TW202109649A - 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202109649A
TW202109649A TW109101080A TW109101080A TW202109649A TW 202109649 A TW202109649 A TW 202109649A TW 109101080 A TW109101080 A TW 109101080A TW 109101080 A TW109101080 A TW 109101080A TW 202109649 A TW202109649 A TW 202109649A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor substrate
semiconductor
stage
manufacturing
light
Prior art date
Application number
TW109101080A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI767177B (zh
Inventor
飯森弘恭
Original Assignee
日商鎧俠股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商鎧俠股份有限公司 filed Critical 日商鎧俠股份有限公司
Publication of TW202109649A publication Critical patent/TW202109649A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI767177B publication Critical patent/TWI767177B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/026—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring distance between sensor and object
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

實施形態係關於一種半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法。 實施形態之半導體製造裝置包括：載台，其具有保持半導體基板之複數個銷，上述半導體基板具有形成有蝕刻對象膜之第1面、及位於第1面相反側之第2面；噴嘴，其自載台之上方向半導體基板之第1面噴出藥液；以及光測量部，其於藥液之噴出過程中，自載台側向半導體基板之第2面照射光，基於由第2面反射之光之受光狀態而測量半導體基板之移位量。

Description

半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法
本發明之實施形態係關於一種半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法。
半導體裝置之製造工序中包括蝕刻工序，對半導體基板上形成之膜進行蝕刻。這種蝕刻工序中，已知有藉由光學測量半導體基板之變形，而檢測蝕刻進行狀態之方法。
實施形態提供一種半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法，可高精度地測量使用藥液之蝕刻進行狀態。
實施形態之半導體製造裝置包括：載台，其具有保持半導體基板之複數個銷，該半導體基板具有形成蝕刻對象膜之第1面、及位於第1面相反側之第2面；噴嘴，其自載台上方向半導體基板之第1面噴出藥液；以及光測量器，其於藥液之吐出過程中，自載台側向半導體基板之第2面照射光，基於由第2面反射之光之受光狀態而測量半導體基板之移位量。
以下，參照圖示來說明實施形態。再者，實施形態並不限定本發明。
(第1實施形態)
圖1係表示第1實施形態之半導體製造裝置之概略構成之模式圖。圖1所示之半導體製造裝置1係將半導體基板100逐片處理之單片式蝕刻裝置。半導體製造裝置1包括載台10、噴嘴20、光測量器30及控制部40。
圖2係載台10之俯視圖。載台10基於控制部40之控制而向旋轉方向R旋轉。又，載台10之上表面設置有複數個銷11。
如圖2所示，複數個銷11於載台10之旋轉方向R、即圓周方向上等間隔地散佈。圖2中，表示了4根銷11，但銷11之根數並無特別限制。複數個銷11上例如形成有切口部。藉由將半導體基板100之外周部嵌入上述切口部，來保持半導體基板100。
半導體基板100係具有第1面100a及第2面100b之矽基板。第1面100a上形成有蝕刻對象膜。第2面100b位於第1面之相反側。如圖1所示，半導體基板100以第1面100a為上表面之狀態被複數個銷11保持。
噴嘴20基於控制部40之控制而自載台10之上方向半導體基板100之第1面100a噴出藥液200。藥液200係蝕刻液。
光測量器30包括光照射部31及受光部32。光照射部31及受光部32於複數個銷11之內側嵌入載台10。光照射部31基於控制部40之控制，於蝕刻半導體基板100之第1面100a上形成之膜之過程中，向第2面100b照射激光光束。為了更高精度地測量半導體基板100之變形，光照射部31理想為向第2面100b之中央部照射激光光束。受光部32接收被第2面100b反射之光，將接收到之光信號轉換成電信號並輸出至控制部40。
