TW202006058A - 樹脂材料及多層印刷佈線板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠降低介電損耗正切，且能夠抑制脫層之產生的樹脂材料。 本發明之樹脂材料包含：環氧化合物、無機填充材料、硬化劑及具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑，上述無機填充材料之比表面積為1 m2 /g以上50 m2 /g以下。

Description

樹脂材料及多層印刷佈線板
本發明係關於一種包含環氧化合物、無機填充材料及硬化劑之樹脂材料。又，本發明係關於一種使用上述樹脂材料之多層印刷佈線板。
先前，為了獲得半導體裝置、積層板及印刷佈線板等電子零件，使用各種樹脂材料。例如，於多層印刷佈線板中，為了形成用以使內部之層之間絕緣的絕緣層，或形成位於表層部分之絕緣層，使用樹脂材料。上述絕緣層之表面上一般積層有金屬佈線。又，為了形成上述絕緣層，有時使用樹脂膜作為上述樹脂材料。上述樹脂材料用作包含積層膜之多層印刷佈線板用之絕緣材料等(例如專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：WO2009/28493A1
[發明所欲解決之問題]
對形成於多層印刷佈線板等之絕緣層，要求介電損耗正切低。存在以降低介電損耗正切為目的而於樹脂材料中調配無機填充材料之情形。然而，無機填充材料與樹脂之界面容易吸水，於無機填充材料之調配量較多之情形時，有時會產生藉由樹脂材料形成之絕緣層與電路等金屬層之剝離(脫層)。
又，於回焊步驟時，絕緣層與金屬層暴露於高溫(例如260℃以上)，因此容易產生脫層。進而，於絕緣層吸濕，或因暴露於高溫下而產生氣體之情形時，容易產生脫層。
如專利文獻1所記載之先前之環氧樹脂組合物中，難以降低介電損耗正切，且難以抑制脫層之產生。
本發明之目的在於提供能夠降低介電損耗正切，且能夠抑制脫層之產生的樹脂材料。又，本發明之目的亦在於提供使用上述樹脂材料之多層印刷佈線板。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之廣泛之態樣，提供一種樹脂材料，其包含：環氧化合物、無機填充材料、硬化劑及具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑，上述無機填充材料之比表面積為1 m2 /g以上50 m2 /g以下。
本發明之樹脂材料之某特定之態樣中，上述矽烷偶合劑為具有二胺基三𠯤骨架之矽烷偶合劑。
本發明之樹脂材料之某特定之態樣中，上述硬化劑包含：活性酯化合物、氰酸酯化合物、苯并㗁𠯤化合物、碳二醯亞胺化合物或馬來醯亞胺化合物。
本發明之樹脂材料之某特定之態樣中，樹脂材料中之除上述無機填充材料及溶劑以外之成分100重量%中，上述矽烷偶合劑之含量為0.1重量%以上3重量%以下。
本發明之樹脂材料之某特定之態樣中，樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述無機填充材料之含量為30重量%以上。
本發明之樹脂材料之某特定之態樣中，上述樹脂材料為熱固性材料。
本發明之樹脂材料之某特定之態樣中，上述樹脂材料為樹脂膜。
本發明之樹脂材料適用於在多層印刷佈線板中形成絕緣層。
根據本發明之廣泛之態樣，提供一種多層印刷佈線板，其具備：電路基板、配置於上述電路基板之表面上的複數層絕緣層及配置於複數層上述絕緣層之間的金屬層，複數層上述絕緣層中之至少1層為上述之樹脂材料之硬化物。 [發明之效果]
本發明之樹脂材料包含：環氧化合物、無機填充材料、硬化劑及具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑，上述無機填充材料之比表面積為1 m2 /g以上50 m2 /g以下，因此能夠降低介電損耗正切，且能夠抑制脫層之產生。
以下詳細地說明本發明。
本發明之樹脂材料包含：環氧化合物、無機填充材料、硬化劑及具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑，上述無機填充材料之比表面積為1 m2 /g以上50 m2 /g以下。
於本發明中，由於具備上述之構成，故而能夠降低介電損耗正切，且能夠抑制脫層之產生。
若為先前之樹脂材料，難以降低介電損耗正切，且難以抑制脫層之產生。尤其是，雖然於無機填充材料之調配量較少之情形時能夠抑制脫層之產生，但於無機填充材料之調配量較多之情形時難以抑制脫層之產生。與此相對，於本發明中，即使無機填充材料之調配量較多，亦能夠抑制脫層之產生。
本發明之樹脂材料可為樹脂組合物，亦可為樹脂膜。上述樹脂組合物具有流動性。上述樹脂組合物可為糊狀。上述糊狀包括液狀。就操作性優異之方面而言，本發明之樹脂材料較佳為樹脂膜。
本發明之樹脂材料較佳為熱固性材料。本發明之樹脂材料較佳為可藉由加熱而硬化。於上述樹脂材料為樹脂膜之情形時，該樹脂膜較佳為熱固性樹脂膜。上述樹脂膜較佳為可藉由加熱而硬化。
以下，對本發明之樹脂材料中所使用之各成分之詳細情況及本發明之樹脂材料之用途等加以說明。
[環氧化合物] 上述樹脂材料包含環氧化合物。作為上述環氧化合物，可使用先前公知之環氧化合物。上述環氧化合物係指具有至少1個環氧基之有機化合物。上述環氧化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述環氧化合物，可列舉：雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、雙酚S型環氧化合物、酚系酚醛清漆型環氧化合物、聯苯型環氧化合物、聯苯酚醛清漆型環氧化合物、聯苯酚型環氧化合物、萘型環氧化合物、茀型環氧化合物、苯酚芳烷基型環氧化合物、萘酚芳烷基型環氧化合物、二環戊二烯型環氧化合物、蒽型環氧化合物、具有金剛烷骨架之環氧化合物、具有三環癸烷骨架之環氧化合物、伸萘基醚型環氧化合物、及骨架具有三𠯤核之環氧化合物等。
