TW202007715A - 聚酯膜、保護膜、保護膜積層體、及保護膜之製造方法 - Google Patents

聚酯膜、保護膜、保護膜積層體、及保護膜之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之聚酯膜係於第1方向及與第1方向正交之第2方向上延伸者，且以非晶部為主成分，於130℃下加熱90分鐘後之第1方向之熱收縮率為0.00%以上0.90%以下。於130℃下加熱90分鐘後之第2方向之熱收縮率為-0.72%以上0.10%以下。

Description

聚酯膜、保護膜、保護膜積層體、及保護膜之製造方法
本發明係關於一種聚酯膜、保護膜、保護膜積層體、及保護膜之製造方法。
自先前以來，已知觸控面板方式之圖像顯示裝置具備於透明基材上積層包含銦錫複合氧化物(ITO)之透明導電層而成之觸控面板用膜。通常，關於觸控面板用膜，就導電性之觀點而言，藉由加熱使ITO層結晶化。又，就生產性之觀點而言，以卷對卷方式實施ITO層之積層及結晶化。
近年來，於觸控面板用膜中，就面內相位差較低，光學特性優異等觀點而言，使用環烯烴系膜作為透明基材。
然而，環烯烴系膜較脆且柔軟，因此容易破裂。因此，於製造觸控面板用膜時，需要保護環烯烴系膜。具體而言，已知有於藉由卷對卷方式進行搬送，實施結晶化步驟之前，對環烯烴系膜貼合保護膜，於結晶化(加熱)步驟後剝離保護膜(例如，參照日本專利特開2017-45087號公報)。
作為此種保護膜，為了抑制因保護膜與透明基材之熱特性之差異所引起之捲曲，存在使用與透明基材為相同材料之環烯烴系膜之情形。
然而，若使用環烯烴系膜作為保護膜，則其較脆且難以處理，因此要求強度更高之保護膜。
作為此種保護膜，對機械強度高且耐熱性優異之聚酯膜進行研究。然而，若使用聚酯膜，則由於與環烯烴系膜之熱特性之差異而產生捲曲。
因此，提出有可抑制捲曲之產生之聚酯膜(例如，參照日本專利特開2018-21168號公報)。日本專利特開2018-21168號公報中記載有150℃下之膜膨脹係數為0.5%以上1.5%以下之雙軸配向聚酯膜。
然而，即便是日本專利特開2018-21168號公報中記載之聚酯膜，於貼合於環烯烴系膜進行加熱時，捲曲之抑制亦並不充分，因此要求進一步之改良。
本發明提供一種於貼合於環烯烴系膜進行加熱時可抑制捲曲之聚酯膜、保護膜、保護膜積層體、及保護膜之製造方法。
本發明[1]包含一種聚酯膜，其係於第1方向及與第1方向正交之第2方向上延伸之膜，且以非晶部為主成分，於130℃下加熱90分鐘後之第1方向之熱收縮率為0.00%以上0.90%以下，於130℃下加熱90分鐘後之第2方向之熱收縮率為-0.72%以上0.10%以下。
本發明[2]包含如[1]所記載之聚酯膜，其於25℃下之第1方向及第2方向之拉伸彈性模數皆為2.3 GPa以下。
本發明[3]包含如[1]或[2]所記載之聚酯膜，其自50℃升溫至140℃時之第1方向及第2方向之線膨脹係數皆為60 ppm/℃以上180 ppm/℃以下。
本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項所記載之聚酯膜，其玻璃轉移點為90℃以下。
本發明[5]包含如[1]至[4]中任一項所記載之聚酯膜，其中上述聚酯膜含有聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂及聚萘二甲酸乙二酯系樹脂之至少1種。
本發明[6]包含一種保護膜，其具備如[1]至[5]中任一項所記載之聚酯膜及配置於上述聚酯膜之厚度方向一側之黏著劑層。
本發明[7]包含如[6]所記載之保護膜，其用以保護環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜。
本發明[8]包含一種保護膜積層體，其具備如[7]所記載之保護膜及配置於上述保護膜之厚度方向一側之環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜。
本發明[9]包含如[8]所記載之保護膜積層體，其進而具備配置於上述環烯烴系膜或上述聚碳酸酯系膜之厚度方向一側之透明導電層。
本發明[10]包含一種保護膜之製造方法，其具備：準備步驟，其係準備具備黏著劑層及配置於其厚度方向一側之剝離基材之轉印膜；調整步驟，其係對聚酯膜進行加熱，而調整上述聚酯膜之熱收縮率；以及轉印步驟，其係將上述轉印膜之上述黏著劑層轉印至藉由上述調整步驟所得之上述聚酯膜。
本發明[11]包含如[10]所記載之保護膜之製造方法，其中藉由上述調整步驟所得之聚酯膜係於第1方向及與第1方向正交之第2方向上延伸之膜，且於130℃下加熱90分鐘後之第1方向之熱收縮率為0.00%以上0.90%以下，於130℃下加熱90分鐘後之第2方向之熱收縮率為-0.72%以上0.10%以下。
根據本發明之聚酯膜、保護膜及保護膜積層體，於貼合於環烯烴系膜進行加熱時，可抑制捲曲之產生。
根據本發明之保護膜之製造方法，可獲得能夠確實地抑制捲曲之產生之保護膜。
＜一實施形態＞ 於圖2中，紙面左右方向為第1方向，紙面左側為第1方向一側，紙面右側為第1方向另一側。於圖2中，紙面深度方向為第2方向(與第1方向正交之方向)，紙面近前側為第2方向一側，紙面裏側為第2方向另一側。於圖2中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向，與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側，第3方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側，第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。
