TW202011420A - 層合膜，及Ａｇ合金濺鍍靶 - Google Patents

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Abstract

一種具備Ag合金膜(11)，與層合於該Ag合金膜(11)之一面或兩面的透明導電氧化物膜(12)之層合膜(10)，其中，Ag合金膜(11)，含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成，且Ag合金膜(11)之膜厚為3nm以上且10nm以下之範圍內。

Description

層合膜，及Ａｇ合金濺鍍靶
本發明例如係關於可利用作為顯示器或觸控式面板等之透明導電配線膜或透明電極的層合膜，及使構成該層合膜之Ag合金膜成膜時所用的Ag合金濺鍍靶。 本案係基於2018年5月17日於日本申請的特願2018-095293號，及2019年5月13日於日本申請的特願2019-090548號主張優先權，其內容援用於此。
例如於液晶顯示器或有機EL顯示器、觸控式面板等中，例如係如專利文獻1-3所示般，應用作為透明導電氧化物膜與由Ag或Ag合金所構成的Ag膜之層合構造的層合膜，作為配線。對該層合膜，係要求可見光區域之光的穿透率高，且電阻低者。 又，於玻璃基板等使由Ag或Ag合金所構成的Ag膜成膜時，例如係如專利文獻4所揭示般，廣為利用使用由Ag或Ag合金所構成的濺鍍靶之濺鍍法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平09-291356號公報(A) [專利文獻2]日本特開平10-239697號公報(A) [專利文獻3]日本特開2016-040411號公報(A) [專利文獻4]日本特開2016-164305號公報(A)
[發明所欲解決之課題]
而最近於顯示器或觸控式面板等中，配線及電極之微細化更加進展，進一步地因大畫面化，配線及電極的長度變長，作為透明導電配線膜或透明電極，較以往更加要求電阻低，且可見光區域之穿透率優良的層合膜。亦即，對該層合膜係要求優良的電特性及光學特性。 此處，於作為透明導電氧化物膜與由Ag或Ag合金所構成的Ag膜之層合構造的層合膜中，為了實現穿透率進一步提高，必需使由Ag或Ag合金所構成的Ag膜之膜厚薄。
但是，僅使Ag膜為薄時，Ag容易凝集，因此係有Ag膜成為不連續膜，電阻增加的問題。又，係有因Ag之凝集，穿透率反而大幅降低的問題。 特別是若膜厚為10nm以下時，Ag凝集，Ag膜容易成為不連續膜，無法得到電特性及光學特性優良的層合膜。 進一步而言，量產時，可能於在成膜裝置中包含殘留氣體(水蒸氣等)的狀態下成膜。在包含水蒸氣的環境下使Ag膜成膜時，係有因水蒸氣而於Ag膜的表面促進Ag的凝集，而無法安定地使Ag膜成膜之虞。
本發明係有鑑於前述實情而為者，其目的為提供例如具有10nm以下之薄的膜厚之Ag合金膜，電特性及光學特性優良，特別適於透明導電配線膜或透明電極之層合膜，及使構成該層合膜之Ag合金膜成膜時所用的Ag合金濺鍍靶。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之一態樣的層合膜(以下稱為「本發明之層合膜」)，為具備Ag合金膜，與層合於該Ag合金膜之一面或兩面的透明導電氧化物膜之層合膜，其特徵為，前述Ag合金膜，含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成，前述Ag合金膜之膜厚為3nm以上且10nm以下之範圍內。
依照本發明之層合膜，前述Ag合金膜含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成，因此Ag之擴散係藉由Ge而被抑制，即使將Ag合金膜之膜厚形成為薄如3nm以上且10nm以下的情況，亦可抑制Ag之凝集，可抑制Ag合金膜成為不連續膜。又，即使為在包含水蒸氣之環境下成膜的情況，亦可抑制於Ag膜表面之Ag的凝集，即使為以缺乏排氣能力之量產製造裝置來成膜的情況，亦可抑制Ag合金膜成為不連續膜。 又，由於Ag合金膜之膜厚為3nm以上，因此可確保電特性。進一步地，由於Ag合金膜之膜厚為10nm以下，因此可確保光學特性。 因而，可提供電特性及光學特性優良，特別適於透明導電配線膜或透明電極之層合膜。
此處，本發明之層合膜中，前述Ag合金膜，亦可進一步含有由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素，且由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)，為0.05以上且0.50以下之範圍內。
此時，由於含有與Ge同樣地具有抑制Ag原子之擴散移動的效果之元素In、Zn、Sn，且In、Zn、Sn之合計含量(In+Zn+Sn)與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)為0.05以上，因此即使將Ag合金膜之膜厚形成為薄如3nm以上且10nm以下的情況，亦可進一步抑制Ag之凝集，可抑制Ag合金膜成為不連續膜。 又，由於前述Ag合金膜中之原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)係限制為0.50以下，因此可抑制起因於In、Zn、Sn之耐環境性及水蒸氣耐性的劣化。
又，本發明之層合膜中，前述Ag合金膜，亦可進一步含有由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素，且由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.01以上，且由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.50以下之範圍內。
此時，由於Ag合金膜中，含有具有提高耐環境性之效果的元素Pd、Au、Pt，且由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)為0.01以上，因此可充分提高Ag合金膜之耐環境性。 又，Ag合金膜中，由於由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，係限制為0.50以下，因此可抑制起因於Pd、Au、Pt之水蒸氣耐性的劣化。
