TWI673374B - 濺鍍靶及層合膜 - Google Patents
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Abstract
本發明之濺鍍靶係含有30質量%以上50質量%以下之Zn、5質量%以上15質量%以下之Ni、2質量%以上10質量%以下之Mn，進而含有合計0.001質量%以上0.2質量%以下之由Fe、Sn、Sb所選出的1種或2種以上之元素，其餘部分係由Cu與不可避免之雜質所成。
Description
本發明係關於在形成由銅或銅合金所構成之Cu膜的保護膜時所使用之濺鍍靶，及具備有藉由此濺鍍靶所成膜的保護膜之層合膜。
本發明係根據2014年10月20日在日本申請之日本特願2014-213565號而主張優先權，並將其內容援用於此。
以往，作為液晶或有機EL面板等之平板顯示器、或觸控面板等的配線膜而廣泛使用有Al。最近，謀求配線膜之微細化(狹窄化)及薄膜化，而要求有相較於以往比電阻更低的配線膜。
隨著上述之配線膜的微細化及薄膜化，而提供有使用了作為相較於Al比電阻更低的材料之銅或銅合金的配線膜。
在此，由比電阻低的銅或銅合金所構成之Cu配線膜係存在有在具有濕度的環境中容易變色的問題。另
外，在為了提昇耐候性，而使用了含有較多添加元素之銅合金的情況，會導致比電阻上昇。
因此，例如於專利文獻1中係提案有於Cu配線膜之上形成由Ni-Cu-(Cr,Ti)合金所構成之保護膜的層合配線膜，及用以形成此保護膜的濺鍍靶。
另外，在將由銅或銅合金所構成的Cu配線膜藉由蝕刻而進行圖型化的情況，係使用包含氯化鐵之蝕刻液。在此，如專利文獻1所記載般，在將具有由Ni-Cu-(Cr,Ti)合金所構成之保護膜的層合配線膜以包含氯化鐵之蝕刻液進行蝕刻的情況，會有保護膜的一部分未溶解而作為殘渣殘留。由於恐有因此殘渣，而使配線間短路之虞，因此作為配線膜來使用係有困難。又，於保護膜中含有Cr的情況，存在有於蝕刻後的廢液中含有Cr，而在廢液處理上耗費成本的問題。進而，於專利文獻1所記載之保護膜中，由於多量含有35質量%以上84.5質量%以下之較為高價的Ni，因此存在有濺鍍靶及層合配線膜之製造成本增加的問題。
因此，於專利文獻2中係提案有Cu配線膜與保護膜為相對於包含氯化鐵之蝕刻液而具有同等的蝕刻性之層合配線膜，及用以形成此保護膜之濺鍍靶。
[專利文獻1]日本特開2012-193444號公報
[專利文獻2]日本特開2014-114481號公報
另外，最近，液晶或有機EL面板等之平板顯示器，或觸控面板等的大型化發展，而發展形成配線膜之玻璃基板的大型化(大面積化)。伴隨此，在大面積基板進行成膜時所使用的濺鍍靶亦大型化。
在此，在對於大型的濺鍍靶投入高電力來實施濺鍍時，恐有發生靶的異常放電之虞。另外，異常放電係指與正常的濺鍍時進行比較之極高的電流突然急遽地流動，而導致異常地大量放電急遽發生的現象。
又，恐有因異常放電而容易發生被稱為「飛濺」的現象之虞。另外，此飛濺現象係指於靶表面之突起物或絕緣物積存濺鍍中之電荷，藉由此等與在靶表面或腔室間產生異常放電，而使靶的一部分熔融所產生的現象。在此飛濺現象發生的情況，熔融後的靶會成為微粒子而飛散，附著於基板，使配線或電極間短路，而產生良率大幅降低的問題。
