TW202043125A - 加工裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]一面抑制裝置之大型化，一面提高推壓被加工物之外圍部分的推壓力。 [解決手段]藉由較在保持面(300)的晶圓(W)更外側的部分(300a)，和第1環狀墊圈(87)之外壁，和平板(83)之下面(83a)，第2環狀墊圈(88)之內壁，形成密室之環狀空間(S)。而且，藉由使用保持面(300)之吸引力而使環狀空間(S)成為負壓，藉由大氣壓將平板(83)朝向保持面(300)推壓，同時藉由第1環狀墊圈(87)將晶圓(W)之外圍部分推壓至保持面(300)。因利用保持面(300)之吸引力及大氣壓，將晶圓(W)之外圍部分推壓至保持面(300)，故可以一面抑制裝置之大型化及重量化，一面低成本且容易地提高將晶圓(W)之外圍部分推壓至保持面(300)的推壓力。

Description

加工裝置
本發眀係關於加工裝置。
一般而言，在研削被加工物之研削裝置中，被加工物被搬運至挾盤載置台，被載置於其保持面之後，藉由保持面與吸引源連通，吸引保持被加工物。藉由挾盤載置台之保持面被保持的被加工物藉由研削磨石被研削。用以搬運被加工物之搬運裝置被揭示於例如專利文獻1。
在上述般之研削裝置中，也有研削外圍部分反翹之被加工物的情形。在此情況，在藉由保持面吸引保持被加工物之時，有在保持面和被加工物之下面之間產生間隙，應作用於被加工物之保持面的吸引力從該間隙洩漏之情形。在此情況，難以藉由保持面吸引保持被加工物。
作為其對策，在專利文獻2揭示將被加工物搬運至挾盤載置台之保持面的搬運裝置。該搬運裝置具備吸引保持被加工物之中央部分的吸引保持部，和推壓被加工物之外圍部分的推壓部。該推壓部係將被加工物之外圍部分推壓至保持面。依此，縮小保持面和被加工物之外圍部分之下面之間的間隙。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-294588號公報 [專利文獻2]日本特開2015-098073號公報
[發明所欲解決之問題]
但是，在晶圓之外圍部分之反翹力強之情況，在藉由搬運裝置僅推壓被加工物之外圍部分時，有保持面和被加工面之外圍部分之下面之間的間隙不會變得十分小，而作用於被加工物之保持面的吸引力洩漏之情形。
作為其對策，可考慮提高推壓被加工物之外周部分的推壓力之強度。但是，因為了提高推壓力之強度，需要使用以驅動搬運裝置之驅動裝置(馬達)大型化，或者使搬運裝置大型化，故較不經濟。
依此，本發明之目的係提供可以邊抑制裝置之大型化，邊提高推壓被加工物之外圍部分的推壓力的加工裝置。 [用以解決問題之技術手段]
當藉由本發明時，提供一種加工裝置，具備：挾盤載置台，其具有保持圓板狀之被加工物的保持面；加工手段，其係加工被保持於該挾盤載置台之該保持面的被加工物；暫時放置手段，其係暫時放置該被加工物；搬運機構，其係將被暫時放置於該暫時放置手段之被加工物搬運至該挾盤載置台；及控制手段，該搬運機構包含：吸引墊，其具有吸引保持被加工物之中央部分的吸引面；平板，其係以在垂直於該吸引面之方向升降自如之方式，在中央支持該吸引墊；圓環狀之第1環狀墊圈，其在該平板之下面，以該下面之中心為中心而配設；圓環狀之第2環狀墊圈，其係在該平板之下面的該第1環狀墊圈之外側，被配設成與該第1環狀墊圈呈同心圓狀；臂部，其具有支持該平板的支持部；及升降手段，其係使該臂部在垂直於該吸引墊之該吸引面的方向升降；該控制手段包含:第1控制部，其係藉由在該吸引墊吸引保持被暫時放置於該暫時放置手段之被加工物之狀態，控制該升降手段使該平板與該臂部同時從該保持面之上方下降，使被加工物接觸於該保持面，使該第1環狀墊圈接觸於被加工物之外圍部分之上面，並且藉由使該第2環狀墊圈接觸於較該保持面中之被加工物更外側，而藉由較該保持面中之被加工物更外側的部分，和該第1環狀墊圈之外壁，和該平板之下面，和該第2環狀墊圈之內