TW202040597A - 薄膜積層體、及圖案化導電性膜之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可謀求薄型化且抑制尺寸變化之薄膜積層體、及圖案化導電性膜之製造方法。 薄膜積層體1係於厚度方向具備載體膜2及導電性膜3之薄膜積層體，導電性膜3於厚度方向具備透明基材7及透明導電層10，載體膜2具備保護基材4，透明基材7之厚度未達50 μm，保護基材4之熱收縮率為0.20%以下，保護基材4與導電性膜3之線熱膨脹係數差為40 ppm/℃以下，加熱剝離薄膜積層體1時之導電性膜3之熱收縮率為0.20%以下。

Description

薄膜積層體、及圖案化導電性膜之製造方法
本發明係關於一種薄膜積層體、及使用其之圖案化導電性膜之製造方法。
先前以來，已知有圖像顯示裝置具備導電性膜作為觸控面板用膜，該導電性膜係將包括銦錫複合氧化物(ITO)或金屬奈米線構成之導電層配置於透明基材上而成(例如，參照專利文獻1)。
此種導電性膜例如於將導電層圖案化為所需形狀之後，實施加熱處理，以使ITO結晶化或使金屬奈米線用黏合劑樹脂硬化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-71850號公報
[發明所欲解決之問題]
此外，已研究導電性膜使用薄膜基材作為透明基材，以進一步薄型化。如此，於加熱處理中，自消除搬送時之導電性膜之強度不足之觀點而言，已被圖案化之導電性膜必須於積層有載體膜之狀態下實施加熱。
然而，因載體膜與導電性膜之熱物性之差，存在導電性膜收縮，自圖案化最初導致圖案變化之不良狀況。
本發明提供一種可謀求薄型化且抑制圖案之尺寸變化之薄膜積層體、及使用其之圖案化導電性膜之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明[1]包含一種薄膜積層體，其於厚度方向具備載體膜及導電性膜，且上述導電性膜於厚度方向具備透明基材及導電層，上述載體膜具備保護基材，上述透明基材之厚度未達50 μm，上述保護基材之熱收縮率為0.20%以下，上述保護基材與上述導電性膜之線熱膨脹係數差為40 ppm/℃以下，加熱剝離上述薄膜積層體時之上述導電性膜之熱收縮率為0.20%以下。
本發明[2]包含[1]之薄膜積層體，其中上述透明基材係環烯烴系膜或聚酯系膜。
本發明[3]包含[1]或[2]之薄膜積層體，其中上述薄膜積層體被用於在將上述導電層圖案化之後實施加熱處理之步驟。
本發明[4]包含[3]之薄膜積層體，其中上述導電性膜進而具備配置於上述導電層之厚度方向之金屬層。
本發明[5]包含一種圖案化導電性膜之製造方法，其依次具備如下步驟：準備如[1]至[4]中任一項之薄膜積層體；將上述導電層圖案化；加熱上述薄膜積層體；以及將上述載體膜自上述薄膜積層體去除。 [發明之效果]
根據使用本發明之薄膜積層體之本發明之圖案化導電性膜之製造方法，可製造謀求薄型化且抑制尺寸變化之圖案化導電性膜。
於圖1A中，紙面上下方向係上下方向(厚度方向)，紙面上側係上側(厚度方向一側)，紙面下側係下側(厚度方向另一側)。又，於圖1A中，紙面左右方向及深度方向係與上下方向正交之面方向。具體而言，於圖1A中，紙面深度方向係第1方向(與厚度方向正交之方向、面方向第1方向)，紙面近前側係第1方向一側，紙面內側係第1方向另一側。於圖1A中，紙面左右方向係第2方向(與厚度方向及第1方向正交之方向、面方向第2方向)，紙面左側係第2方向一側，紙面右側係第2方向另一側。具體而言，依據各圖之方向箭頭。
＜第1實施形態＞ 以下，一面參照圖1～圖3一面對作為本發明之薄膜積層體之第1實施形態之薄膜積層體1進行說明。
1.薄膜積層體 如圖1A-B所示，薄膜積層體1形成為具有特定之厚度之膜形狀(包含片形狀)。薄膜積層體1於與上下方向(厚度方向)正交之面方向(第1方向及第2方向)延伸，且具有平坦之上表面(厚度方向一側之表面)及平坦之下表面(厚度方向另一側之表面)。薄膜積層體1例如係用以製作圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材等之一零件，即，並非圖像顯示裝置。即，薄膜積層體1係不包含LCD(liquid crystal display，液晶顯示裝置)模組等圖像顯示元件，以零件單獨流通，且產業上能夠利用之器件。
具體而言，薄膜積層體1具備載體膜2及配置於其上表面之導電性膜3。即，薄膜積層體1係導電性薄膜積層體，且自下方起依次具備載體膜2及導電性膜3。較佳為，薄膜積層體1包括載體膜2及導電性膜3。以下，對各構件進行詳細敍述。
2.載體膜 載體膜2形成為具有特定之厚度之膜形狀，於面方向(第1方向及第2方向)延伸，且具有平坦之上表面及平坦之下表面。載體膜2配置於薄膜積層體1之下側，具體而言，以接觸於導電性膜3之下表面之方式，配置於導電性膜3之下表面整個面。
載體膜2係能夠貼合於下述導電性膜3，且於加熱導電性膜3時用以抑制導電性膜3(即，圖案化導電性膜12)之尺寸變化之構件。又，載體膜2係用以保護導電性膜3免受搬送時、加熱時及/或保存時等所產生之傷影響之構件。載體膜2自下側支持導電性膜3。
具體而言，載體膜2具備保護基材4及配置於保護基材4之上表面之黏著劑層5。即，載體膜2自下方起依次具備保護基材4及黏著劑層5。較佳為，載體膜2包括保護基材4及黏著劑層5。
(保護基材) 保護基材4係用以抑制導電性膜3之尺寸變化之基材。又，保護基材4係確保載體膜2之機械性強度，保護導電性膜3免受搬送時、加熱時及/或保存時等所產生之傷影響之基材。
保護基材4具有膜形狀，配置於載體膜2之最下層。即，保護基材4係保護膜，配置於薄膜積層體1之最下層。
於保護基材4中，於第1方向(較佳為下述搬送方向：MD方向)及第2方向(較佳為下述寬度方向：TD方向)之任一者中，熱收縮率均為0.20%以下。只要熱收縮率為上述上限以下，則可抑制導電性膜3之尺寸變化。
具體而言，第1方向上之熱收縮率(A1 )、及第2方向上之熱收縮率(A2 )分別為0.20%以下，較佳為0.15%以下，更佳為0.10%以下，進而較佳為0.05%以下，尤佳為0.03%以下，且例如為-0.10%以上，較佳為0.00%以上。
保護基材4之熱收縮率係加熱至145℃之前後之室溫(25℃)中之熱收縮率。保護基材4之熱收縮率例如能以如下方式測定。將測定對象(保護基材4等)中之加熱前之室溫(25℃)之長度作為加熱前之長度進行測定。繼而，將測定對象以145℃加熱60分鐘之後，放冷至室溫(25℃)，將此時之長度作為加熱後之長度進行測定。繼而，使用數式「熱收縮率(%)＝(加熱前之長度－加熱後之長度)/(加熱前之長度)×100」進行計算。詳細情況將於實施例中進行敍述。