在此，靶面的結晶粒係由於依據其方位而濺鍍速度不同，因此若濺鍍時間增長，則有時會於靶面沿著結晶粒界而產生段差。若靶面的結晶粒徑變得粗大，則上述的段差會變大，與先前所陳述的突起物相同地，變得更
容易產生電荷的積存而容易發生異常放電。尤其，在靶面局部產生粗大的結晶粒的情況，由於局部產生段差，因此異常放電的發生會變得明顯。
接著，在大型之濺鍍靶的情況，相較於小型的濺鍍靶，其結晶粒徑之不均較容易產生，而更容易發生異常放電。
此發明係鑑於前述之情事而完成者，其目的為提供可將耐候性優異並且具有良好的蝕刻性之保護膜進行成膜，且可抑制異常放電的發生而安定地將保護膜進行成膜之濺鍍靶，及具備有藉由此濺鍍靶所成膜之保護膜的層合膜。
為了解決上述課題，本發明者們進行了努力探討的結果得到以下見解，藉由於專利文獻2所記載之組成中進一步適量添加Fe、Sn、Sb之元素，而可抑制結晶粒的成長而抑制結晶粒徑之不均，且不對保護膜之蝕刻性或耐蝕性造成影響。
本發明係根據以上之見解而完成者，本發明之一樣態的濺鍍靶係在將保護膜成膜於Cu膜之單面或兩面時所使用的濺鍍靶，其係包含30質量%以上50質量%以下之Zn、5質量%以上15質量%以下之Ni、2質量%以上10質量%以下之Mn，進而包含合計0.001質量%以上0.2質量%以下之由Fe、Sn、Sb所選出的1種或2種
以上之元素，其餘部分係由Cu與不可避免之雜質所成。
於設為如此之構成的本發明之濺鍍靶中，由於以合計0.001質量%以上0.2質量%以下之範圍包含由Fe、Sn、Sb所選出的1種或2種以上之元素，因此可將結晶粒予以微細化，並且可抑制結晶粒徑之不均。藉此，成為可抑制濺鍍時之異常放電的發生。
又，由於包含30質量%以上50質量%以下之Zn、5質量%以上15質量%以下之Ni、2質量%以上10質量%以下之Mn，因此耐候性高，即使在以包含氯化鐵的蝕刻液進行蝕刻的情況，亦可將與Cu膜同等地蝕刻之保護膜成膜。
在此，於本發明之一樣態的濺鍍靶中，較佳係氧濃度為60質量ppm以下。
Fe、Sn、Sb係容易與氧進行反應而生成氧化物之元素。此等之氧化物係由於導電性低因此容易積存電荷，而可能成為異常放電的原因。因此，藉由將濺鍍靶中之氧濃度限制於60質量ppm以下，而可抑制氧化物之生成，成為可進一步得到異常放電的抑制效果。
進而，於本發明之一樣態的濺鍍靶中，較佳係碳濃度為50質量ppm以下。
Fe係容易與碳進行反應而生成碳化物之元素。此碳化物係陶瓷的一種，由於為絕緣物因此容易積存電荷，而可能成為異常放電的原因。因此，特別是在含有Fe的情況，藉由將濺鍍靶中之碳濃度限制於50質量ppm以下，
而可抑制碳化物之生成，成為可進一步得到異常放電的抑制效果。
本發明之一樣態的層合膜係具備有Cu膜，與形成於此Cu膜之單面或兩面上的保護膜之層合膜，前述保護膜係使用上述之濺鍍靶而進行成膜。
於設為如此之構成的本發明之層合膜中，由於具有藉由設為上述之組成的濺鍍靶所成膜之保護膜，因此耐候性會提昇，即使在保管於大氣中的情況，也可抑制變色。
又，由於保護膜係以包含Zn、Ni、Mn之特定的Cu基合金所構成，因此即使在以包含氯化鐵的蝕刻液進行蝕刻的情況，也可抑制未溶解之殘渣的發生。
如以上所述般，依據本發明，可提供可將耐候性優異並且具有良好的蝕刻性之保護膜進行成膜，且可抑制異常放電的發生而安定地將保護膜進行成膜之濺鍍靶，及具備有藉由此濺鍍靶所成膜之保護膜的層合膜。
10‧‧‧層合配線膜(層合膜)
11‧‧‧Cu配線膜(Cu膜)
12‧‧‧保護膜
