TW202104473A - 高分子複合壓電體及壓電薄膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種生產性高且在溫度或濕度嚴酷之環境下，能夠抑制壓電轉換效率的降低之高分子複合壓電體及壓電薄膜。該高分子複合壓電體在含有高分子材料之基質中含有壓電體粒子，高分子複合壓電體含有以質量比計大於500ppm且10000ppm以下的、SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質，在高分子複合壓電體內形成有空隙，高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率為0.1%以上且20%以下。

Description

高分子複合壓電體及壓電薄膜

本發明係有關一種高分子複合壓電體及使用該高分子複合壓電體之壓電薄膜。

應對液晶顯示器或有機EL顯示器等顯示器的薄型化，對該等薄型顯示器中使用之揚聲器亦要求輕量化及薄型化。進而，在具有撓性之撓性顯示器中，為了不損害輕量性及撓性地與撓性顯示器一體化，還要求撓性。作為該種輕量及薄型且具有撓性之揚聲器，考慮採用具有響應施加電壓而伸縮之性質之片狀的壓電薄膜。

作為具有該種撓性之片狀的壓電薄膜，已經提出了使用在基質中分散壓電體粒子而成之複合壓電體之技術。

例如，在專利文獻1中記載了一種電聲轉換薄膜，其係具有：高分子複合壓電體，在由高分子材料構成之基質中分散壓電體粒子而成；薄膜電極，形成於高分子複合壓電體的兩面；及保護層，形成於薄膜電極的表面，高分子複合壓電體含有以質量比計20ppm～500ppm的SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質。

又，在專利文獻2中記載了一種水中聲轉換器用壓電元件，其藉由將在有機基材中含有以體積比例計65%以上的壓電磁器粉末，且以相對密度（實測密度ρ_meas 相對於理論密度ρ_cal 的百分率）成為93.00～97.00%的方式形成有氣孔之壓電複合材料，在厚度方向上施加壓力而硫化成形為平板狀之後，在該壓力的施加方向上極化，並在其正面和背面配設電極而構成。

[專利文獻1]日本特開2016-063286號公報 [專利文獻2]日本特開平3-166778號公報

專利文獻1中所記載之電聲轉換薄膜的高分子複合壓電體含有以質量比計20ppm～500ppm的SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質，藉此即使在溫度或濕度嚴酷之環境下，亦能夠抑制轉換效率的降低、耐電壓的降低及撓性的降低等。

如專利文獻1中所記載，若高分子複合壓電體所含有之SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質的含量大於500ppm，則在反覆進行加熱和冷卻之溫度循環試驗中，觀察到壓電轉換效率的降低。

上述物質係在成為高分子複合壓電體之塗料中含有溶劑之物質。因此，在塗佈塗料之後，需要使塗料乾燥，控制高分子複合壓電體內的上述物質的含量。然而，在塗佈塗料之後，使其乾燥而使上述物質的含量成為500ppm以下需要時間，因此存在生產性差之問題。

本發明的課題為，解決該種先前技術的問題點，提供一種生產性高且在溫度或濕度嚴酷之環境下，能夠抑制壓電轉換效率的降低之高分子複合壓電體及壓電薄膜。

為了實現上述目的，本發明具有以下結構。 [1]一種高分子複合壓電體，其係在含有高分子材料之基質中含有壓電體粒子， 高分子複合壓電體含有以質量比計大於500ppm且10000ppm以下的、SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質， 在高分子複合壓電體內形成有空隙， 高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率為0.1%以上且20%以下。 [2]如[1]所述之高分子複合壓電體，其中，空隙的面積率為0.1%以上且小於5%。 [3]如[1]或[2]所述之高分子複合壓電體，其中，高分子複合壓電體在厚度方向上被極化。 [4]如[1]至[3]之任一項所述之高分子複合壓電體，其係在壓電特性上不具有面內各向異性。 [5]如[1]至[4]之任一項所述之高分子複合壓電體，其中，物質的含量大於500ppm且1000ppm以下。 [6]如[1]至[5]之任一項所述之高分子複合壓電體，其中，高分子材料在常溫下具有黏彈性。 [7]如[1]至[6]之任一項所述之高分子複合壓電體，其中，物質係選自包括甲基乙基酮、二甲基甲醯胺、環己酮、丙酮、環己烷、乙腈、1-丙醇、2-丙醇、2-甲氧基醇、二丙酮醇、二甲基乙醯胺、苯甲醇、正己烷、甲苯、鄰二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二乙基醚、四氫呋喃之群組中之至少一個。 [8]一種壓電薄膜，其係具有： [1]至[7]之任一項所述之高分子複合壓電體；及 電極層，形成於高分子複合壓電體的兩面。 [9]如[8]所述之壓電薄膜，其係具有： 保護層，積層於電極層的與高分子複合壓電體側的表面相反的一側的表面。 [發明效果]

依據本發明，提供一種生產性高且在溫度或濕度嚴酷之環境下，能夠抑制壓電轉換效率的降低之高分子複合壓電體及壓電薄膜。

以下，依據圖式所示之較佳的實施例，對本發明的高分子複合壓電體及壓電薄膜進行詳細說明。

以下所記載之構成要件的說明有時係基於本發明的代表性實施態樣而進行，但本發明並不限定於該種實施態樣。 另外，在本說明書中，使用“～”表示之數值範圍係指，包含在“～”的前後記載之數值作為下限值及上限值之範圍。

本發明的高分子複合壓電體係一種高分子複合壓電體，其係在含有高分子材料之基質中含有壓電體粒子， 高分子複合壓電體含有以質量比計大於500ppm且10000ppm以下的、SP值（溶解度參數）小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質， 在高分子複合壓電體內形成有空隙， 高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率為0.1%以上且20%以下。

又，本發明的壓電薄膜具有： 上述高分子複合壓電體；及 電極層，形成於高分子複合壓電體的兩面。

[壓電薄膜] 圖1藉由剖面圖概念性地表示具有本發明的高分子複合壓電體之本發明的壓電薄膜的一例。 如圖1所示，壓電薄膜10具有：作為具有壓電性之片狀物之壓電體層20；積層於壓電體層20的一個表面之下部電極24；積層於下部電極24之下部保護層28；積層於壓電體層20的另一個表面之上部電極26及積層於上部電極26之上部保護層30。 壓電體層20係在含有高分子材料之基質34中含有壓電體粒子36而成。亦即，壓電體層20係本發明中的高分子複合壓電體。又，下部電極24及上部電極26係本發明中的電極層。又，下部保護層28及上部保護層30係本發明中的保護層。 如後面所述，壓電薄膜10（壓電體層20）作為較佳之態樣，在厚度方向上被極化。

該種壓電薄膜10例如能夠作為 音波感測器、超音波感測器、壓力感測器、觸覺感測器、應變感測器及振動感測器等各種感測器、 微音器、拾音器、揚聲器及激發器等聲波元件（作為具體的用途，可例示噪音消除器（用於車、電車、飛機、機器人等）、人工聲帶、防止害蟲·害獸侵入用蜂鳴器、家具、壁紙、照片、頭盔、護目鏡、標牌、機器人等）、 應用於汽車、智慧手機、智慧手錶、遊戲等而使用之觸覺器、 超音波探子及水中聽音器等超音波轉換器、用於防止水滴附著、輸送、攪拌、分散、研磨等之致動器、 容器、載具、建築物、用於滑雪板及球拍等運動用具之減振材料（阻尼器）以及， 應用於道路、地板、床墊、椅子、鞋、輪胎、車輪及電腦鍵盤等而使用之振動發電裝置較佳地使用。

〔高分子複合壓電體（壓電體層）〕 作為本發明的高分子複合壓電體之壓電體層20係在基質34中含有壓電體粒子36而成。 又，壓電體層20在基質34中含有以質量比計大於500ppm且10000ppm以下的、SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質。 另外，SP值係溶解參數δ，由莫耳蒸發熱ΔH和莫耳體積V定義為δ=｛（ΔH-RT）/T｝^1/2 。亦即，由1cm³ 的液體蒸發所需的蒸發熱的平方根（cal/cm³ ）^1/2 來計算。作為文獻值，亦能夠從The Three Dimensional Solubility Parameter and Solvent Diffusion Coefficient, Their Importance in Surface Coating Formulation（Charles M.Hansen）中確認。 又，在壓電體層20內形成有複數個空隙35，高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率為0.1%以上且20%以下。 另外，在本說明書中，“常溫”係指約0～50℃的溫度區域。

在此，作為構成壓電體層20之高分子複合壓電體的基質34（基質兼黏合劑）的材料，使用在常溫下具有黏彈性之高分子材料為較佳。 本發明的壓電薄膜10較佳地用於撓性顯示器用的揚聲器等具有撓性之揚聲器等。在此，用於具有撓性之揚聲器之高分子複合壓電體（壓電體層20）具備以下要件為較佳。因此，作為具備以下要件之材料，使用在常溫下具有黏彈性之高分子材料為較佳。

（i）撓性 例如，在作為攜帶用而以報紙或雜誌那樣以文件感覺鬆弛地撓曲之狀態把持之情況下，會不斷地從外部受到幾Hz以下的比較緩慢的較大的彎曲變形。此時，若高分子複合壓電體較硬，則產生相應大的彎曲應力，在基質與壓電體粒子的界面產生龜裂，最終有導致破壞之虞慮。因此，要求高分子複合壓電體具有適度的柔軟性。又，若能夠將應變能量作為熱朝向外部擴散，則能夠緩和應力。因此，要求高分子複合壓電體的損耗正切適度大。 （ii）音質 揚聲器以20Hz～20kHz的音頻頻帶的頻率使壓電體粒子振動，藉由該振動能量使高分子複合壓電體（壓電薄膜）整體成為一體地振動，從而再生聲音。因此，為了提高振動能量的傳遞效率，要求高分子複合壓電體具有適度的硬度。又，若揚聲器的頻率特性平滑，則最低共振頻率伴隨曲率的變化而變化時的音質的變化量亦變小。因此，要求高分子複合壓電體的損耗正切適度大。

綜上所述，要求高分子複合壓電體對於20Hz～20kHz的振動較硬地動作，對於幾Hz以下的振動較柔軟地動作。又，對於20kHz以下的所有頻率的振動，要求高分子複合壓電體的損耗正切適度大。

通常，高分子固體具有黏彈性緩和機構，隨著溫度上升或者頻率下降，大標度的分子運動被觀測為儲存彈性係數（楊氏係數）的下降（緩和）或者損耗彈性係數的極大（吸收）。其中，由非晶質區域的分子鏈的微布朗運動引起之緩和被稱為主分散，觀測到非常大的緩和現象。發生該主分散之溫度為玻璃轉移點（Tg），黏彈性緩和機構最顯著地顯現。 在高分子複合壓電體（壓電體層20）中，藉由使用玻璃轉移點在常溫下之高分子材料，換言之，藉由使用在常溫下具有黏彈性之高分子材料作為基質，實現了對於20Hz～20kHz的振動較硬地動作，對於幾Hz以下的慢振動較柔軟地動作之高分子複合壓電體。尤其，在較佳地顯現該動作等方面，頻率1Hz下的玻璃轉移溫度為常溫，亦即，將在0～50℃的高分子材料用於高分子複合壓電體的基質為較佳。

