的含氟油，依據所要求的特性，可適當地合成。
本發明的表面處理劑中所包含的含氟油，相對於上述含全氟(聚)醚基的矽烷化合物與含氟油的合計(於分別為2種以上的情況為該等的合計，以下也相同)，例如為5至95質量%，較理想為10至90質量%，更理想為20至80質量%，更加理想為30至70質量%。
本發明的表面處理劑，除了含全氟(聚)醚基的矽烷化合物與含氟油以外，亦可包含其他成分。作為如此的其他成分，無特別限制，例如可理解作為矽油(非反應性的)聚矽氧化合物(以下稱為「矽油」)、觸媒等。
作為上述矽油，例如可使用矽氧烷鍵為2,000以下的直鏈狀或環狀的矽油。直鏈狀的矽油，係所謂直矽油及改性矽油。作為直矽油，例如二甲基矽油、甲基苯基矽油、甲基氫矽油。作為改性矽油，例如將直矽油藉由烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等改性者。環狀的矽油，例如環狀二甲基矽氧烷油等。
本發明的表面處理劑中，如此的矽油，相對於含全氟(聚)醚基的矽烷化合物與含氟油的合計100質量份(於2種以上的情況為該等的合計，以下也相同)而言，可包含例如0至300質量份，較理想為0至200質量份。
矽油可助於提高表面處理層的表面平滑性。
作為上述觸媒，可列舉例如酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如氨、三乙基胺、二乙基胺等)、過渡金屬(例如Ti、Ni、Sn等)等。
觸媒，促進含全氟(聚)醚基的矽烷化合物的水解及脫水縮合，促進表面處理層的形成。
本發明的表面處理劑，可用溶劑稀釋。作為如此的溶劑，無特別限制，例如全氟己烷、CF3CF2CHCl2、CF3CH2CF2CH3、CF3CHFCHFC2F5、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟辛烷、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(ZEORORA H(商品名)等)、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、CF3CH2OCF2CHF2、C6F13CH=CH2、六氟化二甲苯、全氟苯、甲基十五氟庚酮、三氟乙 醇、五氟丙醇、六氟異丙醇、HCF2CF2CH2OH、甲基三氟甲烷磺酸、三氟乙酸以及CF3O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2CF3〔式中，m及n分別獨立地為0以上1000以下的整數，附有下標m或n而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意，但是m及n的和為1以上。〕、1,1-二氯-2,3,3,3-四氟-1-丙烯、1,2-二氯-1,3,3,3-四氟1-丙烯、1,2-二氯-3,3,3-三氟-1-丙烯、1,1-二氯-3,3,3-三氟-1-丙烯、1,1,2-三氯-3,3,3-三氟-1-丙烯、1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯所成群組的溶劑。該等溶劑，可單獨或作為2種以上的混合物使用。
本發明的表面處理劑，可對基材賦予撥水性、撥油性、防污性、防水性及高摩擦耐久性，無特別限制，可適合使用作為防污性塗劑或防水性塗劑。
本發明的表面處理劑，浸漬於例如多孔性的陶瓷材料的多孔性物質、例如鋼絲絨的金屬纖維至凝固的絮狀，可成為顆粒。該顆粒，例如可使用於真空蒸鍍。
然後，說明關於本發明的物品。
本發明的物品，包含基材及於該基材的表面由本發明的表面處理劑所形成的層(表面處理層)。
本發明的物品之表面處理層，高分子量的含氟油的含量小，具體而言，表面處理層中的一般式(O)所示的含氟油中，高分子量的含氟油的含量為10莫耳%以下，較理想為7莫耳%以下，更理想為5莫耳%以下，更加理想為3莫耳%以下。
使用本發明的表面處理劑得到之表面處理 層，透明度高，例如其霧度值為0.35%以下，較理想為0.30%以下，更理想為0.28%以下，更加理想為0.25%以下，又更加理想為0.20%以下者。上述霧度值，可藉由市售的霧度計測定。
所以，本發明的物品，於基材為透明的情況，例如物品為光學構件的情況，物品本身的霧度值為0.35%以下，較理想為0.30%以下，更理想為0.28%以下，更加理想為0.25%以下，又更加理想為0.20%以下。
表面處理層的厚度，無特別限制。於光學構件的情況，表面處理層的厚度為1至50nm，較理想為1至30nm，更理想為1至15nm的範圍，從光學性能、表面平滑性、摩擦耐久性及防污性的點較理想。
本發明的物品，例如可藉由以下的方式製造。
首先，準備基材。本發明中可使用的基材，例如玻璃、藍寶石玻璃、樹脂(天然或合成樹脂，例如可為一般的塑膠材料，可為板狀、膜、其他形態)、金屬(鋁、銅、鐵等的金屬單體或合金等的複合物)、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶瓷器、石材等、建築構件等、任意適合的材料所構成。較理想地，基材為玻璃或藍寶石玻璃。
作為上述玻璃，較理想為鈉鈣玻璃、鹼鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃、石英玻璃，特別理想為化學強化的鈉鈣玻璃、化學強化的鹼鋁 矽酸鹽玻璃及化學鍵結的硼矽酸鹽玻璃。
作為樹脂，較理想為丙烯酸樹脂、聚碳酸酯。
例如於要製造的物品為光學構件的情況，構成基材表面的材料可為光學構件用材料，例如為玻璃或透明塑膠等。而且，於要製造的物品為光學構件的情況，於基材表面(最外層)，亦可形成任意的層(或膜)，例如硬塗層、抗反射層等。於抗反射層，可使用單層抗反射層及多層抗反射層的任一種。作為可使用於抗反射層的無機物之例，例如SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。該等無機物，可單獨或組合該等2種以上(例如作為混合物)使用。於多層抗反射層的情況，於其最外層使用SiO2及/或SiO較理想。於要製造的物品為觸控面板用的光學玻璃零件的情況，可於基材(玻璃)表面的一部分具有透明電極，例如使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅等的薄膜。而且，基材，依據其具體的規格等，亦可具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框架層(I-CON)、霧化膜層、硬塗膜層、偏光膜、相位差膜及液晶顯示模組等。