13‧‧‧玻璃基板
14‧‧‧殘渣
[第1圖]係本發明之一實施形態的層合配線膜之剖面說明圖。
[第2圖]係顯示於實施例中測定濺鍍靶之結晶粒徑
的部位之說明圖。
[第3圖]係說明實施例中之蝕刻殘渣的觀察結果之照片。
以下，針對本發明之一實施形態的濺鍍靶，及層合膜(層合配線膜10)進行說明。
本實施形態之層合配線膜10係作為例如液晶或有機EL面板等之平板顯示器，或觸控面板等的配線膜來使用。又，本實施形態之濺鍍靶係在將保護膜12成膜於由銅或銅合金所構成之Cu配線膜11上，來形成上述之層合配線膜10時使用。
接著，針對本實施形態之濺鍍靶進行說明。
此濺鍍靶係具有以下組成：包含30質量%以上50質量%以下之Zn、5質量%以上15質量%以下之Ni、2質量%以上10質量%以下之Mn，進而包含合計0.001質量%以上0.2質量%以下之由Fe、Sn、Sb所選出的1種或2種以上之元素，其餘部分係由Cu與不可避免之雜質所成。
又，於本實施形態之濺鍍靶中，可將氧濃度設為60質量ppm以下，將碳濃度設為50質量ppm以下。
進而，本實施形態之濺鍍靶係可成為大型之濺鍍靶，將靶面的面積設為0.15m2以上。
以下，針對將本實施形態之濺鍍靶的組成如
上述般地規定的理由進行說明。
Zn係具有提昇機械特性並且改善加工性的作用效果之元素。藉由含有Zn而成為可良好地進行濺鍍靶之製造。
在此，在Zn之含量為未達30質量%的情況，恐有熱加工性不會充分提昇，在熱壓延時發生破裂之虞。另一方面，在Zn之含量為超過50質量%的情況，恐有冷加工性劣化，在冷壓延時發生破裂之虞。
基於如此之理由，而將Zn之含量設定為30質量%以上50質量%以下之範圍內。另外，較佳係為了進一步提昇熱加工性，而將Zn之含量的下限設為38質量%以上。又，較佳係為了確實地確保冷加工性，而將Zn之含量的上限設為45質量%以下。
Ni係具有改善Cu之耐候性的作用效果之元素。藉由含有Ni，而成為可抑制變色。
在此，在Ni之含量為未達5質量%的情況，恐有成膜後之保護膜12的耐候性不會充分提昇，無法充分抑制Cu配線膜11的變色之虞。另一方面，在Ni之含量為超過15質量%的情況，恐有成膜後的保護膜12之蝕刻性劣化，在以含有氯化鐵之蝕刻液進行蝕刻時生成未溶解的殘
渣14之虞。又，熱加工性、被研削性亦會降低。
基於如此之理由，而將Ni之含量設定為5質量%以上15質量%以下之範圍內。另外，較佳係為了進一步提昇成膜後之保護膜12的耐候性，而將Ni之含量的下限設為8.5質量%以上。又，較佳係為了進一步提昇成膜後之保護膜12的蝕刻性，而將Ni之含量的上限設為11.0質量%以下。
Mn係與Ni相同地具有提昇Cu之耐候性的作用效果之元素。又，亦具有使熔化液之流動性、熱加工性、被研削性提昇的作用效果。進而，由於是比Ni更低價的元素，因此成為可藉由作為Ni之替代來進行添加而削減成本。
在此，在Mn之含量為未達2質量%的情況，恐有成膜後之保護膜12的耐候性不會充分提昇，無法充分抑制變色之虞。另一方面，在Mn之含量為超過10質量%的情況，恐有成膜後的保護膜12之蝕刻性劣化，在以含有氯化鐵之蝕刻液進行蝕刻時生成未溶解的殘渣14之虞。又，沒觀察到前述般之效果的進一步提昇，反而熱加工性、冷加工性劣化。
基於如此之理由，而將Mn之含量設定為2質量%以上10質量%以下之範圍內。另外，較佳係為了進一步提昇成膜後之保護膜12的耐候性，而將Mn之含量的下限
