CN107502859B - 用于掩膜板的对位装置、蒸镀设备及对位方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于掩膜板的对位装置、蒸镀设备及对位方法。该对位装置包括：能够分别移动的至少两个磁性件，每一所述磁性件均能够形成均匀磁场，且当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件相组合在第二预设位置形成均匀面磁场；其中，所述掩膜板处于所述第二预设位置时，至少两个所述磁性件相组合所形成面磁场对所述掩膜板施加使所述掩膜板朝所述第一预设位置移动的磁场力。本发明所述对位装置通过设置至少两个磁性件，能够保证每一下垂位置的掩膜板在磁场力作用下均能够以相同移动速度，带动玻璃基板移动，避免掩膜板下垂产生褶皱，造成对位精度不准确的影响。

Description

用于掩膜板的对位装置、蒸镀设备及对位方法
技术领域
本发明涉及显示器制备技术领域，尤其是指用于掩膜板的对位装置、蒸镀设备及对位方法。
背景技术
有机发光二级管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示器由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等多项优点，成为极具发展前景的下一代显示技术。
目前，蒸镀工艺为OLED显示器制造过程中必不可少的工艺过程。蒸镀工艺是指在真空条件下加热蒸镀材料，使蒸镀材料熔化或升化为原子、分子或原子团构成的蒸汽，穿过掩膜板在基板上形成预定形状的膜层，以制成所需要的功能层。
基于蒸镀工艺的上述过程，在进行蒸镀之前，须将掩膜板与基板进行对位，保证基板上所形成蒸镀材料的膜层为设定位置。现有技术将掩膜板与基板对位的方式是通过形成均匀磁场，利用均匀磁场对掩膜板的吸引力使掩膜板与基板相对位贴合。然而采用该方式进行掩膜板对位时，由于基板和掩膜板通常为柔性材料制成，对位时局部区域会有一定下垂量，而且不同位置下垂量不同，而整体结构设置用于产生均匀磁场的磁隔板，对掩膜板每一位置的吸附力却相同，由于掩膜板上不同位置下垂量不同，容易造成对位后基板产生褶皱或者掩膜板与基板不能够完全贴合，基板与掩膜板不能良好接触对位，从而影响对位精度，甚至造成所制成OLED显示器的混色等不良。
发明内容
本发明技术方案的目的是提供一种用于掩膜板的对位装置、蒸镀设备及对位方法，用于解决现有技术掩膜板的对位，由于基板和掩膜板下垂，造成掩膜板与基板不能良好贴合的问题。
本发明实施例提供一种用于掩膜板的对位装置，所述掩膜板采用金属材料制成，其中，所述对位装置包括：
能够分别移动的至少两个磁性件，每一所述磁性件均能够形成均匀磁场，且当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件相组合在第二预设位置形成均匀面磁场；
其中，所述掩膜板处于所述第二预设位置时，至少两个所述磁性件相组合所形成面磁场对所述掩膜板施加使所述掩膜板朝所述第一预设位置移动的磁场力。
优选地，所述用于掩膜板的对位装置，其中，所述对位装置还包括：
驱动结构，用于分别驱动每一所述磁性件在第一位置与第二位置之间移动；其中，所述第一预设位置为所述第一位置、所述第二位置或者所述第一位置和所述第二位置之间的其中一位置。
优选地，所述用于掩膜板的对位装置，其中，当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件中的第一磁性件围绕至少两个所述磁性件中的第二磁性件设置。
优选地，所述用于掩膜板的对位装置，其中，至少两个所述磁性件分别形成为板状件，在所述第一预设位置时，每一所述磁性件分别位于同一平面。
