TW201917740A - 無機物層積層體之製造方法 - Google Patents

Abstract

無機物層積層體之製造方法包括：於具備基材膜之膜體之厚度方向一側配置第1支持膜之步驟；於膜體之厚度方向另一側於真空下形成無機物層之步驟；去除第1支持膜之步驟；於膜體之厚度方向一側配置第2支持膜之步驟；及加熱無機物層之步驟。

Description

無機物層積層體之製造方法

本發明係關於一種無機物層積層體之製造方法、詳細而言為能夠較佳地用於光學用途之無機物層積層體之製造方法。

先前，於透明塑膠膜形成有銦錫複合氧化物(ITO)等透明導電層之透明導電性膜被用於觸控面板用膜等光學用途。

例如，於日本專利特開2008-251529號公報中，揭示有如下之附黏著劑層之透明導電性膜，即，其具有於透明塑膠膜之一面設置有非晶形透明導電性薄膜之非晶形透明性積層體、及於透明塑膠膜之另一面經由黏著劑層而設置之脫模膜。

於上述附黏著劑層之透明導電性膜中，於透明塑膠膜之一面，於真空條件下藉由濺鍍而設置非晶形透明導電性薄膜，繼而，於透明塑膠膜之另一面，經由黏著層而配置特定之脫模膜。而且，於該附黏著劑層之透明導電性膜中，於藉由其後之加熱處理將非晶形透明導電性薄膜結晶化時，利用脫模膜抑制透明導電性膜之捲曲之產生。

然，近年來，為了光學特性或薄型化，可使用薄型聚環烯烴聚合物(COP)基材作為透明塑膠膜。薄型COP之機械強度較脆。因此，於在薄型COP基材於真空下利用濺鍍法形成非晶形透明導電薄膜之情形時，會產生因搬送時之衝擊或濺鍍時之放電而導致薄型COP基材變形並斷裂之不良情況。其結果為，生產效率較差。

因此，研究在形成非晶形透明導電性薄膜之前，預先將薄型COP基材利用上述脫模膜進行支持而補強。

然而，於上述文獻中，使用PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜作為適於加熱處理時之脫模膜。由於該PET膜通常含水量較多，故而若於將薄型COP基材利用PET膜支持之狀態下，於真空下形成非晶形透明導電性薄膜，則水分(雜質)自PET膜表面蒸發。如此一來，會產生該水分被擷取至非晶形透明導電性薄膜(無機物層)而使非晶形透明導電性薄膜之特性降低之不良情況。

本發明之目的在於提供一種不斷裂地製造無機物層之特性之降低得以抑制之無機物層積層體之方法。

本發明[1]包含一種無機物層積層體之製造方法，其包括：於具備基材膜之膜體之厚度方向一側配置第1支持膜之步驟；於上述膜體之厚度方向另一側於真空下形成無機物層之步驟；去除上述第1支持膜之步驟；於上述膜體之厚度方向一側配置第2支持膜之步驟；及加熱上述無機物層之步驟。

根據該製造方法，於膜體配置於第1支持膜之狀態下，於真空下形成無機物層。因此，於搬送時或無機物層形成時，能夠抑制膜體之變形及斷裂。

又，於形成無機物層之步驟之後、及加熱無機物層之步驟之前，去除第1支持膜，並配置第2支持膜。因此，能夠分別採用適於形成無機物層時之第1支持膜、及適於加熱時之第2支持膜。因此，於形成無機物層時，能夠避免採用對真空下之無機物層之形成造成不良影響之支持膜，因此能夠抑制所要形成之無機物層之特性之降低。

本發明[2]包含如[1]之無機物層積層體之製造方法，其中上述第1支持膜之含水量未達2.5 μg/m² 。

根據該製造方法，由於第1支持膜之含水量較低，故而於在真空下形成無機物層時，能夠減少自第1支持膜蒸發之水分。因此，能夠減少被擷取至所要形成之無機物層之水分，而能夠抑制無機物層之特性之降低。

本發明[3]包含如[1]或[2]之無機物層積層體之製造方法，其中上述第1支持膜之寬度10 mm時之降伏強度為30 MPa以下，第1支持膜之斷裂伸長率為80%以上。

根據該製造方法，第1支持膜能夠以較小之張力較長地延伸，且能夠降低因張力而產生之殘留應力。因此，於第1支持膜對所支持之膜體作用張力之情形時，能夠抑制第1支持膜對膜體賦予殘留應力。其結果為，能夠抑制膜體中之捲曲之產生。

