JP2012109913A

JP2012109913A - 非可逆素子

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Publication number: JP2012109913A
Application number: JP2010259007A
Authority: JP
Inventors: Ryota Suzuki; 亮太鈴木; Yoshiaki Satake; 芳彰佐竹; Yuichi Shiraishi; 裕一白石
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2010-11-19
Filing date: 2010-11-19
Publication date: 2012-06-07
Also published as: US20120126910A1; US8427253B2

Abstract

【課題】実装面積の増加を招かないマルチポートの非可逆素子を提供する。
【解決手段】第１の非可逆素子の第１のキャリアプレートの裏面と、第２の非可逆素子の第２のキャリアプレートの裏面とを組み合わせ、第２の非可逆素子の第２の三叉線路の一つの線路と第１の非可逆素子の第１の三叉線路の一つの線路とを接続し、第２の三叉線路の残りの２つの線路を第１の非可逆素子の第１のフェライト基板上の二つの線路にそれぞれ接続する。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、非可逆素子に関する。

３ポート非可逆素子は、キャリアプレートと、このキャリアプレート上に設けられるフェライト基板と、フェライト基板上に設けられる三叉分岐する線路と、この線路の上に設けられるスペーサと、このスペーサの上に設けられる永久磁石と、を含む。

ポートを４ポート以上に増やすために、複数の３ポート非可逆素子が接続されることがある。例えば、従来の４ポート非可逆素子は２つの３ポート非可逆素子をキャリアプレートの同一面上に従属接続して具備する。

米国特許第７，７７２，９３７号明細書

永久磁石の体積が大きいために、もともと３ポートの非可逆素子は実装面積が大きい。従って、４ポートサーキュレータは３ポートサーキュレータの２倍の部品実装面積が必要となり、実装基板の面積を増加させる。

実装面積の増加を招かないマルチポートの非可逆素子が求められている。

上記の課題を解決するために、一実施形態は金属により形成される第１のキャリアプレートと、第１のキャリアプレートの表面に設けられる第１のフェライト基板と、第１のフェライト基板の表面上に設けられる第１の三叉線路と、第１のフェライト基板の表面上に設けられ、第１の三叉線路に接続する第１の線路、第２の線路、及び第３の線路と、第１のフェライト基板の表面上に設けられる第４の線路及び第５の線路と、第１の三叉線路の上に設けられる絶縁体により形成される第１のスペーサと、第１のスペーサの上に設けられる第１の永久磁石と、第１のキャリアプレートの裏面に設けられ、金属により形成される第２のキャリアプレートと、第２のキャリアプレートに設けられる第２のフェライト基板と、第２のフェライト基板に設けられる第２の三叉線路と、第２のフェライト基板に設けられ、第２の三叉線路に接続する第６の線路、第７の線路、及び第８の線路と、第２の三叉線路に設けられる絶縁体により形成される第２のスペーサと、第２のスペーサに設けられる第２の永久磁石と、を備え、第１の三叉線路の一つの線路と第２の三叉線路の一つの線路とを接続し、第２の三叉線路の残りの２つの線路を第１のフェライト基板上の二つの線路にそれぞれ接続する非可逆素子を提供する。

第１の実施形態に係る非可逆素子の構成を示す図である。第１の実施形態に係る非可逆素子の第１の構成部の構成を示す図である。第１の実施形態に係る非可逆素子の第２の構成部の構成を示す図である。第１の実施形態に係る非可逆素子の使用方法を示す側面断面図である。第２の実施形態の非可逆素子を示す図である。第２の実施形態に係る非可逆素子の第２の構成部の構成を示す図である。第２の実施形態に係る非可逆素子の使用方法を示す側面断面図である。第３の実施形態に係る非可逆素子の構成を示す図である。第４の実施形態に係る非可逆素子の構成を示す図である。