第1方向上之線熱膨脹係數(C1 )、及第2方向上之線熱膨脹係數(C2 )分別例如為20 ppm/℃以上，較佳為60 ppm/℃以上，又，例如，為100 ppm/℃以下。只要保護基材4之線熱膨脹係數為上述下限以上，則可確實地降低載體膜2與導電性膜3之線熱膨脹係數差，可更確實地抑制導電性膜3之尺寸變化。
保護基材4之線熱膨脹係數係25℃-150℃間之熱膨脹係數。線熱膨脹係數例如可藉由如下方法求出：使用熱分析裝置，以10℃/min之升溫速度使測定對象(保護基材4等)自25℃升溫至150℃，測定各溫度下之線熱膨脹係數之平均值。詳細情況將於實施例中進行敍述。
作為保護基材4，例如可例舉聚酯系膜、聚碳酸酯系膜、烯烴系膜(聚乙烯系膜、聚丙烯系膜、環烯烴系膜等)、丙烯酸系膜、聚醚碸系膜、聚芳酯系膜、三聚氰胺系膜、聚醯胺系膜、聚醯亞胺系膜、纖維素系膜、聚苯乙烯系膜。較佳可例舉環烯烴系膜、聚碳酸酯系膜、聚酯系膜，更佳為可例舉環烯烴系膜。
環烯烴系膜由環烯烴系樹脂形成。
環烯烴系樹脂係將環烯烴單體聚合而獲得，且於主鏈之重複單位中具有脂環結構之高分子。
作為環烯烴系樹脂，例如可例舉包含環烯烴單體之環烯烴均聚物、包含環烯烴單體與乙烯等烯烴等共聚物之環烯烴共聚物等。
作為環烯烴單體，例如，可例舉降𦯉烯、甲基降𦯉烯、二甲基降𦯉烯、亞乙基降𦯉烯、丁基降𦯉烯、二環戊二烯、二氫二環戊二烯、四環十二烯、三環戊二烯等多環式烯烴，例如，環丁烯、環戊烯、環辛二烯、環辛三烯等單環式烯烴等。該等環烯烴可單獨使用或2種以上併用。
聚碳酸酯系膜由聚碳酸酯系樹脂形成。
聚碳酸酯系樹脂係於主鏈之重複單位中具有碳酸酯鍵(碳酸酯基：O-CO-O-)之高分子。
作為聚碳酸酯系樹脂，例如，可例舉雙酚A聚碳酸酯等芳香族聚碳酸酯，例如，聚(碳酸丙二酯)等脂肪族聚碳酸酯等。
聚碳酸酯系膜亦可由含有聚碳酸酯系樹脂及其以外之樹脂(例如，聚烯烴、ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、聚酯等)之聚碳酸酯系樹脂混合物形成。
聚酯系膜由聚酯系樹脂形成。
聚酯系樹脂係含有多元羧酸及多元醇之單體成分之縮聚物。具體而言，作為聚酯系樹脂，例如可例舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸丙二酯等。作為聚酯系樹脂，較佳可例舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯，更佳為可例舉聚對苯二甲酸乙二酯。即，聚酯系膜較佳可例舉聚對苯二甲酸乙二酯膜。
保護基材4中，作為預處理，既可進行加熱處理，又，亦可不進行加熱處理。自減少處理步驟而提高生產效率之觀點而言，較佳為不需要作為預處理之加熱處理。
保護基材4之厚度例如為10 μm以上，較佳為20 μm以上，且例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下，更佳為80 μm以下。保護基材4之厚度例如可利用測微計式厚度計(三豐公司製造)測定。
(黏著劑層) 黏著劑層5係用以使載體膜2貼合於導電性膜3之層(感壓接著劑層)，且係於貼合後相對於導電性膜3容易剝離之層(易剝離層)。
黏著劑層5具有膜形狀，且以接觸於保護基材4之上表面之方式，配置於保護基材4之上表面整個面。具體而言，黏著劑層5以接觸於保護基材4之上表面及導電性膜3之下表面(具體而言，第1硬塗層6之下表面)之方式，配置於保護基材4與導電性膜3之間。詳細而言，黏著劑層5感壓接著於第1硬塗層6之下表面。
黏著劑層5由黏著劑組合物形成。
作為黏著劑組合物，例如，可例舉丙烯酸系黏著劑組合物、橡膠系黏著劑組合物、矽酮系黏著劑組合物、聚酯系黏著劑組合物、聚胺基甲酸酯系黏著劑組合物、聚醯胺系黏著劑組合物、環氧系黏著劑組合物、乙烯基烷基醚系黏著劑組合物、氟系黏著劑組合物等。該等黏著劑組合物可單獨使用或2種以上併用。
作為黏著劑組合物，自黏著性、剝離性等觀點而言，較佳可例舉丙烯酸系黏著劑組合物。
丙烯酸系黏著劑組合物例如含有將含(甲基)丙烯酸烷基酯之單體成分共聚合所得之丙烯酸系聚合體作為聚合物成分。
自黏著性、剝離性等觀點而言，丙烯酸系聚合體之重量平均分子量例如為1×105 以上，較佳為3×105 以上，且例如為2×106 以下，較佳為1×106 以下。
黏著劑組合物亦可適當含有交聯劑，進而含有黏著賦予樹脂、加工助劑、顏料、難燃劑、填充材、軟化劑、抗老化劑等公知之添加劑。
黏著劑層5之厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，且例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。黏著劑層5之厚度例如可利用測微計式厚度計(三豐公司製造)測定。
載體膜2之厚度例如為100 μm以上，較佳為150 μm以上，且例如為500 μm以下，較佳為250 μm以下。
3.導電性膜 導電性膜3形成為具有特定之厚度之膜形狀，於面方向延伸，且具有平坦之上表面及平坦之下表面。導電性膜3配置於薄膜積層體1之上側，具體而言，以接觸於載體膜2之上表面(具體而言，黏著劑層5)之方式，配置於載體膜2之上表面整個面。
導電性膜3例如係圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材等之一零件，即，並非圖像顯示裝置。即，導電性膜3係用以製作圖像顯示裝置等之零件，且係不包含LCD模組等圖像顯示元件，以零件單獨流通，且產業上能夠利用之器件。
導電性膜3具備透明基材7、配置於透明基材7之下表面之第1硬塗層6、配置於透明基材7之上表面之第2硬塗層8、配置於第2硬塗層8之上表面之光學調整層9、以及配置於光學調整層9之上表面之透明導電層10。即，導電性膜3係透明導電性膜，且自下方起依次具備第1硬塗層6、透明基材7、第2硬塗層8、光學調整層9及透明導電層10。較佳為，導電性膜3包含第1硬塗層6、透明基材7、第2硬塗層8、光學調整層9及透明導電層10。
(第1硬塗層) 第1硬塗層6係用以使導電性膜3不易產生擦傷之擦傷保護層。又，第1硬塗層6亦為抗黏連層，該抗黏連層於將複數個薄膜積層體1積層於上下方向之情形時等，用以對相互接觸之複數個導電性膜3之表面賦予耐黏連性。