設為5.5質量%以上。又，較佳係為了進一步提昇成膜後之保護膜12的蝕刻性，而將Mn之含量的上限設為7.5質量%以下。
Fe、Sn、Sb之元素係具有抑制結晶粒之成長，抑制結晶粒徑之不均的作用效果。
在此，在Fe、Sn、Sb之合計含量為未達0.001質量%的情況，恐有無法充分抑制結晶粒徑之不均之虞。另一方面，在Fe、Sn、Sb之合計含量為超過0.2質量%的情況，恐有此等之元素的氧化物或碳化物多量生成，容易發生異常放電之虞。
基於如此之理由，而將Fe、Sn、Sb之合計含量設定為0.001質量%以上0.2質量%以下之範圍內。另外，較佳係為了進一步抑制結晶粒徑之不均，而將Fe、Sn、Sb之合計含量的下限設為0.003質量%以上。又，較佳係為了確實地控制因氧化物或碳化物等所致之異常放電的發生，而將Fe、Sn、Sb之合計含量的上限設為0.15質量%以下。
上述之Fe、Sn、Sb係容易與氧進行反應而生成氧化物之元素。此等之氧化物係由於導電率低，因此若存在於靶內，則恐有在濺鍍時電荷集中而容易發生異常放電之
虞。
基於如此之理由，於本實施形態中，係將濺鍍靶中之氧濃度限制於60質量ppm以下。另外，較佳係為了進一步抑制氧化物之生成來確實地抑制異常放電的發生，而將濺鍍靶中之氧濃度設為40質量ppm以下。另外，濺鍍靶中之氧濃度雖越少越好，但使氧濃度極度降低會造成成本的增加。因此，可將濺鍍靶中之氧濃度設為10質量ppm以上。
上述之Fe係容易與碳進行反應而生成碳化物之元素。此等之碳化物係由於導電率低，因此若存在於靶內，則恐有在濺鍍時電荷集中而容易發生異常放電之虞。
基於如此之理由，於本實施形態中，係將濺鍍靶中之碳濃度限制於50質量ppm以下。特別是在含有0.01質量%以上之Fe的情況，較佳為將碳濃度進行上述般地規定。另外，較佳係為了進一步抑制碳化物之生成來確實地抑制異常放電的發生，而將濺鍍靶中之碳濃度設為40質量ppm以下。另外，濺鍍靶中之碳濃度雖越少越好，但使碳濃度極度降低會造成成本的增加。因此，可將濺鍍靶中之碳濃度設為5質量ppm以上。
接著，針對本實施形態之濺鍍靶的製造方法進行說明。
此濺鍍靶係經過例如溶解鑄造步驟、熱加工步驟、冷
加工步驟、熱處理步驟、機械加工步驟之各種步驟來進行製造。
在此，於本實施形態中，如上述般地，由於將濺鍍靶中之氧濃度及碳濃度進行限制，因此於溶解鑄造步驟中必須抑制氧及碳之混入。
具體而言，於溶解鑄造步驟中，並不使用木炭等之含碳材料作為銅熔化液之覆蓋材料，而將銅熔化液在還原氣體環境中進行移送/保持。又，於Fe、Sn、Sb之添加中，係使用Cu-Fe母合金、Cu-Sn母合金、Cu-Sb母合金等，來抑制添加時之氧化物及碳化物的生成。
接著，針對本實施形態之層合配線膜10進行說明。
本實施形態之層合配線膜10係如第1圖所示般，具備有成膜於基板1上的Cu配線膜11，與成膜於Cu配線膜11上的保護膜12。
在此，基板1雖無特別限定，但於平板顯示器或觸控面板等中係使用可讓光透過的玻璃、由樹脂薄膜等所構成者。另外，於第3圖中係使用有玻璃基板13。
Cu配線膜11係以銅或銅合金所構成，較佳係其比電阻設為4.0μ Ω cm以下(溫度25℃)。於本實施形態中，Cu配線膜11係以純度99.99質量%以上之無氧銅所構成，其比電阻係設為3.5μ Ω cm以下(溫度25℃)。另外，此Cu配線膜11係使用由純度99.99質量%以上之無氧銅所構成的濺鍍靶來成膜。