就進一步降低線膨脹係數、且進一步抑制脫層之產生之觀點而言，上述環氧化合物較佳為包含具有芳香族骨架之環氧化合物，更佳為包含具有萘骨架或苯基骨架之環氧化合物。
上述環氧化合物可包含25℃下為液狀之環氧化合物，亦可包含25℃下為固體之環氧化合物。就更進一步降低介電損耗正切、且使硬化物之線膨脹係數(CTE)變良好、更進一步抑制脫層之產生之觀點而言，較佳為上述環氧化合物包含25℃下為液狀之環氧化合物及25℃下為固體之環氧化合物。
上述25℃下為液狀之環氧化合物的25℃下之黏度較佳為1000 mPa・s以下，更佳為500 mPa・s以下。
於測定上述環氧化合物之黏度時，例如使用動態黏彈性測定裝置(Reologica Instruments公司製造之「VAR-100」)等。
上述環氧化合物之分子量更佳為1000以下。於此情形時，即使於樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，無機填充材料之含量為50重量%以上，亦獲得於形成絕緣層時流動性較高之樹脂材料。因此，於將樹脂材料之未硬化物或B-階段化物層壓於電路基板上之情形時，能夠使無機填充材料均勻地存在。
上述環氧化合物之分子量於上述環氧化合物並非聚合物之情形、及能夠特定出上述環氧化合物之結構式之情形時，意指能夠根據該結構式算出之分子量。又，於上述環氧化合物為聚合物之情形時，意指重量平均分子量。
就進一步提高硬化物與金屬層之接著強度、進一步抑制脫層之產生之觀點而言，樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述環氧化合物之含量較佳為20重量%以上，更佳為30重量%以上，較佳為80重量%以下，更佳為70重量%以下。
[無機填充材料] 上述樹脂材料包含無機填充材料。藉由使用無機填充材料，硬化物之介電損耗正切更進一步變低。又，藉由使用無機填充材料，硬化物之由於熱導致之尺寸變化更進一步變小。進而，藉由使用無機填充材料，硬化物與金屬層之接著強度更進一步變高。上述無機填充材料可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述無機填充材料，可列舉：氧化矽、滑石、黏土、雲母、水滑石、氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鋁、氮化鋁及氮化硼等。
就降低硬化物之表面的表面粗糙度、進一步提高硬化物與金屬層之接著強度、且於硬化物之表面形成更進一步微細之佈線、且賦予硬化物更良好之絕緣可靠性之觀點而言，上述無機填充材料較佳為氧化矽或氧化鋁，更佳為氧化矽，進而較佳為熔融氧化矽。藉由使用氧化矽而使硬化物之熱膨脹率更進一步變低，且硬化物之介電損耗正切更進一步變低。又，藉由使用氧化矽可使硬化物之表面的表面粗糙度有效地變小，硬化物與金屬層之接著強度有效地變高，從而更進一步抑制脫層之產生。氧化矽之形狀較佳為球狀。
就不論硬化環境如何而持續推進樹脂之硬化、有效地提高硬化物之玻璃轉移溫度、有效地降低硬化物之熱線膨脹係數之觀點而言，上述無機填充材料較佳為球狀氧化矽。
就抑制脫層之產生之觀點而言，上述無機填充材料之比表面積為1 m2 /g以上50 m2 /g以下。若上述無機填充材料之比表面積未達1 m2 /g或超過50 m2 /g，則存在產生脫層之情況。
就更進一步抑制脫層之產生之觀點而言，上述無機填充材料之比表面積較佳為2 m2 /g以上，更佳為3 m2 /g以上，較佳為40 m2 /g以下。
上述無機填充材料之比表面積能夠藉由使用氮氣之BET法而測定。於上述樹脂材料包含2種以上無機填充材料之情形時，上述無機填充材料之比表面積以上述樹脂材料中所含之無機填充材料整體而測定。可使用為了獲得上述樹脂材料而使用之無機填充材料，測定無機填充材料之比表面積。
上述無機填充材料之平均粒徑較佳為100 nm以上，更佳為200 nm以上，進而較佳為500 nm以上，較佳為1.5 μm以下，更佳為1.3 μm以下，進而較佳為1.0 μm以下。若上述無機填充材料之平均粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則能夠更進一步抑制脫層之產生。
作為上述無機填充材料之平均粒徑，採用成為50%之中值徑(d50)之值。上述平均粒徑可使用雷射繞射散射方式之粒度分佈測定裝置得以測定。於上述樹脂材料包含2種以上無機填充材料之情形時，上述無機填充材料之平均粒徑以上述樹脂材料中所含之無機填充材料整體而測定。可使用為了獲得上述樹脂材料而使用之無機填充材料，測定無機填充材料之平均粒徑。
上述無機填充材料較佳為球狀，更佳為球狀氧化矽。於此情形時，硬化物之表面的表面粗糙度有效地變小，進而硬化物與金屬層之接著強度有效地變高，其結果能夠更進一步抑制脫層之產生。於上述無機填充材料為球狀之情形時，上述無機填充材料之縱橫比較佳為2以下，更佳為1.5以下。
上述無機填充材料較佳為進行了表面處理，更佳為偶合劑之表面處理物，進而較佳為矽烷偶合劑之表面處理物。藉由對上述無機填充材料進行表面處理，使粗化硬化物之表面的表面粗糙度更進一步變小，硬化物與金屬層之接著強度更進一步變高。其結果能夠更進一步抑制脫層之產生。又，藉由對上述無機填充材料進行表面處理，能夠於硬化物之表面形成更進一步微細之佈線，且能夠賦予硬化物更進一步良好之佈線間絕緣可靠性及層間絕緣可靠性。
