CN108165927B - 掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法，以解决蒸镀时掩膜版被吸附后FMM出现褶皱的问题。其中该吸附方法包括：从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合。上述吸附方法应用于制造OLED显示面板的蒸镀过程中，以提高蒸镀质量。

Description

掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法
技术领域
本发明涉及OLED(英文全称为：Organic Light-Emitting Diode，中文名称为：有机发光二极管)显示面板制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法。
背景技术
目前，OLED显示面板的生产主要采用的是蒸发镀膜的方式，蒸镀过程中，需要采用FMM(英文全称为：Fine Metal Mask，中文名称为：高精度金属掩膜版)来沉积R(红色)子像素、G(绿色)子像素、B(蓝色)子像素等膜层，以确保将薄膜材料蒸镀在规定位置。
如图1a～图1d所示，在一个金属框架1(Frame)上依次焊接遮蔽条2(Cover)、支撑条3(Howling)和长条状的FMM 4，形成一套掩膜版。其中，遮蔽条2的长度方向与FMM 4的长度方向一致，遮蔽条2位于相邻FMM 4之间的间隙，用以遮挡各FMM 4之间的间隙。支撑条3的长度方向与FMM 4的长度方向相垂直，用于支撑各FMM 4。遮蔽条2和支撑条3交叉所形成的网格区域暴露FMM 4的显示区AA，FMM 4的显示区AA对应显示面板的显示区AA。
如图2a～图2b所示，蒸镀时，将衬底基板5置于掩膜版上方，使其与掩膜版的FMM 4贴合。通常，掩膜版和衬底基板5会由于自身重力作用而发生下垂，两者间可能会有间隙，因此需要在衬底基板5上方放置一块具有强磁性的高斯板6，将掩膜版吸附起来，从而使FMM 4更紧密地和衬底基板5贴合在一起，以确保蒸镀位置的准确性。
但是，上述吸附过程却存在如下问题：掩膜版被吸附后，FMM 4容易产生褶皱，从而引起蒸镀位置的偏移，影响显示面板良率；严重时FMM 4会产生折痕，甚至FMM 4的细孔结构被破坏，直接导致整套掩膜版损坏或报废，造成成本的损失。
发明内容
本发明实施例提供一种掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法，以解决蒸镀时掩膜版被吸附后FMM出现褶皱的问题。
为达到上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：
第一方面，本发明实施例提供了一种掩膜版的吸附装置，该吸附装置包括：吸附部件，用于在蒸镀时吸附掩膜版，且能够同时对掩膜版的不同区域产生不同或相同的吸附力；与所述吸附部件相连的控制器，用于控制所述吸附部件从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合。
作为一种可能的设计，所述吸附部件包括：第一载板；分散布置于所述第一载板上的至少两个电磁铁，所述至少两个电磁铁能够同时产生相同的磁力，每个所述电磁铁包括铁芯，及缠绕于所述铁芯上的若干圈线圈；至少两个开关，每个所述开关与至少一个所述电磁铁相连。
作为一种可能的设计，所述吸附部件包括：柔性的第二载板；分散布置于所述第二载板上的至少两个磁铁，所述至少两个磁铁能够同时产生相同的磁力。
作为一种可能的设计，所述吸附部件包括至少两个高斯单元，每个所述高斯单元包括第三载板，及布置于所述第三载板上的至少一个磁铁；所述至少两个高斯单元能够独立升降，且能够同时产生相同的磁力；在蒸镀时，所述至少两个高斯单元分别对应掩膜版的各个区域，以吸附整个掩膜版。
第二方面，本发明实施例提供了一种掩膜版的吸附方法，该吸附方法应用于如第一方面所述的掩膜版的吸附装置，该吸附方法包括：从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合。
第三方面，本发明实施例提供了一种蒸镀设备，该蒸镀设备包括如第一方面所述的吸附装置。
第四方面，本发明实施例提供了一种蒸镀方法，该蒸镀方法包括：采用如第二方面所述的吸附方法对掩膜版进行吸附，使掩膜版与衬底基板相贴合。
在本发明实施例所提供的上述技术方案中，在吸附掩膜版的过程中，通过从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合，避免了掩膜版整体同时受高斯板磁力吸附，从而减少了掩膜版的FMM上褶皱的产生；另外，可以设置关键区域(关键区域可以是FMM的显示区)被先吸附，这样，掩膜版中的褶皱可以被疏导到关键区域之外，从而防止掩膜版的FMM在关键区域产生褶皱，解决了FMM产生褶皱，尤其是FMM的显示区产生褶皱，所造成的显示不良问题。并且，FMM不会出现折痕，细孔结构也不会遭到破坏，从而避免了由此引起的掩膜版损坏或报废，避免了成本的不必要浪费。
第五方面，本发明实施例提供了一种FMM，所述FMM中，预估产生褶皱的区域的厚度大于其余区域的厚度。
