TW202311340A - 樹脂材料及多層印刷配線板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種樹脂材料，其1)能夠降低硬化物之介電損耗因數，2)能夠藉由除膠渣處理有效地去除膠渣，3)能夠提高鍍覆剝離強度，4)能夠使基板端部之硬化物層不易產生缺損。 本發明之樹脂材料包含：環氧化合物、填料、及硬化劑，上述填料之平均粒徑為2.0 μm以下，上述硬化劑包含第1硬化劑，該第1硬化劑具有碳酸酯結構且具有可與環氧基反應之官能基。

Description

樹脂材料及多層印刷配線板
本發明係關於一種包含環氧化合物之樹脂材料。又，本發明係關於一種使用上述樹脂材料之多層印刷配線板。
先前，為了獲得半導體裝置、積層板及印刷配線板等電子零件，業界使用多種樹脂材料。例如，於多層印刷配線板中，為了形成用以使內部之層間絕緣之絕緣層，或形成位於表層部分之絕緣層，一直使用樹脂材料。上述絕緣層之表面一般積層作為金屬之配線。又，為了形成上述絕緣層，有時會使用使上述樹脂材料成膜之樹脂膜。上述樹脂材料及上述樹脂膜可用作包含增層膜之多層印刷配線板用絕緣材料等。
下述專利文獻1中揭示有一種樹脂組合物，其包含：(A)環氧樹脂、(B)高分子化合物、(C)含氟原子之烷氧基矽烷化合物、及(D)無機填充材料。於該樹脂組合物中，(B)高分子化合物係具有選自聚丁二烯結構、聚矽氧烷結構、聚(甲基)丙烯酸酯結構、聚伸烷基結構、聚環氧烷結構、聚異戊二烯結構、聚異丁烯結構、及聚碳酸酯結構中之一種以上之結構之高分子化合物。
下述專利文獻2中揭示有一種樹脂組合物，其包含：(A)具有脂肪族聚碳酸酯骨架之樹脂、及(B)無機及/或有機填料。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-150440號公報 [專利文獻2]日本專利特開2007-284555號公報
[發明所欲解決之問題]
將硬化物之介電損耗因數設計得較低之先前之樹脂材料存在如下問題：無法藉由除膠渣處理有效地去除膠渣，或未能提高對於金屬層之鍍覆剝離強度。
又，要求低介電損耗因數之基板隨著大型化及多層化之推進，基板之重量變重。隨之，於基板之使用時及輸送時，基板端部之硬化物層容易產生缺損。
且說，上述專利文獻1、2中記載有一種包含具有聚碳酸酯結構之樹脂之樹脂材料。但是，上述專利文獻1、2所記載之具有聚碳酸酯結構之樹脂並非硬化劑。若使用如上述專利文獻1、2所記載之具有聚碳酸酯結構之樹脂，則能夠一定程度上減少硬化物之介電損耗因數。然而，即便於使用具有聚碳酸酯結構之樹脂之情形時，仍存在除膠渣性降低，或基板端部之硬化物層產生缺損之情況。
本發明之目的在於提供一種樹脂材料，其1)能夠降低硬化物之介電損耗因數，2)能夠藉由除膠渣處理有效地去除膠渣，3)能夠提高鍍覆剝離強度，4)能夠使基板端部之硬化物層不易產生缺損。又，本發明之目的亦在於提供一種使用上述樹脂材料之多層印刷配線板。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之廣泛態樣，可提供一種樹脂材料，其包含：環氧化合物、填料、及硬化劑，上述填料之平均粒徑為2.0 μm以下，上述硬化劑包含第1硬化劑，該第1硬化劑具有碳酸酯結構且具有可與環氧基反應之官能基。
於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，於樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述填料之含量為50重量%以上90重量%以下。
於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述第1硬化劑之分子量為20000以下。
於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述硬化劑包含不具有碳酸酯結構之第2硬化劑。
於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述第2硬化劑包含活性酯化合物。
於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述樹脂材料包含聚醯亞胺樹脂。
於本發明之樹脂材料之某一特定態樣中，上述樹脂材料為樹脂膜。
本發明之樹脂材料於多層印刷配線板中，適宜用於形成絕緣層。
根據本發明之廣泛態樣，可提供一種多層印刷配線板，其具備：電路基板、配置於上述電路基板之表面上之複數層絕緣層、及配置於複數層上述絕緣層間之金屬層，且複數層上述絕緣層中之至少一層為上述樹脂材料之硬化物。 [發明之效果]
本發明之樹脂材料包含環氧化合物、填料、及硬化劑，上述填料之平均粒徑為2.0 μm以下，上述硬化劑包含第1硬化劑，該第1硬化劑具有碳酸酯結構且具有可與環氧基反應之官能基。本發明之樹脂材料由於具備上述構成，故1)能夠降低硬化物之介電損耗因數，2)能夠藉由除膠渣處理有效地去除膠渣，3)能夠提高鍍覆剝離強度，4)能夠使基板端部之硬化物層不易產生缺損。
以下，對本發明之詳情進行說明。
本發明之樹脂材料包含環氧化合物、填料、及硬化劑，上述填料之平均粒徑為2.0 μm以下，上述硬化劑包含第1硬化劑，該第1硬化劑具有碳酸酯結構且具有可與環氧基反應之官能基。
本發明之樹脂材料由於具備上述構成，故能夠完全發揮如下1)-4)之效果：1)能夠降低硬化物之介電損耗因數，2)能夠藉由除膠渣處理有效地去除膠渣，3)能夠提高鍍覆剝離強度，4)能夠使基板端部之硬化物層不易產生缺損。
於本發明之樹脂材料中，由於上述硬化劑包含具有碳酸酯結構且具有可與環氧基反應之官能基之第1硬化劑，故於上述樹脂材料之硬化時，上述第1硬化劑中之碳酸酯結構於硬化物中不易發生相分離。因此，可獲得均勻之硬化物，故能夠使基板端部之硬化物層不易產生缺損。又，於本發明之樹脂材料中，由於上述硬化劑包含上述第1硬化劑，故藉由使上述第1硬化劑與上述環氧化合物均勻地交聯，可利用除膠渣處理對貫通孔形成後所產生之膠渣均勻地進行蝕刻，可有效地將膠渣去除。進而，於本發明之樹脂材料中，由於上述硬化劑包含上述第1硬化劑，故藉由碳酸酯結構發生相分離，可防止膠渣被局部地過度蝕刻，因此可提高鍍覆剝離強度。
又，於本發明之樹脂材料中，由於填料之平均粒徑為2.0 μm以下，故即便於上述填料附近，仍可使第1硬化劑與環氧化合物均勻地交聯，故能夠使基板端部之硬化物層不易產生缺損。結果能夠更有效地將膠渣去除。
本發明之樹脂材料可為樹脂組合物，亦可為樹脂膜。上述樹脂組合物具有流動性。上述樹脂組合物可為漿料狀。上述漿料狀包括液狀。就使用性優異之方面而言，本發明之樹脂材料較佳為樹脂膜。
本發明之樹脂材料較佳為熱硬化性樹脂材料。於上述樹脂材料為樹脂膜之情形時，該樹脂膜較佳為熱硬化性樹脂膜。
以下，對本發明之樹脂材料所用之各成分之詳情、及本發明之樹脂材料之用途等進行說明。
[環氧化合物] 上述樹脂材料包含環氧化合物。作為上述環氧化合物。可使用先前公知之環氧化合物。上述環氧化合物為具有至少1個環氧基之有機化合物。上述環氧化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述環氧化合物，可例舉：雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、雙酚S型環氧化合物、苯酚酚醛清漆型環氧化合物、聯苯型環氧化合物、聯苯酚醛清漆型環氧化合物、聯苯酚型環氧化合物、萘型環氧化合物、茀型環氧化合物、苯酚芳烷基型環氧化合物、萘酚芳烷基型環氧化合物、二環戊二烯型環氧化合物、蒽型環氧化合物、具有金剛烷骨架之環氧化合物、具有三環癸烷骨架之環氧化合物、伸萘基醚型環氧化合物、及骨架中具有三𠯤核之環氧化合物等。
上述環氧化合物亦可為縮水甘油醚化合物。上述縮水甘油醚化合物係指具有至少1個縮水甘油醚基之化合物。
就進一步降低硬化物之介電損耗因數，且提高硬化物之熱尺寸穩定性及阻燃性之觀點而言，上述環氧化合物較佳為包含具有芳香族骨架之環氧化合物，更佳為包含具有萘骨架或苯骨架之環氧化合物。
就進一步降低硬化物之介電損耗因數之觀點而言，上述環氧化合物較佳為包含25℃下為液狀之環氧化合物、及25℃下為固體之環氧化合物。
上述25℃下為液狀之環氧化合物於25℃下之黏度較佳為1000 mPa·s以下，更佳為500 mPa·s以下。
上述環氧化合物之黏度例如可使用動態黏彈性測定裝置(Reologica Instruments公司製造之「VAR-100」)等進行測定。
