JP2002212704A - シャドーマスク拘束方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
した半導体製造マスキングを提供する。 【解決手段】 誘引力を使用して製品素材にシャドーマ
スクを拘束するための装置及び方法が与えられる。磁力
と静電力の両方を使用して基板に対してシャドーマスク
が拘束される特定の実施例が説明されている。本発明は
別の方法では基板に対して平坦にするのが困難なマスク
の使用を可能にする。本発明は従来可能であったよりも
ずっと大きなシャドーマスクに有用であり、湿式化学処
理のできない大口径基板のマスキングを可能にするとい
う利点を有する。
Description
誘引力により拘束するための方法及び装置に関する。よ
り詳細には、本発明は、シャドーマスクに磁力又は静電
力を供給し、それにより、基板処理の間、マスクを拘束
するための方法及び装置に関する。
グするための能力、又は特定の位置又はパターンによる
製品の素材を必要とする。例としては、印刷、エッチン
グ、及び各種半導体基板製造ステップを含むが、これら
に限定されるものではない。半導体基板のマスキングの
ため、開閉領域を有するマスクは製品の素材又は基板上
に供給され、その後、開放領域の下方で基板領域の処理
を促進する環境に一緒に置かれる。高精度のコーティン
グ作業は、基板上に正確に配置されると共に整列される
ようにパターン、すなわちマスクをすることを必要とす
る。さらに、マスクはまた製品の素材に近接し、処理領
域の端部がよく形成されるようになっている。
体製造にある。通常使用される半導体マスキング技術
は、湿式化学を使用し、基板に直接マスクを形成する写
真平版と、基板上に物理的に置かれた別個のシート状構
造のシャドーマスクとを含んでいる。写真平版は、さら
に高価な処理ステップを犠牲にして、多くの半導体処理
で要求される高精度及び整列を達成可能である。特に、
写真平版マスクは、基板にフォトレジストを供給するこ
とにより基板上でフォトマスクからパターンを移し、フ
ォトマスクを通りフォトレジストで覆われた基板を照ら
し、フォトレジストの露出部分を硬化させ、湿式化学処
理により露出していないフォトレジストを除去すること
により、形成される。その後、マスクパターンは、さら
なる湿式化学ステップによる処理後に取り除かれる。幾
つかの処理ステップを要求し、マスクを形成することに
加えて、基板及び基板上の他の材料がマスクを形成する
と共に除去するのに必要な湿式化学と逆の反応を有さな
いことが重要である。
間に置かれた1枚の材料を含んでいる。シャドーマスク
の開放領域はコーティング材料又は腐食液を基板に接触
させ、閉鎖領域は蒸気が基板と接触するのを防止する。
シャドーマスクを使用する小さな外径のコーティング
は、好ましくは、基板と接触する薄いマスクを必要とす
る。写真平版マスクとは異なり、シャドーマスクは再使
用可能であり、さらなる処理ステップを必要としない。
正確なコーティングのため、シャドーマスクは薄くすべ
きであり、基板と、好ましくは基板に対して正確に整列
できる方法で保持されなければならない。正確な整列の
要求がある大口径の基板のため、シャドーマスクの性能
は十分でなくてもよい。大きく薄いマスクは重力の影響
の下、曲がり、縮み、そうでなければ変形し、基板に対
してマスクを正確に配置するのを困難にさせる。例え
ば、蒸発源により、基板は源上方にあり、薄いマスクは
シャドーマスクを基板から曲げる懸垂線形状を有するで
あろう。
有機材料の処理のための進歩した半導体製造マスキング
の要求は、従来技術の写真平版又はシャドーマスキング
を使用して容易に取り組むことはできない。例えば、各
種タイプのフラットパネルディスプレイは非常に大表面
領域に半導体方法を使用して製作される。有機発光ダイ
オードは、大きいフラットパネルディスプレイのために
製作されるが、写真平版のために使用される多くの化学
溶液に不適合である。これらの適合性の問題がなかった
としても、写真平版を使用してマスクするための機器は
複雑で高価である。シャドーマスクを使用することはこ
れらの両方の問題と取り組むことができるが、現在のシ
ャドーマスク技術は大口径基板上に小さな造作を正確に
整列させることができない。
マスクは対抗する写真平版技術より単純で安価かもしれ
ず、非常にいろいろな基板及び堆積材料と適合する利点
を有している。従来技術のシャドーマスクの使用は、特
に、大きなマスクのためには、正確さの不足により制限
される。マスキング技術の制限を考慮して、湿式化学を
使用することなく大口径基板上に小さな造作を正確に整
列させるマスキング技術の必要性があり、好ましくは、
マスクが要求されるエッチング又は堆積ステップに加え
る処理ステップを有していない。
引力を供給するための方法及び装置を含み、処理の間、
シャドーマスク及び基板を一緒に保持する。本発明の誘
引力は基板の方向にマスク上で誘導される力を含み、そ
の力は、静的又は動的のいずれかにより、電磁場から生
じる。誘引力の例は、適切に形成された磁力、静電力、
渦電流、又はその組合せを含むが、それらに限定される
ものではない。そのような誘引力を供給することは、従