第六方面，本发明实施例提供了一种掩膜版，所述掩膜版包括至少一个如第五方面所述的FMM。
在本发明实施例所提供的上述技术方案中，由于在吸附掩膜版的过程中，是从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，因此可以预估掩膜版褶皱的产生区域，从而可据此在预估产生褶皱的区域，对掩膜版的FMM的厚度进行加厚，以增强该区域FMM的抗形变性能，较好地避免了该区域产生褶皱，从而进一步提高了蒸镀薄膜的质量，且进一步保护了掩膜版。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1a～图1d为FMM的张网方式的各步骤图；
图2a～图2b为现有技术中掩膜版被吸附过程的各状态图；
图3a为本发明实施例一中电磁铁的第一种控制电路图；
图3b为本发明实施例一中电磁铁的第二种控制电路图；
图4a为本发明实施例一中电磁铁的第一种布置方案图；
图4b为本发明实施例一中电磁铁的第二种布置方案图；
图4c为本发明实施例一中电磁铁的第三种布置方案图；
图5a～图5d为本发明实施例一中掩膜版被吸附过程的各步骤图；
图6a～图6c为本发明实施例一中第一种吸附方式的各步骤图；
图7a～图7c为本发明实施例一中第二种吸附方式的各步骤图；
图8a～图8c为本发明实施例一中第三种吸附方式的各步骤图；
图9a～图9c为本发明实施例一中第四种吸附方式的各步骤图；
图10a～图10c为本发明实施例一中第五种吸附方式的各步骤图；
图11a～图11c为本发明实施例一中第六种吸附方式的各步骤图；
图12a～图12d为本发明实施例二中掩膜版被吸附过程的各步骤图；
图13a～图13d为本发明实施例三中掩膜版被吸附过程的各步骤图；
图14a～图14d为本发明实施例四中掩膜版被吸附过程的各步骤图；
图15a～图15b为本发明实施例六中FMM的结构图。
附图标记说明：
1-金属框架； 2-遮蔽条；
3-支撑条； 4-FMM；
5-衬底基板； 6-高斯板；
AA-显示区； 7-电磁铁；
71-铁芯； 72-线圈；
8-开关； 9-可变电阻；
10-电源； 11-第一载板；
12-第二载板； 13-刚性平板；
14-高斯单元； 15-刚性高斯平板；
BB-预估产生褶皱的区域； CL-切割线；
16-夹持部； CC-剩余区域。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，现有技术中在蒸镀时吸附掩膜版的过程中，掩膜版的FMM 4容易产生褶皱。针对这一问题，本发明的发明人经研究发现，产生这一问题的主要原因在于：请继续参见图2a～图2b，现有技术中的高斯板6的结构主要是将条形永磁铁以一定排布镶嵌在一块刚性平板上，从而高斯板6可对下方区域同时产生较均匀的磁力(吸附力)。但是这种设计在实际生产中会出现如下问题：
(1)由于条形永磁铁之间存在间隙，因此高斯板6对下方区域的吸附力并不是绝对均匀的，并且由于不同位置掩膜版的状态，及掩膜版与衬底基板5的相对位置不同，因此当掩膜版受到向上的吸附力时，FMM 4的部分位置先被向上吸附，与衬底基板5贴合这样FMM 4另外的部分位置会受到周围掩膜版的挤压应力，无法与衬底基板5贴合，产生褶皱。
(2)当遮蔽条2和支撑条3被高斯板6吸附时，遮蔽条2和支撑条3会对周边的FMM 4造成挤压，使FMM 4的褶皱无法越过遮蔽条2和支撑条3的位置，从而形成褶皱。
(3)当FMM 4产生褶皱，此时若高斯板6进一步接近掩膜版，对FMM 4的吸附力增大，引起FMM 4内应力和磁力不平衡，则相应位置的FMM 4可能会产生折痕，或FMM 4的细孔结构遭到破坏，直接导致整套掩膜版损坏或报废。
基于上述研究结果，本发明的发明人提出如下技术方案：
本发明实施例提出一种掩膜版的吸附装置，该吸附装置包括：吸附部件，及与吸附部件相连的控制器。其中，吸附部件用于在蒸镀时吸附掩膜版，且能够同时对掩膜版的不同区域产生不同或相同的吸附力。控制器用于控制吸附部件从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合。
在前述装置中，由于吸附部件能够同时对掩膜版的不同区域产生不同的吸附力，因此吸附部件可以在控制器的控制下，从特定区域开始吸附，然后逐步扩大吸附范围。并且，由于吸附部件能够同时对掩膜版的各个区域产生相同的吸附力，因此在整个掩膜版与衬底基板贴合后，吸附部件可对掩膜版的各区域进行较均匀地吸附。
与上述吸附装置相对应的，本发明实施例还提供了一种掩膜版的吸附方法，该吸附方法应用于上述吸附装置，该吸附方法包括：从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合。
在本发明实施例所提供的上述吸附装置及吸附方法中，在吸附掩膜版的过程中，通过从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合，避免了掩膜版整体同时受高斯板磁力吸附，从而减少了掩膜版的FMM上褶皱的产生；另外，可以设置关键区域(关键区域可以是FMM的显示区)被先吸附，这样，掩膜版中的褶皱可以被疏导到关键区域之外，从而防止掩膜版的FMM在关键区域产生褶皱，避免了由于FMM产生褶皱所造成的蒸镀位置的偏移，也就有效地解决了蒸镀材料沉积在子像素开口以外的位置所导致的显示面板混色问题，提升了OLED显示面板的良率。并且，由于减少了FMM上褶皱的产生，因此FMM不会出现折痕，细孔结构也不会遭到破坏，从而避免了由此引起的掩膜版损坏或报废，避免了成本的不必要浪费。