作為上述偶合劑，可列舉：矽烷偶合劑、鈦偶合劑及鋁偶合劑等。作為上述矽烷偶合劑，可列舉：甲基丙烯基矽烷、丙烯基矽烷、胺基矽烷、咪唑矽烷、乙烯基矽烷及環氧矽烷等。
樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述無機填充材料之含量較佳為30重量%以上，更佳為40重量%以上，進而較佳為50重量%以上，尤佳為55重量%以上，最佳為60重量%以上。樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述無機填充材料之含量較佳為85重量%以下，更佳為83重量%以下，進而較佳為80重量%以下，尤佳為78重量%以下。若上述無機填充材料之含量為上述下限以上，則介電損耗正切有效地變低，能夠降低硬化物之熱膨脹率，進而能夠使除膠渣性變良好。若上述無機填充材料之含量為上述上限以下，則能夠更進一步使樹脂膜之操作性或可撓性變良好。若上述無機填充材料之含量為上述下限以上及上述上限以下，則能夠進一步減小硬化物之表面的表面粗糙度，且能夠於硬化物之表面形成更進一步微細之佈線。
[硬化劑] 上述樹脂材料包含硬化劑。作為上述硬化劑，可使用先前公知之硬化劑。上述硬化劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述硬化劑，可列舉：氰酸酯化合物(氰酸酯硬化劑)、酚化合物(酚硬化劑)、胺化合物(胺硬化劑)、硫醇化合物(硫醇硬化劑)、咪唑化合物、膦化合物、酸酐、雙氰胺、活性酯化合物、苯并㗁𠯤化合物(苯并㗁 𠯤硬化劑)、碳二醯亞胺化合物(碳二醯亞胺硬化劑)及馬來醯亞胺化合物(馬來醯亞胺硬化劑)等。較佳為上述硬化劑具有可與上述環氧化合物之環氧基反應之官能基。
就降低介電損耗正切、抑制起泡之產生，且更進一步抑制脫層之產生之觀點而言，較佳為上述硬化劑包含活性酯化合物、氰酸酯化合物、苯并㗁𠯤化合物、碳二醯亞胺化合物、或馬來醯亞胺化合物。就降低介電損耗正切、抑制起泡之產生、且更進一步抑制脫層之產生之觀點而言，上述硬化劑較佳為活性酯化合物。
上述氰酸酯化合物可為氰酸酯化合物(氰酸酯硬化劑)。作為上述氰酸酯化合物，可列舉：酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚型氰酸酯樹脂、以及該等部分三聚化而成之預聚物等。作為上述酚醛清漆型氰酸酯樹脂，可列舉酚系酚醛清漆型氰酸酯樹脂及烷酚型氰酸酯樹脂等。作為上述雙酚型氰酸酯樹脂，可列舉：雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂及四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等。
作為上述氰酸酯化合物之市售品，可列舉：酚系酚醛清漆型氰酸酯樹脂(日本龍沙公司製造之「PT-30」及「PT-60」)、及雙酚型氰酸酯樹脂三聚化而成之預聚物(日本龍沙公司製造之「BA-230S」、「BA-3000S」、「BTP-1000S」及「BTP-6020S」)等。
作為上述酚化合物，可列舉：酚醛清漆型酚、聯苯酚型酚、萘型酚、二環戊二烯型酚、芳烷基型酚及二環戊二烯型酚等。
作為上述酚化合物之市售品，可列舉：酚醛清漆型酚(DIC公司製造之「TD-2091」)、聯苯酚醛清漆型酚(明和化成公司製造之「MEH-7851」)、芳烷基型酚化合物(明和化成公司製造之「MEH-7800」)、以及具有胺基三𠯤骨架之酚(DIC公司製造之「LA1356」及「LA3018-50P」)等。
所謂活性酯化合物係指結構體中至少包含1個酯鍵、且酯鍵之兩側鍵結有芳香族環之化合物。活性酯化合物例如藉由羧酸化合物或硫羧酸化合物與羥基化合物或硫醇化合物之縮合反應而獲得。作為活性酯化合物之例，可列舉下述式(1)所表示之化合物。
[化1]
Figure 02_image001
上述式(1)中，X1及X2分別表示包含芳香族環之基。作為上述包含芳香族環之基之較佳例，可列舉：可具有取代基之苯環及可具有取代基之萘環等。作為上述取代基，可列舉烴基。該烴基之碳數較佳為12以下，更佳為6以下，進而較佳為4以下。
作為X1及X2之組合，可列舉：可具有取代基之苯環與可具有取代基之苯環之組合、可具有取代基之苯環與可具有取代基之萘環之組合。進而，作為X1及X2之組合，可列舉可具有取代基之萘環與可具有取代基之萘環之組合。
上述活性酯化合物並無特別限定。就降低硬化物之介電損耗正切、且提高硬化物之熱尺寸穩定性之觀點而言，更佳為於活性酯之主鏈骨架中具有萘環。作為上述活性酯化合物之市售品，可列舉：DIC公司製造之「HPC-8000-65T」、「EXB9416-70BK」及「EXB8100-65T」等。
作為上述苯并㗁𠯤化合物，可列舉：P-d型苯并㗁𠯤、及F-a型苯并㗁𠯤等。
作為上述苯并㗁𠯤化合物之市售品，可列舉四國化成工業公司製造之「P-d型」等。
上述碳二醯亞胺化合物具有下述式(2)所表示之結構單元。於下述式(2)中，右端部及左端部為與其他基鍵結之部位。
[化2]
Figure 02_image003
上述式(2)中，X表示伸烷基、於伸烷基上鍵結有取代基之基、環伸烷基、於環伸烷基上鍵結有取代基之基、伸芳基、或於伸芳基上鍵結有取代基之基，p表示1～5之整數。於X存在複數個之情形時，複數個X可相同，亦可不同。
於較佳之一形態中，至少1個X為伸烷基、於伸烷基上鍵結有取代基之基、環伸烷基、或於環伸烷基上鍵結有取代基之基。