作為在常溫下具有黏彈性之高分子材料，只要具有介電性，則能夠利用公知的各種材料。較佳為，高分子材料使用在常溫，亦即在0℃～50℃下，基於動態黏彈性試驗的頻率1Hz下的損耗正切的極大值為0.5以上之高分子材料。 藉此，在高分子複合壓電體由於外力而緩慢彎曲時，最大彎曲力矩部中的基質與壓電體粒子的界面的應力集中被緩和，得到良好的撓性。

又，高分子材料的基於動態黏彈性測量的頻率1Hz下的儲存彈性係數（E’）在0℃下係100MPa以上、在50℃下係10MPa以下為較佳。 藉此，能夠降低高分子複合壓電體由於外力而緩慢彎曲時產生之彎曲力矩，並且能夠對於20Hz～20kHz的聲振動較硬地動作。

又，高分子材料的相對介電常數在25℃下為10以上為更佳。藉此，在對高分子複合壓電體施加電壓時，對基質中的壓電體粒子施加更高的電場，因此能夠期待較大的變形量。 然而，另一方面，若考慮到良好的耐濕性的確保等，則高分子材料的相對介電常數在25℃下為10以下為較佳。

作為滿足該種條件之高分子材料，可例示氰基乙基化聚乙烯醇（氰基乙基化PVA）、聚乙酸乙烯酯、聚偏二氯乙烯芯丙烯腈、聚苯乙烯-乙烯基聚異戊二烯嵌段共聚物、聚乙烯基甲基酮及聚丁基甲基丙烯酸酯等。又，作為該等高分子材料，亦能夠較佳地利用HYBRAR5127（KURARAY CO.,LTD製）等市售品。其中，作為高分子材料，使用具有氰基乙基之材料為較佳，使用氰基乙基化PVA為特佳。 另外，該等高分子材料可以僅使用一種，亦可以同時使用（混合）複數種。

使用該種高分子材料之基質34可以依據需要同時使用複數種高分子材料。 亦即，以介電特性或機械特性的調節等為目的，除了在常溫下具有黏彈性之高分子材料以外，依據需要，還可以向基質34中添加其他介電性高分子材料。

作為能夠添加的介電性高分子材料，作為一例，可例示聚偏二氟乙烯、偏二氟乙烯-四氟乙烯共聚物、偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物、聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物及聚偏二氟乙烯-四氟乙烯共聚物等氟系高分子、亞乙烯基氰-乙酸乙烯酯共聚物、氰基乙基纖維素、氰基乙基羥基蔗糖、氰基乙基羥基纖維素、氰基乙基羥基支鏈澱粉、氰基乙基甲基丙烯酸酯、氰基乙基丙烯酸酯、氰基乙基羥基乙基纖維素、氰基乙基直鏈澱粉、氰基乙基羥基丙基纖維素、氰基乙基二羥基丙基纖維素、氰基乙基羥基丙基直鏈澱粉、氰基乙基聚丙烯醯胺、氰基乙基聚丙烯酸酯、氰基乙基支鏈澱粉、氰基乙基聚羥基亞甲基、氰基乙基環氧丙醇支鏈澱粉、氰基乙基蔗糖及氰基乙基山梨糖醇等具有氰基或氰基乙基之聚合物以及腈橡膠或氯平橡膠等合成橡膠等。 其中，具有氰基乙基之高分子材料可較佳地利用。 又，在壓電體層20的基質34中，除了氰基乙基化PVA等在常溫下具有黏彈性之高分子材料以外可添加之介電性高分子材料並不限定於一種，亦可以添加複數種。

又，除了介電性高分子材料以外，以調節玻璃轉移點為目的，亦可以向基質34添加氯乙烯樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、甲基丙烯酸樹脂、聚丁烯及異丁烯等熱塑性樹脂以及酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂及雲母等熱硬化性樹脂。 進而，以提高黏著性為目的，亦可以添加松酯、松香、萜烯、萜烯酚及石油樹脂等黏著賦予劑。

在壓電體層20的基質34中，添加除了氰基乙基化PVA等具有黏彈性之高分子材料以外的材料時的添加量並無特別限定，以在基質34中所佔之比例為計設為30質量%以下為較佳。 藉此，能夠在不損害基質34中的黏彈性緩和機構的情況下顯現所添加之高分子材料的特性，因此在高介電率化、耐熱性的提高、與壓電體粒子36及電極層的密接性提高等方面，能夠得到較佳之結果。

壓電體層20係在該種基質34中含有壓電體粒子36之高分子複合壓電體。 壓電體粒子36由具有鈣鈦礦型或纖鋅礦型的結晶結構之陶瓷粒子構成。 作為構成壓電體粒子36之陶瓷粒子，例如可例示鋯鈦酸鉛（PZT）、鋯鈦酸鑭鉛（PLZT）、鈦酸鋇（BaTiO₃ ）、氧化鋅（ZnO）及鈦酸鋇與鐵酸鉍（BiFe₃ ）的固溶體（BFBT）等。 該等壓電體粒子36可以僅使用一種，亦可以同時使用（混合）複數種。

該種壓電體粒子36的粒徑沒有限制，依據高分子複合壓電體（壓電薄膜10）的尺寸及用途等適當選擇即可。 壓電體粒子36的粒徑係1～10μm為較佳。藉由將壓電體粒子36的粒徑設為該範圍，在高分子複合壓電體（壓電薄膜10）能夠兼顧高壓電特性和撓性等方面，能夠得到較佳之結果。

另外，在圖1中，壓電體層20中的壓電體粒子36均勻且具有規則性地分散在基質34中，但本發明並不限制於此。 亦即，壓電體層20中的壓電體粒子36較佳為，只要均勻地分散，則可以不規則地分散在基質34中。

在壓電體層20（高分子複合壓電體）中，壓電體層20中的基質34與壓電體粒子36的量比沒有限制，依據壓電體層20的面方向的大小及厚度、高分子複合壓電體的用途以及高分子複合壓電體所要求之特性等，適當設定即可。 壓電體層20中的壓電體粒子36的體積分率係30～80%為較佳，50%以上為更佳，因此，設為50～80%為進一步較佳。 藉由將基質34與壓電體粒子36的量比設為上述範圍，在能夠兼顧高壓電特性和撓性等方面，能夠得到較佳之結果。

壓電體層20的厚度沒有限制，依據高分子複合壓電體的用途及高分子複合壓電體所要求之特性等，適當設定即可。壓電體層20越厚，則所謂片狀物的剛性的強度等剛性等方面越有利，但為了使壓電體層20伸縮相同量而所需的電壓（電位差）變大。 壓電體層20的厚度係10～300μm為較佳，20～200μm為更佳，30～150μm為進一步較佳。 藉由將壓電體層20的厚度設為上述範圍，在兼顧剛性的確保和適度的柔軟性等方面，能夠得到較佳之結果。

在此，壓電體層20的基質34含有以質量比計大於500ppm且10000ppm以下的、SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質。 又，在壓電體層20的基質34中形成有空隙35，壓電體層20的剖面上的空隙35的面積率為0.1%以上且20%以下。

作為SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質，具體而言，可舉出甲基乙基酮、二甲基甲醯胺、環己酮、丙酮、環己烷、乙腈、1-丙醇、2-丙醇、2-甲氧基醇、二丙酮醇、二甲基乙醯胺、苯甲醇、正己烷、甲苯、鄰二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二乙基醚、四氫呋喃等有機化合物。 上述物質通常用作有機溶劑。亦即，本發明中，高分子複合壓電體（壓電體層20）含有以質量比計大於500ppm且10000ppm以下的、SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的有機溶劑。

藉由高分子複合壓電體含有上述物質，即使在低濕度下亦能夠防止高分子複合壓電體乾燥而硬化。其結果，能夠防止在低濕度下撓性降低。

在此，即使在高分子複合壓電體含有SP值為12.5（cal/cm³ ）^1/2 以上且在常溫下為液體的物質之情況下，亦能夠防止高分子複合壓電體由乾燥引起之硬化。然而，推斷在含有SP值為12.5（cal/cm³ ）^1/2 以上的物質之情況下，物質不能均勻地分散在高分子複合壓電體中而凝集。因此，在暴露於高溫下而壓電體內部的物質蒸發時，產生比較大的空隙，導致壓電體粒子與基質的界面剝離。其結果，壓電體粒子的振動不會傳遞到基質，因此導致電壓和聲音的轉換效率降低，或者發生電流的洩漏或絕緣破壞。 相對於此，在本發明中，藉由使高分子複合壓電體層中含有之物質的SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 ，能夠使物質均勻地分散在高分子複合壓電體中，因此能夠在暴露於高溫下而高分子複合壓電體內部的物質蒸發時產生較大的空隙，從而能夠防止壓電體粒子與基質的界面剝離。因此，能夠抑制轉換效率的降低或耐電壓的降低。

在此，如前所述，若高分子複合壓電體中的SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質的含量大於500ppm，則在反覆進行加熱和冷卻之溫度循環試驗中，存在壓電轉換效率降低之問題。這是因為，若上述物質的含量多，則在高分子複合壓電體內部上述物質蒸發時，容易產生空隙，因此壓電體粒子與基質的界面剝離，發生轉換效率的降低或耐電壓的降低。

因此，在專利文獻1中，藉由將SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質的含量設為500ppm以下，在高分子複合壓電體內部的物質蒸發時，抑制產生較大的空隙，防止壓電體粒子與基質的界面剝離，抑制轉換效率的降低或耐電壓的降低。

在此，上述物質係在成為高分子複合壓電體之塗料中含有溶劑之物質。因此，在塗佈塗料之後，需要使塗料乾燥，控制高分子複合壓電體內的上述物質的含量。然而，在塗佈塗料之後，使其乾燥而使上述物質的含量成為500ppm以下需要時間，因此存在生產性差之問題。尤其，在為了提高生產性，連續製造高分子複合壓電體之情況下，為了乾燥，需要減慢線速度，或者延長乾燥製程的長度，存在生產性差之問題。

相對於此，本發明的高分子複合壓電體含有以質量比計大於500ppm且10000ppm以下的、SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質，且形成有空隙，高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率為0.1%以上且20%以下。 在本發明的高分子複合壓電體中，藉由高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率為0.1%以上且20%以下，亦即藉由減少空隙，可以得到抑制由乾燥引起之上述物質的蒸發之效果。藉此，能夠抑制上述物質蒸發而產生空隙，壓電體粒子與基質的界面剝離，從而轉換效率降低之情況。 又，在本發明的高分子複合壓電體中，上述物質的含量以質量比計大於500ppm且10000ppm以下，因此能夠縮短塗佈成為高分子複合壓電體之塗料後的乾燥時間，因此能夠加快線速度，或者縮短乾燥製程的長度，因此能夠提高生產性。

