TW202111846A - 為了產量效率預對準載體、晶圓及載體-晶圓組合的方法 - Google Patents

為了產量效率預對準載體、晶圓及載體-晶圓組合的方法 Download PDF

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Abstract

一種方法包括以下步驟：將一載體對準並定位在一叢集工具的一第一前開式晶圓移送盒（FOUP）內的一預定定向和位置中，將該載體移送到該叢集工具的一充電站，將一基板從該叢集工具的一第二前開式晶圓移送盒（FOUP）移送到該充電站，並將該基板吸附（chuck）到該載體上，將其上具有該基板的該載體從該充電站移送到該叢集工具的一工廠介面，在該叢集工具的該工廠介面中將其上具有該基板的該載體對準，使得在該叢集工具的一處理平臺內的基板處理期間，該載體相對於該處理平臺的部件適當地定向和定位，其中該處理平臺包含一個或多個處理腔室，將其上具有該基板的該對準後的載體從該工廠介面移送到該叢集工具的該處理平臺，以用於基板處理，及將其上具有該處理過的基板的該對準後的載體從該處理平臺移送到該工廠介面。

Description

為了產量效率預對準載體、晶圓及載體-晶圓組合的方法
本揭示案的實施例一般係關於一種在處理系統中預對準載體和基板的方法。
在用於諸如光二極體層的沉積之類的應用的半導體處理中，將晶圓裝載到過大尺寸的載體上並移動通過多腔室處理叢集工具。設置在載體上的晶圓需要適當地對準，例如，以用於在沉積處理期間將遮罩裝載在晶圓的頂部上。這需要在沉積處理之前對載體作適當的計時。因此，需要一種對載體、基板以及載體與設置在該載體上的基板的組合提供適當的預對準程序的方法。
本揭示案的實施例一般係關於一種方法，該方法包括以下步驟：將一載體對準並定位在一叢集工具的一第一前開式晶圓移送盒（FOUP）內的一預定定向和位置中，將該載體移送到該叢集工具的一充電站，將一基板從該叢集工具的一第二前開式晶圓移送盒（FOUP）移送到該充電站，並將該基板吸附（chuck）到該載體上，將其上具有該基板的該載體從該充電站移送到該叢集工具的一工廠介面，在該叢集工具的該工廠介面中將其上具有該基板的該載體對準，使得在該叢集工具的一處理平臺內的基板處理期間，該載體相對於該處理平臺的部件適當地定向和定位，其中該處理平臺包含一個或多個處理腔室，將其上具有該基板的該對準後的載體從該工廠介面移送到該叢集工具的該處理平臺，以用於基板處理，及將其上具有該處理過的基板的該對準後的載體從該處理平臺移送到該工廠介面。
在另一實施例中，一種用於在一叢集工具中的基板處理期間將一基板固持在其上的載體，包括：一可攜式靜電吸盤，該可攜式靜電吸盤經配置使用靜電力將一基板固持在該可攜式靜電吸盤的一表面上，其中該可攜式靜電吸盤具有一個或多個平坦部分和一凹口，該一個或多個平坦部分經配置抵靠（against）一叢集工具的一前開式晶圓移送盒（FOUP）中的一擱板（shelf）的側壁對準，該凹口經配置與該擱板上的一凸部對準。
在又一個實施例中，一種叢集工具包括：一第一前開式晶圓移送盒（FOUP），該第一前開式晶圓移送盒經配置以一預定方向和位置儲存一個或多個載體，一第二前開式晶圓移送盒（FOUP），該第二前開式晶圓移送盒經配置儲存一個或多個基板，一充電站，該充電站經配置將一基板吸附到一載體上，以及將一基板從一載體解吸附，一工廠介面，該工廠介面包含一預對準器，該預對準器經配置對準其上吸附有一基板的一載體，一處理平臺，該處理平臺包含一個或多個處理腔室，一工廠介面機器人，該工廠介面機器人經配置在第一FOUP和充電站之間移送一載體、在第二FOUP和充電站之間移送一基板，及在充電站至預對準器之間以及預對準器和處理平臺之間移送其上具有基板的載體，及一控制器，該控制器經配置控制該工廠介面機器人，以一預定方向和位置將一載體從該第一FOUP移送到該充電站，及該控制器經配置控制該預對準器，以對準其上具有一基板的一載體，使得在該叢集工具的該處理平臺內的基板處理期間，該載體相對於該處理平臺的部件適當地定向和定位。
本揭示案的實施例一般係關於在基板處理之前針對載體和設置在載體上的基板之預對準系統。對準系統可以允許在基板處理期間不進行基板對準的情況下作基板處理。