作為上述碳二醯亞胺化合物之市售品，可列舉：日清紡化學公司製造之「Carbodilite V-02B」、「Carbodilite V-03」、「Carbodilite V-04K」、「Carbodilite V-07」、「Carbodilite V-09」、「Carbodilite 10M-SP」及「Carbodilite 10M-SP(改)」、以及萊茵化學公司製造之「Stabaxol P」、「Stabaxol P400」及「Hycasyl 510」等。
作為上述馬來醯亞胺化合物，可列舉N-烷基雙馬來醯亞胺化合物及N-苯基雙馬來醯亞胺化合物等。
作為上述馬來醯亞胺化合物之市售品，可列舉：Designer Molecules Inc.製造之「BMI-1500」、「BMI-1700」及「BMI-3000」、以及大和化成工業公司製造之「BMI-1000」、「BMI-2000」、「BMI-3000」及「BMI-4000」等。
相對於上述環氧化合物100重量份，上述硬化劑之含量較佳為25重量份以上，更佳為50重量份以上，較佳為200重量份以下，更佳為150重量份以下。若上述硬化劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則硬化性更優異，能夠更進一步抑制由於熱導致之硬化物之尺寸變化或殘存未反應成分之揮發。
樹脂材料中之除上述無機填充材料及溶劑以外之成分100重量%中，上述環氧化合物與上述硬化劑之合計之含量較佳為65重量%以上，更佳為70重量%以上，較佳為99重量%以下，更佳為97重量%以下。若上述環氧化合物與上述硬化劑之合計之含量為上述下限以上及上述上限以下，則獲得更進一步良好之硬化物，能夠進一步抑制硬化物之由於熱導致之尺寸變化。
[矽烷偶合劑] 上述樹脂材料包含矽烷偶合劑。上述矽烷偶合劑具有三𠯤骨架。上述樹脂材料包含具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑。藉由使用上述矽烷偶合劑，能夠降低介電損耗正切，且能夠抑制脫層之產生。藉由使用上述矽烷偶合劑，即使於回焊步驟時或無機填充材料之調配量較多之情形時，亦能夠抑制脫層之產生。又，藉由使用上述矽烷偶合劑，能夠抑制起泡之產生，且能夠抑制脫層之產生。上述矽烷偶合劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
就有效地發揮本發明之效果之方面而言，上述三𠯤骨架較佳為二胺基三𠯤骨架。即，上述矽烷偶合劑較佳為具有二胺基三𠯤骨架之矽烷偶合劑。上述二胺基三𠯤骨架係構成上述三𠯤骨架之2個碳原子上分別鍵結有胺基之骨架。
作為上述具有二胺基三𠯤骨架之矽烷偶合劑之市售品，可列舉四國化成工業公司製造之「VD-5」等。
樹脂材料中之除上述無機填充材料及溶劑以外之成分100重量%中，上述矽烷偶合劑之含量較佳為0.1重量%以上，更佳為0.2重量%以上，進而較佳為0.4重量%以上，較佳為3重量%以下，更佳為2.5重量%以下，進而較佳為2重量%以下。若上述矽烷偶合劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則能夠進一步抑制脫層之產生。若上述矽烷偶合劑之含量為上述上限以下，則能夠抑制介電損耗正切變高。
[熱可塑性樹脂] 較佳為上述樹脂材料包含熱可塑性樹脂。作為上述熱可塑性樹脂，可列舉聚乙烯醇縮醛樹脂及苯氧樹脂等。上述熱可塑性樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。
就不論硬化環境如何而有效地降低介電損耗正切、且有效地提高金屬佈線之密接性之觀點而言，上述熱可塑性樹脂較佳為苯氧樹脂。藉由使用苯氧樹脂，可抑制樹脂膜對電路基板之孔或凹凸之埋設性之變差及無機填充材料之不均勻化。又，藉由使用苯氧樹脂，可調整熔融黏度，因此無機填充材料之分散性變良好，且於硬化過程中，樹脂組合物或B-階段化物變得難以潤濕擴散至非意欲之區域。
上述樹脂材料中所含之苯氧樹脂並無特別限定。作為上述苯氧樹脂，可使用先前公知之苯氧樹脂。上述苯氧樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述苯氧樹脂，例如可列舉具有雙酚A型之骨架、雙酚F型之骨架、雙酚S型之骨架、聯苯骨架、酚醛清漆骨架、萘骨架及醯亞胺骨架等骨架之苯氧樹脂等。
作為上述苯氧樹脂之市售品，例如可列舉：新日鐵住金化學公司製造之「YP50」、「YP55」及「YP70」、以及三菱化學公司製造之「1256B40」、「4250」、「4256H40」、「4275」、「YX6954BH30」及「YX8100BH30」等。
就獲得保存穩定性更進一步優異之樹脂材料之觀點而言，上述熱可塑性樹脂及上述苯氧樹脂之重量平均分子量較佳為5000以上，更佳為10000以上，較佳為100000以下，更佳為50000以下。
上述熱可塑性樹脂及上述苯氧樹脂之上述重量平均分子量表示藉由凝膠滲透層析法(GPC)測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
上述熱可塑性樹脂及上述苯氧樹脂之含量並無特別限定。樹脂材料中之除上述無機填充材料及溶劑以外之成分100重量%中，上述熱可塑性樹脂之含量(於上述熱可塑性樹脂為苯氧樹脂之情形時苯氧樹脂之含量)較佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上，較佳為30重量%以下，更佳為20重量%以下。若上述熱可塑性樹脂之含量為上述下限以上及上述上限以下，則樹脂材料對電路基板之孔或凹凸之埋設性變良好。若上述熱可塑性樹脂之含量為上述下限以上，則樹脂膜之形成更進一步變容易，獲得更進一步良好之絕緣層。若上述熱可塑性樹脂之含量為上述上限以下，則硬化物之熱膨脹率更進一步變低。若上述熱可塑性樹脂之含量為上述上限以下，則硬化物之表面的表面粗糙度更進一步變小，硬化物與金屬層之接著強度更進一步變高。
