CN105525262B - 溅射靶及层叠膜 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种溅射靶及层叠膜，本发明的溅射靶包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成。

Description

溅射靶及层叠膜

技术领域

本发明涉及一种在形成由铜或铜合金构成的Cu膜的保护膜时使用的溅射靶、以及具备通过该溅射靶而成膜的保护膜的层叠膜。

本申请基于2014年10月20日于日本申请的专利申请2014-213565号要求优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

以往，作为液晶和有机EL面板等平板显示器、触控面板等的配线膜，Al被广泛使用。最近实现了配线膜的微细化(宽度变窄)及薄膜化，并要求比以往的比电阻低的配线膜。

伴随着上述配线膜的微细化及薄膜化，提供一种使用比电阻低于Al的材料即铜或铜合金的配线膜。

在此，由比电阻较低的铜或铜合金构成的Cu配线膜存在着在具有湿度的气氛中容易变色的问题。另外，在为了提高耐候性而使用含有添加元素较多的铜合金的情况下，将导致比电阻上升。

因此，例如在专利文献1中提出有在Cu配线膜上形成由Ni-Cu-(Cr，Ti)合金构成的保护膜的层叠配线膜、以及用于形成该保护膜的溅射靶。

然而，在通过蚀刻由铜或铜合金构成的Cu配线膜而形成图形时，使用包含氯化铁的蚀刻液。在此，如专利文献1所记载，在使用包含氯化铁的蚀刻液对具有由Ni-Cu-(Cr，Ti)合金构成的保护膜的层叠配线膜进行蚀刻的情况下，有时保护膜的一部分未溶解而作为残渣而残留。由于配线之间有可能因该残渣而短路，因此作为配线膜而使用较为困难。并且在保护膜中含有Cr的情况下，蚀刻后的废液中含有Cr，在废液处理时存在耗费成本的问题。另外，在专利文献1所记载的保护膜中，由于大量含有35质量％以上且84.5质量％以下的比较昂贵的Ni，因此存在溅射靶及层叠配线膜的制造成本增加的问题。

于是，在专利文献2中，提出有一种Cu配线膜和保护膜对包含氯化铁的蚀刻液具有相同的蚀刻性的层叠配线膜、以及用于形成该保护膜的溅射靶。

专利文献1：日本特开2012-193444号公报

专利文献2：日本特开2014-114481号公报

然而，最近在推进液晶和有机EL面板等平板显示器、触控面板等的大型化，并推进形成配线膜的玻璃基板的大型化(大面积化)。随之，在大面积基板上成膜时使用的溅射靶也成为大型化。

在此，在对大型的溅射靶投入较高的电力而实施溅射时有可能产生靶的异常放电。另外，所谓异常放电是与正常溅射时相比有极高的电流突然急速流过，从而急速产生异常大的放电的现象。

并且，通过异常放电而有可能容易产生被称作“喷溅”的现象。另外，所谓该喷溅现象是在靶表面的突起物和绝缘物蓄积溅射中的电荷，且在所述突起物和绝缘物与靶表面、腔室之间产生异常放电，从而靶的一部分熔融而产生的现象。在产生该喷溅现象的情况下，熔融的靶成为微粒而飞散并附着于基板上，从而使配线或电极之间短路，产生成品率大幅降低的问题。

在此，靶表面的晶粒根据其取向而溅射速度不同，因此若溅射时间较长，则有时在靶表面沿晶界产生高低差。若靶表面的晶粒直径较粗，则上述高低差较大，与前面所述的突起物一样，更容易产生电荷的蓄积，从而容易产生异常放电。尤其在靶表面局部产生较粗的晶粒的情况下，由于局部产生高低差，因此异常放电的产生较为显著。

并且，在大型的溅射靶的情况下，与小型的溅射靶相比容易产生晶粒直径的不均匀，且更容易产生异常放电。

发明内容

本发明是鉴于所述情况而完成的，其目的在于提供一种溅射靶及层叠膜，该溅射靶能够成膜耐候性优异且具有良好的蚀刻性的保护膜并通过抑制异常放电的产生而能够稳定地成膜保护膜，该层叠膜具备通过该溅射靶而成膜的保护膜。

为了解决上述课题，本发明人们经过进行深入的研究而得出以下研究结果：通过对专利文献2所记载的组成进一步添加适量的Fe、Sn、Sb元素而抑制晶粒的生长，从而能够抑制晶粒直径的不均匀，并且对保护膜的蚀刻性和耐蚀性并不造成影响。