控制部40例如由CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)，基於特定之程序動作。控制部40控制上述各部分之動作。
以下，說明使用上述半導體製造裝置1之半導體裝置之製造方法。此處，說明三維積層型半導體存儲裝置之字元線之一部分製造工序。
圖3(a)係蝕刻犧牲層之前之半導體裝置之俯視圖。圖3(b)係沿著圖3(a)所示之切割線A1-A1之剖視圖。圖4(a)係蝕刻犧牲層之後之半導體裝置之俯視圖。圖4(b)係沿著圖4(a)所示之切割線A2-A2之剖視圖。
如圖3(b)所示，於半導體基板100之第1面100a上，交替積層絕緣層101及犧牲層102。又，柱狀體103貫穿將絕緣層101及犧牲層102積層而成之積層體。本實施形態中，絕緣層101及柱狀體103係氧化矽(SiO2 )層，犧牲層102係氮化矽(SiN)層。
當圖3(a)及圖3(b)所示之半導體裝置被銷11保持時，噴嘴20噴出例如磷酸溶液作為藥液200。其結果，如圖4(b)所示，犧牲層102被蝕刻。又，如圖5之右側所示，半導體基板100之翹曲量變化，第2面100b移位。
圖5係用於說明蝕刻犧牲層102時之半導體基板100之移位量Δd之模式圖。圖6係表示犧牲層102之蝕刻時間於半導體基板100之移位量Δd之關係之曲線圖。
第2面100b之移位量Δd藉由光測量器30予以測量。如圖5所示，隨著半導體基板100之翹曲量增加，光測量器30與第2面100b之距離變長。因此，受光部32接收光照射部31之光所需之時間亦變長。由此，可基於受光部32之受光時間，而測量半導體基板100之移位量Δd。
如圖6所示，隨著犧牲層102之蝕刻進展，移位量Δd連續地增加。其後，當犧牲層102蝕刻結束時，移位量Δd成為固定。控制部40於移位量Δd成為固定之時序t1，使噴嘴20停止噴出藥液200。
接下來，說明蝕刻犧牲層102之後之工序。
圖7(a)係蝕刻導電層之前之半導體裝置之俯視圖。圖7(b)係沿著圖7(a)所示之切割線A3-A3之剖視圖。圖8(a)係蝕刻導電層之一部分之後之半導體裝置之俯視圖。圖8(b)係沿著圖8(a)所示之切割線A4-A4之剖視圖。
如圖7(a)及圖7(b)所示，導電層104例如藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)或者ALD(Atomic Layer Deposition)而於犧牲層102之蝕刻部位及絕緣層101之表面成膜。
接著，噴嘴20噴出犧牲層102之蝕刻液即藥液200，如圖8(a)及圖8(b)所示，犧牲層102之一部分被蝕刻。此時，殘留之導電層104作為字元線發揮功能。
圖9係用於說明蝕刻導電層104時之半導體基板100之移位量Δd之圖。如圖9所示，隨著導電層104之蝕刻進行，半導體基板100之移位量Δd連續地變化。然後，於導電層104之蝕刻變成圖8(b)所示之狀態之時序t2，半導體基板100之翹曲自向下凸變成向上凸。由此，移位量Δd亦發生變化。移位量Δd變化之時序t2，控制部40使噴嘴20停止噴出藥液200。
根據以上說明之本實施形態，光測量器30向並非蝕刻對象之半導體基板100之第2面100b照射光而測量半導體基板100之移位量Δd。因此，不會受到藥液200之漫反射影響，從而可高精度地測量蝕刻之進行狀態。
又，本實施形態中，光測量器30之測量結果被提供給控制部40，因此控制部40亦能檢測蝕刻終點、或於中途停止蝕刻。
(變化例)
以下，說明第1實施形態之變化例。關於與第1實施形態相同之事項省略說明。
圖10(a)係蝕刻犧牲層102之前之半導體裝置之俯視圖。圖10(b)係沿著圖10(a)所示之切割線A5-A5之剖視圖。圖11(a)係表示蝕刻犧牲層102之中途之結果之俯視圖。圖11(b)係沿著圖11(a)所示之切割線A6-A6之剖視圖。圖12係表示犧牲層102之蝕刻時間與半導體基板100之移位量Δd之關係之曲線圖。
如圖10(a)及圖10(b)所示，本變化例中，由絕緣層101及犧牲層102積層而成之積層體包括未形成柱狀體103之區域B1、及密集有複數個柱狀體103之區域B2。
本變化例中，亦使用第1實施形態所說明之半導體製造裝置1來蝕刻犧牲層102。本變化例中，首先，如圖11(a)及圖11(b)所示，蝕刻區域B1之犧牲層102。此時，如圖12所示，於0～時序t11之蝕刻時間，半導體基板100之移位量Δd連續地增加。
蝕刻區域B1之犧牲層102之後，蝕刻區域B2之犧牲層102。此時，如圖12所示，於時序t11～時序t12之蝕刻時間，半導體基板100之移位量Δd相較蝕刻區域B1之犧牲層102時發生變化。因此，本變化例中，控制部40基於光測量器30之測量結果，檢測到移位量Δd變化時，變更犧牲層102之蝕刻條件。
例如，控制部40變更自噴嘴20噴出之藥液200之種類(包括純水)、供給量。又，控制部40亦可變更載台10之旋轉速度。由此，例如於區域B1，可將犧牲層102所含之氮化矽相對於絕緣層101所含之氧化矽之選擇比設定得較低，而於區域B2，可反過來將上述選擇比設定得較高。
根據以上說明之本變化例，可根據蝕刻區域之形狀而優化蝕刻條件。
(第2實施形態)
圖13係表示第2實施形態之半導體製造裝置之概略構成之模式圖。圖14係載台10之俯視圖。圖13及圖14中，對與上述第1實施形態之半導體製造裝置1相同之構成要素附加相同符號，並省略詳細說明。
如圖13及圖14所示，本實施形態之半導體製造裝置2中，載台10之形狀為環狀。又，在載台10之開口部內，光測量器30被支持台50支持。