来技術のシャドーマスクの幾つかの制限を克服し、高精
度のマスキング作業で使用される発明のマスクを許容す
る。以前は可能でなかった状態の下、シャドーマスクの
正確な使用を許容することに加えて、本発明はまた、写
真平版の湿式化学溶液と適合しない基板及び堆積材料の
ために使用されることもできる。
キシブルマスクを整合するため誘引力を使用することで
ある。好適には、誘引力は、マスクが基板と接触しない
第1状態と、マスクが基板と接触する第2状態の、少な
くとも2つの状態の間で調整可能である。誘引力が基板
の一方側に置かれた磁石により発生される磁力である1
実施例では、磁気部分を有するマスクは基板の反対側に
置かれる。マスクで調整可能な力を作ることができる磁
石の例は、電子的に調整可能な電磁気、又は移動可能な
永久磁石を含むが、それに限定されるものではない。磁
力は基板を介してマスクを引き寄せ、力を与え、マスク
及び基板を一緒に保持する。代わりに、実質的に平らな
形状にマスクを保持するために伸張装置を使用すること
もできる。
配置力は基板の一方側の電極により作られた静電力であ
り、電導部分を含むマスクは基板の反対側には位置され
ている。静電力は非電導基板に浸透し、電導マスクを基
板に引き寄せる。
により基板上にシャドーマスクを配置することが本発明
の別の局面である。1実施例では、重力は基板の方にマ
スクを引張る。マスク内の張力は、任意にさらなる伸張
機構により増大されるが、実質的にマスクを平坦にす
る。調整可能な誘引力は基板表面上にマスクを引き寄せ
るために供給され、従来技術で可能でない条件の下、シ
ャドーマスクの正確な配置を供給する。
板に引き寄せ、2)基板を処理し、3)前記配置力の強
度を減少させ、前記基板から前記マスクを移動させるこ
とによって、マスクにより覆われた基板を処理するのが
本発明のさらに別の局面である。
術の処理ステップと適合する技術を使用して半導体基板
を正確にマスクすることが本発明の別の局面である。さ
らに、有機材料のような各種材料と適合する技術を使用
して半導体基板をマスクすることが本発明の局面であ
る。
徴は、添付図面と関連させて以下に示された本発明の説
明から明らかとなるだろう。
面、又はそこに示された特徴を示すために図面で使用さ
れ、1つの図面以上に共通する参照符号はそこに示され
た構成部品、局面、又は特徴と同様のものを示してい
る。ここに使用された参照符号は、インコーポレイテッ
ドバイリファレンスされた項目で使用された参照符号と
混同すべきではない。
誘引力により、シャドーマスクを制御する方法及び装置
を提供する。特に、誘引力は処理のため基板に対するマ
スクに作用すると共に保持し、又は拘束する。本発明の
各種特徴を達成可能な多くの誘引力がある。都合のた
め、本発明は通常の誘引力に関して説明されており、磁
力及び静電力の特定の実施例が続く。
だろう。堆積装置の例として、例えば、ここにインコー
ポレイテッドバイリファレンスされた、Hataへの米国特
許4,971,674、及びFlatcherらへの米国特許4,632,059を
参照しなさい。発明のこの特定の出願は発明の範囲を限
定する意図ではなく、他の処理に適用可能であり、コー
ティング、エッチング、又は製品素材にパターンを適用
させる他の処理のため製品素材をマスキングすることを
含むが、それらに限定されるものではない。製品素材の
タイプは、フラットパネルディスプレイ、半導体基板、
セラミックプリント配線チップキャリア、セラミックハ
イブリッド基板、ボールグリッドアレイキャリア、プリ
ント配線基板、フレキシブルプリント回路基板、及びス
クリーン印刷を含むが、それらに限定されるものではな
い。さらに、本発明は処理が起こる圧力に関して限定さ
れるものではない。
ーティング動作の間、基板111に置かれたシャドーマ
スク103を示している。コーティング材料115の流
れは基板111を含むマスキング装置101に接近す
る。マスキング装置101はスプリング105を有する
フレーム107を含み、マスク103、基板ホルダー1
13、及びアセンブリ109を供給し、前記アセンブリ
109、すなわち基板111の方の誘引部分117に誘
引力を誘導する。スプリング105は孔122を通って
フレーム107及びマスク103に接続される。スプリ
ング105により誘発された張力はマスク103を実質
的に平らの状態にさせ、マスク開口部121を通り基板
111に正確にコーティング材料115を堆積させる。
らの組合せとすることができる。誘引部分117及びア
センブリ109は基板111の方のマスク103に誘引
力を共同して作り出す。誘引部分117に加えて、マス
ク103はまたアセンブリ109に必ずしも誘引されな
い周囲部分をも含んでいる。誘引力は可変であり、第1
誘引力、又は基板111に対してマスク103を保持す
るのに十分な保持力から、基板に対してマスクを保持す
るのに不十分な第2誘引力まで変動してもよい。第1誘
引力の適用はマスクされた基板の処理を考慮し、第2誘
引力の適用はマスクの配置、基板ホルダーからの基板の
分離、又はマスク保持力がない時に達成可能な他の動作
を考慮している。
用の前及び間に、基板の下方に配置されたマスクへの力
を示す側面図である。この方向付けは、例えば、蒸発コ
