CN206692717U - 一种蒸镀组件、蒸镀腔室及蒸镀装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供一种蒸镀组件、蒸镀腔室及蒸镀装置，涉及有机蒸镀技术领域，能够解决磁隔板吸附金属掩模版时，金属掩模版上各处受磁力均一性差的问题。包括匀强磁场发生器组，包括第一匀强磁场发生器，第一匀强磁场发生器为中空圆柱形结构，还包括设置在第一匀强磁场发生器中空区域的至少一个第二匀强磁场发生器，第二匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈，第一匀强磁场发生器与第二匀强磁场发生器同轴设置。蒸镀组件还包括支撑架，金属掩膜板和待蒸镀基板沿垂直于第一匀强磁场发生器轴向的方向设置在第一匀强磁场发生器的中空区域内。

Description

一种蒸镀组件、蒸镀腔室及蒸镀装置

技术领域

本实用新型涉及有机蒸镀技术领域，尤其涉及一种蒸镀组件、蒸镀腔室及蒸镀装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。

OLED显示面板包括阵列排布的多个子像素单元，每一个子像素单元包括阳极、发光层和阴极，其中，发光层采用有机电致发光材料形成，目前主要采用掩膜板并通过蒸镀工艺制作在各子像素单元中。掩模版上具有构图图案，随着屏幕PPI(Pixels Per Inch，每英寸内拥有的像素数目)的增多，掩模版上的构图图案区域也进一步精细化，形成精细金属掩模版(FMM Mask)。

在进行蒸镀操作前，先将精细金属掩模版移入蒸镀腔室内，并沿精细金属掩模版的边缘将精细金属掩膜板固定设置在支撑架上，然后将待蒸镀基板通过机械手移入蒸镀腔室内，与精细金属掩膜板之间进行对位后将待蒸镀基板下移放置在精细金属掩模版上。在蒸镀腔室上方设置有磁隔板，磁隔板通常为制作成条状或块状的永磁体，磁隔板的磁力作用将精细金属掩模版向上吸附移动，以使得精细金属掩模版与待蒸镀基板相贴合，通过调整磁隔板与精细金属掩模版之间的距离，能够对磁隔板吸附精细金属掩模版的磁力的大小进行调整。在蒸镀操作过程中，始终保持磁力对精细金属掩模版的向上吸附作用，以使精细金属掩模版与待蒸镀基板之间贴合紧密，从而减少缝隙的产生。

但是，通过磁隔板对精细金属掩模版进行磁力吸附时，由于磁隔板通常为多个条状拼接而成，对应条状磁隔板以及对应相邻两个磁隔板之间的位置处的磁力大小不同，即使磁隔板为整块永磁体制作而成，整个磁隔板对精细金属掩模版上各位置处吸附的磁力大小也不均匀。尤其是精细金属掩模版中心位置处由于重力的作用会产生一定的下垂量，这就会导致精细金属掩模版上各处受到的磁力大小不均，在磁力较小的位置处可能由于磁吸附力不足，导致精细金属掩模版在该位置处与待蒸镀基板之间留有缝隙，或者，在未紧密贴合的位置处精细金属掩模版会发生局部褶皱而产生阴影(Shadow)效应，进而导致在蒸镀完成后的基板上发生成膜位置不准确、膜厚均一性差等问题，使得在制作的成品产品中发生混色、条状色不均匀等显示不良的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种蒸镀组件、蒸镀腔室及蒸镀装置，能够解决现有的蒸镀装置中磁隔板吸附金属掩模版时，金属掩模版上各处受到的磁吸附力均一性较差的问题。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本实用新型实施例的一方面提供一种蒸镀组件，包括匀强磁场发生器组，匀强磁场发生器组包括第一匀强磁场发生器，第一匀强磁场发生器为中空圆柱形结构，匀强磁场发生器组还包括设置在第一匀强磁场发生器中空区域的至少一个第二匀强磁场发生器，第二匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈，第一匀强磁场发生器与第二匀强磁场发生器同轴设置，依次向匀强磁场发生器组中的第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器通入恒定电流，第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器的中空区域内依次产生并保持平行于第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器轴向的匀强磁场。蒸镀组件还包括支撑架，用于固定金属掩膜板以及放置在金属掩膜板上的待蒸镀基板，金属掩膜板和待蒸镀基板沿垂直于第一匀强磁场发生器轴向的方向设置在第一匀强磁场发生器的中空区域内。