以上是本发明实施例的基本技术构思，基于该技术构思，下面详细介绍几种具体的实施例。
实施例一
本实施例提供了一种掩膜版的吸附装置，如图5a～图5d所示，该吸附装置的吸附部件包括：第一载板11，分散布置于第一载板上的至少两个电磁铁，及至少两个开关。
其中，第一载板11用于承载电磁铁，第一载板11为一刚性的平板。
电磁铁可以镶嵌在第一载板11上，或者直接安装在第一载板11上。电磁铁在打开时能够产生磁力，并且吸附部件所包括的至少两个电磁铁能够同时产生相同的磁力，以便在吸附整个掩膜版时，能够对掩膜版的各个区域产生较均匀的吸附力。如图3a所示，电磁铁7的结构为：包括铁芯71，及缠绕于铁芯71上的若干圈线圈72，当给线圈72通电时，由于电磁作用，铁芯71能产生磁性，类似永磁铁，具有N、S两极，电磁铁7的磁力大小与通电线圈72的扎数、通电电流的大小、及铁芯71的截面积有关。为了向电磁铁7的线圈72供电，线圈72连接至一电源10；另外，吸附部件所包括的至少两个电磁铁7可连接至同一电源10，当然也可连接至不同的电源。
每个开关与至少一个电磁铁相连，用以控制电磁铁的打开和关闭，以实现对相应区域是否有磁力的控制。如图3a所示，每个开关8可以均对应的与一电磁铁7相连，从而每个电磁铁7均可独立地控制打开与关闭。一个开关也可与若干电磁铁相连，以统一地控制相应的电磁铁，这样控制过程更简便，开关的设置数量也比较少。开关可设置于电磁铁上，或者电磁铁周边，如第一载板11上，或者设置于控制器内。
在上述吸附装置的吸附部件中，将传统高斯板的永磁铁变更为电磁铁，从而可通过设置开关控制相应电磁铁的打开与关闭，也就控制相应电磁铁是否产生磁力，进而控制相应区域是否产生磁力。请继续参见图5a～图5d，利用上述吸附部件吸附掩膜版时，通过控制器控制特定区域的电磁铁对应的开关闭合，以打开特定区域的电磁铁，使特定区域产生磁力，吸附掩膜版的相应区域，然后通过控制器控制特定区域周边的电磁铁逐步打开，以逐步吸附掩膜版，直至整个掩膜版被吸附起来与衬底基板5相贴合。由于是从局部到整体逐渐吸附，因此掩膜版的FMM 4上褶皱减少或者不会出现褶皱，并且即便产生褶皱，褶皱也能够被疏导至FMM 4的非关键区域，如FMM 4的非显示区，以避免FMM 4的显示区AA产生褶皱所引起的显示不良问题。
请继续参见图3a，本实施例中，吸附部件还可以包括至少两个可变电阻9，每个可变电阻与至少一个电磁铁7相连，通过调节可变电阻9的电阻，可调节流入电磁铁7的线圈72的电流大小，从而调节电磁铁7的磁力大小。如图3所示，每个可变电阻9可以均对应的与一电磁铁7相连，从而每个电磁铁7均可独立地控制磁力大小。一个可变电阻也可与若干电磁铁相连，以统一地控制相应的电磁铁的磁力大小，这样控制过程更简便，可变电阻的设置数量也比较少。可变电阻可设置于电磁铁周边，如第一载板11上，或者设置于控制器内。
作为一种可能的设计，如图3b所示，吸附部件所包括的至少两个电磁铁7、至少两个开关8和至少两个可变电阻9一一对应的相串联，串联所形成的多条支路相并联，这样各条支路可共用同一个电源10，节省电源数量，并且各条支路之间相互独立，互不影响。
在吸附部件中，电磁铁的布置情况可以实际需要而定，例如吸附部件所包括的至少两个电磁铁可以设定规则布置于第一载板11上，这里所说的“设定规则”根据吸附掩膜版各个区域所需的吸附力而定，具体而言，假若掩膜版的某个区域相对于其它区域需要较强的吸附力，则可以通过增大吸附部件相应区域的电磁铁的布置密度来实现；又如吸附部件所包括的至少两个电磁铁可均匀布置于第一载板11上，这样吸附部件可产生较均匀的磁力。
基于上述电磁铁的布置方案，示例性的，电磁铁的铁芯71为圆柱体，吸附部件所包括的至少两个电磁铁呈阵列式竖立布置于第一载板11上，如图4a所示；或者，吸附部件所包括的至少两个电磁铁呈至少两个同心圆环状竖立布置于第一载板11上，如图4b所示。当然，电磁铁也可以其他设定规则布置，并且可平躺布置。
示例性的，电磁铁的铁芯71为方柱体，吸附部件所包括的至少两个电磁铁呈阵列式平躺布置于第一载板11上，如图4c所示。当然，电磁铁也可以其他设定规则布置，并且可平躺布置。
需要说明的是，所谓“呈阵列式”布置是指排列成多行多列的形式；所谓“竖立布置”是指柱状的铁芯的两个端面中的一个端面与第一载板11相接触，柱状的铁芯的中心轴垂直于第一载板11；所谓“平躺布置”是指柱状的铁芯的外周面的一部分与第一载板11相接触，柱状的铁芯的中心轴平行于第一载板11。