本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項之無機物層積層體之製造方法，其中上述第1支持膜為延伸聚丙烯膜。

根據該製造方法，由於第1支持膜係低含水量，且降伏強度較低，伸長率良好，故而於無機物層之形成時，能夠抑制水分之產生，並且能夠抑制膜體之捲曲之產生。

本發明[5]包含如[1]至[4]中任一項之無機物層積層體之製造方法，其中上述第1支持膜與上述膜體之剝離力為0.005 N/50 mm以上且0.50 N/50 mm以下。

根據該製造方法，由於第1支持膜與膜體之剝離力為0.005 N/50 mm以上，故而能夠抑制於其等之間產生氣泡，而抑制剝離。又，由於剝離力為0.50 N/50 mm以下，故而能夠於去除第1支持膜時抑制基材膜之斷裂。

本發明[6]包含如[1]至[5]中任一項之無機物層積層體之製造方法，其中上述第2支持膜為聚對苯二甲酸乙二酯膜。

根據該製造方法，由於第2支持膜之熱縮率較低，故而能夠更確實地抑制無機物層積層體之捲曲。

本發明[7]包含如[1]至[6]中任一項之無機物層積層體之製造方法，其中上述基材膜為環烯烴聚合物膜。

根據該製造方法，能夠不斷裂地製造具備環烯烴聚合物膜作為基材膜之無機物層積層體。

本發明[8]包含如[1]至[7]中任一項之無機物層積層體之製造方法，其中上述於真空下形成無機物層之步驟係利用濺鍍法於真空下形成無機物層之步驟。

根據該製造方法，能夠更確實地形成厚度較薄之無機物層(濺鍍膜)。

本發明[9]包含如[1]至[8]中任一項之無機物層積層體之製造方法，其中上述無機物層含有銦-錫複合氧化物。

根據該製造方法，能夠將具備透明導電性之無機物層之透明導電性膜於透明性及導電性良好之狀態下獲得。

根據本發明之無機物層積層體之製造方法，能夠不斷裂地製造無機物層之特性之降低得以抑制之無機物層積層體。

於圖1A中，紙面上下方向係上下方向(厚度方向、第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。又，紙面左右方向及深度方向係與上下方向正交之面方向。具體而言，依據各圖之方向箭頭。再者，並不意圖藉由該等方向之定義來限定本發明之無機物層積層體之製造時及使用時之朝向。

＜一實施形態＞ 參照圖1A-G，對作為本發明之無機物層積層體之製造方法之一實施形態的結晶化透明導電性膜1之製造方法進行說明。

結晶化透明導電性膜1之製造方法例如依序包括：第1步驟，其係準備作為基材膜之一例之透明基材膜2；第2步驟，其係形成膜體3；第3步驟，其係於膜體3之上側配置第1支持膜4；第4步驟，其係於膜體3之下側，於真空下形成作為無機物層之一例之非晶形透明導電層5；第5步驟，其係去除第1支持膜4；第6步驟，其係於膜體3之上側配置第2支持膜7；及第7步驟，其係加熱非晶形透明導電層5。結晶化透明導電性膜1之製造方法係於第1步驟～第7步驟中全部利用捲對捲(roll to roll)步驟實施。

(第1步驟) 於第1步驟中，如圖1A所示，準備透明基材膜2。

透明基材膜2係用以確保結晶化透明導電性膜1之機械強度之透明之基材。即，透明基材膜2將結晶化透明導電層12與下述硬塗層(第1硬塗層8、第2硬塗層9)及光學調整層10一起支持。

透明基材膜2係具有膜形狀(包含片形狀)且具有透明性之高分子膜。作為透明基材膜2之材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)；例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物(例如降𦯉烯類聚合物、環戊二烯類聚合物、環己二烯類聚合物)等烯烴樹脂；例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂等。透明基材膜2可單獨使用或併用2種以上。就透明性、低雙折射性等光學特性之觀點而言，可較佳地列舉烯烴樹脂，可更佳地列舉環烯烴聚合物(COP)。