1.聚酯膜 以下對本發明之聚酯膜之一實施形態進行說明。
如圖1所示，聚酯膜1為具有特定厚度之膜形狀(包含片狀)。聚酯膜1於第1方向及第2方向上延伸，且具有平坦之上表面及平坦之下表面。
聚酯膜1由聚酯樹脂形成為膜狀。
聚酯樹脂為含有多元羧酸及多元醇之單體成分之縮聚物。具體而言，作為聚酯樹脂，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、聚萘二甲酸丁二酯系樹脂、聚對苯二甲酸丙二酯系樹脂等。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
較佳可列舉聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂，更佳可列舉聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂。
聚酯樹脂除成為主成分之單體以外，可進而含有其他單體作為單體成分。
具體而言，聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂含有對苯二甲酸及乙二醇作為單體成分，但例如除其等以外亦可含有間苯二甲酸等其他單體。
其他單體之含量於單體成分中例如為20莫耳%以下，較佳為10莫耳%以下，更佳為5莫耳%以下。
聚酯膜可含有除聚酯樹脂以外之第三成分。第三成分之含量只要為不對本發明之效果產生影響之程度，則並無限定，於聚酯膜中，例如為10質量%以下，較佳為5質量%以下，更佳為1質量%以下。
含有第三成分之目的在於對聚酯膜1賦予所需之功能。具體而言，作為第三成分，可列舉無機粒子、有機粒子。作為無機粒子，例如可列舉二氧化矽粒子，例如可列舉包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅等之金屬氧化物粒子，例如可列舉碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。粒子可單獨使用或併用2種以上。
作為第三成分，除上述粒子以外，例如亦可列舉除聚酯樹脂以外之基質樹脂，例如可列舉調平劑、觸變劑、抗靜電劑等公知之添加劑等。
聚酯膜1以非晶部為主成分。即，聚酯膜1包含非晶性聚酯樹脂，較佳為包含非晶性聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂。通常聚酯樹脂具有結晶部(結晶結構)及非晶部(非晶質結構)兩者，但於構成本發明之聚酯膜1之非晶質聚酯樹脂中，非晶部所占之體積比率多於結晶部所占之體積比率。
具體而言，於30～300℃之範圍內，於升溫速度10℃/min之條件下對聚酯膜1實施示差掃描熱量(DSC)測定時，於由熔解產生之熱量(峰面積)為45 J/g以下之情形時，判斷為非晶部成為主成分。
聚酯膜1可為單層結構，亦可為積層有複數個聚酯層之複層構成。
作為複層構成，例如可列舉：包含第1聚酯層及第2聚酯層之2層構成；包含第1聚酯層(表層)、第2聚酯層(中間層)及第3聚酯層(表層)之3層構成；包含第1聚酯層(表層)、第2聚酯層(中間層)及第1聚酯層(表層)之3層構成等。
較佳可列舉複層構成，更佳可列舉包含第1聚酯層、第2聚酯層及第1聚酯層之3層構成。藉由使聚酯膜1具備不同種類之聚酯層，可對聚酯膜1賦予各種特性，容易調整為所需之線膨脹係數或熱收縮率。
於聚酯膜1包含第1聚酯層、第2聚酯層及第1聚酯層之情形時，第2聚酯層之厚度較佳為厚於一側之第1聚酯層之厚度。第2聚酯層之厚度相對於一側之第1聚酯層之厚度(第2/第1)例如為2.0倍以上，較佳為5.0倍以上，且例如為20倍以下。
聚酯膜1之玻璃轉移點(Tg)例如為100℃以下，較佳為90℃以下，且例如為80℃以上。若玻璃轉移點為上述範圍，則基材追隨性優異，又，可進一步抑制捲曲之產生。
玻璃轉移溫度例如可依據JIS K7121進行測定。
於聚酯膜1具備複層結構之情形時，非晶部及玻璃轉移點等物性之測定將聚酯膜視為單層進行測定。即，將構成聚酯膜1之所有層(例如，第1～第3聚酯層)一起作為一層進行判斷。不對每層進行測定。
聚酯膜1較佳為延伸聚酯膜，更佳為雙軸延伸聚酯膜。藉此，可提高聚酯膜1之機械強度。
於130℃下對聚酯膜1加熱90分鐘時，第1方向之熱收縮率為0.00%以上0.90%以下。較佳為0.01%以上，且較佳為0.50%以下，更佳為0.30%以下。
又，於上述加熱時，第2方向(與第1方向正交之方向)之熱收縮率為-0.72%以上0.10%以下。較佳為-0.50%以上，更佳為-0.20%以上，且較佳為0.00%以下，更佳為-0.01%以下。
若第1方向及第2方向之熱收縮率為上述範圍，則於將聚酯膜1貼合於環烯烴系膜等膜進行加熱時，可抑制捲曲之產生。
較佳為第1方向之熱收縮率之值為正，第2方向之熱收縮率之值為負。藉此，可相互抵消加熱時之熱收縮，可進一步抑制捲曲之產生。
熱收縮率可如下所述進行測定。測定聚酯膜1之加熱前之室溫(25℃)之長度作為加熱前之長度。繼而，測定於130℃下將聚酯膜1加熱90分鐘後，放冷至室溫(25℃)時之長度作為加熱後之長度。繼而，使用式「熱收縮率(%)＝(加熱前之長度－加熱後之長度)/加熱前之長度×100」算出。詳情將藉由實施例於下文敍述。