壁，形成密室之環狀空間；第2控制部，其係在上述環狀空間被設為密室之狀態，開啟被配設在將該保持面與吸引源連通之吸引路的吸引閥，藉由該環狀空間成為負壓，依據大氣壓將該平板朝向該保持面推壓，同時藉由該第1環狀墊圈將被加工物之外圍部分推壓至該保持面，使被加工物吸附保持於該保持面；及第3控制部，其係使被加工物吸引保持於該保持面之後，開啟被配設在連通該吸引墊之該吸引面和氣體供給源的氣體供給路之氣閥，使被加工物從該吸引面分離，該支持部具備開關閥，該開關閥係在該平板與該臂部同時下降而形成密室之該環狀空間，另一方面形成該密室之環狀空間之狀態，該臂部上升而使該環狀空間向大氣開放。 [發明之效果]
在本發明之加工裝置中，利用保持面之吸引力及大氣壓，將被加工物之外圍部分推壓至保持面。依此，可以一面抑制裝置之大型化及重量化，一面低成本且容易地提高將被加工物之外圍部分推壓至保持面的推壓力。
再者，在本發明之加工裝置中，因利用保持面之吸引力及大氣壓，故即使在配合加工手段而改變保持面之傾斜之情況，亦可以仿照保持面而推壓被加工物。因此，可以藉由保持面容易地吸引保持被加工物。
圖1所示之研削裝置1係被構成對作為圓板狀之被加工物之一例的晶圓W，以全自動實施包含搬入處理、研削加工、洗淨處理及搬出處理的一連串作業。
圖1所示之晶圓W為例如圓形之半導體晶圓。在圖1中，朝向下方的晶圓W之表面Wa保持複數之裝置，藉由黏貼保持膠帶T而被保護。晶圓W之背面Wb成為被施予研削加工的被加工面。
研削裝置1具備略矩形的第1裝置基座11、被連結於第1裝置基座11之後方(+Y方向側)的第2裝置基座12、在朝上方延伸的柱體13，以及覆蓋第1裝置基座11及第2裝置基座12的框體14。
在第1裝置基座11之正面側(-Y方向側)，設置第1卡匣台151及第2卡匣台152。在第1卡匣台151載置收容加工前之晶圓W的第1卡匣151a。在第2卡匣台152載置收容加工後之晶圓W的第2卡匣152a。
第1卡匣151a及第2卡匣152a在內部具備複數棚架，每一棚架各收容一片晶圓W。
第1卡匣151a之開口(無圖示)朝向+Y方向側。在該開口之+Y方向側配設機器人155。機器人155係將加工後之晶圓W搬入至第2卡匣152a。再者，機器人155係將加工前之晶圓W從第1卡匣151a搬出，載置於暫時放置台153a。
暫時放置台153a為暫時放置手段之一例，被設置在與機器人155鄰接的位置。在暫時放置台153a配設位置對準手段153b。位置對準手段153b係使用縮徑的位置對準銷，將被載置於暫時放置台153a之晶圓W位置對準於特定的位置(中心對準)。
在與暫時放置台153a鄰接的位置，設置有搬入機構31。搬入機構31相當於搬運機構之一例。搬入機構31係吸引保持被暫時放置於暫時放置台153a之晶圓W，而搬運至挾盤載置台30，載置於其保持面300。
挾盤載置台30具備吸附晶圓W之保持面300。保持面300與吸引源連通，經由保護膠帶T吸引保持晶圓W。挾盤載置台30係在保持面300保持晶圓W之狀態，能在通過保持面300之中心的沿Z軸方向延伸之中心軸旋轉。
挾盤載置台30之周圍藉由蓋部39被包圍。該蓋部39連結在Y軸方向伸縮的蛇腹罩39a。而且，在蓋部39及蛇腹罩39a之下方，配設無圖示之Y軸方向移動手段。挾盤載置台30藉由該Y軸方向移動手段，能夠在Y軸方向返往移動。
在第2裝置基座12上之後方(+Y方向側)豎立設置柱體13。在柱體13之前面，設置研削晶圓W之研削單元7，及使研削單元7在作為研削進給方向的Z軸方向移動的研削進給機構2。
研削進給機構2具備在與Z軸方向平行的一對Z軸導軌21、在該Z軸導軌21上滑動的Z軸移動台23、與Z軸導軌21平行的Z軸滾珠螺桿20、Z軸伺服馬達22及被安裝於Z軸移動台23之前面(表面)的保持具24。保持具24保持研削單元7。
Z軸移動台23以能夠滑動之方式被設置在Z軸導軌21。無圖示之螺帽部被固定於Z軸移動台23之後面側(背面側)。在該螺帽部被螺合Z軸滾珠螺桿20。Z軸伺服馬達22被連結於Z軸滾珠螺桿20之一端部。