上述第1實施形態中，光測量器30與載台10為一體。因此，光測量器30有可能因載台10之旋轉而振動。由於該振動之影響，光照射部31之光照射位置出現偏差，從而有可能導致測量不穩定。
另一方面，本實施形態中，光測量器30係獨立於載台10而固定於支持台50上。因此，光測量器30不會受到由載台10之旋轉產生之振動的影響，從而可穩定地進行測量。
(第3實施形態)
圖15係表示第3實施形態之半導體製造裝置之概略構成之模式圖。圖15中，對與上述第1實施形態之半導體製造裝置1相同之構成要素附加相同符號，並省略詳細說明。
如圖15所示，本實施形態之半導體製造裝置3中，於載台10設置有通氣孔12。通氣孔12自載台10側向半導體基板100之外周部釋放惰性氣體300。惰性氣體300例如為氮氣，自裝置外部朝載台10供給。
於上述第1實施形態中，噴嘴20噴出藥液200時，半導體基板100與載台10一起旋轉。因此，藥液200有可能經由外周部而自第1面100a流入第2面100b。此時，自光照射部31照射至第2面100b之光有可能發生散射。
另一方面，本實施形態中，自通氣孔12向半導體基板100之外周部釋放惰性氣體300。由此，可避免藥液200流入第2面100b。從而可確保光測量器30之高精度測量。
雖然對本發明之若干實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為示例而提出者，並不意圖限定發明範圍。該等新穎之實施形態能以其他各種形態實施，且於不脫離發明主旨之範圍內可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態及其變化包含於發明範圍及主旨，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。 [關聯申請]
本案享有以日本專利申請2019-158135號(申請日：2019年8月30日)為基礎申請之優先權。本案藉由參考該基礎申請而包含基礎申請之全部內容。
1:半導體製造裝置 10:載台 11:銷 12:通氣孔 20:噴嘴 30:光測量器 31:光照射部 32:受光部 40:控制部 50:支持台 100:半導體基板 100a:第1面 100b:第2面 101:絕緣層 102:犧牲層 103:柱狀體 104:導電層 200:藥液 300:惰性氣體 R:旋轉方向 Δd:移位量
圖1係表示第1實施形態之半導體製造裝置之概略構成之模式圖。 圖2係載台之俯視圖。 圖3(a)係蝕刻犧牲層之前之半導體裝置之俯視圖。 圖3(b)係沿著圖3(a)所示之切割線A1-A1之剖視圖。 圖4(a)係蝕刻犧牲層之後之半導體裝置之俯視圖。 圖4(b)係沿著圖4(a)所示之切割線A2-A2之剖視圖。 圖5係用於說明蝕刻犧牲層時之半導體基板之移位量Δd之模式圖。 圖6係表示犧牲層之蝕刻時間與半導體基板之移位量Δd之關係之曲線圖。 圖7(a)係蝕刻導電層之前之半導體裝置之俯視圖。 圖7(b)係沿著圖7(a)所示之切割線A3-A3之剖視圖。 圖8(a)係蝕刻導電層之一部分之後之半導體裝置之俯視圖。 圖8(b)係沿著圖8(a)所示之切割線A4-A4之剖視圖。 圖9係用於說明蝕刻導電層時之半導體基板之移位量Δd之圖。 圖10(a)係蝕刻犧牲層之前之半導體裝置之俯視圖。 圖10(b)係沿著圖10(a)所示之切割線A5-A5之剖視圖。 圖11(a)係表示蝕刻犧牲層中途之結果之俯視圖。 圖11(b)係沿著圖11(a)所示之切割線A6-A6之剖視圖。 圖12係表示犧牲層之蝕刻時間與半導體基板之移位量Δd之關係之曲線圖。 圖13係表示第2實施形態之半導體製造裝置之概略構成之模式圖。 圖14係載台之俯視圖。 圖15係表示第3實施形態之半導體製造裝置之概略構成之模式圖。
10:載台
11:銷
100:半導體基板
R:旋轉方向

Claims (10)

  1. 一種半導體製造裝置，其包括： 載台，其具有保持半導體基板之複數個銷，上述半導體基板具有形成有蝕刻對象膜之第1面、及位於上述第1面相反側之第2面； 噴嘴，其自上述載台之上方向上述半導體基板之上述第1面噴出藥液；以及 光測量器，其於上述藥液之噴出過程中，自上述載台側向上述半導體基板之上述第2面照射光，基於由上述第2面反射之光之受光狀態而測量上述半導體基板之移位量。
  2. 如請求項1之半導體製造裝置，其進而包括： 控制部，該控制部基於上述光測量器之測量結果，控制上述噴嘴。
  3. 如請求項2之半導體製造裝置，其中， 上述控制部基於上述光測量器之測量結果，變更上述膜之蝕刻條件。
  4. 如請求項1之半導體製造裝置，其中， 上述載台之形狀為環狀， 上述光測量器配置於上述環狀之開口部內。
  5. 如請求項1之半導體製造裝置，其中， 上述載台具有向上述半導體基板之外周部釋放惰性氣體之通氣孔。
  6. 一種半導體裝置之製造方法，其包括： 以設置於載台上之複數個銷，保持具有形成有蝕刻對象膜之第1面、及位於上述第1面相反側之第2面的半導體基板， 自上述載台之上方向上述半導體基板之上述第1面噴出藥液， 於上述藥液之噴出過程中，自上述載台側向上述半導體基板之上述第2面照射光，基於由上述第2面反射之光之受光狀態而測量上述半導體基板之移位量。
  7. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其中， 基於上述半導體基板之上述移位量，而控制上述藥液之噴出。