第1方向之線膨脹係數例如為30 ppm/℃以上，較佳為50 ppm/℃以上，更佳為60 ppm/℃以上，且例如為180 ppm/℃以下，較佳為100 ppm/℃以下，更佳為80 ppm/℃以下。
第2方向之線膨脹係數例如為30 ppm/℃以上，較佳為50 ppm/℃以上，更佳為60 ppm/℃以上，且例如為180 ppm/℃以下，較佳為100 ppm/℃以下，更佳為80 ppm/℃以下。
線膨脹係數為50℃-140℃之間之熱膨脹係數。線膨脹係數例如藉由使用熱分析裝置，以10℃/min之升溫速度使聚酯膜1升溫，測定自50℃升溫至140℃時之尺寸變化率而算出。詳情將藉由實施例於下文敍述。
第1方向之線膨脹係數相對於第2方向之線膨脹係數之比(第1方向/第2方向)例如為0.5以上，較佳為1.2以上，且例如為2.0以下。
第1方向之拉伸彈性模數例如為3.0 GPa以下，較佳為2.3 GPa以下，且例如為1.0 GPa以上。
第2方向之拉伸彈性模數例如為3.0 GPa以下，較佳為2.3 GPa以下，且例如為1.0 GPa以上。
若拉伸彈性模數為上述上限以下，則可進一步抑制捲曲之產生。若拉伸彈性模數為上述下限以上，則機械強度優異。
拉伸彈性模數為室溫(25℃)下之拉伸彈性模數，例如可於升溫速度2℃/min、頻率1 Hz之條件下進行測定。
聚酯膜1之厚度例如為10 μm以上，較佳為20 μm以上，且例如為150 μm以下，較佳為100 μm以下，更佳為80 μm以下。若厚度為上述下限以上，則機械強度優異，可較佳地用作保護膜。若厚度為上述上限以下，則可謀求薄膜化，並且可進一步抑制捲曲之產生。
聚酯膜1之厚度例如可藉由微計測器式厚度計(Mitutoyo公司製造)進行測定。
其次，對聚酯膜1之製造方法進行說明。
聚酯膜1之製造方法例如依序具備膜形成步驟、延伸步驟、非晶化步驟及調整步驟。該方法較佳為藉由卷對卷方式實施。
於膜形成步驟中，將聚酯樹脂加熱熔融，形成為膜狀(片狀)。
具體而言，首先，藉由公知之方法(例如，固相聚合法)製備(聚合)聚酯樹脂。
繼而，將聚酯樹脂加熱熔融，自狹縫使熔融之聚酯樹脂流出。
藉此，獲得聚酯樹脂形成為膜狀之未延伸聚酯膜。未延伸聚酯膜以於搬送方向(MD(Machine Direction，縱向)方向，例如第1方向)成為長條之方式形成。
於延伸步驟中，對未延伸聚酯膜實施雙軸延伸。
搬送方向之延伸倍率例如為2.0倍以上，較佳為3.0倍以上，且例如為10倍以下，較佳為5.0倍以下。
寬度方向(與搬送方向正交之方向，TD(Transverse Direction，橫向)方向，例如第2方向)之延伸倍率例如為1.2倍以上，較佳為2.0倍以上，且例如為10倍以下，較佳為5.0倍以下。
藉此，將未延伸聚酯膜進行延伸，獲得延伸聚酯膜。藉由延伸步驟，聚酯膜被薄膜化，並且機械強度提高。又，聚酯膜被配向，被結晶化。
於非晶化步驟中，對延伸聚酯膜進行熱處理。
於非晶化步驟時之熱處理時，例如實施於200～230℃下1～30秒之第1熱處理(短時間高溫加熱)；及於第1熱處理後，冷卻至室溫，進而於160～200℃下1分鐘～8分鐘之第2熱處理(中溫加熱)。
藉此，使延伸聚酯膜非晶化，獲得非晶化聚酯膜。
此種非晶化聚酯膜尤其於搬送方向上具有較高之線膨脹係數。
具體而言，於非晶化聚酯膜中，搬送方向之線膨脹係數例如為30 ppm/℃以上，較佳為50 ppm/℃以上，更佳為60 ppm/℃以上，且例如為180 ppm/℃以下，較佳為100 ppm/℃以下，更佳為80 ppm/℃以下。
寬度方向之線膨脹係數例如為30 ppm/℃以上，較佳為50 ppm/℃以上，更佳為60 ppm/℃以上，且例如為180 ppm/℃以下，較佳為100 ppm/℃以下，更佳為80 ppm/℃以下。
自膜形成步驟至非晶化步驟例如可以日本專利特開2018-21168號公報中記載之方法為參考。
於調整步驟中，對非晶化聚酯膜進行熱處理(長時間低溫加熱)。藉此，調整非晶化酯膜之熱收縮率。
調整步驟時之加熱溫度例如為100℃以上，較佳為115℃以上，且例如為150℃以下，較佳為135℃以下。
加熱時間例如為10分鐘以上，較佳為20分鐘以上，且例如為90分鐘以下，較佳為60分鐘以下。
此時，較佳為於搬送方向上拉伸非晶化聚酯膜。
關於張力，例如對於寬320 mm之非晶化聚酯膜為5 N以上，較佳為8 N以上，且例如為20 N以下，較佳為15 N以下。
藉此，獲得目標之聚酯膜1。
該聚酯膜1例如可用於下述保護膜2。較佳為用作用以保護環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜之保護膜2。具體而言，用作用以保護具備環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜作為透明基材之透明導電性膜6之保護膜2。
而且，若使用該聚酯膜1，則於貼合於環烯烴系膜進行加熱時，可抑制捲曲之產生。因此，於使用環烯烴系膜作為基材膜製造透明導電性膜時，可抑制透明導電性膜6之捲曲。
推測其係由於聚酯膜1以非晶部為主成分，於130℃下加熱90分鐘後之第1方向及第2方向之熱收縮率為特定之範圍，故而其熱行為與環烯烴系膜之熱行為(具體而言，加熱上升時之熱膨脹及加熱下降時(或加熱放冷後)之熱膨脹等)類似。因此，推測於將聚酯膜1貼合於環烯烴系膜所得之積層體中，於自加熱至放冷後之間，不易產生兩膜間之熱應變。再者，本發明並不限定於該推測。