上述環氧化合物之分子量較佳為1000以下。於此情形時，即便樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中之填料之含量為50重量%以上，仍可獲得於絕緣層之形成時流動性較高之樹脂材料。因此，於將樹脂材料之未硬化物或B-階段化物層壓於電路基板上之情形時，可使填料均勻存在。關於「樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%」，於樹脂材料包含溶劑之情形時，意指「樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%」，於樹脂材料不含溶劑之情形時，意指「樹脂材料100重量%」。
關於上述環氧化合物之分子量，於上述環氧化合物並非聚合物之情形、及可特定出上述環氧化合物之結構式之情形時，意指可根據該結構式算出之分子量。又，於上述環氧化合物為聚合物之情形時，意指利用凝膠滲透層析法(GPC)測得之以聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
於上述樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述環氧化合物之含量較佳為5重量%以上，更佳為10重量%以上，並且，較佳為25重量%以下，更佳為20重量%以下。若上述環氧化合物之含量為上述下限以上及上述上限以下，則能夠更加有效地發揮上述1)-4)之效果。
於上述樹脂材料中之除填料及溶劑以外之成分100重量%中，上述環氧化合物之含量較佳為15重量%以上，更佳為25重量%以上，進而較佳為35重量%以上，並且，較佳為60重量%以下。若上述環氧化合物之含量為上述下限以上及上述上限以下，則能夠更加有效地發揮上述1)-4)之效果。
[硬化劑] 上述樹脂材料包含硬化劑。就發揮上述1)-4)之效果之觀點而言，上述硬化劑包含第1硬化劑，該第1硬化劑具有碳酸酯結構且具有可與環氧基反應之官能基。上述硬化劑可包含不具有碳酸酯結構之第2硬化劑，亦可不包含該第2硬化劑。
＜第1硬化劑＞ 上述第1硬化劑係具有碳酸酯結構且具有可與環氧基反應之官能基之化合物(硬化劑)。上述第1硬化劑具有碳酸酯結構(-O-C(=O)-O-)。上述第1硬化劑具有可與環氧基反應之官能基。上述第1硬化劑具有可與上述環氧化合物之環氧基反應之官能基。上述第1硬化劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述可與環氧基反應之官能基，可例舉：胺基、羥基、活性酯基、氰酸酯基、碳二醯亞胺基、馬來醯亞胺基及苯并㗁𠯤基等。
就進一步降低硬化物之介電損耗因數之觀點而言，上述可與環氧基反應之官能基較佳為馬來醯亞胺基、羥基或活性酯基。
就進一步降低硬化物之介電損耗因數之觀點而言，上述第1硬化劑較佳為具有脂肪族環。就提高硬化物之耐熱性之觀點而言，上述第1硬化劑較佳為具有芳香族環。就進一步降低硬化物之介電損耗因數，且提高硬化物之耐熱性之觀點而言，上述第1硬化劑較佳為具有脂肪族環及芳香族環。
上述第1硬化劑較佳為具有苯酚結構或活性酯結構。
再者，活性酯結構例如為下述式(10A)所表示之結構。
[化1]
Figure 02_image001
於上述式(10A)中，R1表示脂肪族鏈、脂肪族環或芳香族環，R2表示芳香族環。
就均衡地發揮上述1)-4)之效果之觀點而言，上述第1硬化劑較佳為包含苯酚碳酸酯化合物(具有碳酸酯結構及苯酚結構之化合物)，更佳為苯酚碳酸酯化合物(具有碳酸酯結構及苯酚結構之化合物)。尤其是藉由使用苯酚碳酸酯化合物(具有碳酸酯結構及苯酚結構之化合物)，可更加有效地發揮上述3)之效果。
就均衡地發揮上述1)-4)之效果之觀點而言，上述第1硬化劑較佳為下述式(3)所表示之化合物。
[化2]
Figure 02_image003
於上述式(3)中，X1及X2分別表示羥基、或活性酯基，R1表示脂肪族環，R2及R3分別表示來自雙酚化合物之骨架，n表示1以上之整數。於上述式(3)中，X1及X2可相同，亦可不同。於上述式(3)中，R2及R3可相同，亦可不同。於上述式(3)中，n可表示500以下之整數，可表示200以下之整數，可表示100以下之整數，可表示50以下之整數。於上述式(3)中，n較佳為表示上述第1硬化劑之分子量成為2000以上之整數。於上述式(3)中，n較佳為表示上述第1硬化劑之分子量成為20000以下之整數。
就更加有效地發揮上述1)、2)、4)之效果，尤其是更加有效地發揮上述1)之效果之觀點而言，上述第1硬化劑較佳為包含活性酯碳酸酯化合物(具有碳酸酯結構及活性酯結構之化合物)。就進而有效地發揮上述1)、2)、4)之效果，尤其是進而有效地發揮上述1)之效果之觀點而言，上述第1硬化劑更佳為活性酯碳酸酯化合物(具有碳酸酯結構及活性酯結構之化合物)。
上述第1硬化劑之分子量較佳為2000以上，更佳為3000以上，並且，較佳為20000以下，更佳為15000以下。若上述第1硬化劑之分子量為上述下限以上及上述上限以下，則可更加有效地發揮上述1)-4)之效果。
關於上述第1硬化劑之分子量，於可特定出上述第1硬化劑之結構式之情形時，意指可根據該結構式算出之分子量。又，於上述第1硬化劑為聚合物之情形時，意指利用凝膠滲透層析法(GPC)測得之以聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
上述第1硬化劑之玻璃轉移溫度較佳為30℃以上，更佳為50℃以上，並且，較佳為150℃以下，更佳為120℃以下。若上述第1硬化劑之玻璃轉移溫度為上述下限以上，則可進一步提高鍍覆剝離強度。若上述第1硬化劑之玻璃轉移溫度為上述上限以下，則可使上述樹脂材料之硬化性變得更良好，可使硬化物之介電損耗因數變得更良好。
作為上述第1硬化劑之市售品，例如可例舉：群榮化學公司製造之「FTC509」及「FTC509ES」、以及旭化成化學公司製造之「T6002」及「T6001」等。
於上述硬化劑100重量%中，上述第1硬化劑之含量較佳為10重量%以上，更佳為20重量%以上，並且，較佳為60重量%以下，更佳為55重量%以下。若上述第1硬化劑之含量為上述下限以上，則可更加有效地發揮上述1)、2)之效果。若上述第1硬化劑之含量為上述上限以下，則可更加有效地發揮上述3)、4)之效果。
相對於上述環氧化合物100重量份，上述第1硬化劑之含量較佳為10重量份以上，更佳為20重量份以上，較佳為70重量份以下，更佳為60重量份以下。若上述第1硬化劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則可更加有效地發揮上述1)-4)之效果。
於上述樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述第1硬化劑之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上，並且，較佳為20重量%以下，更佳為15重量%以下。若上述第1硬化劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則可更加有效地發揮上述1)-4)之效果。
於上述樹脂材料中之除填料及溶劑以外之成分100重量%中，上述第1硬化劑之含量較佳為2.5重量%以上，更佳為5重量%以上，並且，較佳為35重量%以下，更佳為30重量%以下。若上述第1硬化劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則可更加有效地發揮上述1)-4)之效果。關於「樹脂材料中之除填料及溶劑以外之成分100重量%」，於樹脂材料為溶劑之情形時，意指「樹脂材料中之除填料及溶劑以外之成分100重量%」，於樹脂材料不含溶劑之情形時，意指「樹脂材料中之除填料以外之成分100重量%」。
＜第2硬化劑＞ 上述第2硬化劑為不具有碳酸酯結構之化合物(硬化劑)。上述硬化劑較佳為包含上述第2硬化劑。上述第2硬化劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
上述第2硬化劑較佳為具有可與環氧基反應之官能基。上述第2硬化劑較佳為具有可與上述環氧化合物之環氧基反應之官能基。
作為上述第2硬化劑，可例舉：活性酯化合物、酚化合物(酚系硬化劑)、異氰酸酯化合物(異氰酸酯硬化劑)、碳二醯亞胺化合物(碳二醯亞胺硬化劑)、㗁唑啉化合物、馬來醯亞胺化合物、苯并㗁𠯤化合物(苯并㗁𠯤硬化劑)、胺化合物(胺硬化劑)、硫醇化合物(硫醇硬化劑)、膦化合物、雙氰胺、及酸酐等。
上述第2硬化劑較佳為包含活性酯化合物、酚化合物、異氰酸酯化合物、碳二醯亞胺化合物、㗁唑啉化合物、或馬來醯亞胺化合物，更佳為包含活性酯化合物、或酚化合物，進而較佳為包含活性酯化合物。於此情形時，可進一步降低硬化物之介電損耗因數，且可進一步提高硬化物之熱尺寸穩定性。就進一步降低硬化物之介電損耗因數之觀點而言，上述第2硬化劑較佳為包含活性酯化合物。就進一步提高鍍覆剝離強度之觀點而言，上述第2硬化劑較佳為包含酚化合物。