基材的形狀，無特別限制。而且，要形成表面處理層的基材的表面區域，只要是基材表面的至少一部分即可，可依據要製造的物品的用途及具體的規格等，適當地決定。
作為如此的基材，至少其表面部分，可為原本具有羥基的材料所構成者。作為如此的材料，例如玻 璃，而且表面形成有自然氧化膜或熱氧化膜的金屬(特別是賤金屬)、陶瓷、半導體等。或者如樹脂等，沒有具有充分的羥基的情況、原本不具有羥基的情況，藉由對基材實施一些前處理，可於基材表面導入或增加羥基。作為如此的前處理的例，可列舉例如電漿處理(例如電暈放電)、或離子束照射。電漿處理，除了可於基材表面導入或增加羥基，同時潔淨化基材表面(除去異物等)而可適合利用。而且，作為如此的前處理的其他例，具有碳-碳不飽和鍵基的界面吸附劑藉由LB法(朗繆爾-布洛傑特法)、化學吸附法，於基材表面預先以單分子膜的形態形成，然後於包含氧氣、氮氣等的氣體環境下裂解不飽和鍵的方法。
而且，或者作為如此的基材，至少其表面部分可為包含其他反應性基，例如具有1個以上的Si-H基之聚矽氧化合物、烷氧基矽烷之材料所構成者。
然後，於如此的基材表面，形成上述本發明的表面處理劑的膜，該膜依需要進行後處理，藉此，由本發明的表面處理劑形成表面處理層。
本發明的表面處理劑的膜之形成，係將上述表面處理劑，對基材表面，藉由應用覆蓋該表面而可實施。覆蓋方法，無特別限制。例如，可使用潤濕覆蓋法及乾燥覆蓋法。
作為潤濕覆蓋法之例，例如浸漬塗佈、旋轉塗佈、流動塗佈、噴塗、滾輪塗佈、凹版塗佈及類似的方法。
作為乾燥覆蓋法之例，例如蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺鍍、CVD(化學氣相沈積)及類似的方法。作為蒸鍍法(通常為真空蒸鍍)的具體例，例如使用電阻加熱、電子束、微波等的高頻加熱、離子束及類似的方法。作為CVD法的具體例，例如電漿CVD、光學CVD、熱CVD及類似的方法。
再者，亦可藉由常壓電漿法覆蓋。
於使用潤濕覆蓋法的情況，本發明的表面處理劑用溶劑稀釋後應用於基材表面。從本發明的表面處理劑的安定性及溶劑的揮發性的觀點，使用以下的溶劑較理想：C5-12全氟脂肪族烴(例如全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1,3-二甲基環己烷)；多氟芳香族烴(例如雙(三氟甲基)苯)；多氟脂肪族烴(例如C6F13CH2CH3(例如旭硝子公司製的ASAHIKLIN(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如日本ZEON公司製的ZEORORA(註冊商標)H)；氫氟碳化合物(HFC)(例如1,1,1,3,3-五氟丁烷(HFC-365mfc))；氫氯氟碳化合物(例如HCFC-225(ASAHIKLIN(註冊商標)AK225))；氫氟醚(HFE)(例如全氟丙基甲基醚(C3F7OCH3)(例如住友3M公司製的Novec(商標名)7000)、全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)(例如住友3M公司製的Novec(商標名)7100)、全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)(例如住友3M公司製的Novec(商標名)7200)、全氟己基甲基醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如住友3M公司製的Novec(商標名)7300)等的烷基全氟烷基醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或分支狀)或者CF3CH2OCF2CHF2 (例如旭硝子公司製的ASAHIKLIN(註冊商標)AE-3000))、1,2-二氯-1,3,3,3-四氟-1-丙烯(例如三井杜邦氟化學公司製的Vertrel(註冊商標)Sion)等。該等溶劑，可單獨或組合2種以上作為混合物使用。再者，例如為了調整含全氟(聚)醚基的矽烷化合物的溶解性等，亦可與其他的溶劑混合。
於使用乾燥覆蓋法的情況，本發明的表面處理劑可乾燥覆蓋法，或用上述溶劑稀釋後實施乾燥覆蓋法。
膜的形成，在膜中本發明的表面處理劑進行水解及脫水縮合用的觸媒一起存在而實施者較理想。簡便地，於藉由潤濕覆蓋法的情況，本發明的表面處理劑用溶劑稀釋後，應用於基材表面前，可於本發明的表面處理劑的稀釋液中添加觸媒。於藉由乾燥覆蓋法的情況，將添加觸媒的本發明的表面處理劑直接進行蒸鍍處理(通常為真空蒸鍍)，或使用於鐵、銅等的金屬多孔體浸漬已添加觸媒的本發明的表面處理劑之顆粒狀物質，進行蒸鍍處理(通常為真空蒸鍍)。
於觸媒，可使用任意適合的酸或鹼。作為酸觸媒，可使用例如乙酸、甲酸、三氟乙酸等。而且，作為鹼觸媒，可使用例如氨、有機胺類等。
然後，依據需要，將膜進行後處理。該後處理，無特別限制，例如可逐次實施水分供給及乾燥加熱，更詳細地可如以下的方式實施。
如上述方式，於基材表面將本發明的表面 處理劑形成膜後，對該膜(以下亦稱為「前驅物膜」)供給水分。水分的供給方法，無特別限制，可使用例如藉由前驅物膜(以及基材)與周圍氣體環境的溫度差之結露、噴吹水蒸氣(蒸汽)等的方法。
對該前驅物膜供給水分時，被認為水作用於鍵結於本發明的表面處理劑中含全氟(聚)醚基的矽烷化合物的Si之可水解的基，可加速該化合物的水解。
