TWI835723B - 樹脂材料、積層膜及多層印刷佈線板 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種樹脂材料，其能夠抑制泡狀體之產生，進而保存穩定性優異，故而保存後亦能夠使對孔或凹凸表面之埋入性良好。 本發明之樹脂材料包含環氧化合物、硬化劑及二氧化矽，且上述硬化劑包含氰酸酯化合物及碳化二亞胺化合物。

Description

樹脂材料、積層膜及多層印刷佈線板

本發明係關於一種包含環氧化合物、硬化劑及無機填充材之樹脂材料。又，本發明係關於一種使用上述樹脂材料之積層膜及多層印刷佈線板。

先前，為了獲得積層板及印刷佈線板等電子零件，使用各種樹脂組合物。例如，於多層印刷佈線板中，為了形成用於使內部之層間絕緣之絕緣層，或形成位於表層部分之絕緣層，而使用樹脂組合物。於上述絕緣層之表面，一般積層金屬之佈線。又，存在為了形成絕緣層而使用使上述樹脂組合物膜化而成之B階段膜之情況。上述樹脂組合物及上述B階段膜係用作包含增層膜之印刷佈線板用之絕緣材料。 上述樹脂組合物之一例揭示於下述專利文獻1。專利文獻1所記載之樹脂組合物包含(A)環氧樹脂、(B)氰酸酯樹脂、(C)咪唑化合物與環氧樹脂之加成物、及(D)金屬系硬化觸媒。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2013-151700號公報

[發明所欲解決之問題] 如專利文獻1所記載之先前之樹脂組合物或該樹脂組合物B階段化而成之B階段膜存在保存穩定性較低之情況。例如，存在使用保管了一定時間之樹脂組合物或B階段膜於佈線上形成絕緣層以獲得多層印刷佈線板之情況。於該情形時，存在樹脂組合物或B階段膜未充分埋入至佈線之凹凸表面之情況。結果，存在產生孔隙之情況。 進而，於使用先前之樹脂組合物或B階段膜之情形時，存在由於吸濕而產生泡狀體之情況。 本發明之目的在於提供一種樹脂材料，其能夠抑制泡狀體之產生，進而保存穩定性優異，故而保存後亦能夠使對孔或凹凸表面之埋入性良好。又，本發明提供一種使用上述樹脂材料之積層膜及多層印刷佈線板。 [解決問題之技術手段] 根據本發明之廣泛態樣，提供一種樹脂材料，其包含環氧化合物、硬化劑及二氧化矽，且上述硬化劑包含氰酸酯化合物及碳化二亞胺化合物。 於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述樹脂材料中除溶劑以外之成分100重量%中，上述二氧化矽之含量為50重量%以上。 於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述氰酸酯化合物之含量相對於上述碳化二亞胺化合物之含量之比以重量比計為0.2以上且4.0以下。 於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述環氧化合物之含量相對於上述硬化劑之含量之比以重量比計為1.0以上且3.0以下。 於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述碳化二亞胺化合物具有脂環式骨架。 於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述樹脂材料係樹脂膜。 於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述樹脂材料係用於在多層印刷佈線板形成絕緣層之多層印刷佈線板用樹脂材料。 於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述樹脂材料用於獲得供進行粗化處理之硬化物。 根據本發明之廣泛態樣，提供一種積層膜，其具備基材、及積層於上述基材之表面上之樹脂膜，且上述樹脂膜為上述樹脂材料。 根據本發明之廣泛態樣，提供一種多層印刷佈線板，其具備電路基板、配置於上述電路基板上之複數層絕緣層、及配置於複數層上述絕緣層間之金屬層，且複數層上述絕緣層內之至少1層為上述樹脂材料之硬化物。 [發明之效果] 本發明之樹脂材料包含環氧化合物、硬化劑及二氧化矽，上述硬化劑包含氰酸酯化合物及碳化二亞胺化合物，故而能夠抑制泡狀體之產生，進而保存穩定性優異，因此保存後亦能夠使對孔或凹凸表面之埋入性良好。

以下，詳細地說明本發明。 本發明之樹脂材料包含環氧化合物、硬化劑及二氧化矽。於本發明之樹脂材料中，上述硬化劑包含氰酸酯化合物及碳化二亞胺化合物。 於本發明中，由於具備上述構成，故而能夠抑制泡狀體之產生。例如，即便樹脂膜(樹脂材料)或樹脂材料之硬化物吸濕，亦難以產生水泡。 進而，於本發明中，由於具備上述構成，故而可提高保存穩定性。本發明之樹脂材料即便保管一定時間後，亦能夠使樹脂材料良好地埋入至孔或凹凸表面。例如，於多層印刷佈線板中，於佈線上形成絕緣層。由於在形成絕緣層之表面有佈線，故而存在凹凸。藉由使用本發明之樹脂材料，能夠於佈線上良好地埋入絕緣層，能夠抑制孔隙之產生。 進而，於本發明中，由於具備上述構成，故而亦能夠提高硬化物(絕緣層等)與金屬層之密接性。例如，能夠提高金屬層對硬化物之剝離強度。 進而，於本發明中，由於具備上述構成，故而於保管一定時間後使樹脂組合物膜化時，能夠提高膜之均勻性，又，使樹脂材料硬化時，亦能夠提高硬化物之均勻性。 本發明之樹脂材料可為樹脂組合物，亦可為樹脂膜。上述樹脂組合物具有流動性。上述樹脂組合物可為糊狀。上述糊狀包括液狀。就操作性優異而言，本發明之樹脂材料較佳為樹脂膜。又，於本發明中，即便樹脂材料為樹脂膜，亦能夠使樹脂膜良好地埋入至孔或凹凸表面。 