在此，在高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率小於0.1%之情況下，亦即若空隙過少，則乾燥時的上述物質的去除路徑消失，成為發生膨脹、龜裂之原因。因此，高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率為0.1%以上。

從能夠更較佳地抑制轉換效率的降低、抑制由乾燥引起之上述物質的蒸發等觀點而言，高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率係0.1%以上且小於5%為較佳，0.1%以上且2%以下為更佳。

高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率的測量方法例如如下。 為了觀察高分子複合壓電體的剖面，在厚度方向上進行切削。切削係將Drukker公司製histo刀片寬度8mm安裝在Leica Biosystems公司製RM2265上，將速度設為控制器刻度1，將嚙合量設為0.25μm～1μm進行切削而得到剖面。藉由掃描式電子顯微鏡（SEM）（Hitachi High-Tech Corporation製SU8220）觀察該剖面。樣品藉由Pt蒸鍍進行導電處理，工作距離設為8mm。觀察條件設為SE像（上）、加速電壓：0.5kV，藉由聚焦調整和像散調整產生清晰的圖像，在高分子複合壓電體部成為畫面整體之狀態下執行自動亮度調整（自動設定 亮度：0、對比度：0）。攝影的倍率設為兩端的電極收容在一個畫面，且電極之間的寬度成為畫面的一半以上之倍率。圖像的二值化使用圖像分析軟體ImageJ，Threshold下限設為保護層不著色之最大值，Threshold上限設為設定值最大255。將電極之間著色之部位的面積定義為空隙的面積作為分子，將縱向寬度作為電極之間、橫向寬度作為SEM圖像的兩端之高分子複合壓電體的面積作為分母，計算空隙在高分子複合壓電體部的面積中所佔之面積比率。將該處理在任意10個剖面上進行，並將面積比率的平均值作為高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率。

作為高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率的調整方法，例如有如下方法：藉由在塗佈塗料之前進行線混合處理，使塗料中的氣泡微細化，使在乾燥前容易從表面去除，藉此排除成為空隙的原因之氣泡。此時，藉由改變線混合處理時間及轉速，能夠調整塗料中的氣泡尺寸來調整乾燥時去除之氣泡的量。 線混合處理時間及轉速依據所期望的空隙的面積率、基質的種類、溶劑（上述物質）的種類、溶劑的比率、塗料的黏度及要形成之高分子複合壓電體的厚度等適當設定即可。

又，從能夠更較佳地抑制轉換效率的降低、能夠提高生產性、能夠抑制撓性的降低等觀點而言，SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質的含量以質量比計係大於500ppm且10000ppm以下為較佳，大於500ppm且1000ppm以下為更佳，大於500ppm且700ppm以下為進一步較佳。

高分子複合壓電體中的上述物質的含量藉由氣相層析法測量。此時，將在溫度25℃、濕度50%RH的環境下將樣品放置24小時時的值作為上述物質的含量。具體而言，例如，上述物質的含量如下進行測量。 從高分子複合壓電體將樣品切成8×8mm見方的一部分，使用氣相層析裝置（Shimadzu Corporation製 GC-12A），測量上述物質的含量。管柱使用Shimadzu Corporation製221-14368-11，填充劑使用Shinwa Chemical Industries Ltd.製Chromosorb101。試樣氣化室及檢測器溫度設為200℃，管柱溫度設為160℃恆定，使用0.4MPa的氦氣作為載氣進行測量。 在包含位於電極層的外側之保護層之模組等藉由含有有機溶劑之黏著層進行接著之情況下，對測量產生影響，因此將它們剝離而去除黏著層後切出，實施上述物質的含量測量。 切出之樣品在實施氣相層析測量之前測量質量。在氣相層析測量後，使用有機溶劑等從相同的樣品中去除高分子複合壓電體，測量殘留之保護層或者包含保護層之模組等的質量，從氣相層析測量前測量之質量中減去，藉此計算高分子複合壓電體淨質量。將藉由氣相層析測量得到之上述物質的質量除以高分子複合壓電體淨質量，計算上述物質的含量質量比。

在高分子複合壓電體內以規定的濃度含有上述物質之方法並無特別限定，例如在製備成為高分子複合壓電體之塗料時，添加規定量的上述物質即可。 較佳為，將上述物質用作製備之塗料的溶劑，調整塗佈塗料後的乾燥條件，控制高分子複合壓電體內的上述物質的含量。此時的乾燥條件可以依據上述物質的種類、所期望的含量、基質的種類、壓電體層的厚度等適當設定。又，作為乾燥方法，能夠利用藉由加熱器的加熱乾燥、利用溫風的加熱乾燥等公知的乾燥方法。

又，從防止轉換效率降低的觀點而言，上述物質的SP值係9.0～12.3（cal/cm³ ）^1/2 為較佳，9.3～12.1（cal/cm³ ）^1/2 為更佳。

又，壓電體層20的厚度並無特別限定，可以依據壓電薄膜10的尺寸、壓電薄膜10的用途、壓電薄膜10所要求之特性等適當設定。 在此，依據本發明人的研究，如前所述，壓電體層20的厚度係10μm～300μm為較佳，20μm～200μm為更佳，30μm～150μm為特佳。 藉由使壓電體層20的厚度設為上述範圍，在如上述那樣藉由乾燥控制上述物質的含量時，能夠更容易地進行調整。又，能夠使壓電體層20中的上述物質的濃度更均勻。又，塗佈塗料之後，成為空隙的原因之氣泡容易去除，能夠將空隙的面積率調整為較小。 又，藉由將壓電體層20的厚度設為上述範圍，在兼顧剛性的確保和適度的柔軟性等方面，亦能夠得到較佳之結果。 另外，如前所述，壓電體層20進行極化處理（Polling）為較佳。

〔電極層及保護層〕 如圖1所示，圖示例的壓電薄膜10具有在該種壓電體層20的一個表面具有下部電極24，在其表面具有下部保護層28，在壓電體層20的另一個表面具有上部電極26，在其表面具有上部保護層30而成之結構。在此，上部電極26和下部電極24形成電極對。 另外，壓電薄膜10除了該等層以外，還具有例如從上部電極26及下部電極24引出電極之電極引出部，電極引出部與電源連接。又，壓電薄膜10亦可以具有覆蓋壓電體層20露出之區域，防止短路等之絕緣層等。

亦即，壓電薄膜10具有由電極對，亦即由上部電極26及下部電極24夾持壓電體層20的兩面，由下部保護層28及上部保護層30夾持該積層體而成之結構。 如此，在壓電薄膜10中，由上部電極26及下部電極24挾持之區域依據所施加之電壓而伸縮。

在壓電薄膜10中，下部保護層28及上部保護層30不是必須的構成要件，作為較佳之態樣設置。 下部保護層28及上部保護層30被覆上部電極26及下部電極24，並且擔負對壓電體層20賦予適度的剛性和機械強度之作用。亦即，在壓電薄膜10中，由基質34和壓電體粒子36構成之壓電體層20對於緩慢的彎曲變形顯示非常優異之撓性，另一方面，依據用途，有時剛性或機械強度不足。為了補充這一點，壓電薄膜10設置有下部保護層28及上部保護層30。

下部保護層28及上部保護層30沒有限制，能夠利用各種片狀物，作為一例，可較佳地例示各種樹脂薄膜。 其中，由於具有優異之機械特性及耐熱性等理由，可較佳地利用由聚對酞酸乙二酯（PET）、聚丙烯（PP）、聚苯乙烯（PS）、聚碳酸酯（PC）、聚伸苯硫醚（PPS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚醚醯亞胺（PEI）、聚醯亞胺（PI）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、三乙醯基纖維素（TAC）及環狀烯烴系樹脂等構成之樹脂薄膜。

下部保護層28及上部保護層30的厚度亦沒有限制。又，下部保護層28及上部保護層30的厚度基本上相同，但亦可以不同。 在此，若下部保護層28及上部保護層30的剛性過高，則不僅拘束壓電體層20的伸縮，而且撓性亦受損。因此，除了要求機械強度或作為片狀物的良好的操作性的情況以外，下部保護層28及上部保護層30越薄越有利。

在壓電薄膜10中，若下部保護層28及上部保護層30的厚度為壓電體層20的厚度的2倍以下，則在兼顧剛性的確保和適度的柔軟性等方面，能夠得到較佳之結果。 例如，在壓電體層20的厚度為50μm且下部保護層28及上部保護層30由PET構成之情況下，下部保護層28及上部保護層30的厚度係100μm以下為較佳，50μm以下為更佳，25μm以下為進一步較佳。

在壓電薄膜10中，在壓電體層20與下部保護層28之間形成有下部電極24，在壓電體層20與上部保護層30之間形成有上部電極26。 下部電極24及上部電極26係為了對壓電體層20施加驅動電壓而設置的。

在本發明中，下部電極24及上部電極26的形成材料沒有限制，能夠利用各種導電體。具體而言，可例示碳、鈀、鐵、錫、鋁、鎳、鉑、金、銀、銅、鈦、鉻及鉬等、它們的合金、該等金屬及合金的積層體及複合體以及氧化銦錫等。其中，銅、鋁、金、銀、鉑及氧化銦錫可較佳地例示為下部電極24及上部電極26。

又，下部電極24及上部電極26的形成方法亦沒有限制，能夠利用各種真空蒸鍍及濺射等氣相沉積法（真空成膜法）、利用電鍍之成膜以及貼附由上述材料形成之箔之方法等公知的方法。

其中，尤其由於能夠確保壓電薄膜10的撓性等理由，藉由真空蒸鍍成膜之銅及鋁等薄膜可較佳地用作下部電極24及上部電極26。其中，尤其可較佳地利用藉由真空蒸鍍形成之銅薄膜。 下部電極24及上部電極26的厚度沒有限制。又，下部電極24及上部電極26的厚度基本上相同，但亦可以不同。

在此，與前述下部保護層28及上部保護層30相同，若下部電極24及上部電極26的剛性過高，則不僅拘束壓電體層20的伸縮，而且撓性亦受損。因此，下部電極24及上部電極26只要在電阻不會變得過高之範圍內，則越薄越有利。亦即，下部電極24及上部電極26係薄膜電極為較佳。

在壓電薄膜10中，若下部電極24及上部電極26的厚度與楊氏係數的乘積小於下部保護層28及上部保護層30的厚度與楊氏係數的乘積，則不會大大損害撓性，因此為較佳。 例如，在下部保護層28及上部保護層30由PET（楊氏係數：約6.2GPa）構成，且下部電極24及上部電極26由銅（楊氏係數：約130GPa）構成之組合之情況下，若下部保護層28及上部保護層30的厚度為25μm，則下部電極24及上部電極26的厚度係1.2μm以下為較佳，0.3μm以下為更佳，其中，0.1μm以下為較佳。