由于在吸附掩膜版的过程中，是从掩膜版的特定区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，因此可以预估掩膜版褶皱的产生区域及宽度，褶皱的产生区域可能会产生于掩膜版中最后与衬底基板相贴合的区域，褶皱的宽度与吸附范围的扩大速度、吸附力度等因素相关。基于这一结论，可以使相邻两个电磁铁之间的间隙小于或等于预估掩膜版产生褶皱的宽度值，以避免褶皱产生。另外，还可根据预估掩膜版产生褶皱的宽度值，来对电磁铁铁芯的尺寸进行设计，具体的，若电磁铁的铁芯为圆柱体，则可使铁芯的直径小于或等于预估掩膜版产生褶皱的宽度值；若电磁铁的铁芯为方柱体，则可使铁芯的宽度小于或等于预估掩膜版产生褶皱的宽度值，从而避免褶皱的产生。特别的，当电磁铁的铁芯的尺寸小于预估掩膜版产生褶皱的宽度值时，单个电磁铁产生磁力的作用范围小于预估掩膜版产生褶皱的宽度值，因而吸附部件能够更精确地控制掩膜版的形变，进而可以疏导掩膜版上所产生的褶皱的位置，使褶皱不出现在掩膜版的FMM 4的细孔结构区域。
基于本实施例所提供的吸附装置，下面对采用该吸附装置对掩膜版进行吸附的方法进行示例性的介绍。
示例一：如图6a～图6c所示，若初始吸附区域为掩膜版的中央区域，则吸附方法包括：打开初始吸附区域对应的电磁铁，然后由该初始吸附区域，呈向外辐射状，依次打开对应的电磁铁，直至整个掩膜版被吸附与衬底基板5相贴合，此时各电磁铁产生相同的磁力，对整个掩膜版各个区域施加均匀的吸附力。这种吸附方式可匹配采用图4b所示的电磁铁的布置方式的吸附部件，使得对吸附部件的磁力控制更精准。
示例二：如图7a～图7c所示，若初始吸附区域为掩膜版的各FMM的中央区域，吸附方法与示例一类似，此处不再赘述。
需要说明的是，本实施例及下面的实施例二、三中所述的“中央区域”是指中心点及其周围的区域，不限于圆形区域，也可为矩形区域，或其它形状的区域。
示例三：如图8a～图8c所示，若初始吸附区域为掩膜版的平分线区域，则吸附方法包括：打开初始吸附区域对应的电磁铁，然后由初始吸附区域，沿垂直于初始吸附区域的方向，向两侧依次打开对应的电磁铁，直至整个掩膜版被吸附与衬底基板5相贴合，此时各电磁铁产生相同的磁力，对整个掩膜版各个区域施加均匀的吸附力。
示例四：如图9a～图9c所示，若初始吸附区域为掩膜版的各FMM的平分线区域，吸附方法与示例三类似，此处不再赘述。
需要说明的是，本实施例及下面的实施例二～四中所述的“平分线区域”是指平分线及其周围区域。
此外，本实施例及下面的实施例二～四中所述的“平分线区域”可以是平行于FMM的长度方向，也可以是垂直于FMM的长度方向，在图8a～图8c和图9a～图9c中，是以平行于FMM的长度方向的平分线区域为例进行说明的。
示例五：如图10a～图10c所示，若初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域，则吸附方法包括：打开初始吸附区域对应的电磁铁，然后由初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向对侧依次打开对应的电磁铁，直至整个掩膜版被吸附与衬底基板5相贴合，此时各电磁铁产生相同的磁力，对整个掩膜版各个区域施加均匀的吸附力。
示例六：如图11a～图11c所示，若初始吸附区域为掩膜版的各FMM的一侧边缘区域，吸附方法与示例五类似，此处不再赘述。
需要注意的是，如图11c所示，在示例六的吸附方法中，由于是从各FMM的一侧边缘区域到对侧依次打开对应的电磁铁，因此起始的FMM的外侧区域(即图中CC所指示的条形区域，称为剩余区域)对应的电磁铁可能无法得到开启，对于这种情况，只需在示例六的吸附方法的基础上，控制剩余区域CC对应的电磁铁打开即可。
需要说明的是，针对不同的吸附方式，仅需在控制器内设置相应的控制程序，以按照设定方式逐步打开吸附部件的电磁铁即可。
实施例二
本实施例提供了一种掩膜版的吸附装置，如图12a～图12d所示，该吸附装置的吸附部件包括：柔性的第二载板12，及分散布置于第二载板12上的至少两个磁铁。
其中，第二载板12用于承载磁铁，具有柔性，从而可弯曲变形。可选的，第二载板12可弯曲呈U型或碗型等形状。第二载板12上的至少两个磁铁能够产生相同的磁力，以便在吸附整个掩膜版时，能够对掩膜版的各个区域产生较均匀的吸附力。磁铁可为永磁铁，以简化吸附部件的结构和操控吸附部件的过程；磁铁也可为电磁铁，以方便控制电磁铁打开、关闭及磁力大小，使吸附部件各区域的磁力变化更加灵活。
在上述吸附装置的吸附部件中，将传统高斯板的刚性载板更改为具有柔性的第二载板12，从而可通过使第二载板12弯曲变形，调整第二载板12不同部位与掩膜版之间的距离，进而达到调整吸附部件不同部位对掩膜版相应区域的吸附力的目的。请继续参见图12a～图12d，利用上述吸附部件吸附掩膜版时，通过将第二载板12弯曲变形，使其相对于衬底基板5位置最低处对应掩膜版的特定区域，从而可首先将掩膜版的该特定区域吸附起来，然后保持第二载板12相对于衬底基板5位置最低处的高度不变，逐渐放平第二载板12，以从掩膜版的该特定区域逐步吸附掩膜版，直至整个掩膜版被吸附起来与衬底基板5相贴合。由于是从局部到整体逐渐吸附，因此掩膜版的FMM 4上褶皱减少或者不会出现褶皱，并且即便产生褶皱，也可以设置关键区域(关键区域可以是FMM的显示区AA)被先吸附，使得所产生的褶皱被疏导到关键区域之外，以避免FMM4的显示区AA产生褶皱所引起的显示不良问题。
在吸附的过程中，控制第二载板12由弯曲状态变为水平状态的方式可以有多种。