透明基材膜2之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為80%以上，較佳為85%以上。

透明基材膜2之厚度例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下，較佳為125 μm以下，又，例如為10 μm以上，較佳為25 μm以上。若透明基材膜2之厚度為上述上限以下，則能夠謀求結晶化透明導電性膜1之薄膜化。若透明基材膜2之厚度為上述下限以上，則結晶化透明導電性膜1之機械強度優異。

於本發明中，關於膜之厚度，於例如厚度為1 μm以上之情形時，能夠使用微計測器(micro-gauge)式厚度計進行測定，於例如厚度未達1 μm之情形時，能夠使用瞬時多重測光系統進行測定。

再者，透明基材膜2亦可如圖1A之假想線所示般於其下表面具備保護膜15。

(第2步驟) 於第2步驟中，如圖1B所示，形成膜體3。

具體而言，製作依序具備第1硬塗層8、透明基材膜2、第2硬塗層9及光學調整層10之膜體3。

首先，於透明基材膜2之上表面及下表面，設置第1硬塗層8及第2硬塗層9。

例如，藉由在透明基材膜2之上表面及下表面之各者濕式塗佈硬塗組合物，然後進行乾燥，而於透明基材膜2之上表面及下表面之各者形成硬塗層(第1硬塗層8及第2硬塗層9)。

具體而言，例如，製備將硬塗組合物(於下文敍述)利用溶劑進行稀釋所得之稀釋液(清漆)，繼而，將稀釋液塗佈於透明基材膜2之上表面及下表面，並將稀釋液進行乾燥。

其後，於硬塗組合物含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，藉由在稀釋液之乾燥後照射活性能量線，而使活性能量線硬化性樹脂硬化。

硬塗組合物含有樹脂。

作為樹脂，例如可列舉：硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如聚烯烴樹脂)等，可較佳地列舉硬化性樹脂。

作為硬化性樹脂，例如可列舉藉由活性能量線(具體而言，紫外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂、例如藉由加熱而硬化之熱固性樹脂等，可較佳地列舉活性能量線硬化性樹脂。

關於活性能量線硬化性樹脂，例如可列舉於分子中包含具有聚合性碳-碳雙鍵之官能基之聚合物。作為此種官能基，例如可列舉：乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。

作為活性能量線硬化性樹脂，具體而言，例如可列舉丙烯酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外線硬化性樹脂。

又，作為除活性能量線硬化性樹脂以外之硬化性樹脂，例如可列舉：胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等。

該等樹脂可單獨使用或併用2種以上。

硬塗組合物亦可進而含有粒子。藉此，能夠將硬塗層設為具有耐黏連特性之抗黏連層。

作為粒子，可列舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，例如可列舉：氧化矽粒子；包含例如氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等之金屬氧化物粒子；例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。粒子可單獨使用或併用2種以上。

於硬塗組合物中，可進而含有調平劑、觸變劑、抗靜電劑等公知之添加劑。

繼而，於第2硬塗層9之下表面，設置光學調整層10。

例如，藉由在第2硬塗層9之下表面濕式塗佈光學調整組合物，然後進行乾燥，而於第2硬塗層9之下表面形成光學調整層10。

具體而言，例如，視需要製備將光學調整組合物利用溶劑進行稀釋所得之稀釋液，繼而，將稀釋液塗佈於第2硬塗層9之下表面，並將稀釋液進行乾燥。

於光學調整組合物含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，藉由在稀釋液之乾燥後照射活性能量線，而使活性能量線硬化性樹脂硬化。

光學調整組合物含有樹脂，較佳為含有樹脂及粒子。

作為樹脂，並無特別限定，可列舉與硬塗組合物中所使用之樹脂相同者。樹脂可單獨使用或併用2種以上。可較佳地列舉硬化性樹脂，可更佳地列舉活性能量線硬化性樹脂。

樹脂之含有比率係相對於光學調整組合物，例如為10質量%以上，較佳為25質量%以上，又，例如為95質量%以下，較佳為60質量%以下。

作為粒子，可根據光學調整層所要求之折射率而選擇較佳之材料，例如可列舉與硬塗組合物中所使用之粒子相同者。粒子可單獨使用或併用2種以上。可較佳地列舉無機粒子，可更佳地列舉金屬氧化物粒子，可進而較佳地列舉氧化鋯粒子(ZnO₂ )。