又，本發明之層合膜中，較佳為，前述層合膜之薄片電阻為40Ω/□(Ω/sq.)以下，並且藉由於面內之複數部位所測定之前述薄片電阻的平均值μR 與標準差σR 所定義的薄片電阻之分布DR =(σR /μR )×100，為20%以下。 此時，由於前述層合膜之薄片電阻為40Ω/□以下，因此電特性充分優良。又，由於上述之薄片電阻之分布DR 為20%以下，因此薄片電阻等之特性於層合膜之面內為安定。亦即，即使將Ag合金膜之膜厚形成為薄如3nm以上且10nm以下的情況，亦形成較為均勻之膜厚的Ag合金膜。
又，本發明之層合膜中，前述透明導電氧化物膜，亦可為含有由In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物中選擇的任一種或二種以上之構成。 此時，由於層合於Ag合金膜之前述透明導電氧化物膜，含有由In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物中選擇的任一種或二種以上，因此前述透明導電氧化物膜中的電特性及光學特性優良，可提高作為層合膜全體的光學特性及電特性。
又，本發明之層合膜中，前述透明導電氧化物膜，亦可為於波長550nm之折射率為1.9以上且2.4以下之範圍內，並且膜厚為5nm以上且50nm以下之範圍內。 此時，由於層合於Ag合金膜之前述透明導電氧化物膜，於波長550nm之折射率為1.9以上且2.4以下之範圍內，膜厚為5nm以上且50nm以下之範圍內，因此可提高前述透明導電氧化物膜之可見光的穿透率，層合膜全體亦可充分提高可見光的穿透率。
本發明之Ag合金濺鍍靶，其特徵為，含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，且剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成，進一步地，結晶粒徑之平均值為200μm以下，藉由於濺鍍面之複數部位所測定之結晶粒徑的平均值μGS 與結晶粒徑之標準差σGS 所定義之結晶粒徑之分布DGS =(σGS /μGS )×100，為25%以下。
依照該構成之Ag合金濺鍍靶，由於含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，且剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成，因此經成膜之Ag合金膜中，Ag之擴散係藉由Ge而被抑制，即使將Ag合金膜之膜厚形成為薄如3nm以上且10nm以下的情況，亦可抑制Ag之凝集，可形成較為均勻之膜厚的Ag合金膜。 又，由於結晶粒徑的平均值為200μm以下，且藉由於濺鍍面之複數部位所測定之結晶粒徑的平均值μGS 與結晶粒徑之標準差σGS 所定義之結晶粒徑之分布DGS =(σGS /μGS )×100為25%以下，因此於濺鍍面全體，濺鍍速率較為一定，可使3nm以上且10nm以下之膜厚的Ag合金膜安定地成膜。
此處，本發明之Ag合金濺鍍靶中，亦可為進一步含有由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素，且由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)，為0.05以上且0.50以下之範圍內的構成。 此時，由於由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)為0.05以上，因此即使為3nm以上且10nm以下之薄的Ag合金膜，亦可抑制Ag之凝集，可安定地使Ag合金膜成膜。 又，由於原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)限制為0.50以下，因此可抑制起因於In、Zn、Sn之耐環境性及水蒸氣耐性的劣化，即使為在包含水蒸氣之環境下成膜的情況，亦可抑制Ag之凝集。
進一步地，本發明之Ag合金濺鍍靶中，亦可為進一步含有由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素，且由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.01以上，且由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.50以下之範圍內的構成。
此時，由於由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.01以上，因此可使耐環境性優良的Ag合金膜成膜。 又，由於由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，限制於0.50以下，因此可抑制起因於Pd、Au、Pt之水蒸氣耐性的劣化，即使為在包含水蒸氣之環境下成膜的情況，亦可抑制Ag之凝集。 [發明之效果]
依照本發明，可提供例如具有10nm以下之薄的膜厚之Ag合金膜，電特性及光學特性優良，特別適於透明導電配線膜或透明電極之層合膜，及使構成該層合膜之Ag合金膜成膜時所用的Ag合金濺鍍靶。
以下說明本發明之一實施形態的層合膜，及Ag合金濺鍍靶。 本實施形態的層合膜10，係使用作為各種顯示器及觸控式面板之透明導電配線膜或透明電極者。
＜層合膜＞ 本實施形態的層合膜10，如圖1所示，具備於由玻璃等所構成的基板1之一面側成膜的Ag合金膜11，與於該Ag合金膜11之兩面分別形成的透明導電氧化物膜12。
Ag合金膜11，含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成。 再者，Ag合金膜11，亦可進一步含有由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素，且由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)，為0.05以上且0.50以下之範圍內。 又，Ag合金膜11，亦可進一步含有由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素，且由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.01以上，且由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.50以下之範圍內。 此外，該Ag合金膜11之膜厚，為3nm以上且10nm以下之範圍內。