作为一种可能的实现方式，可以采用至少两个可独立控制高度的吸盘或吸嘴等部件吸附第二载板12的至少两个位置点，从而通过调整吸盘或吸嘴等部件的高度，使第二载板12在弯曲状态与水平状态之间切换。这种方式，由于第二载板12的各个区域的高度均可由相应的吸盘或吸嘴等部件吸附控制，因此第二载板12的形变形式更加灵活多变。
作为另一种可能的实现方式，请继续参见图12a～图12d，可在第二载板12与衬底基板5之间设置一刚性平板13，该刚性平板13不具有磁性，仅用于在吸附掩膜版时承托第二载板12。具体的，在吸附掩膜版的过程中，控制第二载板12弯曲变形，并逐渐下降，直至第二载板12完全放置于刚性平板13上，在此过程中，第二载板12相对于衬底基板5的最低处最先接触衬底基板5，然后由该最先接触的部位逐渐延伸至整个第二载板12与衬底基板5相接触，从而完成了由掩膜版的特定区域至整个掩膜版的吸附过程。
基于本实施例所提供的吸附装置，下面对采用该吸附装置对掩膜版进行吸附的方法进行示例性的介绍。
示例一：如图8a～图8c所示，若初始吸附区域为掩膜版的平分线区域，则吸附方法包括：夹持第二载板12的两侧，使第二载板12呈U型自然下垂，且使第二载板12垂下的部分(此种情况下即中间部分)正对该初始吸附区域，控制第二载板12保持该状态逐渐下降，待该初始吸附区域与衬底基板5相贴合后，保持第二载板12的中间部分的高度不变，控制第二载板12被夹持的两端逐渐下降，直至整个第二载板12处于水平状态，此时由于各磁铁产生相同的磁力，因此吸附部件对整个掩膜版各个区域施加均匀的吸附力，整个掩膜版被吸附与衬底基板5相贴合。
示例二：如图10a～图10c所示，若初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域，则吸附方法包括：夹持第二载板12的两侧，使第二载板12呈倾斜状态，且使第二载板12高度较低的一侧正对该初始吸附区域，控制第二载板12保持该状态逐渐下降，待该初始吸附区域与衬底基板5相贴合后，保持第二载板12高度较低的一侧的高度不变，控制第二载板12的高度较高的一侧逐渐下降，直至整个第二载板12处于水平状态，此时由于各磁铁产生相同的磁力，因此吸附部件对整个掩膜版各个区域施加均匀的吸附力，整个掩膜版被吸附与衬底基板5相贴合。
示例三：如图6a～图6c所示，若初始吸附区域为掩膜版的中央区域，则吸附方法包括：夹持第二载板12的四边，使第二载板12呈碗型自然下垂，且使第二载板12垂下的部分(此种情况下即中央区域)正对该初始吸附区域，控制第二载板12保持该状态逐渐下降，待该初始吸附区域与衬底基板5相贴合后，保持第二载板12的中央区域的高度不变，控制第二载板12被夹持的四边逐渐下降，直至整个第二载板12处于水平状态，此时由于各磁铁产生相同的磁力，因此吸附部件对整个掩膜版各个区域施加均匀的吸附力，整个掩膜版被吸附与衬底基板5相贴合。
需要说明的是，针对不同的吸附方式，仅需在控制器内设置相应的控制程序，以按照设定方式控制吸附部件的第二载板12的形状及高度即可。
实施例三
本实施例提供了一种掩膜版的吸附装置，如图13a～图13d所示，该吸附装置的吸附部件包括至少两个高斯单元14，每个高斯单元14包括第三载板，及布置于该第三载板上的至少一个磁铁。
其中，第三载板的形状可为长条状或方块状或圆饼状等其他形状。若第三载板的形状为长条状，则其长度可大于或等于掩膜版的一条边的长度，这样若干高斯单元沿垂直于其自身长度方向的方向并排，即可与整个掩膜版相对应；或者，第三载板的长度小于掩膜版的一条边的长度，如第三载板的长度为掩膜版的一条边的长度的几分之一，这样若干掩膜版通过排列成多行多列的矩阵式，也可形成与整个掩膜版的对应。若第三载板的形状为方块状或圆饼状，则若干掩膜版通过排列成多行多列的矩阵式，可形成与整个掩膜版的对应。需要说明的是，此处所谓的“方块状”是指长和宽相等或大略相等的立方体形状。
磁铁的形状可为长方体或圆柱体或其他形状，本实施例对此并不限定。磁铁可为永磁铁，以简化吸附部件的结构和操控吸附部件的过程；磁铁也可为电磁铁，以方便控制电磁铁打开、关闭及磁力大小，使吸附部件各区域的磁力变化更加灵活。每个第三载板上所设置磁铁的数量不定，具体可依据第三载板的尺寸及磁铁的尺寸而定。
吸附部件所包括的至少两个高斯单元14能够独立升降，且能够同时产生相同的磁力，以便在吸附整个掩膜版时，能够对掩膜版的各个区域产生较均匀的吸附力。在蒸镀时，吸附部件所包括的至少两个高斯单元14分别对应掩膜版的各个区域，以吸附整个掩膜版。
本实施例中，吸附部件所包括的至少两个高斯单元14，相当于将现有技术中刚性的高斯板拆分，得到的若干独立的具有磁性的单元，从而不同高斯单元14的高度变得可调，通过调节不同区域高斯单元14相对于衬底基板5的高度，来达到对掩膜版相应区域的吸附力的大小的调节。请继续参见图13a～图13d，利用上述吸附部件吸附掩膜版时，通过控制掩膜版特定区域所对应的高斯单元14下降，使相应高斯单元14吸附前述掩膜版的特定区域，然后由特定区域所对应的高斯单元14，逐渐使特定区域周围所对应的高斯单元14下降，以扩大吸附掩膜版的范围，直至掩膜版整体被吸附起来与衬底基板5相贴合。由于是从局部到整体逐渐吸附，因此掩膜版的FMM 4上褶皱减少或者不会出现褶皱，进一步的，可以设置关键区域(关键区域可以是FMM的显示区AA)被先吸附，使得所产生的褶皱被疏导到关键区域之外，以避免FMM 4的显示区AA产生褶皱所引起的显示不良问题。