又，此Cu配線膜11的厚度A較佳係設為50nm≦A≦800nm之範圍內，進而，較佳係設為100nm≦A≦300nm之範圍內。
保護膜12係使用本實施形態之濺鍍靶所成膜者，具有與上述之濺鍍靶相同的組成。
此保護膜12的厚度B較佳係設為5nm≦B≦100nm之範圍內，進而，較佳係設為10nm≦B≦50nm之範圍內。
又，此Cu配線膜11的厚度A與保護膜12的厚度B之比B/A較佳為0.02≦B/A≦1.0之範圍內，進而，較佳為0.1≦B/A≦0.3之範圍內。
於設為如此之構成的本實施形態之濺鍍靶中，由於以合計0.001質量%以上0.2質量%以下之範圍包含由Fe、Sn、Sb所選出的1種或2種以上之元素，因此可將靶面之結晶粒予以微細化，並且可抑制結晶粒徑之不均。藉此，成為可抑制濺鍍時之異常放電的發生。
又，於本實施形態中，由於將濺鍍靶中之氧濃度限制於60質量ppm以下，因此可抑制Fe、Sn、Sb之氧化物生成，而可抑制起因於此等之氧化物的異常放電之發生。
進而，於本實施形態中，由於將濺鍍靶中之碳濃度限制於50質量ppm以下，因此可抑制Fe之碳化物生成，而可抑制起因於此碳化物的異常放電之發生。
又，於本實施形態之層合配線膜10中，由於是藉由上述之濺鍍靶而將保護膜12成膜，此保護膜12係
具有與濺鍍靶相同的組成，成為Cu基合金，因此即使在以包含氯化鐵的蝕刻液進行蝕刻的情況，亦可與Cu配線膜11相同地蝕刻，成為可抑制未溶解之殘渣14的發生。
又，由於保護膜12係以上述之範圍含有Ni、Mn，因此耐候性會提昇，而可確實地抑制層合配線膜10之表面變色。
進而，由於保護膜12並未具有Cr，因此可以低成本進行蝕刻後之廢液處理。
又，由於熱加工性、冷加工性、被研削性優異，因此可良好地製造本實施形態之濺鍍靶。
進而，於本實施形態中，由於Cu配線膜11係以比電阻為3.5μ Ω cm以下(溫度25℃)之無氧銅所構成，且Cu配線膜11之厚度A係設為50nm≦A≦800nm之範圍內，因此可藉由此Cu配線膜11而良好地進行通電。
進而，於本實施形態中，由於保護膜12的厚度B係設為5nm≦B≦100nm之範圍內，且Cu配線膜11的厚度A與保護膜12的厚度B之比B/A係設為0.02<B/A<1.0之範圍內，因此可確實地抑制Cu配線膜11之變色。
以上，雖針對本發明之實施形態進行說明，但本發明並不限定於此，在不脫離其發明之技術性思想的範圍內可適當變更。
例如，於本實施形態中，雖列舉於基板上形成層合配線膜10(層合膜)的構造為例進行說明，但並不限定於
此，亦可於基板上形成ITO膜、AZO膜等之透明導電膜，而於其上形成層合配線膜10(層合膜)。
又，雖將Cu配線膜11(Cu膜)作為以純度99.99質量%以上之無氧銅所構成者進行說明，但並不限定於此，亦可以例如精銅等之純銅或含有少量添加元素之銅合金所構成。
進而，Cu配線膜11(Cu膜)的厚度A、保護膜12的厚度B、膜厚比B/A，並不限定於本實施形態所記載者，亦可設為其他構成。
以下，關於針對本發明之濺鍍靶及層合膜的作用效果進行評估之評估試驗的結果進行說明。
準備純度99.99質量%之無氧銅的鑄塊，對於此鑄塊進行熱壓延、消除應力退火、機械加工，而製作具有寬：200mm、長度：2700mm、厚度：17mm之尺寸的純銅靶。