本发明是基于以上研究结果而完成的，作为本发明的一种方式的溅射靶为在Cu膜的单面或两面成膜保护膜时使用的溅射靶，其包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成。

在具有这种结构的本发明的溅射靶中，由于包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的范围的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，因此能够将晶粒微细化，并且能够抑制晶粒直径的不均匀。由此能够抑制溅射时异常放电的产生。

并且，由于包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，因此即使在使用耐候性高且包含氯化铁的蚀刻液进行蚀刻的情况下，也能够成膜与Cu膜同样地被蚀刻的保护膜。

在此，在本发明的一种方式的溅射靶中，优选氧浓度为60质量ppm以下。

Fe、Sn、Sb为与氧进行反应而容易生成氧化物的元素。这些氧化物由于导电性较低，因此容易蓄积电荷，有可能成为异常放电的原因。因此通过将溅射靶中的氧浓度限制在60质量ppm以下而能够抑制氧化物的生成，并能够获得进一步抑制异常放电的效果。

另外，在本发明的一种方式的溅射靶中，优选碳浓度为50质量ppm以下。

Fe为与碳进行反应而容易生成碳化物的元素。该碳化物为陶瓷的一种且为绝缘物，因此容易蓄积电荷，有可能成为异常放电的原因。因此，尤其在含有Fe的情况下，通过将溅射靶中的碳浓度限制在50质量ppm以下而能够抑制碳化物的生成，并能够获得进一步抑制异常放电的效果。

本发明的一种方式的层叠膜为具备Cu膜、形成于该Cu膜的单面或两面的保护膜的层叠膜，其中，所述保护膜使用上述溅射靶而成膜。

在具有这种结构的本发明的层叠膜中，由于具有通过上述组成的溅射靶而成膜的保护膜，因此耐候性提高，即使在大气中进行保管的情况下也能够抑制变色。

并且，由于保护膜为由包含Zn、Ni、Mn的规定的Cu基合金构成，因此即使使用包含氯化铁的蚀刻液进行蚀刻的情况下，也能够抑制产生未溶解的残渣。

如以上所述，根据本发明能够提供一种能够成膜耐候性优异且具有良好的蚀刻性的保护膜并通过抑制异常放电的产生而能够稳定地成膜保护膜的溅射靶、以及具备通过该溅射靶而成膜的保护膜的层叠膜。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的层叠配线膜的剖面说明图。

图2是表示在实施例中测定溅射靶的晶粒直径的部位的说明图。

图3是说明实施例中的蚀刻残渣的观察结果的照片。

附图标记说明

10-层叠配线膜(层叠膜)，11-Cu配线膜(Cu膜)，12-保护膜，13-玻璃基板，14-残渣。

具体实施方式

以下，对本发明的一种实施方式的溅射靶及层叠膜(层叠配线膜10)进行说明。

本实施方式的层叠配线膜10例如用作液晶和有机EL面板等平板显示器、触控面板等的配线膜。并且本实施方式的溅射靶在由铜或铜合金构成的Cu配线膜11上成膜保护膜12而形成上述层叠配线膜10时被使用。

接着，对本实施方式的溅射靶进行说明。

该溅射靶具有如下组成：包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成。

并且，在本实施方式的溅射靶中，也可以设为氧浓度为60质量ppm以下，碳浓度为50质量ppm以下。

另外，本实施方式的溅射靶为大型的溅射靶，靶表面的面积也可以设为0.15m²以上。

以下，对如上所述规定本实施方式的溅射靶的组成的理由进行说明。

(Zn：30质量％以上且50质量％以下)

Zn为具有提高力学特性且改善加工性的作用效果的元素。通过含有Zn而能够良好地进行溅射靶的制造。

在此，在Zn的含量小于30质量％的情况下，热加工性未充分提高，在进行热轧时有可能产生破裂。另一方面，在Zn的含量超过50质量％的情况下，冷加工性较差，在冷轧时有可能产生破裂。

由于这种理由，将Zn的含量设定在30质量％以上且50质量％以下的范围内。另外，为了进一步提高热加工性，优选将Zn的含量的下限设为38质量％。并且为了可靠地确保冷加工性，优选将Zn的含量的上限设为45质量％。