基于本实施例所提供的吸附装置，下面对采用该吸附装置对掩膜版进行吸附的方法进行示例性的介绍。
示例一：如图8a～图8c所示，若初始吸附区域为掩膜版的平分线区域，则吸附方法包括：控制初始吸附区域对应的高斯单元14下降，待初始吸附区域与衬底基板5相贴合后，保持初始吸附区域对应的高斯单元14的高度不变，由初始吸附区域，沿垂直于初始吸附区域的方向，向两侧依次控制对应的高斯单元14下降，直至全部高斯单元14处于同一水平面上，此时由于各高斯单元14产生相同的磁力，因此吸附部件对整个掩膜版各个区域施加均匀的吸附力，整个掩膜版被吸附与衬底基板5相贴合。
示例二：如图9a～图9c所示，若初始吸附区域为掩膜版的各FMM的平分线区域，吸附方法与示例一类似，此处不再赘述。
示例三：如图10a～图10c所示，若初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域，则吸附方法包括：控制初始吸附区域对应的高斯单元14下降，待初始吸附区域与衬底基板5相贴合后，保持初始吸附区域对应的高斯单元14的高度不变，由初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向对侧依次控制对应的高斯单元14下降，直至全部高斯单元14处于同一水平面上，此时由于各高斯单元14产生相同的磁力，因此吸附部件对整个掩膜版各个区域施加均匀的吸附力，整个掩膜版被吸附与衬底基板5相贴合。
示例四：如图11a～图11c所示，若初始吸附区域为掩膜版的各FMM的一侧边缘区域，吸附方法与示例三类似，此处不再赘述。
此外，若吸附部件所包括的高斯单元，其第三载板为方块状或圆饼状，则掩膜版的初始吸附区域可以控制成掩膜版的中央区域，或者掩膜版的各FMM的中央区域，吸附方式可参见图6a～图6c，及图7a～图7c，在吸附过程中，仅需依据吸附区域的变化控制相应的高斯单元14下降即可。具体的，吸附区域的变化可以是由掩膜版的中央区域或者掩膜版的各FMM的中央区域，逐渐向外围扩张，因而高斯单元14的控制方式为：先控制初始吸附区域对应的高斯单元下降，然后由该初始吸附区域，呈向外辐射状，依次控制对应的高斯单元下降，直至全部高斯单元处于同一水平面上。
需要说明的是，针对不同的吸附方式，仅需在控制器内设置相应的控制程序，以按照设定方式控制吸附部件的高斯单元14的高度即可。
实施例四
本实施例提供了一种掩膜版的吸附方法，如图14a～图14d所示，该吸附方法所采用的吸附部件包括具有均匀磁力的刚性高斯平板，也就是说，该吸附方法采用现有技术中常规的高斯板。在该吸附方法中，初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域。请参见图10a～图10c所示，该吸附方法包括：夹持刚性高斯平板15的两侧，使刚性高斯平板15呈倾斜状态，且使刚性高斯平板15距离衬底基板5较近的一侧对应初始吸附区域，控制刚性高斯平板15保持该状态逐渐下降，待初始吸附区域与衬底基板5相贴合后，保持刚性高斯平板15距离衬底基板5较近的一侧的高度不变，使刚性高斯平板15距离衬底基板5较远的一侧逐渐下降，直至刚性高斯平板15处于水平状态，此时刚性高斯平板15整个掩膜版各个区域施加均匀的吸附力，整个掩膜版被吸附与衬底基板5相贴合。
需要说明的是，针对上述吸附方式，仅需在控制器内设置相应的控制程序，以按照设定方式控制分别控制刚性高斯平板15被夹持的两侧的高度即可。
实施例五
基于本发明实施例的基本技术构思及实施例一～实施例四，本实施例提供了一种蒸镀设备，该蒸镀设备包括如本发明实施例的基本技术构思及实施例一～实施例四中所述的吸附装置。该吸附装置设置于蒸镀设备的真空蒸镀腔室内，以便在将掩膜版吸附至与衬底基板相贴合后进行蒸镀。
相对应的，本实施例还提供了一种蒸镀方法，该蒸镀方法包括：采用本发明实施例的基本技术构思及实施例一～实施例四中所述的吸附方法对掩膜版进行吸附，使掩膜版与衬底基板相贴合。在此之后，可开始对衬底基板进行蒸镀。
本实施例所提供的蒸镀设备及蒸镀方法能够产生与本发明实施例的基本技术构思相同的有益效果，此处不再赘述。
实施例六
由本发明实施例的基本技术构思及实施例一～实施例四所提供的技术方案可知，在吸附掩膜版的过程中，是从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，因此可以预估掩膜版褶皱的产生区域，掩膜版的褶皱可能会产生于掩膜版最终与衬底基板向贴合的区域。由于可以通过由局部到整体逐渐吸附的方式，将褶皱疏导至FMM 4的非显示区，因此，预估产生褶皱的区域可以为FMM的非显示区，具体而言可为掩膜版的侧边边缘区域，或者掩膜版中各FMM的侧边边缘区域。
根据上面的结论，可对掩膜版的FMM中预估产生褶皱的区域进行一定的设计，具体的，如图15a和图15b所示，图中BB表示预估产生褶皱的区域。本实施例提供了一种FMM 4，在该FMM 4中，对预估产生褶皱的区域BB进行加厚，即预估产生褶皱的区域BB的厚度大于其余区域的厚度。通过这样的设计，能够增强FMM 4中预估产生褶皱的区域BB的抗形变性能，从而避免区域BB产生褶皱，进一步提高了蒸镀薄膜的质量，且进一步保护了掩膜版。