在研削進給機構2中，藉由Z軸伺服馬達22使Z軸滾珠螺桿20旋轉，Z軸移動台23沿著Z軸導軌21，在Z軸方向移動。依此，被安裝於Z軸移動台23之保持具24，及被保持於保持具24之研削單元7也與Z軸移動台23同時在Z軸方向移動。
研削單元7相當於加工手段之一例。研削單元7具備被固定於保持具24之轉軸殼71、能夠旋轉地被保持於轉軸殼71之轉軸70、旋轉驅動轉軸70之馬達72、被安裝於轉軸70之下端的滾輪支架73，及被支持於滾輪支架73的研削輪74。
轉軸殼71係以在Z軸方向延伸之方式被保持於保持具24。轉軸70係以與挾盤載置台30之保持面300正交之方式，在Z軸方向延伸，以能夠旋轉之方式被支持於轉軸殼71。
馬達72被連結於轉軸70之上端側。藉由該馬達72，轉軸70係以在Z軸方向延伸之旋轉軸為中心旋轉。滾輪支架73被形成圓板狀，被固定於轉軸70之下端(前端)。滾輪支架73支持研削輪74。
研削輪74被形成與滾輪支架73具有略相同直徑。研削輪74包含從不鏽鋼等之金屬材料形成的圓環狀之滾輪基台(環狀基台)740。在滾輪基台740之下面，涵蓋全周，固定被配置成環狀之複數研削磨石741。研削磨石741研削被保持於挾盤載置台30之晶圓W之背面Wb。
在與挾盤載置台30鄰接之位置，配設厚度測定器38。厚度測定器38可以在研削中，以例如接觸式測定晶圓W之厚度。
研削後之晶圓W藉由搬出機構36被搬出。搬出機構36係吸引保持被載置於挾盤載置台30之研削加工後之晶圓W，從挾盤載置台30搬出，搬運至單片式之旋轉洗淨單元26之旋轉台27。
旋轉洗淨單元26具備保持晶圓W之旋轉台27，及朝向旋轉台27噴射洗淨水及乾燥氣體的各種噴嘴(無圖示)。
在旋轉洗淨單元26中，保持晶圓W之旋轉台27下降至第1裝置基座11內。而且，在第1裝置基座11內，朝向晶圓W之背面Wb噴射洗淨水，背面Wb被旋轉洗淨。之後，晶圓W被噴吹乾燥氣體，晶圓W被乾燥。
藉由旋轉洗淨單元26被洗淨的晶圓W藉由機器人155被搬入至第2卡匣152a。
再者，在框體14的-Y側之側面，設置觸控面板40。在觸控面板40顯示研削裝置1之加工狀況，及與藉由研削裝置1對晶圓W進行之加工有關的加工條件等之各種資訊。再者，觸控面板40也被用於輸入加工條件等之各種資訊。如此一來，觸控面板40作為用以輸入資訊之輸入手段而發揮功能，也作為用以顯示被輸入之資訊的顯示手段而發揮功能。
再者，研削裝置1在框體14之內部具備控制研削裝置1之各構成要素的控制手段3。控制手段3控制上述研削裝置1之各構成要素，對晶圓W實施作業者期待的加工。再者，控制手段3控制藉由搬入機構31對挾盤載置台30之保持面300進行晶圓W的搬運處理。
以下，針對研削裝置1之特徵性構成亦即搬入機構31予以說明。如圖2所示般，搬入機構31具備具有吸引面82的吸引墊81、支持吸引墊81的平板83、支持平板83的支持部84、具有支持部84之臂部85，及使臂部85升降之升降手段86。
而且，搬入機構31係在平板83之下面83a，具備以下面83a之中心為中心而被配設的圓環狀之第1環狀墊圈87，及在平板83之下面83a的第1環狀墊圈87之外側，被配設成與第1環狀墊圈87呈同心圓狀的圓環狀之第2環狀墊圈88。
吸引墊81之吸引面82係用於吸引保持晶圓W之中央部分。吸引墊81被設置在軸桿80之下端。
軸桿80係在垂直於吸引墊81之吸引面82的方向升降自如地貫通平板83之中央。因此，平板83係經由軸桿80在垂直於吸引墊81之吸引面82之方向升降自如地支持吸引墊81。
再者，軸桿80係在平板83之上方，也以在垂直於吸引面82的方向升降自如之方式貫通臂部85。
在軸桿80之臂部85穿過臂部85之上端，設置有較軸桿80粗的外徑的上端板93。藉由該上端板93，抑制軸桿80從臂部85朝下方脫落之情形。