粒子之含有比率係相對於光學調整組合物，例如為5質量%以上，較佳為40質量%以上，又，例如為90質量%以下，較佳為75質量%以下。

於光學調整組合物中，可進而含有調平劑、觸變劑、抗靜電劑等公知之添加劑。

藉此，獲得具備光學調整層10、配置於光學調整層10之上之第2硬塗層9、配置於第2硬塗層9之上之透明基材膜2、及配置於透明基材膜2之上之第1硬塗層8的膜體3(膜積層體)。

第1硬塗層8及第2硬塗層9係用以於積層有複數個結晶化透明導電性膜1之情形時等，使結晶化透明導電性膜1之表面(結晶化透明導電層12之表面)不易產生擦傷之擦傷保護層。又，亦可設為用以對結晶化透明導電性膜1賦予耐黏連性之抗黏連層。

例如就耐擦傷性之觀點而言，各硬塗層之厚度分別例如為0.5 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為3 μm以下。

光學調整層10係如下之層，即，其為了一面抑制結晶化透明導電層12中之配線圖案之視認，一面於結晶化透明導電性膜1中確保優異之透明性，而調整結晶化透明導電性膜1之光學物性(例如，折射率)。

光學調整層10之折射率例如為1.6以上，較佳為1.8以下。

光學調整層10之厚度例如為50 nm以上，較佳為80 nm以上，又，例如為300 nm以下，較佳為150 nm以下。

膜體3之厚度例如為15 μm以上，較佳為25 μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為100 μm以下，更佳為50 μm以下。

再者，透明基材膜2係於在其下表面具備保護膜15之情形時，於第2硬塗層9之形成之前，將保護膜15藉由剝離、熔解等而去除。

(第3步驟) 於第3步驟中，如圖1C所示，於膜體3之上側配置第1支持膜4。

具體而言，以第1硬塗層8之上表面與第1支持膜4之下表面接觸之方式，於膜體3之上表面配置第1支持膜4。藉此，膜體3貼合於第1支持膜4。

第1支持膜4之配置較佳為於大氣下實施。

第1支持膜4係於在真空下形成非晶形透明導電層5之第4步驟中支持透明基材膜2。

第1支持膜4之下表面較佳為具備黏性(黏著性)。藉此，能夠將第1支持膜4與膜體3直接貼合。

第1支持膜4之降伏強度例如低於第2支持膜7(於下文敍述)之降伏強度，具體而言，於寬度10 mm時，例如為30 MPa以下，較佳為10 MPa以下。又，第1支持膜4之斷裂伸長率例如大於第2支持膜之斷裂伸長率，具體而言，例如為80%以上，較佳為100%以上。

若第1支持膜4之降伏強度為上述上限以下，又，第1支持膜4之斷裂伸長率為上述下限以上，則第1支持膜4能夠以較小之張力較長地延伸，且能夠降低因張力而產生之殘留應力。因此，即便於在捲對捲步驟中，對第1-支持膜積層體21(於下文敍述)較強地作用搬送方向之張力之情形時，亦能夠降低殘留於第1支持膜4之殘留應力，因此能夠使第1支持膜4對膜體3賦予之殘留應力降低。其結果為，能夠於膜體3中抑制捲曲之產生。

降伏應力及斷裂伸長率能夠藉由如下方式進行測定，即，將測定對象膜(例如，第1支持膜4)切斷為寬度10 mm×長度10 mm，並將其設置於測定裝置(島津製作所公司製造，商品名「Autograph AG-I 10KN」)，於5 mm/s至100 mm/s之拉伸速度之條件下進行拉伸。

第1支持膜4之含水量例如低於第2支持膜7(於下文敍述)之含水量，例如未達2.5 μg/m² ，較佳為1.0 μg/m² 以下。若第1支持膜4之含水量為上述上限以下，則於在真空下形成非晶形透明導電層5時，能夠確實地減少自第1支持膜4之下表面(露出面)蒸發之水分。因此，能夠減少被擷取至所要形成之非晶形透明導電層5之水分(雜質)，而能夠抑制非晶形透明導電層5(進而，結晶化透明導電層12)之特性(例如，導電性、透明性)之降低。

含水量能夠利用卡氏(Karl Fischer)水分測定法進行測定。具體而言，能夠使用將利用加熱氣化法(150℃)而產生之氣體導入至滴定槽內之卡氏水分測定裝置進行測定。