以下、非可逆素子の一実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。

本実施形態の非可逆素子は、金属により形成される第１のキャリアプレートと、第１のキャリアプレートの表面に設けられる第１のフェライト基板と、第１のフェライト基板の表面上に設けられる第１の三叉線路と、第１のフェライト基板の表面上に設けられ、第１の三叉線路に接続する第１の線路、第２の線路、及び第３の線路と、第１のフェライト基板の表面上に設けられる第４の線路及び第５の線路と、第１の三叉線路の上に設けられる絶縁体により形成される第１のスペーサと、第１のスペーサの上に設けられる第１の永久磁石と、第１のキャリアプレートの裏面に設けられ、金属により形成される第２のキャリアプレートと、第２のキャリアプレートに設けられる第２のフェライト基板と、第２のフェライト基板に設けられる第２の三叉線路と、第２のフェライト基板に設けられ、第２の三叉線路に接続する第６の線路、第７の線路、及び第８の線路と、第２の三叉線路に設けられる絶縁体により形成される第２のスペーサと、第２のスペーサに設けられる第２の永久磁石と、を備え、第１の三叉線路の一つの線路と第２の三叉線路の一つの線路とを接続し、第２の三叉線路の残りの２つの線路を第１のフェライト基板上の二つの線路にそれぞれ接続する。

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態の第１の実施形態に係る非可逆素子１０の構成を示す図である。図１（Ａ）は非可逆素子１０の平面図、図１（Ｂ）は非可逆素子１０のＸ１矢視側面図、図１（Ｃ）は非可逆素子１０の底面図、図１（Ｄ）は非可逆素子１０のＸ２矢視正面図、図１（Ｅ）は非可逆素子１０が備える三叉線路４００を示す図である。

図１に示すように、非可逆素子１０は、第１の構成部１００と、第２の構成部２００とを備える。

非可逆素子１０の第１の構成部１００は、金属により形成される第１のキャリアプレート１０１と、第１のキャリアプレート１０１の表面に設けられる第１のフェライト基板１０２と、第１のフェライト基板１０２の表面上に設けられる第１の三叉線路４００と、第１のフェライト基板１０２の表面上に設けられ、第１の三叉線路４００の第１の分岐線路４０１に接続する第１の線路１１１、第１の三叉線路４００の第２の分岐線路４０２に接続する第２の線路１１２、及び第１の三叉線路４００の第３の分岐線路４０３に接続する第３の線路１１５と、第１のフェライト基板１０２の表面上に設けられる第４の線路１１３及び第５の線路１１４と、第１の三叉線路４００の上に設けられる絶縁体により形成される第１のスペーサ１０４と、第１のスペーサ１０４の上に設けられる第１の永久磁石１０３と、を備える。

非可逆素子１０の第２の構成部２００は、さらに第１のキャリアプレート１０１の裏面に設けられ、金属により形成される第２のキャリアプレート２０１と、第２のキャリアプレート２０１に設けられる第２のフェライト基板２０２と、第２のフェライト基板２０２に設けられる第２の三叉線路４００と、第２のフェライト基板２０２に設けられ、第２の三叉線路４００の第１の分岐線路４０１に接続する第６の線路２１１、第２の三叉線路４００の第２の分岐線路４０２に接続する第７の線路２１３、及び第２の三叉線路４００の第３の分岐線路４０３に接続する第８の線路２１４と、第２の三叉線路４００に設けられる絶縁体により形成される第２のスペーサ２０４と、第２のスペーサ２０４に設けられる第２の永久磁石２０３と、を備える。

第１のフェライト基板１０２は、第１のキャリアプレート１０１の幅方向の長さと同じ長さの幅を有する。第１のフェライト基板１０２は、ビス穴３０２の部分を切り欠いている。

第２のキャリアプレート２０１は、幅方向の長さが第１のキャリアプレート１０１の幅方向の長さより短く、左右に第１のキャリアプレート１０１の接地部１０１Ａを露出させる。第２のキャリアプレート２０１はビス穴３０２の部分を切り欠いている。