圖1繪示根據一個或多個實施例的用於處理基板（如晶圓）的處理系統100。例如，處理系統100可在基板上沉積一個或多個金屬氧化物層和/或有機材料以製造光感測裝置。例如，光感測裝置可以是有機圖像感測裝置。處理系統的實例包括可從加利福尼亞州聖克拉拉市的應用材料公司（Applied Materials，Inc.）商業取得的ENDURA® 系統。或者，亦可根據本揭示案修改其他基板處理系統。
處理系統100包括真空密封處理平臺160、工廠介面162和控制器150。此外，處理系統100也可稱為叢集工具或多腔室處理系統。
處理平臺160包括一個或多個處理腔室。例如，處理平臺160可包括處理腔室112、114、116、118、132、134、136、138和140。此外，處理平臺160包括一個或多個移送腔室。例如，如圖1所示，處理平臺160包括移送腔室110和130。處理平臺160還可包括一個或多個通過腔室（pass-through chamber），其允許基板在移送腔室之間移送。例如，通過腔室122、124可允許基板在移送腔室110和130之間移送。
處理平臺160還可包括一個或多個裝載閘腔室。例如，如圖1所示，處理平臺160包括裝載閘腔室102、104。在將基板從工廠介面162移送到移送腔室110之前，可將裝載閘腔室102、104抽氣（pump down）以在真空下操作。
工廠介面162包括一個或多個對接站（docking station）183、一個或多個工廠介面機器人185以及充電站190。對接站183包括一個或多個前開式晶圓移送盒（FOUP）187A、187B、187C、187D。工廠介面機器人185可進行以箭頭182所示的線性和旋轉運動。此外，工廠介面機器人185可在FOUP 187A-D、裝載閘腔室102、104和充電站190之間移送基板和載體。充電站190可經配置將基板安裝在載體上或從載體移除基板。例如，載體可包括一個或多個導電元件（如吸附電極），該等導電元件經配置將基板抵靠載體靜電地固持（即「吸附（chuck）」）。可藉由工廠介面機器人185將載體和「吸附的」基板從充電站190移送到裝載閘腔室102、104中的一個或多個，以在處理平臺160內處理基板。隨後，可將載體和處理過的基板從裝載閘腔室102、104移送到充電站190，使得可從載體上移除處理過的基板，以及可藉由工廠介面機器人185將處理過的基板從充電站190移送到FOUP 187A-D中的一個。可將一個或多個預對準器192設置在工廠介面162中，以藉由識別載體的中心和載體上的凹口來對準基板和載體，使得載體可以相對於處理平臺160內的部件適當地定向以及接著理想地定位在處理平臺160內的部件上。
移送腔室110包括移送機器人111。移送機器人111將基板移送進出裝載閘腔室102、104，進出處理腔室112、114、116和118，以及進出通過腔室122、124。通過腔室122和124可用於維持真空條件，同時允許基板在移送腔室110和130之間的處理平臺160內移送。移送腔室130包括移送機器人131。移送機器人131在通過腔室122、124與處理腔室132、134、136、138和140之間以及在處理腔室132、134、136、138和140之間移送基板。
處理腔室112、114、116、118、132、134、136、138和140可以以適合於處理基板的任何方式配置。例如，處理腔室112、114、116、118、132、134、136、138和140可經配置沈積一個或多個金屬氧化物層、一個或多個有機膜，以及對基板施加一個或多個清洗製程，以產生半導體元件（如光二極體、光感測裝置或類似物）。
處理腔室（如處理腔室112、114、116、118）可經配置施行預清洗製程，以在將基板移送到另一處理腔室之前從基板上消除污染物和/或除氣揮發性成分。處理腔室138可經配置在基板上沉積一層或多層。一層或多層可由銦錫氧化物（ITO）、氧化矽、氮化矽，氧化鋁或任何合適的材料製成。處理腔室132、134、136可經配置在基板上沉積一個或多個有機膜。此外，處理腔室140可經配置在將基板移送到處理腔室132、134、136和138中的一個或多個之前，將遮罩（如影罩）定位在基板上，以及在處理腔室132、134、136和138中的一個或多個處理腔室內處理之後，將遮罩自基板上卸載。處理腔室132、134、136、138可經配置使用化學沉積製程（如化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）、金屬有機化學（MOCVD）、電漿增強化學氣相沉積（PECVD）和物理氣相沉積（PVD）（如濺射製程或蒸發製程）等）來沉積材料（如金屬氧化物層或有機膜）。