壓電薄膜10的基於動態黏彈性測量的頻率1Hz下的損耗正切（Tanδ）的極大值在常溫下存在為較佳，成為0.1以上之極大值在常溫下存在為更佳。 藉此，即使壓電薄膜10從外部受到幾Hz以下的比較緩慢的較大的彎曲變形，亦能夠將應變能量有效地作為熱向外部擴散，因此能夠防止在基質與壓電體粒子的界面產生龜裂。

壓電薄膜10的基於動態黏彈性測量的頻率1Hz下的儲存彈性係數（E’）在0℃下係10GPa～30GPa、在50℃下係1GPa～10GPa為較佳。另外，關於該條件，壓電體層20亦相同。 藉此，壓電薄膜10的儲存彈性係數（E’）能夠具有較大的頻率分散。亦即，能夠對於20Hz～20kHz的振動較硬地動作，對於幾Hz以下的振動較柔軟地動作。

又，壓電薄膜10的厚度與基於動態黏彈性測量的頻率1Hz下的儲存彈性係數的乘積在0℃下係1.0×10⁵ ～2.0×10⁶ （1.0E+05～2.0E+06）N/m、在50℃下係1.0×10⁵ ～1.0×10⁶ （1.0E+05～1.0E+06）N/m為較佳。另外，關於該條件，壓電體層20亦相同。 藉此，壓電薄膜10在不損害撓性及聲特性之範圍內，能夠具備適度的剛性和機械強度。

進而，壓電薄膜10在藉由動態黏彈性測量得到之主曲線中，在25℃、頻率1kHz下的損耗正切係0.05以上為較佳。另外，關於該條件，壓電體層20亦相同。 藉此，使用壓電薄膜10之揚聲器的頻率特性變得平滑，能夠減小伴隨揚聲器的曲率的變化而最低共振頻率f₀ 變化時的音質的變化。

另外，在本發明中，壓電薄膜10及壓電體層20等的儲存彈性係數（楊氏係數）及損耗正切可以藉由公知的方法測量。作為一例，可以使用SII NanoTechnology Inc.製的動態黏彈性測量裝置DMS6100來測量。 作為測量條件，作為一例，可例示測量頻率為0.1Hz～20Hz（0.1Hz、0.2Hz、0.5Hz、1Hz、2Hz、5Hz、10Hz及20Hz）、測量溫度為-50～150℃、升溫速度為2℃/分（氮氣環境中）、樣品尺寸為40mm×10mm（包括夾持區域）、吸盤之間距離為20mm。

以下，參閱圖2～圖4，對壓電薄膜10的製造方法的一例進行說明。

首先，如圖2所示，準備在下部保護層28的上方形成下部電極24之片狀物10a。該片狀物10a可以在下部保護層28的表面藉由真空蒸鍍、濺射及電鍍等形成銅薄膜等作為下部電極24來製作。

另一方面，製備在有機溶劑中溶解成為基質的材料之高分子材料，進而，添加PZT粒子等壓電體粒子36，攪拌並分散而成之塗料。另外，作為有機溶劑，使用在常溫下為液體的SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 的物質為較佳，但在使用除了該物質以外的有機溶劑之情況下，可以將該物質添加到塗料中。 作為除了上述物質以外的有機溶劑沒有限制，能夠利用各種有機溶劑。

在此，如前所述，在塗佈所製備之塗料之前，進行線混合處理。藉由進行線混合處理，使塗料中的氣泡微細化，使在乾燥前容易從表面去除，藉此能夠減小所製作之高分子複合壓電體中的空隙的面積率。

準備片狀物10a，且製備塗料之後，將該塗料澆鑄（塗佈）到片狀物10a，蒸發有機溶劑並乾燥。藉此，如圖3所示，製作在下部保護層28的上方具有下部電極24，在下部電極24的上方形成壓電體層20而成之積層體10b。另外，下部電極24係指塗佈壓電體層20時的基材側的電極，並不係指積層體中的上下的位置關係。 在此，如前所述，調整塗料的乾燥條件，使以質量比計大於500ppm且10000ppm以下的上述物質（有機溶劑）殘留在壓電體層20中。

該塗料的澆鑄方法沒有限制，能夠利用滑動塗佈機及刮刀等所有公知的方法（塗佈裝置）。

如上所述，在壓電薄膜10中，在基質34中，除了氰基乙基化PVA等黏彈性材料以外，還可以添加介電性的高分子材料。 在基質34中添加該等高分子材料時，只要溶解在上述塗料中添加之高分子材料即可。

製作在下部保護層28的上方具有下部電極24，在下部電極24的上方形成壓電體層20而成之積層體10b之後，較佳為進行壓電體層20的極化處理（Polling）。

壓電體層20的極化處理的方法沒有限制，能夠利用公知的方法。 另外，在極化處理之前，亦可以實施使用加熱輥等使壓電體層20的表面平滑化之壓光處理。藉由實施該壓光處理，能夠順利進行後述之熱壓接製程。

如此，進行積層體10b的壓電體層20的極化處理，另一方面，準備在上部保護層30的上方形成上部電極26之片狀物10c。該片狀物10c可以在上部保護層30的表面藉由真空蒸鍍、濺射、電鍍等形成銅薄膜等作為上部電極26來製作。 接下來，如圖4所示，使上部電極26朝向壓電體層20，將片狀物10c積層於結束壓電體層20的極化處理之積層體10b上。 進而，將該積層體10b和片狀物10c的積層體以夾持上部保護層30和下部保護層28之方式，藉由加熱壓制裝置或加熱輥對等進行熱壓接來製作壓電薄膜10。

後述之積層壓電元件14具有積層該種本發明的壓電薄膜10，作為較佳之態樣利用貼附層19貼附之結構。圖6所示之積層壓電元件14，作為較佳之態樣，如附在壓電體層20之箭頭所示，相鄰之壓電薄膜10的極化方向相互相反。

積層壓電陶瓷而成之通常的積層陶瓷壓電元件在製作壓電陶瓷的積層體之後進行極化處理。在各壓電層的界面上僅存在共通電極，因此，各壓電層的極化方向在積層方向上交替。

相對於此，使用本發明的壓電薄膜10之積層壓電元件能夠在積層前的壓電薄膜10的狀態下進行極化處理。 因此，使用本發明的壓電薄膜之積層壓電元件能夠積層已極化處理的壓電薄膜10來製作。較佳為，製作實施極化處理之長條的壓電薄膜（大面積的壓電薄膜），切斷而形成各個壓電薄膜10之後，積層壓電薄膜10而作為積層壓電元件14。 因此，使用本發明的壓電薄膜之積層壓電元件能夠使相鄰之壓電薄膜10的極化方向如圖8所示之積層壓電元件60那樣在積層方向上對齊，亦能夠如圖6所示之積層壓電元件14那樣交替。

又，已知由PVDF（聚偏二氟乙烯）等高分子材料構成之通常的壓電薄膜藉由在極化處理後沿單軸方向進行延伸處理，分子鏈相對於延伸方向取向，作為結果在延伸方向上得到較大的壓電特性。因此，通常的壓電薄膜在壓電特性上具有面內各向異性，在施加電壓時的面方向的伸縮量上具有各向異性。 相對於此，在基質34中含有壓電體粒子36之本發明的高分子複合壓電體即使在極化處理後不進行延伸處理亦能夠得到較大的壓電特性。因此，本發明的高分子複合壓電體在壓電特性上沒有面內各向異性，若如後述那樣施加驅動電壓，則在面內方向上向所有方向各向同性地伸縮。

該種本發明的高分子複合壓電體及壓電薄膜10的製造可以使用切割片狀的片狀物來進行製造，但較佳為使用卷對卷（Roll to Roll，以下亦稱為RtoR）。 眾所周知，RtoR係從捲繞長條的原材料而成之輥引出原材料，沿長度方向輸送，並且進行成膜或表面處理等各種處理，將已處理的原材料再次捲繞成捲狀之製造方法。

在藉由RtoR，利用前述製造方法製造壓電薄膜10時，使用捲繞在長條的下部保護層28的上方形成下部電極24之片狀物10a而成之第1輥及捲繞在長條的上部保護層30的上方形成上部電極26之片狀物10c而成之第2輥。 第1輥及第2輥可以完全相同。

從該輥引出片狀物10a，沿長度方向輸送，並且塗佈含有基質34及壓電體粒子36之塗料，藉由加熱等進行乾燥，在下部電極24的上方形成壓電體層20，作為前述積層體10b。 接下來，進行壓電體層20的極化處理。在此，在藉由RtoR製造壓電薄膜10時，輸送積層體10b，並且在與積層體10b的輸送方向正交之方向上進行壓電體層20的極化處理。另外，如前所述，在該極化處理之前，可以進行壓光處理。 接下來，從第2輥引出片狀物10c，輸送該片狀物10c及積層體，並且利用使用貼合輥等之公知的方法，如前所述，使上部電極26朝向壓電體層20，在積層體10b的上方積層片狀物10c。 然後，藉由加熱輥對，夾持輸送積層之積層體10b和片狀物10c，藉此進行熱壓接，從而完成本發明的壓電薄膜10，將該壓電薄膜10捲繞成捲狀。

另外，在以上的例子中，藉由RtoR將片狀物（積層體）沿長度方向僅輸送1次來製作本發明的壓電薄膜10，但並不限定於此。 例如，形成上述積層體10b，進行極化處理之後，形成將該積層體一次捲繞成捲狀之積層體輥。接下來，從該積層體輥引出積層體，沿長度方向輸送，並且如前所述，積層在上部保護層30的上方形成上部電極26之片狀物，從而完成壓電薄膜10，將該壓電薄膜10捲繞成捲狀。

在該種壓電薄膜10中，若對下部電極24及上部電極26施加電壓，則壓電體粒子36依據所施加之電壓在極化方向上伸縮。其結果，壓電薄膜10（壓電體層20）在厚度方向上收縮。同時，由於蔔瓦松比率的關係，壓電薄膜10亦在面內方向上伸縮。該伸縮為約0.01～0.1%。另外，如上所述，在面內方向上向所有方向各向同性地伸縮。 如上所述，壓電體層20的厚度較佳為約10～300μm。因此，厚度方向的伸縮最大為0.3μm左右，非常小。 相對於此，壓電薄膜10亦即壓電體層20在面方向上具有遠大於厚度的尺寸。因此，例如，若壓電薄膜10的長度為20cm，則藉由施加電壓，壓電薄膜10最大伸縮0.2mm左右。 又，當對壓電薄膜10施加壓力時，藉由壓電體粒子36的作用產生電力。 藉由利用這一點，如上所述，壓電薄膜10能夠利用於揚聲器、微音器及壓力感測器等各種用途。

[壓電揚聲器] 圖5表示具有本發明的壓電薄膜10之平板型壓電揚聲器的一例的概念圖。 該壓電揚聲器45係將本發明的壓電薄膜10用作將電訊號轉換為振動能量之振動板之平板型壓電揚聲器。另外，壓電揚聲器45亦能夠作為微音器及感測器等使用。