  8. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其中， 基於上述半導體基板之上述移位量，而變更上述膜之蝕刻條件。
  9. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其中， 上述載台之形狀為環狀， 由配置於上述環狀之開口部內之光測量器測量上述半導體基板之移位量。
  10. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其中， 於上述藥液之噴出過程中，自設置於上述載台之通氣孔向上述半導體基板之外周部釋放惰性氣體。
TW109101080A 2019-08-30 2020-01-13 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法 TWI767177B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019158135A JP7273660B2 (ja) 2019-08-30 2019-08-30 半導体製造装置、および半導体装置の製造方法
JP2019-158135 2019-08-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202109649A true TW202109649A (zh) 2021-03-01
TWI767177B TWI767177B (zh) 2022-06-11

Family

ID=74681703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109101080A TWI767177B (zh) 2019-08-30 2020-01-13 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11508574B2 (zh)
JP (1) JP7273660B2 (zh)
CN (1) CN112447551B (zh)
TW (1) TWI767177B (zh)

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5922330A (ja) 1982-07-29 1984-02-04 Fujitsu Ltd 終点検知方法
JPH11283944A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Toshiba Corp 半導体基板表面研磨方法およびその装置
JP2000021869A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
KR100452918B1 (ko) * 2002-04-12 2004-10-14 한국디엔에스 주식회사 두께측정시스템이 구비된 회전식각장치
US20040235308A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus
JP2006013089A (ja) 2004-06-25 2006-01-12 Canon Inc 半導体装置及びその製造方法
US20080293253A1 (en) * 2004-12-03 2008-11-27 Herman Itzkowitz Wet etching of the edge and bevel of a silicon wafer
JP4763575B2 (ja) * 2006-01-26 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR100812563B1 (ko) 2006-12-22 2008-03-13 주식회사 디엠에스 습식 식각장치
JP5030604B2 (ja) * 2007-01-29 2012-09-19 セイコーインスツル株式会社 ウェハ外観検査装置
SG175820A1 (en) * 2009-05-07 2011-12-29 Basf Se Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices
JP5484981B2 (ja) * 2010-03-25 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板処理装置
US9557605B2 (en) * 2010-10-14 2017-01-31 Merck Patent Gmbh Method of producing liquid crystal display device
JP5642628B2 (ja) * 2011-05-27 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板反り除去装置、基板反り除去方法及び記憶媒体
JP6091193B2 (ja) 2011-12-27 2017-03-08 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置及び処理方法
JP6040883B2 (ja) 2012-12-25 2016-12-07 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP6105371B2 (ja) * 2013-04-25 2017-03-29 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