第２のキャリアプレート２０１は、第１のキャリアプレート１０１と組み合わせるための係止部２０１Ａを有する。係止部２０１Ａはビス穴を有し、第１のキャリアプレート１０１と、第２のキャリアプレート２０１とはビス３０１により組み合わされる。

第２のフェライト基板２０２は、第２のキャリアプレート２０１の幅方向の長さと同じ幅方向の長さを有する。第２のフェライト基板２０２は、ビス穴３０２と係止部２０１Ａにかかる部分を切り欠いている。

第１の永久磁石１０３は高周波が矢印Ｙ１の方向に回転するように、第１のスペーサ１０４に接着されていない面側、すなわち上向きをＮに着磁される。第２の永久磁石２０３は高周波が矢印Ｙ２の方向に回転するように、第２のスペーサ２０４に接着される面側、すなわち下向きをＮに着磁される。すなわち、第２の永久磁石２０３は、第１の永久磁石１０３と逆向きに着磁される。

第１の線路１１１は接続部１１１Ａと同軸ターミナル２１１Ａとにより第６の線路２１１と接続される。

第４の線路１１３は接続部１１３Ａと同軸ターミナル２１３Ａとにより第７の線路２１３と接続される。

第５の線路１１４は接続部１１４Ａと同軸ターミナル２１４Ａとにより第８の線路２１４と接続される。

第２の線路１１２に入力した高周波は第３の線路１１５から出力する。第３の線路１１５から入力した高周波は、第１の線路１１１、第６の線路２１１、及び第８の線路２１４を経て第５の線路１１４から出力する。

第４の線路１１３に入力した高周波は、第７の線路２１３、第６の線路２１１、及び第１の線路１１１を経て第２の線路１１２から出力する。

第５の線路１１４に入力した高周波は、第８の線路２１４、及び第７の線路２１３を経て第４の線路１１３から出力する。

図２は、第１の実施形態に係る非可逆素子１０の第１の構成部１００の構成を示す図である。図２（Ａ）は底面図、図２（Ｂ）は側面図であり、平面図は図１（Ａ）と同様に表れる。

図２に示すように、非可逆素子１０の第１の構成部１００は、第１のキャリアプレート１０１に、接続部１１１Ａに通じる貫通孔１１１Ｂと、接続部１１３Ａに通じる貫通孔１１３Ｂと、接続部１１４Ａに通じる貫通孔１１４Ｂと、を備える。

図３は、第１の実施形態に係る非可逆素子１０の第２の構成部２００の構成を示す図である。図３（Ａ）は底面図、図３（Ｂ）は側面図、図３（Ｃ）は平面図である。

図３に示すように、非可逆素子１０の第２の構成部２００は、第２のキャリアプレート２０１及び第２のフェライト基板２０２に、接続部２１１Ａに通じる貫通孔２１１Ｂと、絶縁部２１１Ｃと、同軸ターミナル２１１Ａと、を備える。

第２の構成部２００は、第２のキャリアプレート２０１及び第２のフェライト基板２０２に、接続部２１３Ａに通じる貫通孔２１３Ｂと、絶縁部２１３Ｃと、同軸ターミナル２１３Ａと、を備える。

第２の構成部２００は、第２のキャリアプレート２０１及び第２のフェライト基板２０２に、接続部２１４Ａに通じる貫通孔２１４Ｂと、絶縁部２１４Ｃと、同軸ターミナル２１４Ａと、を備える。

図４は、非可逆素子１０の使用方法を示す側面断面図である。図４に示すように、非可逆素子１０は金属によって形成される基板４０２に設けられる溝部４０３に第２の構成部２００を嵌め込み、接地部１０１Ａを基板４０２に接続して接地する。誘電体層４０１は接地部１０１Ａに接続する部分を切り欠いている。

以上述べたように、本実施形態の非可逆素子１０は、第１のサーキュレータである第１の構成部１００の第１のキャリアプレート１０１の裏面と、第２のサーキュレータである第２の構成部２００の第２のキャリアプレート２０１の裏面とを組み合わせ、第２のサーキュレータの第２の三叉線路４００の一つの線路と第１のサーキュレータの第１の三叉線路４００の一つの線路とを接続し、第２の三叉線路４００の残りの２つの線路を第１のサーキュレータの第１のフェライト基板１０２上の二つの線路にそれぞれ接続する。第２の永久磁石２０３は、第１の永久磁石１０３と逆向きに着磁される。