(Ni：5质量％以上且15质量％以下)

Ni为具有改善Cu的耐候性的作用效果的元素。通过含有Ni而能够抑制变色。

在此，在Ni的含量小于5质量％的情况下，成膜的保护膜12的耐候性未充分提高，有可能无法充分地抑制Cu配线膜11的变色。另一方面，在Ni的含量超过15质量％的情况下，成膜的保护膜12的蚀刻性较差，在使用含有氯化铁的蚀刻液进行蚀刻时有可能生成未溶解的残渣14。并且热加工性及切削性也降低。

由于这种理由，将Ni的含量设定在5质量％以上且15质量％以下的范围内。另外，为了进一步提高成膜的保护膜12的耐候性，优选将Ni的含量的下限设为8.5质量％。并且为了进一步提高成膜的保护膜12的蚀刻性，优选将Ni的含量的上限设为11.0质量％。

(Mn：2质量％以上且10质量％以下)

与Ni同样地，Mn为具有提高Cu的耐候性的作用效果的元素。并且也具有提高熔融金属的流动性、热加工性和切削性的作用效果。另外，由于是比Ni价格低廉的元素，因此能够通过代替Ni进行添加而削减成本。

在此，在Mn的含量小于2质量％的情况下，成膜的保护膜12的耐候性未充分提高，有可能无法充分地抑制变色。另一方面，在Mn的含量超过10质量％的情况下，成膜的保护膜12的蚀刻性较差，在使用含有氯化铁的蚀刻液进行蚀刻时有可能生成未溶解的残渣14。并且，无法确认如上所述的效果的进一步提高，反而热加工性和冷加工性较差。

由于这种理由，将Mn的含量设定在2质量％以上且10质量％以下的范围内。另外，为了进一步提高成膜的保护膜12的耐候性，优选将Mn的含量的下限设为5.5质量％。并且为了进一步提高成膜的保护膜12的蚀刻性，优选将Mn的含量的上限设为7.5质量％。

(Fe、Sn、Sb：共计0.001质量％以上且0.2质量％以下)

所谓Fe、Sn、Sb的元素具有抑制晶粒的生长、且抑制晶粒直径的不均匀的作用效果。

在此，在Fe、Sn、Sb的总含量小于0.001质量％的情况下，有可能无法充分地抑制晶粒直径的不均匀。另一方面，在Fe、Sn、Sb的总含量超过0.2质量％的情况下，大量生成这些元素的氧化物或碳化物等，有可能容易产生异常放电。

由于这种理由，将Fe、Sn、Sb的总含量设定在0.001质量％以上且0.2质量％以下的范围内。另外，为了进一步抑制晶粒直径的不均匀，优选将Fe、Sn、Sb的总含量的下限设为0.003质量％。并且为了可靠地抑制根据氧化物或碳化物等而产生异常放电，优选将Fe、Sn、Sb的总含量的上限设为0.15质量％。

(O：60质量ppm以下)

上述Fe、Sn、Sb为与氧进行反应而容易生成氧化物的元素。由于这些氧化物的导电率较低，因此若存在于靶内，则在溅射时电荷集中，从而有可能容易产生异常放电。

由于这种理由，在本实施方式中，将溅射靶中的氧浓度限制在60质量ppm以下。另外，为了进一步抑制氧化物的生成而可靠地抑制异常放电的产生，优选将溅射靶中的氧浓度设为40质量ppm以下。另外，溅射靶中的氧浓度越少越优选，但若使氧浓度极度降低，则将导致成本增加。因此也可以将溅射靶中的氧浓度设为10质量ppm以上。

(C：50质量ppm以下)

上述Fe为与碳进行反应而容易生成碳化物的元素。由于该碳化物的导电率较低，因此若存在于靶内，则在溅射时电荷集中，从而有可能容易产生异常放电。

由于这种理由，在本实施方式中，将溅射靶中的碳浓度限制在50质量ppm以下。尤其，在含有0.01质量％以上的Fe的情况下，优选如上所述那样规定碳浓度。另外，为了进一步抑制碳化物的生成而可靠地抑制异常放电的产生，优选将溅射靶中的碳浓度设为40质量ppm以下。另外，溅射靶中的碳浓度越少越优选，但若使碳浓度极度降低，则将导致成本增加。因此可以将溅射靶中的碳浓度设为5质量ppm以上。