水分的供給，可在例如0至250℃，較理想為60℃以上，更理想為100℃以上，較理想為180℃以下，更理想為150℃以下的環境下實施。藉由於如此的溫度範圍供給水分，可使水解反應進行。此時的壓力，無特別限制，簡便地可為常壓。
然後，該前驅物膜在該基材表面於超過60℃的乾燥環境下加熱。乾燥加熱方法，無特別限制，將前驅物膜與基材一起配置在超過60℃，較理想為超過100℃的溫度，例如250℃以下，較理想為180℃以下的溫度下且不飽和水蒸氣壓的環境下即可。此時的壓力，無特別限制，簡便地可為常壓。
在如此的環境下，本發明的含有PFPE的矽烷化合物之間，水解後的鍵結於Si的基彼此迅速脫水縮合。而且，如此的化合物與基材之間，該化合物水解後的鍵結於Si的基與存在於基材表面的反應性基之間迅速地反應，於存在於基材表面的反應性基為羥基的情況進行脫水縮合。其結果，在含全氟(聚)醚基的矽烷化合物與基材 之間形成鍵結。
上述的水分供給及乾燥加熱，亦可藉由使用過熱水蒸氣連續地實施。
如以上方式，可實施後處理。如此的後處理，係為了進一步提高摩擦耐久性而實施，需注意在本發明的物品之製造上不是必須。例如，本發明的表面處理劑應用於基材表面後，可直接予以靜置。
如上述方式，於基材表面，形成來自本發明的表面處理劑的膜之表面處理層，製造本發明的物品。藉此，所得之表面處理層，具有高透明度、高表面平滑性及高摩擦耐久性。而且，該表面處理層，除了高摩擦耐久性外，雖然也取決於所使用的表面處理劑的組成，具有撥水性、撥油性、防污性(例如指紋等的污垢的附著)、防水性(防止水對電子零件等的滲入)等，可適合利用作為功能性薄膜。
具有藉由本發明所得之表面處理層的物品，無特別限制，可為光學構件。作為光學構件，例如下述的光學構件：例如陰極射線管(CRT：例如TV、個人電腦監視器)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機電激發光(EL)顯示器、無機薄膜EL點矩陣顯示器、背面投影型顯示器、螢光顯示管(VFD)、場射出顯示器(FED：Field Emission Display)等的顯示器或該等顯示器的前護板、抗反射板、偏光板或於該等表面實施抗反射膜處理者；眼鏡等的透鏡；手機、攜帶資訊終端等的機器的觸控面板片；藍光 (Blu-ray(註冊商標))光碟、DVD光碟、CD-R、MO等的光碟的碟面；光纖；時鐘的顯示面等。
具有藉由本發明所得之表面處理層的其他物品，例如陶瓷製品、油漆表面、布製品、皮革製品、醫療品及石膏等。
而且，具有藉由本發明所得之表面處理層的其他物品，亦可為醫療機器或醫療材料。
以上，詳述關於使用本發明的表面處理劑所得之物品。再者，本發明的表面處理劑之用途、使用方法至物品的製造方法等，不限於上述之例示。
[實施例]
對於本發明的表面處理劑，通過以下的實施例，更具體地說明，本發明不限於該等實施例。再者，於本實施例，以下所示的化學式表示全部平均組成。
作為含全氟聚醚基的矽烷化合物，使用下述的化合物(A)及化合物(B)。
‧化合物(A)
CF3O(CF2CF2O)15(CF2O)16CF2CH2OCH2CH2CH2Si[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3
‧化合物(B)
(式中，m為1至6的整數。)
作為含氟油，使用下述構造式所示的分子量分佈不同的3種全氟聚醚化合物(化合物(C)至(E))。
構造式：CF3O(CF2O)p(CF2CF2O)qCF3(式中，p及q為任意的整數。)
‧化合物(C)
FOMBLIN M03(Solvay特化日本公司製)60至70Pa下分子蒸餾，以194℃至320℃的餾分得到的化合物。
‧化合物(D)
FOMBLIN M03(Solvay特化日本公司製)
‧化合物(E)
FOMBLIN Z03(Solvay特化日本公司製)
‧化合物(F)
上述化合物(C)與化合物(D)之4：1混合物
‧化合物(G)
上述化合物(C)與化合物(D)之1：1混合物
‧化合物(H)
上述化合物(C)與化合物(D)之3：7混合物
對於化合物(C)至(H)，重量平均分子量(Mw)、數量平均分子量(Mn)及分散度(Mw/Mn)係藉由凝膠滲透層析法(GPC)測定。GPC的測定，係以下述條件進行。Mw、Mn、Mw/Mn及Mn的x倍以上的分子量的含氟油之含率呈示於表1。
裝置：GPCmax(HPLC系統：Malvern Instruments公司製)
移動相：AK-225(旭硝子公司製的ASAHIKLIN AK-225)及六氟異丙醇(HFIP)的混合溶劑(AK-225/HFIP=90/10(體積比))
分析管柱：2根Shodex KF-806L串聯連結者
分子量測定用標準樣品：Mn為1000至10000之全氟聚醚化合物3種
檢測器：蒸發光散射檢測器TDA-302
移動相流速：0.7mL/分鐘
管柱溫度：30℃
表面處理劑的調製：
實施例1
將化合物(A)及化合物(C)以質量比2：1的比例，調製成濃度0.1wt%(化合物(A)與化合物(C)的合計)的溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)之表面處理劑1。
實施例2
將化合物(A)及化合物(C)以質量比1：1的比例，調製成濃度0.1wt%(化合物(A)與化合物(C)的合計)的溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)之表面處理劑2。
實施例3
將化合物(B)及化合物(C)以質量比1：1的比例，調製成濃度0.1wt%(化合物(B)與化合物(C)的合計)的溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)之表面處理劑3。
實施例4
將化合物(A)及化合物(F)以質量比1：1的比例，調製成濃度0.1wt%(化合物(A)與化合物(F)的合計)的溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)之表面處理劑4。
實施例5