壓電揚聲器45構成為，具有壓電薄膜10、外殼43、黏彈性支撐體46及框體48。 外殼43係由塑膠等形成之一個表面開放之薄的正四角筒狀的殼體。 又，框體48係在中央具有貫通孔之具有與外殼43的上端面（開放面側）相同的形狀之板材。 黏彈性支撐體46具有適度的黏性和彈性，用於支撐壓電薄膜10，並且藉由在壓電薄膜的任何部位均施加恆定的機械偏壓，使壓電薄膜10的伸縮運動有效地轉換為前後運動（與薄膜表面垂直的方向的運動）。作為一例，可例示羊毛氈、人造絲或含有PET之羊毛氈等不織布、玻璃棉等。

壓電揚聲器45構成為，在外殼43中收容黏彈性支撐體46，藉由壓電薄膜10覆蓋外殼43及黏彈性支撐體46，在藉由框體48將壓電薄膜10的周邊按壓在外殼43的上端面之狀態下，將框體48固定在外殼43上。

在此，在壓電揚聲器45中，黏彈性支撐體46係高度（厚度）比外殼43的內表面的高度厚的四角柱狀。 因此，在壓電揚聲器45中，在黏彈性支撐體46的周邊部，黏彈性支撐體46在被壓電薄膜10向下方按壓而厚度變薄之狀態下被保持。又，同樣在黏彈性支撐體46的周邊部，壓電薄膜10的曲率急劇變動，在壓電薄膜10上形成朝向黏彈性支撐體46的周邊變低之立起部45a。進而，壓電薄膜10的中央區域被四角柱狀的黏彈性支撐體46按壓，成為（略）平面狀。

壓電揚聲器45中，當藉由向下部電極24及上部電極26施加驅動電壓，壓電薄膜10向面內方向伸長時，為了吸收該伸長量，藉由黏彈性支撐體46的作用，壓電薄膜10的立起部45a在立起之方向上改變角度。其結果，具有平面狀的部分之壓電薄膜10向上方移動。 相反，當藉由向下部電極24及上部電極26施加驅動電壓，壓電薄膜10向面內方向收縮時，為了吸收該收縮量，壓電薄膜10的立起部45a在傾倒之方向（接近平面之方向）上改變角度。其結果，具有平面狀的部分之壓電薄膜10向下方移動。 壓電揚聲器45藉由該壓電薄膜10的振動產生聲音。

另外，在本發明的壓電薄膜10中，從伸縮運動向振動的轉換亦能夠藉由將壓電薄膜10保持在彎曲之狀態來實現。 因此，本發明的壓電薄膜10即使不是該種壓電揚聲器45而是簡單地保持在彎曲狀態，亦能夠作為具有撓性之揚聲器發揮功能。

[電聲轉換器] 圖6概念性地表示具有本發明的壓電薄膜10之電聲轉換器的一例。 圖6所示之電聲轉換器50具有積層壓電元件14和振動板12。積層壓電元件14係積層複數層本發明的壓電薄膜而成。在圖6所示之例子中，積層壓電元件14係積層3層上述本發明的壓電薄膜10而成。 在電聲轉換器50中，積層壓電元件14和振動板12藉由貼附層16貼附。 在構成電聲轉換器50的積層壓電元件14之壓電薄膜10上連接有用於施加驅動電壓的電源PS。

為了簡化圖式，在圖6中省略了下部保護層28及上部保護層30。然而，圖6所示之積層壓電元件14作為較佳之態樣，所有的壓電薄膜10具有下部保護層28及上部保護層30這兩者。 另外，積層壓電元件並不限制於此，可以混合存在具有保護層之壓電薄膜和不具有保護層之壓電薄膜。進而，在壓電薄膜具有保護層之情況下，壓電薄膜可以僅具有下部保護層28，亦可以僅具有上部保護層30。作為一例，若係如圖6所示之3層結構的積層壓電元件14，則亦可以係圖中最上層的壓電薄膜僅具有上部保護層30，正中間的壓電薄膜不具有保護層，最下層的壓電薄膜僅具有下部保護層28之結構。 關於這一點，後述之圖7所示之積層壓電元件56及圖8所示之積層壓電元件60亦相同。

如在後面詳細敘述，該種電聲轉換器50藉由對積層壓電元件14的壓電薄膜10施加驅動電壓，壓電薄膜10在面方向上伸縮，藉由該壓電薄膜10的伸縮，積層壓電元件14在面方向上伸縮。 藉由該積層壓電元件14的面方向的伸縮，振動板12撓曲，其結果，振動板12在厚度方向上振動。藉由該厚度方向的振動，振動板12產生聲音。振動板12依據施加在壓電薄膜10上之驅動電壓的大小振動，產生與施加在壓電薄膜10上之驅動電壓對應之聲音。 亦即，該電聲轉換器50係將積層壓電元件14用作激發器之揚聲器。

在電聲轉換器50中，作為較佳之態樣，振動板12具有撓性。另外，在本發明中，所謂具有撓性，與通常的解釋中的具有撓性之含義相同，表示能夠彎曲及撓曲，具體而言，表示能夠不產生破壞及損傷地彎曲拉伸。 振動板12較佳為具有撓性，只要滿足與後述之積層壓電元件14的關係，則沒有限制，能夠利用各種片狀物（板狀物、薄膜）。 作為一例，可例示由聚對酞酸乙二酯（PET）、聚丙烯（PP）、聚苯乙烯（PS）、聚碳酸酯（PC）、聚伸苯硫醚（PPS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚醚醯亞胺（PEI）、聚醯亞胺（PI）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、三乙醯基纖維素（TAC）及環狀烯烴系樹脂等構成之樹脂薄膜、由發泡聚苯乙烯、發泡苯乙烯及發泡聚乙烯等構成之發泡塑膠以及在波狀的紙板的單面或兩面上貼附其他紙板而成之各種瓦楞紙板材料等。 又，在電聲轉換器50中，只要具有撓性，則作為振動板12，亦能夠較佳地利用有機電致發光（OLED（Organic Light Emitting Diode），有機發光二極體）顯示器、液晶顯示器、微型LED（Light Emitting Diode，發光二極體）顯示器及無機電致發光顯示器等顯示設備等。

在圖6所示之電聲轉換器50中，作為較佳之態樣，該種振動板12和積層壓電元件14藉由貼附層16貼附。

貼附層16只要能夠貼附振動板12和積層壓電元件14，則能夠利用各種公知的貼附層。 因此，貼附層16可以係在貼合時具有流動性，之後成為固體之由接著劑構成之層，亦可以係在貼合時係凝膠狀（橡膠狀）的柔軟的固體，之後凝膠狀的狀態亦不變化之由黏著劑構成之層，還可以係由具有接著劑和黏著劑這兩者的特徵之材料構成之層。 在此，在電聲轉換器50中，藉由使積層壓電元件14伸縮，使振動板12撓曲而振動，從而產生聲音。因此，在電聲轉換器50中，積層壓電元件14的伸縮直接傳遞到振動板12為較佳。若在振動板12與積層壓電元件14之間存在具有緩和振動之黏性之物質，則積層壓電元件14向振動板12的伸縮的能量的傳遞效率降低，導致電聲轉換器50的驅動效率降低。 考慮到這一點，貼附層16係由接著劑構成之接著劑層為較佳，該接著劑層可得到比由黏著劑構成之黏著劑層更硬的固體貼附層16。作為更佳之貼附層16，具體而言，可例示由聚酯系接著劑及苯乙烯·丁二烯橡膠（SBR）系接著劑等熱塑型接著劑構成之貼附層。 接著與黏著不同，在要求高接著溫度時有用。又，熱塑型接著劑兼具“比較低溫、短時間及強接著”，因此為較佳。

貼附層16的厚度沒有限制，可以依據貼附層16的材料，適當設定得到充分的貼附力（接著力、黏著力）之厚度。 在此，在電聲轉換器50中，貼附層16越薄，則越能夠提高傳遞到振動板12之積層壓電元件14的伸縮能量（振動能量）的傳遞效果，從而提高能量效率。又，若貼附層16厚且剛性高，則亦有可能拘束積層壓電元件14的伸縮。 考慮到這一點，貼附層16較薄為較佳。具體而言，貼附層16的厚度以貼附後的厚度計，係0.1～50μm為較佳，0.1～30μm為更佳，0.1～10μm為進一步較佳。

另外，在電聲轉換器50中，貼附層16作為較佳之態樣而設置，不是必須的構成要素。 因此，電聲轉換器50亦可以不具有貼附層16，而使用公知的壓接方法、緊固方法及固定方法等來固定振動板12和積層壓電元件14。例如，在積層壓電元件14為矩形之情況下，可以利用螺栓螺母之類的構件緊固四個角來構成電聲轉換器，或亦可以利用螺栓螺母之類的構件緊固四個角和中心部來構成電聲轉換器。 然而，在該情況下，在從電源PS施加驅動電壓時，積層壓電元件14相對於振動板12獨立地伸縮，依據情況，僅積層壓電元件14撓曲，積層壓電元件14的伸縮不會傳遞到振動板12。如此，在積層壓電元件14相對於振動板12獨立地伸縮之情況下，基於積層壓電元件14的振動板12的振動效率降低。有可能不能使振動板12充分地振動。 考慮到這一點，振動板12和積層壓電元件14如圖6所示，利用貼附層16貼附為較佳。

在圖6所示之電聲轉換器50中，積層壓電元件14具有積層3片壓電薄膜10，利用貼附層19貼附相鄰之壓電薄膜10之結構。在各壓電薄膜10上連接有施加使壓電薄膜10伸縮之驅動電壓之電源PS。 另外，圖6所示之積層壓電元件14係積層3片壓電薄膜10而成，但本發明並不限制於此。亦即，積層壓電元件只要係積層複數層壓電薄膜10而成之元件，則壓電薄膜10的積層數可以係2層，或者亦可以係4層以上。關於這一點，後述之圖7所示之積層壓電元件56及圖8所示之積層壓電元件60亦相同。 又，電聲轉換器亦可以代替積層壓電元件14，藉由本發明的壓電薄膜以相同的作用效果使振動板12振動，從而產生聲音。亦即，電聲轉換器亦可以使用本發明的壓電薄膜作為激發器。

圖6所示之積層壓電元件14作為較佳之態樣，具有使相鄰之壓電薄膜10的極化方向相互相反，積層複數層（圖6所示之例子為3層）的壓電薄膜10，利用貼附層19貼附相鄰之壓電薄膜10之結構。