本發明之樹脂材料由於上述性質優異，故而適用於在多層印刷佈線板形成絕緣層。本發明之樹脂材料由於上述性質優異，故而較佳為多層印刷佈線板用樹脂材料，更佳為用於多層印刷佈線板之層間絕緣用樹脂材料。 於上述多層印刷佈線板中，藉由上述樹脂材料而形成之絕緣層之厚度(每1層之厚度)較佳為形成電路之導體層(金屬層)之厚度以上。上述絕緣層之厚度(每1層之厚度)較佳為5 μm以上，較佳為200 μm以下。 本發明之樹脂材料適用於獲得供進行粗化處理之硬化物。 以下，說明用於本發明之樹脂材料之各成分之詳情、及本發明之樹脂材料之用途等。 [環氧化合物] 上述樹脂材料所包含之環氧化合物未特別限定。作為該環氧化合物，可使用先前公知之環氧化合物。該環氧化合物係指至少具有1個環氧基之有機化合物。上述環氧化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為上述環氧化合物，可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚芳烷基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、具有金剛烷骨架之環氧樹脂、具有三環癸烷骨架之環氧樹脂、及於骨架具有三𠯤核之環氧樹脂等。 就更加有效地發揮提高保存穩定性、抑制泡狀體之產生、及提高硬化物與金屬層之密接性之效果之觀點而言，上述環氧化合物較佳為具有芳香族骨架，較佳為具有聯苯骨架，較佳為聯苯型環氧化合物。又，藉由使上述環氧化合物具有聯苯骨架，硬化物與金屬層之接著強度更加提高。 上述環氧化合物之分子量更佳為1000以下。於該情形時，即便樹脂材料中除溶劑以外之成分100重量%中之二氧化矽之含量為30重量%以上，進而即便二氧化矽之含量為60重量%以上，亦能夠獲得流動性較高之樹脂組合物。因此，於樹脂材料配置於基板上之情形時，可使二氧化矽均勻存在。 關於環氧化合物之分子量、及後述之硬化劑之分子量，於環氧化合物或硬化劑不為聚合物之情形、及能夠特定環氧化合物或硬化劑之結構式之情形時，係指可由該結構式計算出之分子量。又，於環氧化合物或硬化劑為聚合物之情形時，係指重量平均分子量。 上述環氧化合物及後述之硬化劑(氰酸酯化合物及碳化二亞胺化合物)之重量平均分子量表示藉由凝膠滲透層析法(GPC)而測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量。 [硬化劑] 上述樹脂材料包含氰酸酯化合物及碳化二亞胺化合物作為硬化劑。 作為用於使環氧化合物硬化之硬化劑，存在各種硬化劑。作為用於使環氧化合物硬化之硬化劑，可列舉：氰酸酯化合物(氰酸酯硬化劑)、酚化合物(酚硬化劑)、胺化合物(胺硬化劑)、硫醇化合物(硫醇硬化劑)、咪唑化合物、膦化合物、酸酐、活性酯化合物、雙氰胺及碳化二亞胺化合物(碳化二亞胺硬化劑)等。於本發明中，作為硬化劑，至少使用氰酸酯化合物及碳化二亞胺化合物這2種。 作為上述氰酸酯化合物，可列舉：酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚型氰酸酯樹脂、以及該等一部分經三聚化而成之預聚物等。作為上述酚醛清漆型氰酸酯樹脂，可列舉：苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂及烷基苯酚型氰酸酯樹脂等。作為上述雙酚型氰酸酯樹脂，可列舉：雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂及四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等。上述氰酸酯化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為上述氰酸酯化合物之市售品，可列舉：苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製造之「PT-30」及「PT-60」)、及雙酚型氰酸酯樹脂經三聚化而成之預聚物(Lonza Japan公司製造之「BA-230S」、「BA-3000S」、「BTP-1000S」及「BTP-6020S」)等。 就更加有效地發揮提高保存穩定性、抑制泡狀體之產生、及提高硬化物與金屬層之密接性之效果之觀點而言，上述氰酸酯化合物之分子量較佳為200以上，更佳為300以上，較佳為4000以下，更佳為2000以下。 上述碳化二亞胺化合物具有下述式(1)所表示之結構單元。於下述式(1)中，右端部及左端部係與其他基之鍵結部位。上述碳化二亞胺化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。 [化1]上述式(1)中，X表示伸烷基、於伸烷基鍵結取代基而成之基、伸環烷基、於伸環烷基鍵結取代基而成之基、伸芳基、或於伸芳基鍵結取代基而成之基，p表示1～5之整數。於存在複數個X之情形時，複數個X可相同，亦可不同。 於X為伸烷基或於伸烷基鍵結取代基而成之基之情形時，該伸烷基之碳原子數較佳為1以上，較佳為20以下，更佳為10以下，進而較佳為6以下，特佳為4以下，最佳為3以下。作為該伸烷基之較佳之例，可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、及伸丁基。 於X為伸環烷基或於伸環烷基鍵結取代基而成之基之情形時，該伸環烷基之碳原子數較佳為3以上，較佳為20以下，更佳為12以下，進而較佳為6以下。作為該伸環烷基之較佳之例，可列舉：伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、及伸環己基。 