控制器150經配置控制處理系統100的部件。控制器150可以是用於控制處理腔室112、114、116、118、132、134、136、138和140，移送腔室110和130，通過腔室122、124以及工廠介面162中的一個或多個的操作之任何合適的控制器。例如，控制器150可經配置控制移送機器人111、移送機器人131和工廠介面機器人185的操作。控制器150包括中央處理單元（CPU）152、記憶體154和支援電路156。CPU 152可以是可以在工業環境中使用的任何通用電腦處理器。支援電路156耦接至CPU 152且可包括快取、時脈電路、輸入/輸出子系統、電源供應及類似物。軟體常用程式可儲存在記憶體154內。軟體常用程式可由CPU 152執行，且因此適於使處理系統100內的各種部件施行本案描述的一個或多個方法。或者或甚者，一個或多個軟體常用程式可由第二CPU（未圖示）執行。第二CPU可以是控制器150的部分或在控制器150的遠端。
一個或多個處理腔室112、114、116、118、132、134、136、138和140，一個或多個移送腔室110和130，一個或多個通過腔室122、124和/或工廠介面162可具有經配置控制本案揭露的方法的至少一部分之一個或多個專用控制器。專用控制器可經配置類似於控制器150，且可與控制器150耦接以同步處理系統100內的基板的處理。
圖2繪示根據一個或多個實施例的用於處理基板的方法200的流程圖。在操作202，以預定定向和位置將載體對準並定位在FOUP 187A-D之一（例如，在FOUP（稱為「載體FOUP」）187D）中。載體和載體FOUP 187D可具有用於將載體對準並定位在載體FOUP 187D內的任何合適的結構特徵。以下結合圖3、圖4A和圖4B描述載體和載體FOUP 187D的實例。
在操作204，藉由工廠介面機器人185將對準後的載體移送到充電站190。基於載體FOUP 187D中載體的預定定向和位置，控制器150控制工廠介面機器人185將載體移送到充電站190的定向和位置。
在操作206，工廠介面機器人185將基板（如300mm晶圓）從FOUP 187A-C之一移送到充電站190。接著，將基板與載體對準並吸附在載體的前表面上。載體和基板可各自具有一個或多個特徵（如凹口），該一個或多個特徵用於以預定定向和位置將基板對準和定位在載體上。
在一些實施例中，載體是可攜式靜電吸盤（ESC），其經配置利用靜電力來固持基板。可攜式ESC包括嵌入其中的一個或多個電極。在將電力施加到一個或多個電極以將基板吸附到載體的前表面後，即使不再向一個或多個電極供電（即，在處理系統（如處理系統100）內基板和載體移送期間），靜電力仍與載體和基板維持。如此一來，有利地防止基板在載體的移送期間移動。下面結合圖5A、5B和6描述充電站190的實例。
在操作208，將在載體的前表面上具有基板的載體從充電站190移送到工廠介面162中的預對準器192。預對準器192藉由識別載體的結構特徵來把載體定向和定位，使得在進行基板處理期間，可以將載體相對於處理平臺160內的部件適當地定向和定位。因此，在基板處理期間不需要重新對準載體和基板。基於載體在充電站109內的預定定向和位置，控制器150控制載體在預對準器192中對準的定向和位置。
載體的適當定向和定位的一實例是相對於一個或多個腔室102、104、112、114、116、118、122、124、132、134、136、138和140內的基板支撐件的升舉銷。對準在載體的前表面上具有基板的載體，使得在進行基板處理期間，升舉銷與載體的後表面接觸，以在不透過一個或多個切口區域接觸基板的情況下升舉載體。在下面結合圖7描述升舉銷的實例。
載體的適當定向和定位的另一個實例是相對於待沉積在吸附在載體上的基板表面上或上方的遮罩。可將遮罩對準並放置在遮罩對準腔室（如處理腔室140）中的基板上或上方。遮罩包括預定的開口圖案，以允許材料在與開口相對應的位置處沉積在基板的表面上。