优选地，所述用于掩膜板的对位装置，其中，所述掩膜板处于所述第二预设位置时平行于至少两个所述磁性件。
优选地，所述用于掩膜板的对位装置，其中，所述第二磁性件的面积小于所述掩膜板的面积。
优选地，所述用于掩膜板的对位装置，其中，所述第一磁性件上设置有与所述第二磁性件的形状和尺寸对应的第一开孔；
所述第一磁性件和所述第二磁性件均位于所述第一预设位置时，所述第二磁性件设置于所述第一开孔中。
优选地，所述用于掩膜板的对位装置，其中，至少两个所述磁性件还包括第三磁性件，其中所述第三磁性件上设置有与所述第一磁性件的形状和尺寸对应的第二开孔；
所述第一磁性件、所述第二磁性件和所述第三磁性件均位于所述第一预设位置时，所述第一磁性件设置于所述第二开孔中。
本发明具体实施例另一方面还提供一种蒸镀设备，其中，包括如上任一项所述用于掩膜板的对位装置。
本发明具体实施例还提供一种掩膜板的对位方法，其中，应用于如所述的蒸镀设备，所述对位方法包括：
将掩膜板设置于所述第二预设位置处，且使所述掩膜板垂直于预设方向设置，其中所述预设方向为至少两个所述磁性件对所述掩膜板施加磁场力的方向；
控制至少两个磁性件中的每一磁性件分别朝所述掩膜板移动，并到达所述第一预设位置后停止移动，其中不同磁性件开始移动的时间不同。
优选地，所述掩膜板的对位方法，其中，所述控制至少两个磁性件中的每一磁性件分别朝所述掩膜板移动，并到达所述第一预设位置后停止移动的步骤中，控制至少两个所述磁性件同时到达所述第一预设位置。
优选地，所述掩膜板的对位方法，其中，当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件中的第一磁性件围绕至少两个所述磁性件中的第二磁性件设置时，所述控制至少两个磁性件中的每一磁性件分别朝所述掩膜板移动的步骤中，控制所述第二磁性件开始移动的时间早于所述第一磁性件开始移动的时间。
本发明的一个或多个实施例至少具有以下有益效果：
所述对位装置通过设置至少两个磁性件，且每一磁性件能够分别移动，在进行掩膜板对位时，可以使其中一磁性件朝掩膜板移动的起始时间早于其他磁性件朝掩膜板移动的起始时间，以对掩膜板中产生下垂最大区域优先施加磁场力，保证每一下垂位置的掩膜板在磁场力作用下均能够以相同移动速度，带动玻璃基板移动，避免掩膜板下垂产生褶皱，造成对位精度不准确的影响。
附图说明
图1为本发明实施例一所述对位装置的部分结构的侧面示意图；
图2为本发明实施例一所述对位装置中，第一磁性件和第二磁性件相组合的平面结构示意图；
图3为本发明实施例二所述对位装置的部分结构示意图；
图4为本发明实施例一所述对位装置中，第一磁性件、第二磁性件和第三磁性件相组合的平面结构示意图；
图5为本发明实施例所述对位方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例用于掩膜板的对位装置，所述掩膜板采用金属材料制成，其中，所述对位装置包括：
能够分别移动的至少两个磁性件，每一所述磁性件均能够形成均匀磁场，且当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件相组合在第二预设位置形成均匀面磁场；
其中，所述掩膜板处于所述第二预设位置时，至少两个所述磁性件相组合所形成面磁场对所述掩膜板施加使所述掩膜板朝所述第一预设位置移动的磁场力。
本发明具体实施例所述用于掩膜板的对位装置，磁性件包括至少两个，用于掩膜板对位时提供使掩膜板移动的磁场力。利用至少两个的磁性件，在进行掩膜板对位时，可以控制不同磁性件分别移动，其中一磁性件朝掩膜板移动的起始时间早于其他磁性件朝掩膜板移动的起始时间，以对掩膜板中产生下垂最大区域优先施加磁场力，克服掩膜板产生的下垂，保证每一下垂位置的掩膜板在磁场力作用下均能够以相同移动速度，带动玻璃基板移动，避免掩膜板下垂产生褶皱，造成对位精度不准确的影响。