又，若使用聚酯膜1，則同樣地於貼合於聚碳酸酯系膜進行加熱時，亦可抑制捲曲之產生。
又，聚酯膜1由聚酯樹脂形成，因此機械強度及耐熱性優異。因此，操作性優異。
2.保護膜 以下對本發明之保護膜之一實施形態進行說明。
如圖2所示，保護膜2為具有特定厚度之膜形狀，於第1方向及第2方向上延伸，且具有平坦之上表面及平坦之下表面。
保護膜2例如為於製造、或者搬送、加熱或保存透明導電性膜6(下述)等對象膜時，暫時配置於膜之表面之承載膜。
如圖2所示，保護膜2具備聚酯膜1及配置於其上表面之黏著劑層3。較佳為保護膜2包含聚酯膜1及黏著劑層3。
黏著劑層3係用以將保護膜2貼合於對象膜之層(感壓接著劑層)，且係於貼合後，相對於對象膜容易剝離之層(易剝離層)。
黏著劑層3為保護膜2之最上層，具有膜形狀。黏著劑層3以與聚酯膜1之上表面接觸之方式配置於聚酯膜1之整個上表面。
黏著劑層3由黏著劑組合物形成。
作為黏著劑組合物，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑組合物、橡膠系黏著劑組合物、聚矽氧系黏著劑組合物、聚酯系黏著劑組合物、聚胺基甲酸酯系黏著劑組合物、聚醯胺系黏著劑組合物、環氧系黏著劑組合物、乙烯基烷基醚系黏著劑組合物、氟系黏著劑組合物等。該等黏著劑組合物可單獨使用或併用2種以上。
作為黏著劑組合物，就黏著性、剝離性等觀點而言，較佳可列舉丙烯酸系黏著劑組合物。即，黏著劑層3較佳為丙烯酸系黏著劑層。
丙烯酸系黏著劑組合物例如含有使含有(甲基)丙烯酸烷基酯之單體成分聚合所得之丙烯酸系聚合物作為聚合物成分。
(甲基)丙烯酸烷基酯為丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯，具體而言，例如可列舉：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸新戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯等具有直鏈狀或支鏈狀之碳數4～14之烷基部分之(甲基)丙烯酸烷基酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或併用2種以上。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，較佳可列舉具有碳數4～10之烷基部分之(甲基)丙烯酸烷基酯，進而較佳可列舉(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
(甲基)丙烯酸烷基酯之調配比率相對於單體成分之總量100質量份例如為90質量份以上，較佳為95質量份以上，且例如為99質量份以下，較佳為98質量份以下。藉由對(甲基)丙烯酸烷基酯之調配比率進行調整，可對黏著劑層3之剝離力進行調整。
單體成分除(甲基)丙烯酸烷基酯以外，可含有含官能基之單體。
作為含官能基之單體，例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基之單體，例如可列舉丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基之單體等。含官能基之單體可單獨使用或併用2種以上。
作為含官能基之單體，就黏著性、剝離性等觀點而言，較佳可列舉含羥基之單體，更佳可列舉丙烯酸2-羥基乙酯。
含官能基之單體之調配比率於單體成分之總量100質量份中例如為0.5質量份以上，較佳為1質量份以上，且例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。
就黏著性、剝離性等觀點而言，丙烯酸系聚合物之重量平均分子量例如為10萬以上，較佳為30萬以上，且例如為200萬以下，較佳為100萬以下。重量平均分子量藉由凝膠滲透層析法，基於標準聚苯乙烯換算值進行測定。
丙烯酸系黏著劑組合物例如可藉由溶液聚合、塊狀聚合、光聚合等公知之方法獲得。
黏著劑組合物亦可適當含有交聯劑、進而黏著賦予樹脂、加工助劑、顏料、阻燃劑、填充材、軟化劑、防老化劑等公知之添加劑。
作為交聯劑，例如可列舉：環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、三聚氰胺系樹脂、氮丙啶衍生物、金屬螯合化合物等。交聯劑可單獨使用或併用2種以上。作為交聯劑，較佳可列舉異氰酸酯系交聯劑。
交聯劑之比率相對於聚合物成分100質量份例如為0.1質量份以上，較佳為1質量份以上，且例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。藉由對交聯劑之調配比率進行調整，可對黏著劑層3之剝離力進行調整。
黏著劑層3之厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，且例如為100 μm以下，較佳為30 μm以下。
保護膜2之厚度例如為10 μm以上，較佳為25 μm以上，且例如為150 μm以下，較佳為100 μm以下。
其次，參照圖3A-圖3C，對保護膜2之製造方法進行說明。
保護膜2之製造方法例如具備聚酯膜準備步驟、轉印膜準備步驟及轉印步驟。
聚酯膜準備步驟為製造上述聚酯膜1之步驟，具體而言依序具備膜形成步驟、延伸步驟、非晶化步驟及調整步驟。