従って、本実施形態の非可逆素子１０は、実装面積の増加を招かないという効果がある。また、第１の永久磁石１０３と第２の永久磁石２０３の着磁の向きが逆であるため、第１の永久磁石１０３と第２の永久磁石２０３が互いに引き合い、磁力線の乱れが生じない。従って、複数の非可逆素子を横に連結した場合、及び非可逆素子を単体にて使用する場合より性能が向上するという効果がある。

（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態の非可逆素子１０を示す図である。図５（Ａ）は非可逆素子１０の平面図、図５（Ｂ）は非可逆素子１０のＸ１矢視側面図、図５（Ｃ）は非可逆素子１０の底面図、図５（Ｄ）は非可逆素子１０のＸ２矢視正面図、図５（Ｅ）は非可逆素子１０が備える三叉線路４００を示す図である。

図５に示すように、非可逆素子１０は、第１の構成部１００と、第２の構成部２００とを備える。

非可逆素子１０の第２の構成部２００は、さらに第１のキャリアプレート１０１の裏面に設けられる第２のフェライト基板２０２と、第２のフェライト基板２０２に設けられる第２の三叉線路４００と、第２のフェライト基板２０２に設けられ、第２の三叉線路４００の第１の分岐線路４０１に接続する第６の線路２１１、第２の三叉線路４００の第２の分岐線路４０２に接続する第７の線路２１３、及び第２の三叉線路４００の第３の分岐線路４０３に接続する第８の線路２１４と、第２の三叉線路４００に設けられる絶縁体により形成される第２のスペーサ２０４と、第２のスペーサ２０４に設けられる第２の永久磁石２０３と、を備える。

第１のフェライト基板１０２は、第１のキャリアプレート１０１の幅方向の長さと同じ長さの幅を有する。第１のフェライト基板は、ビス穴３０２の部分を切り欠いている。

第２のフェライト基板２０２は、幅方向の長さが第１のキャリアプレート１０１の幅方向の長さより短く、左右に第１のキャリアプレート１０１の接地部１０１Ａを露出させる。第２のフェライト基板２０２は、はビス穴３０２の部分を切り欠いている。

第２のフェライト基板２０２は、第１のキャリアプレート１０１と接着剤により組み合わされる。

第１の永久磁石１０３は高周波が矢印Ｙ１の方向に回転するように、上向きをＮに着磁される。第２の永久磁石２０３は高周波が矢印Ｙ２の方向に回転するように、下向きをＮに着磁される。第２の永久磁石２０３は、第１の永久磁石１０３と逆向きに着磁される。

非可逆素子１０の第１の構成部１００の構成は、第１の実施形態における第１の構成部１００の構成と同様である。すなわち、非可逆素子１０の第１の構成部１００は、第１のキャリアプレート１０１に、接続部１１１Ａに通じる貫通孔１１１Ｂと、接続部１１３Ａに通じる貫通孔１１３Ｂと、接続部１１４Ａに通じる貫通孔１１４Ｂと、を備える。

図６は、第２の実施形態に係る非可逆素子１０の第２の構成部２００の構成を示す図である。図６（Ａ）は底面図、図６（Ｂ）は側面図、図６（Ｃ）は平面図である。

図６に示すように、非可逆素子１０の第２の構成部２００は、第２のフェライト基板２０２に、接続部２１１Ａに通じる貫通孔２１１Ｂと、絶縁部２１１Ｃと、同軸ターミナル２１１Ａと、を備える。