[硬化促進劑] 較佳為上述樹脂材料包含硬化促進劑。藉由使用上述硬化促進劑，使得硬化速度更進一步變快。藉由使樹脂材料迅速地硬化，使得硬化物中之交聯結構變均勻，並且未反應之官能基數減少，結果交聯密度變高。上述硬化促進劑並無特別限定，可使用先前公知之硬化促進劑。上述硬化促進劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述硬化促進劑，例如可列舉：咪唑化合物、磷化合物、胺化合物及有機金屬化合物等。
作為上述咪唑化合物，可列舉：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸鹽、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-s-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三𠯤異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-二羥基甲基咪唑等。
作為上述磷化合物，可列舉三苯基膦等。
作為上述胺化合物，可列舉：二乙基胺、三乙基胺、二伸乙基四胺、三伸乙基四胺及4,4-二甲基胺基吡啶等。
作為上述有機金屬化合物，可列舉：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸亞錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮鈷(II)及三乙醯丙酮鈷(III)等。
上述硬化促進劑之含量並無特別限定。樹脂材料中之除上述無機填充材料及溶劑以外之成分100重量%中，上述硬化促進劑之含量較佳為0.01重量%以上，更佳為0.05重量%以上，較佳為5重量%以下，更佳為3重量%以下。若上述硬化促進劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則樹脂材料有效率地硬化。若上述硬化促進劑之含量為更佳之範圍，則樹脂材料之保存穩定性更進一步變高，且獲得更進一步良好之硬化物。
[溶劑] 上述樹脂材料不含或包含溶劑。藉由使用上述溶劑，能夠將樹脂材料之黏度控制為適宜之範圍，能夠提高樹脂材料之塗佈性。又，上述溶劑可用於獲得包含上述無機填充材料之漿料。上述溶劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述溶劑，可列舉：丙酮、甲醇、乙醇、丁醇、2-丙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙醯氧基-1-甲氧基丙烷、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、N,N-二甲基甲醯胺、甲基異丁基酮、N-甲基-吡咯啶酮、正己烷、環己烷、環己酮及作為混合物之石腦油等。
較佳為上述溶劑之多數於將上述樹脂組合物成形為膜狀時被去除。因此，上述溶劑之沸點較佳為200℃以下，更佳為180℃以下。上述樹脂組合物中之上述溶劑之含量並無特別限定。考慮上述樹脂組合物之塗佈性等，上述溶劑之含量可適當改變。
[其他成分] 為了改善耐衝擊性、耐熱性、樹脂之相容性及作業性等，可於上述樹脂材料中適當添加調平劑、阻燃劑、偶合劑、著色劑、抗氧化劑、抗紫外線劣化劑、消泡劑、增黏劑、觸變性賦予劑及除環氧化合物以外之其他熱固性樹脂等。
作為上述偶合劑，可列舉：並不具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑、鈦偶合劑及鋁偶合劑等。作為上述不具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑，可列舉：乙烯基矽烷、胺基矽烷、咪唑矽烷及環氧矽烷等。
作為上述其他熱固性樹脂，可列舉：聚苯醚樹脂、二乙烯基苄基醚樹脂、聚芳酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯并㗁 𠯤樹脂、苯并㗁唑樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂及丙烯酸酯樹脂等。
(樹脂膜) 藉由使上述之樹脂組合物成形為膜狀而獲得樹脂膜(B-階段化物/B-階段膜)。上述樹脂材料較佳為樹脂膜。樹脂膜較佳為B-階段膜。
上述樹脂材料較佳為熱固性材料。
作為使樹脂組合物成形為膜狀、獲得樹脂膜之方法，可列舉以下之方法。擠出成形法，該方法係使用擠出機，將樹脂組合物熔融混練、擠出後，藉由T型模頭或圓形模嘴等成形為膜狀。流延成形法，該方法係使包含溶劑之樹脂組合物流延並成形為膜狀。先前公知之其他膜成形法。就可與薄型化對應之方面而言，較佳為擠出成形法或流延成形法。膜包括片材。
於使樹脂組合物成形為膜狀，並不過度地進行由於熱導致之硬化之程度地，例如於50℃～150℃下進行1分鐘～10分鐘之加熱乾燥，藉此能夠獲得B-階段膜之樹脂膜。
將能夠藉由如上所述之乾燥步驟而獲得之膜狀之樹脂組合物稱為B-階段膜。上述B-階段膜處於半硬化狀態。半硬化物並未完全硬化，可進一步進行硬化。
上述樹脂膜可並非預浸體。於上述樹脂膜並非預浸體之情形時，不會發生沿著玻璃布等之遷移。又，對樹脂膜進行層壓或預硬化時，不會於表面產生源於玻璃布之凹凸。上述樹脂膜能夠以積層膜之形態使用，上述積層膜具備金屬箔或基材、及積層於該金屬箔或基材之表面的樹脂膜。上述金屬箔較佳為銅箔。