在操作210，藉由工廠介面機器人185將其上具有基板的預對準載體移送至處理平臺160，以用於基板處理。在一些實施例中，其上具有基板的載體透過裝載閘腔室102、104之一從工廠介面162移送到處理腔室112、114、116和118之一，以用於基板處理。基板被進一步移送到處理腔室132、134、136、138中的一個或多個，以進行額外的基板處理，並透過通過腔室122和124中的一個移送回工廠介面162。基板處理可包括透過遮罩在基板上沉積一層或多層。一層或多層可以是一個或多個有機膜，如OPF。在一些實施例中，一層或多層包括雙層總體異質結構。在一些實施例中，雙層總體異質結構包括三（8-羥基喹啉基）鋁（Alq3）或巴克明斯特富勒烯（C60）。一層或多層具有與第一遮罩的開口的第一預定圖案相對應的圖案。可藉由任何合適的方法（如CVD、PECVD、MOCVD、ALD或PVD）來沉積一層或多層。該層可沉積在處理腔室中，例如處理腔室138（在圖1中所示）。在一些實施例中，該層藉由PVD製程沉積。用於沉積該層的處理腔室是處理系統（如處理系統100）的部分。在操作208，將載體和載體上的基板預對準，使得在操作210的整個基板製程期間，不需要將載體和基板重新對準。
在操作212，其上具有處理過的基板的載體從處理平臺160移送到工廠介面162中的預對準器192並對準，使得可以將處理過的基板和載體適當地定向並放置在充電站190中。基於在操作208中的基板處理製程之前載體在預對準器192中的定向和位置，控制器150控制載體在預對準器192中對準的定向和位置。
在操作214，將處理過的基板從載體上移除（「解吸附」）。可重複操作202-214以處理另一基板。
圖3是根據一個實施例的載體302的示意圖。圖4A和4B是根據一個實施例的載體FOUP 187D的內部側視圖和內部頂視圖。藉由硬體設計將載體302對準並定位在載體FOUP 187D中的預定定向和位置中。即，載體302具有平坦部分304和凹口306。載體FOUP 187D具有擱板（shelf）402，擱板402的各者具有直的側壁404和凸部406。載體302被放置在擱板402上並且經定向，使得平坦部分304抵靠側壁404對準並且凹口306與擱板402上的凸部406對準。工廠介面機器人185以（側壁404和凸部406的設計所決定的）一定向將預對準的載體302從載體FOUP 187D移動到充電站190。
載體302的直徑在約300mm至約330mm之間，例如，約318mm。平坦部分304的長度在約50mm至約100mm之間，例如，約70mm。凹口306相對於載體302的外周的深度在約2mm至約4mm之間，如約3.1mm。
載體302的厚度在約2mm至約5mm之間，例如，約4mm。載體302可包括一個或多個切口區域308，其中載體302的材料已被移除以減小載體302的重量。此外，切口區域308可具有相同的尺寸，或者切口區域308中的一個或多個切口區域可大於切口區域308中的其他個切口區域。或者或甚者，切口區域308可經佈置使得切口區域308相對於載體302的中心線對稱。此外，切口區域308可經佈置使得切口區域308相對於載體302的中心線不對稱。
在圖4A中繪示具有九個擱板402的載體FOUP 187D的實例，但是載體FOUP 187D可具有多於或少於九個擱板402。每個擱板402的厚度可在2mm至約4mm之間，例如，大約3mm，且擱板402以18mm至約22mm之間的間距（如約20mm）垂直地對準。
圖5A是根據一個實施例的充電站190的示意圖，其中載體302設置在充電站190的吸盤502上方。圖5B是沿圖3的A-A’的充電站190的示意圖。圖5C是沿圖3的B-B’的充電站的示意圖的圖示。晶圓504設置在載體302上方並與載體302對準。定位在載體302和晶圓504下方的吸盤502包括真空埠506和真空埠508。真空埠506和真空埠508分別連接到真空源（未圖示）和控制閥（未圖示），使得可以藉由使用來自控制器150的指令將真空壓力選擇性地施加於真空埠506或真空埠508。如圖所示，真空埠506經定位使得真空埠506與切口區域308對準，且真空埠506能夠與晶圓504相互作用。或者，真空埠506可定位在不同的位置，使得真空埠506能夠與晶圓504相互作用。例如，載體302可包括專用埠，該等專用埠耦接到真空埠506並允許真空埠506與晶圓504相互作用。真空埠508與載體302相互作用。