ーティング装置で使用され、コーティング材料115は
重力に対して必ず上方に導かれ、コーティング表面は下
方に導かれる。図3Aは誘引力がない時の誘引部分11
7への力を示している。マスク103の誘引部分117
に作用する2つの力、張力及び重力がある。マスク10
3の張力はエッジヘルド(edge-held)マスクをカテナ
リーに強いる重力から生じる。幾つかのマスクにとっ
て、この張力はマスクを平坦にするのに十分であり、図
2Aのスプリング105により与えられた追加の張力
は、溶接、ネジ又はリベットのような他の接続手段又は
機構で置換可能である。さらなる実施例では、堅くない
フレーム107は弾性力を与え、取付点129を通って
マスクする。基板111から離れた重力は基板111の
下方のマスク103を交換することになる。誘引力なし
で、マスク103はカテナリー形状と想定され(図3A
では非常に誇張されている)、基板111から垂れ下が
っている。
合、結果として生じる力は、図3Bに示されているよう
に、修正したあまり明白でないカテナリーにマスク10
3を垂れ下げるだろう。誘引力が重力に等しいか又はそ
れ以上の点まで増加した場合、誘引部分117は基板を
マスキングするために適した位置の基板111に引張ら
れる。
けは、それぞれ、図4A及びBにおいて、誘引力と共に
及びそれ無しで示されている。この方向付けにおいて、
張力はマスクを平らにする力を供給する。重力と誘引力
は同方向にあるので、誘引力はマスク103に垂直な張
力を克服する必要があり、平らでない基板111にマス
ク103を整合させる。
るように、幾つかのマスクの構成を使用している。マス
ク103は第1マスク103aと第2マスク103bと
から成る。2つのマスクはそれらがマスクされない部分
に沿って保持されるように配列されている。代わりの実
施例は、マスクの端部のまわりに配置されたフレーム1
07取付点129への取付マスク103を有している。
図2Bに示されているように、代わりのマスク103は
また、円形領域、三角形領域と同様に、開放領域127
の千鳥状配列、2つ以上のマスク(図示せず)、及びマ
スクの張力を介して平坦にさせる開放領域の形状及び又
は配列をも含んでいる。
ている。最初の2つの実施例はマスクを拘束する磁気誘
引力を使用する。図5A−Cは磁気誘引力を使用する第
1実施例の側面図である。第1の実施例では、アセンブ
リ109は、フレーム107の方に移動可能であると共
にそこから離れることができる永久磁石509と、永久
磁石509に取付けられる誘引磁気部分517を有する
マスク503と、フレーム107内の基板511に垂直
に移動可能な基板ホルダーと113である。誘引部分1
17のための磁気的な誘引材料は、アルニコ、サマリウ
ム・コバルト及びネオジムを含んでいるが、それらに限
定されるものではない。
ための3つの連続的な構成を表わしている。特に、図5
Aは基板511を基板ホルダ113に装填するための構
成を示し、永久磁石509及び基板ホルダー113を有
している。図5Bは基板ホルダー113がマスク503
の方に移動され、コーティングのため基板を配置する構
成を示している。図5A及び5Bの構成では、誘引力は
マスク503を基板511に接触させるのに不十分であ
る。図5Cは基板の方に永久磁石を移動することにより
基板に整列マスクを移動するための構成を示している。
磁石をそのように配置すると、誘引力はマスク503を
基板511に接触させるのに十分である。
に示されていないが、マスクと基板の間の相対位置を検
知し、当技術分野で公知なセンサ及びアクチュエータを
使用して配列を機械的に調整することを含むことがあ
る。基板511の処理後、永久磁石509は図5Bの構
成に戻され、基板ホルダー113は図5Aの構成に戻さ
れ、基板は基板ホルダーから取り除かれる。
誘引は磁気部分と永久磁石509の間の間隙を増加させ
ることにより減少されるが、常に同一レベルにある。し
たがって、磁気部分517は重力の方向と反対方向に幾
つかの磁気誘引を有し、変更したカテナリーとなる。
実施例の側面図である。第2実施例は、フレーム107
内で移動可能な基板ホルダー113と、電源610を介
して調整可能な強度の電磁石609とを備えている。電
源610はオフ位置を有しているように示され、磁気部
分517にほとんど又はまったく磁気誘引を作り、オン
位置は磁気部分に少なくとも重力を克服するのに十分な
磁気誘引を作り出す。代わりに、本発明の各種局面は、
各種電力設定を含む2以上の電力設定で達成可能であ
り、設定は、基板の装填の間、処理の間、及び基板引き
出しの間に変更可能である。
をコーティングのための適所に移動し、基板の方のマス
ク503への磁気力を増加させるための3つの連続した
構成を表わしている。特に、図6Aは基板ホルダー11
3に基板511を装填するための構成を示し、基板ホル
ダー113はマスク503から最も遠く位置している。
図6Bは基板ホルダー113がマスク503の方に移動
され、コーティングのため基板を配置する構成を示して
いる。図6A及び6Bの構成での誘引力はマスク503
を基板511と接触させるのに不十分である。図6Cは
電磁石609が電力を供給され、磁気部分517の力を
基板の方に増加させる構成を示している。電磁石がその