本发明具体实施例中，所述对位装置还包括：
驱动结构，用于分别驱动每一所述磁性件在第一位置与第二位置之间移动；其中，所述第一预设位置为所述第一位置、所述第二位置或者所述第一位置和所述第二位置之间的其中一位置。
通过设置驱动结构，能够使每一磁性件分别在第一位置与第二位置之间移动。具体地，磁性件从第一位置朝第二位置移动的方向，可以为靠近掩膜板移动的方向；磁性件从第二位置朝第一位置移动的方向，可以为远离掩膜板移动的方向。第一预设位置为第一位置、第二位置或者第一位置和第二位置之间的其中一位置，也即当每一磁性件均位于第一位置、或者均位于第二位置，或者均位于第一位置和第二位置之间的其中一位置时，至少两个磁性件的组合均能够在第二预设位置处形成均匀面磁场，以使整个掩膜板处于均匀磁场中，对掩膜板施加均匀磁场力。
较佳地，当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件中的第一磁性件围绕至少两个所述磁性件中的第二磁性件设置。
通过使第一磁性件围绕第二磁性件设置，也即第二磁性件设置于第一磁性件的中部区域，第二磁性件对掩膜板的中部施加磁场力，这样当第二磁性件朝掩膜板移动的起始时间早于其他磁性件朝掩膜板移动的起始时间时，第二磁性件能够对掩膜板中部区域产生的下垂优先施加磁场力，克服掩膜板中部区域产生的下垂。
图1为本发明实施例一所述对位装置的部分结构的侧面示意图，图2为本发明实施例一中，第一磁性件和第二磁性件相组合的平面结构示意图。参阅图1和图2，所述对位装置包括两个磁性件，分别为第一磁性件10和第二磁性件20，其中第一磁性件10和第二磁性件20均能够形成均匀磁场，且能够分别在位置a(第一位置)和位置b(第二位置)之间移动。
具体地，可以通过与第一磁性件10和第二磁性件20相连接设置驱动结构(图中未显示)，使第一磁性件10和第二磁性件20分别在位置a和位置b之间平移。该驱动结构可以为一个，也可以为两个，只要能够分别驱动第一磁性件10和第二磁性件20在位置a与位置b之间平移即可。另外，驱动结构可以包括驱动马达和平移传动构件(如滑轨或丝杠)。
本发明具体实施例中，如图1所示，掩膜板1设置于位置b下方的位置c(第二预设位置)处，且在掩膜板1的上方位置，位置b与位置c之间设置掩膜板1需要对位的玻璃基板2，且玻璃基板2能够移动；对位前，掩膜板1与玻璃基板2之间具有预设距离。此外，在玻璃基板2的上方位置，位置b与玻璃基板2之间设置有可移动的冷凝板。基于第一磁性件10、第二磁性件20、冷凝板3、玻璃基板2和掩膜板1的上述设置方式，在第一磁性件10和第二磁性件20所施加使掩膜板1移动的磁场力作用下，当掩膜板1与玻璃基板2贴合时，利用第一磁性件10和第二磁性件20的磁场力，能够克服掩膜板1产生的下垂，以朝玻璃基板2贴近，保证每一下垂位置的掩膜板1在磁场力作用下均能够贴合于玻璃基板2上。
上述结构以第一磁性件10、第二磁性件20、冷凝板3、玻璃基板2和掩膜板1的设置位置为由上至下为例，说明了各构件之间的位置关系，当然上述各构件不限于仅能够由上至下设置，只要保证各构件之间的位置关系能够满足上述对位贴合过程即可。
如图1和图2所示，本发明具体实施例中，第一磁性件10和第二磁性件20分别形成为板状件，较佳地，当第一磁性件10和第二磁性件20均位于位置a与位置b之间的其中一位置时，第一磁性件10与第二磁性件20分别位于同一平面。此外，掩膜板1设置于位置c处时，平行于第一磁性件10和第二磁性件20；而且第一磁性件10和第二磁性件20分别在位置a和位置b之间移动时，分别始终保持与掩膜板1相平行，以保证对掩膜板1施加均匀的磁场力。