第２の構成部２００は、第２のフェライト基板２０２に、接続部２１３Ａに通じる貫通孔２１３Ｂと、絶縁部２１３Ｃと、同軸ターミナル２１３Ａと、を備える。

第２の構成部２００は、第２のフェライト基板２０２に、接続部２１４Ａに通じる貫通孔２１４Ｂと、絶縁部２１４Ｃと、同軸ターミナル２１４Ａと、を備える。

図７は、非可逆素子１０の使用方法を示す側面断面図である。図７に示すように、非可逆素子１０は金属によって形成される基板４０２に設けられる溝部４０３に第２の構成部２００を嵌め込み、接地部１０１Ａを基板４０２に接続して接地する。誘電体層４０１は接地部１０１Ａに接続する部分を切り欠いている。

以上述べたように、本実施形態の非可逆素子１０は、第１のサーキュレータである第１の構成部１００の第１のキャリアプレート１０１の裏面と、第２のサーキュレータである第２の構成部２００の第２のフェライト基板２０２の裏面とを組み合わせ、第２のサーキュレータの第２の三叉線路４００の一つの線路と第１のサーキュレータの第１の三叉線路４００の一つの線路とを接続し、第２の三叉線路４００の残りの２つの線路を第１のサーキュレータの第１のフェライト基板１０２上の二つの線路にそれぞれ接続する。

従って、本実施形態の非可逆素子１０は、溝部４０３の深さを浅くできるという効果がある。

（第３の実施形態）
図８は、本実施形態の第３の実施形態に係る非可逆素子１０の構成を示す図である。図８（Ａ）は非可逆素子１０の平面図、図８（Ｂ）は非可逆素子１０のＸ１矢視側面図、図８（Ｃ）は非可逆素子１０の底面図、図８（Ｄ）は非可逆素子１０のＸ２矢視正面図、図８（Ｅ）は非可逆素子１０が備える三叉線路４００を示す図である。

図８に示すように、非可逆素子１０は、第１の構成部１００と、第２の構成部２００とを備える。

第１の永久磁石１０３は高周波が矢印Ｙ１の方向に回転するように、上向きをＮに着磁される。第２の永久磁石２０３は高周波が矢印Ｙ３の方向に回転するように、下向きをＳに着磁される。第２の永久磁石２０３は、第１の永久磁石１０３と同じ向きに着磁される。

第２の線路１１２に入力した高周波は第３の線路１１５から出力する。第３の線路１１５から入力した高周波は、第１の線路１１１、第６の線路２１１、及び第７の線路２１３を経て第４の線路１１３から出力する。

第４の線路１１３に入力した高周波は、第７の線路２１３、及び第８の線路２１４を経て第５の線路１１４から出力する。

第５の線路１１４に入力した高周波は、第８の線路２１４、第６の線路２１１、及び第１の線路１１１を経て第２の線路１１２から出力する。

以上述べたように、本実施形態の非可逆素子１０は、第１のサーキュレータである第１の構成部１００の第１のキャリアプレート１０１の裏面と、第２のサーキュレータである第２の構成部２００の第２のキャリアプレート２０１の裏面とを組み合わせ、第２のサーキュレータの第２の三叉線路４００の一つの線路と第１のサーキュレータの第１の三叉線路４００の一つの線路とを接続し、第２の三叉線路４００の残りの２つの線路を第１のサーキュレータの第１のフェライト基板１０２上の二つの線路にそれぞれ接続し、第１の永久磁石１０３と第２の永久磁石２０３との着磁方向を変更する。

従って、本実施形態の非可逆素子１０は、第２の永久磁石２０３の着磁方向を変更することにより、高周波の入出力経路を変更することができるという効果がある。

（第４の実施形態）
図９は、本実施形態の第４の実施形態に係る非可逆素子１０の構成を示す図である。図９（Ａ）は非可逆素子１０の平面図、図９（Ｂ）は非可逆素子１０のＸ１矢視側面図、図９（Ｃ）は非可逆素子１０の底面図、図９（Ｄ）は非可逆素子１０のＸ２矢視正面図、図９（Ｅ）は非可逆素子１０が備える三叉線路４００を示す図である。