第1支持膜4之線熱膨脹係數例如超過2.0×10^-5 /℃，較佳為1.5×10^-4 /℃以上，又，例如為1.0×10^-2 /℃以下。

作為第1支持膜4之材料，例如可列舉烯烴樹脂，可更佳地列舉延伸聚丙烯(OPP)。OPP膜係低含水量，且降伏強度較低，伸長率良好。因此，於非晶形透明導電層5之形成時，能夠更確實地抑制水分(雜質)之產生。與此同時，由於起因於捲對捲步驟之張力之殘留應力較低，故而能夠抑制膜體3之捲曲之產生。進而，由於OPP膜具備黏著性，故而能夠不經由黏著劑層而於膜體3之上表面直接配置(貼合)第1支持膜4，且能夠使膜體3與第1支持膜4之剝離力變得良好。

藉此，獲得具備膜體3及配置於膜體3之上之第1支持膜4之第1-支持膜積層體21。

於第1-支持膜積層體21中，膜體3與第1支持膜4之剝離力例如為0.50 N/50 mm以下，較佳為0.20 N/50 mm以下，又，例如為0.005 N/50 mm以上，較佳為0.15 N/50 mm以上。若剝離力為上述上限以下，則於下述第1支持膜4之去除步驟中，能夠將第1支持膜4自非晶形透明導電性膜6容易地剝離，而能夠抑制透明基材膜2之斷裂。又，若剝離力為上述下限以上，則於第1支持膜4之配置時或非晶形透明導電層5之形成時，能夠於膜體3與第1支持膜4之間抑制氣泡之產生及增大，而能夠防止其等之剝離及脫落。

剝離力能夠藉由如下方式而求出，即，將第1-支持膜積層體21切斷為寬度50 mm×長度50 mm，並使用萬能拉伸試驗機，於剝離速度300 mm/分鐘且剝離角度180°之條件下進行測定。

第1支持膜4之厚度例如為15 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為150 μm以下，較佳為100 μm以下。

(第4步驟) 於第4步驟中，如圖1D所示，於真空下，在膜體3之下側形成非晶形透明導電層5。

具體而言，於真空下，利用乾式方法於光學調整層10之下表面形成非晶形透明導電層5。

真空條件(氣壓)例如為100 Pa以下，較佳為10 Pa以下，更佳為1 Pa以下。

作為乾式方法，例如可列舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等。可較佳地列舉濺鍍法。利用該方法能夠更確實地形成厚度較薄之非晶形透明導電層5(濺鍍膜)。

於採用濺鍍法之情形時，作為靶材，可列舉構成非晶形透明導電層5之下述無機物，可較佳地列舉ITO。關於ITO之氧化錫濃度，就ITO層之耐久性、結晶化等之觀點而言，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為15質量%以下，較佳為13質量%以下。

作為濺鍍氣體，例如可列舉Ar等惰性氣體。又，視需要能夠併用氧氣等反應性氣體。於併用反應性氣體之情形時，反應性氣體之流量比並無特別限定，相對於濺鍍氣體及反應性氣體之合計流量比，例如為0.1流量%以上且5流量%以下。

濺鍍法中所使用之電源例如可為DC(direct current，直流)電源、AC(alternating current，交流)電源、MF(medium frequency，中頻)電源及RF(radio frequency，射頻)電源中之任一者，又，亦可為其等之組合。

藉此，於膜體3之下表面，形成非晶形(非晶質)透明導電層5。其結果為，在支持於第1支持膜4之狀態下獲得具備非晶形透明導電層5及配置於該非晶形透明導電層5之上之膜體3之非晶形透明導電性膜6。即，獲得具備非晶形透明導電性膜6及配置於非晶形透明導電性膜6之上之第1支持膜4之第2-支持膜積層體22。

作為非晶形透明導電層5之材料，例如可列舉包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群之至少1種金屬之金屬氧化物。於金屬氧化物中，視需要亦可進而摻雜有上述群中所示之金屬原子。

作為非晶形透明導電層5，具體而言，可列舉：例如銦錫複合氧化物(ITO)等含有銦之氧化物、例如銻錫複合氧化物(ATO)等含有銻之氧化物等。就透明性及導電性良好之觀點而言，可較佳地列舉含有銦之氧化物，可更佳地列舉ITO。

本說明書中之「ITO」只要為至少包含銦(In)及錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可包含除其等以外之追加成分。作為追加成分，例如可列舉除In、Sn以外之金屬元素，具體而言，可列舉Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。