接著，準備無氧銅製背板，使前述之純銅靶重疊於此無氧銅製背板，以溫度：200℃進行銦焊接，藉此而製作附背板之靶。
作為溶解原料而準備無氧銅(純度99.99質量%)、
低碳鎳(純度99.9質量%)、電解金屬錳(純度99.9質量%)、電解鋅(純度99.99質量%)，與作為微量添加元素而準備電解鐵(純度99.95質量%)、純錫(純度99.9質量%)、金屬銻(純度99.9質量%)。針對微量添加元素係預先製成與銅之母合金。將此等之溶解原料與母合金在氧化鋁坩堝內進行高頻溶解，於具有表1所示之組成的熔化液中調整成分。此時，於熔化液上並不使用木炭等之覆蓋材料，而在還原氣體環境中將熔化液進行移送、保持。另外，針對本發明例8，並不使用母合金，而將電解鐵、純錫、金屬銻直接添加。又，針對本發明例9，使用高純度碳坩堝來進行溶解，並於熔化液上配置木炭等之覆蓋材料。
將所得到的熔化液於鑄模進行鑄造，而得到寬：210mm、長度：500mm、厚度：100mm之尺寸的鑄塊。
接著，對於鑄塊，以壓下率約10%進行熱壓延直至30mm厚為止，以表面切削去除表面的氧化物或瑕疵之後，進一步以壓下率10%進行冷壓延，進行壓延直至20mm厚，並進行消除應力退火。將所得到的壓延板的表面進行機械加工，而製作具有寬：200mm、長度：2700mm、厚度：17mm之尺寸的本發明例1~9及比較例1~5之濺鍍靶。
接著，準備無氧銅製背板，使所得到的濺鍍靶重疊於此無氧銅製背板，以溫度：200℃進行銦焊接，藉此而製
作附背板之靶。
以與玻璃基板(具有縱：20mm、橫：20mm、厚度：0.7mm之尺寸的Corning公司製1737之玻璃基板)的距離成為70mm的方式將Cu膜形成用純銅靶設置於濺鍍裝置內，以電源：直流方式、濺鍍功率：6kW、到達真空度：5×10-5Pa、環境氣體組成：純Ar、濺鍍氣體壓：0.6Pa、基板加熱：無之條件實施濺鍍，而於玻璃基板的表面形成具有厚度：150nm之Cu膜。
接著，以相同條件，使用表1所記載之本發明例1~9及比較例1之濺鍍靶來實施濺鍍，而於Cu膜上形成厚度：30nm之保護膜。藉此，形成表2所示之本發明例11~19及比較例11之層合膜。
針對所得到的濺鍍靶，如第2圖所示般，在長度方向上畫出2條線，在寬度方向上畫出7條線，從該等之交點的14部位採樣。使用光學顯微鏡，以橫：420μm、高度：310μm的寬廣視野觀察所得到的樣品，以使間隔成為100μm的方式縱橫各畫出4條線，以線性分析法求出平均結晶粒徑。又，求出所觀察到之最大的結晶粒徑。將評估結果顯示於表1。
將濺鍍靶安裝於濺鍍裝置，進行DC磁控濺鍍。此時，藉由濺鍍裝置的電源來計測異常放電的發生次數。另外，DC磁控濺鍍的條件係設為以使基板與靶的距離成為70mm的方式設置於濺鍍裝置內、電源：直流方式、濺鍍功率：6kW、到達真空度：5×10-5Pa、環境氣體組成：純Ar、濺鍍氣體壓：0.6Pa、基板加熱：無之條件。
在測定異常放電的發生次數之前，以上述之濺鍍條件進行預濺鍍30分鐘之後，進行濺鍍直至電力成為18kWhr為止，計測出異常放電的發生次數。將評估結果顯示於表1。
按照JIS-K5400，以1mm間隔於層合膜上切劃格子狀的切痕之後，以3M公司製Scotch tape進行剝離，實施在玻璃基板的中央部之10mm平方內測定附著於玻璃基板的層合膜之面積%的棋盤格附著試驗。將評估結果顯示於表2。