需要说明的是，本实施例中对区域BB加厚的厚度并不具体限定，只要能增加区域BB的抗形变性能即可。
基于上述技术方案，可在区域BB上设置具有一定厚度的图形，以使区域BB的厚度大于其余区域的厚度的目的。
同样的，本实施例中对所设置的图形的厚度及形状并不具体限定，只要能增加区域BB的抗形变性能即可。
作为一种可能的设计，所设置的图形的侧壁可具有一定的坡度，这样可使FMM4的厚度从薄至厚平缓过渡，避免FMM 4的厚度突兀变化可能会引起的弯折或褶皱。
作为一种可能的设计，可使所设置的图形所覆盖的区域的面积大于或等于预估产生褶皱的区域的面积，以进一步的增强区域BB的抗形变性能。
对于图形的制作方式，其可与FMM 4的主体一体成型；或者，图形可以粘接、焊接、电镀或蒸镀等形式附着在FMM 4的主体上，本实施例对此并不限定。
另外，在图15a和图15b中，CL表示Cutting Line，即切割线，切割线CL外侧(切割线CL的两侧中，以显示区AA所在的一侧为内侧，另外一侧为外侧)的U型部分为夹持部16，其作用为方便夹持FMM 4，以便在制造掩膜版的过程中，通过夹持夹持部16，方便地将FMM 4焊接在掩膜版的金属框架上。在焊接完毕后，沿切割线CL将FMM 4两端的夹持部16切除即可。
基于上述FMM，本实施例还提供了一种掩膜版，该掩膜版包括至少一个如本实施例所述的FMM，该掩膜版具有与本实施例所述的FMM相同的有益效果，此处不再赘述。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种掩膜版的吸附装置，其特征在于，所述吸附装置包括：
吸附部件，用于在蒸镀时吸附掩膜版，且能够同时对掩膜版的不同区域产生不同或相同的吸附力；
与所述吸附部件相连的控制器，用于控制所述吸附部件从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合；
所述吸附部件为如下三种方案中的任意一种：
方案一：所述吸附部件包括：第一载板；分散布置于所述第一载板上的至少两个电磁铁，所述至少两个电磁铁能够同时产生相同的磁力，每个所述电磁铁包括铁芯，及缠绕于所述铁芯上的若干圈线圈；至少两个开关，每个所述开关与至少一个所述电磁铁相连；
方案二：所述吸附部件包括：柔性的第二载板；分散布置于所述第二载板上的至少两个磁铁，所述至少两个磁铁能够同时产生相同的磁力；
方案三：所述吸附部件包括：至少两个高斯单元，每个所述高斯单元包括第三载板，及布置于所述第三载板上的至少一个磁铁；所述至少两个高斯单元能够独立升降，且能够同时产生相同的磁力；在蒸镀时，所述至少两个高斯单元分别对应掩膜版的各个区域，以吸附整个掩膜版。
2.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，在所述吸附部件采用方案一所述的吸附部件的情况下，所述吸附部件还包括至少两个可变电阻，每个所述可变电阻与至少一个所述电磁铁相连。
3.根据权利要求2所述的吸附装置，其特征在于，所述至少两个电磁铁、所述至少两个开关和所述至少两个可变电阻一一对应的相串联，串联所形成的多条支路相并联。
4.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，在所述吸附部件采用方案一所述的吸附部件的情况下，所述至少两个电磁铁均匀或者以设定规则布置于所述第一载板上，所述设定规则根据掩膜版各个区域所需的吸附力而定。
5.根据权利要求4所述的吸附装置，其特征在于，所述电磁铁的铁芯为圆柱体，所述至少两个电磁铁呈阵列式竖立布置于所述第一载板上，或者呈至少两个同心圆环状竖立布置于所述第一载板上；或者，
所述电磁铁的铁芯为方柱体，所述至少两个电磁铁呈阵列式平躺布置于所述第一载板上。
6.根据权利要求5所述的吸附装置，其特征在于，相邻两个所述电磁铁之间的间隙小于或等于预估掩膜版产生褶皱的宽度值；
所述电磁铁的铁芯为圆柱体，所述铁芯的直径小于或等于预估掩膜版产生褶皱的宽度值；或者，所述电磁铁的铁芯为方柱体，所述铁芯的宽度小于或等于预估掩膜版产生褶皱的宽度值。
7.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，在所述吸附部件采用方案二所述的吸附部件的情况下，所述吸附部件还包括刚性平板，用于在吸附掩膜版时，放置于所述第二载板与衬底基板之间，以承托所述第二载板。
8.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，在所述吸附部件采用方案二所述的吸附部件的情况下，所述磁铁为电磁铁或永磁铁。
9.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，在所述吸附部件采用方案三所述的吸附部件的情况下，所述第三载板为长条状、方块状或圆饼状，所述磁铁为长方体或圆柱体。