接着，对本实施方式的溅射靶的制造方法进行说明。

该溅射靶经过例如熔融铸造工序、热加工工序、冷加工工序、热处理工序和机械加工工序这些的各种工序而制造。

在此，在本实施方式中，如上所述，由于限制溅射靶中的氧浓度及碳浓度，因此在熔融铸造工序中需要抑制氧及碳的掺入。

具体而言，在熔融铸造工序中，不使用木炭等含碳材料作为铜熔融金属的覆盖材料，而将铜熔融金属在还原气体气氛中进行移送和保持。并且，在添加Fe、Sn、Sb时，使用Cu-Fe母合金、Cu-Sn母合金、Cu-Sb母合金等，从而抑制在添加时生成氧化物及碳化物。

接着，对本实施方式的层叠配线膜10进行说明。

如图1所示，本实施方式的层叠配线膜10具备成膜于基板1上的Cu配线膜11和成膜于Cu配线膜11上的保护膜12。

在此，基板1并无特别的限定，但是在平板显示器、触控面板等中，使用由能够使光透射的玻璃、树脂薄膜等构成的基板。另外，在图3中使用玻璃基板13。

优选Cu配线膜11由铜或铜合金构成，且其比电阻为4.0μΩcm以下(温度25℃)。在本实施方式中，Cu配线膜11由纯度99.99质量％以上的无氧铜构成，比电阻为3.5μΩcm以下(温度25℃)。另外，该Cu配线膜11是使用由纯度99.99质量％以上的无氧铜构成的溅射靶而成膜的。

并且，该Cu配线膜11的厚度A优选在50nm≤A≤800nm的范围内，更优选在100nm≤A≤300nm的范围内。

保护膜12是使用本实施方式的溅射靶而成膜的，其具有与上述溅射靶相同的组成。

该保护膜12的厚度B优选在5nm≤B≤100nm的范围内，更优选在10nm≤B≤50nm的范围内。

并且，Cu配线膜11的厚度A和保护膜12的厚度B之比B/A优选在0.02≤B/A≤1.0的范围内，更优选在0.1≤B/A≤0.3的范围内。

在具有如上所述的结构的本实施方式的溅射靶中，由于包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的范围的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，因此能够将靶表面的晶粒微细化，并且能够抑制晶粒直径的不均匀。由此能够抑制溅射时产生异常放电。

并且，在本实施方式中，由于溅射靶中的氧浓度限制在60质量ppm以下，因此能够抑制生成Fe、Sn、Sb的氧化物，并能够抑制因这些氧化物而产生异常放电。

另外，在本实施方式中，由于溅射靶中的碳浓度限制在50质量ppm以下，因此能够抑制生成Fe的碳化物，并能够抑制因该碳化物而产生异常放电。

并且，在本实施方式的层叠配线膜10中，通过上述溅射靶而成膜保护膜12，该保护膜12具有与溅射靶相同的组成，且设为Cu基合金，因此即使在使用包含氯化铁的蚀刻液进行蚀刻的情况下，也与Cu配线膜11同样地能够进行蚀刻，并能够抑制产生未溶解的残渣14。

并且，由于保护膜12含有上述范围的Ni、Mn，因此耐候性提高，且能够可靠地抑制层叠配线膜10的表面变色。

另外，由于保护膜12未具有Cr，因此能够以低成本进行蚀刻后的废液处理。

并且，由于热加工性、冷加工性和切削性优异，因此能够良好地制造本实施方式的溅射靶。

另外，在本实施方式中，Cu配线膜11由比电阻为3.5μΩcm以下(温度25℃)的无氧铜构成，且Cu配线膜11的厚度A在50nm≤A≤800nm的范围内，因此通过该Cu配线膜11能够良好地进行通电。

另外，在本实施方式中，由于保护膜12的厚度B在5nm≤B≤100nm的范围内，且Cu配线膜11的厚度A和保护膜12的厚度B之比B/A在0.02＜B/A＜1.0的范围内，因此能够可靠地抑制Cu配线膜11变色。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于此，在不脱离本发明的技术思想的范围内可以适当地进行变更。

例如在本实施方式中，举例说明了在基板上形成层叠配线膜10(层叠膜)的结构，但是并不限定于此，也可以在基板上形成ITO膜、AZO膜等透明导电膜，且在其上形成层叠配线膜10(层叠膜)。