將化合物(A)及化合物(G)以質量比1：1的比例，調製成濃度0.1wt%(化合物(A)與化合物(G)的合計)的溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)之表面處理劑5。
實施例6
將化合物(A)及化合物(H)以質量比1：1的比例，調製成濃度0.1wt%(化合物(A)與化合物(H)的合計)的溶解於氫 氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)之表面處理劑6。
比較例1
將化合物(A)及化合物(D)以質量比1：1的比例，調製成濃度0.1wt%(化合物(A)與化合物(D)的合計)的溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)之表面處理劑7。
比較例2
將化合物(A)及化合物(E)以質量比1：1的比例，調製成濃度0.1wt%(化合物(A)與化合物(E)的合計)的溶解於氫氟醚(3M公司製、Novcc HFE7200)之表面處理劑8。
表面處理層的形成(噴塗處理)
然後，使用市售的配備2流體噴嘴的噴塗塗佈裝置，將上述調製的表面處理劑1至5均勻地噴塗塗佈於化學強化玻璃(康寧公司製、「Gorilla」玻璃、厚度0.7mm)上。在噴塗塗佈前，使用大氣壓電漿產生裝置，對化學強化玻璃的表面進行電漿處理。表面處理劑的塗佈量，係對化學強化玻璃1片(55mm×100mm)，2ml的表面處理劑。然後，將附有噴塗處理膜的化學強化玻璃，靜置於溫度20℃及濕度65%的環境下48小時。藉此，噴塗處理膜硬化，形成表面處理層。
‧摩擦耐久性的評價
對上述由表面處理劑1至8形成於基材表面之表面處理層，測定水的靜態接觸角。水的靜態接觸角，係使用接觸角測定裝置(協和界面科學公司製)，用1μL的水實施。
首先，作為初期評價，形成表面處理層後，在表面不碰觸任何東西的狀態下，測定水的靜態接觸角(摩擦次數0次)。
然後，作為摩擦耐久性的評價，實施鋼絲絨摩擦耐久性的評價。具體而言，係將形成有表面處理層的基材水平配置，使鋼絲絨(編號#0000、尺寸5mm×10mm×10mm)使與露出表面處理層的上表面接觸，於其上，賦予1,000gf的負重，然後在賦予負重的狀態下，使鋼絲絨以140mm/秒的速度往返。往返次數每1,000次，測定水的靜態接觸角(度)，在接觸角的測定值未達100度時終止評價。接觸角的測定值維持100度時的最大往返次數呈示於表2。
‧霧度值的評價
對上述由表面處理劑1至8形成於基材表面之表面處理層，使用霧度計(日本電色工業股份有限公司製NDH-7000)測定霧度值。結果一併示於表2。
由表2，確認使用幾乎不含高分子量區域的含氟油之表面處理劑之實施例1至3，與比較例1至2比較，霧度值低。而且，確認於使用幾乎不含高分子量區域的含氟油之表面處理劑之實施例1至3，與比較例1至2比較，摩擦耐久性高。
[產業上的可利用性]
本發明適合利用於各種基材，特別是要求穿透性的光學構件的表面形成表面處理層。

Claims (42)

  1. 一種表面處理劑，其係包括：(1)下述一般式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)中任一者表示之至少1種的含全氟(聚)醚基的矽烷化合物， (Rf-PFPE)β’-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B1) (R2 3-n1R1 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B2) (Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C1) (Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ..(C2) (Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D1) (Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D2)[式中，PFPE於每次出現時分別獨立地為式：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d分別獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和至少為1，附有下標a、b、c或d而以括 號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意)所示的基；Rf於每次出現時分別獨立地表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R1於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R2於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基；R11於每次出現時分別獨立地表示氫原子或鹵原子；R12於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；n1於每一(-SiR1 n1R2 