非晶形透明導電層5之厚度例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上，又，例如為50 nm以下，較佳為30 nm以下。

(第5步驟) 於第5步驟中，如圖1E所示，去除第1支持膜4。即，自第2-支持膜積層體22去除第1支持膜4。

具體而言，於第2-支持膜積層體22中，自非晶形透明導電性膜6之上表面，將第1支持膜4剝離。

藉此，獲得具備非晶形透明導電層5及配置於該非晶形透明導電層5之上之膜體3之非晶形透明導電性膜6。

(第6步驟) 於第6步驟中，如圖1F所示，於非晶形透明導電性膜6之上側配置第2支持膜7。

具體而言，於非晶形透明導電性膜6之上表面(即，第1硬塗層8之上表面)經由黏著劑層11而配置第2支持膜7。藉此，非晶形透明導電性膜6經由黏著劑層11而貼合於第2支持膜7。

第2支持膜7之配置較佳為於大氣下實施。

作為構成黏著劑層11之黏著劑，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑(丁基橡膠系黏著劑等)、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、環氧系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、氟樹脂系黏著劑等。

作為黏著劑之塗佈方法，例如可列舉：刮刀、凹版塗佈機、噴注式塗佈機、塗鑄機、旋轉塗佈機、輥式塗佈機等。

黏著劑層11之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為50 μm以下。

第2支持膜7係於加熱步驟時支持非晶形透明導電性膜6。又，於保護、搬送及保存所獲得之結晶化透明導電性膜1時被使用，且於結晶化透明導電性膜1之使用之前，貼合(配置)於該結晶化透明導電性膜1。換言之，即便於作為製品之出貨時，第2支持膜7亦作為保護膜而貼合於結晶化透明導電性膜1。

第2支持膜7之降伏強度係於寬度50 mm時，例如超過30 MPa，較佳為50 MPa以上。第2支持膜7之斷裂伸長率例如未達80%。若第2支持膜7之降伏強度為上述下限以上、或斷裂伸長率未達上述上限，則於對非晶形透明導電性膜6及第2支持膜7施加有張力時，能夠抑制該等膜之翹曲。

第2支持膜7之含水量例如為2.5 μg/m² 以上，較佳為5.0 μg/m² 以上，又，例如為10 μg/m² 以下。

第2支持膜7之線熱膨脹係數例如低於第1支持膜4之熱線膨脹係數，具體而言，例如為2.0×10^-5 /℃以下，較佳為1.0×10^-5 /℃以下。若第2支持膜7之熱膨脹係數為上述上限以下，則於加熱步驟中，能夠降低第2支持膜7之熱縮，而能夠抑制結晶化透明導電性膜1之捲曲之產生。

第2支持膜7係與第1支持膜4不同之膜，作為其材料，例如可列舉烯烴樹脂、聚酯樹脂，可較佳地列舉COP、PET，可更佳地列舉PET。由於COP膜或PET膜之熱縮較低，故而能夠進一步抑制結晶化透明導電性膜1之捲曲之產生。

第2支持膜7之厚度例如為50 μm以上，較佳為100 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下。

作為將第2支持膜7經由黏著劑層11而配置於非晶形透明導電性膜6之方法，例如，可於非晶形透明導電性膜6之上表面塗佈黏著劑，繼而，將第1支持膜4配置於黏著劑層11之上表面，又，例如，亦可準備於下表面配置有黏著劑層11之第2支持膜7，並使非晶形透明導電性膜6與黏著劑層11接觸。

藉此，獲得具備非晶形透明導電性膜6、配置於非晶形透明導電性膜6之上之黏著劑層11、及配置於黏著劑層11之上之第2支持膜的第3-支持膜積層體23。

(第7步驟) 於第7步驟中，如圖1G所示，加熱非晶形透明導電層5。

具體而言，對第3-支持膜積層體23實施加熱處理。

加熱處理較佳為於大氣下實施。加熱處理例如能夠使用紅外線加熱器、烘箱等而實施。

加熱溫度例如為100℃以上，較佳為120℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為160℃以下。若加熱溫度為上述範圍內，則能夠一面抑制透明基材膜2之熱損傷及自透明基材膜2產生之雜質，一面確實地進行結晶轉化。

加熱時間可根據加熱溫度而適當決定，例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上，又，例如為5小時以下，較佳為3小時以下。