透明導電氧化物膜12，例如係以含有由In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物中選擇的任一種或二種以上之透明導電氧化物所構成。具體而言，可列舉In-Sn氧化物(ITO)、Al-Zn氧化物(AZO)、In-Zn氧化物(IZO)、Zn-Sn氧化物(ZTO)、Zn-Sn-Al氧化物(AZTO)、Ga-Zn氧化物(GZO)、Zn-Y氧化物(ZYO)、Ga-Zn-Y氧化物(GZYO)等。 又，該透明導電氧化物膜12之膜厚，較佳為例如5nm以上且50nm以下之範圍內。進一步地，透明導電氧化物膜12，於波長550nm之折射率較佳為1.9以上且2.4以下之範圍內。
此外，本實施形態的層合膜10中，薄片電阻為40Ω/□以下。 又，藉由於層合膜10之面內的複數部位所測定之薄片電阻的平均值μR 與標準差σR 所定義的薄片電阻之分布DR =(σR /μR )×100，為20%以下。 進一步地，本實施形態的層合膜10中，於波長380nm至780nm之平均穿透率為85%以上。
此處，說明本實施形態的層合膜10中，將Ag合金膜11之成分組成、層合膜10之薄片電阻及平均穿透率、透明導電氧化物膜12之折射率及膜厚作如上述般規定的理由。
(Ge) 例如如圖2A、2B所示，Ge係於Ag合金膜11之表面(界面)偏析。藉此，具有抑制Ag原子之擴散移動，且抑制Ag合金膜11中的Ag之凝集之作用效果。又，由於Ge特別是抑制於Ag合金膜11之表面的Ag元素之擴散，故即使在水蒸氣存在下成膜的情況，亦會抑制Ag之凝集。再者，圖2A、2B，為顯示將Ag合金膜11之Ge藉由球面像差修正掃描穿透型電子顯微鏡(Cs-STEM)，實施能量分散型X射線分析(EDS)之結果者，(a)顯示Ag之分布11Ag，(b)顯示Ge之分布11Ge。由該圖2A、2B，確認到Ge係於Ag合金膜11之表面(界面)偏析。
此處，Ge之含量未達5.0原子%時，有無法發揮上述作用效果之虞。另一方面，Ge之含量超過13.0原子%時，超過Ge對Ag之固溶限，因此成膜時所用的Ag合金濺鍍靶之製作變得困難。 由於以上理由，本實施形態中，係將Ag合金膜11中的Ge之含量設定為5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內。
再者，為了抑制Ag原子之擴散移動，且更加抑制Ag合金膜11中的Ag之凝集，較佳使Ag合金膜11中的Ge之含量成為7.0原子%以上、更佳為9.0原子%以上。 另一方面，為了更安定地製作成膜時所用的Ag合金濺鍍靶，較佳使Ag合金膜11中的Ge之含量成為12.0原子%以下、更佳為11.0原子%以下。
(由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素) 上述In、Zn、Sn之元素，與Ge同樣地，具有抑制Ag合金膜11中的Ag之凝集的作用效果。因此，亦可適當添加此等In、Zn、Sn。 此處，藉由使由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)，為0.05以上，可充分發揮In、Zn、Sn之添加所致的上述作用效果。另一方面，藉由使原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)為0.50以下，可抑制起因於In、Zn、Sn之水蒸氣耐性及耐環境性的劣化。 由於以上理由，本實施形態中，Ag合金膜11中，含有由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素時，係將原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)設定為0.05以上且0.50以下之範圍內。
再者，為了藉由In、Zn、Sn更加抑制Ag凝集，較佳使原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)成為0.10以上、更佳為0.15以上。 另一方面，為了更加抑制起因於In、Zn、Sn之水蒸氣耐性及耐環境性的劣化，較佳使原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)成為0.40以下、更佳為0.30以下。 又，上述由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素，當作為雜質而含有時，原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)亦可為未達0.05。
(由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素) 上述Pd、Au、Pt之元素，具有提高Ag合金膜11之耐環境性(對熱濕環境之耐性)的作用效果。因此，要求Ag合金膜11之耐環境性的情況時，較佳適當地添加。 此處，藉由使由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)，成為0.01以上，可充分發揮Pd、Au、Pt之添加所致的上述作用效果。另一方面，藉由使由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，成為0.50以下，可抑制起因於Pd、Au、Pt之水蒸氣耐性的劣化。 由於以上理由，本實施形態中，Ag合金膜11中，含有由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素時，係將原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)設定為0.01以上，且將原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)設定為0.50以下。