10.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，在所述吸附部件采用方案三所述的吸附部件的情况下，所述磁铁为电磁铁或永磁铁。
11.一种掩膜版的吸附方法，其特征在于，所述吸附方法应用于如权利要求1～10任一项所述的掩膜版的吸附装置，所述吸附方法包括：从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合。
12.根据权利要求11所述的吸附方法，其特征在于，所述吸附装置的吸附部件包括：第一载板、至少两个电磁铁和至少两个开关；
所述初始吸附区域为掩膜版的中央区域或者掩膜版的各FMM的中央区域，所述吸附方法包括：打开所述初始吸附区域对应的电磁铁，然后由所述初始吸附区域，呈向外辐射状，依次打开对应的电磁铁；或者，
所述初始吸附区域为掩膜版的平分线区域或者掩膜版的各FMM的平分线区域，所述吸附方法包括：打开所述初始吸附区域对应的电磁铁，然后由所述初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向两侧依次打开对应的电磁铁；其中，所述平分线区域平行于所述FMM的长度方向，或者垂直于所述FMM的长度方向；或者，
所述初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域或者掩膜版的各FMM的一侧边缘区域，所述吸附方法包括：打开所述初始吸附区域对应的电磁铁，然后由所述初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向对侧依次打开对应的电磁铁。
13.根据权利要求11所述的吸附方法，其特征在于，所述吸附装置的吸附部件包括：柔性的第二载板和至少两个磁铁；
所述初始吸附区域为掩膜版的平分线区域，所述吸附方法包括：夹持所述第二载板的两侧，使所述第二载板呈U型自然下垂，且使所述第二载板垂下的部分正对所述初始吸附区域，控制所述第二载板逐渐下降，然后控制所述第二载板被夹持的两端逐渐下降，直至整个所述第二载板处于水平状态；其中，所述平分线区域平行于FMM的长度方向，或者垂直于FMM的长度方向；
所述初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域，所述吸附方法包括：夹持所述第二载板的两侧，使所述第二载板呈倾斜状态，且使所述第二载板高度较低的一侧正对所述初始吸附区域，控制所述第二载板逐渐下降，然后控制所述第二载板的高度较高的一侧逐渐下降，直至整个所述第二载板处于水平状态；
所述初始吸附区域为掩膜版的中央区域，所述吸附方法包括：夹持所述第二载板的四边，使所述第二载板呈碗型自然下垂，且使所述第二载板垂下的部分正对所述初始吸附区域，控制所述第二载板逐渐下降，然后控制所述第二载板被夹持的四边逐渐下降，直至整个所述第二载板处于水平状态。
14.根据权利要求11所述的吸附方法，其特征在于，所述吸附装置的吸附部件包括至少两个高斯单元；
所述初始吸附区域为掩膜版的中央区域或者掩膜版的各FMM的中央区域，所述吸附方法包括：控制所述初始吸附区域对应的高斯单元下降，然后由所述初始吸附区域，呈向外辐射状，依次控制对应的高斯单元下降，直至全部所述高斯单元处于同一水平面上；
所述初始吸附区域为掩膜版的平分线区域或者掩膜版的各FMM的平分线区域，所述吸附方法包括：控制所述初始吸附区域对应的高斯单元下降，然后由所述初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向两侧依次控制对应的高斯单元下降，直至全部所述高斯单元处于同一水平面上；其中，所述平分线区域平行于所述FMM的长度方向，或者垂直于所述FMM的长度方向；或者，
所述初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域或者掩膜版的各FMM的一侧边缘区域，所述吸附方法包括：控制所述初始吸附区域对应的高斯单元下降，然后由所述初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向对侧依次控制对应的高斯单元下降，直至全部所述高斯单元处于同一水平面上。
15.根据权利要求11所述的吸附方法，其特征在于，所述吸附装置的吸附部件包括具有均匀磁力的刚性高斯平板；
所述初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域，所述吸附方法包括：夹持所述刚性高斯平板的两侧，使所述刚性高斯平板呈倾斜状态，且使所述刚性高斯平板高度较低的一侧对应所述初始吸附区域，控制所述刚性高斯平板逐渐下降，然后控制所述刚性高斯平板高度较高的一侧逐渐下降，直至所述刚性高斯平板处于水平状态。
16.一种蒸镀设备，其特征在于，所述蒸镀设备包括如权利要求1～10任一项所述的吸附装置。
17.一种蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀方法包括：采用如权利要求11～15任一项所述的吸附方法对掩膜版进行吸附，使掩膜版与衬底基板相贴合。
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