ように活性化されると、マスク503は基板511と接
触するようになる。基板処理後、図6Bのように、電源
610は電力を断たれ、基板ホルダー113は図6Aの
構成に戻され、基板は基板ホルダーから取り除かれる。
を供給するが、図7A−Cに関連させて説明されるだろ
う。図1のアセンブリ109は電源710を介して電力
を供給可能な電極709を介して静電場を作り、前述し
た各種誘引力を作り出すようになっている。特に、第3
実施例は、実質的に非電導性の基板711と、静電誘引
部分717を有するマスク703と、電極709と、電
極709に電力を供給するようになっている電源710
とを含んでいる。他の構成部品は第2実施例と同様であ
る。基板711が非電導性で、十分に乏しい導電率を有
し、基板を介してマスク703の誘引部分717まで静
電場を延長させることが重要である。誘引部分のための
適当な導電材料は、銅、アルミニウム、及びマスキング
環境と適合する他の電導材料を含むが、これらに限定さ
れるものではない。
ティングするための位置に基板を移動させ、基板の方の
誘引部分717への静電力を増加させるための3つの連
続的構成を表わしている。図7A−Cの討議は実質的に
図6A−Cに従い、静電力は磁気力の代わりに使用さ
れ、マスク703を引き寄せ、基板711に対してマス
クを接触させる。特に、基板支持113の移動及びマス
ク503を引き寄せるための電極709の活性化は基板
をマスキングするための事象と同一手順に従う。本発明
は好適な特定の実施例と関連させて上述したが、説明及
び例は例示のためのものであり、本発明の範囲を限定す
るものではなく、本発明の範囲は添付した特許請求の範
囲により定義される。したがって、例えば、本発明の方
法及び装置は永久磁石と電磁石の組合せ、又は磁気力と
静電力の組合せにより供給された誘引力を使用して実施
可能である。さらに、マスク及び基板は重力に対する方
向付けに限定されるものではなく、すなわち、水平、垂
直又は他の方向付けを有していてもよい。
例の側面図である。
面図である。
である。
れたマスクへの力を示す側面図である。
配置されたマスクへの力を示す側面図である。
れたマスクへの力を示す側面図である。
置されたマスクへの力を示す側面図である。
で、永久磁石を利用する第1実施例の側面図である。
久磁石を利用する第1実施例の側面図である。
れた磁石を有する、永久磁石を使用する第1実施例の側
面図である。
で、電磁石を使用する第2実施例の側面図である。
磁石を使用する第2実施例の側面図である。
電磁石を使用する第2実施例の側面図である。
で、静電誘引力を使用する第3実施例の側面図である。
電誘引力を使用する第3実施例の側面図である。
電磁石で、静電誘引力を使用する第3実施例の側面図で
ある。
Claims (18)
- 【請求項1】 基板をマスキングするための機構であっ
て、 マスクと、 前記マスクへの誘引力を前記基板の方へ誘導するための
アセンブリと、を備え、前記誘引力は電磁力を含み、前
記基板は前記マスクと前記アセンブリの間に置かれてい
ることを特徴とする基板をマスキングするための機構。 - 【請求項2】 前記誘引力は磁力であり、前記アセンブ
リは磁石を含み、前記マスクは磁気部分を含んでいる請
求項1に記載の基板をマスキングするための機構。 - 【請求項3】 前記誘引力は静電力であり、前記アセン
ブリは電極を含み、前記マスクは電導部分を含んでいる
請求項1に記載の基板をマスキングするための機構。 - 【請求項4】 前記マスクは2以上の異なるマスクを含
んでいる請求項1に記載の基板をマスキングするための
機構。 - 【請求項5】 前記マスクを実質的に平坦にするための
伸張機構をさらに備えている請求項1に記載の基板をマ
スキングするための機構。 - 【請求項6】 前記マスクを保持するためのフレームを
さらに備え、前記伸張機構は前記マスク及び前記フレー
ムに接続する1以上のスプリングを備えている請求項5
に記載の基板をマスキングするための機構。 - 【請求項7】 マスキングの間、前記基板を拘束するホ
ルダーをさらに備えている請求項1に記載の基板をマス
キングするための機構。 - 【請求項8】 前記誘引力は、 前記マスクが前記基板と実質的に接触するのに十分な第
1誘引力と、 前記マスクが前記基板と接触するのに不十分な第2誘引
力と、の間で可変の調整可能な誘引力である請求項1に
記載の基板をマスキングするための機構。 - 【請求項9】 前記マスクは前記基板の下方に配置さ
れ、前記第1誘引力又は前記第2誘引力の1つが重力に
対抗するようになっている請求項8に記載の基板をマス
キングするための機構。 - 【請求項10】 前記誘引力は磁力であり、前記マスク
は磁気部分を含み、前記アセンブリは前記調整可能な磁
力を作るため前記フレームと垂直な方向に調整可能に可
動の永久磁石を含んでいる請求項8に記載の基板をマス
キングするための機構。 - 【請求項11】 前記誘引力は磁力であり、前記マスク
は磁気部分を含み、前記アセンブリは前記調整可能な磁
力を作るための調整可能な強度を有する電磁石を含んで
いる請求項8に記載の基板をマスキングするための機
構。 - 【請求項12】 前記誘引力は静電力であり、前記マス