作為上述積層膜之上述基材，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯膜及聚對苯二甲酸丁二酯膜等聚酯樹脂膜、聚乙烯膜及聚丙烯膜等烯烴樹脂膜、以及聚醯亞胺樹脂膜等。上述基材之表面可視需要進行脫模處理。
就更進一步均勻地控制樹脂膜之硬化度之觀點而言，上述樹脂膜之厚度較佳為5 μm以上，較佳為200 μm以下。於將上述樹脂膜用作電路之絕緣層之情形時，藉由上述樹脂膜形成之絕緣層之厚度較佳為形成電路之導體層(金屬層)之厚度以上。上述絕緣層之厚度較佳為5 μm以上，較佳為200 μm以下。
(半導體裝置、印刷佈線板、銅箔積層板及多層印刷佈線板) 上述樹脂材料適用於在半導體裝置中形成嵌埋半導體晶片之塑模樹脂。
上述樹脂材料適用於在印刷佈線板中形成絕緣層。
上述印刷佈線板例如藉由對上述樹脂材料進行加熱加壓成形而獲得。
對於上述樹脂膜，可於單面或雙面積層金屬箔。將上述樹脂膜與金屬箔積層之方法並無特別限定，能夠使用公知之方法。例如，可使用平行平板壓製機或滾筒貼合機等裝置，一面加熱或不加熱一面加壓，將上述樹脂膜積層於金屬箔。
上述樹脂材料適用於獲得銅箔積層板。作為上述銅箔積層板之一例，可列舉具備銅箔及積層於該銅箔之一表面之樹脂膜之銅箔積層板。
上述銅箔積層板之上述銅箔之厚度並無特別限定。上述銅箔之厚度較佳為1 μm～50 μm之範圍內。又，為了提高上述樹脂材料之硬化物與銅箔之接著強度，較佳為上述銅箔於表面具有微細之凹凸。凹凸之形成方法並無特別限定。作為上述凹凸之形成方法，可列舉利用使用公知之藥液之處理的形成方法等。
上述樹脂材料適用於獲得多層基板。
作為上述多層基板之一例，可列舉具備電路基板及積層於該電路基板上之絕緣層之多層基板。該多層基板之絕緣層藉由上述樹脂材料而形成。又，多層基板之絕緣層可使用積層膜，藉由上述積層膜之上述樹脂膜而形成。較佳為上述絕緣層積層於電路基板之設置電路之表面上。較佳為上述絕緣層之一部分嵌埋於上述電路之間。
上述多層基板中，較佳為上述絕緣層之與積層上述電路基板之表面為相反側之表面進行了粗化處理。
粗化處理方法能夠使用先前公知之粗化處理方法，並無特別限定。上述絕緣層之表面可於粗化處理之前進行膨潤處理。
又，較佳為上述多層基板進而具備鍍銅層，該鍍銅層積層於上述絕緣層之經粗化處理過之表面。
又，作為上述多層基板之其他例，可列舉如下多層基板：其具備電路基板、積層於該電路基板之表面上之絕緣層、及積層於該絕緣層之與積層有上述電路基板之表面為相反側之表面的銅箔。上述絕緣層較佳為使用具備銅箔及積層於該銅箔之一表面之樹脂膜之銅箔積層板，藉由使上述樹脂膜硬化而形成。進而，上述銅箔較佳為進行了蝕刻處理，為銅電路。
作為上述多層基板之其他例，可列舉具備電路基板及積層於該電路基板之表面上之複數層絕緣層的多層基板。配置於上述電路基板上之上述複數層之絕緣層中之至少1層係使用上述樹脂材料而形成。較佳為上述多層基板進而具備積層於使用上述樹脂膜而形成之上述絕緣層之至少一表面上的電路。
於多層基板中之多層印刷佈線板中，要求低介電損耗正切，要求絕緣層帶來之高絕緣可靠性。於本發明之樹脂材料中，能夠藉由降低介電損耗正切、且抑制脫層之產生而有效地提高絕緣可靠性。因此，本發明之樹脂材料適用於在多層印刷佈線板中形成絕緣層。本發明之樹脂材料較佳為可於多層印刷佈線板中形成絕緣層之樹脂材料。本發明之樹脂材料較佳為適合於多層印刷佈線板中形成絕緣層之樹脂材料。
上述多層印刷佈線板例如具備：電路基板、配置於上述電路基板之表面上的複數層絕緣層及配置於複數層上述絕緣層之間的金屬層。上述絕緣層中之至少1層為上述樹脂材料之硬化物。
圖1係模式性地表示使用本發明之一實施形態之樹脂材料的多層印刷佈線板之剖視圖。
於圖1所示之多層印刷佈線板11中，電路基板12之上表面12a上積層有複數層絕緣層13～16。絕緣層13～16係硬化物層。於電路基板12之上表面12a之一部分區域中形成有金屬層17。於複數層絕緣層13～16中，在位於與電路基板12側相反之外側之表面的除絕緣層16以外之絕緣層13～15中，於上表面之一部分區域中形成有金屬層17。金屬層17係電路。於電路基板12與絕緣層13之間、及所積層之絕緣層13～16各層之間分別配置有金屬層17。下方之金屬層17與上方之金屬層17藉由未圖示之導孔連接及通孔連接中之至少一者互相連接。
於多層印刷佈線板11中，絕緣層13～16藉由上述樹脂材料之硬化物形成。於本實施形態中，由於絕緣層13～16之表面進行了粗化處理，故絕緣層13～16之表面形成有未圖示之微細之孔。又，金屬層17到達微細之孔之內部。又，於多層印刷佈線板11中，能夠使金屬層17之寬度方向尺寸(L)與未形成金屬層17之部分之寬度方向尺寸(S)變小。又，於多層印刷佈線板11中，對未藉由未圖示之導孔連接及通孔連接而連接的上方之金屬層與下方之金屬層之間，賦予良好之絕緣可靠性。
(粗化處理及膨潤處理) 上述樹脂材料較佳為用於獲得經粗化處理或除膠渣處理之硬化物。上述硬化物中亦包含可進一步硬化之預硬化物。
為了於藉由對上述樹脂材料進行預硬化而獲得之硬化物之表面形成微細之凹凸，較佳為對硬化物進行了粗化處理。較佳為於粗化處理之前，對硬化物進行了膨潤處理。較佳為於預硬化後、且進行粗化處理之前，對硬化物進行膨潤處理，進而於粗化處理之後進行硬化。其中，硬化物可以不必進行膨潤處理。