第1硬塗層6具有膜形狀，且以接觸於黏著劑層5之上表面之方式，配置於黏著劑層5之上表面整個面。具體而言，第1硬塗層6以接觸於黏著劑層5之上表面及透明基材7之下表面之方式，配置於黏著劑層5與透明基材7之間。又，第1硬塗層6配置於導電性膜3之最下層。
第1硬塗層6係硬化樹脂層，由硬塗組合物形成。
第1硬塗層6之硬塗組合物含有樹脂，較佳為，含有樹脂及粒子。
作為樹脂，例如可例舉硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如，聚烯烴樹脂)等，較佳可例舉硬化性樹脂。
作為硬化性樹脂，例如可例舉藉由活性能量線(具體而言，紫外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂，例如，藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂等，較佳可例舉活性能量線硬化性樹脂。
活性能量線硬化性樹脂例如可例舉於分子中具有含聚合性碳-碳雙鍵之官能基之聚合物。作為此種官能基，例如，可例舉乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。
作為活性能量線硬化性樹脂，具體而言，例如可例舉丙烯酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外線硬化性樹脂。
又，作為活性能量線硬化性樹脂以外之硬化性樹脂，例如可例舉胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等熱硬化性樹脂。
樹脂可單獨使用或2種以上併用。
作為粒子，可例舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，例如，可例舉氧化矽粒子，例如包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等之金屬氧化物粒子，例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可例舉交聯丙烯酸樹脂粒子等。粒子可單獨使用或2種以上併用。
作為粒子，自透明性之觀點而言，較佳可例舉有機粒子，更佳為可例舉交聯丙烯酸樹脂粒子。
粒子之含有比率相對於樹脂100質量份，例如為0.01質量份以上，較佳為0.1質量份以上，且例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。
第1硬塗層6之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，且例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。只要第1硬塗層6之厚度為上述範圍內，則耐擦傷性、耐黏連性優異。各硬塗層之厚度例如可利用光譜式橢圓儀而測定。
(透明基材) 透明基材7係用以確保導電性膜3之機械強度之透明基材。即，透明基材7將透明導電層10與第1硬塗層6及第2硬塗層8一起支持。
透明基材7具有膜形狀，且以接觸於第1硬塗層6之上表面之方式，配置於第1硬塗層6之上表面整個面。具體而言，透明基材7以接觸於第1硬塗層6之上表面及第2硬塗層8之下表面之方式，配置於第1硬塗層6與第2硬塗層8之間。
透明基材7較佳為環烯烴系膜或聚酯系膜。藉此，若透明基材7為環烯烴系膜，則可降低導電性膜3之面內相位差，且透明性優異。又，可謀求更進一步之薄型化。另一方面，若透明基材7為聚酯系膜，則透明基材7可謀求機械強度，且謀求薄型化。
環烯烴系膜由環烯烴系樹脂形成。作為環烯烴系樹脂之材料，可例舉與上文之保護基材4中所述之環烯烴系樹脂之材料相同者。
聚酯系膜由聚酯系樹脂形成。作為聚酯系樹脂之材料，可例舉與上文之保護基材4中所述之聚酯系樹脂之材料相同者。較佳可例舉聚酯系膜聚對苯二甲酸乙二酯膜。
透明基材7之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為80%以上，較佳為85%以上。
就透明基材7，作為預處理，既可進行加熱處理，且亦可不進行加熱處理。較佳為使用被加熱處理之透明基材7。可降低透明基材7之熱收縮率，其結果，亦可降低加熱剝離後之導電性膜3之熱收縮率。
透明基材7之厚度未達50 μm，較佳為未達25 μm，更佳為未達20 μm，且例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上。若透明基材7之厚度未達上述上限，則謀求導電性膜3之薄型化，並且透明性優異。又，若透明基材7之厚度為上述下限以上，則機械性強度優異。
透明基材7之厚度例如可使用測微計式厚度計(三豐公司製造)測定。
(第2硬塗層) 第2硬塗層8係用以使導電性膜3不易產生擦傷之擦傷保護層。
第2硬塗層8具有膜形狀，且以接觸於透明基材7之上表面之方式，配置於透明基材7之上表面整個面。具體而言，第2硬塗層8以接觸於透明基材7之上表面及光學調整層9之下表面之方式，配置於透明基材7與光學調整層9之間。
第2硬塗層8係與第1硬塗層6相同之層，例如，可例舉與上文之第1硬塗層6中所述者相同之層者。
較佳為，第2硬塗層8之硬塗組合物含有樹脂，較佳為含有樹脂及粒子。
作為樹脂及粒子，可例舉與上述硬塗組合物之樹脂及粒子相同者。
自耐擦傷性之觀點而言，第2硬塗層8之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，且例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。
(光學調整層) 光學調整層9係調整導電性膜3之光學物性(例如折射率)以抑制透明導電層10中之圖案之視認且確保導電性膜3優異之透明性之層。
光學調整層9具有膜形狀，且以接觸於第2硬塗層8之上表面之方式，配置於第2硬塗層8之上表面整個面。具體而言，光學調整層9以接觸於第2硬塗層8之上表面及透明導電層10之下表面之方式，配置於第2硬塗層8與透明導電層10之間。
光學調整層9由光學調整用組合物形成。
光學調整用組合物含有樹脂，較佳為含有樹脂及粒子。
作為樹脂，例如，可例舉與硬塗組合物中所使用之樹脂相同者。較佳可例舉硬化性樹脂，更佳為可例舉活性能量線硬化性樹脂。
樹脂之含有比率於光學調整用組合物中，例如為10質量%以上，較佳為25質量%以上，且例如為95質量%以下，較佳為60質量%以下。