进一步的，第一匀强磁场发生器包括螺线管。

优选的，第一匀强磁场发生器包括亥姆赫兹线圈。

优选的，匀强磁场发生器组中设置有一个第二匀强磁场发生器，匀强磁场发生器组还包括第三匀强磁场发生器，第三匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈，第三匀强磁场发生器设置在第二匀强磁场发生器的中空区域，依次向第三匀强磁场发生器、第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器通入恒定电流，第三匀强磁场发生器、第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器的中空区域内依次产生并保持平行于第三匀强磁场发生器、第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器轴向的匀强磁场。

进一步的，第二匀强磁场发生器设置有多个，多个第二匀强磁场发生器同轴设置且半径不相同。

本实用新型实施例的又一方面提供一种蒸镀腔室，包括上述任一项的蒸镀组件。

本实用新型实施例的再一方面提供一种蒸镀装置，包括上述的蒸镀腔室，还包括设置在蒸镀腔室内的蒸镀源。其中，蒸镀源的蒸镀出口设置在匀强磁场发生器组轴向的一端。

进一步的，第一匀强磁场发生器的截面直径大于等于金属掩膜板的长边长度。

优选的，第一匀强磁场发生器为螺线管，螺线管的长度大于等于10mm。

优选的，第一匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈，且第二匀强磁场发生器为多个半径不相同且同轴设置的亥姆赫兹线圈，多个亥姆赫兹线圈的上端设置在同一水平位置。

进一步的，本实用新型实施例的蒸镀装置还包括CCD图像传感器。

本实用新型实施例提供一种蒸镀组件、蒸镀腔室及蒸镀装置，包括匀强磁场发生器组，匀强磁场发生器组包括第一匀强磁场发生器，第一匀强磁场发生器为中空圆柱形结构，匀强磁场发生器组还包括设置在第一匀强磁场发生器中空区域的至少一个第二匀强磁场发生器，第二匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈，第一匀强磁场发生器与第二匀强磁场发生器同轴设置，依次向匀强磁场发生器组中的第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器通入恒定电流，第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器的中空区域内依次产生并保持平行于第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器轴向的匀强磁场。蒸镀组件还包括支撑架，用于固定金属掩膜板以及放置在金属掩膜板上的待蒸镀基板，金属掩膜板和待蒸镀基板沿垂直于第一匀强磁场发生器轴向的方向设置在第一匀强磁场发生器的中空区域内。通过依次向匀强磁场发生器组中的第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器通入恒定电流，以在第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器的中空区域内产生并保持平行于第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器轴向的匀强磁场，金属掩膜板和待蒸镀基板通过支撑架沿第一匀强磁场发生器轴向方向固定设置在第一匀强磁场发生器的中空区域内，第二匀强磁场发生器产生的匀强磁场对应于金属掩膜板中心的部分区域，首先第二匀强磁场发生器产生的匀强磁场将金属掩膜板中心部分贴合在待蒸镀基板上，减少金属掩膜板中心部分由于重力作用下垂而与待蒸镀基板之间可能存在的空隙，第一匀强磁场发生器产生的匀强磁场进一步吸附使整个金属掩膜板受到磁场吸力的作用与待蒸镀基板紧密贴合，从而能够降低金属掩膜板由于受到的磁场吸力作用不均而在与待蒸镀基板紧密贴合时发生局部褶皱而影响蒸镀效果的可能性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种蒸镀组件的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种蒸镀组件中第一匀强磁场发生器为螺线管的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种蒸镀组件中第一匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种蒸镀组件的匀强磁场发生器组中还包括第三匀强磁场发生器的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种蒸镀组件的匀强磁场发生器组中第二匀强磁场发生器设置有多个的结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的一种蒸镀腔室的结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的一种蒸镀装置的结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的一种蒸镀装置中，匀强磁场发生器组的多个亥姆赫兹线圈的上端设置在同一水平位置的结构示意图；