再者，在軸桿80之略中央部，設置具有較軸桿80粗的外徑的固定板94。固定板94在臂部85之下面85a和平板83之上面83b之間，被軸桿80貫通。而且，在固定板94之上面和臂部85之下面85a之間，配設線圈彈簧95。線圈彈簧95成為能夠在軸桿80之延伸方向，即是在垂直於吸引墊81之吸引面82之方向伸縮。
在軸桿80之中央設置有連接軸桿80之上端和吸引墊81之貫通路80a。貫通路80a係經由上端板93之開口93a，和被設置在連通路193之氣閥191及吸引閥192中之任一者，而能夠與氣體供給源91及吸引源92中之任一者連通。連通路193相當於氣體供給路之一例。
在支持軸桿80之平板83，於其下面83a，具備上述圓環狀的第1環狀墊圈87，及被配設成與第1環狀墊圈87呈同心圓狀之圓環狀的第2環狀墊圈88。而且，在平板83之內部設置平板連通路96。平板連通路96係將在平板83之下面83a之第1環狀墊圈87和第2環狀墊圈88之間與平板83之上面83b連通。
在平板83之下面83a之第1環狀墊圈87和第2環狀墊圈88之間，設置在平板連通路96之下面83a側之開口部亦即下面開口部96a。
再者，在平板83之上面83b，設置在平板連通路96之上面83b側之開口部亦即上面開口部96b。
臂部85在其下面85a具備支持平板83的支持部84。支持部84在其下端具備開關閥97，該開關閥97具有較支持部84粗的直徑。該開關閥97係被收容在平板83之平板連通路96被擴張，且在能夠在上下方向移動的空間96c內。
開關閥97係以能夠在特定範圍於上下方向移動，另一方面不會從平板連通路96脫落之方式被安裝。藉由該開關閥97，支持部84能夠支持平板83。
再者，開關閥97係在相對於平板83朝下方向被移動之情況，抵接於空間96c之底部，封閉平板連通路96(堵住)。另外，開關閥97係在相對於平板83朝上方向被移動之情況，抵接於空間96c之上部，開放平板連通路96。
具有設置有如此的開關閥97之支持部84的臂部85，成為能夠使平板83在水平方向(與吸引墊81之吸引面82平行之方向)移動。再者，臂部85能夠藉由升降手段86與平板83同時朝上下方向被移動。即是，升降手段86能夠使臂部85與平板83同時在垂直於吸引墊81之吸引面82之方向移動。
具有如此之構成的搬入機構31如上述般吸引保持被暫時放置於暫時放置台153a之晶圓W，載置於挾盤載置台30之保持面300。如此之搬入機構31之動作係藉由具有圖1所示之第1控制部51、第2控制部52及第3控制部53的控制手段3而被控制。
以下，針對控制手段3之控制所致的搬入機構31之動作予以說明。另外，在本實施型態中，晶圓W如圖2所示般，背面Wb彎曲成凹陷，外圍部分反翹。
如圖2所示般，控制手段3係控制搬入機構31之臂部85及升降手段86，在暫時放置台153a之上方配置平板83。而且，控制手段3係控制升降手段86，使平板83下降，而使被支持於平板83之軸桿80之下端之吸引墊81中的吸引面82抵接於晶圓W之中央。
而且，控制手段3係關閉氣閥191，另一方面開放吸引閥192而使吸引墊81之吸引面82連通於吸引源92。依此，如圖3所示般，晶圓W係藉由搬入機構31之吸引墊81被吸引保持，從暫時放置台153a分離。
在該狀態，控制手段3之第1控制部51係控制臂部85及升降手段86，在挾盤載置台30之保持面300之上方，配置平板83。而且，第1控制部51係控制升降手段86而使平板83與臂部85同時從保持面300之上方下降。依此，第1控制部51如圖4所示般，使晶圓W之中央部分接觸於保持面300。
而且，第1控制部51係控制升降手段86而使平板83與臂部85同時朝向保持面300下降而予以推壓。依此，如圖5所示般，被配置在固定板94之上面和臂部85之下面85a之間的線圈彈簧95收縮。而且，被設置在平板83之下面83a的第1環狀墊圈87接觸於晶圓W之反翹之外圍部分的上面，同時第2環狀墊圈88較在保持面300的晶圓W更接觸於外側。