作為粒子，可根據光學調整層9所要求之折射率選擇較佳之材料，可例舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，例如可例舉氧化矽粒子，例如包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等之金屬氧化物粒子，例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可例舉交聯丙烯酸樹脂粒子等。粒子可單獨使用或2種以上併用。
作為粒子，較佳可例舉無機粒子，更佳為可例舉金屬氧化物粒子，進而較佳可例舉氧化鋯粒子。
粒子之含有比率相對於光學調整用組合物，例如為5質量%以上，較佳為40質量%以上，且例如為90質量%以下，較佳為75質量%以下。
光學調整層9之折射率例如為1.50以上，較佳為1.60以上，且例如為1.80以下，較佳為1.75以下。折射率例如可利用阿貝折射儀測定。
光學調整層9之厚度例如為50 nm以上，較佳為100 nm以上，且例如為800 nm以下，較佳為300 nm以下。光學調整層9之厚度例如可利用光譜式橢圓儀測定。
(透明導電層) 透明導電層10係用以於蝕刻等後續步驟中形成為電極圖案或配線圖案等所需圖案之透明之導電層。
透明導電層10具有膜形狀，且配置於導電性膜3之最上層。即，透明導電層10配置於薄膜積層體1之最上層。具體而言，透明導電層10以與光學調整層9之上表面接觸之方式，配置於光學調整層9之上表面整個面。
作為透明導電層10之材料，例如，可例舉包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。金屬氧化物中根據需要亦可進而摻雜上述群所示之金屬原子。
透明導電層10之材料較佳可例舉銦錫複合氧化物(ITO)等含銦之氧化物，例如銻錫複合氧化物(ATO)等含銻之氧化物等，更佳為可例舉含銦之氧化物，進而較佳可例舉ITO。若透明導電層10之材料為ITO，則透明導電層10可同時實現優異之透明性及導電性。
於使用ITO作為透明導電層10之材料之情形時，氧化錫(SnO2 )含量相對於氧化錫及氧化銦(In2 O3 )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為5質量%以上，且例如為50質量%以下，較佳為35質量%以下。
「ITO」只要係至少包含銦(In)與錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可包含除了該等以外之追加成分。作為追加成分，例如，可例舉In、Sn以外之金屬元素，具體而言，可例舉Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。
透明導電層10之厚度例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上，且例如為100 nm以下，較佳為35 nm以下。透明導電層10之厚度例如可利用光譜式橢圓儀測定。
透明導電層10亦可為結晶質及非晶質之任一者，於本發明中，透明導電層10較佳為包含非晶質，具體而言為非晶質ITO層。於本發明中，較佳為，於對非晶質之圖案化透明導電層11(下述)進行加熱而轉化為結晶質圖案化透明導電層16(下述)時，可抑制圖案化透明導電層11中之尺寸變化，尤其圖案之變形。
透明導電層10為結晶質或非晶質例如可藉由如下方法而判斷：於透明導電層10為ITO層之情形時，於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘之後，進行水洗、乾燥，測定15 mm左右之間之端子間電阻。於在鹽酸(20℃、濃度5質量%)中浸漬並進行水洗、乾燥後，15 mm間之端子間電阻為10 kΩ以下之情形時，ITO層為結晶質。另一方面，於15 mm間之端子間電阻超過10 kΩ之情形時，ITO層為非晶質。
導電性膜3之厚度例如為10 μm以上，較佳為25 μm以上，且例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下。
導電性膜3之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為80%以上，較佳為85%以上。
導電性膜3之熱收縮率較佳為0.60%以下。只要上述熱收縮率為上述上限以下，則可更進一步抑制圖案形成後之導電性膜3(即，圖案化透明導電性膜12)之尺寸變化。
具體而言，第1方向上之熱收縮率(B1 )、及第2方向上之熱收縮率(B2 )分別較佳為0.60%以下，更佳為0.30%以下，進而較佳為0.05%以下，且例如為-0.10%以上，較佳為0.00%以上。
導電性膜3之熱收縮率係加熱至145℃之前後之室溫(25℃)下之熱收縮率，例如，可與上述保護基材4之熱收縮率同樣地測定。
第1方向上之線熱膨脹係數(D1 )、及第2方向上之線熱膨脹係數(D2 )分別例如為60 ppm/℃以上，較佳為80 ppm/℃以上，且例如為150 ppm/℃以下。於薄膜積層體1中，可抑制具有此種較高之線熱膨脹係數之導電性膜3之尺寸變化。
導電性膜3之線熱膨脹係數係25℃-150℃間之熱膨脹係數，該線熱膨脹係數例如可與上述保護基材4之線熱膨脹係數同樣地測定。
4.薄膜積層體之製造方法 薄膜積層體1之製造方法(準備步驟)例如具備如下步驟：製作載體膜2；製作導電性膜3；以及將載體膜2及導電性膜3貼合。薄膜積層體1之製造方法較佳為藉由卷對卷方式實施。
(載體膜之製作) 為了製作載體膜2，首先，準備保護基材4。例如，於卷對卷方式之情形時，使用在搬送方向(MD方向)上為長條且捲繞成輥狀之保護基材4。再者，此時，將搬送方向設為第1方向，將與搬送方向正交之寬度方向(TD方向，正交方向)設為第2方向(參照圖2之左圖)。
根據需要，於準備保護基材4之後，對保護基材4實施加熱處理(退火處理)。加熱處理之條件與下述透明基材7之加熱處理相同。
繼而，藉由卷對卷方式，於保護基材4之上表面設置黏著劑層5。為了設置黏著劑層5，準備黏著劑層轉印膜，將黏著劑層5轉印至保護基材4。或者，於保護基材4之上表面塗佈黏著劑組合物並進行乾燥。
藉此，獲得具備保護基材4及黏著劑層5之載體膜2。
(導電性膜之製作) 為了製作導電性膜3，首先，準備透明基材7。例如，於卷對卷方式之情形時，使用在搬送方向上為長條且捲繞成輥狀之透明基材7。