具体地，结合图1和图2，第一磁性件10上设置有与第二磁性件20的形状和尺寸对应的第一开孔，当第一磁性件10和第二磁性件20均位于位置a与位置b之间的其中一位置时，第二磁性件20设置于第一磁性件10的第一开孔中，形成为第一磁性件10围绕第二磁性件20设置的结构。此外，较佳地，第二磁性件20的面积小于掩膜板1的面积，第一磁性件10的面积大于等于掩膜板1的面积。当第一磁性件10和第二磁性件20均位于位置a与位置b之间的其中一位置，掩膜板1设置于位置c处时，掩膜板1与第一磁性件10和第二磁性件20平行且相对，第二磁性件20在掩膜板1所在平面的投影位于掩膜板1的中部区域，以保证第二磁性件20对掩膜板1的中部区域施加磁场力，克服掩膜板1中部区域产生的下垂。
基于图1和图2所示第一磁性件10和第二磁性件20的设置方式，对掩膜板1进行对位的过程包括：
将第一磁性件10和第二磁性件20分别设置于位置a处；
将掩膜板1设置于位置c处，且使掩膜板1垂直于第一磁性件10和第二磁性件20分别对掩膜板1施加磁场力的方向；本发明实施例中，第一磁性件10和第二磁性件20所产生磁场力的方向垂直于玻璃基板2，也即掩膜板1平行于掩膜板1；
执行对位过程，使玻璃基板2下移朝掩膜板1贴近，直至与掩膜板1贴合。控制冷凝板3下移直至与玻璃基板2相贴合。此时由于掩膜板1和玻璃基板2的柔性材料特性，在自身重力作用下，玻璃基板2与掩膜板1均会有一定下垂量，因此造成玻璃基板2与冷凝板3之间存在间隙；
控制第一磁性件10和第二磁性件20分别朝掩膜板1移动，也即分别从位置a朝位置b移动，且使第一磁性件10和第二磁性件20分别朝掩膜板1移动的过程中，第一磁性件10和第二磁性件20对掩膜板1所施加磁场力的方向始终垂直于掩膜板1，以对掩膜板1施加使掩膜板1朝玻璃基板2移动的作用力；在此作用力下，产生下垂的掩膜板1带动同样下垂的玻璃基板2朝贴近冷凝板3移动，最终使掩膜板1与玻璃基板2贴合，玻璃基板2与冷凝板3相贴合。
具体地，在控制第一磁性件10和第二磁性件20分别朝掩膜板1移动时，使第二磁性件20开始移动的时间早于第一磁性件10开始移动的时间，较佳地保证第一磁性件10和第二磁性件20同时移动至位置b，也即第一磁性件10的移动速度大于第二磁性件20的移动速度；本发明实施例中，位置b形成为第一预设位置。
采用上述的方式，由于第二磁性件20由位置a移动至位置b的时间早于第一磁性件10由位置a移动至位置b的时间，利用第二磁性件20先对掩膜板1中部区域逐渐施加磁场力，使产生下垂最大的中部区域先带动玻璃基板2朝冷凝板3贴合，之后边缘区域也带动玻璃基板2朝冷凝板3贴合，保证第一磁性件10和第二磁性件20在下移过程中，每一下垂位置的掩膜板在磁场力作用下均能够贴合于玻璃基板上，且朝冷凝板3贴合的移动速度一致，最后当第一磁性件10和第二磁性件20均移动至位置b时，第一磁性件10和第二磁性件20相组合对掩膜板1施加均匀磁场力，使掩膜板1在均匀磁场力作用下，掩膜板1与玻璃基板2贴合，玻璃基板2与冷凝板3贴合，保证掩膜板1在玻璃基板2上的精准对位，避免产生褶皱。进一步，较佳地，本发明具体实施例所述对位装置中，当第一磁性件10和第二磁性件20处于位置a至位置b的任一位置时，掩膜板1均处于第一磁性件10和第二磁性件20所形成的磁场范围中。