貼附層19只要能夠貼附相鄰之壓電薄膜10，則能夠利用各種公知的貼附層。 因此，貼附層19可以係由上述接著劑構成之層，亦可以係由黏著劑構成之層，還可以係由具有接著劑和黏著劑這兩者的特徵之材料構成之層。 在此，積層壓電元件14藉由使積層之複數片壓電薄膜10伸縮，使振動板12振動，從而產生聲音。因此，積層壓電元件14直接傳遞各壓電薄膜10的伸縮為較佳。若在壓電薄膜10之間存在具有緩和振動之黏性之物質，則壓電薄膜10的伸縮的能量的傳遞效率降低，導致積層壓電元件14的驅動效率降低。 考慮到這一點，貼附層19係由接著劑構成之接著劑層為較佳，該接著劑層可得到比由黏著劑構成之黏著劑層更硬的固體貼附層19。作為更佳之貼附層19，具體而言，可較佳地例示由聚酯系接著劑及苯乙烯·丁二烯橡膠（SBR）系接著劑等熱塑型接著劑構成之貼附層。 接著與黏著不同，在要求高接著溫度時有用。又，熱塑型接著劑兼具“比較低溫、短時間及強接著”，因此為較佳。

貼附層19的厚度沒有限制，可以依據貼附層19的形成材料，適當設定能夠顯現充分的貼附力之厚度。 在此，在圖6所示之積層壓電元件14中，貼附層19越厚，則越能夠提高壓電薄膜10的伸縮能量的傳遞效果，從而提高能量效率。又，若貼附層19厚且剛性高，則亦有可能拘束壓電薄膜10的伸縮。 考慮到這一點，貼附層19比壓電體層20薄為較佳。亦即，在積層壓電元件14中，貼附層19硬且薄為較佳。具體而言，貼附層19的厚度以貼附後的厚度計，係0.1～50μm為較佳，0.1～30μm為更佳，0.1～10μm為進一步較佳。 另外，如後面所述，在圖6所示之積層壓電元件14中，相鄰之壓電薄膜的極化方向相互相反，沒有相鄰之壓電薄膜10彼此短路之虞慮，因此能夠使貼附層19變薄。

在圖6所示之積層壓電元件14中，若貼附層19的彈簧常數（厚度×楊氏係數）高，則有可能拘束壓電薄膜10的伸縮。因此，貼附層19的彈簧常數與壓電薄膜10的彈簧常數等同或係其以下為較佳。 具體而言，貼附層19的厚度與基於動態黏彈性測量的頻率1Hz下的儲存彈性係數（E’）的乘積在0℃下係2.0×10⁶ N/m以下、在50℃下係1.0×10⁶ N/m以下為較佳。 又，關於貼附層的基於動態黏彈性測量的頻率1Hz下的內部損耗，在由黏著劑構成之貼附層19之情況下，在25℃下係1.0以下，在由接著劑構成之貼附層19之情況下，在25℃下係0.1以下為較佳。

另外，在構成電聲轉換器50之積層壓電元件14中，貼附層19作為較佳之態樣而設置，不是必須的構成要素。 因此，構成電聲轉換器之積層壓電元件亦可以不具有貼附層19，而使用公知的壓接方法、緊固方法及固定方法等，積層壓電薄膜10並使其密接，從而構成積層壓電元件。例如，在壓電薄膜10為矩形之情況下，可以利用螺栓螺母等緊固四個角來構成積層壓電元件，或亦可以利用螺栓螺母等緊固四個角和中心部來構成積層壓電元件。或者，亦可以在積層壓電薄膜10之後，藉由在周邊部（端面）貼附黏著膠帶，固定積層之壓電薄膜10來構成積層壓電元件。 然而，在該情況下，在從電源PS施加驅動電壓時，各個壓電薄膜10獨立地伸縮，依據情況，各壓電薄膜10各層向相反方向撓曲而形成空隙。如此，在各個壓電薄膜10獨立地伸縮之情況下，作為積層壓電元件的驅動效率降低，作為積層壓電元件整體的伸縮變小，有可能不能使抵接之振動板等充分地振動。尤其，在各壓電薄膜10各層向相反方向撓曲而形成空隙之情況下，作為積層壓電元件的驅動效率的降低較大。 考慮到這一點，如圖6所示之積層壓電元件14那樣，積層壓電元件具有貼附相鄰之壓電薄膜10彼此之貼附層19為較佳。

如圖6所示，在電聲轉換器50中，在各壓電薄膜10的下部電極24及上部電極26上連接有電源PS，該電源PS施加使壓電薄膜10伸縮之驅動電壓亦即供給驅動電力。 電源PS沒有限制，可以係直流電源，亦可以係交流電源。又，驅動電壓亦可以依據各壓電薄膜10的壓電體層20的厚度及形成材料等，適當設定能夠準確地驅動各壓電薄膜10之驅動電壓。 如後面所述，積層壓電元件14的相鄰之壓電薄膜10的極化方向相反。因此，在相鄰之壓電薄膜10中，下部電極24彼此及上部電極26彼此相對。因此，電源PS無論係交流電源還是直流電源，在相對之電極之間均始終供給相同極性的電力。例如，在圖6所示之積層壓電元件14中，始終向圖中最下層的壓電薄膜10的上部電極26和第2層（正中間）的壓電薄膜10的上部電極26供給相同極性的電力，始終向第2層的壓電薄膜10的下部電極24和圖中最上層的壓電薄膜10的下部電極24供給相同極性的電力。

從下部電極24及上部電極26引出電極之方法沒有限制，能夠利用公知的各種方法。 作為一例，可例示在下部電極24及上部電極26上連接銅箔等導電體而向外部引出電極之方法及藉由雷射等在下部保護層28及上部保護層30上形成貫通孔，在該貫通孔中填充導電性材料而向外部引出電極之方法等。 作為較佳的電極的引出方法，可例示日本特開2014-209724號公報中記載之方法及日本特開2016-015354號公報中記載之方法等。

如上所述，壓電體層20係在基質34中含有壓電體粒子36而成。又，以在厚度方向上夾持壓電體層20之方式設置下部電極24及上部電極26。 若對具有該種壓電體層20之壓電薄膜10的下部電極24及上部電極26施加電壓，則壓電體粒子36依據所施加之電壓在極化方向上伸縮。其結果，壓電薄膜10（壓電體層20）在厚度方向上收縮。同時，由於蔔瓦松比率的關係，壓電薄膜10亦在面內方向上伸縮。 該伸縮為約0.01～0.1%。 如上所述，壓電體層20的厚度較佳為約10～300μm。因此，厚度方向的伸縮最大為0.3μm左右，非常小。 相對於此，壓電薄膜10亦即壓電體層20在面方向上具有遠大於厚度的尺寸。因此，例如，若壓電薄膜10的長度為20cm，則藉由施加電壓，壓電薄膜10最大伸縮0.2mm左右。

積層壓電元件14係積層並貼附壓電薄膜10而成。因此，若壓電薄膜10伸縮，則積層壓電元件14亦伸縮。 振動板12藉由貼附層16貼附在積層壓電元件14上。因此，藉由積層壓電元件14的伸縮，振動板12撓曲，其結果，振動板12在厚度方向上振動。 藉由該厚度方向的振動，振動板12產生聲音。亦即，振動板12依據施加在壓電薄膜10上之電壓（驅動電壓）的大小振動，產生與施加在壓電薄膜10上之驅動電壓對應之聲音。

如上所述，由PVDF等高分子材料構成之通常的壓電薄膜在壓電特性上具有面內各向異性，在施加電壓時的面方向的伸縮量上具有各向異性。 相對於此，在圖6所示之電聲轉換器50中，構成積層壓電元件14之本發明的壓電薄膜10在壓電特性上沒有面內各向異性，在面內方向上向所有方向各向同性地伸縮。亦即，在圖6所示之電聲轉換器50中，構成積層壓電元件14之壓電薄膜10各向同性地二維伸縮。 依據積層該種各向同性地二維伸縮之壓電薄膜10而成之積層壓電元件14，與積層僅在一個方向上較大地伸縮之PVDF等通常的壓電薄膜的情況相比，能夠以較大的力使振動板12振動，能夠產生更大且優美的聲音。

圖6所示之積層壓電元件14係積層複數片壓電薄膜10而成。作為較佳之態樣，積層壓電元件14進而利用貼附層19貼附相鄰之壓電薄膜10彼此。 因此，即使每1片的壓電薄膜10的剛性低且伸縮力小，藉由積層壓電薄膜10，剛性變高，作為積層壓電元件14的伸縮力變大。其結果，在積層壓電元件14中，即使振動板12具有一定程度的剛性，亦能夠以較大的力使振動板12充分地撓曲，使振動板12在厚度方向上充分地振動，從而使振動板12產生聲音。 又，壓電體層20越厚，則壓電薄膜10的伸縮力越變大，但相應地，使其伸縮所需的驅動電壓變大相同量。其中，如上所述，在積層壓電元件14中，較佳之壓電體層20的厚度最大亦為300μm左右，因此即使對各個壓電薄膜10施加之電壓小，亦能夠使壓電薄膜10充分地伸縮。

積層壓電元件14的厚度與基於動態黏彈性測量的頻率1Hz、25℃下的儲存彈性係數的乘積係振動板12的厚度與楊氏係數的乘積的0.1～3倍為較佳。

如上所述，本發明的壓電薄膜10具有良好的撓性，積層該壓電薄膜10而成之積層壓電元件14亦具有良好的撓性。 一方面，振動板12具有一定程度的剛性。若在該種振動板12上組合剛性高的積層壓電元件14，則變硬且變得難以彎曲，在電聲轉換器50的撓性方面不利。 相對於此，電聲轉換器50較佳為，積層壓電元件14的厚度與基於動態黏彈性測量的頻率1Hz、25℃下的儲存彈性係數的乘積係振動板12的厚度與楊氏係數的乘積的3倍以下。亦即，積層壓電元件14對於緩慢的運動，彈簧常數係振動板12的3倍以下為較佳。 藉由具有該種結構，電聲轉換器50對於由折彎及捲起等外力引起之緩慢的運動能夠柔軟地動作，亦即對於緩慢的運動顯現良好的撓性。 在電聲轉換器50中，積層壓電元件14的厚度與基於動態黏彈性測量的頻率1Hz、25℃下的儲存彈性係數的乘積係振動板12的厚度與楊氏係數的乘積的2倍以下為更佳，1倍以下為進一步較佳，0.3倍以下為特佳。

另一方面，考慮到利用於積層壓電元件14之材料、較佳之積層壓電元件14的結構等，積層壓電元件14的厚度與基於動態黏彈性測量的頻率1Hz、25℃下的儲存彈性係數的乘積係振動板12的厚度與楊氏係數的乘積的0.1倍以上為較佳。

在電聲轉換器50中，積層壓電元件14的厚度與藉由動態黏彈性測量得到之主曲線中的頻率1kHz、25℃下的儲存彈性係數的乘積係振動板12的厚度與楊氏係數的乘積的0.3～10倍為較佳。亦即，積層壓電元件14在被驅動之狀態的快速運動中，彈簧常數係振動板12的0.3～10倍為較佳。