進行恆溫恆濕試驗(在60℃、相對濕度90%暴露250小時)，以目視確認層合膜表面之變化的有無。將確認到有變色者作為「NG」，將無法確認變色者作為「OK」。將評估結果顯示於表2。
於成膜在玻璃基板上的層合膜塗佈光阻液(東京應化工業股份有限公司製：OFPR-8600LB)，進行感光、顯像，以30μm之線與空間形成光阻膜。然後，將形成有光阻膜的玻璃基板浸漬於保持在液溫30℃±1℃的4% FeCl3水溶液中30秒鐘，將層合膜進行蝕刻而形成配線。
將此配線的斷面，使用Ar離子束，對於從遮蔽板露出的試料垂直地接觸光束，進行離子蝕刻，以二次電子顯微鏡觀察所得到的斷面，調查蝕刻殘渣之有無。在此，將殘渣的長度L為300nm以上者評價為B，將殘渣的長度L為未達300nm者評價為A。將觀察結果的一例顯示於第3圖，將評估結果顯示於表2。
使用濺鍍靶，以與前述相同的條件實施濺鍍，於前述之玻璃基板上形成厚度：150nm之保護膜。將僅成膜有此保護膜單層的玻璃基板浸漬於保持在液溫30℃±1℃的4% FeCl3水溶液中，將保護膜進行蝕刻，藉由目視觀察測定直至保護膜消失為止的時間，而求出蝕刻率。
於比較例1之濺鍍靶中，並未含有Fe、Sn、Sb，平均結晶粒徑為73μm相對較大，觀察到的最大粒徑亦為120μm而混合存在有粗大的結晶粒。因此，異常放電次數變多。
於比較例2~5之濺鍍靶中，Fe、Sn、Sb之合劑含量係超過本發明之範圍，異常放電次數變得非常多。異常放電次數變多的原因係可推測為在濺鍍靶中生成較多Fe、Sn、Sb之氧化物、Fe之碳化物，而發生起因於此等之異常放電。
相對於此，於本發明例中，以合計0.001質量%以上0.2質量%以下之範圍包含Fe、Sn、Sb，平均結晶粒徑為27~42μm成為相對較微細，觀察到的最大粒徑
亦為37~68μm，粗大的結晶粒之混入受到抑制。因此，可確認異常放電次數成為比比較例更少。又，於對氧濃度及碳濃度作了限制的本發明例1~7中，可確認異常放電次數又變得更少。
進而，可確認到於具有使用本發明例1~9之濺鍍靶所成膜之保護膜的本發明例11~19之層合膜中，相較於具有使用未含有Fe、Sn、Sb之比較例1的濺鍍靶所成膜之保護膜的比較例11之層合膜，其密著性、耐候性、蝕刻性並無大差異。
基於以上內容，可確認依據本發明，可提供可將耐候性優異並且具有良好的蝕刻性之保護膜進行成膜，且可抑制異常放電的發生而安定地將保護膜進行成膜之濺鍍靶，及具備有藉由此濺鍍靶所成膜之保護膜的層合膜。
本發明之濺鍍靶係可將耐候性優異並且具有良好的蝕刻性之保護膜進行成膜，且可抑制異常放電的發生而安定地將保護膜進行成膜。本發明之濺鍍靶係適於對於大面積基板之成膜所使用之大型的濺鍍靶。
Claims (4)
- 一種濺鍍靶，其含有30質量%以上50質量%以下之Zn、5質量%以上15質量%以下之Ni、2質量%以上10質量%以下之Mn，進而含有合計0.001質量%以上0.2質量%以下之由Fe、Sn、Sb所選出的1種或2種以上之元素，其餘部分係由Cu與不可避免之雜質所成。
- 如請求項1之濺鍍靶，其中氧濃度為60質量ppm以下。
- 如請求項1或2之濺鍍靶，其中碳濃度為50ppm以下。
- 一種層合膜，其係具備Cu膜、與於該Cu膜之單面或兩面上形成之保護膜之層合膜，其中前述保護膜係使用如請求項1至3中任一項之濺鍍靶成膜而成。
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