JP2015060852A (ja) 2013-09-17 2015-03-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP2015233064A (ja) * 2014-06-09 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法及びベベルエッチング装置
CN107611049B (zh) * 2017-09-18 2019-10-01 佛山科学技术学院 一种基于实时光谱的外延片多参数原位监测方法和装置
JP7011946B2 (ja) * 2017-10-27 2022-01-27 京セラ株式会社 配線基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN112447551B (zh) 2024-03-08
CN112447551A (zh) 2021-03-05
US11508574B2 (en) 2022-11-22
JP2021036572A (ja) 2021-03-04
JP7273660B2 (ja) 2023-05-15
TWI767177B (zh) 2022-06-11
US20210066076A1 (en) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6102775A (en) Film inspection method
US10903100B2 (en) Method of obtaining amount of deviation of a measuring device, and method of calibrating transfer position data in a processing system
TW201021187A (en) Product chips and die with a feature pattern that contains information relating to the product chip, methods for fabricating such product chips and die, and methods for reading a feature pattern from a packaged die
TWI767177B (zh) 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法
US20150079701A1 (en) Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus
JP5167010B2 (ja) 研磨終点検知方法および研磨装置
US9892980B2 (en) Fan-out panel level package and method of fabricating the same
JP2018161616A (ja) 液滴分注装置
US7304728B2 (en) Test device and method for laser alignment calibration
JP2007221070A (ja) 基板位置決め方法、基板位置決め装置および基板処理装置
WO2004036638A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6772042B2 (ja) 貫通基板の製造方法
TWI829993B (zh) 用於腔室條件監測的電容感測器及處理工具
JP2020035794A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US11551949B2 (en) Substrate processing device
WO2023048064A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2022050117A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101353042B1 (ko) 반도체 기판의 위치 보정 방법 및 장치, 상기 장치를 갖는척, 및 상기 척을 이용해서 반도체 기판을 식각하는 방법및 장치
JP2023039348A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US8021899B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device including optical test pattern above a light shielding film
JP2022138502A (ja) 重ね合わせマーク、位置ずれ検出方法及び装置、半導体装置の製造方法
JP2006517055A (ja) ウェファチャックと研磨／鍍金の容器との整列の測定
TW202318493A (zh) 用於沉積和蝕刻腔室的上游過程監視
JP2022135988A (ja) 流体吐出ヘッドのための深掘り反応性イオンエッチング処理
JP2017030258A (ja) シリコン基板の加工方法