3-n1)單元係獨立地為0至3的整數；但是於式(A1)、(A2)、(B1)及(B2)，至少1個n1為1至3的整數；X1分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；X2於每次出現時分別獨立地表示單鍵或2價的有機基；t於每次出現時分別獨立地為1至10的整數；α分別獨立地為1至9的整數；α’分別獨立地為1至9的整數；X5分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；β分別獨立地為1至9的整數； β’分別獨立地為1至9的整數；X7分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；γ分別獨立地為1至9的整數；γ’分別獨立地為1至9的整數；Ra於每次出現時分別獨立地表示-Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1；Z1於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基；R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’；Ra’係與Ra相同意義；Ra中，隔著Z1基連結為直鏈狀之Si，最大為5個；R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；p1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；但是於式(C1)及(C2)，至少1個q1為1至3的整數；Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；k1於每次出現時分別獨立地為1至3的整數； l1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數；m1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數；但是於附有下標γ而以括號括起來的單元，k1、l1及m1的和為3；X9分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；δ分別獨立地為1至9的整數；δ’分別獨立地為1至9的整數；Rd於每次出現時分別獨立地表示-Z2-CR81 p2R82 q2R83 r2；Z2於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基；R81於每次出現時分別獨立地表示Rd’；Rd’係與Rd相同意義；Rd中，隔著Z2基連結為直鏈狀之C，最大為5個；R82於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；Y於每次出現時分別獨立地表示2價的有機基；R85於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R86於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；n2於每一(-Y-SiR85 n2R86 3-n2)單元係獨立地表示1至3的整數；但是於式(D1)及(D2)，至少1個n2為1至3的整數； R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；p2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；Re於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；Rf於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；k2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；l2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；m2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；但是於式(D1)及(D2)，至少1個q2為2或3，或至少1個l2為2或3]；以及(2)下述一般式(O)所示的含氟油，Rf1-PFPE’-Rf2…(O)[式中，Rf1表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基；Rf2表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基、氟原子或氫原子；PFPE’為-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-；a’、b’、c’及d’分別獨立地為0以上300以下的整數，a’、b’、c’及d’的和至少為1，附有下標a’、b’、c’或d’而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中 為任意]其中，上述一般式(O)所示的含氟油中，具有含氟油的數量平均分子量的2.0倍以上的分子量之含氟油的含量為10莫耳%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理劑，其中含氟油中，具有含氟油的數量平均分子量的2.0倍以上的分子量之含氟油的含量為5莫耳%以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之表面處理劑，其中含氟油中，具有含氟油的數量平均分子量的1.8倍以上的分子量之含氟油的含量為10莫耳%以下。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之表面處理劑，其中含氟油中，具有含氟油的數量平均分子量的1.8倍以上的分子量之含氟油的含量為5莫耳%以下。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之表面處理劑，其中含氟油的數量平均分子量為1,500以上30,000以下。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之表面處理劑，其中含氟油的數量平均分子量為2,000以上10,000以下。