活性酯化合物： 上述活性酯化合物是指結構體中包含至少1個酯鍵，且於酯鍵之兩側鍵結有脂肪族鏈、脂肪族環或芳香族環之化合物。活性酯化合物例如可藉由羧酸化合物或硫羧酸化合物與羥基化合物或硫醇化合物之縮合反應而獲得。作為活性酯化合物之例，可例舉下述式(1)所表示之化合物。上述活性酯化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
[化3]
Figure 02_image005
上述式(1)中，X1表示含脂肪族鏈之基、含脂肪族環之基、或含芳香族環之基，X2表示含芳香族環之基。作為上述含芳香族環之基之較佳之例，可例舉：可具有取代基之苯環、及可具有取代基之萘環等。作為上述取代基，可例舉烴基。該烴基之碳數較佳為12以下，更佳為6以下，進而較佳為4以下。
上述式(1)中，作為X1及X2之組合，可例舉：可具有取代基之苯環與可具有取代基之苯環之組合、可具有取代基之苯環與可具有取代基之萘環之組合。進而，上述式(1)中，作為X1及X2之組合，可例舉：可具有取代基之萘環與可具有取代基之萘環之組合。
上述活性酯化合物並無特別限定。就進一步提高硬化物之熱尺寸穩定性及阻燃性之觀點而言，上述活性酯化合物較佳為具有2個以上之芳香族環之活性酯化合物。就降低硬化物之介電損耗因數，且提高硬化物之熱尺寸穩定性之觀點而言，上述活性酯化合物更佳為於主鏈骨架中具有萘環。
作為上述活性酯化合物之市售品，可例舉：DIC公司製造之「HPC-8000-65T」、「EXB9416-70BK」及「HPC8150-62T」等。
酚化合物： 作為上述酚化合物，可例舉：酚醛清漆型苯酚、聯苯酚型苯酚、萘型苯酚、二環戊二烯型苯酚、芳烷基型苯酚及二環戊二烯型苯酚等。上述酚化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述酚化合物之市售品，可例舉：酚醛清漆型苯酚(DIC公司製造之「TD-2091」)、聯苯酚醛清漆型苯酚(明和化成公司製造之「MEH-7851」)、芳烷基型酚化合物(明和化成公司製造之「MEH-7800」)、以及具有胺基三𠯤骨架之苯酚(DIC公司製造之「LA-1356」及「LA-3018-50P」)等。
異氰酸酯化合物： 作為上述異氰酸酯化合物，可例舉：酚醛清漆型異氰酸酯樹脂、雙酚型異氰酸酯樹脂、以及該等之一部分經三聚化而得之預聚物等。作為上述酚醛清漆型異氰酸酯樹脂，可例舉：苯酚酚醛清漆型異氰酸酯樹脂及烷基酚型異氰酸酯樹脂等。作為上述雙酚型異氰酸酯樹脂，可例舉：雙酚A型異氰酸酯樹脂、雙酚E型異氰酸酯樹脂及四甲基雙酚F型異氰酸酯樹脂等。上述異氰酸酯化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述異氰酸酯化合物之市售品，可例舉：苯酚酚醛清漆型異氰酸酯樹脂(日本龍沙公司製造之「PT-30」及「PT-60」)、以及雙酚型異氰酸酯樹脂經三聚化而得之預聚物(日本龍沙公司製造之「BA-230S」、「BA-3000S」、「BTP-1000S」及「BTP-6020S」)等。
碳二醯亞胺化合物： 上述碳二醯亞胺化合物為具有下述式(2)所表示之結構單元之化合物。下述式(2)中，右端部及左端部為與其他基鍵結之部位。上述碳二醯亞胺化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
[化4]
Figure 02_image007
上述式(2)中，X表示伸烷基、於伸烷基上鍵結有取代基之基、伸環烷基、於伸環烷基上鍵結有取代基之基、伸芳基、或於伸芳基上鍵結有取代基之基，p表示1～5之整數。於存在複數個X之情形時，複數個X可相同，亦可不同。
於一適宜之形態中，至少1個X為伸烷基、於伸烷基上鍵結有取代基之基、伸環烷基、或於伸環烷基上鍵結有取代基之基。
作為上述碳二醯亞胺化合物之市售品，可例舉：日清紡化學公司製造之「Carbodilite V-02B」、「Carbodilite V-03」、「Carbodilite V-04K」、「Carbodilite V-07」、「Carbodilite V-09」、「Carbodilite 10M-SP」、及「Carbodilite 10M-SP(改)」、以及Rhein Chemie公司製造之「Stabaxol P」、「Stabaxol P400」、及「Hycasyl 510」等。
馬來醯亞胺化合物： 作為上述馬來醯亞胺化合物，可例舉：N-苯基馬來醯亞胺及N-烷基雙馬來醯亞胺等。上述馬來醯亞胺化合物亦可為雙馬來醯亞胺化合物。上述馬來醯亞胺化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
上述馬來醯亞胺化合物可具有芳香族環，亦可不具有芳香族環。上述馬來醯亞胺化合物較佳為具有芳香族環。
於上述馬來醯亞胺化合物中，以馬來醯亞胺骨架中之氮原子與芳香族環鍵結為佳。
就有效地發揮本發明之效果之觀點而言，上述馬來醯亞胺化合物之分子量較佳為500以上，更佳為1000以上，並且，較佳為未達30000，更佳為未達20000。
於上述馬來醯亞胺化合物並非聚合物之情形、及可特定出上述馬來醯亞胺化合物之結構式之情形時，上述馬來醯亞胺化合物之分子量意指可根據該結構式算出之分子量。又，於上述馬來醯亞胺化合物為聚合物之情形時，上述馬來醯亞胺化合物之分子量意指利用凝膠滲透層析法(GPC)測得之以聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
作為上述馬來醯亞胺化合物之市售品，例如可例舉：大和化成工業公司製造之「BMI-4000」及「BMI-5100」、以及Designer Molecules Inc.製造之「BMI-3000」等。
苯并㗁𠯤化合物： 作為上述苯并㗁𠯤化合物，可例舉：P-d型苯并㗁𠯤、及F-a型苯并㗁𠯤等。上述苯并㗁𠯤化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述苯并㗁𠯤化合物之市售品，可例舉四國化成工業公司製造之「P-d型」等。
酸酐： 作為上述酸酐，可例舉：四氫鄰苯二甲酸酐、及烷基苯乙烯-馬來酸酐共聚物等。上述酸酐可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述酸酐之市售品，可例舉新日本理化公司製造之「RIKACID TDA-100」等。
相對於上述環氧化合物100重量份，上述第2硬化劑之含量較佳為40重量份以上，更佳為45重量份以上，並且，較佳為90重量份以下，更佳為85重量份以下。若上述第2硬化劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則可使硬化性變得更良好，進一步提高硬化物之熱尺寸穩定性，可進一步抑制殘存未反應成分之揮發。
相對於上述環氧化合物100重量份，上述硬化劑之含量(第1硬化劑與第2硬化劑之合計含量)較佳為80重量份以上，更佳為85重量份以上，並且，較佳為135重量份以下，更佳為130重量份以下。若上述硬化劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則可使硬化性變得更良好，進一步提高硬化物之熱尺寸穩定性，可進一步抑制殘存未反應成分之揮發。
於上述樹脂材料中之除填料及溶劑以外之成分100重量%中，上述環氧化合物與上述硬化劑之合計含量(環氧化合物、第1硬化劑以及第2硬化劑之合計含量)較佳為50重量%以上，更佳為60重量%以上，並且，較佳為98重量%以下，更佳為95重量%以下。若上述合計之含量為上述下限以上及上述上限以下，則可使硬化性變得更良好，可進一步提高硬化物之熱尺寸穩定性。
[填料] 上述樹脂材料包含填料。上述填料之平均粒徑為2.0 μm以下。上述填料可為有機填料，可為無機填料，亦可為有機填料與無機填料之混合物。上述填料可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述有機填料，可例舉：苯并㗁𠯤樹脂粒子、苯并㗁唑樹脂粒子、氟樹脂粒子、丙烯酸樹脂粒子及苯乙烯樹脂粒子等。藉由使用氟樹脂粒子作為上述有機填料，可進一步降低硬化物之介電常數。上述有機填料可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述無機填料，可例舉：二氧化矽、滑石、黏土、雲母、水滑石、氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鋁、氮化鋁、及氮化硼等。上述無機填料可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
上述填料較佳為無機填料。於此情形時，可進一步降低硬化物之介電損耗因數。又，可進一步減少硬化物之由熱所引起之尺寸變化。