充電站190進一步包括泵送裝置510、512和電源供應514。泵送裝置510和512透過隔離閥（未圖示）分別耦接到真空埠506和508。泵送裝置510經由真空埠506在晶圓504和吸盤502之間產生真空。泵送裝置512經由真空埠508在載體302和吸盤502之間產生真空。在載體302與吸盤502之間以及在載體302與晶圓504之間產生真空，將載體302和晶圓504相對於彼此保持在實質恆定的位置，同時將晶圓504靜電吸附到載體302上。另外，泵送裝置510可經由真空埠506將氣體泵送到吸盤502和晶圓504之間的空間。此外，泵送裝置510可包括感測器（未圖示），該感測器經配置監控吸盤502和晶圓504之間的氣體壓力，以確定在靜電吸附製程期間或在靜電解吸附製程期間晶圓504是否被吸附到載體302。
吸盤502包括電銷（electrical pin）516和518。電銷516和518耦接到電源供應514。載體302包括電極520和522。電源供應514可驅動電銷516和518，使得電銷516和518相對於彼此電偏壓。例如，電銷516可由正電壓（如至少約1KV）驅動，以及電銷518可由對應的負電壓（如至少約-1KV）驅動。驅動電銷516和518改變了載體302的電極520和522上的電荷，從而在晶圓504和載體302之間產生電吸附力。此外，電源供應514可用其他電壓驅動電銷516和518，以將晶圓504從載體302上解吸附或去耦接。例如，電源供應514可用如上所述之相反極性的電壓來驅動電銷516和518，以將晶圓504從載體302上解吸附。
圖6繪示包括致動器602的充電站190的一部分。致動器602包括銷604和銷606。致動器602可使銷604和606朝向吸盤502移動以及遠離吸盤502移動。例如，當藉由工廠介面機器人185將載體302放置到充電站190中時，銷604可朝致動器602移動以將載體302降低到吸盤502上。當裝載載體302時，銷604可在延伸位置中以接收載體302。此外，可將銷604遠離致動器602移動，以將載體302從吸盤502上抬起，以將載體302從充電站190中移除。此外，當將晶圓504放置到充電站190中時，銷606可從致動器602移向，以將晶圓504降低到載體302上。當裝載晶圓504時，銷606可在延伸位置中以接收晶圓504。此外，可利用銷606將晶圓504從載體302上抬起，使得可以將晶圓504從充電站190中移除。
圖7是根據一個或多個實施例的用於沉積一層的處理腔室700的示意圖。處理腔室700可以是圖1所示的處理腔室138。處理腔室700可以是用於沉積金屬氧化物層的PVD腔室。處理腔室700包括由蓋件704覆蓋的腔室主體706，蓋件704包圍處理區域719。狹縫閥734耦接至腔室主體706，且經配置促成將設置在載體742的前表面上的基板722移送進出處理腔室700。腔室主體706可接地，使得能夠在其中形成電漿。
基板支撐件724設置在處理區域719內，以用於支撐承載基板722的載體742。基板支撐件724包括基座736和耦接至基座736的軸712。軸712可耦接至升舉機構713，升舉機構713提供基板支撐件724的垂直運動。RF電源供應717和RF匹配716耦接到基座736，以用於向基板722和載體742提供偏壓功率。
處理腔室700進一步包括基板升舉系統730。基板升舉系統730包括耦接至軸711的平臺708，該平臺708可由升降機732舉升。升舉銷709安裝在平臺708上，且升舉銷709經配置穿過在基座736上形成的通孔（未圖示）且升舉銷709與載體742的後表面接觸以在不接觸基板722的情況下抬起載體742，載體742承載在載體742的前表面上的基板722。處理腔室700進一步包括真空系統714，以控制處理腔室700內的壓力。
處理腔室700進一步包括設置在處理區域719內的靶766。電源768耦接到靶766以向靶766施加電壓。在一些實施例中，RF電源供應770可耦接至靶766，以將RF功率施加至靶766，以利於對基板722上的沉積速率的徑向分佈作控制。磁控管組件778可設置在靶766上方，以幫助在處理腔室700內進行電漿處理。處理氣體供應718耦接到處理腔室700，以用於向處理區域719提供一個或多個處理氣體。