如此一來，第1控制部51係如圖5所示般，藉由較在保持面300的晶圓W更外側的部分300a，和第1環狀墊圈87之外壁，和平板83之下面83a，第2環狀墊圈88之內壁，形成環狀空間S。
再者，此時，被設置在臂部85之支持部84之前端的開關閥97抵接於平板83之平板連通路96中的空間96c之底部，封閉平板連通路96(堵住)。依此，上述環狀空間S成為密室。 如此一來，開關閥97被構成平板83與臂部85同時下降，而形成密室之環狀空間S。
再者，如圖5所示般，保持面300經由吸引路303及吸引閥302被連接於吸引源301。
而且，第2控制部52係在環狀空間S成為密室的狀態，藉由開啟吸引閥302，將保持面300連通於吸引源301。如上述般，保持面300之一部分(較晶圓W更外側的部分300a)形成環狀空間S之一部分。因此，藉由使保持面300與吸引源301連通，保持面300之吸引力作用於環狀空間S，密室之環狀空間S內成為負壓。
其結果，藉由大氣壓，平板83朝向保持面300被推壓。因此，藉由平板83之第1環狀墊圈87，晶圓W之反翹的外圍部分被推壓至保持面300。依此，晶圓W被吸附保持於保持面300。
晶圓W被吸引保持於保持面300之後，控制手段3控制升降手段86，如圖6所示般，使臂部85上升。依此，被設置在臂部85之支持部84之前端的開關閥97抵接於平板83之平板連通路96中的空間96c之上部，開放平板連通路96。依此，環狀空間S之密室被破壞，而環狀空間S向大氣開放。如此一來，開關閥97被構成在形成有密室之環狀空間S的狀態，臂部85上升，而環狀空間S向大氣開放。
另外，作為藉由開關閥97在空間96c內朝上方向移動，開放平板連通路96之構成，如圖5、圖6及放大開關閥97之附近而表示的圖8所示般，具備開關閥97從空間96c之底部離開之時連接空間96c和平板83之上面83b的平板連接部97a。或是，如圖9、圖10及放大開關閥97之附近而表示的圖11所示般，具備閥連接路97b，其係以開關閥97從空間96c之底部分離而開關閥97接觸於空間96c之上部之時，平板連通路96被開放之方式，被配設在開關閥97之內部，連接開關閥97之上下面。
之後，控制手段3控制升降手段86，進一步使臂部85上升。依此，如圖7所示般，被配置在固定板94之上面和臂部85之下面85a之間的線圈彈簧95伸長。
而且，被設置在平板83之下面83a的第1環狀墊圈87從晶圓W之外圍部分之上面離開，同時第2環狀墊圈88從保持面300離開。
之後，控制手段3之第3控制部53關閉被配設在連通路193之吸引閥192，同時開啟氣閥191。依此，吸引墊81之吸引面82和氣體供給源91被連通，氣體被供給至吸引面82。其結果，晶圓W從吸引面82分離。
如此一來，在研削裝置1中，第1控制部51係藉由較在保持面300的晶圓W更外側的部分300a，和第1環狀墊圈87之外壁，和平板83之下面83a，第2環狀墊圈88之內壁，形成密室之環狀空間S。而且，第2控制部52係藉由使用保持面300之吸引力而使環狀空間S成為負壓，藉由大氣壓將平板83朝向保持面300推壓，藉由第1環狀墊圈87將晶圓W之外圍部分推壓至保持面300。因此，即使晶圓W彎曲，亦可以將晶圓W適當地保持在保持面300。
再者，在研削裝置1中，利用保持面300之吸引力及大氣壓，將晶圓W之外圍部分推壓至保持面300。依此，可以一面抑制裝置之大型化及重量化，一面低成本且容易地提高將晶圓W之外圍部分推壓至保持面300的推壓力。
再者，在研削裝置1中，因利用保持面300之吸引力及大氣壓，故即使在配合研削單元7而改變保持面300之傾斜之情況，亦可以仿照保持面300而推壓晶圓W。因此，可以藉由保持面300容易地吸引保持晶圓W。
另外，在本實施型態中，作為具備搬入機構31之加工裝置之一例，表示研削裝置1。關於此，搬入機構31若為使被加工物吸附保持於挾盤載置台之保持面的類型的加工裝置時，亦可以適用於研磨裝置等之其他加工裝置。