於轉印膜準備步驟中，如圖3A所示，準備具備黏著劑層3及剝離基材4之轉印膜5。
具體而言，首先準備下表面經實施剝離處理之剝離基材4。
剝離基材4可列舉公知或市售者，具體而言，例如可列舉聚乙烯膜、聚酯膜、丙烯酸系膜、聚矽氧樹脂膜等聚合物膜，例如可列舉陶瓷片，例如可列舉銅箔、不鏽鋼箔等金屬箔等。
剝離基材4之厚度例如為10 μm以上，較佳為20 μm以上，且例如為150 μm以下，較佳為100 μm以下。
繼而，於剝離基材4之下表面塗佈黏著劑組合物並進行乾燥，而形成黏著劑層3。
作為塗佈方法，例如可列舉：刮刀塗敷、輥塗敷、網版塗敷、凹版塗敷等。
乾燥溫度例如為50℃以上，較佳為100℃以上，且例如為180℃以下，較佳為150℃以下。
乾燥時間例如為1分鐘以上，較佳為2分鐘以上，且例如為10分鐘以下，較佳為5分鐘以下。
藉此，獲得具備黏著劑層3及配置於其上表面之剝離基材4之轉印膜5。
於轉印步驟中，將轉印膜5之黏著劑層3轉印至聚酯膜1。
具體而言，如圖3B所示，以黏著劑層3之下表面與聚酯膜1之上表面接觸之方式使轉印膜5積層於聚酯膜1之上表面。藉此，獲得具備聚酯膜1、黏著劑層3及剝離基材4之積層體。
其次，如圖3B之假想線所示，於積層體中，以黏著劑層3之上表面與剝離基材4之下表面分離之方式將剝離基材4自黏著劑層3剝離，去除剝離基材4。
藉此，如圖3C所示，獲得具備聚酯膜1及配置於其上表面之黏著劑層3之保護膜2。再者，剝離基材4亦可積層於黏著劑層3直至即將使用保護膜2之前。
該保護膜2較佳為用作用以保護環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜之保護膜。具體而言，用作用以保護具備環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜作為透明基材之透明導電性膜6之保護膜。
而且，根據保護膜2，具備聚酯膜1作為基材膜，因此，於貼合於環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜進行加熱時，可抑制捲曲之產生。因此，於使用環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜作為基材膜製造透明導電性膜時，可保護透明導電性膜免受搬送時、加熱時或保存時產生之損傷，並且可抑制透明導電性膜6之捲曲。
又，根據保護膜2，機械強度及耐熱性優異，因此操作性優異。
又，根據保護膜2之製造方法，具備轉印膜準備步驟、聚酯膜準備步驟及轉印步驟，因此可於保護膜2之聚酯膜1中，以非晶部為主成分，將於130℃下加熱90分鐘後之第1方向之熱收縮率設為0.00%以上0.90%以下，將於130℃下加熱90分鐘後之第2方向之熱收縮率設為-0.72%以上0.10%以下。因此，於貼合於環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜進行加熱時，可確實地抑制捲曲之產生。
再者，作為除上述方法以外之保護膜2之製造方法，研究對聚酯膜1直接塗佈黏著劑組合物並進行乾燥之方法。然而，於該方法中，於黏著劑組合物之加熱乾燥時對聚酯膜1賦予多餘之熱。因此，聚酯膜1之熱特性(熱收縮率等)發生變化，其結果，產生保護膜2中之聚酯膜1之熱特性偏離所需之範圍，無法抑制捲曲之產生之情形。
3.透明導電性膜之製造方法 保護膜2例如用以製造如圖4所示之透明導電性膜6。
透明導電性膜6之製造方法例如具備貼合步驟、導電層形成步驟、加熱步驟及剝離步驟。其等較佳為以卷對卷步驟實施。
於貼合步驟中，將透明基材7貼合於保護膜2。
例如，以黏著劑層3之上表面與透明基材7之上表面接觸之方式於保護膜2之上表面積層透明基材7。
透明基材7係用以支持透明導電層8，確保透明導電性膜6之機械強度之透明基材。
作為透明基材7，就透明性、面內相位差之觀點而言，較佳可列舉環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜，更佳可列舉環烯烴系膜。
環烯烴系膜由環烯烴系樹脂形成為膜狀。
環烯烴系樹脂係使環烯烴單體聚合所得之於主鏈之重複單元中具有脂環結構之高分子。環烯烴系樹脂較佳為非晶質環烯烴系樹脂。
作為環烯烴系樹脂，例如可列舉包含環烯烴單體之環烯烴聚合物，例如可列舉包含環烯烴單體與烯烴(例如乙烯)等之共聚物之環烯烴共聚物等。
作為環烯烴單體，例如可列舉：降𦯉烯、甲基降𦯉烯、二甲基降𦯉烯、亞乙基降𦯉烯、丁基降𦯉烯、二環戊二烯、二氫二環戊二烯、四環十二烯、三環戊二烯等多環式烯烴；例如可列舉：環丁烯、環戊烯、環辛二烯、環辛三烯等單環式烯烴等。該等環烯烴可單獨使用或併用2種以上。
聚碳酸酯系膜由聚碳酸酯系樹脂形成為膜狀。
聚碳酸酯系樹脂係主鏈之重複單元中具有碳酸酯鍵(碳酸酯基：O-CO-O-)之高分子。聚碳酸酯系樹脂較佳為非晶質聚碳酸酯系樹脂。
作為聚碳酸酯系樹脂，例如可列舉雙酚A聚碳酸酯等芳香族聚碳酸酯，例如可列舉聚碳酸丙二酯等脂肪族聚碳酸酯等。
環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜亦可由含有環烯烴系樹脂或聚碳酸酯系樹脂及除其等以外之樹脂(例如聚烯烴、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、聚酯等)之樹脂混合物形成。
透明基材7之厚度例如為10 μm以上，較佳為20 μm以上，且例如為150 μm以下，較佳為100 μm以下。