作為上述膨潤處理之方法，例如使用藉由以乙二醇等為主要成分之化合物的水溶液或有機溶劑分散溶液等對硬化物進行處理之方法。膨潤處理所使用之膨潤液一般包含鹼作為pH調整劑等。較佳為膨潤液包含氫氧化鈉。具體而言，例如，上述膨潤處理係藉由使用40重量%乙二醇水溶液等，於處理溫度為30℃～85℃下對硬化物進行1分鐘～30分鐘之處理而進行。上述膨潤處理之溫度較佳為50℃～85℃之範圍內。若上述膨潤處理之溫度過低，則膨潤處理需要較長時間，進而存在硬化物與金屬層之接著強度變低之傾向。
於上述粗化處理中使用例如錳化合物、鉻化合物或過硫酸化合物等化學氧化劑等。該等化學氧化劑於添加水或有機溶劑之後，作為水溶液或有機溶劑分散溶液而使用。粗化處理所使用之粗化液一般包含鹼作為pH調整劑等。較佳為粗化液包含氫氧化鈉。
作為上述錳化合物，可列舉過錳酸鉀及過錳酸鈉等。作為上述鉻化合物，可列舉重鉻酸鉀及無水鉻酸鉀等。作為上述過硫酸化合物，可列舉過硫酸鈉、過硫酸鉀及過硫酸銨等。
硬化物之表面的算術平均粗糙度Ra較佳為10 nm以上，較佳為未達300 nm，更佳為未達200 nm，進而較佳為未達150 nm。於此情形時，硬化物與金屬層之接著強度變高，進而於絕緣層之表面形成更進一步微細之佈線。進而，能夠抑制導體損耗，能夠控制使信號損耗較低。上述算術平均粗糙度Ra依據JIS B0601：1994而測定。
(雷射燒孔開口及除膠渣處理) 存在於藉由使上述樹脂材料預硬化而獲得之硬化物上形成貫通孔之情況。於上述多層基板等中，形成孔或通孔等作為貫通孔。例如，孔能夠藉由CO2 雷射等雷射之照射而形成。孔之直徑並無特別限定，為60 μm～80 μm左右。藉由形成上述貫通孔，於孔內之底部形成源於硬化物所包含之樹脂成分的樹脂之殘渣即膠渣之情況較多。
較佳為為了去除上述膠渣而對硬化物之表面進行除膠渣處理。除膠渣處理亦兼作粗化處理。
於上述除膠渣處理中，與上述粗化處理同樣地使用例如錳化合物、鉻化合物或過硫酸化合物等化學氧化劑等。該等化學氧化劑於添加水或有機溶劑之後作為水溶液或有機溶劑分散溶液而使用。除膠渣處理所使用之除膠渣處理液一般包含鹼。較佳為除膠渣處理液包含氫氧化鈉。
藉由使用上述樹脂材料，經除膠渣處理過之硬化物之表面的表面粗糙度充分地變小。
以下，藉由列舉實施例及比較例而對本發明進行具體說明。本發明並不限定於以下之實施例。
(環氧化合物) 雙酚A型環氧化合物(DIC公司製造之「850-S」、環氧當量187) 聯苯酚醛清漆型環氧化合物(日本化藥公司製造之「NC-3000」、環氧當量275)
(無機填充材料) 含氧化矽之漿料1(氧化矽75重量%：Admatechs公司製造之「SC4050-HOA」、比表面積4.5 m2 /g、平均粒徑1.0 μm、苯基胺基矽烷處理、環己酮25重量%) 含氧化矽之漿料2(氧化矽60重量%：Admatechs公司製造之「SC1050-HLA」、比表面積17 m2 /g、平均粒徑0.25 μm、苯基胺基矽烷處理、環己酮40重量%) 含氧化矽之漿料3(氧化矽50重量%：Admatechs公司製造之「YA100C」、比表面積30 m2 /g、平均粒徑0.10 μm、苯基胺基矽烷處理、環己酮50重量%) 含氧化矽之漿料4(氧化矽50重量%、Admatechs公司製造之「YA050C」、比表面積65 m2 /g、平均粒徑0.05 μm、苯基胺基矽烷處理、環己酮50重量%)
(硬化劑) 活性酯樹脂含有液(DIC公司製造之「EXB9416-70BK」、固形物成分70重量%)
(矽烷偶合劑) 具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑(具有二胺基三𠯤骨架之矽烷偶合劑、四國化成工業公司製造之「VD-5」) 並不具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)
(硬化促進劑) 二甲基胺基吡啶(和光純藥工業公司製造之「DMAP」)
(熱可塑性樹脂) 苯氧樹脂含有液(三菱化學公司製造之「YX6954BH30」、固形物成分30重量%)
(其他) 具有三𠯤骨架之酚系酚醛清漆樹脂(DIC公司製造之「LA-1356」)
(實施例1～7及比較例1～3) 以下述之表1、2所示之調配量(單位為固形物成分重量份)調配下述之表1、2所示之成分，於常溫下攪拌直至成為均勻之溶液，獲得樹脂材料。
樹脂膜之製作： 使用敷料器，於經脫模處理過之PET膜(東麗公司製造之「XG284」、厚度25 μm)之脫模處理面上塗佈所獲得之樹脂材料之後，於100℃之熱老化試驗箱內乾燥3分鐘，使溶劑揮發。如此地進行而獲得於PET膜上厚度為40 μm之樹脂膜(PET膜與樹脂膜之積層膜)。
積層步驟(積層樣品A之製作)： 準備銅箔積層基板(厚度150 μm之玻璃環氧基板與厚度35 μm之銅箔之積層體)。將銅箔積層基板之雙面浸漬於銅表面粗化劑(MEC公司製造之「MEC Etch Bond CZ-8100」)，對銅表面進行粗化處理。
將所獲得之片狀之樹脂膜重疊於銅箔積層基板之粗化處理過之銅表面上，使用真空加壓式貼合機(名機製作所公司製造之「MVLP-500」)，於層壓壓力0.4 MPa及層壓溫度100℃下進行40秒之層壓，進而於加壓壓力1.0 MPa及加壓溫度100℃下加壓40秒。如此地進行而製作於銅箔積層基板上積層有樹脂膜之積層體。於所獲得之積層體中，剝下PET膜後，於180℃下加熱30分鐘，使樹脂材料(樹脂膜)之未硬化物硬化而形成絕緣層。其後，將積層體切為5 cm×5 cm之小片。如此地進行而製作於銅箔積層基板上積層樹脂材料(樹脂膜)之硬化物之積層樣品A。
其次，針對獲得之積層樣品A進行以下之佈線形成處理。
膨潤步驟： 於60℃之膨潤液(包含Atotech Japan公司製造之「Swelling Dip Securigant P」與和光純藥工業公司製造之「氫氧化鈉」之水溶液)中加入上述積層樣品A，將其於膨潤溫度60℃下擺動20分鐘。其後，利用純水進行洗淨，獲得經膨潤處理過之積層樣品A。