图9为本实用新型实施例提供的一种蒸镀装置中还包括CCD图像传感器的结构示意图；

图10为本实用新型实施例提供的一种蒸镀装置中机械手承载待蒸镀基板的结构示意图之一；

图11为本实用新型实施例提供的一种蒸镀装置中机械手承载待蒸镀基板的结构示意图之二。

附图标记：

10-匀强磁场发生器组；11-第一匀强磁场发生器；12-第二匀强磁场发生器；13-第三匀强磁场发生器；20-支撑架；30-金属掩膜板；40-待蒸镀基板；41-对位标记；50-蒸镀组件；60-蒸镀腔室；70-蒸镀源；80-CCD图像传感器；90-机械手；91-真空吸附端；L-金属掩膜板的长边长度；R1-第一匀强磁场发生器的亥姆赫兹线圈的载流圆线圈半径；R2-第二匀强磁场发生器中半径较大的亥姆赫兹线圈的载流圆线圈半径；R3-第二匀强磁场发生器中半径较小的亥姆赫兹线圈的载流圆线圈半径；T-第一匀强磁场发生器的截面直径；W-螺线管长度；a-蒸镀源的蒸镀出口；h1-第一匀强磁场发生器的亥姆赫兹线圈的两载流圆线圈间距；h2-第二匀强磁场发生器中半径较大的亥姆赫兹线圈的两载流圆线圈间距；h3-第二匀强磁场发生器中半径较小的亥姆赫兹线圈的两载流圆线圈间距。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种蒸镀组件，如图1所示，包括匀强磁场发生器组10，匀强磁场发生器组10包括第一匀强磁场发生器11，第一匀强磁场发生器11为中空圆柱形结构，匀强磁场发生器组10还包括设置在第一匀强磁场发生器11中空区域的至少一个第二匀强磁场发生器12，第二匀强磁场发生器12为亥姆赫兹线圈，第一匀强磁场发生器11与第二匀强磁场发生器12同轴设置，依次向匀强磁场发生器组10中的第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11通入恒定电流，第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11的中空区域内依次产生并保持平行于第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11轴向的匀强磁场。蒸镀组件还包括支撑架20，用于固定金属掩膜板30以及放置在金属掩膜板30上的待蒸镀基板40，金属掩膜板30和待蒸镀基板40沿垂直于第一匀强磁场发生器11轴向的方向设置在第一匀强磁场发生器11的中空区域内。

需要说明的是，第一，第一匀强磁场发生器11为中空圆柱形结构，本实用新型实施例中对于第一匀强磁场发生器11不做具体限定，只要能够在通入恒定电流的情况下在第一匀强磁场发生器11的中空区域产生并保持平行于第一匀强磁场发生器11的轴向的匀强磁场即可。

第二，第二匀强磁场发生器12在第一匀强磁场发生器11的中空区域设置有至少一个，第二匀强磁场发生器12为亥姆赫兹线圈。亥姆赫兹线圈指的是一对相互串联的彼此平行且共轴的载流圆线圈，当两载流圆线圈的间距等于载流圆线圈的半径时，向载流圆线圈中他通入横向电流，在两个载流圆线圈的之间的一个较大范围内能够产生一个匀强磁场。如图1所示，第二匀强磁场发生器12设置有两个，两个第二匀强磁场发生器12与第一匀强磁场发生器同轴设置。当两个第二匀强磁场发生器12同轴设置时，必然的，两个亥姆赫兹线圈的半径不相同，半径较小的亥姆赫兹线圈套设在半径较大的亥姆赫兹线圈之内。同一亥姆赫兹线圈内的两个载流圆线圈之间相互串联，例如，如图1所示，可以通过导线将同一亥姆赫兹线圈内的两个载流圆线圈之间相连接，其中，为了避免导线对蒸镀膜层的沉积造成影响，可以如图1中所示的，将导线绕至待蒸镀基板40及金属掩膜板30的外周以外进行连接。