  7. 一種表面處理劑，其係包括：(1)下述一般式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)中任一者表示之至少1種的含全氟(聚)醚基的矽烷化合物， (Rf-PFPE)β’-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B1) (R2 3-n1R1 n1Si)β-X5-PFPE-X5-(SiR1 n1R2 3-n1)β．．．(B2) (Rf-PFPE)γ’-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C1) (Rc m1Rb l1Ra k1Si)γ-X7-PFPE-X7-(SiRa k1Rb l1Rc m1)γ．．．(C2) (Rf-PFPE)δ’-X9-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D1) (Rf m2Re l2Rd k2C)δ-X9-PFPE-X-(CRd k2Re l2Rf m2)δ．．．(D2)[式中，PFPE於每次出現時分別獨立地為式：-(OC4F8)a-(OC3F6)b-(OC2F4)c-(OCF2)d-(式中，a、b、c及d分別獨立地為0至200的整數，a、b、c及d的和至少為1，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意)所示的基；Rf於每次出現時分別獨立地表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R1於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的 基；R2於每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至22的烷基；R11於每次出現時分別獨立地表示氫原子或鹵原子；R12於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；n1於每一(-SiR1 n1R2 3-n1)單元係獨立地為0至3的整數；但是於式(A1)、(A2)、(B1)及(B2)，至少1個n1為1至3的整數；X1分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；X2於每次出現時分別獨立地表示單鍵或2價的有機基；t於每次出現時分別獨立地為1至10的整數；α分別獨立地為1至9的整數；α’分別獨立地為1至9的整數；X5分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；β分別獨立地為1至9的整數；β’分別獨立地為1至9的整數；X7分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；γ分別獨立地為1至9的整數；γ’分別獨立地為1至9的整數；Ra於每次出現時分別獨立地表示 -Z1-SiR71 p1R72 q1R73 r1；Z1於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基；R71於每次出現時分別獨立地表示Ra’；Ra’係與Ra相同意義；Ra中，隔著Z1基連結為直鏈狀之Si，最大為5個；R72於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R73於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；p1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r1於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；但是於式(C1)及(C2)，至少1個q1為1至3的整數；Rb於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；Rc於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；k1於每次出現時分別獨立地為1至3的整數；l1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數；m1於每次出現時分別獨立地為0至2的整數；但是於附有下標γ而以括號括起來的單元，k1、l1及m1的和為3； X9分別獨立地表示單鍵或2至10價的有機基；δ分別獨立地為1至9的整數；δ’分別獨立地為1至9的整數；Rd於每次出現時分別獨立地表示-Z2-CR81 p2R82 q2R83 r2；Z2於每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價的有機基；R81於每次出現時分別獨立地表示Rd’；Rd’係與Rd相同意義；Rd中，隔著Z2基連結為直鏈狀之C，最大為5個；R82於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；Y於每次出現時分別獨立地表示2價的有機基；R85於每次出現時分別獨立地表示羥基或可水解的基；R86於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；n2於每一(-Y-SiR85 n2R86 3-n2)單元係獨立地表示1至3的整數；但是於式(D1)及(D2)，至少1個n2為1至3的整數；R83於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；p2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數； r2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；Re於每次出現時分別獨立地表示-Y-SiR85 n2R86 