於X為伸芳基或於伸芳基鍵結取代基而成之基之情形時，該伸芳基係自芳香族烴去除2個芳香環上之氫原子而成之基。該伸芳基之碳原子數較佳為6以上，較佳為24以下，更佳為18以下，進而較佳為14以下，特佳為10以下。作為該伸芳基之較佳之例，可列舉：伸苯基、伸萘基、及伸蒽基。 存在X為於伸烷基鍵結取代基而成之基、於伸環烷基鍵結取代基而成之基或於伸芳基鍵結取代基而成之基之情況。於該情形時，作為該取代基，未特別限定，例如可列舉：鹵素原子、烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、芳基、芳氧基、醯基及醯氧基。作為用作取代基之鹵素原子，例如可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。作為取代基之烷基及烷氧基可為直鏈狀、支鏈狀之任一者。作為取代基之烷基及烷氧基之碳原子數較佳為1以上，較佳為20以下，更佳為10以下，進而較佳為6以下，特佳為4以下，最佳為3以下。作為取代基之環烷基及環烷氧基之碳原子數較佳為3以上，較佳為20以下，更佳為12以下，進而較佳為6以下。作為取代基之芳基係自芳香族烴去除1個芳香環上之氫原子而成之基。作為取代基之芳基之碳原子數較佳為6以上，較佳為24以下，更佳為18以下，進而較佳為14以下，特佳為10以下。作為取代基之芳氧基之碳原子數較佳為6以上，較佳為24以下，更佳為18以下，進而較佳為14以下，特佳為10以下。作為取代基之醯基係式：-C(=O)-R1所表示之基，該式中，R1表示烷基或芳基。R1所表示之烷基可為直鏈狀、支鏈狀之任一者。R1所表示之烷基之碳原子數較佳為1以上，較佳為20以下，更佳為10以下，進而較佳為6以下，特佳為4以下，最佳為3以下。R1所表示之芳基之碳原子數較佳為6以上，較佳為24以下，更佳為18以下，進而較佳為14以下，特佳為10以下。作為取代基之醯氧基係式：-O-C(=O)-R1所表示之基，該式中，R1表示與醯基之R1相同之含義。作為取代基，較佳為烷基、烷氧基、或醯氧基，更佳為烷基。 於較佳之一個形態中，至少1個X為伸烷基、於伸烷基鍵結取代基而成之基、伸環烷基、或於伸環烷基鍵結取代基而成之基。 於較佳之一個形態中，於將碳化二亞胺化合物之分子整體之重量設為100重量%時，碳化二亞胺化合物較佳為以50重量%以上、更佳為60重量%以上、進而較佳為70重量%以上、特佳為80重量%以上、最佳為90重量%以上具有式(1)所表示之結構單元。即，碳化二亞胺化合物較佳為以滿足上述含量之下限之方式包含式(1)所表示之結構單元。碳化二亞胺化合物亦可除末端結構以外之結構實質上為式(1)所表示之結構單元。作為碳化二亞胺化合物之末端結構，未特別限定，例如可列舉：烷基、於烷基鍵結取代基而成之基、環烷基、於環烷基鍵結取代基而成之基、芳基、及於芳基鍵結取代基而成之基。將作為末端結構之於烷基鍵結取代基而成之基、於環烷基鍵結取代基而成之基、及於芳基鍵結取代基而成之基中之取代基設為取代基A。作為該取代基A，可列舉：作為上述式(1)中之X為於伸烷基鍵結取代基而成之基、於伸環烷基鍵結取代基而成之基或於伸芳基鍵結取代基而成之基中之取代基而列舉之取代基。又，取代基A可與上述式(1)中之X為於伸烷基鍵結取代基而成之基、於伸環烷基鍵結取代基而成之基或於伸芳基鍵結取代基而成之基中之取代基相同，亦可不同。 再者，碳化二亞胺化合物有因其製造方法而具有異氰酸基(-N=C=O)之情況。就更加提高樹脂材料之保存穩定性之觀點、及實現顯示更加良好之特性之絕緣層之觀點而言，碳化二亞胺化合物中之異氰酸基之含量(亦稱為「NCO含量」)較佳為5重量%以下，更佳為4重量%以下，進一步較佳為3重量%以下，進而較佳為2重量%以下，特佳為1重量%以下，最佳為0.5重量%以下。碳化二亞胺化合物中之異氰酸基之含量亦可為0重量%(未含有)。 就更加有效地發揮提高保存穩定性、抑制泡狀體之產生、及提高硬化物與金屬層之密接性之效果之觀點而言，上述碳化二亞胺化合物較佳為具有脂環式骨架。特別是藉由使上述碳化二亞胺化合物具有脂環式骨架，保存穩定性更加提高。進而，藉由使上述碳化二亞胺化合物不具有芳香族骨架且具有脂環式骨架，保存穩定性變得非常高。 作為上述碳化二亞胺化合物之市售品，可列舉：Nisshinbo Chemical公司製造之Carbodilite(註冊商標)V-02B、V-03、V-04K、V-07、V-09、10M-SP、及10M-SP(改)、以及Rhein Chemie公司製造之Stabaxol(註冊商標)P、P400、及Hycasyl 510。 就更加有效地發揮提高保存穩定性、抑制泡狀體之產生、及提高硬化物與金屬層之密接性之效果之觀點而言，上述碳化二亞胺化合物之分子量較佳為500以上，更佳為1000以上，較佳為5000以下，更佳為3000以下。 將上述氰酸酯化合物之含量相對於上述碳化二亞胺化合物之含量之比記載為比(氰酸酯化合物之含量/碳化二亞胺化合物之含量)。就更加有效地發揮提高保存穩定性、抑制泡狀體之產生、及提高硬化物與金屬層之密接性之效果之觀點而言，上述比(氰酸酯化合物之含量/碳化二亞胺化合物之含量)以重量比計較佳為0.2以上，更佳為0.3以上，較佳為4.0以下，更佳為3.8以下。 將上述環氧化合物之含量相對於上述硬化劑之含量之比記載為比(環氧化合物之含量/硬化劑之含量)。就更加有效地發揮提高保存穩定性、抑制泡狀體之產生、及提高硬化物與金屬層之密接性之效果之觀點而言，上述比(環氧化合物之含量/硬化劑之含量)以重量比計較佳為1.0以上，更佳為1.2以上，較佳為3.0以下，更佳為2.8以下。