藉此，非晶形透明導電層5被結晶化，而形成結晶化透明導電層12。其結果為，如圖1G所示，於經由黏著劑層11而支持於第2支持膜7之狀態下獲得具備結晶化透明導電層12及配置於該結晶化透明導電層12之上之膜體3之結晶化透明導電性膜1。即，獲得具備結晶化透明導電性膜1、配置於結晶化透明導電性膜1之上之黏著劑層11、及配置於黏著劑層11之上之第2支持膜的附支持膜之透明導電性膜24。

附支持膜之透明導電性膜24係於使用時將黏著劑層11及第2支持膜7去除(剝離)，而以單體之形式使用結晶化透明導電性膜1。

(結晶化透明導電性膜) 結晶化透明導電性膜1例如為圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材等之一零件，亦即，並非圖像顯示裝置。即，結晶化透明導電性膜1係用以製作圖像顯示裝置等之零件，且為不包含LCD(liquid crystal display，液晶顯示裝置)模組等圖像顯示元件而是零件單獨地流通且產業上能夠利用之裝置。具體而言，結晶化透明導電性膜1依序具備第1硬塗層8、透明基材膜2、第2硬塗層9、光學調整層10、及結晶化透明導電層12。

於結晶化透明導電性膜1例如被用作觸控面板用基材之情形時，作為觸控面板之形式，可列舉光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，可尤佳地用於靜電電容方式之觸控面板。

根據該結晶化透明導電性膜1之製造方法，於膜體3配置(支持)於第1支持膜4之狀態下，於真空下形成非晶形透明導電層5。因此，於搬送時或非晶形透明導電層形成時，能夠抑制膜體3之變形及斷裂。

又，於形成非晶形透明導電層5之步驟之後、及加熱非晶形透明導電層5之步驟之前，去除第1支持膜4並配置第2支持膜7。因此，能夠分別採用適於形成非晶形透明導電層5時之第1支持膜4、及適於加熱時之第2支持膜7。因此，於形成非晶形透明導電層5時，能夠避免採用對真空下之非晶形透明導電層5之形成造成不良影響之支持膜(具體而言，含水量較多之膜)，而採用恰當之第1支持膜4，因此能夠抑制所要形成之非晶形透明導電層5之特性(透明性、導電性)之降低。又，於加熱非晶形透明導電層5時，能夠避免選擇熱縮較大之支持膜，而採用熱縮較低之第2支持膜7，因此能夠抑制所要獲得之結晶化透明導電性膜1之捲曲。

而且，於該製造方法中，尤其是於透明基材膜2為機械強度較脆之膜(例如，薄型環烯烴聚合物膜)之情形時，能夠不斷裂而較佳地製造具備該透明基材膜2之結晶化透明導電性膜1。

(變化例) 參照圖2A-F，對本發明之結晶化透明導電性膜1之製造方法之一實施形態的變化例進行說明。再者，於變化例中，對與一實施形態相同之構件標註相同之符號，並省略其說明。

(1)於圖1A-G所示之一實施形態中，膜體3具備第1硬塗層8、第2硬塗層9及光學調整層10，但例如亦可如圖2A-F所示般，膜體3不具備該等層之一部分或全部。例如，圖2A-F所示之實施形態係膜體3僅設為透明基材膜2之一例。於圖2A-F所示之實施形態中，如圖2B所示，於第3步驟中，於透明基材膜2之上表面直接配置第1支持膜4，如圖2C所示，於第4步驟中，於透明基材膜2之下表面直接形成非晶形透明導電層5，如圖2D所示，於第5步驟中，自透明基材膜2去除第1支持膜4，如圖2E所示，於第6步驟中，於透明基材膜2之上表面，直接經由黏著劑層11而配置第2支持膜7。

(2)於圖1A-G所示之一實施形態中，未於結晶化透明導電層12形成配線圖案等圖案，但例如，雖未圖示，可於結晶化透明導電層12形成圖案。具體而言，藉由在加熱步驟之前或之後，利用公知之蝕刻方法將非晶形透明導電層5或結晶化透明導電層12進行蝕刻，而能夠於結晶化透明導電層12形成圖案。

(3)於圖1A-G所示之一實施形態中，一面以捲對捲方式搬送透明基材膜2，一面實施第1～第7步驟，但例如，雖未圖示，亦可以批次方式(單片方式)形成第1～第7步驟之一部分或全部。就生產性之觀點而言，較佳為以捲對捲方式實施第1～第7步驟。又，於捲對捲步驟中，可連續地實施第1～第7步驟，又，亦可斷續地實施第1～第7步驟。