根據需要，於準備透明基材7之後，對透明基材7實施加熱處理(退火處理)。藉此，可降低透明基材7之熱膨脹係數，其結果，可抑制圖案形成後之導電性膜3之尺寸變化。
加熱溫度例如為100℃以上，較佳為120℃以上，且例如為200℃以下，較佳為170℃以下。
加熱時間例如為5分鐘以上，較佳為10分鐘以上，且例如為120分鐘以下，較佳為60分鐘以下。
加熱處理時，既可對透明基材7施加張力，又，亦可不施加張力。自降低熱膨脹係數之觀點而言，較佳可例舉無張力。即，對捲繞成輥狀之透明基材7進行加熱處理。
繼而，於透明基材7之兩面，設置硬塗層(第1硬塗層6及第2硬塗層8)。例如，製備將硬塗組合物利用溶劑稀釋之稀釋液，將稀釋液塗佈於透明基材7之下表面及上表面，使稀釋液乾燥，根據需要使硬塗組合物硬化。藉此，於透明基材7之下表面形成第1硬塗層6，於透明基材7之上表面形成第2硬塗層8。
繼而，於第2硬塗層8之上表面設置光學調整層9。例如，製備將光學調整用組合物利用溶劑稀釋之稀釋液，將光學調整用組合物之稀釋液塗佈於第2硬塗層8之上表面，使稀釋液乾燥，使光學調整用組合物硬化。藉此，於第2硬塗層8之上表面形成光學調整層9。
繼而，於光學調整層9之上表面設置透明導電層10。例如，利用乾式方法，於光學調整層9之上表面形成透明導電層10。
作為乾式方法，例如可例舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳可例舉濺鍍法。可藉由該方法形成薄膜之透明導電層10。
藉此，獲得依次具備第1硬塗層6、透明基材7、第2硬塗層8、光學調整層9及透明導電層10之導電性膜3。該導電性膜3之透明導電層10係非圖案化透明導電層，較佳為非晶質。
(貼合) 為了將載體膜2及導電性膜3貼合，而使載體膜2之上表面接觸於導電性膜3之下表面。
具體而言，以第1硬塗層6接觸於黏著劑層5之方式，將導電性膜3配置於載體膜2。即，將保護基材4經由黏著劑層5感壓接著於導電性膜3。
藉此，獲得依次具備載體膜2、及導電性膜3之薄膜積層體1。薄膜積層體1之透明導電層10係非圖案化透明導電層，較佳為非晶質。例如，薄膜積層體1於卷對卷方式之情形時，如圖2之右圖所示，作為捲繞成輥狀之輥體獲得。
再者，薄膜積層體1亦可利用批次方式(單片方式)製造，於該情形時，例如，作為於第1方向及第2方向延伸之俯視大致矩形狀之一片或複數個片材獲得(參照圖1B)。
5.薄膜積層體 於薄膜積層體1中，保護基材4之線熱膨脹係數與導電性膜3之線熱膨脹係數之差即線熱膨脹係數差為40 ppm/℃以下。只要上述線熱膨脹係數差為上述上限以下，則可抑制圖案形成後之導電性膜3之尺寸變化。
具體而言，第1方向上之線熱膨脹係數差(D1 －C1 之絕對值)、及第2方向上之線熱膨脹係數差(D2 －C2 之絕對值)分別為40 ppm/℃以下，較佳為20 ppm/℃以下，更佳為15 ppm/℃以下，進而較佳為13 ppm/℃以下，尤佳為10 ppm/℃以下，又，為0 ppm/℃以上。
又，於將薄膜積層體1加熱及剝離時，加熱剝離後之導電性膜3相對於加熱剝離前之導電性膜3(即，加熱剝離前之薄膜積層體1)之熱收縮率為0.20%以下。藉此，可降低圖案形成後之導電性膜3之尺寸變化，抑制圖案之變形。
具體而言，第1方向上之熱收縮率、及第2方向上之熱收縮率分別為0.20%以下，較佳為0.10%以下，更佳為0.05%以下，且例如為-0.10%以上，較佳為0.00%以上。
上述薄膜積層體1之加熱剝離前後之熱收縮率例如可如下般進行測定。首先，將薄膜積層體1切斷為特定之大小，將其室溫(25℃)下之長度作為加熱前之長度進行測定。繼而，於加熱薄膜積層體1之後，放冷至室溫(25℃)，將剝離載體膜2時之導電性膜3之長度作為加熱後之長度進行測定。繼而，使用數式「熱收縮率(%)＝(加熱前之長度－加熱後之長度)/(加熱前之長度)×100」進行計算。詳細情況將於實施例中進行敍述。
再者，關於上述薄膜積層體1之加熱條件並不限定，根據下述ITO等透明導電層10之結晶化溫度或金屬奈米線層中所包含之黏合劑樹脂之硬化溫度而適當決定。具體而言，例如，溫度為100℃以上，較佳為120℃以上，且例如為200℃以下，較佳為160℃以下。時間例如為1分鐘以上，較佳為30分鐘以上，且例如為120分鐘以下，較佳為90分鐘以下。
根據該薄膜積層體1，由於導電性膜3之透明基材7未達50 μm，故而可使導電性膜3薄型化。另外，雖然導電性膜3為薄型，但是可抑制圖案化後之導電性膜3之尺寸變化。即，如下所述，於在薄膜積層體1之狀態下對導電性膜3蝕刻成所需圖案之後，加熱透明導電層10並剝離載體膜2之情形時，藉此獲得之已加熱之圖案化導電性膜14亦可維持所需圖案。因此，可將具有所需圖案之已加熱之圖案化導電性膜14組裝至圖像顯示裝置。
6.薄膜積層體之用途 薄膜積層體1例如用於圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材。具體而言，如參照圖3A-D般，對薄膜積層體1例如依次實施準備步驟、圖案化步驟、加熱步驟、及剝離步驟。藉由該等步驟獲得之已加熱之圖案化導電性膜14用於觸控面板用基材。以下，詳細敍述各步驟。
(準備步驟) 於準備步驟中，如圖3A所示，例如，藉由上述製造方法，準備薄膜積層體1。
(圖案化步驟) 於圖案化步驟中，如圖3B所示，將透明導電層10圖案化。
具體而言，以形成所需圖案(例如，觸控輸入區域中之電極圖案或配線圖案)之方式，藉由公知之蝕刻方法，對透明導電層10進行蝕刻。
藉此，由透明導電層10形成圖案化透明導電層11。
其結果，獲得具備載體膜2及圖案化導電性膜12之圖案化薄膜積層體13。
(加熱步驟) 於加熱步驟中，如圖3C所示，加熱圖案化薄膜積層體13。
具體而言，例如，於大氣下加熱圖案化薄膜積層體13。
加熱處理例如可使用紅外線加熱器、烘箱等實施。
加熱溫度例如為100℃以上，較佳為120℃以上，且例如為200℃以下，較佳為160℃以下。
加熱時間例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上，且例如為5小時以下，較佳為3小時以下。
此時，較佳為，不於圖案化薄膜積層體13之面方向施加張力。
藉此，獲得具備載體膜2及已加熱之圖案化導電性膜14之已加熱之圖案化薄膜積層體15。
於已加熱之圖案化導電性膜14中，圖案化透明導電層11被結晶化而成為結晶質圖案化透明導電層16。藉此，可降低透明導電層之電阻值，導電性優異。