第三，本实用新型实施例的蒸镀组件中对于支撑架20的形状结构不做具体限定，只要能够通过金属掩膜板30的边缘区域将金属掩膜板30以及放置在金属掩膜板30上的待蒸镀基板40固定蒸镀位置即可。金属掩膜板30的边缘区域指的是除金属掩膜板30上的掩膜图案以外的区域。由于金属掩膜板30是通过边缘区域固定，在金属掩膜板30的中心区域会由于重力作用产生一定的下垂量，从而使得金属掩膜板30在静止的放置状态下的平面平整度约为200μm-400μm。

第四，金属掩膜板30的以及放置在金属掩膜板30上的待蒸镀基板40均设置在第一匀强磁场发生器11的中空区域内，通常金属掩膜板30采用Invar合金材料制作，能够受到磁场力的作用，在第一匀强磁场发生器11通入恒定电流产生匀强磁场的情况下，整个金属掩膜板30上各处受到均匀的磁场作用力向待蒸镀基板40贴合。

第五，依次向匀强磁场发生器组10中的第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11通入恒定电流，如图1所示，第二匀强磁场发生器12的亥姆赫兹线圈设置有两个时，两个亥姆赫兹线圈可以同时通入恒定电流以产生匀强磁场，也可以由半径较小的亥姆赫兹线圈向半径较大的亥姆赫兹线圈依次输入恒定电流。在第二匀强磁场发生器12通入恒定电流产生匀强磁场后，第二匀强磁场发生器12产生的匀强磁场对应于金属掩膜板30和待蒸镀基板40的中心区域，在该中心区域内的金属掩膜板30在匀强磁场的作用下向待蒸镀基板40贴合，以补偿金属掩膜板30中心区域由于重力产生下垂而与待蒸镀基板40之间产生的间隙。在金属掩膜板30的中心区域贴合于待蒸镀基板40后，再向第一匀强磁场发生器11内通入恒定电流，从而使得整个金属掩膜板30均向待蒸镀基板40贴合。使金属掩膜板30由中心区域向边缘逐渐与待蒸镀基板40贴合，能够提高金属掩膜板30中心区域的贴合平整度，将磁力挤压可能在金属掩膜板30上产生的褶皱向边缘推动。

本实用新型实施例提供一种蒸镀组件，包括匀强磁场发生器组，匀强磁场发生器组包括第一匀强磁场发生器，第一匀强磁场发生器为中空圆柱形结构，匀强磁场发生器组还包括设置在第一匀强磁场发生器中空区域的至少一个第二匀强磁场发生器，第二匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈，第一匀强磁场发生器与第二匀强磁场发生器同轴设置，依次向匀强磁场发生器组中的第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器通入恒定电流，第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器的中空区域内依次产生并保持平行于第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器轴向的匀强磁场。蒸镀组件还包括支撑架，用于固定金属掩膜板以及放置在金属掩膜板上的待蒸镀基板，金属掩膜板和待蒸镀基板沿垂直于第一匀强磁场发生器轴向的方向设置在第一匀强磁场发生器的中空区域内。通过依次向匀强磁场发生器组中的第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器通入恒定电流，以在第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器的中空区域内产生并保持平行于第二匀强磁场发生器和第一匀强磁场发生器轴向的匀强磁场，金属掩膜板和待蒸镀基板通过支撑架沿第一匀强磁场发生器轴向方向固定设置在第一匀强磁场发生器的中空区域内，第二匀强磁场发生器产生的匀强磁场对应于金属掩膜板中心的部分区域，首先第二匀强磁场发生器产生的匀强磁场将金属掩膜板中心部分贴合在待蒸镀基板上，减少金属掩膜板中心部分由于重力作用下垂而与待蒸镀基板之间可能存在的空隙，第一匀强磁场发生器产生的匀强磁场进一步吸附使整个金属掩膜板受到磁场吸力的作用与待蒸镀基板紧密贴合，从而能够降低金属掩膜板由于受到的磁场吸力作用不均而在与待蒸镀基板紧密贴合时发生局部褶皱而影响蒸镀效果的可能性。