本发明还提供实施例二所述用于掩膜板的对位装置，如图3和图4所示，在实施例二中，对位装置包括三个磁性件，分别为第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30，其中第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30分别形成为板状件，且当第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件均位于位置a与位置b之间的其中一位置时，分别位于同一平面。此外，第三磁性件30上设置有第一磁性件10的形状和尺寸对应的第二开孔，第一磁性件10上设置有与第二磁性件20的形状和尺寸对应的第一开孔，第二磁性件20设置于第一磁性件10的第一开孔中，形成为第一磁性件10围绕第二磁性件20设置的结构，第一磁性件10还设置于第三磁性件30的第二开孔中，形成为第三磁性件围绕第一磁性件10设置的结构。
另外，第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30均能够形成均匀磁场，通过分别与第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30相连接的驱动结构，能够分别在位置a和位置b之间移动，较佳地在移动过程中，掩膜板1设置于每一磁性件所形成的磁场中，且每一磁性件对掩膜板1施加的磁场力均匀变化。
本发明实施例中，第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30设置于位置a与位置b处的其中一位置时，分别平行于掩膜板1，且第一磁性件10和第二磁性件20的面积小于掩膜板1的面积，第三磁性件30的面积大于等于掩膜板1的面积。
与图3所示，与实施例一相同，冷凝板3、玻璃基板2和掩膜板1由上至至下设置，且分别位于位置b的下方，其中掩膜板1设置于位置b下方的位置c(第二预设位置)处。
基于图3和图4所示对位装置的结构，在完成对位过程中，在掩膜板1设置于位置c处，使玻璃基板2下移朝掩膜板1贴近，直至与掩膜板1贴合，冷凝板3下移直至与玻璃基板2相贴合后，控制第一磁性件10和第二磁性件20分别朝掩膜板1移动，也即分别从位置a朝位置b移动，且使第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30分别朝掩膜板1移动的过程中，第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30对掩膜板1所施加磁场力的方向始终垂直于掩膜板1，以对掩膜板1施加使掩膜板1朝玻璃基板2移动的作用力；
具体地，在控制第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30分别朝掩膜板1移动时，使第二磁性件20开始移动的时间早于第一磁性件10开始移动的时间，第一磁性件10开始移动的时间早于第三磁性件30开始移动的时间，较佳地并保证第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30同时移动至位置b。也即，第三磁性件30的移动速度大于第一磁性件10的移动速度，第一磁性件10的移动速度又大于第二磁性件20的移动速度。
基于上述的设置方式，由于第二磁性件20开始移动的时间早于第一磁性件10开始移动的时间，利用第二磁性件20先对掩膜板1的中部区域逐渐施加磁场力，使产生下垂最大的中部区域先带动玻璃基板2朝冷凝板3贴合，之后在第一磁性件10开始移动后，利用第一磁性件10对掩膜板1的中部区域之外与第一磁性件10相对应的外围区域逐渐施加磁场力，使相对应的该部分外围区域带动玻璃基板2朝冷凝板3贴合，之后当第三磁性件30开始移动后，使掩膜板1的边缘区域带动玻璃基板2朝冷凝板3贴合。因此采用该方式，每一下垂位置的掩膜板在磁场力作用下均能够贴合于玻璃基板上，且朝冷凝板3贴合的移动速度一致，能够保证产生下垂的掩膜板1与玻璃基板2上的精准对位，避免掩膜板1或玻璃基板2产生褶皱。