本案呈現了用於載體和設置在載體上的基板的預對準的方法。僅在基板處理之前和之後對準載體和設置在其上的基板，使得在基板處理期間不需要載體和基板的對準。
雖然前面所述係針對本揭示案的實施例，但在不背離本揭示案的實質範圍下，可設計本揭示案的其他與進一步的實施例，且本揭示案的範圍由以下專利申請範圍所界定。
100:處理系統 102:裝載閘腔室 104:裝載閘腔室 109:充電站 110:移送腔室 111:移送機器人 112:處理腔室 114:處理腔室 116:處理腔室 118:處理腔室 122:通過腔室 124:通過腔室 130:移送腔室 131:移送機器人 132:處理腔室 134:處理腔室 136:處理腔室 138:處理腔室 140:處理腔室 150:控制器 152:中央處理單元（CPU） 156:支援電路 160:處理平臺 162:工廠介面 182:箭頭 183:對接站 185:工廠介面機器人 190:充電站 192:預對準器 200:方法 202:操作 204:操作 206:操作 208:操作 210:操作 212:操作 214:操作 302:載體 304:平坦部分 306:凹口 308:切口區域 402:擱板 404:側壁 406:凸部 502:吸盤 504:晶圓 506:真空埠 508:真空部 510:泵送裝置 512:泵送裝置 514:電源供應 516:電銷 518:電銷 520:電極 602:致動器 604:銷 606:銷 700:處理腔室 704:蓋件 706:腔室主體 708:平臺 709:升舉銷 711:軸 712:軸 713:升舉機構 714:真空系統 716:RF匹配 717:RF電源供應 718:處理氣體供應 719:處理區域 722:基板 724:基板支撐件 730:基板升舉系統 732:升降機 734:狹縫閥 736:基座 742:載體 766:靶 768:電源 770:RF電源供應 778:磁控管組件 187A~D:前開式晶圓移送盒（FOUP）
本揭示案之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本案實施例以作瞭解。然而，值得注意的是，所附圖式只繪示了示範實施例且不會視為其範圍之限制，本揭示案可允許其他等效之實施例。
圖1是根據一個實施例的處理系統的示意圖。
圖2繪示根據一個實施例的用於處理基板的方法的流程圖。
圖3是根據一個實施例的載體的示意圖。
圖4A和4B是根據一個實施例的載體FOUP的內部側視圖和內部頂視圖。
圖5A是根據一個實施例的充電站的示意圖。圖5B是沿圖3的A-A’的充電站的示意圖。圖5C是沿圖3的B-B’的充電站的示意圖的圖示。
圖6繪示根據一個實施例的包括致動器的充電站的一部分。
圖7是根據一個或多個實施例的用於沉積一層的處理腔室的示意圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。可以預期的是，一個實施例中的元件與特徵可有利地用於其他實施例中而無需贅述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
302:載體
304:平坦部分
306:凹口
308:切口區域

Claims (19)

  1. 一種方法，包括以下步驟： 將一載體對準並定位在一叢集工具的一第一前開式晶圓移送盒（FOUP）內的一預定定向和位置中； 將該載體移送到該叢集工具的一充電站； 將一基板從該叢集工具的一第二前開式晶圓移送盒（FOUP）移送到該充電站，並將該基板吸附（chuck）到該載體上； 將其上具有該基板的該載體從該充電站移送到該叢集工具的一工廠介面； 在該叢集工具的該工廠介面中將其上具有該基板的該載體對準，使得在該叢集工具的一處理平臺內的基板處理期間，該載體相對於該處理平臺的部件適當地（properly）定向和定位，其中該處理平臺包含一個或多個處理腔室； 將其上具有該基板的該對準後的載體從該工廠介面移送到該叢集工具的該處理平臺，以用於基板處理；及 將其上具有該處理過的基板的該對準後的載體從該處理平臺移送到該工廠介面。
  2. 如請求項1所述之方法，其中在該叢集工具的該處理平臺內的基板處理期間，沒有將其上具有該基板的該載體重新對準（re-align）。