3-n2；Rf於每次出現時分別獨立地表示氫原子或低級烷基；k2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；l2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；m2於每次出現時分別獨立地為0至3的整數；但是於式(D1)及(D2)，至少1個q2為2或3，或至少1個l2為2或3]；以及(2)下述一般式(O)所示的含氟油Rf1-PFPE’-Rf2…(O)[式中：Rf1表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基；Rf2表示可經1個或多於1個的氟原子取代之C1-16的烷基、氟原子或氫原子；PFPE’為-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-；a’、b’、c’及d’分別獨立地為0以上300以下的整數，a’、b’、c’及d’的和至少為1，附有下標a’、b’、c’或d’而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意]其中，上述一般式(O)所示的含氟油中，具有5,000以上的分子量之含氟油的含量為10莫耳%以下。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之表面處理劑，含氟油中， 具有5,000以上的分子量之含氟油的含量為5莫耳%以下。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之表面處理劑，其中含氟油的分散度為1.00以上1.20以下。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之表面處理劑，其中含氟油的分散度為1.00以上1.10以下。
  11. 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之表面處理劑，其中含氟油的數量平均分子量為1,500以上5,500以下。
  12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之表面處理劑，其中含氟油為式(O1)或(O2)所示的1種或多於1種的化合物，R21-(OCF2CF2CF2)b”-R22…(O1) R21-(OCF2CF2CF2CF2)a”-(OCF2CF2CF2)b”-(OCF2CF2)c”-(OCF2)d”-R22…(O2)式中：R21表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基；R22表示可經1個或多於1個的氟原子取代之碳數1至16的烷基、氟原子或氫原子；於式(O1)，b”為1以上100以下的整數；於式(O2)，a”及b”分別獨立地為0以上30以下的整數，c”及d”分別獨立地為1以上300以下的整數；附有下標a”、b”、c”或d”而以括號括起來的各 重複單元的存在順序在式中為任意。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之表面處理劑，其中含氟油為式(O2)所示的1種或多於1種的含氟油；含氟油的數量平均分子量為1,500至5,500。
  14. 如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述之表面處理劑，其中Rf為碳數1至16的全氟烷基。
  15. 如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述之表面處理劑，其中PFPE為以下述的式(i)至(iv)的任一者表示的基，-(OCF2CF2CF2)b- (i)[式中，b為1至200的整數]-(OCF(CF3)CF2)b- (ii)[式中，b為1至200的整數]-(OCF2CF2CF2CF2)a-(OCF2CF2CF2)b-(OCF2CF2)c-(OCF2)d-(iii)[式中，a及b分別獨立地為0或1至30的整數，c及d分別獨立地為1至200的整數，附有下標a、b、c或d而以括號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意]-(R7-R8)f- (iv)[式中，R7為OCF2或OC2F4，R8為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8的基；f為2至100的整數]。
  16. 如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述之表面 處理劑，其中X1、X5、X7及X9分別獨立地為2至4價的有機基，α、β、γ及δ分別獨立地為1至3，α’、β’、γ’及δ’為1。
  17. 如申請專利範圍第1項至第16項中任一項所述之表面處理劑，其中X1、X5、X7及X9分別獨立地為2價的有機基，α、β、γ及δ為1，α’、β’、γ’及δ’為1。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之表面處理劑，其中X1、X5、X7及X9分別獨立地為-(R31)p’-(Xa)q’-所示的基，式中：R31分別獨立地表示單鍵、-(CH2)s’-(式中s’為1至20的整數)或o-、m-或p-伸苯基；Xa表示-(Xb)l’-(式中l’為1至10的整數)；Xb於每次出現時分別獨立地表示選自-O-、-S-、o-、m-或p-伸苯基、-C(O)O-、-Si(R33)2-、-(Si(R33)2O)m’-Si(R33)2-(式中m’為1至100的整數)、-CONR34-、-O-CONR34-、-NR34-及-(CH2)n’-(式中n’為1至20的整數)所成群組的基；R33於每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；R34於每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基；p’為0、1或2；q’為0或1；此處p’及q’之至少一者為1，附有p’或q’而以括 號括起來的各重複單元的存在順序在式中為任意；R31及Xa可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個或多於1個的取代基取代。