进一步地，当第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30均移动至位置b时，第一磁性件10、第二磁性件20和第三磁性件30相组合对掩膜板1施加均匀磁场力，使掩膜板1均匀受力，在均匀磁场力作用下，掩膜板1与玻璃基板2贴合，玻璃基板2与冷凝板3贴合。
采用本发明实施例所述对位装置，利用至少两个的磁性件，在进行掩膜板对位时，可以控制不同磁性件分别移动，其中一磁性件朝掩膜板移动的起始时间早于其他磁性件朝掩膜板移动的起始时间，以对掩膜板中产生下垂区域优先施加磁场力，克服掩膜板产生的下垂朝玻璃基板贴近，保证每一下垂位置的掩膜板在磁场力作用下均能够以相同移动速度，带动玻璃基板移动，避免掩膜板下垂产生褶皱，造成对位精度不准确的影响。
本发明具体实施例还提供一种蒸镀设备，包括如下结构的对位装置。基于上述的详细描述，本领域技术人员应该能够了解采用本发明实施例所述对位装置的蒸镀设备，在此不再详细说明。
本发明具体实施例另一方面还提供一种掩膜板的对位方法，应用于如上所述的蒸镀设备，其中，参阅图5，并结合图1至图4所示，所述对位方法包括：
S510，将掩膜板设置于所述第二预设位置处，且使所述掩膜板垂直于预设方向设置，其中所述预设方向为至少两个所述磁性件对所述掩膜板施加磁场力的方向；
S520，控制至少两个磁性件中的每一磁性件分别朝所述掩膜板移动，并到达所述第一预设位置后停止移动，其中不同磁性件开始移动的时间不同。
采用本发明实施例所述对位方法，通过使至少两个磁性件分别移动，其中一磁性件朝掩膜板移动的起始时间早于其他磁性件朝掩膜板移动的起始时间，能够对掩膜板中产生下垂较大区域优先施加磁场力，克服掩膜板产生的下垂，避免掩膜板下垂造成对位精度不准确的影响。
可以理解的是，采用本发明实施例所述对位方法，结合图1，在步骤S510之前，需要完成对位过程，使掩膜板设置于第二预设位置处，使玻璃基板下移朝掩膜板贴近，直至与掩膜板贴合，冷凝板下移直至与玻璃基板相贴合。
较佳地，在步骤S520，所述控制至少两个磁性件中的每一磁性件分别朝所述掩膜板移动，并到达所述第一预设位置后停止移动的步骤中，控制至少两个所述磁性件同时到达所述第一预设位置。
当至少两个磁性件同时到达第一预设位置后，至少两个磁性件相组合在第二预设位置形成均匀面磁场。
进一步，结合图2和图4，当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件中的第一磁性件围绕至少两个所述磁性件中的第二磁性件设置时，所述控制至少两个磁性件中的每一磁性件分别朝所述掩膜板移动的步骤中，控制所述第二磁性件开始移动的时间早于所述第一磁性件开始移动的时间。
采用该方式，保证每一下垂位置的掩膜板在磁场力作用下均能够以相同移动速度，带动玻璃基板移动，避免掩膜板下垂产生褶皱，造成对位精度不准确的影响。
此外，结合图1和图3，在对位过程中，当驱动结构驱动每一磁性件朝掩膜板移动时，可以从第一位置移动至第二位置，逐渐靠近掩膜板，使掩膜板所受磁场力逐渐增大。
具体地，对位装置的具体结构可以参阅图1至图4所示，此外对位装置分别形成为图2或图4所示结构时的详细对位过程，可以参阅以上的详细描述，在此不再赘述。
本发明具体实施例所述用于掩膜板的对位装置和对位方法，磁性件包括至少两个，用于掩膜板对位时提供使掩膜板移动的磁场力。利用至少两个的磁性件，在进行掩膜板对位时，分别使磁性件靠近掩膜板，保证每一下垂位置的掩膜板在磁场力作用下均能够以相同移动速度，带动玻璃基板移动，保证掩膜板和玻璃基板在对位过程中更舒展，同时使掩膜板与玻璃基板的贴合更紧密，实现掩膜板与玻璃基板的精确对位，有利于高像素产品的实现。
以上所述的是本发明的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本发明所述的原理前提下还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也在本发明的保护范围内。