上述無機填料較佳為二氧化矽或氧化鋁，更佳為二氧化矽，進而較佳為熔融二氧化矽。於此情形時，可降低樹脂材料之硬化物表面之表面粗糙度，進一步提高硬化物與金屬層之接著強度，且於硬化物之表面形成更微細之配線，且賦予硬化物更良好之絕緣可靠性。尤其是，藉由使用二氧化矽作為填料，而進一步降低硬化物之熱膨脹率，又，進一步降低硬化物之介電損耗因數。又，可使硬化物之介電常數變得良好。二氧化矽之形狀較佳為球狀。
上述無機填料較佳為球狀，更佳為球狀二氧化矽。於此情形時，會使硬化物表面之表面粗糙度有效地降低，進而使硬化物與金屬層之接著強度有效地提高。又，於上述無機填料為球狀二氧化矽之情形時，可不受硬化環境影響地推進樹脂之硬化，有效地提高硬化物之玻璃轉移溫度，有效地降低硬化物之熱線膨脹係數。
於上述無機填料為球狀之情形時，上述無機填料之縱橫比較佳為2以下，更佳為1.5以下。
上述無機填料較佳為進行表面處理，更佳為利用偶合劑處理過之表面處理物，進而較佳為利用矽烷偶合劑處理過之表面處理物。藉由對上述無機填料進行表面處理，而進一步降低粗化硬化物表面之表面粗糙度，進一步提高硬化物與金屬層之接著強度。又，藉由對上述無機填料進行表面處理，可於硬化物之表面形成更微細之配線，且可賦予硬化物更良好之配線間絕緣可靠性及層間絕緣可靠性。
作為上述偶合劑，可例舉：矽烷偶合劑、鈦偶合劑及鋁偶合劑等。作為上述矽烷偶合劑，可例舉：甲基丙烯基矽烷、丙烯基矽烷、胺基矽烷、咪唑矽烷、乙烯基矽烷、及環氧矽烷等。
就更加有效地發揮上述1)-4)之效果，尤其是更加有效地發揮上述2)、4)之效果之觀點而言，上述填料之平均粒徑為2.0 μm以下。
上述填料之平均粒徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.3 μm以上，並且，較佳為1.8 μm以下，更佳為1.6 μm以下。若上述填料之平均粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則可降低蝕刻後之表面粗糙度，且提高鍍覆剝離強度，又，可提高絕緣層與金屬層之密接性。上述填料之平均粒徑可超過0.5 μm，可為1.0 μm以上，可為1 μm以下，可未達1 μm，可為0.5 μm以下，可未達0.5 μm，可為0.3 μm以下。
於上述填料為無機填料之情形時，該無機填料平均粒徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.3 μm以上，並且，較佳為1.8 μm以下，更佳為1.6 μm以下。若上述無機填料之平均粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則可降低蝕刻後之表面粗糙度，且提高鍍覆剝離強度，又，可提高絕緣層與金屬層之密接性。上述無機填料之平均粒徑可超過0.5 μm，可為1.0 μm以上，可為1 μm以下，可未達1 μm，可為0.5 μm以下，可未達0.5 μm，可為0.3 μm以下。
於上述填料為有機填料之情形時，該有機填料之平均粒徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.3 μm以上，並且，較佳為1.8 μm以下，更佳為1.6 μm以下。若上述有機填料之平均粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則可降低蝕刻後之表面粗糙度，且提高鍍覆剝離強度，又，可提高絕緣層與金屬層之密接性。上述有機填料之平均粒徑可超過0.5 μm，可為1.0 μm以上，可為1 μm以下，可未達1 μm，可為0.5 μm以下，可未達0.5 μm，可為0.3 μm以下。
採用成為50%時之中值徑(d50)之值作為上述填料(無機填料及有機填料)之平均粒徑。上述平均粒徑較佳為一次粒子之平均粒徑。上述平均粒徑可使用雷射繞射散射式之粒度分佈測定裝置進行測定。
於上述樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述填料之含量較佳為50重量%以上，更佳為60重量%以上，並且，較佳為90重量%以下，更佳為85重量%以下，進而較佳為80重量%以下。若上述填料之含量為上述下限以上，則會有效地降低介電損耗因數。若上述填料之含量為上述上限以下，則可提高硬化物之熱尺寸穩定性，有效地抑制硬化物之翹曲。若上述填料之含量為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步降低硬化物表面之表面粗糙度，且於硬化物之表面形成更微細之配線。進而，若上述填料之含量為上述下限以上及上述上限以下，則會降低硬化物之熱膨脹率，同時亦可使除膠渣性變得良好。
[硬化促進劑] 上述樹脂材料較佳為包含硬化促進劑。但，上述樹脂材料亦可不包含硬化促進劑。藉由使用上述硬化促進劑，而進一步加快硬化速度。藉由使樹脂材料快速硬化，硬化物中之交聯結構會變得均勻，並且未反應之官能基數減少，結果交聯密度提高。上述硬化促進劑可使用先前公知之硬化促進劑，並無特別限定。上述硬化促進劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述硬化促進劑，例如可例舉：咪唑化合物等陰離子性硬化促進劑、胺化合物等陽離子性硬化促進劑、磷化合物及有機金屬化合物等除陰離子性及陽離子性硬化促進劑以外之硬化促進劑、以及過氧化物等自由基性硬化促進劑等。
作為上述咪唑化合物，可例舉：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸鹽、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基對稱三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基對稱三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基對稱三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基對稱三𠯤異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-二羥基甲基咪唑等。
作為上述胺化合物，可例舉：二乙胺、三乙胺、二乙四胺、三乙四胺及4,4-二甲胺基吡啶等。
作為上述磷化合物，可例舉三苯基膦化合物等。
作為上述有機金屬化合物，可例舉：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸亞錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮酸鈷(II)及三乙醯丙酮酸鈷(III)等。
作為上述過氧化物，可例舉：二異丙苯基過氧化物、及Perhexyl 25B等。
就將硬化溫度抑制得更低，有效地抑制硬化物之翹曲之觀點而言，上述硬化促進劑較佳為包含上述陰離子性硬化促進劑，更佳為包含上述咪唑化合物。
就將硬化溫度抑制得更低，有效地抑制硬化物之翹曲之觀點而言，於上述硬化促進劑100重量%中，上述陰離子性硬化促進劑之含量較佳為20重量%以上，更佳為50重量%以上，進而較佳為70重量%以上，最佳為100重量%(全部量)。因此，上述硬化促進劑最佳為上述陰離子性硬化促進劑。
上述硬化促進劑之含量並無特別限定。於樹脂材料中之除填料及溶劑以外之成分100重量%中，上述硬化促進劑之含量較佳為0.01重量%以上，更佳為0.05重量%以上，並且，較佳為5重量%以下，更佳為3重量%以下。若上述硬化促進劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則會使樹脂材料有效率地硬化。若上述硬化促進劑之含量為更佳之範圍，則會進一步提高樹脂材料之保存穩定性，且可獲得進而良好之硬化物。
[環氧化合物以外之熱硬化性化合物] 上述樹脂材料可包含環氧化合物以外之熱硬化性化合物，亦可不包含上述熱硬化性化合物。上述環氧化合物以外之熱硬化性化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述環氧化合物以外之熱硬化性化合物，可例舉：乙烯系化合物、苯乙烯化合物、氧雜環丁烷化合物、聚芳酯化合物、鄰苯二甲酸二烯丙酯化合物、丙烯酸酯化合物、環硫醚化合物、(甲基)丙烯酸化合物、胺基化合物、不飽和聚酯化合物、聚胺基甲酸酯化合物、及聚矽氧化合物等。
[熱塑性樹脂] 上述樹脂材料可包含熱塑性樹脂。作為上述熱塑性樹脂，可例舉：聚醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂及聚乙烯醇縮醛樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