再者，為了進一步提高Ag合金膜11之耐環境性(對熱濕環境之耐性)，較佳使原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)成為0.02以上、更佳為0.05以上。 另一方面，為了進一步抑制起因於Pd、Au、Pt之水蒸氣耐性的劣化，較佳使原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)成為0.40以下、更佳為0.30以下。 又，上述由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素，當作為雜質而含有時，原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)亦可為未達0.01。 再者，即使不意圖添加In、Zn、Sn，而以雜質等級來含有時，亦只要如上述般規定原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+ Pt)/(Ge)即可。
(Ag合金膜11之膜厚) 層合膜10中，藉由使Ag合金膜11之膜厚為薄，可提高穿透率。 此處，Ag合金膜11之膜厚未達3nm時，Ag合金膜11成為島狀而變得不連續，電阻大幅上昇。又，不會形成均勻的膜，因此穿透率亦大幅降低。另一方面，Ag合金膜11之膜厚超過10nm時，有穿透率變得不充分之虞。 由於以上理由，本實施形態中，係將Ag合金膜11之膜厚設定為3nm以上且10nm以下之範圍內。 再者，Ag合金膜11之厚度較佳為4nm以上、更佳為5nm以上。另一方面，Ag合金膜11之厚度較佳為8nm以下、更佳為7nm以下。
(薄片電阻) 本實施形態中，由於層合膜10之薄片電阻為40Ω/□以下，因此電特性優良，特別適於作為透明導電配線膜、透明電極。 此外，藉由於面內之複數部位所測定之薄片電阻的平均值μR 與標準差σR 所定義的薄片電阻之分布DR =(σR /μR )×100，為20%以下。再者，本實施形態中，係如圖3所示般，於層合膜10之面內，於對角線交叉的交點(1)，與各對角線上之角落部(2)、(3)、(4)、(5)的5點分別進行薄片電阻之測定，算出薄片電阻的平均值μR 、標準差σR 與分布DR 。再者，角落部(2)、(3)、(4)、(5)，係設為自角落部起朝向內側的對角線全長之10%以內之範圍內。 由於如此方式所算出的薄片電阻之分布DR 為20%以下，因此Ag合金膜11不成為不連續膜，係以較均勻的膜厚形成。 再者，層合膜10之薄片電阻較佳為30Ω/□以下、更佳為25Ω/□以下。 又，薄片電阻之分布DR 較佳為18%以下、更佳為15%以下。
(平均穿透率) 本實施形態中，由於層合膜10之於波長380nm至780nm之平均穿透率為85%以上，因此光學特性優良，特別適於作為透明導電配線膜、透明電極。 再者，層合膜10之於波長380nm至780nm之平均穿透率較佳為88%以上、更佳為90%以上。
(透明導電氧化物膜12之折射率及膜厚) 本實施形態中，透明導電氧化物膜12之於波長550nm的折射率為1.9以上且2.4以下之範圍內，且透明導電氧化物膜12之膜厚為5nm以上且50nm以下之範圍內時，可提高透明導電氧化物膜12之可見光的穿透率。藉此，可提高作為層合膜10全體的光學特性。 再者，透明導電氧化物膜12之於波長550nm的折射率較佳為2.0以上、較佳為2.2以下。進一步地，透明導電氧化物膜12之膜厚較佳為10nm以上、較佳為40nm以下。
＜Ag合金濺鍍靶＞
接著，說明本實施形態的Ag合金濺鍍靶20。該Ag合金濺鍍靶20，為用以使構成上述本實施形態的層合膜10之Ag合金膜11成膜者。 再者，本實施形態的Ag合金濺鍍靶20中，對比較大型的基板1進行成膜時，濺鍍面之面積較佳為0.25m2 以上。
本實施形態的Ag合金濺鍍靶20，含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成。 再者，Ag合金濺鍍靶20，亦可進一步含有由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素，且由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)，為0.05以上且0.50以下之範圍內。 又，Ag合金濺鍍靶20，亦可進一步含有由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素，且由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.01以上，且由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.50以下之範圍內。
此外，Ag合金濺鍍靶20，結晶粒徑的平均值為200μm以下，藉由於濺鍍面之複數部位所測定之結晶粒徑的平均值μGS 與結晶粒徑之標準差σGS 所定義之結晶粒徑之分布DGS =(σGS /μGS )×100，為25%以下。
此處，說明本實施形態的Ag合金濺鍍靶20中，將成分組成、結晶粒徑作如上述般規定的理由。
(成分組成) 本實施形態的Ag合金濺鍍靶20中，由於係使上述Ag合金膜11成膜者，故係依上述本實施形態的Ag合金膜11之成分組成來設定。 因而，本實施形態的Ag合金濺鍍靶20，Ge之含量係5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍。 再者，Ag合金濺鍍靶20中之Ge之含量較佳為7.0原子%以上、更佳為9.0原子%以上。另一方面，Ag合金濺鍍靶20中Ge之含量較佳為12.0原子%以下、更佳為11.0原子%以下。
又，含有與Ge同樣地具有抑制Ag之擴散的效果之In、Zn、Sn時，由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)較佳為0.05以上且0.50以下之範圍內。 再者，原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)較佳為0.10以上、更佳為0.15以上。另一方面，原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)較佳為0.40以下、更佳為0.30以下。