具体的，如图2所示，第一匀强磁场发生器11包括螺线管。

如图2所示，向螺线管通入恒定电流，螺线管外部的磁感线从螺线管的北极发出并回到南极，在螺线管内部会产生由南极向北极的磁感线并在螺线管内部形成匀强磁场，处于螺线管内部匀强磁场中的金属掩膜板30能够在匀强磁场的作用下，向待蒸镀基板40贴合。其中，匀强磁场的方向与通入电流的极性相对应，可以通过改变通入电流的极性来调整匀强磁场的磁场方向。由于螺线管内部为匀强磁场，因此在金属掩膜板30上各处受到的磁力作用均匀，能够提高金属掩膜板30与待蒸镀基板40各处贴合程度的均一性。

优选的，如图3所示，第一匀强磁场发生器11包括亥姆赫兹线圈。

第一匀强磁场发生器11的亥姆赫兹线圈由上、下两个载流圆线圈相互串联而成，其中，如图3所示，载流圆线圈的半径R1与两个载流圆线圈之间的距离h1相等，则在两个载流圆线圈之间能够产生匀强磁场。同样的，通入电流的极性与匀强磁场的磁场方向相对应，可以通过改变通入电流的极性来调整亥姆赫兹线圈内的匀强磁场的磁场方向。这样一来，设置在亥姆赫兹线圈中空区域内的金属掩膜板30能够在匀强磁场的作用下，向待蒸镀基板40贴合。

对于亥姆赫兹线圈来说，通入的电流值与产生的磁场作用力之间具有良好的线性关系，因此，第一匀强磁场发生器11为亥姆赫兹线圈时，便于直接通过改变电流大小来直接调节亥姆赫兹线圈内的匀强磁场的磁场强度，以保证金属掩膜板30与待蒸镀基板40之间的贴合效果。

优选的，如图4所示，匀强磁场发生器组10中设置有一个第二匀强磁场发生器12，匀强磁场发生器组10还包括第三匀强磁场发生器13，第三匀强磁场发生器13为亥姆赫兹线圈，第三匀强磁场发生器13设置在第二匀强磁场发生器12的中空区域，依次向第三匀强磁场发生器13、第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11通入恒定电流，第三匀强磁场发生器13、第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11的中空区域内依次产生并保持平行于第三匀强磁场发生器13、第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11轴向的匀强磁场。

如图4所示，匀强磁场发生器组10中包括一个第一匀强磁场发生器11，在第一匀强磁场发生器11的中空区域内，包括一个第二匀强磁场发生器12，在第二匀强磁场发生器12的中空区域内，还包括一个第三匀强磁场发生器13，其中，第二匀强磁场发生器12和第三匀强磁场发生器13均为亥姆赫兹线圈。由于亥姆赫兹线圈的上、下两个载流圆线圈之间相互串联连接即可，可以将第二匀强磁场发生器12的亥姆赫兹线圈设置在第一匀强磁场发生器11的中空区域内部，以使得金属掩膜板30和待蒸镀基板40的一部分位于第二匀强磁场发生器12的中空区域内，同样的，可以将第三匀强磁场发生器13的亥姆赫兹线圈设置在第二匀强磁场发生器12的亥姆赫兹线圈的中空区域内部，以使得金属掩膜板30和待蒸镀基板40的一部分位于第三匀强磁场发生器13的中空区域内。