  3. 如請求項1所述之方法，其中其上具有該基板的該載體在該叢集工具的該工廠介面中對準，使得在該叢集工具的該處理平臺內的該一個或多個處理腔室中的升舉銷沒有透過該載體的切口接觸該基板。
  4. 如請求項1所述之方法，其中其上具有該基板的該載體在該叢集工具的該工廠介面中對準，使得一遮罩適當地對準並定位在該叢集工具的該處理平臺內的該等處理腔室中的一個處理腔室中的該基板上。
  5. 如請求項1所述之方法，其中在該叢集工具的該第一FOUP內對準和定位一載體的步驟包括以下步驟：將該載體的結構特徵相對於該叢集工具的該第一FOUP的結構特徵對準。
  6. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：將該基板吸附到該載體上，使該基板的特徵相對於該載體的特徵對準。
  7. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： 在該工廠介面中將其上具有該處理過的基板的該載體對準； 將其上具有該處理過的基板的該對準後的載體從該工廠介面移送到該充電站；及 從該載體上解吸附（de-chucking）該處理過的基板。
  8. 一種用於在一叢集工具中的基板處理期間將一基板固持在其上的載體，包括： 一可攜式靜電吸盤，該可攜式靜電吸盤經配置使用靜電力將一基板固持在該可攜式靜電吸盤的一表面上，其中 該可攜式靜電吸盤具有一個或多個平坦部分和一凹口，該一個或多個平坦部分經配置抵靠（against）一叢集工具的一前開式晶圓移送盒（FOUP）中的一擱板（shelf）的側壁對準，該凹口經配置與該擱板上的一凸部對準。
  9. 如請求項8所述之載體，其中該載體的一直徑在約300mm至約330mm之間。
  10. 如請求項8所述之載體，其中該載體的厚度在約2mm至約5mm之間。
  11. 如請求項8所述之載體，其中該一個或多個平坦部分的長度在約50mm至100mm之間。
  12. 如請求項8所述之載體，其中該凹口的深度在約2mm至4mm之間。
  13. 如請求項8所述之載體，其中該載體具有一個或多個切口區域。
  14. 一種叢集工具，包括： 一第一前開式晶圓移送盒（FOUP），該第一前開式晶圓移送盒經配置以一預定方向和位置儲存一個或多個載體； 一第二前開式晶圓移送盒（FOUP），該第二前開式晶圓移送盒經配置儲存一個或多個基板； 一充電站，該充電站經配置將一基板吸附到一載體上，以及將一基板從一載體解吸附； 一工廠介面，該工廠介面包含一預對準器，該預對準器經配置對準其上吸附有一基板的一載體； 一處理平臺，該處理平臺包含一個或多個處理腔室； 一工廠介面機器人，該工廠介面機器人經配置在該第一FOUP和該充電站之間移送一載體，在該第二FOUP和該充電站之間移送一基板，以及在該充電站到該預對準器之間以及在該預對準器和該處理平臺之間移送其上具有一基板的一載體；及 一控制器，該控制器經配置控制以下各者： 該工廠介面機器人，該工廠介面機器人以一預定方向和位置將一載體從該第一FOUP移送到該充電站；及 該控制器經配置控制該預對準器，以對準其上具有一基板的一載體，使得在該叢集工具的該處理平臺內的基板處理期間，該載體相對於該處理平臺的部件適當地定向和定位。
  15. 如請求項14所述之叢集工具，其中在該叢集工具的該處理平臺內的基板處理期間，沒有將其上具有一基板的一載體重新對準。
  16. 如請求項14所述之叢集工具，其中藉由該預對準器使其上具有該基板的該載體對準，使得在該叢集工具的該處理平臺內的該一個或多個處理腔室中的升舉銷沒有透過該載體的切口接觸該基板。
  17. 如請求項14所述之叢集工具，其中藉由該預對準器使其上具有該基板的該載體對準，使得一遮罩適當地對準並定位在該叢集工具的該處理平臺內的該等處理腔室中的一個處理腔室中的該基板上。
  18. 如請求項14所述之叢集工具，其中藉由使用該載體的結構特徵相對於該叢集工具的該第一FOUP將一載體對準並定位在該第一FOUP內。
  19. 如請求項14所述之叢集工具，其中藉由使用該基板的特徵和該載體的特徵，將一基板對準到一載體上。
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