如上所述，電聲轉換器50藉由積層壓電元件14的面方向的伸縮使振動板12振動，藉此產生聲音。因此，積層壓電元件14在音頻頻帶的頻率（20Hz～20kHz）下，對於振動板12具有一定程度的剛性（硬度、剛性）為較佳。 在電聲轉換器50中，將積層壓電元件14的厚度與藉由動態黏彈性測量得到之主曲線中的頻率1kHz、25℃下的儲存彈性係數的乘積設為振動板12的厚度與楊氏係數的乘積的較佳為0.3倍以上，更佳為0.5倍以上，進一步較佳為1倍以上。亦即，積層壓電元件14對於快速運動，彈簧常數係振動板12的0.3倍以上為較佳，0.5倍以上為更佳，1倍以上為進一步較佳。 藉此，在音頻頻帶的頻率下，充分地確保積層壓電元件14相對於振動板12的剛性，電聲轉換器50能夠以高能量效率輸出高聲壓的聲音。

另一方面，考慮到能夠利用於積層壓電元件14之材料、較佳之積層壓電元件14的結構等，積層壓電元件14的厚度與基於動態黏彈性測量的頻率1kHz、25℃下的儲存彈性係數的乘積係振動板12的厚度與楊氏係數的乘積的10倍以下為較佳。

關於上述厚度與儲存彈性係數的乘積，在代替積層壓電元件14使用壓電薄膜10構成電聲轉換器的情況下亦相同。

圖6所示之電聲轉換器50作為較佳之態樣，如上所述，積層壓電元件14的相鄰之壓電薄膜10的壓電體層20的極化方向相互相反。 在壓電薄膜10中，施加到壓電體層20之電壓的極性與極化方向對應。因此，所施加之電壓的極性在圖6中箭頭所示之極化方向上，使箭頭朝向之方向側（箭頭的下游側）的電極的極性與相反側（箭頭的上游側）的電極的極性在所有的壓電薄膜10中一致。 在圖6所示之例子中，將表示極化方向之箭頭朝向之方向側的電極作為下部電極24，將相反側的電極作為上部電極26，在所有的壓電薄膜10中，使上部電極26和下部電極24的極性為相同極性。 因此，在相鄰之壓電薄膜10的壓電體層20的極化方向相互相反之積層壓電元件14中，在相鄰之壓電薄膜10中，上部電極26彼此在一個表面上相對，下部電極彼此在另一個表面上相對。因此，在積層壓電元件14中，即使相鄰之壓電薄膜10的電極彼此接觸，亦沒有短路（short）之虞慮。

如上所述，為了以良好的能量效率使積層壓電元件14伸縮，使貼附層19變薄，以使貼附層19不妨礙壓電體層20的伸縮為較佳。 相對於此，即使相鄰之壓電薄膜10的電極彼此接觸，在沒有短路之虞慮之圖6所示之積層壓電元件14中，亦可以沒有貼附層19，作為較佳之態樣，即使在具有貼附層19之情況下，只要能夠得到必要的貼附力，則能夠使貼附層19變得極薄。 因此，能夠以高能量效率使積層壓電元件14伸縮。

另外，如上所述，在壓電薄膜10中，厚度方向的壓電體層20的伸縮的絕對量非常小，壓電薄膜10的伸縮實質上僅在面方向上。 因此，即使積層之壓電薄膜10的極化方向相反，只要施加到下部電極24及上部電極26之電壓的極性正確，則所有的壓電薄膜10在相同方向上伸縮。

另外，在積層壓電元件14中，壓電薄膜10的極化方向可以利用d33測量儀等檢測。 或者，亦可以依據極化處理的處理條件，得知壓電薄膜10的極化方向。

圖6所示之積層壓電元件14較佳為，如上所述，製作長條（大面積）的壓電薄膜，切斷長條的壓電薄膜，作為各個壓電薄膜10。因此，在該情況下，構成積層壓電元件14之複數片壓電薄膜10全部相同。 然而，本發明並不限制於此。亦即，在電聲轉換器中，壓電積層體例如能夠利用積層具有下部保護層28及上部保護層30之壓電薄膜和不具有該等之壓電薄膜等不同的層結構的壓電薄膜而成之結構及積層壓電體層20的厚度不同的壓電薄膜而成之結構等各種結構。

在圖6所示之電聲轉換器50中，積層壓電元件14係將複數片壓電薄膜10在相鄰之壓電薄膜彼此之間使極化方向相反地積層，作為較佳之態樣，利用貼附層19貼附相鄰之壓電薄膜10而成。 本發明的積層壓電元件並不限制於此，能夠利用各種結構。

圖7表示其一例。另外，圖7所示之積層壓電元件56使用複數個與上述積層壓電元件14相同的構件，因此對相同的構件標註相同的符號，主要對不同的部位進行說明。 圖7所示之積層壓電元件56係本發明中的積層壓電元件的更佳之態樣，藉由將長條的壓電薄膜10L在長度方向上折返1次以上，較佳為折返複數次，積層複數層壓電薄膜10L而成。又，與上述圖6等所示之積層壓電元件14相同，圖7所示之積層壓電元件56亦作為較佳之態樣，利用貼附層19貼附藉由折返積層而成之壓電薄膜10L。 藉由將在厚度方向上被極化之長條的1片壓電薄膜10L折返並積層，在積層方向上相鄰（相對）之壓電薄膜10L的極化方向如圖7中箭頭所示，成為相反方向。

依據該結構，能夠僅由一片長條的壓電薄膜10L構成積層壓電元件56，並且只要一個用於施加驅動電壓的電源PS即可，進而，從壓電薄膜10L引出電極亦可以係1處。 因此，依據圖7所示之積層壓電元件56，能夠減少零件件數，且簡化結構，提高作為壓電元件（模組）的可靠性，進而，實現降低成本。

如圖7所示之積層壓電元件56那樣，在折返長條的壓電薄膜10L而成之積層壓電元件56中，在壓電薄膜10L的折返部與壓電薄膜10L抵接而插入芯棒58為較佳。 如上所述，壓電薄膜10L的下部電極24及上部電極26由金屬的蒸鍍膜等形成。金屬的蒸鍍膜若以銳角折彎，則容易產生龜裂（裂紋）等，電極有可能斷線。亦即，在圖7所示之積層壓電元件56中，在彎曲部的內側，龜裂等容易進入電極。 相對於此，在折返長條的壓電薄膜10L而成之積層壓電元件56中，藉由在壓電薄膜10L的折返部插入芯棒58，能夠防止下部電極24及上部電極26折彎，從而能夠較佳地防止發生斷線。

在本發明中，積層壓電元件亦可以使用具有導電性之貼附層19。尤其，在如圖7所示之將長條的1片壓電薄膜10L折返並積層而成之積層壓電元件56中，可較佳地利用具有導電性之貼附層19。 在如圖6及圖7所示之相鄰之壓電薄膜10的極化方向相反之積層壓電元件中，在積層之壓電薄膜10中，在相對之電極之間供給相同極性的電力。因此，在相對之電極之間不會發生短路。 另一方面，如上所述，將壓電薄膜10L折返並積層而成之積層壓電元件56在以銳角折返之彎曲部的內側容易發生電極的斷線。 因此，藉由利用具有導電性之貼附層19貼附積層之壓電薄膜10L，即使在彎曲部的內側發生電極的斷線，亦能夠利用貼附層19確保導通，因此能夠防止斷線，能夠大幅提高積層壓電元件56的可靠性。

在此，構成積層壓電元件56之壓電薄膜10L較佳為，如圖1所示，以與下部電極24及上部電極26相對並夾持積層體的方式具有下部保護層28及上部保護層30。 在該情況下，即使使用具有導電性之貼附層19，亦不能確保導電性。因此，在壓電薄膜10L具有保護層之情況下，在積層之壓電薄膜10L的下部電極24彼此及上部電極26彼此相對之區域中，在下部保護層28及上部保護層30上設置貫通孔，使下部電極24及上部電極26與具有導電性之貼附層19接觸即可。較佳為，利用銀漿料或導電性的貼附劑堵住在下部保護層28及上部保護層30上形成之貫通孔，在此基礎上，利用具有導電性之貼附層19貼附相鄰之壓電薄膜10L。

下部保護層28及上部保護層30的貫通孔可以藉由雷射加工以及基於溶劑蝕刻及機械研磨等的保護層的去除等來形成。 下部保護層28及上部保護層30的貫通孔較佳為除了在壓電薄膜10L的彎曲部以外，在積層之壓電薄膜10L的下部電極24彼此及上部電極26彼此相對之區域可以係1處，亦可以係複數處。或者，下部保護層28及上部保護層30的貫通孔亦可規則或不規則地形成於下部保護層28及上部保護層30的整個面上。 具有導電性之貼附層19沒有限制，能夠利用各種公知的貼附層。

在以上的積層壓電元件中，積層之壓電薄膜10的極化方向在相鄰之壓電薄膜10中為相反方向，但本發明並不限制於此。 亦即，在本發明中，積層壓電薄膜10而成之積層壓電元件亦可以如圖8所示之積層壓電元件60那樣，壓電體層20的極化方向全部為相同方向。 但是，如圖8所示，在積層之壓電薄膜10的極化方向全部為相同方向之積層壓電元件60中，在相鄰之壓電薄膜10彼此之間，下部電極24與上部電極26相對。因此，若不使貼附層19足夠厚，則在貼附層19的面方向的外側的端部，相鄰之壓電薄膜10的下部電極24與上部電極26接觸，有短路之虞慮。 因此，如圖8所示，在積層之壓電薄膜10的極化方向全部為相同方向之積層壓電元件60中，不能使貼附層19變薄，在能量效率的方面，對於圖6及圖7所示之積層壓電元件不利。

以上，對本發明的高分子複合壓電體及壓電薄膜進行了詳細說明，但本發明並不限定於上述例，在不脫離本發明的主旨之範圍內，當然可以進行各種改良或變更。 [實施例]

以下，列舉本發明的具體實施例，對本發明進行更詳細的說明。

[實施例1] ＜塗料的製備＞ 首先，將氰基乙基化PVA（CR-V Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 製）以下述組成比溶解在環己酮（SP值：9.9（cal/cm³ ）^1/2 ）中。然後，在該溶液中以下述組成比添加PZT粒子，利用螺旋槳混合器（轉速2000rpm）使其分散，製備用於形成壓電體層的塗料。 將該塗佈液以流量5kg/min通過直列混合器（OHR Laboratory Corporation製 MX-F8）之處理重複2次，使塗佈液中的氣泡微細化。

（塗料） ·PZT粒子···············300質量份 ·氰基乙基化PVA···········30質量份 ·環己酮·············70質量份 另外，PZT粒子使用了將市售的PZT原料粉在1000～1200℃下燒結之後，將其粉碎及分級處理成平均粒徑5μm之粒子。

＜塗料的塗佈＞ 一方面，準備在厚度4μm的PET薄膜上真空蒸鍍厚度0.1μm的銅薄膜而成之片狀物。亦即，在本例中，薄膜電極係厚度0.1m的銅蒸鍍薄膜，保護層係厚度4μm的PET薄膜。 在該片狀物的薄膜電極（銅蒸鍍薄膜）的上方，使用滑動塗佈機，塗佈用於形成先前製備之壓電體層的塗料。另外，塗佈塗料以使乾燥後的塗膜的膜厚成為40μm。