藉此，獲得具備保護膜2及設置於其上表面之透明基材7之透明基材積層體(保護膜積層體之一例)。
於導電層形成步驟中，於透明基材7設置透明導電層8。
透明導電層8係於蝕刻等後續步驟中用以形成電極圖案或配線圖案之導電層。
作為透明導電層8之材料，例如可列舉含有選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬的金屬氧化物。於金屬氧化物中亦可視需要進而摻雜上述群所示之金屬原子。
透明導電層8之材料較佳可列舉銦錫複合氧化物(ITO)等含銦之氧化物，例如銻錫複合氧化物(ATO)等含銻之氧化物等，更佳可列舉含銦之氧化物，進而較佳可列舉ITO。
作為透明導電層8之形成方法，可列舉乾式方法。作為乾式方法，例如可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳可列舉濺鍍法。
透明導電層8之厚度例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上，且例如為100 nm以下，較佳為35 nm以下。
藉此，於透明基材7之上表面形成透明導電層8。即，獲得具備保護膜2及設置於其上表面之透明導電性膜6之透明導電性膜積層體9(保護膜積層體之一例)。此時，形成之透明導電層8為非晶質。
透明導電性膜積層體9例如為於搬送、加熱或保存透明導電性膜6時，於透明導電性膜6之下表面暫時配置保護膜2之積層體。
於導電層加熱步驟中，對透明導電性膜6進行加熱。
具體而言，於大氣下對透明導電性膜積層體9進行加熱。
加熱例如可使用紅外線加熱器、烘箱等實施。
加熱溫度例如為100℃以上，較佳為120℃以上，且例如為200℃以下，較佳為160℃以下。
加熱時間視加熱溫度適當決定，例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上，且例如為5小時以下，較佳為3小時以下。藉此，使透明導電層8結晶化，透明導電層8之導電性提高。
於剝離步驟中，將保護膜2自透明導電性膜6剝離。
具體而言，以黏著劑層3之上表面與透明基材7之下表面分離之方式將保護膜2自透明導電性膜6剝離，將保護膜2去除。
藉此，獲得具備透明基材7及配置於其上表面之透明導電層8之透明導電性膜6。
該透明導電性膜6例如設置於圖像顯示裝置等光學裝置。具體而言，透明導電性膜6用作觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，可列舉：光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，尤其較佳地用於靜電電容方式之觸控面板。
透明導電性膜6例如為用以製作設置於圖像顯示裝置之觸控面板用基材等之一零件，即，並非圖像顯示裝置。即，透明導電性膜6及透明導電性膜積層體9係不含有LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)模組等圖像顯示元件，以單個零件流通且產業上可利用之器件。
透明導電性膜6可於其透明基材7之下表面進而具備硬塗層。又，透明導電性膜6亦可於透明基材7與透明導電層8之間進而具備硬塗層及光學調整層。進而，透明導電性膜6亦可於透明導電層8之上表面進而具備銅層等金屬層。
作為此種透明導電性膜6，例如可列舉日本專利特開2018-78090號公報、日本專利特開2018-81928號公報、日本專利特開2018-41059號公報等中記載之膜。
而且，根據該透明導電性膜6之製造方法，使用保護膜2，因此可抑制於製造透明導電性膜6時透明導電性膜6產生損傷。又，可抑制加熱時透明導電性膜積層體9之捲曲，進而可抑制透明導電性膜6之捲曲。又，保護膜2之機械強度、耐熱性優異，因此操作性優異。
＜變化例＞ 於上述實施形態中，使用保護膜2之對象膜為透明導電性膜6，但例如對象膜並不限定於透明導電性膜6，亦可設為阻氣性膜等。
又，於上述實施形態中，透明導電性膜6之製造方法例如依序具備貼合步驟、導電層形成步驟、加熱步驟及剝離步驟，但例如可依序具備導電層形成步驟、貼合步驟、加熱步驟及剝離步驟。
即，亦可首先作為導電層形成步驟，於透明基材7形成透明導電層8而獲得非晶質透明導電性膜6，繼而，作為貼合步驟，將保護膜2貼合於非晶質透明導電性膜6而獲得透明導電性膜積層體9。 [實施例]
以下示出實施例及比較例，對本發明進一步具體地進行說明。再者，本發明不受實施例及比較例任何限定。以下記載中使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代為上述「實施方式」中記載之與其等相對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。又，於各例中，份、%皆為質量基準。
(比較例1) 根據日本專利特開2018-21168號公報中記載之實施例10中記載之方法，製造於MD方向(搬送方向、第1方向)上長條之雙軸配向聚酯膜。再者，此時，將聚酯膜之總厚度設為35 μm。將其設為比較例之聚酯膜。
(比較例2) 依據日本專利特開2018-21168號公報中記載之實施例1中記載之方法，製造於MD方向上長條之雙軸配向聚酯膜。再者，此時，將聚酯膜之總厚度設為40.7 μm。將其設為比較例之聚酯膜。
(比較例3) 依據日本專利特開2018-21168號公報中記載之實施例10中記載之方法，製造於MD方向上長條之雙軸配向聚酯膜。再者，此時，將聚酯膜之總厚度設為40 μm。將其設為比較例之聚酯膜。