并且，对由纯度99.99质量％以上的无氧铜构成的Cu配线膜11(Cu膜)进行了说明，但是并不限定于此，例如也可以由含有韧铜等纯铜和少量的添加元素的铜合金构成。

另外，Cu配线膜11(Cu膜)的厚度A、保护膜12的厚度B、厚度比B/A并不限定于本实施方式所记载的内容，也可以设为其它结构。

[实施例]

以下，对关于本发明所涉及的溅射靶及层叠膜的作用效果进行评价的评价试验的结果进行说明。

＜纯铜靶＞

准备纯度99.99质量％的无氧铜的铸块，并对该铸块进行热轧、去应力退火及机械加工，制作出具有宽度：200mm、长度：2700mm、厚度：17mm的尺寸的纯铜靶。

接着，准备无氧铜制的垫板，使所述纯铜靶重合于该无氧铜制的垫板，通过在温度：200℃下进行铟焊接而制作出带垫板靶。

＜溅射靶＞

作为熔融原料，准备了无氧铜(纯度99.99质量％)、低碳镍(纯度99.9质量％)、电解金属锰(纯度99.9质量％)、电解锌(纯度99.99质量％)，并且作为微量添加元素，准备了电解铁(纯度99.95质量％)、纯锡(纯度99.9重量％)、金属锑(纯度99.9质量％)。关于微量添加元素，预先制作了与铜的母合金。将这些熔融原料和母合金在氧化铝坩埚内进行高频熔融，并将成分调整为具有表1所示的组成的熔融金属的成分。此时，在熔融金属上不使用木炭等覆盖材料，而是在还原气体气氛中将熔融金属移送和保持。另外，关于本发明例8，不使用母合金，而是直接添加了电解铁、纯锡和金属锑。并且，关于本发明例9，使用高纯度碳坩埚进行熔融，并在熔融金属上配置了木炭等覆盖材料。

在铸模中将所获得的熔融金属铸造，获得了宽度：210mm、长度：500mm、厚度：100mm的大小的铸块。

接着，以约为10％的轧制率对铸块进行热轧直至30mm厚度为止，在通过平面切削去除表面的氧化物和瑕疵之后，进而以10％的压下率进行冷轧，直至20mm厚度为止进行轧制，并进行了去应力退火。对所获得的轧制板的表面进行机械加工，从而制作出具有宽度：200mm、长度：2700mm、厚度：17mm的尺寸的本发明例1～9及比较例1～5的溅射靶。

接着，准备无氧铜制的垫板，使所获得的溅射靶重合于该无氧铜制的垫板，并通过在温度：200℃下进行铟焊接而制作出带垫板靶。

＜层叠膜＞

将Cu膜形成用纯铜靶设置于溅射装置内，使其与玻璃基板(具有纵长：20mm、横长：20mm、厚度：0.7mm的尺寸的由康宁公司(CORNING CO.,LTD.)制造的1737玻璃基板)的距离为70mm，并在电源：直流方式、溅射功率：6kW、极限真空度：5×10^-5Pa、气氛气体成分：纯Ar、溅射气压：0.6Pa、基板加热：无的条件下实施溅射，在玻璃基板的表面形成了具有厚度：150nm的Cu膜。

随即，在相同的条件下，使用表1所记载的本发明例1～9及比较例1的溅射靶实施溅射，在Cu膜上形成了厚度：30nm的保护膜。由此形成了表2所示的本发明例11～19及比较例11的层叠膜。

＜溅射靶的晶粒直径＞

如图2所示，关于所获得的溅射靶，在长边方向上引出两条线，在短边方向上引出七条线，从这些线的交点的14个部位进行了采样。使用光学显微镜对所获得的样品在横长：420μm、高度：310μm的较广的视场内进行观察，以间隔为100μm的方式各自引出纵横四条线，并以线段法求出平均晶粒直径。并且求出所观察到的最大的晶粒直径。评价结果在表1中表示。

＜异常放电＞

将溅射靶安装于溅射装置，并进行了DC磁控溅射。此时，通过溅射装置的电源测量了异常放电的产生次数。另外，DC磁控溅射的条件设成如下条件：以基板与靶的距离为70mm的方式设置于溅射装置内，电源：直流方式、溅射功率：6kW、极限真空度：5×10^-5Pa、气氛气体组成：纯Ar、溅射气压：0.6Pa、基板加热：无。