＜塗料的乾燥＞ 接下來，將在片狀物的上方塗佈塗料而成之物在100℃的加熱板上加熱乾燥60分鐘，藉此使環己酮的一部分蒸發。藉此，製作了在PET製的保護層的上方具有銅製的薄膜電極，在其上方形成厚度為40μm的壓電體層（高分子複合壓電體）而成之積層體。

＜極化處理＞ 接下來，藉由上述方法對該積層體的壓電體層進行了極化處理。

＜片狀物的積層＞ 在進行了極化處理之積層體的上方使薄膜電極（銅薄膜側）朝向壓電體層積層片狀物。接下來，使用層壓裝置將積層體和片狀物的積層體接著在壓電體層和薄膜電極上。 藉由以上的製程製作了壓電薄膜。

＜空隙的面積率的測量＞ 從所製作之壓電薄膜切出樣品，藉由以下方法測量了高分子複合壓電體中的空隙的面積率。 為了觀察高分子複合壓電體的剖面，在厚度方向上進行了切削。切削係將Drukker公司製histo刀片寬度8mm安裝在Leica Biosystems公司製RM2265上，將速度設為控制器刻度1，將嚙合量設為0.25μm～1μm進行切削而得到了剖面。藉由SEM（Hitachi High-Tech Corporation製SU8220）觀察了該剖面。樣品藉由Pt蒸鍍進行導電處理，工作距離設為8mm。觀察條件設為SE像（上）、加速電壓：0.5kV，藉由聚焦調整和像散調整產生清晰的圖像，在高分子複合壓電體部成為畫面整體之狀態下執行了自動亮度調整（自動設定 亮度：0、對比度：0）。攝影的倍率設為兩端的電極收容在一個畫面，且電極間的寬度成為畫面的一半以上之倍率。圖像的二值化使用圖像分析軟體ImageJ，Threshold下限設為保護層不著色之最大值，Threshold上限設為設定值最大255。將電極之間著色之部位的面積定義為空隙的面積作為分子，將縱向寬度作為電極之間、橫向寬度作為SEM圖像的兩端之高分子複合壓電體的面積作為分母，計算了空隙在高分子複合壓電體部的面積中所佔之面積比率。將該處理在任意10個剖面上進行，並將面積比率的平均值作為高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率來進行計算。其結果，高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率為1.2%。

＜溶劑的含量的測量＞ 從所製作之壓電薄膜切出樣品，藉由以下方法測量了高分子複合壓電體中的SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質（溶劑）的含量。 從高分子複合壓電體將樣品切成8×8mm見方的一部分，使用氣相層析裝置（Shimadzu Corporation製 GC-12A），測量了環己酮的含量。管柱使用Shimadzu Corporation製221-14368-11，填充劑使用Shinwa Chemical Industries Ltd.製Chromosorb101。試樣氣化室及檢測器溫度設為200℃，管柱溫度設為160℃恆定，使用0.4MPa的氦氣作為載氣進行了測量。藉由將所得到之環己酮的質量除以樣品中的高分子複合壓電體淨質量來計算了其質量比。其結果，高分子複合壓電體中的SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質（溶劑）的含量為520ppm。

[實施例2～6] 將成為壓電體層之塗料的混合方法及乾燥條件分別變更為下述表1所示之條件，除此以外，與實施例1同樣地製作了壓電薄膜。

[實施例7] 代替環己酮而使用二甲基甲醯胺（DMF）（SP值：12.1（cal/cm³ ）^1/2 ）作為成為壓電體層之塗料中所含之溶劑，除此以外，與實施例1同樣地製作了壓電薄膜。

[實施例8] 代替環己酮而使用甲基乙基酮（MEK）（SP值：9.3（cal/cm³ ）^1/2 ）作為成為壓電體層之塗料中所含之溶劑，並且將塗料的乾燥條件變更為下述表1所示之條件，除此以外，與實施例1同樣地製作了壓電薄膜。

[比較例1] 不實施成為壓電體層之塗料的混合，將乾燥條件變更為下述表1所示之條件，除此以外，與實施例1同樣地製作了壓電薄膜。

[比較例2] 將成為壓電體層之塗料的乾燥條件變更為下述表1所示之條件，除此以外，與實施例1同樣地製作了壓電薄膜。

[比較例3] 將成為壓電體層之塗料的混合方法及乾燥條件變更為下述表1所示之條件，除此以外，與實施例1同樣地製作了壓電薄膜。

[評價] 對所製作之壓電薄膜的溫度循環試驗前後的轉換效率的變化進行了評價。

首先，將剛製作之壓電薄膜組裝到壓電揚聲器中，評價了揚聲器性能。 具體而言，從所製作之壓電薄膜切出φ150mm的圓形試驗片。將該試驗片固定為覆蓋內徑138mm、深度9mm的塑膠製的圓形外殼的開口面，並將外殼內部的壓力維持在1.02氣壓。藉此，使轉換薄膜如隱形眼鏡那樣撓曲成凸型而作為壓電揚聲器。 如此，藉由使用恆流型功率放大器之正弦波掃描測量來測量了所製作之壓電揚聲器的聲壓級-頻率特性。另外，計測用微音器配置於壓電揚聲器的中心的正上方10cm的位置。

接下來，從壓電揚聲器卸下壓電薄膜，按照JISC60068-2-14進行了溫度循環試驗。在溫度85℃下加熱乾燥時間10分鐘後，在溫度-33℃下冷卻乾燥時間10分鐘。重複該加熱及冷卻5次。

在溫度循環試驗之後，再次將壓電薄膜組裝到壓電揚聲器中，藉由上述方法測量了壓電揚聲器的聲壓級-頻率特性。 求出溫度循環試驗後的壓電揚聲器的轉換效率相對於剛製作後（溫度循環試驗前）的壓電揚聲器的轉換效率的比率，按照以下基準進行了評價。 A：95%以上。 B：90%以上且小於95%。 C：小於90%。 將結果示於表1中。

[表1]

	製作條件	高分子複合壓電體	評價
線混合	乾燥	溶劑	空隙	轉換效率的比率
流量 [kg/min]	通過數 [次]	溫度 [℃]	時間 [分]	種類	含量 [ppm]	面積率 [%]
實施例1	5	2	100	60	環己酮	520	1.2	A
實施例2	5	4	100	30	環己酮	620	0.1	A
實施例3	4	1	100	30	環己酮	650	6.9	B
實施例4	3	1	100	30	環己酮	660	19.3	B
實施例5	5	2	80	30	環己酮	2170	3.2	A
實施例6	5	2	60	10	環己酮	9780	4.7	A
實施例7	5	2	100	60	DMF	510	2.8	A
實施例8	5	2	25	60	MEK	510	0.9	A
比較例1	-	-	100	30	環己酮	670	25.6	C
比較例2	5	2	45	10	環己酮	12450	5.6	C
比較例3	5	8	100	30	環己酮	600	0.05	C

由表1可知，本發明的實施例1～8與比較例相比，溫度循環試驗後的壓電揚聲器的轉換效率的降低小。 在比較例1中，高分子複合壓電體的剖面上的空隙的面積率大於20%，因此認為藉由乾燥溶劑蒸發，產生空隙，壓電體粒子與基質的界面剝離，轉換效率降低。 在比較例2中，溶劑的含量大於10000ppm，因此認為藉由乾燥溶劑蒸發，產生空隙，壓電體粒子與基質的界面剝離，轉換效率降低。 在比較例3中，空隙的面積率小於0.1%，因此認為乾燥時的溶劑的去除路徑消失，發生膨脹、龜裂，轉換效率降低。 又，從實施例1～4的對比可知，空隙的面積率係0.1%以上且小於5%為較佳。 如上所述，本發明的效果明顯。 [產業上之可利用性]

能夠較佳地利用於揚聲器及微音器等音頻設備以及壓力感測器等各種用途。

10、10L:壓電薄膜 10a、10c:片狀物 10b:積層體 12:振動板 14、56、60:積層壓電元件 16、19:貼附層 20:壓電體層 24:下部電極 26:上部電極 28:下部保護層 30:上部保護層 34:基質 35:空隙 36:壓電體粒子 43:外殼 45:壓電揚聲器 45a:立起部 46:黏彈性支撐體 48:框體 50:電聲轉換器 58:芯棒 PS:電源

圖1係具有本發明的高分子複合壓電體之壓電薄膜的一例的概念圖。 圖2係用於說明壓電薄膜的製作方法的一例的概念圖。 圖3係用於說明壓電薄膜的製作方法的一例的概念圖。 圖4係用於說明壓電薄膜的製作方法的一例的概念圖。 圖5係使用圖1所示之壓電薄膜之壓電揚聲器的一例的概念圖。 圖6係使用積層壓電薄膜而成之積層壓電元件之電聲轉換器的一例的概念圖。 圖7係積層壓電元件的另一例的概念圖。 圖8係積層壓電元件的另一例的概念圖。

10:壓電薄膜

20:壓電體層

24:下部電極

26:上部電極

28:下部保護層

30:上部保護層

34:基質

35:空隙

36:壓電體粒子

Claims (9)

1. 一種高分子複合壓電體，其係在含有高分子材料之基質中含有壓電體粒子， 前述高分子複合壓電體含有以質量比計大於500ppm且10000ppm以下的、SP值小於12.5（cal/cm³ ）^1/2 且在常溫下為液體的物質， 在前述高分子複合壓電體內形成有空隙， 前述高分子複合壓電體的剖面上的前述空隙的面積率為0.1%以上且20%以下。
2. 如請求項1所述之高分子複合壓電體，其中 前述空隙的面積率為0.1%以上且小於5%。
3. 如請求項1或請求項2所述之高分子複合壓電體，其中 前述高分子複合壓電體在厚度方向上被極化。
4. 如請求項1或請求項2所述之高分子複合壓電體，其係在壓電特性上不具有面內各向異性。
5. 如請求項1或請求項2所述之高分子複合壓電體，其中 前述物質的含量大於500ppm且1000ppm以下。
6. 如請求項1或請求項2所述之高分子複合壓電體，其中 前述高分子材料在常溫下具有黏彈性。
7. 如請求項1或請求項2所述之高分子複合壓電體，其中 前述物質係選自包括甲基乙基酮、二甲基甲醯胺、環己酮、丙酮、環己烷、乙腈、1-丙醇、2-丙醇、2-甲氧基醇、二丙酮醇、二甲基乙醯胺、苯甲醇、正己烷、甲苯、鄰二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二乙基醚、四氫呋喃之群組中之至少一個。
8. 一種壓電薄膜，其係具有： 如請求項1或請求項2所述之高分子複合壓電體；及 電極層，形成於前述高分子複合壓電體的兩面。
9. 如請求項8所述之壓電薄膜，其係具有： 保護層，積層於前述電極層的與前述高分子複合壓電體側的表面相反的一側的表面。

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