図９に示すように、非可逆素子１０は、第１の構成部１００と、第２の構成部２００とを備える。

非可逆素子１０の第１の構成部１００は、金属により形成される第１のキャリアプレート１０１と、第１のキャリアプレート１０１の表面に設けられる第１のフェライト基板１０２と、第１のフェライト基板１０２の表面上に設けられる第１の三叉線路４００と、第１のフェライト基板１０２の表面上に設けられ、第１の三叉線路４００の第１の分岐線路４０１に接続する第１の線路１１１、第１の三叉線路４００の第２の分岐線路４０２に接続する第２の線路１１２、及び第１の三叉線路４００の第３の分岐線路４０３に接続する第３の線路１１５と、第１のフェライト基板１０２の表面上に設けられる第４の線路１１３及び第５の線路１１４と、第１の三叉線路４００の上に設けられる絶縁体により形成される第１のスペーサ１０４と、第１のスペーサ１０４の上に設けられる第１の永久磁石１０３と、第２の線路１１２に接続される第１の終端回路と、第４の線路１１３に接続される第２の終端回路と、を備える。

第１の終端回路は、例えば一端をグランド４０２Ａに接続する終端抵抗４０１Ａを備える。第２の終端回路は、例えば一端をグランド４０２Ｂに接続する終端抵抗４０１Ｂを備える。

第４の線路１１３に入力した高周波は、第７の線路２１３、第６の線路２１１、及び第１の線路１１１を経て第２の線路１１２から出力し、終端抵抗４０１Ａによって熱に変換される。

第５の線路１１４に入力した高周波は、第８の線路２１４、及び第７の線路２１３を経て第４の線路１１３から出力し、終端抵抗４０１Ｂによって熱に変換される。

なお、第１の終端回路又は第２の終端回路を省略することにより、２ポートアイソレータと３ポートサーキュレータを備える非可逆素子を構成することができる。

以上述べたように、本実施形態の非可逆素子１０は、第１のアイソレータである第１の構成部１００の第１のキャリアプレート１０１の裏面と、第２のアイソレータである第２の構成部２００の第２のキャリアプレート２０１の裏面とを組み合わせ、第２のアイソレータの第２の三叉線路４００の一つの線路と第１のアイソレータの第１の三叉線路４００の一つの線路とを接続し、第２の三叉線路４００の残りの２つの線路を第１のアイソレータの第１のフェライト基板１０２上の二つの線路にそれぞれ接続する。

従って、本実施形態の非可逆素子１０は、実装面積の増加を招かずに２ポートアイソレータと２ポートアイソレータとを備えるアイソレータを提供することができるという効果がある。

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１０１：第１のキャリアプレート、
１０２：第１のフェライト基板、
１０３：第１の永久磁石、
２０１：第２のキャリアプレート、
２０２：第２のフェライト基板、
２０３：第２の永久磁石、
１１１：第１の線路、
１１２：第２の線路、
１１５：第３の線路、
１１３：第４の線路、
１１４：第５の線路、
２１１：第６の線路、
２１３：第７の線路、
２１４：第８の線路。