在测定异常放电的产生次数之前，在上述溅射条件下进行30分钟预溅射之后，进行溅射直至电力成为18kWhr，并测量了异常放电的产生次数。评价结果在表1中表示。

＜粘附性＞

以JIS-K5400为基准实施划格粘附测试，即以1mm间隔在层叠膜上划出格子状的切口之后，使用3M公司制造的透明胶带进行剥离，并对在玻璃基板中央部的边长10mm的方形内附着于玻璃基板上的层叠膜的面积％进行测定。评价结果在表2中表示。

＜耐候性＞

进行恒温恒湿试验(在60℃、相对湿度90％下暴露250小时)，以目测的方式确认了层叠膜表面有无变化。将确认变色的设为“NG”，将无法确认变色的设为“OK”。评价结果在表2中表示。

＜蚀刻残渣＞

对成膜于玻璃基板上的层叠膜涂布光刻胶液体(东京应化工业株式会社(東京応化工業株式会社)制造：OFPR-8600LB)，并进行感光和显影，从而以30μm的线宽和间隙形成了抗蚀膜。之后，将形成有抗蚀膜的玻璃基板浸渍于保持液体温度为30℃±1℃的4％FeCl₃水溶液中30秒钟，并对层叠膜进行蚀刻而形成配线。

使用Ar离子束，相对于从屏蔽板露出的试料垂直地照射射线束，从而对该配线的剖面进行离子蚀刻，使用二维电子显微镜观察所获得的剖面，查看了有无蚀刻残渣。在此，将残渣的长度L为300nm以上的设为B，将残渣的长度L小于300nm的设为A并进行了评价。观察结果的一例在图3中表示，评价结果在表2中表示。

＜蚀刻速度＞

在与所述相同的条件下，使用溅射靶实施溅射，在所述玻璃基板上形成了厚度：150nm的保护膜。将仅成膜该保护膜单层的玻璃基板浸渍于保持液体温度为30℃±1℃的4％FeCl₃水溶液中而对保护膜进行蚀刻，并通过目测观察而测定直至保护膜消失为止的时间，从而求出蚀刻速度。

[表1]

[表2]

在比较例1的溅射靶中未含有Fe、Sn、Sb，且混合有如下的晶粒，即该晶粒的平均晶粒直径为73μm，比较大，且所观察到的最大粒径为120μm，也较粗。因此异常放电次数增多。

在比较例2～5的溅射靶中，Fe、Sn、Sb的总含量超过本发明的范围，异常放电次数明显增多。可推测异常放电次数增多是因为在溅射靶中大量生成Fe、Sn、Sb的氧化物、Fe的碳化物，由此而产生了异常放电。

与此相对，在本发明例中，包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的范围的Fe、Sn、Sb，平均晶粒直径为27～42μm，比较微细，所观察到的最大粒径也为37～68μm，抑制了较粗的晶粒的掺入。因此确认到与比较例相比异常放电次数减少。并且在限制氧浓度及碳浓度的本发明例1～7中，确认到异常放电次数进一步减少。

另外，在具有使用本发明例1～9的溅射靶而成膜的保护膜的本发明例11～19的层叠膜中，与具有使用未含有Fe、Sn、Sb的比较例1的溅射靶而成膜的保护膜的比较例11的层叠膜相比，确认到在粘附性、耐候性和蚀刻性上没有很大的差异。

如以上所述，确认到根据本发明例能够提供一种能够成膜耐候性优异且具有良好的蚀刻性的保护膜、且通过抑制异常放电的产生而能够稳定地成膜保护膜的溅射靶、以及具备通过该溅射靶而成膜的保护膜的层叠膜。

产业上的可利用性

本发明的溅射靶能够成膜耐候性优异且具有良好的蚀刻性的保护膜，并且通过抑制异常放电的产生而能够稳定地成膜保护膜。本发明的溅射靶适合使用于在大面积基板上成膜的大型的溅射靶。

Claims (3)

1.一种溅射靶，其包含38质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，其中包含0.001质量％以上且0.2质量％以下的Fe，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成，所述溅射靶的碳浓度为5质量ppm以上且50质量ppm以下。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，

氧浓度为60质量ppm以下。

3.一种层叠膜，具备Cu膜和形成于该Cu膜的单面或两面的保护膜，其中，

所述保护膜使用权利要求1或2所述的溅射靶而成膜。

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