这样一来，依次向第三匀强磁场发生器13、第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11通入恒定电流，首先，第三匀强磁场发生器13通入恒定电流后在其中空区域形成匀强磁场，使得包括在第三匀强磁场发生器13的中空区域内的金属掩膜板30的中心部分向对应待蒸镀基板40的中心部分贴合，最先保证金属掩膜板30中心部分的贴合均匀，然后向第二匀强磁场发生器12通入恒定电流后在第二匀强磁场发生器12的中空区域内形成匀强磁场，其中，第二匀强磁场发生器12产生的匀强磁场将第三匀强磁场发生器13产生的匀强磁场包括在内，对第三匀强磁场发生器13产生的匀强磁场的强度起到一定的加强作用，包括在第二匀强磁场发生器12的中空区域的金属掩膜板30的较大一部分区域向对应待蒸镀基板40的较大一部分区域贴合，最后，再向第一匀强磁场发生器11通入恒定电流，在第一匀强磁场发生器11的中空区域内形成匀强磁场，其中，第一匀强磁场发生器11产生的匀强磁场将第二匀强磁场发生器12产生的匀强磁场以及第三匀强磁场发生器13产生的匀强磁场均包括在内，对第二匀强磁场发生器12产生的匀强磁场以及第三匀强磁场发生器13产生的匀强磁场的强度均能够起到一定的加强作用，由于第一匀强磁场发生器11将整个金属掩膜板30和待蒸镀基板40包括在其中空区域内，因此，第一匀强磁场发生器11产生的匀强磁场能够使得整个金属掩膜板30向待蒸镀基板40贴合。在这种启动顺序下，能够进一步保证金属掩膜板30的中心区域与待蒸镀基板40贴合均匀且严密，同时，即使在贴合过程中在金属掩膜板30上由于受力挤压的作用使得金属掩膜板30上产生局部褶皱，也能够将局部褶皱推向金属掩膜板30的边缘区域，从而避免局部褶皱对掩膜蒸镀区域造成不良的影响。

需要说明的是，依次向第三匀强磁场发生器13、第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11通入的恒定电流的电流值可以相同也可以不相同。对于精细金属掩膜板(FMM Mask)来说，通常为多个相互平行的掩膜条焊接在掩膜框架上形成的结构，因此，在越靠近边缘焊接位置处，由于受到焊接位置的限制，实现贴合作用所需要的力越大，因此，较为优选的，依次向第三匀强磁场发生器13、第二匀强磁场发生器12和第一匀强磁场发生器11通入的恒定电流的电流值逐渐增大，即通入第三匀强磁场发生器13的恒定电流＜通入第二匀强磁场发生器12的恒定电流＜通入第一匀强磁场发生器11的恒定电流。

进一步的，如图5所示，第二匀强磁场发生器12设置有多个，多个第二匀强磁场发生器12同轴设置且半径不相同。

如图5所示，第二匀强磁场发生器12设置有两个，两个第二匀强磁场发生器12同轴设置且半径不同，且第二匀强磁场发生器12为亥姆赫兹线圈。其中，半径较大的亥姆赫兹线圈的载流圆线圈半径为R2，两载流圆线圈间距为h2，R2等于h2，半径较小的亥姆赫兹线圈的载流圆线圈半径为R3，两载流圆线圈间距为h3，R3等于h3。载流圆线圈半径为R3的亥姆赫兹线圈套设在载流圆线圈半径为R2的亥姆赫兹线圈的中空区域内。例如第二匀强磁场发生器12的亥姆赫兹线圈设置有多于两个时，由于亥姆赫兹线圈的半径不同且同轴设置，则多个亥姆赫兹线圈也均按照半径由小至大的顺序依次套设。当两个第二匀强磁场发生器12同时通入恒定电流时，在载流圆线圈半径为R2的亥姆赫兹线圈的中空区域内内形成有匀强磁场，其中，在载流圆线圈半径为R3的亥姆赫兹线圈内匀强磁场的强度得到叠加效果。当两个第二匀强磁场发生器12按照半径由小至大的顺序通入恒定电流时，得到的效果类似与上述还包括第三匀强磁场发生器13的情形，由于上述部分已经对于还包括第三匀强磁场发生器13的工作方式和产生的效果进行了详细的说明，此处不再赘述。

本实用新型实施例的又一方面提供一种蒸镀腔室，如图6所示，包括上述任一项的蒸镀组件50。

如图6所示，本实用新型实施例的蒸镀腔室，包括上述的蒸镀组件50，蒸镀组件50设置在蒸镀腔室内部，以在保证能够在真空环境内进行蒸镀操作。

本实用新型实施例的再一方面提供一种蒸镀装置，如图7所示，包括上述的蒸镀腔室60，还包括设置在蒸镀腔室60内的蒸镀源70。其中，蒸镀源70的蒸镀出口a设置在匀强磁场发生器组10轴向的一端。