進一步地，為了提高經成膜之Ag合金膜11的耐環境性，含有Pd、Au、Pt時，較佳為，使由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)成為0.01以上，且使由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)成為0.50以下之範圍內。 再者，原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)較佳為0.02以上、更佳為0.05以上。另一方面，原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/ (Ge)較佳為0.40以下、更佳為0.30以下。
(結晶粒徑) 本實施形態的Ag合金濺鍍靶20中，藉由使結晶粒徑的平均值成為200μm以下，即使進行濺鍍，亦可抑制濺鍍面之表面粗度變粗。藉此，可抑制濺鍍時之異常放電的產生，安定地進行濺鍍成膜。 此外，藉著使藉由於濺鍍面之複數部位所測定之結晶粒徑的平均值μGS 與結晶粒徑之標準差σGS 所定義之結晶粒徑之分布DGS =(σGS /μGS )×100，成為25%以下，於濺鍍面全體，濺鍍速率較為一定，可使3nm以上且10nm以下之膜厚的Ag合金膜11安定地成膜。 再者，Ag合金濺鍍靶20之結晶粒徑的平均值較佳為180μm以下、更佳為150μm以下。 又，結晶粒徑之分布DGS 較佳為20%以下、更佳為15%以下。
再者，本實施形態中，係如圖4所示般，於Ag合金濺鍍靶20之濺鍍面，於對角線交叉的交點(1)，與各對角線上之角落部(2)、(3)、(4)、(5)之5點進行結晶粒徑之測定，算出結晶粒徑的平均值μGS 、標準差σGS 與分布DGS 。再者，角落部(2)、(3)、(4)、(5)，係設為自角落部起朝向內側的對角線全長之10%以內之範圍內。 如此地，由於在濺鍍面結晶粒徑之分布DGS 被抑制為25%以下，因此可使膜厚均勻的Ag合金膜11成膜。
＜Ag合金濺鍍靶之製造方法＞ 接著，說明本實施形態的Ag合金濺鍍靶20之製造方法。
首先，準備純度99.9mass%以上之Ag原料、純度99.9mass%以上之Ge原料，以及依需要之純度99.9mass%以上之In原料、Zn原料、Sn原料、Pd原料、Au原料、Pt原料。 接著使用熔解爐，將Ag原料於高真空下或惰性氣體環境下熔解，對所得之Ag熔融金屬添加特定量之Ge原料、依需要之In原料、Zn原料、Sn原料、Pd原料、Au原料、Pt原料。之後，於高真空下或惰性氣體環境下熔解，製成特定組成之Ag合金鑄塊。 此處，Ag原料之熔解，係於使熔解爐內部一度成為高真空後，經Ar取代的環境下進行，熔解後，較佳於Ar環境下投入副原料。 再者，亦可使用含有Ge、(In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt)之母合金作為原料。
接著，將所得之鑄塊予以鍛造/壓延。壓延係以熱壓延或冷壓延來實施。 使用熱壓延時，較佳進行於600℃以上且700℃以下之溫度保持1小時以上且10小時以下之條件的熱處理，作為壓延開始前之均質化熱處理步驟。未達600℃時，有均質化不充分之虞，超過700℃時，係有於鑄塊中出現液相，靶材軟化/熔解之虞。又，熱處理時間若未達1小時，有均質化不充分之虞，若超過10小時，有Ag中之副原料內部氧化之虞。
均質化熱處理步驟之後係進行熱壓延，壓延結束時溫度較佳為400℃以上且700℃以下，較佳為依情況進行中間退火。 壓延時，累計壓下率(cumulative draft)較佳為70%以上，又，較佳為至少壓延之最後1道次的壓下率為20%以上。壓下率未達20%時，結晶粒徑之微細化不充分，又，內部之結晶粒徑亦均勻化不充分。再者，因壓延機能力之關係，實質上每1道次50%以上之壓下率係非現實的。
壓延之後，為了靶材結晶組織之均勻化及加工硬化去除，係實施熱處理。熱處理溫度較佳以於600℃以上且700℃以下之範圍保持1小時以上且5小時以下之條件來實施。未達600℃時加工硬化去除之效果不充分，超過700℃時，有結晶粒粗大化，或出現液相而使靶材熔解/軟化之虞。又，熱處理時間若未達1小時則均勻化不充分。熱處理後係以氣冷或水冷來進行急冷。
藉由上述步驟，製造本實施形態的Ag合金濺鍍靶20。
＜層合膜之製造方法＞ 接著，說明本實施形態的層合膜10之製造方法。 首先，於由玻璃等所構成之基板1的表面，形成透明導電氧化物膜12。本實施形態中，係使用由上述透明導電氧化物所構成之濺鍍靶來成膜。再者，較佳為考慮濺鍍靶之導電性等，適當選擇DC(直流)濺鍍、RF(高頻)濺鍍、MF(中頻)濺鍍、AC(交流)濺鍍等來使用。
然後，於經成膜之透明導電氧化物膜12之上，使用上述本實施形態的Ag合金濺鍍靶20，使Ag合金膜11成膜。此時，係適當調整濺鍍條件，使Ag合金膜11之膜厚成為3nm以上且10nm以下之範圍內。
再者，濺鍍時，係藉由以階差測定計(DEKTAK-XT)測定一定時間成膜後之膜厚，來測定濺鍍速率，由該值來調整成膜時間，成膜為目標膜厚。 又，Ag合金膜11之膜厚非常薄，為10nm以下，因此就膜厚控制的觀點，較佳使濺鍍速率儘可能地慢，因此，較佳將濺鍍電力儘可能地設定在低水準。
使用由上述透明導電氧化物所構成之濺鍍靶，於如上述般成膜的Ag合金膜11上，使透明導電氧化物膜12成膜。 如此地，使本實施形態的層合膜10成膜。
如以上構成之本實施形態的層合膜10中，具有含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge之Ag合金膜11，且該Ag合金膜11之膜厚為3nm以上且10nm以下之範圍內，因此藉由Ge而抑制Ag的擴散，Ag合金膜11不成為島狀，成為比較均勻的膜厚。又，即使為在包含水蒸氣之環境下成膜的情況，亦可抑制Ag之凝集，即使量產的情況，亦可抑制Ag合金膜11成為不連續膜。藉此，薄片電阻及穿透率會提高。 具體而言，層合膜10之薄片電阻為40Ω/□以下，並且前述層合膜之於波長380nm至780nm的平均穿透率為85%以上，電特性及光學特性優良。
又，本實施形態的層合膜10中，藉由於面內之複數部位所測定之薄片電阻的平均值μR 與標準差σR 所定義的薄片電阻之分布DR =(σR /μR )×100，為20%以下，因此於層合膜10之面內，特性安定，形成即使膜厚為3nm以上且10nm以下亦較為均勻之膜厚的Ag合金膜11。