クは電導部分を含み、前記誘引力は磁力であり、前記ア
センブリは前記調整可能な静電力を作るための調整可能
な強度を有する電極を含んでいる請求項8に記載の基板
をマスキングするための機構。 - 【請求項13】 基板をマスクでマスキングするための
方法であって、 前記マスクへの誘引力を前記基板の方へ与えることを備
え、前記誘引力は電磁力を含んでいることを特徴とする
方法。 - 【請求項14】 前記マスクに張力を与えることをさら
に備え、前記張力は実質的に前記マスクを平坦にする請
求項13に記載の基板をマスキングするための方法。 - 【請求項15】 前記基板と接触するのに不十分な第1
位置を有するマスクで処理するため基板をマスキングす
るための方法であって、 前記第1位置から前記基板と接触する第2位置に前記マ
スクの一部分を押し付けるのに十分な強度に誘引力の強
度を増加させ、前記誘引力は電磁力を含んでおり、 処理後、前記誘引力の強度を減少させ、前記マスクを少
なくとも部分的に前記第1部分に戻させる、ことを含む
ことを特徴とする方法。 - 【請求項16】 前記誘引力は磁力であり、前記マスク
は磁気部分を含んでいる請求項13又は15に記載の基
板をマスキングするための方法。 - 【請求項17】 前記誘引力は静電力であり、前記マス
クは電導部分を含んでいる請求項13又は15に記載の
基板をマスキングするための方法。 - 【請求項18】 重力又は弾性力のいずれかにより前記
マスクを伸張させることをさらに備えている請求項15
に記載の基板をマスキングするための方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004003030A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置用基板固定装置及び基板固定方法 |
EP1426462A2 (en) * | 2002-12-03 | 2004-06-09 | Seiko Epson Corporation | Mask vapor deposition method and apparatus, mask, process for manufacturing display panel, display panel and electronic device |
KR100627679B1 (ko) | 2005-04-19 | 2006-09-25 | 두산디앤디 주식회사 | 대면적 기판 어라인 장치 |
KR100659058B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
JP2013204100A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Panasonic Corp | 成膜方法 |
JP2014049612A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toyota Motor Corp | マスク位置決め方法、及びマスク位置決め装置 |
JP2015069806A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
KR20160015214A (ko) * | 2013-04-22 | 2016-02-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 능동적으로-정렬되는 미세 금속 마스크 |
KR20190127810A (ko) * | 2017-03-14 | 2019-11-13 | 아익스트론 에스이 | 기판 상에 구조화된 층을 증착하기 위한 장치, 및 상기 장치를 설정하기 위한 방법 |
KR20190128196A (ko) * | 2017-03-14 | 2019-11-15 | 아익스트론 에스이 | 마스크 캐리어를 갖는 기판 홀더 배열체 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1715075B1 (de) | 2005-04-20 | 2008-04-16 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Magnetische Maskenhalterung |
EP2504874A1 (en) | 2009-11-27 | 2012-10-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic electroluminescent devices |
CN104928621B (zh) * | 2015-05-15 | 2017-10-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种制作掩膜板时使用的张网装置及张网方法 |
CN104993070A (zh) * | 2015-07-02 | 2015-10-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种制作柔性oled显示器件的方法 |