就有效地發揮本發明之效果之觀點而言，上述熱塑性樹脂較佳為聚醯亞胺樹脂、或苯氧基樹脂，更佳為聚醯亞胺樹脂。就有效地發揮本發明之效果之觀點而言，上述樹脂材料較佳為包含聚醯亞胺樹脂、或苯氧基樹脂，更佳為包含聚醯亞胺樹脂。上述樹脂材料包含或不包含聚醯亞胺樹脂均可。上述樹脂材料可包含聚醯亞胺樹脂，亦可不包含聚醯亞胺樹脂。上述樹脂材料包含或不包含苯氧基樹脂均可。上述樹脂材料可不包含苯氧基樹脂，亦可包含苯氧基樹脂。
就更加有效地發揮上述1)-4)之效果之觀點、及提高處理性之觀點而言，上述熱塑性樹脂較佳為聚醯亞胺樹脂。樹脂材料較佳為包含聚醯亞胺樹脂。於上述樹脂材料包含聚醯亞胺樹脂之情形時，上述樹脂材料可不包含苯氧基樹脂。
就使溶解性變得良好之觀點而言，上述聚醯亞胺樹脂較佳為藉由使四羧酸二酐與二聚二胺反應之方法所得之聚醯亞胺樹脂。
作為上述四羧酸二酐，例如可例舉：均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯碸四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯醚四羧酸二酐、3,3',4,4'-二甲基二苯基矽烷四羧酸二酐、3,3',4,4'-四苯基矽烷四羧酸二酐、1,2,3,4-呋喃四羧酸二酐、4,4'-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐、4,4'-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基碸二酐、4,4'-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基丙烷二酐、3,3',4,4'-全氟亞異丙基二鄰苯二甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、二(鄰苯二甲酸)苯基氧化膦二酐、對伸苯基-雙(三苯基鄰苯二甲酸)二酐、間伸苯基-雙(三苯基鄰苯二甲酸)二酐、雙(三苯基鄰苯二甲酸)-4,4'-二苯醚二酐、及雙(三苯基鄰苯二甲酸)-4,4'-二苯甲烷二酐等。
作為上述二聚二胺，例如可例舉：VERSAMINE 551(商品名，巴斯夫日本公司製造，3,4-雙(1-胺基庚基)-6-己基-5-(1-辛烯基)環己烯)、VERSAMINE 552(商品名，Cognizant Japan公司製造，VERSAMINE 551之氫化物)、PRIAMINE 1075、及PRIAMINE 1074(商品名，均為Croda Japan公司製造)等。
上述聚醯亞胺樹脂可於末端具有酸酐結構、馬來醯亞胺結構、或檸康醯亞胺結構。於此情形時，可使上述聚醯亞胺樹脂與上述環氧化合物發生反應。藉由使上述聚醯亞胺化合物與上述環氧化合物反應，可提高硬化物之熱尺寸穩定性。
就不受硬化環境之影響，有效地降低介電損耗因數，且有效地提高金屬配線之密接性之觀點而言，上述熱塑性樹脂較佳為包含苯氧基樹脂。上述樹脂材料較佳為包含苯氧基樹脂。又，藉由使用苯氧基樹脂，可抑制樹脂膜對於電路基板之孔或凹凸之填埋性變差及無機填料之不均勻化。又，藉由使用苯氧基樹脂，可調整熔融黏度，故無機填料之分散性變得良好，且於硬化過程中，於非預期之區域中樹脂組合物或B-階段化物不易潤濕擴散。
上述苯氧基樹脂並無特別限定。作為上述苯氧基樹脂，可使用先前公知之苯氧基樹脂。上述苯氧基樹脂可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述苯氧基樹脂，例如可例舉：具有雙酚A型骨架、雙酚F型骨架、雙酚S型骨架、聯苯骨架、酚醛清漆骨架、萘骨架及醯亞胺骨架等骨架之苯氧基樹脂等。
作為上述苯氧基樹脂之市售品，例如可例舉：NIPPON STEEL & SUMIKIN化學公司製造之「YP50」、「YP55」及「YP70」、以及三菱化學公司製造之「1256B40」、「4250」、「4256H40」、「4275」、「YX6954BH30」及「YX8100BH30」等。
就獲得保存穩定性更優異之樹脂膜之觀點而言，上述熱塑性樹脂、上述聚醯亞胺樹脂及上述苯氧基樹脂之重量平均分子量較佳為5000以上，更佳為10000以上，並且，較佳為100000以下，更佳為50000以下。
上述熱塑性樹脂、上述聚醯亞胺樹脂及上述苯氧基樹脂之上述重量平均分子量意指利用凝膠滲透層析法(GPC)測得之以聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
上述熱塑性樹脂、上述聚醯亞胺樹脂及上述苯氧基樹脂之含量並無特別限定。於樹脂材料中之除填料及溶劑以外之成分100重量%中，上述熱塑性樹脂之含量(於熱塑性樹脂為聚醯亞胺樹脂或苯氧基樹脂之情形時，為聚醯亞胺樹脂或苯氧基樹脂之含量)較佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上，並且，較佳為30重量%以下，更佳為20重量%以下。若上述熱塑性樹脂之含量為上述下限以上及上述上限以下，則樹脂膜對於電路基板之孔或凹凸之填埋性變得良好。若上述熱塑性樹脂之含量為上述下限以上，則更容易形成樹脂膜，可獲得進一步良好之絕緣層。若上述熱塑性樹脂之含量為上述上限以下，則會進一步降低硬化物之熱膨脹率。若上述熱塑性樹脂之含量為上述上限以下，則會進一步降低硬化物表面之表面粗糙度，進一步提高硬化物與金屬層之接著強度。
[溶劑] 上述樹脂材料包含或不包含溶劑均可。上述樹脂材料可包含溶劑，亦可不包含溶劑。藉由使用上述溶劑，可將樹脂材料之黏度控制為適宜之範圍，可提高樹脂材料之塗佈性。又，上述溶劑亦可用以獲得包含上述無機填料之漿料。上述溶劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述溶劑，可例舉：丙酮、甲醇、乙醇、丁醇、2-丙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙醯氧基-1-甲氧基丙烷、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、N,N-二甲基甲醯胺、甲基異丁基酮、N-甲基吡咯啶酮、正己烷、環己烷、環己酮及作為混合物之石腦油等。
上述溶劑大多以於使上述樹脂組合物成形為膜狀時去除為佳。因此，上述溶劑之沸點較佳為200℃以下，更佳為180℃以下。上述樹脂組合物中之上述溶劑之含量並無特別限定。考慮到上述樹脂組合物之塗佈性等，上述溶劑之含量可適當變更。
於上述樹脂材料為B-階段膜之情形時，於上述B-階段膜100重量%中，上述溶劑之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上，並且，較佳為10重量%以下，更佳為5重量%以下。
[其他成分] 為了改善耐衝擊性、耐熱性、樹脂之相溶性及作業性等，上述樹脂材料亦可包含：調平劑、阻燃劑、偶合劑、著色劑、抗氧化劑、抗紫外線劑、消泡劑、增黏劑、及觸變性賦予劑等。
作為上述偶合劑，可例舉：矽烷偶合劑、鈦偶合劑及鋁偶合劑等。作為上述矽烷偶合劑，可例舉：乙烯基矽烷、胺基矽烷、咪唑矽烷及環氧矽烷等。
(樹脂膜) 藉由使上述樹脂組合物成形為膜狀，而獲得樹脂膜(B-階段化物/B-階段膜)。上述樹脂材料較佳為樹脂膜。樹脂膜較佳為B-階段膜。
作為使樹脂組合物成形為膜狀而獲得樹脂膜之方法，可例舉以下之方法：使用擠出機，對樹脂組合物進行熔融混練而將其擠出後，藉由T模或圓形模具等，使其成形為膜狀之擠出成形法；將包含溶劑之樹脂組合物流延而成形為膜狀之流延成形法；先前公知之其他膜成形法。就可應對薄型化之方面而言，較佳為擠出成形法或流延成形法。膜包括片材。
使樹脂組合物成形為膜狀且以不會因熱導致過度硬化之程度進行加熱乾燥，例如於50℃～150℃下加熱乾燥1分鐘～10分鐘，藉此獲得作為B-階段膜之樹脂膜。
將可藉由如上所述之乾燥步驟而獲得之膜狀樹脂組合物稱為B-階段膜。上述B-階段膜處於半硬化狀態。半硬化物並未完全硬化，可進一步進行硬化。
上述樹脂膜可不為預浸體。於上述樹脂膜不為預浸體之情形時，不會沿玻璃布等產生遷移。又，於對樹脂膜進行層壓或預硬化時，不會於表面產生玻璃布引起之凹凸。
上述樹脂膜可以具備金屬箔或基材膜、及積層於該金屬箔或基材膜之表面之樹脂膜之積層膜之形態使用。上述金屬箔較佳為銅箔。
作為上述積層膜之上述基材膜，可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯膜及聚對苯二甲酸丁二酯膜等聚酯樹脂膜、聚乙烯膜及聚丙烯膜等烯烴樹脂膜、以及聚醯亞胺樹脂膜等。上述基材膜之表面可視需要進行離型處理。
就將樹脂膜之硬化度控制得更均勻之觀點而言，上述樹脂膜之厚度較佳為5 μm以上，並且，較佳為200 μm以下。於將上述樹脂膜用作電路之絕緣層之情形時，由上述樹脂膜所形成之絕緣層之厚度較佳為形成電路之導體層(金屬層)之厚度以上。上述絕緣層之厚度較佳為5 μm以上，並且，較佳為200 μm以下。