上述硬化劑之含量係氰酸酯化合物之含量、碳化二亞胺化合物之含量、及調配其他硬化劑之情形時之其他硬化劑之合計含量。 上述樹脂材料中除上述二氧化矽及溶劑以外之成分100重量%中，上述環氧化合物與上述硬化劑之合計含量較佳為65重量%以上，更佳為70重量%以上，較佳為99重量%以下，更佳為97重量%以下。若上述環氧化合物與上述硬化劑之合計含量為上述下限以上及上述上限以下，則可獲得更加良好之硬化物，可更加抑制絕緣層之由熱所導致之尺寸變化。上述環氧化合物與上述硬化劑之含量比以環氧化合物進行硬化之方式適當地選擇。 [熱塑性樹脂] 上述樹脂材料亦可包含熱塑性樹脂。 作為上述熱塑性樹脂，可列舉：聚醯亞胺樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂及苯氧樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。 就不論硬化環境如何均有效地降低介電正切，且有效地提高金屬佈線之密接性之觀點而言，上述熱塑性樹脂較佳為苯氧樹脂。藉由使用苯氧樹脂，能夠抑制樹脂材料對電路基板之孔或凹凸之埋入性之變差及二氧化矽之不均勻化。又，藉由使用苯氧樹脂，能夠調整熔融黏度，故而二氧化矽之分散性變良好，且於硬化過程，樹脂材料難以濕潤擴散至未意圖之區域。上述苯氧樹脂未特別限定。作為上述苯氧樹脂，可使用先前公知之苯氧樹脂。上述苯氧樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為上述苯氧樹脂，例如可列舉：具有雙酚A型之骨架、雙酚F型之骨架、雙酚S型之骨架、聯苯骨架、酚醛清漆骨架、萘骨架及醯亞胺骨架等骨架之苯氧樹脂等。 作為上述苯氧樹脂之市售品，例如可列舉：新日鐵住金化學公司製造之「YP50」、「YP55」及「YP70」、以及三菱化學公司製造之「1256B40」、「4250」、「4256H40」、「4275」、「YX6954BH30」及「YX8100BH30」等。 就更加提高保存穩定性之觀點而言，上述熱塑性樹脂之重量平均分子量較佳為5000以上，更佳為10000以上，較佳為100000以下，更佳為50000以下。 上述熱塑性樹脂之上述重量平均分子量表示藉由凝膠滲透層析法(GPC)而測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量。 上述熱塑性樹脂之含量未特別限定。上述樹脂材料中除上述二氧化矽及溶劑以外之成分100重量%中，上述熱塑性樹脂之含量(於熱塑性樹脂為苯氧樹脂之情形時為苯氧樹脂之含量)較佳為2重量%以上，更佳為4重量%以上，較佳為15重量%以下，更佳為10重量%以下。若上述熱塑性樹脂之含量為上述下限以上及上述上限以下，則樹脂材料對電路基板之孔或凹凸之埋入性變良好。若上述熱塑性樹脂之含量為上述下限以上，則樹脂組合物之膜化更加容易，可獲得更加良好之絕緣層。若上述熱塑性樹脂之含量為上述上限以下，則硬化物之熱膨脹率更加降低。又，絕緣層之表面之表面粗糙度更加減小，絕緣層與金屬層之接著強度更加提高。 [二氧化矽] 上述樹脂材料包含二氧化矽作為無機填充材。藉由使用二氧化矽，硬化物之由熱所導致之尺寸變化更加減小。又，硬化物之介電正切更加減小。進而，與其他無機填充材相比，亦能夠更加提高硬化物與金屬層之接著強度。 就減小絕緣層之表面之表面粗糙度，更加提高絕緣層與金屬層之接著強度，且於硬化物之表面形成更加微細之佈線，且對硬化物賦予更加良好之絕緣可靠性之觀點而言，上述二氧化矽進而較佳為熔融二氧化矽。二氧化矽之形狀較佳為球狀。 上述二氧化矽之平均粒徑較佳為10 nm以上，更佳為50 nm以上，進而較佳為150 nm以上，較佳為20 μm以下，更佳為10 μm以下，進而較佳為5 μm以下，特佳為1 μm以下。若上述二氧化矽之平均粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則藉由粗化處理等形成之孔之大小變微細，孔之數量變多。結果，硬化物與金屬層之接著強度更加提高。 作為上述二氧化矽之平均粒徑，採用成為50%之中值徑(d50)之值。上述平均粒徑可使用雷射繞射散射方式之粒度分佈測定裝置而測定。 上述二氧化矽較佳為球狀，更佳為球狀二氧化矽。於該情形時，硬化物之表面之表面粗糙度有效減小，進而硬化物與金屬層之接著強度有效提高。於上述二氧化矽為球狀之情形時，上述二氧化矽之縱橫比較佳為2以下，更佳為1.5以下。 上述二氧化矽較佳為經表面處理，更佳為利用偶合劑所得之表面處理物，進而較佳為利用矽烷偶合劑所得之表面處理物。藉此，硬化物之表面之表面粗糙度更加減小，硬化物與金屬層之接著強度更加提高，且能夠於硬化物之表面形成更加微細之佈線，且能夠對硬化物賦予更加良好之佈線間絕緣可靠性及層間絕緣可靠性。 作為上述偶合劑，可列舉：矽烷偶合劑、鈦偶合劑及鋁偶合劑等。作為上述矽烷偶合劑，可列舉：甲基丙烯醯基矽烷、丙烯醯基矽烷、胺基矽烷、咪唑矽烷、乙烯基矽烷及環氧矽烷等。 上述樹脂材料中除溶劑以外之成分100重量%中，上述二氧化矽之含量較佳為30重量%以上，更佳為40重量%以上，進而較佳為50重量%以上，特佳為60重量%以上，較佳為90重量%以下，更佳為85重量%以下，進而較佳為80重量%以下，特佳為75重量%以下。若上述二氧化矽之含量為上述下限以上，則硬化物之由熱所導致之尺寸變化更加減小。又，若上述二氧化矽之含量為上述下限以上及上述上限以下，則硬化物與金屬層之接著強度更加提高，且於硬化物之表面形成更加微細之佈線。 [硬化促進劑] 上述樹脂材料較佳為包含硬化促進劑。藉由使用上述硬化促進劑，硬化速度更加提高。藉由使樹脂材料快速硬化，未反應之官能基數量減少，結果交聯密度提高。上述硬化促進劑未特別限定，可使用先前公知之硬化促進劑。上述硬化促進劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為上述硬化促進劑，例如可列舉：咪唑化合物、磷化合物、胺化合物及有機金屬化合物等。 作為上述咪唑化合物，可列舉：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸鹽、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-s-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三𠯤異氰尿酸加成物、2-苯基咪唑異氰尿酸加成物、2-甲基咪唑異氰尿酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-二羥基甲基咪唑等。 作為上述磷化合物，可列舉：三苯膦等。 作為上述胺化合物，可列舉：二乙胺、三乙胺、二伸乙基四胺、三伸乙基四胺及4,4-二甲基胺基吡啶等。 作為上述有機金屬化合物，可列舉：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮鈷(II)及三乙醯丙酮鈷(III)等。 上述硬化促進劑之含量未特別限定。上述樹脂材料中除上述二氧化矽及溶劑以外之成分100重量%中，上述硬化促進劑之含量較佳為0.01重量%以上，更佳為0.9重量%以上，較佳為5.0重量%以下，更佳為3.0重量%以下。若上述硬化促進劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則樹脂材料有效率地硬化。若上述硬化促進劑之含量為更佳之範圍，則樹脂材料之保存穩定性更加提高，且可獲得更加良好之硬化物。 [溶劑] 上述樹脂材料不含或包含溶劑。藉由使用上述溶劑，能夠將樹脂材料之黏度控制於較佳之範圍，於樹脂材料為樹脂組合物之情形時能夠提高樹脂組合物之塗佈性。又，上述溶劑可用於獲得包含上述二氧化矽之漿料。上述溶劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為上述溶劑，可列舉：丙酮、甲醇、乙醇、丁醇、2-丙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙醯氧基-1-甲氧基丙烷、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、N,N-二甲基甲醯胺、甲基異丁基酮、N-甲基-吡咯啶酮、正己烷、環己烷、環己酮及作為混合物之石腦油等。 於樹脂材料為樹脂組合物之情形時，上述溶劑之大部分較佳為於將上述樹脂組合物成形為膜狀時被去除。因此，上述溶劑之沸點較佳為200℃以下，更佳為180℃以下。上述樹脂材料中之上述溶劑之含量未特別限定。於樹脂材料為樹脂組合物之情形時，能夠考慮上述樹脂材料之塗佈性等而適當變更上述溶劑之含量。 [其他成分] 亦可以改善耐衝擊性、耐熱性、樹脂之相溶性及作業性等為目的而於上述樹脂材料中添加調平劑、阻燃劑、偶合劑、著色劑、抗氧化劑、抗紫外線劣化劑、消泡劑、增黏劑、觸變性賦予劑及除環氧化合物以外之其他熱硬化性樹脂等。 作為上述偶合劑，可列舉：矽烷偶合劑、鈦偶合劑及鋁偶合劑等。作為上述矽烷偶合劑，可列舉：乙烯基矽烷、胺基矽烷、咪唑矽烷及環氧矽烷等。 作為上述其他熱硬化性樹脂，可列舉：聚苯醚樹脂、二乙烯基苄基醚樹脂、聚芳酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚醯亞胺、苯并㗁𠯤樹脂、苯并㗁唑樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂及丙烯酸酯樹脂等。 (樹脂膜(B階段膜)及積層膜) 上述樹脂材料較佳為樹脂膜。藉由將樹脂組合物成形為膜狀，能夠獲得樹脂膜(B階段膜)。樹脂膜較佳為B階段膜。 就將樹脂膜之硬化度控制得更加均勻之觀點而言，上述樹脂膜之厚度較佳為5 μm以上，較佳為200 μm以下。 作為將上述樹脂組合物成形為膜狀之方法，例如可列舉：使用擠出機將樹脂材料進行熔融混練並擠出後，藉由T型模頭或圓形模頭等成形為膜狀之擠出成形法；澆鑄包含溶劑之樹脂材料而成形為膜狀之澆鑄成形法；以及先前公知之其他膜成形法等。就可應對薄型化而言，較佳為擠出成形法或澆鑄成形法。膜包括片。 藉由將上述樹脂組合物成形為膜狀，並加熱乾燥至不過度進行利用熱之硬化之程度，例如於50～150℃下加熱乾燥1～10分鐘，能夠獲得作為B階段膜之樹脂膜。 將能夠藉由如上所述之乾燥步驟獲得之膜狀樹脂材料稱為B階段膜。上述B階段膜係處於半硬化狀態之膜狀樹脂材料。半硬化物未完全硬化，可進一步進行硬化。 上述樹脂膜可不為預浸體。於上述樹脂膜不為預浸體之情形時，不會沿玻璃布等發生遷移。又，對樹脂膜進行層壓或預固化時，表面不會產生由玻璃布所導致之凹凸。上述樹脂材料能夠以具備基材、及積層於該基材之表面上之樹脂膜之積層膜之形態良好地使用。上述積層膜中之上述樹脂膜係藉由上述樹脂組合物而形成。 作為上述積層膜之上述基材，可列舉：金屬箔、聚對苯二甲酸乙二酯膜及聚對苯二甲酸丁二酯膜等聚酯樹脂膜、聚乙烯膜及聚丙烯膜等烯烴樹脂膜、及聚醯亞胺膜等。上述基材之表面視需要可進行脫模處理。上述基材可為金屬箔，亦可為樹脂膜。上述金屬箔較佳為銅箔。 (多層印刷佈線板) 本發明之多層印刷佈線板具備電路基板、配置於上述電路基板上之複數層絕緣層、及配置於複數層上述絕緣層間之金屬層。上述絕緣層內之至少1層為上述樹脂材料之硬化物。與上述電路基板接觸之絕緣層可為上述樹脂材料之硬化物。配置於2層絕緣層之間之絕緣層可為上述樹脂材料之硬化物。距上述電路基板最遠之絕緣層可為上述樹脂材料之硬化物。可於複數層上述絕緣層中之距上述電路基板最遠之絕緣層之外側之表面上配置金屬層。 上述多層印刷佈線板例如可藉由對上述樹脂膜進行加熱加壓成形而獲得。 可於上述樹脂膜之單面或雙面積層金屬箔。將上述樹脂膜與金屬箔積層之方法未特別限定，可使用公知之方法。例如，能夠使用平行平板壓機或滾筒貼合機等裝置，一面加熱或不加熱，一面加壓，一面將上述樹脂膜積層於金屬箔。 又，多層印刷佈線板之絕緣層可使用積層膜，藉由上述積層膜之上述樹脂膜而形成。上述絕緣層較佳為積層於電路基板之設有電路之表面上。上述絕緣層之一部分較佳為埋入至上述電路間。 於上述多層印刷佈線板中，較佳為上述絕緣層之與積層有上述電路基板之表面為相反側之表面經粗化處理。 粗化處理方法能夠使用先前公知之粗化處理方法，未特別限定。上述絕緣層之表面可於粗化處理之前經膨潤處理。 圖1係模式性地表示使用本發明之一實施形態之樹脂材料之多層印刷佈線板之剖視圖。 於圖1所示之多層印刷佈線板11中，於電路基板12之上表面12a積層有複數層絕緣層13～16。絕緣層13～16係硬化物層。於電路基板12之上表面12a之一部分之區域形成有金屬層17。於複數層絕緣層13～16中之除位於與電路基板12側相反之外側之表面的絕緣層16以外之絕緣層13～15中，於上表面之一部分之區域形成有金屬層17。金屬層17係電路。於電路基板12與絕緣層13之間、及積層之絕緣層13～16之各層間分別配置有金屬層17。下方之金屬層17與上方之金屬層17係藉由未圖示之導通孔連接及通孔連接中之至少一種而相互連接。 於多層印刷佈線板11中，絕緣層13～16係藉由上述樹脂材料而形成。於本實施形態中，絕緣層13～16之表面經粗化處理，故而於絕緣層13～16之表面形成有未圖示之微細之孔。又，金屬層17到達至微細之孔之內部。又，於多層印刷佈線板11中，能夠減小金屬層17之寬度方向尺寸(L)、及未形成金屬層17之部分之寬度方向尺寸(S)。又，於多層印刷佈線板11中，對未利用未圖示之導通孔連接及通孔連接而連接之上方之金屬層與下方之金屬層之間賦予有良好之絕緣可靠性。 (粗化處理及膨潤處理) 上述樹脂材料較佳為用於獲得供進行粗化處理或除膠渣處理之硬化物。上述硬化物亦包括能夠進一步硬化之預硬化物。 為了於藉由使上述樹脂材料預硬化而獲得之硬化物之表面形成微細之凹凸，硬化物較佳為進行粗化處理。粗化處理之前，硬化物較佳為進行膨潤處理。硬化物較佳為於預硬化之後且進行粗化處理之前進行膨潤處理，且進而於粗化處理之後進行硬化。但硬化物亦可未必進行膨潤處理。 作為上述膨潤處理之方法，例如，可使用藉由以乙二醇等為主成分之化合物之水溶液或有機溶劑分散溶液等處理硬化物之方法。用於膨潤處理之膨潤液一般係作為pH調整劑等，且包含鹼。膨潤液較佳為包含氫氧化鈉。具體而言，例如，上述膨潤處理係藉由使用40重量%乙二醇水溶液等，於處理溫度30～85℃下對硬化物處理1～30分鐘而進行。上述膨潤處理之溫度較佳為50～85℃之範圍內。若上述膨潤處理之溫度過低，則膨潤處理需要較長時間，進而有絕緣層與金屬層之接著強度降低之傾向。 於上述粗化處理中，例如，可使用錳化合物、鉻化合物或過硫酸化合物等化學氧化劑等。該等化學氧化劑添加水或有機溶劑後，作為水溶液或有機溶劑分散溶液使用。用於粗化處理之粗化液一般係作為pH值調整劑等，且包含鹼。粗化液較佳為包含氫氧化鈉。 作為上述錳化合物，可列舉：過錳酸鉀及過錳酸鈉等。作為上述鉻化合物，可列舉：重鉻酸鉀及無水鉻酸鉀等。作為上述過硫酸化合物，可列舉：過硫酸鈉、過硫酸鉀及過硫酸銨等。 上述粗化處理之方法未特別限定。作為上述粗化處理之方法，例如，較佳為使用30～90 g/L過錳酸或過錳酸鹽溶液及30～90 g/L氫氧化鈉溶液，於處理溫度30～85℃及1～30分鐘之條件下處理硬化物之方法。上述粗化處理之溫度較佳為50～85℃之範圍內。上述粗化處理之次數較佳為1次或2次。 硬化物之表面之算術平均粗糙度Ra較佳為10 nm以上，較佳為未達200 nm，更佳為未達100 nm，進而較佳為未達50 nm。若算術平均粗糙度Ra為上述下限以上及未達上述上限，則能夠有效抑制電氣訊號之導體損耗，能夠較大地抑制傳輸損耗。進而，能夠於絕緣層之表面形成更加微細之佈線。上述算術平均粗糙度Ra係依據JIS B0601(1994)進行測定。 (除膠渣處理) 存在於藉由使上述樹脂材料預硬化而獲得之硬化物形成貫通孔之情況。於上述多層基板等中，形成導通孔或通孔等作為貫通孔。例如，導通孔可藉由CO₂ 雷射等雷射之照射而形成。導通孔之直徑未特別限定，為60～80 μm左右。多數情況下會因上述貫通孔之形成而於導通孔內之底部形成源自硬化物所包含之樹脂成分之樹脂之殘渣即膠渣。 為了去除上述膠渣，硬化物之表面較佳為進行除膠渣處理。除膠渣處理亦有兼作粗化處理之情況。 於上述除膠渣處理中，與上述粗化處理同樣地例如使用錳化合物、鉻化合物或過硫酸化合物等化學氧化劑等。該等化學氧化劑添加水或有機溶劑後，作為水溶液或有機溶劑分散溶液使用。用於除膠渣處理之除膠渣處理液一般包含鹼。除膠渣處理液較佳為包含氫氧化鈉。 上述除膠渣處理之方法未特別限定。作為上述除膠渣處理之方法，例如，較佳為使用30～90 g/L過錳酸或過錳酸鹽溶液及30～90 g/L氫氧化鈉溶液，於處理溫度30～85℃及1～30分鐘之條件下，處理硬化物1次或2次之方法。