如图7所示，本实用新型实施例的蒸镀装置，包括蒸镀腔室60，在蒸镀腔室60内包括有蒸镀组件50，在蒸镀腔室60内还设置有蒸镀源70，蒸镀源70沿匀强磁场发生器组10的轴向设置在匀强磁场发生器组10的下端，蒸镀材料设置在蒸镀源70内，对蒸镀源70进行加热后，蒸镀材料受热后通过蒸镀出口a向外升华或蒸发，蒸发出的蒸镀材料向上运动并通过金属掩膜板30的镂空图案而沉积在待蒸镀基板40上，形成蒸镀膜层。匀强磁场发生器组10中的第一匀强磁场发生器11和第二匀强磁场发生器12以及第三匀强磁场发生器均为中空圆柱形结构，因此不会对蒸镀材料的蒸发成膜产生影响。匀强磁场发生器组10能够使得金属掩膜板30在受到匀强磁场的均匀磁力作用的前提下，还能够使金属掩膜板30中心区域受到的磁吸力大于边缘区域，这样一来，能够在保证金属掩膜板30与待蒸镀基板40之间紧密贴合的基础上，尽可能的将金属掩膜板30上可能产生的局部褶皱推挤至金属掩膜板30的边缘区域，从而进一步提高金属掩膜板30与待蒸镀基板40之间贴合位置的准确性。

进一步的，如图1所示，第一匀强磁场发生器11的截面直径T大于等于金属掩膜板30的长边长度L。

这样一来，能够保证第一匀强磁场发生器11在通入恒定电流时产生的匀强磁场将金属掩膜板30以及待蒸镀基板40包围在内，从而保证在第一匀强磁场发生器11产生的匀强磁场的作用下，使整个金属掩膜板30上受到均匀的磁场作用力，以降低金属掩膜板30上局部受力不均的情况发生。

优选的，如图2所示，第一匀强磁场发生器11为螺线管，螺线管的长度W大于等于10mm。

这样一来，当第一匀强磁场发生器11为螺线管，螺线管的长度至少大于金属掩膜板30以及待蒸镀基板40的总厚度，从而能够将金属掩膜板30与待蒸镀基板40均包括在螺线管的中空区域内，也就能够保证金属掩膜板30能够在螺线管通入恒定电流后产生的匀强磁场的作用下向待蒸镀基板40的下表面贴合。

优选的，如图8所示，第一匀强磁场发生器11为亥姆赫兹线圈，且第二匀强磁场发生器12为多个半径不相同且同轴设置的亥姆赫兹线圈，多个亥姆赫兹线圈的上端设置在同一水平位置。

这样一来，如图8所示，多个亥姆赫兹线圈的上端设置在同一水平位置，一方面，能够都固定在蒸镀腔室60的顶部，从而保证亥姆赫兹线圈的固定稳定性，另一方面，还能够节省蒸镀腔室60内的设置空间。

进一步的，如图9所示，本实用新型实施例的蒸镀装置还包括CCD图像传感器80。

如图10所示，在使用实用新型实施例的蒸镀装置对待蒸镀基板40进行蒸镀操作时，首先通过机械手90将待蒸镀基板40移入蒸镀装置的蒸镀腔室60内，机械手90在待蒸镀基板40的四个方向对待蒸镀基板40进行抓持，同时，机械手90能够在待蒸镀基板40所在的平面内的x轴、y轴上移动以调整待蒸镀基板40的位置，同时，还能够通过多个机械手90之间的配合移动，调整待蒸镀基板40在其所在平面内的载入角度。

如图11所示，在机械手90上设置有真空吸附端91，在待蒸镀基板40平稳放置在机械手90上之后，真空吸附端91启动，真空吸附端91上的吸力能够进一步将待蒸镀基板40固定在机械手90上，待蒸镀基板40与机械手90之间发生相对滑动而影响待蒸镀基板40的载入位置准确性。