DE102017106160A1 (de) | 2017-03-22 | 2018-09-27 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Substratträger, Transportanordnung, Vakuumanordnung und Verfahren |
CN107502859B (zh) * | 2017-08-23 | 2019-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于掩膜板的对位装置、蒸镀设备及对位方法 |
CN107887509B (zh) * | 2017-11-15 | 2020-08-11 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 键合方法、oled蒸镀方法以及oled装置的制造方法 |
CN110718152B (zh) * | 2019-10-21 | 2022-04-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 折叠屏组件和移动终端 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3002847A (en) * | 1958-09-11 | 1961-10-03 | Robert A Shaffer | Process for producing a fine mesh pattern on a substrate |
US3170810A (en) * | 1962-05-24 | 1965-02-23 | Western Electric Co | Methods of and apparatus for forming substances on preselected areas of substrates |
US3330252A (en) * | 1964-09-10 | 1967-07-11 | Sperry Rand Corp | Masking device |
US3887421A (en) * | 1973-01-22 | 1975-06-03 | Gen Motors Corp | Method of masking semiconductor wafers using a self-aligning mask |
US3841261A (en) * | 1973-01-22 | 1974-10-15 | Gen Motors Corp | Self-aligning etch-out spray mask |
US4194233A (en) * | 1978-01-30 | 1980-03-18 | Rockwell International Corporation | Mask apparatus for fine-line lithography |
US4374869A (en) * | 1982-01-18 | 1983-02-22 | Western Electric Company, Inc. | Selective metal etch technique |
US4599970A (en) * | 1985-03-11 | 1986-07-15 | Rca Corporation | Apparatus for coating a selected area of the surface of an object |
US4915057A (en) * | 1985-10-23 | 1990-04-10 | Gte Products Corporation | Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns |
JPH0745662A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Hitachi Ltd | メタルマスクの接着構造 |
US5532903A (en) * | 1995-05-03 | 1996-07-02 | International Business Machines Corporation | Membrane electrostatic chuck |
JP2839003B2 (ja) * | 1996-04-05 | 1998-12-16 | 日本電気株式会社 | 真空蒸着装置 |
US5751538A (en) * | 1996-09-26 | 1998-05-12 | Nikon Corporation | Mask holding device and method for holding mask |
JPH10121241A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-12 | Nec Corp | 真空蒸着装置 |
JP3885261B2 (ja) * | 1996-11-21 | 2007-02-21 | 東レ株式会社 | 基板支持具および基板の支持方法 |
JP4499841B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2010-07-07 | 大日本印刷株式会社 | 透明導電層用マスク及びカラーフィルタ |