又，本實施形態的層合膜10中，Ag合金膜11進一步含有由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素，且由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/ (Ge)，為0.05以上且0.50以下之範圍內時，可藉由In、Zn、Sn更抑制Ag之凝集，且可抑制Ag合金膜成為不連續膜。又，可抑制起因於In、Zn、Sn之耐環境性及水蒸氣耐性的劣化。
進一步地，本實施形態的層合膜10中，Ag合金膜11進一步含有由Pd、Pt、Au中選擇的任一種或二種以上之元素，且由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.01以上，且由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.50以下之範圍內時，可在確保層合膜10之電特性及光學特性下，更加提高層合膜10之耐環境性。
又，本實施形態的層合膜10中，透明導電氧化物膜12為含有由In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物中選擇的任一種或二種以上之構成，因此透明導電氧化物膜12中之電特性及光學特性優良，可提高作為層合膜10全體的光學特性及電特性。
進一步地，本實施形態的Ag合金濺鍍靶20中，含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，且剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成，因此使Ag合金膜11成膜時，Ag之擴散係藉由此等元素而被抑制，即使將Ag合金膜11之膜厚形成為薄如3nm以上且10nm以下的情況，亦可抑制Ag之凝集，可形成較為均勻之膜厚的Ag合金膜11。
又，本實施形態的Ag合金濺鍍靶20中，結晶粒徑的平均值為200μm以下，且藉由於濺鍍面之複數部位所測定之結晶粒徑的平均值μGS 與結晶粒徑之標準差σGS 所定義的結晶粒徑之分布DGS =(σGS /μGS )×100，為25%以下，因此於濺鍍面全體，濺鍍速率較為一定，可使3nm以上且10nm以下之膜厚的Ag合金膜11安定地成膜。
又，本實施形態的Ag合金濺鍍靶20，進一步含有由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素，且由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)，為0.05以上且0.50以下之範圍內時，則即使為3nm以上且10nm以下之薄的Ag合金膜11，亦可抑制Ag之凝集，可安定地使Ag合金膜11成膜。又，可抑制起因於In、Zn、Sn之耐環境性及水蒸氣耐性的劣化，即使為在包含水蒸氣之環境下成膜的情況，亦可抑制Ag之凝集。
又，本實施形態的Ag合金濺鍍靶20，進一步含有由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素，由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.01以上，且由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.50以下之範圍內時，可在確保經成膜之Ag合金膜11的電特性及光學特性下，更加提高Ag合金膜11之耐環境性。
以上，說明了本發明之實施形態，但本發明不限定於此，可於不脫離本發明之技術思想的範圍作適當變更。 例如，本實施形態中，係說明了於玻璃基板上使層合膜成膜者，但不限定於此，亦可於樹脂基板或樹脂薄膜等上使本實施形態的層合膜成膜。
又，本實施形態中，如圖1所示般，係說明了形成1層Ag合金膜11，且於該Ag合金膜11的兩面上形成有透明導電氧化物膜12之3層構造的層合膜，但不限定於此，亦可為例如圖5所示般，形成2層Ag合金膜11，且於該Ag合金膜11的兩面上層合有透明導電氧化物膜12之5層構造的層合膜110，亦可為形成3層以上之Ag合金膜，且於各自之Ag合金膜的兩面上形成有透明介電體膜之層合膜。
進一步地，亦可為如圖6所示般，於基板1上使Ag合金膜11成膜，且於該Ag合金膜11上使透明導電氧化物膜12成膜的層合膜210。 又，亦可為如圖7所示般，於基板1上使透明導電氧化物膜12成膜，且於該透明導電氧化物膜12上使Ag合金膜11成膜的層合膜310。 亦即，亦可為僅於Ag合金膜11之一面側使透明導電氧化物膜12成膜的層合膜。
進一步地，本實施形態中，係說明了使用由氧化物所構成之濺鍍靶使透明導電氧化物膜12成膜者，但不限定於此，亦可使用由上述金屬(In、Sn、Zn、Nb、Ti、Al、Ga)所構成之濺鍍靶，於氧環境下進行反應濺鍍藉以成膜。
又，本實施形態中，係說明了濺鍍面呈矩形狀者，但不限定於此，濺鍍面亦可呈圓形，亦可為成為圓筒面的圓筒型濺鍍靶。 再者，濺鍍面呈圓形狀之濺鍍靶中，較佳係如圖8所示般，於圓的中心(1)，及通過圓的中心並且互相直交的2條直線上之外周部分(2)、(3)、(4)、(5)的5點，來測定結晶粒徑。再者，外周部分(2)、(3)、(4)、(5)，係為自外周緣起朝向內側之直徑的10%以內之範圍內。 又，濺鍍面成為圓筒面的圓筒型濺鍍靶中，較佳如圖9A、9B所示般，於軸線O方向之一半的地點起朝外周方向90°間隔的(1)、(2)、(3)、(4)之4點，來測定結晶粒徑。 [實施例]
以下說明為了確認本發明之有效性所進行的確認實驗之結果。
準備純度99.9mass%以上之Ag原料，將該Ag原料於真空環境下熔解，取代為Ar氣體後，添加含純度99.9mass%以上之Ge，及In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt之副原料，熔製特定組成之Ag合金熔融金屬。然後將該Ag合金熔融金屬進行鑄造，而製造Ag合金鑄塊。
(成分組成) 由所得之Ag合金鑄塊採取分析用樣品，藉由ICP發光分光分析法測定成分組成。該測定結果係作為Ag合金濺鍍靶之成分組成而示於表1。