此外，如图9所示，在待蒸镀基板40和金属掩膜板30上均设置有对位标记41。在待蒸镀基板40通过机械手90载入蒸镀腔室60后，通过CCD图像传感器80摄取待蒸镀基板40和金属掩膜板30上的对位标记41图像，并将摄取图像反馈至显示器上，通过观察显示器上显示的对位标记41的图像，控制机械手90的移动，直至反馈图像中待蒸镀基板40上的对位标记41与金属掩膜板30上的对位标记41完全重合，对位操作完成。此时启动本实用新型实施例的匀强磁场发生器组10并关闭机械手90上真空吸附端91的真空吸附，待金属掩膜板30受到匀强磁场发生器组10产生的匀强磁场的磁力作用后，机械手90与待蒸镀基板40分离并竖直下降，直至移出蒸镀腔室60。

这样一来，能够通过CCD图像传感器80对对位标记41的图像摄取和反馈，进一步提高待蒸镀基板40与金属掩膜板30之间的相对位置的准确性，从而提高掩膜蒸镀的蒸镀效果。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种蒸镀组件，其特征在于，包括匀强磁场发生器组，所述匀强磁场发生器组包括第一匀强磁场发生器，所述第一匀强磁场发生器为中空圆柱形结构，所述匀强磁场发生器组还包括设置在所述第一匀强磁场发生器中空区域的至少一个第二匀强磁场发生器，所述第二匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈，所述第一匀强磁场发生器与所述第二匀强磁场发生器同轴设置，依次向所述匀强磁场发生器组中的所述第二匀强磁场发生器和所述第一匀强磁场发生器通入恒定电流，所述第二匀强磁场发生器和所述第一匀强磁场发生器的中空区域内依次产生并保持平行于所述第二匀强磁场发生器和所述第一匀强磁场发生器轴向的匀强磁场；

所述蒸镀组件还包括支撑架，用于固定金属掩膜板以及放置在所述金属掩膜板上的待蒸镀基板，所述金属掩膜板和所述待蒸镀基板沿垂直于所述第一匀强磁场发生器轴向的方向设置在所述第一匀强磁场发生器的中空区域内。

2.根据权利要求1所述的蒸镀组件，其特征在于，所述第一匀强磁场发生器包括螺线管。

3.根据权利要求1所述的蒸镀组件，其特征在于，所述第一匀强磁场发生器包括亥姆赫兹线圈。

4.根据权利要求1所述的蒸镀组件，其特征在于，所述匀强磁场发生器组中设置有一个第二匀强磁场发生器，所述匀强磁场发生器组还包括第三匀强磁场发生器，所述第三匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈，所述第三匀强磁场发生器设置在所述第二匀强磁场发生器的中空区域；依次向所述第三匀强磁场发生器、所述第二匀强磁场发生器和所述第一匀强磁场发生器通入恒定电流，所述第三匀强磁场发生器、所述第二匀强磁场发生器和所述第一匀强磁场发生器的中空区域内依次产生并保持平行于所述第三匀强磁场发生器、所述第二匀强磁场发生器和所述第一匀强磁场发生器轴向的匀强磁场。

5.根据权利要求1所述的蒸镀组件，其特征在于，所述第二匀强磁场发生器设置有多个，多个所述第二匀强磁场发生器同轴设置且半径不相同。

6.一种蒸镀腔室，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的蒸镀组件。

7.一种蒸镀装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的蒸镀腔室，还包括设置在所述蒸镀腔室内的蒸镀源；

其中，所述蒸镀源的蒸镀出口设置在所述匀强磁场发生器组轴向的一端。

8.根据权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一匀强磁场发生器的截面直径大于等于所述金属掩膜板的长边长度。

9.根据权利要求8所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一匀强磁场发生器为螺线管，所述螺线管的长度大于等于10mm。

10.根据权利要求8所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一匀强磁场发生器为亥姆赫兹线圈，且所述第二匀强磁场发生器为多个半径不相同且同轴设置的亥姆赫兹线圈，多个所述亥姆赫兹线圈的上端设置在同一水平位置。

11.根据权利要求8所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括CCD图像传感器。