(剝離步驟) 於剝離步驟中，如圖3C之假想線及圖3D所示，將載體膜2自已加熱之圖案化薄膜積層體13剝離(去除)。
具體而言，以黏著劑層5之上表面與第1硬塗層6之下表面相隔之方式，將載體膜2自已加熱之圖案化薄膜積層體13剝離。
藉此，如圖3D所示，單獨獲得依次具備第1硬塗層6、透明基材7、第2硬塗層8、光學調整層9、及結晶質圖案化透明導電層16之已加熱之圖案化導電性膜14。
加熱步驟及剝離步驟既可利用卷對卷方式實施，亦可利用批次方式實施。
已加熱之圖案化導電性膜14例如用於觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，例如，可例舉靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，尤佳地用於靜電電容方式之觸控面板。
於該已加熱之圖案化導電性膜14中，雖然透明基材7未達50 μm，為薄型，但是加熱前之薄膜積層體1之圖案化透明導電層11之圖案與已加熱之圖案化導電性膜14之結晶質圖案化透明導電層16之圖案的尺寸變化、進而形狀變化較小。因此，於已加熱之圖案化導電性膜14中，可維持與圖案化最初相同之所需圖案。
7.變化例 於變化例中，關於與上述一實施形態相同之構件，標註相同之參照符號，省略其詳細之說明。
(1)於圖1A所示之一實施形態中，透明導電層10係包含金屬氧化物之透明導電層，例如，雖然未圖示，透明導電層10亦可設為金屬奈米線層(包含金屬網層)。
金屬奈米線層含有金屬奈米線及黏合劑樹脂。
金屬奈米線係直徑為奈米尺寸(較佳為未達500 nm)之針狀或絲狀之金屬。作為構成金屬奈米線之金屬，較佳可例舉Au、Ag、Cu、Ni等導電性金屬，自導電性之觀點而言，較佳可例舉Au。
黏合劑樹脂只要為用以固定金屬奈米線之樹脂即可，並不限定，較佳可例舉熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等硬化性樹脂。此種黏合劑樹脂及比率等例如記載於日本專利特開2017-183195號公報等。
(2)於圖1A所示之一實施形態中，導電性膜3具備第1硬塗層6、第2硬塗層8及光學調整層9，例如，雖然未圖示，但導電性膜3亦可不具備第1硬塗層6、第2硬塗層8及光學調整層9之至少一層或全部。
又，例如，雖然未圖示，但是導電性膜3亦可於其下表面進而具備光學調整層9及透明導電層10之至少1層。
＜第2實施形態＞ 以下，一面參照圖4～圖5一面對作為本發明之薄膜積層體之第2實施形態之薄膜積層體1說明。再者，於第2實施形態中，對與上述第1實施形態相同之構件標註相同之符號，省略其說明。又，第1實施形態之變化例亦可同樣地應用於第2實施形態。又，第2實施形態除了特別記載以外，可發揮與第1實施形態相同之作用效果。
如圖4所示，第2實施形態之薄膜積層體1具備載體膜2及配置於其上表面之導電性膜3。
第2實施形態之導電性膜3進而具備配置於透明導電層10之上表面之金屬層17。具體而言，第2實施形態之導電性膜3自下方起依次具備第1硬塗層6、透明基材7、第2硬塗層8、光學調整層9、透明導電層10及金屬層17。即，第2實施形態之導電性膜3係具備透明導電性膜及金屬層17之附金屬層之導電性膜。
金屬層17係導電性金屬層，於後續步驟形成為所需圖案，例如用以形成觸控面板之觸控輸入區域之外側(外周)之外緣部(外周緣部)中之配線圖案(例如引繞配線)。
金屬層17具有膜形狀，配置於導電性膜3之最上層。即，金屬層17配置於薄膜積層體1之最上層。具體而言，金屬層17以與透明導電層10之上表面接觸之方式，配置於透明導電層10之上表面整個面。
作為金屬層17之材料，例如，可例舉銅、鎳、鉻、鐵、鈦、或其等之合金等金屬。自導電性等觀點而言，較佳可例舉銅。
再者，於金屬層17為銅等容易產生氧化之材料之情形時，金屬層17之表面亦可被氧化。具體而言，於金屬層17為銅層之情形時，金屬層17亦可為表面之一部分或全部具備氧化銅之銅層。
金屬層17之厚度例如為100 nm以上，較佳為150 nm以上，且例如為400 nm以下，較佳為300 nm以下。
金屬層17例如利用乾式方法形成於透明導電層10之上表面。
作為乾式方法，例如，可例舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳為，可例舉濺鍍法。可藉由該方法形成薄膜之金屬層17。
第2實施形態之薄膜積層體1亦與第1實施形態同樣地，例如用於圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材。較佳為用於附帶金屬配線層之觸控面板用基材。
具體而言，如參照圖5A-D般，對薄膜積層體1例如依次實施準備步驟、圖案化步驟、加熱步驟、及剝離步驟。
於圖案化步驟中，如圖5B所示，將金屬層17及透明導電層10依序圖案化。
於金屬層17之圖案化中，以於金屬層17之俯視周端部(例如，觸控輸入區域外側之邊緣部)形成所需圖案(例如引繞配線)之方式，藉由公知之蝕刻方法對金屬層(尤其俯視中央部)進行蝕刻。
藉此，由金屬層17形成圖案化金屬層18。
繼而，與第1實施形態同樣地，將透明導電層10圖案化。例如，對自圖案化金屬層18露出之透明導電層10(尤其俯視中央部)進行蝕刻以成為所需圖案。
如圖5C-D所示，加熱步驟及剝離步驟與第1實施形態相同。
藉此，如圖5D所示，單獨獲得依次具備第1硬塗層6、透明基材7、第2硬塗層8、光學調整層9、結晶質圖案化透明導電層16及圖案化金屬層18之導電性膜(已加熱之圖案化導電性膜14)。 [實施例]
以下示出實施例及比較例，對本發明進而具體地進行說明。再者，本發明並不受實施例及比較例任何限定。以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可代替為上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(被定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(被定義為「以上」、「超過」之數值)。
＜實施例1＞ (導電性膜之製作) 利用卷對卷方式並按照以下所述而製造導電性膜。
準備於MD方向(搬送方向：第1方向)長條之環烯烴系膜(COP膜、厚度18 μm、柯尼卡美能達公司製造之「SANUQI」)作為透明基材。