對所得的Ag合金鑄塊，以650℃×2小時之條件進行均質化處理。進行該均質化處理後，實施熱壓延。壓延結束溫度設為500℃，累計壓下率設為80%。又，壓延之最終道次的壓下率設為20%。 熱壓延後，以650℃×1小時之條件進行熱處理。熱處理後係以水冷來進行急冷。
再者，比較例6中，係將壓延之累計壓下率設為80%，將壓延後之熱處理條件設為800℃×1小時。 又，比較例7中，係將壓延之累計壓下率設為40%，將壓延後之熱處理條件設為650℃×1小時。 由以上而得到長2000mm、寬200mm、厚度8mm之板材。
(結晶粒徑) 如以下般測定所得的板材中，於濺鍍面之結晶粒徑的平均值及分布。 由圖4所示之位置採取測定試樣，將各測定試樣之濺鍍面作為觀察面，進行研磨後，進行蝕刻處理。 接著，使用過氧化氫水與氨水之混合液作為蝕刻液，藉由於該蝕刻液中室溫浸漬1~2秒，進行觀察面的蝕刻。
以光學顯微鏡觀察蝕刻後之觀察面，得到組織照片。使用該組織照片，藉由基於國際規格ASTM E-112之切斷法，進行粒徑測定，算出ASTM粒度編號G，求得對應於ASTM粒度編號G之平均粒徑。此時，雙晶係由測定中除外。對於1個測定試樣以3個視野測定，以其平均值為該測定試樣之結晶粒徑。再者，依結晶粒徑的大小，適當選擇觀察倍率來實施觀察。
由自各5部位之測定試樣所得之結晶粒徑的5點平均，算出作為板材全體之結晶粒徑的平均值μGS 及標準差σGS 。然後，使用此等結晶粒徑的平均值μGS 及標準差σGS ，算出分布DGS =(σGS /μGS )×100(%)。該測定結果係作為Ag合金濺鍍靶之結晶粒徑而示於表1。
接著，藉由將上述板材切斷而進行機械加工，製作特定尺寸(126mm×178mm×厚度6mm)之Ag合金濺鍍靶。
使用上述之Ag合金濺鍍靶，如以下般使層合膜成膜。 首先，準備10cm×30cm之玻璃基板(康寧公司製EAGLEXG)作為基板。
又，準備以下組成之濺鍍靶，作為使透明導電氧化物膜成膜之濺鍍靶。 ITO：In2 O3 -10mass%SnO2 IZO：In2 O3 -10mass%ZnO TiOx ：TiO2 NbOx ：Nb2 O5
此處，藉由上述濺鍍靶所成膜的透明導電氧化物膜之於波長550nm之折射率係如以下所述。 ITO膜：2.1 IZO膜：2.0 TiOx 膜：2.4 NbOx 膜：2.4
將上述濺鍍靶及Ag合金濺鍍靶，焊接於無氧銅製之底板，將其安裝於濺鍍裝置。本實施形態中，係使用磁控管DC濺鍍裝置。又，本實施形態中，係使用基板搬送式之濺鍍裝置。
然後，由以下條件進行濺鍍，於基板上使透明導電氧化物膜及Ag合金膜成膜，得到表2所示之層構成的層合膜。再者，成膜後係使用紅外線影像爐於大氣中實施230℃×15分鐘的熱處理。 成膜開始真空度：1.0×10-4 Pa以下 濺鍍氣體：高純度氬 腔室內濺鍍氣體壓力：0.4Pa 直流電力：100W
(Ag合金膜之組成) 再者，除了層合膜以外，另外於基板上使Ag合金膜以厚度1000nm成膜，將其藉由ICP發光分光分析法測定成分組成。藉此，確認到Ag合金膜之成分組成，與Ag合金濺鍍靶之成分組成為同等。
(膜厚測定) 藉由濺鍍成膜時，藉由以階差測定計(DEKTAK-XT)測定一定時間成膜時之膜厚，來測定濺鍍速率，基於其值調整成膜時間，成膜為目標厚度。再者，Ag合金膜之膜厚為10nm以下，係非常薄，故為了控制膜厚，較佳使濺鍍速率儘可能為慢。 對於實際的層合膜，藉由以穿透電子顯微鏡(TEM)觀察層合膜的截面來確認，確認到成膜為如目標值之膜厚。用於TEM觀察的試樣製作，例如可使用剖面研磨機(CP)或集束離子束(FIB)。
然後，對於如上述般所得到之層合膜，如以下般評估薄片電阻、穿透率、耐環境性、水蒸氣耐性。評估結果示於表3。
(薄片電阻) 藉由以三菱化學製電阻測定器Loresta GP所進行之四探針法，測定層合膜之薄片電阻。 又，由10cm×30cm之玻璃基板之圖3所示各點採取基板片，評估薄片電阻，測定薄片電阻之5點測定中的平均值μR 與薄片電阻之5點測定中的標準差σR ，算出薄片電阻之分布DR =(σR /μR )×100(%)。評估結果示於表3。
(穿透率) 使用分光光度計(日立高科技股份有限公司製U-4100)測定層合膜之穿透率。表3記載於波長380nm至780nm之穿透率的平均值。 再者，測定時，由於測定基線係以玻璃基板測定，因此表中記載之值為以基板的穿透率為100時之相對穿透率。
(耐環境性) 對層合膜於溫度85℃、濕度85%之環境下保持250小時，作為恆溫恆濕試驗，測定試驗後之膜之薄片電阻，評估試驗前後之變化率。 (變化率)=(試驗後薄片電阻-試驗前薄片電阻)/(試驗前薄片電阻)×100(%)
(水蒸氣耐性) 使層合膜成膜時，對Ar氣體以分壓比成為4%的方式導入水蒸氣(H2 O)。然後對於經成膜之層合膜，如上述般測定薄片電阻及穿透率。測定結果示於表3。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
Figure 02_image005
比較例101中，係使用Ge之含量低於本發明之範圍的3.0原子%之比較例1之Ag合金濺鍍靶來使Ag合金膜成膜，耐環境性不充分，且水蒸氣耐性亦不充分。 比較例102中，係使用原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)大於本發明之範圍的1.14之比較例3之Ag合金濺鍍靶來使Ag合金膜成膜，耐環境性不充分，且水蒸氣耐性亦不充分。 比較例103、104中，係使用原子比(In+Zn+Sn+Pd+ Au+Pt)/(Ge)分別大於本發明之範圍的1.14、0.71之比較例4、比較例5之Ag合金濺鍍靶來使Ag合金膜成膜，水蒸氣耐性不充分。
比較例105中，係使用平均結晶粒徑μGS 大於本發明之範圍的289μm之比較例6之Ag合金濺鍍靶來使Ag合金膜成膜，薄片電阻之分布DR 大，無法使於面內之特性均勻的Ag合金膜成膜。 比較例106中，係使用平均結晶粒徑μGS 大於本發明之範圍的241μm、分布DGS 大於本發明之範圍的40%之比較例7之Ag合金濺鍍靶來使Ag合金膜成膜，薄片電阻之分布DR 大，無法使於面內之特性均勻的Ag合金膜成膜。
比較例107中，係使用Ge之含量多於本發明之範圍的15.0原子%之比較例2之Ag合金濺鍍靶來使膜厚2nm之Ag合金膜成膜，薄片電阻高，電特性不充分。 比較例108中，係使用Ge之含量多於本發明之範圍的15.0原子%之比較例2之Ag合金濺鍍靶來使膜厚10nm之Ag合金膜成膜，穿透率低，光學特性不充分。