(樹脂材料之其他詳情) 於130℃下加熱上述樹脂材料60分鐘使其暫時硬化後，於200℃下加熱90分鐘，獲得樹脂材料之硬化物。於此情形時，所得之硬化物於拉伸負載33 mN下之25℃至150℃之平均線膨脹係數(CTE)較佳為33 ppm/℃以下，更佳為30 ppm/℃以下，進而較佳為27 ppm/℃以下，特佳為24 ppm/℃以下，最佳為22 ppm/℃以下。上述硬化物之平均線膨脹係數(CTE)可為17 ppm/℃以上，亦可為19 ppm/℃以上。
更具體而言，上述硬化物之平均線膨脹係數(CTE)係以下述方式測定。
於130℃下加熱膜狀樹脂材料(樹脂膜)60分鐘使其暫時硬化後，於200℃下加熱90分鐘，獲得樹脂材料之硬化物。將所得之硬化物切割成3 mm×25 mm之大小。使用熱機械分析裝置(例如精工電子奈米科技公司製造之「EXSTAR TMA/SS6100」)，於拉伸負載33 mN及升溫速度5℃/分鐘之條件下，算出所切出之硬化物於25℃至150℃之平均線膨脹係數(ppm/℃)。
(半導體裝置、印刷配線板、銅箔積層板及多層印刷配線板) 上述樹脂材料於半導體裝置中，適宜用於形成嵌埋半導體晶片之塑模樹脂。
上述樹脂材料適宜用於代替液晶聚合物(LCP)之用途、毫米波天線用途、再配線層用途。又，上述樹脂材料並不限於上述用途，適用於整個配線形成用途。
上述樹脂材料適宜用作絕緣材料。上述樹脂材料於印刷配線板中，適宜用於形成絕緣層。
上述印刷配線板例如可藉由對上述樹脂材料加熱加壓使其成形而獲得。
可對上述樹脂膜之單面或雙面積層表面具有金屬層之積層對象構件。可較好地獲得一種積層結構體，其具備：表面具有金屬層之積層對象構件、及積層於上述金屬層之表面上之樹脂膜，且上述樹脂膜為上述樹脂材料。上述樹脂膜與上述表面具有金屬層之積層對象構件之積層方法並無特別限定，可使用公知之方法。例如，可使用平行平板加壓機或滾筒貼合機等裝置，一面加熱、或者一面加壓(不加熱)，一面使上述樹脂膜積層於表面具有金屬層之積層對象構件。
上述金屬層之材料較佳為銅。
上述表面具有金屬層之積層對象構件可為銅箔等金屬箔。
上述樹脂材料適宜用於獲得銅箔積層板。作為上述銅箔積層板之一例，可例舉：具備銅箔、及積層於該銅箔之一表面之樹脂膜之銅箔積層板。
上述銅箔積層板之上述銅箔之厚度並無特別限定。上述銅箔之厚度較佳為1 μm以上100 μm以下。又，為了提高上述樹脂材料之硬化物與銅箔之接著強度，上述銅箔較佳為表面具有微細之凹凸。凹凸之形成方法並無特別限定。作為上述凹凸之形成方法，可例舉：使用公知之藥液進行處理之形成方法等。
上述樹脂材料適宜用於獲得多層基板。
作為上述多層基板之一例，可例舉：具備電路基板、積層於該電路基板上之絕緣層的多層基板。該多層基板之絕緣層係由上述樹脂材料形成。又，多層基板之絕緣層可使用積層膜，藉由上述積層膜之上述樹脂膜而形成。上述絕緣層較佳為積層於電路基板之設置有電路之表面上。上述絕緣層之一部分較佳為嵌埋於上述電路間。
於上述多層基板中，較佳為上述絕緣層之與積層有上述電路基板之表面為相反側之表面經粗化處理。
粗化處理方法並無特別限定，可使用先前公知之粗化處理方法。上述絕緣層之表面可於粗化處理之前進行過膨潤處理。
又，上述多層基板較佳為進而具備鍍銅層，其積層於上述絕緣層之經粗化處理之表面。
又，作為上述多層基板之其他例，可例舉如下多層基板，其具備：電路基板；絕緣層，其積層於該電路基板之表面上；及銅箔，其積層於該絕緣層之與積層有上述電路基板之表面為相反側之表面。上述絕緣層較佳為藉由使用具備銅箔及積層於該銅箔之一表面之樹脂膜之銅箔積層板，使上述樹脂膜硬化而形成。進而，上述銅箔較佳為經蝕刻處理，且為銅電路。
作為上述多層基板之其他例，可例舉具備電路基板、及積層於該電路基板之表面上之複數層絕緣層的多層基板。配置於上述電路基板上之上述複數層絕緣層中之至少一層使用上述樹脂材料而形成。上述多層基板較佳為進而具備電路，該電路積層於使用上述樹脂膜所形成之上述絕緣層之至少一個表面。
對於多層基板中之多層印刷配線板，要求由絕緣層獲得之高絕緣可靠性。於本發明之樹脂材料中，藉由發揮本發明之效果，可有效地提高絕緣可靠性。因此，本發明之樹脂材料於多層印刷配線板中適宜用以形成絕緣層。
上述多層印刷配線板例如具備：電路基板、配置於上述電路基板之表面上之複數層絕緣層、及配置於複數層上述絕緣層間之金屬層。上述絕緣層中之至少一層為上述樹脂材料之硬化物。
圖1係模式性地表示使用本發明之一實施方式之樹脂材料之多層印刷配線板之剖視圖。
於圖1所示之多層印刷配線板11中，於電路基板12之上表面12a積層有複數層絕緣層13～16。絕緣層13～16為硬化物層。於電路基板12之上表面12a之一部分區域形成有金屬層17。於複數層絕緣層13～16中，除位於與電路基板12側相反之外側之表面之絕緣層16以外，絕緣層13～15之上表面之一部分區域形成有金屬層17。金屬層17為電路。於電路基板12與絕緣層13之間、及所積層之絕緣層13～16之各層間分別配置有金屬層17。下方之金屬層17與上方之金屬層17藉由未圖示之導孔連接及通孔連接中之至少一者而互相連接。
於多層印刷配線板11中，絕緣層13～16係由上述樹脂材料之硬化物形成。於本實施方式中，絕緣層13～16之表面經粗化處理，故於絕緣層13～16之表面形成有未圖示之微細之孔。又，金屬層17達至微細之孔之內部。又，於多層印刷配線板11中，可減少金屬層17之寬度方向尺寸(L)、及未形成有金屬層17之部分之寬度方向尺寸(S)。又，於多層印刷配線板11中，未經未圖示之導孔連接及通孔連接所連接之上方之金屬層與下方之金屬層之間被賦予了良好之絕緣可靠性。
(粗化處理及膨潤處理) 上述樹脂材料較佳為用以獲得經粗化處理或除膠渣處理之硬化物。上述硬化物中亦包含能夠進一步硬化之預硬化物。
為了於藉由使上述樹脂材料預硬化所獲得之硬化物之表面形成微細之凹凸，硬化物較佳為進行粗化處理。於粗化處理前，硬化物較佳為進行膨潤處理。硬化物較佳為於預硬化後且粗化處理前進行膨潤處理，進而於粗化處理後進行硬化。但，硬化物未必一定進行膨潤處理。
作為上述膨潤處理之方法，例如使用如下方法：藉由以乙二醇等作為主成分之化合物之水溶液或有機溶劑分散溶液等，對硬化物進行處理。用於膨潤處理之膨潤液一般包含鹼作為pH值調整劑等。膨潤液較佳為包含氫氧化鈉。具體而言，例如，上述膨潤處理藉由如下操作進行：使用40重量%乙二醇水溶液等，於處理溫度30℃～85℃下對硬化物進行1分鐘～30分鐘處理。上述膨潤處理之溫度較佳為處於50℃～85℃之範圍內。若上述膨潤處理之溫度過低，則膨潤處理需要較長時間，進而硬化物與金屬層之接著強度會呈變低之趨勢。
上述粗化處理中例如使用：錳化合物、鉻化合物或過硫酸化合物等化學氧化劑等。該等化學氧化劑於添加水或有機溶劑後，以水溶液或有機溶劑分散溶液之形式使用。用於粗化處理之粗化液一般包含鹼作為pH值調整劑等。粗化液較佳為包含氫氧化鈉。
作為上述錳化合物，可例舉：過錳酸鉀及過錳酸鈉等。作為上述鉻化合物，可例舉：重鉻酸鉀及無水鉻酸鉀等。作為上述過硫酸化合物，可例舉：過硫酸鈉、過硫酸鉀及過硫酸銨等。
硬化物之表面算術平均粗糙度Ra較佳為10 nm以上，並且，較佳為未達300 nm，更佳為未達200 nm，進而較佳為未達150 nm。於此情形時，硬化物與金屬層之接著強度提高，進而於絕緣層之表面形成更微細之配線。進而，可抑制導體損耗，可將信號損耗抑制得較低。上述算術平均粗糙度Ra依據JIS B0601：1994進行測定。
(除膠渣處理) 藉由使上述樹脂材料預硬化所得之硬化物中存在形成貫通孔之情況。於上述多層基板等中，形成導孔或通孔等作為貫通孔。例如，導孔可藉由CO 2雷射等雷射之照射而形成。導孔之直徑並無特別限定，為60 μm～80 μm左右。藉由形成上述貫通孔，導孔內之底部大多會形成來自硬化物所含之樹脂成分之樹脂之殘渣，即膠渣。
為了去除上述膠渣，硬化物之表面較佳為進行除膠渣處理。除膠渣處理有時會兼作粗化處理。
上述除膠渣處理與上述粗化處理同樣，例如可使用錳化合物、鉻化合物或過硫酸化合物等化學氧化劑等。該等化學氧化劑於添加了水或有機溶劑後，以水溶液或有機溶劑分散溶液之形式使用。用於除膠渣處理之除膠渣處理液一般包含鹼。除膠渣處理液較佳為包含氫氧化鈉。
藉由使用上述樹脂材料，使經除膠渣處理之硬化物表面之表面粗糙度充分變小。
以下，藉由例舉實施例及比較例，具體地對本發明進行說明。本發明並不限定於以下之實施例。
準備以下材料。
(環氧化合物) 聯苯型環氧化合物(日本化藥製造之「NC3000L」) 雙酚F型環氧化合物(DIC公司製造之「830S」)
(硬化劑) 第1硬化劑： 苯酚碳酸酯化合物(群榮化學公司製造之「FTC509」，分子量4000，玻璃轉移溫度110℃) 含活性酯碳酸酯化合物之液(群榮化學公司製造之「FTC509ES」，分子量4000，固形物成分55重量%，玻璃轉移溫度33℃)