(比較例4) 依據日本專利特開2018-21168號公報中記載之實施例13中記載之方法，製造於MD方向上長條之雙軸配向聚酯膜。再者，此時，將聚酯膜之總厚度設為41.5 μm，將MD方向之延伸倍率設為3.2倍，將TD方向之延伸倍率設為1.3倍。將其設為比較例之聚酯膜。
(比較例5) 依據日本專利特開2018-21168號公報中記載之實施例12中記載之方法，準備於MD方向上長條之雙軸配向聚酯膜。再者，此時，將聚酯膜之總厚度設為40 μm。將其設為比較例之聚酯膜。
(比較例6) 將比較例1中準備之聚酯膜進而於大氣中於140℃、10分鐘之條件下進行加熱。藉此，製造比較例之聚酯膜。
(比較例7) 將比較例4中準備之聚酯膜進而於大氣中於140℃、10分鐘之條件下進行加熱。藉此，製造比較例之聚酯膜。
(比較例8) 準備於MD方向上長條之市售之雙軸配向聚酯膜(TORAY公司製造，「#50U403」)作為比較例之聚酯膜。
(比較例9) 將於MD方向上長條之市售之雙軸配向聚酯膜(TORAY公司製造，「#50U403」)於大氣中，於150℃、30分鐘之條件下進行加熱。藉此，製造比較例之聚酯膜。
(比較例10) 將於MD方向上長條之市售之雙軸配向聚酯膜(TORAY公司製造，「#125U403」)於大氣中，於150℃、30分鐘之條件下進行加熱。藉此，製造比較例之聚酯膜。
(實施例1) 對於比較例1之聚酯膜，一面於大氣中於150℃、30分鐘之條件下在MD方向上施加10 N之張力(TD方向(第2方向)長度320 mm)，一面進行加熱。藉此，製造實施例之聚酯膜。
(實施例2) 對於比較例1之聚酯膜，一面於大氣中於150℃、7分鐘之條件下在MD方向上施加10 N之張力，一面進行加熱。藉此，製造實施例之聚酯膜。
(實施例3)」 對於比較例2之聚酯膜，一面於大氣中於150℃、30分鐘之條件下在MD方向上施加10 N之張力，一面進行加熱。藉此，製造實施例之聚酯膜。
(實施例4) 對於比較例3之聚酯膜，一面於大氣中於150℃、30分鐘之條件下在MD方向上施加10 N之張力，一面進行加熱。藉此，製造實施例之聚酯膜。
(實施例5) 對於比較例4之聚酯膜，一面於大氣中於150℃、30分鐘之條件下在MD方向上施加10 N之張力，一面進行加熱。藉此，製造實施例之聚酯膜。
(實施例6) 對於比較例5之聚酯膜，一面於大氣中於150℃、30分鐘之條件下在MD方向上施加10 N之張力，一面進行加熱。藉此，製造實施例之聚酯膜。
＜保護膜＞ 將丙烯酸2-乙基己酯及丙烯酸2-羥基乙酯以100：4(質量比)之比率藉由溶液聚合獲得重量平均分子量60萬之丙烯酸系聚合物。向該丙烯酸系聚合物100質量份中加入3質量份之異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane公司製造，「Coronate L」)，製成黏著劑組合物。將該黏著劑組合物塗佈於剝離基材(表面經剝離處理之聚酯膜，「Diafoil MRF38」，三菱樹脂公司製造)之表面，於140℃下乾燥5分鐘。藉此，將厚度10 μm之黏著劑層配置於脫模基材之表面，獲得轉印膜。
使該轉印膜之黏著劑層與各實施例及各比較例之聚酯膜接觸，僅將剝離基材剝離。藉此，製造具備黏著劑層及聚酯膜之保護膜。
(非晶質性之測定) 對各實施例及各比較例之聚酯膜於下述條件下實施示差掃描熱量測定，測定由熔解產生之熱量(峰面積)。於為45 J/g以下之情形時，設為非晶部成為主成分者，評估為○，將超過45 J/g之情形評估為×。
示差掃描熱量計(DSC)：Seiko Instruments公司製造，「EXSTAR 6000」 溫度範圍：30～300℃ 升溫速度：10℃/min 將結果示於表1。
(熱收縮率之測定) 針對各實施例及各比較例之聚酯膜，測定在130℃下加熱90分鐘後之MD方向及TD方向之熱收縮率。
具體而言，將各實施例及各比較例之聚酯膜切斷成MD方向100 mm×TD方向100 mm之俯視大致正方形狀，對其4角分別施加十字圖案之損傷，製作測定樣品。於加熱前(25℃)之測定樣品中，使用CNC(Computer Numerical Control，電腦數值控制)三維測定機(Mitutoyo公司製造，「LEGEX774」)測定損傷(十字圖案中心)之MD方向間之距離(長度)及其TD方向間之距離(長度)。藉此，分別於MD方向及TD方向上獲得加熱前之長度。
其次，將試片載置於烘箱內之水平台，於130℃下加熱90分鐘後，於室溫(25℃)下放冷1小時。其後，使用CNC三維測定機測定損傷之MD方向間之距離及TD方向間之距離。藉此，分別於MD方向及TD方向上獲得加熱後之長度。其次，藉由下述式，分別算出於MD方向及TD方向上之熱收縮率。
熱收縮率(%)＝[加熱前之長度(mm)－加熱後之長度(mm)]/加熱前之長度(mm)×100 將結果示於表1。
(線膨脹係數之測定) 針對各實施例及各比較例之聚酯膜，測定自50℃升溫至140℃時之MD方向及TD方向之線膨脹係數(CTE)。
具體而言，將各實施例及各比較例之聚酯膜切出MD方向100 mm×TD方向100 mm，作為測定樣品。使用熱分析裝置，於下述條件下分別測定MD方向及TD方向上測定樣品之相對於溫度變化(50℃-140℃之間)之尺寸變化率，算出線膨脹係數。
熱分析裝置：Seiko Instruments公司製造，「EXSTAR6000」 溫度範圍：50～140℃ 升溫速度：10℃/min 夾頭間距離：20 mm 將結果示於表1。