  19. 如申請專利範圍第1項至第18項中任一項所述之表面處理劑，其中X1、X5、X7及X9分別獨立地選自下列者所成群組，-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、 -CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2--CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2--CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)6-、 -CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中Ph係指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2--C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、-OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、
  20. 如申請專利範圍第1項至第19項中任一項所述之表面處理劑，其中X1為-O-CFR13-(CF2)e-；R13表示氟原子或低級氟烷基；e為0或1。
  21. 如申請專利範圍第1項至第20項中任一項所述之表面處理劑，其中X2為-(CH2)s-，s為0至2的整數。
  22. 如申請專利範圍第1項至第21項中任一項所述之表面處理劑，其中k1為3，Ra中，q1為3。
  23. 如申請專利範圍第1項至第22項中任一項所述之表面處理劑，其中l2為3，n2為3。
  24. 如申請專利範圍第1項至第23項中任一項所述之表面處理劑，其中Y為C1-6伸烷基、-(CH2)g’-O-(CH2)h’-(式中，g’為0至6的整數，h’為0至6的整數)或-伸苯基-(CH2)i’-(式中，i’為0至6的整數)。
  25. 如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述之表面處理劑，其中X1、X5、X7及X9分別獨立地為3至10價的有機基。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之表面處理劑，其中X1、X5、X7及X9分別獨立地選自下列者所成群組， 式中，於各基，T中至少一者為式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)中鍵結於PFPE的下列的基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、 -CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中Ph係指苯基)以及 其他T中至少一者為式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)及(D2)中鍵結於碳原子或Si原子之-(CH2)n-(n為2至6的整數)，於有存在的情況，其餘的T分別獨立地為甲基、苯基、碳數1至6的烷氧基、或自由基捕捉基或紫外線吸收基；R41分別獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6的烷氧基或碳數1至6的烷基；R42分別獨立地表示氫原子、C1-6烷基或C1-6烷氧基。
  27. 如申請專利範圍第1項至第26項中任一項所述之表面處理劑，其中含全氟(聚)醚基的矽烷化合物為式(A1)及(A2)的任一者表示的至少1種的化合物。
  28. 如申請專利範圍第1項至第26項中任一項所述之表面處理劑，其中含全氟(聚)醚基的矽烷化合物為式(B1)及(B2)的任一者表示的至少1種的化合物。
  29. 如申請專利範圍第1項至第26項中任一項所述之表面處理劑，其中含全氟(聚)醚基的矽烷化合物為式(C1)及 (C2)的任一者表示的至少1種的化合物。
  30. 如申請專利範圍第1項至第26項中任一項所述之表面處理劑，其中含全氟(聚)醚基的矽烷化合物為式(D1)及(D2)的任一者表示的至少1種的化合物。
  31. 如申請專利範圍第1項至第30項中任一項所述之表面處理劑，其中相對於含全氟(聚)醚基的矽烷化合物及含氟油的總和，含有5至95質量%的含氟油。
  32. 如申請專利範圍第1項至第31項中任一項所述之表面處理劑，更含有選自矽油及觸媒中之1種或多於1種的其他成分。
  33. 如申請專利範圍第1項至第32項中任一項所述之表面處理劑，更包含溶劑。
  34. 如申請專利範圍第1項至第33項中任一項所述之表面處理劑，其係被使用作為防污性塗劑或防水性塗劑。
  35. 如申請專利範圍第1項至第34項中任一項所述之表面處理劑，其係真空蒸鍍用者。
  36. 一種顆粒，其含有如申請專利範圍第1項至第35項中任一項所述之表面處理劑。
  37. 一種物品，其包含：基材，以及由如申請專利範圍第1項至第35項中任一項所述之表面處理劑形成於該基材的表面的層。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之物品，其中，霧值為0.3%以下。
  39. 如申請專利範圍第37項或第38項所述之物品，其中， 基材為玻璃或藍寶石玻璃。
  40. 如申請專利範圍第39項所述之物品，其中玻璃為選自鈉鈣玻璃、鹼鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃及石英玻璃所成群組之玻璃。
  41. 如申請專利範圍第37項至第40項中任一項所述之物品，其中前述物品為光學構件。
  42. 如申請專利範圍第37項至第41項中任一項所述之物品，其中前述物品為顯示器。
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