第2硬化劑： 含酚化合物之液(DIC公司製造之「LA-1356」，固形物成分60重量%) 含活性酯化合物之液(DIC公司製造之「HPC-8000L-65T」，固形物成分65重量%)
(硬化促進劑) 咪唑化合物(2-苯基-4-甲基咪唑，四國化成工業公司製造之「2P4MZ」)
(填料：無機填料) 含二氧化矽1之漿料(包含作為經矽烷偶合劑處理過之表面處理物之球狀二氧化矽之漿料，平均粒徑0.1 μm，藉由以下之製作方法製得) 含二氧化矽2之漿料(包含作為經矽烷偶合劑處理過之表面處理物之球狀二氧化矽之漿料，平均粒徑0.5 μm，藉由以下之製作方法製得) 含二氧化矽3之漿料(包含作為經矽烷偶合劑處理過之表面處理物之球狀二氧化矽之漿料，平均粒徑2.0 μm，藉由以下之製作方法製得) 含二氧化矽4之漿料(包含作為經矽烷偶合劑處理過之表面處理物之球狀二氧化矽之漿料，平均粒徑2.5 μm，藉由以下之製作方法製得)
＜含二氧化矽1之漿料之製作方法＞ 藉由具有N-苯基-3-胺基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」)，對二氧化矽(日本觸媒公司製造之「Seahostar KE-S10」)進行表面處理。向所得之表面處理物中添加環己酮(和光純藥工業公司製造之「037-05096」)以使其含量達50重量%，獲得含二氧化矽1之漿料。
＜含二氧化矽2之漿料之製作方法＞ 藉由具有N-苯基-3-胺基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」)，對二氧化矽(Admatechs公司製造之「SO-C2」)進行表面處理。向所得之表面處理物中添加環己酮(和光純藥工業公司製造之「037-05096」)以使其含量達50重量%，獲得含二氧化矽2之漿料。
＜含二氧化矽3之漿料之製作方法＞ 藉由具有N-苯基-3-胺基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」)，對二氧化矽(Admatechs公司製造之「SO-C6」)進行表面處理。向所得之表面處理物中添加環己酮(和光純藥工業公司製造之「037-05096」)以使其含量達50重量%，獲得含二氧化矽3之漿料。
＜含二氧化矽4之漿料之製作方法＞ 藉由具有N-苯基-3-胺基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」)，對二氧化矽(日本觸媒公司製造之「Seahostar KE-S250」)進行表面處理。向所得之表面處理物中添加環己酮(和光純藥工業公司製造之「037-05096」)以使其含量達50重量%，獲得含二氧化矽4之漿料。
(熱塑性樹脂) 含聚醯亞胺樹脂之液(含有作為四羧酸二酐與二聚二胺之反應物的聚醯亞胺樹脂之液(不揮發分26.8重量%)，根據以下之合成例1而合成) 含苯氧基樹脂之液(重量平均分子量39000，Mitsubishi Chemical公司製造之「YX6954BH30」，固形物成分30重量%) 碳酸酯樹脂(重量平均分子量1000，可樂麗公司製造之「C-1015N」)
＜合成例1＞ 向具備攪拌機、分水器、溫度計及氮氣導入管之反應容器中添加四羧酸二酐(SABIC日本有限公司製造之「BisDA-1000」)300.0 g、及環己酮665.5 g，將反應容器中之溶液加熱至60℃。其次，向反應容器中滴加二聚二胺(Croda Japan公司製造之「PRIAMINE 1075」)89.0 g、及1,3-二胺基甲基環己烷(三菱瓦斯化學公司製造)54.7 g。其次，向反應容器中添加甲基環己烷121.0 g、及乙二醇二甲醚423.5 g，於140℃下歷時10小時進行醯亞胺化反應。如此，獲得含聚醯亞胺樹脂之液(不揮發分26.8重量%)。所得之聚醯亞胺化合物之分子量(重量平均分子量)為20000。再者，酸成分/胺成分之莫耳比為1.04。
上述第1硬化劑及上述熱塑性樹脂之重量平均分子量利用GPC(凝膠滲透層析法)測定，如下所述而求得。
使用島津製作所製造之高效液相層析系統，以四氫呋喃(THF)作為展開溶劑，於管柱溫度40℃、流速1.0 ml/分鐘下進行測定。使用「SPD-10A」作為檢測器，關於管柱，係將2根Shodex公司製造之「KF-804L」(排除極限分子量400,000)串聯連接而使用。使用東曹公司製造之「TSK Standard Polystyrene」作為標準聚苯乙烯，使用重量平均分子量Mw＝354,000、189,000、98,900、37,200、17,100、9,830、5,870、2,500、1,050、500之物質繪製校準曲線，進行分子量之計算。
(實施例1～7及比較例1～3) 以下述表1、2所示之調配量(單位為固形物成分重量份)調配下述表1、2所示之成分，於常溫下攪拌直至成為均勻之溶液，而獲得樹脂材料。
樹脂膜之製作： 使用敷料器，於經離型處理之PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜(東麗公司製造之「XG284」，厚度25 μm)之離型處理面上塗佈所得之樹脂材料後，於100℃之熱老化試驗箱內乾燥2分30秒，使溶劑揮發。如此，獲得於PET膜上積層有厚度40 μm之樹脂膜(B-階段膜)之積層膜(PET膜與樹脂膜之積層膜)。
[評價] (1)硬化物之介電損耗因數(Df) 於180℃下對所得之樹脂膜進行加熱30分鐘而使其暫時硬化後，於200℃下加熱90分鐘，獲得硬化物。將所得之硬化物切割成寬2 mm、長80 mm之大小，並將10片重疊，使用關東電子應用開發公司製造之「共振腔微擾法介電常數測定裝置CP521」及Keysight Technologie公司製造之「Network Analyzer N5224A PNA」，藉由空腔共振法，於常溫(23℃)及頻率5.8 GHz下測定介電損耗因數。
[硬化物之介電損耗因數(Df)之判定基準] ○○○：介電損耗因數未達2.8×10 -3○○：介電損耗因數為2.8×10 -3以上且未達2.9×10 -3○：介電損耗因數為2.9×10 -3以上且未達3.0×10 -3×：介電損耗因數為3.0×10 -3以上
(2)除膠渣性(導孔底之殘渣之去除性) 層壓、半硬化處理： 將CCL(copper clad laminate，敷銅層板)基板(日立化成工業公司製造之「E-679FGR」)浸漬於銅表面粗化劑(Mec公司製造之「Mec Etch Bond  CZ-8201」)中，獲得銅表面經粗化處理之100 mm見方之CCL基板。使用真空加壓式貼合機(名機製作所公司製造之「MVLP-500」)，於經粗化處理之CCL基板上，以層壓壓力0.7 MPa及層壓溫度100℃，對所得之積層膜層壓20秒，進而以加壓壓力1.0 MPa及加壓溫度100℃加壓40秒。將積層膜之PET膜剝落後，於100℃下加熱30分鐘，其次，於180℃下加熱30分鐘，使樹脂膜半硬化。如此，獲得於CCL基板之雙面積層有樹脂膜之半硬化物之積層體A。
導孔(貫通孔)形成： 使用CO 2雷射(日立Via Mechanics公司製造)，於所得之積層體A之樹脂膜之半硬化物中形成上端處之直徑為65 μm且下端(底部)處之直徑為45 μm之導孔(貫通孔)。如此，獲得於CCL基板上積層有樹脂膜之半硬化物，且樹脂膜之半硬化物中形成有導孔(貫通孔)之積層體B。
導孔底部之殘渣之去除處理： (a)膨潤處理 向60℃之膨潤液(Atotech Japan公司製造之「Swelling Dip Securigant P」)中添加所得之積層體B，振盪10分鐘。其後，用純水進行清洗。
(b)過錳酸鹽處理(粗化處理及除膠渣處理) 向80℃之過錳酸鉀(Atotech Japan公司製造之「Concentrate Compact CP」)粗化水溶液中添加膨潤處理後之積層體B，振盪30分鐘。其次，使用25℃之清洗液(Atotech Japan公司製造之「Reduction Securigant P」)處理2分鐘後，用純水進行清洗，獲得評價樣品。
藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察評價樣品之導孔底部，測定距導孔底之壁面之最大膠渣長度。按照以下之基準判定導孔底之殘渣之去除性。
[除膠渣性(導孔底之殘渣之去除性)之判定基準] ○○：最大膠渣長度未達1 μm ○：最大膠渣長度為1 μm以上且未達2 μm △：最大膠渣長度為2 μm以上且未達3 μm ×：最大膠渣長度為3 μm以上