上述除膠渣處理之溫度較佳為50～85℃之範圍內。 藉由使用上述樹脂材料，經除膠渣處理之絕緣層之表面之表面粗糙度充分減小。 以下，藉由列舉實施例及比較例而具體地說明本發明。本發明並不限定於以下之實施例。 (環氧化合物) 雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製造之「850-S」) 萘型環氧樹脂(DIC公司製造之「HP-4032D」) 聯苯酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥公司製造之「NC-3000」) 雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製造之「830-S」) 聯苯型環氧樹脂(三菱化學公司製造之「YX-4000H」) 二環戊二烯型環氧樹脂(日本化藥公司製造之「XD-1000」) (硬化劑) 含碳化二亞胺樹脂之液體(Nisshinbo Chemical公司製造之「V-03」，固形物成分50重量%) 碳化二亞胺樹脂(Nisshinbo Chemical公司製造之「10M-SP(改)」) 酚醛清漆型酚樹脂(明和化成公司製造之「H-4」) 含氰酸酯樹脂之液體(Lonza Japan公司製造之「BA-3000S」，固形物成分75重量%) 氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製造之「PT-30」) (硬化促進劑) 咪唑化合物(2-苯基-4-甲基咪唑、四國化成工業公司製造之「2P4MZ」) (二氧化矽) 含二氧化矽之漿料(二氧化矽70重量%，Admatechs公司製造之「SC-2050-HNK」，平均粒徑0.5 μm，胺基矽烷處理，環己酮30重量%) (氧化鋁) 含氧化鋁之漿料(氧化鋁70重量%，Admatechs公司製造之「AC-2050-MOE」，平均粒徑0.6 μm，胺基矽烷處理，甲基乙基酮25重量%) (熱塑性樹脂) 含苯氧樹脂之液體(三菱化學公司製造之「YX6954BH30」，固形物成分30重量%) (實施例1～11及比較例1～4) 以下述表1、2所示之調配量調配下述表1、2所示之成分，使用攪拌機以1200 rpm攪拌4小時，獲得樹脂組合物清漆。 使用敷料器，於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(東麗公司製造之「XG284」，厚度25 μm)之脫模處理面上塗佈所獲得之樹脂材料(樹脂組合物清漆)後，於100℃之吉爾烘箱內乾燥3分鐘，使溶劑揮發。如此，獲得具有PET膜及該PET膜上之厚度為40 μm、溶劑之殘餘量為1.0重量%以上且3.0重量%以下之樹脂膜(B階段膜)之積層膜。 其後，將積層膜以190℃加熱90分鐘，製作樹脂膜硬化之硬化物。 (評價) (1)剝離強度(90°剝離強度) 將藉由蝕刻而形成有內層電路之100 mm見方之CCL(copper clad laminate，包銅層板)基板(日立化成工業公司製造之「E679FG」)之雙面浸漬於銅表面粗化劑(MEC公司製造之「MECetchBOND CZ-8101」)，對銅表面進行粗化處理。將所獲得之積層膜自樹脂膜側安放於上述CCL基板之雙面，獲得積層體。對該積層體，使用真空加壓式貼合機(名機製作所公司製造之「MVLP-500」)，減壓20秒而將氣壓設為13 hPa以下，其後，於層壓壓力0.4 MPa及層壓溫度100℃下層壓20秒，進而於壓製壓力1.0 MPa及壓製溫度100℃下壓製40秒。 其次，於180℃及30分鐘之硬化條件下使樹脂膜硬化。其後，自樹脂膜剝離PET膜，獲得硬化積層樣品。 於60℃之膨潤液(由Atotech Japan公司製造之「Swelling Dip Securiganth P」及和光純藥工業公司製造之「氫氧化鈉」製備之水溶液)中放入上述硬化積層樣品，於膨潤溫度60℃下搖動10分鐘。其後，以純水洗淨。 於80℃之過錳酸鈉粗化水溶液(Atotech Japan公司製造之「Concentrate Compact CP」、和光純藥工業公司製造之「氫氧化鈉」)中放入經膨潤處理之上述硬化積層樣品，於粗化溫度80℃下搖動20分鐘。其後，藉由25℃之洗淨液(Atotech Japan公司製造之「Reduction Securiganth P」、和光純藥工業公司製造之「硫酸」)洗淨2分鐘後，以純水進一步洗淨。如此，於藉由蝕刻而形成有內層電路之CCL基板上形成經粗化處理之硬化物。 對上述經粗化處理之硬化物之表面以60℃之鹼清潔液(Atotech Japan公司製造之「Cleaner Securiganth 902」)處理5分鐘，進行脫脂洗淨。洗淨後，對上述硬化物以25℃之預浸液(Atotech Japan公司製造之「Pre-Dip Neoganth B」)處理2分鐘。其後，對上述硬化物以40℃之觸媒液(Atotech Japan公司製造之「Activator Neoganth 834」)處理5分鐘，賦予鈀觸媒。其次，藉由30℃之還原液(Atotech Japan公司製造之「Reducer Neoganth WA」)對硬化物處理5分鐘。 其次，將上述硬化物放入至化學銅液(均為Atotech Japan公司製造，「Basic Printganth MSK-DK」、「Copper Printganth MSK」、「Stabilizer Printganth MSK」、「Reducer Cu」)，實施無電解鍍覆至鍍層厚度成為0.5 μm左右。