Claims (12)

1.一种用于掩膜板的对位装置，所述掩膜板采用金属材料制成，其特征在于，所述对位装置包括：
能够分别移动的至少两个磁性件，每一所述磁性件均能够形成均匀磁场，且当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件相组合在第二预设位置形成均匀面磁场；
其中，所述掩膜板处于所述第二预设位置时，至少两个所述磁性件相组合所形成面磁场对所述掩膜板施加使所述掩膜板朝所述第一预设位置移动的磁场力；
与掩膜板中产生下垂最大区域对应的磁性件朝掩膜板移动的起始时间早于其他磁性件朝掩膜板移动的起始时间。
2.根据权利要求1所述用于掩膜板的对位装置，其特征在于，所述对位装置还包括：
驱动结构，用于分别驱动每一所述磁性件在第一位置与第二位置之间移动；其中，所述第一预设位置为所述第一位置、所述第二位置或者所述第一位置和所述第二位置之间的其中一位置。
3.根据权利要求1所述用于掩膜板的对位装置，其特征在于，当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件中的第一磁性件围绕至少两个所述磁性件中的第二磁性件设置。
4.根据权利要求3所述用于掩膜板的对位装置，其特征在于，至少两个所述磁性件分别形成为板状件，在所述第一预设位置时，每一所述磁性件分别位于同一平面。
5.根据权利要求4所述用于掩膜板的对位装置，其特征在于，所述掩膜板处于所述第二预设位置时平行于至少两个所述磁性件。
6.根据权利要求3所述用于掩膜板的对位装置，其特征在于，所述第二磁性件的面积小于所述掩膜板的面积。
7.根据权利要求4所述用于掩膜板的对位装置，其特征在于，所述第一磁性件上设置有与所述第二磁性件的形状和尺寸对应的第一开孔；
所述第一磁性件和所述第二磁性件均位于所述第一预设位置时，所述第二磁性件设置于所述第一开孔中。
8.根据权利要求7所述用于掩膜板的对位装置，其特征在于，至少两个所述磁性件还包括第三磁性件，其中所述第三磁性件上设置有与所述第一磁性件的形状和尺寸对应的第二开孔；
所述第一磁性件、所述第二磁性件和所述第三磁性件均位于所述第一预设位置时，所述第一磁性件设置于所述第二开孔中。
9.一种蒸镀设备，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述用于掩膜板的对位装置。
10.一种掩膜板的对位方法，其特征在于，应用于权利要求9所述的蒸镀设备，所述对位方法包括：
将掩膜板设置于所述第二预设位置处，且使所述掩膜板垂直于预设方向设置，其中所述预设方向为至少两个所述磁性件对所述掩膜板施加磁场力的方向；
控制至少两个磁性件中的每一磁性件分别朝所述掩膜板移动，并到达所述第一预设位置后停止移动，其中不同磁性件开始移动的时间不同。
11.根据权利要求10所述掩膜板的对位方法，其特征在于，所述控制至少两个磁性件中的每一磁性件分别朝所述掩膜板移动，并到达所述第一预设位置后停止移动的步骤中，控制至少两个所述磁性件同时到达所述第一预设位置。
12.根据权利要求10所述掩膜板的对位方法，其特征在于，当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件中的第一磁性件围绕至少两个所述磁性件中的第二磁性件设置时，所述控制至少两个磁性件中的每一磁性件分别朝所述掩膜板移动的步骤中，控制所述第二磁性件开始移动的时间早于所述第一磁性件开始移动的时间。
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