(3)鍍覆剝離強度 無電解鍍覆處理： 藉由60℃之鹼性清潔液(Atotech Japan公司製造之「Cleaner Securigant 902」)，對「(2)除膠渣性(導孔底之殘渣之去除性)」之評價中所得之評價樣品之經粗化處理之硬化物之表面處理5分鐘，進行脫脂清洗。清洗後，藉由25℃之預浸液(Atotech Japan公司製造之「Pre-dip Neogant B」)，對上述硬化物處理2分鐘。其後，藉由40℃之活化液(Atotech Japan公司製造之「Activator Neogant 834」)，對上述硬化物處理5分鐘，添加鈀觸媒。其次，藉由30℃之還原液(Atotech Japan公司製造之「Reducer Neogant WA」)，對硬化物處理5分鐘。
其次，將上述硬化物添加至化學銅液(Atotech Japan公司製造之「Basic Printganth MSK-DK」、「Copper Printganth MSK」、「Stabilizer Printganth MSK」、及「Reducer Cu」)中，實施無電解鍍覆使鍍覆層厚度達0.5 μm左右。無電解鍍覆後，於120℃之溫度下對其進行退火處理30分鐘以去除殘留之氫氣。再者，在無電解鍍覆之步驟之前之所有步驟均以燒杯刻度計，使處理液為2 L，且一面振盪硬化物一面實施。
電解鍍覆處理： 其次，對經無電解鍍覆處理之硬化物實施電解鍍覆使鍍覆層厚度達25 μm。作為電解鍍銅，使用硫酸銅溶液(和光純藥工業公司製造之「硫酸銅五水合物」、和光純藥工業公司製造之「硫酸」、Atotech Japan公司製造之「Basic leveler Cupracid HL」、Atotech Japan公司製造之「Correction Solution Cupracid GS」)，通入0.6 A/cm 2之電流，實施電解鍍覆使鍍覆層厚度達25 μm左右。鍍銅處理後，於200℃下加熱硬化物60分鐘，使硬化物進一步硬化。如此，獲得上表面積層有鍍銅層之硬化物。
鍍覆剝離強度之測定： 於所得之上表面積層有鍍銅層之硬化物之鍍銅層之表面以5 mm間距、在合計6處切出10 mm寬之短條狀之切口。於90°剝離試驗機(TESTER SANGYO公司製造之「TE-3001」)中放置上表面積層有鍍銅層之硬化物，藉由夾具將切出切口之鍍銅層之端部夾起，避開已形成導孔之部位，將鍍銅層剝離20 mm，測定剝離強度(鍍覆剝離強度)。分別對6處切口部位之剝離強度(鍍覆剝離強度)進行測定，求出鍍覆剝離強度之平均值。按照下述基準判定鍍覆剝離強度。
[鍍覆剝離強度之判定基準] ○○：鍍覆剝離強度之平均值為0.50 kgf/cm以上 ○：鍍覆剝離強度之平均值為0.45 kgf/cm以上且未達0.50 kgf/cm △：鍍覆剝離強度之平均值為0.40 kgf/cm以上且未達0.45 kgf/cm ×：鍍覆剝離強度之平均值未達0.40 kgf/cm
(4)基板端部之硬化物層之缺損 與「(2)除膠渣性(導孔底之殘渣之去除性)」之評價所記載之方法同樣地對「(2)除膠渣性(導孔底之殘渣之去除性)」之評價中所得之積層體A實施(a)膨潤處理及(b)過錳酸鹽處理。其次，於200℃下加熱60分鐘，獲得積層體C。針對所得之積層體C，使用真空加壓式貼合機(名機製作所公司製造之「MVLP-500」)，以層壓壓力0.7 MPa及層壓溫度100℃對所得之積層膜層壓20秒，進而以加壓壓力1.0 MPa及加壓溫度100℃加壓40秒。將積層膜之PET膜剝落後，於100℃下加熱30分鐘，其次，於180℃下加熱30分鐘，使樹脂膜半硬化。其次，與「(2)除膠渣性(導孔底之殘渣之去除性)」之評價所記載之方法同樣地進行(a)膨潤處理及(b)過錳酸鹽處理。其次，於200℃下加熱60分鐘，獲得於CCL基板之雙面積層有2層樹脂膜之硬化物層的積層體D。重複進行同樣之處理，藉此獲得於CCL基板之雙面積層有8層樹脂膜之硬化物層的積層體E。
使所得之積層體E自1 m之高度合計掉落20次。每次掉落時，使用顯微鏡確認基板端部之樹脂膜之硬化物層是否產生缺損。
[基板端部之硬化物層之缺損之判定基準] ○○：20次掉落中，於基板端部之硬化物層中未產生缺損 ○：11次以上19次以下之掉落中，於基板端部之硬化物層中產生缺損 △：6次以上10次以下之掉落中，於基板端部之硬化物層中產生缺損 ×：1次以上5次以下之掉落中，於基板端部之硬化物層中產生缺損
將組成及結果示於下述表1、2。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5
環氧化合物 聯苯型環氧化合物 重量份 80 80 80 80 80
雙酚F型環氧化合物 重量份 20 20 20 20 20
硬化劑 第1硬化劑 苯酚碳酸酯化合物 重量份 45 45       45
活性酯碳酸酯化合物 重量份       45 45   
第2硬化劑 酚化合物 重量份    45    45   
活性酯化合物 重量份 80    75    80
硬化促進劑 2-苯基-4-甲基咪唑 重量份 3 3 3 3 3
填料 二氧化矽1(平均粒徑0.1 μm) 重量份             615
二氧化矽2(平均粒徑0.5 μm) 重量份 615 530 615 530   
二氧化矽3(平均粒徑2.0 μm) 重量份               
二氧化矽4(平均粒徑2.5 μm) 重量份               
熱塑性樹脂 聚醯亞胺樹脂 重量份 35 35 35 35 35
苯氧基樹脂 重量份               
碳酸酯樹脂 重量份               
樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中之填料之含量 重量% 70.0 69.9 70.4 69.9 70.0
硬化物之介電損耗因數(Df)    ○○ ○ ○○○ ○○ ○○
除膠渣性(導孔底之殘渣之去除性)    ○○ ○○ ○○ ○○ ○○
鍍覆剝離強度    ○○ ○ △ △ △
基板端部之硬化物層之缺損    ○○ ○○ ○○ ○○ ○
[表2]
   實施例6 實施例7 比較例1 比較例2 比較例3
環氧化合物 聯苯型環氧化合物 重量份 80 80 80 80 80
雙酚F型環氧化合物 重量份 20 20 20 20 20
硬化劑 第1硬化劑 苯酚碳酸酯化合物 重量份 45 45       45
活性酯碳酸酯化合物 重量份               
第2硬化劑 酚化合物 重量份       2 2   
活性酯化合物 重量份 80 80 90 90 80
硬化促進劑 2-苯基-4-甲基咪唑 重量份 3 3 3 3 3
填料 二氧化矽1(平均粒徑0.1 μm) 重量份               
二氧化矽2(平均粒徑0.5 μm) 重量份    615 535 535   
二氧化矽3(平均粒徑2.0 μm) 重量份 615            
二氧化矽4(平均粒徑2.5 μm) 重量份             615
熱塑性樹脂 聚醯亞胺樹脂 重量份 35    35    35
苯氧基樹脂 重量份    35         
碳酸酯樹脂 重量份          35   
樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中之填料之含量 重量% 70.0 70.0 69.9 69.9 70.0
硬化物之介電損耗因數(Df)    ○○ ○ × ○ ○○
除膠渣性(導孔底之殘渣之去除性)    ○ ○○ × × ×
鍍覆剝離強度    ○○ ○ × △ ○○
基板端部之硬化物層之缺損    ○ △ × × ×
11:多層印刷配線板 12:電路基板 12a:上表面 13:絕緣層 14:絕緣層 15:絕緣層 16:絕緣層 17:金屬層
圖1係模式性地表示使用本發明之一實施方式之樹脂材料之多層印刷配線板之剖視圖。

Claims (9)

  1. 一種樹脂材料，其包含：環氧化合物、填料、及硬化劑， 上述填料之平均粒徑為2.0 μm以下， 上述硬化劑包含第1硬化劑，該第1硬化劑具有碳酸酯結構且具有可與環氧基反應之官能基。
  2. 如請求項1之樹脂材料，其中於樹脂材料中之除溶劑以外之成分100重量%中，上述填料之含量為50重量%以上90重量%以下。
  3. 如請求項1或2之樹脂材料，其中上述第1硬化劑之分子量為20000以下。
  4. 如請求項1或2之樹脂材料，其中上述硬化劑包含不具有碳酸酯結構之第2硬化劑。
  5. 如請求項4之樹脂材料，其中上述第2硬化劑包含活性酯化合物。
  6. 如請求項1或2之樹脂材料，其包含聚醯亞胺樹脂。
  7. 如請求項1或2之樹脂材料，其為樹脂膜。
  8. 如請求項1或2之樹脂材料，其於多層印刷配線板中用於形成絕緣層。
  9. 一種多層印刷配線板，其具備： 電路基板、 配置於上述電路基板之表面上之複數層絕緣層、及 配置於複數層上述絕緣層間之金屬層，且 複數層上述絕緣層中之至少一層為如請求項1至8中任一項之樹脂材料之硬化物。
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