JP4058149B2 (ja) * | 1997-12-01 | 2008-03-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法 |
JP3575303B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2004-10-13 | トヨタ自動車株式会社 | 薄膜形成方法 |
JP4246828B2 (ja) * | 1999-01-07 | 2009-04-02 | 株式会社アルバック | 真空蒸着装置におけるマスキング装置 |
-
2001
- 2001-10-19 EP EP01308908A patent/EP1202329A3/en not_active Withdrawn
- 2001-10-29 JP JP2001331464A patent/JP2002212704A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4545393B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2010-09-15 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置用基板固定装置及び基板固定方法 |
JP2004003030A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置用基板固定装置及び基板固定方法 |
US7695596B2 (en) | 2002-05-31 | 2010-04-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Device for fixing substrate for thin film sputter and method of fixing substrate using the same |
EP1426462A2 (en) * | 2002-12-03 | 2004-06-09 | Seiko Epson Corporation | Mask vapor deposition method and apparatus, mask, process for manufacturing display panel, display panel and electronic device |
EP1426462A3 (en) * | 2002-12-03 | 2004-08-04 | Seiko Epson Corporation | Mask vapor deposition method and apparatus, mask, process for manufacturing display panel, display panel and electronic device |
KR100659058B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
KR100627679B1 (ko) | 2005-04-19 | 2006-09-25 | 두산디앤디 주식회사 | 대면적 기판 어라인 장치 |
JP2013204100A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Panasonic Corp | 成膜方法 |
JP2014049612A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toyota Motor Corp | マスク位置決め方法、及びマスク位置決め装置 |
KR20160015214A (ko) * | 2013-04-22 | 2016-02-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 능동적으로-정렬되는 미세 금속 마스크 |
JP2015069806A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
KR20190127810A (ko) * | 2017-03-14 | 2019-11-13 | 아익스트론 에스이 | 기판 상에 구조화된 층을 증착하기 위한 장치, 및 상기 장치를 설정하기 위한 방법 |
KR20190128196A (ko) * | 2017-03-14 | 2019-11-15 | 아익스트론 에스이 | 마스크 캐리어를 갖는 기판 홀더 배열체 |
KR102551270B1 (ko) | 2017-03-14 | 2023-07-03 | 아익스트론 에스이 | 마스크 캐리어를 갖는 기판 홀더 배열체 |
KR102604080B1 (ko) | 2017-03-14 | 2023-11-17 | 아익스트론 에스이 | 기판 상에 구조화된 층을 증착하기 위한 장치, 및 상기 장치를 설정하기 위한 방법 |
Also Published As
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