(4)於圖1A-G所示之一實施形態中，於第3步驟中，於膜體3之上表面直接配置第1支持膜4，但例如，雖未圖示，亦可於膜體3之上表面經由黏著劑層而配置第1支持膜4。

作為該黏著劑層，可列舉與就第6步驟於上文敍述之黏著劑層11相同者。

＜另一實施形態＞ 於圖1A-G所示之一實施形態中，作為無機物層積層體之製造方法之一實施形態，將結晶化透明導電性膜1之製造方法作為例示，但並不限定於此。例如，雖未圖示，但可列舉阻氣性膜之製造方法，以作為無機物層積層體之製造方法之另一實施形態。阻氣性膜具備包含阻氣性無機材料之阻氣層、及基材膜。作為該等阻氣層及基材膜，可使用公知者，例如，可列舉日本專利特開2011-149057號公報中所揭示者。

再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不應限定地進行解釋。由該技術領域之業者所明確之本發明之變化例係包含於下述申請專利範圍者。

1‧‧‧結晶化透明導電性膜

2‧‧‧透明基材膜

3‧‧‧膜體

4‧‧‧第1支持膜

5‧‧‧非晶形透明導電層

6‧‧‧非晶形透明導電性膜

7‧‧‧第2支持膜

8‧‧‧第1硬塗層

9‧‧‧第2硬塗層

10‧‧‧光學調整層

11‧‧‧黏著劑層

12‧‧‧結晶化透明導電層

15‧‧‧保護膜

21‧‧‧第1-支持膜積層體

22‧‧‧第2-支持膜積層體

23‧‧‧第3-支持膜積層體

24‧‧‧附有支持膜之透明導電性膜

圖1A-G表示本發明之無機物層積層體之製造方法之一實施形態的步驟圖，圖1A表示準備透明基材膜之第1步驟，圖1B表示形成膜體之第2步驟，圖1C表示配置第1支持膜之第3步驟，圖1D表示形成非晶形透明導電層之第4步驟，圖1E表示去除第1支持膜之第5步驟，圖1F表示配置第2支持膜之第6步驟，圖1G表示加熱非晶形透明導電層之第7步驟。 圖2A-F表示本發明之無機物層積層體之製造方法之一實施形態之變化例的步驟圖，圖2A表示準備透明基材膜之第1步驟，圖2B表示配置第1支持膜之第3步驟，圖2C表示形成非晶形透明導電層之第4步驟，圖2D表示去除第1支持膜之第5步驟；圖2E表示配置第2支持膜之第6步驟，圖2F表示加熱非晶形透明導電層之第7步驟。

Claims (9)

1. 一種無機物層積層體之製造方法，其特徵在於包括： 於具備基材膜之膜體之厚度方向一側配置第1支持膜之步驟；於上述膜體之厚度方向另一側於真空下形成無機物層之步驟； 去除上述第1支持膜之步驟； 於上述膜體之厚度方向一側配置第2支持膜之步驟；及 加熱上述無機物層之步驟。
2. 如請求項1之無機物層積層體之製造方法，其中上述第1支持膜之含水量未達2.5 μg/m² 。
3. 如請求項1之無機物層積層體之製造方法，其中上述第1支持膜之寬度10 mm時之降伏強度為30 MPa以下，第1支持膜之斷裂伸長率為80%以上。
4. 如請求項1之無機物層積層體之製造方法，其中上述第1支持膜為延伸聚丙烯膜。
5. 如請求項1之無機物層積層體之製造方法，其中上述第1支持膜與上述膜體之剝離力為0.005 N/50 mm以上且0.50 N/50 mm以下。
6. 如請求項1之無機物層積層體之製造方法，其中上述第2支持膜為聚對苯二甲酸乙二酯膜。
7. 如請求項1之無機物層積層體之製造方法，其中上述基材膜為環烯烴聚合物膜。
8. 如請求項1之無機物層積層體之製造方法，其中上述於真空下形成無機物層之步驟係利用濺鍍法於真空下形成無機物層之步驟。
9. 如請求項1之無機物層積層體之製造方法，其中上述無機物層含有銦-錫複合氧化物。