相對於此，使用本發明例1~18之Ag合金濺鍍靶，使膜厚3nm以上且10nm以下之Ag合金膜成膜的本發明例101~127之層合膜中，確認到層合膜之薄片電阻為32Ω/□以下，並且層合膜之穿透率為86.5%以上，電特性及光學特性優良。又，恆溫恆濕試驗後之薄片電阻之變化率亦比較小，耐環境性亦優良。 進一步地，確認到即使於成膜時導入水蒸氣的情況，薄片電阻及穿透率亦優良，且水蒸氣耐性優良。 又，確認到於面內之複數部位所測定的薄片電阻之分布為20%以下，使均勻膜厚的Ag合金膜成膜。 再者，本發明例121中，係為於基板上形成透明導電氧化物膜，且於該透明導電氧化物膜之一面上使Ag合金膜成膜的2層構造之層合膜，本發明例122中，係於Ag合金膜之一面上使透明導電氧化物膜成膜，分別確認到同樣的效果。
由於以上理由，確認到依照本發明例，可提供例如Ag合金膜之膜厚為10nm以下，電特性及光學特性優良，特別適於透明導電配線膜或透明電極之層合膜，及使構成該層合膜之Ag合金膜成膜時所用的Ag合金濺鍍靶。
10、110、210、310:層合膜 11:Ag合金膜 11AG:Ag之分布 11Ge:Ge之分布 12:透明導電氧化物膜 20:Ag合金濺鍍靶
[圖1] 本發明之實施形態的層合膜之截面說明圖。 [圖2A] 顯示觀察Ag合金膜中之Ag之分布狀態的結果之影像。 [圖2B] 顯示觀察Ag合金膜中之Ge之分布狀態的結果之影像。 [圖3] 顯示本發明之實施形態的層合膜之面內的薄片電阻之測定位置的說明圖。 [圖4] 顯示本發明之實施形態的Ag合金濺鍍靶之濺鍍面的結晶粒徑之測定位置的說明圖。 [圖5] 本發明之其他實施形態的層合膜之截面說明圖。 [圖6] 本發明之其他實施形態的層合膜之截面說明圖。 [圖7] 本發明之其他實施形態的層合膜之截面說明圖。 [圖8] 顯示圓板型濺鍍靶之濺鍍面的結晶粒徑之測定位置的說明圖。 [圖9A] 顯示圓筒型濺鍍靶之濺鍍面中，由與軸線平行之方向觀察的結晶粒徑之測定位置的說明圖。 [圖9B] 顯示圓筒型濺鍍靶之濺鍍面中，由與軸線垂直之方向觀察的結晶粒徑之測定位置的說明圖。
1:基板
10:層合膜
11:Ag合金膜
12:透明導電氧化物膜

Claims (9)

  1. 一種層合膜，其係具備Ag合金膜，與層合於該Ag合金膜之一面或兩面的透明導電氧化物膜之層合膜，其特徵為 前述Ag合金膜為含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，且剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成， 前述Ag合金膜之膜厚為3nm以上且10nm以下之範圍內。
  2. 如請求項1之層合膜，其中前述Ag合金膜，進一步含有由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素，且由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)，為0.05以上且0.50以下之範圍內。
  3. 如請求項1或請求項2之層合膜，其中前述Ag合金膜，進一步含有由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素，且由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/ (Ge)，為0.01以上，且由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.50以下之範圍內。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項之層合膜，其中前述層合膜之薄片電阻為40Ω/□以下，並且藉由於面內之複數部位所測定之前述薄片電阻的平均值μR 與標準差σR 所定義的薄片電阻之分布DR =(σR /μR )×100，為20%以下。
  5. 如請求項1至請求項4中任一項之層合膜，其中前述透明導電氧化物膜，含有由In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物中選擇的任一種或二種以上。
  6. 如請求項1至請求項5中任一項之層合膜，其中前述透明導電氧化物膜，於波長550nm之折射率為1.9以上且2.4以下之範圍內，並且膜厚為5nm以上且50nm以下之範圍內。
  7. 一種Ag合金濺鍍靶，其特徵為，含有5.0原子%以上且13.0原子%以下之範圍內的Ge，且剩餘部分為Ag及不可避免之雜質的組成， 進一步地，結晶粒徑的平均值為200μm以下，且 藉由於濺鍍面之複數部位所測定之結晶粒徑的平均值μGS 與結晶粒徑之標準差σGS 所定義的結晶粒徑之分布DGS =(σGS /μGS )×100，為25%以下。
  8. 如請求項7之Ag合金濺鍍靶，其進一步含有由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之元素，且由In、Zn、Sn中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)，為0.05以上且0.50以下之範圍內。
  9. 如請求項7或請求項8之Ag合金濺鍍靶，其進一步含有由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之元素，且由Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.01以上，且由In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中選擇的任一種或二種以上之合計含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)，與Ge之含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)，為0.50以下之範圍內。
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