1:研削裝置 7:研削單元 153a:暫時放置台 31:搬入機構 3:控制手段 51:第1控制部 52:第2控制部 53:第3控制部 80:軸桿 80a:貫通路 81:吸引墊 82:吸引面 83:平板 87:第1環狀墊圈 88:第2環狀墊圈 84:支持部 85:臂部 86:升降手段 91:氣體供給源 92:吸引源 96:連通路 96a:下面開口部 96c:空間 97:開關閥 97a:平板連接路 97b:閥連接路 30:挾盤載置台 300:保持面 301:吸引源 302:吸引閥 S:環狀空間 W:晶圓
[圖1]為表示研削裝置之構成的斜視圖。 [圖2]為表示搬入機構之構成的剖面圖。 [圖3]為表示藉由吸引墊保持晶圓之保持面之狀態的剖面圖。 [圖4]為表示晶圓被載置於挾盤載置台之保持面的狀態的剖面圖。 [圖5]為表示晶圓藉由保持面被吸附保持之狀態的剖面圖。 [圖6]為表示晶圓藉由保持面被吸附保持之後，臂部上升之狀態的剖面圖。 [圖7]為表示臂部上升而平板從挾盤載置台離開之狀態的剖面圖。 [圖8]為放大表示開關閥之附近的放大剖面圖。 [圖9]為表示用以藉由開關閥開關平板連通路之其他構成的剖面圖。 [圖10]為表示用以藉由開關閥開關平板連通路之其他構成的剖面圖。 [圖11]為放大表示開關閥之附近的放大剖面圖。
30:挾盤載置台
31:搬入機構
80:軸桿
81:吸引墊
83:平板
83a:平板之下面
84:支持部
85:臂部
85a:臂部之下面
86:升降手段
87:第1環狀墊圈
88:第2環狀墊圈
91:氣體供給源
92:吸引源
94:固定板
95:線圈彈簧
96:連通路
96b:上面開口部
96c:空間
97:開關閥
97a:平板連接路
191:氣閥
192:吸引閥
193:連通路
300:保持面
300a:外側的部分
301:吸引源
302:吸引閥
303:吸引路
S:環狀空間
W:晶圓

Claims (1)

  1. 一種加工裝置，具備: 挾盤載置台，其具有保持圓板狀之被加工物的保持面； 加工手段，其係加工被保持於該挾盤載置台之該保持面的被加工物； 暫時放置手段，其係暫時放置該被加工物； 搬運機構，其係將被暫時放置於該暫時放置手段之被加工物搬運至該挾盤載置台；及 控制手段， 該搬運機構包含： 吸引墊，其具有吸引保持被加工物之中央部分的吸引面； 平板，其係以在垂直於該吸引面之方向升降自如之方式，在中央支持該吸引墊； 圓環狀之第1環狀墊圈，其在該平板之下面，以該下面之中心為中心而配設； 圓環狀之第2環狀墊圈，其係在該平板之下面的該第1環狀墊圈之外側，被配設成與該第1環狀墊圈呈同心圓狀； 臂部，其具有支持該平板的支持部；及 升降手段，其係使該臂部在垂直於該吸引墊之該吸引面的方向升降； 該控制手段包含: 第1控制部，其係藉由在該吸引墊吸引保持被暫時放置於該暫時放置手段之被加工物之狀態，控制該升降手段使該平板與該臂部同時從該保持面之上方下降，使被加工物接觸於該保持面，使該第1環狀墊圈接觸於被加工物之外圍部分之上面，並且藉由使該第2環狀墊圈接觸於較該保持面中之被加工物更外側，而藉由較該保持面中之被加工物更外側的部分，和該第1環狀墊圈之外壁，和該平板之下面，和該第2環狀墊圈之內壁，形成密室之環狀空間； 第2控制部，其係在上述環狀空間被設為密室之狀態，開啟被配設在將該保持面與吸引源連通之吸引路的吸引閥，藉由該環狀空間成為負壓，依據大氣壓將該平板朝向該保持面推壓，同時藉由該第1環狀墊圈將被加工物之外圍部分推壓至該保持面，使被加工物吸附保持於該保持面；及 第3控制部，其係使被加工物吸引保持於該保持面之後，開啟被配設在連通該吸引墊之該吸引面和氣體供給源的氣體供給路之氣閥，使被加工物從該吸引面分離， 該支持部具備開關閥，該開關閥係在該平板與該臂部同時下降而形成密室之該環狀空間，另一方面形成該密室之環狀空間之狀態，該臂部上升而使該環狀空間向大氣開放。
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