於透明基材之下表面，塗佈含有黏合劑樹脂與複數個粒子之硬塗組合物之稀釋液，於透明基材之上表面，塗佈含有黏合劑樹脂與複數個粒子之硬塗組合物之稀釋液，繼而，使其等乾燥，之後對兩面照射紫外線，使硬塗組合物硬化。藉此，於透明基材之下表面形成第1硬塗層(厚度1.0 μm、含有粒子之樹脂層)，於透明基材之上表面形成第2硬塗層(厚度1.0 μm、含有粒子之樹脂層)。
繼而，於第2硬塗層之上表面，塗佈含有氧化鋯粒子與紫外線硬化性樹脂之光學調整用組合物之稀釋液(「Opstar Z7412」、JSR公司製造、折射率1.64)並進行乾燥，之後照射紫外線。藉此，於第2硬塗層之上表面形成光學調整層(厚度0.1 μm)。
繼而，於光學調整層之上表面，使用含有氧化銦與氧化錫之燒結體靶並藉由濺鍍法而形成透明導電層(非晶質之ITO層、厚度25 μm)。
藉此，製作依次具備第1硬塗層、透明基材、第2硬塗層、光學調整層及透明導電層之導電性膜。
(載體膜之製作) 利用卷對卷方式並按照以下所述而製造載體膜。
藉由溶液聚合，將丙烯酸丁酯100質量份及丙烯酸6質量份共聚合，獲得重量平均分子量60萬之丙烯酸系共聚物。相對於丙烯酸系共聚物100質量份(固形物成分)，添加6質量份之環氧系交聯劑(「Tetrad C」，三菱瓦斯化學公司製造)，獲得丙烯酸系黏著劑。將丙烯酸系黏著劑塗佈於脫模膜(被脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜)，使之乾燥，形成厚度20 μm之丙烯酸系黏著劑層(接著劑層)。藉此，獲得黏著劑層轉印膜。
繼而，準備於MD方向長條之環烯烴系膜(COP膜、厚度40 μm、日本瑞翁公司製造之「ZEONOR」)作為保護基材。於該保護基材貼合黏著劑層轉印膜之丙烯酸系黏著劑層，將脫模膜剝離。
藉此，製作具備保護基材及丙烯酸系黏著劑層之載體膜。
(薄膜積層體之製造) 以第1硬塗層與黏著劑層接觸之方式，將導電性膜及載體膜貼合，製造實施例之薄膜積層體。
＜實施例2～6＞ 除了將各保護基材及各導電性膜之構成變更為表1中所記載之構成以外，與實施例1同樣地獲得實施例之薄膜積層體。再者，表中，COP表示環烯烴系樹脂，PC表示聚碳酸酯系樹脂，PET表示聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。
再者，於實施例2、4、5、7中，對已經準備之透明基材，於無張力之情況下以150℃實施30分鐘加熱處理。於實施例5中，對已經準備之保護基材，於無張力之情況下以150℃實施30分鐘加熱處理。
＜比較例1～8＞ 除了將各保護基材及各導電性膜之構成變更為表1中所記載之構成以外，與實施例1同樣地獲得比較例之薄膜積層體。
再者，於比較例2、4中，對已經準備之透明基材，於無張力之情況下以150℃實施30分鐘加熱處理。於比較例3、4、7、8中，對已經準備之保護基材，於無張力之情況下以150℃實施30分鐘加熱處理。
＜厚度之測定＞ 各實施例及各比較例中所使用之保護基材及透明基材之厚度利用測微計式厚度計(三豐公司製造)測定。
＜線熱膨脹係數之測定＞ (1)保護基材 關於各實施例及各比較例中所準備之保護基材，測定25℃-150℃時之MD方向及TD方向(寬度方向)之線熱膨脹係數。
具體而言，將各保護基材切出為短條狀，作為測定樣品。此時，於MD方向之測定中，將樣品之大小設為MD方向20 mm×TD方向4 mm，另一方面，於TD方向之測定中，將樣品之大小設為TD方向20 mm×MD方向4 mm。
繼而，使用熱分析裝置(TMA)，於下述條件下，在MD方向或TD方向上測定測定樣品之相對於溫度變化(25℃-150℃間)之尺寸變化率，算出線熱膨脹係數C1 、C2 。將結果示於表1。
熱分析裝置：TA Instruments公司製造、「TMA Q-400」 測定模式：拉伸模式 夾頭間跨距：16 mm 環境氣體：N2 (50 ml/min) 測定負載：19.6 mN 溫度條件：25～150℃ 升溫速度：10℃/min 測定前處理：於測定前以150℃實施30分鐘之熱處理(應變去除處理) (2)導電性膜 關於各實施例及各比較例中製作出之導電性膜，亦與上述保護基材同樣地，測定25℃-150℃時之MD方向及TD方向之線熱膨脹係數D1 、D2 。將結果示於表1。
(3)線熱膨脹係數差 於MD方向及TD方向之各方向，自導電性膜之線熱膨脹係數減去保護基材之線熱膨脹係數，算出其等之差(D1 －C1 或D2 －C2 )之絕對值。將MD方向及TD方向中較高之值設為線熱膨脹率差。將結果示於表1。
＜熱收縮率之測定＞ (1)保護基材 將各實施例及各比較例中所準備之保護基材切斷為MD方向100 mm×TD方向100 mm之俯視大致正方形狀(參照圖2)，對其4角分別賦予交叉圖案之痕跡，製作試驗片。於加熱前之試驗片(25℃)中，使用CNC三維測定機(三豐公司製造之「LEGEX774」)，於室溫(25℃)下測定痕跡(交叉圖案中心)之MD方向間之距離(長度)、及其TD方向間之距離(長度)。藉此，於MD方向及TD方向之各方向上獲得加熱前之長度。
繼而，將試驗片載置於烘箱內之水平台，以145℃加熱60分鐘之後，於室溫(25℃)下放冷1小時。然後，利用CNC三維測定機測定痕跡之MD方向間之距離、及TD方向間之距離。藉此，於MD方向及TD方向之各方向上獲得加熱後之長度。繼而，藉由下述數式，於MD方向及TD方向之各方向上算出熱收縮率A1 、A2 。將結果示於表1。
熱收縮率(%)＝[加熱前之長度(mm)－加熱後之長度(mm)]÷加熱前之長度(mm)×100 (2)導電性膜 關於各實施例及各比較例中所製作出之導電性膜之熱收縮率B1 、B2 ，亦與上述保護基材同樣地算出。將結果示於表1。
＜薄膜積層體之加熱剝離前後之熱收縮率＞ 於各實施例及各比較例之薄膜積層體中，切斷為MD方向100 mm×TD方向100 mm之俯視大致正方形狀，對其4角分別賦予交叉圖案之痕跡，製作試驗片。於加熱前之試驗片(25℃)中，使用CNC三維測定機(三豐公司製造之「LEGEX774」)，於室溫(25℃)下測定痕跡(交叉圖案中心)之MD方向間之距離(長度)、及其TD方向間之距離(長度)。藉此，於MD方向及TD方向之各方向上獲得薄膜積層體之長度(即，加熱剝離前之導電性膜之長度)。
繼而，將各薄膜積層體於無張力之情況下，以145℃、60分鐘之條件進行加熱，繼而，於常溫下冷卻60分鐘之後，剝離載體膜。藉此，獲得加熱剝離後之導電性膜。於該膜中，利用CNC三維測定機測定痕跡之MD方向間之距離、及TD方向間之距離。藉此，於MD方向及TD方向之各方向上獲得加熱剝離後之導電性膜之長度。