無電解鍍覆後，為了去除殘留之氫氣，於120℃之溫度下退火30分鐘。至無電解鍍覆之步驟之所有步驟係以實驗室規模(beaker scale)將處理液設為2 L，一面搖動硬化物一面實施。 其次，對經無電解鍍覆處理之硬化物實施電解鍍覆至鍍層厚度成為25 μm。作為電解鍍銅，使用硫酸銅溶液(和光純藥工業公司製造之「硫酸銅五水合物」、和光純藥工業公司製造之「硫酸」、Atotech Japan公司製造之「Basic Leveler Cupracid HL」、Atotech Japan公司製造之「Correcting Agent Cupracid GS」)，通入0.6 A/cm² 之電流，實施電解鍍覆至鍍層厚度成為25 μm左右。鍍銅處理後，將硬化物以190℃加熱90分鐘，使硬化物進一步硬化。如此，獲得於上表面積層有鍍銅層之硬化物。 於所獲得之積層有鍍銅層之硬化物中，對鍍銅層之表面切入10 mm寬之切口。其後，使用拉伸試驗機(島津製作所公司製造之「AG-5000B」)，於十字頭速度5 mm/分鐘之條件下，測定硬化物(絕緣層)與金屬層(鍍銅層)之剝離強度(90°剝離強度)。 [剝離強度之判定基準] ○：剝離強度為0.5 kgf/cm以上 △：剝離強度為0.4 kgf/cm以上且未達0.5 kgf/cm ×：剝離強度未達0.4 kgf/cm (2)樹脂材料之保存穩定性 將所獲得之積層膜於25℃下分別保管3天及5天。 準備覆銅積層板(厚度150 μm之玻璃環氧基板與厚度35 μm之銅箔之積層體)。對銅箔進行蝕刻處理，製作26條L/S為50 μm/50 μm及長度為1 cm之銅圖案，獲得凹凸基板。將保管後之積層膜自樹脂膜側與上述凹凸基板之凹凸表面重疊而安放於雙面，獲得積層體。對該積層體使用真空加壓式貼合機(名機製作所公司製造之「MVLP-500」)減壓20秒而將氣壓設為13 hPa以下，其後，於層壓壓力0.4 MPa及層壓溫度100℃下層壓20秒，進而於壓製壓力1.0 MPa及壓製溫度100℃下壓製40秒。如此，獲得於凹凸基板上積層有樹脂膜之積層體A。於積層體A之狀態下，使用VEECO公司製造之「WYKO」，測定積層體A中之樹脂膜之上表面之凹凸值。具體而言，將凹凸之相鄰之凹部部分與凸部部分之高低差之最大值用作凹凸值。如此，評價層壓試驗中凹凸之狀態之有無。以下述基準判定樹脂材料之保存穩定性。 [樹脂材料之保存穩定性之判定基準] ○：於3天後及5天後之樹脂膜中，樹脂填充於銅圖案內，凹凸值為0.5 μm以下 △：於3天後之樹脂膜中，樹脂填充於銅圖案內，凹凸值為0.5 μm以下，但於5天後之樹脂膜中，樹脂未填充於銅圖案內，或凹凸值超過0.5 μm ×：於3天後及5天後之樹脂膜中，樹脂未填充於銅圖案內，或凹凸值超過0.5 μm (3)泡狀體之抑制性 使用積層有鍍銅層之100 mm見方之硬化物，依據JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council，聯合電子設備工程協會)之LEVEL3，進行上述基板之吸濕(溫度60℃及濕度60 RH%下40小時)。其後，進行上述基板之氮氣回流焊處理(峰頂溫度260℃)。再者，回流焊係反覆進行30次。以目視確認回流焊後有無泡狀體產生。 [泡狀體之抑制性之判定基準] ○：於30次之回流焊中無泡狀體產生 △：於20次之回流焊中無泡狀體產生，於21～29次之回流焊中產生泡狀體 ×：於20次以下之回流焊中產生泡狀體 (4)平均線膨脹係數(CTE) 將所獲得之硬化物(使用厚度40 μm之樹脂膜)裁剪為3 mm×25 mm之大小。使用熱機械分析裝置(SII NanoTechnology公司製造之「EXSTARTMA/SS6100」)，於拉伸負荷33 mN及升溫速度5℃/分鐘之條件下，計算出所裁剪之硬化物之25℃～150℃之平均線膨脹係數(ppm/℃)。 將組成及結果示於下述表1、2。 [表1] [表2]

11‧‧‧多層印刷佈線板12‧‧‧電路基板12a‧‧‧上表面13～16‧‧‧絕緣層17‧‧‧金屬層

圖1係模式性地表示使用本發明之一實施形態之樹脂材料之多層印刷佈線板之剖視圖。

Claims (9)

1. 一種樹脂材料，其包含環氧化合物、硬化劑及二氧化矽，上述硬化劑包含氰酸酯化合物及碳化二亞胺化合物，上述氰酸酯化合物之含量相對於上述碳化二亞胺化合物之含量之比以重量比計為0.2以上且4.0以下，且上述氰酸酯化合物之分子量為200以上且4000以下，上述碳化二亞胺化合物之分子量為500以上且5000以下。
2. 如請求項1之樹脂材料，其係：不含溶劑，且上述樹脂材料中之成分100重量%中，上述二氧化矽之含量為50重量%以上者；或包含溶劑，且上述樹脂材料中除溶劑以外之成分100重量%中，上述二氧化矽之含量為50重量%以上者。
3. 如請求項1或2之樹脂材料，其中上述環氧化合物之含量相對於上述硬化劑之含量之比以重量比計為1.0以上且3.0以下。
4. 如請求項1或2之樹脂材料，其中上述碳化二亞胺化合物具有脂環式骨架。
5. 如請求項1或2之樹脂材料，其係樹脂膜。
6. 如請求項1或2之樹脂材料，其係用於在多層印刷佈線板形成絕緣層之多層印刷佈線板用樹脂材料。
7. 如請求項1或2之樹脂材料，其係用於獲得供進行粗化處理之硬化物。
8. 一種積層膜，其包括基材、及積層於上述基材之表面上之樹脂膜，且上述樹脂膜為如請求項1至7中任一項之樹脂材料。
9. 一種多層印刷佈線板，其具有：電路基板、配置於上述電路基板上之複數層絕緣層、及配置於複數層上述絕緣層間之金屬層，且複數層上述絕緣層內之至少1層為如請求項1至7中任一項之樹脂材料之硬化物。