粗化處理(過錳酸鹽處理)： 於80℃之過錳酸鈉粗化水溶液(Atotech Japan公司製造之「Concentrate Compact CP」、和光純藥工業公司製造之「氫氧化鈉」)中加入經膨潤處理過之積層樣品A，將其於粗化溫度80℃下擺動20分鐘。其後，藉由40℃之洗淨液(Atotech Japan公司製造之「Reduction Securigant P」、和光純藥工業公司製造之「硫酸」)進行10分鐘洗淨之後，利用純水進一步進行洗淨。如此地進行而於藉由蝕刻形成內層電路之玻璃環氧基板上形成經粗化處理過之硬化物。
無電解鍍覆步驟： 利用60℃之鹼清潔液(Atotech Japan公司製造之「Cleaner Securigant 902」)對上述經粗化處理過之硬化物之表面進行5分鐘之處理，進行除脂洗淨。於洗淨後，利用25℃之預浸液(Atotech Japan公司製造之「Pre-dip Neogant B」)對上述硬化物進行2分鐘之處理。其後，利用40℃之活性液(Atotech Japan公司製造之「Activator Neogant 834」)對上述硬化物進行5分鐘之處理，加入鈀觸媒。其次，藉由30℃之還原液(Atotech Japan公司製造之「Reducer Neogant WA」)對硬化物進行5分鐘之處理。
其次，將上述硬化物放入至化學銅液(均為Atotech Japan公司製造之「Basic Printganth MSK-DK」、「Copper Printganth MSK」、「Stabilizer Printganth MSK」、「Reducer Cu」)，實施無電解鍍覆直至鍍覆厚度成為0.5 μm左右。於無電解鍍覆後，為了去除殘留之氫氣而於120℃之溫度下進行30分鐘退火處理。直至無電解鍍覆之步驟為止之全部步驟都係藉由燒杯刻度計將處理液設為2 L，一面擺動硬化物一面實施。
電解銅鍍覆步驟： 形成無電解鍍覆之後，實施電解銅鍍覆直至鍍覆厚度成為25 μm，形成電解銅鍍覆層。作為電解銅鍍覆，使用硫酸銅水溶液(和光純藥工業公司製造之「硫酸銅五水合物」、和光純藥工業公司製造之「硫酸」、Atotech Japan公司製造之「Basic leveler Kaparacid HL」、Atotech Japan公司製造之「修正劑Kaparacid GS」)，流過0.6 A/cm2 之電流。藉此獲得快速蝕刻後之積層結構體。
正式硬化步驟： 將快速蝕刻後之積層結構體於180℃之熱老化試驗箱中加熱60分鐘，使其正式硬化，藉此製作評價用樣品。
(評價) (1)脫層(起泡之抑制性) 使用所獲得之評價用樣品，依據JEDEC之LEVEL3而進行吸濕試驗(溫度60℃及濕度60RH%下進行40小時)。其後，進行氮氣回焊處理(峰頂溫度260℃)。再者，反覆30次回焊處理。藉由目視確認回焊後是否產生起泡。
[脫層(起泡之抑制性)之判定標準] ○○：30次回焊處理中未產生起泡 ○：21～29次回焊處理中產生起泡 ×：20次以下之回焊處理中產生起泡
(2)介電損耗正切 將所獲得之樹脂膜裁切為寬2 mm、長80 mm之大小，將5片加以重疊而獲得厚度200 μm之積層體。針對所獲得之積層體，使用關東電子應用開發公司製造之「空腔共振擾動法介電常數測定裝置CP521」及Eysight Technologie公司製造之「Network Analyzer N5224A PNA」，藉由空腔共振法於常溫(23℃)下、頻率1.0 GHz下測定介電損耗正切。
[介電損耗正切之判定標準] ○○：介電損耗正切為0.0050以下 ○：介電損耗正切超過0.0050但為0.0055以下 ×：介電損耗正切超過0.0055
將組成及結果示於下述之表1、2中。
[表1]
Figure 108120263-A0304-0001
[表2]
Figure 108120263-A0304-0002
11‧‧‧多層印刷佈線板 12‧‧‧電路基板 12a‧‧‧上表面 13～16‧‧‧絕緣層 17‧‧‧金屬層
圖1係模式性地表示使用本發明之一實施形態之樹脂材料之多層印刷佈線板的剖視圖。

Claims (9)

  1. 一種樹脂材料，其包含：環氧化合物、無機填充材料、硬化劑及具有三𠯤骨架之矽烷偶合劑， 上述無機填充材料之比表面積為1 m2 /g以上50 m2 /g以下。
  2. 如請求項1之樹脂材料，其中上述矽烷偶合劑為具有二胺基三𠯤骨架之矽烷偶合劑。
  3. 如請求項1或2之樹脂材料，其中上述硬化劑包含：活性酯化合物、氰酸酯化合物、苯并㗁𠯤化合物、碳二醯亞胺化合物或馬來醯亞胺化合物。
  4. 如請求項1或2之樹脂材料，其中樹脂材料中之除上述無機填充材料及溶劑以外之成分100重量%中，上述矽烷偶合劑之含量為0.1重量%以上3重量%以下。
  5. 如請求項1或2之樹脂材料，其中樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述無機填充材料之含量為30重量%以上。
  6. 如請求項1或2之樹脂材料，其為熱固性材料。
  7. 如請求項1或2之樹脂材料，其為樹脂膜。
  8. 如請求項1或2之樹脂材料，其用於在多層印刷佈線板中形成絕緣層。
  9. 一種多層印刷佈線板，其具備： 電路基板、 配置於上述電路基板之表面上之複數層絕緣層、及 配置於複數層上述絕緣層之間的金屬層， 複數層上述絕緣層中之至少1層為如請求項1至8中任一項之樹脂材料之硬化物。
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