(拉伸彈性模數之測定) 於以下之條件下，測定各實施例及各比較例之聚酯膜之MD方向及TD方向之拉伸彈性模數。
動態黏彈性測定裝置：SII Nano Technology公司製造，「DMS 6100」 測定溫度範圍：-50～300℃ 升溫速度：2℃/min 測定頻率：1 Hz 應變振幅：10 μm 測定氛圍：N2 (25 ml/min) 夾頭間距離：20 mm 將結果示於表1。
(捲曲試驗：環烯烴系膜) (1)藉由使各實施例及各比較例之保護膜之黏著劑層與環烯烴系膜(COP膜：厚度40 μm，Nippon ZEON公司製造，「ZEONOR ZF-16」)接觸，而將保護膜貼合於COP膜。藉此，獲得COP保護膜積層體。
將所獲得之積層體切斷成MD方向20 cm×TD方向20 cm之俯視大致正方形狀，製作試驗樣品。將試驗樣品以COP面成為上側之狀態載置於烘箱內之水平台，於130℃下加熱90分鐘。其後，於室溫(25℃)下放冷1小時，將其設為加熱後之試驗樣品。
於加熱後之試驗樣品中，測定四角部距離水平台之平均高度H1 、中央部距離水平台之高度H2 。將「H1 －H2 」作為捲曲試驗之評估示於表1。再者，將「H1 －H2 」之絕對值為30 mm以下之情形評估為合格。
(2)於環烯烴系膜(COP膜：厚度40 μm，Nippon ZEON公司製造，「ZEONOR ZF-16」)之上表面藉由濺鍍積層ITO層(30 nm)，獲得非晶質之透明導電性膜。其次，將各實施例及各比較例之保護膜之黏著劑層貼合於透明導電性膜之COP膜，製造透明導電性膜保護膜積層體(參照圖4)。將獲得之積層體切斷成MD方向20 cm×TD方向20 cm之俯視大致正方形狀，設為試驗樣品。
與上述同樣地於130℃下加熱90分鐘(即，使ITO層結晶化)，實施捲曲試驗之評估，結果獲得與COP保護膜積層體相同之結果。 [表1]
Figure 108123920-A0304-0001
(參考例之保護膜) 於各實施例之聚酯膜之上表面塗佈黏著劑組合物，於150℃下乾燥5分鐘。藉此，將厚度10 μm之黏著劑層直接配置於聚酯膜，製造參考例之保護膜。對參考例之保護膜實施上述捲曲試驗，結果為-70 mm以下。認為其原因在於，由於黏著劑組合物之乾燥時之熱，而使聚酯膜之熱收縮率發生變化。
再者，上述發明提供了本發明之例示之實施形態，但其僅為例示，並非限定性地進行解釋。由該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。
1‧‧‧聚酯膜 2‧‧‧保護膜 3‧‧‧黏著劑層 4‧‧‧剝離基材 5‧‧‧轉印膜 6‧‧‧透明導電性膜 7‧‧‧透明基材 8‧‧‧透明導電層 9‧‧‧透明導電性膜積層體
圖1表示本發明之聚酯膜之一實施形態之立體圖。 圖2表示具備圖1所示之聚酯膜之保護膜之剖視圖。 圖3A-C為圖2所示之保護膜之製造方法，圖3A表示準備轉印膜之步驟，圖3B表示使轉印膜與聚酯膜接觸之步驟，圖3C表示獲得保護膜之步驟。 圖4表示具備圖2所示之保護膜之透明導電性膜積層體之剖視圖。
1‧‧‧聚酯膜

Claims (11)

  1. 一種聚酯膜，其特徵在於：其係於第1方向及與第1方向正交之第2方向上延伸者，且 以非晶部為主成分， 於130℃下加熱90分鐘後之第1方向之熱收縮率為0.00%以上0.90%以下， 於130℃下加熱90分鐘後之第2方向之熱收縮率為-0.72%以上0.10%以下。
  2. 如請求項1之聚酯膜，其於25℃下之第1方向及第2方向之拉伸彈性模數皆為2.3 GPa以下。
  3. 如請求項1或2之聚酯膜，其自50℃升溫至140℃時之第1方向及第2方向之線膨脹係數皆為60 ppm/℃以上180 ppm/℃以下。
  4. 如請求項1或2之聚酯膜，其玻璃轉移點為90℃以下。
  5. 如請求項1或2之聚酯膜，其中上述聚酯膜含有聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂及聚萘二甲酸乙二酯系樹脂之至少1種。
  6. 一種保護膜，其特徵在於具備 如請求項1至5中任一項之聚酯膜及 配置於上述聚酯膜之厚度方向一側之黏著劑層。
  7. 如請求項6之保護膜，其用以保護環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜。
  8. 一種保護膜積層體，其特徵在於具備 如請求項7之保護膜及 配置於上述保護膜之厚度方向一側之環烯烴系膜或聚碳酸酯系膜。
  9. 如請求項8之保護膜積層體，其進而具備配置於上述環烯烴系膜或上述聚碳酸酯系膜之厚度方向一側之透明導電層。
  10. 一種保護膜之製造方法，其特徵在於具備： 準備步驟，其係準備具備黏著劑層及配置於其厚度方向一側之剝離基材之轉印膜； 調整步驟，其係對聚酯膜進行加熱，而調整上述聚酯膜之熱收縮率；以及 轉印步驟，其係將上述轉印膜之上述黏著劑層轉印至藉由上述調整步驟所得之上述聚酯膜。
  11. 如請求項10之保護膜之製造方法，其中藉由上述調整步驟所得之聚酯膜為於第1方向及與第1方向正交之第2方向上延伸之膜，且 於130℃下加熱90分鐘後之第1方向之熱收縮率為0.00%以上0.90%以下， 於130℃下加熱90分鐘後之第2方向之熱收縮率為-0.72%以上0.10%以下。
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