Claims

金属により形成される第１のキャリアプレートと、
前記第１のキャリアプレートの表面に設けられる第１のフェライト基板と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられる第１の三叉線路と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられ、前記第１の三叉線路に接続する第１の線路、第２の線路、及び第３の線路と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられる第４の線路及び第５の線路と、
前記第１の三叉線路の上に設けられる絶縁体により形成される第１のスペーサと、
前記第１のスペーサの上に設けられる第１の永久磁石と、
前記第１のキャリアプレートの裏面に設けられ、金属により形成される第２のキャリアプレートと、
前記第２のキャリアプレートに設けられる第２のフェライト基板と、
前記第２のフェライト基板に設けられる第２の三叉線路と、
前記第２のフェライト基板に設けられ、前記第２の三叉線路に接続する第６の線路、第７の線路、及び第８の線路と、
前記第２の三叉線路に設けられる絶縁体により形成される第２のスペーサと、
前記第２のスペーサに設けられる第２の永久磁石と、を備え、
前記第１の三叉線路の一つの線路と前記第２の三叉線路の一つの線路とを接続し、前記第２の三叉線路の残りの２つの線路を前記第１のフェライト基板上の二つの線路にそれぞれ接続する非可逆素子。
金属により形成される第１のキャリアプレートと、
前記第１のキャリアプレートの表面に設けられる第１のフェライト基板と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられる第１の三叉線路と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられ、前記第１の三叉線路に接続する第１の線路、第２の線路、及び第３の線路と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられる第４の線路及び第５の線路と、
前記第１の三叉線路の上に設けられる絶縁体により形成される第１のスペーサと、
前記第１のスペーサの上に設けられる第１の永久磁石と、
前記第１のキャリアプレートの裏面に設けられ、金属により形成される第２のキャリアプレートと、
前記第２のキャリアプレートに設けられる第２のフェライト基板と、
前記第２のフェライト基板に設けられる第２の三叉線路と、
前記第２のフェライト基板に設けられ、前記第２の三叉線路に接続する第６の線路、第７の線路、及び第８の線路と、
前記第２の三叉線路に設けられる絶縁体により形成される第２のスペーサと、
前記第２のスペーサに設けられる第２の永久磁石と、を備え、
前記第１の線路は前記第６の線路と接続され、
前記第４の線路は前記第７の線路と接続され、
前記第５の線路は前記第８の線路と接続される非可逆素子。
金属により形成される第１のキャリアプレートと、
前記第１のキャリアプレートの表面に設けられる第１のフェライト基板と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられる第１の三叉線路と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられ、前記第１の三叉線路に接続する第１の線路、第２の線路、及び第３の線路と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられる第４の線路及び第５の線路と、
前記第１の三叉線路の上に設けられる絶縁体により形成される第１のスペーサと、
前記第１のスペーサの上に設けられる第１の永久磁石と、
前記第１のキャリアプレートの裏面に設けられ、金属により形成される第２のキャリアプレートと、
前記第２のキャリアプレートに設けられる第２のフェライト基板と、
前記第２のフェライト基板に設けられる第２の三叉線路と、
前記第２のフェライト基板に設けられ、前記第２の三叉線路に接続する第６の線路、第７の線路、及び第８の線路と、
前記第２の三叉線路に設けられる絶縁体により形成される第２のスペーサと、
前記第２のスペーサに設けられる第２の永久磁石と、を備え、
前記第１の線路は前記第６の線路と接続され、
前記第４の線路は前記第７の線路と接続され、
前記第５の線路は前記第８の線路と接続され、
前記第２の線路に接続される第１の終端回路又は前記第４の線路に接続される第２の終端回路の少なくとも一方をさらに備える非可逆素子。
金属により形成される第１のキャリアプレートと、
前記第１のキャリアプレートの表面に設けられる第１のフェライト基板と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられる第１の三叉線路と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられ、前記第１の三叉線路に接続する第１の線路、第２の線路、及び第３の線路と、
前記第１のフェライト基板の表面上に設けられる第４の線路及び第５の線路と、
前記第１の三叉線路の上に設けられる絶縁体により形成される第１のスペーサと、
前記第１のスペーサの上に設けられる第１の永久磁石と、
前記第１のキャリアプレートの裏面に設けられる第２のフェライト基板と、
前記第２のフェライト基板に設けられる第２の三叉線路と、
前記第２のフェライト基板に設けられ、前記第２の三叉線路に接続する第６の線路、第７の線路、及び第８の線路と、
前記第２の三叉線路に設けられる絶縁体により形成される第２のスペーサと、
前記第２のスペーサに設けられる第２の永久磁石と、を備え、
前記第１の線路は前記第６の線路と接続され、
前記第４の線路は前記第７の線路と接続され、
前記第５の線路は前記第８の線路と接続される非可逆素子。
前記第１の永久磁石の着磁方向と前記第２の永久磁石の着磁方向が逆である請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の非可逆素子。