繼而，藉由下述之式，於MD方向及TD方向之各者中，算出熱收縮率。 加熱剝離前後之熱收縮率(%)＝[加熱剝離前之導電性膜之長度(mm)－加熱剝離後之導電性膜之長度(mm)]÷加熱剝離前之導電性膜之長度(mm)×100 將結果示於表1。
＜圖案化導電性膜之尺寸變化＞ 於各實施例及各比較例之薄膜積層體中，切斷為MD方向100 mm×TD方向100 mm之俯視大致正方形狀，將透明導電層蝕刻成MD方向寬度10 mm、間隔10 mm之條紋狀之圖案(參照圖6)。
對圖6所示之3處，測定圖案化薄膜積層體之熱處理前後之尺寸變化率。將3處均未達0.20%之情形時評價為○，將只要有1處為0.20%以上之情形時評價為×。將結果示於表1。
[表1]
[表1]
   透明導電性膜 保護膜    加熱剝離前後之熱收縮率[%] 尺寸 變化
透明基材 熱收縮率[%] 線熱膨脹係數[ppm/℃] 保護基材 線熱膨脹係數差[ppm/℃]
材料 厚度 [um] 加熱處理 材料 厚度 [um] 加熱處埋 熱收縮率[%] 線熱膨脹係數[ppm/℃]
MD (B1) TD (B2) MD (D1) TD (D2) MD (A1) TD (A2) MD (C1) TD (C2) MD TD
實施例1 COP 18 － 0.10 0.01 85 80 COP 40 － 0.01 0.05 70 70 15 0.08 0.01 〇
實施例2 COP 18 有 0.02 0.01 85 80 COP 40 － 0.01 0.05 70 70 15 0.03 0.01 〇
實施例3 COP 18 － 0.10 0.01 85 80 PC 130 － 0.15 0.08 93 92 12 0.06 -0.04 〇
實施例4 COP 18 有 0.02 0.01 85 80 PC 130 － 0.15 0.08 93 92 12 0.00 -0.02 〇
實施例5 PET 23 有 0.02 0.01 32 44 PET 125 有 0.01 0.01 32 44 0 0.00 0.02 〇
實施例6 PET 23 有 0.02 0.01 32 44 COP 40 － 0.02 -8 70 70 38 0.02 -0.08 〇
比較例1 COP 18 － 0.10 0.01 85 80 PET 125 － 0.52 0.09 32 44 53 0.59 0.12 ×
比較例2 COP 18 有 0.02 0.01 85 80 PET 125 － 0.52 0.09 32 44 53 0.39 0.11 ×
比較例3 COP 18 － 0.10 0.01 85 80 PET 125 有 0.01 0.01 32 44 53 0.38 0.03 ×
比較例4 COP 18 有 0.02 0.01 85 80 PET 125 有 0.01 0.01 32 44 53 0.22 0.00 ×
比較例5 COP 18 － 0.10 0.01 85 80 PC 130 － 0.44 0.32 93 92 12 0.21 0.10 ×
比較例6 PET 23 － 0.42 -0.13 32 44 PET 125 － 0.52 0.09 32 44 0 0.31 0.01 ×
比較例7 PET 23 － 0.42 -0.13 32 44 PET 125 有 0.01 0.01 32 44 0 0.22 -0.03 ×
比較例8 PET 23 － 0.42 -0.13 32 44 COP 40 有 0.01 0.05 70 70 38 0.36 -0.18 ×
1:薄膜積層體 2:載體膜 3:導電性膜 4:保護基材 5:黏著劑層 6:第1硬塗層 7:透明基材 8:第2硬塗層 9:光學調整層 10:透明導電層 11:圖案化透明導電層 12:圖案化透明導電性膜 13:圖案化薄膜積層體 14:已加熱之圖案化導電性膜 15:已加熱之圖案化薄膜積層體 16:結晶質圖案化透明導電層 17:金屬層 18:圖案化金屬層
圖1A、圖1B表示本發明之薄膜積層體之第1實施形態，圖1A表示剖視圖，圖1B表示立體圖。 圖2表示將保護基材、及圖1A所示之薄膜積層體捲繞成輥狀之狀態之立體圖。 圖3A、圖3B、圖3C、圖3D表示自圖1A所示之薄膜積層體製造已加熱之圖案化導電性膜之步驟圖，圖3A表示準備步驟，圖3B表示圖案化步驟，圖3C表示加熱步驟，圖3D表示剝離步驟。 圖4表示本發明之薄膜積層體之第2實施形態之剖視圖。 圖5A、圖5B、圖5C、圖5D表示自圖4所示之薄膜積層體製造已加熱之圖案化導電性膜之步驟圖，圖5A表示準備步驟，圖5B表示圖案化步驟，圖5C表示加熱步驟，圖5D表示剝離步驟。 圖6表示於實施例中評價尺寸變化時之透明導電層之圖案化。
1:薄膜積層體
2:載體膜
3:導電性膜
4:保護基材
5:黏著劑層
6:第1硬塗層
7:透明基材
8:第2硬塗層
9:光學調整層
10:透明導電層

Claims (9)

  1. 一種薄膜積層體，其特徵在於，其於厚度方向具備載體膜及導電性膜， 上述導電性膜於厚度方向具備透明基材及導電層， 上述載體膜具備保護基材， 上述透明基材之厚度未達50 μm， 上述保護基材之熱收縮率為0.20%以下， 上述保護基材與上述導電性膜之線熱膨脹係數差為40 ppm/℃以下， 加熱剝離上述薄膜積層體時之上述導電性膜之熱收縮率為0.20%以下。
  2. 如請求項1之薄膜積層體，其中上述透明基材係環烯烴系膜或聚酯系膜。
  3. 如請求項1之薄膜積層體，其中上述薄膜積層體被用於在將上述導電層圖案化之後實施加熱處理之步驟。
  4. 如請求項2之薄膜積層體，其中上述薄膜積層體被用於在將上述導電層圖案化之後實施加熱處理之步驟。
  5. 如請求項1之薄膜積層體，其中上述導電性膜進而具備配置於上述導電層之厚度方向之金屬層。
  6. 如請求項2之薄膜積層體，其中上述導電性膜進而具備配置於上述導電層之厚度方向之金屬層。
  7. 如請求項3之薄膜積層體，其中上述導電性膜進而具備配置於上述導電層之厚度方向之金屬層。
  8. 如請求項4之薄膜積層體，其中上述導電性膜進而具備配置於上述導電層之厚度方向之金屬層。
  9. 一種圖案化導電性膜之製造方法，其依次具備如下步驟： 準備如請求項1至8中任一項之薄膜積層體； 將上述導電層圖案化； 加熱上述薄膜積層體；以及 將上述載體膜自上述薄膜積層體去除。
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